JPH11330056A - Method for cleaning electrode - Google Patents
Method for cleaning electrodeInfo
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- JPH11330056A JPH11330056A JP10139368A JP13936898A JPH11330056A JP H11330056 A JPH11330056 A JP H11330056A JP 10139368 A JP10139368 A JP 10139368A JP 13936898 A JP13936898 A JP 13936898A JP H11330056 A JPH11330056 A JP H11330056A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に用いられる試料搭載・固定用電極のクリーニング方法
に係わり、特に試料固定、温度制御への支障となる電極
上への突発的に付着した異物に対する電極のクリーニン
グ方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cleaning a sample mounting / fixing electrode used in a plasma processing apparatus, and more particularly to a method for fixing a sample and preventing foreign matter from suddenly adhering to an electrode which hinders temperature control. And a method of cleaning an electrode.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ用材料の製造工程には、エッチン
グ、膜堆積などにプラズマ処理装置がよく用いられる。
該処理装置では、電極上に試料（ウエハ）を固定し、温
度制御する必要がある。試料の固定にはクランプで機械
的に押さえるメカニカルクランプ方式が採用されてき
た。しかし、該方式では、ウエハ表面をクランプで押え
るため、クランプ材からの汚染、異物発生等の問題があ
る。近年では、例えば、電子材料（９６年７月号）５１
頁〜５７頁に記載されているように、静電力を利用して
ウエハ表面に接触することなく吸着固定が可能な静電チ
ャック方式が採用されつつある。何れの固定方式におい
ても、ウエハ温度を精度良く制御するために、ウエハ裏
面と固定電極面の間にＨｅガスを流して熱伝導の効率を
上げている。また、該Ｈｅの供給圧力をモニタすること
によりウエハ裏面と固定電極面の接触状態に関するイン
タロックに利用されている。2. Description of the Related Art In a process of manufacturing an LSI material, a plasma processing apparatus is often used for etching, film deposition, and the like.
In the processing apparatus, it is necessary to fix a sample (wafer) on an electrode and control the temperature. A mechanical clamp system in which a sample is mechanically held down by a clamp has been used for fixing a sample. However, in this method, since the wafer surface is pressed by the clamp, there are problems such as contamination from the clamp material and generation of foreign matter. In recent years, for example, electronic materials (July 1996) 51
As described on pages from page 57 to page 57, an electrostatic chuck system capable of attracting and fixing without contacting the wafer surface using electrostatic force is being adopted. In any of the fixing methods, in order to accurately control the wafer temperature, He gas is flowed between the back surface of the wafer and the fixed electrode surface to increase the efficiency of heat conduction. Further, by monitoring the supply pressure of He, it is used for interlock regarding the contact state between the back surface of the wafer and the fixed electrode surface.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述したプラズマ処理
装置における電極へのウエハの搭載、固定方法ではウエ
ハ裏面と固定電極面の接触状態が良好であれば、ウエハ
温度を精度良く制御できる。しかし、ウエハ処理枚数が
多くなると、 プラズマ処理の際に処理室内壁或いは搬
送ロボット等に付着した生成物が突発的に電極上に付着
して、ウエハ裏面と固定電極面の良好な接触を妨げる。
通常は、定期的に処理室内壁或いは搬送ロボット等に付
着した生成物を除去することにより、突発的な電極上へ
の異物の付着によるトラブル頻度を低減している。しか
し、前記定期クリーニング頻度と装置稼働率を考慮しな
がら実用的な頻度に設定せざるを得ない。換言すれば、
突発的な電極上への異物の付着を完全に無くすことはで
きない。一旦、電極上に付着した異物を除去するために
は、プラズマ処理装置を停止して処理室内を大気解放し
なければならず、再度処理が可能になるためには多大な
時間を要する。In the above-described method of mounting and fixing a wafer on an electrode in the plasma processing apparatus, the wafer temperature can be accurately controlled if the contact state between the back surface of the wafer and the fixed electrode surface is good. However, when the number of processed wafers increases, products adhering to the inner wall of the processing chamber or the transfer robot during plasma processing suddenly adhere to the electrodes, preventing good contact between the back surface of the wafer and the fixed electrode surface.
Usually, the frequency of troubles caused by the sudden attachment of foreign matter to the electrodes is reduced by periodically removing products adhering to the inner wall of the processing chamber or the transfer robot. However, the frequency must be set to a practical frequency in consideration of the periodic cleaning frequency and the apparatus operation rate. In other words,
It is not possible to completely eliminate sudden attachment of foreign matter on the electrode. In order to once remove the foreign matter adhering to the electrode, the plasma processing apparatus must be stopped and the processing chamber must be opened to the atmosphere, and a large amount of time is required before the processing can be performed again.
【０００４】本発明の目的は、プラズマ処理室内を大気
解放することなく、突発的に電極上に付着した異物を除
去し、短時間で装置の復旧を可能にする電極のクリーニ
ング方法を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a method of cleaning an electrode which can remove foreign substances adhering to an electrode suddenly without releasing the inside of a plasma processing chamber to the atmosphere and can recover the apparatus in a short time. It is in.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、突発的に異物の付着した電極上に対して、裏面の中
心部から外周に向けて対称形状となるように形成された
一対或いは複数対の凹部パターンを具備した基板をメカ
クランプ方式或いは静電チャック方式により真空中或い
は減圧雰囲気で搭載、固定した状態で、電極の中央部付
近から、Ｈｅガスを前記凹部パターンに沿って流して、
電極面上に付着していた異物を除去する。電極に付着す
る異物は数１００μｍ程度の大きさであり、プラズマ処
理室のポート等から直接、異物の付着箇所を確認するこ
とはできない。そこで、前記一対或いは複数対の凹部パ
ターンの位置を変えた複数種類の基板を組み合わせて順
次、電極上に搭載、固定した状態で、前記凹部パターン
に沿ってガスを流すことにより電極全面領域を分割しな
がら付着異物を除去する。In order to achieve the above-mentioned object, a pair or a pair formed so as to have a symmetrical shape from the center of the back surface to the outer periphery with respect to the electrode on which the foreign matter suddenly adheres. A substrate having a plurality of pairs of concave patterns is mounted and fixed in a vacuum or reduced-pressure atmosphere by a mechanical clamp method or an electrostatic chuck method, and He gas is caused to flow along the concave patterns from near the center of the electrode. ,
Foreign matter adhering to the electrode surface is removed. Foreign matter adhering to the electrode has a size of about several hundreds of μm, and it is not possible to directly confirm the place where the foreign matter adheres from a port or the like of the plasma processing chamber. Therefore, by combining a plurality of types of substrates in which the positions of the one or more pairs of concave patterns are changed, and sequentially mounting and fixing them on the electrodes, a gas is flowed along the concave patterns to divide the entire electrode region. While removing the adhered foreign matter.
【０００６】上述した方法によれば、凹部パターンを具
備した基板と電極面の間隙の局所的なＨｅガス流によ
り、凹部パターン領域の電極上異物を追い出し、除去す
ることが可能である。凹部パターン形状を中心部から外
周に向けて対称としておりＨｅガス圧による基板が横方
向に受ける力は相殺され横ずれしない。また、 主流に
なりつつある静電チャック方式に対しても、基板の材質
及、び凹部パターン形状に応じて、Ｈｅ流量、直流電圧
を調整することにより、基板を確実に吸着した状態で充
分なＨｅガス圧を得ることができる。According to the above-described method, it is possible to drive out and remove foreign matter on the electrode in the concave pattern region by a local He gas flow in the gap between the substrate having the concave pattern and the electrode surface. The concave pattern shape is symmetrical from the center to the outer periphery, and the force that the substrate receives in the lateral direction due to the He gas pressure is canceled out and does not shift laterally. Also, for the electrostatic chuck method that is becoming mainstream, by adjusting the He flow rate and the DC voltage according to the material of the substrate and the shape of the concave pattern, it is possible to ensure that the substrate is securely sucked. He gas pressure can be obtained.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の一実施例を
図１に示す装置概略図を用いて説明する。本発明を適用
した装置はＲＩＥ(reactive ion etching)装置と呼ばれ
るものである。本発明である電極クリーニング方法を説
明する前に、 本装置の本来目的であるエッチング処理
に関する装置構成要素の役割、機能について説明する。
真空ポンプにより排気された真空処理室１００内にサン
プル搭載用のステージ電極１０１を具備した下部電極１
０２と該電極と対向して上部電極１０３が設置されてい
る。下部電極には高周波電源１０４が接続されており、
例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を印加することによ
り、ガス導入ライン１０５より供給されたガスをプラズ
マ分解してエッチング反応を促進させる。エッチングす
べきサンプルをステージ電極１０１に搭載した後、不活
性ガスを導入しプラズマ放電を行う。然る後、直流電源
１０６により絶縁体製のステージ電極１０１に直流電圧
を印加して、前記サンプルをステージ電極１０１に吸着
させる所謂、静電チャック方式によりサンプルを固定し
ている。ステージ電極１０１の温度は、温度コントロー
ラ１０７を用いて所望温度の冷媒を循環させることによ
り制御する。ステージ電極１０１の温度を効率良くサン
プルに伝えるために、Ｈｅガスライン１０９により、ス
テージ電極１０１とサンプル間にＨｅガスを供給する。
サンプルをステージ電極１０１から脱離するには、直流
電源１０６の設定値を変えて不活性ガスのプラズマ放電
を行うことにより、サンプル及び上部電極１０３の除電
を促進するステップを入れる。(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described with reference to the schematic diagram of the apparatus shown in FIG. An apparatus to which the present invention is applied is called an RIE (reactive ion etching) apparatus. Before describing the electrode cleaning method of the present invention, the role and function of the device components related to the etching process which is the original purpose of the present device will be described.
A lower electrode 1 having a stage electrode 101 for mounting a sample in a vacuum processing chamber 100 evacuated by a vacuum pump.
02 and an upper electrode 103 are provided so as to face the electrode. A high frequency power supply 104 is connected to the lower electrode,
For example, by applying a high frequency of 13.56 MHz, the gas supplied from the gas introduction line 105 is plasma-decomposed to promote the etching reaction. After the sample to be etched is mounted on the stage electrode 101, an inert gas is introduced to perform plasma discharge. Thereafter, a DC voltage is applied to the stage electrode 101 made of an insulator by the DC power supply 106, and the sample is fixed to the stage electrode 101 by a so-called electrostatic chuck method in which the sample is attracted to the stage electrode 101. The temperature of the stage electrode 101 is controlled by circulating a coolant at a desired temperature using the temperature controller 107. In order to efficiently transmit the temperature of the stage electrode 101 to the sample, He gas is supplied between the stage electrode 101 and the sample through the He gas line 109.
In order to desorb the sample from the stage electrode 101, a step of promoting the charge elimination of the sample and the upper electrode 103 by changing the set value of the DC power supply 106 and performing plasma discharge of the inert gas is included.
【０００８】上述した装置システムによりサンプルのエ
ッチング処理を重ねると、真空処理室１００内の構成部
品に反応生成物が付着し、突発的に剥がれてステージ電
極１０１に落下し、サンプル固定、温度制御に不具合が
発生する場合が有る。本発明は、前記突発的な異物に対
する電極のクリーニング方法である。When the sample is repeatedly etched by the above-described apparatus system, the reaction product adheres to the components in the vacuum processing chamber 100, and is suddenly peeled off and falls on the stage electrode 101, thereby fixing the sample and controlling the temperature. Failure may occur. The present invention is a method for cleaning an electrode against the sudden foreign matter.
【０００９】以下、実施内容を説明する。ステージ電極
１０１上に裏面に凹部を有する裏面溝付基板１０９を搭
載し、不活性ガスのプラズマ放電した後、直流電源１０
６により絶縁体製のステージ電極１０１に直流電圧を印
加して、静電チャック方式により裏面溝付基板１０９を
固定する。然る後、 Ｈｅガスライン１０９によりステ
ージ電極１０１中央部付近よりＨｅガスを供給する。前
記裏面溝付基板１０９の裏面形状図を図２（ａ）、
（ｂ）に、凹部を含む断面図を図２（ｃ）に各々示す。
外観形状はエッチング処理サンプルのウエハと類似して
おり、搬送系のセンサ及びロボットからはウエハと同様
に取り扱える。Hereinafter, the contents of the embodiment will be described. After mounting the back surface grooved substrate 109 having a concave portion on the back surface on the stage electrode 101 and performing plasma discharge of an inert gas,
6, a DC voltage is applied to the stage electrode 101 made of an insulator, and the substrate 109 with the back groove is fixed by an electrostatic chuck method. Thereafter, He gas is supplied from the vicinity of the center of the stage electrode 101 through the He gas line 109. FIG. 2A is a back view of the back grooved substrate 109.
FIG. 2B is a cross-sectional view including a concave portion, and FIG.
The external shape is similar to the wafer of the etching processing sample, and can be handled in the same manner as the wafer from the sensors and the robot of the transfer system.
【００１０】図２（ａ）はＶノッチ型ウエハ、（ｂ）は
オリフラ付ウエハに対応する裏面溝付基板２００の形状
図でありオリフラ２０２が具備されている。裏面溝パタ
ーン２０１は基板の中心部の円と該円から基板外周に向
けて対称となる領域により形成されている。ステージ電
極１０１中央部付近より供給されたＨｅガスは前記円形
状の溝部から外周部に向かって流れる。 Ｈｅガスは裏
面溝付基板２００の中心に対してほぼ点対称の方向に分
かれて流れる。溝パターン形成部２０３の深さは５０〜
５００μｍ程度であれば、本発明の目的に対して有効で
ある。裏面溝付基板２００を厚くすることができれば、
溝パターン形成部２０３の深さを更に深くできることは
言うまでもない。FIG. 2A is a view showing a V-notch type wafer, and FIG. 2B is a view showing a shape of a substrate 200 having a backside groove corresponding to a wafer with an orientation flat. The orientation flat 202 is provided. The back surface groove pattern 201 is formed by a circle at the center of the substrate and a region symmetrical from the circle toward the outer periphery of the substrate. He gas supplied from near the center of the stage electrode 101 flows from the circular groove toward the outer periphery. The He gas flows in a direction substantially point-symmetric with respect to the center of the back grooved substrate 200. The depth of the groove pattern forming portion 203 is 50 to
A thickness of about 500 μm is effective for the purpose of the present invention. If the backside grooved substrate 200 can be made thicker,
It goes without saying that the depth of the groove pattern forming portion 203 can be further increased.
【００１１】また、裏面溝付基板２００の材質はウエハ
と同じＳｉでも良く、他に静電チャックが可能なアルミ
ナ等のセラミックでも構わない。電極クリーニング時に
溝パターン形成部２０３を流すＨｅ流量は、エッチング
時にサンプルの裏面に供給する場合に比べ、１桁以上大
きいためガス流量制御に用いるマスフローコントローラ
は別系統のものを用いることが好ましい。The material of the back grooved substrate 200 may be Si, the same as that of the wafer, or may be ceramic such as alumina which can be electrostatically chucked. Since the flow rate of He flowing through the groove pattern forming section 203 at the time of electrode cleaning is one digit or more larger than that supplied to the back surface of the sample at the time of etching, it is preferable to use another type of mass flow controller used for gas flow rate control.
【００１２】上記Ｈｅガスの連続或いは断続的な流れに
より裏面溝パターン２０１に対応するステージ電極１０
１上の突発異物は除去できる。従って、電極全面をクリ
ーニングするためには、図３に示すように裏面溝付基板
３００の裏面溝パターン３０１がオリフラ３０２に対し
て角度を変えた複数種の裏面溝付基板３００を順次適用
することが有効である。The stage electrode 10 corresponding to the backside groove pattern 201 by the continuous or intermittent flow of the He gas.
1 can be removed. Therefore, in order to clean the entire surface of the electrode, as shown in FIG. 3, it is necessary to sequentially apply a plurality of types of backside grooved substrates 300 in which the backside groove pattern 301 of the backside grooved substrate 300 has an angle changed with respect to the orientation flat 302. Is valid.
【００１３】本一実施例によれば、真空処理室１００を
大気解放することなくステージ電極１０１上へ突発的に
付着した異物を除去できる。そのため、装置の停止及び
立ち上げに要する時間を大幅に削減できる。According to the present embodiment, foreign substances suddenly adhering to the stage electrode 101 can be removed without exposing the vacuum processing chamber 100 to the atmosphere. Therefore, the time required for stopping and starting the apparatus can be significantly reduced.
【００１４】本一実施例では、裏面溝付基板２００の裏
面溝パターン２０１は円と一対の扇形によりなっている
が、このパターン形状以外でも裏面の中央から外周に向
けた一対或いは複数対の溝パターンでも構わない。In this embodiment, the backside groove pattern 201 of the backside grooved substrate 200 is formed of a circle and a pair of sectors. However, other than this pattern shape, a pair or a plurality of pairs of grooves from the center of the backside to the outer periphery may be formed. It can be a pattern.
【００１５】また、上述したクリーニング処理を、ステ
ージ電極１０１に落下した異物による不具合が発生した
場合に適用するだけでなく、ロット処理の間に定期的に
適用することで予防保全的な効果がある。In addition, the above-described cleaning process is applied not only when a problem occurs due to a foreign matter that has fallen on the stage electrode 101, but also by applying the cleaning process periodically during lot processing, thereby providing a preventive maintenance effect. .
【００１６】また、本一実施例では平行平板型のＲＩＥ
装置の電極クリーニングに適用した例を述べたが、他の
プラズマ生成方式のドライエッチング装置、例えばＥＣ
Ｒ(electron cyclotron resonance)方式、ＩＣＰ(induc
tive coupled plasma)方式のエッチング装置のサンプル
搭載電極にも適用可能である。また、エッチング装置に
限らずＣＶＤ(chemical vapor deposition)、ＰＶＤ(ph
ysical vapor deposition)の装置にも適用可能である。In this embodiment, a parallel plate type RIE is used.
Although an example in which the present invention is applied to electrode cleaning of the apparatus has been described, other dry etching apparatuses using a plasma generation method, for example, EC
R (electron cyclotron resonance) method, ICP (induc
The present invention is also applicable to an electrode mounted on a sample of an etching apparatus of a tive coupled plasma) type. Further, not only the etching apparatus but also CVD (chemical vapor deposition), PVD (ph
ysical vapor deposition).
【００１７】また、図１に示した静電チャック方式は単
極式を採用しているが、双極式の静電チャック電極に対
しても本発明は適用可能である。双極式の静電チャック
の場合は、直流バイアスだけでサンプルの吸着固定が可
能であり、事前の不活性ガスのプラズマ放電が不要にな
る。Although the electrostatic chuck system shown in FIG. 1 employs a monopolar system, the present invention is applicable to a bipolar electrostatic chuck electrode. In the case of a bipolar electrostatic chuck, the sample can be fixed by suction only with a DC bias, and plasma discharge of an inert gas in advance is not required.
【００１８】（実施例２）本発明の一実施例を図４に示
す装置概略図を用いて説明する。本発明を適用した装置
はＲＩＥ(reactive ion etching)装置と呼ばれるもの
で、サンプルを真空処理室４００内のステージ電極４０
１に固定する方式だけが上述した実施例１の装置と異な
っている。上述した実施例１では静電チャック方式によ
りサンプルを固定しているが、本実施例ではメカニカル
クランプ方式を用いており、クランプ４０９によりサン
プルを機械的に押さえて固定する。従って、上述した実
施例のようにサンプル固定用の直流電源は不要である。
また、サンプル固定の手順としても、不活性ガスによる
プラズマ放電のステップも不要である。その他のエッチ
ング処理に関する装置構成要素の役割、機能について
は、実施例１と同様である。(Embodiment 2) An embodiment of the present invention will be described with reference to the schematic diagram of the apparatus shown in FIG. An apparatus to which the present invention is applied is called an RIE (reactive ion etching) apparatus, and a sample is placed on a stage electrode 40 in a vacuum processing chamber 400.
Only the method of fixing at 1 is different from the device of the first embodiment described above. In the first embodiment described above, the sample is fixed by the electrostatic chuck method, but in the present embodiment, the mechanical clamp method is used, and the sample is mechanically pressed by the clamp 409 and fixed. Therefore, a DC power supply for fixing the sample as in the above-described embodiment is not required.
Also, the step of plasma discharge with an inert gas is not required as a procedure for fixing the sample. The roles and functions of the apparatus components related to other etching processes are the same as in the first embodiment.
【００１９】上述した装置システムによりサンプルのエ
ッチング処理を重ねると、真空処理室４００内の構成部
品に反応生成物が付着し、突発的に剥がれてステージ電
極４０１に落下し、サンプル固定、温度制御に不具合が
発生する場合が有る。前記突発的な異物に対する電極ク
リーニング方法として、ステージ電極４０１上に裏面に
凹部を有する裏面溝付基板４０８を搭載した後、メカニ
カルクランプ方式によりクランプ４０９で裏面溝付基板
４０８を機械的に押さえて固定する。然る後、Ｈｅガス
ライン４０７によりステージ電極４０１中央部付近より
Ｈｅガスを供給する。前記裏面溝付基板４０８の裏面形
状図を図２（ａ）、（ｂ）に、凹部を含む断面図を図２
（ｃ）に各々示す。外観形状はエッチング処理サンプル
のウエハと類似しており、搬送系のセンサ及びロボット
からはウエハと同様に取り扱える。When the sample is repeatedly etched by the above-described apparatus system, the reaction product adheres to the components in the vacuum processing chamber 400, and is suddenly peeled off and falls on the stage electrode 401, thereby fixing the sample and controlling the temperature. Failure may occur. As an electrode cleaning method for the sudden foreign matter, after mounting a backside grooved substrate 408 having a concave portion on the backside on the stage electrode 401, the substrate 408 with the backside grooved 408 is mechanically pressed and fixed by a clamp 409 by a mechanical clamp method. I do. Thereafter, He gas is supplied from the vicinity of the center of the stage electrode 401 through the He gas line 407. 2 (a) and 2 (b) are cross-sectional views of the back grooved substrate 408, and FIGS.
Each is shown in (c). The external shape is similar to the wafer of the etching processing sample, and can be handled in the same manner as the wafer from the sensors and the robot of the transfer system.
【００２０】図２（ａ）はＶノッチ型ウエハ、（ｂ）は
オリフラ付ウエハに対応する裏面溝付基板２００の形状
図でありオリフラ２０３が具備されている。裏面溝パタ
ーン２０１は基板の中心部の円と該円から基板外周に向
けて対称となる領域により形成されている。ステージ電
極４０１中央部付近より供給されたＨｅガスは前記円形
状の溝部から外周部に向かって流れる。 Ｈｅガスは裏
面溝付基板２００の中心に対してほぼ点対称の方向に分
かれて流れる。溝パターン形成部２０３の深さは５０〜
５００μｍ程度であれば、本発明の目的に対して有効で
ある。裏面溝付基板２００を厚くすることができれば、
溝パターン形成部２０３の深さを更に深くできることは
言うまでもない。FIG. 2A is a view showing a V-notch type wafer, and FIG. 2B is a view showing the shape of a substrate 200 with a backside groove corresponding to a wafer with an orientation flat. The orientation flat 203 is provided. The back surface groove pattern 201 is formed by a circle at the center of the substrate and a region symmetrical from the circle toward the outer periphery of the substrate. He gas supplied from near the center of the stage electrode 401 flows from the circular groove toward the outer periphery. The He gas flows in a direction substantially point-symmetric with respect to the center of the back grooved substrate 200. The depth of the groove pattern forming portion 203 is 50 to
A thickness of about 500 μm is effective for the purpose of the present invention. If the backside grooved substrate 200 can be made thicker,
It goes without saying that the depth of the groove pattern forming portion 203 can be further increased.
【００２１】また、裏面溝付基板２００の材質はウエハ
と同じＳｉでも良く、他に静電チャックが可能なアルミ
ナ等のセラミックでも構わない。電極クリーニング時に
溝パターン形成部２０３を流すＨｅ流量は、エッチング
時にサンプルの裏面に供給する場合に比べ、１桁以上大
きいためガス流量制御に用いるマスフローコントローラ
は別系統のものを用いることが好ましい。The material of the back grooved substrate 200 may be Si, the same as that of the wafer, or may be ceramic such as alumina which can be electrostatically chucked. Since the flow rate of He flowing through the groove pattern forming section 203 at the time of electrode cleaning is one digit or more larger than that supplied to the back surface of the sample at the time of etching, it is preferable to use another type of mass flow controller used for gas flow rate control.
【００２２】上記Ｈｅガスの連続或いは断続的な流れに
より裏面溝パターン２０１に対応するステージ電極４０
１上の突発異物は除去できる。従って、電極全面をクリ
ーニングするためには、図３に示すように裏面溝付基板
３００の裏面溝パターン３０１がオリフラ３０２に対し
て角度を変えた複数種の裏面溝付基板３００を順次適用
することが有効である。The stage electrode 40 corresponding to the back surface groove pattern 201 by the continuous or intermittent flow of the He gas.
1 can be removed. Therefore, in order to clean the entire surface of the electrode, as shown in FIG. 3, it is necessary to sequentially apply a plurality of types of backside grooved substrates 300 in which the backside groove pattern 301 of the backside grooved substrate 300 has an angle changed with respect to the orientation flat 302. Is valid.
【００２３】本一実施例によれば、真空処理室４００を
大気解放することなくステージ電極４０１上へ突発的に
付着した異物を除去できる。そのため、装置の停止及び
立ち上げに要する時間を大幅に削減できる。According to the present embodiment, foreign substances suddenly adhering to the stage electrode 401 can be removed without opening the vacuum processing chamber 400 to the atmosphere. Therefore, the time required for stopping and starting the apparatus can be significantly reduced.
【００２４】本一実施例では、裏面溝付基板２００の裏
面溝パターン２０１は円と一対の扇形によりなっている
が、このパターン形状以外でも裏面の中央から外周に向
けた一対或いは複数対の溝パターンでも構わない。In the present embodiment, the backside groove pattern 201 of the backside grooved substrate 200 has a circular shape and a pair of fan shapes. It can be a pattern.
【００２５】また、上述したクリーニング処理を、ステ
ージ電極４０１に落下した異物による不具合が発生した
場合に適用するだけでなく、ロット処理の間に定期的に
適用することで予防保全的な効果がある。In addition, the above-described cleaning process is applied not only when a problem occurs due to a foreign matter that has fallen on the stage electrode 401, but also by applying the cleaning process periodically during lot processing, thereby providing a preventive maintenance effect. .
【００２６】また、本一実施例では平行平板型のＲＩＥ
装置の電極クリーニングに適用した例を述べたが、他の
プラズマ生成方式のドライエッチング装置、例えばＥＣ
Ｒ(electron cyclotron resonance)方式、ＩＣＰ(induc
tive coupled plasma)方式のエッチング装置のサンプル
搭載電極にも適用可能である。また、エッチング装置に
限らずＣＶＤ(chemical vapor deposition)、ＰＶＤ(ph
ysical vapor deposition)の装置にも適用可能である。In this embodiment, a parallel plate type RIE is used.
Although an example in which the present invention is applied to electrode cleaning of the apparatus has been described, other dry etching apparatuses using a plasma generation method, for example, EC
R (electron cyclotron resonance) method, ICP (induc
The present invention is also applicable to an electrode mounted on a sample of an etching apparatus of a tive coupled plasma) type. Further, not only the etching apparatus but also CVD (chemical vapor deposition), PVD (ph
ysical vapor deposition).
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、ステージ電極に固定し
た裏面溝付基板の溝パターン形成部に沿ってＨｅガスを
流すことにより、前記ステージ電極上に突発的に付着し
た異物を除去することにより、真空処理室を大気解放す
ることなく、ステージ電極上のクリーニングが 行え
る。その結果、短時間でステージ電極上の突発異物を除
去できる効果がある。また、予防保全的に本発明のクリ
ーニングを適用することで、ステージ電極上に突発的に
付着する異物による不具合を回避できる。これにより、
安定したエッチング装置の稼働が可能になる。According to the present invention, He gas is caused to flow along the groove pattern forming portion of the back-grooved substrate fixed to the stage electrode, thereby removing foreign substances suddenly adhering to the stage electrode. Accordingly, cleaning of the stage electrode can be performed without exposing the vacuum processing chamber to the atmosphere. As a result, there is an effect that sudden foreign substances on the stage electrode can be removed in a short time. Further, by applying the cleaning of the present invention for preventive maintenance, it is possible to avoid a problem caused by a foreign substance suddenly adhering to the stage electrode. This allows
A stable operation of the etching apparatus becomes possible.
【図１】本発明の一実施例の装置概略の説明図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例の裏面溝付基板の説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory view of a back grooved substrate according to one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例の裏面溝付基板の溝パターン
の説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of a groove pattern of a substrate with a back groove according to one embodiment of the present invention.
【図４】本発明の他の実施例の装置概略の説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory view schematically showing an apparatus according to another embodiment of the present invention.
１００…真空処理室、１０１…ステージ電極、１０２…
下部電極、１０３…上部電極、１０４…高周波電源、１
０５…ガス導入ライン、１０６… 直流電源、１０７…
温度コントローラ、１０８… Ｈｅガスライン、１０９
… 裏面溝付基板、２００…裏面溝付基板、２０１…裏
面溝パターン、２０２…オリフラ、２０３…溝パターン
形成部、３００…裏面溝付基板、３０１…裏面溝パター
ン、３０２…オリフラ、４００…真空処理室、４０１…
ステージ電極、４０２…下部電極、４０３…上部電極、
４０４…高周波電源、４０５…ガス導入ライン、４０６
…温度コントローラ、４０７…Ｈｅガスライン、４０８
…裏面溝付基板、４０９…クランプ。100 vacuum processing chamber, 101 stage electrode, 102
Lower electrode, 103: upper electrode, 104: high frequency power supply, 1
05 ... gas introduction line, 106 ... DC power supply, 107 ...
Temperature controller, 108 He gas line, 109
... Backside grooved substrate, 200 ... Backside grooved substrate, 201 ... Backside groove pattern, 202 ... Orientation flat, 203 ... Groove pattern forming part, 300 ... Backside grooved substrate, 301 ... Backside groove pattern, 302 ... Orientation flat, 400 ... Vacuum Processing chamber, 401 ...
Stage electrode, 402: lower electrode, 403: upper electrode,
404: high frequency power supply, 405: gas introduction line, 406
... temperature controller, 407 ... He gas line, 408
... Substrate with groove on the back, 409.
Claims (7)
積或いは加工するプラズマ処理装置の試料搭載用電極上
に付着した異物を除去する手段が、真空或いは減圧雰囲
気中で裏面に凹部パターンを具備した基板を前記電極上
に搭載し、固定した状態で、前記凹部パターンにガスを
流して電極面上の異物を除去することを特徴とする電極
のクリーニング方法。1. A plasma processing apparatus for depositing or processing a desired material on a substrate in a vacuum processing chamber is provided with a concave pattern on a rear surface in a vacuum or reduced pressure atmosphere. A method of cleaning an electrode, comprising: mounting a substrate provided with the above on the electrode and fixing the substrate, and flowing gas through the recess pattern to remove foreign matter on the electrode surface.
法において、前記試料及び裏面に凹部パターンを具備し
た基板の電極上への搭載、固定方法が静電チャック方式
であることを特徴とする電極のクリーニング方法。2. The electrode cleaning method according to claim 1, wherein the method of mounting and fixing the sample and the substrate having a concave pattern on the back surface on the electrode is an electrostatic chuck method. Cleaning method.
法において、前記試料及び裏面に凹部パターンを具備し
た基板の電極上への搭載、固定方法がメカニカルクラン
プ方式であることを特徴とする電極のクリーニング方
法。3. The method of cleaning an electrode according to claim 1, wherein the method of mounting and fixing the sample and a substrate having a concave pattern on the back surface on the electrode is a mechanical clamp system. Cleaning method.
法において、前記基板裏面に具備された凹部パターンに
流すガスが前記試料の冷却に用いるＨｅガスであり電極
面の中央部より供給されていることを特徴とする電極の
クリーニング方法。4. The method for cleaning an electrode according to claim 1, wherein the gas flowing through the concave pattern provided on the back surface of the substrate is He gas used for cooling the sample, and is supplied from the center of the electrode surface. A method for cleaning an electrode, comprising:
法において、前記基板裏面に具備された凹部パターン
が、基板の中心部から周辺に向かって対称となるように
形成された一対或いは複数対の溝パターンであることを
特徴とする電極のクリーニング方法。5. The method for cleaning an electrode according to claim 1, wherein the concave pattern provided on the back surface of the substrate is symmetrical from a central portion of the substrate toward the periphery. A method for cleaning an electrode, wherein the electrode pattern is a groove pattern.
法において、前記基板の中心部から周辺に向かって対称
となるように形成された一対或いは複数対の溝パターン
の位置を変えた複数種類の基板を組み合わせて順次、電
極上に搭載、固定した状態で、前記溝パターンにガスを
流すことにより電極面上の異物を除去することを特徴と
する電極のクリーニング方法。6. The method for cleaning an electrode according to claim 5, wherein a plurality of types of groove patterns in which a pair or a plurality of pairs of groove patterns formed so as to be symmetrical from the center of the substrate toward the periphery are changed. A method for cleaning an electrode, comprising removing foreign matter on an electrode surface by flowing gas through the groove pattern while sequentially mounting and fixing substrates on the electrode in combination.
法において、裏面に凹部パターンを具備した基板の材質
がＳｉ或いはアルミナ等のセラミックであり、凹部の深
さが５０〜５００μｍ程度であることを特徴とする電極
のクリーニング方法。7. The method for cleaning an electrode according to claim 1, wherein the substrate having the concave pattern on the back surface is made of ceramic such as Si or alumina, and the depth of the concave is about 50 to 500 μm. Characteristic electrode cleaning method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139368A JPH11330056A (en) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | Method for cleaning electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139368A JPH11330056A (en) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | Method for cleaning electrode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330056A true JPH11330056A (en) | 1999-11-30 |
Family
ID=15243709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10139368A Pending JPH11330056A (en) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | Method for cleaning electrode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330056A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1998
- 1998-05-21 JP JP10139368A patent/JPH11330056A/en active Pending
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