DE10251087A1 - Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage Download PDF

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Markus DEGÜNTHER
Stig Bieling
Johannes Wangler
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Carl Zeiss SMT GmbH
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection

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Abstract

Eine Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, die vorzugsweise mit einer Quecksilber-Hochdrucklampe als primäre Lichtquelle arbeitet, hat zur Durchmischung von Licht der primären Lichtquelle eine Integratoreinheit mit mindestens einem quaderförmigen Integratorstab mit einer rechteckförmigen Eintrittsfläche (43) und rechtwinkelig zueinander ausgerichteten Seitenflächen (45, 47). Im Lichtweg vor der Eintrittsfläche (43) ist eine quaderförmige Vormischeinheit (50) mit rechteckigem Querschnitt angeordnet, die mehrere, schräg zu den Seitenflächen des Integratorstabs verlaufende Reflexionsflächen (156, 157, 158, 159) aufweist. Die schrägen Reflexionsflächen bewirken eine azimutale Durchmischung des Lichtes und können dazu genutzt werden, hinter der Vormischeinheit eine weitgehend elliptizitätsfreie Pupille des Beleuchtungslichtes bereitzustellen.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Beleuchtungseinrichtung zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes mit dem Licht einer primären Lichtquelle, insbesondere auf eine Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, die mit einer Quecksilber-Hochdrucklampe als primärer Lichtquelle arbeitet.
  • Die Leistungsfähigkeit von Projektionsbelichtungsanlagen für die mikrolithographische Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen wird wesentlich durch die Abbildungseigenschaften der Projektionsobjektive bestimmt. Darüber hinaus werden die Bildqualität und der mit der Anlage erzielbare Wafer-Durchsatz wesentlich durch Eigenschaften des dem Projektionsobjektiv vorgeschalteten Beleuchtungssystems bestimmt. Dieses muss in der Lage sein, das Licht einer primären Lichtquelle, beispielsweise einer Quecksilber-Hochdrucklampe oder eines Lasers, mit möglichst hohem Wirkungsgrad zu präparieren und dabei in einem Beleuchtungsfeld der Beleuchtungseinrichtung eine möglichst gleichmäßige Intensitätsverteilung zu erzeu gen. Zudem soll es möglich sein, am Beleuchtungssystem verschiedene Beleuchtungsmodi (Settings) einzustellen, beispielsweise konventionelle Beleuchtung mit unterschiedlichen Kohärenzgraden oder Ringfeldbeleuchtung zur Erzeugung einer außeraxialen, schiefen Beleuchtung. Erwünscht ist dabei, dass sich die Eigenschaften des Beleuchtungslichtes, insbesondere die Intensität im Beleuchtungsfeld, bei verschiedenen Settings nicht oder nur wenig ändert.
  • Aus der EP 687 956 B1 (entsprechend US 5,675,401 ) ist eine Beleuchtungseinrichtung der eingangs erwähnten Art bekannt, die mit einer Quecksilber-Kurzbogenlampe für die i-Linie (Arbeitswellenlänge 365nm) arbeitet und eine Integratoreinheit aufweist, die zur Durchmischung bzw. Homogenisierung des Lichtes dieser Lichtquelle dient. Die Integratoreinheit hat (mindestens) einen quaderförmigen Integratorstab aus Quarzglas mit einer rechteckförmigen Eintrittsfläche und vier senkrecht zueinander und parallel zur optischen Achse ausgerichteten, reflektierenden Seitenflächen, in dem das durchtretende Licht durch mehrfache innere Reflexion durchmischt wird. Die Entladungslampe der Lichtquelle hat eine nahezu kugelförmige Abstrahlcharakteristik und eine endliche Ausdehnung, was zu einer in Vergleich zu Laser-Lichtquellen wesentlich höheren Etendue (Phasenraumvolumen) führt. Mit andern Worten: Der Lichtleitwert dieser Lichtquelle ist deutlich höher als der Lichtleitwert eines Lasers. Die Lampe ist in einem Brennpunkt eines elliptischen Spiegels angeordnet, der das emittierte Licht im Bereich des zweiten Brennpunkts des elliptischen Spiegels sammelt. Im Bereich des Brennpunktes ist eine als Verschluss (Shutter) dienende Blende angeordnet. Die Lichtverteilung im Bereich des Shutters wird über eine Kondensoroptik auf die Eintrittsfläche des Integratorstabes abgebildet, so dass in der Ebene der Eintrittsfläche ein in der Regel mehr oder weniger runder Lichtfleck entsteht.
  • Insbesondere bei Wafer-Scannern werden Integratorstäbe bzw. Stabintegratoren venroendet, deren Eintrittsfläche ein hohes Aspektverhältnis zwischen Stabbreite und Stabhöhe aufweist, das beispielsweise 2:1 oder größer betragen kann. Dabei kann es vorkommen, dass die Ausdehnung des Lichtflecks größer als die Stabhöhe ist. Dieser Effekt führt zur einer Vignettierung des Lichtes und ist besonders ausgeprägt bei kleinen Settings, welche einen großen Lichtfleck erzeugen. Das Licht der Lichtquelle kann somit nicht mehr vollständig in das Integratorsystem eingekoppelt werden, wodurch sich eine Reduzierung der Systemtransmission und damit verbunden eine Verminderung des Wafer-Durchsatzes ergeben kann. Da zudem in der Regel die an der Eintrittsfläche auftretenden Strahlwinkel abhängig vom Abstand von der optischen Achse sind, führt die Vignettierung zu einer sogenannten elliptischen Pupillenausleuchtung. Darunter wird hier eine Intensitätsverteilung in den Pupillenebenen bezeichnet, die in den um eine horizontale Achse angeordneten Quadranten eine größere Gesamtintensität aufweist als in den um eine vertikale Achse angeordneten Quadranten. Eine ausgeprägte Pupillenelliptizität kann beispielsweise bei der Abbildung von horizontalen und vertikalen Strukturen einer Maske zu unterschiedlichen Auflösungsvermögen für die verschiedenen Strukturrichtungen (CD-Variationen) führen.
  • Es ist schon vorgeschlagen worden, bei einem solchen System die Pupillenelliptizität dadurch zu verringern, dass unmittelbar vor dem Stabeintritt eine kreisrunde Blende angeordnet wird, deren Durchmesser geringfügig größer als die Höhe der Stabseintrittsfläche ist. Durch diese Maßnahme kann eine deutliche Verringerung der Pupillenelliptizität erreicht werden, die zudem für unterschiedliche Settings nur noch gering variiert. Da jedoch durch die Blende ein erheblicher Anteil der Eintrittsfläche abgedeckt wird, sinkt die Gesamttransmission des Systems.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Beleuchtungseinrichtung der eingangs erwähnten Art bereitzustellen, die sich durch eine hohe Gesamttransmission auszeichnet. Vorzugsweise soll die Gesamttransmission eine nur schwache Abhängigkeit von den eingestellten Beleuchtungsmodi aufweisen. Weiterhin soll die Beleuchtungseinrichtung eine möglichst gleichmäßige Ausleuchtung von Pupillenebenen mit geringer Pupillenelliptizität ermöglichen.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Beleuchtungseinrichtung mit den Merkmalen von Anspruch 1. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Der Wortlaut sämtlicher Ansprüche wird durch Bezugnahme zum Inhalt der Beschreibung gemacht.
  • Eine erfindungsgemäße Beleuchtungseinrichtung der eingangs erwähnten Art zeichnet sich dadurch aus, dass sie mindestens eine vor der Eintrittsfläche eines Integratorstabes angeordnete Vormischeinheit hat, die mindestens eine schräg zu den Seitenflächen des Integratorstabes verlaufende Reflexionsfläche aufweist. Durch diese Maßnahme kann die Pupillenelliptizität stark vermindert und gegebenenfalls weitgehend beseitigt werden. Dadurch kann auf eine Blende am Stabeintritt verzichtet werden. Dies wiederum steigert die Gesamttransmission des Systems.
  • Die Erfindung ermöglicht es, bei hoher Einkoppeleffizienz dennoch Pupillenausleuchtungen mit geringer Elliptizität hinter dem rechteckigen Stabintegrator zu gewährleisten. Die Einkoppeleffizienz ist dabei durch das Verhältnis zwischen dem beleuchteten Teil der Eintrittsfläche und der Fläche des Lichtflecks in der Eintrittsebene des Integratorstabes gegeben. Die Elliptizität einer Pupillenausleuchtung ist eine skalare Größe und wird bestimmt, indem das Verhältnis der Gesamtintensitäten der um eine horizontale Achse angeordneten Quadranten und der Gesamtintensitäten der um eine vertikale Achse angeordneten Quadranten gebildet wird. Diese Quadranten werden dabei von zwei Geraden begrenzt, welche sich in der Mitte der Pupillenausleuchtung schneiden, senkrecht zueinander stehen und zur horizontalen Richtung jeweils einen Winkel von 45° einschließen. Dabei sei für die Zwecke dieser Anmeldung die Breite eines Integratorstabes in X-Richtung, die (geringere) Höhe des Integratorstabes in Y-Richtung und die parallel zur optischen Achse verlaufenden Längsrichtung als Z-Richtung definiert.
  • Der Erfinder hat herausgefunden, dass eine wesentliche Ursache für die beobachtete Pupillenelliptizität darin liegt, dass die Pupillen am Stabeintritt – außer auf der optischen Achse – dipolähnlich ausgeleuchtet sind, wobei die Feldabhängigkeit der Ausleuchtung rotationssymmetrisch zur optischen Achse ist. Fällt ein Lichtfleck mit dieser Winkelverteilung so auf den Stab ein, dass oberhalb und unterhalb des Stabes weniger Licht dieser rotationssymmetrischen Verteilung eingekoppelt wird als in Breitenrichtung (X-Richtung), so wird mehr Licht dieser Verteilung in die um die X-Achse angeordneten Richtungsquadranten eingekoppelt. Sind die „Dipole" der Beleuchtung dabei radial zur optischen Achse ausgerichtet, so zeigt die resultierende Ausleuchtung am Stabaustritts mehr Intensität in den um die X-Achse angeordneten Quadranten als in den um die Y-Richtung zentrierten Quadranten.
  • Ein im Querschnitt rechteckiger Integratorstab wirkt winkelerhaltend, d.h. er erhält diese X-Y-Symmetrie der einfallenden Winkelverteilung. Dabei findet zwar eine Durchmischung des Lichtes statt, die Intensitäten werden jedoch jeweils nur an der X- bzw. Y-Achse gespiegelt. Dadurch ist es in einem Rechteckstab nicht möglich, dass Intensität aus einem um die X-Achse zentrierten Quadranten in einen um die Y-Achse zentrierten Quadranten geleitet wird oder umgekehrt. Die Intensitäten bleiben somit in ihren jeweiligen Quadranten „gefangen".
  • Die Erfindung hebt diese Beschränkung auf. Durch die mindestens eine schräg zu den Seitenflächen des Stabintegrators und damit schräg zur X- und Y-Achse verlaufende Reflexionsfläche der Vormischeinheit wird die Intensität eines auftreffenden Lichtstrahles nicht notwendigerweise in einen über Spiegelsymmetrie verbundenen Quadranten gelenkt, sondern sie kann in einen benachbarten, um die jeweils andere Achse zentrierten Quadranten gelenkt werden. Dadurch wird eine Durchmischung über die Quadrantengrenzen hinweg ermöglicht, was im folgenden als „azimutale Durchmischung" bezeichnet wird. Durch Bereitstellung einer ausreichenden Anzahl großer angeschrägter Reflexionsflächen in der Vormischeinheit kann erreicht werden, dass trotz Vignettierung des eintrittsseitigen Lichtfleckes und einer damit verbundenen eintrittsseitigen Pupillenelliptizität am Austritt der Vormischeinheit die Pupillenelliptizität deutlich verringert ist, wobei durch geeignete Dimensionierung eine zumindest weitgehend elliptizitätsfreie Beleuchtungspupille erzeugt werden kann. Da der mindestens eine nachfolgende Integratorstab mit Rechteckquerschnitt im wesentlichen winkelerhaltend arbeitet, bleibt die am Austritt der Vormischeinheit vorliegende, weitgehend elliptizitätsfreie Beleuchtungspupille auch hinter dem nachfolgenden Integratorstab erhalten.
  • Da es in der Praxis vorkommen kann, dass ein Rechteck-Integratorstab beispielsweise aufgrund nicht idealer Oberflächenqualität der total reflektierenden Grenzflächen eine Veränderung der Pupillenelliptizität zwischen Eintritt und Austritt erzeugt, können geeignete Gegenmaßnahmen ergriffen werden. Beispiele geeigneter Maßnahmen sind in der DE 100 65 198 dargestellt, deren diesbezügliche Offenbarung zum Inhalt dieser Beschreibung gemacht wird. Die Wirkung der Vormischeinheit auf die Pupillenelliptizität kann gegebenenfalls mit der Wirkung der dort beschriebenen Maßnahmen kombiniert werden, um am Austritt hinter der Lichtmischeinheit eine zumindest weitgehend elliptizitätsfreie Beleuchtungspupille zu erhalten.
  • Obwohl es möglich ist, an der Vormischeinheit eine oder mehrere gekrümmte Reflexionsflächen vorzusehen, die mindestens bereichsweise schräg zu den Seitenflächen des Integratorstabes stehen, sind Vormischeinheiten bevorzugt, bei denen die mindestens eine Reflexionsfläche eben ist. Dies bringt fertigungstechnische Vorteile und ermöglicht es auf einfache Weise, den Gesamtquerschnitt der Vormischeinheit dem Querschnitt des folgenden Integratorstabes anzupassen. Um einen hohen Wirkungsgrad der azimutalen Durchmischung zu erreichen, ist vorzugsweise eine Vielzahl von, vorzugsweise ebenen, schrägen Reflexionsflächen vorgesehen, insbesondere eine gerade Anzahl von beispielsweise vier oder mehr. Bei einer Weiterbildung umfasst die Vormischeinheit eine quaderförmige Stabanordnung mit einer Vielzahl von aneinandergrenzenden Integratorstäbchen, die die Querschnittsfläche der Stabanordnung im wesentlichen vollständig, z.B. zu einem hohen Prozentsatz von beispielsweise mehr als 90%, 95% oder 98% ausfüllen können. Insbesondere kann die Vormischeinheit, insbesondere die Stabanordnung, einen dem Querschnitt der Eintrittsfläche entsprechenden Querschnitt haben. Mindestens zwei der Stäbchen haben eine schräg zu den Seitenflächen des Integratorstabes ausgerichtete Reflexionsfläche, welche die azimutale Durchmischung bewirkt.
  • Eine solche Stabanordnung kann beispielsweise eine dichte Packung von im Querschnitt sechseckförmigen Integratorstäben umfassen. Integratorstäbe dieser Art sind beispielsweise im Patent US 5,473,408 gezeigt. Es ist auch möglich, mindestens einen Teil des Querschnitts der Vormischeinheit mit schräg gestellten, planparallelen Platten zu füllen, deren Grenzflächen die schrägen Reflexionsflächen bilden. Bei einer Weiterbildung hat die Stabanordnung mindestens zwei komplementäre, im Querschnitt im wesentlichen keilförmige Integratorstäbchen, die sich zu einem im Querschnitt rechteckigen Stäbchenpaar ergänzen. Die Vormischeinheit kann mehrere solcher Stäbchenpaare umfassen, die vorzugsweise symmetrisch zur optischen Achse angeordnet sind.
  • Eine Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass die Vormischeinheit, insbesondere die erwähnte Stabanordnung, einen zur optischen Achse zentrierten Integratorstab mit quadratischem Querschnitt aufweist. Dieser quadratische Stab führt selbst keine Elliptizität ein. Er kann mit Stabeinheiten kombiniert werden, die schräge Reflexionsflächen zur azimutalen Durchmischung des Eintrittslichtes haben.
  • Der Integratorstab und optische Komponenten der Vormischeinheit werden für Anwendungen im tiefen oder Vakuum-Ultraviolettbereich, beispielsweise für Systeme der i-Linien-Mikrolithographie, bevorzugt aus transparentem Material gefertigt, insbesondere aus synthetischem Quarzglas. Bei transparenten Mischelementen beruht die zur Durchmischung führende innere Reflexion auf Totalreflexion an den Grenzflächen zu optisch dünneren Medien. In diesem Fall kann beispielsweise durch geeignete, geringe Abstände zwischen den benachbarten Seitenflächen stabförmiger Elemente für Totalreflexionsbedingungen gesorgt werden. Das Prinzip der Erfindung ist auch bei Integratoreinheiten für die Lichtmischung im extremen Ultraviolettbereich (EUV) nutzbar, beispielsweise bei Wellenlängen von 20nm oder weniger. Für diese Anwendung können innenverspiegelte Integrator-Hohlstäbe und -Stäbchen verwendet werden.
  • Bei einer Ausführungsform ist eine primäre Lichtquelle mit endlicher Ausdehnung und großem Abstrahlwinkel vorgesehen, beispielsweise eine Quecksilber-Hochdrucklampe. Die primäre Lichtquelle ist in einem ersten Brennpunkt eines elliptischen Spiegels angeordnet. Zwischen der primären Lichtquelle und einem zweiten Brennpunkt des elliptischen Spiegels ist mindestens ein asphärisches optisches Element mit mindestens einer asphärischen Fläche angeordnet, deren Form derart gestaltet ist, dass Schwerstrahlen der von der primären Lichtquelle abgegebenen Strahlung hinter dem asphärischen optischen Element im wesentlichen auf einen gemeinsamen Punkt der optischen Achse, insbesondere den zweiten Brennpunkt des elliptischen Spiegels, gerichtet sind. Durch diese Maßnahme kann eine Steigerung der Einkoppeleffizienz in die Integratoreinheit dadurch erreicht werden, dass die Lichtverteilung, die entweder direkt oder mit Hilfe einer Abbildung in die Eintrittsfläche der Integratoreinheit fällt, komprimiert wird. Durch geeignete Gestaltung der Asphäre kann dies erreicht werden, ohne das Winkelspektrum im Bereich des Fokuspunktes zu vergrößern.
  • Die Form der asphärischen Fläche kann beispielsweise für ein kleines konventionelles Setting optimiert werden. Zur Optimierung der Einkoppeleffizienz auch für andere Settings ohne Austausch von asphärischen Elementen ist es bei einer vorteilhaften Weiterbildung vorgesehen, dass das asphärische optische Element mittels einer Steuereinrichtung entlang der optischen Achse verschiebbar ist. Somit kann das asphärische optische Element für jedes Setting individuell optimal positioniert werden, um die gewünschte Komprimierung der Lichtverteilung z.B. am Ort des Verschlusses zu erreichen.
  • Die Bereitstellung mindestens eines asphärischen optischen Elementes in der genannten Kombination von Lichtquelle und elliptischem Spiegel kann unabhängig von den sonstigen Merkmalen der Erfindung auch bei anderen Beleuchtungssystemen vorteilhaft sein, beispielsweise bei konventionellen Beleuchtungssystemen, wie sie in der EP 0 687 956 beschrieben sind.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen feinstrukturierten Bauteilen. Dabei wird ein in eine Objektebene eines Projektionsobjektives angeordnetes Retikel mit Hilfe einer Beleuchtungseinrichtung beleuchtet, die zur Durchmischung von Licht einer primären Lichtquelle eine Integratoreinheit umfasst. Es wird auf einem lichtempfindlichen Substrat ein Bild des Retikels erzeugt. Der Schritt der Beleuchtung des Retikels umfasst eine azimutale Durchmischung von Licht der primären Lichtquelle. Das Ausmaß der azimutalen Durchmischung kann so eingestellt werden, dass eine im wesentlichen elliptizitätsfreie Beleuchtung gewährleistet ist. Bei einer Variante des Verfahrens umfasst die Integratoreinheit mindestens einen quaderförmigen Integratorstab und die azimutale Durchmischung findet im Lichtweg vor dem Integratorstab statt. Bei dieser Verfahrensvariante kann zur azimutalen Durchmischung die oben näher beschriebene Vormischeinheit genutzt werden. Durch die Aufteilung der azimutalen Pupillendurchmischung und der Mischung über das Feld in separaten Komponenten (Vormischeinheit und Integratorstab) ist eine vignettierungsfreie Beleuchtung von rechteckigen Beleuchtungsfeldern möglich.
  • Prinzipiell ist es auch möglich, die azimutale Durchmischung mit einem einzigen Integraforstab geeigneten Querschnitts durchzuführen. Wird beispielsweise ein im Querschnitt ovaler oder trapezförmiger Integratorstab verwendet, der im Bereich seiner Austrittsfläche mit einer rechteckigen Blende maskiert ist, so könnte eine weitgehend homogene Ausleuchtung eines rechteckigen Beleuchtungsfeldes auch ohne eine Vormischeinheit der oben erwähnten Art erzielt werden. Mit Hilfe eines solchen Integratorstabes könnte bei geeigneter Formgebung und Dimensionierung sowohl eine Durchmischung über das Feld als auch eine Durchmischung über den Pupillenazimut erreicht werden. Bei der Ausleuchtung von Rechteckfeldern kann es zu Vignettierungen kommen.
  • Diese und weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen in Verbindung mit den abhängigen Ansprüchen und den Zeichnungen. Hierbei können die einzelnen Merkmale jeweils für sich allein oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei einer Ausführungsform der Erfindung oder auf anderen Gebieten verwirklicht sein.
  • 1 ist eine schematische Darstellung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Beleuchtungseinrichtung;
  • 2 ist eine schematische Darstellung der Verteilung der Lichtintensität im Bereich einer rechteckigen Eintrittsfläche eines Integratorstabes;
  • 3 ist eine schematische Darstellung einer Beleuchtungspupille zur Erläuterung der Pupillenelliptizität;
  • 4 ist eine schematische Darstellung einer Beleuchtungspupille zur Erläuterung der Durchmischung in einer Integratoreinheit;
  • 5 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer stabförmigen Vormischeinheit;
  • 6 ist eine schematische Darstellung einer anderen Ausführungsform einer stabförmigen Vormischeinheit;
  • 7 ist eine schematische Darstellung der Verteilung von Schwerstrahlen zwischen der primären Lichtquelle und einer Verschlussebene bei einer konventionellen Beleuchtungseinrichtung;
  • 8 ist eine schematische Darstellung der Verteilung von Schwerstrahlen zwischen einer primären Lichtquelle und der Verschlussebene gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 9 und 10 sind Diagramme, die die Settingabhängigkeit der Beleuchtungsintensität in der Retikelebene bei konventioneller Beleuchtung (9) und annularer Beleuchtung (10) zeigen.
  • In 1 ist ein Beispiel einer Beleuchtungseinrichtung 10 einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage gezeigt, die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen einsetzbar ist und zur Erzielung von Auflösungen bis zu Bruchteilen von Mikrometern mit Licht aus dem tiefen Ultraviolettbereich arbeitet. Als primäre Lichtquelle dient eine Quecksilber-Kurzbogenlampe 11 für die Quecksilber i-Linie bei 365nm Wellenlänge. Sie ist in einem der beiden Brennpunkte eines elliptischen Spiegels 12 angeordnet, der das emittierte Licht im Bereich seines zweiten Brennpunktes 13 sammelt. In diesem Bereich ist ein Verschluss (Shutter) 14 angeordnet, der zugleich eine Blende ist. Zwischen der Lichtquelle 11 und dem zweiten Brennpunkt 13 ist ein asphärisches optisches Element 15 angeordnet, das eine Optimierung der Schwerstrahlverteilung im Bereich des Verschlusses 14 bewirkt und das axial entlang der optischen Achse 16 des Systems verschiebbar ist. Seine Funktion wird im Zusammenhang mit den 7 und 8 näher erläutert.
  • Das folgende Objektiv 20 hat eine erste Linsengruppe 21, eine konkave erste Axikon-Linse 22, eine konvexe zweite Axikon-Linse 23 und eine zweite Linsengruppe 24. Stellmittel 25, 26 erlauben eine axiale Verschiebung der Axikon-Linse 23 und eines optischen Elementes der zweiten Linsengruppe 24. Damit kann zum einen der Abstand der Axikon-Linsen 22, 23 untereinander verstellt und somit der Ringfeldcharakter der Pupillenausleuchtung in der Pupillenzwischenebene 27 verändert werden. Zum anderen wird eine Zoom-Wirkung zur Veränderung des Durchmessers der Pupillenausleuchtung, also des Kohärenzgrades σ erreicht. Die durch Manipulationen am Objektiv 20 erzielbaren Beleuch tungsmodi werden hier auch als Beleuchtungssettings bezeichnet. Ausführungsbeispiele für das Objektiv 20 sind beispielsweise in der EP 687 956 B1 (entsprechend US 5,675,401 ) enthalten, deren Merkmale durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Beschreibung gemacht wird. Hinter der Pupillenzwischenebene 27 folgt ein zweites Objektiv 30, mit dem das Licht auf eine rechteckige Eintrittsfläche 41 einer Integratoreinheit 40 fokussiert wird.
  • Der elliptische Kollektorspiegel 12, das erste Objektiv 20 und das zweite Objektiv 30 bilden eine Kondensoroptik 35, welche ausschließlich optische Komponenten mit zur optischen Achse 16 rotationssymmetrischer Wirkung aufweist. Die Kondensoroptik 35 bildet die primäre Lichtquelle 11 auf die Eintrittsfläche 41 der Integratoreinheit 40 ab. Zwischen der Kondensoroptik 35 und der Eintrittsfläche 41 ist keine Abschaffungsblende angeordnet, so dass die gesamte Stabeintrittsfläche 41 zur Einkopplung von Licht genutzt werden kann.
  • Die um die optische Achse 16 zentrierte Integratoreinheit 40 dient zur Durchmischung von Licht der Lichtquelle 11, um eine homogene Ausleuchtung des Beleuchtungsfeldes zu erreichen. Die Integratoreinheit umfasst einen quaderförmigen Integratorstab 42, welcher aus synthetischem Quarzglas besteht, eine rechteckige Eintrittsfläche 43, eine rechteckige Austrittsfläche 44 gleicher Größe und vier total reflektierende Seitenflächen 45, 46, 47, 48 hat (vgl. 2). Unmittelbar vor dem Integratorstab 42 ist eine Vormischeinheit 50 angeordnet, die einen dem Querschnitt des Integratorstabes entsprechenden, rechteckigen Querschnitt hat und mehrere schräg zu den Seitenflächen 45 bis 48 und parallel zur optischen Achse 16 verlaufende, total reflektierende Reflexionsflächen umfasst. Aufbau und Funktion erfindungsgemäßer Vormischeinheiten werden anhand der 3 bis 6 später näher erläutert.
  • Die Austrittsfläche 44 des Integratorstabes 42 bzw. der Integratoreinheit 40 bildet eine Zwischenfeldebene 55, in der ein Maskierungssystem (Retikel-Masking-System, REMA) 56 angeordnet ist. Das folgende Objektiv 60, auch als REMA-Objektiv bezeichnet, bildet das Maskierungssystem 56 in die Bildebene 65 des Objektivs 60 ab. Die Ebene 65 fällt mit der Objektebene eines nachfolgenden Projektionsobjektivs 67 zusammen und wird auch als Retikelebene bezeichnet, in der eine strukturtragende Maske 66 (das Retikel bzw. die Photomaske) angeordnet werden kann. Das nachfolgende Projektionsobjektiv 67 bildet die Struktur der Maske in seine Bildebene 68 ab, in der ein mit einer lichtempfindlichen Schicht beschichtetes Substrat, beispielsweise ein Halbleiterwafer, angeordnet werden kann. Sowohl die strukturtragende Maske 66 als auch das lichtempfindliche Substrat werden von einer nicht dargestellten Positionier- und Wechseleinheit getragen, die neben dem Tausch der Elemente auch das Scannen der Elemente während der Belichtung erlaubt.
  • Das Objektiv 60 enthält eine erste Linsengruppe 61, eine Pupillenebene 62, eine zweite Linsengruppe 63 und eine dritte Linsengruppe 64, zwischen denen ein Umlenkspiegel 69 angeordnet ist. Ausführungsbeispiele für das Objektiv 60 sind beispielsweise in der DE 195 48 805 A1 (entsprechend US 5,982,558 ) und der DE 196 53 983 A1 (entsprechend US Serial Number 09/125621) angegeben. Ein Ausführungsbeispiel für das Projektionsobjektiv 67 ist in der DE 199 42 281 enthalten. Die diesbezüglichen Merkmale dieser Dokumente werden durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Beschreibung gemacht.
  • Im folgenden werden Maßnahmen erläutert, die es ermöglichen, ein solches Beleuchtungssystem mit hohem Transmissionswirkungsgrad zu schaffen, bei dem gleichzeitig die Pupillenelliptizität bei allen verfügbaren Beleuchtungssettings sehr gering ist und nur schwach vom Setting abhängig ist. Als Transmissionswirkungsgrad wird hier das Verhältnis zwischen der von der primären Lichtquelle 11 abgegebenen Lichtintensität und der im Beleuchtungsfeld in der Retikelebene 65 ankommenden Lichtintensität bezeichnet. Ein entscheidender Beitrag zu dieser Gesamttransmission ist durch die Lichteinkoppeleffizienz am Eintritt 41 der Integratoreinheit gegeben. Als Lichteinkoppeleffizienz wird hier das Verhältnis aus der Differenz zwischen der gesamten, im Bereich der Eintrittsfläche vorhandenen Strahlungsleistung minus der durch Vignettierung „verworfenen" Strahlungsleistung zur gesamten Strahlungsleistung in der Eintrittsebene bezeichnet. Die Lichteinkoppeleffizienz nimmt somit zu, je weniger Strahlungsleistung im Bereich der Eintrittsfläche 41 der Integratoreinheit ungenutzt bleibt. Zu diesem Lichtverlust können zwei Effekte beitragen, nämlich einerseits eine Überstrahlung der Eintrittsfläche durch einen im Vergleich zum Stabeintritt größeren Lichtfleck und andererseits eine Maskierung von Bereichen der Stabeintrittsfläche durch Blenden. Der zweite Beitrag verschwindet bei bevorzugten Ausführungsformen dadurch, dass durch den Verzicht auf Blenden jeglicher Art am Stabeintritt die volle Eintrittsfläche für den Lichteintritt zur Verfügung steht. Die mit dieser Maßnahme verbunden negativen Einflüsse auf die Pupillenelliptizität werden durch die Vormischeinheit 50 weitgehend oder vollständig beseitigt.
  • Zur näheren Erläuterung zeigt 2 eine rechteckige Eintrittsfläche eines ungeteilten Stabintegrators, bei dem das Verhältnis zwischen Breite (X-Richtung) und Höhe (Y-Richtung) ca. 2:1 beträgt. Ein durch die Kondensoroptik 35 erzeugter, kreisrunder Lichtfleck 70 ist gestrichelt gezeigt. Dieser füllt im Beispiel die Breitenrichtung praktisch vollständig aus, während in Höhenrichtung oberhalb und unterhalb des Stabes Strahlungsintensität am Stabeintritt vorbei geleitet wird und ungenutzt bleibt (Vignettierung). Beispielsweise hat der Lichtbogen der Lichtquelle 11 im Ausführungsbeispiel eine Länge von 4mm und einen Durchmesser von 7mm. Die von der Lichtquelle emittierten Lichtstrahlen weisen bezüglich der optischen Achse 16 Winkel zwischen ca. 60° und ca. 135° auf. Der Lichtbogen wird durch die Kondensoroptik 35 auf die Eintrittsfläche abgebildet und erzeugt einen Lichtfleck, dessen maximaler Durchmesser beim kleinsten eingestellten σ-Wert ca. 300% größer ist als die Stabhöhe. Die Strahlen weisen hier einen maximalen Winkel von ca. 18° bezüglich der optischen Achse auf. Der Durchmesser des Lichtflecks und die Strahlwinkel an der Eintrittsfläche hängen von der Stellung der Zoom-Linsen und der Axikon-Linsen im Objektiv 20 ab. Dabei nimmt bei konventionellen Settings (geschlossenen Axikon-Linsen) die Größe des Lichtfleckes mit zunehmendem σ-Wert ab, was zu einer Erhöhung der Lichteinkoppeleffizienz mit zunehmendem σ-Wert führt.
  • Die Lichtverluste durch unvollständiger Einkopplung des Lichtfleckes treten gemeinsam mit einer Elliptizität der Pupillenausleuchtung auf. Untersuchungen im Rahmen der Erfindungen haben gezeigt, dass die Pupillen am Stabeintritt außerhalb der optischen Achse 12 dipolähnlich ausgeleuchtet sind, wobei die Feldabhängigkeit der Ausleuchtung rotationssymmetrisch zur optischen Achse ist. Diese Situation ist in 2 schematisch dargestellt. Im Beispiel ist der Dipolcharakter der Strahlung (gekennzeichnet durch die gekreuzten Pfeile) derart, dass die zur Radialrichtung gehörenden Intensitäten in allen Feldpunkten größer sind als die zur zugehörigen Tangentialrichtung gehörigen Intensitäten. Da oberhalb und unterhalb des Stabeintritts Lichtintensität verworfen wird, bei der im Mittel die Intensität parallel zur Y-Richtung größer ist als senkrecht dazu, wird insgesamt in den Stab die Lichtintensität so eingekoppelt, dass in den um die X-Achse zentrierten Bereichen (Quadranten 2 und 4) mehr Lichtintensität vorhanden ist als in den um die Y-Achse zentrierten Quadranten 1 und 3 (vgl. 3). Zur Bestimmung der Elliptizität werden die Gesamtintensitäten in den vier Quadranten 1, 2, 3 und 4 bestimmt. Die Quadranten werden hier durch Geraden 75, 76 begrenzt, die jeweils unter 45° zur Y-Achse (bzw. zur X-Achse) stehen. In dieser Anmeldung ergibt sich die Elliptizität aus dem Quotienten der Gesamtintensitäten in den um die Y-Achse zentrierten Quadranten 1 und 3 zur Gesamtintensität in den um die X-Achse zentrierten Quadranten 2 und 4 gemäß:
    Figure 00170001
  • Da im Beispielsfall die Intensität schwerpunktmäßig um die X-Achse zentriert ist, liegt eine Elliptizität <1 vor.
  • Bei einem herkömmlichen, einstückigen Rechteckstab mit Seitenflächen parallel zur X-Z bzw. Y-Z-Ebene bleibt die X-Y-Symmetrie der einfallenden Winkelverteilung erhalten. Aus diesem Grund führt ein Stab mit rechteckigem Querschnitt, der mit der in 2 schematisch gezeigten Winkelverteilung bestrahlt wird, zu elliptischen Pupillen, da insgesamt mehr Licht in die Richtungsquadranten 2 und 4 als in die Richtungsquadranten 1 und 3 eingekoppelt wird. Diese Winkelerhaltung wird anhand der 4 näher erläutert.
  • 4 zeigt eine in Quadranten unterteilte Pupille, bei der ein in den Stab einfallender Lichtstrahl durch einen Pfeil 80 repräsentiert ist. Die Länge des Pfeiles wird als „Zenith" bezeichnet und repräsentiert in der dargestellten Projektion des Richtungspfeils auf die Pupillenebene den Winkel zwischen der Einstrahlrichtung und der optischen Achse 12. In der dargestellten Projektion würde ein zum Rand der Pupille führender Pfeil einem Einfallswinkel von 90° entsprechen, eine Pfeillänge von null entspricht einer Einstrahlung in Axialrichtung. Die Einfallsrichtung ist weiterhin gekennzeichnet durch einen Winkel 81 zwischen einer Bezugsrichtung, beispielsweise der Y-Achse, und der Ebene, die ein einfallender Lichtstrahl mit der optischen Achse aufspannt. Dieser Winkel wird als Azimut bezeichnet.
  • In einem Stab mit rechtwinklig zueinander stehenden Seitenflächen führt eine Reflexion an diesen Seitenflächen zu einer „Spiegelung" des den Lichtstrahl repräsentierenden Pfeiles 80 an den X- bzw. Y-Achsen. Es ist ersichtlich, dass diese Spiegelungen (charakterisiert durch gestrichelte Pfeile 82), nur eine Umverteilung zwischen einander gegenüberliegenden Quadranten bewirken (im Beispielsfall den Quadranten 2 und 4). Die Pupillenelliptizität am Eintritt bleibt in diesem Fall über die Stablänge erhalten und herrscht auch am Stabaustritt vor.
  • Dieser Nachteil herkömmlicher Integratoreinheiten wird durch die Erfindung vermieden.
  • Beider in 1 gezeigten Ausführungsform ist die stabförmige Integratoreinheit 40 gegenüber bekannten Lösungen modifiziert, indem vor einen einstückigen Integratorstab 42 eine Vormischeinheit 50 gleichen Querschnitts angeordnet wird. Die Integratoreinheit wird somit in zwei axial aufeinanderfolgende Abschnitte unterteilt, wobei das Verhältnis der Längen vom ersten Abschnitt 50 zum zweiten Abschnitt 42 beispielsweise ca. 3:5 betragen kann. Die Vormischeinheit 50 ist als quaderförmige Stabanordnung mit fünf aneinandergrenzenden Integratorstäbchen 151 bis 155 ausgebildet, die entlang ihrer Seitenflächen jeweils einen geringen Abstand (größer als die Wellenlänge des verwendeten Lichtes) aufweisen, um jeweils eine Totalreflexion innerhalb der einzelnen Stäbchen zu ermöglichen. Ein um die optische Achse zentriert anzuordnendes mittleres Stäbchen 151 hat einen quadratischen Querschnitt, dessen Seitenlänge der Höhe der Stabanordnung entspricht. Spiegelsymmetrisch zur Y-Achse sind links und rechts jeweils zwei Stäbchenpaare 152, 153 bzw. 154, 155 angeordnet, deren Stäbchen jeweils einen keilförmigen Querschnitt haben, der bei der Ausführungsform gemäß 5 die Form eines rechtwinkligen Dreiecks hat. Die einander zugewandten und mit geringem Abstand zueinander angeordneten Hypotenusenflächen 156 bis 159 bilden ebene Reflexionsflächen, die schräg zu den Seiten- flächen 45 bis 48 des Stabintegrators ausgerichtet und spiegelsymmetrisch zur Y-Z-Ebene angeordnet sind. Der Anstellwinkel zu den X- bzw. Y-Achsen beträgt hier ca. 30° bzw. 60°. Das Verhältnis V der Gesamtfläche der schrägen Reflexionsfläche zu der Gesamtfläche der in X- bzw. Y-Richtung verlaufenden Reflexionsfläche beträgt ca. 0,75. Das Verhältnis V sollte zwischen ca. 0,6 und ca. 0,8 liegen. Wird V kleiner als 0,6, so können mehrere Reflexionen im Stab nacheinander ohne Einbeziehung der schrägstehenden Flächen stattfinden. Das reduziert die Effizienz der azimutalen Pupillendurchmischung. Ein Wert von größer als 0,8 bedeutet, dass der Anstellwinkel der schrägen Fläche sehr groß bzw. sehr klein wird. Ist die schräge Fläche aber nahezu parallel bzw. orthogonal zu den übrigen Flächen, reduziert das wiederum den Effekt der Pupillendurchmischung. Aus diesem Grund sollte der Anstellwinkel zwischen ca. 15° und ca. 75° liegen.
  • Bei der Ausführungsform der Vormischeinheit 50' in 6 haben die mit Schrägflächen versehenen Stäbchen links und rechts des quadratischen Mittelstabes 151' einen keilförmigen Vierkant-Querschnitt, bei dem die schrägen Reflexionsflächen in spitzerem Winkel von ca. 20° und entsprechend größerem Winkel von ca. 70° zur Y-Achse bzw. zur X-Achse angewinkelt sind. Im Vergleich zur Ausführungsform gemäß 5 werden hier beschädigungsanfällige spitzwinklige Kanten vermieden, wodurch z.B. eine einfache Halterung möglich ist.
  • Bei Bestrahlung rotationssymmetrisch zur Mittelachse des Stabes wird, integriert über das Profil des quadratischen Mittelstücks 151 bzw. 51', in dem ersten Stababschnitt, der durch die Vormischeinheit 50 bzw. 50' gebildet wird, genauso viel Energie in die Pupillenquadranten 1 und 3 eingekoppelt, wie in die Pupillenquadranten 2 und 4. Damit ist bei ausreichender Lichtmischung die Pupille hinter diesem mittleren, quadratischen Stabelement per Definition elliptizitätsfrei. Durch die schräg gestellten Reflexionsflächen 156 bis 159 in den Seitenstücken der Vor mischeinheit wird die Pupille, im Gegensatz zu einem Stabintegrator mit parallelen bzw. senkrechten Bezugsflächen, azimutal durchmischt. Der wesentliche Effekt einer „azimutalen Durchmischung" ist es, dass eine Umverteilung von Lichtenergie von den um die X-Achse zentrierten Quadranten die um die Y-Achse zentrierten Quadranten (und umgekehrt) stattfinden kann. Im Bild von 4 bedeutet eine azimutale Durchmischung, dass beispielsweise Anteile der Lichtenergie des Lichtstrahles 80 in einen nebenliegenden Quadranten, beispielsweise in den Quadranten 3 in der Nähe der Y-Achse transferiert werden kann (strichpunktierter Pfeil 80'). Dies entspricht einer Spiegelung um eine nicht mit der X- oder Y-Achse zusammenfallende Ebene, deren Ausrichtung durch die Ausrichtung der schrägen Reflexionsflächen bestimmt ist. Durch entsprechende Dimensionierung und Ausrichtung der schrägen Reflexionsflächen kann somit erreicht werden, dass die Pupillen hinter der Vormischeinheit 50 insgesamt weitgehend elliptizitätsfrei sind, da in allen vier Quadranten im wesentlichen die gleiche Lichtintensität vorliegt.
  • Hinter der Vormischeinheit ist jedoch die Feldausleuchtung in der Regel noch nicht homogen. Eine Homogenisierung wird durch den nachfolgenden, rechteckigen Integratorstab 42 ausreichender Länge erreicht. Dieser Integratorstab konserviert, wie oben ausgeführt, die Verteilung der Gesamtenergie in den Pupillenquadranten 1 und 3 bzw. 2 und 4 und damit die weitgehend oder vollständig elliptizitätsfreien Pupillen. Durch die vielfache innere Reflexion entlang der Stablänge wird aber das Licht über das gesamte Feld durchmischt und somit eine ortsunabhängig uniforme Intensitätsverteilung am Stabaustritt 44 (in der Feldzwischenebene 55) erreicht.
  • Eine weitere Maßnahme zur Steigerung der Lichteinkoppeleffizienz wird anhand der 7 und 8 näher erläutert. In 7 ist der Meridonalstrahlverlauf zwischen der Lichtquelle 11 und der Ebene des Verschlusses 14 schematisch dargestellt. Aufgrund der unvermeidbaren Abschattung durch die Lampenelektroden ist die Winkelverteilung im Bereich des Verschlusses 14 annular und aufgrund der Ausdehnung des Lampenplasmas ist der Lichtfleck in der Nähe des zweiten Ellipsenbrennpunktes, d.h. im Bereich des Verschlusses 14, axial und radial ausgedehnt. Diese „verschmierte" Lichtverteilung ist in 7 anhand der Verläufe von Schwerstrahlen 90 dargestellt. Während die achsfernen Schwerstrahlen auf die Mitte der Verschlussebene gerichtet sind, zielen die achsnahen Schwerstrahlen auf einen mit Abstand vor dieser Ebene liegenden Achspunkt. Diese Lichtverteilung wird durch die Objektive 20, 30 in die Eintrittsebene der Integratoreinheit 40 abgebildet. Wie oben erwähnt, wird an dieser Stirnfläche ein Teil des Lichtes, vor allem bei kleinen σ-Werten vignettiert.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird nun die Lichtverteilung im Bereich des Verschlusses 14 (d.h. die „Objektgröße") für die nachbildende Abbildungsoptik, komprimiert. Dabei ist es wichtig, dass hierzu das Winkelspektrum im Bereich des Verschlusses nicht vergrößert wird, weil dies zu einer Vergrößerung des eingestellten Beleuchtungssettings führen würde. Eine Settingvergrößerung aber führt ohnehin zu einer Erhöhung der Einkoppeleffizienz (9 und 10). Eine Komprimierung der Lichtverteilung in der Shutter-Ebene ohne Verbreiterung des Winkelspektrums wird erreicht, indem in einer Ebene 91 vor der Ebene des Verschlusses, also zwischen Lichtquelle und zweitem Brennpunkt des elliptischen Spiegels 12, ein asphärisches optisches Element 15 angeordnet wird. Die Axialposition ist vorzugsweise so gewählt, dass das Element möglichst dicht an der Verschlussebene sitzt, aber andererseits Strahlen aus dem oberen und unteren Bereich A und B des Ellipsoidspiegels 12 noch getrennt sind. Das asphärische optische Element, das beispielsweise als meniskusförmige Platte mit zur Shutter-Ebene gerichteten Konkavflächen ausgebildet sein kann, hat mindestens eine asphärische Fläche 92. Die Radien der beiden Flächen sind etwa konzentrisch zum Zentrum des Verschlusses und die Asphäre ist so berechnet, dass alle Schwerstrahlen 90 in den Bereich der Mitte des Verschlusses, also zum zweiten Brennpunkt des elliptischen Spiegels 12 zielen. Am Strahlverlauf in 8 ist erkennbar, dass einerseits das Licht im Shutter 14 stärker fokussiert ist und dass zweitens teilweise die Einfallswinkel verringert werden, so dass die Annularität der Pupillen im Bereich des Verschlusses 14 verkleinert wird.
  • Die Optimierung der Form der Asphäre kann für ein bestimmtes konventionelles Setting, insbesondere ein kleines konventionelles Setting (mit kleinem σ-Wert) vorgenommen werden, indem für die gewählte Ebene 91 die Verteilung der Schwerstrahlrichtungen über die Feldhöhe auf Abstand von der optischen Achse ausgerechnet wird und die Asphäre so ausgelegt wird, dass sich die gewünschte Schwerstrahlverteilung ergibt. Zur Optimierung der Einkoppeleffizienz auch für andere Settings ohne Tausch des asphärischen optischen Elementes ist dieses vorzugsweise axial beweglich gelagert, so dass die axiale Position der Asphäre für jedes Setting individuell optimal eingestellt werden kann.
  • Anhand der 9 und 10 wird der Effekt der dargestellten Systemmodifikationen auf die Intensität im Beleuchtungsfeld des Beleuchtungssystems in der Retikelebene 65 gezeigt. In den Diagrammen stellt die x-Achse unterschiedliche, nach rechts zunehmende σ-Werte bzw. Settings dar, während an der y-Achse eine normierte Intensität 1 (norm) [%] in der Retikelebene aufgetragen ist. Der σ-Wert ist hier definiert als Verhältnis NA Bel,90%, NAPO, wobei NABel, 90% der Radius in der Objektivpupille ist, der 90% des vom Beleuchtungssystem bereitgestellten Lichts umschließt (90% encircled energy), und NAPO des Radius der Objektivpupille des Projektionsobjektes ist. Alle y-Werte sind auf die Intensität normiert, die maximal mit einem System ohne Vormischeinheit und asphärischem optischen Element erreicht werden kann, wobei dieses Originalsystem zur Verminderung der Pupillenelliptizität ab Stabeintritt eine kreisrunde Blende aufweist, die die Pupillenelliptizität am Retikel bzw. in der Waferebene auf Werte zwischen ca. 0,97 und ca. 1,03 begrenzt. 9 zeigt die Setting-abhängigkeit der Intensität am Retikel für verschiedene konventionelle Beleuchtungen (homogen ausgeleuchteter Beleuchtungsfleck), während 10 diese Settingabhängigkeit für verschiedene Ringfeldbeleuchtungen (mit geöffneten Axicon-Linsen) zeigt. Die mit „ORIG" gekennzeichneten Kurven geben die Werte das Referenzsystem (Originalsystem mit kreisrunder Blende) wieder. Die mit „MIX" gekennzeichneten Kurven zeigen entsprechende Werte mit Vormischeinheit (Mixing Unit, MIX). Die mit „MIX + AS" gekennzeichneten Kurven zeigen die entsprechenden Werte für Systeme, die sowohl eine Vormischeinheit als auch ein asphärisches Element zwischen Lampe und zweiten Brennpunkt aufweisen. Bei den Darstellungen ist berücksichtigt, dass die Asphäre entlang der optischen Achse verfahrbar ist und dementsprechend für jedes Setting eine eigene optimale Position angefahren werden kann.
  • Es ist erkennbar, dass aufgrund der fehlenden Blende am Stabeintritt die Pupillenfüllung vor allem für kleinere Settings deutlich besser ist, dementsprechend steigt die Intensität für das kleinste Setting um ca. 70% an, für das größte Setting sind immerhin Steigerungen um ca. 7% erzielbar. Neben der Erhöhung der Gesamttransmission des Systems nimmt auch die Settingabhängigkeit der Intensität deutlich ab, wobei sich das Verhältnis zwischen Minimum und Maximum der Intensität über die Settings von ca. 2,6 auf ca. 1,7 reduziert. Wird die Vormischeinheit mit der Asphäre in Lampennähe kombiniert, so steigen die Intensitäten insbesondere für kleine Settings noch einmal deutlich an, während für größere Settings keine signifikanten Änderungen mehr erzielbar sind. Die Variation der Intensität über die Settings nimmt damit weiter ab, so dass sich Minimum und Maximum der Intensität nur noch um einen Faktor von ca. 1,5 unterscheiden.

Claims (17)

  1. Beleuchtungseinrichtung zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes mit dem Licht einer primären Lichtquelle, insbesondere Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, die mit einer Quecksilber-Hochdrucklampe als primärer Lichtquelle arbeitet, mit einer optischen Achse (16); und einer Integratoreinheit (40) zur Durchmischung von Licht der primären Lichtquelle (11); wobei die Integratoreinheit mindestens einen quaderförmigen Integratorstab (42) mit einer rechteckförmigen Eintrittsfläche (43) und vier senkrecht zueinander und parallel zur optischen Achse (16) ausgerichteten, reflektierenden Seitenflächen (45 bis 48) aufweist; gekennzeichnet durch mindestens eine vor der Eintrittsfläche (43) angeordnete Vormischeinheit (50) mit mindestens einer schräg zu den Seitenflächen (45 bis 48) verlaufenden Reflexionsfläche (156 bis 159).
  2. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 1, bei der eine Vielzahl von, vorzugsweise ebenen, schrägen Reflexionsflächen (156 bis 159) vorgesehen ist, insbesondere eine gerade Anzahl von mindestens vier schrägen Reflexionsflächen.
  3. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Vormischeinheit (50, 50'') eine quaderförmige Stabanordnung mit einer Vielzahl von aneinandergrenzenden Integratorstäbchen (151 bis 155) aufweist, die die Querschnittsfläche der Stabanordnung vorzugsweise im wesentlichen vollständig ausfüllen.
  4. Beleuchtungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Vormischeinheit (50, 50'') einen dem Querschnitt der Eintrittsfläche (43) entsprechenden Querschnitt hat.
  5. Beleuchtungseinrichtung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, bei dem die Stabanordnung mindestens zwei komplementäre, im Querschnitt im wesentlichen keilförmige Integratorstäbchen (152 bis 155) aufweist, die sich zu einem im Querschnitt rechteckigen Stäbchenpaar ergänzen.
  6. Beleuchtungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Vormischeinheit (50, 50') einen zur optischen Achse zentrierten oder zentrierbaren Integratorstab (151, 151') mit quadratischem Querschnitt aufweist.
  7. Beleuchtungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der Integratorstab (42) und die Vormischeinheit (50) aus einem für das UV-Licht transparenten Material gefertigt sind, insbesondere aus synthetischem Quarzglas.
  8. Beleuchtungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Vormischeinheit (50, 50'') eine Stabanordnung mit einer Vielzahl von aneinandergrenzenden Integratorstäbchen aufweist, wobei zwischen benachbarten Seitenflächen der Integratorstäbchen geringe Abstände zur Ermöglichung von Totalreflexion vorgesehen sind.
  9. Beleuchtungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die primäre Lichtquelle (11) eine endliche Ausdehnung und einen großen Abstrahlwinkel hat und in einem ersten Brennpunkt eines elliptischen Spiegels (12) angeordnet ist, wobei zwischen der primären Lichtquelle (11) und einem zweiten Brennpunkt (13) des elliptischen Spiegels (12) mindestens ein asphäri sches optisches Element (15) mit mindestens einer asphärischen Fläche (92) angeordnet ist.
  10. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 9, bei der die asphärische Fläche (92) derart gestaltet ist, dass Schwerstrahlen (90) der von der primären Lichtquelle (11) angegebenen Strahlung hinter dem asphärischen optischen Element (15) im wesentlichen auf einen gemeinsamen Punkt der optischen Achse (16), insbesondere auf den zweiten Brennpunkt (13) des elliptischen Spiegels, gerichtet sind.
  11. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 9 oder 10, bei der das asphärische optische Element (15) entlang der optischen Achse (16) verschiebbar ist.
  12. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 11, bei der eine Steuereinrichtung zur Verschiebung des asphärischen optischen Elements (16) vorgesehen ist, die derart konfiguriert ist, dass das asphärische optische Element in Abhängigkeit von einem eingestellten Beleuchtungssetting derart positionierbar ist, dass Schwerstrahlen der von der primären Lichtquelle abgegebenen Strahlung hinter dem asphärischen optischen Element im wesentlichen auf einen gemeinsamen Punkt der optischen Achse, insbesondere den zweiten Brennpunkt des elliptischen Spiegels, gerichtet sind.
  13. Beleuchtungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der ein Eintrittsbereich unmittelbar vor der Eintrittsfläche der Integratoreinheit frei von Blenden ist.
  14. Integratoreinheit zur Durchmischung von Licht einer primären Lichtquelle (11), insbesondere für eine Beleuchtungseinrichtung einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, die mit einer Quecksilber-Hochdrucklampe als primäre Lichtquelle arbeitet, mit einer optischen Achse (16); und mindestens einem quaderförmigen Integratorstab (42) mit einer rechteckförmigen Eintrittsfläche (43) und vier senkrecht zueinander und parallel zur optischen Achse (16) ausgerichteten, reflektierenden Seitenflächen (45 bis 48); gekennzeichnet durch mindestens eine vor der Eintrittsfläche (43) angeordnete Vormischeinheit (50) mit mindestens einer schräg zu den Seitenflächen (45 bis 48) verlaufenden Reflexionsfläche (156 bis 159).
  15. Integratoreinheit nach Anspruch 14, gekennzeichnet durch mindestens ein Merkmal des kennzeichnenden Teils von mindestens einem der Ansprüche 2 bis 8 oder 13.
  16. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen mit folgenden Schritten: Beleuchtung eines in einer Objektebene eines Projektionsobjektivs angeordneten Retikels mit Hilfe einer Beleuchtungseinrichtung, die zur Durchmischung von Licht einer primären Lichtquelle eine Integratoreinheitumfasst; Erzeugung eines Bild des Retikels auf einem lichtempfindlichen Substrat; wobei der Schritt der Beleuchtung eine azimutale Durchmischung von Licht der primären Lichtquelle umfasst.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, bei dem die Integratoreinheit mindestens einen quaderförmigen Integratorstab umfasst und die azimutale Durchmischung im Lichtweg vor dem Integratorstab erfolgt.
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