JP2002197924A - Transparent conductive film, its manufacturing method, and touch panel - Google Patents
Transparent conductive film, its manufacturing method, and touch panelInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子フィルム上
に透明導電薄膜が形成された透明導電フィルムであっ
て、透明導電薄膜の密着性が良く耐擦傷性に優れ、タッ
チパネルの上部電極として有用な透明導電フィルム及び
その製造方法と、この透明導電フィルムを備えるタッチ
パネルに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent conductive film in which a transparent conductive thin film is formed on a polymer film. The transparent conductive thin film has good adhesion and excellent scratch resistance, and is useful as an upper electrode of a touch panel. The present invention relates to a transparent conductive film, a method for manufacturing the same, and a touch panel including the transparent conductive film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】指で押したり、専用ペンで描画すると、
その部分が対面電極と接触、通電して信号が入力される
抵抗膜式タッチパネルは、小型、軽量、薄型化に有利で
あることから、各種の家電や携帯端末の入力機器として
広く用いられている。2. Description of the Related Art When pressed with a finger or drawn with a special pen,
The resistive touch panel, in which the part comes in contact with the facing electrode and receives an electric current to input a signal, is advantageous for small size, light weight, and thinness, and is therefore widely used as an input device for various home appliances and portable terminals. .
【０００３】抵抗膜式タッチパネルは、図２に示す如
く、ガラス板１の上に透明導電薄膜２を形成してなる下
部電極３の上に、高分子フィルム４に透明導電薄膜５を
形成してなる上部電極６を、透明導電薄膜２，５が対面
するようにスペーサ（マイクロドットスペーサ）７を介
して積層したものであり、上部電極６の表示面を指やペ
ンで押すと、上部電極６と下部電極３とが接触して通電
し信号が入力される。なお、上部電極６の表面には、高
分子フィルム４の保護のためにハードコート層８が設け
られている。As shown in FIG. 2, a resistive touch panel has a transparent conductive thin film 5 formed on a polymer film 4 on a lower electrode 3 formed by forming a transparent conductive thin film 2 on a glass plate 1. The upper electrode 6 is laminated via a spacer (microdot spacer) 7 so that the transparent conductive thin films 2 and 5 face each other. When the display surface of the upper electrode 6 is pressed with a finger or a pen, the upper electrode 6 And the lower electrode 3 are brought into contact with each other and a signal is inputted. A hard coat layer 8 is provided on the surface of the upper electrode 6 to protect the polymer film 4.
【０００４】このようなタッチパネルでは、上部電極６
上のタッチ面を指やペンで擦るため、その際の耐擦傷性
と、上部電極６が指やペンで擦られたときに下部電極３
と接触し、その後復元する繰り返し変形に対する耐久性
が極めて重要な特性となる。In such a touch panel, the upper electrode 6
Since the upper touch surface is rubbed with a finger or a pen, the scratch resistance at that time and the lower electrode 3 when the upper electrode 6 is rubbed with a finger or a pen.
The durability against repeated deformation that comes in contact with and then recovers is a very important characteristic.
【０００５】従来のタッチパネルでは、上部電極６の耐
擦傷性を向上させるためにタッチ面側にハードコート層
８が設けられているが、繰り返し変形に対する耐久性に
対しての対策は講じられていない。In the conventional touch panel, a hard coat layer 8 is provided on the touch surface side in order to improve the scratch resistance of the upper electrode 6, but no measures are taken against the durability against repeated deformation. .
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、ハードコート
層８が設けられていても耐擦傷性が十分であるとは言え
ず、また、従来のタッチパネルでは、上部電極６の高分
子フィルム４と透明導電薄膜５との密着性が不十分であ
るために、変形を繰り返すことにより、高分子フィルム
４と透明導電薄膜５との間で剥離が生じるようになる。
透明導電薄膜５が剥離した上部電極６では、正確な入力
を行うことができないため、このことがタッチパネルの
信頼性を損ない、損傷、欠陥、耐久性低下の原因となっ
ていた。However, even if the hard coat layer 8 is provided, it cannot be said that the abrasion resistance is sufficient, and in the conventional touch panel, the polymer film 4 of the upper electrode 6 is not transparent. Since the adhesion to the conductive thin film 5 is insufficient, repetition of the deformation causes peeling between the polymer film 4 and the transparent conductive thin film 5.
Since accurate input cannot be performed with the upper electrode 6 from which the transparent conductive thin film 5 has been peeled off, this has impaired the reliability of the touch panel, causing damage, defects, and reduced durability.
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、高分
子フィルム上に透明導電薄膜が形成された透明導電フィ
ルムであって、透明導電薄膜の密着性が良く、耐擦傷性
に優れ、タッチパネルの上部電極として有用な透明導電
フィルム及びその製造方法と、この透明導電フィルムを
備えるタッチパネルを提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned conventional problems and is a transparent conductive film in which a transparent conductive thin film is formed on a polymer film. The transparent conductive thin film has good adhesion, excellent scratch resistance, and a touch panel. It is an object of the present invention to provide a transparent conductive film useful as an upper electrode and a method for producing the same, and a touch panel provided with the transparent conductive film.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電フィル
ムは、高分子フィルム上に透明導電薄膜が形成されてな
る透明導電フィルムにおいて、該透明導電薄膜は、高分
子フィルム上に下地層を介して形成されていることを特
徴とする。Means for Solving the Problems The transparent conductive film of the present invention is a transparent conductive film formed by forming a transparent conductive thin film on a polymer film, wherein the transparent conductive thin film is provided on the polymer film via an underlayer. It is characterized by being formed.
【０００９】高分子フィルムと透明導電薄膜との間に下
地層を介在させることにより、高分子フィルムに対する
透明導電薄膜の密着性を高め、繰り返し変形による透明
導電薄膜の剥離を防止することができる。即ち、高分子
フィルムに下地層を形成することにより、成膜時に高分
子フィルムからガスが発生することを防止して、高分子
フィルムに対して透明導電薄膜を密着性良く形成するこ
とができるようになる。また、下地層が高分子フィルム
と透明導電薄膜との中間層として両者の密着性を高め
る。By interposing an underlayer between the polymer film and the transparent conductive thin film, the adhesion of the transparent conductive thin film to the polymer film can be enhanced, and the peeling of the transparent conductive thin film due to repeated deformation can be prevented. That is, by forming a base layer on the polymer film, it is possible to prevent gas from being generated from the polymer film during film formation and to form the transparent conductive thin film with good adhesion to the polymer film. become. Further, the underlayer acts as an intermediate layer between the polymer film and the transparent conductive thin film to enhance the adhesion between them.
【００１０】更に、下地層を形成することによる透明導
電フィルムの強度向上で耐擦傷性を高めることもでき
る。Further, the scratch resistance can be enhanced by improving the strength of the transparent conductive film by forming the underlayer.
【００１１】下地層としては、特に珪素化合物が、有機
材料よりなる高分子フィルムと無機材料よりなる透明導
電薄膜との中間的特性を有し、密着性の向上効果が高く
好ましい。As the underlayer, a silicon compound is particularly preferable because it has an intermediate property between a polymer film made of an organic material and a transparent conductive thin film made of an inorganic material, and has a high effect of improving adhesion.
【００１２】珪素化合物としては特にＳｉＣｘ（ｘ＝１
×１０−６〜１０）、ＳｉＯｘ（ｘ＝１×１０−６〜
５）、ＳｉＮｘ（ｘ＝１×１０−６〜５）、ＳｉＣｘＯ
ｙ（ｘ＝１×１０−６〜１０、ｙ＝１×１０−６〜
５）、ＳｉＣｘＮｙ（ｘ＝１×１０ −６〜１０、ｙ＝１
×１０−６〜５）、ＳｉＯｘＮｙ（ｘ＝１×１０−６〜
５、ｙ＝１×１０−６〜５）、及びＳｉＣｘＯｙＮ
ｚ（ｘ＝１×１０−６〜１０、ｙ＝１×１０−６〜５、
ｚ＝１×１０−６〜５）よりなる群から選ばれる１種又
は２種以上が好適である。As the silicon compound, in particular, SiCx(X = 1
× 10-6-10), SiOx(X = 1 × 10-6~
5), SiNx(X = 1 × 10-65), SiCxO
y(X = 1 × 10-6-10, y = 1 × 10-6~
5), SiCxNy(X = 1 × 10 -6-10, y = 1
× 10-65), SiOxNy(X = 1 × 10-6~
5, y = 1 × 10-65) and SiCxOyN
z(X = 1 × 10-6-10, y = 1 × 10-6~ 5,
z = 1 × 10-6Or one selected from the group consisting of:
Is preferably two or more.
【００１３】このような下地層の膜厚は１ｎｍ〜５０μ
ｍであることが好ましい。The thickness of such an underlayer is 1 nm to 50 μm.
m is preferable.
【００１４】本発明（請求項５）の透明導電フィルムの
製造方法は、珪素化合物よりなる下地層を有する本発明
の透明導電フィルムを製造する方法であって、前記珪素
化合物或いは珪素化合物を含む液状物を前記高分子フィ
ルム上に塗布することにより前記下地層を形成する工程
を有することを特徴とする。The method for producing a transparent conductive film of the present invention (claim 5) is a method for producing the transparent conductive film of the present invention having an underlayer made of a silicon compound. Forming an underlayer by applying an object onto the polymer film.
【００１５】本発明（請求項６）の本発明の透明導電フ
ィルムの製造方法は、珪素化合物よりなる下地層を有す
る本発明の透明導電フィルムを製造する方法であって、
前記珪素化合物を、真空蒸着、スパッタリング、イオン
プレーティング等の物理蒸着法、又はＣＶＤ等の化学蒸
着法で前記高分子フィルム上に付着させることにより前
記下地層を形成する工程を有することを特徴とする。The method for producing a transparent conductive film according to the present invention (claim 6) is a method for producing the transparent conductive film according to the present invention having an underlayer made of a silicon compound,
A step of forming the underlayer by depositing the silicon compound on the polymer film by a physical vapor deposition method such as vacuum deposition, sputtering, or ion plating, or a chemical vapor deposition method such as CVD. I do.
【００１６】この方法において、スパッタリング法によ
るターゲット材料として、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることが好ましく、特に、タ
ーゲットとして密度２．９ｇ／ｃｍ３以上のＳｉＣター
ゲット、とりわけ、炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤
との混合物を焼結させることにより得られたＳｉＣター
ゲットを用いることが好ましい。In this method, as a target material by sputtering, Si, SiC, SiO, Si
It is preferable to use O 2 or Si 3 N 4 , and in particular, to sinter a SiC target having a density of 2.9 g / cm 3 or more, particularly a mixture of silicon carbide powder and a nonmetallic sintering aid. It is preferable to use the SiC target obtained by the above.
【００１７】本発明のタッチパネルは、このような本発
明の透明導電フィルム、又は、本発明の透明導電フィル
ムの製造方法で製造された透明導電フィルムを備えるこ
とを特徴とする。The touch panel of the present invention is characterized by including the transparent conductive film of the present invention or the transparent conductive film manufactured by the method of manufacturing a transparent conductive film of the present invention.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１９】図１は本発明の透明導電フィルムを上部電
極として用いた本発明のタッチパネルの実施の形態を示
す断面図である。図１において、図２に示す部材と同一
機能を奏する部材には同一符号を付してある。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the touch panel of the present invention using the transparent conductive film of the present invention as an upper electrode. 1, members having the same functions as the members shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.
【００２０】本発明の透明導電フィルムは、高分子フィ
ルム４に下地層９を介して透明導電薄膜５を形成したも
のであり、特にタッチパネルの上部電極６Ａとして有用
なものである。The transparent conductive film of the present invention is obtained by forming a transparent conductive thin film 5 on a polymer film 4 with a base layer 9 interposed therebetween, and is particularly useful as an upper electrode 6A of a touch panel.
【００２１】本発明の透明導電フィルムにおいて、基材
となる高分子フィルムの樹脂材料としては、ポリエステ
ル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭ
ＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリス
チレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチ
ラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合
体、ポリウレタン、セロファン等が挙げられるが、特に
強度面でＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣ、とりわけＰ
ＥＴ、ＴＡＣが好ましい。In the transparent conductive film of the present invention, the resin material of the polymer film serving as the base material is polyester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polymethyl methacrylate (PM
MA), acrylic, polycarbonate (PC), polystyrene, triacetate (TAC), polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyvinyl butyral, metal ion-crosslinked ethylene-methacrylic acid copolymer Coal, polyurethane, cellophane, etc., but PET, PC, PMMA, TAC,
ET and TAC are preferred.
【００２２】このような高分子フィルムの厚さは、透明
導電フィルムの用途等によっても異なるが、タッチパネ
ルの上部電極としての用途には、通常の場合１３μｍ〜
０．５ｍｍ程度とされる。この高分子フィルムの厚さが
１３μｍ未満では、上部電極としての十分な耐久性を得
ることができず、０．５ｍｍを超えると得られるタッチ
パネルの厚肉化を招き、また、上部電極としての柔軟性
も損なわれ、好ましくない。The thickness of such a polymer film varies depending on the use of the transparent conductive film and the like.
It is about 0.5 mm. If the thickness of the polymer film is less than 13 μm, sufficient durability as the upper electrode cannot be obtained, and if it exceeds 0.5 mm, the obtained touch panel becomes thicker, and the flexibility as the upper electrode becomes large. The properties are also impaired, which is not preferred.
【００２３】このような高分子フィルム４の上に形成す
る下地層９としては、珪素化合物よりなるものが好まし
く、具体的な珪素化合物としては、ＳｉＣｘ、Ｓｉ
Ｏｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｙ、ＳｉＯ
ｘＮｙ又はＳｉＣｘＯｙＮｚが挙げられる。なお、下地
層９は、このような珪素化合物の２種以上を含むもので
あっても良く、またこれらの珪素化合物の積層膜であっ
ても良い。The underlayer 9 formed on the polymer film 4 is preferably made of a silicon compound. Specific examples of the silicon compound include SiC x and Si.
O x, SiN x, SiC x O y, SiC x N y, SiO
x N y or SiC x O y N z and the like. The underlayer 9 may include two or more of such silicon compounds, or may be a stacked film of these silicon compounds.
【００２４】下地層９の膜厚は、過度に薄いと下地層９
を形成したことによる高分子フィルムと透明導電薄膜と
の密着性の向上効果及び耐擦傷性の向上効果が十分に得
られないが、この下地層９の膜厚が過度に厚くても、密
着性、耐擦傷性の向上効果に顕著な差異はなく、成膜コ
ストが高くつく上に透明導電フィルムの厚みが厚くなっ
て好ましくない。このため、下地層９の膜厚は０．５ｎ
ｍ〜１００μｍ、特に１ｎｍ〜５０μｍであることが好
ましい。If the thickness of the underlayer 9 is too small,
The effect of improving the adhesion between the polymer film and the transparent conductive thin film and the effect of improving the abrasion resistance due to the formation of the film are not sufficiently obtained. There is no remarkable difference in the effect of improving the scratch resistance, which is not preferable because the film formation cost is high and the thickness of the transparent conductive film is large. Therefore, the thickness of the underlayer 9 is 0.5 n
It is preferably from m to 100 μm, particularly preferably from 1 nm to 50 μm.
【００２５】下地層９上に形成する透明導電薄膜５とし
ては、ＩＴＯ（スズインジウム酸化物）、ＡＴＯ（スズ
アンチモン酸化物）、ＺｎＯ、ＡｌをドープしたＺｎ
Ｏ、ＳｎＯ２等の酸化物系透明導電薄膜が好ましい。こ
の透明導電薄膜５の膜厚が薄過ぎると十分な導電性を得
ることができず、過度に厚くても導電性には差異はな
く、成膜コストが高くつく上に透明導電フィルムの厚み
が厚くなって好ましくない。このため、透明導電薄膜５
の膜厚は１〜５００ｎｍ、特に５〜１００ｎｍであるこ
とが好ましい。The transparent conductive thin film 5 formed on the underlayer 9 is made of ITO (tin indium oxide), ATO (tin antimony oxide), ZnO, or Zn doped with Al.
Oxide-based transparent conductive thin films such as O and SnO 2 are preferable. If the thickness of the transparent conductive thin film 5 is too small, sufficient conductivity cannot be obtained. Even if the thickness is excessively large, there is no difference in conductivity. It is not preferable because it is too thick. Therefore, the transparent conductive thin film 5
Is preferably 1 to 500 nm, particularly preferably 5 to 100 nm.
【００２６】なお、本発明の透明導電フィルムは、高分
子フィルム４の透明導電薄膜５を成膜する面とは反対側
の面にハードコート層８を形成しても良い。このハード
コート層８としては、アクリル層、エポキシ層、ウレタ
ン層、シリコン層等が挙げられ、通常その厚さは１〜５
０μｍ程度である。In the transparent conductive film of the present invention, a hard coat layer 8 may be formed on the surface of the polymer film 4 opposite to the surface on which the transparent conductive thin film 5 is formed. Examples of the hard coat layer 8 include an acrylic layer, an epoxy layer, a urethane layer, a silicon layer, and the like.
It is about 0 μm.
【００２７】このような本発明の透明導電フィルムは、
珪素化合物をそのまま、或いは、アルコール、ケトン、
トルエン、ヘキサン等の溶剤に溶解した溶液等の液状物
として高分子フィルムに塗布して乾燥させることにより
形成することもできるが、好ましくは、真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング等の物理蒸着法、又
はＣＶＤ等の化学蒸着法、特に好ましくはスパッタリン
グ法で成膜するのが、得られる下地層の緻密性、高分子
フィルムに対する接着性に優れ、成膜時のコンタミが少
なく、また高速での成膜が可能でその後の透明導電薄膜
の成膜を同一の装置内で連続的に行うことができ、成膜
効率にも優れる点で望ましい。Such a transparent conductive film of the present invention comprises:
Silicon compound as it is, or alcohol, ketone,
Toluene, it can be formed by applying a polymer film as a liquid material such as a solution dissolved in a solvent such as hexane and drying, preferably, vacuum evaporation, sputtering, physical vapor deposition methods such as ion plating, Alternatively, the film is formed by a chemical vapor deposition method such as CVD, particularly preferably a sputtering method, because the obtained underlayer has excellent denseness, excellent adhesion to a polymer film, low contamination during film formation, and high-speed formation. This is desirable in that a film can be formed and the subsequent formation of a transparent conductive thin film can be performed continuously in the same apparatus, and the film formation efficiency is excellent.
【００２８】スパッタリング法によりＳｉＣｘ、ＳｉＯ
ｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｙ、ＳｉＯｘ
Ｎｙ又はＳｉＣｘＯｙＮｚよりなる下地層を形成する場
合、ターゲット材料としては、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、
ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることができ、それぞれ
反応性ガスの種類、流量を調整することにより、所望の
組成の下地層を形成することができる。SiC x , SiO by sputtering
x , SiN x , SiC x O y , SiC x N y , SiO x
When forming the N y or SiC x O y N base layer made of z, as the target material, Si, SiC, SiO,
SiO 2 or Si 3 N 4 can be used, and an underlayer having a desired composition can be formed by adjusting the type and flow rate of the reactive gas.
【００２９】特にターゲットとしては、ＳｉＣ粉末をコ
ールタールピッチ、フェノール樹脂、フラン樹脂、エポ
キシ樹脂、グルコース、蔗糖、セルロース、デンプン等
の非金属系焼結助剤で焼結して得られる、密度２．９ｇ
／ｃｍ３以上のＳｉＣターゲットが好ましい。即ち、成
膜速度を向上するために、スパッタリング成膜時に高入
力化すると、グロー放電がアーク放電となり、高分子フ
ィルムの傷付きの原因となるが、このような高密度かつ
均一なＳｉＣターゲットであれば、スパッタリング成膜
時に高入力で安定放電を行うことができ、成膜速度を高
めることができる。Particularly, as a target, a density 2 obtained by sintering SiC powder with a nonmetallic sintering aid such as coal tar pitch, phenol resin, furan resin, epoxy resin, glucose, sucrose, cellulose, starch, etc. .9g
/ Cm 3 or more is preferable. In other words, if the input power is increased during the sputtering deposition to improve the deposition rate, the glow discharge becomes an arc discharge and causes damage to the polymer film. However, with such a high-density and uniform SiC target, If it is, a stable discharge can be performed at a high input during the sputtering film formation, and the film formation speed can be increased.
【００３０】このようなＳｉＣターゲットは、ＳｉＣ粉
末に上述の非金属系焼結助剤を３〜３０重量％程度均一
に混合し、混合物を１７００〜２２００℃程度で焼結さ
せることにより製造することができる。このようなＳｉ
Ｃターゲットの密度は通常２．９ｇ／ｃｍ３以上であ
る。Such an SiC target is manufactured by uniformly mixing the above-mentioned nonmetallic sintering aid with SiC powder at about 3 to 30% by weight and sintering the mixture at about 1700 to 2200 ° C. Can be. Such Si
The density of the C target is usually 2.9 g / cm 3 or more.
【００３１】なお、下地層成膜時のスパッタリング条件
には特に制限はなく、真空度０．０５〜１Ｐａ、投入電
力密度２〜５００ｋＷ／ｍ２程度で実施することがで
き、このスパッタリング成膜時の反応性ガス流量及び成
膜時間を調整することにより、所望の組成、所望の膜厚
の下地層を形成することができる。The sputtering conditions for forming the underlayer are not particularly limited, and the sputtering can be performed at a degree of vacuum of 0.05 to 1 Pa and an input power density of about 2 to 500 kW / m 2. By adjusting the reactive gas flow rate and the film formation time, a base layer having a desired composition and a desired film thickness can be formed.
【００３２】この下地層上の透明導電薄膜は、常法に従
って成膜することができるが、一般的には、下地層をス
パッタリング法で成膜した場合には、透明導電薄膜は、
ターゲットのみを変えて、同一のスパッタリング装置内
で下地層の成膜後連続的にスパッタリング成膜すること
が好適である。The transparent conductive thin film on the underlayer can be formed by a conventional method. Generally, when the underlayer is formed by a sputtering method, the transparent conductive thin film is
It is preferable that the sputtering film is continuously formed after forming the base layer in the same sputtering apparatus by changing only the target.
【００３３】なお、本発明の透明導電フィルムにおいて
は、高分子フィルム４に下地層９を成膜するに先立ち、
その表面に常法に従ってプラズマ処理を施しても良く、
プラズマ処理を施すことにより、高分子フィルムの表面
に官能基を付与して高分子フィルム４と下地層９との接
着性を高めると共に、表面のエッチングによるアンカー
効果で高分子フィルム４に対する下地層９の接着強度を
高め、より一層剥離防止効果を高めることができる。In the transparent conductive film of the present invention, prior to forming the underlayer 9 on the polymer film 4,
The surface may be subjected to plasma treatment according to a conventional method,
By performing the plasma treatment, a functional group is imparted to the surface of the polymer film to enhance the adhesiveness between the polymer film 4 and the underlayer 9, and the anchoring effect of the surface etching causes the underlayer 9 to adhere to the polymer film 4. Can be enhanced, and the effect of preventing peeling can be further enhanced.
【００３４】本発明のタッチパネルは、図１に示す如
く、このような透明導電フィルムを上部電極として備え
るものであり、高分子フィルム４と透明導電薄膜５との
密着性が高く、また、耐擦傷性が良好であるため、耐久
性、信頼性に優れる。As shown in FIG. 1, the touch panel of the present invention is provided with such a transparent conductive film as an upper electrode, has high adhesion between the polymer film 4 and the transparent conductive thin film 5, and has a high scratch resistance. Excellent in durability and excellent in durability and reliability.
【００３５】なお、本発明の透明導電フィルムは、タッ
チパネルの上部電極としての用途の他、透明スイッチン
グデバイス、その他の各種の光学系透明導電フィルム用
途に有効に使用することができる。The transparent conductive film of the present invention can be effectively used not only as an upper electrode of a touch panel, but also as a transparent switching device and various other optical transparent conductive film applications.
【００３６】[0036]
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。The present invention will be described more specifically below with reference to examples and comparative examples.
【００３７】実施例１，２ 基材として厚み１８８μｍのＰＥＴフィルムを用い、ま
ず片面に湿式塗工によりＪＳＲ製アクリル系光硬化型ハ
ードコート剤（Ｚ７５０１：固形分濃度３５重量％、溶
剤ＭＥＫ）を用いて厚み５μｍのハードコート層を形成
した。このフィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍにカット
し、ハードコート層形成面の反対側の面に減圧下でプラ
ズマ処理を施した。プラズマ処理は、アルゴンガス１０
０ｍＬ／ｍｉｎを流しながら真空度を１３．３Ｐａにし
た後、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）で１００Ｗにて
１０分間行った。Examples 1 and 2 A PET film having a thickness of 188 μm was used as a substrate, and an acrylic photocurable hard coat agent (Z7501: solid content concentration 35% by weight, solvent MEK) manufactured by JSR was first coated on one side by wet coating. To form a hard coat layer having a thickness of 5 μm. This film was cut into 100 mm × 100 mm, and the surface opposite to the surface on which the hard coat layer was formed was subjected to a plasma treatment under reduced pressure. Plasma treatment is performed using argon gas 10
After the pressure was reduced to 13.3 Pa while flowing 0 mL / min, the reaction was performed at 100 W for 10 minutes with a high-frequency power supply (13.56 MHz).
【００３８】次に、マグネトロンスパッタリング装置
で、ターゲットとして純度９９．９９％、１００ｍｍ×
４００ｍｍ×５ｍｍ厚のシリコンターゲットを用い、下
記成膜条件で膜厚１０ｎｍの珪素化合物薄膜の下地層を
成膜した。次いでその上に同じマグネトロンスパッタリ
ング装置で、ターゲットとして酸化錫１０重量％、純度
９９．９９％、１００ｍｍ×４００ｍｍ×５ｍｍ厚のＩ
ＴＯターゲットを用い、透明導電薄膜としてＩＴＯ薄膜
を２０ｎｍの厚さに成膜することによりタッチパネル用
透明導電フィルムを作製した。 ＜珪素化合物薄膜成膜条件＞ アルゴンガス流量：表１の通り 反応性ガス流量：表１の通り 真空度：０．５Ｐａ ＤＣ投入電力：２ｋＷ 成膜時間：表１の通り 基材回転速度：１０ｒｐｍ ＜ＩＴＯ薄膜成膜条件＞ アルゴンガス流量：５０ｃｃ／ｍｉｎ 酸素ガス流量：３ｃｃ／ｍｉｎ 真空度：０．５Ｐａ ＤＣ投入電力：２ｋＷ 成膜時間：６０秒 基材回転速度：１０ｒｐｍNext, in a magnetron sputtering apparatus, a target having a purity of 99.99%, 100 mm ×
Using a silicon target of 400 mm × 5 mm thickness, a 10 nm-thick silicon compound thin film underlayer was formed under the following film forming conditions. Then, on the same magnetron sputtering device, as a target, tin oxide 10% by weight, purity 99.99%, 100 mm × 400 mm × 5 mm thick I
Using a TO target, an ITO thin film was formed as a transparent conductive thin film to a thickness of 20 nm to prepare a transparent conductive film for a touch panel. <Silicon compound thin film deposition conditions> Argon gas flow rate: as shown in Table 1 Reactive gas flow rate: as shown in Table 1 Degree of vacuum: 0.5 Pa DC input power: 2 kW Film formation time: as shown in Table 1 Substrate rotation speed: 10 rpm <ITO thin film deposition conditions> Argon gas flow rate: 50 cc / min Oxygen gas flow rate: 3 cc / min Vacuum degree: 0.5 Pa DC input power: 2 kW Film formation time: 60 seconds Substrate rotation speed: 10 rpm
【００３９】得られたフィルムについて、下記方法で摺
動筆記による耐久試験を行い、結果を表１に示した。 ＜耐久試験＞２５０ｇの荷重を乗せた入力用ペンで、１
０万回の摺動試験を行った後、フィルムの電気特性を測
定し、試験前に対する電気抵抗値の変化率が５０％未満
の場合をＯＫレベルとし、５０％以上変化した場合をＮ
Ｇとした。The obtained film was subjected to a durability test by sliding writing according to the following method, and the results are shown in Table 1. <Endurance test> With an input pen loaded with a load of 250 g, 1
After the sliding test was performed 100,000 times, the electrical characteristics of the film were measured. When the rate of change in the electrical resistance value before the test was less than 50%, it was regarded as the OK level.
G.
【００４０】比較例１ 下地層を成膜しなかったこと以外は実施例１と同様にし
て透明導電フィルムを作製し、同様に耐久試験を行っ
て、結果を表１に示した。Comparative Example 1 A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the underlayer was not formed, and a durability test was performed in the same manner. The results are shown in Table 1.
【００４１】[0041]
【表１】 [Table 1]
【００４２】実施例３〜７ 下地層として、マグネトロンスパッタリング装置で、タ
ーゲットとしてＳｉＣターゲットを用い、下記成膜条件
にて膜厚１０ｎｍの珪素化合物薄膜の下地層を成膜した
こと以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用透明導
電フィルムを作製し、同様に試験を行って、結果を表２
に示した。Examples 3 to 7 Example 1 was repeated except that an underlayer of a silicon compound thin film having a thickness of 10 nm was formed as an underlayer using a magnetron sputtering apparatus and a SiC target as a target under the following film formation conditions. A transparent conductive film for a touch panel was prepared in the same manner as described above, and a test was conducted in the same manner.
It was shown to.
【００４３】なお、用いたＳｉＣターゲットは、ＳｉＣ
粉末に焼結助剤として２０重量％のフェノール樹脂を均
一に混合したものを２１００℃で焼結して得られた密度
２．９２ｇ／ｃｍ３のものである。 ＜珪素化合物薄膜成膜条件＞ アルゴンガス流量：表２の通り 反応性ガス流量：表２の通り 真空度：０．５Ｐａ ＤＣ投入電力：２ｋＷ 成膜時間：表２の通り 基材回転速度：１０ｒｐｍThe SiC target used was SiC
A powder obtained by uniformly mixing 20% by weight of a phenol resin as a sintering aid with a powder at 2100 ° C. and having a density of 2.92 g / cm 3 . <Silicon compound thin film deposition conditions> Argon gas flow rate: as shown in Table 2 Reactive gas flow rate: as shown in Table 2 Degree of vacuum: 0.5 Pa DC input power: 2 kW Film formation time: as shown in Table 2 Substrate rotation speed: 10 rpm
【００４４】[0044]
【表２】 [Table 2]
【００４５】表１，２より、本発明によれば、高分子フ
ィルムと透明導電薄膜との密着性が良く、耐擦傷性、耐
久性に優れた透明導電フィルムが提供されることがわか
る。Tables 1 and 2 show that the present invention provides a transparent conductive film having good adhesion between the polymer film and the transparent conductive thin film, and having excellent scratch resistance and durability.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、高
分子フィルムと透明導電薄膜との密着性に優れ、耐擦傷
性、繰り返し変形に対する耐久性に優れた透明導電フィ
ルムが提供され、このような透明導電フィルムを用いて
高耐久性で信頼性に優れたタッチパネルが提供される。As described in detail above, according to the present invention, there is provided a transparent conductive film having excellent adhesion between a polymer film and a transparent conductive thin film, excellent scratch resistance, and excellent durability against repeated deformation. A touch panel having high durability and excellent reliability is provided by using such a transparent conductive film.
【図１】本発明の透明導電フィルムを備えるタッチパネ
ルの実施の形態を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of a touch panel including a transparent conductive film of the present invention.
【図２】従来のタッチパネルを示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conventional touch panel.
【符号の説明】 １ ガラス板 ２ 透明導電薄膜 ３ 下部電極 ４ 高分子フィルム ５ 透明導電薄膜 ６，６Ａ 上部電極 ７ スペーサ ８ ハードコート層 ９ 下地層[Description of Signs] 1 Glass plate 2 Transparent conductive thin film 3 Lower electrode 4 Polymer film 5 Transparent conductive thin film 6, 6A Upper electrode 7 Spacer 8 Hard coat layer 9 Underlayer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ Ｆターム(参考） 4F100 AA12C AA16C AA20C AA28 AA33 AD05C AD08C AK01A AK25 AK42 AT00A BA03 BA07 BA10A BA10B CC00 EH462 EH662 EJ482 EJ512 EJ61 GB41 JA13C JA20C JG01B JK06 JK14 JL00 JM02B JM02C JN01B YY00C 4K029 AA11 AA25 BA46 BA50 BA52 BB02 BC02 BD00 CA01 CA03 CA05 DC03 DC05 EA01 5B087 AA04 CC11 5G307 FA02 FB01 FC01 FC05 5G323 BA01 BA02 BA05 BB01 BB03 BB04 BB05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) H01B 13/00 503 H01B 13/00 503B F term (Reference) 4F100 AA12C AA16C AA20C AA28 AA33 AD05C AD08C AK01A AK25 AK42 AT00A BA03 BA07 BA10A BA10B CC00 EH462 EH662 EJ482 EJ512 EJ61 GB41 JA13C JA20C JG01B JK06 JK14 JL00 JM02B JM02C JN01B YY00C 4K029 AA11 AA25 BA46 BA50 BA52 BB02 BC02 BD00 CA01 BA03 FC01 5 BB04 BB05
Claims (11)
されてなる透明導電フィルムにおいて、該透明導電薄膜
は、高分子フィルム上に下地層を介して形成されている
ことを特徴とする透明導電フィルム。1. A transparent conductive film having a transparent conductive thin film formed on a polymer film, wherein the transparent conductive thin film is formed on the polymer film via an underlayer. the film.
物よりなることを特徴とする透明導電フィルム。2. The transparent conductive film according to claim 1, wherein said underlayer is made of a silicon compound.
Ｃｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮ
ｙ、ＳｉＯｘＮｙ又はＳｉＣｘＯｙＮｚであることを特
徴とする透明導電フィルム。3. The method according to claim 2, wherein the silicon compound is Si.
C x, SiO x, SiN x , SiC x O y, SiC x N
y, a transparent conductive film, which is a SiO x N y or SiC x O y N z.
て、該下地層の膜厚が１ｎｍ〜５０μｍであることを特
徴とする透明導電フィルム。4. The transparent conductive film according to claim 1, wherein said underlayer has a thickness of 1 nm to 50 μm.
の透明導電フィルムを製造する方法であって、前記珪素
化合物或いは珪素化合物を含む液状物を前記高分子フィ
ルム上に塗布することにより前記下地層を形成する工程
を有することを特徴とする透明導電フィルムの製造方
法。5. The method for producing a transparent conductive film according to claim 2, wherein the silicon compound or a liquid containing the silicon compound is applied on the polymer film. A method for producing a transparent conductive film, comprising a step of forming the underlayer.
の透明導電フィルムを製造する方法であって、前記珪素
化合物を、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーテ
ィング等の物理蒸着法、又はＣＶＤ等の化学蒸着法で前
記高分子フィルム上に付着させることにより前記下地層
を形成する工程を有することを特徴とする透明導電フィ
ルムの製造方法。6. The method for producing a transparent conductive film according to claim 2, wherein the silicon compound is formed by physical vapor deposition such as vacuum vapor deposition, sputtering, or ion plating, or CVD. A process for forming the underlayer by attaching the undercoat layer to the polymer film by a chemical vapor deposition method.
よるターゲット材料として、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることを特徴とする透明導
電フィルムの製造方法。7. The method according to claim 6, wherein the target material formed by sputtering is Si, SiC, SiO, S
A method for producing a transparent conductive film, comprising using iO 2 or Si 3 N 4 .
度２．９ｇ／ｃｍ３以上のＳｉＣターゲットを用いるこ
とを特徴とする透明導電フィルムの製造方法。8. The method according to claim 7, wherein a SiC target having a density of 2.9 g / cm 3 or more is used as the target.
して、炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を
焼結させることにより得られたＳｉＣターゲットを用い
ることを特徴とする透明導電フィルムの製造方法。9. The transparent conductive film according to claim 7, wherein a SiC target obtained by sintering a mixture of silicon carbide powder and a nonmetallic sintering aid is used as the target. Manufacturing method.
載の透明導電フィルムを備えることを特徴とするタッチ
パネル。10. A touch panel comprising the transparent conductive film according to claim 1. Description:
載の透明導電フィルムの製造方法で製造された透明導電
フィルムを備えることを特徴とするタッチパネル。11. A touch panel comprising a transparent conductive film manufactured by the method for manufacturing a transparent conductive film according to claim 5. Description:
Priority Applications (6)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7432913B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-10-07 | Fujitsu Component Limited | Touch panel, film therefor, and protection sheet therefor that can extend the life cycle of the touch panel |
| WO2012157524A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | ジオマテック株式会社 | Substrate having transparent conductive film and dye-sensitized solar cell |
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| JPH09508178A (en) * | 1994-01-21 | 1997-08-19 | ザ カーボランダム カンパニー | Silicon carbide sputtering target |
-
2000
- 2000-12-26 JP JP2000395426A patent/JP2002197924A/en active Pending
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