JP2000277008A - Pattern forming method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰの製造や、
ＬＣＤ、有機ＥＬ素子、プリント回路基板、多層回路基
板、マルチチップモジュールおよびＬＳＩ等を構成する
電極の製造に好適に用いられる、パターンの形成方法に
関する。The present invention relates to the production of PDPs,
The present invention relates to a method for forming a pattern, which is suitably used for manufacturing an electrode constituting an LCD, an organic EL element, a printed circuit board, a multilayer circuit board, a multichip module, an LSI, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、平板状の蛍光表示体としてプラズ
マディスプレイが注目されている。図１は交流型のプラ
ズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」ともいう）
の断面形状を示す模式図である。同図において、１およ
び２は対向配置されたガラス基板、３は隔壁であり、ガ
ラス基板１、ガラス基板２および隔壁３によりセルが区
画形成される。４はガラス基板１に固定された透明電
極、５は透明電極の抵抗を下げる目的で、透明電極上に
形成されたバス電極、６はガラス基板２に固定されたア
ドレス電極、７はセル内に保持された蛍光体、８は透明
電極４およびバス電極５を被覆するようガラス基板１の
表面に形成された誘電体層、９はアドレス電極６を被覆
するようにガラス基板２の表面に形成された誘電体層、
１０は例えば酸化マグネシウムよりなる保護膜である。
なお、直流型のＰＤＰにおいては、通常、電極端子（陽
極端子）と電極リード（陽極リード）との間に抵抗体を
設ける。また、プラズマディスプレイパネルのコントラ
ストを向上させるために、赤色、緑色、青色のカラーフ
ィルターやブラックマトリックスを、上記誘電体層８と
保護膜１０の間などに設ける場合もある。また、プリン
ト回路基板、多層回路基板、マルチチップモジュールお
よびＬＳＩ等については、電極配線や突起電極などの金
属電極が用いられ、さらにＬＣＤや有機ＥＬ素子などの
ディスプレイにおいては、ＩＴＯ膜のパターンなどから
なる透明電極が用いられる。2. Description of the Related Art In recent years, a plasma display has attracted attention as a flat fluorescent display. FIG. 1 shows an AC type plasma display panel (hereinafter also referred to as “PDP”).
It is a schematic diagram which shows the cross-sectional shape of. In FIG. 1, reference numerals 1 and 2 denote glass substrates which are arranged to face each other, and reference numeral 3 denotes a partition. 4 is a transparent electrode fixed on the glass substrate 1, 5 is a bus electrode formed on the transparent electrode for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode, 6 is an address electrode fixed on the glass substrate 2, and 7 is a cell electrode. The retained phosphor, 8 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 1 so as to cover the transparent electrode 4 and the bus electrode 5, and 9 is formed on the surface of the glass substrate 2 so as to cover the address electrode 6. Dielectric layer,
Reference numeral 10 denotes a protective film made of, for example, magnesium oxide.
In a direct current type PDP, a resistor is usually provided between an electrode terminal (anode terminal) and an electrode lead (anode lead). Further, in order to improve the contrast of the plasma display panel, a red, green, or blue color filter or a black matrix may be provided between the dielectric layer 8 and the protective film 10 or the like. For printed circuit boards, multilayer circuit boards, multi-chip modules, LSIs, and the like, metal electrodes such as electrode wiring and protruding electrodes are used. In displays such as LCDs and organic EL elements, the pattern of the ITO film is used. Transparent electrodes are used.
【０００３】このような各パターンの形成方法として
は、（１）無機薄膜をスパッタや蒸着などで形成し、レ
ジストを塗布、露光、現像後にエッチング液により無機
薄膜のパターンを形成するエッチング法、（２）非感光
性の無機粉体含有樹脂組成物を基板上にスクリーン印刷
してパターンを得、これを焼成するスクリーン印刷法、
（３）感光性の無機粉体含有樹脂組成物の膜を基板上に
形成し、この膜にフォトマスクを介して紫外線を照射し
た上で現像することにより基板上にパターンを残存さ
せ、これを焼成するフォトリソグラフィー法などが知ら
れている。また、本発明者らは、高精細なパターンを有
する部材の形成方法として、（４）支持フィルム上に形
成された非感光性の無機粉体含有樹脂層を基板上に転写
し、基板上に転写された無機粉体含有樹脂層上にレジス
ト膜を形成し、レジスト膜を露光、現像してレジストパ
ターンを得、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理して
レジストパターンに対応するパターンを形成し、これを
焼成する方法を提案している。[0003] As a method for forming each of such patterns, (1) an etching method in which an inorganic thin film is formed by sputtering or vapor deposition, a resist is applied, exposed and developed, and then an inorganic thin film pattern is formed with an etchant; 2) a screen printing method in which a non-photosensitive inorganic powder-containing resin composition is screen-printed on a substrate to obtain a pattern, which is fired;
(3) A film of a photosensitive inorganic powder-containing resin composition is formed on a substrate, and the film is irradiated with ultraviolet rays through a photomask and developed to leave a pattern on the substrate. A baking photolithography method and the like are known. In addition, the present inventors have described (4) transferring a non-photosensitive inorganic powder-containing resin layer formed on a support film onto a substrate and forming the member on a substrate as a method for forming a member having a high-definition pattern. Forming a resist film on the transferred inorganic powder-containing resin layer, exposing and developing the resist film to obtain a resist pattern, etching the inorganic powder-containing resin layer to form a pattern corresponding to the resist pattern Proposes a method of firing this.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（１）〜（４）の方法によって得られたパターンにおい
ては、「フリル」と呼ばれるパターン側面（エッジ部）
の凹凸や、基板露出部の残渣が見られる場合がある。特
に上記（３）、（４）の方法によって得られたパターン
においては、無機粉体の現像残りやエッチング残りが生
じやすいためや顕著である。これらエッジ部のフリルや
残渣の影響により、動作不良が発生し、特にＰＤＰ、Ｌ
ＣＤ、有機ＥＬ素子等のディスプレイにおいては、輝度
ムラとなって現れるという問題が生じる。However, in the patterns obtained by the above-mentioned methods (1) to (4), the side faces (edges) of the pattern called "ruffles"
Irregularities and residues at the exposed portions of the substrate may be observed. In particular, in the patterns obtained by the methods (3) and (4), the development residue and the etching residue of the inorganic powder are liable to occur, which is remarkable. Due to the effects of these frills and residues at the edge portions, malfunctions occur, particularly in PDPs and LDPs.
In a display such as a CD or an organic EL element, there is a problem that the display appears as uneven brightness.
【０００５】本発明は以上のような事情に基いてなされ
たものである。すなわち本発明の目的は、パターン側面
の凹凸がなく、残渣を生じないパターンの形成方法を提
供することにある。The present invention has been made based on the above circumstances. That is, an object of the present invention is to provide a method for forming a pattern having no unevenness on the side surface of the pattern and generating no residue.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のパターンの形成
方法は、基板上に、無機粉体および結着樹脂を含有する
樹脂層のパターンを形成し、当該パターン側面および基
板露出部に残存する不要な無機粉体含有樹脂を擦り取っ
た後、当該パターンを焼成処理する工程を含むことを特
徴とする。本発明においては、支持フィルム上に形成さ
れた無機粉体含有樹脂層を基板上に転写し、基板上に転
写された無機粉体含有樹脂層上にレジスト膜を形成し、
当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜
像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパ
ターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング
処理してレジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂
層のパターンを形成し、当該パターン側面および基板露
出部に残存する不要な無機粉体含有樹脂を擦り取った
後、当該パターンを焼成処理する工程を含むパターンの
形成方法（以下、「パターンの形成方法」ともいう）
が好ましい。さらに、本発明においては、レジスト膜と
無機粉体含有樹脂層との積層膜を支持フィルム上に形成
し、当該積層膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成す
るレジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を
形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパター
ンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理
してレジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂層の
パターンを形成し、当該パターン側面および基板露出部
に残存する不要な無機粉体含有樹脂を擦り取った後、当
該パターンを焼成処理する工程を含むパターンの形成方
法（以下、「パターンの形成方法」ともいう）が好ま
しい。According to the method of forming a pattern of the present invention, a pattern of a resin layer containing an inorganic powder and a binder resin is formed on a substrate, and the pattern is left on the side surface of the pattern and the exposed portion of the substrate. After rubbing off the unnecessary inorganic powder-containing resin, the method includes a step of baking the pattern. In the present invention, the inorganic powder-containing resin layer formed on the support film is transferred onto the substrate, a resist film is formed on the inorganic powder-containing resin layer transferred onto the substrate,
The resist film is exposed to light to form a latent image of the resist pattern, the resist film is developed to reveal the resist pattern, and the inorganic powder-containing resin layer is etched to form an inorganic layer corresponding to the resist pattern. After forming a pattern of the powder-containing resin layer, rubbing off unnecessary inorganic powder-containing resin remaining on the side surface of the pattern and the exposed portion of the substrate, a pattern forming method including a step of baking the pattern (hereinafter, referred to as Also called "pattern forming method")
Is preferred. Further, in the present invention, a laminated film of a resist film and an inorganic powder-containing resin layer is formed on a support film, the laminated film is transferred onto a substrate, and the resist film constituting the laminated film is exposed to light. Forming a latent image of the resist pattern, developing the resist film to reveal the resist pattern, etching the inorganic powder-containing resin layer to form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern. After forming and rubbing off unnecessary inorganic powder-containing resin remaining on the side surfaces of the pattern and exposed portions of the substrate, a pattern forming method including a step of baking the pattern (hereinafter, also referred to as “pattern forming method”) Is preferred.
【０００７】上記パターンの形成方法およびにおけ
る、好ましい実施形態は次のとおりである （ａ）エッチング液に対して溶解性が異なる複数の積層
からなる無機粉体含有樹脂層を、基板上に転写形成する
こと。 （ｂ）支持フィルム上に形成された層をｎ回（但し、ｎ
＝２〜１０の整数である。）にわたって転写することに
より、ｎ層の積層からなる無機粉体含有樹脂層を基板上
に形成すること。 （ｃ）支持フィルム上に形成されたｎ層（但し、ｎ＝２
〜１０の整数である。）の積層からなる無機粉体含有樹
脂層を一括転写することにより、無機粉体含有樹脂層を
基板上に形成すること。 （ｄ）レジスト膜を転写することにより、無機粉体含有
樹脂層上にレジスト膜を形成すること。 （ｅ）エッチング液がアルカリ性溶液であること。 （ｆ）現像処理に使用する現像液と、エッチング処理に
使用するエッチング液が同一の溶液であること。Preferred embodiments of the above-mentioned pattern forming method and method are as follows. (A) Transferring an inorganic powder-containing resin layer composed of a plurality of laminations having different solubility to an etching solution onto a substrate. To do. (B) The layer formed on the support film is n times (where n
= An integer of 2 to 10. ) To form an inorganic powder-containing resin layer composed of a stack of n layers on the substrate. (C) n layers formed on the support film (where n = 2
Is an integer of 10 to 10. Forming the inorganic powder-containing resin layer on the substrate by batch-transferring the inorganic powder-containing resin layer composed of the laminate of the above). (D) forming a resist film on the inorganic powder-containing resin layer by transferring the resist film; (E) The etching solution is an alkaline solution. (F) The developing solution used for the developing process and the etching solution used for the etching process are the same solution.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明においては、パターン側面および基板露出
部に残存する不要な無機粉体含有樹脂を擦り取った後、
焼成処理を行うことにより、パターン側面の凹凸や残渣
のないパターンを形成することが可能となる。本発明に
おいて不要な無機粉体含有樹脂を擦り取る方法として
は、無機粉体含有樹脂層のパターン側面および該パター
ンを担持する基板の露出部を、物理的に擦ること（以
下、「擦り処理」ともいう）によって行われる。擦り処
理の具体的な方法としては、基板やパターンを損傷しな
いものである限り限定されないが、布状、ロール状、ス
ポンジ状、ブラシ状などに加工されたゴムや樹脂などを
用いて不要な無機粉体含有樹脂層を擦り取る方法が挙げ
られ、例えば、アクリル、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリウレタン、ナイロン、レーヨ
ン、セルロース、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコー
ルなどを用いてパターンの側面および基板の露出部を擦
り、不要な無機粉体含有樹脂層を擦り取ることが好まし
い。擦り処理の条件としては、例えば、上記ゴム、樹脂
等のパターン側面および基板への接触圧力が０．０１〜
１ｋｇ／ｃｍ、移動速度が０．１〜１０ｍ／分である。
また、擦る方向は無機粉体含有樹脂層のパターンの長軸
方向と一致させることが好ましい。さらに、擦り処理中
および／または擦り処理の後に水洗などのリンス処理を
施すなどして、擦り取った無機粉体含有樹脂を除去し、
パターンおよび基板上を清掃することが好ましい。本発
明において、無機粉体含有樹脂層のパターンを形成する
方法としては、エッチング法、スクリーン印刷法、フォ
トリソグラフィー法など公知の方法を用いることができ
るが、上記パターンの形成方法またはパターンの形成
方法を用いることが、擦り処理時にパターンそのもの
が傷つきにくいため、好ましい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the present invention, after scraping the unnecessary inorganic powder-containing resin remaining on the pattern side surface and the substrate exposed portion,
By performing the baking treatment, it is possible to form a pattern without unevenness and residue on the side surface of the pattern. As a method of rubbing unnecessary inorganic powder-containing resin in the present invention, physically rubbing the pattern side surface of the inorganic powder-containing resin layer and the exposed portion of the substrate carrying the pattern (hereinafter referred to as “rubbing treatment”) Also called). The specific method of the rubbing treatment is not limited as long as it does not damage the substrate or the pattern.However, unnecessary inorganic materials can be obtained by using a rubber or resin processed into a cloth, a roll, a sponge, a brush, or the like. Examples include a method of rubbing the powder-containing resin layer, for example, using acrylic, polyester, polyethylene, polypropylene, polyurethane, nylon, rayon, cellulose, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, etc. to expose the side surface of the pattern and the exposed portion of the substrate. It is preferable to rub and remove unnecessary inorganic powder-containing resin layers. As the conditions of the rubbing treatment, for example, the contact pressure on the side surface of the pattern of the rubber, the resin and the like and the substrate is 0.01 to
1 kg / cm, moving speed is 0.1 to 10 m / min.
Further, it is preferable that the rubbing direction coincides with the major axis direction of the pattern of the inorganic powder-containing resin layer. Furthermore, during the rubbing treatment and / or after the rubbing treatment, a rinsing treatment such as washing with water is performed to remove the rubbed inorganic powder-containing resin,
It is preferable to clean the pattern and the substrate. In the present invention, as a method of forming a pattern of the inorganic powder-containing resin layer, known methods such as an etching method, a screen printing method, and a photolithography method can be used. Is preferred because the pattern itself is not easily damaged during the rubbing treatment.
【０００９】パターンの形成方法 パターンの形成方法は、〔１〕無機粉体含有樹脂層の
転写工程、〔２〕レジスト膜の形成工程、〔３〕レジス
ト膜の露光工程、〔４〕レジスト膜の現像工程、〔５〕
無機粉体含有樹脂層のエッチング工程、〔６〕無機粉体
含有樹脂層パターン側面および基板露出部の擦り処理工
程、〔７〕無機粉体含有樹脂層パターンの焼成工程の各
工程を有する。The method of forming the pattern includes: [1] a step of transferring an inorganic powder-containing resin layer, [2] a step of forming a resist film, [3] an exposing step of a resist film, and [4] a step of forming a resist film. Development step, [5]
The method includes the steps of: etching the inorganic powder-containing resin layer; [6] rubbing the side surface of the inorganic powder-containing resin layer pattern and the exposed portion of the substrate; [7] firing the inorganic powder-containing resin layer pattern.
【００１０】〔１〕無機粉体含有樹脂層の転写工程 図２および図３は、本発明のパターンの形成方法にお
ける無機粉体含有樹脂層の形成工程の一例を示す概略断
面図である。図２（イ）において、１１は基板である。
パターンの形成方法においては、転写フィルムを使用
し、当該転写フィルムを構成する無機粉体含有樹脂層を
基板の表面に転写する。ここに、転写フィルムは、支持
フィルムと、この支持フィルム上に形成された無機粉体
含有樹脂層とを有してなり、当該無機粉体含有樹脂層の
表面には保護フィルム層が設けられていてもよい。[1] Step of Transferring Inorganic Powder-Containing Resin Layer FIGS. 2 and 3 are schematic cross-sectional views showing an example of a step of forming an inorganic powder-containing resin layer in the pattern forming method of the present invention. In FIG. 2A, reference numeral 11 denotes a substrate.
In the pattern forming method, a transfer film is used, and the inorganic powder-containing resin layer constituting the transfer film is transferred to the surface of the substrate. Here, the transfer film has a support film and an inorganic powder-containing resin layer formed on the support film, and a protective film layer is provided on the surface of the inorganic powder-containing resin layer. You may.
【００１１】転写工程の一例を示せば以下のとおりであ
る。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィル
ム層を剥離した後、図２（ロ）に示すように、基板１１
の表面に、無機粉体含有樹脂層２１の表面が当接される
ように転写フィルム２０を重ね合わせ、この転写フィル
ム２０を加熱ローラなどにより熱圧着した後、無機粉体
含有樹脂層２１から支持フィルム２２を剥離除去する。
これにより、図２（ハ）に示すように、基板１１の表面
に無機粉体含有樹脂層２１が転写されて密着した状態と
なる。ここで、転写条件としては、例えば、ローラによ
るロール圧が１〜５ｋｇ／ｃｍ、ローラの移動速度が
０．１〜１０．０ｍ／分を示すことができる。また、転
写工程においてローラーが加熱されていてもよく、ロー
ラの表面温度としては例えば４０〜１４０℃とすること
ができる。さらに、基板は予熱されていてもよく、予熱
温度としては例えば４０〜１００℃とすることができ
る。An example of the transfer step is as follows. After peeling off the protective film layer of the transfer film used as necessary, as shown in FIG.
The transfer film 20 is overlapped so that the surface of the inorganic powder-containing resin layer 21 is brought into contact with the surface of the substrate, and the transfer film 20 is thermocompression-bonded with a heating roller or the like. The film 22 is peeled off.
As a result, as shown in FIG. 2C, the inorganic powder-containing resin layer 21 is transferred to and adhered to the surface of the substrate 11. Here, as the transfer conditions, for example, the roll pressure by the roller can be 1 to 5 kg / cm, and the moving speed of the roller can be 0.1 to 10.0 m / min. Further, the roller may be heated in the transfer step, and the surface temperature of the roller may be, for example, 40 to 140 ° C. Further, the substrate may be preheated, and the preheating temperature may be, for example, 40 to 100 ° C.
【００１２】〔２〕レジスト膜の形成工程 この工程においては、図２（ニ）に示すように、転写さ
れた無機粉体含有樹脂層２１の表面にレジスト膜３１を
形成する。このレジスト膜３１を構成するレジストとし
ては、ポジ型レジストおよびネガ型レジストのいずれで
あってもよく、その具体的組成については後述する。レ
ジスト膜３１は、スクリーン印刷法、ロール塗布法、回
転塗布法、流延塗布法等種々の方法によってレジストを
塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成することが
できる。また、支持フィルム上に形成されたレジスト膜
を無機粉体含有樹脂層２１の表面に転写することによっ
て形成してもよい。このような形成方法によれば、レジ
スト膜の形成工程における工程改善（高効率化）を図る
ことができるとともに、形成される無機粉体含有樹脂層
パターンの膜厚均一性を図ることができる。レジスト膜
３１の膜厚としては、通常、０．１〜４０μｍ、好まし
くは０．５〜２０μｍである。[2] Step of forming resist film In this step, as shown in FIG. 2D, a resist film 31 is formed on the surface of the transferred inorganic powder-containing resin layer 21. The resist constituting the resist film 31 may be either a positive resist or a negative resist, and the specific composition thereof will be described later. The resist film 31 can be formed by applying a resist by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a spin coating method, and a casting coating method, and then drying the coating film. Further, the resist film may be formed by transferring a resist film formed on the support film to the surface of the inorganic powder-containing resin layer 21. According to such a formation method, it is possible to improve the process (higher efficiency) in the formation process of the resist film, and it is possible to achieve uniformity of the thickness of the formed inorganic powder-containing resin layer pattern. The thickness of the resist film 31 is usually 0.1 to 40 μm, preferably 0.5 to 20 μm.
【００１３】〔３〕レジスト膜の露光工程 この工程においては、図２（ホ）に示すように、無機粉
体含有樹脂層２１上に形成されたレジスト膜３１の表面
に、露光用マスクＭを介して、紫外線などの放射線を選
択的照射（露光）して、レジストパターンの潜像を形成
する。同図において、ＭＡおよびＭＢは、それぞれ、露
光用マスクＭにおける光透過部および遮光部である。こ
こに、放射線照射装置としては、前記フォトリソグラフ
ィー法で使用されている紫外線照射装置、半導体および
液晶表示装置を製造する際に使用されている露光装置な
ど特に限定されるものではない。[3] Step of Exposure of Resist Film In this step, as shown in FIG. 2E, an exposure mask M is provided on the surface of the resist film 31 formed on the inorganic powder-containing resin layer 21. Through this process, a latent image of a resist pattern is formed by selectively irradiating (exposing) radiation such as ultraviolet rays. In the figure, MA and MB are a light transmitting part and a light shielding part in the exposure mask M, respectively. Here, the radiation irradiating apparatus is not particularly limited, such as an ultraviolet irradiating apparatus used in the photolithography method, an exposure apparatus used in manufacturing a semiconductor and a liquid crystal display device.
【００１４】〔４〕レジスト膜の現像工程 この工程においては、露光されたレジスト膜を現像処理
することにより、レジストパターン（潜像）を顕在化さ
せる。ここに、現像処理条件としては、レジスト膜３１
の種類などに応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像
時間、現像温度、現像方法（例えば浸漬法、揺動法、シ
ャワー法、スプレー法、パドル法）、現像装置などを適
宜選択することができる。この現像工程により、図３
（ヘ）に示すように、レジスト残留部３５Ａと、レジス
ト除去部３５Ｂとから構成されるレジストパターン３５
（露光用マスクＭに対応するパターン）が形成される。
このレジストパターン３５は、次工程（エッチング工
程）におけるエッチングマスクとして作用するものであ
り、レジスト残留部３５Ａの構成材料（光硬化されたレ
ジスト）は、無機粉体含有樹脂層２１の構成材料よりも
エッチング液に対する溶解速度が小さいことが必要であ
る。[4] Step of Developing Resist Film In this step, a resist pattern (latent image) is made visible by developing the exposed resist film. Here, the developing conditions include the resist film 31
The type, composition and concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, the developing method (for example, the immersion method, the oscillating method, the shower method, the spray method, and the paddle method) and the developing device are appropriately selected according to the type of the developer. be able to. By this developing process, FIG.
As shown in (f), a resist pattern 35 composed of a resist remaining portion 35A and a resist removing portion 35B.
(Pattern corresponding to exposure mask M) is formed.
The resist pattern 35 functions as an etching mask in the next step (etching step), and the constituent material (photocured resist) of the resist remaining portion 35A is smaller than the constituent material of the inorganic powder-containing resin layer 21. It is necessary that the dissolution rate with respect to the etching solution is low.
【００１５】〔５〕無機粉体含有樹脂層のエッチング工
程 この工程においては、無機粉体含有樹脂層をエッチング
処理し、レジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂
層のパターンを形成する。すなわち、図４（ト）に示す
ように、無機粉体含有樹脂層２１のうち、レジストパタ
ーン３５のレジスト除去部３５Ｂに対応する部分がエッ
チング液に溶解されて選択的に除去される。ここに、図
３（ト）は、エッチング処理中の状態を示している。そ
して、更にエッチング処理を継続すると、図３（チ）に
示すように、無機粉体含有樹脂層２１におけるレジスト
除去部に対応する部分で基板表面が露出する。これによ
り、層残留部２５Ａと層除去部２５Ｂとから構成される
無機粉体含有樹脂層パターン２５が形成される。ここ
に、エッチング処理条件としては、無機粉体含有樹脂層
２１の種類などにに応じて、エッチング液の種類・組成
・濃度、処理時間、処理温度、処理方法（例えば浸漬
法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法）、処
理装置などを適宜選択することができる。なお、エッチ
ング液として、現像工程で使用した現像液と同一の溶液
を使用することができるよう、レジスト膜３１および無
機粉体含有樹脂層２１の種類を選択することにより、現
像工程と、エッチング工程とを連続的に実施することが
可能となり、工程の簡略化による製造効率の向上を図る
ことができる。ここに、レジストパターン３５を構成す
るレジスト残留部３５Ａは、エッチング処理の際に徐々
に溶解され、無機粉体含有樹脂層パターン２５が形成さ
れた段階（エッチング処理の終了時）で完全に除去され
るものであることが好ましい。また、エッチング処理後
にレジスト残留部３５Ａの一部または全部が残留してい
ても、当該レジスト残留部３５Ａは、〔７〕の焼成工程
で除去される。[5] Step of Etching Inorganic Powder-Containing Resin Layer In this step, the inorganic powder-containing resin layer is etched to form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern. That is, as shown in FIG. 4G, a portion of the inorganic powder-containing resin layer 21 corresponding to the resist removal portion 35B of the resist pattern 35 is dissolved in an etching solution and selectively removed. FIG. 3G shows a state during the etching process. Then, when the etching process is further continued, as shown in FIG. 3H, the substrate surface is exposed at a portion corresponding to the resist removed portion in the inorganic powder-containing resin layer 21. Thus, an inorganic powder-containing resin layer pattern 25 composed of the layer remaining portion 25A and the layer removing portion 25B is formed. Here, as the etching treatment conditions, the type, composition, concentration, treatment time, treatment temperature, treatment method (for example, immersion method, rocking method, A shower method, a spray method, a paddle method), a processing device, and the like can be appropriately selected. The type of the resist film 31 and the type of the inorganic powder-containing resin layer 21 are selected so that the same solution as the developing solution used in the developing step can be used as the etching solution. Can be continuously performed, and the manufacturing efficiency can be improved by simplifying the process. Here, the resist remaining portion 35A constituting the resist pattern 35 is gradually dissolved during the etching process, and is completely removed at the stage when the inorganic powder-containing resin layer pattern 25 is formed (at the end of the etching process). Preferably, it is Even if a part or the entirety of the resist remaining portion 35A remains after the etching process, the resist remaining portion 35A is removed in the baking step [7].
【００１６】〔６〕無機粉体含有樹脂層パターン側面お
よび基板露出部の擦り処理工程 この工程においては、図３（リ）に示すように、層残留
部２５Ａの側面と層除去部２５Ｂとに存在する不要な無
機粉体含有樹脂を、ゴム、樹脂などで形成されたロール
Ｒで擦り取ることにより、パターンエッジ部の凹凸や、
露出した基板表面の残渣を除去する。ここに、処理条件
については、上述した通りである。[6] Rubbing process of the side surface of the inorganic powder-containing resin layer pattern and the exposed portion of the substrate In this step, as shown in FIG. By scraping existing unnecessary inorganic powder-containing resin with a roll R formed of rubber, resin, or the like, unevenness of a pattern edge portion,
The residue on the exposed substrate surface is removed. Here, the processing conditions are as described above.
【００１７】〔７〕無機粉体含有樹脂層パターンの焼成
工程 この工程においては、無機粉体含有樹脂層パターン２５
を焼成処理してパターンを形成する。これにより、材料
層残留部中の有機物質が焼失して、無機物層が形成さ
れ、図４（ヌ）に示すような、基板の表面にパターン４
０を形成することができる。ここに、焼成処理の温度と
しては、材料層残留部２５Ａ中の有機物質が焼失される
ことが必要であり、通常、空気中で４００〜６００℃と
される。また、焼成時間は、通常１０〜９０分間とされ
る。[7] Step of baking the inorganic powder-containing resin layer pattern In this step, the inorganic powder-containing resin layer pattern 25 is fired.
Is fired to form a pattern. As a result, the organic substance in the remaining portion of the material layer is burned off to form an inorganic layer, and the pattern 4 is formed on the surface of the substrate as shown in FIG.
0 can be formed. Here, the temperature of the firing treatment is required to be such that the organic substance in the material layer residual portion 25A is burned off, and is usually 400 to 600 ° C. in the air. The firing time is usually set to 10 to 90 minutes.
【００１８】パターンの形成方法 パターンの製造方法においては、支持フィルム上にレ
ジスト膜が形成され、当該レジスト膜上に無機粉体含有
樹脂層が積層形成された転写フィルムが用いられる。こ
こに、レジスト膜、無機粉体含有樹脂層を形成する際に
は、ロールコータなどを使用することができ、これによ
り、膜厚の均一性に優れた積層膜を支持フィルム上に形
成することができる。製造工程としては、〔１〕レジス
ト膜と無機粉体含有樹脂層との積層膜の転写工程、
〔２〕レジスト膜の露光工程、〔３〕レジスト膜の現像
工程、〔４〕膜形成材料層のエッチング工程、〔５〕無
機粉体含有樹脂層パターン側面および基板露出部の擦り
処理工程、および〔６〕膜形成材料層パターンの焼成工
程が挙げられ、当該〔２〕、〔３〕、〔４〕、〔５〕お
よび〔６〕の工程はそれぞれ、パターンの形成方法に
おける〔３〕、〔４〕、〔５〕、〔６〕および〔７〕の
それぞれの工程における条件と同様でよい。パターンの
形成方法によれば、レジスト膜と無機粉体含有樹脂層
とが基板上に一括転写されるので、工程の簡略化による
製造効率を、パターンの形成方法よりも更に向上させ
ることができる。 Method for Forming a Pattern In the method for producing a pattern, a transfer film is used in which a resist film is formed on a support film and an inorganic powder-containing resin layer is formed on the resist film. Here, when forming the resist film and the inorganic powder-containing resin layer, a roll coater or the like can be used, whereby a laminated film having excellent uniformity in film thickness can be formed on the support film. Can be. As a manufacturing process, [1] a step of transferring a laminated film of a resist film and an inorganic powder-containing resin layer,
[2] exposure step of the resist film, [3] development step of the resist film, [4] etching step of the film forming material layer, [5] rubbing step of the side surface of the inorganic powder-containing resin layer pattern and the exposed portion of the substrate, and [6] A baking step of the film forming material layer pattern is mentioned, and the steps [2], [3], [4], [5] and [6] are [3] and [6], respectively, in the pattern forming method. 4], [5], [6] and [7] may be the same as the conditions in each step. According to the pattern forming method, since the resist film and the inorganic powder-containing resin layer are collectively transferred onto the substrate, the manufacturing efficiency by simplifying the process can be further improved as compared with the pattern forming method.
【００１９】好ましい実施形態 本発明の形成方法においては、エッチング液に対して溶
解性が異なる複数の積層からなる無機粉体含有樹脂層を
基板上に転写形成することが好ましい。このような積層
をエッチング処理することにより、エッチングに対する
深さ方向の異方性が生じるため、矩形状または矩形に近
い好ましい断面形状を有するパターンを形成することが
できる。なお、上記積層数は、通常１０以下とされ、好
ましくは２〜５とされる。ここに、ｎ層の積層からなる
無機粉体含有樹脂層を基板上に形成する方法としては、
（１）支持フィルム上に形成された一層をｎ回にわたっ
て転写する方法、（２）ｎ層の積層からなる無機粉体含
有樹脂層を一括転写する方法のいずれの方法であっても
よいが、転写工程の簡略化の観点からは前記（２）の方
法が好ましい。 Preferred Embodiment In the formation method of the present invention, it is preferable to transfer and form an inorganic powder-containing resin layer composed of a plurality of laminated layers having different solubilities to an etching solution on a substrate. By performing an etching process on such a stack, anisotropy in the depth direction with respect to the etching is generated, so that a pattern having a rectangular shape or a preferable cross-sectional shape close to a rectangle can be formed. The number of layers is usually 10 or less, and preferably 2 to 5. Here, as a method of forming an inorganic powder-containing resin layer composed of a stack of n layers on a substrate,
Either (1) a method of transferring one layer formed on the support film n times, or (2) a method of collectively transferring an inorganic powder-containing resin layer composed of a stack of n layers may be used. The method (2) is preferable from the viewpoint of simplifying the transfer process.
【００２０】用いられる材料、条件 以下に、前記の各工程に用いられる材料、各種条件など
について説明する。 ＜基板＞基板材料としては、例えばガラス、シリコンな
どからなる板状部材である。この板状部材の表面に対し
ては、必要に応じて、シランカップリング剤などによる
薬品処理；プラズマ処理；イオンプレーティング法、ス
パッタリング法、気相反応法、真空蒸着法などによる薄
膜形成処理のような適宜の前処理を施されていてもよ
い。 Materials and Conditions Used In the following, the materials used in each of the above steps and various conditions will be described. <Substrate> The substrate material is, for example, a plate-like member made of glass, silicon, or the like. The surface of the plate-like member may be subjected to a chemical treatment with a silane coupling agent or the like as necessary; a plasma treatment; a thin film forming treatment by an ion plating method, a sputtering method, a gas phase reaction method, a vacuum deposition method, or the like. Such an appropriate pretreatment may be performed.
【００２１】＜転写フィルム＞上記パターンの形成方法
で用いられる転写フィルム（以下、「転写フィルム
」ともいう）は、支持フィルムと、この支持フィルム
上に形成された無機粉体含有樹脂層とを有してなり、当
該無機粉体含有樹脂層の表面に保護フィルム層が設けら
れていてもよい。転写フィルムは、支持フィルム上に無
機粉体含有樹脂組成物を塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の
一部または全部を除去することにより形成することがで
きる。また、上記パターンの形成方法で用いられる転
写フィルム（以下、「転写フィルム」ともいう）は、
支持フィルムと、この支持フィルム上に形成されたレジ
スト膜と、レジスト膜上に形成された無機粉体含有樹脂
層とを有してなり、当該無機粉体含有樹脂層の表面に保
護フィルム層が設けられていてもよい。転写フィルム
は、支持フィルム上にレジスト組成物を塗布し、塗膜を
乾燥して溶剤の一部または全部を除去してレジスト膜を
形成し、当該レジスト膜の上に無機粉体含有樹脂組成物
を塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一部または全部を除去
することにより形成することができる。 （１）支持フィルム：転写フィルムを構成する支持フィ
ルムは、耐熱性および耐溶剤性を有すると共に可撓性を
有する樹脂フィルムであることが好ましい。支持フィル
ムが可撓性を有することにより、ロールコータによって
ペースト状組成物を塗布することができ、無機粉体含有
樹脂層をロール状に巻回した状態で保存し、供給するこ
とができる。支持フィルムを形成する樹脂としては、例
えばポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミ
ド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフロ
ロエチレンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロース
などを挙げることができる。支持フィルムの厚さとして
は、例えば２０〜１００μｍとされる。なお、支持フィ
ルムの表面には離型処理が施されていることが好まし
い。これにより、転写工程において、支持フィルムの剥
離操作を容易に行うことができる。<Transfer Film> The transfer film (hereinafter, also referred to as "transfer film") used in the above-described pattern forming method has a support film and an inorganic powder-containing resin layer formed on the support film. A protective film layer may be provided on the surface of the inorganic powder-containing resin layer. The transfer film can be formed by applying an inorganic powder-containing resin composition on a support film, drying the coating film, and removing a part or all of the solvent. Further, a transfer film (hereinafter, also referred to as a “transfer film”) used in the method for forming a pattern described above,
A support film, a resist film formed on the support film, and an inorganic powder-containing resin layer formed on the resist film, a protective film layer on the surface of the inorganic powder-containing resin layer It may be provided. The transfer film is formed by applying a resist composition on a support film, drying the coating film and removing a part or all of the solvent to form a resist film, and forming an inorganic powder-containing resin composition on the resist film. And drying the coating to remove part or all of the solvent. (1) Support film: The support film constituting the transfer film is preferably a resin film having heat resistance and solvent resistance and having flexibility. When the support film has flexibility, the paste composition can be applied by a roll coater, and the inorganic powder-containing resin layer can be stored and supplied in a rolled state. Examples of the resin forming the support film include fluorine-containing resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, and polyfluoroethylene, nylon, and cellulose. The thickness of the support film is, for example, 20 to 100 μm. In addition, it is preferable that the surface of the support film is subjected to a release treatment. Thereby, in the transfer step, the operation of peeling the support film can be easily performed.
【００２２】（２）無機粉体含有樹脂層：転写フィルム
を構成する無機粉体含有樹脂層は、無機粉体、結着樹脂
および溶剤を必須成分として含有するペースト状の無機
粉体含有樹脂組成物（電極形成用組成物、抵抗体形成用
組成物、蛍光体形成用組成物、カラーフィルター形成用
組成物、ブラックマトリックス形成用組成物など）を上
記支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一部
または全部を除去することにより形成することができ
る。(2) Inorganic powder-containing resin layer: The inorganic powder-containing resin layer constituting the transfer film is a paste-like inorganic powder-containing resin composition containing inorganic powder, a binder resin and a solvent as essential components. (A composition for forming an electrode, a composition for forming a resistor, a composition for forming a phosphor, a composition for forming a color filter, a composition for forming a black matrix, etc.) are applied on the support film, and the coating film is dried. Then, the solvent can be formed by removing a part or all of the solvent.
【００２３】（３）無機粉体含有樹脂組成物 転写フィルムを作製するために使用される無機粉体含有
樹脂組成物は、（ａ）無機粉体、（ｂ）結着樹脂および
（ｃ）溶剤を含有してなるペースト状の組成物である。(3) Inorganic powder-containing resin composition The inorganic powder-containing resin composition used for producing the transfer film comprises (a) an inorganic powder, (b) a binder resin, and (c) a solvent. Is a paste composition.
【００２４】（ａ）無機粉体 本発明の無機粉体含有樹脂組成物に使用される無機粉体
は、形成材料の種類によって異なる。電極形成材料に使
用される無機粉体としては、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、
Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕ、Ｃｒなどを挙げることができ
る。また、透明電極形成材料に使用される無機粉体とし
ては、酸化インジウム、酸化錫、錫含有酸化インジウム
（ＩＴＯ）、アンチモン含有酸化錫（ＡＴＯ）、フッ素
添加酸化インジウム（ＦＩＯ）、フッ素添加酸化錫（Ｆ
ＴＯ）、フッ素添加酸化亜鉛（ＦＺＯ）、ならびに、Ａ
ｌ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｎ、ＳｎおよびＴｉから選ばれた一
種もしくは二種以上の金属を含有する酸化亜鉛微粉体な
どを挙げることができる。ＰＤＰの隔壁形成材料に使用
される無機粉体としては、低融点ガラスフリットを挙げ
ることができる。具体例としては、 酸化亜鉛、酸化
ホウ素、酸化ケイ素系（ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ
2系）、 酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素系（ＰｂＯ
−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系）、 酸化鉛、酸化ホウ素、酸化
ケイ素、酸化アルミニウム系（ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ
2−Ａｌ2Ｏ3系）、 酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、
酸化ケイ素系（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ
2系）、 酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化ケイ素系
（Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系）、 酸化ビスマス、
酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム系（Ｂｉ2
Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系）などを挙げること
ができる。また、適宜フィラーとしてアルミナなどを添
加しても良い。ＰＤＰの抵抗体形成材料に使用される無
機粉体としては、ＲｕＯ2 などを挙げることができる。
ＰＤＰの蛍光体形成材料に使用される無機粉体は、赤色
用としてはＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ3+、Ｙ2 ＳｉＯ5 ：Ｅｕ3+、
Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｅｕ3+、ＹＶＯ4 ：Ｅｕ3+、（Ｙ，Ｇ
ｄ）ＢＯ3 ：Ｅｕ3+、Ｚｎ3 （ＰＯ4 ）2 ：Ｍｎなど、
緑色用としてはＺｎ2 ＳｉＯ4 ：Ｍｎ、ＢａＡｌ
12Ｏ19：Ｍｎ、ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｍｎ、ＬａＰＯ
4 ：（Ｃｅ，Ｔｂ）、Ｙ3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12：Ｔｂ
など、青色用としてはＹ2 ＳｉＯ5 ：Ｃｅ、ＢａＭｇＡ
ｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+、ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ2+、（Ｃ
ａ，Ｓｒ，Ｂａ）10（ＰＯ4 ）6 Ｃｌ2 ：Ｅｕ2+、（Ｚ
ｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇなどを挙げることができる。ＰＤ
Ｐ、ＬＣＤなどのカラーフィルター形成材料に使用され
る無機粉体は、赤色用としてはＦｅ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4
など、緑色用としてはＣｒ2 Ｏ3 など、青色用としては
ＣｏＯ・Ａｌ2Ｏ3などを挙げることができる。ＰＤＰ、
ＬＣＤなどのブラックマトリックス形成材料に使用され
る無機粉体としては、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒなどの金属や、
ＣｕＯ−Ｃｒ2Ｏ3、ＣｕＯ−Ｆｅ2Ｏ3−Ｍｎ2Ｏ3、Ｃｕ
Ｏ−Ｃｒ2Ｏ3−Ｍｎ2Ｏ3、ＣｏＯ−Ｆｅ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3
などの複合酸化物などを挙げることができる。なお、電
極、抵抗体、蛍光体、カラーフィルター、ブラックマト
リックスの形成材料など、低融点ガラスフリット以外の
無機粉体を用いる場合には、パターンの接着力向上の目
的で、隔壁形成材料に使用される低融点ガラスフリット
を併用しても良い。この場合の低融点ガラスフリットの
含有量は、用途によって異なるが、通常、低融点ガラス
フリットを含む無機粉体全量に対して５０重量部以下で
ある。(A) Inorganic Powder The inorganic powder used in the resin composition containing an inorganic powder of the present invention varies depending on the type of the forming material. As the inorganic powder used for the electrode forming material, Ag, Au, Al, Ni,
Ag-Pd alloy, Cu, Cr and the like can be mentioned. Examples of the inorganic powder used for the transparent electrode forming material include indium oxide, tin oxide, tin-containing indium oxide (ITO), antimony-containing tin oxide (ATO), fluorinated indium oxide (FIO), and fluorinated tin oxide. (F
TO), fluorinated zinc oxide (FZO), and A
Fine powder of zinc oxide containing one or more metals selected from l, Co, Fe, In, Sn and Ti can be used. As the inorganic powder used for the partition wall forming material of the PDP, a low melting point glass frit can be exemplified. Specific examples include zinc oxide, boron oxide, and silicon oxide (ZnO—B 2 O 3 —SiO
2 ), lead oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO
—B 2 O 3 —SiO 2 system), lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide system (PbO—B 2 O 3 —SiO)
2- Al 2 O 3 ), lead oxide, zinc oxide, boron oxide,
Silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO
2 system), bismuth oxide, boron oxide, silicon oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 system), bismuth oxide,
Boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (Bi 2
O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 system) and the like. Further, alumina or the like may be appropriately added as a filler. Examples of the inorganic powder used for the PDP resistor forming material include RuO 2 .
Inorganic powders used for the PDP phosphor forming material include Y 2 O 3 : Eu 3+ , Y 2 SiO 5 : Eu 3+ for red color,
Y 3 Al 5 O 12 : Eu 3+ , YVO 4 : Eu 3+ , (Y, G
d) BO 3 : Eu 3+ , Zn 3 (PO 4 ) 2 : Mn, etc.
Zn 2 SiO 4 : Mn, BaAl for green color
12 O 19 : Mn, BaMgAl 14 O 23 : Mn, LaPO
4 : (Ce, Tb), Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb
Y 2 SiO 5 : Ce, BaMgA for blue
l 10 O 17 : Eu 2+ , BaMgAl 14 O 23 : Eu 2+ , (C
a, Sr, Ba) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu 2+ , (Z
n, Cd) S: Ag and the like. PD
Inorganic powders used for color filter forming materials such as P and LCD include Fe 2 O 3 and Pb 3 O 4 for red color.
Etc., such as Cr 2 O 3 as green, and the like CoO · Al 2 O 3 as blue. PDP,
Inorganic powders used for black matrix forming materials such as LCDs include metals such as Mn, Fe, and Cr,
CuO-Cr 2 O 3, CuO -Fe 2 O 3 -Mn 2 O 3, Cu
O-Cr 2 O 3 -Mn 2 O 3, CoO-Fe 2 O 3 -Cr 2 O 3
And the like. When using inorganic powders other than the low-melting glass frit, such as electrodes, resistors, phosphors, color filters, and black matrix forming materials, they are used as partition wall forming materials for the purpose of improving the adhesion of the pattern. Low melting point glass frit may be used in combination. In this case, the content of the low melting point glass frit varies depending on the application, but is usually 50 parts by weight or less based on the total amount of the inorganic powder containing the low melting point glass frit.
【００２５】（ｂ）結着樹脂 本発明の無機粉体含有樹脂組成物に使用される結着樹脂
としては、種々の樹脂を用いることができるが、アルカ
リ可溶性樹脂を３０〜１００重量％の割合で含有する結
着樹脂を用いることが特に好ましい。ここに、「アルカ
リ可溶性」とは、後述するアルカリ性のエッチング液に
よって溶解し、目的とするエッチング処理が遂行される
程度に溶解性を有する性質をいう。かかるアルカリ可溶
性樹脂の具体例としては、例えば（メタ）アクリル系樹
脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、ポリエ
ステル樹脂などを挙げることができる。このようなアル
カリ可溶性樹脂のうち、特に好ましいものとしては、下
記のモノマー（イ）とモノマー（ロ）との共重合体、又
はモノマー（イ）と、モノマー（ロ）とモノマー（ハ）
との共重合体を挙げることができる。(B) Binder Resin As the binder resin used in the resin composition containing an inorganic powder of the present invention, various resins can be used. It is particularly preferable to use a binder resin contained in the above. Here, “alkali-soluble” refers to a property of being dissolved by an alkaline etching solution described later and having such a solubility as to perform an intended etching process. Specific examples of such alkali-soluble resins include, for example, (meth) acrylic resins, hydroxystyrene resins, novolak resins, polyester resins, and the like. Among such alkali-soluble resins, particularly preferred are the following copolymers of monomer (a) and monomer (b), or monomer (a), monomer (b) and monomer (c).
And copolymers thereof.
【００２６】モノマー（イ）：アクリル酸、メタクリル
酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、
シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸、コハク酸モノ
（２−アクリロイロキシエチル）、ω−カルボキシ−ポ
リカプロラクトンモノアクリレートなどのカルボキシル
基含有モノマー類；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシ
エチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、
（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピルなどの水酸
基含有モノマー類；ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒド
ロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレンなどのフェノ
ール性水酸基含有モノマー類などに代表されるアルカリ
可溶性官能基含有モノマー類。 モノマー（ロ）：（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）
アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メ
タ）アクリル酸（２−エチルヘキシル）、（メタ）アク
リル酸ラウリル、（メタ）アクリル酸ベンジル、グリシ
ジル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メ
タ）アクリレートなどのモノマー（イ）以外の（メタ）
アクリル酸エステル類；スチレン、α−メチルスチレン
などの芳香族ビニル系モノマー類；ブタジエン、イソプ
レンなどの共役ジエン類などに代表されるモノマー
（イ）と共重合可能なモノマー類。 モノマー（ハ）：ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル
酸メチル、ポリ（メタ）アクリル酸エチル、ポリ（メ
タ）アクリル酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の末端
に、（メタ）アクリロイル基などの重合性不飽和基を有
するマクロモノマーなどに代表されるマクロモノマー
類：Monomer (a): acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid,
Carboxyl group-containing monomers such as citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, mono (2-acryloyloxyethyl succinate), ω-carboxy-polycaprolactone monoacrylate; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, ) 2-hydroxypropyl acrylate;
Hydroxyl-containing monomers such as 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; alkali-soluble functional-group-containing monomers such as phenolic hydroxyl-containing monomers such as o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene and p-hydroxystyrene . Monomer (b): methyl (meth) acrylate, (meth)
Ethyl acrylate, butyl (meth) acrylate, (2-ethylhexyl) (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate (Meta) other than monomer (a)
Acrylic esters; Aromatic vinyl monomers such as styrene and α-methylstyrene; Monomers copolymerizable with monomers (a) represented by conjugated dienes such as butadiene and isoprene. Monomer (c): A polymerizable polymer such as a (meth) acryloyl group is attached to one end of a polymer chain such as polystyrene, poly (methyl) methacrylate, ethyl poly (meth) acrylate, and benzyl poly (meth) acrylate. Macromonomers represented by macromonomers having a saturated group:
【００２７】無機粉体含有樹脂組成物における結着樹脂
の含有割合としては、無機粉体１００重量部に対して、
通常１〜５００重量部とされ、好ましくは５〜１００重
量部とされる。The content ratio of the binder resin in the inorganic powder-containing resin composition is based on 100 parts by weight of the inorganic powder.
Usually, it is 1 to 500 parts by weight, preferably 5 to 100 parts by weight.
【００２８】（ｃ）溶剤 無機粉体含有樹脂組成物を構成する溶剤は、当該無機粉
体含有樹脂組成物に、適当な流動性または可塑性、良好
な膜形成性を付与するために含有される。無機粉体含有
樹脂組成物を構成する溶剤としては、特に制限されるも
のではなく、例えばエーテル類、エステル類、エーテル
エステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、
アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、スルホキ
シド類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素
類などを挙げることができる。かかる溶剤の具体例とし
ては、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサン、
エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレン
グリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコー
ルモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジア
ルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキル
エーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル
類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アル
コキシ酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、ヒド
ロキシプロピオン酸エステル類、アルコキシプロピオン
酸エステル類、乳酸エステル類、エチレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコー
ルモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリ
コールモノアルキルエーテルアセテート類、アルコキシ
酢酸エステル類、環式ケトン類、非環式ケトン類、アセ
ト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、Ｎ，Ｎ−ジ
アルキルホルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトア
ミド類、Ｎ−アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、
ジアルキルスルホキシド類、ジアルキルスルホン類、タ
ーピネオール、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどを挙げ
ることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合
わせて用いることができる。無機粉体含有樹脂組成物に
おける溶剤の含有割合としては、良好な膜形成性（流動
性または可塑性）が得られる範囲内において適宜選択す
ることができる。(C) Solvent The solvent constituting the inorganic powder-containing resin composition is contained for imparting appropriate fluidity or plasticity and good film-forming property to the inorganic powder-containing resin composition. . The solvent constituting the inorganic powder-containing resin composition is not particularly limited, for example, ethers, esters, ether esters, ketones, ketone esters, amides,
Examples include amide esters, lactams, lactones, sulfoxides, sulfones, hydrocarbons, and halogenated hydrocarbons. Specific examples of such a solvent include tetrahydrofuran, anisole, dioxane,
Ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, acetates, hydroxyacetates, alkoxyacetates , Propionates, hydroxypropionates, alkoxypropionates, lactates, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether acetates, alkoxy acetates, Cyclic ketones, acyclic ketones, acetoacetates Pyruvate esters, N, N- dialkyl formamides, N, N- dialkyl acetamides, N- alkylpyrrolidones, .gamma.-lactones,
Examples thereof include dialkyl sulfoxides, dialkyl sulfones, terpineol, N-methyl-2-pyrrolidone, and the like, and these can be used alone or in combination of two or more. The content ratio of the solvent in the inorganic powder-containing resin composition can be appropriately selected within a range where good film-forming properties (fluidity or plasticity) can be obtained.
【００２９】無機粉体含有樹脂組成物には、任意成分と
して、可塑剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防
止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収
剤、フィラー、低融点ガラス等の各種添加剤が含有され
ていてもよい。In the inorganic powder-containing resin composition, as optional components, a plasticizer, a development accelerator, an adhesion aid, an antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a filler, Various additives such as low melting point glass may be contained.
【００３０】無機粉体含有樹脂組成物は、転写フィルム
の場合は支持フィルム上に塗布され、転写フィルム
の場合は、支持フィルム上に後述するレジスト組成物を
塗布、乾燥して得られたレジスト膜の上に塗布される。
無機粉体含有樹脂組成物の塗布方法としては、膜厚の均
一性に優れた膜厚の大きい（例えば１０μｍ以上）塗膜
を効率よく形成することができるものであることが必要
とされ、具体的には、ロールコータによる塗布方法、ド
クターブレードによる塗布方法、カーテンコーターによ
る塗布方法、ワイヤーコーターによる塗布方法などを好
ましいものとして挙げることができる。In the case of a transfer film, the inorganic powder-containing resin composition is coated on a support film, and in the case of a transfer film, a resist film obtained by applying and drying a resist composition described below on the support film. Is applied on top.
The method for applying the inorganic powder-containing resin composition is required to be capable of efficiently forming a large (for example, 10 μm or more) coating film having excellent uniformity in film thickness. Specifically, a coating method using a roll coater, a coating method using a doctor blade, a coating method using a curtain coater, a coating method using a wire coater, and the like can be preferably mentioned.
【００３１】塗膜の乾燥条件としては、例えば、５０〜
１５０℃で０．５〜３０分間程度とされ、乾燥後におけ
る溶剤の残存割合（無機粉体含有樹脂層中の含有率）
は、通常２重量％以内とされる。The conditions for drying the coating film are, for example, 50 to
The temperature is set to about 0.5 to 30 minutes at 150 ° C., and the residual ratio of the solvent after drying (content in the inorganic powder-containing resin layer)
Is usually within 2% by weight.
【００３２】上記のようにして形成される無機粉体含有
樹脂層の厚さとしては、無機粉末の含有率、部材の種類
やサイズなどによっても異なるが、例えば５〜１００μ
ｍとされる。なお、無機粉体含有樹脂層の表面に設けら
れることのある保護フィルム層としては、ポリエチレン
フィルム、ポリビニルアルコール系フィルムなどを挙げ
ることができる。The thickness of the inorganic powder-containing resin layer formed as described above varies depending on the content of the inorganic powder, the type and size of the member, and is, for example, 5 to 100 μm.
m. In addition, as a protective film layer that may be provided on the surface of the inorganic powder-containing resin layer, a polyethylene film, a polyvinyl alcohol-based film, and the like can be given.
【００３３】＜レジスト膜（レジスト組成物）＞パター
ンの形成方法においては、基板上に転写された無機粉
体含有樹脂層上にレジスト膜が形成され、当該レジスト
膜に露光処理および現像処理を施すことにより、前記無
機粉体含有樹脂層上にレジストパターンが形成される。
また、パターンの形成方法においては、上述したよう
に、支持フィルム上にレジスト膜が形成され、当該レジ
スト膜の上に無機粉体含有樹脂層が形成された転写フィ
ルムが用いられる。レジスト膜を形成するために使用す
るレジスト組成物としては、（１）アルカリ現像型感放
射線性レジスト組成物、（２）有機溶剤現像型感放射線
性レジスト組成物、（３）水性現像型感放射線性レジス
ト組成物などを例示することができる。以下、これらの
レジスト組成物について説明する。<Resist Film (Resist Composition)> In the method of forming a pattern, a resist film is formed on an inorganic powder-containing resin layer transferred onto a substrate, and the resist film is exposed and developed. Thereby, a resist pattern is formed on the inorganic powder-containing resin layer.
In the pattern forming method, as described above, a transfer film in which a resist film is formed on a support film and an inorganic powder-containing resin layer is formed on the resist film is used. Examples of the resist composition used to form the resist film include (1) an alkali-developing radiation-sensitive resist composition, (2) an organic solvent-developing radiation-sensitive resist composition, and (3) an aqueous-developing radiation-sensitive resist composition. And the like. Hereinafter, these resist compositions will be described.
【００３４】（１）アルカリ現像型感放射線性レジスト
組成物 アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物は、アルカリ
可溶性樹脂と感放射線性成分を必須成分として含有して
なる。アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物を構成
するアルカリ可溶性樹脂としては、前述の無機粉体含有
樹脂組成物の結着樹脂を構成するものとして例示したア
ルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。(1) Alkali development type radiation-sensitive resist composition The alkali development type radiation-sensitive resist composition contains an alkali-soluble resin and a radiation-sensitive component as essential components. Examples of the alkali-soluble resin constituting the alkali-developable radiation-sensitive resist composition include the alkali-soluble resins exemplified as the binder resin of the above-mentioned inorganic powder-containing resin composition.
【００３５】アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物
を構成する感放射線性成分としては、例えば、（イ）多
官能性モノマーと放射線重合開始剤との組み合わせ、
（ロ）メラミン樹脂と放射線照射により酸を形成する光
酸発生剤との組み合わせなどを好ましいものとして例示
することができ、上記（イ）の組み合わせのうち、多官
能性（メタ）アクリレートと放射線重合開始剤との組み
合わせが特に好ましい。The radiation-sensitive component constituting the alkali-developable radiation-sensitive resist composition includes, for example, (a) a combination of a polyfunctional monomer and a radiation polymerization initiator,
(B) Combinations of a melamine resin and a photoacid generator that forms an acid upon irradiation with radiation can be exemplified as preferable examples. Among the above combinations (a), polyfunctional (meth) acrylates and radiation polymerization Combinations with initiators are particularly preferred.
【００３６】感放射線性成分を構成する多官能性（メ
タ）アクリレートの具体例としては、エチレングリコー
ル、プロピレングリコールなどのアルキレングリコール
のジ（メタ）アクリレート類；ポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコールなどのポリアルキレング
リコールのジ（メタ）アクリレート類；両末端ヒドロキ
シポリブタジエン、両末端ヒドロキシポリイソプレン、
両末端ヒドロキシポリカプロラクトンなどの両末端ヒド
ロキシル化重合体のジ（メタ）アクリレート類；グリセ
リン、１，２，４−ブタントリオール、トリメチロール
アルカン、テトラメチロールアルカン、ペンタエリスリ
トール、ジペンタエリスリトールなどの３価以上の多価
アルコールのポリ（メタ）アクリレート類；３価以上の
多価アルコールのポリアルキレングリコール付加物のポ
リ（メタ）アクリレート類；１，４−シクロヘキサンジ
オール、１，４−ベンゼンジオール類などの環式ポリオ
ールのポリ（メタ）アクリレート類；ポリエステル（メ
タ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウ
レタン（メタ）アクリレート、アルキド樹脂（メタ）ア
クリレート、シリコーン樹脂（メタ）アクリレート、ス
ピラン樹脂（メタ）アクリレート等のオリゴ（メタ）ア
クリレート類などを挙げることができ、これらは単独で
または２種以上を組み合わせて使用することができる。Specific examples of the polyfunctional (meth) acrylate constituting the radiation-sensitive component include di (meth) acrylates of alkylene glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; and polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol. Di (meth) acrylates; both ends hydroxypolybutadiene, both ends hydroxypolyisoprene,
Di (meth) acrylates of hydroxyl-terminated polymers such as hydroxypolycaprolactone at both ends; trivalent such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, pentaerythritol, dipentaerythritol Poly (meth) acrylates of polyhydric alcohols described above; poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adducts of trihydric or higher polyhydric alcohol; 1,4-cyclohexanediol, 1,4-benzenediol, etc. Poly (meth) acrylates of cyclic polyols; polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, spirane resin (meth) The like can be illustrated oligo (meth) acrylates such as acrylates, which can be used alone or in combination of two or more kinds.
【００３７】また、感放射線性成分を構成する放射線重
合開始剤の具体例としては、ベンジル、ベンゾイン、ベ
ンゾフェノン、カンファーキノン、２−ヒドロキシ−２
−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒド
ロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメト
キシ−２−フェニルアセトフェノン、２−メチル−
〔４’−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノ
−１−プロパノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ
−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オ
ンなどのカルボニル化合物；アゾイソブチロニトリル、
４−アジドベンズアルデヒドなどのアゾ化合物あるいは
アジド化合物；メルカプタンジスルフィドなどの有機硫
黄化合物；ベンゾイルパーオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルパーオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキ
シド、クメンハイドロパーオキシド、パラメタンハイド
ロパーオキシドなどの有機パーオキシド；１，３−ビス
（トリクロロメチル）−５−（２’−クロロフェニル）
−１，３，５−トリアジン、２−〔２−（２−フラニ
ル）エチレニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）
−１，３，５−トリアジンなどのトリハロメタン類；
２，２’−ビス（２−クロロフェニル）４，５，４’，
５’−テトラフェニル１，２’−ビイミダゾールなどの
イミダゾール二量体などを挙げることができる。これら
は単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することが
できる。Specific examples of the radiation polymerization initiator constituting the radiation-sensitive component include benzyl, benzoin, benzophenone, camphorquinone and 2-hydroxy-2.
-Methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl-
Carbonyl compounds such as [4 ′-(methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one; Lonitrile,
Azo compounds or azide compounds such as 4-azidobenzaldehyde; organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide; benzoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, paramethane hydroperoxide and the like Organic peroxide of 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2′-chlorophenyl)
-1,3,5-triazine, 2- [2- (2-furanyl) ethylenyl] -4,6-bis (trichloromethyl)
Trihalomethanes such as -1,3,5-triazine;
2,2′-bis (2-chlorophenyl) 4,5,4 ′,
Examples thereof include imidazole dimers such as 5′-tetraphenyl 1,2′-biimidazole. These can be used alone or in combination of two or more.
【００３８】このアルカリ現像型感放射線性レジスト組
成物における感放射線性成分の含有割合としては、アル
カリ可溶性樹脂１００重量部当たり、通常１〜３００重
量部とされ、好ましくは１０〜２００重量部である。ま
た、アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物について
は、良好な膜形成性を付与するために、適宜有機溶剤が
含有される。The content ratio of the radiation-sensitive component in the alkali-developable radiation-sensitive resist composition is usually 1 to 300 parts by weight, preferably 10 to 200 parts by weight, per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. . The alkali-developable radiation-sensitive resist composition contains an organic solvent as appropriate in order to impart good film-forming properties.
【００３９】（２）有機溶剤現像型感放射線性レジスト
組成物：有機溶剤現像型感放射線性レジスト組成物は、
天然ゴム、合成ゴム、およびこれらを環化されてなる環
化ゴムなどから選ばれた少なくとも１種と、アジド化合
物とを必須成分として含有してなる。有機溶剤現像型感
放射線性レジスト組成物を構成するアジド化合物の具体
例としては、4，４’−ジアジドベンゾフェノン、４，
４’−ジアジドジフェニルメタン、４，４’−ジアジド
スチルベン、４，４’−ジアジドカルコン、４，４’−
ジアジドベンザルアセトン、２，６−ジ（４’−アジド
ベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ジ（４’−アジ
ドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノンなどを挙げ
ることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合
わせて使用することができる。また有機溶剤現像型感放
射線性レジスト組成物には、良好な膜形成性を付与する
ために、通常有機溶剤が含有される。(2) Radiation-sensitive resist composition of the organic solvent development type:
It comprises at least one selected from natural rubber, synthetic rubber, and a cyclized rubber obtained by cyclizing them, and an azide compound as essential components. Specific examples of the azide compound constituting the organic solvent development type radiation-sensitive resist composition include 4,4′-diazidobenzophenone,
4'-diazidodiphenylmethane, 4,4'-diazidostilbene, 4,4'-diazidochalcone, 4,4'-
Examples thereof include diazidobenzalacetone, 2,6-di (4′-azidobenzal) cyclohexanone, and 2,6-di (4′-azidobenzal) -4-methylcyclohexanone. These may be used alone or in combination of two or more. Can be used in combination. The organic solvent-developable radiation-sensitive resist composition generally contains an organic solvent in order to impart good film-forming properties.
【００４０】（３）水性現像型感放射線性レジスト組成
物：水性現像型感放射線性レジスト組成物は、例えばポ
リビニルアルコールなどの水溶性樹脂と、ジアゾニウム
化合物および重クロム酸化合物から選ばれた少なくとも
１種とを必須成分として含有してなる。(3) Aqueous development type radiation-sensitive resist composition: The aqueous development type radiation-sensitive resist composition is, for example, at least one water-soluble resin such as polyvinyl alcohol and at least one selected from diazonium compounds and dichromate compounds. And a seed as an essential component.
【００４１】本発明の形成方法において使用するレジス
ト組成物には、任意成分として、現像促進剤、接着助
剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防
止剤、紫外線吸収剤、フィラー、蛍光体、顔料、染料な
どの各種添加剤が含有されていてもよい。The resist composition used in the forming method of the present invention may contain, as optional components, a development accelerator, an adhesion aid, an antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a filler. And various additives such as phosphors, pigments and dyes.
【００４２】＜露光用マスク＞レジスト膜の露光工程に
おいて使用される露光用マスクＭの露光パターンとして
は、材料によって異なるが、一般的に１０〜５００μｍ
幅のストライプである。<Exposure Mask> The exposure pattern of the exposure mask M used in the exposure process of the resist film varies depending on the material, but is generally 10 to 500 μm.
It is a stripe of width.
【００４３】＜現像液＞レジスト膜の現像工程で使用さ
れる現像液としては、レジスト膜（レジスト組成物）の
種類に応じて適宜選択することができる。具体的には、
アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物によるレジス
ト膜にはアルカリ現像液を使用することができ、有機溶
剤型感放射線性レジスト組成物によるレジスト膜には有
機溶剤現像液を使用することができ、水性現像型感放射
線性レジスト組成物によるレジスト膜には水性現像液を
使用することができる。<Developer> The developer used in the resist film developing step can be appropriately selected according to the type of the resist film (resist composition). In particular,
An alkali developer can be used for a resist film made of an alkali-developable radiation-sensitive resist composition, and an organic solvent developer can be used for a resist film made of an organic solvent-type radiation-sensitive resist composition. An aqueous developer can be used for the resist film made of the development-type radiation-sensitive resist composition.
【００４４】アルカリ現像液の有効成分としては、例え
ば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウ
ム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、
リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リ
ン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリ
ウム、ケイ酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナ
トリウム、炭酸水素カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリ
ウム、ホウ酸カリウム、アンモニアなどの無機アルカリ
性化合物；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ト
リメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、
モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミ
ン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルア
ミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミ
ン、エタノールアミンなどの有機アルカリ性化合物など
を挙げることができる。レジスト膜の現像工程で使用さ
れるアルカリ現像液は、前記アルカリ性化合物の１種ま
たは２種以上を水などに溶解させることにより調整する
ことができる。ここに、アルカリ性現像液におけるアル
カリ性化合物の濃度は、通常０．００１〜１０重量％と
され、好ましくは０．０１〜５重量％とされる。なお、
アルカリ現像液による現像処理がなされた後は、通常、
水洗処理が施される。The effective components of the alkali developer include, for example, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate,
Ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium bicarbonate, sodium bicarbonate, potassium bicarbonate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate , Lithium borate, sodium borate, potassium borate, inorganic alkaline compounds such as ammonia; tetramethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide,
Examples thereof include organic alkaline compounds such as monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, and ethanolamine. The alkali developer used in the resist film developing step can be adjusted by dissolving one or more of the above alkaline compounds in water or the like. Here, the concentration of the alkaline compound in the alkaline developer is usually 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight. In addition,
After the development process with an alkali developer,
A washing process is performed.
【００４５】有機溶剤現像液の具体例としては、トルエ
ン、キシレン、酢酸ブチルなどの有機溶剤を挙げること
ができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて
使用することができる。なお、有機溶剤現像液による現
像処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリン
ス処理が施される。水性現像液の具体例としては、水、
アルコールなどを挙げることができる。Specific examples of the organic solvent developer include organic solvents such as toluene, xylene, and butyl acetate. These can be used alone or in combination of two or more. After the development with the organic solvent developer, rinsing with a poor solvent is performed as necessary. Specific examples of the aqueous developer include water,
Alcohol and the like can be mentioned.
【００４６】＜エッチング液＞無機粉体含有樹脂層のエ
ッチング工程で使用されるエッチング液としては、アル
カリ性溶液であることが好ましい。これにより、無機粉
体含有樹脂層に含有されるアルカリ可溶性樹脂を容易に
溶解除去することができる。なお、無機粉体含有樹脂層
に含有される無機粉体は、アルカリ可溶性樹脂により均
一に分散されているため、アルカリ性溶液で結着樹脂で
あるアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗浄することによ
り、無機粉体も同時に除去される。ここに、エッチング
液として使用されるアルカリ性溶液としては、現像液と
同一組成の溶液を挙げることができる。そして、エッチ
ング液が、現像工程で使用するアルカリ現像液と同一の
溶液である場合には、現像工程と、エッチング工程とを
連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化によ
る製造効率の向上を図ることができる。なお、アルカリ
性溶液によるエッチング処理がなされた後は、通常、水
洗処理が施される。<Etching solution> The etching solution used in the etching step of the inorganic powder-containing resin layer is preferably an alkaline solution. Thus, the alkali-soluble resin contained in the inorganic powder-containing resin layer can be easily dissolved and removed. Since the inorganic powder contained in the inorganic powder-containing resin layer is uniformly dispersed in the alkali-soluble resin, by dissolving the alkali-soluble resin as a binder resin with an alkaline solution and washing, the inorganic powder is dissolved. The powder is also removed at the same time. Here, examples of the alkaline solution used as the etching solution include a solution having the same composition as the developing solution. When the etching solution is the same solution as the alkali developing solution used in the developing step, the developing step and the etching step can be performed continuously, and the manufacturing efficiency is reduced by simplifying the steps. Improvement can be achieved. After the etching treatment with the alkaline solution is performed, a water washing treatment is usually performed.
【００４７】また、エッチング液として、無機粉体含有
樹脂層の結着樹脂を溶解することのできる有機溶剤を使
用することもできる。なお、有機溶剤によるエッチング
処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリンス
処理が施される。Further, as the etching solution, an organic solvent capable of dissolving the binder resin of the resin layer containing the inorganic powder can be used. After the etching with the organic solvent is performed, a rinsing with a poor solvent is performed as necessary.
【００４８】[0048]
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。な
お、以下において、「部」および「％」は、それぞれ
「重量部」および「重量％」を示す。また、重量平均分
子量（以下、「Ｍｗ」ともいう）は、東ソー株式会社製
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）
（商品名ＨＬＣ−８０２Ａ）により測定したポリスチレ
ン換算の平均分子量である。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
The present invention is not limited by these. In the following, “parts” and “%” indicate “parts by weight” and “% by weight”, respectively. The weight average molecular weight (hereinafter, also referred to as “Mw”) is determined by gel permeation chromatography (GPC) manufactured by Tosoh Corporation.
It is an average molecular weight in terms of polystyrene measured by (trade name: HLC-802A).
【００４９】〔作製例１〕無機粉体として銀粉末１００
部とガラスフリット（ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ２系）１
０部と、アルカリ可溶性樹脂としてｎ−ブチルメタクリ
レート／メタクリル酸＝７０／３０共重合体（Ｍｗ＝７
０，０００）３０部と、可塑剤としてポリプロピレング
リコール〔分子量４００、和光純薬（株）製〕１０部
と、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート１００部とを混練りすることにより、ペー
スト状の電極形成用無機粉体含有樹脂組成物（以下、
「無機粉体含有樹脂組成物（１）」という）を調製し
た。次いで、得られた無機粉体含有樹脂組成物（１）
を、予め離型処理したポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）フィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍｍ、
長さ３０ｍ、厚さ３８μｍ）上にロールコータにより塗
布して塗膜を形成した。形成された塗膜を１１０℃で５
分間乾燥することにより溶剤を完全に除去し、これによ
り、厚さ１０μｍの電極形成用の無機粉体含有樹脂層
（以下、「無機粉体含有樹脂層（１）」という）が支持
フィルム上に形成されてなる転写フィルム（以下、「転
写フィルム（１）」という）を作製した。[Production Example 1] Silver powder 100 was used as the inorganic powder.
Parts and glass frit (PbO-B 2 O 3 -SiO2 system) 1
0 parts and n-butyl methacrylate / methacrylic acid = 70/30 copolymer (Mw = 7) as an alkali-soluble resin.
(000), 30 parts of polypropylene glycol (molecular weight: 400, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) as a plasticizer, and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent are kneaded to form a paste-like electrode. Forming inorganic powder-containing resin composition (hereinafter, referred to as
"Inorganic powder-containing resin composition (1)") was prepared. Next, the obtained inorganic powder-containing resin composition (1)
With polyethylene terephthalate (P
ET) Support film made of film (width 200 mm,
A film was formed by applying the film on a roller having a length of 30 m and a thickness of 38 μm) using a roll coater. 5 hours at 110 ° C
The solvent was completely removed by drying for minutes, whereby a 10 μm-thick inorganic powder-containing resin layer for electrode formation (hereinafter referred to as “inorganic powder-containing resin layer (1)”) was formed on the support film. A formed transfer film (hereinafter, referred to as “transfer film (1)”) was produced.
【００５０】〔作製例２〕アルカリ可溶性樹脂としてｎ
−ブチルメタクリレート／メタクリル酸＝８０／２０共
重合体（Ｍｗ＝１００，０００）３０部を用いた以外は
作製例１と同様にして、ペースト状の電極形成用無機粉
体含有樹脂組成物（以下、「無機粉体含有樹脂組成物
（２）」という）を調製した。次いで、得られた無機粉
体含有樹脂組成物（２）を用いたこと以外は作製例１と
同様にして、無機粉体含有樹脂組成物を塗布して溶剤を
完全に除去することにより、厚さ１０μｍの電極形成用
の無機粉体含有樹脂層（以下、「無機粉体含有樹脂層
（２）」という）が支持フィルム上に形成されてなる転
写フィルム（以下、「転写フィルム（２）」という）を
作製した。[Preparation Example 2] n
In the same manner as in Production Example 1 except that 30 parts of -butyl methacrylate / methacrylic acid = 80/20 copolymer (Mw = 100,000) was used, a paste-like inorganic powder-containing resin composition for forming an electrode (hereinafter referred to as “resin composition”) was used. , Referred to as “inorganic powder-containing resin composition (2)”). Then, in the same manner as in Preparation Example 1 except that the obtained inorganic powder-containing resin composition (2) was used, the inorganic powder-containing resin composition was applied, and the solvent was completely removed. A transfer film (hereinafter, referred to as “transfer film (2)”) in which an inorganic powder-containing resin layer for forming an electrode having a thickness of 10 μm (hereinafter, referred to as “inorganic powder-containing resin layer (2)”) is formed on a support film. ).
【００５１】〔作製例３〕アルカリ可溶性樹脂としてメ
チルメタクリレート／メタクリル酸＝８０／２０共重合
体（Ｍｗ＝５０，０００）と、多官能性モノマー（感放
射線性成分）としてペンタエリスリトールテトラアクリ
レート４０部と、光重合開始剤（感放射線性成分）とし
て２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モル
フォリノフェニル）−ブタン−１−オン５部と、溶剤と
して３−エトキシプロピオン酸エチル１５０部とを混練
りすることにより、ペースト状のアルカリ現像型感放射
線性レジスト組成物を調製した。[Preparation Example 3] Methyl methacrylate / methacrylic acid = 80/20 copolymer (Mw = 50,000) as an alkali-soluble resin and pentaerythritol tetraacrylate as a polyfunctional monomer (radiation-sensitive component) 40 parts And 5 parts of 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one as a photopolymerization initiator (radiation-sensitive component) and ethyl 3-ethoxypropionate 150 as a solvent The mixture was kneaded with the mixture to prepare a paste-like alkali-developable radiation-sensitive resist composition.
【００５２】次いで、得られたレジスト組成物を、予め
離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フ
ィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍｍ、長さ３０
ｍ、厚さ３８μｍ）上にロールコータにより塗布して塗
膜を形成した。形成された塗膜を１１０℃で５分間乾燥
することにより溶剤を完全に除去し、これにより、厚さ
５μｍのレジスト膜（以下、「レジスト膜（１）」とい
う）が支持フィルム上に形成されてなる転写フィルム
（以下、「転写フィルム（３）」という）を作製した。Next, a support film (200 mm in width and 30 in length) made of a polyethylene terephthalate (PET) film, which has been subjected to a mold release treatment, is prepared from the obtained resist composition.
m, a thickness of 38 μm) by a roll coater to form a coating film. The solvent was completely removed by drying the formed coating film at 110 ° C. for 5 minutes, whereby a 5 μm-thick resist film (hereinafter referred to as “resist film (1)”) was formed on the support film. (Hereinafter referred to as “transfer film (3)”).
【００５３】＜実施例１＞ 〔無機粉体含有樹脂層の転写工程〕６インチパネル用の
ガラス基板の表面に、電極形成用の無機粉体含有樹脂層
（１）の表面が当接されるよう転写フィルム（１）を重
ね合わせ、この転写フィルム（１）を加熱ローラにより
熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加熱ローラの
表面温度を１２０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃｍ 、加熱
ローラの移動速度を０．５ｍ／分とした。熱圧着処理の
終了後、無機粉体含有樹脂層（１）から支持フィルムを
剥離除去した。これにより、ガラス基板の表面に無機粉
体含有樹脂層（１）が転写されて密着した状態となっ
た。この無機粉体含有樹脂層について膜厚を測定したと
ころ１０μｍ±１μｍの範囲にあった。Example 1 [Step of Transferring Inorganic Powder-Containing Resin Layer] The surface of an inorganic powder-containing resin layer (1) for forming electrodes is brought into contact with the surface of a glass substrate for a 6-inch panel. The transfer film (1) was overlapped, and the transfer film (1) was thermocompressed with a heating roller. Here, as pressure bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 ° C., the roll pressure was 4 kg / cm 2, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. After the completion of the thermocompression bonding, the support film was peeled off from the inorganic powder-containing resin layer (1). Thereby, the inorganic powder-containing resin layer (1) was transferred onto the surface of the glass substrate and brought into close contact therewith. When the film thickness of this inorganic powder-containing resin layer was measured, it was in the range of 10 μm ± 1 μm.
【００５４】次いで、無機粉体含有樹脂層（１）の表面
に、無機粉体含有樹脂層（２）の表面が当接されるよう
転写フィルム（２）を重ね合わせ、この転写フィルム
（２）を加熱ローラにより上記と同一の圧着条件により
熱圧着した。熱圧着処理の終了後、無機粉体含有樹脂層
（２）から支持フィルムを剥離除去した。これにより、
無機粉体含有樹脂層（１）の表面に無機粉体含有樹脂層
（２）が転写されて密着した状態となった。ガラス基板
上に形成された無機粉体含有樹脂層（１）〜（２）の積
層について膜厚を測定したところ２０μｍ±２μｍの範
囲にあった。Next, a transfer film (2) is superposed on the surface of the inorganic powder-containing resin layer (1) such that the surface of the inorganic powder-containing resin layer (2) is in contact with the surface of the resin layer (1). Was thermocompressed with a heating roller under the same crimping conditions as above. After the completion of the thermocompression bonding, the support film was peeled off from the inorganic powder-containing resin layer (2). This allows
The inorganic powder-containing resin layer (2) was transferred onto the surface of the inorganic powder-containing resin layer (1), and was brought into close contact therewith. When the film thickness of the laminate of the inorganic powder-containing resin layers (1) and (2) formed on the glass substrate was measured, it was in the range of 20 μm ± 2 μm.
【００５５】〔レジスト膜の形成工程〕無機粉体含有樹
脂層（２）の表面に、レジスト膜（１）の表面が当接さ
れるよう転写フィルム（３）を重ね合わせ、この転写フ
ィルム（３）を加熱ローラ上記と同一の圧着条件により
熱圧着した。熱圧着処理の終了後、レジスト膜（１）か
ら支持フィルムを剥離除去した。これにより、無機粉体
含有樹脂層（２）の表面にレジスト膜（１）が転写され
て密着した状態となった。無機粉体含有樹脂層（２）の
表面に転写されたレジスト膜（１）について膜厚を測定
したところ５μｍ±１μｍの範囲にあった。[Step of Forming Resist Film] A transfer film (3) is superimposed on the surface of the inorganic powder-containing resin layer (2) such that the surface of the resist film (1) is in contact with the resin film (2). ) Was thermocompressed under the same crimping conditions as above. After the completion of the thermocompression bonding, the support film was peeled off from the resist film (1). As a result, the resist film (1) was transferred to the surface of the inorganic powder-containing resin layer (2) and brought into close contact therewith. The thickness of the resist film (1) transferred to the surface of the inorganic powder-containing resin layer (2) was measured and found to be in the range of 5 μm ± 1 μm.
【００５６】〔レジスト膜の露光工程〕無機粉体含有樹
脂層（２）上に形成されたレジスト膜（１）に対して、
露光用マスク（７０μｍ幅のストライプパターン）を介
して、超高圧水銀灯により、ｉ線（波長３６５ｎｍの紫
外線）を照射した。ここに、照射量は２００ｍＪ／ｃｍ
2 とした。[Resist film exposure step] Tree containing inorganic powder
For the resist film (1) formed on the fat layer (2),
Via an exposure mask (70 μm width stripe pattern)
Then, an ultra-high pressure mercury lamp was used to emit i-rays (violet wavelength of 365 nm).
External line). Here, the irradiation amount is 200 mJ / cm
Two And
【００５７】〔レジスト膜の現像工程〕露光処理された
レジスト膜（１）に対して、０．１重量％の水酸化カリ
ウム水溶液（３０℃）を現像液とするシャワー法による
現像処理を２０秒かけて行った。次いで超純水による水
洗処理を行い、これにより、紫外線が照射されていない
未硬化のレジストを除去し、レジストパターンを形成し
た。[Resist Film Developing Step] The exposed resist film (1) is subjected to a developing treatment by a shower method using a 0.1% by weight aqueous solution of potassium hydroxide (30 ° C.) for 20 seconds. I went over it. Next, a water washing treatment with ultrapure water was performed, whereby the uncured resist not irradiated with the ultraviolet rays was removed, and a resist pattern was formed.
【００５８】〔無機粉体含有樹脂層のエッチング工程〕
上記の工程に連続して、０．１重量％の水酸化カリウム
水溶液（３０℃）をエッチング液とするシャワー法によ
るエッチング処理を２分かけて行った。次いで、超純水
による水洗処理および乾燥処理を行った。、これによ
り、材料層残留部と、材料層除去部とから構成される無
機粉体含有樹脂層のパターンを形成した。[Etching Step of Inorganic Powder-Containing Resin Layer]
Continuing with the above steps, an etching treatment by a shower method using a 0.1% by weight aqueous solution of potassium hydroxide (30 ° C.) as an etching solution was performed over 2 minutes. Next, a washing treatment and a drying treatment with ultrapure water were performed. Thereby, a pattern of the inorganic powder-containing resin layer composed of the material layer remaining portion and the material layer removing portion was formed.
【００５９】〔無機粉体含有樹脂層パターン側面および
基板露出部の擦り処理工程〕無機粉体含有樹脂層のパタ
ーン側面およびガラス基板の露出部に対して、ポリビニ
ルアルコールのスポンジを、接触圧力０．１ｋｇ／ｃ
ｍ、パターンの長軸方向に速度０．５ｍ／分で移動させ
て、不要な無機粉体含有樹脂を擦り取った後、水洗、乾
燥して、パターンエッジの凹凸や、基板露出部の残渣を
除去した。[Step of Rubbing the Pattern Side of the Inorganic Powder-Containing Resin Layer and the Exposed Part of the Substrate] A sponge of polyvinyl alcohol is applied to the pattern side of the resin layer containing the inorganic powder and the exposed part of the glass substrate with a contact pressure of 0. 1kg / c
m, the pattern is moved at a speed of 0.5 m / min in the major axis direction to scrape off the unnecessary inorganic powder-containing resin, and then washed with water and dried to remove irregularities on the pattern edge and residues on the exposed portion of the substrate. Removed.
【００６０】〔無機粉体含有樹脂層の焼成工程〕無機粉
体含有樹脂層のパターンが形成されたガラス基板を焼成
炉内で、空気中、６００℃の温度雰囲気下で３０分間に
わたり焼成処理を行った。これにより、ガラス基板の表
面に電極が形成されてなるパネル材料が得られた。得ら
れたパネル材料における電極を走査型電子顕微鏡により
観察したところパターンエッジの凹凸や、基板上の残渣
が観察されず、当該断面形状の底面の幅および高さを測
定したところ、、底面の幅が７０μｍ±２μｍ、高さが
１０μｍ±１μｍであり、寸法精度がきわめて高いもの
であった。[Firing Step of Inorganic Powder-Containing Resin Layer] The glass substrate on which the pattern of the inorganic powder-containing resin layer is formed is subjected to a baking treatment in a baking furnace in air at a temperature of 600 ° C. for 30 minutes. went. As a result, a panel material having electrodes formed on the surface of the glass substrate was obtained. When the electrodes of the obtained panel material were observed with a scanning electron microscope, no irregularities on the pattern edge or residues on the substrate were observed, and the width and height of the bottom surface of the cross-sectional shape were measured. Was 70 μm ± 2 μm and the height was 10 μm ± 1 μm, and the dimensional accuracy was extremely high.
【００６１】＜実施例２＞ 〔転写フィルムの作製〕下記（イ）〜（ハ）の操作によ
り、無機粉体含有樹脂層（２層）と、レジスト膜との積
層膜が支持フィルム上に形成されてなる転写フィルムを
作製した。（イ）実施例１で使用したレジスト組成物を
離型処理したＰＥＴフィルムよりなる支持フィルム（幅
２００ｍｍ、長さ３０ｍ、厚さ３８μｍ）上にロールコ
ータを用いて塗布し、塗膜を１１０℃で５分間乾燥して
溶剤を完全に除去し、厚さ５μｍのレジスト膜（以下、
「レジスト膜（１’）」という）を支持フィルム上に形
成した。 （ロ）実施例１で使用した無機粉体含有樹脂組成物
（２）をレジスト膜（１’）上にロールコータを用いて
塗布し、塗膜を１１０℃で５分間乾燥して溶剤を完全に
除去し、厚さ１０μｍの無機粉体含有樹脂層（以下、
「無機粉体含有樹脂層（２’）」という）をレジスト膜
（１’）上に形成した。 （ハ）実施例１で使用した無機粉体含有樹脂組成物
（１）を無機粉体含有樹脂層（２’）上にロールコータ
を用いて塗布し、塗膜を１１０℃で５分間乾燥して溶剤
を完全に除去し、厚さ１０μｍの無機粉末分散樹脂層
（以下、「無機粉体含有樹脂層（１’）」という）を無
機粉体含有樹脂層（２’）上に形成した。<Example 2> [Preparation of transfer film] A laminated film of an inorganic powder-containing resin layer (two layers) and a resist film was formed on a support film by the following operations (a) to (c). The resulting transfer film was produced. (A) The resist composition used in Example 1 was applied using a roll coater on a support film (width 200 mm, length 30 m, thickness 38 μm) made of a PET film subjected to release treatment, and the coating film was heated to 110 ° C. For 5 minutes to completely remove the solvent, and a 5 μm-thick resist film (hereinafter, referred to as
"Resist film (1 ')") was formed on the support film. (B) The inorganic powder-containing resin composition (2) used in Example 1 was applied on the resist film (1 ′) using a roll coater, and the coating was dried at 110 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent. And a 10 μm-thick inorganic powder-containing resin layer (hereinafter, referred to as
"Inorganic powder-containing resin layer (2 ')") was formed on the resist film (1'). (C) The inorganic powder-containing resin composition (1) used in Example 1 was applied onto the inorganic powder-containing resin layer (2 ′) using a roll coater, and the coating was dried at 110 ° C. for 5 minutes. By removing the solvent completely, an inorganic powder-dispersed resin layer (hereinafter referred to as “inorganic powder-containing resin layer (1 ′)”) having a thickness of 10 μm was formed on the inorganic powder-containing resin layer (2 ′).
【００６２】〔積層膜の転写工程〕実施例１で使用した
のと同様のガラス基板の表面に、無機粉体含有樹脂層
（１’）の表面が当接されるよう転写フィルムを重ね合
わせ、この転写フィルムを加熱ローラに熱圧着した。こ
こで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を１２
０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃｍ 、加熱ローラの移動速
度を０．５ｍ／分とした。熱圧着処理の終了後、積層膜
（レジスト膜（１’）の表面）から支持フィルムを剥離
除去した。これにより、ガラス基板の表面に積層膜が転
写されて密着した状態となった。この積層膜（無機粉体
含有樹脂層（２層）と、レジスト膜との積層膜）ついて
膜厚を測定したところ２５μｍ±２μｍの範囲にあっ
た。[Laminating Film Transfer Step] A transfer film was superimposed on the surface of the same glass substrate used in Example 1 so that the surface of the inorganic powder-containing resin layer (1 ′) was in contact with the surface. This transfer film was thermocompression-bonded to a heating roller. Here, as the pressure bonding condition, the surface temperature of the heating roller is set to 12
At 0 ° C., the roll pressure was 4 kg / cm 2, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. After the completion of the thermocompression bonding, the support film was peeled off from the laminated film (the surface of the resist film (1 ′)). Thereby, the laminated film was transferred to the surface of the glass substrate and brought into close contact therewith. When the film thickness of this laminated film (the laminated film of the inorganic powder-containing resin layer (two layers) and the resist film) was measured, it was in the range of 25 μm ± 2 μm.
【００６３】〔レジスト膜の露光工程・現像工程〕無機
粉体含有樹脂層の積層体上に形成されたレジスト膜
（１’）に対して、実施例１と同様の条件で、露光処理
（紫外線照射）、水酸化カリウム水溶液による現像処理
および水洗処理を行うことにより、無機粉体含有樹脂層
の積層体上にレジストパターンを形成した。[Resist Film Exposure Step / Development Step] The resist film (1 ′) formed on the laminate of the inorganic powder-containing resin layer was exposed to light (UV light) under the same conditions as in Example 1. Irradiation), and a development treatment with a potassium hydroxide aqueous solution and a water washing treatment were performed to form a resist pattern on the laminate of the inorganic powder-containing resin layer.
【００６４】〔無機粉体含有樹脂層のエッチング工程〕
上記の工程に連続して、実施例１と同様の条件で、水酸
化カリウム水溶液によるエッチング処理、水洗処理およ
び乾燥処理を行うことにより、無機粉体含有樹脂層のパ
ターンを形成した。[Etching Step of Inorganic Powder-Containing Resin Layer]
The pattern of the inorganic powder-containing resin layer was formed by performing an etching treatment with a potassium hydroxide aqueous solution, a washing treatment, and a drying treatment under the same conditions as in Example 1 successively to the above steps.
【００６５】〔無機粉体含有樹脂層パターン側面および
基板露出部の擦り処理工程〕無機粉体含有樹脂層のパタ
ーン側面およびガラス基板の露出部に対して、実施例１
と同様の条件で擦り処理を行い、水洗、乾燥し、パター
ンエッジの凹凸や基板上の残渣を除去した。[Step of Rubbing the Pattern Side of the Inorganic Powder-Containing Resin Layer Pattern and the Exposed Portion of the Substrate]
A rubbing treatment was performed under the same conditions as those described above, followed by washing with water and drying to remove irregularities on the pattern edge and residues on the substrate.
【００６６】〔無機粉体含有樹脂層パターンの焼成工
程〕無機粉体含有樹脂層パターンが形成されたガラス基
板を焼成炉内で、空気中、６００℃の温度雰囲気下で３
０分間にわたり焼成処理を行った。これにより、ガラス
基板の表面に電極が形成されてなるパネル材料が得られ
た。得られたパネル材料における電極を走査型電子顕微
鏡により観察したところパターンエッジの凹凸や、基板
上の残渣が観察されず、当該断面形状の底面の幅および
高さを測定したところ、、底面の幅が７０μｍ±２μ
ｍ、高さが１０μｍ±１μｍであり、寸法精度がきわめ
て高いものであった。[Baking Step of Inorganic Powder-Containing Resin Layer Pattern] The glass substrate on which the inorganic powder-containing resin layer pattern is formed is placed in a baking furnace in air at a temperature of 600 ° C. for 3 hours.
The baking treatment was performed for 0 minutes. As a result, a panel material having electrodes formed on the surface of the glass substrate was obtained. When the electrodes of the obtained panel material were observed with a scanning electron microscope, no irregularities on the pattern edge or residues on the substrate were observed, and the width and height of the bottom surface of the cross-sectional shape were measured. Is 70μm ± 2μ
m, the height was 10 μm ± 1 μm, and the dimensional accuracy was extremely high.
【００６７】[0067]
【発明の効果】本発明のパターンの形成方法によれば、
パターン側面の凹凸がなく、残渣を生じない、高精細な
パターンを形成することができる。本発明の形成方法
は、ＰＤＰ、ＬＣＤ、有機ＥＬ素子、プリント回路基
板、多層回路基板、マルチチップモジュールおよびＬＳ
Ｉなどの部材の形成に好適に用いることができる。According to the pattern forming method of the present invention,
It is possible to form a high-definition pattern having no irregularities on the pattern side surface and no residue. The forming method of the present invention is applicable to a PDP, an LCD, an organic EL device, a printed circuit board, a multilayer circuit board, a multi-chip module, and an LS
It can be suitably used for forming members such as I.
【図１】 一般的な交流型ＰＤＰを示す説明用断面図で
ある。FIG. 1 is an explanatory sectional view showing a general AC type PDP.
【図２】 本発明の一実施例に係るパターンの形成方法
を工程順に示す説明用断面図である。FIG. 2 is an explanatory sectional view showing a pattern forming method according to an embodiment of the present invention in the order of steps.
【図３】 本発明の一実施例に係る形成方法の、図２の
工程に続く工程を順に示す説明用断面図である。FIG. 3 is an explanatory cross-sectional view showing a step subsequent to the step of FIG. 2 in the forming method according to one embodiment of the present invention.
１ 前面基板 ２ 背面基
板 ３ 誘電体 ３Ａ ＭｇＯ
層 ４ 蛍光体 ５ 障壁 ６Ａ 維持電極 ６Ｂ 信号電
極 ６ａ 陰極 ６ｂ 表示陽
極 ６ｂ’ 表示陽極リード ６ｃ 補助陽
極 ６ｃ’ 補助陽極リード ７ 抵抗 ８ 表示セル ９ 補助セ
ル １０ バスライン １１ 基板 ２０ 転写フィルム ２１ 無機粉
体含有樹脂層 ２２ 支持フィルム ２５ 無機粉体含有樹脂層パターン ２５Ａ 層残留部 ２５Ｂ 層除去
部 ３１ レジスト膜 Ｍ 露光用
マスク ＭＡ 光透過部（露光用マスク） ＭＢ 遮光部
（露光用マスク） ３５ レジストパターン ３５Ａ レジス
ト残留部 ３５Ｂ レジスト除去部 Ｒ ロール ４０ パターン ５０ パネル
材料DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front board 2 Back board 3 Dielectric 3A MgO
Layer 4 phosphor 5 barrier 6A sustain electrode 6B signal electrode 6a cathode 6b display anode 6b 'display anode lead 6c auxiliary anode 6c' auxiliary anode lead 7 resistance 8 display cell 9 auxiliary cell 10 bus line 11 substrate 20 transfer film 21 inorganic powder Resin-containing layer 22 Support film 25 Inorganic powder-containing resin layer pattern 25A Layer remaining portion 25B Layer removing portion 31 Resist film M Exposure mask MA Light transmitting portion (exposure mask) MB Light shielding portion (exposure mask) 35 Resist pattern 35A Resist remaining portion 35B Resist removing portion R roll 40 Pattern 50 Panel material
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C027 AA01 AA09 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC19 GF02 GF19 JA15 JA23 MA26 5C094 AA03 AA05 AA42 AA43 AA55 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA07 EC03 EC04 ED02 ED15 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 GB10 5E339 AA01 AB05 BC10 BD03 BD07 BE13 CD01 CE12 CE18 CF16 CF17 CG04 DD04 EE05 5F033 GG04 HH07 HH08 HH11 HH13 HH14 HH17 HH38 PP00 PP26 QQ00 QQ08 QQ19 QQ73 XX21Continued on front page F term (reference) 5C027 AA01 AA09 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC19 GF02 GF19 JA15 JA23 MA26 5C094 AA03 AA05 AA42 AA43 AA55 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA07 EC03 EC04 ED02 ED15 FA01 FA02 FB15 AB01 FB15 BC10 BD03 BD07 BE13 CD01 CE12 CE18 CF16 CF17 CG04 DD04 EE05 5F033 GG04 HH07 HH08 HH11 HH13 HH14 HH17 HH38 PP00 PP26 QQ00 QQ08 QQ19 QQ73 XX21
Claims (3)
有する樹脂層のパターンを形成し、当該パターン側面お
よび基板露出部に残存する不要な無機粉体含有樹脂を擦
り取った後、当該パターンを焼成処理する工程を含むこ
とを特徴とする、パターンの形成方法。After forming a pattern of a resin layer containing an inorganic powder and a binder resin on a substrate, and scraping off unnecessary inorganic powder-containing resin remaining on the side surfaces of the pattern and exposed portions of the substrate, A method for forming a pattern, comprising a step of baking the pattern.
有樹脂層を基板上に転写し、基板上に転写された無機粉
体含有樹脂層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜
を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当
該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化
させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理してレジス
トパターンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを
形成し、当該パターン側面および基板露出部に残存する
不要な無機粉体含有樹脂を擦り取った後、当該パターン
を焼成処理する工程を含むことを特徴とする、パターン
の形成方法。2. An inorganic powder-containing resin layer formed on a support film is transferred onto a substrate, a resist film is formed on the inorganic powder-containing resin layer transferred onto the substrate, and the resist film is exposed. Process to form a latent image of the resist pattern, develop the resist film to reveal the resist pattern, etch the inorganic powder-containing resin layer and etch the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern Forming a pattern, and rubbing off unnecessary inorganic powder-containing resin remaining on the side surface of the pattern and the exposed portion of the substrate, and then baking the pattern.
層膜を支持フィルム上に形成し、当該積層膜を基板上に
転写し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理し
てレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を
現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体
含有樹脂層をエッチング処理してレジストパターンに対
応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形成し、当該パ
ターン側面および基板露出部に残存する不要な無機粉体
含有樹脂を擦り取った後、当該パターンを焼成処理する
工程を含むことを特徴とする、パターンの形成方法。3. A laminated film of a resist film and an inorganic powder-containing resin layer is formed on a support film, the laminated film is transferred onto a substrate, and the resist film constituting the laminated film is subjected to an exposure treatment to form a resist. Form a latent image of the pattern, develop the resist film to reveal the resist pattern, etch the inorganic powder-containing resin layer to form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern And baking the pattern after removing unnecessary inorganic powder-containing resin remaining on the side surface of the pattern and the exposed portion of the substrate.
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|---|---|---|---|
| JP8099899A JP2000277008A (en) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Pattern forming method |
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| JP8099899A JP2000277008A (en) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Pattern forming method |
Publications (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289091A (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Jsr Corp | Manufacturing method of plasma display panel |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP8099899A patent/JP2000277008A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289091A (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Jsr Corp | Manufacturing method of plasma display panel |
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