JP2002222799A - Plasma treatment device and its cleaning method, and discharging method of electrostatic chuck - Google Patents
Plasma treatment device and its cleaning method, and discharging method of electrostatic chuckInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）用のガラス基板等の被処理基板に対してドライエ
ッチング等のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置およ
びそれに用いられるクリーニング方法および静電チャッ
クの除電方法に関する。The present invention relates to a liquid crystal display (L).
The present invention relates to a plasma processing apparatus for performing plasma processing such as dry etching on a substrate to be processed such as a glass substrate for CD), a cleaning method used for the plasma processing apparatus, and a method for removing electricity from an electrostatic chuck.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、ＬＣＤ製造プロセスにおいて
は、被処理基板であるガラス製のＬＣＤ基板に対して、
ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相
成長）等のプラズマ処理が多用されている。2. Description of the Related Art For example, in an LCD manufacturing process, a glass LCD substrate as a substrate to be processed is
Plasma processing such as dry etching, sputtering, and CVD (chemical vapor deposition) is frequently used.
【０００３】このようなプラズマ処理においては、チャ
ンバー内に一対の平行平板電極（上部および下部電極）
を配置し、下部電極として機能するサセプタ（載置台）
にＬＣＤガラス基板を載置し、処理ガスをチャンバー内
に導入するとともに、サセプタに高周波を印加して電極
間に高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガ
スのプラズマを形成して被処理基板に対してプラズマ処
理を施す装置が知られている。そして、ＬＣＤガラス基
板をサセプタに吸着する機構としてセラミックス等の誘
電体部材の内部に電極を配置し電極に直流電圧を印加し
てクーロン力等の静電力によりＬＣＤガラス基板を吸着
する静電チャックが多用されている。In such plasma processing, a pair of parallel plate electrodes (upper and lower electrodes) are provided in a chamber.
And a susceptor (mounting table) that functions as a lower electrode
An LCD glass substrate is placed on the substrate, a processing gas is introduced into the chamber, a high frequency electric field is applied to the susceptor to form a high frequency electric field between the electrodes, and a plasma of the processing gas is formed by the high frequency electric field. There is known an apparatus for performing a plasma process on a workpiece. Then, as a mechanism for adsorbing the LCD glass substrate to the susceptor, an electrostatic chuck that adsorbs the LCD glass substrate by electrostatic force such as Coulomb force by arranging electrodes inside a dielectric member such as ceramics and applying a DC voltage to the electrodes. It is heavily used.
【０００４】下部電極としてのサセプタの材料としては
アルミニウム等の金属が多用されているが、アルミニウ
ム等は熱膨張係数が大きいため、サセプタを比較的高い
温度で温調する必要がある場合には、サセプタと静電チ
ャックの誘電体部材との間の熱膨張差が問題となり、誘
電体部材が熱膨張係数の小さいセラミックスの場合には
それらの熱膨張差に起因して、誘電体部材が割れてしま
うおそれがある。特に、近時、ＬＣＤガラス基板に対し
て一層の大型化の要求が高まっており、一辺が１ｍを超
えるような巨大なものが出現しており、熱膨張差に起因
する誘電体部材の割れが大きな問題となる。As a material of the susceptor as the lower electrode, a metal such as aluminum is frequently used. However, since aluminum or the like has a large coefficient of thermal expansion, when it is necessary to control the temperature of the susceptor at a relatively high temperature, The difference in thermal expansion between the susceptor and the dielectric member of the electrostatic chuck becomes a problem. When the dielectric member is made of ceramics having a small coefficient of thermal expansion, the dielectric member is cracked due to the difference in thermal expansion. There is a possibility that it will. In particular, recently, there has been an increasing demand for a larger LCD glass substrate, and a huge LCD glass substrate having a side exceeding 1 m has appeared. It is a big problem.
【０００５】そこで、このような問題を回避するため
に、サセプタとして熱膨張係数が小さいカーボンを使用
している。これにより、熱膨張差に起因する誘電体部材
の割れを回避することができる。Therefore, in order to avoid such a problem, carbon having a small coefficient of thermal expansion is used as a susceptor. Thereby, cracking of the dielectric member due to the difference in thermal expansion can be avoided.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、エッチング
プロセス等では、処理ガスとして酸素ガスを使用する場
合が多いが、カーボンは酸素と反応しやすいため、処理
中にサセプタが腐食される。そのため、カーボンは、酸
素ガスを用いるプロセスでの使用は困難であり、酸素を
用いないプロセスに制限される。また、カーボンは表面
が粉状になりやすくこれがパーティクルとなって処理に
悪影響を及ぼすおそれがある。In an etching process or the like, an oxygen gas is often used as a processing gas. However, susceptors are corroded during the processing because carbon easily reacts with oxygen. Therefore, it is difficult to use carbon in a process using oxygen gas, and carbon is limited to a process using no oxygen gas. Further, the surface of carbon tends to be powdery, which may become particles, which may adversely affect the treatment.
【０００７】また、サセプタには、サセプタに載置され
たＬＣＤガラス基板を精度良く温調するために、熱伝達
用のガス、例えばＨｅガスを基板の裏面側に流すための
ガス吐出孔が設けられているが、クリーニングや処理後
の静電チャックの除電等、サセプタ上にＬＣＤガラス基
板が載置されない状態でプラズマを形成する場合には、
サセプタのガス吐出孔にプラズマが入り込み腐食作用を
受けるため、サセプタの材質にかかわらずガス吐出孔の
内壁の腐食が生じてしまう。Further, the susceptor is provided with a gas discharge hole for flowing a heat transfer gas, for example, He gas, to the back surface of the substrate in order to accurately control the temperature of the LCD glass substrate mounted on the susceptor. However, when plasma is formed in a state where the LCD glass substrate is not placed on the susceptor, such as cleaning or static elimination of the electrostatic chuck after processing,
Since the plasma enters the gas discharge hole of the susceptor and is subjected to a corrosive action, the inner wall of the gas discharge hole is corroded regardless of the material of the susceptor.
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、被処理基板を載置する基板載置台にカーボン
を用いた場合に、酸素ガスによる腐食が生じ難くかつパ
ーティクルが生じ難いプラズマ処理装置を提供すること
を目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and when carbon is used for a substrate mounting table on which a substrate to be processed is mounted, plasma processing is hardly caused by oxygen gas and particles are hardly generated. It is intended to provide a device.
【０００９】また、プラズマ処理装置における基板載置
台をプラズマによりクリーニングする際に基板載置台を
腐食させ難いクリーニング方法を提供することを目的と
する。Another object of the present invention is to provide a cleaning method in which a substrate mounting table in a plasma processing apparatus is hardly corroded when cleaning the substrate mounting table with plasma.
【００１０】さらに、プラズマ処理装置において処理後
に静電チャックを除電プラズマにより除電する際に基板
載置台を腐食させ難い除電方法を提供することを目的と
する。It is a further object of the present invention to provide a static elimination method in which the substrate mounting table is hardly corroded when the electrostatic chuck is neutralized with static elimination plasma after processing in the plasma processing apparatus.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、被処理基板が収容されるチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板を載置する基板載置台
と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供
給手段と、前記チャンバー内に処理ガスのプラズマを生
成するプラズマ生成手段とを具備し、前記基板載置台
は、カーボン基材の上面にセラミックス製の静電チャッ
クが配置され、かつカーボン基材の周囲に耐食性膜が被
覆されてなることを特徴とするプラズマ処理装置を提供
する。According to the present invention, there is provided a chamber for accommodating a substrate to be processed,
A substrate mounting table for mounting a substrate to be processed in the chamber, a processing gas supply unit that supplies a processing gas into the chamber, and a plasma generation unit that generates a plasma of a processing gas in the chamber. The substrate mounting table provides a plasma processing apparatus, wherein a ceramic electrostatic chuck is disposed on an upper surface of a carbon substrate, and a corrosion-resistant film is coated around the carbon substrate.
【００１２】前記基板載置台がその下方から表面に向け
てガスを供給するガス供給孔を有する場合には、前記カ
ーボン基材におけるガス供給孔の内壁にも耐食性膜が被
覆されていることが好ましい。また、前記カーボン基材
は、プラズマ形成用電極として機能するものであっても
よい。When the substrate mounting table has a gas supply hole for supplying a gas from below to the surface, it is preferable that the inner wall of the gas supply hole in the carbon substrate is also coated with a corrosion-resistant film. . Further, the carbon base material may function as an electrode for plasma formation.
【００１３】また、本発明は、被処理基板が収容される
チャンバーと、前記チャンバー内に配置され、被処理基
板を載置するとともに下部電極として機能する基板載置
台と、前記基板載置台に対向して設けられた上部電極
と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供
給手段と、前記基板載置台または上部電極に高周波電力
を印加する高周波電源とを具備し、前記高周波電源から
の高周波電力により処理ガスのプラズマを形成し、被処
理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であっ
て、前記基板載置台は、カーボン基材の上面にセラミッ
クス製の静電チャックが配置されるとともに、その下方
から表面に向けてガスを供給するガス供給孔が形成さ
れ、前記カーボン基材の周囲および前記カーボン基材に
おけるガス供給孔の内壁に耐食性膜が被覆されてなるこ
とを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。The present invention also provides a chamber for accommodating a substrate to be processed, a substrate mounting table which is disposed in the chamber and mounts the substrate to be processed, and functions as a lower electrode. An upper electrode, a processing gas supply means for supplying a processing gas into the chamber, and a high-frequency power supply for applying high-frequency power to the substrate mounting table or the upper electrode. A plasma processing apparatus that forms a plasma of a processing gas by electric power and performs a plasma processing on a substrate to be processed, wherein the substrate mounting table has a ceramic electrostatic chuck disposed on an upper surface of a carbon base material. A gas supply hole for supplying gas from below toward the surface is formed, and the periphery of the carbon substrate and the inner wall of the gas supply hole in the carbon substrate To provide a plasma processing apparatus characterized by corrosion resistance film is coated.
【００１４】上記いずれのプラズマ処理装置において
も、耐食性膜はポリイミドで形成されていることが好ま
しい。In any of the above plasma processing apparatuses, the corrosion resistant film is preferably formed of polyimide.
【００１５】以上のような本発明に係るプラズマ処理装
置によれば、酸素ガスと反応しやすいカーボン基材の周
囲にポリイミド等の耐食性膜を被覆したのでカーボン基
材の酸素ガスによる腐食の問題およびカーボン基材が粉
状となってパーティクルとなることを防止することがで
きる。According to the plasma processing apparatus of the present invention as described above, since the corrosion-resistant film of polyimide or the like is coated around the carbon substrate which easily reacts with oxygen gas, the problem of corrosion of the carbon substrate by oxygen gas can be solved. It is possible to prevent the carbon base material from becoming powder and becoming particles.
【００１６】そして、基板載置台がその下方から表面に
向けてガスを供給するガス供給孔を有する場合に、前記
カーボン基材におけるガス供給孔の内壁にも耐食性膜が
被覆されることにより、基板載置台に被処理基板が存在
しない場合等におけるガス供給孔の内壁の腐食を抑制す
ることができる。このようなガス供給孔内壁への耐食性
膜の被覆はスプレーにより比較的容易に行うことができ
る。When the substrate mounting table has a gas supply hole for supplying a gas from below to the surface, the inner wall of the gas supply hole in the carbon base material is also coated with a corrosion-resistant film, whereby Corrosion of the inner wall of the gas supply hole when the substrate to be processed does not exist on the mounting table can be suppressed. The coating of the corrosion-resistant film on the inner wall of the gas supply hole can be relatively easily performed by spraying.
【００１７】さらに本発明は、被処理基板が収容される
チャンバーと、前記チャンバー内で被処理基板を載置す
るとともに、その下方から表面に向けてガスを供給する
ガス供給孔が形成された基板載置台と、前記チャンバー
内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チャ
ンバー内に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成
手段とを具備するプラズマ処理装置において前記チャン
バー内をクリーニングするクリーニング方法であって、
前記基板載置台に基板を載置しない状態で前記ガス供給
孔からガスを吐出させながらプラズマにより前記チャン
バー内をクリーニングすることを特徴とするクリーニン
グ方法を提供する。Further, the present invention provides a chamber in which a substrate to be processed is accommodated, and a substrate in which a substrate to be processed is placed in the chamber and a gas supply hole for supplying a gas from below to the surface is formed. A cleaning method for cleaning the inside of the chamber in a plasma processing apparatus including a mounting table, a processing gas supply unit configured to supply a processing gas into the chamber, and a plasma generation unit configured to generate a plasma of the processing gas in the chamber. So,
A cleaning method is provided in which the inside of the chamber is cleaned by plasma while discharging a gas from the gas supply hole in a state where the substrate is not mounted on the substrate mounting table.
【００１８】さらにまた本発明は、被処理基板が収容さ
れるチャンバーと、前記チャンバー内で被処理基板を載
置するとともに、その下方から表面に向けてガスを供給
するガス供給孔が形成され、かつ被処理基板を静電吸着
する静電チャックを有する基板載置台と、前記チャンバ
ー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チ
ャンバー内に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生
成手段とを具備するプラズマ処理装置において処理終了
後に静電チャックを除電する静電チャックの除電方法で
あって、処理終了後に静電チャックの直流電源をオフに
する工程と、前記処理ガス供給手段から前記チャンバー
内に除電用のガスを供給してプラズマを形成する工程
と、その後被処理基板を前記基板載置台から上昇させる
工程と、前記ガス供給孔からガスを吐出させる工程とを
具備することを特徴とする静電チャックの除電方法を提
供する。Still further, according to the present invention, a chamber for accommodating a substrate to be processed and a gas supply hole for supplying the gas from below to the surface while the substrate to be processed is placed in the chamber are formed, A substrate mounting table having an electrostatic chuck for electrostatically adsorbing a substrate to be processed, processing gas supply means for supplying a processing gas into the chamber, and plasma generation means for generating a plasma of the processing gas in the chamber. A method for removing static electricity from an electrostatic chuck after processing is completed in a plasma processing apparatus provided, comprising: turning off a DC power supply of the electrostatic chuck after processing is completed; Forming a plasma by supplying a gas for static elimination to the substrate; then, elevating the substrate to be processed from the substrate mounting table; Provides a neutralization method of the electrostatic chuck, characterized by comprising a step of discharging gas from the hole.
【００１９】このようなクリーニング方法および静電チ
ャックの除電方法において、前記載置台は、カーボン基
材の上面にセラミックス製の静電チャックが配置される
とともに、前記カーボン基材の周囲および前記カーボン
基材におけるガス供給孔の内壁に耐食性膜が被覆されて
なるものであることが好ましい。In such a cleaning method and a static elimination method for an electrostatic chuck, the mounting table may include a ceramic electrostatic chuck disposed on an upper surface of a carbon substrate, and the periphery of the carbon substrate and the carbon substrate. It is preferable that the inner wall of the gas supply hole in the material is coated with a corrosion resistant film.
【００２０】このような本発明に係るクリーニング方法
および除電方法によれば、基板載置台に被処理基板が載
置されていない状態でプラズマを形成するが、その際に
ガス供給孔からガスを吐出させるため、ガス供給孔にプ
ラズマが侵入し難くなり、ガス供給孔の内壁の腐食を有
効に防止することができる。According to the cleaning method and the static elimination method according to the present invention, plasma is formed in a state where the substrate to be processed is not mounted on the substrate mounting table. At this time, gas is discharged from the gas supply holes. This makes it difficult for plasma to enter the gas supply hole, and effectively prevents corrosion of the inner wall of the gas supply hole.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施
形態に係るＬＣＤガラス基板用のプラズマエッチング装
置を模式的に示す断面図、図２はその装置のサセプタ周
辺を拡大して示す断面図である。このプラズマエッチン
グ装置１は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装
置として構成されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a plasma etching apparatus for an LCD glass substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a susceptor and its periphery of the apparatus. This plasma etching apparatus 1 is configured as a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus.
【００２２】このプラズマエッチング装置１は、例えば
表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニ
ウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー２を有し
ており、このチャンバー２は接地されている。前記チャ
ンバー２内の底部には角板状の絶縁部材３が設けられて
おり、その上にはアルマイト処理（陽極酸化処理）され
たアルミニウムからなるサセプタ支持台４が設けられて
おり、その上にＬＣＤガラス基板（以下、単に基板とい
う）Ｇを載置するとともに下部電極として機能するサセ
プタ（基板載置台）５が設けられている。サセプタ支持
台４の内部には温調媒体通流路（図示せず）が設けられ
ており、この温調媒体通流路に温調水等の温調媒体を通
流させることによりサセプタ５を介して基板Ｇを所定温
度に制御するようになっている。The plasma etching apparatus 1 has a chamber 2 formed into a rectangular cylindrical shape made of, for example, aluminum whose surface is anodized (anodized), and the chamber 2 is grounded. A square plate-shaped insulating member 3 is provided at the bottom in the chamber 2, and a susceptor support 4 made of alumite-treated (anodized) aluminum is provided thereon. A susceptor (substrate mounting table) 5 on which an LCD glass substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) G is mounted and which functions as a lower electrode is provided. A temperature control medium passage (not shown) is provided inside the susceptor support 4, and the susceptor 5 is made to flow by passing a temperature control medium such as temperature control water through the temperature control medium passage. The temperature of the substrate G is controlled to a predetermined temperature via the control unit.
【００２３】サセプタ５は、その上部中央が凸状の角柱
状をなしており、カーボンからなる基材５ａと、基材５
ａの上方に設けられたアルミナ等のセラミックスからな
る誘電体部材６と、基材５ａの誘電体部材６以外の周囲
に設けられた耐食性膜７とを有している。誘電体部材６
の中には電極６ａが埋設されており、誘電体部材６と電
極６ａとにより基板Ｇを静電吸着するための静電チャッ
ク８を構成している。電極６ａには給電線９を介して直
流電源１０が接続されている。サセプタ支持台４、サセ
プタ５、静電チャック８の外周には絶縁体からなるフォ
ーカスリング１１が設けられている。The susceptor 5 has a prismatic shape with its upper center formed in a convex shape.
a dielectric member 6 made of ceramics such as alumina provided above a, and a corrosion resistant film 7 provided around the base member 5a other than the dielectric member 6. Dielectric member 6
An electrode 6a is buried in the inside, and constitutes an electrostatic chuck 8 for electrostatically attracting the substrate G by the dielectric member 6 and the electrode 6a. A DC power supply 10 is connected to the electrode 6a via a power supply line 9. A focus ring 11 made of an insulator is provided around the susceptor support 4, the susceptor 5, and the electrostatic chuck 8.
【００２４】サセプタ５および誘電体部材６には、これ
らを貫通して垂直に伸びる複数のガス供給孔３２が設け
られている。また、サセプタ支持台４の中央には垂直に
ガス通流孔３４が設けられており、このガス通流孔３４
はガス配管３５を介して熱伝達ガス供給機構３６に接続
されている。サセプタ支持台４とサセプタ５との間には
ガス溜まり３３が設けられており、上記ガス供給孔３２
はこのガス溜まり３３から上方へ延びている。これによ
り、Ｈｅガス等の熱伝達ガスが熱伝達ガス供給機構３６
からガス配管３５およびガス通流孔３４を経てガス溜ま
り３３に至り、そこからガス供給孔３２を介してサセプ
タ５に載置された基板Ｇの裏面側に供給される。このよ
うに熱伝達ガスを基板Ｇの裏面に供給することにより、
サセプタ５を介しての基板Ｇの温度制御を高精度で行う
ことができる。そして、図２に示すように、このガス供
給孔３２の内面にも耐食性膜７が形成されている。The susceptor 5 and the dielectric member 6 are provided with a plurality of gas supply holes 32 extending vertically therethrough. A gas flow hole 34 is provided vertically in the center of the susceptor support 4.
Is connected to a heat transfer gas supply mechanism 36 via a gas pipe 35. A gas reservoir 33 is provided between the susceptor support 4 and the susceptor 5.
Extends upward from the gas reservoir 33. As a result, the heat transfer gas such as He gas is supplied to the heat transfer gas supply mechanism 36.
The gas reaches the gas reservoir 33 via the gas pipe 35 and the gas flow hole 34, and is supplied from there to the back surface of the substrate G mounted on the susceptor 5 via the gas supply hole 32. By supplying the heat transfer gas to the back surface of the substrate G in this manner,
The temperature control of the substrate G via the susceptor 5 can be performed with high accuracy. Then, as shown in FIG. 2, a corrosion resistant film 7 is also formed on the inner surface of the gas supply hole 32.
【００２５】耐食性膜７としては、プラズマに対する耐
食性を有していればよく、その材料は問わないが、比較
的高い耐食性が得られ、かつ形成しやすいという観点か
らは樹脂が好ましく、その中でもポリイミドが特に好ま
しい。また、この耐食性膜７の形成方法も特に限定され
ず、溶射や塗布、スプレー等種々の方法を採用すること
ができるが、ガス供給孔３２の内面に均一にコーティン
グする観点からスプレーが好ましい。塗布やスプレーの
場合にはコーティング後に２５０℃程度に加熱して溶剤
等を揮散させることにより膜を形成することができる。The corrosion-resistant film 7 may be any material as long as it has corrosion resistance to plasma. The material is not limited, but a resin is preferable from the viewpoint of obtaining relatively high corrosion resistance and being easy to form. Is particularly preferred. The method for forming the corrosion resistant film 7 is not particularly limited, and various methods such as thermal spraying, coating, and spraying can be adopted. However, spraying is preferable from the viewpoint of uniformly coating the inner surface of the gas supply hole 32. In the case of application or spraying, a film can be formed by heating to about 250 ° C. after coating to evaporate a solvent or the like.
【００２６】サセプタ５には、高周波電力を供給するた
めの給電線１２が接続されており、この給電線１２には
整合器１３および高周波電源１４が接続されている。高
周波電源１４からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電
力がサセプタ５に供給される。A power supply line 12 for supplying high-frequency power is connected to the susceptor 5, and a matching device 13 and a high-frequency power supply 14 are connected to the power supply line 12. For example, 13.56 MHz high frequency power is supplied to the susceptor 5 from the high frequency power supply 14.
【００２７】サセプタ５の上方には、このサセプタ５と
平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド
１５が設けられている。このシャワーヘッド１５はチャ
ンバー２の上部に支持されており、内部に空間１７を有
するとともに、サセプタ５との対向面に処理ガスを吐出
する多数の吐出孔１８が形成されている。このシャワー
ヘッド１５は接地されており、サセプタ５とともに一対
の平行平板電極を構成している。Above the susceptor 5, a shower head 15 which functions in parallel with the susceptor 5 and functions as an upper electrode is provided. The shower head 15 is supported on the upper part of the chamber 2, has a space 17 therein, and has a large number of discharge holes 18 for discharging a processing gas on a surface facing the susceptor 5. The shower head 15 is grounded, and forms a pair of parallel plate electrodes together with the susceptor 5.
【００２８】シャワーヘッド１５の上面にはガス導入口
１９が設けられ、このガス導入口１９には、ガス供給管
２０が接続されており、このガス供給管２０には、バル
ブ２１、およびマスフローコントローラ２２を介して、
処理ガス供給源２３が接続されている。処理ガス供給源
２３からは、エッチング、クリーニング、静電チャック
の除電等のための処理ガスが供給される。処理ガスとし
ては、ハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス、Ｈｅガ
ス等、通常この分野で用いられるガスを用いることがで
きる。A gas inlet 19 is provided on the upper surface of the shower head 15, and a gas supply pipe 20 is connected to the gas inlet 19. The gas supply pipe 20 has a valve 21 and a mass flow controller. Via 22
A processing gas supply source 23 is connected. The processing gas supply source 23 supplies a processing gas for etching, cleaning, static elimination of the electrostatic chuck, and the like. As the processing gas, a gas usually used in this field, such as a halogen-based gas, an O 2 gas, an Ar gas, and a He gas, can be used.
【００２９】上記チャンバー２の側壁底部には排気管２
４が接続されており、この排気管２４には排気装置２５
が接続されている。排気装置２５はターボ分子ポンプな
どの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２
内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成さ
れている。また、チャンバー２の側壁には基板搬入出口
２６と、この基板搬入出口２６を開閉するゲートバルブ
２７が設けられており、このゲートバルブ２７を開にし
た状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せず）
との間で搬送されるようになっている。An exhaust pipe 2 is provided at the bottom of the side wall of the chamber 2.
The exhaust pipe 24 is connected to an exhaust device 25.
Is connected. The exhaust device 25 is provided with a vacuum pump such as a turbo molecular pump, and
It is configured such that the inside can be evacuated to a predetermined reduced-pressure atmosphere. Further, a substrate loading / unloading port 26 and a gate valve 27 for opening and closing the substrate loading / unloading port 26 are provided on the side wall of the chamber 2, and a load lock chamber (to which the substrate G is adjacent when the gate valve 27 is opened). (Not shown)
And is transported between them.
【００３０】次に、このように構成されたプラズマエッ
チング装置１における処理動作について説明する。ま
ず、被処理体である基板Ｇは、ゲートバルブ２７が開放
された後、図示しないロードロック室から基板搬入出口
２６を介してチャンバー２内へと搬入され、サセプタ５
上に載置される。この場合に、基板Ｇの受け渡しはサセ
プタ５の内部を挿通しサセプタ５から突出可能に設けら
れたリフターピン（図示せず）によって行われる。その
後、ゲートバルブ２７が閉じられ、排気装置２５によっ
て、チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされ
る。Next, the processing operation in the plasma etching apparatus 1 configured as described above will be described. First, after the gate valve 27 is opened, the substrate G to be processed is loaded into the chamber 2 from the load lock chamber (not shown) through the substrate loading / unloading port 26, and the susceptor 5
Placed on top. In this case, the transfer of the substrate G is performed by a lifter pin (not shown) provided so as to pass through the inside of the susceptor 5 and protrude from the susceptor 5. Thereafter, the gate valve 27 is closed, and the inside of the chamber 2 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the exhaust device 25.
【００３１】その後、バルブ２１が開放されて、処理ガ
ス供給源２３からエッチングのための所定の処理ガス、
例えばＦ含有ガスおよびＯ２ガスがマスフローコントロ
ーラ２２によってその流量が調整されつつ、ガス供給管
２０、ガス導入口１９を通ってシャワーヘッド１５の内
部空間１７へ導入され、さらに吐出孔１８を通って基板
Ｇに対して均一に吐出され、チャンバー２内の圧力が所
定の値に維持される。Thereafter, the valve 21 is opened and a predetermined processing gas for etching is supplied from the processing gas supply source 23.
For example, the F-containing gas and the O 2 gas are introduced into the internal space 17 of the shower head 15 through the gas supply pipe 20 and the gas inlet 19 while the flow rates thereof are adjusted by the mass flow controller 22, and further through the discharge holes 18. The liquid is uniformly discharged onto the substrate G, and the pressure in the chamber 2 is maintained at a predetermined value.
【００３２】そして、高周波電源１４から整合器１３を
介して高周波電力がサセプタ５に印加され、これによ
り、下部電極としてのサセプタ５と上部電極としてのシ
ャワーヘッド１５との間に高周波電界が生じ、処理ガス
が解離してプラズマ化される。このとき静電チャック８
の電極６ａには直流電圧が印加されており、基板Ｇは静
電吸着されている。この状態で、プラズマにより基板Ｇ
に形成された所定の膜に対してエッチング処理が施され
る。Then, high-frequency power is applied to the susceptor 5 from the high-frequency power supply 14 via the matching unit 13, whereby a high-frequency electric field is generated between the susceptor 5 as a lower electrode and the shower head 15 as an upper electrode, The processing gas is dissociated and turned into plasma. At this time, the electrostatic chuck 8
A DC voltage is applied to the electrode 6a, and the substrate G is electrostatically attracted. In this state, the substrate G
An etching process is performed on the predetermined film formed on the substrate.
【００３３】このエッチング処理の際に基板Ｇの温度を
比較的高く制御する場合には、サセプタ５の温度も高い
ため、サセプタがアルミニウムのような金属製の場合に
はアルミナ等のセラミックスからなる誘電体部材６との
間に大きな熱膨張差が生じ、これによって誘電体部材６
に割れ等が発生しやすくなるが、本実施形態ではサセプ
タ５の基材５ａを熱膨張係数の小さい、つまりセラミッ
クスからなる誘電体部材６の熱膨張係数に近い熱膨張係
数をもつカーボンとしているため、このような問題は生
じない。When the temperature of the substrate G is controlled to be relatively high during the etching process, the temperature of the susceptor 5 is also high. Therefore, when the susceptor is made of a metal such as aluminum, a dielectric material made of ceramics such as alumina is used. A large difference in thermal expansion occurs between the dielectric member 6 and the body member 6.
In the present embodiment, the base material 5a of the susceptor 5 is made of carbon having a small thermal expansion coefficient, that is, carbon having a thermal expansion coefficient close to that of the dielectric member 6 made of ceramics. Such a problem does not occur.
【００３４】しかし、カーボンはエッチングの際の処理
ガスとして用いるＯ２ガスとの間の反応性が高いため、
カーボンをサセプタとしてそのまま用いると、Ｏ２を含
むプラズマに曝されることにより腐食して消耗してしま
う。これに対して、ここではサセプタ５としてカーボン
基材５ａの周囲にポリイミド等の耐食性膜７を被覆した
ので、カーボンのこのような不都合を回避することがで
きる。また、カーボンは粉状になりやすくパーティクル
の原因となるが、このように耐食性膜７を設けることに
よりパーティクルの発生を抑制することができる。However, since carbon has high reactivity with O 2 gas used as a processing gas at the time of etching,
If carbon is used as it is as a susceptor, it is corroded and consumed by exposure to plasma containing O 2 . On the other hand, here, since the susceptor 5 is covered with the corrosion-resistant film 7 such as polyimide around the carbon base material 5a, such disadvantages of carbon can be avoided. Further, carbon is likely to be powdery and causes particles, but by providing the corrosion resistant film 7 in this manner, generation of particles can be suppressed.
【００３５】また、通常のエッチング処理においては、
サセプタ５の上に基板Ｇが存在しているため、ガス供給
孔３２にプラズマがほとんど入り込まないが、その際に
プラズマの影響を全く受けないわけではなく、また、処
理終了後等、プラズマを形成した状態で基板Ｇを上昇さ
せる場合もあるから、ガス供給孔３２の内壁部分も処理
ガスやプラズマのアタックを受ける。本実施形態ではカ
ーボン基材５ａにおけるガス供給孔３２の内壁部分にも
耐食性膜７を形成したので、このような処理ガスやプラ
ズマのアタックがあった場合でもカーボン基材５ａの腐
食を抑制することができる。In a normal etching process,
Since the substrate G is present on the susceptor 5, the plasma hardly enters the gas supply holes 32, but this does not mean that the plasma is not affected at all, and the plasma is not formed at the end of the processing. In some cases, the substrate G may be lifted in this state, so that the inner wall of the gas supply hole 32 also receives the attack of the processing gas or the plasma. In the present embodiment, the corrosion-resistant film 7 is also formed on the inner wall portion of the gas supply hole 32 in the carbon base material 5a. Therefore, even if there is an attack of such a processing gas or plasma, the corrosion of the carbon base material 5a is suppressed. Can be.
【００３６】ところで、このようなプラズマエッチング
装置１では、サセプタ上のデポジション等をクリーニン
グするために、サセプタ５上に基板Ｇを載置せずにチャ
ンバー２内にプラズマを形成する場合がある。この場合
に、そのままの状態では、ガス供給孔３２の中にプラズ
マが入り込み、その内壁は長時間に亘ってプラズマに曝
されることとなるため、耐食性膜７も徐々に腐食してし
まう。By the way, in such a plasma etching apparatus 1, in order to clean the deposition on the susceptor, plasma may be formed in the chamber 2 without mounting the substrate G on the susceptor 5. In this case, the plasma enters into the gas supply holes 32 and the inner wall thereof is exposed to the plasma for a long time, so that the corrosion-resistant film 7 is gradually corroded.
【００３７】そこで、このようなことを防止するため
に、図３に示すように、クリーニング用のプラズマを発
生させている際に、ガス供給孔３２から上方へＨｅガス
等を吐出させておく。このガスの吐出流により、プラズ
マがガス供給孔３２内へ入り込むことが阻止され、ガス
供給孔３２の内壁のプラズマによる腐食が抑制される。
この場合に、Ｈｅガスに代えて、窒素やアルゴン等の他
の不活性ガスを吐出させてもよい。Therefore, in order to prevent such a situation, as shown in FIG. 3, He gas or the like is discharged upward from the gas supply holes 32 during the generation of the cleaning plasma. The discharge flow of the gas prevents the plasma from entering the gas supply hole 32, and suppresses the corrosion of the inner wall of the gas supply hole 32 due to the plasma.
In this case, another inert gas such as nitrogen or argon may be discharged instead of the He gas.
【００３８】エッチング処理が終了後、静電チャック８
を除電する必要がある。この除電の際の手順は、まず処
理終了後に静電チャック８の直流電源をオフにする。次
いで、処理ガス供給源２３からチャンバー２内に除電用
のガス、例えばＡｒガス、Ｎ２ガス、Ｏ２ガス等を供給
して除電用のプラズマを形成する。このように除電用の
プラズマを形成した後、除電効果を高める観点から図４
に示すようにリフトピン４０をアップして基板Ｇを上昇
させる。そして、ガス供給孔３２からＨｅガス等を吐出
させる。この場合にも何等対策を講じなければ上述した
クリーニングの場合と同様、ガス供給孔３２内にプラズ
マが侵入してその内壁の腐食が進行するが、このように
ガスを吐出させることによりプラズマがガス供給孔３２
内へ入り込むことが阻止される。特に、除電用ガスとし
てＯ２ガスを用いる場合には、カーボンとの反応性が高
いため、より効果が大きい。この場合にも、Ｈｅガスに
代えて、窒素やアルゴン等の他の不活性ガスを吐出させ
てもよい。After the etching process is completed, the electrostatic chuck 8
Must be removed. In the procedure of this static elimination, first, the DC power supply of the electrostatic chuck 8 is turned off after the processing is completed. Next, a charge removing gas, for example, an Ar gas, a N 2 gas, an O 2 gas, or the like is supplied from the processing gas supply source 23 into the chamber 2 to form a charge removing plasma. After forming the plasma for static elimination in this way, from the viewpoint of enhancing the static elimination effect, FIG.
Then, the lift pins 40 are raised to raise the substrate G as shown in FIG. Then, He gas or the like is discharged from the gas supply holes 32. In this case, if no countermeasures are taken, as in the case of the cleaning described above, the plasma enters the gas supply holes 32 and corrosion of the inner wall progresses. Supply hole 32
It is prevented from getting inside. In particular, when O 2 gas is used as the charge removing gas, the reactivity with carbon is high, so that the effect is greater. In this case, another inert gas such as nitrogen or argon may be discharged instead of the He gas.
【００３９】このようなクリーニングおよび除電の際に
ガス供給孔３２からガスを吐出させることによる効果
は、本実施形態のようにサセプタとしてカーボンを用い
る場合や、耐食性膜を形成する場合に限らず、ガス供給
孔が存在する場合の全てに対して発揮される。The effect of discharging the gas from the gas supply holes 32 at the time of such cleaning and static elimination is not limited to the case where carbon is used as a susceptor as in the present embodiment or the case where a corrosion resistant film is formed. This is exhibited in all cases where a gas supply hole is present.
【００４０】次に、サセプタの変形例について説明す
る。上記実施形態では、サセプタ５はカーボン基材５ａ
の上に誘電体部材６を設け、その中に電極６ａを埋設し
て静電チャック８を構成したが、図５に示すように静電
チャックの電極としても機能するカーボン基材５ａ′を
設け、このカーボン基材５ａ′に直流電源１０および高
周波電源１４を接続し、カーボン基材５ａ′の上には電
極が埋設されないセラミックスからなる誘電体部材６′
を配置するようにして静電チャック８′を構成したサセ
プタ５′とすることもできる。この場合に、静電チャッ
ク８′の給電線９の途中にはローパスフィルター４１が
設けられており、高周波電力を供給するための給電線１
２の途中にはハイパスフィルター４２が設けられてい
る。Next, a modified example of the susceptor will be described. In the above embodiment, the susceptor 5 is made of the carbon base material 5a.
A dielectric member 6 is provided thereon, and an electrode 6a is buried in the dielectric member 6 to form an electrostatic chuck 8. As shown in FIG. 5, a carbon base material 5a 'which also functions as an electrode of the electrostatic chuck is provided. A DC power source 10 and a high-frequency power source 14 are connected to the carbon substrate 5a ', and a dielectric member 6' made of ceramics having no electrodes embedded on the carbon substrate 5a '.
May be arranged to form a susceptor 5 ′ having an electrostatic chuck 8 ′. In this case, a low-pass filter 41 is provided in the middle of the power supply line 9 of the electrostatic chuck 8 ', and the power supply line 1 for supplying high-frequency power is provided.
In the middle of 2, a high-pass filter 42 is provided.
【００４１】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態
では下部電極に高周波電力を印加するＲＩＥタイプの容
量結合型平行平板プラズマエッチング装置を示したが、
エッチング装置に限らず、スパッタリングや、ＣＶＤ成
膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができる
し、上部電極に高周波電力を供給するタイプであって
も、また容量結合型に限らず誘導結合型であってもよ
い。また、サセプタに熱伝達ガスを供給するガス供給孔
が形成されていない場合であっても適用可能である。さ
らに、被処理基板としてＬＣＤガラス基板を例にとって
説明したが、半導体ウエハ等他の基板であってもよい。The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the RIE type capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus that applies high frequency power to the lower electrode has been described.
The present invention can be applied not only to the etching apparatus but also to other plasma processing apparatuses such as sputtering and CVD film formation. Even if it is a type that supplies high-frequency power to the upper electrode, it is not limited to the capacitive coupling type, but may be an inductive coupling type. It may be a type. Further, the present invention is applicable even when the gas supply hole for supplying the heat transfer gas to the susceptor is not formed. Furthermore, although an LCD glass substrate has been described as an example of the substrate to be processed, another substrate such as a semiconductor wafer may be used.
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプラ
ズマ処理装置によれば、酸素ガスと反応しやすいカーボ
ン基材の周囲にポリイミド等の耐食性膜を被覆したので
カーボン基材の酸素ガスによる腐食の問題およびカーボ
ン基材が粉状となってパーティクルとなることを防止す
ることができる。そして、基板載置台がその下方から表
面に向けてガスを供給するガス供給孔を有する場合に、
前記カーボン基材におけるガス供給孔の内壁にも耐食性
膜が被覆されることにより、基板載置台に被処理基板が
存在しない場合等におけるガス供給孔の内壁の腐食を抑
制することができる。As described above, according to the plasma processing apparatus of the present invention, the carbon base material that easily reacts with oxygen gas is coated with a corrosion-resistant film such as polyimide. It is possible to prevent the problem of corrosion and the carbon base material from becoming powdery and becoming particles. And when the substrate mounting table has a gas supply hole for supplying gas from below to the surface,
By coating the inner wall of the gas supply hole in the carbon base material with the corrosion-resistant film, it is possible to suppress corrosion of the inner wall of the gas supply hole when the substrate to be processed does not exist on the substrate mounting table.
【００４３】また、本発明に係るクリーニング方法およ
び除電方法によれば、基板載置台に被処理基板が載置さ
れていない状態でプラズマを形成するが、その際にガス
供給孔からガスを吐出させるため、ガス供給孔にプラズ
マが侵入し難くなり、ガス供給孔の内壁の腐食を有効に
防止することができる。According to the cleaning method and the static elimination method of the present invention, plasma is formed in a state where the substrate to be processed is not mounted on the substrate mounting table. At this time, the gas is discharged from the gas supply holes. Therefore, it is difficult for plasma to enter the gas supply hole, and corrosion of the inner wall of the gas supply hole can be effectively prevented.
【図１】本発明の一実施形態に係るＬＣＤガラス基板用
のプラズマエッチング装置を模式的に示す断面図FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a plasma etching apparatus for an LCD glass substrate according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のプラズマエッチング装置における、サセ
プタ周辺を拡大して示す断面図。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a periphery of a susceptor in the plasma etching apparatus of FIG. 1;
【図３】本発明のクリーニング方法の一例を説明するた
めに図１のプラズマエッチング装置のサセプタ周辺を拡
大して示す図。FIG. 3 is an enlarged view showing the vicinity of a susceptor of the plasma etching apparatus of FIG. 1 for explaining an example of the cleaning method of the present invention.
【図４】本発明の静電チャックの除電方法の一例を説明
するために図１のプラズマエッチング装置のサセプタ周
辺を拡大して示す図。FIG. 4 is an enlarged view showing a periphery of a susceptor of the plasma etching apparatus of FIG. 1 for explaining an example of a method for removing static electricity from the electrostatic chuck of the present invention.
【図５】本発明の他の実施形態に係るＬＣＤガラス基板
用のプラズマエッチング装置を部分的に示す断面図。FIG. 5 is a sectional view partially showing a plasma etching apparatus for an LCD glass substrate according to another embodiment of the present invention.
１；プラズマエッチング装置 ２；チャンバー ５，５′；サセプタ（基板載置台） ５ａ，５ａ′；カーボン基材 ６，６′；誘電体部材 ６ａ；電極 ７；耐食性膜 ８，８′；静電チャック １４；高周波電源 １５；シャワーヘッド ２３；処理ガス供給源 ３２；ガス供給孔 ３６；熱伝達ガス供給機構 Ｇ；ＬＣＤガラス基板（被処理基板） Reference Signs List 1: plasma etching apparatus 2: chamber 5, 5 '; susceptor (substrate mounting table) 5a, 5a'; carbon base material 6, 6 '; dielectric member 6a; electrode 7; corrosion-resistant film 8, 8'; 14; high-frequency power supply 15; shower head 23; processing gas supply source 32; gas supply hole 36; heat transfer gas supply mechanism G; LCD glass substrate (substrate to be processed)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｒ ５Ｆ０４５ 21/68 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｍ ５Ｇ４３５ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA53 AA57 BC02 BC04 BC06 CA25 EA02 EB01 EB42 EC21 FB02 FB03 FB04 FB12 FC09 FC15 4K029 AA09 AA24 FA05 JA05 4K030 CA06 CA12 DA04 FA03 GA02 KA47 5F004 AA15 BA04 BB13 BB22 BB25 BB26 BB28 BB29 BC04 DA00 DA22 DA23 DA24 DA25 DA26 5F031 CA05 HA02 HA17 HA19 HA35 HA40 MA28 MA29 MA32 PA18 PA24 5F045 AA08 AF01 AF07 BB15 DP03 DQ10 EB06 EH13 EJ02 EJ10 EK10 EM05 EM07 EM09 5G435 AA00 BB12 EE33 KK05 KK10──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/205 H01L 21/68 R 5F045 21/68 H05H 1/46 M 5G435 H05H 1/46 H01L 21/302 CF term (reference) 4G075 AA24 AA30 AA53 AA57 BC02 BC04 BC06 CA25 EA02 EB01 EB42 EC21 FB02 FB03 FB04 FB12 FC09 FC15 4K029 AA09 AA24 FA05 JA05 4K030 CA06 CA12 DA04 FA03 GA02 KA47 5F004 AA23BB04 BB04 DA24 DA25 DA26 5F031 CA05 HA02 HA17 HA19 HA35 HA40 MA28 MA29 MA32 PA18 PA24 5F045 AA08 AF01 AF07 BB15 DP03 DQ10 EB06 EH13 EJ02 EJ10 EK10 EM05 EM07 EM09 5G435 AA00 BB12 EE33 KK05 KK10
Claims (9)
と、 前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手
段と、 前記チャンバー内に処理ガスのプラズマを生成するプラ
ズマ生成手段とを具備し、 前記基板載置台は、カーボン基材の上面にセラミックス
製の静電チャックが配置され、かつカーボン基材の周囲
に耐食性膜が被覆されてなることを特徴とするプラズマ
処理装置。A chamber for accommodating a substrate to be processed; a substrate mounting table for mounting the substrate to be processed in the chamber; a processing gas supply unit for supplying a processing gas into the chamber; A plasma generating means for generating plasma of the processing gas, wherein the substrate mounting table is provided with a ceramic electrostatic chuck disposed on an upper surface of a carbon substrate, and a corrosion-resistant film is coated around the carbon substrate. A plasma processing apparatus characterized in that:
けてガスを供給するガス供給孔を有し、前記カーボン基
材におけるガス供給孔の内壁にも耐食性膜が被覆されて
いることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装
置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the substrate mounting table has a gas supply hole for supplying a gas from below to the surface, and an inner wall of the gas supply hole in the carbon base material is coated with a corrosion-resistant film. The plasma processing apparatus according to claim 1.
極として機能することを特徴とする請求項１または請求
項２に記載のプラズマ処理装置。3. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the carbon substrate functions as a plasma forming electrode.
ともに下部電極として機能する基板載置台と、 前記基板載置台に対向して設けられた上部電極と、 前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手
段と、 前記基板載置台または上部電極に高周波電力を印加する
高周波電源とを具備し、 前記高周波電源からの高周波電力により処理ガスのプラ
ズマを形成し、被処理基板にプラズマ処理を施すプラズ
マ処理装置であって、 前記基板載置台は、カーボン基材の上面にセラミックス
製の静電チャックが配置されるとともに、その下方から
表面に向けてガスを供給するガス供給孔が形成され、前
記カーボン基材の周囲および前記カーボン基材における
ガス供給孔の内壁に耐食性膜が被覆されてなることを特
徴とするプラズマ処理装置。4. A chamber for accommodating a substrate to be processed, a substrate mounting table disposed in the chamber and mounting the substrate to be processed and functioning as a lower electrode, and provided opposite to the substrate mounting table. An upper electrode, a processing gas supply means for supplying a processing gas into the chamber, and a high-frequency power supply for applying a high-frequency power to the substrate mounting table or the upper electrode, wherein the processing gas is supplied by the high-frequency power from the high-frequency power supply. A plasma processing apparatus for forming a plasma and performing plasma processing on a substrate to be processed, wherein the substrate mounting table has a ceramic electrostatic chuck disposed on an upper surface of a carbon base material, and a surface from below the surface. A gas supply hole for supplying gas is formed, and a corrosion-resistant film is formed around the carbon base material and on the inner wall of the gas supply hole in the carbon base material. A plasma processing apparatus characterized by being coated.
いることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか
１項に記載のプラズマ処理装置。5. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein said corrosion-resistant film is formed of polyimide.
前記チャンバー内で被処理基板を載置するとともに、そ
の下方から表面に向けてガスを供給するガス供給孔が形
成された基板載置台と、前記チャンバー内に処理ガスを
供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバー内に処理
ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段とを具備す
るプラズマ処理装置において前記チャンバー内をクリー
ニングするクリーニング方法であって、 前記基板載置台に基板を載置しない状態で前記ガス供給
孔からガスを吐出させながらプラズマにより前記チャン
バー内をクリーニングすることを特徴とするクリーニン
グ方法。6. A chamber for accommodating a substrate to be processed,
A substrate mounting table on which a substrate to be processed is mounted in the chamber, and a gas supply hole for supplying a gas from below to the surface, and a processing gas supply unit for supplying a processing gas into the chamber. A plasma processing apparatus comprising: a plasma generation unit configured to generate plasma of a processing gas in the chamber; and a cleaning method for cleaning the inside of the chamber, wherein the gas supply is performed without mounting a substrate on the substrate mounting table. A cleaning method, wherein the inside of the chamber is cleaned by plasma while discharging gas from the holes.
にセラミックス製の静電チャックが配置されるととも
に、前記カーボン基材の周囲および前記カーボン基材に
おけるガス供給孔の内壁に耐食性膜が被覆されてなるこ
とを特徴とする請求項６に記載のクリーニング方法。7. The substrate mounting table, wherein a ceramic electrostatic chuck is disposed on an upper surface of a carbon substrate, and a corrosion-resistant film is provided around the carbon substrate and on an inner wall of a gas supply hole in the carbon substrate. The cleaning method according to claim 6, wherein the cleaning method is performed.
前記チャンバー内で被処理基板を載置するとともに、そ
の下方から表面に向けてガスを供給するガス供給孔が形
成され、かつ被処理基板を静電吸着する静電チャックを
有する基板載置台と、前記チャンバー内に処理ガスを供
給する処理ガス供給手段と、前記チャンバー内に処理ガ
スのプラズマを生成するプラズマ生成手段とを具備する
プラズマ処理装置において処理終了後に静電チャックを
除電する静電チャックの除電方法であって、 処理終了後に静電チャックの直流電源をオフにする工程
と、 前記処理ガス供給手段から前記チャンバー内に除電用の
ガスを供給してプラズマを形成する工程と、 その後被処理基板を前記基板載置台から上昇させる工程
と、 前記ガス供給孔からガスを吐出させる工程とを具備する
ことを特徴とする静電チャックの除電方法。8. A chamber accommodating a substrate to be processed,
A substrate mounting table for mounting a substrate to be processed in the chamber, a gas supply hole for supplying gas from below to the surface is formed, and a substrate mounting table having an electrostatic chuck for electrostatically holding the substrate to be processed, A plasma processing apparatus comprising: a processing gas supply unit configured to supply a processing gas into the chamber; and a plasma generation unit configured to generate a plasma of the processing gas in the chamber. A static elimination method, wherein a DC power supply of the electrostatic chuck is turned off after the processing is completed; a plasma is formed by supplying a gas for static elimination into the chamber from the processing gas supply means; An electrostatic chuck comprising: a step of lifting a substrate from the substrate mounting table; and a step of discharging gas from the gas supply hole. How to remove static electricity.
にセラミックス製の静電チャックが配置されるととも
に、前記カーボン基材の周囲および前記カーボン基材に
おけるガス供給孔の内壁に耐食性膜が被覆されてなるこ
とを特徴とする請求項８に記載の静電チャックの除電方
法。9. The substrate mounting table, wherein a ceramic electrostatic chuck is disposed on an upper surface of a carbon substrate, and a corrosion-resistant film is provided around the carbon substrate and on an inner wall of a gas supply hole in the carbon substrate. The method for removing static electricity from an electrostatic chuck according to claim 8, wherein the electrostatic chuck is coated.
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