JPH06349338A - Transparent conductive lamination - Google Patents
Transparent conductive laminationInfo
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- JPH06349338A JPH06349338A JP13842793A JP13842793A JPH06349338A JP H06349338 A JPH06349338 A JP H06349338A JP 13842793 A JP13842793 A JP 13842793A JP 13842793 A JP13842793 A JP 13842793A JP H06349338 A JPH06349338 A JP H06349338A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、有機高分子成形物上に
透明導電層を形成してなる透明導電性積層体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent conductive laminate having a transparent conductive layer formed on an organic polymer molding.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高度情報化社会の到来と共に、光とエレ
クトロニクスの両方の特徴を利用した部品、機器の進歩
は著しい。またマイクロコンピュータの飛躍的普及にと
もない、コンピュータ周辺機器の革新はめざましい。2. Description of the Related Art With the advent of the advanced information society, the progress of parts and devices utilizing the characteristics of both light and electronics is remarkable. In addition, with the dramatic spread of microcomputers, the innovation of computer peripherals is remarkable.
【０００３】これらのコンピュータ入力装置として低消
費電力アナログ方式の透明タブレットの開発が進んでい
る。この構成部品の一形態として、有機高分子成形物上
に透明導電層を形成してなる透明導電性積層体が用いら
れる。As these computer input devices, low power consumption analog type transparent tablets are being developed. As one form of this component, a transparent conductive laminate in which a transparent conductive layer is formed on an organic polymer molded product is used.
【０００４】そうした透明導電層としては、金属薄膜タ
イプ（Au、Pb等）、金属酸化物薄膜タイプ（ＩＴＯ、Ｃ
ＴＯ、SnＯ2 、TiＯ2 等）、多層薄膜タイプ（TiＯX ／
Ag／TiＯX 等）等を用いることができる。Such transparent conductive layers include metal thin film type (Au, Pb, etc.) and metal oxide thin film type (ITO, C
TO, SnO 2 , TiO 2, etc.), multilayer thin film type (TiO X /
Ag / TiO X, etc.) can be used.
【０００５】そしてこれらの中でも透明性、導電性、機
械特性等の基本特性は、金属酸化物薄膜タイプが優れて
いる。さらに金属酸化物薄膜タイプの中でも、インジウ
ム金属酸化物（In2 Ｏ3 ）とスズ金属酸化物とからなる
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜は、透明性、導電性が特
に優れており、さらに電極のパターン化が容易（エッチ
ング特性が優れている）などの特徴を有する点が優れて
いる。Among these, the metal oxide thin film type is excellent in basic properties such as transparency, conductivity and mechanical properties. Further, among the metal oxide thin film types, an ITO (Indium Tin Oxide) film composed of indium metal oxide (In 2 O 3 ) and tin metal oxide is particularly excellent in transparency and conductivity. It is excellent in that it has features such as easy patterning (excellent etching characteristics).
【０００６】ところで最近は薄膜形成技術の進歩によ
り、耐熱性のあまりない有機高分子成形物上に透明導電
層を形成できるようになった。中でもスパッタリング法
は、長時間にわったて成膜が可能、長時間膜形成を行っ
ても組成ずれがない、幅広化が容易などの特徴を有し、
最も利用されている技術の一つである。そして上述のＩ
ＴＯ膜も、スパッタリング法で形成することができる。By the way, recently, due to the progress of thin film forming technology, it has become possible to form a transparent conductive layer on an organic polymer molded article having little heat resistance. Among them, the sputtering method has features that it is possible to form a film for a long time, there is no compositional deviation even if a film is formed for a long time, and it is easy to widen the film.
This is one of the most used technologies. And the above I
The TO film can also be formed by the sputtering method.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】こうした透明導電性積
層体においては、タッチパネル等の使用形態より、高い
光線透過率、低消費電力実現のために５００（Ω／□）
〜７００（Ω／□）のシート抵抗値、高度の耐久性およ
び信頼性が、例えば低消費電力アナログ方式透明デジタ
イザーの入力素子等において要求されている。In such a transparent conductive laminate, 500 (Ω / □) is required to realize a higher light transmittance and a lower power consumption than the usage of a touch panel or the like.
Sheet resistance values of up to 700 (Ω / □), high durability and reliability are required for input devices of low power consumption analog type transparent digitizers.
【０００８】しかし、スパッタリング法によりＩＴＯ膜
を形成してなる導電性積層体は、低消費電力アナログ方
式透明タブレットの入力素子に用いた場合、低消費電力
を達成するために必要なシート抵抗値である５００（Ω
／□）〜７００（Ω／□）を得るためには、透明導電層
の比抵抗が低いためＩＴＯ膜厚を１２ｎｍ±２ｎｍと非
常に薄くする必要がある。However, the conductive laminate formed by forming an ITO film by the sputtering method has a sheet resistance value required to achieve low power consumption when used as an input element of a low power consumption analog type transparent tablet. There is 500 (Ω
/ □) to 700 (Ω / □), it is necessary to make the ITO film thickness as thin as 12 nm ± 2 nm because the specific resistance of the transparent conductive layer is low.
【０００９】このため透明導電層が不安定であり、耐環
境劣化試験を行うとシート抵抗値が大幅に上昇するとい
う実用上大きな課題がある。そこで本発明は、かかる現
状に鑑みなされたもので、有機高分子形成物上に透明導
電層を設けた耐久性および信頼性の優れた導電性積層体
を提供することを目的とする。For this reason, the transparent conductive layer is unstable, and there is a practical problem that the sheet resistance value greatly increases when the environment resistance deterioration test is performed. Then, this invention is made | formed in view of such a present condition, and an object of this invention is to provide the electroconductive laminated body which was excellent in durability and reliability which provided the transparent electroconductive layer on the organic polymer formation.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明にかかる透明導電
性の金属酸化物薄膜からなる透明導電層を、有機高分子
成形物上に形成してなる透明導電積層体は、透明導電層
が、透明導電性の金属酸化物薄膜中に、SiＯ2 、Ti
Ｏ2 、Al2 Ｏ3 、ZrＯ2 、MgＯ、ZnＯから選ばれた少な
くとも１種類の金属酸化物を、原子組成比で０．５〜２
％添加した物であることを特徴としている。Means for Solving the Problems A transparent conductive layered product obtained by forming a transparent conductive layer comprising a transparent conductive metal oxide thin film according to the present invention on an organic polymer molded article is In a transparent conductive metal oxide thin film, SiO 2 , Ti
At least one kind of metal oxide selected from O 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , MgO, and ZnO is used in an atomic composition ratio of 0.5 to 2
% Added.
【００１１】本発明者らは、透明導電層の耐久性とその
膜厚との関係を調べた。そして例えばＩＴＯ膜において
は、膜厚が１５ｎｍ以上を有していれば耐久性がよいこ
とをみいだした。しかしその場合には、シート抵抗値が
５００（Ω／□）未満となり低消費電力アナログ方式透
明デジタイザーの入力素子には使用できないことが分か
った。これは透明導電層の比抵抗の低さに起因する。The present inventors investigated the relationship between the durability of the transparent conductive layer and its film thickness. Then, for example, it was found that the durability of an ITO film is good if the film thickness is 15 nm or more. However, in that case, it was found that the sheet resistance value was less than 500 (Ω / □) and it could not be used as an input element of a low power consumption analog type transparent digitizer. This is due to the low specific resistance of the transparent conductive layer.
【００１２】ところが本発明かかる透明導電層を用いた
透明導電性積層体では、おどろくべきことに透明導電層
中の自由電子濃度Ｎ（キャリア濃度）を減少せしめ、比
抵抗を光透過性をそこなうことなく高くすることができ
る。そのため、耐久性および信頼性の良好な膜厚まで、
透明導電層の膜厚を厚くすることができ、耐久性を大幅
に改善できる。However, in the transparent conductive laminate using the transparent conductive layer according to the present invention, it is surprising that the free electron concentration N (carrier concentration) in the transparent conductive layer is reduced, and the specific resistance and the light transmittance are impaired. Can be raised without. Therefore, up to a film thickness with good durability and reliability,
The thickness of the transparent conductive layer can be increased, and the durability can be significantly improved.
【００１３】すなわち透明導電性の金属酸化物薄膜に添
加する、SiＯ2 、TiＯ2 、Al2 Ｏ3、ZrＯ2 、MgＯ、Zn
Ｏから選ばれた少なくとも１種類の金属酸化物は、遊離
または結合不完全な状態で透明導電層中に部分的に存在
する酸素を吸着および／または結合し、自由電子濃度Ｎ
（キャリヤ濃度）および／またはキャリア移動度を減少
し比抵抗を上昇せしめることにより、耐久性および信頼
性の良好な膜厚まで厚くすることができる。さらに添加
する金属酸化物自身も高い透明性を有し、透明導電層の
光学特性をそこなわない。従って添加する金属酸化物の
存在は、光線透過率をそこなうことなく透明導電層の耐
久性および信頼性の面で有効となる。That is, SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , MgO and Zn added to the transparent conductive metal oxide thin film.
At least one metal oxide selected from O adsorbs and / or bonds oxygen partially present in the transparent conductive layer in a free or incompletely bonded state, and has a free electron concentration N
By decreasing the (carrier concentration) and / or the carrier mobility and increasing the specific resistance, it is possible to increase the film thickness to a good durability and reliability. Further, the added metal oxide itself has high transparency and does not impair the optical characteristics of the transparent conductive layer. Therefore, the presence of the added metal oxide is effective in terms of durability and reliability of the transparent conductive layer without impairing the light transmittance.
【００１４】ただし、ここに記したSiＯ2 、TiＯ2 、Al
2 Ｏ3 、ZrＯ2 、MgＯ、ZnＯは、各金属原子の酸化物で
あることを表しており、必ずしも化学量論的に完全な酸
化物を表してはいない。つまり、光学特性を損なわない
範囲の化学量論数を持つこれら酸化物を示している物で
ある。However, SiO 2 , TiO 2 and Al described here are used.
2 O 3 , ZrO 2 , MgO, and ZnO represent oxides of each metal atom, and do not necessarily represent stoichiometrically perfect oxides. That is, these oxides have stoichiometric numbers within a range that does not impair the optical properties.
【００１５】また本発明において添加する金属酸化物の
含有率は、前述の比抵抗に対する効果および透明導電層
自身の透明性維持の２点の兼ね合いから、原子組成で透
明導電性層中に０．５〜２．０％が必要である。さらに
この比率は、０．８〜１．５とすることがより好まし
い。Further, the content of the metal oxide added in the present invention has an atomic composition of 0. 0 in the transparent conductive layer in view of the above-mentioned effect on the specific resistance and maintaining the transparency of the transparent conductive layer itself. 5-2.0% is required. Furthermore, this ratio is more preferably 0.8 to 1.5.
【００１６】また透明性、導電性、機械特性等の点か
ら、透明導電性の金属酸化物薄膜は主として、インジウ
ム金属酸化物（In2 Ｏ3 ）および／またはスズ金属酸化
物（SnＯX 、ただし１≦ｘ≦２）からなるものであるこ
とが好ましい。In terms of transparency, conductivity, mechanical properties, etc., the transparent conductive metal oxide thin film is mainly composed of indium metal oxide (In 2 O 3 ) and / or tin metal oxide (SnO x , 1 ≦ x ≦ 2) is preferable.
【００１７】その際ＩＴＯ膜の場合には、その膜厚は１
５〜２５ｎｍが好ましく、特に１７〜２０ｎｍがより好
ましい。これが１５ｎｍ未満の場合には、膜が不安定で
あるため耐久性および信頼性の改善の効果がない。また
２５ｎｍを越えると透過率が低下したりして好ましくな
い。In the case of an ITO film, the film thickness is 1
5 to 25 nm is preferable, and 17 to 20 nm is particularly preferable. If this is less than 15 nm, the film is unstable and there is no effect of improving durability and reliability. Further, if it exceeds 25 nm, the transmittance is lowered, which is not preferable.
【００１８】本発明における有機高分子成形物を構成す
る有機高分子化合物としては、耐熱性を有する透明な有
機高分子化合物であれば特に限定しないが、通常耐熱性
としては１００℃以上、好ましくは１３０℃以上のもの
である。The organic polymer compound constituting the organic polymer molded article in the present invention is not particularly limited as long as it is a transparent organic polymer compound having heat resistance, but usually it has a heat resistance of 100 ° C. or higher, preferably It is more than 130 ° C.
【００１９】これには例えばポリイミド、ポリエーテル
スルホン、ポリスルホン、ポリパラバン酸、ポリヒダン
トイン、ポリアリレートを始めとし、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカル
ボキシレート、ポリジアリルフタレート、ポリカーボネ
ートなどのポリエステル系樹脂および芳香族ポリアミ
ド、セルローストリアセテート等が挙げられる。もちろ
んこれらはホモポリマー、コポリマーとして、また単独
またはブレンドとしても使用しうる。This includes, for example, polyesters such as polyimide, polyether sulfone, polysulfone, polyparabanic acid, polyhydantoin, polyarylate, polyethylene terephthalate, polyethylene-2,6-naphthalene dicarboxylate, polydiallyl phthalate and polycarbonate. Resin, aromatic polyamide, cellulose triacetate and the like can be mentioned. Of course, these may be used as homopolymers, copolymers, alone or as a blend.
【００２０】かかる有機高分子化合物の成形物の形状は
特に限定されるものではないが、通常、シート状、フィ
ルム状のものが好ましく、中でもフィルム状のものは巻
取り可能であり、また連続生産が可能であるため、特に
好ましい。さらに、フィルム状のものが使用される場合
においては、フィルムの厚さは６〜５００μｍが好まし
く、さらには１２〜２００μｍが好ましい。The shape of the molded article of such an organic polymer compound is not particularly limited, but normally, a sheet-like or film-like one is preferable, and among them, the film-like one can be wound, and continuous production is possible. Is particularly preferable because it is possible. Further, when a film-like material is used, the thickness of the film is preferably 6 to 500 μm, more preferably 12 to 200 μm.
【００２１】これらのフィルムまたはシートは、透明性
を損なわない程度において顔料を添加したり、また表面
加工、例えばサンドマット加工などを施してもよい。ま
た、これらのフィルムまたはシートは、単独でもラミネ
ートして用いてもよい。These films or sheets may be added with a pigment to the extent that transparency is not impaired, or may be surface-treated, for example, sand matted. Further, these films or sheets may be used alone or in a laminated form.
【００２２】さらに、透明導電層との密着性などを向上
させるため、透明導電層形成前に有機高分子成形物上に
中間層を形成してもよい。この中間層としては、例えば
有機硅素化合物、チタンアルキルエステル、ジルコニウ
ムアルキルエステルなどの有機金属化合物の加水分解に
より形成された層が好ましく用いられる。あるいはこの
中間層は、多層構成としても良い。Further, in order to improve the adhesion with the transparent conductive layer, an intermediate layer may be formed on the organic polymer molded product before forming the transparent conductive layer. As the intermediate layer, for example, a layer formed by hydrolysis of an organic metal compound such as an organic silicon compound, a titanium alkyl ester or a zirconium alkyl ester is preferably used. Alternatively, this intermediate layer may have a multilayer structure.
【００２３】こうした中間層は、有機高分子成形物上に
塗布後、乾燥し、加熱、イオンボンバードあるいは紫外
線、β線、γ線などの放射線により硬化させる。その際
中間層の塗布には、透明有機高分子成形物や塗工液の形
状、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラ
ビアロールコーター、カーテンコーター、ナイフコータ
ーなどの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、
浸漬法などが用いられる。Such an intermediate layer is applied onto an organic polymer molded article, dried, and then cured by heating, ion bombardment, or radiation such as ultraviolet rays, β rays, γ rays. At that time, for the coating of the intermediate layer, a known coating machine such as a doctor knife, a bar coater, a gravure roll coater, a curtain coater, or a knife coater is used depending on the shape and properties of the transparent organic polymer molding or the coating liquid. Coating method, spray method,
A dipping method or the like is used.
【００２４】そしてこの中間層の厚さとしては、１０〜
１００ｎｍが好ましく、特に２０〜９０ｎｍが好まし
い。これが１０ｎｍ未満の場合には、連続層を形成しな
いため密着性などの向上効果がない。また１００ｎｍを
越えると、クラックや剥離を生じたりして好ましくな
い。The thickness of the intermediate layer is 10 to 10.
100 nm is preferable, and 20 to 90 nm is particularly preferable. If it is less than 10 nm, the continuous layer is not formed, so that there is no effect of improving the adhesiveness. If it exceeds 100 nm, cracks and peeling may occur, which is not preferable.
【００２５】また、本発明における導電性積層体の透明
導電層上に、耐スクッラチ性を向上させるなどの目的の
ために保護層を積層させても良い。かかる保護層として
は、TiＯ2 、SnＯ2 、Al2 Ｏ3 、SiＯ2 、ZrＯ2 、Zn
Ｏ、Ta2 Ｏ5 などの透明酸化物、Si3 Ｎ4 、AlSiＮなど
の窒化物あるいはアクリロニトリル系樹脂、スチレン系
樹脂、アクリレート系樹脂、ポリエステル系樹脂、シア
ノエチル化ブルランなどのシアノエチル化多糖類などの
透明な有機化合物重合体あるいは、有機硅素化合物、チ
タンアルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステル
などの有機金属化合物などを用いることができる。かか
る保護層の厚さは、透明導電層の特性を低下させない範
囲で任意に設けることが可能である。A protective layer may be laminated on the transparent conductive layer of the conductive laminate of the present invention for the purpose of improving scratch resistance. Examples of such a protective layer include TiO 2 , SnO 2 , Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO 2 , and Zn.
O, transparent oxides such as Ta 2 O 5 , nitrides such as Si 3 N 4 and AlSiN or acrylonitrile resins, styrene resins, acrylate resins, polyester resins, cyanoethylated polysaccharides such as cyanoethylated vullan It is possible to use a transparent organic compound polymer or an organic metal compound such as an organic silicon compound, titanium alkyl ester, zirconium alkyl ester, or the like. The thickness of the protective layer can be arbitrarily set within a range that does not deteriorate the characteristics of the transparent conductive layer.
【００２６】また、本発明における導電性積層体は、有
機高分子成形物の両面に必要に応じて中間層を介して透
明導電層を積層した構成にしてもよく、あるいは有機高
分子成形物の片面に必要に応じて中間層を介して透明導
電層を積層した構成において透明導電層を積層した面と
反対面において、透明性を損なわない範囲で接着性、表
面硬度、光学特性などを改善する目的で、例えば前述し
た中間層や保護層と同種の層や、酸化物層、窒化物層、
硫化物層、炭化物層や有機物層を設けても良い。The electroconductive laminate of the present invention may have a structure in which a transparent electroconductive layer is laminated on both sides of the organic polymer molded product with an intermediate layer as necessary, or the organic polymer molded product may be laminated. In a structure in which a transparent conductive layer is laminated on one surface with an intermediate layer as necessary, on the surface opposite to the surface on which the transparent conductive layer is laminated, the adhesiveness, surface hardness, optical characteristics, etc. are improved within a range not impairing transparency. For the purpose, for example, a layer of the same kind as the above-mentioned intermediate layer or protective layer, an oxide layer, a nitride layer,
A sulfide layer, a carbide layer or an organic layer may be provided.
【００２７】本発明の方法は、スパッタリング法に限定
されず、他の公知の薄膜形成方法例えばイオンプレーテ
ィング法などにも適用することができるが、幅方向での
制御性がよく、高速成膜が可能であるスパッタリング法
が好ましい。The method of the present invention is not limited to the sputtering method, but can be applied to other known thin film forming methods such as an ion plating method, but the controllability in the width direction is good and the high speed film formation is possible. The sputtering method is preferable because it is possible.
【００２８】本発明で得られる導電性積層体は、低消費
電力アナログ方式透明タブレットの入力素子に適してい
るだけでなく、例えばエレクトロルミネッセンス用電
極、電子写真、帯電防止材料、面状発熱体、固体ディス
プレー、光メモリー、光電変換素子、光通信、光情報処
理、太陽エネルギー利用材料などと広い用途を有する。The conductive laminate obtained by the present invention is not only suitable for an input element of a low power consumption analog type transparent tablet, but also for example, an electrode for electroluminescence, electrophotography, an antistatic material, a sheet heating element, It has a wide range of applications such as solid-state displays, optical memories, photoelectric conversion elements, optical communications, optical information processing, and solar energy utilization materials.
【００２９】[0029]
【実施例１〜５、比較例４〜５】１７５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムの両面に、有機硅素化合物
のブタノール，イソプロパノール混合アルコール水溶液
（濃度０．６重量％）をバーコーターで塗布し、１２０
℃で１分間乾燥した。乾燥後の膜厚は３０ｎｍであっ
た。Examples 1 to 5 and Comparative Examples 4 to 5 A 175 μm polyethylene terephthalate film was coated on both sides with an aqueous solution of an organic silicon compound butanol / isopropanol mixed alcohol (concentration: 0.6% by weight) using a bar coater.
It was dried at ℃ for 1 minute. The film thickness after drying was 30 nm.
【００３０】このフィルムを直流式マグネトロンスパッ
タ装置内の基板保持装置に固定した。そしてスパッタタ
ーゲットとしては、まず酸化インジウムを主成分とする
焼結体（SnＯ2 ５wt％）よりなるターゲットを設置し
た。さらにそのターゲット上には、５ｍｍ角の酸化チタ
ン（TiＯ2 ）のペレットも等間隔で配置した。This film was fixed to a substrate holding device in a DC magnetron sputtering device. As the sputter target, first, a target made of a sintered body (SnO 2 5 wt%) containing indium oxide as a main component was set. Further, 5 mm square titanium oxide (TiO 2 ) pellets were also arranged on the target at equal intervals.
【００３１】そして、真空度２．７ｍPaまで真空槽内を
排気した。その後、Ar／Ｏ2 混合ガス（Ｏ2 １．５％）
を槽内に導入し、真空度を０．６７Paに保った後、スパ
ッタリング法によりTiＯ2 を含有し、５５０ｎｍでの吸
収率が２．０％となるＩＴＯの透明導電膜を形成した。
ここで酸化チタンペレットの数を変えることで、TiＯ２
含有量を調整し、実施例１〜５および比較例４〜５のサ
ンプルを得た。Then, the vacuum chamber was evacuated to a vacuum degree of 2.7 mPa. After that, Ar / O 2 mixed gas (O 2 1.5%)
Was introduced into the chamber and the degree of vacuum was maintained at 0.67 Pa. Then, a transparent conductive film of ITO containing TiO 2 and having an absorptance of 2.0% at 550 nm was formed by a sputtering method.
By changing the number of titanium oxide pellets here, TiO2
The content was adjusted and the sample of Examples 1-5 and Comparative Examples 4-5 was obtained.
【００３２】そして得られたサンプルについて、ＩＴＯ
膜の膜厚、TiＯ2 含有量、スパッタ直後のシート抵抗
値、５５０ｎｍでの光透過率、耐熱性、耐湿性、そして
耐打鍵性（スイッチ寿命）を調べた。その結果を表１に
示す。Then, for the obtained sample, ITO
The film thickness, TiO 2 content, sheet resistance immediately after sputtering, light transmittance at 550 nm, heat resistance, humidity resistance, and keystroke resistance (switch life) were examined. The results are shown in Table 1.
【００３３】ここで耐熱性は、９０℃で１０００時間の
熱負荷をかける前後で抵抗値の変化を調べることにより
行った。表１には、熱負荷後の抵抗値を熱負荷前の抵抗
値で割った値を示す。The heat resistance was determined by examining the change in resistance value before and after applying a heat load at 90 ° C. for 1000 hours. Table 1 shows a value obtained by dividing the resistance value after the heat load by the resistance value before the heat load.
【００３４】また耐湿性は、６０℃、相対湿度９０％で
１０００時間の湿度負荷をかける前後での、抵抗値の変
化を調べることにより行った。表１には、湿度負荷後の
抵抗値を湿度負荷前の抵抗値で割った値を示す。The moisture resistance was determined by examining the change in resistance value before and after applying a humidity load of 1000 hours at 60 ° C. and a relative humidity of 90%. Table 1 shows a value obtained by dividing the resistance value after the humidity load by the resistance value before the humidity load.
【００３５】さらに耐打鍵性（スイッチ寿命）は、各サ
ンプルについて導電面同士をスペーサにより１００μｍ
間隔になるように対向させた透明スイッチを作製し、そ
の耐久性を以下のようにして評価して行った。Further, the keying resistance (switch life) is 100 μm between the conductive surfaces of each sample due to the spacers.
Transparent switches were made to face each other at intervals, and their durability was evaluated as follows.
【００３６】先ずは、先端が７Ｒのシリコンゴム製のロ
ッド（重さ２００ｇ）を、連続的にソレノイドで透明ス
イッチ上に自由落下させた（繰り返し周波数３Ｈｚ）。
その際に、ロッドが落下する毎にスイッチが押され、定
電流電源により１ｍＡの電流がスイッチに流れるように
して、透明スイッチが押された時のそのパルス状の波形
をシンクロスコープにより観察しながら、スイッチ寿命
を調べた。パルス状の波形が観測されなくなった時の押
印回数をスイッチ寿命と定義する。First, a rod made of silicone rubber having a tip of 7R (weight: 200 g) was continuously dropped by a solenoid onto a transparent switch (repetition frequency: 3 Hz).
At that time, the switch is pushed every time the rod is dropped, and the constant current power supply causes a current of 1 mA to flow through the switch, while observing the pulse-like waveform when the transparent switch is pushed by the synchroscope. I checked the switch life. The life of the switch is defined as the number of impressions when the pulsed waveform is no longer observed.
【００３７】[0037]
【実施例６】ポリエチレンテレフタレートフィルムの変
わりに、厚み１２５μｍのポリカーボネートフィルムを
用いた以外は、実施例２と同じ条件で、透明導電性フィ
ルムを作製して評価した。Example 6 A transparent conductive film was prepared and evaluated under the same conditions as in Example 2 except that a polycarbonate film having a thickness of 125 μm was used instead of the polyethylene terephthalate film.
【００３８】[0038]
【比較例１〜３および６〜９】酸化チタンペレットを用
いない以外は、実施例１〜５あるいは比較例４〜５と同
じ条件で、透明導電性フィルムを作製して評価した。[Comparative Examples 1 to 3 and 6 to 9] A transparent conductive film was prepared and evaluated under the same conditions as in Examples 1 to 5 or Comparative Examples 4 to 5 except that titanium oxide pellets were not used.
【００３９】[0039]
【表１】 [Table 1]
【００４０】[0040]
【発明の効果】表１にも示したように、本発明によれば
好ましいシート抵抗値が得られ、なおかつ透過率、耐熱
性、耐湿性、さらに耐打鍵性にも優れた透明導電性積層
体を、有機高分子形成物上に透明導電層を設けた構成に
おいて得ることができる。こうした透明導電性積層体
は、低消費電力アナログ方式透明デジタイザーの入力素
子用等に大変有用な物である。As shown in Table 1, according to the present invention, a transparent electroconductive laminate having a preferable sheet resistance value and having excellent transmittance, heat resistance, moisture resistance and keystroke resistance is obtained. Can be obtained in a structure in which a transparent conductive layer is provided on an organic polymer formed product. Such a transparent conductive laminate is very useful for an input element of a low power consumption analog type transparent digitizer.
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年８月２４日[Submission date] August 24, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００３９[Correction target item name] 0039
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００３９】[0039]
【表１】 [Table 1]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷田部 俊明 東京都日野市旭が丘４丁目３番２号 帝人 株式会社東京研究センター内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Toshiaki Yatabe 4-3-2 Asahigaoka, Hino City, Tokyo Teijin Limited Tokyo Research Center
Claims (5)
明導電層を、有機高分子成形物上に形成してなる透明導
電積層体において、透明導電層が、透明導電性の金属酸
化物薄膜中に、SiＯ2 、TiＯ2 、Al2 Ｏ3 、ZrＯ2 、Mg
Ｏ、ZnＯから選ばれた少なくとも１種類の金属酸化物
を、原子組成比で０．５〜２％添加した物であることを
特徴とする透明導電性積層体。1. A transparent conductive layered body formed by forming a transparent conductive layer comprising a transparent conductive metal oxide thin film on an organic polymer molding, wherein the transparent conductive layer is a transparent conductive metal oxide thin film. Inside, SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , Mg
A transparent conductive laminate, comprising at least one metal oxide selected from O and ZnO added in an atomic composition ratio of 0.5 to 2%.
る金属酸化物が、TiＯ2 であることを特徴とする請求項
１記載の透明導電性積層体。2. The transparent conductive laminate according to claim 1, wherein the metal oxide added to the transparent conductive metal oxide thin film is TiO 2 .
てインジウム金属酸化物（In2 Ｏ3 ）からなることを特
徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の透明導電性積
層体。3. The transparent conductive laminate according to claim 1, wherein the transparent conductive metal oxide thin film is mainly composed of indium metal oxide (In 2 O 3 ).
てスズ金属酸化物（SnＯX 、ただし１≦ｘ≦２）からな
ることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の透
明導電性積層体。4. The transparent conductive metal oxide thin film according to claim 1, wherein the transparent conductive metal oxide thin film is mainly made of tin metal oxide (SnO x , where 1 ≦ x ≦ 2). Conductive laminate.
てインジウム金属酸化物（In2 Ｏ3 ）とスズ金属酸化物
（SnＯX 、ただし１≦ｘ≦２）とからなることを特徴と
する請求項１〜２のいずれかに記載の透明導電性積層
体。5. The transparent conductive metal oxide thin film is mainly composed of indium metal oxide (In 2 O 3 ) and tin metal oxide (SnO x , where 1 ≦ x ≦ 2). The transparent conductive laminate according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13842793A JP3349194B2 (en) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | Transparent conductive laminate |
Applications Claiming Priority (1)
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349338A true JPH06349338A (en) | 1994-12-22 |
| JP3349194B2 JP3349194B2 (en) | 2002-11-20 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13842793A Expired - Fee Related JP3349194B2 (en) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | Transparent conductive laminate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3349194B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006318803A (en) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Sony Corp | Transparent electrode film and manufacturing method of the same |
| EP1923737A1 (en) * | 2006-11-20 | 2008-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor substrate and method of producing the same |
| EP1981089A2 (en) | 2002-10-04 | 2008-10-15 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent electrode film based on indium oxide with titanium and tungsten admixtures and manufacturing method thereof |
| US8148879B2 (en) | 2008-05-29 | 2012-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sheet-type vibrator and acoustic apparatus |
| JP2012107336A (en) * | 2010-05-06 | 2012-06-07 | Toyobo Co Ltd | Transparent conductive film and method for producing same |
| US8363863B2 (en) | 2008-05-29 | 2013-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric speaker, speaker apparatus, and tactile feedback apparatus |
| JP2014007100A (en) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Geomatec Co Ltd | Transparent conductive film and method for producing the same |
-
1993
- 1993-06-10 JP JP13842793A patent/JP3349194B2/en not_active Expired - Fee Related
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| KR101300183B1 (en) * | 2006-11-20 | 2013-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film transistor substrate and method for fabricating the same |
| US8148879B2 (en) | 2008-05-29 | 2012-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sheet-type vibrator and acoustic apparatus |
| US8363863B2 (en) | 2008-05-29 | 2013-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric speaker, speaker apparatus, and tactile feedback apparatus |
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| JP2014007100A (en) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Geomatec Co Ltd | Transparent conductive film and method for producing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3349194B2 (en) | 2002-11-20 |
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