JP2002258768A - Electrooptical device, its manufacturing method, and electronic apparatus - Google Patents
Electrooptical device, its manufacturing method, and electronic apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶や有機ＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）素子などに代表される電
気光学物質を備えた電気光学装置、その製造方法および
当該電気光学装置を用いた電子機器に関する。The present invention relates to a liquid crystal display and an organic EL display.
(Electroluminescence) The present invention relates to an electro-optical device provided with an electro-optical material typified by an element or the like, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus using the electro-optical device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電気光学装置は、液晶や有機ＥＬ素子と
いった電気光学物質を保持する基板と、当該電気光学物
質に対して電圧を印加するための電極とを備えた構成が
一般的である。さらに、この種の電気光学装置として、
上記電極に信号を供給するための配線が基板の縁端部に
向けて延在して形成されるとともに、この縁端部近傍に
至った部分が各種部品（以下、「実装部品」と表記す
る。）の端子部分と接続される構成も知られている。こ
の実装部品は、例えば基板上にＣＯＧ（Chip On Glas
s）技術を用いて実装されたＩＣチップや、回路基板と
電気光学装置とを接続するための配線が形成されたフレ
キシブル基板などである。2. Description of the Related Art An electro-optical device generally includes a substrate for holding an electro-optical material such as a liquid crystal or an organic EL element, and electrodes for applying a voltage to the electro-optical material. Furthermore, as this type of electro-optical device,
Wiring for supplying a signal to the electrode is formed extending toward the edge of the substrate, and a portion near the edge is formed of various components (hereinafter referred to as “mounted components”). ) Is also known. This mounted component is, for example, COG (Chip On Glas
s) An IC chip mounted by using a technique, a flexible board on which wiring for connecting a circuit board to an electro-optical device is formed, and the like.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成を採った場合、基板の縁端部に向けて延在する配線は
外気に曝されるため腐食しやすい。そして、このように
腐食が生じた部分においては、上記実装部品の端子との
完全な導通が図れない事態が生じ得るため、電気光学装
置としての信頼性が低下してしまうといった問題があっ
た。一方、配線抵抗などを考慮すると、上記配線はアル
ミニウムなどの金属によって形成されることが望ましい
が、この種の金属は極めて腐食しやすいという性質を有
するため、上記問題は一層顕著に現れる。However, when the above configuration is adopted, the wiring extending toward the edge of the substrate is exposed to the outside air and is liable to corrode. Then, in such a portion where the corrosion has occurred, a situation may occur in which complete conduction with the terminal of the mounting component cannot be achieved, so that there has been a problem that the reliability as the electro-optical device is reduced. On the other hand, in consideration of wiring resistance and the like, it is desirable that the wiring be formed of a metal such as aluminum. However, since this kind of metal has a property of being easily corroded, the above-mentioned problem appears more remarkably.
【０００４】本発明は、以上説明した事情に鑑みてなさ
れたものであり、基板上に形成された配線と当該基板上
に実装される実装部品の端子とを確実に導通させること
ができる電気光学装置、その製造方法および当該電気光
学装置を用いた電子機器を提供することを目的としてい
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and provides an electro-optical device capable of reliably connecting a wiring formed on a substrate to a terminal of a mounted component mounted on the substrate. It is an object of the present invention to provide a device, a method of manufacturing the same, and an electronic device using the electro-optical device.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る電気光学装置は、電気光学物質を保持
する基板と、前記基板の縁辺に沿った縁辺領域内に形成
された配線と、前記配線を覆う保護層と、前記保護層に
設けられた開孔部を介して前記配線と接触する第１の部
分、および当該保護層の面上に位置する第２の部分を有
する接続端子と、前記基板の縁辺領域内に実装された実
装部品と、前記接続端子のうち前記第１の部分と前記実
装部品の端子との間に挟まれて、前記接続端子と前記実
装部品の端子とを電気的に接続させる導通粒子とを具備
することを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, an electro-optical device according to the present invention comprises a substrate holding an electro-optical material, and a wiring formed in an edge region along the edge of the substrate. A connection terminal having a protection layer covering the wiring, a first portion that contacts the wiring via an opening provided in the protection layer, and a second portion located on the surface of the protection layer. A mounting component mounted in an edge region of the substrate, and the connection terminal and the terminal of the mounting component sandwiched between the first portion of the connection terminal and the terminal of the mounting component. And conductive particles for electrically connecting the conductive particles.
【０００６】かかる電気光学装置によれば、縁辺領域内
に形成された配線が保護層によって覆われているため、
当該配線の腐食が抑えられる。したがって、配線の腐食
に起因して当該配線と実装部品の端子との導通不良が発
生することが回避される。さらに、この配線は、保護層
に設けられた開孔部を介して接続端子と接触するように
なっており、当該接続端子が実装部品の端子と導通され
るようになっているため、配線を外部に露出させる必要
がない。したがって、配線の全長にわたって有効に腐食
が抑えられる。According to such an electro-optical device, since the wiring formed in the peripheral region is covered with the protective layer,
Corrosion of the wiring is suppressed. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of poor conduction between the wiring and the terminal of the mounted component due to the corrosion of the wiring. Further, the wiring is configured to come into contact with the connection terminal via an opening provided in the protective layer, and the connection terminal is electrically connected to the terminal of the mounted component. There is no need to expose to the outside. Therefore, corrosion is effectively suppressed over the entire length of the wiring.
【０００７】さらに、接続端子のうち保護層の面上に位
置する第２の部分が、導通粒子を介して実装部品の端子
と接続されるようになっている。したがって、接続端子
のうち開孔部に対応して窪んだ第１の部分にのみ導通粒
子を配置して実装部品との接続を図った場合と比較し
て、当該導通粒子を充分に押圧することができるから、
接続端子と実装部品の端子とが確実に導通される。Further, a second portion of the connection terminal located on the surface of the protective layer is connected to the terminal of the mounted component via conductive particles. Therefore, the conductive particles are sufficiently pressed as compared with the case where the conductive particles are arranged only in the first portion that is depressed corresponding to the opening portion of the connection terminal to achieve connection with the mounted component. Because you can
The connection terminals and the terminals of the mounted components are reliably conducted.
【０００８】ここで、上記電気光学装置においては、前
記導通粒子の硬度を、前記保護層の硬度よりも低いもの
とすることが望ましい。導通粒子を介して実装部品の端
子と接続端子とを接続する場合、当該実装部品を上記基
板側に押圧することが考えられる。かかる押圧に伴っ
て、導電粒子が保護層側に押し付けられることとなる
が、導通粒子として保護層よりも硬度が低いものを用い
れば、当該導通粒子が保護層にめり込むといった事態が
回避される。Here, in the electro-optical device, it is desirable that the hardness of the conductive particles is lower than the hardness of the protective layer. When connecting the terminal of the mounting component and the connection terminal via the conductive particles, it is conceivable to press the mounting component toward the substrate. With this pressing, the conductive particles are pressed against the protective layer side. However, if conductive particles having a hardness lower than that of the protective layer are used, a situation in which the conductive particles sink into the protective layer is avoided.
【０００９】さらに、上記電気光学装置においては、前
記基板の面上にあって前記電気光学物質と対向する領域
および前記縁辺領域の双方にわたって形成され、当該縁
辺領域に形成された部分が前記保護層の少なくとも一部
を構成する絶縁層を設けることが望ましい。こうすれ
ば、保護層の一部または全部を、基板の面上にあって電
気光学物質と対向する領域に形成された絶縁層と兼用す
ることができるから、保護層の全部をかかる絶縁層と別
個に形成した場合と比較して構成が簡易化され、製造工
程を少なくすることができる。Further, in the above-mentioned electro-optical device, the electro-optical device is formed over both the region facing the electro-optical material and the edge region on the surface of the substrate, and the portion formed in the edge region is the protective layer. It is desirable to provide an insulating layer constituting at least a part of the above. With this configuration, part or all of the protective layer can be used also as an insulating layer formed in a region facing the electro-optical material on the surface of the substrate, so that the entire protective layer is used as the insulating layer. The configuration is simplified as compared with the case of separately forming, and the number of manufacturing steps can be reduced.
【００１０】上記電気光学装置においては、前記絶縁層
に樹脂層を含ませる構成としてもよい。この場合、当該
樹脂層の少なくとも一部の表面が、当該樹脂層の面上に
設けられる反射層の表面に散乱構造を形成するために、
粗面化されていることが望ましい。こうすれば、当該樹
脂層の一部を上記保護層の一部として兼用することによ
って構成の簡易化が図られるとともに、当該樹脂層の粗
面化された表面によって反射層の表面に散乱構造が形成
される。したがって、観察側からの入射光を適度に散乱
させた状態で反射させることができるから、表面が鏡面
状の反射層を用いた場合と比較して、鏡面反射を抑えて
広い視野角を実現することができる。[0010] In the above electro-optical device, the insulating layer may include a resin layer. In this case, at least a part of the surface of the resin layer forms a scattering structure on the surface of the reflective layer provided on the surface of the resin layer.
It is desirable that the surface is roughened. With this configuration, the structure can be simplified by using a part of the resin layer as a part of the protective layer, and a scattering structure is formed on the surface of the reflective layer by the roughened surface of the resin layer. It is formed. Therefore, since the incident light from the observation side can be reflected in a state of being appropriately scattered, a wide viewing angle can be realized by suppressing specular reflection as compared with a case where a mirror-surface reflective layer is used. be able to.
【００１１】また、前記絶縁層としては、前記電気光学
物質たる液晶の配向方向を規定する配向膜を含めること
も考えられる。こうすれば、当該配向膜のうち縁辺領域
上の部分を上記保護層の少なくとも一部として兼用する
ことによって構成および製造工程の簡素化が図られると
同時に、電圧が印加されていないときの電気光学物質た
る液晶の配向方向を一定の方向に維持することができ
る。さらに、前記基板の面上に形成された第１の電極
と、前記電気光学物質を挟んで前記第１の電極に対向す
る第２の電極とを具備する電気光学装置においては、電
気光学物質を挟んで対向する第１および第２の電極の間
の短絡を防止する短絡防止層を前記絶縁層に含めること
も考えられる。こうすれば、当該短絡防止層のうち縁辺
領域上の部分を上記保護層の少なくとも一部として兼用
することによって構成および製造工程の簡素化が図られ
ると同時に、例えば第１の電極と第２の電極との間に導
電性の不純物が混入した場合であっても両電極が短絡す
る事態が回避される。It is also conceivable that the insulating layer includes an alignment film for defining the alignment direction of the liquid crystal as the electro-optical material. With this configuration, the configuration and the manufacturing process can be simplified by using the portion of the alignment film on the edge region as at least a part of the protective layer, and at the same time, the electro-optical device can be used when no voltage is applied. The alignment direction of the liquid crystal material can be maintained in a constant direction. Further, in an electro-optical device including a first electrode formed on the surface of the substrate and a second electrode opposed to the first electrode with the electro-optical material interposed therebetween, It is also conceivable to include a short-circuit prevention layer for preventing a short circuit between the first and second electrodes opposed to each other with the insulation layer therebetween. This simplifies the configuration and the manufacturing process by simultaneously using the portion on the edge region of the short-circuit prevention layer as at least a part of the protective layer, and at the same time, for example, the first electrode and the second electrode. Even when conductive impurities are mixed between the electrodes, a situation where both electrodes are short-circuited is avoided.
【００１２】一方、上記電気光学装置における前記実装
部品としては、前記電気光学物質への印加電圧を指示す
る駆動信号を生成して出力するＩＣチップを用いること
が考えられる。このように、駆動信号を生成するＩＣチ
ップをＣＯＧ技術を用いて基板上に実装すれば、基板上
の端子（ＩＣチップの入力端子）と、外部機器との接続
点数を低減することができる。また、上記実装部品とし
ては、フィルム基材上に駆動信号供給のための配線が形
成されたフレキシブル基板を用いることも考えられる。
こうすれば、例えば当該フレキシブル基板を基板の背面
側に折り曲げることにより、電気光学装置の小型化が図
られる。On the other hand, it is conceivable to use an IC chip for generating and outputting a drive signal for instructing a voltage applied to the electro-optical material as the mounting component in the electro-optical device. As described above, when the IC chip that generates the drive signal is mounted on the substrate using the COG technology, the number of connection points between the terminal on the substrate (the input terminal of the IC chip) and the external device can be reduced. It is also conceivable to use a flexible substrate in which wiring for supplying a drive signal is formed on a film substrate as the mounting component.
In this case, the size of the electro-optical device can be reduced by, for example, bending the flexible substrate toward the back side of the substrate.
【００１３】また、上記課題を解決するため、本発明に
係る電子機器は、上述した電気光学装置を備えることを
特徴としている。上述したように、本発明に係る電気光
学装置によれば、基板の縁辺領域に形成された配線と実
装部品の端子とが確実に導通されるから、これを搭載し
た電子機器においても高い信頼性が担保される。According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus including the above-described electro-optical device. As described above, according to the electro-optical device of the present invention, the wiring formed in the peripheral region of the substrate and the terminal of the mounted component are reliably conducted, so that high reliability can be obtained even in an electronic device equipped with this. Is secured.
【００１４】上記課題を解決するため、本発明に係る電
気光学装置の製造方法は、電気光学物質を保持する基板
と、当該基板の縁辺に沿った縁辺領域内に形成された配
線と、当該配線を覆う保護層と、前記保護層に設けられ
た開孔部を介して前記配線と接触する第１の部分、およ
び当該保護層の面上に位置する第２の部分を有する接続
端子とを具備する電気光学装置の製造方法であって、前
記接続端子のうち第２の部分の面上に導通粒子を配置す
る工程と、前記基板の縁辺領域内に実装すべき実装部品
を、その端子と前記接続端子との間に導通粒子を介在さ
せて前記基板側に押圧する工程とを有することを特徴と
している。In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention includes a substrate holding an electro-optical material, a wiring formed in an edge region along an edge of the substrate, and the wiring And a connection terminal having a first portion in contact with the wiring via an opening provided in the protective layer, and a second portion located on the surface of the protective layer. A step of arranging conductive particles on a surface of a second portion of the connection terminal, and mounting a component to be mounted in an edge region of the substrate, the terminal and the connection terminal. And pressing the conductive particles toward the substrate with conductive particles interposed between the connection terminals.
【００１５】この製造方法においては、接続端子と実装
部品の端子とを導通させるための導通粒子が、当該接続
端子のうち保護層の面上に位置する第２の部分に配置さ
れるようになっている。したがって、保護層の開孔部に
対応して窪んだ第１の部分にのみ導通粒子を配置した場
合と比較して、当該導通粒子を充分に押圧することがで
きる。例えば、接続端子と実装部品の端子との確実な導
通が担保され得る厚さとなるまで、上記導通粒子を充分
に押圧することができるといった具合である。In this manufacturing method, the conductive particles for conducting the connection terminal and the terminal of the mounted component are arranged in the second portion of the connection terminal located on the surface of the protective layer. ing. Therefore, the conductive particles can be sufficiently pressed as compared with the case where the conductive particles are arranged only in the first portion depressed corresponding to the opening of the protective layer. For example, the conductive particles can be sufficiently pressed until the thickness is such that reliable conduction between the connection terminal and the terminal of the mounted component can be ensured.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本
発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するも
のではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更
可能である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. These embodiments show one aspect of the present invention, and do not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the technical idea of the present invention.
【００１７】＜Ａ：液晶表示装置＞まず、本発明の実施
形態である液晶表示装置について説明する。なお、以下
では、スイッチング素子として三端子型スイッチング素
子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いたアク
ティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置を例示す
る。<A: Liquid Crystal Display> First, a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention will be described. In the following, an active matrix reflective liquid crystal display device using a TFT (Thin Film Transistor) which is a three-terminal switching element as a switching element will be exemplified.
【００１８】図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の
構成を示す平面図であり、図２は、図１におけるＡ−
Ａ’線視断面図である。これらの図に示すように、液晶
表示装置１は、相互に対向する第１基板１０と第２基板
２０とが略長方形状のシール材３０を介して貼り合わさ
れるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれ
た領域に、電気光学物質として例えばＴＮ（Twisted Ne
matic）型などの液晶４０が封入された構成となってい
る。なお、実際には、第１基板１０および第２基板２０
の外側（液晶４０とは反対側）の表面には、入射光を偏
光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相
差板などが貼着されるが、本発明とは直接の関係がない
ため、その図示および説明を省略する。FIG. 1 is a plan view showing the structure of the liquid crystal display device according to the present embodiment, and FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line A ′. As shown in these drawings, the liquid crystal display device 1 has a first substrate 10 and a second substrate 20 facing each other bonded together via a substantially rectangular sealing material 30, and both substrates and the sealing material 30. In the region surrounded by the above, for example, TN (Twisted Ne
matic) type liquid crystal 40 is sealed. In practice, the first substrate 10 and the second substrate 20
A polarizer for polarizing incident light, a retardation plate for compensating for interference colors, and the like are attached to the outer surface (opposite to the liquid crystal 40) of the liquid crystal panel. Since there is no relationship, illustration and description thereof are omitted.
【００１９】第１基板１０および第２基板２０は、ガラ
スや石英、プラスティックなどの光透過性を有する板状
部材である。このうち第１基板１０における第２基板２
０との対向面には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの
透明導電材料からなる対向電極１１が、その全面にわた
って形成されている。この対向電極１１が形成された第
１基板１０の表面は配向膜１２によって覆われてる。配
向膜１２には、電圧が印加されていないときの液晶４０
の配向方向を規定するためのラビング処理が施されてい
る。The first substrate 10 and the second substrate 20 are plate members having optical transparency, such as glass, quartz, and plastic. Among them, the second substrate 2 of the first substrate 10
A counter electrode 11 made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the entire surface of the surface facing the zero. The surface of the first substrate 10 on which the counter electrode 11 is formed is covered with an alignment film 12. The liquid crystal 40 when no voltage is applied is applied to the alignment film 12.
A rubbing treatment for defining the orientation direction of is performed.
【００２０】一方、図１に示すように、第２基板２０
は、Ｘ軸の負方向およびＹ軸の正方向において第１基板
１０から張り出した部分（以下、「縁辺領域２０１」と
表記する。）を有する。この縁辺領域２０１のうちＸ軸
の負方向の部分にはＹドライバＩＣ５１がＣＯＧ技術を
用いて実装（以下、「ＣＯＧ実装」と表記する。）され
ている。同様に、縁辺領域２０１のうちＹ軸の正方向の
部分にはＸドライバＩＣ５２がＣＯＧ実装されている。
ＹドライバＩＣ５１およびＸドライバＩＣ５２は、液晶
４０を駆動するための駆動信号（走査信号およびデータ
信号）を生成して出力するための回路を備えている。On the other hand, as shown in FIG.
Has a portion projecting from the first substrate 10 in the negative direction of the X-axis and the positive direction of the Y-axis (hereinafter, referred to as “edge region 201”). The Y driver IC 51 is mounted on the portion in the negative direction of the X-axis in the edge area 201 using the COG technology (hereinafter, referred to as “COG mounting”). Similarly, an X driver IC 52 is COG-mounted in a portion of the edge area 201 in the Y-axis positive direction.
The Y driver IC 51 and the X driver IC 52 include circuits for generating and outputting drive signals (scanning signals and data signals) for driving the liquid crystal 40.
【００２１】次に、図３は、第２基板２０の内側表面の
うち表示領域、すなわちシール材３０の内周縁によって
囲まれた領域の構成を示す図である。同図に示すよう
に、第２基板２０の表示領域には、Ｘ（列）方向に延在
する複数の走査線２１と、Ｙ（行）方向に延在する複数
のデータ線２２とが形成されるとともに、走査線２１お
よびデータ線２２の各交差に対応して画素電極２３およ
びＴＦＴ２４が形成されている。各画素電極２３は、Ｉ
ＴＯなどの透明導電材料によって形成された矩形状の電
極であり、第１基板１０上の対向電極１１と対向するよ
うに、第２基板２０の面上にマトリクス状に配列する。
さらに、各画素電極２３は、ＴＦＴ２４を介して走査線
２１およびデータ線２２に接続されている。詳述する
と、以下の通りである。Next, FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the display area, that is, the area surrounded by the inner peripheral edge of the sealing material 30 on the inner surface of the second substrate 20. As shown in the figure, a plurality of scanning lines 21 extending in the X (column) direction and a plurality of data lines 22 extending in the Y (row) direction are formed in the display area of the second substrate 20. In addition, a pixel electrode 23 and a TFT 24 are formed corresponding to each intersection of the scanning line 21 and the data line 22. Each pixel electrode 23 has I
These are rectangular electrodes formed of a transparent conductive material such as TO, and are arranged in a matrix on the surface of the second substrate 20 so as to face the counter electrodes 11 on the first substrate 10.
Further, each pixel electrode 23 is connected to a scanning line 21 and a data line 22 via a TFT 24. The details are as follows.
【００２２】図４は、ＴＦＴ２４およびその近傍の構成
を示す断面図である。同図に示すように、第２基板２０
の内側表面には、ＳｉＯ2などからなる下地層２５１を
介して半導体層２４１が形成されている。この半導体層
２４１の表面は、当該半導体層２４１に熱酸化処理を施
して得られた絶縁膜２４２によって覆われている。そし
て、この半導体層２４１のうち、走査線２１と重なる部
分がチャネル領域２４１ａとなっている。すなわち、図
３に示すように、各走査線２１は、Ｘ方向に延在する部
分から分岐して半導体層２４１と交差する部分を有して
おり、この交差する部分が図４に示すゲート電極２１１
として機能する。また、半導体層２４１およびゲート電
極２１１が形成された下地層２５１の表面は、ＳｉＯ2
などからなる第１絶縁層２５２によって覆われている。FIG. 4 is a sectional view showing the structure of the TFT 24 and its vicinity. As shown in FIG.
The semiconductor layer 241 is formed on the inner surface of the substrate through a base layer 251 made of SiO 2 or the like. The surface of the semiconductor layer 241 is covered with an insulating film 242 obtained by subjecting the semiconductor layer 241 to a thermal oxidation treatment. A portion of the semiconductor layer 241 overlapping the scanning line 21 is a channel region 241a. That is, as shown in FIG. 3, each scanning line 21 has a portion that branches off from a portion extending in the X direction and intersects with the semiconductor layer 241. This intersecting portion corresponds to the gate electrode shown in FIG. 211
Function as The surface of the underlayer 251 on which the semiconductor layer 241 and the gate electrode 211 are formed is made of SiO 2
And is covered with a first insulating layer 252 made of, for example.
【００２３】図４に示すように、半導体層２４１のうち
チャネル領域２４１ａのソース側には低濃度ソース領域
２４１ｂ、高濃度ソース領域２４１ｃが設けられる一
方、ドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｄ、高濃
度ドレイン領域２４１ｅが設けられて、いわゆるＬＤＤ
（Lightly Doped Drain）構造となっている。このう
ち、高濃度ソース領域２４１ｃは、半導体層２４１表面
の絶縁膜２４２と第１絶縁層２５２とにわたって設けら
れたコンタクトホール２２ａを介して、上述したデータ
線２２に接続されている。なお、本実施形態におけるデ
ータ線２２は、アルミニウムによって形成されているも
のとする。一方、高濃度ドレイン領域２４１ｅは、半導
体層２４１表面の絶縁膜２４２と第１絶縁層２５２とに
わたって設けられたコンタクトホール２４３ａを介し
て、データ線２２と同一層からなる中間導電膜２４３に
接続されている。As shown in FIG. 4, a low-concentration source region 241b and a high-concentration source region 241c are provided on the source side of the channel region 241a in the semiconductor layer 241, while a low-concentration drain region 241d and a high-concentration drain region 241d are provided on the drain side. A concentration drain region 241e is provided, so-called LDD
(Lightly Doped Drain) structure. Among them, the high-concentration source region 241c is connected to the above-described data line 22 via a contact hole 22a provided over the insulating film 242 and the first insulating layer 252 on the surface of the semiconductor layer 241. Note that the data lines 22 in the present embodiment are formed of aluminum. On the other hand, the high-concentration drain region 241e is connected to the intermediate conductive film 243 formed of the same layer as the data line 22 through a contact hole 243a provided over the insulating film 242 and the first insulating layer 252 on the surface of the semiconductor layer 241. ing.
【００２４】データ線２２および中間導電膜２４３が形
成された第１絶縁層２５２の表面は、第２絶縁層２５３
によって覆われている。この第２絶縁層２５３は、窒化
シリコン（ＳｉＮ）層２５３ａと、アクリル系またはエ
ポキシ系などの樹脂材料によって上記窒化シリコン層２
５３ａの上層に形成された樹脂層２５３ｂとによって構
成される。上述した画素電極２３は、この第２絶縁層２
５３の面上に形成され、当該第２絶縁層２５３に設けら
れたコンタクトホール２３ａを介して中間導電膜２４３
に接続されている。すなわち、画素電極２３は、中間導
電膜２４３を介して、半導体層２４１の高濃度ドレイン
領域２４１ｅに接続されている。また、画素電極２３と
第２絶縁層２５３との間には、アルミニウムや銀といっ
た光反射性を有する金属によって反射層２５４が形成さ
れている。さらに、画素電極２３が形成された第２絶縁
層２５３の表面は、所定の方向にラビング処理が施され
た配向膜２６によって覆われる。The surface of the first insulating layer 252 on which the data lines 22 and the intermediate conductive film 243 are formed is
Covered by The second insulating layer 253 is formed of a silicon nitride (SiN) layer 253a and the silicon nitride layer 2 made of an acrylic or epoxy resin material.
And a resin layer 253b formed on the upper layer 53a. The above-described pixel electrode 23 is formed of the second insulating layer 2
53, through the contact hole 23a provided in the second insulating layer 253.
It is connected to the. That is, the pixel electrode 23 is connected to the high-concentration drain region 241e of the semiconductor layer 241 via the intermediate conductive film 243. In addition, a reflection layer 254 is formed between the pixel electrode 23 and the second insulating layer 253 using a light-reflective metal such as aluminum or silver. Further, the surface of the second insulating layer 253 on which the pixel electrodes 23 are formed is covered with an alignment film 26 that has been subjected to a rubbing process in a predetermined direction.
【００２５】ここで、図４に示すように、第２絶縁層２
５３のうち上側の層である樹脂層２５３ｂの表面は、多
数の微細な凹凸が形成された粗面となっている。したが
って、かかる粗面上に薄膜状に形成された反射層２５４
の表面には、当該粗面を反映した凹凸（散乱構造）が形
成されることとなる。換言すれば、反射層２５４の表面
に散乱構造を形成するために、粗面化しやすい樹脂層２
５３ｂを第２絶縁層２５３における上層として形成して
いるのである。かかる散乱構造が形成される結果、第１
基板１０側からの入射光は、反射層２５４の表面によっ
て適度に散乱した後に第１基板１０側から出射するた
め、当該反射層２５４表面における鏡面反射を回避して
広い視野角を確保することができる。Here, as shown in FIG. 4, the second insulating layer 2
The surface of the resin layer 253b, which is the upper layer of the layers 53, is a rough surface on which a number of fine irregularities are formed. Therefore, the reflective layer 254 formed in a thin film on such a rough surface
Will be formed on the surface of (a), reflecting the rough surface. In other words, in order to form a scattering structure on the surface of the reflective layer 254, the resin layer 2
53b is formed as an upper layer in the second insulating layer 253. As a result of forming such a scattering structure, the first
Since the incident light from the substrate 10 side is appropriately scattered by the surface of the reflection layer 254 and then emitted from the first substrate 10 side, it is possible to avoid specular reflection on the surface of the reflection layer 254 and secure a wide viewing angle. it can.
【００２６】一方、各走査線２１は、表示領域内におい
てＸ軸方向に延在するとともに、シール材３０の一辺
（図１における左側の一辺）を横切って縁辺領域２０１
内に至り、その端部がＹドライバＩＣ５１の出力端子に
接続される。これにより、ＹドライバＩＣ５１から出力
された走査信号が各走査線２１に与えられることとな
る。同様に、各データ線２２は、表示領域内においてＹ
軸方向に延在するとともに、シール材３０の一辺（図１
における下側の一辺）を横切って縁辺領域２０１内に至
り、その端部がＸドライバＩＣ５２の出力端子に接続さ
れる。これにより、ＸドライバＩＣ５２から出力された
データ信号が各データ線２２に与えられることとなる。
ＹドライバＩＣ５１およびＸドライバＩＣ５２は、接着
剤中に導通粒子を分散させた異方性導電膜を介して、第
２基板２０上に実装される。On the other hand, each scanning line 21 extends in the X-axis direction in the display area, and crosses one side (one side on the left side in FIG. 1) of the sealing material 30 to form an edge area 201.
And its end is connected to the output terminal of the Y driver IC 51. Thus, the scanning signal output from the Y driver IC 51 is given to each scanning line 21. Similarly, each data line 22 is connected to Y in the display area.
While extending in the axial direction, one side of the sealing material 30 (FIG. 1)
(The lower side of) to the edge region 201, and its end is connected to the output terminal of the X driver IC 52. Thus, the data signal output from the X driver IC 52 is given to each data line 22.
The Y driver IC 51 and the X driver IC 52 are mounted on the second substrate 20 via an anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in an adhesive.
【００２７】次に、図５（ａ）および（ｂ）を参照し
て、第２基板２０の縁辺領域２０１近傍の構成、特に各
データ線２２とＸドライバＩＣ５２の出力端子との接続
の態様について説明する。なお、各走査線２１とＹドラ
イバＩＣ５１の出力端子との接続の態様は、以下に示す
各データ線２２とＸドライバＩＣ５２の出力端子との接
続の態様と同様であるため、その説明を省略する。図５
（ａ）および（ｂ）に示すように、表示領域から縁辺領
域２０１に引き出されたデータ線２２は、第２絶縁層２
５３によって覆われている。すなわち、シール材３０内
側の表示領域において、各データ線２２が第２絶縁層２
５３に覆われているのは前掲図４に示した通りである
が、本実施形態におけるデータ線２２は、この表示領域
内の部分だけではなく、縁辺領域２０１に引き出された
部分を含む全長にわたって、第２絶縁層２５３によって
覆われているのである（第２絶縁層２５３のうち縁辺領
域２０１内においてデータ線２２を覆う部分が、本発明
における「保護層」に相当する。）。なお、図５（ａ）
および（ｂ）においては、図面が煩雑になるのを防ぐた
め、図４に示した下地層２５１および第１絶縁層２５２
の図示が省略されているが、実際には、データ線２２
は、第２基板２０を覆うこれらの層の表面に形成されて
いる。Next, referring to FIGS. 5 (a) and 5 (b), the configuration near the edge region 201 of the second substrate 20, particularly the manner of connection between each data line 22 and the output terminal of the X driver IC 52 will be described. explain. Note that the manner of connection between each scanning line 21 and the output terminal of the Y driver IC 51 is the same as the manner of connection between each data line 22 and the output terminal of the X driver IC 52 described below, and a description thereof will be omitted. . FIG.
As shown in (a) and (b), the data line 22 drawn from the display area to the edge area 201 is connected to the second insulating layer 2.
53. That is, in the display area inside the sealing material 30, each data line 22 is connected to the second insulating layer 2.
As shown in FIG. 4 described above, the data line 22 in this embodiment is covered not only by the portion in the display region but also by the entire length including the portion drawn out to the edge region 201. (The part of the second insulating layer 253 that covers the data line 22 in the peripheral region 201 corresponds to the “protective layer” in the present invention.) FIG. 5 (a)
4B, the underlayer 251 and the first insulating layer 252 shown in FIG.
Are omitted, but actually, the data line 22 is not shown.
Are formed on the surface of these layers covering the second substrate 20.
【００２８】さらに、各データ線２２は、第２基板２０
の縁辺領域２０１のうちＸドライバＩＣ５２が実装され
る領域に至るように延在し、その端部近傍が、各データ
線２２に対応して設けられた接続端子２７を介してＸド
ライバＩＣ５２の出力端子５２ａに接続される。この接
続端子２７は、上述した画素電極２３と同一の層から形
成され（したがって、ＩＴＯなどの透明導電材料からな
る）、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、第２絶縁
層２５３に設けられたコンタクトホール２７ａに入り込
んでデータ線２２と接触する第１の部分２７１と、第２
絶縁層２５３の面上に位置する第２の部分２７２とを有
する。そして、当該ＸドライバＩＣ５２の出力端子５２
ａは、異方性導電膜中の導通粒子（図５においては図示
略）を介して、接続端子２７のうち第２の部分２７２と
電気的に接続される。すなわち、ＸドライバＩＣ５２が
異方性導電膜を介して第２基板２０に圧着されるとき、
当該異方性導電膜中の導通粒子は、接続端子２７のうち
コンタクトホール２７ａに対応して窪んだ第１の部分２
７１ではなく、第２絶縁層２５３の面上に位置する第２
の部分２７２に押圧されることとなる。詳細は後述する
が、このように導通粒子を第２の部分２７２上に位置さ
せた状態で押圧することにより、当該導通粒子を第１の
部分２７１上に位置させた状態で押圧した場合と比較し
て、導通粒子を充分に押圧することができ、Ｘドライバ
ＩＣ５２の出力端子５２ａと接続端子２７とを確実に導
通させることができるという利点がある。Further, each data line 22 is connected to the second substrate 20.
Of the edge region 201 of the X-ray display device, the region extending to the region where the X-driver IC 52 is mounted, and the vicinity of the end of the output region of the X-driver IC 52 via the connection terminal 27 provided corresponding to each data line 22. Connected to terminal 52a. The connection terminal 27 is formed from the same layer as the above-described pixel electrode 23 (and is therefore made of a transparent conductive material such as ITO), and as shown in FIGS. 5A and 5B, the second insulating layer 253 A first portion 271 that enters contact hole 27a provided in contact with data line 22;
A second portion 272 located on the surface of the insulating layer 253. The output terminal 52 of the X driver IC 52
“a” is electrically connected to the second portion 272 of the connection terminal 27 via conductive particles (not shown in FIG. 5) in the anisotropic conductive film. That is, when the X driver IC 52 is pressed against the second substrate 20 via the anisotropic conductive film,
The conductive particles in the anisotropic conductive film are the first portions 2 of the connection terminals 27 that are recessed corresponding to the contact holes 27a.
71, but not on the surface of the second insulating layer 253.
Portion 272 is pressed. Although the details will be described later, by pressing the conductive particles in a state where they are positioned on the second portion 272 in this manner, a comparison is made with the case where the conductive particles are pressed in a state where the conductive particles are positioned on the first portion 271. Thus, there is an advantage that the conductive particles can be sufficiently pressed, and the output terminal 52a of the X driver IC 52 and the connection terminal 27 can be reliably conducted.
【００２９】＜Ｂ：製造プロセス＞次に、図６および図
７を参照して、本実施形態に係る液晶表示装置１の製造
プロセス、特に第２基板２０上の各要素の製造プロセス
について説明する。なお、図６および図７においては、
縁辺領域２０１内の各部の製造プロセスが（ａ１）ない
し（ａ４）として示されるとともに、これらの各プロセ
スにおける表示領域内の各部の構成が（ｂ１）ないし
（ｂ４）として示されている。<B: Manufacturing Process> Next, a manufacturing process of the liquid crystal display device 1 according to the present embodiment, in particular, a manufacturing process of each element on the second substrate 20 will be described with reference to FIGS. . 6 and 7,
The manufacturing process of each part in the edge area 201 is shown as (a1) to (a4), and the configuration of each part in the display area in each of these processes is shown as (b1) to (b4).
【００３０】まず、下地層２５１によって覆われた第２
基板２０のうち、表示領域の面上にポリシリコンからな
る半導体層２４１を形成するとともに、熱酸化処理を施
して当該半導体層２４１の表面に絶縁膜２４２を形成す
る。次いで、絶縁膜２４２の面上にポリシリコン層を堆
積した後、当該ポリシリコン層をフォトリソグラフィや
エッチングなどによってパターニングすることにより、
ＴＦＴ２４のゲート電極２１１となる分岐部分と、Ｘ軸
方向に延在して第２基板２０の縁辺領域２０１に至る部
分とを有する走査線２１を形成する。First, the second layer covered by the underlayer 251
A semiconductor layer 241 made of polysilicon is formed on the surface of the display region of the substrate 20, and a thermal oxidation process is performed to form an insulating film 242 on the surface of the semiconductor layer 241. Next, after a polysilicon layer is deposited on the surface of the insulating film 242, the polysilicon layer is patterned by photolithography, etching, or the like.
The scanning line 21 having a branch portion serving as the gate electrode 211 of the TFT 24 and a portion extending in the X-axis direction and reaching the edge region 201 of the second substrate 20 is formed.
【００３１】次いで、半導体層２４１に適切な不純物を
ドーピングして上述したＬＤＤ構造を形成する。さら
に、半導体層２４１および走査線２１が形成された第２
基板２０の表面を覆うように、ＳｉＯ2からなる第１絶
縁層２５２を形成するとともに、この第１絶縁層２５２
および絶縁膜２４２にわたってコンタクトホール２２ａ
および２４３ａを形成する。そして、これらの各部を覆
うようにアルミニウムからなる導電膜を形成した後、当
該導電膜にパターニングを施すことにより、図６（ａ
１）および（ｂ１）に示すように、表示領域内において
ＴＦＴ２４のソース電極となる部分を有し、かつＹ方向
に延在して縁辺領域２０１に至るデータ線２２と、ＴＦ
Ｔ２４のドレイン電極として用いられる中間導電膜２４
３とを形成する。Next, the semiconductor layer 241 is doped with an appropriate impurity to form the above-described LDD structure. Further, the second layer on which the semiconductor layer 241 and the scanning line 21 are formed is formed.
A first insulating layer 252 made of SiO 2 is formed so as to cover the surface of the substrate 20, and the first insulating layer 252
And contact hole 22a over insulating film 242
And 243a. Then, after a conductive film made of aluminum is formed so as to cover these portions, patterning is performed on the conductive film to form the conductive film shown in FIG.
As shown in (1) and (b1), the data line 22 having a portion serving as the source electrode of the TFT 24 in the display region and extending in the Y direction to the edge region 201;
Intermediate conductive film 24 used as drain electrode of T24
3 is formed.
【００３２】次いで、図６（ａ２）および（ｂ２）に示
すように、データ線２２が形成された第１絶縁層２５２
を覆うように、縁辺領域２０１を含む第２基板２０の全
面にわたって窒化シリコン層２５３ａを形成する一方、
当該窒化シリコン層２５３ａを覆う樹脂層２５３ｂをア
クリル系またはエポキシ系の樹脂などによって形成す
る。こうして形成された第２絶縁層２５３の厚さは、約
３μｍ程度である。Next, as shown in FIGS. 6A and 6B, the first insulating layer 252 on which the data lines 22 are formed is formed.
While forming a silicon nitride layer 253a over the entire surface of the second substrate 20 including the peripheral region 201 so as to cover
A resin layer 253b covering the silicon nitride layer 253a is formed using an acrylic or epoxy resin. The thickness of the second insulating layer 253 thus formed is about 3 μm.
【００３３】続いて、樹脂層２５３ｂ表面のうち表示領
域内に位置する領域を粗面化する。この粗面化の方法と
しては、公知の各種方法を用いることができる。例え
ば、樹脂層２５３ｂ表面の多数の微細な部分をエッチン
グによって選択的に除去した後、当該樹脂層２５３ｂを
加熱することにより軟化させて、エッチングによって生
じた角の部分を丸めるといった具合である。さらに、こ
うして多数の微細な凹凸が形成された樹脂層２５３ｂを
覆うように、アルミニウムなどの反射性を有する金属の
薄膜を形成するとともに、この薄膜にパターニングを施
して反射層２５４を形成する。この反射層２５４の表面
には、樹脂層２５３ｂ表面の凹凸を反映した散乱構造が
形成される（図６（ｂ３）参照。）。Subsequently, a region located in the display region on the surface of the resin layer 253b is roughened. Various known methods can be used as the surface roughening method. For example, after a large number of fine portions on the surface of the resin layer 253b are selectively removed by etching, the resin layer 253b is heated to be softened, and the corner portions generated by the etching are rounded. Further, a thin film of a reflective metal such as aluminum is formed so as to cover the resin layer 253b on which many fine irregularities are formed, and the thin film is patterned to form the reflective layer 254. On the surface of the reflective layer 254, a scattering structure reflecting the unevenness of the surface of the resin layer 253b is formed (see FIG. 6B3).
【００３４】次いで、図７（ａ３）および（ｂ３）に示
すように、上記第２絶縁層２５３のうち、表示領域内に
おける各ＴＦＴ２４の中間導電膜２４３に対応する部
分、および縁辺領域２０１内における各データ線２２の
端部近傍に対応する部分に、コンタクトホール２３ａお
よび２７ａを形成する。この後、これらのコンタクトホ
ール２３ａおよび２７ａが形成された第２絶縁層２５３
を覆うように、縁辺領域２０１を含む第２基板２０の全
面にわたってＩＴＯなどの透明導電材料からなる薄膜を
形成する。そして、この薄膜を、フォトリソグラフィや
エッチングなどを用いてパターニングすることにより、
図７（ａ４）および（ｂ４）に示すように、表示領域内
に位置する画素電極２３と、縁辺領域２０１内に位置す
る接続端子２７とを同時に形成する。この接続端子２７
は、上述したように、第２絶縁層２５３のコンタクトホ
ール２７ａに入り込む第１の部分２７１と、絶縁層の面
上に位置する第２の部分２７２とを有するものである。Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, a portion of the second insulating layer 253 corresponding to the intermediate conductive film 243 of each TFT 24 in the display region and a portion in the edge region 201 are formed. Contact holes 23a and 27a are formed in portions corresponding to the vicinity of the end of each data line 22. Thereafter, the second insulating layer 253 having the contact holes 23a and 27a formed therein is formed.
A thin film made of a transparent conductive material such as ITO is formed over the entire surface of the second substrate 20 including the peripheral region 201 so as to cover the peripheral region 201. Then, by patterning this thin film using photolithography or etching,
As shown in FIGS. 7A4 and 7B4, the pixel electrode 23 located in the display area and the connection terminal 27 located in the peripheral area 201 are formed simultaneously. This connection terminal 27
Has the first portion 271 entering the contact hole 27a of the second insulating layer 253 and the second portion 272 located on the surface of the insulating layer, as described above.
【００３５】次いで、第２絶縁層２５３のうち表示領域
内の部分を覆うように配向膜２６を形成するとともに、
この配向膜２６に対して所定の方向にラビング処理を施
す。そして、上記工程により得られた第２基板２０と、
対向電極１１および配向膜１２が形成された第１基板１
０とを、各々の電極形成面が対向するようにシール材３
０を介して貼り合わせた後、両基板とシール材３０によ
って囲まれた領域に液晶４０を封入する。次いで、Ｙド
ライバＩＣ５１およびＸドライバＩＣ５２を、異方性導
電膜を介して第２基板２０の縁辺領域２０１に実装する
ことにより、図１に示した液晶表示装置１が得られる。Next, an alignment film 26 is formed so as to cover a portion of the second insulating layer 253 in the display area,
A rubbing process is performed on the alignment film 26 in a predetermined direction. And, the second substrate 20 obtained by the above process,
First substrate 1 on which counter electrode 11 and alignment film 12 are formed
0 and the sealing material 3 so that the respective electrode forming surfaces face each other.
After bonding through the “0”, the liquid crystal 40 is sealed in a region surrounded by both substrates and the sealing material 30. Next, the liquid crystal display device 1 shown in FIG. 1 is obtained by mounting the Y driver IC 51 and the X driver IC 52 on the edge region 201 of the second substrate 20 via the anisotropic conductive film.
【００３６】ここで、図８を参照して、第２基板２０の
縁辺領域２０１にＸドライバＩＣ５２およびＹドライバ
ＩＣ５１を実装する工程について説明する。ただし、Ｙ
ドライバＩＣ５１の実装工程は、ＸドライバＩＣ５２の
実装工程と同様であるため、以下では、ＸドライバＩＣ
５２を縁辺領域２０１に実装する工程についてのみ説明
する。また、実際には、熱可塑性を有する接着剤中に導
通粒子が分散された異方性導電膜を用いてＸドライバＩ
Ｃ５２と第２基板２０とが接合されることとなるが、図
８においては、図面が煩雑になるのを防止するため、異
方性導電膜に含まれる導通粒子のみが図示されている。Here, a process of mounting the X driver IC 52 and the Y driver IC 51 in the peripheral area 201 of the second substrate 20 will be described with reference to FIG. Where Y
The mounting process of the driver IC 51 is the same as the mounting process of the X driver IC 52.
Only the step of mounting the 52 in the peripheral area 201 will be described. Actually, the X driver I is formed using an anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in an adhesive having thermoplasticity.
Although C52 and the second substrate 20 are joined, only conductive particles included in the anisotropic conductive film are illustrated in FIG. 8 to prevent the drawing from being complicated.
【００３７】まず、図８（ａ）に示すように、第２基板
２０上の接続端子２７のうち第２の部分２７２の面上に
導通粒子６０が位置するように異方性導電膜を配置する
とともに、ＸドライバＩＣ５２の出力端子５２ａを、当
該異方性導電膜を挟んで接続端子２７の第２の部分２７
２に対向させる。ＸドライバＩＣ５２の出力端子５２ａ
には、例えば金からなるバンプ（突起電極）が形成され
ている。First, as shown in FIG. 8A, the anisotropic conductive film is arranged so that the conductive particles 60 are located on the surface of the second portion 272 of the connection terminals 27 on the second substrate 20. At the same time, the output terminal 52a of the X driver IC 52 is connected to the second portion 27 of the connection terminal 27 with the anisotropic conductive film interposed therebetween.
2 Output terminal 52a of X driver IC 52
Are formed with bumps (protruding electrodes) made of, for example, gold.
【００３８】ここで、本実施形態においては、導通粒子
６０として、硬度が樹脂層２５３ｂの硬度よりも低いも
のを用いる。この種の導通粒子６０としては、例えば、
重合度が低い（すなわち硬度が低い）ポリスチレンから
なる微粒子に金やニッケルといった金属のメッキを施し
たものや、プラスティックからなる微粒子に同様のメッ
キを施したもの、またはポリビニルアルコール（ＰＶ
Ａ）からなる微粒子に同様のメッキを施したものを用い
ることが考えられる。さらには、導電性を有する金属ま
たは導電性を有する樹脂からなる粒子を導通粒子６０と
して用いることもできる。なお、以下では、直径が約５
μｍ程度の導通粒子６０を用いる場合を想定する。In this embodiment, the conductive particles 60 having a hardness lower than that of the resin layer 253b are used. Examples of this type of conductive particles 60 include, for example,
Fine particles made of polystyrene having a low degree of polymerization (that is, low hardness) are plated with a metal such as gold or nickel, fine particles made of plastic are similarly plated, or polyvinyl alcohol (PV)
It is conceivable to use particles obtained by plating the fine particles of A) in the same manner. Further, particles made of a conductive metal or a conductive resin may be used as the conductive particles 60. In the following, the diameter is about 5
It is assumed that conductive particles 60 of about μm are used.
【００３９】次いで、図８（ｂ）に示すように、当該異
方性導電膜に熱を加えながら、ＸドライバＩＣ５２を第
２基板２０側に押圧する。より具体的には、約５μｍ程
度の直径を有する導通粒子６０が押し潰されて約２μｍ
程度の厚さとなるように、ＸドライバＩＣ５２を第２基
板２０側に押圧する。この工程により、ＸドライバＩＣ
５２と第２基板２０とが異方性導電膜中の接着剤によっ
て接合されるとともに、ＸドライバＩＣ５２の出力端子
５２ａと接続端子２７とが導通粒子６０を介して電気的
に接続される。さらに、上記のように導通粒子６０を押
し潰して所定の厚さ（約２μｍ程度）とすることによ
り、出力端子５２ａと接続端子２７とを確実に導通させ
ることができる。Next, as shown in FIG. 8B, the X driver IC 52 is pressed against the second substrate 20 while applying heat to the anisotropic conductive film. More specifically, the conductive particles 60 having a diameter of about 5 μm are crushed to about 2 μm
The X driver IC 52 is pressed against the second substrate 20 so as to have a thickness of about 2 mm. By this process, the X driver IC
52 and the second substrate 20 are joined by an adhesive in the anisotropic conductive film, and the output terminal 52 a of the X driver IC 52 and the connection terminal 27 are electrically connected via the conductive particles 60. Further, by crushing the conductive particles 60 to a predetermined thickness (about 2 μm) as described above, the output terminal 52a and the connection terminal 27 can be reliably made conductive.
【００４０】以上説明したように、本実施形態において
は、縁辺領域２０１上に形成されたデータ線２２が第２
絶縁層２５３によって覆われているため、水分の付着な
どに起因して当該データ線２２が腐食するのを回避する
ことができる。このように腐食が回避される結果、Ｘド
ライバＩＣ５２の出力端子５２ａとデータ線２２とを確
実に導通させることができる。同様の理由により、Ｙド
ライバＩＣ５１の出力端子と走査線２１とについても確
実な導通が実現される。As described above, in the present embodiment, the data line 22 formed on the edge region 201 is the second line.
Since the data line 22 is covered with the insulating layer 253, corrosion of the data line 22 due to adhesion of moisture or the like can be avoided. As a result of avoiding the corrosion in this way, the output terminal 52a of the X driver IC 52 and the data line 22 can be reliably conducted. For the same reason, reliable connection between the output terminal of the Y driver IC 51 and the scanning line 21 is also realized.
【００４１】さらに、本実施形態によれば、Ｘドライバ
ＩＣ５２（およびＹドライバＩＣ５１）の出力端子５２
ａと接続端子２７とを導通させるための導通粒子６０
が、当該接続端子２７のうち第２絶縁層２５３の面上に
位置する第２の部分２７２に配置されるようになってい
るため、両者を確実に導通させることができるという利
点がある。詳述すると、以下の通りである。Further, according to the present embodiment, the output terminal 52 of the X driver IC 52 (and the Y driver IC 51) is used.
conductive particles 60 for making the connection terminal 27a and the connection terminal 27 conductive.
Are arranged in the second portion 272 of the connection terminal 27 located on the surface of the second insulating layer 253, so that there is an advantage that both can be reliably conducted. The details are as follows.
【００４２】ここで、図９は、ＸドライバＩＣ５２と第
２基板２０との接合工程において、接続端子２７のうち
コンタクトホール２７ａに入り込んだ第１の部分２７１
に対応して導通粒子６０を配置した場合を、本実施形態
との対比例として示す図である。この場合も、図８
（ａ）および（ｂ）に示したのと同様に、ＸドライバＩ
Ｃ５２が第２基板２０側に押圧された状態で両者が接合
されるとともに、ＸドライバＩＣ５２の出力端子５２ａ
と接続端子２７とが導通粒子６０を介して導通される。
しかしながら、第２絶縁層２５３は約３μｍ程度の厚さ
を有しているため、当該第２絶縁層２５３のうちコンタ
クトホール２７ａが形成された部分には、この厚さに応
じた段差が形成される。そして、接続端子２７のうち第
１の部分２７１に対応して導通粒子６０を配置した場
合、当該導通粒子６０はコンタクトホール２７ａに入り
込んで段差の下側に位置することとなるため、当該導通
粒子６０を充分に押し潰すことができない。すなわち、
導通粒子６０を、第２絶縁層２５３の厚さである３μｍ
よりも小さい直径（厚さ）となるように押し潰すことは
できない。これよりも小さい直径となるように導通粒子
６０を押し潰せば、ＸドライバＩＣ５２の出力端子５２
ａが接続端子２７や第２絶縁層２５３を直接押圧するこ
ととなるため、これらの各部が破損し、ひいてはデータ
線２２も破損する可能性があるからである。そして、こ
のように導通粒子６０が所望の直径となるまで充分に押
し潰されない状態では、出力端子５２ａと接続端子２７
とを確実に導通させることはできないのである。なお、
上記においてはＸドライバＩＣ５２を例示したが、Ｙド
ライバＩＣ５１についても同様の不都合が生じ得る。Here, FIG. 9 shows the first portion 271 of the connection terminal 27 that has entered the contact hole 27a in the bonding step between the X driver IC 52 and the second substrate 20.
FIG. 9 is a diagram showing a case where conductive particles 60 are arranged corresponding to the embodiment as a comparative example with the present embodiment. Also in this case, FIG.
As shown in (a) and (b), the X driver I
The two are joined in a state where C52 is pressed to the second substrate 20 side, and the output terminal 52a of the X driver IC 52 is
And the connection terminal 27 are conducted through the conduction particles 60.
However, since the second insulating layer 253 has a thickness of about 3 μm, a step corresponding to this thickness is formed in a portion of the second insulating layer 253 where the contact hole 27a is formed. You. When the conductive particles 60 are arranged corresponding to the first portion 271 of the connection terminal 27, the conductive particles 60 enter the contact hole 27a and are located below the step. 60 cannot be sufficiently crushed. That is,
The conductive particles 60 have a thickness of 3 μm, which is the thickness of the second insulating layer 253.
It cannot be crushed to a smaller diameter (thickness). If the conductive particles 60 are crushed so as to have a smaller diameter, the output terminal 52 of the X driver IC 52
This is because “a” directly presses the connection terminal 27 and the second insulating layer 253, so that these components may be damaged and the data line 22 may be damaged. In a state where the conductive particles 60 are not sufficiently crushed until the conductive particles 60 have a desired diameter, the output terminal 52a and the connection terminal 27
Cannot be reliably conducted. In addition,
Although the X driver IC 52 has been described above as an example, the Y driver IC 51 may have the same disadvantage.
【００４３】これに対し、本実施形態においては、接続
端子２７のうち第２絶縁層２５３の面上に位置する第２
の部分２７２に導通粒子６０が配置されるようになって
いるため、上記のような制限が課されることはなく、当
該接続端子２７とＸドライバＩＣ５２およびＹドライバ
ＩＣ５１の出力端子とを確実に導通させ得る程度に、導
通粒子６０を充分に押し潰すことができるのである。On the other hand, in the present embodiment, the second terminal located on the surface of the second insulating layer
Since the conductive particles 60 are arranged in the portion 272 of the above, the above-described limitation is not imposed, and the connection terminal 27 and the output terminals of the X driver IC 52 and the Y driver IC 51 are securely connected. The conductive particles 60 can be sufficiently crushed to such an extent that they can be made conductive.
【００４４】加えて、本実施形態によれば、導通粒子６
０として樹脂層２５３ｂよりも硬度が低いものを用いて
いるため、接続端子２７の破損を防ぐことができるとい
う利点がある。すなわち、仮に樹脂層２５３ｂよりも硬
度が高い導通粒子６０を用いたとすれば、当該Ｘドライ
バＩＣ５２またはＹドライバＩＣ５１と第２基板２０と
の接合過程において、導通粒子６０が第２絶縁層２５３
の上層である樹脂層２５３ｂに押し付けられる結果、図
１０に示すように、導通粒子６０が樹脂層２５３ｂにめ
り込んで接続端子２７が破損するという事態が生じ得
る。これに対し、本実施形態においては樹脂層２５３ｂ
よりも硬度が低い導通粒子６０を用いているため、たと
え導通粒子６０が押し付けられたとしても当該樹脂層２
５３ｂが変形することはない。そしてこの結果、接続端
子２７の破損が防止される。In addition, according to the present embodiment, the conductive particles 6
Since a material having a hardness lower than that of the resin layer 253b is used as 0, there is an advantage that damage to the connection terminal 27 can be prevented. In other words, if the conductive particles 60 having a higher hardness than the resin layer 253b are used, the conductive particles 60 are bonded to the second insulating layer 253 in the bonding process between the X driver IC 52 or the Y driver IC 51 and the second substrate 20.
As a result of being pressed against the resin layer 253b, which is the upper layer, the conductive particles 60 may sink into the resin layer 253b and damage the connection terminals 27, as shown in FIG. On the other hand, in the present embodiment, the resin layer 253b
Since the conductive particles 60 having a lower hardness than the conductive layer 60 are used, even if the conductive particles 60 are pressed,
53b is not deformed. As a result, damage to the connection terminal 27 is prevented.
【００４５】＜Ｃ：変形例＞以上この発明の一実施形態
について説明したが、上記実施形態はあくまでも例示で
あり、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱
しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例
としては、例えば以下のようなものが考えられる。<C: Modifications> One embodiment of the present invention has been described above. However, the above embodiment is merely an example, and various modifications may be made to the above embodiment without departing from the spirit of the present invention. Can be added. For example, the following modifications can be considered.
【００４６】（１）上記実施形態においては、窒化シリ
コン層２５３ａおよび樹脂層２５３ｂからなる第２絶縁
層２５３を表示領域と縁辺領域２０１の双方にわたって
形成し、このうち縁辺領域２０１上に形成された部分に
よって、縁辺領域２０１内に引き出されたデータ線２２
を覆う構成とした。この構成においては、第２絶縁層２
５３のうち縁辺領域２０１上に位置する部分が、本発明
における「保護層」に相当する。換言すると、上記実施
形態においては、窒化シリコン層２５３ａおよび樹脂層
２５３ｂからなる第２絶縁層２５３を保護層として兼用
した構成例である。しかしながら、保護層の構成はこれ
に限られるものではなく、例えば以下に示す構成も考え
られる。なお、以下では、縁辺領域２０１内に形成され
たデータ線２２および走査線２１を総称して単に「配
線」と表記する。(1) In the above embodiment, the second insulating layer 253 composed of the silicon nitride layer 253a and the resin layer 253b is formed over both the display region and the peripheral region 201, and is formed on the peripheral region 201. The data line 22 drawn into the marginal area 201 by the portion
. In this configuration, the second insulating layer 2
The portion of 53 that is located on the edge region 201 corresponds to the “protective layer” in the present invention. In other words, the above embodiment is a configuration example in which the second insulating layer 253 including the silicon nitride layer 253a and the resin layer 253b is also used as a protective layer. However, the configuration of the protective layer is not limited to this, and for example, the following configuration can be considered. In the following, the data lines 22 and the scanning lines 21 formed in the peripheral region 201 are simply referred to as “wiring”.
【００４７】［第１の態様］ 上述したように、第２基
板２０における第１基板１０との対向面は、電圧が印加
されていないときの液晶４０の配向方向を規定するため
の配向膜２６によって覆われているが（図１参照）、こ
の配向膜２６を表示領域のみならず縁辺領域２０１にも
至るように形成するとともに、当該配向膜２６のうち縁
辺領域２０１上の部分を保護層の少なくとも一部として
兼用してもよい。すなわち、上述した第２絶縁層２５３
と配向膜２６の双方を縁辺領域２０１に至るように形成
することにより、第２基板２０上に積層されたこれらの
複数の層（窒化シリコン層２５３ａ、樹脂層２５３ｂお
よび配向膜２６）を保護層として用いてもよいし、縁辺
領域２０１を配向膜２６のみによって覆う構成とし（す
なわち縁辺領域２０１における第２絶縁層２５３を除去
する）、当該配向膜２６のみからなる単一層を保護層と
して用いてもよい。[First Mode] As described above, the surface of the second substrate 20 facing the first substrate 10 is provided with the alignment film 26 for defining the alignment direction of the liquid crystal 40 when no voltage is applied. Although this is covered with the alignment film 26 (see FIG. 1), the alignment film 26 is formed so as to reach not only the display region but also the edge region 201, and a portion of the alignment film 26 on the edge region 201 is used as a protective layer. It may be used at least as a part. That is, the second insulating layer 253 described above
And the alignment film 26 are formed so as to reach the peripheral region 201, so that the plurality of layers (the silicon nitride layer 253a, the resin layer 253b, and the alignment film 26) stacked on the second substrate 20 are formed as protective layers. Alternatively, the edge region 201 may be covered with only the alignment film 26 (that is, the second insulating layer 253 in the edge region 201 is removed), and a single layer including only the alignment film 26 may be used as a protective layer. Is also good.
【００４８】この構成によっても、上記実施形態と同様
の効果が得られる。ただし、配向膜２６は第２基板２０
上において画素電極２３を覆うように形成されるため、
配向膜２６を第２絶縁層２５３として用いた場合には、
接続端子２７を画素電極２３と同一の層によって形成す
ることはできない。したがって、かかる構成を採った場
合には、画素電極２３の形成とは別個の工程によって、
導電性材料からなる接続端子２７を形成する必要があ
る。With this configuration, the same effect as in the above embodiment can be obtained. However, the alignment film 26 is the second substrate 20
Since it is formed so as to cover the pixel electrode 23 above,
When the alignment film 26 is used as the second insulating layer 253,
The connection terminal 27 cannot be formed with the same layer as the pixel electrode 23. Therefore, when such a configuration is adopted, a step separate from the formation of the pixel electrode 23 is used.
It is necessary to form the connection terminal 27 made of a conductive material.
【００４９】［第２の態様］ 第２基板２０上に形成さ
れた画素電極２３と第１基板１０上に形成された対向電
極１１とが、液晶４０中に混入した導電性の不純物など
に起因して短絡してしまうのを回避するため、画素電極
２３などが形成された第２基板２０の面上を絶縁性の層
（以下、「短絡防止層」と表記する。）によって覆うと
ともに、当該短絡防止層の面上に配向膜２６を形成する
構成も考えられる。かかる短絡防止層は、例えば、アン
チモン（Ｓｂ）やチタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、シリ
コン（Ｓｉ）などの酸化物によって形成することができ
る。この構成を採った場合、この短絡防止層を表示領域
のみならず縁辺領域２０１にも至るように形成するとと
もに、当該短絡防止層のうち縁辺領域２０１上の部分を
保護層の少なくとも一部として兼用してもよい。すなわ
ち、短絡防止層と上述した第２絶縁層２５３（さらには
配向膜２６を含めてもよい）とを縁辺領域２０１に至る
ように形成することにより、第２基板２０上に蓄積され
たこれらの複数の層を保護層として用いてもよいし、縁
辺領域２０１を短絡防止層のみによって覆う構成とし、
当該短絡防止層の単一層を保護層として用いてもよい。
本態様によっても、上記実施形態と同様の効果が得られ
る。ただし、この場合にも、上記第１の態様と同様に、
画素電極２３とは別個の工程によって接続端子２７を形
成する必要がある。[Second Aspect] The pixel electrode 23 formed on the second substrate 20 and the counter electrode 11 formed on the first substrate 10 are caused by conductive impurities mixed in the liquid crystal 40. In order to avoid short circuit, the surface of the second substrate 20 on which the pixel electrodes 23 and the like are formed is covered with an insulating layer (hereinafter, referred to as a “short-circuit prevention layer”), and A configuration in which the alignment film 26 is formed on the surface of the short-circuit prevention layer is also conceivable. Such a short-circuit prevention layer can be formed, for example, of an oxide such as antimony (Sb), titanium (Ti), zinc (Zn), or silicon (Si). When this configuration is adopted, this short-circuit prevention layer is formed so as to reach not only the display region but also the peripheral region 201, and a portion of the short-circuit prevention layer on the peripheral region 201 is also used as at least a part of the protective layer. May be. In other words, by forming the short-circuit prevention layer and the above-described second insulating layer 253 (furthermore, the orientation film 26 may be included) so as to reach the peripheral region 201, these are stored on the second substrate 20. A plurality of layers may be used as a protective layer, or the edge region 201 may be covered with only a short-circuit prevention layer,
A single layer of the short-circuit prevention layer may be used as a protective layer.
According to this aspect, the same effect as in the above embodiment can be obtained. However, also in this case, as in the first embodiment,
It is necessary to form the connection terminal 27 by a process separate from the pixel electrode 23.
【００５０】以上保護層の構成を例示したが、これら以
外にも第２基板２０上に形成される他の種々の絶縁層
を、本発明における保護層の少なくとも一部として兼用
することができる。このように、第２基板２０のうち表
示領域内に形成されるべきいずれかの層を縁辺領域２０
１にも至るように形成することにより保護層として兼用
した場合には、当該保護層を表示領域の構成要素とは別
個に形成する必要がないから、構成が簡素化され、当該
保護層を形成するための製造工程の簡素化が図られる。
ただし、本発明においては、第２基板２０の表示領域に
形成されるべき層を保護層の一部または全部として兼用
する必要は必ずしもない。すなわち、表示領域内の構成
要素とは別個に縁辺領域２０１上の配線を覆う保護層を
形成してもよいのである。このように、本発明における
「保護層」は、第２基板２０の表示領域内に形成された
いずれかの層と同一の層を含むか否かに拘わらず、縁辺
領域２０１内において配線を覆う層を意味する。Although the structure of the protective layer has been exemplified above, other various insulating layers formed on the second substrate 20 can be used as at least a part of the protective layer in the present invention. As described above, any layer of the second substrate 20 to be formed in the display area is replaced with the edge area 20.
In the case where the protective layer also serves as a protective layer, it is not necessary to form the protective layer separately from the components of the display area, so that the configuration is simplified and the protective layer is formed. Simplification of the manufacturing process.
However, in the present invention, the layer to be formed in the display area of the second substrate 20 does not necessarily need to be used as part or all of the protective layer. That is, a protective layer that covers the wiring on the edge region 201 may be formed separately from the components in the display region. As described above, the “protective layer” in the present invention covers the wiring in the peripheral region 201 irrespective of whether or not it includes the same layer as any of the layers formed in the display region of the second substrate 20. Means layer.
【００５１】（２）上記実施形態においては、縁辺領域
２０１内に形成された接続端子２７がＩＣチップ（Ｙド
ライバＩＣ５１およびＸドライバＩＣ５２）の出力端子
に接続された構成を例示したが、このＩＣチップに代え
て、フレキシブル配線基板やＴＣＰ（テープキャリアパ
ッケージ）などを縁辺領域２０１域内に実装してもよ
い。図１１は、フレキシブル配線基板５３を縁辺領域２
０１に実装した場合の構成を示す断面図である。フレキ
シブル配線基板５３を実装する場合、可撓性を有するフ
ィルム基材５３１の一端を、異方性導電膜中の接着剤に
よって第２基板２０の縁辺領域２０１上に接合するとと
もに、駆動信号を生成する回路を有するプリント基板
（図示略）上に他端を接合する。そして、図１１に示す
ように、当該フィルム基材５３１の面上に形成された配
線のうち縁辺領域２０１側に位置する端子５３２を、異
方性導電膜中の導通粒子６０を介して、接続端子２７の
第２の部分２７２に接続するのである。また、可撓性を
有するフィルム基材上に、第２基板２０の接続端子２７
の第２の部分２７２に接続すべき端子を有する配線と、
駆動信号を生成して上記配線に出力するＩＣチップとが
設けられたＴＣＰについても、図１１に示したフレキシ
ブル配線基板５３と同様の態様によって縁辺領域２０１
内に接合することができる。(2) In the above embodiment, the configuration in which the connection terminals 27 formed in the peripheral region 201 are connected to the output terminals of the IC chips (Y driver IC 51 and X driver IC 52) has been described. Instead of a chip, a flexible wiring board or a TCP (tape carrier package) may be mounted in the peripheral region 201. FIG. 11 shows that the flexible wiring board 53 is
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration when the device is mounted on a device No. 01. When the flexible wiring board 53 is mounted, one end of the flexible film base material 531 is joined to the edge region 201 of the second substrate 20 by an adhesive in the anisotropic conductive film, and a drive signal is generated. The other end is joined on a printed circuit board (not shown) having a circuit to perform. Then, as shown in FIG. 11, the terminal 532 located on the side of the peripheral region 201 among the wirings formed on the surface of the film base material 531 is connected via the conductive particles 60 in the anisotropic conductive film. It is connected to the second portion 272 of the terminal 27. Further, the connection terminals 27 of the second substrate 20 are formed on a flexible film base material.
A wiring having terminals to be connected to the second portion 272 of
A TCP provided with an IC chip for generating a drive signal and outputting the signal to the wiring is also provided in the peripheral region 201 in the same manner as the flexible wiring substrate 53 shown in FIG.
Can be joined within.
【００５２】このように、本発明における「実装部品」
は、駆動信号を生成するためのＩＣチップに限られるも
のではなく、基板（第２基板２０）の縁辺領域２０１に
異方性導電膜を介して接続されるものであって、当該縁
辺領域２０１内に引き出された配線と接続されるべき端
子を有する各種の部品を含む概念である。As described above, the “mounting component” in the present invention
Is not limited to an IC chip for generating a drive signal, but is connected to an edge region 201 of a substrate (second substrate 20) via an anisotropic conductive film. This is a concept including various components having terminals to be connected to the wiring drawn in.
【００５３】（３）上記実施形態においては、三端子型
スイッチング素子としてＴＦＴ２４を用いたアクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置を例示したが、ＴＦＤ
（Thin Film Diode）に代表される二端子型スイッチン
グ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装
置や、スイッチング素子を持たないパッシブマトリクス
方式の液晶表示装置にも本発明を適用可能である。(3) In the above embodiment, the active matrix type liquid crystal display device using the TFT 24 as a three-terminal switching element has been described.
The present invention is also applicable to an active matrix type liquid crystal display device using a two-terminal switching element typified by (Thin Film Diode) or a passive matrix type liquid crystal display device having no switching element.
【００５４】また、上記実施形態においては、電気光学
物質として液晶４０を用いた液晶表示装置１に本発明を
適用した場合を例示したが、電気光学物質として有機Ｅ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）素子などを用い、その
電気光学効果によって表示を行なう各種の装置にも本発
明を適用可能である。すなわち、基板上に配線が形成さ
れ、かつ当該配線が実装部品の端子と導通粒子を介して
接続される構成を採る電気光学装置であれば、他の構成
要素の態様の如何を問わず本発明を適用可能である。な
お、電気光学物質として有機ＥＬ素子を用いた電気光学
装置のように、電気光学物質を保持するための基板とし
て１枚の基板のみを用いる構成を採った場合、Ｘドライ
バＩＣまたはＹドライバＩＣが配設される縁辺領域は、
当該パネルの縁辺を含む領域となる。すなわち、本発明
における「縁辺領域」は、基板のうち他の基板から張り
出した領域に限定されるものではなく、基板のうち当該
パネル基板の縁辺に沿った領域を意味する。Further, in the above embodiment, the case where the present invention is applied to the liquid crystal display device 1 using the liquid crystal 40 as the electro-optical material is exemplified.
The present invention is also applicable to various devices that use an L (electroluminescence) element or the like and perform display by the electro-optic effect. That is, the present invention is applicable to any electro-optical device having a configuration in which a wiring is formed on a substrate and the wiring is connected to a terminal of a mounted component via a conductive particle, regardless of the mode of other components. Is applicable. Note that when a configuration using only one substrate as a substrate for holding an electro-optical material is adopted, as in an electro-optical device using an organic EL element as the electro-optical material, the X driver IC or the Y driver IC is used. The edge area arranged is
This is an area including the edge of the panel. That is, the “edge area” in the present invention is not limited to an area of the substrate that protrudes from another substrate, but means an area of the substrate along the edge of the panel substrate.
【００５５】＜Ｄ：電子機器＞次に、本発明に係る電気
光学装置を用いた電子機器について説明する。 （１）モバイル型コンピュータ まず、本発明に係る電気光学装置を、可搬型のパーソナ
ルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部
に適用した例について説明する。図１２（ａ）は、この
パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同
図に示すように、パーソナルコンピュータ８１は、キー
ボード８１１を備えた本体部８１２と、本発明に係る電
気光学装置を適用した表示部８１３とを備えている。<D: Electronic Equipment> Next, electronic equipment using the electro-optical device according to the present invention will be described. (1) Mobile Computer First, an example in which the electro-optical device according to the present invention is applied to a display unit of a portable personal computer (a so-called notebook computer) will be described. FIG. 12A is a perspective view showing the configuration of the personal computer. As shown in the figure, the personal computer 81 includes a main body 812 having a keyboard 811 and a display 813 to which the electro-optical device according to the invention is applied.
【００５６】（２）携帯電話機 続いて、本発明に係る電気光学装置を、携帯電話機の表
示部に適用した例について説明する。図１２（ｂ）は、
この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示す
ように、携帯電話機８２は、複数の操作ボタン８２１の
ほか、受話口８２２、送話口８２３とともに、本発明に
係る電気光学装置を適用した表示部８２４を備える。(2) Mobile Phone Next, an example in which the electro-optical device according to the present invention is applied to a display unit of a mobile phone will be described. FIG. 12 (b)
FIG. 2 is a perspective view illustrating a configuration of the mobile phone. As shown in the figure, the mobile phone 82 includes a display unit 824 to which the electro-optical device according to the present invention is applied, in addition to a plurality of operation buttons 821, an earpiece 822 and a mouthpiece 823.
【００５７】なお、本発明に係る電気光学装置を適用可
能な電子機器としては、図１２（ａ）に示したパーソナ
ルコンピュータ８１や同図（ｂ）に示した携帯電話機８
２のほかにも、液晶テレビや、ビューファインダ型・モ
ニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーショ
ン装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッ
サ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デ
ィジタルスチルカメラ、あるいは本発明に係る電気光学
装置をライトバルブとして用いたプロジェクタなどが挙
げられる。上述したように、本発明に係る電気光学装置
によれば縁辺領域上の配線と実装部品の端子とが確実に
導通されるから、当該電気光学装置を搭載した電子機器
において、上記配線と端子との導通不良を抑えて高い信
頼性が実現される。The electronic apparatus to which the electro-optical device according to the present invention can be applied includes the personal computer 81 shown in FIG. 12A and the portable telephone 8 shown in FIG.
2. In addition to the above, LCD TVs, viewfinder / monitor direct-view video tape recorders, car navigation systems, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, digital still cameras, and books Examples include a projector using the electro-optical device according to the invention as a light valve. As described above, according to the electro-optical device according to the present invention, since the wiring on the peripheral region and the terminal of the mounted component are reliably conducted, in the electronic apparatus equipped with the electro-optical device, the wiring and the terminal And a high reliability is realized by suppressing the conduction failure.
【００５８】[0058]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上に形成された配線と当該基板上に実装される実装
部品の端子とが確実に導通される。As described above, according to the present invention,
Wiring formed on the substrate and terminals of mounted components mounted on the substrate are reliably conducted.
【図１】 本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成
を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１におけるＡ−Ａ’線視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line A-A 'in FIG.
【図３】 同液晶表示装置の第２基板のうち表示領域の
構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a configuration of a display area in a second substrate of the liquid crystal display device.
【図４】 同液晶表示装置の第２基板上に形成されたＴ
ＦＴ近傍の構成を示す断面図である。FIG. 4 shows T formed on a second substrate of the liquid crystal display device.
It is sectional drawing which shows the structure of FT vicinity.
【図５】 （ａ）は第２基板のうち縁辺領域上の構成を
示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’線
視断面図である。5A is a plan view showing a configuration on an edge region of the second substrate, and FIG. 5B is a sectional view taken along line BB ′ in FIG. 5A.
【図６】 同液晶表示装置の製造プロセスの一部を説明
するための図である。FIG. 6 is a view for explaining a part of the manufacturing process of the liquid crystal display device.
【図７】 同液晶表示装置の製造プロセスの一部を説明
するための図である。FIG. 7 is a view for explaining a part of the manufacturing process of the liquid crystal display device.
【図８】 同液晶表示装置のＩＣチップ（ＸドライバＩ
Ｃ）と第２基板とを接合する工程について説明するため
の図である。FIG. 8 shows an IC chip (X driver I) of the liquid crystal display device.
FIG. 4C is a diagram for explaining a step of joining the second substrate and C).
【図９】 同液晶表示装置の対比例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a comparative example of the liquid crystal display device.
【図１０】 同液晶表示装置の効果を説明するための図
である。FIG. 10 is a view for explaining an effect of the liquid crystal display device.
【図１１】 同実施形態の変形例に係る電気光学装置に
おける縁辺領域近傍の構成を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a configuration near an edge region in an electro-optical device according to a modification of the embodiment.
【図１２】 （ａ）は本発明に係る電気光学装置を適用
した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成
を示す斜視図であり、（ｂ）は本発明に係る電気光学装
置を適用した電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示
す斜視図である。12A is a perspective view illustrating a configuration of a personal computer as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device according to the invention is applied, and FIG. 12B is an electronic apparatus to which the electro-optical device according to the invention is applied; 1 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile phone as an example of FIG.
１……液晶表示装置（電気光学装置） １０……第１基板 １１……対向電極 １２……配向膜 ２０……第２基板（基板） ２０１……縁辺領域 ２１……走査線 ２２……データ線 ２３……画素電極 ２４……ＴＦＴ ２５１……下地層 ２５２……第１絶縁層 ２５３……第１絶縁層（絶縁層、保護層） ２５３ａ……窒化シリコン層 ２５３ｂ……樹脂層 ２５４……反射層 ２６……配向膜 ２７……接続端子 ２７１……第１の部分 ２７２……第２の部分 ２７ａ……コンタクトホール（開孔部） ３０……シール材 ４０……液晶（電気光学物質） ５１……ＹドライバＩＣ（実装部品） ５２……ＸドライバＩＣ（実装部品） ５２ａ，５３２……端子 ５３……フレキシブル配線基板（実装部品） ６０……導通粒子 ８１……パーソナルコンピュータ（電子機器） ８２……携帯電話機（電子機器） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal display device (electro-optical device) 10 ... 1st board | substrate 11 ... Counter electrode 12 ... Alignment film 20 ... 2nd board | substrate (substrate) 201 ... Edge area 21 ... Scanning line 22 ... Data Line 23 Pixel electrode 24 TFT 251 Underlayer 252 First insulating layer 253 First insulating layer (insulating layer, protective layer) 253a Silicon nitride layer 253b Resin layer 254 Reflective layer 26 Alignment film 27 Connection terminal 271 First part 272 Second part 27a Contact hole (opening part) 30 Sealing material 40 Liquid crystal (electro-optical material) 51: Y driver IC (mounting component) 52: X driver IC (mounting component) 52a, 532: Terminal 53: flexible wiring board (mounting component) 60: conductive particles 81: personal computer (electronics) 82) Mobile phone (electronic device)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５２０ Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５２０ ５Ｇ４３５ 1/1345 1/1345 Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ ３４９ ３４９Ｄ Ｆターム(参考） 2H088 EA02 EA12 EA23 EA27 HA02 HA03 HA04 HA05 HA06 HA21 MA20 2H090 HA03 HA06 HD05 HD17 JD13 LA01 LA04 2H091 FA16Y FD06 GA02 GA07 LA13 LA30 2H092 GA43 GA60 NA16 NA17 PA02 PA06 5C094 AA05 AA31 AA43 BA03 BA43 CA19 DA12 DA13 DB02 EC02 ED11 ED20 FB01 FB02 FB12 FB15 GB10 5G435 AA14 AA17 BB12 CC09 EE32 EE36 EE37 EE42 EE47 FF03 HH03 HH12 HH14 KK02 KK05──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02F 1/1335 520 G02F 1/1335 520 5G435 1/1345 1/1345 G09F 9/30 330 G09F 9/30 330 349 349D F-term (reference) 2H088 EA02 EA12 EA23 EA27 HA02 HA03 HA04 HA05 HA06 HA21 MA20 2H090 HA03 HA06 HD05 HD17 JD13 LA01 LA04 2H091 FA16Y FD06 GA02 GA07 LA13 LA30 2H092 GA43 GA60 NA16 BA03 A03 A03A17 DB02 EC02 ED11 ED20 FB01 FB02 FB12 FB15 GB10 5G435 AA14 AA17 BB12 CC09 EE32 EE36 EE37 EE42 EE47 FF03 HH03 HH12 HH14 KK02 KK05 KK05
Claims (10)
と、 前記配線を覆う保護層と、 前記保護層に設けられた開孔部を介して前記配線と接触
する第１の部分、および当該保護層の面上に位置する第
２の部分を有する接続端子と、 前記基板の縁辺領域内に実装された実装部品と、 前記接続端子のうち前記第２の部分と前記実装部品の端
子との間に挟まれて、前記接続端子と前記実装部品の端
子とを電気的に接続させる導通粒子とを具備することを
特徴とする電気光学装置。1. A substrate holding an electro-optical material, a wiring formed in an edge region along an edge of the substrate, a protection layer covering the wiring, and an opening provided in the protection layer. A connection terminal having a first portion that contacts the wiring through a second portion and a second portion located on the surface of the protective layer; a mounting component mounted in an edge region of the substrate; An electro-optical device comprising: conductive particles interposed between the second portion and the terminal of the mounted component, for electrically connecting the connection terminal and the terminal of the mounted component. .
度よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の電気光
学装置。2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the hardness of the conductive particles is lower than the hardness of the protective layer.
質と対向する領域および前記縁辺領域の双方にわたって
形成され、当該縁辺領域に形成された部分が前記保護層
の少なくとも一部を構成する絶縁層を具備することを特
徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。3. The protective layer is formed over both a region on the surface of the substrate facing the electro-optical material and the peripheral region, and a portion formed in the peripheral region constitutes at least a part of the protective layer. The electro-optical device according to claim 1, further comprising an insulating layer.
上に設けられる反射層の表面に散乱構造を形成するため
に、粗面化されていることを特徴とする請求項３に記載
の電気光学装置。4. The insulating layer includes a resin layer, and at least a part of the surface of the resin layer is roughened to form a scattering structure on a surface of a reflective layer provided on the surface of the resin layer. The electro-optical device according to claim 3, wherein:
晶の配向方向を規定する配向膜を含むことを特徴とする
請求項３または４に記載の電気光学装置。5. The electro-optical device according to claim 3, wherein the insulating layer includes an alignment film that defines an alignment direction of the liquid crystal as the electro-optical material.
と、前記電気光学物質を挟んで前記第１の電極に対向す
る第２の電極とを具備し、 前記絶縁層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間
に形成されて両電極間の短絡を防止する短絡防止層を含
むことを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載
の電気光学装置。6. A semiconductor device comprising: a first electrode formed on a surface of the substrate; and a second electrode opposed to the first electrode with the electro-optical material interposed therebetween. 6. The electro-optical device according to claim 3, further comprising a short-circuit prevention layer formed between the first electrode and the second electrode to prevent a short circuit between the two electrodes.
印加電圧を指示する駆動信号を生成するとともに、当該
駆動信号を前記端子を介して前記配線に与えるＩＣチッ
プであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか
に記載の電気光学装置。7. The mounting component is an IC chip that generates a drive signal for instructing a voltage to be applied to the electro-optical material and supplies the drive signal to the wiring via the terminal. The electro-optical device according to claim 1.
内に接合されたフィルム基材の面上に、前記電気光学物
質への印加電圧を指示する駆動信号を前記配線に供給す
るための基材上配線が形成されたフレキシブル基板であ
ることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載
の電気光学装置。8. The mounting component supplies a drive signal for instructing a voltage to be applied to the electro-optical material to the wiring on a surface of a film base member having an edge bonded to the edge region. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device is a flexible substrate on which the wiring on the base material is formed.
気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。9. An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1. Description:
基板の縁辺に沿った縁辺領域内に形成された配線と、当
該配線を覆う保護層と、前記保護層に設けられた開孔部
を介して前記配線と接触する第１の部分、および当該保
護層の面上に位置する第２の部分を有する接続端子とを
具備する電気光学装置の製造方法であって、 前記接続端子のうち第２の部分の面上に導通粒子を配置
する工程と、 前記基板の縁辺領域内に実装すべき実装部品を、当該実
装部品の端子と前記接続端子との間に導通粒子を介在さ
せた状態で前記基板側に押圧する工程とを有することを
特徴とする電気光学装置の製造方法。10. A substrate holding an electro-optical material, a wiring formed in an edge region along an edge of the substrate, a protection layer covering the wiring, and an opening provided in the protection layer. A method of manufacturing an electro-optical device, comprising: a first portion that comes into contact with the wiring via a connection portion; and a connection terminal having a second portion located on the surface of the protective layer. Disposing conductive particles on the surface of the second part, and mounting the mounting component to be mounted in the peripheral region of the substrate in a state where the conductive particles are interposed between the terminal of the mounting component and the connection terminal. Pressing the substrate toward the substrate.
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