JP2002197924A - 透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネル - Google Patents
透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネルInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高分子フィルム上に透明導電薄膜が形成され
た透明導電フィルムであって、透明導電薄膜の密着性が
良く、耐擦傷性に優れ、タッチパネルの上部電極として
有用な透明導電フィルム及びその製造方法と、この透明
導電フィルムを備えるタッチパネルを提供する。 【解決手段】 高分子フィルム４上に透明導電薄膜５が
形成されてなる透明導電フィルム。透明導電薄膜５は、
高分子フィルム４上に下地層９を介して形成されてい
る。この下地層９は、ＳｉＣターゲットによるスパッタ
リング等で形成される。この透明導電フィルムを上部電
極６Ａとして備えるタッチパネル。
た透明導電フィルムであって、透明導電薄膜の密着性が
良く、耐擦傷性に優れ、タッチパネルの上部電極として
有用な透明導電フィルム及びその製造方法と、この透明
導電フィルムを備えるタッチパネルを提供する。 【解決手段】 高分子フィルム４上に透明導電薄膜５が
形成されてなる透明導電フィルム。透明導電薄膜５は、
高分子フィルム４上に下地層９を介して形成されてい
る。この下地層９は、ＳｉＣターゲットによるスパッタ
リング等で形成される。この透明導電フィルムを上部電
極６Ａとして備えるタッチパネル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子フィルム上
に透明導電薄膜が形成された透明導電フィルムであっ
て、透明導電薄膜の密着性が良く耐擦傷性に優れ、タッ
チパネルの上部電極として有用な透明導電フィルム及び
その製造方法と、この透明導電フィルムを備えるタッチ
パネルに関する。
に透明導電薄膜が形成された透明導電フィルムであっ
て、透明導電薄膜の密着性が良く耐擦傷性に優れ、タッ
チパネルの上部電極として有用な透明導電フィルム及び
その製造方法と、この透明導電フィルムを備えるタッチ
パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】指で押したり、専用ペンで描画すると、
その部分が対面電極と接触、通電して信号が入力される
抵抗膜式タッチパネルは、小型、軽量、薄型化に有利で
あることから、各種の家電や携帯端末の入力機器として
広く用いられている。
その部分が対面電極と接触、通電して信号が入力される
抵抗膜式タッチパネルは、小型、軽量、薄型化に有利で
あることから、各種の家電や携帯端末の入力機器として
広く用いられている。
【０００３】抵抗膜式タッチパネルは、図２に示す如
く、ガラス板１の上に透明導電薄膜２を形成してなる下
部電極３の上に、高分子フィルム４に透明導電薄膜５を
形成してなる上部電極６を、透明導電薄膜２，５が対面
するようにスペーサ（マイクロドットスペーサ）７を介
して積層したものであり、上部電極６の表示面を指やペ
ンで押すと、上部電極６と下部電極３とが接触して通電
し信号が入力される。なお、上部電極６の表面には、高
分子フィルム４の保護のためにハードコート層８が設け
られている。
く、ガラス板１の上に透明導電薄膜２を形成してなる下
部電極３の上に、高分子フィルム４に透明導電薄膜５を
形成してなる上部電極６を、透明導電薄膜２，５が対面
するようにスペーサ（マイクロドットスペーサ）７を介
して積層したものであり、上部電極６の表示面を指やペ
ンで押すと、上部電極６と下部電極３とが接触して通電
し信号が入力される。なお、上部電極６の表面には、高
分子フィルム４の保護のためにハードコート層８が設け
られている。
【０００４】このようなタッチパネルでは、上部電極６
上のタッチ面を指やペンで擦るため、その際の耐擦傷性
と、上部電極６が指やペンで擦られたときに下部電極３
と接触し、その後復元する繰り返し変形に対する耐久性
が極めて重要な特性となる。
上のタッチ面を指やペンで擦るため、その際の耐擦傷性
と、上部電極６が指やペンで擦られたときに下部電極３
と接触し、その後復元する繰り返し変形に対する耐久性
が極めて重要な特性となる。
【０００５】従来のタッチパネルでは、上部電極６の耐
擦傷性を向上させるためにタッチ面側にハードコート層
８が設けられているが、繰り返し変形に対する耐久性に
対しての対策は講じられていない。
擦傷性を向上させるためにタッチ面側にハードコート層
８が設けられているが、繰り返し変形に対する耐久性に
対しての対策は講じられていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ハードコート
層８が設けられていても耐擦傷性が十分であるとは言え
ず、また、従来のタッチパネルでは、上部電極６の高分
子フィルム４と透明導電薄膜５との密着性が不十分であ
るために、変形を繰り返すことにより、高分子フィルム
４と透明導電薄膜５との間で剥離が生じるようになる。
透明導電薄膜５が剥離した上部電極６では、正確な入力
を行うことができないため、このことがタッチパネルの
信頼性を損ない、損傷、欠陥、耐久性低下の原因となっ
ていた。
層８が設けられていても耐擦傷性が十分であるとは言え
ず、また、従来のタッチパネルでは、上部電極６の高分
子フィルム４と透明導電薄膜５との密着性が不十分であ
るために、変形を繰り返すことにより、高分子フィルム
４と透明導電薄膜５との間で剥離が生じるようになる。
透明導電薄膜５が剥離した上部電極６では、正確な入力
を行うことができないため、このことがタッチパネルの
信頼性を損ない、損傷、欠陥、耐久性低下の原因となっ
ていた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、高分
子フィルム上に透明導電薄膜が形成された透明導電フィ
ルムであって、透明導電薄膜の密着性が良く、耐擦傷性
に優れ、タッチパネルの上部電極として有用な透明導電
フィルム及びその製造方法と、この透明導電フィルムを
備えるタッチパネルを提供することを目的とする。
子フィルム上に透明導電薄膜が形成された透明導電フィ
ルムであって、透明導電薄膜の密着性が良く、耐擦傷性
に優れ、タッチパネルの上部電極として有用な透明導電
フィルム及びその製造方法と、この透明導電フィルムを
備えるタッチパネルを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電フィル
ムは、高分子フィルム上に透明導電薄膜が形成されてな
る透明導電フィルムにおいて、該透明導電薄膜は、高分
子フィルム上に下地層を介して形成されていることを特
徴とする。
ムは、高分子フィルム上に透明導電薄膜が形成されてな
る透明導電フィルムにおいて、該透明導電薄膜は、高分
子フィルム上に下地層を介して形成されていることを特
徴とする。
【０００９】高分子フィルムと透明導電薄膜との間に下
地層を介在させることにより、高分子フィルムに対する
透明導電薄膜の密着性を高め、繰り返し変形による透明
導電薄膜の剥離を防止することができる。即ち、高分子
フィルムに下地層を形成することにより、成膜時に高分
子フィルムからガスが発生することを防止して、高分子
フィルムに対して透明導電薄膜を密着性良く形成するこ
とができるようになる。また、下地層が高分子フィルム
と透明導電薄膜との中間層として両者の密着性を高め
る。
地層を介在させることにより、高分子フィルムに対する
透明導電薄膜の密着性を高め、繰り返し変形による透明
導電薄膜の剥離を防止することができる。即ち、高分子
フィルムに下地層を形成することにより、成膜時に高分
子フィルムからガスが発生することを防止して、高分子
フィルムに対して透明導電薄膜を密着性良く形成するこ
とができるようになる。また、下地層が高分子フィルム
と透明導電薄膜との中間層として両者の密着性を高め
る。
【００１０】更に、下地層を形成することによる透明導
電フィルムの強度向上で耐擦傷性を高めることもでき
る。
電フィルムの強度向上で耐擦傷性を高めることもでき
る。
【００１１】下地層としては、特に珪素化合物が、有機
材料よりなる高分子フィルムと無機材料よりなる透明導
電薄膜との中間的特性を有し、密着性の向上効果が高く
好ましい。
材料よりなる高分子フィルムと無機材料よりなる透明導
電薄膜との中間的特性を有し、密着性の向上効果が高く
好ましい。
【００１２】珪素化合物としては特にＳｉＣｘ（ｘ＝１
×１０−６〜１０）、ＳｉＯｘ（ｘ＝１×１０−６〜
５）、ＳｉＮｘ（ｘ＝１×１０−６〜５）、ＳｉＣｘＯ
ｙ（ｘ＝１×１０−６〜１０、ｙ＝１×１０−６〜
５）、ＳｉＣｘＮｙ（ｘ＝１×１０ −６〜１０、ｙ＝１
×１０−６〜５）、ＳｉＯｘＮｙ（ｘ＝１×１０−６〜
５、ｙ＝１×１０−６〜５）、及びＳｉＣｘＯｙＮ
ｚ（ｘ＝１×１０−６〜１０、ｙ＝１×１０−６〜５、
ｚ＝１×１０−６〜５）よりなる群から選ばれる１種又
は２種以上が好適である。
×１０−６〜１０）、ＳｉＯｘ（ｘ＝１×１０−６〜
５）、ＳｉＮｘ（ｘ＝１×１０−６〜５）、ＳｉＣｘＯ
ｙ（ｘ＝１×１０−６〜１０、ｙ＝１×１０−６〜
５）、ＳｉＣｘＮｙ（ｘ＝１×１０ −６〜１０、ｙ＝１
×１０−６〜５）、ＳｉＯｘＮｙ（ｘ＝１×１０−６〜
５、ｙ＝１×１０−６〜５）、及びＳｉＣｘＯｙＮ
ｚ（ｘ＝１×１０−６〜１０、ｙ＝１×１０−６〜５、
ｚ＝１×１０−６〜５）よりなる群から選ばれる１種又
は２種以上が好適である。
【００１３】このような下地層の膜厚は１ｎｍ〜５０μ
ｍであることが好ましい。
ｍであることが好ましい。
【００１４】本発明（請求項５）の透明導電フィルムの
製造方法は、珪素化合物よりなる下地層を有する本発明
の透明導電フィルムを製造する方法であって、前記珪素
化合物或いは珪素化合物を含む液状物を前記高分子フィ
ルム上に塗布することにより前記下地層を形成する工程
を有することを特徴とする。
製造方法は、珪素化合物よりなる下地層を有する本発明
の透明導電フィルムを製造する方法であって、前記珪素
化合物或いは珪素化合物を含む液状物を前記高分子フィ
ルム上に塗布することにより前記下地層を形成する工程
を有することを特徴とする。
【００１５】本発明（請求項６）の本発明の透明導電フ
ィルムの製造方法は、珪素化合物よりなる下地層を有す
る本発明の透明導電フィルムを製造する方法であって、
前記珪素化合物を、真空蒸着、スパッタリング、イオン
プレーティング等の物理蒸着法、又はＣＶＤ等の化学蒸
着法で前記高分子フィルム上に付着させることにより前
記下地層を形成する工程を有することを特徴とする。
ィルムの製造方法は、珪素化合物よりなる下地層を有す
る本発明の透明導電フィルムを製造する方法であって、
前記珪素化合物を、真空蒸着、スパッタリング、イオン
プレーティング等の物理蒸着法、又はＣＶＤ等の化学蒸
着法で前記高分子フィルム上に付着させることにより前
記下地層を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１６】この方法において、スパッタリング法によ
るターゲット材料として、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることが好ましく、特に、タ
ーゲットとして密度２．９ｇ／ｃｍ３以上のＳｉＣター
ゲット、とりわけ、炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤
との混合物を焼結させることにより得られたＳｉＣター
ゲットを用いることが好ましい。
るターゲット材料として、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることが好ましく、特に、タ
ーゲットとして密度２．９ｇ／ｃｍ３以上のＳｉＣター
ゲット、とりわけ、炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤
との混合物を焼結させることにより得られたＳｉＣター
ゲットを用いることが好ましい。
【００１７】本発明のタッチパネルは、このような本発
明の透明導電フィルム、又は、本発明の透明導電フィル
ムの製造方法で製造された透明導電フィルムを備えるこ
とを特徴とする。
明の透明導電フィルム、又は、本発明の透明導電フィル
ムの製造方法で製造された透明導電フィルムを備えるこ
とを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１９】図１は本発明の透明導電フィルムを上部電
極として用いた本発明のタッチパネルの実施の形態を示
す断面図である。図１において、図２に示す部材と同一
機能を奏する部材には同一符号を付してある。
極として用いた本発明のタッチパネルの実施の形態を示
す断面図である。図１において、図２に示す部材と同一
機能を奏する部材には同一符号を付してある。
【００２０】本発明の透明導電フィルムは、高分子フィ
ルム４に下地層９を介して透明導電薄膜５を形成したも
のであり、特にタッチパネルの上部電極６Ａとして有用
なものである。
ルム４に下地層９を介して透明導電薄膜５を形成したも
のであり、特にタッチパネルの上部電極６Ａとして有用
なものである。
【００２１】本発明の透明導電フィルムにおいて、基材
となる高分子フィルムの樹脂材料としては、ポリエステ
ル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭ
ＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリス
チレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチ
ラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合
体、ポリウレタン、セロファン等が挙げられるが、特に
強度面でＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣ、とりわけＰ
ＥＴ、ＴＡＣが好ましい。
となる高分子フィルムの樹脂材料としては、ポリエステ
ル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭ
ＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリス
チレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチ
ラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合
体、ポリウレタン、セロファン等が挙げられるが、特に
強度面でＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣ、とりわけＰ
ＥＴ、ＴＡＣが好ましい。
【００２２】このような高分子フィルムの厚さは、透明
導電フィルムの用途等によっても異なるが、タッチパネ
ルの上部電極としての用途には、通常の場合１３μｍ〜
０．５ｍｍ程度とされる。この高分子フィルムの厚さが
１３μｍ未満では、上部電極としての十分な耐久性を得
ることができず、０．５ｍｍを超えると得られるタッチ
パネルの厚肉化を招き、また、上部電極としての柔軟性
も損なわれ、好ましくない。
導電フィルムの用途等によっても異なるが、タッチパネ
ルの上部電極としての用途には、通常の場合１３μｍ〜
０．５ｍｍ程度とされる。この高分子フィルムの厚さが
１３μｍ未満では、上部電極としての十分な耐久性を得
ることができず、０．５ｍｍを超えると得られるタッチ
パネルの厚肉化を招き、また、上部電極としての柔軟性
も損なわれ、好ましくない。
【００２３】このような高分子フィルム４の上に形成す
る下地層９としては、珪素化合物よりなるものが好まし
く、具体的な珪素化合物としては、ＳｉＣｘ、Ｓｉ
Ｏｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｙ、ＳｉＯ
ｘＮｙ又はＳｉＣｘＯｙＮｚが挙げられる。なお、下地
層９は、このような珪素化合物の２種以上を含むもので
あっても良く、またこれらの珪素化合物の積層膜であっ
ても良い。
る下地層９としては、珪素化合物よりなるものが好まし
く、具体的な珪素化合物としては、ＳｉＣｘ、Ｓｉ
Ｏｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｙ、ＳｉＯ
ｘＮｙ又はＳｉＣｘＯｙＮｚが挙げられる。なお、下地
層９は、このような珪素化合物の２種以上を含むもので
あっても良く、またこれらの珪素化合物の積層膜であっ
ても良い。
【００２４】下地層９の膜厚は、過度に薄いと下地層９
を形成したことによる高分子フィルムと透明導電薄膜と
の密着性の向上効果及び耐擦傷性の向上効果が十分に得
られないが、この下地層９の膜厚が過度に厚くても、密
着性、耐擦傷性の向上効果に顕著な差異はなく、成膜コ
ストが高くつく上に透明導電フィルムの厚みが厚くなっ
て好ましくない。このため、下地層９の膜厚は０．５ｎ
ｍ〜１００μｍ、特に１ｎｍ〜５０μｍであることが好
ましい。
を形成したことによる高分子フィルムと透明導電薄膜と
の密着性の向上効果及び耐擦傷性の向上効果が十分に得
られないが、この下地層９の膜厚が過度に厚くても、密
着性、耐擦傷性の向上効果に顕著な差異はなく、成膜コ
ストが高くつく上に透明導電フィルムの厚みが厚くなっ
て好ましくない。このため、下地層９の膜厚は０．５ｎ
ｍ〜１００μｍ、特に１ｎｍ〜５０μｍであることが好
ましい。
【００２５】下地層９上に形成する透明導電薄膜５とし
ては、ＩＴＯ（スズインジウム酸化物）、ＡＴＯ（スズ
アンチモン酸化物）、ＺｎＯ、ＡｌをドープしたＺｎ
Ｏ、ＳｎＯ２等の酸化物系透明導電薄膜が好ましい。こ
の透明導電薄膜５の膜厚が薄過ぎると十分な導電性を得
ることができず、過度に厚くても導電性には差異はな
く、成膜コストが高くつく上に透明導電フィルムの厚み
が厚くなって好ましくない。このため、透明導電薄膜５
の膜厚は１〜５００ｎｍ、特に５〜１００ｎｍであるこ
とが好ましい。
ては、ＩＴＯ（スズインジウム酸化物）、ＡＴＯ（スズ
アンチモン酸化物）、ＺｎＯ、ＡｌをドープしたＺｎ
Ｏ、ＳｎＯ２等の酸化物系透明導電薄膜が好ましい。こ
の透明導電薄膜５の膜厚が薄過ぎると十分な導電性を得
ることができず、過度に厚くても導電性には差異はな
く、成膜コストが高くつく上に透明導電フィルムの厚み
が厚くなって好ましくない。このため、透明導電薄膜５
の膜厚は１〜５００ｎｍ、特に５〜１００ｎｍであるこ
とが好ましい。
【００２６】なお、本発明の透明導電フィルムは、高分
子フィルム４の透明導電薄膜５を成膜する面とは反対側
の面にハードコート層８を形成しても良い。このハード
コート層８としては、アクリル層、エポキシ層、ウレタ
ン層、シリコン層等が挙げられ、通常その厚さは１〜５
０μｍ程度である。
子フィルム４の透明導電薄膜５を成膜する面とは反対側
の面にハードコート層８を形成しても良い。このハード
コート層８としては、アクリル層、エポキシ層、ウレタ
ン層、シリコン層等が挙げられ、通常その厚さは１〜５
０μｍ程度である。
【００２７】このような本発明の透明導電フィルムは、
珪素化合物をそのまま、或いは、アルコール、ケトン、
トルエン、ヘキサン等の溶剤に溶解した溶液等の液状物
として高分子フィルムに塗布して乾燥させることにより
形成することもできるが、好ましくは、真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング等の物理蒸着法、又
はＣＶＤ等の化学蒸着法、特に好ましくはスパッタリン
グ法で成膜するのが、得られる下地層の緻密性、高分子
フィルムに対する接着性に優れ、成膜時のコンタミが少
なく、また高速での成膜が可能でその後の透明導電薄膜
の成膜を同一の装置内で連続的に行うことができ、成膜
効率にも優れる点で望ましい。
珪素化合物をそのまま、或いは、アルコール、ケトン、
トルエン、ヘキサン等の溶剤に溶解した溶液等の液状物
として高分子フィルムに塗布して乾燥させることにより
形成することもできるが、好ましくは、真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング等の物理蒸着法、又
はＣＶＤ等の化学蒸着法、特に好ましくはスパッタリン
グ法で成膜するのが、得られる下地層の緻密性、高分子
フィルムに対する接着性に優れ、成膜時のコンタミが少
なく、また高速での成膜が可能でその後の透明導電薄膜
の成膜を同一の装置内で連続的に行うことができ、成膜
効率にも優れる点で望ましい。
【００２８】スパッタリング法によりＳｉＣｘ、ＳｉＯ
ｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｙ、ＳｉＯｘ
Ｎｙ又はＳｉＣｘＯｙＮｚよりなる下地層を形成する場
合、ターゲット材料としては、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、
ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることができ、それぞれ
反応性ガスの種類、流量を調整することにより、所望の
組成の下地層を形成することができる。
ｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｙ、ＳｉＯｘ
Ｎｙ又はＳｉＣｘＯｙＮｚよりなる下地層を形成する場
合、ターゲット材料としては、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、
ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることができ、それぞれ
反応性ガスの種類、流量を調整することにより、所望の
組成の下地層を形成することができる。
【００２９】特にターゲットとしては、ＳｉＣ粉末をコ
ールタールピッチ、フェノール樹脂、フラン樹脂、エポ
キシ樹脂、グルコース、蔗糖、セルロース、デンプン等
の非金属系焼結助剤で焼結して得られる、密度２．９ｇ
／ｃｍ３以上のＳｉＣターゲットが好ましい。即ち、成
膜速度を向上するために、スパッタリング成膜時に高入
力化すると、グロー放電がアーク放電となり、高分子フ
ィルムの傷付きの原因となるが、このような高密度かつ
均一なＳｉＣターゲットであれば、スパッタリング成膜
時に高入力で安定放電を行うことができ、成膜速度を高
めることができる。
ールタールピッチ、フェノール樹脂、フラン樹脂、エポ
キシ樹脂、グルコース、蔗糖、セルロース、デンプン等
の非金属系焼結助剤で焼結して得られる、密度２．９ｇ
／ｃｍ３以上のＳｉＣターゲットが好ましい。即ち、成
膜速度を向上するために、スパッタリング成膜時に高入
力化すると、グロー放電がアーク放電となり、高分子フ
ィルムの傷付きの原因となるが、このような高密度かつ
均一なＳｉＣターゲットであれば、スパッタリング成膜
時に高入力で安定放電を行うことができ、成膜速度を高
めることができる。
【００３０】このようなＳｉＣターゲットは、ＳｉＣ粉
末に上述の非金属系焼結助剤を３〜３０重量％程度均一
に混合し、混合物を１７００〜２２００℃程度で焼結さ
せることにより製造することができる。このようなＳｉ
Ｃターゲットの密度は通常２．９ｇ／ｃｍ３以上であ
る。
末に上述の非金属系焼結助剤を３〜３０重量％程度均一
に混合し、混合物を１７００〜２２００℃程度で焼結さ
せることにより製造することができる。このようなＳｉ
Ｃターゲットの密度は通常２．９ｇ／ｃｍ３以上であ
る。
【００３１】なお、下地層成膜時のスパッタリング条件
には特に制限はなく、真空度０．０５〜１Ｐａ、投入電
力密度２〜５００ｋＷ／ｍ２程度で実施することがで
き、このスパッタリング成膜時の反応性ガス流量及び成
膜時間を調整することにより、所望の組成、所望の膜厚
の下地層を形成することができる。
には特に制限はなく、真空度０．０５〜１Ｐａ、投入電
力密度２〜５００ｋＷ／ｍ２程度で実施することがで
き、このスパッタリング成膜時の反応性ガス流量及び成
膜時間を調整することにより、所望の組成、所望の膜厚
の下地層を形成することができる。
【００３２】この下地層上の透明導電薄膜は、常法に従
って成膜することができるが、一般的には、下地層をス
パッタリング法で成膜した場合には、透明導電薄膜は、
ターゲットのみを変えて、同一のスパッタリング装置内
で下地層の成膜後連続的にスパッタリング成膜すること
が好適である。
って成膜することができるが、一般的には、下地層をス
パッタリング法で成膜した場合には、透明導電薄膜は、
ターゲットのみを変えて、同一のスパッタリング装置内
で下地層の成膜後連続的にスパッタリング成膜すること
が好適である。
【００３３】なお、本発明の透明導電フィルムにおいて
は、高分子フィルム４に下地層９を成膜するに先立ち、
その表面に常法に従ってプラズマ処理を施しても良く、
プラズマ処理を施すことにより、高分子フィルムの表面
に官能基を付与して高分子フィルム４と下地層９との接
着性を高めると共に、表面のエッチングによるアンカー
効果で高分子フィルム４に対する下地層９の接着強度を
高め、より一層剥離防止効果を高めることができる。
は、高分子フィルム４に下地層９を成膜するに先立ち、
その表面に常法に従ってプラズマ処理を施しても良く、
プラズマ処理を施すことにより、高分子フィルムの表面
に官能基を付与して高分子フィルム４と下地層９との接
着性を高めると共に、表面のエッチングによるアンカー
効果で高分子フィルム４に対する下地層９の接着強度を
高め、より一層剥離防止効果を高めることができる。
【００３４】本発明のタッチパネルは、図１に示す如
く、このような透明導電フィルムを上部電極として備え
るものであり、高分子フィルム４と透明導電薄膜５との
密着性が高く、また、耐擦傷性が良好であるため、耐久
性、信頼性に優れる。
く、このような透明導電フィルムを上部電極として備え
るものであり、高分子フィルム４と透明導電薄膜５との
密着性が高く、また、耐擦傷性が良好であるため、耐久
性、信頼性に優れる。
【００３５】なお、本発明の透明導電フィルムは、タッ
チパネルの上部電極としての用途の他、透明スイッチン
グデバイス、その他の各種の光学系透明導電フィルム用
途に有効に使用することができる。
チパネルの上部電極としての用途の他、透明スイッチン
グデバイス、その他の各種の光学系透明導電フィルム用
途に有効に使用することができる。
【００３６】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００３７】実施例１，２ 基材として厚み１８８μｍのＰＥＴフィルムを用い、ま
ず片面に湿式塗工によりＪＳＲ製アクリル系光硬化型ハ
ードコート剤（Ｚ７５０１：固形分濃度３５重量％、溶
剤ＭＥＫ）を用いて厚み５μｍのハードコート層を形成
した。このフィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍにカット
し、ハードコート層形成面の反対側の面に減圧下でプラ
ズマ処理を施した。プラズマ処理は、アルゴンガス１０
０ｍＬ／ｍｉｎを流しながら真空度を１３．３Ｐａにし
た後、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）で１００Ｗにて
１０分間行った。
ず片面に湿式塗工によりＪＳＲ製アクリル系光硬化型ハ
ードコート剤（Ｚ７５０１：固形分濃度３５重量％、溶
剤ＭＥＫ）を用いて厚み５μｍのハードコート層を形成
した。このフィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍにカット
し、ハードコート層形成面の反対側の面に減圧下でプラ
ズマ処理を施した。プラズマ処理は、アルゴンガス１０
０ｍＬ／ｍｉｎを流しながら真空度を１３．３Ｐａにし
た後、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）で１００Ｗにて
１０分間行った。
【００３８】次に、マグネトロンスパッタリング装置
で、ターゲットとして純度９９．９９％、１００ｍｍ×
４００ｍｍ×５ｍｍ厚のシリコンターゲットを用い、下
記成膜条件で膜厚１０ｎｍの珪素化合物薄膜の下地層を
成膜した。次いでその上に同じマグネトロンスパッタリ
ング装置で、ターゲットとして酸化錫１０重量％、純度
９９．９９％、１００ｍｍ×４００ｍｍ×５ｍｍ厚のＩ
ＴＯターゲットを用い、透明導電薄膜としてＩＴＯ薄膜
を２０ｎｍの厚さに成膜することによりタッチパネル用
透明導電フィルムを作製した。 ＜珪素化合物薄膜成膜条件＞ アルゴンガス流量：表１の通り 反応性ガス流量：表１の通り 真空度：０．５Ｐａ ＤＣ投入電力：２ｋＷ 成膜時間：表１の通り 基材回転速度：１０ｒｐｍ ＜ＩＴＯ薄膜成膜条件＞ アルゴンガス流量：５０ｃｃ／ｍｉｎ 酸素ガス流量：３ｃｃ／ｍｉｎ 真空度：０．５Ｐａ ＤＣ投入電力：２ｋＷ 成膜時間：６０秒 基材回転速度：１０ｒｐｍ
で、ターゲットとして純度９９．９９％、１００ｍｍ×
４００ｍｍ×５ｍｍ厚のシリコンターゲットを用い、下
記成膜条件で膜厚１０ｎｍの珪素化合物薄膜の下地層を
成膜した。次いでその上に同じマグネトロンスパッタリ
ング装置で、ターゲットとして酸化錫１０重量％、純度
９９．９９％、１００ｍｍ×４００ｍｍ×５ｍｍ厚のＩ
ＴＯターゲットを用い、透明導電薄膜としてＩＴＯ薄膜
を２０ｎｍの厚さに成膜することによりタッチパネル用
透明導電フィルムを作製した。 ＜珪素化合物薄膜成膜条件＞ アルゴンガス流量：表１の通り 反応性ガス流量：表１の通り 真空度：０．５Ｐａ ＤＣ投入電力：２ｋＷ 成膜時間：表１の通り 基材回転速度：１０ｒｐｍ ＜ＩＴＯ薄膜成膜条件＞ アルゴンガス流量：５０ｃｃ／ｍｉｎ 酸素ガス流量：３ｃｃ／ｍｉｎ 真空度：０．５Ｐａ ＤＣ投入電力：２ｋＷ 成膜時間：６０秒 基材回転速度：１０ｒｐｍ
【００３９】得られたフィルムについて、下記方法で摺
動筆記による耐久試験を行い、結果を表１に示した。 ＜耐久試験＞２５０ｇの荷重を乗せた入力用ペンで、１
０万回の摺動試験を行った後、フィルムの電気特性を測
定し、試験前に対する電気抵抗値の変化率が５０％未満
の場合をＯＫレベルとし、５０％以上変化した場合をＮ
Ｇとした。
動筆記による耐久試験を行い、結果を表１に示した。 ＜耐久試験＞２５０ｇの荷重を乗せた入力用ペンで、１
０万回の摺動試験を行った後、フィルムの電気特性を測
定し、試験前に対する電気抵抗値の変化率が５０％未満
の場合をＯＫレベルとし、５０％以上変化した場合をＮ
Ｇとした。
【００４０】比較例１ 下地層を成膜しなかったこと以外は実施例１と同様にし
て透明導電フィルムを作製し、同様に耐久試験を行っ
て、結果を表１に示した。
て透明導電フィルムを作製し、同様に耐久試験を行っ
て、結果を表１に示した。
【００４１】
【表１】
【００４２】実施例３〜７ 下地層として、マグネトロンスパッタリング装置で、タ
ーゲットとしてＳｉＣターゲットを用い、下記成膜条件
にて膜厚１０ｎｍの珪素化合物薄膜の下地層を成膜した
こと以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用透明導
電フィルムを作製し、同様に試験を行って、結果を表２
に示した。
ーゲットとしてＳｉＣターゲットを用い、下記成膜条件
にて膜厚１０ｎｍの珪素化合物薄膜の下地層を成膜した
こと以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用透明導
電フィルムを作製し、同様に試験を行って、結果を表２
に示した。
【００４３】なお、用いたＳｉＣターゲットは、ＳｉＣ
粉末に焼結助剤として２０重量％のフェノール樹脂を均
一に混合したものを２１００℃で焼結して得られた密度
２．９２ｇ／ｃｍ３のものである。 ＜珪素化合物薄膜成膜条件＞ アルゴンガス流量：表２の通り 反応性ガス流量：表２の通り 真空度：０．５Ｐａ ＤＣ投入電力：２ｋＷ 成膜時間：表２の通り 基材回転速度：１０ｒｐｍ
粉末に焼結助剤として２０重量％のフェノール樹脂を均
一に混合したものを２１００℃で焼結して得られた密度
２．９２ｇ／ｃｍ３のものである。 ＜珪素化合物薄膜成膜条件＞ アルゴンガス流量：表２の通り 反応性ガス流量：表２の通り 真空度：０．５Ｐａ ＤＣ投入電力：２ｋＷ 成膜時間：表２の通り 基材回転速度：１０ｒｐｍ
【００４４】
【表２】
【００４５】表１，２より、本発明によれば、高分子フ
ィルムと透明導電薄膜との密着性が良く、耐擦傷性、耐
久性に優れた透明導電フィルムが提供されることがわか
る。
ィルムと透明導電薄膜との密着性が良く、耐擦傷性、耐
久性に優れた透明導電フィルムが提供されることがわか
る。
【００４６】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、高
分子フィルムと透明導電薄膜との密着性に優れ、耐擦傷
性、繰り返し変形に対する耐久性に優れた透明導電フィ
ルムが提供され、このような透明導電フィルムを用いて
高耐久性で信頼性に優れたタッチパネルが提供される。
分子フィルムと透明導電薄膜との密着性に優れ、耐擦傷
性、繰り返し変形に対する耐久性に優れた透明導電フィ
ルムが提供され、このような透明導電フィルムを用いて
高耐久性で信頼性に優れたタッチパネルが提供される。
【図１】本発明の透明導電フィルムを備えるタッチパネ
ルの実施の形態を示す断面図である。
ルの実施の形態を示す断面図である。
【図２】従来のタッチパネルを示す断面図である。
【符号の説明】 １ ガラス板 ２ 透明導電薄膜 ３ 下部電極 ４ 高分子フィルム ５ 透明導電薄膜 ６，６Ａ 上部電極 ７ スペーサ ８ ハードコート層 ９ 下地層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ Ｆターム(参考） 4F100 AA12C AA16C AA20C AA28 AA33 AD05C AD08C AK01A AK25 AK42 AT00A BA03 BA07 BA10A BA10B CC00 EH462 EH662 EJ482 EJ512 EJ61 GB41 JA13C JA20C JG01B JK06 JK14 JL00 JM02B JM02C JN01B YY00C 4K029 AA11 AA25 BA46 BA50 BA52 BB02 BC02 BD00 CA01 CA03 CA05 DC03 DC05 EA01 5B087 AA04 CC11 5G307 FA02 FB01 FC01 FC05 5G323 BA01 BA02 BA05 BB01 BB03 BB04 BB05
Claims (11)
- 【請求項１】 高分子フィルム上に透明導電薄膜が形成
されてなる透明導電フィルムにおいて、該透明導電薄膜
は、高分子フィルム上に下地層を介して形成されている
ことを特徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項２】 請求項１において、該下地層が珪素化合
物よりなることを特徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項３】 請求項２において、該珪素化合物がＳｉ
Ｃｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮ
ｙ、ＳｉＯｘＮｙ又はＳｉＣｘＯｙＮｚであることを特
徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項におい
て、該下地層の膜厚が１ｎｍ〜５０μｍであることを特
徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項５】 請求項２ないし４のいずれか１項に記載
の透明導電フィルムを製造する方法であって、前記珪素
化合物或いは珪素化合物を含む液状物を前記高分子フィ
ルム上に塗布することにより前記下地層を形成する工程
を有することを特徴とする透明導電フィルムの製造方
法。 - 【請求項６】 請求項２ないし４のいずれか１項に記載
の透明導電フィルムを製造する方法であって、前記珪素
化合物を、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーテ
ィング等の物理蒸着法、又はＣＶＤ等の化学蒸着法で前
記高分子フィルム上に付着させることにより前記下地層
を形成する工程を有することを特徴とする透明導電フィ
ルムの製造方法。 - 【請求項７】 請求項６において、スパッタリング法に
よるターゲット材料として、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることを特徴とする透明導
電フィルムの製造方法。 - 【請求項８】 請求項７において、ターゲットとして密
度２．９ｇ／ｃｍ３以上のＳｉＣターゲットを用いるこ
とを特徴とする透明導電フィルムの製造方法。 - 【請求項９】 請求項７又は８において、ターゲットと
して、炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を
焼結させることにより得られたＳｉＣターゲットを用い
ることを特徴とする透明導電フィルムの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１ないし４のいずれか１項に記
載の透明導電フィルムを備えることを特徴とするタッチ
パネル。 - 【請求項１１】 請求項５ないし９のいずれか１項に記
載の透明導電フィルムの製造方法で製造された透明導電
フィルムを備えることを特徴とするタッチパネル。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000395426A JP2002197924A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネル |
| US09/989,436 US6744425B2 (en) | 2000-12-26 | 2001-11-21 | Transparent electroconductive film |
| EP20010129376 EP1220234B1 (en) | 2000-12-26 | 2001-12-18 | Transparent electroconductive film, manufacturing method thereof, and touch panel |
| DE2001618080 DE60118080T2 (de) | 2000-12-26 | 2001-12-18 | Transparenter, electroleitender Film, Herstellungfverfahren und berÜhrungsempfindliche Tafel |
| US10/788,308 US7056603B2 (en) | 2000-12-26 | 2004-03-01 | Touch panel |
| US10/788,307 US7153544B2 (en) | 2000-12-26 | 2004-03-01 | Method of manufacturing transparent electro-conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000395426A JP2002197924A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002197924A true JP2002197924A (ja) | 2002-07-12 |
Family
ID=18860886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000395426A Pending JP2002197924A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002197924A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7432913B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-10-07 | Fujitsu Component Limited | Touch panel, film therefor, and protection sheet therefor that can extend the life cycle of the touch panel |
| WO2012157524A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | ジオマテック株式会社 | 透明導電膜付き基板及び色素増感太陽電池 |
| JP7489164B2 (ja) | 2021-10-27 | 2024-05-23 | エスケーマイクロワークス ソリューションズ 株式会社 | 成分勾配無機層を有するフィルム、その製造方法およびディスプレイ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09508178A (ja) * | 1994-01-21 | 1997-08-19 | ザ カーボランダム カンパニー | 炭化ケイ素のスパッタリングターゲット |
-
2000
- 2000-12-26 JP JP2000395426A patent/JP2002197924A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09508178A (ja) * | 1994-01-21 | 1997-08-19 | ザ カーボランダム カンパニー | 炭化ケイ素のスパッタリングターゲット |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7432913B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-10-07 | Fujitsu Component Limited | Touch panel, film therefor, and protection sheet therefor that can extend the life cycle of the touch panel |
| US7636084B2 (en) | 2004-03-29 | 2009-12-22 | Fujitsu Component Limited | Touch panel, film therefor, and protection sheet therefor that can extend the life cycle of the touch panel |
| WO2012157524A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | ジオマテック株式会社 | 透明導電膜付き基板及び色素増感太陽電池 |
| JP6010024B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2016-10-19 | ジオマテック株式会社 | 透明導電膜付き基板及び色素増感太陽電池 |
| JP7489164B2 (ja) | 2021-10-27 | 2024-05-23 | エスケーマイクロワークス ソリューションズ 株式会社 | 成分勾配無機層を有するフィルム、その製造方法およびディスプレイ装置 |
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