JPH11212120A - Liquid crystal display device and production thereof - Google Patents
Liquid crystal display device and production thereofInfo
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- JPH11212120A JPH11212120A JP1629898A JP1629898A JPH11212120A JP H11212120 A JPH11212120 A JP H11212120A JP 1629898 A JP1629898 A JP 1629898A JP 1629898 A JP1629898 A JP 1629898A JP H11212120 A JPH11212120 A JP H11212120A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型の液晶表示装置およびその製造方法に関し、特に
液晶表示装置のゲートラインに信号の入力を行うパッド
部分の構造に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and more particularly to a structure of a pad portion for inputting a signal to a gate line of the liquid crystal display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータなどのＯ
Ａ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）機器のポー
タブル化が進み、表示装置の低コスト化が重要な課題と
なっている。この表示装置は、電気光学特性を有する表
示媒体を挟んで各々電極が形成された一対の基板が設け
られ、この電極間に電圧を印加することにより表示を行
うような構成となっている。2. Description of the Related Art In recent years, personal computers and other O
As A (Office Automation) devices have become more portable, cost reduction of display devices has become an important issue. This display device is provided with a pair of substrates each having electrodes formed on both sides of a display medium having electro-optical characteristics, and performs a display by applying a voltage between the electrodes.
【０００３】このような表示媒体としては、液晶、エレ
クトロルミネッセンス、プラズマ、エレクトロクロミッ
クなどが一般に使用されており、特に液晶を用いた液晶
表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄ
ｉｓｐｌａｙ）は、低消費電力での表示が可能であるた
めに最も実用化が進んでいる。As such a display medium, liquid crystal, electroluminescence, plasma, electrochromic, and the like are generally used. In particular, a liquid crystal display device using a liquid crystal (LCD: Liquid Crystal D) is used.
display) has been most practically used because display with low power consumption is possible.
【０００４】このような液晶表示装置の表示モードおよ
び駆動方法について、超捩れネマティック（ＳＴＮ：Ｓ
ｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）をはじめ
とする単純マトリクス方式は、最も低コスト化を実現で
きる部類に属するが、今後、情報のマルチメディア化が
進むにつれて、ディスプレイの高解像度化や高コントラ
スト化、マルチカラーやフルカラーなどの多階調化、広
視野角化などが要求されてきているので、単純マトリク
ス方式では対応が困難な状況になると考えられる。[0004] Regarding the display mode and the driving method of such a liquid crystal display device, super twisted nematic (STN: S
Simple matrix systems, such as upper twisted nematics, belong to the class that can achieve the lowest cost. However, as information becomes more multimedia, the resolution and contrast of displays, multi-color and full-color displays will increase. However, it is considered that a situation where it is difficult to cope with the simple matrix method is demanded to increase the number of gradations and wide the viewing angle.
【０００５】そこで、個々の画素にスイッチング素子
（アクティブ素子）を設けて駆動可能な走査電極の本数
を増加させたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置
が提案されており、この方式により、ディスプレイの高
解像度化、高コントラスト化、多階調化、広視野角化な
どが達成されつつある。このアクティブマトリクス方式
の液晶表示装置においては、マトリクス状に設けられた
画素電極と、該画素電極の近傍を通る走査線とが、アク
ティブ素子を介して電気的に接続された構成となってい
る。Therefore, an active matrix type liquid crystal display device in which switching elements (active elements) are provided in individual pixels to increase the number of scan electrodes that can be driven has been proposed. , High contrast, multiple gradations, wide viewing angle, and the like are being achieved. This active matrix liquid crystal display device has a configuration in which pixel electrodes provided in a matrix and scanning lines passing in the vicinity of the pixel electrodes are electrically connected via active elements.
【０００６】このようなアクティブ素子としては、２端
子の非線形素子（ＭＩＭ：Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒ Ｍｅｔａｌ）、あるいは３端子の非線形素子があ
り、現在最も多く採用されているアクティブ素子として
は、３端子の非線形素子である薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が挙
げられる。As such an active element, a two-terminal non-linear element (MIM: Metal Insulator) is used.
or Metal) or a three-terminal non-linear element, and the most frequently used active element at present is a thin-film transistor (TF) which is a three-terminal non-linear element.
T: Thin Film Transistor).
【０００７】上述したようなアクティブマトリクス型液
晶表示装置の液晶駆動用スイッチング素子として用いら
れる薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）の開発
は、現在活発に行われている。これまで、ＴＦＴのゲー
ト電極材料に陽極酸化を行うことにより、絶縁性が良好
で、かつ信頼性および耐圧が高く、また半導体との界面
準位密度が小さく、さらに半導体に対する電界効果が大
きいなどの特徴を有する極めて特性の良好なＴＦＴが作
成されることが知られている。The development of a thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT) used as a switching element for driving a liquid crystal of an active matrix type liquid crystal display device as described above is being actively conducted. Until now, anodizing has been performed on the gate electrode material of a TFT to obtain good insulation, high reliability and high withstand voltage, a low interface state density with a semiconductor, and a large electric field effect on the semiconductor. It is known that a TFT having characteristics and extremely good characteristics is produced.
【０００８】このようなＴＦＴを用いた液晶表示装置の
形成プロセスについて、図４および図５を用いて説明す
る。図４は、ガラス基板上の表示部およびパッド領域を
示した平面図であり、 図５（ａ）〜（ｄ）は、従来の
液晶表示装置の製造工程を示したＴＦＴ部とゲート配線
部とパッド領域との断面図である。A process for forming a liquid crystal display device using such a TFT will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a plan view showing a display portion and a pad region on a glass substrate. FIGS. 5A to 5D show a TFT portion and a gate wiring portion showing a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device. It is sectional drawing with a pad area.
【０００９】図４に示すように、一般的な液晶表示装置
は、ガラス基板５００上に表示部およびパッド領域を形
成してなり、このパッド領域には複数のゲートパッド５
０８およびソースパッド５１５が形成されている。この
うち、ゲートパッド５０８からはゲートバスライン５０
２が伸びて形成されており、ソースパッド５１５からは
ソースバスライン５１６が伸びて形成されている。ま
た、このゲートバスライン５０２とソースバスライン５
１６との交点付近にはＴＦＴ５１７が形成されており、
このＴＦＴ５１７に対応して図示していない画素電極が
マトリクス状に形成されている。As shown in FIG. 4, a general liquid crystal display device has a display portion and a pad region formed on a glass substrate 500, and a plurality of gate pads 5 are formed in the pad region.
08 and a source pad 515 are formed. Of these, the gate pad 508 leads to the gate bus line 50
2, a source bus line 516 extends from the source pad 515. The gate bus line 502 and the source bus line 5
A TFT 517 is formed in the vicinity of the intersection with 16 and
Pixel electrodes (not shown) corresponding to the TFTs 517 are formed in a matrix.
【００１０】このような液晶表示装置の製造方法は、ま
ず、図５（ａ）に示すように、ガラス基板５００上にＡ
ｌなどの陽極酸化が可能な材料を用いて、ゲート電極５
０１、ゲートバスライン５０２およびゲートパッド本体
５０８をパターニングし形成する。ここで用いたＡｌ
は、低抵抗であり、配線として用いるのに適した材料で
ある。In the method of manufacturing such a liquid crystal display device, first, as shown in FIG.
The gate electrode 5 is made of a material such as
01, a gate bus line 502 and a gate pad body 508 are formed by patterning. Al used here
Is a material having low resistance and suitable for use as a wiring.
【００１１】次に、ゲートパッド本体５０８をレジスト
パターンにより覆い、ゲートパッド５０８以外の領域で
あるゲート電極５０１およびゲートバスライン５０２に
陽極酸化を行い、ゲート電極５０１およびゲートバスラ
イン５０２上に陽極酸化膜５０３を形成する。このと
き、ゲートパッド本体５０８上には陽極酸化膜５０３は
形成されていない。Next, the gate pad main body 508 is covered with a resist pattern, and the gate electrode 501 and the gate bus line 502 other than the gate pad 508 are anodized. A film 503 is formed. At this time, the anodic oxide film 503 is not formed on the gate pad body 508.
【００１２】続いて、ゲート絶縁膜５０４となる絶縁膜
をＳｉＮXを用いてガラス基板５００全面に形成する。Subsequently, an insulating film to be a gate insulating film 504 is formed on the entire surface of the glass substrate 500 using SiN x .
【００１３】次に、図５（ｂ）に示すように、パッド領
域に位置するゲート絶縁膜５０４のエッチングを行い、
ゲートパッド本体５０８上に開口部５０５を形成する。
そして、ＴＦＴ部には、ｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉなどを用い
て、活性層５２０となる半導体材料をパターニングして
形成し、その後、Ａｌ、Ｃｒなどの金属材料を用いて、
ソースバスライン５１６、ソース電極５０６、ドレイン
電極５０７をそれぞれ形成する。なお、このとき、図５
には示していないが、ソースパッド領域にもソースパッ
ド５１５の形成を同時に行う。また、このようなＴＦＴ
基板の完成後には、ゲートパッド本体５０８上に設けら
れた開口部５０５より、異方導電性シートを間に介在さ
せて、外部からの信号入力手段であるフレキシブル基板
とゲートパッド本体５０８との接続が行われる。Next, as shown in FIG. 5B, the gate insulating film 504 located in the pad region is etched.
An opening 505 is formed on the gate pad body 508.
The TFT portion is formed by patterning a semiconductor material to be the active layer 520 using p-Si, a-Si, or the like, and then using a metal material such as Al or Cr.
A source bus line 516, a source electrode 506, and a drain electrode 507 are formed. At this time, FIG.
Although not shown, the source pad 515 is simultaneously formed in the source pad region. Also, such TFT
After the completion of the substrate, the connection between the flexible substrate serving as an external signal input means and the gate pad main body 508 through an opening 505 provided on the gate pad main body 508 with an anisotropic conductive sheet interposed therebetween. Is performed.
【００１４】その後、図５（ｃ）に示すように、上述し
たドレイン電極５０７に接続して画素電極５１４がＩＴ
Ｏなどの透明導電膜を用いて形成されるが、このとき、
外部からの信号入力手段であるフレキシブル基板とゲー
トパッド本体５０８との接続を安定化させるために、こ
のゲートパッド本体５０８上にも透明導電膜によるゲー
トパッド保護膜５０９を形成してもよい。特に、ゲート
電極５０１、ゲートバスライン５０２およびゲートパッ
ド本体５０８がＡｌにより形成されている場合には、Ａ
ｌは堅い材料ではないのでパッド材料には適しておら
ず、したがって、上述したような透明導電膜によるゲー
トパッド保護膜５０９を形成することが好ましい。Thereafter, as shown in FIG. 5C, the pixel electrode 514 is connected to the drain electrode
It is formed using a transparent conductive film such as O. At this time,
A gate pad protective film 509 made of a transparent conductive film may be formed on the gate pad body 508 in order to stabilize the connection between the flexible substrate, which is an external signal input unit, and the gate pad body 508. In particular, when the gate electrode 501, the gate bus line 502, and the gate pad body 508 are formed of Al,
Since l is not a rigid material, it is not suitable as a pad material. Therefore, it is preferable to form the gate pad protective film 509 using the transparent conductive film as described above.
【００１５】このようにして形成されたＴＦＴ基板で
は、ゲートパッド５１０はゲートパッド本体５０８とゲ
ートパッド保護膜５０９とにより構成される。In the TFT substrate thus formed, the gate pad 510 is composed of the gate pad main body 508 and the gate pad protective film 509.
【００１６】また、図５（ｄ）に示すように、ソース電
極５０６およびドレイン電極５０７上を含む基板５００
上全面に、例えば有機材料により２μｍ以上の膜厚を有
する層間絶縁膜５１１を形成し、この層間絶縁膜５１１
に開口部５１２を設けて、この開口部５１２上に画素電
極５１４を形成するようにしてもよい。この場合には、
ゲートパッド本体５０８上の層間絶縁膜５１１を除去し
て開口部５１３を設けることにより、外部からの信号入
力手段であるフレキシブル基板との接続部を露出させ、
この露出したゲートパッド本体５０８上を含む開口部５
１３に保護膜５０９を形成するようになる。Further, as shown in FIG. 5D, a substrate 500 including on the source electrode 506 and the drain electrode 507 is formed.
An interlayer insulating film 511 having a thickness of 2 μm or more is formed of, for example, an organic material on the entire upper surface.
An opening 512 may be provided in the pixel, and the pixel electrode 514 may be formed on the opening 512. In this case,
By removing the interlayer insulating film 511 on the gate pad main body 508 and providing the opening 513, a connection portion with a flexible substrate which is a signal input means from the outside is exposed,
Opening 5 including the exposed gate pad body 508
13, a protective film 509 is formed.
【００１７】このような構造は、ピクセル・オン・パッ
シ構造と呼ばれており、画素電極５１４をソースバスラ
イン５１６上にオーバーラップして形成することができ
るので、液晶表示装置の開口率を大幅に向上させること
ができ、明るい表示を実現することが可能になる。Such a structure is called a pixel-on-passive structure. Since the pixel electrode 514 can be formed so as to overlap the source bus line 516, the aperture ratio of the liquid crystal display device is greatly increased. And a bright display can be realized.
【００１８】[0018]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような構造のゲートパッドは、絶縁膜上に形成した開
口部などの段差により、外部からの信号入力手段である
フレキシブル基板との接続の際に接続不良が発生してし
まうという問題を有していた。However, the gate pad having the above-mentioned structure is not connected to the flexible substrate as signal input means from the outside due to a step such as an opening formed on the insulating film. There is a problem that a connection failure occurs.
【００１９】また、画素電極をＩＴＯなどの透明導電膜
により形成した場合には、この透明導電膜のエッチング
の際に、エッチャントによりゲートパッドがダメージを
受けてしまうという問題も有していた。Further, when the pixel electrode is formed of a transparent conductive film such as ITO, there is a problem that the gate pad is damaged by an etchant when the transparent conductive film is etched.
【００２０】これは、ゲートパッド上部に透明導電膜に
よるパッド保護部を形成した場合であっても、ゲートパ
ッド部に設けた開口部の段差からのエッチャントの染み
込みにより、ゲートパッド本体がダメージを受けてしま
い、ゲートパッド部に入力された信号をゲートバスライ
ンに伝達することができなくなるという問題も発生して
しまう。This is because, even when a pad protection portion made of a transparent conductive film is formed on the gate pad, the gate pad body is damaged by the penetration of the etchant from the step of the opening provided in the gate pad portion. This causes a problem that a signal input to the gate pad cannot be transmitted to the gate bus line.
【００２１】本発明は、上述したような従来の問題点に
鑑みなされたものであって、基板上に形成されたゲート
パッド部と外部からの信号入力手段であるフレキシブル
基板との接続が良好な液晶表示装置およびその製造方法
を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and has a good connection between a gate pad formed on a substrate and a flexible substrate as a signal input means from the outside. It is an object to provide a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same.
【００２２】[0022]
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１に記載の液晶表示装置は、少
なくとも基板上に、複数のゲートバスラインと、複数の
ソースバスラインと、該ゲートバスラインとソースバス
ラインとの交差部近傍に形成されたスイッチング素子
と、該スイッチング素子に接続された画素電極とを有す
る液晶表示装置において、前記ゲートバスラインの端部
には、該ゲートバスラインに外部からの信号を供給する
ための信号入力手段が接続されるゲートパッド部が設け
られているとともに、該ゲートパッド部は、該信号入力
手段との接続面が平坦に形成されていることを特徴とし
ている。In order to achieve the above-mentioned object, a liquid crystal display device according to a first aspect of the present invention comprises a plurality of gate bus lines and a plurality of source bus lines on at least a substrate. A switching element formed in the vicinity of the intersection of the gate bus line and the source bus line, and a pixel electrode connected to the switching element. A gate pad portion to which signal input means for supplying an external signal to the gate bus line is provided, and the gate pad portion has a flat connection surface with the signal input means. It is characterized by having.
【００２３】なお、このとき、前記ゲートパッド部の一
部は、前記画素電極と同材料により形成されていること
が好ましい。At this time, it is preferable that a part of the gate pad is formed of the same material as the pixel electrode.
【００２４】また、このとき、前記ゲートパッド部にお
ける前記信号入力手段との接続面は、前記基板上に形成
された有機材料からなる平坦面上に形成されていること
が好ましい。At this time, it is preferable that a connection surface of the gate pad portion with the signal input means is formed on a flat surface made of an organic material formed on the substrate.
【００２５】また、このとき、前記スイッチング素子
は、ソース電極およびドレイン電極を有してなり、前記
ゲートパッド部は、該ソース電極と同材料により形成さ
れたゲートパッド本体部と、前記画素電極と同材料によ
り形成されたゲートパッド保護部とからなることが好ま
しい。At this time, the switching element has a source electrode and a drain electrode, and the gate pad section has a gate pad body formed of the same material as the source electrode, It is preferable to include a gate pad protection portion formed of the same material.
【００２６】また、このとき、前記ゲートパッド本体部
はＡｌからなり、前記ゲートパッド保護部はＩＴＯから
なることが好ましい。In this case, it is preferable that the gate pad body is made of Al, and the gate pad protection is made of ITO.
【００２７】さらに、このとき、前記ゲートパッド本体
部と前記ゲートパッド本体部との間には、バリアメタル
が介在されていることが好ましい。At this time, it is preferable that a barrier metal is interposed between the gate pad main body and the gate pad main body.
【００２８】上述した目的を達成するために、本発明の
請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法は、少なくと
も基板上に、複数のゲートバスラインと、複数のソース
バスラインと、該ゲートバスラインとソースバスライン
との交差部近傍に形成されたスイッチング素子と、該ス
イッチング素子に接続された画素電極とを有する液晶表
示装置の製造方法において、前記基板上に、ゲート電極
およびゲートバスラインを形成する工程と、前記ゲート
電極およびゲートバスラインに陽極酸化を行い、該ゲー
ト電極およびゲートバスライン上に陽極酸化膜を形成す
る工程と、前記ゲート電極およびゲートバスラインを含
む前記基板上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記
ゲートバスラインの端部上に形成された前記ゲート絶縁
膜に開口部を形成する工程と、前記ゲート電極上にソー
ス電極およびドレイン電極を形成するとともに、該ソー
ス電極と同材料により、前記ゲートバスラインの端部上
に形成した開口部を覆ってゲートパッド本体を形成する
工程と、を含むことを特徴としている。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising the steps of: providing at least a plurality of gate bus lines, a plurality of source bus lines, In a method of manufacturing a liquid crystal display device having a switching element formed near an intersection between a bus line and a source bus line, and a pixel electrode connected to the switching element, a gate electrode and a gate bus line are formed on the substrate. Forming an anodized film on the gate electrode and the gate bus line to form an anodized film on the gate electrode and the gate bus line; and forming an anodized film on the gate electrode and the gate bus line. Forming a gate insulating film, and forming an opening in the gate insulating film formed on an end of the gate bus line Forming a source electrode and a drain electrode on the gate electrode, and forming a gate pad body by using the same material as the source electrode to cover an opening formed on an end of the gate bus line. And is characterized by including.
【００２９】なお、このとき、前記ソース電極、ドレイ
ン電極、ゲートパッド本体上を含む基板上に、層間絶縁
膜を形成する工程と、前記ドレイン電極上および前記ゲ
ートバスラインの端部上に形成された前記層間絶縁膜に
開口部を形成する工程と、前記ドレイン電極上に形成し
た開口部を覆って、前記画素電極を前記層間絶縁膜上に
形成するとともに、該画素電極と同材料により、前記ゲ
ートバスラインの端部上に形成した開口部を覆って、ゲ
ートパッド保護膜を該層間絶縁膜上に形成する工程と、
を含んでもよい。At this time, a step of forming an interlayer insulating film on the substrate including the source electrode, the drain electrode, and the gate pad main body, and forming an interlayer insulating film on the drain electrode and the end of the gate bus line. Forming an opening in the interlayer insulating film, and forming the pixel electrode on the interlayer insulating film, covering the opening formed on the drain electrode, and using the same material as the pixel electrode, Forming a gate pad protective film on the interlayer insulating film, covering the opening formed on the end of the gate bus line;
May be included.
【００３０】本発明の液晶表示装置によれば、ゲートパ
ッド部における信号入力手段との接続面を平坦に形成し
ていることにより、液晶表示装置のゲートパッド部と外
部からの信号入力手段であるフレキシブル基板との接続
時における接続不良を容易に防止することが可能となっ
ている。According to the liquid crystal display device of the present invention, the connection surface between the gate pad portion and the signal input means is formed flat, so that the gate pad portion of the liquid crystal display device can be used as a signal input means from the outside. It is possible to easily prevent poor connection at the time of connection with the flexible substrate.
【００３１】また、ゲートパッド部における信号入力手
段との接続面を、基板上に形成された有機材料からなる
平坦面上に形成していることにより、容易に信号入力手
段との接続面が平坦なゲートパッド部を形成することが
可能となっている。Further, since the connection surface of the gate pad portion with the signal input means is formed on a flat surface made of an organic material formed on the substrate, the connection surface with the signal input means is easily flat. Gate pads can be formed.
【００３２】また、ゲートパッド部を、ソース電極と同
材料により形成されたゲートパッド本体部と、画素電極
と同材料により形成されたゲートパッド保護部とから構
成していることにより、製造工程を増やすことなく、信
頼性の高いゲートパッド部を有する液晶表示装置を実現
することが可能となっている。Further, the gate pad portion is composed of a gate pad body portion formed of the same material as the source electrode, and a gate pad protection portion formed of the same material as the pixel electrode. Without increasing, it is possible to realize a liquid crystal display device having a highly reliable gate pad portion.
【００３３】さらに、Ａｌからなるゲートパッド本体部
とＩＴＯからなるパッド保護部との間にバリアメタルと
して、ＴＩＷ、Ｍｏ、ＴｉＮなどの金属を配置すること
が好ましく、このときのバリアメタルをパッド領域にま
で延在して形成することにより、パッド領域をパッド保
護部とバリアメタルとの２層構造とすることができるの
で、ゲートパッドの信頼性をさらに向上させることが可
能となっている。Further, a metal such as TIW, Mo, or TiN is preferably disposed as a barrier metal between the gate pad body portion made of Al and the pad protection portion made of ITO. , The pad region can have a two-layer structure of a pad protection portion and a barrier metal, so that the reliability of the gate pad can be further improved.
【００３４】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、基板上に、ゲート電極およびゲートバスラインを形
成する工程と、ゲート電極およびゲートバスラインに陽
極酸化を行い、ゲート電極およびゲートバスライン上に
陽極酸化膜を形成する工程と、ゲート電極およびゲート
バスラインを含む基板上に、ゲート絶縁膜を形成する工
程と、ゲートバスラインの端部上に形成されたゲート絶
縁膜に開口部を形成する工程と、ゲート電極上にソース
電極およびドレイン電極を形成するとともに、ソース電
極と同材料により、ゲートバスラインの端部上に形成し
た開口部を覆ってゲートパッド本体を形成する工程と、
を含んでいることにより、陽極酸化時にゲートパッド部
を陽極酸化防止用レジストで覆う必要がなくなり、ま
た、容易に接続面が平坦なゲートパッド部を形成するこ
とができるため、信頼性の高い液晶表示装置を実現する
ことが可能となっている。According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a step of forming a gate electrode and a gate bus line on a substrate and anodizing the gate electrode and the gate bus line are performed. Forming an anodic oxide film thereon, forming a gate insulating film on a substrate including a gate electrode and a gate bus line, and forming an opening in the gate insulating film formed on an end of the gate bus line. Forming a source electrode and a drain electrode on the gate electrode, and forming a gate pad body by covering the opening formed on the end of the gate bus line with the same material as the source electrode;
, It is not necessary to cover the gate pad portion with an anodic oxidation preventing resist at the time of anodic oxidation, and it is possible to easily form a gate pad portion having a flat connection surface, thereby providing a highly reliable liquid crystal. It is possible to realize a display device.
【００３５】また、ソース電極、ドレイン電極、ゲート
パッド本体上を含む基板上に、層間絶縁膜を形成する工
程と、ドレイン電極上およびゲートバスラインの端部上
に形成された層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、ド
レイン電極上に形成した開口部を覆って、画素電極を層
間絶縁膜上に形成するとともに、画素電極と同材料によ
り、ゲートバスラインの端部上に形成した開口部を覆っ
て、ゲートパッド保護膜を該層間絶縁膜上に形成する工
程と、を含んでいることにより、容易に接続面が平坦な
ゲートパッド部を形成することができ、信頼性が高く、
高開口率な液晶表示装置を実現することが可能となって
いる。A step of forming an interlayer insulating film on the substrate including the source electrode, the drain electrode, and the gate pad body; and forming an opening in the interlayer insulating film formed on the drain electrode and on the end of the gate bus line. Forming a pixel electrode on the interlayer insulating film, covering the opening formed on the drain electrode, and forming the pixel electrode on the end of the gate bus line using the same material as the pixel electrode. And forming a gate pad protective film on the interlayer insulating film, whereby a gate pad portion having a flat connection surface can be easily formed, and the reliability is high.
It is possible to realize a liquid crystal display device having a high aperture ratio.
【００３６】[0036]
【発明の実施の形態】以下、図１乃至図３を用いて、本
発明の実施の形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００３７】（実施の形態１）図１（ａ）〜（ｃ）は、
本実施の形態１における液晶表示装置の製造工程を示し
たＴＦＴ領域とゲート配線部とパッド領域との断面図で
ある。なお、本実施の形態１における液晶表示装置の基
板上のレイアウトは、図４に示した従来の平面図と同様
である。(Embodiment 1) FIGS. 1 (a) to 1 (c)
FIG. 4 is a cross-sectional view of a TFT region, a gate wiring portion, and a pad region illustrating a manufacturing process of the liquid crystal display device in Embodiment 1. The layout on the substrate of the liquid crystal display device according to the first embodiment is the same as the conventional plan view shown in FIG.
【００３８】本実施の形態１における液晶表示装置は、
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基板１００上の
ＴＦＴ領域およびゲート配線部に、Ａｌ、Ｔａなどの陽
極酸化が可能な材料を用いて、ゲート電極１０１および
ゲートバスライン１０２をパターニングし、３００ｎｍ
の膜厚に形成した。The liquid crystal display device according to the first embodiment is
First, as shown in FIG. 1A, a gate electrode 101 and a gate bus line 102 are patterned in a TFT region and a gate wiring portion on a glass substrate 100 using a material such as Al or Ta that can be anodized. And 300nm
Was formed.
【００３９】そして、このゲート電極１０１およびゲー
トバスライン１０２に陽極酸化を行い、ゲート電極１０
１およびゲートバスライン１０２の上面部および側面部
に１０ｎｍの陽極酸化膜１０３を形成した。Then, the gate electrode 101 and the gate bus line 102 are anodized to form the gate electrode 10.
An anodic oxide film 103 having a thickness of 10 nm was formed on the upper surface and side surfaces of the gate bus line 102 and the gate bus line 102.
【００４０】その後、ゲート絶縁膜１０４となる絶縁膜
をＳｉＮXを用いてガラス基板１００上全面に３００ｎ
ｍの厚さで形成した。[0040] Thereafter, 300n an insulating film serving as a gate insulating film 104 on a glass substrate 100 on the entire surface by using a SiN X
m.
【００４１】次に、図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ領
域には、ｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉなどを用いて、活性層１２
０となる半導体材料をパターニングし、５０ｎｍから３
００ｎｍの厚さに形成した。Next, as shown in FIG. 1B, the active layer 12 is formed in the TFT region by using p-Si, a-Si or the like.
The semiconductor material to be 0 is patterned, and 50 nm to 3
It was formed to a thickness of 00 nm.
【００４２】続いて、ゲート配線部の端部におけるゲー
トバスライン１０２上に、ドライエッチング法を用いて
開口部１０５を形成した後、Ａｌ、Ｃｒなどの金属材料
を用いて、ＴＦＴのソース電極１０６とドレイン電極１
０７とをそれぞれ形成した。このとき同時に、ゲート配
線部の端部におけるゲートバスライン１０２上に形成し
た開口部１０５を覆って、上述したソース電極１０６お
よびドレイン電極１０７と同材料の金属により、３００
ｎｍの厚さでゲートパッド本体１０８を形成した。Subsequently, an opening 105 is formed on the gate bus line 102 at the end of the gate wiring portion by dry etching, and then a source electrode 106 of the TFT is formed using a metal material such as Al or Cr. And drain electrode 1
07 respectively. At this time, at the same time, the opening 105 formed on the gate bus line 102 at the end of the gate wiring portion is covered with a metal of the same material as that of the source electrode 106 and the drain electrode 107 described above.
The gate pad body 108 was formed with a thickness of nm.
【００４３】なお、このとき、図示していないが、ソー
スバスラインおよびソースバスライン端部にも、同時に
ソースパッドを形成した。At this time, although not shown, a source pad was simultaneously formed on the source bus line and the end of the source bus line.
【００４４】本実施の形態１においては、上述したよう
に、エッチングによりゲート配線部の端部におけるゲー
トバスライン１０２上に開口部１０５を形成しており、
これによりゲートバスライン１０２とゲートパッド本体
１０８との接続を行っているので、パッド領域に陽極酸
化防止用のレジストを設ける必要がなく、製造工程を短
縮することができるとともに、このレジスト形成に伴う
基板汚染による製造歩留まりの低下も防止することが可
能となる。In the first embodiment, as described above, the opening 105 is formed on the gate bus line 102 at the end of the gate wiring portion by etching.
Since the gate bus line 102 and the gate pad main body 108 are thus connected, it is not necessary to provide a resist for preventing anodic oxidation in the pad region, so that the manufacturing process can be shortened and the formation of the resist can be reduced. It is also possible to prevent a decrease in manufacturing yield due to substrate contamination.
【００４５】その後、図１（ｃ）に示すように、上述し
たドレイン電極１０７に接続して画素電極１１４がＩＴ
Ｏなどの透明導電膜を用いて形成されるが、このとき、
外部からの信号入力手段であるフレキシブル基板とゲー
トパッド本体１０８との接続を安定化させるために、こ
のゲートパッド本体１０８上にも透明導電膜によるゲー
トパッド保護膜１０９を形成してもよい。特に、ゲート
電極１０１、ゲートバスライン１０２およびゲートパッ
ド本体１０８がＡｌにより形成されている場合には、Ａ
ｌは堅い材料ではないのでパッド材料には適しておら
ず、したがって、上述したような透明導電膜によるゲー
トパッド保護膜１０９を形成することが好ましい。Thereafter, as shown in FIG. 1C, the pixel electrode 114 is connected to the drain electrode 107 and the
It is formed using a transparent conductive film such as O. At this time,
In order to stabilize the connection between the flexible substrate, which is a signal input means from the outside, and the gate pad main body 108, a gate pad protective film 109 made of a transparent conductive film may also be formed on the gate pad main body 108. In particular, when the gate electrode 101, the gate bus line 102, and the gate pad body 108 are formed of Al,
Since l is not a rigid material, it is not suitable as a pad material. Therefore, it is preferable to form the gate pad protective film 109 made of a transparent conductive film as described above.
【００４６】このようにして形成されたＴＦＴ基板で
は、ゲートパッド１１０はゲートパッド本体１０８とゲ
ートパッド保護膜１０９とにより構成される。In the TFT substrate thus formed, the gate pad 110 is constituted by the gate pad body 108 and the gate pad protective film 109.
【００４７】このような本実施の形態１の液晶表示装置
においては、外部からの信号入力手段であるフレキシブ
ル基板との接続が行われるパッド領域に開口部が形成さ
れていないため、フレキシブル基板との接続面が平坦と
なっており、パッド領域における接続不良が発生しにく
い構成となっている。また、ソース電極およびドレイン
電極と同材料の金属によりゲートパッド本体が形成され
ているため、上述したようなゲートパッドを容易に形成
することが可能となっている。In the liquid crystal display device according to the first embodiment, since no opening is formed in the pad area where connection with the flexible substrate, which is a signal input means from the outside, is performed, the liquid crystal display device is not connected to the flexible substrate. The connection surface is flat, and a connection failure in the pad region is unlikely to occur. Further, since the gate pad body is formed of the same material as the source electrode and the drain electrode, the gate pad as described above can be easily formed.
【００４８】（実施の形態２）図２（ａ）〜（ｃ）は、
本実施の形態２における液晶表示装置の製造工程を示し
たＴＦＴ領域とゲート配線部とパッド領域との断面図で
あり、また、図３は、本実施の形態２における液晶表示
装置を示した断面図である。なお、本実施の形態２にお
ける液晶表示装置の基板上のレイアウトも、図４に示し
た従来の平面図と同様である。(Embodiment 2) FIGS. 2 (a) to 2 (c)
FIG. 5 is a cross-sectional view of a TFT region, a gate wiring portion, and a pad region illustrating a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the second embodiment. FIG. 3 is a cross-section illustrating the liquid crystal display device according to the second embodiment. FIG. The layout on the substrate of the liquid crystal display device according to the second embodiment is the same as the conventional plan view shown in FIG.
【００４９】本実施の形態２における液晶表示装置は、
図２（ａ）に示すように、まず、ガラス基板１００上の
ＴＦＴ領域およびゲート配線部に、Ａｌ、Ｔａなどの陽
極酸化が可能な材料を用いて、ゲート電極１０１および
ゲートバスライン１０２をパターニングし、３００ｎｍ
の膜厚に形成した。The liquid crystal display device according to the present embodiment 2
As shown in FIG. 2A, first, a gate electrode 101 and a gate bus line 102 are patterned using a material capable of anodizing such as Al or Ta in a TFT region and a gate wiring portion on a glass substrate 100. And 300nm
Was formed.
【００５０】そして、このゲート電極１０１およびゲー
トバスライン１０２に陽極酸化を行い、ゲート電極１０
１およびゲートバスライン１０２の上面部および側面部
に１０ｎｍの陽極酸化膜１０３を形成した。Then, the gate electrode 101 and the gate bus line 102 are anodized to form the gate electrode 10.
An anodic oxide film 103 having a thickness of 10 nm was formed on the upper surface and side surfaces of the gate bus line 102 and the gate bus line 102.
【００５１】その後、ゲート絶縁膜１０４となる絶縁膜
をＳｉＮXを用いてガラス基板１００上全面に３００ｎ
ｍの厚さで形成した。[0051] Thereafter, 300n an insulating film serving as a gate insulating film 104 on a glass substrate 100 on the entire surface by using a SiN X
m.
【００５２】次に、ＴＦＴ領域には、ｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓ
ｉなどを用いて、活性層１２０となる半導体材料をパタ
ーニングし、５０ｎｍから３００ｎｍの厚さに形成し
た。Next, p-Si, aS
The semiconductor material to be the active layer 120 was patterned using i or the like to have a thickness of 50 nm to 300 nm.
【００５３】続いて、ゲート配線部の端部におけるゲー
トバスライン１０２上に、ドライエッチング法を用いて
開口部１０５を形成した後、Ａｌ、Ｃｒなどの金属材料
を用いて、ＴＦＴのソース電極１０６とドレイン電極１
０７とをそれぞれ形成した。このとき同時に、ゲート配
線部の端部におけるゲートバスライン１０２上に形成し
た開口部１０５を覆って、上述したソース電極１０６お
よびドレイン電極１０７と同材料の金属により、３００
ｎｍの厚さでゲートパッド本体１０８を形成した。Subsequently, an opening 105 is formed on the gate bus line 102 at the end of the gate wiring portion by dry etching, and then the source electrode 106 of the TFT is formed using a metal material such as Al or Cr. And drain electrode 1
07 respectively. At this time, at the same time, the opening 105 formed on the gate bus line 102 at the end of the gate wiring portion is covered with a metal of the same material as that of the source electrode 106 and the drain electrode 107 described above.
The gate pad body 108 was formed with a thickness of nm.
【００５４】なお、このとき、図示していないが、ソー
スバスラインおよびソースバスライン端部にも、同時に
ソースパッドを形成した。At this time, although not shown, a source pad was simultaneously formed on the source bus line and the end of the source bus line.
【００５５】ここまでは、実施の形態１と全く同様の工
程であり、本実施の形態２においても、上述したよう
に、エッチングによりゲート配線部の端部におけるゲー
トバスライン１０２上に開口部１０５を形成しており、
これによりゲートバスライン１０２とゲートパッド本体
１０８との接続を行っているので、パッド領域に陽極酸
化防止用のレジストを設ける必要がなく、製造工程を短
縮することができるとともに、このレジスト形成に伴う
基板汚染による製造歩留まりの低下も防止することが可
能となる。The steps up to this point are exactly the same as those in the first embodiment. In the second embodiment, as described above, the opening 105 is formed on the gate bus line 102 at the end of the gate wiring portion by etching. Forming
Since the gate bus line 102 and the gate pad main body 108 are thus connected, it is not necessary to provide a resist for preventing anodic oxidation in the pad region, so that the manufacturing process can be shortened and the formation of the resist can be reduced. It is also possible to prevent a decrease in manufacturing yield due to substrate contamination.
【００５６】その後、図２（ｂ）に示すように、上述の
ようにして作成したソース電極１０６およびドレイン電
極１０７上を含む基板１００上の全面に、アクリル樹脂
などの有機材料を用いて層間絶縁膜１１１をスピンコー
ト法により２μｍ以上の厚さで形成した。Thereafter, as shown in FIG. 2B, the entire surface of the substrate 100 including the source electrode 106 and the drain electrode 107 formed as described above is interlayer-insulated using an organic material such as acrylic resin. The film 111 was formed with a thickness of 2 μm or more by a spin coating method.
【００５７】上述したように、スピンコート法を用いて
層間絶縁膜１１１を形成していることにより、基板１０
０上に容易に平坦面を形成することが可能となってい
る。また、層間絶縁膜１１１を上述したように有機材料
で形成していることにより、有機材料の比誘電率は通常
３．５以下と小さいため、層間絶縁膜１１１の下方から
液晶層への影響を少なくすることが可能となっている。As described above, since the interlayer insulating film 111 is formed using the spin coating method, the substrate 10
Thus, it is possible to easily form a flat surface on zero. In addition, since the interlayer insulating film 111 is formed of an organic material as described above, the relative dielectric constant of the organic material is usually as small as 3.5 or less, so that the influence on the liquid crystal layer from below the interlayer insulating film 111 is reduced. It is possible to reduce it.
【００５８】その後、図２（ｃ）に示すように、ＴＦＴ
領域のドレイン電極１０７上とゲート配線部の端部にお
けるゲートバスライン１０２上とに位置する層間絶縁膜
１１１に開口部１１２、１１３を形成し、この開口部１
１２、１１３を覆うようにしてＩＴＯなどの透明導電膜
により、画素電極１１４およびパッド保護部１１５を層
間絶縁膜１１１上に形成した。Thereafter, as shown in FIG.
Openings 112 and 113 are formed in the interlayer insulating film 111 located on the drain electrode 107 in the region and on the gate bus line 102 at the end of the gate wiring portion.
The pixel electrode 114 and the pad protection portion 115 were formed on the interlayer insulating film 111 using a transparent conductive film such as ITO so as to cover the layers 12 and 113.
【００５９】なお、このような構成の場合には、液晶表
示装置と外部からの信号入力手段であるフレキシブル基
板との接続は、パッド保護部１１５により行われること
となる。In such a configuration, the connection between the liquid crystal display device and the flexible substrate, which is a signal input means from the outside, is performed by the pad protection section 115.
【００６０】また、このような構成とすることにより、
画素電極１１４をソースバス配線上にオーバーラップさ
せて形成することが可能であるため、液晶表示装置の開
口率を向上させることが可能となっている。In addition, with such a configuration,
Since the pixel electrode 114 can be formed to overlap the source bus wiring, the aperture ratio of the liquid crystal display device can be improved.
【００６１】このとき、上述したソース電極１０６およ
びドレイン電極１０７の材料がＡｌの場合には、画素電
極１１４の材料であるＩＴＯとの間でオーミックコンタ
クトをとることができないので、図３に示すように、Ａ
ｌからなるドレイン電極１０７とＩＴＯからなる画素電
極１１４との間に形成された開口部１１２、およびＡｌ
からなるゲートパッド本体１０８とＩＴＯからなるパッ
ド保護部１１５との間に形成された開口部１１３を覆っ
て、バリアメタル１１６、１１７として、ＴＩＷ、Ｍ
ｏ、ＴｉＮなどの金属を配置することが好ましい。At this time, if the material of the source electrode 106 and the drain electrode 107 described above is Al, an ohmic contact cannot be made with ITO, which is the material of the pixel electrode 114, so that as shown in FIG. A
opening 112 formed between a drain electrode 107 made of ITO and a pixel electrode 114 made of ITO;
Covering the opening 113 formed between the gate pad body 108 made of ITO and the pad protection part 115 made of ITO, TIW, M
It is preferable to arrange a metal such as o or TiN.
【００６２】なお、このときのバリアメタル１１７をパ
ッド領域にまで延在して形成しておくことにより、パッ
ド領域をパッド保護部１１５とバリアメタル１１７との
２層構造とすることができるので、ゲートパッドの信頼
性をさらに向上させることが可能となっている。By forming the barrier metal 117 at this time so as to extend to the pad region, the pad region can have a two-layer structure of the pad protection portion 115 and the barrier metal 117. It is possible to further improve the reliability of the gate pad.
【００６３】このような本実施の形態２の液晶表示装置
においては、外部からの信号入力手段であるフレキシブ
ル基板との接続面が平坦となっているため、パッド領域
における接続不良が発生しにくい構成となっている。ま
た、ソース電極およびドレイン電極と同材料の金属によ
りゲートパッド本体が形成されているため、ゲートパッ
ドを容易に形成することが可能となっている。In the liquid crystal display device according to the second embodiment, since the connection surface with the flexible substrate, which is a signal input means from the outside, is flat, connection failure in the pad region is unlikely to occur. It has become. Further, since the gate pad body is formed of the same metal as the source electrode and the drain electrode, the gate pad can be easily formed.
【００６４】[0064]
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
装置によれば、ゲートパッド部における信号入力手段と
の接続面を平坦に形成していることにより、液晶表示装
置のゲートパッド部とフレキシブル基板などの信号入力
手段との接続時における接続不良を容易に防止すること
が可能となっている。As described above, according to the liquid crystal display device of the present invention, since the connection surface of the gate pad portion with the signal input means is formed flat, the gate pad portion of the liquid crystal display device is formed. It is possible to easily prevent a connection failure at the time of connection with a signal input means such as a flexible substrate.
【００６５】また、ゲートパッド部における信号入力手
段との接続面を、基板上に形成された有機材料からなる
平坦面上に形成していることにより、容易に信号入力手
段との接続面が平坦なゲートパッド部を形成することが
可能となっている。Further, since the connection surface of the gate pad portion with the signal input means is formed on a flat surface made of an organic material formed on the substrate, the connection surface with the signal input means is easily flat. Gate pads can be formed.
【００６６】さらに、ゲートパッド部を、ソース電極と
同材料により形成されたゲートパッド本体部と、画素電
極と同材料により形成されたゲートパッド保護部とから
構成していることにより、製造工程を増やすことなく、
信頼性の高いゲートパッド部を有する液晶表示装置を実
現することが可能となっている。Further, since the gate pad portion is composed of the gate pad main body portion formed of the same material as the source electrode, and the gate pad protection portion formed of the same material as the pixel electrode, the manufacturing process can be simplified. Without increasing
It is possible to realize a liquid crystal display device having a highly reliable gate pad portion.
【００６７】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
よれば、容易に接続面が平坦なゲートパッド部を形成す
ることができるため、信頼性が高く、高開口率な液晶表
示装置を実現することが可能となっている。Further, according to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a gate pad portion having a flat connection surface can be easily formed, thereby realizing a liquid crystal display device having high reliability and a high aperture ratio. It is possible to do.
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１
における液晶表示装置の製造工程を示したＴＦＴ領域と
ゲート配線部とパッド領域との断面図である。1 (a) to 1 (c) show Embodiment 1 of the present invention.
10 is a cross-sectional view of a TFT region, a gate wiring portion, and a pad region showing a manufacturing process of the liquid crystal display device in FIG.
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態２
における液晶表示装置の製造工程を示したＴＦＴ領域と
ゲート配線部とパッド領域との断面図である。FIGS. 2 (a) to 2 (c) show Embodiment 2 of the present invention.
10 is a cross-sectional view of a TFT region, a gate wiring portion, and a pad region showing a manufacturing process of the liquid crystal display device in FIG.
【図３】図３は、本発明の実施の形態２における液晶表
示装置の構成を示した断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】図４は、液晶表示装置におけるガラス基板上の
表示部およびパッド領域を示した平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a display portion and a pad region on a glass substrate in the liquid crystal display device.
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は、従来の液晶表示装置の
製造工程を示したＴＦＴ部とゲート配線部とパッド領域
との断面図である。FIGS. 5A to 5D are cross-sectional views of a TFT portion, a gate wiring portion, and a pad region showing a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device.
１００ 基板 １０１ ゲート電極 １０２ ゲートバスライン １０３ 陽極酸化膜 １０４ ゲート絶縁膜 １０５ 開口部 １０６ ソース電極 １０７ ドレイン電極 １０８ ゲートパッド本体 １０９ ゲートパッド保護部 １１０ ゲートパッド １１１ 層間絶縁膜 １１２ 開口部 １１３ 開口部 １１４ 画素電極 １１５ パッド保護部 １１６ バリアメタル １１７ バリアメタル １２０ 活性層 ５００ 基板 ５０１ ゲート電極 ５０２ ゲートバスライン ５０３ 陽極酸化膜 ５０４ ゲート絶縁膜 ５０５ 開口部 ５０６ ソース電極 ５０７ ドレイン電極 ５０８ ゲートパッド本体 ５０９ ゲートパッド保護部 ５１０ ゲートパッド ５１１ 層間絶縁膜 ５１２ 開口部 ５１３ 開口部 ５１４ 画素電極 ５１５ ソースパッド ５１６ ソースバスライン ５１７ ＴＦＴ ５２０ 活性層 REFERENCE SIGNS LIST 100 Substrate 101 Gate electrode 102 Gate bus line 103 Anodized film 104 Gate insulating film 105 Opening 106 Source electrode 107 Drain electrode 108 Gate pad body 109 Gate pad protective part 110 Gate pad 111 Interlayer insulating film 112 Opening 113 Opening 114 Pixel Electrode 115 Pad protection part 116 Barrier metal 117 Barrier metal 120 Active layer 500 Substrate 501 Gate electrode 502 Gate bus line 503 Anodized film 504 Gate insulating film 505 Opening 506 Source electrode 507 Drain electrode 508 Gate pad body 509 Gate pad protection part 510 Gate pad 511 Interlayer insulating film 512 Opening 513 Opening 514 Pixel electrode 515 Source pad 516 Source bus line 517 TFT 520 Sex layer
Claims (8)
ラインと、複数のソースバスラインと、該ゲートバスラ
インとソースバスラインとの交差部近傍に形成されたス
イッチング素子と、該スイッチング素子に接続された画
素電極とを有する液晶表示装置において、 前記ゲートバスラインの端部には、該ゲートバスライン
に外部からの信号を供給するための信号入力手段が接続
されるゲートパッド部が設けられているとともに、該ゲ
ートパッド部は、該信号入力手段との接続面が平坦に形
成されていることを特徴とする液晶表示装置。At least on a substrate, a plurality of gate bus lines, a plurality of source bus lines, a switching element formed near an intersection of the gate bus line and the source bus line, and a connection to the switching element A liquid crystal display device having a pixel electrode provided with a gate pad portion connected to a signal input means for supplying an external signal to the gate bus line at an end of the gate bus line. The liquid crystal display device, wherein the gate pad portion has a flat connection surface with the signal input means.
電極と同材料により形成されていることを特徴する請求
項１に記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a part of the gate pad portion is formed of the same material as the pixel electrode.
力手段との接続面は、前記基板上に形成された有機材料
からなる平坦面上に形成されていることを特徴する請求
項１または２に記載の液晶表示装置。3. The device according to claim 1, wherein a connection surface of the gate pad portion with the signal input unit is formed on a flat surface made of an organic material formed on the substrate. Liquid crystal display device.
よびドレイン電極を有してなり、前記ゲートパッド部
は、該ソース電極と同材料により形成されたゲートパッ
ド本体部と、前記画素電極と同材料により形成されたゲ
ートパッド保護部とからなることを特徴する請求項２ま
たは３に記載の液晶表示装置。4. The switching element has a source electrode and a drain electrode, and the gate pad section is made of a gate pad body formed of the same material as the source electrode, and a gate pad body formed of the same material as the pixel electrode. 4. The liquid crystal display device according to claim 2, comprising a gate pad protection portion formed.
り、前記ゲートパッド保護部はＩＴＯからなることを特
徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the gate pad body is made of Al, and the gate pad protection is made of ITO.
ッド本体部との間には、バリアメタルが介在されている
ことを特徴とする請求項４または５に記載の液晶表示装
置。6. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein a barrier metal is interposed between the gate pad main body and the gate pad main body.
ラインと、複数のソースバスラインと、該ゲートバスラ
インとソースバスラインとの交差部近傍に形成されたス
イッチング素子と、該スイッチング素子に接続された画
素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、 前記基板上に、ゲート電極およびゲートバスラインを形
成する工程と、 前記ゲート電極およびゲートバスラインに陽極酸化を行
い、該ゲート電極およびゲートバスライン上に陽極酸化
膜を形成する工程と、 前記ゲート電極およびゲートバスラインを含む前記基板
上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲートバスラインの端部上に形成された前記ゲート
絶縁膜に開口部を形成する工程と、 前記ゲート電極上にソース電極およびドレイン電極を形
成するとともに、該ソース電極と同材料により、前記ゲ
ートバスラインの端部上に形成した開口部を覆ってゲー
トパッド本体を形成する工程と、を含むことを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。7. At least on a substrate, a plurality of gate bus lines, a plurality of source bus lines, a switching element formed near an intersection of the gate bus line and the source bus line, and a connection to the switching element Forming a gate electrode and a gate bus line on the substrate, performing anodization on the gate electrode and the gate bus line, and forming the gate electrode and the gate on the substrate. Forming an anodic oxide film on a bus line; forming a gate insulating film on the substrate including the gate electrode and the gate bus line; and forming the gate on an end of the gate bus line. Forming an opening in the insulating film; forming a source electrode and a drain electrode on the gate electrode; By the source electrode of the same material, manufacturing method of a liquid crystal display device characterized by comprising a step of forming a gate pad body to cover the opening formed on the end portion of the gate bus line.
パッド本体上を含む基板上に、層間絶縁膜を形成する工
程と、 前記ドレイン電極上および前記ゲートバスラインの端部
上に形成された前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程
と、 前記ドレイン電極上に形成した開口部を覆って、前記画
素電極を前記層間絶縁膜上に形成するとともに、該画素
電極と同材料により、前記ゲートバスラインの端部上に
形成した開口部を覆って、ゲートパッド保護膜を該層間
絶縁膜上に形成する工程と、を含むことを特徴とする請
求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。8. A step of forming an interlayer insulating film on a substrate including the source electrode, the drain electrode, and the gate pad main body; and forming the interlayer formed on the drain electrode and an end of the gate bus line. Forming an opening in the insulating film; forming the pixel electrode on the interlayer insulating film by covering the opening formed on the drain electrode; and forming the gate bus line using the same material as the pixel electrode. 8. A method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 7, further comprising: forming a gate pad protective film on the interlayer insulating film so as to cover an opening formed on an end of the liquid crystal display device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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