JP2002201468A - 蛍光体薄膜その製造方法、およびelパネル - Google Patents
蛍光体薄膜その製造方法、およびelパネルInfo
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Classifications
-
- Y02B20/181—
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 フィルタを必要としない、色純度の良好な、
特にフルカラーEL用のRGBに適し、フルカラーEL
パネルの製造工程を簡略化し、輝度のバラツキ少なく、
歩留まりを上げ、製造コストを低減可能な蛍光体薄膜そ
の製造方法、ELパネルを提供する。 【解決手段】 母体材料が酸化物であるアルカリ土類ア
ルミネートを主成分とし、母体材料にイオウが添加さ
れ、発光中心として希土類元素が添加された下式 AxAlyOzSw:Re [Reは希土類元素を表し、AはMg、Ca、Sr、お
よびBaから選ばれた少なくとも一つの元素を表し、x
=1〜5、y=1〜15、z=3〜30、w=3〜30
である。]の蛍光体薄膜、その蒸着法による製造方法、
およびそれを用いたELパネル。
特にフルカラーEL用のRGBに適し、フルカラーEL
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、無機EL素子に用
いられる酸化物発光層に関し、特に発光層に用いられる
蛍光体薄膜とこれを用いたELパネルに関する。
いられる酸化物発光層に関し、特に発光層に用いられる
蛍光体薄膜とこれを用いたELパネルに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、小型または、大型軽量のフラット
ディスプレイとして、薄膜EL素子が盛んに研究されて
いる。黄橙色発光のマンガン添加硫化亜鉛からなる蛍光
体薄膜を用いたモノクロ薄膜ELディスプレイは図2に
示すような薄膜の絶縁層2,4を用いた2重絶縁型構造
で既に実用化されている。図2において、基板1上には
所定パターンの下部電極5が形成されていて、この下部
電極5上に第1の絶縁層2が形成されている。また、こ
の第1の絶縁層2上には、発光層3、第2の絶縁層4が
順次形成されるとともに、第2の絶縁層4上に前記下部
電極5とマトリクス回路を構成するように上部電極6が
所定パターンで形成されている。
ディスプレイとして、薄膜EL素子が盛んに研究されて
いる。黄橙色発光のマンガン添加硫化亜鉛からなる蛍光
体薄膜を用いたモノクロ薄膜ELディスプレイは図2に
示すような薄膜の絶縁層2,4を用いた2重絶縁型構造
で既に実用化されている。図2において、基板1上には
所定パターンの下部電極5が形成されていて、この下部
電極5上に第1の絶縁層2が形成されている。また、こ
の第1の絶縁層2上には、発光層3、第2の絶縁層4が
順次形成されるとともに、第2の絶縁層4上に前記下部
電極5とマトリクス回路を構成するように上部電極6が
所定パターンで形成されている。
【0003】さらに、ディスプレイとしてパソコン用、
TV用、その他表示用に対応するためにはカラー化が必
要不可欠である。硫化物蛍光体薄膜を用いた薄膜ELデ
ィスプレイは、信頼性、耐環境性に優れているが、現在
のところ、赤色、緑色、青色の3原色に発光するEL用
蛍光体の特性が十分でないため、カラー用には不適当と
されている。青色発光蛍光体は、母体材料としてSr
S、発光中心としてCeを用いたSrS:CeやZn
S:Tm、赤色発光蛍光体としてはZnS:Sm、Ca
S:Eu、緑色発光蛍光体としてはZnS:Tb、Ca
S:Ceなどが候補であり研究が続けられている。
TV用、その他表示用に対応するためにはカラー化が必
要不可欠である。硫化物蛍光体薄膜を用いた薄膜ELデ
ィスプレイは、信頼性、耐環境性に優れているが、現在
のところ、赤色、緑色、青色の3原色に発光するEL用
蛍光体の特性が十分でないため、カラー用には不適当と
されている。青色発光蛍光体は、母体材料としてSr
S、発光中心としてCeを用いたSrS:CeやZn
S:Tm、赤色発光蛍光体としてはZnS:Sm、Ca
S:Eu、緑色発光蛍光体としてはZnS:Tb、Ca
S:Ceなどが候補であり研究が続けられている。
【0004】これらの赤色、緑色、青色の3原色に発光
する蛍光体薄膜は発光輝度、効率、色純度に問題があ
り、現在、カラーELパネルの実用化には至っていな
い。特に、青色は、SrS:Ceを用いて、比較的高輝
度が得られてはいるが、フルカラーディスプレー用の青
色としては、輝度が不足し、色度も緑側にシフトしてい
るため、さらによい青色発光層の開発が望まれている。
する蛍光体薄膜は発光輝度、効率、色純度に問題があ
り、現在、カラーELパネルの実用化には至っていな
い。特に、青色は、SrS:Ceを用いて、比較的高輝
度が得られてはいるが、フルカラーディスプレー用の青
色としては、輝度が不足し、色度も緑側にシフトしてい
るため、さらによい青色発光層の開発が望まれている。
【0005】これらの課題を解決するため、特開平7−
122364号公報、特開平8−134440号公報、
信学技報EID98−113、19−24ページ、およ
びJpn.J.Appl.Phys.Vol.38、(1999) pp. L1291-1292に
述べられているように、SrGa2S4 :Ce、CaG
a2S4 :Ceや、BaAl2S4 :Eu等のチオガレー
トまたはチオアルミネート系の青色蛍光体が開発されて
いる。これら、チオガレート系蛍光体では、色純度の点
では問題ないが、輝度が低く、特に多元組成であるた
め、組成の均一な薄膜を得難い。組成制御性の悪さによ
る結晶性の悪さ、イオウ抜けによる欠陥の発生、不純物
の混入などによって、高品質の薄膜が得られず、そのた
め輝度が上がらないと考えられている。特に、チオアル
ミネートは組成制御性に困難を極める。
122364号公報、特開平8−134440号公報、
信学技報EID98−113、19−24ページ、およ
びJpn.J.Appl.Phys.Vol.38、(1999) pp. L1291-1292に
述べられているように、SrGa2S4 :Ce、CaG
a2S4 :Ceや、BaAl2S4 :Eu等のチオガレー
トまたはチオアルミネート系の青色蛍光体が開発されて
いる。これら、チオガレート系蛍光体では、色純度の点
では問題ないが、輝度が低く、特に多元組成であるた
め、組成の均一な薄膜を得難い。組成制御性の悪さによ
る結晶性の悪さ、イオウ抜けによる欠陥の発生、不純物
の混入などによって、高品質の薄膜が得られず、そのた
め輝度が上がらないと考えられている。特に、チオアル
ミネートは組成制御性に困難を極める。
【0006】フルカラーELパネルを実現する上では、
青、緑、赤用の蛍光体を、安定に、低コストで実現する
蛍光体材料、作製プロセス蛍光体が必要であるが、上記
したように蛍光体薄膜の母体材料や発光中心材料の化学
的あるいは物理的な性質が、個々の材料により異なって
いるために、蛍光体薄膜の種類によって、製造方法が異
なる。一つの材料で高輝度を得るための製膜方法とする
と、他の色の蛍光体薄膜の高輝度が実現できないため、
フルカラーのELパネルの製造工程を考えると、複数種
類の製膜装置が必要になってしいまう。製造工程は一層
複雑になり、パネルの製造コストが高くなる。
青、緑、赤用の蛍光体を、安定に、低コストで実現する
蛍光体材料、作製プロセス蛍光体が必要であるが、上記
したように蛍光体薄膜の母体材料や発光中心材料の化学
的あるいは物理的な性質が、個々の材料により異なって
いるために、蛍光体薄膜の種類によって、製造方法が異
なる。一つの材料で高輝度を得るための製膜方法とする
と、他の色の蛍光体薄膜の高輝度が実現できないため、
フルカラーのELパネルの製造工程を考えると、複数種
類の製膜装置が必要になってしいまう。製造工程は一層
複雑になり、パネルの製造コストが高くなる。
【0007】また、上記した青、緑、赤、のEL蛍光体
薄膜のELスペクトルは、すべてブロードであり、フル
カラーELパネルに用いる場合には、パネルとして必要
な、RGBをフィルタを用いて、EL蛍光体薄膜のEL
スペクトルから切り出さなければならない。フィルター
を用いると製造工程が複雑になるばかりか、最も問題な
のは、輝度の低下である。フィルターを用いてRGBを
取り出すと、青、緑、赤、のEL蛍光体薄膜の輝度は、
10〜50%のロスがでるため、輝度が低下し、実用に
ならない。
薄膜のELスペクトルは、すべてブロードであり、フル
カラーELパネルに用いる場合には、パネルとして必要
な、RGBをフィルタを用いて、EL蛍光体薄膜のEL
スペクトルから切り出さなければならない。フィルター
を用いると製造工程が複雑になるばかりか、最も問題な
のは、輝度の低下である。フィルターを用いてRGBを
取り出すと、青、緑、赤、のEL蛍光体薄膜の輝度は、
10〜50%のロスがでるため、輝度が低下し、実用に
ならない。
【0008】上記に示した問題を解決するために、フィ
ルタを用いなくとも色純度の良好でかつ高輝度に発光す
る赤、緑、青の蛍光体薄膜材料および、同一の製膜手法
や製膜装置を用いて高い輝度を得ることが可能となる、
化学的あるいは物理的な性質が類似した、蛍光体母体材
料や発光中心材料が求められていた。
ルタを用いなくとも色純度の良好でかつ高輝度に発光す
る赤、緑、青の蛍光体薄膜材料および、同一の製膜手法
や製膜装置を用いて高い輝度を得ることが可能となる、
化学的あるいは物理的な性質が類似した、蛍光体母体材
料や発光中心材料が求められていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フィ
ルタを必要としない、色純度の良好な、特にフルカラー
EL用のRGBに適した蛍光体薄膜とその製造方法およ
びELパネルを提供することである。
ルタを必要としない、色純度の良好な、特にフルカラー
EL用のRGBに適した蛍光体薄膜とその製造方法およ
びELパネルを提供することである。
【0010】また、フルカラーELパネルの製造工程を
簡略化し、輝度のバラツキが少なく、歩留まりを上げ、
製造コストを低減することが可能な蛍光体薄膜とその製
造方法およびELパネルを提供することである。
簡略化し、輝度のバラツキが少なく、歩留まりを上げ、
製造コストを低減することが可能な蛍光体薄膜とその製
造方法およびELパネルを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(11)のいずれかの構成により達成される。 (1) 母体材料が酸化物であるアルカリ土類アルミネ
ートを主成分とし、この母体材料にイオウを含有し、さ
らに発光中心となる元素を含有する蛍光体薄膜。 (2) 下記式で表される上記(1)の蛍光薄膜。 AxAlyOzSw :Re [但し、Reは希土類元素を表し、AはMg、Ca、S
r、およびBaから選ばれた少なくとも一つの元素を表
し、x=1〜5、y=1〜15、z=3〜30、w=3
〜30である。] (3) 前記含有するイオウ元素と、母体材料の酸素元
素とのモル比率を、S/(S+O)と表したときに0.
01〜0.5である上記(1)または(2)の蛍光体薄
膜。 (4) 1.5≦y/x≦3.0である上記(2)の蛍
光体薄膜。 (5) さらに、S/(S+O)=0.7〜0.9であ
る上記(4)の蛍光体薄膜。 (6) 下記式で表される蛍光体薄膜。 AxAlyOzSw :Re [但し、Reは希土類元素を表し、AはMg、Ca、S
r、およびBaから選ばれた少なくとも一つの元素を表
し、x=1〜5、y=1〜15、z=3〜30、w=3
〜30、かつ5≦y/x≦7である。] (7) 前記発光中心ReはEu、TbおよびSmのい
ずれかである上記(1)〜(6)のいずれかの蛍光体薄
膜。 (8) 上記(1)〜(7)のいずれかの蛍光体薄膜を
有するELパネル。 (9) 母体材料前駆体としてイオウと発光中心とを含
有する硫化物薄膜を形成した後、酸化雰囲気中でアニー
ル処理を行い酸素を導入して蛍光体薄膜を得る上記
(1)〜(7)のいずれかの蛍光体薄膜の製造方法。 (10) 上記(1)の蛍光体薄膜を蒸着法により形成
する製造方法であって、真空槽内に、少なくとも硫化ア
ルミニウム蒸発源と、発光中心が添加されたアルカリ土
類硫化物蒸発源とを配置して酸素ガスを導入し、これら
の蒸発源の各々から硫化アルミニウムおよびアルカリ土
類硫化物原料を蒸発させ、基板上に堆積する際にそれぞ
れの原料物質と酸素ガスを結合させて薄膜を得る蛍光体
薄膜の製造方法。 (11) 上記(1)の蛍光体薄膜を蒸着法により形成
する製造方法であって、真空槽内に、少なくとも硫化ア
ルミニウム蒸発源と、発光中心が添加されたアルカリ土
類硫化物蒸発源とを配置して硫化水素ガスを導入し、こ
れらの蒸発源の各々から硫化アルミニウムおよびアルカ
リ土類硫化物原料を蒸発させ、基板上に堆積する際にそ
れぞれの原料物質と硫化水素ガスを結合させて硫化物蛍
光体薄膜を得、その後、酸化雰囲気中でアニール処理を
行う蛍光体薄膜の製造方法。
(1)〜(11)のいずれかの構成により達成される。 (1) 母体材料が酸化物であるアルカリ土類アルミネ
ートを主成分とし、この母体材料にイオウを含有し、さ
らに発光中心となる元素を含有する蛍光体薄膜。 (2) 下記式で表される上記(1)の蛍光薄膜。 AxAlyOzSw :Re [但し、Reは希土類元素を表し、AはMg、Ca、S
r、およびBaから選ばれた少なくとも一つの元素を表
し、x=1〜5、y=1〜15、z=3〜30、w=3
〜30である。] (3) 前記含有するイオウ元素と、母体材料の酸素元
素とのモル比率を、S/(S+O)と表したときに0.
01〜0.5である上記(1)または(2)の蛍光体薄
膜。 (4) 1.5≦y/x≦3.0である上記(2)の蛍
光体薄膜。 (5) さらに、S/(S+O)=0.7〜0.9であ
る上記(4)の蛍光体薄膜。 (6) 下記式で表される蛍光体薄膜。 AxAlyOzSw :Re [但し、Reは希土類元素を表し、AはMg、Ca、S
r、およびBaから選ばれた少なくとも一つの元素を表
し、x=1〜5、y=1〜15、z=3〜30、w=3
〜30、かつ5≦y/x≦7である。] (7) 前記発光中心ReはEu、TbおよびSmのい
ずれかである上記(1)〜(6)のいずれかの蛍光体薄
膜。 (8) 上記(1)〜(7)のいずれかの蛍光体薄膜を
有するELパネル。 (9) 母体材料前駆体としてイオウと発光中心とを含
有する硫化物薄膜を形成した後、酸化雰囲気中でアニー
ル処理を行い酸素を導入して蛍光体薄膜を得る上記
(1)〜(7)のいずれかの蛍光体薄膜の製造方法。 (10) 上記(1)の蛍光体薄膜を蒸着法により形成
する製造方法であって、真空槽内に、少なくとも硫化ア
ルミニウム蒸発源と、発光中心が添加されたアルカリ土
類硫化物蒸発源とを配置して酸素ガスを導入し、これら
の蒸発源の各々から硫化アルミニウムおよびアルカリ土
類硫化物原料を蒸発させ、基板上に堆積する際にそれぞ
れの原料物質と酸素ガスを結合させて薄膜を得る蛍光体
薄膜の製造方法。 (11) 上記(1)の蛍光体薄膜を蒸着法により形成
する製造方法であって、真空槽内に、少なくとも硫化ア
ルミニウム蒸発源と、発光中心が添加されたアルカリ土
類硫化物蒸発源とを配置して硫化水素ガスを導入し、こ
れらの蒸発源の各々から硫化アルミニウムおよびアルカ
リ土類硫化物原料を蒸発させ、基板上に堆積する際にそ
れぞれの原料物質と硫化水素ガスを結合させて硫化物蛍
光体薄膜を得、その後、酸化雰囲気中でアニール処理を
行う蛍光体薄膜の製造方法。
【0012】
【作用】本発明は、同一の製膜手法として、反応性蒸着
法を用いて、化学的あるいは物理的に安定な酸化物を用
いた化合物材料を合成した結果得られた発明であり、得
られた蛍光体薄膜は赤から青までの広範囲にわたる様々
な色の発光を放射するようになる。
法を用いて、化学的あるいは物理的に安定な酸化物を用
いた化合物材料を合成した結果得られた発明であり、得
られた蛍光体薄膜は赤から青までの広範囲にわたる様々
な色の発光を放射するようになる。
【0013】本発明の蛍光体薄膜は、母体材料として、
酸化物のアルカリ土類アルミネートを用いものである。
アルカリ土類アルミネート薄膜をEL用の薄膜蛍光体と
して、検討した例はない。推測するに、アルカリ土類ア
ルミネートは、結晶化薄膜を得がたく、EL発光する蛍
光体薄膜として利用できなかったためと考えられる。ア
ルカリ土類アルミネートは、PDP用あるいは、蛍光ラ
ンプ用に検討されている。炭酸バリウムなどのBa原料
とアルミナなどのAl原料およびEuを添加して110
0℃から1400℃で焼成し、粉体を合成することによ
り、PDP用あるいは、蛍光ランプ用の青色蛍光体とし
て用いられている。
酸化物のアルカリ土類アルミネートを用いものである。
アルカリ土類アルミネート薄膜をEL用の薄膜蛍光体と
して、検討した例はない。推測するに、アルカリ土類ア
ルミネートは、結晶化薄膜を得がたく、EL発光する蛍
光体薄膜として利用できなかったためと考えられる。ア
ルカリ土類アルミネートは、PDP用あるいは、蛍光ラ
ンプ用に検討されている。炭酸バリウムなどのBa原料
とアルミナなどのAl原料およびEuを添加して110
0℃から1400℃で焼成し、粉体を合成することによ
り、PDP用あるいは、蛍光ランプ用の青色蛍光体とし
て用いられている。
【0014】先ず発明者らは、バリウムアルミネートを
EL用の薄膜蛍光体として薄膜化した。得られた薄膜を
用いて、EL素子を作製したが、所望の発光を得ること
ができなかった。次に、1100℃でアニールすると、
ようやくEL発光が観察された。しかしながら、2cd/
m2 と低輝度で、EL素子のパネル応用するためには、
高輝度化とプロセス温度の低減が必要であった。
EL用の薄膜蛍光体として薄膜化した。得られた薄膜を
用いて、EL素子を作製したが、所望の発光を得ること
ができなかった。次に、1100℃でアニールすると、
ようやくEL発光が観察された。しかしながら、2cd/
m2 と低輝度で、EL素子のパネル応用するためには、
高輝度化とプロセス温度の低減が必要であった。
【0015】この結果を踏まえて、この系の蛍光体薄膜
において研究を重ねた結果、本発明に至った。すなわ
ち、バリウムアルミネート母体材料にイオウを添加する
ことにより、飛躍的に輝度が上がることを発見した。
において研究を重ねた結果、本発明に至った。すなわ
ち、バリウムアルミネート母体材料にイオウを添加する
ことにより、飛躍的に輝度が上がることを発見した。
【0016】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態について詳
細に説明する。本発明の蛍光体薄膜は、酸化物であるア
ルカリ土類アルミネート母体材料にイオウを含有し、さ
らに発光中心として希土類元素を添加したものである。
細に説明する。本発明の蛍光体薄膜は、酸化物であるア
ルカリ土類アルミネート母体材料にイオウを含有し、さ
らに発光中心として希土類元素を添加したものである。
【0017】本発明の蛍光体薄膜に用いるアルカリ土類
アルミネートは、アルカリ土類をAとすると、A5Al2
O8 、A4Al2O7 、A2Al2O5 、AAl2O4 、A
Al4O7、A4Al14O25 、AAl8O13 、AAl12O
19 があり、母体材料としてはこれらの単体または2種
以上を混合してもよいし、明確な結晶構造を有しない非
晶質状態となってもよい。
アルミネートは、アルカリ土類をAとすると、A5Al2
O8 、A4Al2O7 、A2Al2O5 、AAl2O4 、A
Al4O7、A4Al14O25 、AAl8O13 、AAl12O
19 があり、母体材料としてはこれらの単体または2種
以上を混合してもよいし、明確な結晶構造を有しない非
晶質状態となってもよい。
【0018】本発明の蛍光体薄膜は、上記母体材料に対
してさらにイオウを含有し、 組成式 AxAlyOzSw :Re [但し、Reは希土類元素を表し、AはMg、Ca、S
r、およびBaから選ばれた少なくとも一つの元素を表
す。]で表されるものであることが好ましい。上記式に
おいて、x,y,z,wは、元素A,Al,O,Sのモ
ル比を表す。x,y,zは、好ましくは x=1〜5 y=1〜15 z=3〜30 w=3〜30 である。
してさらにイオウを含有し、 組成式 AxAlyOzSw :Re [但し、Reは希土類元素を表し、AはMg、Ca、S
r、およびBaから選ばれた少なくとも一つの元素を表
す。]で表されるものであることが好ましい。上記式に
おいて、x,y,z,wは、元素A,Al,O,Sのモ
ル比を表す。x,y,zは、好ましくは x=1〜5 y=1〜15 z=3〜30 w=3〜30 である。
【0019】イオウは、アルカリ土類アルミネート母体
材料に、母体材料の酸素に対する原子比で、S/(S+
O)と表したとき、0.01〜0.95、特に0.01
〜0.5の範囲内で含有することが好ましい。すなわ
ち、上式では、w/(z+w)の値が0.01〜0.
5、好ましくは0.02〜0.3、特に0.03〜0.
15であることが好ましい。
材料に、母体材料の酸素に対する原子比で、S/(S+
O)と表したとき、0.01〜0.95、特に0.01
〜0.5の範囲内で含有することが好ましい。すなわ
ち、上式では、w/(z+w)の値が0.01〜0.
5、好ましくは0.02〜0.3、特に0.03〜0.
15であることが好ましい。
【0020】上記Aで表される元素のうちBaが最も好
ましく、AがBaであるとき、Baの含有量はAlに対
する原子比で、Al/Baと表したとき、5〜7となる
範囲が好ましい。
ましく、AがBaであるとき、Baの含有量はAlに対
する原子比で、Al/Baと表したとき、5〜7となる
範囲が好ましい。
【0021】また、特に上記式において、w/(z+
w)の値が0.7〜0.9、好ましくは0.75〜0.
85のとき、上記元素Aと元素Alとの原子比Al/A
が1〜3、好ましくは1.5〜3.0、特に2.0〜
2.5の範囲となっているとよい。
w)の値が0.7〜0.9、好ましくは0.75〜0.
85のとき、上記元素Aと元素Alとの原子比Al/A
が1〜3、好ましくは1.5〜3.0、特に2.0〜
2.5の範囲となっているとよい。
【0022】イオウは、蛍光体薄膜EL発光輝度を飛躍
的に高める効果がある。アルカリ土類アルミネートにイ
オウが添加されると、この母体材料の成膜時または、成
膜後のアニール等の後処理時に結晶化が促進され、添加
された希土類が化合物結晶場内で有効な遷移を有し、高
輝度な発光が得られるものと考えられる。
的に高める効果がある。アルカリ土類アルミネートにイ
オウが添加されると、この母体材料の成膜時または、成
膜後のアニール等の後処理時に結晶化が促進され、添加
された希土類が化合物結晶場内で有効な遷移を有し、高
輝度な発光が得られるものと考えられる。
【0023】発光素子には、発光時間の経過と共に輝度
が劣化する寿命が存在する。酸素とイオウの混在する組
成は、寿命特性を向上させ、輝度の劣化を防止する。母
体材料が純粋な硫化物と比較して、酸素との化合物が混
合することにより空気中で安定になる。これは、膜中の
硫化物成分を安定な酸化物成分が大気から保護するため
と考えられる。従って、発明者らの検討によれば、硫化
物と酸化物の組成の間には、上記最適値が存在する。
が劣化する寿命が存在する。酸素とイオウの混在する組
成は、寿命特性を向上させ、輝度の劣化を防止する。母
体材料が純粋な硫化物と比較して、酸素との化合物が混
合することにより空気中で安定になる。これは、膜中の
硫化物成分を安定な酸化物成分が大気から保護するため
と考えられる。従って、発明者らの検討によれば、硫化
物と酸化物の組成の間には、上記最適値が存在する。
【0024】母体材料中のイオウと酸素の含有量は、原
料組成で調整してもよいし、薄膜形成後にアニール処理
を行い、その条件を調節することでうことで調整しても
よい。
料組成で調整してもよいし、薄膜形成後にアニール処理
を行い、その条件を調節することでうことで調整しても
よい。
【0025】発光中心として含有される元素Reは、M
n,Cu等の遷移金属元素、希土類金属元素、Pb、お
よびBiから選択される1種または2種以上の元素を挙
げることができる。希土類は、少なくともSc、Y、L
a、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Ho、Er、T
m、Lu、Sm、Eu、Dy、Ybから選択されるが、
青色蛍光体としては、Eu、緑色蛍光体としては、C
e、Tb、Ho、赤色蛍光体としては、Sm、Yb、N
dが好ましい。これらのなかでも母体材料との組み合わ
せでEu、Tb、Smが好ましく、Euが最も好まし
い。添加量は、アルカリ土類原子に対して0.5〜10
原子%添加することが好ましい。
n,Cu等の遷移金属元素、希土類金属元素、Pb、お
よびBiから選択される1種または2種以上の元素を挙
げることができる。希土類は、少なくともSc、Y、L
a、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Ho、Er、T
m、Lu、Sm、Eu、Dy、Ybから選択されるが、
青色蛍光体としては、Eu、緑色蛍光体としては、C
e、Tb、Ho、赤色蛍光体としては、Sm、Yb、N
dが好ましい。これらのなかでも母体材料との組み合わ
せでEu、Tb、Smが好ましく、Euが最も好まし
い。添加量は、アルカリ土類原子に対して0.5〜10
原子%添加することが好ましい。
【0026】このような蛍光体薄膜を得るには、例え
ば、以下の反応性蒸着法によることが好ましい。ここで
は、バリウムアルミネート:Eu蛍光体薄膜を例にとり
説明する。
ば、以下の反応性蒸着法によることが好ましい。ここで
は、バリウムアルミネート:Eu蛍光体薄膜を例にとり
説明する。
【0027】Euを添加したバリウムアルミネートペレ
ットを作製し、H2Sガスを導入した真空槽内でこのペ
レットをEB蒸着させればよい。ここでH2Sガスは、
イオウ添加に用いている。
ットを作製し、H2Sガスを導入した真空槽内でこのペ
レットをEB蒸着させればよい。ここでH2Sガスは、
イオウ添加に用いている。
【0028】その他、多元反応性蒸着法に用いる方法も
可能である。
可能である。
【0029】例えば、Euを添加した酸化バリウムペレ
ット、アルミナペレット、H2Sガスを用いた2元反応
性蒸着。または、Euを添加した硫化バリウムペレッ
ト、アルミナペレット、ガスを用いない2元真空蒸着。
Euを添加した酸化バリウムペレット、アルミナペレッ
ト、H2Sガスを用いた2元反応性蒸着。Euを添加し
た硫化バリウムペレット、アルミナペレット、ガスを用
いない2元真空蒸着。Euを添加した酸化バリウムペレ
ット、硫化アルミニウムペレット、ガスを用いない2元
真空蒸着。Euを添加した硫化バリウムペレット、硫化
アルミニウムペレット、O2 ガスを用いた2元反応性蒸
着等の方法が好ましい。
ット、アルミナペレット、H2Sガスを用いた2元反応
性蒸着。または、Euを添加した硫化バリウムペレッ
ト、アルミナペレット、ガスを用いない2元真空蒸着。
Euを添加した酸化バリウムペレット、アルミナペレッ
ト、H2Sガスを用いた2元反応性蒸着。Euを添加し
た硫化バリウムペレット、アルミナペレット、ガスを用
いない2元真空蒸着。Euを添加した酸化バリウムペレ
ット、硫化アルミニウムペレット、ガスを用いない2元
真空蒸着。Euを添加した硫化バリウムペレット、硫化
アルミニウムペレット、O2 ガスを用いた2元反応性蒸
着等の方法が好ましい。
【0030】特に、真空槽内に、少なくとも硫化アルミ
ニウム蒸発源と、発光中心が添加されたアルカリ土類硫
化物蒸発源とを配置して酸素ガス(O2 )を導入し、こ
れらの蒸発源の各々から硫化アルミニウムおよびアルカ
リ土類硫化物原料を蒸発させ、基板上に堆積する際にそ
れぞれの原料物質と酸素ガスを結合させて薄膜を得る方
法が好ましい。
ニウム蒸発源と、発光中心が添加されたアルカリ土類硫
化物蒸発源とを配置して酸素ガス(O2 )を導入し、こ
れらの蒸発源の各々から硫化アルミニウムおよびアルカ
リ土類硫化物原料を蒸発させ、基板上に堆積する際にそ
れぞれの原料物質と酸素ガスを結合させて薄膜を得る方
法が好ましい。
【0031】さらに、アニール処理と組み合わせて、バ
リウムチオアルミネート薄膜を得た後、酸素中または空
気中などの酸化雰囲気でアニールをすることによる方法
が好ましい。たとえば、Euを添加した硫化バリウムペ
レット、硫化アルミニウムペレット、硫化水素(H2S)
ガスを用いた2元反応性蒸着等の方法で薄膜を得た後、
空気中でアニールを行う。アニールの条件としては、酸
素濃度が大気雰囲気以上の酸化性雰囲気中で、好ましく
は500℃〜1000℃、特に600℃〜800℃の範
囲の温度で行うとよい。
リウムチオアルミネート薄膜を得た後、酸素中または空
気中などの酸化雰囲気でアニールをすることによる方法
が好ましい。たとえば、Euを添加した硫化バリウムペ
レット、硫化アルミニウムペレット、硫化水素(H2S)
ガスを用いた2元反応性蒸着等の方法で薄膜を得た後、
空気中でアニールを行う。アニールの条件としては、酸
素濃度が大気雰囲気以上の酸化性雰囲気中で、好ましく
は500℃〜1000℃、特に600℃〜800℃の範
囲の温度で行うとよい。
【0032】特に、真空槽内に、少なくとも硫化アルミ
ニウム蒸発源と、発光中心が添加されたアルカリ土類硫
化物蒸発源とを配置して硫化水素ガスを導入し、これら
の蒸発源の各々から硫化アルミニウムおよびアルカリ土
類硫化物原料を蒸発させ、基板上に堆積する際にそれぞ
れの原料物質と硫化水素ガスを結合させて硫化物蛍光体
薄膜を得、その後酸化性雰囲気中でアニールを行って薄
膜を得る方法が好ましい。
ニウム蒸発源と、発光中心が添加されたアルカリ土類硫
化物蒸発源とを配置して硫化水素ガスを導入し、これら
の蒸発源の各々から硫化アルミニウムおよびアルカリ土
類硫化物原料を蒸発させ、基板上に堆積する際にそれぞ
れの原料物質と硫化水素ガスを結合させて硫化物蛍光体
薄膜を得、その後酸化性雰囲気中でアニールを行って薄
膜を得る方法が好ましい。
【0033】添加するEuは、金属、フッ化物、酸化物
または硫化物の形で原料に添加する。添加量は、原料と
形成される薄膜で異なるので、適当な添加量となるよう
に原料の組成を調整する。
または硫化物の形で原料に添加する。添加量は、原料と
形成される薄膜で異なるので、適当な添加量となるよう
に原料の組成を調整する。
【0034】蒸着中の基板温度は、室温〜600℃、好
ましくは、100℃〜300℃とすればよい。基板温度
が高すぎると、母体材料の薄膜表面の凹凸が激しくな
り、薄膜中にピンホールが発生し、EL素子に電流リー
クの問題が発生してくる。また、薄膜が褐色に色づいた
りもする。このため、上述の温度範囲が好ましい。
ましくは、100℃〜300℃とすればよい。基板温度
が高すぎると、母体材料の薄膜表面の凹凸が激しくな
り、薄膜中にピンホールが発生し、EL素子に電流リー
クの問題が発生してくる。また、薄膜が褐色に色づいた
りもする。このため、上述の温度範囲が好ましい。
【0035】形成された酸化物蛍光薄膜は、高結晶性の
薄膜であることが好ましい。結晶性の評価は、例えばX
線回折により行うことができる。結晶性を上げるために
は、できるだけ基板温度を高温にする。また、薄膜形成
後の真空中、N2 中、Ar中、S蒸気中、H2S中、空
気中、酸素中等でのアニールも効果的である。
薄膜であることが好ましい。結晶性の評価は、例えばX
線回折により行うことができる。結晶性を上げるために
は、できるだけ基板温度を高温にする。また、薄膜形成
後の真空中、N2 中、Ar中、S蒸気中、H2S中、空
気中、酸素中等でのアニールも効果的である。
【0036】発光層の膜厚としては、特に制限されるも
のではないが、厚すぎると駆動電圧が上昇し、薄すぎる
と発光効率が低下する。具体的には、蛍光材料にもよる
が、好ましくは100〜2000nm、特に150〜70
0nm程度である。
のではないが、厚すぎると駆動電圧が上昇し、薄すぎる
と発光効率が低下する。具体的には、蛍光材料にもよる
が、好ましくは100〜2000nm、特に150〜70
0nm程度である。
【0037】蒸着時の圧力は好ましくは1.33×10
-4 〜1.33×10-1 Pa(1×10-6 〜1×10-3
Torr)である。特にイオウを添加ためのH2Sガス、酸
化を促進するための酸素ガスの導入量は、共に調整して
6.65×10-3 〜6.65×10-2 Pa(5×10-5
〜5×10-4 Torr)とするとよい。圧力がこれより高
くなると、Eガンの動作が不安定となり、組成制御が極
めて困難になってくる。H2Sガス、または酸素ガスの
導入量としては、真空系の能力にもよるが5〜200SC
CM、特に10〜30SCCMが好ましい。
-4 〜1.33×10-1 Pa(1×10-6 〜1×10-3
Torr)である。特にイオウを添加ためのH2Sガス、酸
化を促進するための酸素ガスの導入量は、共に調整して
6.65×10-3 〜6.65×10-2 Pa(5×10-5
〜5×10-4 Torr)とするとよい。圧力がこれより高
くなると、Eガンの動作が不安定となり、組成制御が極
めて困難になってくる。H2Sガス、または酸素ガスの
導入量としては、真空系の能力にもよるが5〜200SC
CM、特に10〜30SCCMが好ましい。
【0038】また、必要により蒸着時に基板を移動、ま
たは回転させてもよい。基板を移動、回転させることに
より、膜組成が均一となり、膜厚分布のバラツキが少な
くなる。
たは回転させてもよい。基板を移動、回転させることに
より、膜組成が均一となり、膜厚分布のバラツキが少な
くなる。
【0039】基板を回転させる場合、基板の回転数とし
ては、好ましくは10回/min 以上、より好ましくは1
0〜50回/min 、特に10〜30回/min 程度であ
る。基板の回転数が速すぎると、真空チャンバーへの導
入時にシール性などの問題が発生しやすくなる。また、
遅すぎると槽内の膜厚方向に組成ムラが生じ、作製した
発光層の特性が低下してくる。基板を回転させる回転手
段としては、モータ、油圧回転機構等の動力源と、ギ
ア、ベルト、プーリー等を組み合わせた動力伝達機構・
減速機構等を用いた公知の回転機構により構成すること
ができる。
ては、好ましくは10回/min 以上、より好ましくは1
0〜50回/min 、特に10〜30回/min 程度であ
る。基板の回転数が速すぎると、真空チャンバーへの導
入時にシール性などの問題が発生しやすくなる。また、
遅すぎると槽内の膜厚方向に組成ムラが生じ、作製した
発光層の特性が低下してくる。基板を回転させる回転手
段としては、モータ、油圧回転機構等の動力源と、ギ
ア、ベルト、プーリー等を組み合わせた動力伝達機構・
減速機構等を用いた公知の回転機構により構成すること
ができる。
【0040】蒸発源や基板を加熱する加熱手段は所定の
熱容量、反応性等を備えたものであればよく、例えばタ
ンタル線ヒータ、シースヒータ、カーボンヒータ等が挙
げられる。加熱手段による加熱温度は、好ましくは10
0〜1400℃程度、温度制御の精度は、1000℃で
±1℃、好ましくは±0.5℃程度である。
熱容量、反応性等を備えたものであればよく、例えばタ
ンタル線ヒータ、シースヒータ、カーボンヒータ等が挙
げられる。加熱手段による加熱温度は、好ましくは10
0〜1400℃程度、温度制御の精度は、1000℃で
±1℃、好ましくは±0.5℃程度である。
【0041】本発明の発光層を形成するための装置の構
成例の一つを図1に示す。ここでは、硫化アルミニウム
と硫化バリウムを蒸発源とし、酸素を導入しつつ、S添
加バリウムアルミネート:Euを作製する方法を例にと
る。図において、真空層11内には、発光層が形成され
る基板12と、EB蒸発源14,15が配置されてい
る。
成例の一つを図1に示す。ここでは、硫化アルミニウム
と硫化バリウムを蒸発源とし、酸素を導入しつつ、S添
加バリウムアルミネート:Euを作製する方法を例にと
る。図において、真空層11内には、発光層が形成され
る基板12と、EB蒸発源14,15が配置されてい
る。
【0042】硫化アルミニウムと硫化バリウムの蒸発手
段となるEB(エレクトロンビーム)蒸発源14,15
は、発光中心の添加された硫化バリウム14aおよび硫
化アルミニウム15aが納められる”るつぼ”40,5
0と、電子放出用のフィラメント41a,51aを内蔵
した電子銃41,51とを有する。電子銃41,51内
には、ビームをコントロールする機構が内蔵されてい
る。この電子銃41,51には、交流電源42,52お
よびバイアス電源43,53が接続されている。電子銃
41,51からは電子ビームがコントロールされ、交互
に、あらかじめ設定したパワーで、発光中心の添加され
た硫化バリウム14aおよび硫化アルミニウム15aを
所定の比率で蒸発させることができる。一つのEガンで
多元同時蒸着を行う蒸着方法は、多元パルス蒸着法とい
われるものである。
段となるEB(エレクトロンビーム)蒸発源14,15
は、発光中心の添加された硫化バリウム14aおよび硫
化アルミニウム15aが納められる”るつぼ”40,5
0と、電子放出用のフィラメント41a,51aを内蔵
した電子銃41,51とを有する。電子銃41,51内
には、ビームをコントロールする機構が内蔵されてい
る。この電子銃41,51には、交流電源42,52お
よびバイアス電源43,53が接続されている。電子銃
41,51からは電子ビームがコントロールされ、交互
に、あらかじめ設定したパワーで、発光中心の添加され
た硫化バリウム14aおよび硫化アルミニウム15aを
所定の比率で蒸発させることができる。一つのEガンで
多元同時蒸着を行う蒸着方法は、多元パルス蒸着法とい
われるものである。
【0043】真空槽11は、排気ポート11aを有し、
この排気ポートからの排気により、真空槽11内を所定
の真空度にできるようになっている。また、この真空槽
11は、酸素ガスや硫化水素ガスを導入する原料ガス導
入ポート11bを有している。
この排気ポートからの排気により、真空槽11内を所定
の真空度にできるようになっている。また、この真空槽
11は、酸素ガスや硫化水素ガスを導入する原料ガス導
入ポート11bを有している。
【0044】基板12は基板ホルダー12aに固定さ
れ、この基板ホルダー12aの固定軸12bは図示しな
い回転軸固定手段により、真空槽11内の真空度を維持
しつつ、外部から回転自在に固定されている。そして、
図示しない回転手段により、必要に応じて所定の回転数
で回転可能なようになっている。また、基板ホルダー1
2aには、ヒーター線などにより構成される加熱手段1
3が密着・固定されていて、基板を所望の温度に加熱、
保持できるようになっている。
れ、この基板ホルダー12aの固定軸12bは図示しな
い回転軸固定手段により、真空槽11内の真空度を維持
しつつ、外部から回転自在に固定されている。そして、
図示しない回転手段により、必要に応じて所定の回転数
で回転可能なようになっている。また、基板ホルダー1
2aには、ヒーター線などにより構成される加熱手段1
3が密着・固定されていて、基板を所望の温度に加熱、
保持できるようになっている。
【0045】このような装置を用い、EB蒸発源14,
15から蒸発させた硫化バリウム蒸気と硫化アルミニウ
ム蒸気とを基板12上に堆積、導入した酸素と結合さ
せ、S添加酸化物蛍光層が形成される。そのとき、必要
により基板12を回転させることにより、堆積される発
光層の組成と膜厚分布をより均一なものとすることがで
きる。なお、上記例ではEB蒸発源を2つ用いる場合を
示して説明したが、蒸発源はEB蒸発源に限定されるも
のではなく、用いる材料や条件により抵抗加熱蒸発源等
の他の蒸発源を用いてもよい。
15から蒸発させた硫化バリウム蒸気と硫化アルミニウ
ム蒸気とを基板12上に堆積、導入した酸素と結合さ
せ、S添加酸化物蛍光層が形成される。そのとき、必要
により基板12を回転させることにより、堆積される発
光層の組成と膜厚分布をより均一なものとすることがで
きる。なお、上記例ではEB蒸発源を2つ用いる場合を
示して説明したが、蒸発源はEB蒸発源に限定されるも
のではなく、用いる材料や条件により抵抗加熱蒸発源等
の他の蒸発源を用いてもよい。
【0046】以上述べたように、本発明の蛍光薄膜材料
および蒸着による製造方法、によると、高輝度に発光す
る蛍光体薄膜が容易に形成可能となる。
および蒸着による製造方法、によると、高輝度に発光す
る蛍光体薄膜が容易に形成可能となる。
【0047】本発明の発光層3を用いて無機EL素子を
得るには、例えば、図2に示すような構造とすればよ
い。基板1、電極5,6、厚膜絶縁層2、薄膜絶縁層4
のそれぞれの間には、密着を上げるための層、応力を緩
和するための層、反応を防止する層、など中間層を設け
てもよい。また厚膜表面は研磨したり、平坦化層を用い
るなどして平坦性を向上させてもよい。
得るには、例えば、図2に示すような構造とすればよ
い。基板1、電極5,6、厚膜絶縁層2、薄膜絶縁層4
のそれぞれの間には、密着を上げるための層、応力を緩
和するための層、反応を防止する層、など中間層を設け
てもよい。また厚膜表面は研磨したり、平坦化層を用い
るなどして平坦性を向上させてもよい。
【0048】図2は、本発明の発光層を用いた無機EL
素子の構造を示す一部断面斜視図である。図2におい
て、基板1上には所定パターンの下部電極5が形成され
ていて、この下部電極5上に厚膜の第1の絶縁層(厚膜
誘電体層)2が形成されている。また、この第1の絶縁
層2上には、発光層3、第2の絶縁層(薄膜誘電体層)
4が順次形成されるとともに、第2の絶縁層4上に前記
下部電極5とマトリクス回路を構成するように上部電極
6が所定パターンで形成されている。
素子の構造を示す一部断面斜視図である。図2におい
て、基板1上には所定パターンの下部電極5が形成され
ていて、この下部電極5上に厚膜の第1の絶縁層(厚膜
誘電体層)2が形成されている。また、この第1の絶縁
層2上には、発光層3、第2の絶縁層(薄膜誘電体層)
4が順次形成されるとともに、第2の絶縁層4上に前記
下部電極5とマトリクス回路を構成するように上部電極
6が所定パターンで形成されている。
【0049】基板として用いる材料は、厚膜形成温度、
およびEL蛍光層の形成温度、EL素子のアニール温度
に耐えうる耐熱温度ないし融点が600℃以上、好まし
くは700℃以上、特に800℃以上の基板を用い、そ
の上に形成される発光層等の機能性薄膜によりEL素子
が形成でき、所定の強度を維持できるものであれば特に
限定されるものではない。具体的には、ガラス基板やア
ルミナ(Al2O3 )、フォルステライト(2MgO・
SiO2 )、ステアタイト(MgO・SiO2)、ムラ
イト(3Al2O3 ・2SiO2 )、ベリリア(Be
O)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化シリコン(S
iN)、炭化シリコン(SiC+BeO)等のセラミッ
ク基板、結晶化ガラスなど耐熱性ガラス基板を挙げるこ
とができる。これらのなかでも特にアルミナ基板、結晶
化ガラスが好ましく、熱伝導性が必要な場合にはベリリ
ア、窒化アルミニウム、炭化シリコン等が好ましい。
およびEL蛍光層の形成温度、EL素子のアニール温度
に耐えうる耐熱温度ないし融点が600℃以上、好まし
くは700℃以上、特に800℃以上の基板を用い、そ
の上に形成される発光層等の機能性薄膜によりEL素子
が形成でき、所定の強度を維持できるものであれば特に
限定されるものではない。具体的には、ガラス基板やア
ルミナ(Al2O3 )、フォルステライト(2MgO・
SiO2 )、ステアタイト(MgO・SiO2)、ムラ
イト(3Al2O3 ・2SiO2 )、ベリリア(Be
O)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化シリコン(S
iN)、炭化シリコン(SiC+BeO)等のセラミッ
ク基板、結晶化ガラスなど耐熱性ガラス基板を挙げるこ
とができる。これらのなかでも特にアルミナ基板、結晶
化ガラスが好ましく、熱伝導性が必要な場合にはベリリ
ア、窒化アルミニウム、炭化シリコン等が好ましい。
【0050】また、このほかに、石英、熱酸化シリコン
ウエハー等、チタン、ステンレス、インコネル、鉄系な
どの金属基板を用いることもできる。金属等の導電性基
板を用いる場合には、基板上に内部に電極を有した厚膜
を形成した構造が好ましい。
ウエハー等、チタン、ステンレス、インコネル、鉄系な
どの金属基板を用いることもできる。金属等の導電性基
板を用いる場合には、基板上に内部に電極を有した厚膜
を形成した構造が好ましい。
【0051】誘電体厚膜材料(第1の絶縁層)として
は、公知の誘電体厚膜材料を用いることができる。さら
に比較的誘電率の大きな材料が好ましい。
は、公知の誘電体厚膜材料を用いることができる。さら
に比較的誘電率の大きな材料が好ましい。
【0052】例えばチタン酸鉛系、ニオブ酸鉛系、チタ
ン酸バリウム系等の材料を用いることができる。
ン酸バリウム系等の材料を用いることができる。
【0053】誘電体厚膜の抵抗率としては、108 Ω・
cm以上、特に1010 〜1018 Ω・cm程度である。また
比較的高い誘電率を有する物質であることが好ましく、
その誘電率εとしては、好ましくはε=100〜100
00程度である。膜厚としては、5〜50μm が好まし
く、10〜30μm が特に好ましい。
cm以上、特に1010 〜1018 Ω・cm程度である。また
比較的高い誘電率を有する物質であることが好ましく、
その誘電率εとしては、好ましくはε=100〜100
00程度である。膜厚としては、5〜50μm が好まし
く、10〜30μm が特に好ましい。
【0054】絶縁層厚膜の形成方法は、特に限定され
ず、10〜50μm 厚の膜が比較的容易に得られる方法
が良いが、ゾルゲル法、印刷焼成法などが好ましい。
ず、10〜50μm 厚の膜が比較的容易に得られる方法
が良いが、ゾルゲル法、印刷焼成法などが好ましい。
【0055】印刷焼成法による場合には、材料の粒度を
適当に揃え、バインダーと混合し、適当な粘度のペース
トとする。このペーストを基板上にスクリーン印刷法に
より形成し、乾燥させる。このグリーンシートを適当な
温度で焼成し、厚膜を得る。
適当に揃え、バインダーと混合し、適当な粘度のペース
トとする。このペーストを基板上にスクリーン印刷法に
より形成し、乾燥させる。このグリーンシートを適当な
温度で焼成し、厚膜を得る。
【0056】薄膜絶縁層(第2の絶縁層)の構成材料と
しては、例えば酸化シリコン(SiO2 )、窒化シリコ
ン(SiN)、酸化タンタル(Ta2O5 )、チタン酸
ストロンチウム(SrTiO3 )、酸化イットリウム
(Y2O3 )、チタン酸バリウム(BaTiO3 )、チ
タン酸鉛(PbTiO3 )、PZT、ジルコニア(Zr
O2 )、シリコンオキシナイトライド(SiON)、ア
ルミナ(Al2O3 )、ニオブ酸鉛、PMN−PT系材
料等およびこれらの多層または混合薄膜を挙げることが
でき、これらの材料で絶縁層を形成する方法としては、
蒸着法、スパッタ法、CVD法、ゾルゲル法、印刷焼成
法など既存の方法を用いればよい。この場合の絶縁層の
膜厚としては、好ましくは50〜1000nm、特に10
0〜500nm程度である。
しては、例えば酸化シリコン(SiO2 )、窒化シリコ
ン(SiN)、酸化タンタル(Ta2O5 )、チタン酸
ストロンチウム(SrTiO3 )、酸化イットリウム
(Y2O3 )、チタン酸バリウム(BaTiO3 )、チ
タン酸鉛(PbTiO3 )、PZT、ジルコニア(Zr
O2 )、シリコンオキシナイトライド(SiON)、ア
ルミナ(Al2O3 )、ニオブ酸鉛、PMN−PT系材
料等およびこれらの多層または混合薄膜を挙げることが
でき、これらの材料で絶縁層を形成する方法としては、
蒸着法、スパッタ法、CVD法、ゾルゲル法、印刷焼成
法など既存の方法を用いればよい。この場合の絶縁層の
膜厚としては、好ましくは50〜1000nm、特に10
0〜500nm程度である。
【0057】電極(下部電極)は、少なくとも基板側ま
たは第1の誘電体内に形成される。厚膜形成時、さらに
発光層と共に熱処理の高温下にさらされる電極層は、主
成分としてパラジウム、ロジウム、イリジウム、レニウ
ム、ルテニウム、白金、タンタル、ニッケル、クロム、
チタン等の1種または2種以上の通常用いられている金
属電極を用いればよい。
たは第1の誘電体内に形成される。厚膜形成時、さらに
発光層と共に熱処理の高温下にさらされる電極層は、主
成分としてパラジウム、ロジウム、イリジウム、レニウ
ム、ルテニウム、白金、タンタル、ニッケル、クロム、
チタン等の1種または2種以上の通常用いられている金
属電極を用いればよい。
【0058】また、上部電極となる他の電極層は、通
常、発光を基板と反対側から取り出すため、所定の発光
波長域で透光性を有する透明な電極が好ましい。透明電
極は、基板が透明であれば、発光光を基板側から取り出
すことが可能なため下部電極に用いてもよい。この場
合、ZnO、ITOなどの透明電極を用いることが特に
好ましい。ITOは、通常In2O3 とSnOとを化学
量論組成で含有するが、O量は多少これから偏倚してい
てもよい。In2O3 に対するSnO2 の混合比は、1
〜20質量%、さらには5〜12質量%が好ましい。ま
た、IZOでのIn 2O3 に対するZnOの混合比は、
通常、12〜32質量%程度である。
常、発光を基板と反対側から取り出すため、所定の発光
波長域で透光性を有する透明な電極が好ましい。透明電
極は、基板が透明であれば、発光光を基板側から取り出
すことが可能なため下部電極に用いてもよい。この場
合、ZnO、ITOなどの透明電極を用いることが特に
好ましい。ITOは、通常In2O3 とSnOとを化学
量論組成で含有するが、O量は多少これから偏倚してい
てもよい。In2O3 に対するSnO2 の混合比は、1
〜20質量%、さらには5〜12質量%が好ましい。ま
た、IZOでのIn 2O3 に対するZnOの混合比は、
通常、12〜32質量%程度である。
【0059】また、電極は、シリコンを有するものでも
良い。このシリコン電極層は、多結晶シリコン(p−S
i)であっても、アモルファス(a−Si)であっても
よく、必要により単結晶シリコンであってもよい。
良い。このシリコン電極層は、多結晶シリコン(p−S
i)であっても、アモルファス(a−Si)であっても
よく、必要により単結晶シリコンであってもよい。
【0060】電極は、主成分のシリコンに加え、導電性
を確保するため不純物をドーピングする。不純物として
用いられるドーパントは、所定の導電性を確保しうるも
のであればよく、シリコン半導体に用いられている通常
のドーパントを用いることができる。具体的には、B、
P、As、Sb、Al等が挙げられ、これらのなかで
も、特にB、P、As、SbおよびAlが好ましい。ド
ーパントの濃度としては0.001〜5at%程度が好ま
しい。
を確保するため不純物をドーピングする。不純物として
用いられるドーパントは、所定の導電性を確保しうるも
のであればよく、シリコン半導体に用いられている通常
のドーパントを用いることができる。具体的には、B、
P、As、Sb、Al等が挙げられ、これらのなかで
も、特にB、P、As、SbおよびAlが好ましい。ド
ーパントの濃度としては0.001〜5at%程度が好ま
しい。
【0061】これらの材料で電極層を形成する方法とし
ては、蒸着法、スパッタ法、CVD法、ゾルゲル法、印
刷焼成法など既存の方法を用いればよいが、特に、基板
上に内部に電極を有した厚膜を形成した構造を作製する
場合、誘電体厚膜と同じ方法が好ましい。
ては、蒸着法、スパッタ法、CVD法、ゾルゲル法、印
刷焼成法など既存の方法を用いればよいが、特に、基板
上に内部に電極を有した厚膜を形成した構造を作製する
場合、誘電体厚膜と同じ方法が好ましい。
【0062】電極層の好ましい抵抗率としては、発光層
に効率よく電界を付与するため、1Ω・cm以下、特に
0.003〜0.1Ω・cmである。電極層の膜厚として
は、形成する材料にもよるが、好ましくは50〜200
0nm、特に100〜1000nm程度である。
に効率よく電界を付与するため、1Ω・cm以下、特に
0.003〜0.1Ω・cmである。電極層の膜厚として
は、形成する材料にもよるが、好ましくは50〜200
0nm、特に100〜1000nm程度である。
【0063】以上、本発明の発光層を無機EL素子に応
用する場合について説明したが、本発明の蛍光体薄膜を
用いることが可能な素子であれば他の形態の素子、赤、
青、緑に発光する素子を用いればディスプレイ用のフル
カラーパネルに応用することができる。
用する場合について説明したが、本発明の蛍光体薄膜を
用いることが可能な素子であれば他の形態の素子、赤、
青、緑に発光する素子を用いればディスプレイ用のフル
カラーパネルに応用することができる。
【0064】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。 〔実施例1〕図1に本発明の製造方法に用いることがで
きる蒸着装置の一例を示す。ここでは、2ポイントコン
トロールガンに代わりEガン2台を用いた。
をさらに詳細に説明する。 〔実施例1〕図1に本発明の製造方法に用いることがで
きる蒸着装置の一例を示す。ここでは、2ポイントコン
トロールガンに代わりEガン2台を用いた。
【0065】Euを5 mol%添加したBaS粉を入れた
EB源15、Al2S3 粉を入れたEB源14を酸素を
導入した真空槽11内に設け、それぞれの源より同時に
蒸発させ、400℃に加熱し、回転させた基板上に薄膜
を成膜した。各々の蒸発源の蒸発速度は、基板上に成膜
される膜の成膜速度で1 nm/sec になるように調節し
た。このとき酸素ガスを20SCCM導入した。薄膜形成後
900℃の真空中で10分間アニールした。
EB源15、Al2S3 粉を入れたEB源14を酸素を
導入した真空槽11内に設け、それぞれの源より同時に
蒸発させ、400℃に加熱し、回転させた基板上に薄膜
を成膜した。各々の蒸発源の蒸発速度は、基板上に成膜
される膜の成膜速度で1 nm/sec になるように調節し
た。このとき酸素ガスを20SCCM導入した。薄膜形成後
900℃の真空中で10分間アニールした。
【0066】Si基板上に形成した、BaxAlyOzSw
:Eu薄膜を蛍光X線分析により組成分析した結果、
原子比でBa:Al:O:S:Eu=7.40:19.
18:70.15:2.90:0.36であった。
:Eu薄膜を蛍光X線分析により組成分析した結果、
原子比でBa:Al:O:S:Eu=7.40:19.
18:70.15:2.90:0.36であった。
【0067】さらに、この発光層を用いた図2の構造の
EL素子を作製した。基板、厚膜絶縁層とも同じ材料で
あるBaTiO3 系の誘電体材料誘電率5000のもの
を用い、下部電極としてPd電極を用いた。作製は、基
板のシートを作製し、この上に下部電極、厚膜絶縁層を
スクリーン印刷してグリーンシートとし、同時に焼成し
た。表面は、研磨し、30μm 厚の厚膜第一絶縁層付き
基板を得た。
EL素子を作製した。基板、厚膜絶縁層とも同じ材料で
あるBaTiO3 系の誘電体材料誘電率5000のもの
を用い、下部電極としてPd電極を用いた。作製は、基
板のシートを作製し、この上に下部電極、厚膜絶縁層を
スクリーン印刷してグリーンシートとし、同時に焼成し
た。表面は、研磨し、30μm 厚の厚膜第一絶縁層付き
基板を得た。
【0068】この上に、上記と同様にして、蛍光体薄膜
(発光層)を300nm形成した。
(発光層)を300nm形成した。
【0069】さらに、第二絶縁層薄膜を蛍光体薄膜上に
形成した。第二絶縁層薄膜には、Ta2O5 を用い、膜
厚200nmのTa2O5 膜を形成した。第二絶縁層薄膜
の上にITO酸化物ターゲットを用いRFマグネトロン
スパッタリング法により、基板温度250℃で、膜厚2
00nmのITO透明電極を形成し、EL素子を完成し
た。
形成した。第二絶縁層薄膜には、Ta2O5 を用い、膜
厚200nmのTa2O5 膜を形成した。第二絶縁層薄膜
の上にITO酸化物ターゲットを用いRFマグネトロン
スパッタリング法により、基板温度250℃で、膜厚2
00nmのITO透明電極を形成し、EL素子を完成し
た。
【0070】得られたEL素子の電極に1kHzのパルス
幅50μSの電界を印加することにより、200cd/m2
の青色発光輝度が再現良く得られた。輝度−電圧特性
を図3に、発光スペクトルを図4に示す。
幅50μSの電界を印加することにより、200cd/m2
の青色発光輝度が再現良く得られた。輝度−電圧特性
を図3に、発光スペクトルを図4に示す。
【0071】<実施例2>実施例1において、希土類金
属として、Euに代えてTb を用いたところ、ほぼ同
様な結果が得られた。この場合緑の発光が得られた。
属として、Euに代えてTb を用いたところ、ほぼ同
様な結果が得られた。この場合緑の発光が得られた。
【0072】<実施例3>実施例1において、希土類金
属として、Euに代えてSmを用いたところ、ほぼ同様
な結果が得られた。この場合赤色の発光が得られた。
属として、Euに代えてSmを用いたところ、ほぼ同様
な結果が得られた。この場合赤色の発光が得られた。
【0073】<実施例4>実施例1において、アルカリ
土類金属として、Baに代えて、あるいはこれと共にM
g、Ca、Srの1種または2種以上をそれぞれ用いた
ところ、ほぼ同様な結果が得られた。
土類金属として、Baに代えて、あるいはこれと共にM
g、Ca、Srの1種または2種以上をそれぞれ用いた
ところ、ほぼ同様な結果が得られた。
【0074】<実施例5>図1の蒸着装置の一例に代え
て、ここでは、1台のEBガンと抵抗加熱セル1台を用
いた。
て、ここでは、1台のEBガンと抵抗加熱セル1台を用
いた。
【0075】Euを5 mol%添加したBaS粉を入れた
EB源15、Al2S3 粉を入れた抵抗加熱源(14)
を真空槽11内に設け、H2Sを導入し、それぞれの源
より同時に蒸発させ、400℃に加熱し、回転させた基
板上に薄膜を成膜した。各々の蒸発源の蒸発速度は、得
られる薄膜で1 nm/sec になるように調節した。この
ときH2Sガスを10SCCM導入した。薄膜形成後750
℃の空気中で10分間アニールしBaxAlyOzSw :
Eu薄膜を得た。
EB源15、Al2S3 粉を入れた抵抗加熱源(14)
を真空槽11内に設け、H2Sを導入し、それぞれの源
より同時に蒸発させ、400℃に加熱し、回転させた基
板上に薄膜を成膜した。各々の蒸発源の蒸発速度は、得
られる薄膜で1 nm/sec になるように調節した。この
ときH2Sガスを10SCCM導入した。薄膜形成後750
℃の空気中で10分間アニールしBaxAlyOzSw :
Eu薄膜を得た。
【0076】同様にSi基板上に形成した、BaxAly
OzSw :Eu薄膜を蛍光X線分析により組成分析した
結果、原子比でBa:Al:O:S:Eu=8.27:
18.09:65.57:7.83:0.24であっ
た。
OzSw :Eu薄膜を蛍光X線分析により組成分析した
結果、原子比でBa:Al:O:S:Eu=8.27:
18.09:65.57:7.83:0.24であっ
た。
【0077】さらに、この発光層を用いた図2の構造の
EL素子を作製した。基板、厚膜絶縁層とも同じ材料で
あるBaTiO3 系の誘電体材料誘電率5000のもの
を用い、下部電極としてPd電極を用いた。作製は、基
板のシートを作製し、この上に下部電極、厚膜絶縁層を
スクリーン印刷してグリーンシートとし、同時に焼成し
た。表面は、研磨し、30μm 厚の厚膜第一絶縁層付き
基板を得た。
EL素子を作製した。基板、厚膜絶縁層とも同じ材料で
あるBaTiO3 系の誘電体材料誘電率5000のもの
を用い、下部電極としてPd電極を用いた。作製は、基
板のシートを作製し、この上に下部電極、厚膜絶縁層を
スクリーン印刷してグリーンシートとし、同時に焼成し
た。表面は、研磨し、30μm 厚の厚膜第一絶縁層付き
基板を得た。
【0078】この上に、上記と同様にして、蛍光体薄膜
(発光層)を300nm形成した。
(発光層)を300nm形成した。
【0079】さらに、第二絶縁層薄膜を蛍光体薄膜上に
形成した。第二絶縁層薄膜には、Ta2O5 を用い、膜
厚200nmのTa2O5 膜を形成した。第二絶縁層薄膜
の上にITO酸化物ターゲットを用いRFマグネトロン
スパッタリング法により、基板温度250℃で、膜厚2
00nmのITO透明電極を形成し、EL素子を完成し
た。
形成した。第二絶縁層薄膜には、Ta2O5 を用い、膜
厚200nmのTa2O5 膜を形成した。第二絶縁層薄膜
の上にITO酸化物ターゲットを用いRFマグネトロン
スパッタリング法により、基板温度250℃で、膜厚2
00nmのITO透明電極を形成し、EL素子を完成し
た。
【0080】得られたEL素子の電極に1kHzのパルス
幅50μSの電界を印加することにより、250cd/m2
の青色発光輝度が再現良く得られた。
幅50μSの電界を印加することにより、250cd/m2
の青色発光輝度が再現良く得られた。
【0081】<実施例6>実施例5において、Al/B
a比の異なる蛍光体薄膜を作成し、実施例5と同様にし
て駆動した。Al/Ba比と青色発光の色度、つまり
x、yとの関係を図5に示す。
a比の異なる蛍光体薄膜を作成し、実施例5と同様にし
て駆動した。Al/Ba比と青色発光の色度、つまり
x、yとの関係を図5に示す。
【0082】図5から明らかなように、Al/Ba比が
3以上の範囲、特に5〜7の範囲で青色の色純度の高い
EL発光が得られていることがわかる。
3以上の範囲、特に5〜7の範囲で青色の色純度の高い
EL発光が得られていることがわかる。
【0083】<実施例7>実施例5において、酸素とイ
オウ量の異なる蛍光体薄膜を作製し、実施例5と同様に
して駆動した。
オウ量の異なる蛍光体薄膜を作製し、実施例5と同様に
して駆動した。
【0084】図6に膜中の酸素−イオウ量と素子の輝度
との関係を示す。図6から明らかなように、S/(O+
S)比が0.7〜0.9の範囲で青色の輝度の高いEL
発光が得られていることがわかる。
との関係を示す。図6から明らかなように、S/(O+
S)比が0.7〜0.9の範囲で青色の輝度の高いEL
発光が得られていることがわかる。
【0085】酸素−イオウ量は、アニール温度、雰囲
気、湿度等の条件を変化させることにより変化し、これ
により種々の蛍光体薄膜が得られる。ここで、各素子の
組成は輝度評価後に素子断面をEDS(エネルギー分散
型X線分析:EDXとも称する)法により分析し、酸
素、S、Al、およびBaの組成を得た。Al/Ba比
は2〜3であった。
気、湿度等の条件を変化させることにより変化し、これ
により種々の蛍光体薄膜が得られる。ここで、各素子の
組成は輝度評価後に素子断面をEDS(エネルギー分散
型X線分析:EDXとも称する)法により分析し、酸
素、S、Al、およびBaの組成を得た。Al/Ba比
は2〜3であった。
【0086】また、S/(S+O)比が本発明範囲であ
る0.779のものと、酸素を殆ど含有しないS/(S
+O)=0.985の素子の輝度劣化について比較し
た。劣化特性の評価にあたり、素子に6kHzの交流電圧
を印加した。S/(S+O)=0.985の素子では、
40時間後の発光輝度が初期輝度の15%以下にまで低
下したのに対し、S/(S+O)=0.779の素子で
は初期輝度の66%と劣化が非常に少なかった。これに
より、酸素とイオウの両方が適当に含まれる素子では、
寿命特性が大幅に改善され、実用レベルの使用が可能で
あることが明らかとなった。
る0.779のものと、酸素を殆ど含有しないS/(S
+O)=0.985の素子の輝度劣化について比較し
た。劣化特性の評価にあたり、素子に6kHzの交流電圧
を印加した。S/(S+O)=0.985の素子では、
40時間後の発光輝度が初期輝度の15%以下にまで低
下したのに対し、S/(S+O)=0.779の素子で
は初期輝度の66%と劣化が非常に少なかった。これに
より、酸素とイオウの両方が適当に含まれる素子では、
寿命特性が大幅に改善され、実用レベルの使用が可能で
あることが明らかとなった。
【0087】以上のように本発明の蛍光体薄膜は、発光
の劣化が少なく、フィルタを用いなくとも色純度の良好
でかつ高輝度に発光する赤、緑、青の蛍光体薄膜材料お
よび、同一の製膜手法や製膜装置を用いて高い輝度を得
ることが可能となる。
の劣化が少なく、フィルタを用いなくとも色純度の良好
でかつ高輝度に発光する赤、緑、青の蛍光体薄膜材料お
よび、同一の製膜手法や製膜装置を用いて高い輝度を得
ることが可能となる。
【0088】また、化学的あるいは物理的な性質が類似
した、蛍光体母体材料や発光中心材料を用いることによ
り、フルカラーELパネルの製造工程を簡略化し、輝度
のバラツキ少なく、歩留まりを上げ、製造コストを低減
することを可能とすることができる。
した、蛍光体母体材料や発光中心材料を用いることによ
り、フルカラーELパネルの製造工程を簡略化し、輝度
のバラツキ少なく、歩留まりを上げ、製造コストを低減
することを可能とすることができる。
【0089】また、このような薄膜を用いたEL素子
は、発光特性に優れ、特に、多色EL素子やフルカラー
EL素子を形成する際、再現良く発光層を製造すること
ができ、実用的価値が大きい。
は、発光特性に優れ、特に、多色EL素子やフルカラー
EL素子を形成する際、再現良く発光層を製造すること
ができ、実用的価値が大きい。
【0090】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、フィルタ
を必要としない、色純度の良好な、特にフルカラーEL
用のRGBに適した蛍光体薄膜、その製造方法、および
ELパネルを提供することができる。
を必要としない、色純度の良好な、特にフルカラーEL
用のRGBに適した蛍光体薄膜、その製造方法、および
ELパネルを提供することができる。
【0091】また、フルカラーELパネルの製造工程を
簡略化し、輝度のバラツキ少なく、歩留まりを上げ、製
造コストを低減することが可能な蛍光体薄膜その製造方
法、ELパネルを提供することができる。
簡略化し、輝度のバラツキ少なく、歩留まりを上げ、製
造コストを低減することが可能な蛍光体薄膜その製造方
法、ELパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法が適用可能な装置、または本発明
の製造装置の構成例を示す概略断面図である。
の製造装置の構成例を示す概略断面図である。
【図2】本発明の方法、装置により製造可能な無機EL
素子の構成例を示す一部断面図である。
素子の構成例を示す一部断面図である。
【図3】実施例1のELパネルの輝度−電圧特性を示し
たグラフである。
たグラフである。
【図4】実施例1のELパネルの発光スペクトルを示し
たグラフである。
たグラフである。
【図5】実施例6におけるAl/Ba比と青色発光の色
度、つまりx、yとの関係を示したグラフである。
度、つまりx、yとの関係を示したグラフである。
【図6】実施例7における酸素−イオウ含有量と青色発
光の輝度との関係を示したグラフである。
光の輝度との関係を示したグラフである。
1 基板 2 第1の絶縁層(誘電体層) 3 蛍光体薄膜(発光層) 4 第2の絶縁層(誘電体層) 5 下部電極 6 上部電極(透明電極) 11 真空槽 12 基板 13 加熱手段 14 K−セル 15 EB蒸発源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/14 H05B 33/14 Z Fターム(参考) 3K007 AB04 AB18 EC00 FA01 FA03 4H001 CA04 CF02 XA08 XA12 XA13 XA16 XA20 XA38 XA56 YA62 YA63 YA65
Claims (11)
- 【請求項1】 母体材料が酸化物であるアルカリ土類ア
ルミネートを主成分とし、この母体材料にイオウを含有
し、 さらに発光中心となる元素を含有する蛍光体薄膜。 - 【請求項2】 下記式で表される請求項1の蛍光薄膜。 AxAlyOzSw :Re [但し、Reは希土類元素を表し、AはMg、Ca、S
r、およびBaから選ばれた少なくとも一つの元素を表
し、x=1〜5、y=1〜15、z=3〜30、w=3
〜30である。] - 【請求項3】 前記含有するイオウ元素と、母体材料の
酸素元素とのモル比率を、S/(S+O)と表したとき
に0.01〜0.5である請求項1または2の蛍光体薄
膜。 - 【請求項4】 1.5≦y/x≦3.0である請求項2
の蛍光体薄膜。 - 【請求項5】 さらに、S/(S+O)=0.7〜0.
9である請求項4の蛍光体薄膜。 - 【請求項6】 下記式で表される蛍光体薄膜。 AxAlyOzSw :Re [但し、Reは希土類元素を表し、AはMg、Ca、S
r、およびBaから選ばれた少なくとも一つの元素を表
し、x=1〜5、y=1〜15、z=3〜30、w=3
〜30、かつ5≦y/x≦7である。] - 【請求項7】 前記発光中心ReはEu、TbおよびS
mのいずれかである請求項1〜6のいずれかの蛍光体薄
膜。 - 【請求項8】 請求項1〜7のいずれかの蛍光体薄膜を
有するELパネル。 - 【請求項9】 母体材料前駆体としてイオウと発光中心
とを含有する硫化物薄膜を形成した後、 酸化雰囲気中でアニール処理を行い酸素を導入して蛍光
体薄膜を得る請求項1〜7のいずれかの蛍光体薄膜の製
造方法。 - 【請求項10】 請求項1の蛍光体薄膜を蒸着法により
形成する製造方法であって、 真空槽内に、少なくとも硫化アルミニウム蒸発源と、発
光中心が添加されたアルカリ土類硫化物蒸発源とを配置
して酸素ガスを導入し、 これらの蒸発源の各々から硫化アルミニウムおよびアル
カリ土類硫化物原料を蒸発させ、基板上に堆積する際に
それぞれの原料物質と酸素ガスを結合させて薄膜を得る
蛍光体薄膜の製造方法。 - 【請求項11】 請求項1の蛍光体薄膜を蒸着法により
形成する製造方法であって、 真空槽内に、少なくとも硫化アルミニウム蒸発源と、発
光中心が添加されたアルカリ土類硫化物蒸発源とを配置
して硫化水素ガスを導入し、 これらの蒸発源の各々から硫化アルミニウムおよびアル
カリ土類硫化物原料を蒸発させ、 基板上に堆積する際にそれぞれの原料物質と硫化水素ガ
スを結合させて硫化物蛍光体薄膜を得、 その後、酸化雰囲気中でアニール処理を行う蛍光体薄膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001348637A JP2002201468A (ja) | 2000-07-07 | 2001-11-14 | 蛍光体薄膜その製造方法、およびelパネル |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-206652 | 2000-07-07 | ||
JP2000206652 | 2000-07-07 | ||
JP2000-303719 | 2000-10-03 | ||
JP2000303719 | 2000-10-03 | ||
JP2001348637A JP2002201468A (ja) | 2000-07-07 | 2001-11-14 | 蛍光体薄膜その製造方法、およびelパネル |
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---|---|---|---|
JP2001142024A Division JP3704057B2 (ja) | 2000-07-07 | 2001-05-11 | 蛍光体薄膜その製造方法、およびelパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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ID=27343983
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JP2001348637A Pending JP2002201468A (ja) | 2000-07-07 | 2001-11-14 | 蛍光体薄膜その製造方法、およびelパネル |
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JP (1) | JP2002201468A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006097876A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprising same |
JP2009509009A (ja) * | 2005-09-23 | 2009-03-05 | ダリアン ルーミングライト サイエンス アンド テクノロジー カンパニー リミテッド | 長残光性発光材料及びこの製造方法 |
-
2001
- 2001-11-14 JP JP2001348637A patent/JP2002201468A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006097876A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprising same |
US7879258B2 (en) | 2005-03-14 | 2011-02-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprising same |
US8496852B2 (en) | 2005-03-14 | 2013-07-30 | Philips Koninklijke N.V. | Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprisng same |
JP2009509009A (ja) * | 2005-09-23 | 2009-03-05 | ダリアン ルーミングライト サイエンス アンド テクノロジー カンパニー リミテッド | 長残光性発光材料及びこの製造方法 |
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