JP2002217506A - 回路用成形基板 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 線膨張率や成形収縮率の異方性を小さくし
て、初期平面度に優れると共に熱による変形を防止する
ことができ、また表面を平滑に形成することができる回
路用成形基板を提供する。 【解決手段】 表面にプラズマ処理をした後にスパッタ
リング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる
物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板
に関する。樹脂成分としてポリフェニレンサルファイド
が、充填材として球状充填材のみが配合された樹脂組成
物によってこの回路用成形基板を成形するようにしてあ
る。
て、初期平面度に優れると共に熱による変形を防止する
ことができ、また表面を平滑に形成することができる回
路用成形基板を提供する。 【解決手段】 表面にプラズマ処理をした後にスパッタ
リング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる
物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板
に関する。樹脂成分としてポリフェニレンサルファイド
が、充填材として球状充填材のみが配合された樹脂組成
物によってこの回路用成形基板を成形するようにしてあ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に回路を形成
して使用される回路用成形基板に関するものである。
して使用される回路用成形基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリフェニレンサルファイド樹脂は、耐
熱性に優れる、吸水による寸法変化が小さい、充填材に
対する親和性が良く充填材の配合量を高めても成形性が
低下しない、等の利点を有するために、例えば特許第２
９５２９２３号公報などにみられるように、回路用成形
基板を製造するための樹脂として使用されている。
熱性に優れる、吸水による寸法変化が小さい、充填材に
対する親和性が良く充填材の配合量を高めても成形性が
低下しない、等の利点を有するために、例えば特許第２
９５２９２３号公報などにみられるように、回路用成形
基板を製造するための樹脂として使用されている。
【０００３】しかし、一般の樹脂と同様にポリフェニレ
ンサルファイド樹脂は充填材が配合されていないと、温
度変化に対する寸法変化が大きく、回路用成形基板とし
ては使用することができない。このために特許第２９５
２９２３号公報の発明では、充填材としてガラス繊維及
び粒状無機充填材を配合することが行なわれている。
ンサルファイド樹脂は充填材が配合されていないと、温
度変化に対する寸法変化が大きく、回路用成形基板とし
ては使用することができない。このために特許第２９５
２９２３号公報の発明では、充填材としてガラス繊維及
び粒状無機充填材を配合することが行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにポリフェ
ニレンサルファイド樹脂に充填材を配合することによっ
て、熱履歴が付与されたときの寸法変化を小さくするこ
とができるが、充填材としてガラス繊維のような繊維状
充填材が配合されていると、樹脂組成物を射出成形など
で成形する際に、樹脂組成物の流れ方向に繊維状充填材
が配向し、この結果、繊維状充填材が配向する方向で線
膨張率や成形収縮率が小さく、その他の方向で線膨張率
や成形収縮率が大きくなるというように、回路用成形基
板の線膨張率や成形収縮率が方向によって異なる異方性
が生じ、加熱によって反りなどの変形が発生し易くなる
という問題があった。
ニレンサルファイド樹脂に充填材を配合することによっ
て、熱履歴が付与されたときの寸法変化を小さくするこ
とができるが、充填材としてガラス繊維のような繊維状
充填材が配合されていると、樹脂組成物を射出成形など
で成形する際に、樹脂組成物の流れ方向に繊維状充填材
が配向し、この結果、繊維状充填材が配向する方向で線
膨張率や成形収縮率が小さく、その他の方向で線膨張率
や成形収縮率が大きくなるというように、回路用成形基
板の線膨張率や成形収縮率が方向によって異なる異方性
が生じ、加熱によって反りなどの変形が発生し易くなる
という問題があった。
【０００５】そしてこのように回路用成形基板が加熱に
よって変形すると、表面に形成した金属層との界面で熱
応力が発生し、この金属層で形成される回路の密着強度
が低下して、回路の導通信頼性が悪くなるものであっ
た。
よって変形すると、表面に形成した金属層との界面で熱
応力が発生し、この金属層で形成される回路の密着強度
が低下して、回路の導通信頼性が悪くなるものであっ
た。
【０００６】また回路用成形基板を各種のチップを実装
する基板として使用する場合、成形収縮の異方性や線膨
張率の異方性によって回路用成形基板の表面が変形して
平面度が悪化すると、例えばフリップチップ実装のバン
プ接合性や、ワイヤボンディング実装のワイヤ接合性が
低下し、接合の信頼性が悪くなるものであった。特に、
回路用成形基板が加熱によって変形すると、表面に実装
したチップに応力が作用し、チップからノイズが発生し
たり、接合状態が変化して接続抵抗値が上昇したりする
と共に、またＬＥＤなど単結晶無機材料で構成されるチ
ップは脆弱で劈開が生じ易いので損傷が発生するおそれ
があった。
する基板として使用する場合、成形収縮の異方性や線膨
張率の異方性によって回路用成形基板の表面が変形して
平面度が悪化すると、例えばフリップチップ実装のバン
プ接合性や、ワイヤボンディング実装のワイヤ接合性が
低下し、接合の信頼性が悪くなるものであった。特に、
回路用成形基板が加熱によって変形すると、表面に実装
したチップに応力が作用し、チップからノイズが発生し
たり、接合状態が変化して接続抵抗値が上昇したりする
と共に、またＬＥＤなど単結晶無機材料で構成されるチ
ップは脆弱で劈開が生じ易いので損傷が発生するおそれ
があった。
【０００７】また、充填材としてガラス繊維が配合され
ていると、回路用成形基板の表面にガラス繊維が露出し
て、回路用成形基板の表面平滑性が悪くなり、回路用成
形基板の表面に形成される回路パターンを例えばライン
幅０．０３ｍｍ以下、回路間のスペース幅０．０３ｍｍ
以下のように、精密細線化することが困難になるという
問題があった。
ていると、回路用成形基板の表面にガラス繊維が露出し
て、回路用成形基板の表面平滑性が悪くなり、回路用成
形基板の表面に形成される回路パターンを例えばライン
幅０．０３ｍｍ以下、回路間のスペース幅０．０３ｍｍ
以下のように、精密細線化することが困難になるという
問題があった。
【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、線膨張率や成形収縮率の異方性を小さくして、表
面の変形や熱による変形を防止することができ、また表
面を平滑に形成することができる回路用成形基板を提供
することを目的とするものである。
あり、線膨張率や成形収縮率の異方性を小さくして、表
面の変形や熱による変形を防止することができ、また表
面を平滑に形成することができる回路用成形基板を提供
することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
回路用成形基板は、表面にプラズマ処理をした後にスパ
ッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ば
れる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形
基板であって、樹脂成分としてポリフェニレンサルファ
イドが、充填材として球状充填材のみが配合された樹脂
組成物によって成形されて成ることを特徴とするもので
ある。
回路用成形基板は、表面にプラズマ処理をした後にスパ
ッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ば
れる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形
基板であって、樹脂成分としてポリフェニレンサルファ
イドが、充填材として球状充填材のみが配合された樹脂
組成物によって成形されて成ることを特徴とするもので
ある。
【００１０】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、回路形成面が三次元立体形状をしていることを特徴
とするものである。
て、回路形成面が三次元立体形状をしていることを特徴
とするものである。
【００１１】また請求項３の発明は、請求項１又は２に
おいて、ポリフェニレンサルファイドとして直鎖型ポリ
フェニレンサルファイドを用いて成ることを特徴とする
ものである。
おいて、ポリフェニレンサルファイドとして直鎖型ポリ
フェニレンサルファイドを用いて成ることを特徴とする
ものである。
【００１２】また請求項４の発明は、請求項１乃至３の
いずれかにおいて、球状充填材の含有量が４０〜７５質
量％の範囲であることを特徴とするものである。
いずれかにおいて、球状充填材の含有量が４０〜７５質
量％の範囲であることを特徴とするものである。
【００１３】また請求項５の発明は、請求項１乃至４の
いずれかにおいて、ゴム状弾性体が配合された樹脂組成
物によって成形されて成ることを特徴とするものであ
る。
いずれかにおいて、ゴム状弾性体が配合された樹脂組成
物によって成形されて成ることを特徴とするものであ
る。
【００１４】また請求項６の発明は、請求項１乃至５の
いずれかにおいて、フリップチップ実装するために使用
されるものであることを特徴とするものである。
いずれかにおいて、フリップチップ実装するために使用
されるものであることを特徴とするものである。
【００１５】また請求項７の発明は、請求項１乃至５の
いずれかにおいて、ワイヤボンディング実装するために
使用されるものであることを特徴とするものである。
いずれかにおいて、ワイヤボンディング実装するために
使用されるものであることを特徴とするものである。
【００１６】また請求項８の発明は、請求項１乃至７の
いずれかにおいて、単結晶無機材料で構成されるチップ
を実装するために使用されるものであることを特徴とす
るものである。
いずれかにおいて、単結晶無機材料で構成されるチップ
を実装するために使用されるものであることを特徴とす
るものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１８】ポリフェニレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ樹
脂）はフェニル基を繰り返し単位として有する熱可塑性
樹脂であり、耐熱性や剛性等に優れた樹脂として知られ
ている。そして、ＰＰＳ樹脂は一般に架橋型、半架橋型
（半直鎖型）、直鎖型等に分類されるが、金属との密着
性が優れると共に、機械的強度が優れている点で、本発
明では直鎖型ＰＰＳ樹脂を用いるのが好ましい。
脂）はフェニル基を繰り返し単位として有する熱可塑性
樹脂であり、耐熱性や剛性等に優れた樹脂として知られ
ている。そして、ＰＰＳ樹脂は一般に架橋型、半架橋型
（半直鎖型）、直鎖型等に分類されるが、金属との密着
性が優れると共に、機械的強度が優れている点で、本発
明では直鎖型ＰＰＳ樹脂を用いるのが好ましい。
【００１９】ここで、樹脂成分としてはＰＰＳ樹脂の他
に、ゴム状弾性体を配合することもできる。このゴム状
弾性体としては、ゴムや熱可塑性エラストマーなど、Ｐ
ＰＳ樹脂よりも低弾性率のものが用いられるものであ
り、またＰＰＳ樹脂を低弾性率に改質する改質剤（特に
反応性のものが望ましい）を用いることもできる。この
ようなゴム状弾性体としては、例えば、低密度ポリエチ
レン、ポリプロピレン、エチレン−グリシジルメタクリ
レート共重合体（ＥＧＭＡ）、エチレン−グリシジルメ
タクリレート−酢酸ビニル共重合体、エチレン−グリシ
ジルメタクリレート−アクリル酸メチル共重合体、エチ
レン−エチルアクリレート共重合体（ＥＥＡ）、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−エチル
アクリレート−無水マレイン酸共重合体（Ｅ／ＥＡ／Ｍ
ＡＨ）、スチレン、スチレン−アクリロニトリル、メチ
ルメタクリレート（ＭＭＡ）、シリコーン、ビニルアク
リレート（ＶＡ）、メチルアクリレート（ＭＡ）、およ
びこれらのうちいずれか一つとポリスチレン、又はポリ
メタクリル酸メチル、又はアクリロニトリル−スチレン
共重合体（ＡＳ）とのグラフト共重合体またはブロック
共重合体などの改質剤を挙げることができる。また、例
えば天然ゴム，ポリブタジエン，ポリイソプレン，ポリ
イソブチレン，ネオプレン，ポリスルフィドゴム，チオ
コールゴム，アクリルゴム，ウレタンゴム，シリコーン
ゴム，エピクロロヒドリンゴム，スチレン−ブタジエン
ブロック共重合体（ＳＢＲ），水素添加スチレン−ブタ
ジエンブロック共重合体（ＳＥＢ），スチレン−ブタジ
エン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ），水素添加
スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（Ｓ
ＥＢＳ），スチレン−イソプレンブロック共重合体（Ｓ
ＩＲ），水素添加スチレン−イソプレンブロック共重合
体（ＳＥＰ），スチレン−イソプレン−スチレンブロッ
ク共重合体（ＳＩＳ），水素添加スチレン−イソプレン
−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ），エチレンプ
ロピレンゴム（ＥＰＲ），エチレンプロピレンジエンゴ
ム（ＥＰＤＭ），ブタジエン−アクリロニトリル−スチ
レン−コアシェルゴム（ＡＢＳ），メチルメタクリレー
ト−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＭＢ
Ｓ），メチルメタクリレート−ブチルアクリレート−ス
チレン−コアシェルゴム（ＭＡＳ），オクチルアクリレ
ート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡＢ
Ｓ），アルキルアクリレート−ブタジエン−アクリロニ
トリル−スチレンコアシェルゴム（ＡＡＢＳ），ブタジ
エン−スチレン−コアシェルゴム（ＳＢＲ），メチルメ
タクリレート−ブチルアクリレート−シロキサンをはじ
めとするシロキサン含有コアシェルゴムなどのコアシェ
ルタイプの粒子状弾性体、またはこれらを無水マレイン
酸やグリシジルメタクリレートやエポキシ等で変性した
ものなどが挙げられる。
に、ゴム状弾性体を配合することもできる。このゴム状
弾性体としては、ゴムや熱可塑性エラストマーなど、Ｐ
ＰＳ樹脂よりも低弾性率のものが用いられるものであ
り、またＰＰＳ樹脂を低弾性率に改質する改質剤（特に
反応性のものが望ましい）を用いることもできる。この
ようなゴム状弾性体としては、例えば、低密度ポリエチ
レン、ポリプロピレン、エチレン−グリシジルメタクリ
レート共重合体（ＥＧＭＡ）、エチレン−グリシジルメ
タクリレート−酢酸ビニル共重合体、エチレン−グリシ
ジルメタクリレート−アクリル酸メチル共重合体、エチ
レン−エチルアクリレート共重合体（ＥＥＡ）、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−エチル
アクリレート−無水マレイン酸共重合体（Ｅ／ＥＡ／Ｍ
ＡＨ）、スチレン、スチレン−アクリロニトリル、メチ
ルメタクリレート（ＭＭＡ）、シリコーン、ビニルアク
リレート（ＶＡ）、メチルアクリレート（ＭＡ）、およ
びこれらのうちいずれか一つとポリスチレン、又はポリ
メタクリル酸メチル、又はアクリロニトリル−スチレン
共重合体（ＡＳ）とのグラフト共重合体またはブロック
共重合体などの改質剤を挙げることができる。また、例
えば天然ゴム，ポリブタジエン，ポリイソプレン，ポリ
イソブチレン，ネオプレン，ポリスルフィドゴム，チオ
コールゴム，アクリルゴム，ウレタンゴム，シリコーン
ゴム，エピクロロヒドリンゴム，スチレン−ブタジエン
ブロック共重合体（ＳＢＲ），水素添加スチレン−ブタ
ジエンブロック共重合体（ＳＥＢ），スチレン−ブタジ
エン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ），水素添加
スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（Ｓ
ＥＢＳ），スチレン−イソプレンブロック共重合体（Ｓ
ＩＲ），水素添加スチレン−イソプレンブロック共重合
体（ＳＥＰ），スチレン−イソプレン−スチレンブロッ
ク共重合体（ＳＩＳ），水素添加スチレン−イソプレン
−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ），エチレンプ
ロピレンゴム（ＥＰＲ），エチレンプロピレンジエンゴ
ム（ＥＰＤＭ），ブタジエン−アクリロニトリル−スチ
レン−コアシェルゴム（ＡＢＳ），メチルメタクリレー
ト−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＭＢ
Ｓ），メチルメタクリレート−ブチルアクリレート−ス
チレン−コアシェルゴム（ＭＡＳ），オクチルアクリレ
ート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡＢ
Ｓ），アルキルアクリレート−ブタジエン−アクリロニ
トリル−スチレンコアシェルゴム（ＡＡＢＳ），ブタジ
エン−スチレン−コアシェルゴム（ＳＢＲ），メチルメ
タクリレート−ブチルアクリレート−シロキサンをはじ
めとするシロキサン含有コアシェルゴムなどのコアシェ
ルタイプの粒子状弾性体、またはこれらを無水マレイン
酸やグリシジルメタクリレートやエポキシ等で変性した
ものなどが挙げられる。
【００２０】本発明はこれらの中でも特に、エチレン−
グリシジルメタクリレート共重合体とアクリロニトリル
−スチレン共重合体のグラフト共重合体を用いるのが好
ましい。このものは、反応性を有する官能基を持つの
で、後述のプラズマ処理によって活性化され易く、回路
用成形基板に対する金属層の密着性をより高く得ること
ができるものである。
グリシジルメタクリレート共重合体とアクリロニトリル
−スチレン共重合体のグラフト共重合体を用いるのが好
ましい。このものは、反応性を有する官能基を持つの
で、後述のプラズマ処理によって活性化され易く、回路
用成形基板に対する金属層の密着性をより高く得ること
ができるものである。
【００２１】上記のようにゴム状弾性体を配合すること
によって、成形して得られた回路用成形基板の可撓性を
高めてエネルギー吸収性を高めることができ、これによ
りめっき応力や回路用成形基板の表面とその表面に設け
られる金属層との間の線膨張率の差による応力などの金
属層を剥離させるような外力が作用してもその外力をを
緩和することができ、金属層の密着性を向上させること
ができるものであり、また回路用成形基板の耐衝撃性を
向上して欠けや割れが発生することを防ぐことができる
ものである。ゴム状弾性体の配合量は、ＰＰＳ樹脂１０
０質量部に対して０．５〜１０質量部の範囲が好まし
く、特に１〜５質量％の範囲が好ましい。ゴム状弾性体
の配合量が０．５質量部未満であると、回路用成形基板
の表面に対する金属槽の密着性を高める効果を十分に得
られないおそれがあり、逆に１０質量部を超えると、成
形された回路用成形基板の線膨張率が増大すると共に耐
熱性の低下をまねくおそれがある。
によって、成形して得られた回路用成形基板の可撓性を
高めてエネルギー吸収性を高めることができ、これによ
りめっき応力や回路用成形基板の表面とその表面に設け
られる金属層との間の線膨張率の差による応力などの金
属層を剥離させるような外力が作用してもその外力をを
緩和することができ、金属層の密着性を向上させること
ができるものであり、また回路用成形基板の耐衝撃性を
向上して欠けや割れが発生することを防ぐことができる
ものである。ゴム状弾性体の配合量は、ＰＰＳ樹脂１０
０質量部に対して０．５〜１０質量部の範囲が好まし
く、特に１〜５質量％の範囲が好ましい。ゴム状弾性体
の配合量が０．５質量部未満であると、回路用成形基板
の表面に対する金属槽の密着性を高める効果を十分に得
られないおそれがあり、逆に１０質量部を超えると、成
形された回路用成形基板の線膨張率が増大すると共に耐
熱性の低下をまねくおそれがある。
【００２２】またＰＰＳ樹脂には成形収縮率を小さくし
たり線膨張率を小さくしたりして寸法安定性を高く得る
ために無機充填材を配合して使用するが、本発明ではこ
の無機充填材として球状充填材のみを用いるものであ
る。球状充填材としては、球状シリカ、ガラスビーズ、
ガラスバルーン、球状アルミナ、球状珪酸アルミニウム
などを使用することができる。本発明では無機充填材と
して球状充填材のみを用い、繊維状充填材や不定形充填
材などは用いないものである。球状充填材の配合量は、
樹脂組成物全量中４０〜７５質量％の範囲になるように
設定するのが好ましく、成形して得られた回路用成形基
板中に球状充填材が４０〜７５質量％の範囲で含有され
るようにするの好ましい。球状充填材の配合量は６０〜
７０質量％の範囲が特に好ましい。球状充填材の含有量
が４０質量％未満であると、球状充填材の配合による回
路用成形基板の寸法安定性を高める効果を十分に得るこ
とができないものであり、逆に７５質量％を超えると、
回路用成形基板の表面に対する金属層の密着強度が低下
する場合がある。
たり線膨張率を小さくしたりして寸法安定性を高く得る
ために無機充填材を配合して使用するが、本発明ではこ
の無機充填材として球状充填材のみを用いるものであ
る。球状充填材としては、球状シリカ、ガラスビーズ、
ガラスバルーン、球状アルミナ、球状珪酸アルミニウム
などを使用することができる。本発明では無機充填材と
して球状充填材のみを用い、繊維状充填材や不定形充填
材などは用いないものである。球状充填材の配合量は、
樹脂組成物全量中４０〜７５質量％の範囲になるように
設定するのが好ましく、成形して得られた回路用成形基
板中に球状充填材が４０〜７５質量％の範囲で含有され
るようにするの好ましい。球状充填材の配合量は６０〜
７０質量％の範囲が特に好ましい。球状充填材の含有量
が４０質量％未満であると、球状充填材の配合による回
路用成形基板の寸法安定性を高める効果を十分に得るこ
とができないものであり、逆に７５質量％を超えると、
回路用成形基板の表面に対する金属層の密着強度が低下
する場合がある。
【００２３】そしてＰＰＳ樹脂、必要に応じて配合され
るゴム状低弾性率材料、球状充填材を配合し、これらを
混合・混練することによって、樹脂組成物を成形材料と
して得ることができるものであり、この樹脂組成物を射
出成形法などで成形することによって、本発明に係る回
路用成形基板を得ることができるものである。
るゴム状低弾性率材料、球状充填材を配合し、これらを
混合・混練することによって、樹脂組成物を成形材料と
して得ることができるものであり、この樹脂組成物を射
出成形法などで成形することによって、本発明に係る回
路用成形基板を得ることができるものである。
【００２４】このようにして得られた回路用成形基板の
表面に金属層を形成するにあたっては、まず回路用成形
基板の表面をプラズマ処理し、回路用成形基板の表面を
活性化させる。プラズマ処理は、チャンバー内に一対の
電極を対向配置し、一方の電極に高周波電源を接続する
と共に他方の電極を接地して形成したプラズマ処理装置
を用いて行なうことができる。そして回路用成形基板の
表面をプラズマ処理するにあたっては、回路用成形基板
を電極間において一方の電極の上にセットし、チャンバ
ー内を真空引きして１０-4Ｐａ程度に減圧した後、チャ
ンバー内にＮ2やＯ2等の化学的反応が活性なガスを導入
して流通させると共に、チャンバー内のガス圧を８〜１
５Ｐａに制御し、次に高周波電源によって電極間に高周
波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を１０〜１００秒程
度印加する。このとき、電極間の高周波グロー放電によ
る気体放電現象によって、チャンバー内の活性ガスが励
起され、陽イオンやラジカル等のプラズマが発生し、陽
イオンやラジカル等がチャンバー内に形成される。そし
てこれらの陽イオンやラジカルが回路用成形基板の表面
に衝突することによって、回路用成形基板の表面を活性
化することができるものであり、回路形成用基板に形成
される金属層の密着性を高めることができるものであ
る。特に陽イオンが回路用成形基板に誘引衝突すると、
回路用成形基板の表面に金属と結合し易い窒素極性基や
酸素極性基が導入されるので、金属層との密着性がより
向上するものである。尚、プラズマ処理条件は上記のも
のに限定されるものではなく、回路用成形基板の表面が
プラズマ処理で過度に粗面化されない範囲で、任意に設
定して行なうことができるものである。
表面に金属層を形成するにあたっては、まず回路用成形
基板の表面をプラズマ処理し、回路用成形基板の表面を
活性化させる。プラズマ処理は、チャンバー内に一対の
電極を対向配置し、一方の電極に高周波電源を接続する
と共に他方の電極を接地して形成したプラズマ処理装置
を用いて行なうことができる。そして回路用成形基板の
表面をプラズマ処理するにあたっては、回路用成形基板
を電極間において一方の電極の上にセットし、チャンバ
ー内を真空引きして１０-4Ｐａ程度に減圧した後、チャ
ンバー内にＮ2やＯ2等の化学的反応が活性なガスを導入
して流通させると共に、チャンバー内のガス圧を８〜１
５Ｐａに制御し、次に高周波電源によって電極間に高周
波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を１０〜１００秒程
度印加する。このとき、電極間の高周波グロー放電によ
る気体放電現象によって、チャンバー内の活性ガスが励
起され、陽イオンやラジカル等のプラズマが発生し、陽
イオンやラジカル等がチャンバー内に形成される。そし
てこれらの陽イオンやラジカルが回路用成形基板の表面
に衝突することによって、回路用成形基板の表面を活性
化することができるものであり、回路形成用基板に形成
される金属層の密着性を高めることができるものであ
る。特に陽イオンが回路用成形基板に誘引衝突すると、
回路用成形基板の表面に金属と結合し易い窒素極性基や
酸素極性基が導入されるので、金属層との密着性がより
向上するものである。尚、プラズマ処理条件は上記のも
のに限定されるものではなく、回路用成形基板の表面が
プラズマ処理で過度に粗面化されない範囲で、任意に設
定して行なうことができるものである。
【００２５】上記のようにプラズマ処理をした後、スパ
ッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ば
れる物理蒸着法（ＰＶＤ法）で回路形成用基板の表面に
金属層を形成する。ここで、上記のように回路形成用基
板をチャンバー内でプラズマ処理した後、チャンバー内
を大気開放することなく、これらのスパッタリングや真
空蒸着やイオンプレーティングを連続プロセスで行なう
のがよい。金属層を形成する金属としては、銅、ニッケ
ル、金、アルミニウム、チタン、モリブデン、クロム、
タングステン、スズ、鉛、黄銅、ＮｉＣｒなどの単体、
あるいは合金を用いることができる。
ッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ば
れる物理蒸着法（ＰＶＤ法）で回路形成用基板の表面に
金属層を形成する。ここで、上記のように回路形成用基
板をチャンバー内でプラズマ処理した後、チャンバー内
を大気開放することなく、これらのスパッタリングや真
空蒸着やイオンプレーティングを連続プロセスで行なう
のがよい。金属層を形成する金属としては、銅、ニッケ
ル、金、アルミニウム、チタン、モリブデン、クロム、
タングステン、スズ、鉛、黄銅、ＮｉＣｒなどの単体、
あるいは合金を用いることができる。
【００２６】ここで、スパッタリングとしては例えばＤ
Ｃスパッタ方式を適用することができる。まずチャンバ
ー内に成形体を配置した後、真空ポンプによりチャンバ
ー内の圧力が１０-4Ｐａ以下になるまで真空引きし、こ
の状態でチャンバー内にアルゴン等の不活性ガスを０．
１Ｐａのガス圧になるように導入する。更に５００Ｖの
直流電圧を印加することによって、銅ターゲットをボン
バードし、３００〜５００ｎｍ程度の膜厚の銅などの金
属層を回路用成形基板の表面に形成することができる。
Ｃスパッタ方式を適用することができる。まずチャンバ
ー内に成形体を配置した後、真空ポンプによりチャンバ
ー内の圧力が１０-4Ｐａ以下になるまで真空引きし、こ
の状態でチャンバー内にアルゴン等の不活性ガスを０．
１Ｐａのガス圧になるように導入する。更に５００Ｖの
直流電圧を印加することによって、銅ターゲットをボン
バードし、３００〜５００ｎｍ程度の膜厚の銅などの金
属層を回路用成形基板の表面に形成することができる。
【００２７】また真空蒸着としては電子線加熱式真空蒸
着方式を適用することができる。まず真空ポンプにより
チャンバー内の圧力が１０-3Ｐａ以下になるまで真空引
きを行なった後、４００〜８００ｍＡの電子流を発生さ
せ、この電子流をるつぼの中の蒸着材料に衝突させて加
熱すると蒸着材料が蒸発し、３００ｎｍ程度の膜厚の銅
などの金属層を回路用成形基板の表面に形成することが
できる。
着方式を適用することができる。まず真空ポンプにより
チャンバー内の圧力が１０-3Ｐａ以下になるまで真空引
きを行なった後、４００〜８００ｍＡの電子流を発生さ
せ、この電子流をるつぼの中の蒸着材料に衝突させて加
熱すると蒸着材料が蒸発し、３００ｎｍ程度の膜厚の銅
などの金属層を回路用成形基板の表面に形成することが
できる。
【００２８】またイオンプレーティングで金属層を形成
するにあたっては、まずチャンバー内の圧力を１０-4Ｐ
ａ以下になるまで真空引きを行ない、上記の真空蒸着の
条件で蒸着材料を蒸発させると共に、成形体とるつぼの
間にある誘導アンテナ部にアルゴン等の不活性ガスを導
入し、ガス圧を０．０５〜０．１Ｐａとなるようにして
プラズマを発生させ、そして誘導アンテナに１３．５６
ＭＨｚの高周波で５００Ｗのパワーを印加すると共に、
１００〜５００Ｖの直流電圧のバイアス電圧を印加する
ことによって、３００〜５００ｎｍ程度の膜厚の銅など
の金属層を回路用成形基板の表面に形成することができ
る。
するにあたっては、まずチャンバー内の圧力を１０-4Ｐ
ａ以下になるまで真空引きを行ない、上記の真空蒸着の
条件で蒸着材料を蒸発させると共に、成形体とるつぼの
間にある誘導アンテナ部にアルゴン等の不活性ガスを導
入し、ガス圧を０．０５〜０．１Ｐａとなるようにして
プラズマを発生させ、そして誘導アンテナに１３．５６
ＭＨｚの高周波で５００Ｗのパワーを印加すると共に、
１００〜５００Ｖの直流電圧のバイアス電圧を印加する
ことによって、３００〜５００ｎｍ程度の膜厚の銅など
の金属層を回路用成形基板の表面に形成することができ
る。
【００２９】上記のようにして物理蒸着法で回路用成形
基板の表面に金属層を形成するにあたって、回路用成形
基板の表面は上記のようにプラズマ処理によって化学的
に活性化されているものであり、回路用成形基板の表面
に対する金属層の密着性を高く得ることができるもので
ある。ＰＰＳ樹脂を成形して得られた回路用成形基板の
表面に物理蒸着法で金属層を形成するにあたって、金属
層によって回路形成することができる程度の密着力を得
ることは困難であるが、回路用成形基板の表面をプラズ
マ処理して活性化しておくことによって、回路形成する
ことができる程度の十分な密着力を得ることが可能にな
るのである。
基板の表面に金属層を形成するにあたって、回路用成形
基板の表面は上記のようにプラズマ処理によって化学的
に活性化されているものであり、回路用成形基板の表面
に対する金属層の密着性を高く得ることができるもので
ある。ＰＰＳ樹脂を成形して得られた回路用成形基板の
表面に物理蒸着法で金属層を形成するにあたって、金属
層によって回路形成することができる程度の密着力を得
ることは困難であるが、回路用成形基板の表面をプラズ
マ処理して活性化しておくことによって、回路形成する
ことができる程度の十分な密着力を得ることが可能にな
るのである。
【００３０】そして上記のように回路用成形基板の表面
に金属層を形成した後、金属層で回路を形成することに
よって、ＭＩＤ等の樹脂成形回路板として仕上げること
ができるものである。回路形成は例えばレーザ法によっ
て行なうことができる。すなわち、回路形成部分と回路
非形成部分との境界に沿ってレーザ光を照射し、この境
界部分の金属層を除去することによって、回路形成部分
の金属層を回路パターンで残し、この回路パターンの金
属層に電解メッキを施す。次にソフトエッチング処理を
して、回路非形成部分に残る金属層を除去すると共に、
電解メッキを施した回路形成部分は残存させることによ
って、所望のパターン形状の回路を形成した樹脂成形回
路板を得ることができるものである。この回路の表面に
はさらにニッケルメッキ、金メッキ等の導電層を設ける
ようにしてもよい。
に金属層を形成した後、金属層で回路を形成することに
よって、ＭＩＤ等の樹脂成形回路板として仕上げること
ができるものである。回路形成は例えばレーザ法によっ
て行なうことができる。すなわち、回路形成部分と回路
非形成部分との境界に沿ってレーザ光を照射し、この境
界部分の金属層を除去することによって、回路形成部分
の金属層を回路パターンで残し、この回路パターンの金
属層に電解メッキを施す。次にソフトエッチング処理を
して、回路非形成部分に残る金属層を除去すると共に、
電解メッキを施した回路形成部分は残存させることによ
って、所望のパターン形状の回路を形成した樹脂成形回
路板を得ることができるものである。この回路の表面に
はさらにニッケルメッキ、金メッキ等の導電層を設ける
ようにしてもよい。
【００３１】ここで、回路用成形基板には充填材として
球状充填材が含有されているだけであり、繊維状充填材
や不定形充填材などは含有されておらず、回路用成形基
板の表面には球状充填材の球形表面が露出するだけで、
繊維状充填材や不定形充填材などが露出することはな
く、回路用成形基板の表面は平滑性が高い。従って、回
路用成形基板の表面に形成する回路の精密細線化が容易
になり、例えばライン幅０．０３ｍｍ、スペース幅０．
０３ｍｍのような精密細線の回路を形成することが可能
になるものである。
球状充填材が含有されているだけであり、繊維状充填材
や不定形充填材などは含有されておらず、回路用成形基
板の表面には球状充填材の球形表面が露出するだけで、
繊維状充填材や不定形充填材などが露出することはな
く、回路用成形基板の表面は平滑性が高い。従って、回
路用成形基板の表面に形成する回路の精密細線化が容易
になり、例えばライン幅０．０３ｍｍ、スペース幅０．
０３ｍｍのような精密細線の回路を形成することが可能
になるものである。
【００３２】また、回路用成形基板を成形する樹脂組成
物には充填材として球状充填材が含有されているだけ
で、繊維状充填材や不定形充填材などは含有されていな
いので、樹脂組成物を射出成形などして成形する際に、
樹脂組成物の流れ方向に充填材が配向するようなことが
なくなる、従って、回路用成形基板は充填材が配向する
ことによる異方性がなくなり、回路用成形基板の線膨張
率や成形収縮率はあらゆる方向にほぼ同じであって、線
膨張率や成形収縮率は等方性を示す。このため、回路用
成形基板が加熱されても線膨張率や成形収縮率の異方性
に起因して反りなどの変形が発生することを低減できる
ものである。従って回路用成形基板の変形に伴って、回
路用成形基板とその表面に形成した金属層の界面で大き
な応力が発生するようなことがなくなるものであり、こ
の金属層で形成される回路の密着強度が低下して回路の
導通信頼性が悪くなることを防ぐことができるものであ
る。
物には充填材として球状充填材が含有されているだけ
で、繊維状充填材や不定形充填材などは含有されていな
いので、樹脂組成物を射出成形などして成形する際に、
樹脂組成物の流れ方向に充填材が配向するようなことが
なくなる、従って、回路用成形基板は充填材が配向する
ことによる異方性がなくなり、回路用成形基板の線膨張
率や成形収縮率はあらゆる方向にほぼ同じであって、線
膨張率や成形収縮率は等方性を示す。このため、回路用
成形基板が加熱されても線膨張率や成形収縮率の異方性
に起因して反りなどの変形が発生することを低減できる
ものである。従って回路用成形基板の変形に伴って、回
路用成形基板とその表面に形成した金属層の界面で大き
な応力が発生するようなことがなくなるものであり、こ
の金属層で形成される回路の密着強度が低下して回路の
導通信頼性が悪くなることを防ぐことができるものであ
る。
【００３３】図１（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態を
示すものであり、図１（ａ）は回路用成形基板Ａを平板
状に形成し、その表面に金属層１を設けて回路３を形成
するようにしてある。また図１（ｂ）は、回路用成形基
板Ａの表面の回路形成面２を三次元立体形状に形成し、
金属層１を回路形成面２に沿って設けることによって、
金属層１から形成される回路３を立体的に配置したＭＩ
Ｄとして用いることができるようにしたものである。回
路用成形基板Ａの線膨張率や成形収縮率に異方性がある
と、三次元立体形状に形成される回路形成面２は変形が
大きく発生し易いが、本発明の回路用成形基板Ａは異方
性がなく等方性であるので、回路形成面２の変形が小さ
く、回路形成面２に設けた金属層１（回路３）の密着性
が低下することを防止して高い密着性を確保することが
できるものである。
示すものであり、図１（ａ）は回路用成形基板Ａを平板
状に形成し、その表面に金属層１を設けて回路３を形成
するようにしてある。また図１（ｂ）は、回路用成形基
板Ａの表面の回路形成面２を三次元立体形状に形成し、
金属層１を回路形成面２に沿って設けることによって、
金属層１から形成される回路３を立体的に配置したＭＩ
Ｄとして用いることができるようにしたものである。回
路用成形基板Ａの線膨張率や成形収縮率に異方性がある
と、三次元立体形状に形成される回路形成面２は変形が
大きく発生し易いが、本発明の回路用成形基板Ａは異方
性がなく等方性であるので、回路形成面２の変形が小さ
く、回路形成面２に設けた金属層１（回路３）の密着性
が低下することを防止して高い密着性を確保することが
できるものである。
【００３４】図２は、回路用成形基板Ａを、半導体チッ
プなどのチップ４を実装する基板として用いるようにし
た実施の形態の一例を示すものであり、フリップチップ
実装用の例である。回路用成形基板Ａの表面には回路３
によって図２（ａ）のようにバンプランド５が形成して
あり、チップ４の電極には金バンプや半田バンプなどの
バンプ６が形成してある。そしてバンプ６をバンプラン
ド５に接合すると共にチップ４と回路用成形基板Ａの間
にエポキシ樹脂などの封止樹脂７を充填することによっ
て、図２（ｂ）（ｃ）に示すように、チップ４を回路用
成形基板Ａにフリップチップ実装するようにしてある。
プなどのチップ４を実装する基板として用いるようにし
た実施の形態の一例を示すものであり、フリップチップ
実装用の例である。回路用成形基板Ａの表面には回路３
によって図２（ａ）のようにバンプランド５が形成して
あり、チップ４の電極には金バンプや半田バンプなどの
バンプ６が形成してある。そしてバンプ６をバンプラン
ド５に接合すると共にチップ４と回路用成形基板Ａの間
にエポキシ樹脂などの封止樹脂７を充填することによっ
て、図２（ｂ）（ｃ）に示すように、チップ４を回路用
成形基板Ａにフリップチップ実装するようにしてある。
【００３５】ここで、回路用成形基板Ａは線膨張率や成
形収縮率の異方性がなく等方性を有するので、成形収縮
する際に表面に変形が生じず、表面の平面度が優れると
共に、実装などの際に熱が作用しても熱変形を抑制する
ことができ、表面の平面度の悪化を小さくすることがで
きる。従って、上記のように回路用成形基板Ａの表面に
チップ４をフリップチップ実装するにあたって、バンプ
接合を安定して行なうことができるものであり、接合の
初期品質だけでなく、長期信頼性も高く得ることがで
き、接続の抵抗値が上昇するようなことがなくなるもの
である。またこのように回路用成形基板Ａは熱変形が小
さいので、回路用成形基板Ａの表面に実装されたチップ
４が回路用成形基板Ａの変形に伴って変形されることが
なくなり、チップ４からノイズが発生したりすることを
未然に防ぐことができるものである。
形収縮率の異方性がなく等方性を有するので、成形収縮
する際に表面に変形が生じず、表面の平面度が優れると
共に、実装などの際に熱が作用しても熱変形を抑制する
ことができ、表面の平面度の悪化を小さくすることがで
きる。従って、上記のように回路用成形基板Ａの表面に
チップ４をフリップチップ実装するにあたって、バンプ
接合を安定して行なうことができるものであり、接合の
初期品質だけでなく、長期信頼性も高く得ることがで
き、接続の抵抗値が上昇するようなことがなくなるもの
である。またこのように回路用成形基板Ａは熱変形が小
さいので、回路用成形基板Ａの表面に実装されたチップ
４が回路用成形基板Ａの変形に伴って変形されることが
なくなり、チップ４からノイズが発生したりすることを
未然に防ぐことができるものである。
【００３６】図３は、回路用成形基板Ａを、半導体チッ
プなどのチップ４を実装する基板として用いるようにし
た実施の形態の他の一例を示すものであり、ワイヤボン
ディング実装用の例である。回路用成形基板Ａの表面に
は回路３によってボンディングパッド８が形成してあ
り、そしてチップ４を回路用成形基板Ａにペースト樹脂
１１などで接合すると共にチップ４の電極９とボンディ
ングパッド８の間に金線などのワイヤ１０をボンディン
グすることによって、チップ４を回路用成形基板Ａにワ
イヤボンディング実装するようにしてある。
プなどのチップ４を実装する基板として用いるようにし
た実施の形態の他の一例を示すものであり、ワイヤボン
ディング実装用の例である。回路用成形基板Ａの表面に
は回路３によってボンディングパッド８が形成してあ
り、そしてチップ４を回路用成形基板Ａにペースト樹脂
１１などで接合すると共にチップ４の電極９とボンディ
ングパッド８の間に金線などのワイヤ１０をボンディン
グすることによって、チップ４を回路用成形基板Ａにワ
イヤボンディング実装するようにしてある。
【００３７】ここで、回路用成形基板Ａは充填材として
球状充填材が含有されており、表面の平滑性が優れてい
るので、回路用成形基板Ａに形成されるボンディングパ
ッド８の表面も平滑性が優れており、ワイヤ１０のボン
ディング性が高く、接合信頼性を高く得ることができる
ものである。
球状充填材が含有されており、表面の平滑性が優れてい
るので、回路用成形基板Ａに形成されるボンディングパ
ッド８の表面も平滑性が優れており、ワイヤ１０のボン
ディング性が高く、接合信頼性を高く得ることができる
ものである。
【００３８】図４は、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）やＺｎ
Ｓｅ（セレン化亜鉛）等の極めて脆弱な材料である単結
晶無機材料で形成された、ＬＥＤなどの脆弱なチップ４
を回路用成形基板Ａに実装するようにした実施の形態を
示すものである。実装の形態はフリップチップ実装で
も、ワイヤボンディング実装でもいずれでもよい。図４
の実施の形態では、チップ４を回路用成形基板Ａにペー
スト樹脂１１で接合すると共にチップ４の電極９と回路
用成形基板Ａのボンディングパッド８の間に金線などの
ワイヤ１０をボンディングすることによって、ワイヤボ
ンディング実装するようにしてある。ここで、回路用成
形基板Ａが大きく熱変形すると、実装されている脆弱な
チップ４に応力が作用して、脆弱なチップ４が破損され
るおそれがあるが、回路用成形基板Ａは線膨張率の異方
性がなく等方性を有するので熱変形が微小であり、脆弱
なチップ４に損傷が生じることを防ぐことができるもの
である。
Ｓｅ（セレン化亜鉛）等の極めて脆弱な材料である単結
晶無機材料で形成された、ＬＥＤなどの脆弱なチップ４
を回路用成形基板Ａに実装するようにした実施の形態を
示すものである。実装の形態はフリップチップ実装で
も、ワイヤボンディング実装でもいずれでもよい。図４
の実施の形態では、チップ４を回路用成形基板Ａにペー
スト樹脂１１で接合すると共にチップ４の電極９と回路
用成形基板Ａのボンディングパッド８の間に金線などの
ワイヤ１０をボンディングすることによって、ワイヤボ
ンディング実装するようにしてある。ここで、回路用成
形基板Ａが大きく熱変形すると、実装されている脆弱な
チップ４に応力が作用して、脆弱なチップ４が破損され
るおそれがあるが、回路用成形基板Ａは線膨張率の異方
性がなく等方性を有するので熱変形が微小であり、脆弱
なチップ４に損傷が生じることを防ぐことができるもの
である。
【００３９】
【実施例】次に、本発明を実施例によって具体的に説明
する。
する。
【００４０】（実施例１）架橋型ポリフェニレンサルフ
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２９００」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を４０質量％配合した。これを直径
２５ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝２５の２軸スクリュウベント式にお
いて、スクリュウ回転数１５０ｒｐｍで溶融混練し、得
られたストランドを冷却後ペレット化することによって
樹脂組成物を調製した。次にこの樹脂組成物を射出成形
することによって、図１（ｂ）のような、表面の回路形
成面２を三次元立体形状に形成した回路用成形基板Ａを
得た。
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２９００」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を４０質量％配合した。これを直径
２５ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝２５の２軸スクリュウベント式にお
いて、スクリュウ回転数１５０ｒｐｍで溶融混練し、得
られたストランドを冷却後ペレット化することによって
樹脂組成物を調製した。次にこの樹脂組成物を射出成形
することによって、図１（ｂ）のような、表面の回路形
成面２を三次元立体形状に形成した回路用成形基板Ａを
得た。
【００４１】そしてこの回路用成形基板Ａの表面をプラ
ズマ処理し、さらにスパッタリングで金属層１を形成し
た。まず回路用成形基板Ａをプラズマ処理装置のチャン
バー内にセットし、チャンバー内を真空引きして１０-4
Ｐａ程度に減圧した後、チャンバー内に活性ガスとして
Ｎ2を導入して流通させると共に、チャンバー内のガス
圧を１０Ｐａに制御し、この後、電極間にパワー３００
Ｗの高周波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を３０秒間
印加することによって、プラズマ処理をした。
ズマ処理し、さらにスパッタリングで金属層１を形成し
た。まず回路用成形基板Ａをプラズマ処理装置のチャン
バー内にセットし、チャンバー内を真空引きして１０-4
Ｐａ程度に減圧した後、チャンバー内に活性ガスとして
Ｎ2を導入して流通させると共に、チャンバー内のガス
圧を１０Ｐａに制御し、この後、電極間にパワー３００
Ｗの高周波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を３０秒間
印加することによって、プラズマ処理をした。
【００４２】次に、チャンバー内の圧力が１０-4Ｐａ以
下になるまで真空引きし、この状態でチャンバー内にア
ルゴンガスを０．１Ｐａのガス圧になるように導入した
後、更に５００Ｖの直流電圧を印加することによって、
銅ターゲットをボンバードし、回路用成形基板Ａの回路
形成面２に４００ｎｍの膜厚の銅の金属層１を形成し
た。このように金属層１を形成した後、銅の金属層１の
表面に電解メッキで銅メッキを施し、金属層１の全体厚
みを１０μｍに形成した。
下になるまで真空引きし、この状態でチャンバー内にア
ルゴンガスを０．１Ｐａのガス圧になるように導入した
後、更に５００Ｖの直流電圧を印加することによって、
銅ターゲットをボンバードし、回路用成形基板Ａの回路
形成面２に４００ｎｍの膜厚の銅の金属層１を形成し
た。このように金属層１を形成した後、銅の金属層１の
表面に電解メッキで銅メッキを施し、金属層１の全体厚
みを１０μｍに形成した。
【００４３】（比較例１）実施異例１と同じ架橋型ポリ
フェニレンサルファイドにガラス繊維（直径１１μｍ、
繊維長３ｍｍ）を４０質量％配合し、これを実施例１と
同様に混練することによって樹脂組成物を調製し、この
樹脂組成物を射出成形することによって、図１（ｂ）の
ような、表面の回路形成面２を三次元立体形状に形成し
た回路用成形基板Ａを得た。
フェニレンサルファイドにガラス繊維（直径１１μｍ、
繊維長３ｍｍ）を４０質量％配合し、これを実施例１と
同様に混練することによって樹脂組成物を調製し、この
樹脂組成物を射出成形することによって、図１（ｂ）の
ような、表面の回路形成面２を三次元立体形状に形成し
た回路用成形基板Ａを得た。
【００４４】あとは、実施例１と同様にして、回路用成
形基板Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層１を形成
した。
形基板Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層１を形成
した。
【００４５】（比較例２）実施例１と同じ架橋型ポリフ
ェニレンサルファイドに球状シリカ（中心粒径５μｍ）
を２０質量％、ガラス繊維（直径１１μｍ、繊維長３ｍ
ｍ）を２０質量％それぞれ配合し、これを混練すること
によって樹脂組成物を調製し、この樹脂組成物を射出成
形することによって、図１（ｂ）のような、表面の回路
形成面２を三次元立体形状に形成した回路用成形基板Ａ
を得た。
ェニレンサルファイドに球状シリカ（中心粒径５μｍ）
を２０質量％、ガラス繊維（直径１１μｍ、繊維長３ｍ
ｍ）を２０質量％それぞれ配合し、これを混練すること
によって樹脂組成物を調製し、この樹脂組成物を射出成
形することによって、図１（ｂ）のような、表面の回路
形成面２を三次元立体形状に形成した回路用成形基板Ａ
を得た。
【００４６】あとは、実施例１と同様にして、回路用成
形基板Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層１を形成
した。
形基板Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層１を形成
した。
【００４７】上記の実施例１及び比較例１，２のものに
ついて、金属層１の９０度ピール試験によるピール強度
を測定した。
ついて、金属層１の９０度ピール試験によるピール強度
を測定した。
【００４８】また成形して得られた回路用成形基板Ａの
表面の平面度を、非接触三次元測定装置（三鷹光器社製
「ＮＨ−３Ｎ」）で測定した。平面度の測定は、回路用
成形基板Ａを成形した後の「初期」と、回路用成形基板
Ａを顕微鏡加熱冷却装置（ジャパンハイテック社製「Ｌ
ＴＳ３５０」）にセットして１２０℃の定常温度状態に
まで加熱した後の「加熱後」についてそれぞれ行なっ
た。
表面の平面度を、非接触三次元測定装置（三鷹光器社製
「ＮＨ−３Ｎ」）で測定した。平面度の測定は、回路用
成形基板Ａを成形した後の「初期」と、回路用成形基板
Ａを顕微鏡加熱冷却装置（ジャパンハイテック社製「Ｌ
ＴＳ３５０」）にセットして１２０℃の定常温度状態に
まで加熱した後の「加熱後」についてそれぞれ行なっ
た。
【００４９】また成形して得られた回路用成形基板Ａの
成形収縮率と線膨張率を測定した。成形収縮率と線膨張
率はそれぞれ、射出成形時の樹脂の流動方向（ＭＤ）
と、流動方向に直交する方向（ＴＤ）について行ない、
線膨張率の測定はＴＭＡ法によった。
成形収縮率と線膨張率を測定した。成形収縮率と線膨張
率はそれぞれ、射出成形時の樹脂の流動方向（ＭＤ）
と、流動方向に直交する方向（ＴＤ）について行ない、
線膨張率の測定はＴＭＡ法によった。
【００５０】さらに、回路用成形基板Ａに図２（ａ）の
ように回路形成をしてバンプランド５を設けた後に、Ｉ
Ｃチップ４を図２（ｂ）（ｃ）のようにフリップチップ
実装し、このように実装したＩＣチップ４からのノイズ
の発生の有無を測定した。測定は、ＩＣチップ４を実装
した回路用成形基板Ａを、１６０℃の温度で１時間保持
し、次いで−４０℃の温度で１時間保持し、更に室温に
戻すという熱負荷を与えている間、ＩＣチップ４に電流
を流して動作させると共にＩＣチップからの出力をオシ
ロスコープにて観測し、ＩＣチップ４からのノイズの発
生の有無を判定した。
ように回路形成をしてバンプランド５を設けた後に、Ｉ
Ｃチップ４を図２（ｂ）（ｃ）のようにフリップチップ
実装し、このように実装したＩＣチップ４からのノイズ
の発生の有無を測定した。測定は、ＩＣチップ４を実装
した回路用成形基板Ａを、１６０℃の温度で１時間保持
し、次いで−４０℃の温度で１時間保持し、更に室温に
戻すという熱負荷を与えている間、ＩＣチップ４に電流
を流して動作させると共にＩＣチップからの出力をオシ
ロスコープにて観測し、ＩＣチップ４からのノイズの発
生の有無を判定した。
【００５１】またこのようにＩＣチップ４を実装した回
路用成形基板Ａについて、ＩＣチップ４の対向する２つ
のバンプ６間の抵抗値を５箇所計測した。測定は、加熱
前の「初期」と、上記と同様にして加熱を行なった後の
「加熱後」についてそれぞれ行ない、計測値の差が１０
０ｍΩ以下を良品として「○」、１００ｍΩを超えるも
のを不良品として「×」と判定した。
路用成形基板Ａについて、ＩＣチップ４の対向する２つ
のバンプ６間の抵抗値を５箇所計測した。測定は、加熱
前の「初期」と、上記と同様にして加熱を行なった後の
「加熱後」についてそれぞれ行ない、計測値の差が１０
０ｍΩ以下を良品として「○」、１００ｍΩを超えるも
のを不良品として「×」と判定した。
【００５２】これらの結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
【００５４】表１にみれらるように、実施例１のもの
は、平面度が優れ、成形収縮率や線膨張率に異方性がな
いことが確認される。
は、平面度が優れ、成形収縮率や線膨張率に異方性がな
いことが確認される。
【００５５】（実施例２）直鎖型ポリフェニレンサルフ
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２８８８」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を５０質量％配合し、これを実施例
１と同様に混練することによって樹脂組成物を調製し、
この樹脂組成物を射出成形することによって、図１
（ａ）のような平板状の回路用成形基板Ａを得た。あと
は、実施例１と同様にして、回路用成形基板Ａの表面を
プラズマ処理した後、金属層１を形成した。
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２８８８」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を５０質量％配合し、これを実施例
１と同様に混練することによって樹脂組成物を調製し、
この樹脂組成物を射出成形することによって、図１
（ａ）のような平板状の回路用成形基板Ａを得た。あと
は、実施例１と同様にして、回路用成形基板Ａの表面を
プラズマ処理した後、金属層１を形成した。
【００５６】（実施例３）架橋型ポリフェニレンサルフ
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２９００」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を５０質量％配合し、これを実施例
１と同様に混練することによって樹脂組成物を調製し、
この樹脂組成物を射出成形することによって、図１
（ａ）のような平板状の回路用成形基板Ａを得た。あと
は、実施例１と同様にして、回路用成形基板Ａの表面を
プラズマ処理した後、金属層１を形成した。
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２９００」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を５０質量％配合し、これを実施例
１と同様に混練することによって樹脂組成物を調製し、
この樹脂組成物を射出成形することによって、図１
（ａ）のような平板状の回路用成形基板Ａを得た。あと
は、実施例１と同様にして、回路用成形基板Ａの表面を
プラズマ処理した後、金属層１を形成した。
【００５７】上記の実施例２及び３のものについて、金
属層１のピール強度と回路用成形基板Ａの成形収縮率を
測定した。結果を表２に示す。
属層１のピール強度と回路用成形基板Ａの成形収縮率を
測定した。結果を表２に示す。
【００５８】
【表２】
【００５９】表２にみられるように、ポリフェニレンサ
ルファイド樹脂は架橋型のものより直鎖型のもののほう
が、金属層１のピール強度が高く、金属との密着性に優
れることが確認される。
ルファイド樹脂は架橋型のものより直鎖型のもののほう
が、金属層１のピール強度が高く、金属との密着性に優
れることが確認される。
【００６０】（実施例４）架橋型ポリフェニレンサルフ
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２９００」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を４０質量％配合し、これを実施例
１と同様に混練することによって樹脂組成物を調製し、
この樹脂組成物を射出成形することによって、図１
（ａ）のような平板状の回路用成形基板Ａを得た。あと
は、実施例１と同様にして、回路用成形基板Ａの表面を
プラズマ処理した後、金属層１を形成した。
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２９００」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を４０質量％配合し、これを実施例
１と同様に混練することによって樹脂組成物を調製し、
この樹脂組成物を射出成形することによって、図１
（ａ）のような平板状の回路用成形基板Ａを得た。あと
は、実施例１と同様にして、回路用成形基板Ａの表面を
プラズマ処理した後、金属層１を形成した。
【００６１】（実施例５）球状シリカの配合量を５０質
量％に設定するようにした他は、実施例４と同様にし
た。
量％に設定するようにした他は、実施例４と同様にし
た。
【００６２】（実施例６）球状シリカの配合量を６０質
量％に設定するようにした他は、実施例４と同様にし
た。
量％に設定するようにした他は、実施例４と同様にし
た。
【００６３】（実施例７）球状シリカの配合量を７５質
量％に設定するようにした他は、実施例４と同様にし
た。
量％に設定するようにした他は、実施例４と同様にし
た。
【００６４】（比較例３）架橋型ポリフェニレンサルフ
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２９００」）を射出成形す
ることによって、図１（ａ）のような平板状の回路用成
形基板Ａを得た（球状シリカを配合せず）。あとは、実
施例１と同様にして、回路用成形基板Ａの表面をプラズ
マ処理した後、金属層１を形成した。
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２９００」）を射出成形す
ることによって、図１（ａ）のような平板状の回路用成
形基板Ａを得た（球状シリカを配合せず）。あとは、実
施例１と同様にして、回路用成形基板Ａの表面をプラズ
マ処理した後、金属層１を形成した。
【００６５】上記の実施例４乃至７及び比較例３のもの
について、金属層１のピール強度、回路用成形基板Ａの
成形収縮率、線膨張率、ＩＣチップ４のノイズを測定し
た。結果を表３に示す。
について、金属層１のピール強度、回路用成形基板Ａの
成形収縮率、線膨張率、ＩＣチップ４のノイズを測定し
た。結果を表３に示す。
【００６６】
【表３】
【００６７】表３にみられるように、球状シリカを配合
しない比較例３のものは成形収縮率や線膨張率が大き
く、ＩＣチップ４のノイズが発生した。
しない比較例３のものは成形収縮率や線膨張率が大き
く、ＩＣチップ４のノイズが発生した。
【００６８】（実施例８）直鎖型ポリフェニレンサルフ
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２８８８」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を４０質量％配合し、これを実施例
１と同様に混練することによって樹脂組成物を調製し、
この樹脂組成物を射出成形することによって、図３のよ
うな回路形成面２が三次元立体形状の回路用成形基板Ａ
を得た。あとは、実施例１と同様にして、回路用成形基
板Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層１を形成し
た。
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２８８８」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を４０質量％配合し、これを実施例
１と同様に混練することによって樹脂組成物を調製し、
この樹脂組成物を射出成形することによって、図３のよ
うな回路形成面２が三次元立体形状の回路用成形基板Ａ
を得た。あとは、実施例１と同様にして、回路用成形基
板Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層１を形成し
た。
【００６９】（比較例４）直鎖型ポリフェニレンサルフ
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２８８８」）にガラス繊維
（直径１１μｍ、繊維長３ｍｍ）を４０質量％配合し、
これを実施例１と同様に混練することによって樹脂組成
物を調製し、この樹脂組成物を射出成形することによっ
て、図３のような回路形成面２が三次元立体形状の回路
用成形基板Ａを得た。あとは、実施例１と同様にして、
回路用成形基板Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層
１を形成した。
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２８８８」）にガラス繊維
（直径１１μｍ、繊維長３ｍｍ）を４０質量％配合し、
これを実施例１と同様に混練することによって樹脂組成
物を調製し、この樹脂組成物を射出成形することによっ
て、図３のような回路形成面２が三次元立体形状の回路
用成形基板Ａを得た。あとは、実施例１と同様にして、
回路用成形基板Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層
１を形成した。
【００７０】（比較例５）直鎖型ポリフェニレンサルフ
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２８８８」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を２０質量％、ガラス繊維（直径１
１μｍ、繊維長３ｍｍ）を２０質量％それぞれ配合し、
これを混練することによって樹脂組成物を調製し、この
樹脂組成物を射出成形することによって、図３のような
回路形成面２が三次元立体形状の回路用成形基板Ａを得
た。あとは、実施例１と同様にして、回路用成形基板Ａ
の表面をプラズマ処理した後、金属層１を形成した。
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２８８８」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を２０質量％、ガラス繊維（直径１
１μｍ、繊維長３ｍｍ）を２０質量％それぞれ配合し、
これを混練することによって樹脂組成物を調製し、この
樹脂組成物を射出成形することによって、図３のような
回路形成面２が三次元立体形状の回路用成形基板Ａを得
た。あとは、実施例１と同様にして、回路用成形基板Ａ
の表面をプラズマ処理した後、金属層１を形成した。
【００７１】上記の実施例８及び比較例４，５のものに
ついて、回路用成形基板Ａの線膨張率、表面粗さを測定
した。また回路用成形基板Ａに回路形成してボンディン
グパッド８を設けた後に、ＩＣチップ４を図３（ａ）
（ｂ）のようにワイヤボンディング実装し、ワイヤ１０
の接合性を測定した。この接合性の試験は、図３（ａ）
（ｂ）のようにワイヤ１０が接合された状態でワイヤ１
０の中央部を引き上げて、ワイヤが破断したとき又は接
合部が外れたときの荷重を測定して行ない、測定値の
（平均値−３σ）が４ｇ以上であったものを良品として
「○」、４ｇ未満のものを不良品として「×」と判定し
た。
ついて、回路用成形基板Ａの線膨張率、表面粗さを測定
した。また回路用成形基板Ａに回路形成してボンディン
グパッド８を設けた後に、ＩＣチップ４を図３（ａ）
（ｂ）のようにワイヤボンディング実装し、ワイヤ１０
の接合性を測定した。この接合性の試験は、図３（ａ）
（ｂ）のようにワイヤ１０が接合された状態でワイヤ１
０の中央部を引き上げて、ワイヤが破断したとき又は接
合部が外れたときの荷重を測定して行ない、測定値の
（平均値−３σ）が４ｇ以上であったものを良品として
「○」、４ｇ未満のものを不良品として「×」と判定し
た。
【００７２】
【表４】
【００７３】表４にみられるように、実施例８のものは
表面の平滑性が高く、ワイヤーボンディングの信頼性が
高いものであった。
表面の平滑性が高く、ワイヤーボンディングの信頼性が
高いものであった。
【００７４】（実施例９）直鎖型ポリフェニレンサルフ
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２８８８」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を７５質量％、ゴム状弾性体として
エチレン−グリシジルメタクリレート共重合体とアクリ
ロニトリル−スチレン共重合体のグラフト共重合体（日
本油脂株式会社製「モディパーＡ４４００」）を５質量
％配合し、これを実施例１と同様に混練することによっ
て樹脂組成物を調製し、この樹脂組成物を射出成形する
ことによって、図１（ａ）のような平板状の回路用成形
基板Ａを得た。あとは、実施例１と同様にして、回路用
成形基板Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層１を形
成した。
ァイド（東レ株式会社製「Ｍ２８８８」）に球状シリカ
（中心粒径５μｍ）を７５質量％、ゴム状弾性体として
エチレン−グリシジルメタクリレート共重合体とアクリ
ロニトリル−スチレン共重合体のグラフト共重合体（日
本油脂株式会社製「モディパーＡ４４００」）を５質量
％配合し、これを実施例１と同様に混練することによっ
て樹脂組成物を調製し、この樹脂組成物を射出成形する
ことによって、図１（ａ）のような平板状の回路用成形
基板Ａを得た。あとは、実施例１と同様にして、回路用
成形基板Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層１を形
成した。
【００７５】この実施例９のものについて金属層１のピ
ール強度を測定したところ、０．８Ｎ／ｍｍであった。
ゴム状弾性体を配合しない実施例７のピール強度が既述
のように０．３５Ｎ／ｍｍであるから、ゴム状弾性体の
配合によって金属層１の密着性を向上できることが確認
される。
ール強度を測定したところ、０．８Ｎ／ｍｍであった。
ゴム状弾性体を配合しない実施例７のピール強度が既述
のように０．３５Ｎ／ｍｍであるから、ゴム状弾性体の
配合によって金属層１の密着性を向上できることが確認
される。
【００７６】
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係る回
路用成形基板は、表面にプラズマ処理をした後にスパッ
タリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれ
る物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基
板であって、樹脂成分としてポリフェニレンサルファイ
ドが、充填材として球状充填材のみが配合された樹脂組
成物によって成形されて成るので、球状充填材は成形の
際の樹脂の流れで配向するようなことがなく、線膨張率
や成形収縮率の異方性が小さくなって、初期平面度が優
れると共に熱による変形を防止して加熱平面度が優れる
ものであり、また球状充填材は表面に露出しても凹凸に
なることが小さく、表面を平滑に形成することができる
ものである。
路用成形基板は、表面にプラズマ処理をした後にスパッ
タリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれ
る物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基
板であって、樹脂成分としてポリフェニレンサルファイ
ドが、充填材として球状充填材のみが配合された樹脂組
成物によって成形されて成るので、球状充填材は成形の
際の樹脂の流れで配向するようなことがなく、線膨張率
や成形収縮率の異方性が小さくなって、初期平面度が優
れると共に熱による変形を防止して加熱平面度が優れる
ものであり、また球状充填材は表面に露出しても凹凸に
なることが小さく、表面を平滑に形成することができる
ものである。
【００７７】また請求項２の発明は、回路用成形基板の
回路形成面を三次元立体形状に形成するようにしたもの
であり、回路用成形基板は初期平面度が優れ、また熱に
よる変形が小さく、三次元立体形状の回路形成面に形成
される金属層の密着性を高く保持することができるもの
である。
回路形成面を三次元立体形状に形成するようにしたもの
であり、回路用成形基板は初期平面度が優れ、また熱に
よる変形が小さく、三次元立体形状の回路形成面に形成
される金属層の密着性を高く保持することができるもの
である。
【００７８】また請求項３の発明は、ポリフェニレンサ
ルファイドとして直鎖型ポリフェニレンサルファイドを
用いるようにしたので、金属層との密着性の高い回路用
成形基板を得ることができるものである。
ルファイドとして直鎖型ポリフェニレンサルファイドを
用いるようにしたので、金属層との密着性の高い回路用
成形基板を得ることができるものである。
【００７９】また請求項４の発明は、球状充填材の含有
量が４０〜７５質量％の範囲であるので、金属層との密
着性を低下させることなく寸法安定性を高く得ることが
できるものである。
量が４０〜７５質量％の範囲であるので、金属層との密
着性を低下させることなく寸法安定性を高く得ることが
できるものである。
【００８０】また請求項５の発明は、回路用成形基板
を、ゴム状弾性体が配合された樹脂組成物によって成形
するようにしたので、回路用成形基板の可撓性を高めて
エネルギー吸収性を高めることができ、回路用成形基板
と金属層との間の線膨張率の差による応力などの金属層
を剥離させる外力が作用してもその外力を緩和すること
ができ、金属層の密着性を向上させることができるもの
である。
を、ゴム状弾性体が配合された樹脂組成物によって成形
するようにしたので、回路用成形基板の可撓性を高めて
エネルギー吸収性を高めることができ、回路用成形基板
と金属層との間の線膨張率の差による応力などの金属層
を剥離させる外力が作用してもその外力を緩和すること
ができ、金属層の密着性を向上させることができるもの
である。
【００８１】また請求項６の発明は、回路用成形基板
を、フリップチップ実装するために使用するようにした
ものであり、回路用成形基板は上記のように変形が小さ
く、表面の平面度が高いものであり、チップをフリップ
チップ実装するにあたってバンプ接合を安定して行なう
ことができると共に、回路用成形基板の変形に伴ってチ
ップが変形されてノイズが発生するようなこと防ぐこと
ができるものである。
を、フリップチップ実装するために使用するようにした
ものであり、回路用成形基板は上記のように変形が小さ
く、表面の平面度が高いものであり、チップをフリップ
チップ実装するにあたってバンプ接合を安定して行なう
ことができると共に、回路用成形基板の変形に伴ってチ
ップが変形されてノイズが発生するようなこと防ぐこと
ができるものである。
【００８２】また請求項７の発明は、回路用成形基板
を、ワイヤボンディング実装するために使用するように
したものであり、回路用成形基板は上記のように表面平
滑性が高く、ワイヤボンディング実装するにあたってワ
イヤ接合を安定して行なうことができるものである。
を、ワイヤボンディング実装するために使用するように
したものであり、回路用成形基板は上記のように表面平
滑性が高く、ワイヤボンディング実装するにあたってワ
イヤ接合を安定して行なうことができるものである。
【００８３】また請求項８の発明は、回路用成形基板
を、単結晶無機材料で構成される脆弱なチップを実装す
るために使用するようにしたものであり、回路用成形基
板は上記のように変形が小さく、回路用成形基板の変形
に伴って脆弱なチップが破壊されるようなことがなくな
るものである。
を、単結晶無機材料で構成される脆弱なチップを実装す
るために使用するようにしたものであり、回路用成形基
板は上記のように変形が小さく、回路用成形基板の変形
に伴って脆弱なチップが破壊されるようなことがなくな
るものである。
【図１】本発明の実施の形態を示すものであり、（ａ）
は平面回路基板の一例の断面図、（ｂ）は三次元立体回
路基板の一例の断面図である。
は平面回路基板の一例の断面図、（ｂ）は三次元立体回
路基板の一例の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）はチップをフリップチップ
実装した状態の平面図、（ｃ）はチップをフリップチッ
プ実装した状態の正面図である。
り、（ａ）は平面図、（ｂ）はチップをフリップチップ
実装した状態の平面図、（ｃ）はチップをフリップチッ
プ実装した状態の正面図である。
【図３】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであ
り、（ａ）はチップをワイヤボンディング実装した状態
の平面図、（ｂ）はチップをワイヤボンディング実装し
た状態の正面図である。
り、（ａ）はチップをワイヤボンディング実装した状態
の平面図、（ｂ）はチップをワイヤボンディング実装し
た状態の正面図である。
【図４】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであ
り、（ａ）はチップをワイヤボンディング実装した状態
の平面図、（ｂ）はチップをワイヤボンディング実装し
た状態の正面図である。
り、（ａ）はチップをワイヤボンディング実装した状態
の平面図、（ｂ）はチップをワイヤボンディング実装し
た状態の正面図である。
１ 金属層 ２ 回路形成面 ３ 回路 ４ チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｈ０５Ｋ 1/02 Ａ Ｈ０５Ｋ 1/02 3/00 Ｒ 3/00 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｒ (72)発明者 近藤 直幸 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 AC01X AC03X AC06X AC08X AC09X BB03X BB06X BB07X BB09X BB12X BB15X BB18X BB21X BC03X BC06X BG04X BG06X BN03X BN12X BN15X BN16X BN17X BP01X BP02X BP03X CH04X CK02X CN01W CN02X CP03X DE146 DJ006 DJ016 DL006 FA086 FA106 FD016 GQ00 GQ01 5E338 AA05 BB03 BB19 BB63 BB75 CC01 CD32 EE21
Claims (8)
- 【請求項１】 表面にプラズマ処理をした後にスパッタ
リング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる
物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板
であって、樹脂成分としてポリフェニレンサルファイド
が、充填材として球状充填材のみが配合された樹脂組成
物によって成形されて成ることを特徴とする回路用成形
基板。 - 【請求項２】 回路形成面が三次元立体形状をしている
ことを特徴とする請求項１に記載の回路用成形基板。 - 【請求項３】 ポリフェニレンサルファイドとして直鎖
型ポリフェニレンサルファイドを用いて成ることを特徴
とする請求項１又は２に記載の回路用成形基板。 - 【請求項４】 球状充填材の含有量が４０〜７５質量％
の範囲であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
かに記載の回路用成形基板。 - 【請求項５】 ゴム状弾性体が配合された樹脂組成物に
よって成形されて成ることを特徴とする請求項１乃至４
のいずれかに記載の回路用成形基板。 - 【請求項６】 フリップチップ実装するために使用され
るものであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれ
かに記載の回路用成形基板。 - 【請求項７】 ワイヤボンディング実装するために使用
されるものであることを特徴とする請求項１乃至５のい
ずれかに記載の回路用成形基板。 - 【請求項８】 単結晶無機材料で構成されるチップを実
装するために使用されるものであることを特徴とする請
求項１乃至７のいずれかに記載の回路用成形基板。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001010613A JP2002217506A (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 回路用成形基板 |
| US09/986,005 US6916527B2 (en) | 2001-01-18 | 2001-11-07 | Resin moldings |
| EP20010250396 EP1225248B1 (en) | 2001-01-18 | 2001-11-09 | Resin moldings for application in electronical components |
| DE2001608720 DE60108720T2 (de) | 2001-01-18 | 2001-11-09 | Formkörper aus Harz für Anwendungen in elektronischen Komponenten |
| TW90128450A TWI288179B (en) | 2001-01-18 | 2001-11-16 | Molded resin component |
| KR10-2001-0072586A KR100445125B1 (ko) | 2001-01-18 | 2001-11-21 | 수지성형체 |
| CNB01140308XA CN1241734C (zh) | 2001-01-18 | 2001-12-05 | 树脂成型体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001010613A JP2002217506A (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 回路用成形基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217506A true JP2002217506A (ja) | 2002-08-02 |
Family
ID=18877896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001010613A Pending JP2002217506A (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 回路用成形基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002217506A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004266946A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Tgk Co Ltd | モータアクチュエータ |
| WO2008146866A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. | バルブ |
| WO2009022461A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 回路装置及びその製造方法、携帯機器 |
-
2001
- 2001-01-18 JP JP2001010613A patent/JP2002217506A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004266946A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Tgk Co Ltd | モータアクチュエータ |
| WO2008146866A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. | バルブ |
| JP2008291976A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Asahi Organic Chem Ind Co Ltd | バルブ |
| WO2009022461A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 回路装置及びその製造方法、携帯機器 |
| US8258620B2 (en) | 2007-08-10 | 2012-09-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device, method of manufacturing the circuit device, device mounting board and semiconductor module |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040608 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040809 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040921 |