JP2001230348A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、接着強度が強く、ボイドレスで印刷
塗布することができる接着材を用いた耐リフロー性、温
度サイクル性、耐ＰＣＴ性に優れたパッケージサイズが
チップサイズと等しい実装信頼性及び量産性に優れた半
導体装置を提供する。 【解決手段】電極パッドが形成された半導体素子の上の
電極パッド及び電極パッド周辺部以外の部分に応力緩衝
層を有し、該応力緩衝層の表面及び半導体素子表面及び
電極パッド上に連続した導体部を有し、前記応力緩衝層
の表面上の導体部上に外部電極を有し、該外部電極が存
在する領域以外の前記応力緩衝層及び導体部及び応力緩
衝層が存在する領域以外の半導体素子の上に導体部保護
層を有し、前記半導体素子及び前記応力緩衝層又は前記
導体部保護層の端面が同一面で外部に露出している半導
体装置において、該応力緩衝層が２５℃で固体のエポキ
シ系樹脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリ
ロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を含む半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度実装モジュ
ールやマルチチップモジュール等に用いられるチップサ
イズパッケージを有する半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯情報端末機器の普及或いは電
子デバイスの小型化、高性能化に伴い、半導体装置も高
集積度化、高密度化、処理速度の高速化が要求されてい
る。これに対応して、半導体装置の実装方法はピン挿入
型から表面実装型へ、ＤＩＰ(dual inline package)か
らＱＦＰ(quad flat package)やＰＧＡ(pin grid arra
y)などの多ピン化対応型パッケージが開発されている。

【０００３】しかし、ＱＦＰタイプはパッケージの周辺
部に実装基板との接続リードが集中する上、リード自体
が細く変形し易いためピン数が増すに従い実装信頼性が
低下する。また、ＰＧＡタイプは実装基板と接続するた
めの端子が細長く、非常に密集するため電気特性的に高
速化が難しい。

【０００４】高速化対応の半導体装置を実現するため半
導体素子と配線回路が形成された基板の間に応力緩衝層
を有し、配線回路が形成された基板の実装基板面側に外
部端子であるバンプ電極を有するＢＧＡ(ball grid arr
ay)タイプのパッケージが提案されている(米国特許第５
１４８２６５号)。

【０００５】このパッケージは実装基板と接続するため
の端子がボール状半田で、ＱＦＰのようなリードの変形
がなく、パッケージ面全体に端子が分散でき端子間のピ
ッチも大きくとれ表面実装が容易である。また、ＰＧＡ
に比べ外部端子であるバンプ電極の長さが短いために、
インダクタンス成分が小さく信号伝伝送の高速化が図れ
る。

【０００６】また、パッケージサイズがチップとほぼ同
じ大きさのＣＳＰ(Chip scale package)が、日経ＢＰ社
発行(１９９８年２月)の「日経マイクロデバイス」(Ｐ
３８〜Ｐ６４)に開示されている。これは配線層が形成
されたポリイミドやセラミック基板上に個片に切断され
た半導体素子を接着後、前記配線層と半導体素子をワイ
ヤボンディングやシングルポイントボンディング、ギャ
ングボンディング、バンプボンディング等で電気的に接
続し、該接続部を樹脂封止した後に半田バンプ等の外部
端子を形成する。

【０００７】また、特開平９‐２３２２５６号公報及び
特開平１０‐２７８２７号公報はＣＳＰを大量生産する
製造方法を開示する。これらは半導体ウェハ上にバンプ
を形成し、配線基板を前記バンプを介して電気的に接続
した後、該接続部分に樹脂を封入し配線基板上に外部電
極を形成し、最後に個片に切断して半導体装置を製造す
る。また、日経ＢＰ社発行(１９９８年４月)の「日経マ
イクロデバイス」（Ｐ１６４〜Ｐ１６７）は半導体ウェ
ハ上にメッキによりバンプを形成しバンプ以外の部分を
樹脂を封止する。更に前記バンプ部分に外部電極を形成
し、最後に個片に切断して半導体装置を製造する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の要旨は以下のとおりである。

【００１０】（１）電極パッドが形成された半導体素子
の上の電極パッド及び電極パッド周辺部以外の部分に応
力緩衝層を有し、該応力緩衝層の表面及び半導体素子表
面及び電極パッド上に連続した導体部を有し、前記応力
緩衝層の表面上の導体部上に外部電極を有し、該外部電
極が存在する領域以外の前記応力緩衝層及び導体部及び
応力緩衝層が存在する領域以外の半導体素子の上に導体
部保護層を有し、前記半導体素子及び前記応力緩衝層又
は前記導体部保護層の端面が同一面で外部に露出してい
る半導体装置において、該応力緩衝層が２５℃で固体の
エポキシ系樹脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型
アクリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を含む半導体
装置である。

【００１１】（２）電極パッドが形成された半導体素子
の上に半導体素子保護層を有し、該電極パッド上に半導
体素子保護層を貫通する貫通孔を有し、該半導体素子保
護層の上の貫通孔及び貫通孔周辺部以外の部分に応力緩
衝層を有し、前記の応力緩衝層の表面及び半導体素子保
護層表面及び貫通孔内部及び電極パッド上に連続した導
体部を有し、応力緩衝層の表面の導体部上に外部電極を
有し、該外部電極が存在する領域以外の応力緩衝層及び
導体部、半導体素子保護層及び半導体素子保護層が存在
する領域以外の半導体素子の上に導体部保護層を有し、
半導体素子及び半導体素子保護層あるいは応力緩衝層あ
るいは導体部保護層の端面が同一面で外部に露出してい
る半導体装置において、該応力緩衝層が２５℃で固体の
エポキシ系樹脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型
アクリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を含む半導体
装置である。

【００１２】（３）電極パッドが形成された半導体素子
の上の電極パッド及び該電極パッド周辺部以外の部分に
応力緩衝層を有し、該応力緩衝層の表面及び半導体素子
表面及び電極パッド上に連続した導体部を有し、応力緩
衝層表面上の導体部の上に外部電極を有し、外部電極が
存在する領域以外の応力緩衝層及び導体部応及び応力緩
衝層が存在する領域以外の半導体素子の上に導体部保護
層を有し、該応力緩衝層又は導体部保護層の端面が半導
体素子の端面よりも内側で外部に露出している半導体装
置において、該応力緩衝層が２５℃で固体のエポキシ系
樹脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリロニ
トリルブタジエン系ゴム微粒子を含む半導体装置であ
る。

【００１３】（４）電極パッドが形成された半導体素子
の上に半導体素子保護層を有し、該電極パッド上に半導
体素子保護層を貫通する貫通孔を有し、該半導体素子保
護層の上の貫通孔および貫通孔周辺部以外の部分に応力
緩衝層を有し、前記の応力緩衝層の表面及び半導体素子
保護層表面及び貫通孔内部及び電極パッド上に連続した
導体部を有し、前記応力緩衝層の表面の導体部上に外部
電極を有し、該外部電極が存在する領域以外の応力緩衝
層及び導体部、半導体素子保護層及び半導体素子保護層
が存在する領域以外の半導体素子の上に導体部保護層を
有し、該半導体素子保護層又は応力緩衝層あるいは導体
部保護層の端面が半導体素子の端面よりも内側で外部に
露出している半導体装置において、応力緩衝層が２５℃
で固体のエポキシ系樹脂組成物とカルボキシル基を有す
る架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を含
む半導体装置である。

【００１４】電極パッドが形成された半導体素子の上の
前記電極パッド及び電極パッド周辺部以外の部分に応力
緩衝層を有し、該応力緩衝層の表面に導体部を有し、該
導体部上に外部電極を有し、該導体部及び応力緩衝層が
存在する領域以外の半導体素子の上に導体部保護層を有
し、前記半導体素子及び前記応力緩衝層又は前記導体部
保護層の端面が同一面で外部に露出している半導体装置
において、該応力緩衝層が２５℃で固体のエポキシ系樹
脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリロニト
リルブタジエン系ゴム微粒子を含む半導体装置である。

【００１５】前記において、応力緩衝層が前記エポキシ
樹脂組成物１００重量部に対して１００〜２００重量部
含む接着材であることが好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の半導体素子は所定の大き
さのシリコンウェハ上に複数個規則的に形成されてお
り、各半導体素子表面上には所定のプロセスにより形成
されたロジック、メモリ、ゲートアレイ等の半導体集積回
路と半導体素子外部との電気信号の授受を行うための電
極が形成されている。

【００１７】半導体集積回路面上に形成される半導体素
子保護層は半導体素子を外部環境から保護できるものな
ら特に制限はなく、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミ
ドイミド、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、フェノール
樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂及
びこれらを含む樹脂組成物等を用いることができる。こ
れらの樹脂組成物にはアクリルゴム、シリコーンゴム、
ニトリルブタジエンゴムなどのゴム成分や、ポリアミ
ド、ポリイミド等の有機質フィラやシリカ等の無機質フ
ィラを加えてもよい。

【００１８】さらには半導体素子保護層は上記の樹脂組
成物を含む感光性材料により形成されていてもよい。

【００１９】また、本発明の応力緩衝層は２５℃で固体
のエポキシ系樹脂組成物、及びカルボキシル基をその分
子構造中に有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系
ゴム微粒子からなる接着材であることが好ましい。

【００２０】上記エポキシ樹脂組成物としては２５℃で
固体であるエポキシ樹脂であれば特に制限されない。

【００２１】例えば、ビスフェノールＦ,ビスフェノー
ルＡ,ビスフェノールＳ,ジヒドロキシナフタレン,ダイ
マー酸,レゾルシノール,ジシクロペンタジエンジフェノ
ール,ジシクロペンタジエンジキシレノール,テルペンジ
フェノール,ビフェニル等のジグリシジルエーテル、エ
ポキシ化フェノールノボラック,エポキシ化クレゾール
ノボラック,エポキシ化トリスフェニロールメタン,エポ
キシ化テトラフェニロールエタン,エポキシ化メタキシ
レンジアミン等の公知のエポキシ樹脂の中の一つ或いは
複数の組み合わせを用いることができる。また上記エポ
キシ系樹脂組成物にはエポキシ樹脂の硬化剤を添加する
ことが好ましい。硬化剤としては公知の化合物が適宜選
択して用いることができる。例えば、フェノールノボラ
ックやクレゾールノボラックなどの水酸基を有するノボ
ラック樹脂、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノン
等の酸無水物及びアミン化合物等の公知の硬化剤の中の
一つ或いは複数の組み合わせを用いることができる。こ
れらの配合量はエポキシ基１個当たりのエポキシ当量に
対する硬化剤の活性水素１個当たりの等量が化学量論比
とすることが好ましい。。

【００２２】更に、硬化促進剤を本発明の効果を損なわ
ない範囲で添加できる。例えば、芳香族ポリアミン、三
フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素
のアミン錯体、２−アルキル−４−メチルイミダゾー
ル、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミ
ダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等
の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィ
ン、ジアザビシクロウンデセン、等公知のものが使用で
きる。

【００２３】また、本発明において、カルボキシル基を
その分子構造中に有する架橋型アクリロニトリルブタジ
エン系ゴム微粒子は、前記エポキシ樹脂組成物との接着
性、相溶性を向上する点から微粒子ゴムを表面処理して
もよい。

【００２４】前記の微粒子ゴムはエポキシ樹脂１００重
量部に対して、１００〜２００重量部とすることが好ま
しい。２００重量部を越えると接着部材の表面状態が悪
くなり良好な接着性が得られず、被接着面上に配線など
の凹凸がある場合にはその間に接着材組成物が良好に埋
め込まれずボイド発生の原因となる。１００重量部未満
では加熱圧着する過程で接着材組成物の流れだしが発生
する。

【００２５】なお、応力緩衝層に用いる上記接着材は半
導体素子或いは半導体素子保護層上に形成後加熱硬化す
る必要がある。加熱硬化条件としては硬化後の物性が安
定する条件で有ればよく、例えば１２０〜２００℃,１
０分〜５時間、好ましくは１５０〜１８０℃,３０分〜
１時間加熱すればよい。

【００２６】次に,本発明の接着材の製造方法について
説明する。まず、前記エポキシ樹脂を有機溶剤で溶解す
る。該有機溶剤としては、エポキシ樹脂組成物を均一に
溶解できるものであれば特に制限はない。例えば、ジメ
チルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグ
ライム、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチル
ケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、セロソ
ルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、シクロ
ヘキサノン、ブチルラクトン、１−アセトキシ−２−メ
トキシエタン等等があり、これらの２種類以上の混合溶
剤であってもよい。 この工程で、接着材樹脂１００重
量部に対してカップリング剤を０.００１〜１０重量部
加え混合することが好ましい。カップリング剤の添加量
が１０重量部を越えると接着材のぬれ性が悪く接着力が
カップリング剤を低下する。

【００２７】カップリング剤としては、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン,γ−グリシドキシプロ
ピルメチルジエトキシシラン,β−（３、４−エポキシ
シクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキ
シシラン、ビニルトリエトキシシラン,ビニルトリメト
キシシラン,γ−メタクリロキシメトキシシラン等のビ
ニルシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン,
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン,Ｎ−フェニル
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシ
ラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の
メルカプトシラン等の各種のシラン系カップリング剤、
チタネート系カップリング剤及びアルミキレート、ジル
コアルミネート等の金属錯体系カップリング剤等があ
る。これらの中でシランカップリング剤が好ましく、エ
ポキシシラン系カップリング剤が特に好ましい。

【００２８】次いで、上記のエポキシ樹脂組成物溶液の
エポキシ樹脂１００重量部に対して、カルボキシル基を
その分子構造中に有する架橋型アクリロニトリルブタジ
エン系ゴム微粒子を１００〜２００重量部混合攪拌し接
着材組成物のワニスを作成する。カルボキシル基をその
分子構造中に有する架橋型アクリロニトリルブタジエン
系ゴム微粒子の混合攪拌は３本ロール、ヘンシェルミキ
サー等の一般の微粒子の混合方法を用いることができ
る。

【００２９】接着材の特性を損なわない範囲で、酸化防
止剤、イオン捕捉剤等の有機成分或いは無機成分、必要
に応じて樹脂粒子、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅
粉等のフィラー、その他の添加剤、例えば、コロイダル
シリカ、煙霧質シリカ、結晶シリカ、溶融シリカ、酸化
アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム等の無機
物、更にこれらの末端に水酸基、メチル基、メトキシ
基、エチル基、エトキシ基等の官能基を有する無機化合
物微粒子を加えることもできる。

【００３０】ここで、コロイダルシリカとは、高分子量
無水珪酸のコロイド溶液である。これはシリカゾルとし
て市販されているもので、通常水が分散媒であるが、有
機溶媒を分散媒として用いたオルガノシリカゾルも市販
されている。本発明では樹脂の溶解性の点から有機溶媒
に分散したオルガノシリカゾルが好ましい。また、煙霧
質シリカとはアエロジルとして市販されている乾式超微
細シリカであり、樹脂や溶媒への分散性の点から有機基
で修飾されたアエロジルが好ましい。その含有量は樹脂
組成物１００重量部に対して０〜４０重量部の範囲が好
ましく、４０重量部を超えると硬化後の接着材の弾性率
が上昇し、応力の低減効果が小さく接着強度が低下す
る。

【００３１】本発明において、応力緩衝層に用いる上記
接着材はフィルム状接着材に加工して用いることもでき
る。フィルム状接着材は主に接着材自身がフィルムであ
る単層のもの、或いは接着材が別のフィルムの両面に形
成された複層のものがある。

【００３２】単層のフィルム状接着材の製造は例えば以
下のようにして行う。まず、上記で得た接着材組成物の
ワニスをガラス板、ステンレス板等の平板上、或いはポ
リエステル製フィルム（又はシート）等のベースフィル
ム上に均一に塗布する。この塗布方法は特に制限するも
のではなく、例えば、ドクターブレードやナイフコータ
ー、ダイコーター等の方法がる。前記の塗布工程の後、
加熱・乾燥し室温に冷やし、平板又はベースフィルムか
ら樹脂膜を剥がすと単層のフィルム状接着材が得られ
る。

【００３３】別の製造方法として、ガラス布、炭素繊維
布、ポリアラミド布等のフィルム状（又はシート状）の
通気性クロスに、上記で得た接着材組成物のワニスを含
浸させ、これを加熱・乾燥させる方法もある。

【００３４】フィルム状接着材はフィルム状基材の両面
に、前記フィルム状接着材が接してなる複層（基材も一
層として数える。）のフィルム状接着材でもよい。前記
のフィルム状基材としては、ポリイミド,ポリアミド,ポ
リサルフォン,ポリフェニレンサルファイド,ポリエーテ
ルエーテルケトン、ポリアリレート等のエンジニアリン
グプラスチックの耐熱性フィルム、銅箔,アルミ箔,ステ
ンレス箔等の金属箔等がある。

【００３５】さらにはポリイミド、エポキシ樹脂、ポリ
エチレンテレフタレート、セルロース、アセテート、ポ
リテトラフルオルエチレン等のフィルム或いは多孔質フ
ィルムを用いることができる。

【００３６】前記耐熱性フィルムは接着材樹脂のガラス
転位温度（Ｔｇ）より高いＴｇをもつフィルムが好まし
く、通常は２００℃以上、好ましくは２５０℃以上のも
のを使用する。また、この耐熱性フィルムは吸水率が２
重量％以下、熱膨張係数が３×１０^-５／℃以下のもの
が更に好ましい。このような特性を満たす耐熱性フィル
ムには例えばポリイミドフィルムがある。

【００３７】耐熱性フィルムは接着材樹脂との接着性を
増すためにアルカリ処理、シランカップリング処理等の
化学処理、サンドブラスト等の物理的処理、プラズマ処
理、コロナ処理等の表面処理を施すことが好ましい。

【００３８】本発明における複層のフィルム状接着材の
製造は、次のようにして行う。まず、前記接着材組成物
のワニスを前記耐熱性フィルムの基材上に均一に塗布す
る。塗布方法は例えば、ドクターブレード、ナイフコー
ター、ダイコーター等を用いた手段がある。また、耐熱
性フィルム又は金属箔等の基材を前記接着材組成物のワ
ニス液中に浸漬することによってもできる。前記の塗布
工程後、加熱・乾燥して複層のフィルム状接着材が得ら
れる。加熱・乾燥の条件は前記単層のフィルム状接着材
の条件と同様である。

【００３９】基材の両面に耐熱性接着材ワニスを塗布す
る場合、両側に塗布される耐熱性接着材は同一でも異な
っていてもよい。

【００４０】複層のフィルム状接着材の別の製造方法に
ついて説明する。まず、単層のフィルム状接着材の製造
方法と同様に前記接着材組成物のワニスをポリエステル
製フィルム（又はシート）等のベースフィルム上に均一
に塗布する。この際の塗布方法は前記と同じである。前
記の塗布工程後、加熱・乾燥したのち、前記耐熱性基材
フィルムに接着材面が接するように貼り合せる。貼り合
せる方法は接着材面と基材フィルム面がボイド等の発生
がなく密着していればよく、例えばラミネータを用いて
もよい。さらに、基材フィルムの両面にフィルム状接着
材を貼り合せてもよい。また、両面に異なる組成のフィ
ルム状接着材を貼り合せてもよい。貼り合せる温度、圧
力、速度等の条件は接着材組成物のガラス転移温度、軟
化点等の熱物性に応じて適宜決めればよい。

【００４１】本発明において、導体部は半導体素子保護
層或いは応力緩衝層上或いは貫通孔に直接、蒸着やメッ
キにより導体層を形成した後エッチングにより導体部を
形成し作成する。該導体部は金或いは銅、アルミニウム
及びそれらの導電体の最表面上に金メッキを施したもの
で形成されることが好ましい。

【００４２】各層間の導体部と導体部を導通させる導体
部も金或いは銅、アルミニウム及びそれらの導電体の最
表面上に金メッキを施したもので形成されることが好ま
しい。また、導体部はエポキシ系樹脂、シリコン系樹
脂、ポリイミド系樹脂等のバインダ中にカーボン、グラ
ファイト、金、銀、銅、ニッケル、銀メッキ銅や銀メッ
キガラス等の導電性微粉末を配合した導電性樹脂により
形成することもできる。

【００４３】貫通孔はＨｅ‐Ｎｅレーザ、Ａｒレーザ、
ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等のレーザを用いて加工
される。また、別の方法として半導体素子保護層或いは
応力緩衝層に感光性材料を用い露光、現像、エッチング
により貫通孔を形成することもできる。

【００４４】外部電極は錫，亜鉛，鉛を含む半田合金、
銀、銅又は金、或いはそれらを金で被覆しボール状に形
成したもので、加熱溶融或いは加熱せずに接触、振動で
半導体装置を電気的接続することができる。この他にモ
リブデン，ニッケル，銅，白金，チタン等の１つ或いは
これらを２つ以上組み合わせた合金、若しくは２つ以上
の多重膜とした構造の端子でもよい。

【００４５】以下、本発明を実施例により具体的に説明
する。

【００４６】

【実施例１〜７】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、
ゴム、及び溶媒を表１の実施例１〜７に示す割合で用
い、接着材組成物を作製した。

【００４７】

【表１】

【００４８】表中でエピコート１００２、エピコート１
００３、エピコート１００４（いずれも油化シェル株式
会社製）は２５℃で固形のエポキシ樹脂であり、ＸＥＲ
-９１（ＪＳＲ株式会社製）はカルボキシル基をその分
子構造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン
系ゴム微粒子である。

【００４９】作成した接着材を半導体素子が形成されて
いるシリコンウェハ上に電極パッドの周辺をマスクする
メタルマスクを用いて印刷塗布する。その後１５０℃で
１５分予備乾燥した後１８０℃で６０分の後硬化を行っ
た。ここで、印刷塗布、乾燥、硬化の際のボイドの発生
の有無を観察した。なお、サンプル数は各１０枚であ
る。更に半導体素子が形成されたシリコンウェハと接着
材との接着強度を接着材をシリコンウェハから垂直に引
き剥がすピール強度で評価した。その結果を併せて表１
に示した。

【００５０】その後、真空蒸着により０．５μｍの銅の
薄膜を接着材および貫通孔内部に形成し、更に銅の膜厚
が１０μｍになるまで電気メッキにより銅膜形成を行っ
た。

【００５１】その後、メッキ膜上に感光性レジスト（Ｐ
‐ＲＳ３００Ｓ：東京応化株式会社製）を塗布後、９０
℃／３０分ベークし、パターンを露光現像しエッチング
マスクを形成した。次いで、４０℃の塩化鉄水溶液（塩
化鉄濃度は４０ーボーメ：比重約１．３８）中で銅をエ
ッチングし、レジストを剥離させ導通部を形成した。

【００５２】次いで、導体部及び応力緩衝層上に感光性
のソルダレジスト剤（ＰＳＲ４０００：太陽インキ株式
会社製）をスピンコートし８０℃／２０分間相互、露光
現像してランドを形成し、更に１５０℃／６０分で硬化
させた。

【００５３】作成したランド部にフラックスを塗布しΦ
０．６ｍｍの共晶半田ボール（Ｐｂ６３：Ｓｎ３７）を
載せ２４０℃５秒の赤外線リフロー加熱により外部電極
を形成した。

【００５４】その後半導体装置が動作する最小単位にな
るようダイサー（ＤＡＤ５２０：ＤＩＳＣＯ株式会社
製）に厚さ２００μｍのダイシングソウを取り付け、半
導体素子が形成されたシリコンウェハ、接着材、ソルダ
ーレジストを同一面で切り出し、図１に示す半導体素子
を得た。

【００５５】得られた半導体装置をＪＥＤＥＣの耐リフ
ロー性評価法レベル１及びレベル２に基づき、耐リフロ
ー性を評価した。具体的には、レベル２は８５℃／６０
％ＲＨの恒温恒湿層で１６８時間吸湿後、最高温度２４
５℃の赤外線リフロー炉にてリフロー処理を３回行い、
半導体装置内の発泡現象による剥離、ボイド等の欠陥の
発生を顕微鏡で観察した。またレベル１は８５℃／８５
％ＲＨの恒温恒湿層で１６８時間吸湿後、レベル２同様
最高温度２４５℃の赤外線リフロー炉にてリフロー処理
を３回行い、半導体装置内の発泡現象による剥離、ボイ
ド等の欠陥の発生を顕微鏡で観察した。リフロー試験に
かけた半導体装置の個数は各３０個とした。剥離、ボイ
ドの発生した半導体装置の個数を耐リフロー性不良とし
て表１に示す。

【００５６】更に得られた半導体装置をプレッシャクッ
カテストＰＣＴ（１２１℃／１００％ＲＨ、２ａｔｍ）
を４００時間行い、配線基板やはんだボールの電気的導
通を測定した。ＰＣＴにかけた半導体装置の個数は各３
０個とした。測定の結果導通していないサンプルの数を
耐湿性不良として表１に示す。

【００５７】更に得られた半導体装置を実装基板にはん
だボールを介して接続実装し、温度サイクル試験にかけ
た。試験条件は-５５℃／１０分、１５０℃／１０分、-
５５℃／１０分の繰り返しを１０００回行い、配線基板
や半田ボールの電気的導通を測定した。温度サイクル試
験に供試した半導体装置の個数は各３０個とした。測定
の結果、導通不良のサンプルの数を温度サイクル性不良
として表１に示す。

【００５８】

【比較例１〜６】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、
ゴム、及び溶媒を表２の比較例１〜６に示す割合で用
い、接着材組成物を作製した。

【００５９】

【表２】

【００６０】表中でエピコート８２８、エピコート８３
４（いずれも油化シェル株式会社製）はそれぞれ２５℃
で液状、半固形のエポキシ樹脂であり、＃５００１（帝
国化学株式会社製）は溶媒に可溶の高分子アクリルゴ
ム、Ｅ-５００（東レダウコーニング株式会社製）はシ
リコーン微粒子である。更に、前記の接着材組成物を用
いて実施例１〜７の場合と同様の方法で図１に示す半導
体装置を作成した。同様にして接着強度、ボイド発生の
有無を評価した。また、 得られた半導体装置は実施例
１〜７の場合と同様にして耐リフロー性、耐湿性、温度
サイクル性を評価した。得られた結果を表２に示す。

【００６１】表１の実施例１〜３及び表２の比較例１〜
２から、２５℃で固形のエポキシ樹脂を用いて作成した
接着材を図１に示す半導体装置の応力緩衝層として用い
た半導体装置（実施例１〜３）は、２５℃で液状あるい
は半固形のエポキシ樹脂を用いて作成した接着材を図１
に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた半導体装置
（比較例１〜２）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、
温度サイクル性ともに優れている。

【００６２】更に表１の実施例１及び表２の比較例３か
ら、カルボキシル基をその分子構造中に含有する架橋型
アクリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を用いて作製
した接着材を図１に示す半導体装置の応力緩衝層として
用いた半導体装置（実施例１）は、高分子アクリルゴム
を用いて作製した接着材を図１に示す半導体装置の応力
緩衝層として用いた半導体装置（比較例３）と比較し
て、耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性ともに優れ
ている。

【００６３】更に表１の実施例１及び表２の比較例４か
ら、カルボキシル基をその分子構造中に含有する架橋型
アクリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を用いて作製
した接着材を図１に示す半導体装置の応力緩衝層として
用いた半導体装置（実施例１）は、シリコーンゴム微粒
子を用いて作成した接着材を図１に示す半導体装置の応
力緩衝層として用いた半導体装置（比較例４）と比較し
て、耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性ともに優れ
ている。

【００６４】表１の実施例１及び実施例４〜７及び表２
の比較例５〜６から、エポキシ樹脂１００重量部に対し
てカルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリルブタ
ジエン系ゴム微粒子を１００〜２００重量部用いて作成
された接着材を図１に示す半導体装置の応力緩衝層とし
て用いた場合には、１００重量部より少ない場合（比較
例５）と比較して耐リフロー性及び温度サイクル性に優
れ、２００重量部より多い場合（比較例６）と比較して
耐リフロー性に優れている。

【００６５】上記のように、本発明の２５℃で固体のエ
ポキシ系樹脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型ア
クリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を前記エポキシ
樹脂１００重量部に対して１００〜２００重量部含む接
着材を図１に示す半導体装置の応力緩衝層として用いる
ことにより、耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性に
優れた半導体装置を提供できる。

【００６６】

【実施例８〜１４】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、ゴム、及び溶媒を表３の実施例８〜１４に示す割合
で用い、実施例１〜７と同様にして接着材組成物を得
た。

【００６７】

【表３】

【００６８】半導体素子が形成されているシリコンウェ
ハ上に感光性ポリイミド（日立化成工業株式会社製：Ｈ
Ｄ‐６０００）をスピンコートを用いて塗布し、その
後、露光/現像を行い半導体素子上の電極パッド上に５
０μｍの貫通孔を形成し、３５０℃で３０分ベークし、
膜厚５μｍのポリイミド保護膜を形成した。

【００６９】作成した接着材をポリイミド保護膜および
半導体素子上に電極パッドの周辺をマスクするメタルマ
スクを用いて印刷塗布する。その後１５０℃で１５分予
備乾燥した後１８０℃で６０分の後硬化を行った。ここ
で、印刷塗布、乾燥、硬化の際のボイドの発生の有無を
観察した。なお、サンプル数は各１０枚である。さらに
ポリイミド保護膜と接着材との接着強度をピール強度
（ポリイミド保護膜から接着材を垂直に引き剥がす）で
評価した。その結果を併せて表３に示した。

【００７０】その後、実施例１〜７と同様にして銅膜形
成、導通部の形成、ランド形成しフラックス塗布、赤外
線リフロー加熱、外部電極の形成、ダイサーによる切り
出しを行い、図２に示す半導体装置を得た。

【００７１】得られた半導体装置は実施例１〜７と同様
にして、 耐リフロー性、プレッシャクッカテストＰＣ
Ｔ温度サイクル試験を評価した。結果を表３に示す。

【００７２】

【比較例７〜１２】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、ゴム、及び溶媒を表４の比較例７〜１２に示す割合
で用い、実施例１〜７と同様にして接着材を作成し、実
施例８〜１４と同様にして図２に示す半導体装置を作成
した。さらに同様にして接着強度、ボイド発生の有無を
評価した。その結果を表４に示す。

【００７３】

【表４】

【００７４】得られた半導体装置は実施例１〜７の場合
と同様にして耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性を
評価した。得られた結果を表４に示す。

【００７５】表３の実施例８〜１０及び表４の比較例７
〜８から、２５℃で固形のエポキシ樹脂を用いて作成し
た接着材を図２に示す半導体装置の応力緩衝層として用
いた半導体装置（実施例８〜１０）は、２５℃で液状あ
るいは半固形のエポキシ樹脂を用いて作成した接着材を
図２に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた半導体
装置（比較例７〜８）と比較して、耐リフロー性、耐湿
性、温度サイクル性ともに優れている。

【００７６】更に表３の実施例８及び表４の比較例９か
ら、カルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリルブ
タジエン系ゴム微粒子を用いて作成した接着材を図２に
示す半導体装置の応力緩衝層として用いた場合（実施例
８）は、高分子アクリルゴムを用いて作製した接着材を
図２に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた半導体
装置（比較例９）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、
温度サイクル性ともに優れている。

【００７７】更に表３の実施例８及び表４の比較例１０
から、カルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリル
ブタジエン系ゴム微粒子を用いて作成した接着材を図２
に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた場合（実施
例８）は、シリコーンゴム微粒子を用いて作成した接着
材を図２に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた半
導体装置（比較例１０）と比較して、耐リフロー性、耐
湿性、温度サイクル性ともに優れている。

【００７８】更に表２の実施例８及び実施例１１〜１４
及び比較例１１〜１２から、エポキシ樹脂１００重量部
に対してカルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリ
ルブタジエン系ゴム微粒子を１００〜２００重量部用い
て作成された接着材を図２に示す半導体装置の応力緩衝
層として用いた場合には、１００重量部より少ない場合
（比較例１１）と比較して耐リフロー性及び温度サイク
ル性に優れ、２００重量部より多い場合（比較例１２）
と比較して耐リフロー性に優れている。

【００７９】本発明の２５℃で固体のエポキシ系樹脂組
成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリル
ブタジエン系ゴム微粒子を前記エポキシ樹脂１００重量
部に対して１００〜２００重量部含む接着材を図２に示
す半導体装置の応力緩衝層として用いることにより、耐
リフロー性、耐湿性、温度サイクル性に優れた半導体装
置を提供できる。

【００８０】

【実施例１５〜２１】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、ゴム、及び溶媒を表５の実施例１５〜２１に示す割
合で用い、実施例１〜７と同様にして接着材を得た。

【００８１】

【表５】

【００８２】作成した接着材を半導体素子が形成されて
いるシリコンウェハ上に実施例１〜７と同様に印刷、塗
布して接着材層を形成した。ここで、貼り付けの際のボ
イドの発生の有無を観察した。なお、サンプル数は各１
０枚である。さらに半導体素子が形成されたシリコンウ
ェハと接着材との接着強度をピール強度（接着材をシリ
コンウェハから垂直に引き剥がす）で評価した。その結
果を表５に示した。

【００８３】次いで、ＹＡＧレーザを用いてダイサーに
よる切り出し線の中心から両側４００μｍのスクライブ
ラインを形成した。

【００８４】その後、実施例１〜７と同様にして銅膜の
形成を行い導体部の形成を行った。

【００８５】次いで、導体部及び応力緩衝層上に感光性
のソルダレジスト剤（ＰＳＲ４０００：太陽インキ株式
会社製）をスピンコートし８０℃／２０分間相互、露光
現像してランドおよびダイサーによる切り出し線の中心
から両側２００μｍのスクライブラインを形成し、更に
１５０℃／６０分で硬化させた。

【００８６】その後フラックス塗布、赤外線リフロー加
熱、外部電極の形成、ダイサーによる切り出しを行い、
図３に示す半導体装置を得た。

【００８７】得られた半導体装置を実施例１〜７と同様
にして、 耐リフロー性、ＰＣＴ試験を評価した。結果
を表５に示す。

【００８８】

【比較例１３〜１８】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、ゴム、及び溶媒を表６の比較例１３〜１８に示す割
合で用い、実施例１〜７と同様にして接着材を作成し、
実施例１５〜２１と同様にして図３に示す半導体装置を
作成した。上記と同様にして接着強度（ピール強度）、
ボイド発生の有無を評価した。その結果を表６に示す。

【００８９】

【表６】

【００９０】得られた半導体装置は実施例１〜７の場合
と同様にして耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性を
評価した。得られた結果を表６に示す。

【００９１】表５の実施例１５〜１７及び表６の比較例
１３〜１４から、２５℃で固形のエポキシ樹脂を用いて
作成した接着材を図３に示す半導体装置の応力緩衝層と
して用いた場合（実施例１５〜１７）は、２５℃で液状
又は半固形のエポキシ樹脂を用いて作成した接着材を図
３に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた場合（比
較例１３〜１４）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、
温度サイクル性ともに優れている。

【００９２】また、表５の実施例１５及び表６の比較例
１５から、カルボキシル基を有する架橋型アクリロニト
リルブタジエン系ゴム微粒子を用いて作成した接着材を
図３に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた場合
（実施例１５）は、高分子アクリルゴムを用いて作成し
た接着材を図３に示す半導体装置の応力緩衝層として用
いた場合（比較例１５）と比較して、耐リフロー性、耐
湿性、温度サイクル性ともに優れている。

【００９３】更に実施例１５及び比較例１６から、カル
ボキシル基を有する架橋型アクリロニトリルブタジエン
系ゴム微粒子を用いて作成した接着材を図３に示す半導
体装置の応力緩衝層として用いた場合（実施例１５）
は、シリコーンゴム微粒子を用いて作成した接着材を図
３に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた場合（比
較例１６）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、温度サ
イクル性ともに優れている。

【００９４】更に実施例１５及び実施例１８〜２１及び
比較例１７〜１８から、エポキシ樹脂１００重量部に対
してカルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリルブ
タジエン系ゴム微粒子を１００〜２００重量部用いて作
成された接着材を図３に示す半導体装置の応力緩衝層と
して用いた場合は、１００重量部より少ない場合（比較
例１７）と比較して耐リフロー性及び温度サイクル性に
優れ、２００重量部より多い場合（比較例１８）と比較
して耐リフロー性に優れている。

【００９５】本発明の２５℃で固体のエポキシ系樹脂組
成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリル
ブタジエン系ゴム微粒子をエポキシ樹脂１００重量部に
対して１００〜２００重量部含む接着材を図３に示す半
導体装置の応力緩衝層として用いることにより、耐リフ
ロー性、耐湿性、温度サイクル性に優れた半導体装置を
提供できる。

【００９６】

【実施例２２〜２８】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、ゴム、及び溶媒を表７の実施例２２〜２８に示す割
合で用い、実施例１〜７と同様にして接着材を得た。

【００９７】

【表７】

【００９８】次に、半導体素子が形成されているシリコ
ンウェハ上に感光性ポリイミド（日立化成工業株式会社
製：ＨＤ‐６０００）をスピンコートにより塗布し、そ
の後、露光/現像を行い半導体素子上の電極パッド上に
５０μｍの貫通孔およびダイサーによる切り出し線の中
心から両側６００μｍのスクライブラインを形成し、３
５０℃で３０分ベークし、膜厚５μｍのポリイミド保護
膜を形成した。

【００９９】その後実施例１５〜２１と同様にして接着
材の形成及びスクライブラインの形成を行った。ここ
で、貼り付けの際のボイドの発生の有無（サンプル数は
各１０枚である。）を観察した。ポリイミド保護膜と接
着材との接着強度をピール強度（接着材をポリイミド保
護膜から垂直に引き剥がす）で評価した。その結果を表
７に示した。

【０１００】また、実施例８〜１４と同様にして銅膜形
成を行い、導体部の形成、ソルダレジスト層の形成、フ
ラックス塗布、赤外線リフロー加熱、外部電極の形成、
ダイサーによる切り出しを行い、図４に示す半導体装置
を得た。得られた半導体装置を実施例１〜７と同様にし
て、 耐リフロー性、ＰＣＴ試験を評価した。結果を表
７に示す。

【０１０１】

【比較例１９〜２４】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、ゴム、及び溶媒を表８の比較例１９〜２４に示す割
合で用い、実施例１〜７と同様にして接着材を作成し、
実施例２２〜２８と同様にして図４に示す半導体装置を
作成した。さらに同様にして接着強度、ボイド発生の有
無を評価した。その結果を表８に示す。

【０１０２】

【表８】

【０１０３】得られた半導体装置は実施例１〜７の場合
と同様にして、耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性
を評価した。得られた結果を表８に示す。

【０１０４】表７の実施例２２〜２４及び表８の比較例
１９〜２０から、２５℃で固形のエポキシ樹脂を用いて
作成した接着材を図４に示す半導体装置の応力緩衝層と
して用いた場合（実施例２２〜２４）は、２５℃で液状
又は半固形のエポキシ樹脂を用いて作成した接着材を図
４に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた場合（比
較例１９〜２０）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、
温度サイクル性ともに優れている。

【０１０５】更に実施例２２及び比較例２１から、カル
ボキシル基を有する架橋型アクリロニトリルブタジエン
系ゴム微粒子を用いて作成した接着材を図４に示す半導
体装置の応力緩衝層として用いた場合（実施例２２）
は、高分子アクリルゴムを用いて作成した接着材を図４
に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた場合（比較
例２１）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、温度サイ
クル性ともに優れている。

【０１０６】また、実施例２２及び比較例２２から、カ
ルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリルブタジエ
ン系ゴム微粒子を用いて作成した接着材を図４に示す半
導体装置の応力緩衝層として用いた場合（実施例２２）
は、シリコーンゴム微粒子を用いて作成した接着材を図
４に示す半導体装置の応力緩衝層として用いた場合（比
較例２２）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、温度サ
イクル性ともに優れている。

【０１０７】また、実施例２２及び実施例２５〜２８及
び比較例２３〜２４から、エポキシ樹脂１００重量部に
対してカルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリル
ブタジエン系ゴム微粒子を１００〜２００重量部用いて
作成された接着材を図４に示す半導体装置の応力緩衝層
として用いた場合は、１００重量部より少ない場合（比
較例２３）と比較して耐リフロー性及び温度サイクル性
に優れ、２００重量部より多い場合（比較例２４）と比
較して耐リフロー性に優れている。

【０１０８】こ本発明の２５℃で固体のエポキシ系樹脂
組成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリ
ルブタジエン系ゴム微粒子を前記エポキシ樹脂１００重
量部に対して１００〜２００重量部含む接着材を図４に
示す半導体装置の応力緩衝層として用いることにより、
耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性に優れた半導体
装置を提供できる。

【０１０９】

【発明の効果】以上のように、特定の樹脂組成物を用い
ると共に、接着材中に微粒子ゴムを存在させた接着材を
用いることにより耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル
性などの信頼性の高い半導体装置を得ることができる。

【０１１０】本発明は上記の状況に鑑みなされたもの
で、（１）配線層に樹脂基板を用いた場合に接着材を介
してチップを接着するため発泡や剥離などの不良、
（２）基板と半導体ウェハの間を封止した樹脂の硬化収
縮による半導体ウェハおよび半導体装置の反りなどの実
装信頼性の問題の解消。また、各々のチップ毎に基板上
に位置決めし接着し電気的に接続して樹脂封止する半導
体装置の製造工程の簡略化による量産性の向上及びパッ
ケージサイズとチップサイズの整合により小型の半導体
装置を提供する。本発明により得られる半導体装置は優
れた高集積度化、高密度化、処理速度の高速化に対応で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体装置の１例を示す断面模式
図である。

【図２】本発明による半導体装置の別の１例を示す断面
模式図である。

【図３】本発明による半導体装置の別の１例を示す断面
模式図である。

【図４】本発明による半導体装置の別の１例を示す断面
模式図である。

【符号の説明】

１…半導体素子、２…電極パッド、３…応力緩衝層、４
…導体部、５…導体部保護層、６…外部電極、７…半導
体素子、８…電極パッド、９…半導体素子保護層、１０
…応力緩衝層、１１…導体部、１２…導体部保護層、１
３…外部電極、１４…半導体素子、１５…電極パッド、
１６…応力緩衝層、１７…導体部、１８…導体部保護
層、１９…外部電極、２０…半導体素子、２１…電極パ
ッド、２２…半導体素子保護層、２３…応力緩衝層、２
４…導体部、２５…導体部保護層、２６…外部電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀬川 正則 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 三輪 崇夫 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 永井 晃 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 矢口 昭弘 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 安生 一郎 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 西村 朝雄 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA07 EA02 EB02 EB04 EB06 EB14

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電極パッドが形成された半導体素子の上の
   電極パッド及び電極パッド周辺部以外の部分に応力緩衝
   層を有し、該応力緩衝層の表面及び半導体素子表面及び
   電極パッド上に連続した導体部を有し、前記応力緩衝層
   の表面上の導体部上に外部電極を有し、該外部電極が存
   在する領域以外の前記応力緩衝層及び導体部及び応力緩
   衝層が存在する領域以外の半導体素子の上に導体部保護
   層を有し、前記半導体素子及び前記応力緩衝層又は前記
   導体部保護層の端面が同一面で外部に露出している半導
   体装置において、該応力緩衝層が２５℃で固体のエポキ
   シ系樹脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリ
   ロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を含むことを特徴と
   する半導体装置。
2. 【請求項２】電極パッドが形成された半導体素子の上に
   半導体素子保護層を有し、該電極パッド上に半導体素子
   保護層を貫通する貫通孔を有し、該半導体素子保護層の
   上の貫通孔及び貫通孔周辺部以外の部分に応力緩衝層を
   有し、前記の応力緩衝層の表面及び半導体素子保護層表
   面及び貫通孔内部及び電極パッド上に連続した導体部を
   有し、応力緩衝層の表面の導体部上に外部電極を有し、
   該外部電極が存在する領域以外の応力緩衝層及び導体
   部、半導体素子保護層及び半導体素子保護層が存在する
   領域以外の半導体素子の上に導体部保護層を有し、半導
   体素子及び半導体素子保護層あるいは応力緩衝層あるい
   は導体部保護層の端面が同一面で外部に露出している半
   導体装置において、該応力緩衝層が２５℃で固体のエポ
   キシ系樹脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型アク
   リロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を含むことを特徴
   とする半導体装置。
3. 【請求項３】電極パッドが形成された半導体素子の上の
   電極パッド及び該電極パッド周辺部以外の部分に応力緩
   衝層を有し、該応力緩衝層の表面及び半導体素子表面及
   び電極パッド上に連続した導体部を有し、応力緩衝層表
   面上の導体部の上に外部電極を有し、外部電極が存在す
   る領域以外の応力緩衝層及び導体部応及び応力緩衝層が
   存在する領域以外の半導体素子の上に導体部保護層を有
   し、該応力緩衝層又は導体部保護層の端面が半導体素子
   の端面よりも内側で外部に露出している半導体装置にお
   いて、該応力緩衝層が２５℃で固体のエポキシ系樹脂組
   成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリル
   ブタジエン系ゴム微粒子を含むことを特徴とする半導体
   装置。
4. 【請求項４】電極パッドが形成された半導体素子の上に
   半導体素子保護層を有し、該電極パッド上に半導体素子
   保護層を貫通する貫通孔を有し、該半導体素子保護層の
   上の貫通孔および貫通孔周辺部以外の部分に応力緩衝層
   を有し、前記の応力緩衝層の表面及び半導体素子保護層
   表面及び貫通孔内部及び電極パッド上に連続した導体部
   を有し、前記応力緩衝層の表面の導体部上に外部電極を
   有し、該外部電極が存在する領域以外の応力緩衝層及び
   導体部、半導体素子保護層及び半導体素子保護層が存在
   する領域以外の半導体素子の上に導体部保護層を有し、
   該半導体素子保護層又は応力緩衝層あるいは導体部保護
   層の端面が半導体素子の端面よりも内側で外部に露出し
   ている半導体装置において、応力緩衝層が２５℃で固体
   のエポキシ系樹脂組成物とカルボキシル基を有する架橋
   型アクリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を含むこと
   を特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】請求項１〜4のいずれかにおいて、前記応
   力緩衝層が２５℃で固体のエポキシ系樹脂組成物とカル
   ボキシル基を有する架橋型アクリロニトリルブタジエン
   系ゴム微粒子を前記エポキシ樹脂組成物１００重量部に
   対して１００〜２００重量部含む接着材であることを特
   徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】電極パッドが形成された半導体素子の上の
   前記電極パッド及び電極パッド周辺部以外の部分に応力
   緩衝層を有し、該応力緩衝層の表面に導体部を有し、該
   導体部上に外部電極を有し、該導体部及び応力緩衝層が
   存在する領域以外の半導体素子の上に導体部保護層を有
   し、前記半導体素子及び前記応力緩衝層又は前記導体部
   保護層の端面が同一面で外部に露出している半導体装置
   において、該応力緩衝層が２５℃で固体のエポキシ系樹
   脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリロニト
   リルブタジエン系ゴム微粒子を前記エポキシ樹脂組成物
   １００重量部に対して１００〜２００重量部含む接着材
   であることを特徴とする半導体装置。