JP2002231625A - 照明装置用の光学積分器 - Google Patents

照明装置用の光学積分器

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JP2002231625A
JP2002231625A JP2001385991A JP2001385991A JP2002231625A JP 2002231625 A JP2002231625 A JP 2002231625A JP 2001385991 A JP2001385991 A JP 2001385991A JP 2001385991 A JP2001385991 A JP 2001385991A JP 2002231625 A JP2002231625 A JP 2002231625A
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rod
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optical
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Der Lei Sijbe Abraham Hartman Van
アブラハム ハルトマン ファンデルレイ シーベ
Marnix Aldert Tas
アルダート タス マルニクス
Jan Hoegee
ホエゲ ヤン
Der Veen Paul Van
ファンデルフェーン パウル
Jess Koehler
コエーラー イェス
Johannes Wangler
ヴァンクラー ヨハネス
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Carl Zeiss SMT GmbH
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 照明の均質性を、特に角度依存型強度不均質
性に関して改善することができるようにする。 【解決手段】 マイクロリトグラフ照射露光システムの
照明装置用の光学積分器は、紫外線を透過する材料製で
ある矩形断面のロッド(27)を有する。たとえば、同
一材料製の7本の小ロッド(30)を有するロッド構造
体(29)が、ロッドの入口表面(28)の前方に配置
されている。小ロッド(30)の幅および高さのアスペ
クト比が、ロッド(27)の幅および高さのアスペクト
比の逆である。ロッド構造体(29)は、ロッド(2
7)の方向依存型全反射損を補償するための補償手段と
して役立つ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、請求項1の前文に
従った、照明装置用の光学積分器、特にマイクロリトグ
ラフ照射露光システム用の照明装置用の光学積分器と共
に、光学積分器を装備した照明装置に関する。
【0002】
【関連技術の説明】半導体構成部品のマイクロリトグラ
フ製造用の照射露光システムの性能は実質的に、照射シ
ステムの画像形成特性によって決まる。また、画像品質
や、ウェハステッパまたはウェハスキャナで達成可能な
ウェア流れ速度も、照射システムの上流側の照明装置の
特性によって実質的に決まる。これは、均質な強度分布
の場合、下流側光学システムに正確に合わせたやり方で
可能な限り大量の光を与えることができなければならな
い。
【0003】後続システムへの適合も、照明装置の出口
におけるテレセントリックアラインメントによって実質
的に決まる。照明装置の光源から届く光をいわゆる光学
積分器すなわち光混合素子の助けで混合することによっ
て、フォトマスクに当たる照明の高度の均質性を達成す
ることができる。ハニカム集光レンズと協働する光学積
分器に加えて、照明装置の光源の光を透過する材料から
なり、実質的に放射光が長手方向(z方向)に通るロッ
ドを有するこれらの光学積分器も、利得受光性を有す
る。また、以下ではロッドをガラスロッドとして記載し
ているが、合成石英ガラスなどのガラス型材料からなる
だけでなく、フッ化カルシウムなどの結晶材料で構成す
ることもできる。ロッドは、照明装置の光源に光学的に
面して光源の光が入射する入口表面と、照明装置の中間
フィールド面を形成することができる反対側の出口表面
とを有する。
【0004】ロッドの断面形状を照明される表面の形に
合わせることを意図しているので、ここで考慮するロッ
ドのロッド断面は、幅(すなわちx方向)および高さ
(すなわちy方向)のアスペクト比の値が1から離れた
矩形である。ガラスロッド内では、光の不均質部分をほ
ぼ完全に混合できるようにする万華鏡内のように、内部
を通る光が側方境界面で何度も全反射する。したがっ
て、ロッドの出口表面が、フォトマスク上にほぼ均一の
照明フィールドとして複写される。光学積分器としてこ
の形式の矩形ロッドを使用している照明装置が、たとえ
ばドイツ特許第4421053号、ドイツ特許第195
20363号、またはドイツ特許第19912464号
に開示されている。
【0005】そのようなロッド形光学積分器の出口にお
ける光エネルギの分布は、角空間の望ましくない非対称
性を示すことが知られるようになった。以下の説明で
は、この非対称性をひとみの(エネルギ)楕円率と呼ん
でおり、ロッドの出口表面のすべての画像位置または点
(x、y)について示すことができる。楕円率と呼ぶの
は、光エネルギがすべての画像位置から固有角分布で放
出される、すなわち、(ロッドの長手方向に相当する)
z方向だけでなく、z方向に斜めの成分も有するという
考えに基づいている。角分布内ですべての方向のエネル
ギ密度が同一でなければならないが、実際のシステムで
は、対称からの逸脱、すなわち、エネルギ分布のひずみ
が観察され、x軸から距離を置いた領域の光強度が、y
軸から全く同じ距離を置いた領域の光強度より低い。こ
のことは、ウェハの照明に望ましくない不均一をもたら
すであろう。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
形式の光学積分器で、従来のものと比較して、照明の均
質性を、特に角度依存型強度不均質性に関して改善する
ことができる光学積分器を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この問題を解決するため
に、本発明は、請求項1の特徴を備えた光学積分器、ま
たは請求項15の特徴を備えた照明装置を提供してい
る。好都合なさらなる実施形態が、従属請求項に具体的
に述べられている。すべての請求項の逐語的説明は、参
照として本説明の主題事項に援用される。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明による光学積分器は、イン
テグレータ、積算計、積算器と称することもでき、ロッ
ドの方向依存型全反射損を補償するための補償手段が設
けられていることを特徴とする。これは、ガラスロッド
の長辺および短辺側の側面での光ビームの反射が、最適
に作成された側面の場合でも、全体的ではなく、むしろ
不完全であるとの認識に基づいている。これの原因は、
たとえば、反射表面の凹凸であって、そのために光ビー
ムが局部的に全反射の角度範囲に入らず、したがって、
光強度の一部が結合されないことであろう。ガラスロッ
ド表面付近で、不純物原子がロッド材料に埋め込まれ、
その結果としてロッドの縁部での屈折率が、材料の内部
と同一にならない可能性もある。これは、光の部分的非
結合を引き起こす可能性がある。表面領域の吸収効果
も、全反射光の強度を低下させるであろう。
【0009】ここで考えられている光学積分器の場合の
ガラスロッドが、それの構造のために矩形であるので、
光が通る場合の側面での反射回数が相当に異なる。反射
面が実質的にロッドの長辺側に平行な向きであって、短
辺側で反射する光は、ほぼロッドの長手方向に延在して
ロッドの短辺側に平行か、それに鋭角をなす、すなわち
y方向に近い面で主に反射する光より平均的に反射回数
が相当に少ない。実際のシステムの場合の不完全な全反
射のため、ロッド出口で強度損が生じ、その量は、光の
進行中の反射回数と共に、1回の反射当たりの全反射損
の度合いによってほぼ決まる。その結果、長辺および短
辺側の表面特性がほぼ同一である場合、y値が大きい角
度範囲での損が、同じ大きさのx値の場合より大きくな
る。これらの不都合な効果の補償、したがって、ひとみ
の楕円率の減少は、x方向およびy方向の両方での反射
回数に1回の反射当たりの全反射損を掛けた積が互いに
整合するようにする適当な補償手段の助けによって達成
することができる。
【0010】これはたとえば、反射回数が少ない短辺側
の側面の固有全反射率を目標に向けて減少させることに
よって、1回の反射当たりの全反射損を増加させて、x
およびy方向間の整合が得られるようにすることによっ
て、達成することができる。固有全反射率の減少は、た
とえば、適当な表面をz方向の適当な長さに選択された
部分で、または適当な寸法の少なくとも1つの部分領域
で粗面処理すること、反射率減少コーティングを設ける
こと、それにガスを流すこと、それを液体で濡らすこ
と、および/またはそれに屈折率変更物質を目標に向け
て添加または塗布することによって行うことができる。
この目的のため、少なくとも1つのロッド側面の少なく
とも1つの部分領域に適当なコーティングまたは粗面処
理を加える、すなわち、隣接の平滑な表面部分より表面
粗さを目標に向けて増大させることができる。1つまた
は複数のロッド外表面の少なくとも1つの部分領域を、
接触した部分領域の反射率を変更する、特に全反射率を
減少させる液体またはガス流体と接触させるための少な
くとも1つの装置を設けることができる。その装置はた
とえば、ガスフラッシング装置または湿潤装置にするこ
とができる。また、適当な方法によって、ロッドの広幅
側に平行に延びたx方向の反射回数を増加させることが
可能であり、この場合、必要ならば、側面の固有全反射
率を変更しないでおくことができる。これらの方法の組
み合わせも可能である。
【0011】これらの方法の1つまたは複数によって、
z方向に適当な長さを有し、(x方向に平行な)幅方向
の全反射損が、それに垂直な(y軸に平行な)高さ方向
の全反射損より大きくなるように形成された透明な補償
部の少なくとも1つの矩形断面をロッドに割り当てるこ
とが可能である。これによって、全反射損に関してロッ
ドの比と全く逆の比が補償部で支配的になるため、ロッ
ド出口においてエネルギ非対称性の補償が可能であり、
補償部の構造によってその量に影響を与えることができ
る。
【0012】光学積分器の入口領域に補償部を設けて、
補償部を光の進行方向においてロッドの入口表面の前方
に好都合に配置できるようにする変更が好ましい。その
結果、補償部の後方に大きいロッド長さが得られるた
め、光を申し分なく十分に混合することができる。
【0013】補償部は、ガラスロッドと一体状に形成す
ることができるが、別体の光学モジュールで得ることが
好ましい。これによって、ガラスロッドの製造および設
置工程への複雑な介入を行わずに、既存のシステムを本
発明に従って変更することが可能になる。たとえば、積
分器システムをさまざまな照明方式に合わせるために、
補償部を交換することによってさまざまな補償度を設定
することもできる。
【0014】好適な光学積分器は、少なくとも1つのロ
ッド構造体がロッドの入口表面の前方に配置され、その
ロッド構造体が、光源の光を透過する材料製の数本の小
ロッドを含み、小ロッドの各々が好ましくは、ロッドの
アスペクト比と逆のアスペクト比の矩形断面を有するこ
とを特徴とする。ここで、逆アスペクト比は、必ずしも
アスペクト比に反比例した値ではなく、一般的に、ロッ
ドのアスペクト比の値が1を超える場合、小ロッドのア
スペクト比の値が1未満になり、逆も同じであるように
定められる。小ロッドが実質的にロッドの入口表面の断
面を好都合に満たすように配置されて、補償部として機
能するそのようなロッド構造体によって、上記楕円率を
許容範囲まで減少させることができ、あるいは必要なら
ば、完全になくすことができる。やはり矩形であるが、
その長辺がロッドの短辺に平行である1組の小ロッドを
ガラスロッドの前方に配置することによって、x方向お
よびy方向の反射回数の差が減少する。コーティング、
粗面処理および/または流体での湿潤などによって、固
有表面反射率の変化を追加的に決定することができる
が、これは原則的には必要ない。
【0015】全反射損の完全な補償が可能である。幾何
学的考慮から、表面特性を変更しない場合、それには導
き出せる多数の小ロッドおよび/または非常に細いロッ
ドおよび/または補償部の大きい通過長さが必要になる
であろう。しかし、実際には部分補償で十分であるの
で、補償部をコンパクトに製造し、最小限の労力で照明
装置の設置環境に組み込むことができる。補償部、特に
ロッド構造体は好ましくは、ロッドの長さの5%を超え
る長さを有しており、補償部の長さは好ましくは、ロッ
ドの長さの10%を超えて、特に15%〜50%であ
る。好ましくは、小ロッドの数は、ロッドの断面のアス
ペクト比を超えて、たとえば3〜15本の範囲で、20
本までにすることができる。小ロッドの高さは、ロッド
とほぼ同じにすることができる。技術的製造の観点か
ら、小ロッドが同一の断面および長さを有することが好
都合である。しかし、原則的には、個々の小ロッドがさ
まざまな寸法であることも可能である。必要ならば、小
ロッドを異なった寸法にすることによって、光の混合を
改善することができる。小ロッドを小さいプレートまた
はフォイルで、すなわち、特に幅および高さの比が10
0を超え、さらには1,000をも超えるような透明素
子で形成することが可能である。
【0016】たとえば、モジュールが、ロッド構造体に
よって形成された補償部で分離状に示されている実施形
態では、これは、たとえば1mm未満のわずかな空間が
補償部とロッドの入口表面との間に残るように配置され
ることが好都合である。これによって、ガラスロッドお
よび補償部の繊細な表面の接触が、したがってこれらの
表面に考えられる損傷が防止される。
【0017】光を通すためにロッド断面の可能な最大部
分を使用できるようにするために、ロッド構造体は好ま
しくは、小ロッドが実質的に、好ましくは相互接触しな
いで側方間隙で互いに分離するようにして配置された小
ロッドの高密度実装体を含み、側方間隙はたとえば、
0.5mm未満、または0.3mmにすることができ
る。小ロッドの個々の反射面が依然として実質的に自由
である高密度実装を、中間配置された適当なスペーサ、
たとえば、隣接の小ロッドのそれぞれの支持領域で全反
射に影響を与えない材料からなるフォイルによって保証
することができる。
【0018】一般的に、小ロッド間で互いに向き合った
表面の反射率が50%を超えれば十分であり、少なくと
も75%が特に好ましい。ここでは、ほぼ完全な全反射
は必要ない。スペーサを備えた高密度実装によって、ロ
ッド構造体の取り扱いが簡単になると共に、構造体の設
置および作動時のロッドの平行性が保証される。同時
に、個々の小ロッドが互いに光学的に結合していないた
め、全反射がほぼ維持される。小ロッド間に適当な反射
率を設定することによって、ロッド構造体付近に所望の
混合度を設定することができる。
【0019】上記および他の特徴は、説明および図面と
共に請求項から明らかであり、個々の特徴の各々は常
に、発明の実施形態または他の分野において個別に、ま
たは組み合わせの形で一緒に実現することができ、好都
合かつ保護可能な実施形態を表すことができる。
【0020】
【実施例】図1は、1μm未満の解像度で集積回路また
は他のマイクロデバイスをマイクロリトグラフ製造する
ための照射露光装置内に設置することができる本発明に
よる照明装置1の一例を示す。使用波長が248nm、
193nmまたは157nmの遠紫外線範囲(DUV)
に一般的に使用されるエキシマレーザなどのレーザ2
が、光源として使用されている。レーザの下流側のビー
ム拡散レンズ3が、コヒーレンスを減少させるために、
また、辺の長さのアスペクト比x/yが、たとえば約
3:1である矩形ビーム断面のビーム形成に使用されて
いる。第1回折光学グリッド素子4が、後続のズーム対
物レンズ5の物面を形成しており、対物レンズの出口ひ
とみに第2光学グリッド素子6が設けられている。これ
から光が結合システム7に入り、このシステムが光を光
学積分器へ送り込む。光は、光学積分器(光混合素子と
も呼ぶ)内で多重内部反射によって混合されて均質化さ
れ、光学積分器の出口表面11でほぼ均一に放出され
る。この出口表面11のすぐ次は、中間フィールド面で
あり、調節可能なフィールド開口であるレチクルマスキ
ングシステム(REMA)12が配置されている。幾つ
かのレンズ群14、15、16、ひとみ面17および受
動反射鏡18を備えた後続の対物レンズ13が、レチク
ルマスキングシステムの中間フィールド面をレチクルま
たはフォトマスク20上に投射する。
【0021】この照明システムは、下流側の投射対物レ
ンズ(図示せず)および調節可能なウェハホルダと協働
して、電子構成部品だけでなく、光学回折素子および他
の微細構造デバイスのマイクロリトグラフ処理用の照射
露光システムを形成する。構造および作動原理に関する
さらなる詳細は、ドイツ特許第19520563A1号
で確認することができ、この特許の内容は本願の内容に
参照として援用される。
【0022】ウェハステッパの場合、一般的に高さおよ
び幅のアスペクト比が1:1〜1:2などの矩形であ
る、チップと等しい全構造表面が、レチクル20上に可
能な限り均一かつ鮮明に照射される。ウェハスキャナの
場合、一般的なアスペクト比が1:2〜1:8の矩形で
ある細いストリップが、レチクル20上に照射され、そ
の後、走査によってチップの全構造フィールドが照射さ
れる。この場合も、照射は非常に均一であると共に、少
なくとも走査方向に直交する方向で鮮明な縁部にならな
ければならない。
【0023】例外的な場合では、他の形状の照射領域を
レチクル20上に得ることもできる。レチクルマスキン
グシステム12の開口および光学積分器10の断面形状
は、必要形状に正確に合わせられる。図示の例のロッド
形光学積分器10の断面は、x方向に平行に延びた長辺
が30.3mm、それに垂直で高さ方向すなわちy方向
に延びた短辺が9.7mmの縁部長さを有する矩形表面
である。光学積分器の長さ方向に延びたz方向は、光軸
21に平行である。
【0024】次に、図2および図3を参照しながら、ロ
ッド形光学積分器10の構造をさらに詳細に説明する。
図2は、積分器システムの長辺側25をy軸に沿った方
向に見た上面図であり、図3は、長辺側に対して垂直向
きの短辺側26をx方向に見た上面図である。積分器シ
ステム10は本質的に、結晶性フッ化カルシウムなど
の、光源2の光を透過する材料製の矩形断面のロッド2
7と、入口表面28の直前に配置されたロッド構造体2
9の形をした別体の光学モジュールとからなり、ロッド
構造体29は、ロッド27と同じ材料製である7本のほ
ぼ同一の小ロッド30を有し、それぞれが矩形の同一断
面を有する。ここで、ロッド構造体29の断面の合計
が、ロッド27の断面と同一であり、小ロッドのy方向
に測定した高さは、ロッド27の高さと同一であり、小
ロッド30のx方向に測定した幅は常に、ロッド27の
幅の1/7に等しい。本例では、ロッド27の全長38
が約550mmである場合、ロッド27の縁部長さは、
x方向が約30.3mm、y方向が約9.7mmであ
る。小ロッドは常に、高さが9.7mm、x方向の幅が
4.3mmで、長さ39が約100mmである。光軸2
1に対して対称的な奇数のロッドからなる好適な構造体
の場合、中間の小ロッドが光軸上に位置する。
【0025】小ロッド30と、それらに面するロッド2
7の前側28との間には、機械的損傷を招く接触を避け
るために、0.2〜0.3ミリメートルの空間が残され
ている。小ロッド間には(図示しない)スペーサが設け
られ、これらは、互いに隣接する向きの小ロッド30の
長辺側が互いに接触しないことを保証しており、0.2
〜0.3ミリメートルの側方間隙は非常に小さいので、
総合的に見て入口表面28全体が小ロッド30でほぼ満
たされている。スペーサは、たとえば適当なフォイルで
形成することができる。ロッド27および小ロッド30
のすべての平らな外表面は、適当な浅い角度で内側から
表面に投射された光が、たとえば0.5%以下の最小強
度損だけで全反射するように、適当な表面処理によって
平面化されている。
【0026】レチクルマスキングシステム12付近での
光学積分器の出口11の光分布は、照射処理の品質に影
響を与える値を有するさまざまなパラメータによって特
徴付けることができる。ここでは、強度分布の均一度、
テレセントリックアラインメント、および楕円率が、R
EMA面12上の光分布によって示される主要な量であ
ると考えられる。本願の目的のため、均一度は、基準表
面12での定分布からのエネルギ密度の相対偏差を特定
する。したがって、理想値は、0値に近い。この場合の
テレセントリックアラインメントは、放出光のエネルギ
中心ビームと光軸21(z軸)との間の角度を意味す
る。図4に従ったひとみの楕円率E11の測定値とし
て、x軸周りに、すなわち幅方向に配置された第1およ
び第3象限、またはy軸周りに、すなわち高さ方向に配
置された第2および第4象限で得られるエネルギ比が使
用される。したがって、x軸付近に位置する第1および
第3象限で得られるエネルギが、y軸付近に位置する第
2および第4象限で得られるエネルギより多いエネルギ
分布の場合、楕円率が1を超える、すなわち100%を
超えるであろう。この状況が図5に概略的に示されてお
り、ここでは、y軸に位置する「−」記号は、平均値よ
り低い光強度を表し、x軸付近に位置する「+」記号
は、平均値より高い光強度を表している。
【0027】REMA面上のひとみの楕円率をこの平面
上のx座標に関係づけて示した対応図が、図6に示され
ている。図面の破線31は、矩形断面を有する従来の一
体形ガラスロッドのものである。点線33は、曲線31
の平均値を示している。連続線32は、全幅にわたって
平均値33の下側にあり、本発明に従って構成された光
積分器の出口での楕円率を示している。これを以下にさ
らに詳細に説明する。図6において、曲線31から、長
辺の境界領域の楕円率が100%の理想値を幾分超える
ことが理解され、これは、図3の「+」記号に対応す
る。図示の従来技術の例では、REMA面12の中心の
楕円率が、100%の理想値より低い。
【0028】光学積分器10の作動原理を説明するため
に、図2および図3は、概略的に表された光ビーム3
4、35を示しており、光ビーム34は角度36で積分
器レンズに入り、ほぼ光学システムの長辺側25に平行
に短辺側26で反射する一方、光ビーム35は角度37
で入って、光学システムの長辺側25で何度も全反射さ
れ、反射面がy軸に平行に延びている。積分器前表面3
3に対して測定した入射角36、37は、一定の比率で
図示されているものではなく、ロッド材料の全反射の臨
界角度より小さい。概略図によって、x−z面上の反射
光はロッドの全長38で合計6回、反射されるだけであ
るが、y−z面上で反射される光(ビーム35)は同じ
長さで4倍も多く反射されることが理解できるであろ
う。したがって、反射位置での各反射で、不結合および
/または吸収のために全反射光から光強度のごく一部分
が除去されると仮定すると、y軸付近で反射した光の場
合の全反射損は、通過長さ当たりの反射回数が多いこと
から、それに垂直なx軸の場合より大きいことが理解さ
れるであろう。したがって、上流側ロッド構造体のない
一体形ガラスロッドの場合、出口強度の質的分布が角空
間を生じ、これは図5に示されたものに似ている。
【0029】これによって生じる出口ひとみの非対称性
またはひずみは、ロッド構造体29をロッド27の入口
表面28の上流側に配置することによって、部分的また
は完全に補償することができ、その補償度は、小ロッド
の数および寸法を適当に選択することによって変更する
ことができる。
【0030】図2および図3から、ロッド構造体29付
近では、単位長さ当たりの反射回数の比が、xおよびy
方向に関して正確に逆になっていることが理解されるで
あろう。x方向(図2)では小ロッドの長さ39で10
回の反射が生じるが、y方向(図3)では同じ長さで4
回の反射が生じるだけである。表面での1回の反射で同
一反射損が生じると仮定すると、ロッド構造体の出口で
の全反射損は、x方向がy方向より大きい。したがっ
て、xおよびy方向に関して、同一断面形状の一体形ロ
ッドの出口と全く逆の比が存在する。したがって、図示
の形式のロッド構造体29を上流側に配置することによ
って、一体形ガラスロッドによって生じる出口ひとみの
楕円率のひずみを部分的または完全に補償することがで
きる。
【0031】補償度は、主に小ロッドの数およびそのx
方向の寸法および/または小ロッドの長さによって決ま
る。この原理によって、必要ならば完全補償が可能であ
るが、多くの場合、部分的補償で十分であろう。図示の
例では、xおよびy方向の反射回数の比を、一体形ガラ
スロッドと比較して約30%だけ減少させることができ
る。
【0032】図6の連続線32から、説明例ではREM
A面12の幅(x方向)での補償効果が明らかである。
ひとみ楕円率のプロフィールは、補償手段を用いない場
合に生じるプロフィールと2点で本質的に異なってい
る。第1に、プロフィールがなだらかになっている。し
かしながら、特に曲線の理想値(100%)からの偏差
が、無補償形積分器システム(曲線31)と比較して、
目立って減少し、とりわけロッドの外側領域では、最大
偏差が小さくなっている。
【0033】光が一体形ガラスロッド27に入る前に本
発明による補償手段を設けることによって、ガラスロッ
ド外表面の有限反射率の結果であると共にロッド出口表
面の位置に無関係である楕円率の大部分を補償すること
ができることが理解されるであろう。また、補償装置と
して機能するロッド構造体30によって、楕円率のフィ
ールドプロフィール、すなわち、ロッド出口での位置依
存性を妥当に変更することができ、実際に、それの原因
と無関係にすることができることがわかっている。無補
償形ガラスロッドの場合に存在するプロフィール(図6
の曲線31)の曲率を減少させ、必要ならば、過補償さ
え行われる。これによって、特定照明装置に対する最小
楕円率のプロフィールを設定することができる。一般的
に、ここに記載した形式の補償手段は、エネルギひとみ
楕円率および/または楕円率のフィールドプロフィール
の設定手段とみなされ、これによって楕円率を所望の、
また必要ならば、非対称のプロフィールに設定すること
ができる。REMA面12上の強度分布の均一度または
テレセントリックアラインメントのいずれも大きく変化
しないことがわかっている。
【0034】上記構造体の代わりに、またはそれに追加
して、本発明による1つまたは複数の光学積分器を照明
システム内の他の場所に、たとえば、光源2とズーム対
物レンズ3との間に設けることもできる。
【0035】数値および傾向の上記例示は、設定コヒー
レンス度σ=0.26の照明装置の従来設定の場合の照
明に関する。この場合、σは、照明システム1の画像側
の開口数と、次の対物レンズの物体側での開口数との比
を表す。楕円形によって生じる反射損の相対的な改善
は、さまざまな照明装置で同様であるが、フィールドプ
ロフィールの補償にはこれが当てはまらない。したがっ
て、照明装置に応じて、楕円率プロフィールに対する所
望の確実な効果を達成できるように、補償部の構造およ
び/または配置に影響を与える装置を設ければ、好都合
であろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従った照明装置の好適な実施形態の概
略図である。
【図2】本発明に従った光学積分器の実施形態の長辺側
の上面図であり、幅方向の反射を概略的に示している。
【図3】図2に示された光学積分器の側面図であり、高
さ方向の反射を示している。
【図4】光学積分器の出口表面におけるエネルギ楕円率
の定義を説明するための概略図である。
【図5】従来のロッド形光学積分器の出口における楕円
率の分布の概略図である。
【図6】従来型および本発明による光学積分器について
x方向に沿った位置の関数としてひとみの楕円率を示す
グラフである。
【符号の説明】
1 照明装置 4 第1回折光学グリッド素子 5 ズーム対物レンズ 6 第2光学グリッド素子 10 光学積分器 11 出口表面 12 レチクルマスキングシステム 13 対物レンズ 14、15、16 レンズ群 17 ひとみ面 18 受動反射鏡 20 レチクル 21 光軸 27 ロッド 28 入口表面 29 ロッド構造体 34、35 光ビーム 36、37 入射角
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルニクス アルダート タス オランダ、 5631 ヨットエル アイント ホーフェン、 オディセウスラーン 49 (72)発明者 ヤン ホエゲ オランダ、 5653 エルエヌ アイントホ ーフェン、 カステレンプライン 49 (72)発明者 パウル ファンデルフェーン オランダ、 5611 エスアール アイント ホーフェン、 ガブリエル メツラーン 76 (72)発明者 イェス コエーラー ドイツ連邦共和国、 73447 オベルコッ ヘン、 ハイゼンベルクストラッセ 4 (72)発明者 ヨハネス ヴァンクラー ドイツ連邦共和国、 89551 コエニヒス ブロン、 アン デル ロイテ 15 Fターム(参考) 2H052 BA02 BA03 BA09 BA12 5F046 BA03 CB04 CB13 CB23 DA01

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 照明装置用の光学積分器、特にマイクロ
    リトグラフ照射露出システム用の照明装置用の光学積分
    器であって、光源(2)の光を透過する材料製のロッド
    (27)を有し、光学的に光源に面した入口表面(2
    8)と、反対側の出口表面(11)とを備え、幅および
    高さのアスペクト比の値が1から離れているほぼ矩形断
    面を有する光学積分器において、補償手段(29)が、
    ロッド(27)の方向依存型全反射損を補償するように
    構成されていることを特徴とする光学積分器。
  2. 【請求項2】 幅方向での全反射損が、それに垂直な短
    い高さ方向の場合より大きくなるように形成された矩形
    断面の少なくとも1つの透明補償部(29)が、ロッド
    (27)の補償手段として用いられていることを特徴と
    する請求項1に記載の光学積分器。
  3. 【請求項3】 補償手段は、入口領域に設けられた補償
    部(29)を有し、補償部は好ましくは、光の進行方向
    においてロッド(27)の入口表面(28)の前方に配
    置されていることを特徴とする請求項1または2に記載
    の光学積分器。
  4. 【請求項4】 補償手段は、ロッド(27)から分離し
    ている光学モジュール(29)によって形成された少な
    くとも1つの補償部(29)を含むことを特徴とする先
    行の請求項のいずれか1項に記載の光学積分器。
  5. 【請求項5】 補償手段は、ロッドの少なくとも1つの
    側面の一部分の少なくとも1つのコーティングおよび/
    または少なくとも1つの粗面処理を含み、コーティング
    および/または粗面処理が、幅方向および高さ方向間で
    の全反射損の差が少なくとも部分的に補償されるように
    して形成されていることを特徴とする先行の請求項のい
    ずれか1項に記載の光学積分器。
  6. 【請求項6】 補償手段は、ロッドの少なくとも1つの
    側面の少なくとも一部分を、特にそれをガスで包囲する
    か、それを液体で濡らすことによってその部分の反射率
    を変更する流体と接触させる少なくとも1つの装置を含
    むことを特徴とする先行の請求項のいずれか1項に記載
    の光学積分器。
  7. 【請求項7】 補償手段は、ロッド(27)の入口表面
    (28)の前方に配置されているか、配置可能な少なく
    とも1つのロッド構造体(29)を含み、ロッド構造体
    (29)は、光源(2)の光を透過する材料製の数本の
    小ロッド(30)を含み、好ましくは小ロッドの各々
    が、ロッド(27)のアスペクト比と逆のアスペクト比
    の矩形断面を有することを特徴とする先行の請求項のい
    ずれか1項に記載の光学積分器。
  8. 【請求項8】 補償部、特にロッド構造体(28)は、
    ロッド(27)の長さ(38)の5%を超える長さ(3
    9)を有しており、補償部(29)の長さ(39)は好
    ましくは、ロッドの長さ(38)の10%を超えて、特
    に15%〜50%であることを特徴とする先行の請求項
    のいずれか1項に記載の光学積分器。
  9. 【請求項9】 小ロッド(30)の数は、ロッド(2
    7)の断面のアスペクト比を超えて、好ましくは3〜2
    0の範囲内であることを特徴とする請求項7または8に
    記載の光学積分器。
  10. 【請求項10】 小ロッドは、薄いプレートまたはフォ
    イルで形成されていることを特徴とする請求項7から9
    のいずれか1項に記載の光学積分器。
  11. 【請求項11】 補償手段は、ロッドの入口表面(2
    8)との間に空間が残るようにして配置された、別体の
    光学モジュール(29)によって形成された補償部を含
    み、該空間が好ましくは1mm未満、特に0.1mm〜
    0.5mmであることを特徴とする先行の請求項のいず
    れか1項に記載の光学積分器。
  12. 【請求項12】 ロッド構造体(29)は、実質的に相
    互接触しないで側方間隙で互いに分離するようにして配
    置された小ロッド(30)の高密度実装体を含み、前記
    間隙が好ましくは0.5mm未満であり、かつ/または
    ロッド間にスペーサが用いられていることを特徴とする
    請求項7から11のいずれか1項に記載の光学積分器。
  13. 【請求項13】 補償部、特にロッド構造体は、全反射
    が生じないように形成された、光軸(z軸)の方向に延
    在する表面を内部に有しており、該表面の反射率が好ま
    しくは約50%を超え、特に約70%〜約80%である
    ことを特徴とする先行の請求項のいずれか1項に記載の
    光学積分器。
  14. 【請求項14】 補償手段は、ひとみの楕円率のフィー
    ルドプロフィールを減少させる減少手段として作用する
    ことを特徴とする先行の請求項のいずれか1項に記載の
    光学積分器。
  15. 【請求項15】 光源(2)および光源の光に影響を与
    える光学素子を有し、該光学素子が少なくとも1つの光
    学積分器(10)を含み、該光学積分器が、光源(2)
    の光を透過する材料製のロッド(27)と、光学的に光
    源に面した入口表面(28)と、反対側の出口表面(1
    1)とを備え、幅および高さのアスペクト比の値が1か
    ら離れているほぼ矩形断面を有している照明装置、特
    に、マイクロリトグラフ照射露光システム用の照明装置
    であって、補償手段(29)が、ロッド(27)の方向
    依存型全反射損を補償するように構成されていることを
    特徴とする照明装置。
  16. 【請求項16】 補償手段は、請求項2から13のいず
    れか1項の特徴部分の特徴の少なくとも1つを有するこ
    とを特徴とする請求項15に記載の照明装置。
  17. 【請求項17】 照明装置および投射対物レンズを備
    え、照明装置が請求項15または16に従って製造され
    ていることを特徴とするマイクロリトグラフ照射露光シ
    ステム、特にウェハステッパまたはウェハスキャナ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008294442A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Asml Holding Nv フィールドに依存する楕円度および均一性の補正のための光減衰フィルタ
JP2010517310A (ja) * 2007-01-30 2010-05-20 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム
JP2021067814A (ja) * 2019-10-23 2021-04-30 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置および物品製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10251087A1 (de) * 2002-10-29 2004-05-19 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
DE10322376A1 (de) * 2003-05-13 2004-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Axiconsystem und Beleuchtungssystem damit
US7511886B2 (en) 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
EP1605311A3 (de) * 2004-06-10 2007-03-14 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung mit einem Lichtmischer zur Homogenisierung von Strahlungsverteilungen
DE102004063314A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-13 Carl Zeiss Smt Ag Filtereinrichtung für die Kompensation einer asymmetrischen Pupillenausleuchtung
EP2024105A2 (en) * 2006-06-02 2009-02-18 Light Prescriptions Innovators, LLC. Waveguide-optical kohler integrator utilizing geodesic lenses
US7630136B2 (en) 2006-07-18 2009-12-08 Asml Holding N.V. Optical integrators for lithography systems and methods
US20090244507A1 (en) * 2008-03-28 2009-10-01 Nikon Corporation Optical member, light routing unit, and exposure apparatus
DE102009029132A1 (de) * 2009-09-02 2010-11-04 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Stabintegrator
DE102018201010A1 (de) 2018-01-23 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018201009A1 (de) * 2018-01-23 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8902485A (nl) * 1989-10-06 1991-05-01 Optische Ind De Oude Delft Nv Inrichting voor het verschaffen van een bundel laserstraling met een homogene energieverdeling.
US6285443B1 (en) * 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
DE19520563A1 (de) * 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
JPH07261292A (ja) * 1994-03-18 1995-10-13 Ushio Utec:Kk 写真製版用露光機
US5506929A (en) * 1994-10-19 1996-04-09 Clio Technologies, Inc. Light expanding system for producing a linear or planar light beam from a point-like light source
US5530940A (en) * 1995-02-02 1996-06-25 Rohm And Haas Company Coupling device for light pipe system
JPH0933705A (ja) 1995-07-20 1997-02-07 Sekisui Chem Co Ltd 光制御シート
US5937127A (en) * 1996-05-17 1999-08-10 Lumenyte International, Inc. Linear light form with multilayered jacketing
JP3517573B2 (ja) 1997-11-27 2004-04-12 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US6144495A (en) * 1997-12-23 2000-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection light source
JPH11271619A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
DE19832665A1 (de) * 1998-07-21 2000-01-27 Leica Microsystems Homogenisierungsfilter für ein optisches Strahlungsfeld
EP1058156A3 (en) * 1999-06-04 2003-06-25 ASML Netherlands B.V. Integrating waveguide for use in lithographic projection apparatus
US6205271B1 (en) * 1999-09-15 2001-03-20 Christie Digital Systems, Inc. Optical integrator rod
EP1170635B1 (en) * 2000-07-05 2006-06-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1184727A1 (en) * 2000-09-01 2002-03-06 Asm Lithography B.V. Lithographic apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010517310A (ja) * 2007-01-30 2010-05-20 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム
JP2008294442A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Asml Holding Nv フィールドに依存する楕円度および均一性の補正のための光減衰フィルタ
JP4719772B2 (ja) * 2007-05-23 2011-07-06 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. フィールドに依存する楕円度および均一性の補正のための光減衰フィルタ
JP2021067814A (ja) * 2019-10-23 2021-04-30 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置および物品製造方法
JP7450363B2 (ja) 2019-10-23 2024-03-15 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置および物品製造方法

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