JP2002185045A - Led、及びこれを用いた表示装置、照明装置、液晶のバックライト装置ならびに投影装置の光源装置 - Google Patents
Led、及びこれを用いた表示装置、照明装置、液晶のバックライト装置ならびに投影装置の光源装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高輝度のLED、及びこれを用いた表示装
置、照明装置、液晶のバックライト装置ならびに投影装
置の光源装置を提供すること。 【解決手段】 サファイア基板上に構成したLEDにお
いてサファイア基板を封止材の一部とすると共に光を取
り出す窓とする。
置、照明装置、液晶のバックライト装置ならびに投影装
置の光源装置を提供すること。 【解決手段】 サファイア基板上に構成したLEDにお
いてサファイア基板を封止材の一部とすると共に光を取
り出す窓とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LED(発光ダイ
オード)及びこれを用いた表示装置、照明装置、液晶の
バックライト装置ならびに投影装置の光源装置に関す
る。
オード)及びこれを用いた表示装置、照明装置、液晶の
バックライト装置ならびに投影装置の光源装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図11に一般的に砲弾型とよばれる、従
来のLED構造の一例を示す。図11において601は
LEDチップ、602はLEDチップ601の電極より
取り出したボンディングワイヤ、603はLEDチップ
601の反射鏡を兼ねた電極リード、604はLEDチ
ップ601の電極からとりだしたボンディングワイヤ、
605は電極リード、606はチップを封止する透明な
プラスチックによる封止材である。
来のLED構造の一例を示す。図11において601は
LEDチップ、602はLEDチップ601の電極より
取り出したボンディングワイヤ、603はLEDチップ
601の反射鏡を兼ねた電極リード、604はLEDチ
ップ601の電極からとりだしたボンディングワイヤ、
605は電極リード、606はチップを封止する透明な
プラスチックによる封止材である。
【0003】LEDチップ601の発光層で発生した光
は等方的に発し、LEDチップ601から発した光の一
部は有効な光としてLEDチップ601の前方(図11
では図の上方)に向かい透明なプラスチック材料により
レンズ状に構成された透明な封止材606によりLED
チップ601前方に向かって集光され、発光光束が有効
に放射されるような構成となっている。また、側面前方
向に発した光も透明なプラスチック材料によりレンズ状
に構成された透明な封止材606によりLEDチップ6
01前方に向かって集光され、発光光束が有効に放射さ
れるような構成となっている。
は等方的に発し、LEDチップ601から発した光の一
部は有効な光としてLEDチップ601の前方(図11
では図の上方)に向かい透明なプラスチック材料により
レンズ状に構成された透明な封止材606によりLED
チップ601前方に向かって集光され、発光光束が有効
に放射されるような構成となっている。また、側面前方
向に発した光も透明なプラスチック材料によりレンズ状
に構成された透明な封止材606によりLEDチップ6
01前方に向かって集光され、発光光束が有効に放射さ
れるような構成となっている。
【0004】一方、LEDチップ601後方(図11に
おいては図の下方)に向かって発した光は電極と兼用さ
れた内面が凹面となった金属性の反射鏡を兼ねた電極リ
ード603により反射されLEDチップ601前方に向
かう有効な光として透明なプラスチック封止材606を
通して放出される。
おいては図の下方)に向かって発した光は電極と兼用さ
れた内面が凹面となった金属性の反射鏡を兼ねた電極リ
ード603により反射されLEDチップ601前方に向
かう有効な光として透明なプラスチック封止材606を
通して放出される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような一般的に砲
弾型とよばれるLEDにおいては、発光するLEDチッ
プ601は反射鏡を兼ねた電極リード603の中に取り
付けられており、高輝度のLEDを要求する場合、その
機械的スペースからLEDチップ601のサイズを大き
くすることが困難である。またLEDチップ601全体
でレンズ効果を確保するため透明なプラスチック材料の
封止材606で取り囲むためチップと空気間の熱抵抗が
大きくなり放熱が悪くなり、温度上昇による信頼性の低
下からそのチップに対する入力電流が制限される。ま
た、それに伴いLEDチップ601の温度上昇による発
光効率の低下をきたすことになり高輝度のLEDを得る
ことが困難である。また、これらのLEDを組み合わ
せ、表示装置を構成する場合各々のLEDとして高輝度
のLEDが得られず、一つの画素を構成する際に多数の
個体LEDを組み合わせる必要が生じ、その為装置全体
の大きさは大きくなり、小型の表示装置を構成すること
は困難であった。
弾型とよばれるLEDにおいては、発光するLEDチッ
プ601は反射鏡を兼ねた電極リード603の中に取り
付けられており、高輝度のLEDを要求する場合、その
機械的スペースからLEDチップ601のサイズを大き
くすることが困難である。またLEDチップ601全体
でレンズ効果を確保するため透明なプラスチック材料の
封止材606で取り囲むためチップと空気間の熱抵抗が
大きくなり放熱が悪くなり、温度上昇による信頼性の低
下からそのチップに対する入力電流が制限される。ま
た、それに伴いLEDチップ601の温度上昇による発
光効率の低下をきたすことになり高輝度のLEDを得る
ことが困難である。また、これらのLEDを組み合わ
せ、表示装置を構成する場合各々のLEDとして高輝度
のLEDが得られず、一つの画素を構成する際に多数の
個体LEDを組み合わせる必要が生じ、その為装置全体
の大きさは大きくなり、小型の表示装置を構成すること
は困難であった。
【0006】近年、青色LEDの実用化により、補色蛍
光体と組み合わせ白色の発光の実用化に伴い液晶表示装
置のバックライトまたは照明装置としての実用化も進ん
でいる。しかし発光面積が小さくかつ輝度も十分満足で
きるものでなく複数のLEDを組み合わせまたは特殊な
導光板等を組み合わせ実用化されているが部品点数の増
加や発光面積の不足及び輝度の不足等の課題を有する。
また高輝度化の進展に伴い投影装置の光源としての応用
も検討されているがその輝度は十分なものが得られてい
ない。
光体と組み合わせ白色の発光の実用化に伴い液晶表示装
置のバックライトまたは照明装置としての実用化も進ん
でいる。しかし発光面積が小さくかつ輝度も十分満足で
きるものでなく複数のLEDを組み合わせまたは特殊な
導光板等を組み合わせ実用化されているが部品点数の増
加や発光面積の不足及び輝度の不足等の課題を有する。
また高輝度化の進展に伴い投影装置の光源としての応用
も検討されているがその輝度は十分なものが得られてい
ない。
【0007】本発明は、高輝度のLED及びこれを用い
た表示装置、照明装置、液晶のバックライト装置、及び
投影装置の光源装置を提供することを目的とする。
た表示装置、照明装置、液晶のバックライト装置、及び
投影装置の光源装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、サファイア基
板上にLEDを構成し、LEDを構成したサファイア基
盤を封止材の一部とすると共に光を取り出す窓とした構
成とするものである。またサファイア基盤に相対する封
止材の内面を反射率の高い材料とし、さらに内面形状を
球面または放物面又は双曲面等の曲面の一部を含む凹面
にするものである。またサファイア基盤に相対する封止
材の材質を熱抵抗の低い金属としさらにチップ空気間の
熱抵抗を下げる構成とするものである。
板上にLEDを構成し、LEDを構成したサファイア基
盤を封止材の一部とすると共に光を取り出す窓とした構
成とするものである。またサファイア基盤に相対する封
止材の内面を反射率の高い材料とし、さらに内面形状を
球面または放物面又は双曲面等の曲面の一部を含む凹面
にするものである。またサファイア基盤に相対する封止
材の材質を熱抵抗の低い金属としさらにチップ空気間の
熱抵抗を下げる構成とするものである。
【0009】
【発明の実施の形態】請求項1に記載の発明は、サファ
イア基板上にLEDを構成し、前記サファイア基板を封
止材の一部とするとともに前記LEDが発光した光の取
り出し窓としたことを特徴とするLEDであり、材料部
品数を削減し光の取り出し窓として効率的に光を取り出
すと共にLEDチップからの放熱を良くする作用を有す
る。
イア基板上にLEDを構成し、前記サファイア基板を封
止材の一部とするとともに前記LEDが発光した光の取
り出し窓としたことを特徴とするLEDであり、材料部
品数を削減し光の取り出し窓として効率的に光を取り出
すと共にLEDチップからの放熱を良くする作用を有す
る。
【0010】請求項2に記載の発明は、前記サファイア
基板を除く封止材の一部または全部の内面を白色または
鏡面又は反射率の高い材料にしたことを特徴とする請求
項1記載のLEDであり、光の取り出し窓以外の方向に
輻射する光を反射し効率的に窓より光を取り出すという
作用を有する。
基板を除く封止材の一部または全部の内面を白色または
鏡面又は反射率の高い材料にしたことを特徴とする請求
項1記載のLEDであり、光の取り出し窓以外の方向に
輻射する光を反射し効率的に窓より光を取り出すという
作用を有する。
【0011】請求項3に記載の発明は、前記サファイア
基板に相対する封止材を反射率の高い金属材または内面
を鏡面加工した金属としたことを特徴とする請求項1ま
たは2記載のLEDであり、光の取り出し窓であるサフ
ァイア基板に相対する封止材を反射率の高い金属とする
ことによりとし光の取り出し窓以外の方向に輻射する光
を反射し効率的に窓より光を取り出すと共にサファイア
基板に相対する封止材を熱伝導率の大きい金属にするこ
とにより熱抵抗を下げ放熱をよくするというという作用
を有する。
基板に相対する封止材を反射率の高い金属材または内面
を鏡面加工した金属としたことを特徴とする請求項1ま
たは2記載のLEDであり、光の取り出し窓であるサフ
ァイア基板に相対する封止材を反射率の高い金属とする
ことによりとし光の取り出し窓以外の方向に輻射する光
を反射し効率的に窓より光を取り出すと共にサファイア
基板に相対する封止材を熱伝導率の大きい金属にするこ
とにより熱抵抗を下げ放熱をよくするというという作用
を有する。
【0012】請求項4に記載の発明は、前記サファイア
基板に相対する封止材の内面形状を曲面の一部としたこ
とを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のLE
Dであり、光の取り出し窓であるサファイア基板に相対
する封止材の内面形状を曲面の一部とする構成により反
射した光を窓の方向に反射し効率的に窓より光を取り出
すという作用を有する。
基板に相対する封止材の内面形状を曲面の一部としたこ
とを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のLE
Dであり、光の取り出し窓であるサファイア基板に相対
する封止材の内面形状を曲面の一部とする構成により反
射した光を窓の方向に反射し効率的に窓より光を取り出
すという作用を有する。
【0013】請求項5に記載の発明は、前記サファイア
基板に相対する封止材の内面形状は球面又は放物面また
は双曲面の一部としたことを特徴とする請求項4記載の
LEDであり、光の取り出し窓であるサファイア基板に
相対する封止材の内面形状を球面又は放物面又は双曲面
の一部とする構成により反射した光を窓の方向に反射し
効率的に窓より光を取り出すという作用を有する。
基板に相対する封止材の内面形状は球面又は放物面また
は双曲面の一部としたことを特徴とする請求項4記載の
LEDであり、光の取り出し窓であるサファイア基板に
相対する封止材の内面形状を球面又は放物面又は双曲面
の一部とする構成により反射した光を窓の方向に反射し
効率的に窓より光を取り出すという作用を有する。
【0014】請求項6に記載の発明は、前記サファイア
基板上に構成したLEDがGaN系化合物半導体である
ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のL
EDであり、サファイアに近い格子定数のGaNで構成
されたLEDでありサファイア基板上に構成しやすいと
いう作用を有する。
基板上に構成したLEDがGaN系化合物半導体である
ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のL
EDであり、サファイアに近い格子定数のGaNで構成
されたLEDでありサファイア基板上に構成しやすいと
いう作用を有する。
【0015】請求項7に記載の発明は、前記サファイア
基板の表面側に蛍光体を配置することを特徴とする請求
項1から6のいずれかに記載のLEDであり、光の取り
出し窓であるサファイア基板の窓の近辺に蛍光体を配置
し発光色と異なる波長の光を有効に取り出すという作用
を有する。
基板の表面側に蛍光体を配置することを特徴とする請求
項1から6のいずれかに記載のLEDであり、光の取り
出し窓であるサファイア基板の窓の近辺に蛍光体を配置
し発光色と異なる波長の光を有効に取り出すという作用
を有する。
【0016】請求項8に記載の発明は、前記蛍光体は前
記サファイア基板の表面上に配置することを特徴とする
請求項1から7のいずれかに記載のLEDであり、光の
取り出し窓であるサファイア基板の表面上に蛍光体を構
成し、サファイア基板の平面性を利用し蛍光体を構成し
やすいという作用を有する。
記サファイア基板の表面上に配置することを特徴とする
請求項1から7のいずれかに記載のLEDであり、光の
取り出し窓であるサファイア基板の表面上に蛍光体を構
成し、サファイア基板の平面性を利用し蛍光体を構成し
やすいという作用を有する。
【0017】請求項9に記載の発明は、前記LEDが青
色もしくは紫色もしくは紫外のLEDでかつ蛍光体は前
記LEDの発光によって白色に蛍光を発する蛍光体であ
ることを特徴とする請求項7または8記載のLEDであ
り、LEDがサファイアの格子定数に近いGaNで構成
された青色または紫色又は紫外光LEDであり白色の蛍
光体と組み合わせることにより照明装置、液晶のバック
ライト装置等を構成しやすいという作用を有する。
色もしくは紫色もしくは紫外のLEDでかつ蛍光体は前
記LEDの発光によって白色に蛍光を発する蛍光体であ
ることを特徴とする請求項7または8記載のLEDであ
り、LEDがサファイアの格子定数に近いGaNで構成
された青色または紫色又は紫外光LEDであり白色の蛍
光体と組み合わせることにより照明装置、液晶のバック
ライト装置等を構成しやすいという作用を有する。
【0018】請求項10に記載の発明は、前記サファイ
ア基板相対する金属の封止材は前記LEDの電極の一つ
であることを特徴とする請求項3から9のいずれかに記
載のLEDであり、相対する封止材を金属とし電極の1
つと兼ねることにより材料の削減と放熱効果を良くする
という作用を有する。
ア基板相対する金属の封止材は前記LEDの電極の一つ
であることを特徴とする請求項3から9のいずれかに記
載のLEDであり、相対する封止材を金属とし電極の1
つと兼ねることにより材料の削減と放熱効果を良くする
という作用を有する。
【0019】請求項11に記載の発明は、請求項1から
10のいずれかに記載のLEDで構成された表示装置で
あり、高輝度で広い発光面積をもった表示装置を構成で
きるという作用を有する。
10のいずれかに記載のLEDで構成された表示装置で
あり、高輝度で広い発光面積をもった表示装置を構成で
きるという作用を有する。
【0020】請求項12に記載の発明は、請求項1から
10のいずれかに記載のLEDで構成された照明装置で
あり、高輝度で広い発光面積をもった照明装置を構成で
きるという作用を有する。
10のいずれかに記載のLEDで構成された照明装置で
あり、高輝度で広い発光面積をもった照明装置を構成で
きるという作用を有する。
【0021】請求項13に記載の発明は、請求項1から
10のいずれかに記載のLEDで構成された液晶のバッ
クライト装置であり、高輝度で広い発光面積をもったバ
ックライト照明装置を構成できるという作用を有する。
10のいずれかに記載のLEDで構成された液晶のバッ
クライト装置であり、高輝度で広い発光面積をもったバ
ックライト照明装置を構成できるという作用を有する。
【0022】請求項14に記載の発明は、請求項1から
10のいずれかに記載のLEDで構成された投影装置の
光源装置であり、高輝度で広い発光面積をもった投影装
置の光源を構成できるという作用を有する。
10のいずれかに記載のLEDで構成された投影装置の
光源装置であり、高輝度で広い発光面積をもった投影装
置の光源を構成できるという作用を有する。
【0023】
【実施例】以下実施例を説明する。図1は本発明の第1
の実施例におけるLEDの断面図であり、光を取り出す
窓としてサファイア基板を用い基板上にGaN青色LE
Dを構成したものである。
の実施例におけるLEDの断面図であり、光を取り出す
窓としてサファイア基板を用い基板上にGaN青色LE
Dを構成したものである。
【0024】図1において、101は基材であるサファ
イア基板、102はn−GaN層、103はn電極、1
04はボンディングワイヤ、105はInGaN層、1
06はp−AlGaN層、107はp−GaN層、10
8はp電極、109はボンディングワイヤ、110はサ
ファイア基板に相対する封止材、111はサファイア基
板101と封止材110を接合する封止材である。
イア基板、102はn−GaN層、103はn電極、1
04はボンディングワイヤ、105はInGaN層、1
06はp−AlGaN層、107はp−GaN層、10
8はp電極、109はボンディングワイヤ、110はサ
ファイア基板に相対する封止材、111はサファイア基
板101と封止材110を接合する封止材である。
【0025】サファイア基板101上にn−GaN層1
02、InGaN層105、p−AlGaN層106、
p−GaN層107、n電極103、p電極108によ
り構成された青色LEDでは、InGaN層105で発
光した光は等方的に発光される。ここで基板であるサフ
ァイア基板101は透明でありInGaN層105で発
光した光のうちサファイア基板101側へ向かう臨界角
以内の光はサファイア窓を通して取りだされる。
02、InGaN層105、p−AlGaN層106、
p−GaN層107、n電極103、p電極108によ
り構成された青色LEDでは、InGaN層105で発
光した光は等方的に発光される。ここで基板であるサフ
ァイア基板101は透明でありInGaN層105で発
光した光のうちサファイア基板101側へ向かう臨界角
以内の光はサファイア窓を通して取りだされる。
【0026】この際LEDチップはかかるサファイア基
板101上に構成されており、サファイア基板101と
密着性が良くなっている。一方サファイア基板101は
光の取りだし窓を兼ねており、直接外気に触れる構造と
なっている。したがってジャンクション空気間の熱抵抗
を低くすることが可能になる。また光の取りだし窓をサ
ファイア基板101とすることにより大きな面積のLE
Dチップ面積を確保することができ、かかるLEDに大
きな電流ことが可能なLED構成することが可能にな
る。この様に広いチップサイズに加え熱抵抗を下げる事
が可能になる為大きな電流を流せ、明るいLEDを構成
することができる。また熱抵抗が低い為チップ温度の上
昇による発光効率の低下が少なくなり高効率のLEDを
得ることが可能になる。
板101上に構成されており、サファイア基板101と
密着性が良くなっている。一方サファイア基板101は
光の取りだし窓を兼ねており、直接外気に触れる構造と
なっている。したがってジャンクション空気間の熱抵抗
を低くすることが可能になる。また光の取りだし窓をサ
ファイア基板101とすることにより大きな面積のLE
Dチップ面積を確保することができ、かかるLEDに大
きな電流ことが可能なLED構成することが可能にな
る。この様に広いチップサイズに加え熱抵抗を下げる事
が可能になる為大きな電流を流せ、明るいLEDを構成
することができる。また熱抵抗が低い為チップ温度の上
昇による発光効率の低下が少なくなり高効率のLEDを
得ることが可能になる。
【0027】図2は本発明の第2の実施例におけるLE
Dの断面図であり、図1の例と同じ構成部材については
共通の符号で指示する。
Dの断面図であり、図1の例と同じ構成部材については
共通の符号で指示する。
【0028】図2に示した例は、図1の構成に加えサフ
ァイア基板101に相対する封止材110の内面を反射
率の高い材料112で塗装やメッキ等の工法により覆っ
たものである。サファイア基板101に相対する封止材
110の内面を反射率の高い材料112で覆うことによ
りLEDより等方的に発光した光のうち直接窓側に向か
わず、サファイア基板101に相対する封止材110側
に向かった光を効果的に反射させ、サファイア窓を通し
て光が取り出せる。そのため更に効率良く光を取り出す
ことが可能になり明るいLEDが得ることが可能にな
る。
ァイア基板101に相対する封止材110の内面を反射
率の高い材料112で塗装やメッキ等の工法により覆っ
たものである。サファイア基板101に相対する封止材
110の内面を反射率の高い材料112で覆うことによ
りLEDより等方的に発光した光のうち直接窓側に向か
わず、サファイア基板101に相対する封止材110側
に向かった光を効果的に反射させ、サファイア窓を通し
て光が取り出せる。そのため更に効率良く光を取り出す
ことが可能になり明るいLEDが得ることが可能にな
る。
【0029】図3は本発明の第3の実施例におけるLE
Dの断面図であり、これは図1及び図2の構成に加えサ
ファイア基板101に相対する封止材113の内面を曲
面の一部とし反射率の高い材料114で覆ったものであ
る。サファイア基板101に相対する封止材113の内
面を反射率の高い材料114で覆うことによりLEDよ
り等方的に発光した光のうち直接窓側に向かわず、サフ
ァイア基板101に相対する封止材113側に向かう光
が相対する封止材113の内面の曲面で効果的にサファ
イア窓に対し垂直に近くなるように反射させることが可
能になり、サファイア基板101を通して効率的に光が
取り出せる。また、このとき、サファイア基板101に
相対する封止材113の内面形状を球面または放物面又
は双曲面の一部とすることにより更に効率良く光を取り
出すことが可能になる。
Dの断面図であり、これは図1及び図2の構成に加えサ
ファイア基板101に相対する封止材113の内面を曲
面の一部とし反射率の高い材料114で覆ったものであ
る。サファイア基板101に相対する封止材113の内
面を反射率の高い材料114で覆うことによりLEDよ
り等方的に発光した光のうち直接窓側に向かわず、サフ
ァイア基板101に相対する封止材113側に向かう光
が相対する封止材113の内面の曲面で効果的にサファ
イア窓に対し垂直に近くなるように反射させることが可
能になり、サファイア基板101を通して効率的に光が
取り出せる。また、このとき、サファイア基板101に
相対する封止材113の内面形状を球面または放物面又
は双曲面の一部とすることにより更に効率良く光を取り
出すことが可能になる。
【0030】図4は本発明の第4の実施例におけるLE
Dの断面図であり図1及び図2、図3の構成に加えサフ
ァイア基板101に相対する封止材115の材質を反射
率が高くかつ熱伝導率の高い金属にし内面を球面または
放物面または双曲面等の曲面の一部の形状としたもので
ある。このような構成では、封止材115を通じて熱を
空気中に放熱させることができ、熱抵抗を下げ、チップ
の温度上昇を防ぎ、駆動電流の増加による輝度の向上と
チップの温度上昇による発光効率の低下を防止しさらに
高効率で光を取り出すことが可能になる。また、このと
き、サファイア窓に相対する金属の封止材115をLE
D電極の一つと兼ねることにより接続材を通じて熱が金
属の封止材115に流れ、熱抵抗が低くなると共に、新
たな電極材が不要となり材料費の削減、LED体積の小
型化、が可能になる。
Dの断面図であり図1及び図2、図3の構成に加えサフ
ァイア基板101に相対する封止材115の材質を反射
率が高くかつ熱伝導率の高い金属にし内面を球面または
放物面または双曲面等の曲面の一部の形状としたもので
ある。このような構成では、封止材115を通じて熱を
空気中に放熱させることができ、熱抵抗を下げ、チップ
の温度上昇を防ぎ、駆動電流の増加による輝度の向上と
チップの温度上昇による発光効率の低下を防止しさらに
高効率で光を取り出すことが可能になる。また、このと
き、サファイア窓に相対する金属の封止材115をLE
D電極の一つと兼ねることにより接続材を通じて熱が金
属の封止材115に流れ、熱抵抗が低くなると共に、新
たな電極材が不要となり材料費の削減、LED体積の小
型化、が可能になる。
【0031】図5は本発明の第5の実施例におけるLE
Dの断面図である。
Dの断面図である。
【0032】図5に示すように前記の構成により得られ
た青色または紫色又は紫外のLEDと蛍光体116とそ
れを支える透明な構造体117と組み合わせることによ
り白色を含む多様な光を蛍光として効率良く得ることが
可能になる。
た青色または紫色又は紫外のLEDと蛍光体116とそ
れを支える透明な構造体117と組み合わせることによ
り白色を含む多様な光を蛍光として効率良く得ることが
可能になる。
【0033】図6は本発明の第6の実施例におけLED
の断面図である。
の断面図である。
【0034】図6に示すように本発明はLEDを構成す
るサファイア基板101を光の取り出し窓としているた
めサファイア基板101の表面は概ね平坦であり、図5
に示す蛍光116体を支える構造体として使うことがで
き。かつ平面性が良いためサファイア基板101の表面
に塗装等の方法で直接蛍光体118を構成することが可
能である。このことにより蛍光体118を支える構造体
が不要になり材料費の削減と共にサファイア窓を通過す
る光を有効に蛍光体が捕まえ、蛍光体118での蛍光が
効率よく発せられる。
るサファイア基板101を光の取り出し窓としているた
めサファイア基板101の表面は概ね平坦であり、図5
に示す蛍光116体を支える構造体として使うことがで
き。かつ平面性が良いためサファイア基板101の表面
に塗装等の方法で直接蛍光体118を構成することが可
能である。このことにより蛍光体118を支える構造体
が不要になり材料費の削減と共にサファイア窓を通過す
る光を有効に蛍光体が捕まえ、蛍光体118での蛍光が
効率よく発せられる。
【0035】図7は本発明の第7の実施例における表示
装置の構成図である。
装置の構成図である。
【0036】図7において、201,202,203
は、それぞれ本発明のサファイア基板を光の取り出し窓
とした赤色、緑色、青色のLEDである。このように赤
色のLED201、緑色のLED202、青色のLED
203を1組の画素とし、それぞれX方向204、Y方
向205の方向に配列して表示装置を構成すれば、従来
明るさが不足し複数のLEDを使用する必要がある場合
においても発光面積が広くかつ高効率が得られる為、少
ない部品で2次元の明るい表示装置を構成できる。また
蛍光体を組み合わせた本発明のLEDを表示装置に用い
れば多様な波長の光による表示装置を得ることができ
る。
は、それぞれ本発明のサファイア基板を光の取り出し窓
とした赤色、緑色、青色のLEDである。このように赤
色のLED201、緑色のLED202、青色のLED
203を1組の画素とし、それぞれX方向204、Y方
向205の方向に配列して表示装置を構成すれば、従来
明るさが不足し複数のLEDを使用する必要がある場合
においても発光面積が広くかつ高効率が得られる為、少
ない部品で2次元の明るい表示装置を構成できる。また
蛍光体を組み合わせた本発明のLEDを表示装置に用い
れば多様な波長の光による表示装置を得ることができ
る。
【0037】なお、この例では赤色のLED201、緑
色のLED202、青色のLED203を1組の画素と
し、それぞれX方向204、Y方向205の方向に配列
した2次元の表示装置について説明したが、同様にLE
D201,202,203を1次元に配列して1次元の
表示装置を構成できることは明白である。
色のLED202、青色のLED203を1組の画素と
し、それぞれX方向204、Y方向205の方向に配列
した2次元の表示装置について説明したが、同様にLE
D201,202,203を1次元に配列して1次元の
表示装置を構成できることは明白である。
【0038】図8は本発明の第8の実施例における照明
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【0039】図8において、301は本発明のサファイ
ア基板を光の取り出し窓とし、蛍光体を用いて構成した
白色のLED、302はLED301に電源を供給する
電源部、303は電源コード、304はLED301で
発した光をさらに効率よく集光する反射面を兼ねた傘で
ある。なお、図8の構成では、さらに明るさを得るた
め、複数のLEDを同時に用いている。
ア基板を光の取り出し窓とし、蛍光体を用いて構成した
白色のLED、302はLED301に電源を供給する
電源部、303は電源コード、304はLED301で
発した光をさらに効率よく集光する反射面を兼ねた傘で
ある。なお、図8の構成では、さらに明るさを得るた
め、複数のLEDを同時に用いている。
【0040】このように前述のLEDを使用し照明装置
を構成すれば、従来明るさが不足し複数のLEDを使用
する必要がある場合においても発光面積が広くかつ高効
率が得られる為、少ない部品で構成でき、明るい照明装
置を構成できる。また蛍光体を組み合わせた本発明のL
EDを表示装置に用いれば多様な波長の光による特殊な
照明環境の照明装置を得ることができる。
を構成すれば、従来明るさが不足し複数のLEDを使用
する必要がある場合においても発光面積が広くかつ高効
率が得られる為、少ない部品で構成でき、明るい照明装
置を構成できる。また蛍光体を組み合わせた本発明のL
EDを表示装置に用いれば多様な波長の光による特殊な
照明環境の照明装置を得ることができる。
【0041】図9は本発明の第9の実施例における液晶
のバックライト装置の断面図である。
のバックライト装置の断面図である。
【0042】図9において、101〜115は本発明の
サファイア基板を光の取り出し窓としたLED、118
は光の波長を変換する蛍光体、401及び402は画像
を構成し光を空間変調する液晶の透明電極及び偏向フィ
ルタを含む構成材、403は液晶、404は液晶403
の駆動電極である。
サファイア基板を光の取り出し窓としたLED、118
は光の波長を変換する蛍光体、401及び402は画像
を構成し光を空間変調する液晶の透明電極及び偏向フィ
ルタを含む構成材、403は液晶、404は液晶403
の駆動電極である。
【0043】p−GaN層107で発生した光は、直接
蛍光体118へ向かうものと、サファイア基板101に
相対する反射鏡を兼ねた封止材115で反射されたもの
とであり、蛍光体118で必要とする光に変換される。
蛍光体118で変換された光は、その上部にある透明電
極及びへ光フィルタを含む構成材401,402及び液
晶403により空間変調され、液晶を透過して表示が行
われる。
蛍光体118へ向かうものと、サファイア基板101に
相対する反射鏡を兼ねた封止材115で反射されたもの
とであり、蛍光体118で必要とする光に変換される。
蛍光体118で変換された光は、その上部にある透明電
極及びへ光フィルタを含む構成材401,402及び液
晶403により空間変調され、液晶を透過して表示が行
われる。
【0044】このように本発明のLEDを使用して液晶
のバックライト装置を構成すれば、従来明るさが不足し
複数のLEDを使用したり特殊な形状の導光板を使用す
る必要がある場合においても発光面積が広くかつ高効率
が得られる為、少ない部品で構成でき、明るい液晶バッ
クライト照明装置を構成できる。また蛍光体を組み合わ
せた本発明のLEDを表示装置に用いれば白色を始めと
して多様な波長の光による液晶バックライト照明装置を
得ることができる。
のバックライト装置を構成すれば、従来明るさが不足し
複数のLEDを使用したり特殊な形状の導光板を使用す
る必要がある場合においても発光面積が広くかつ高効率
が得られる為、少ない部品で構成でき、明るい液晶バッ
クライト照明装置を構成できる。また蛍光体を組み合わ
せた本発明のLEDを表示装置に用いれば白色を始めと
して多様な波長の光による液晶バックライト照明装置を
得ることができる。
【0045】図10は本発明の第10の実施例における
投射装置の構成図である。
投射装置の構成図である。
【0046】図10において、501は本発明のLE
D、502は蛍光体、503は空間変調を行う液晶素
子、504は液晶の電極、505は投射レンズ、506
は投影スクリーンである。本発明のLED501で発生
した光は、サファイア窓に設けられた蛍光体502で必
要とする色に変換される。蛍光体502で変換された光
は、その上部にある液晶503により空間変調される。
液晶を透過した光は、投射レンズ505により投影スク
リーン506上に投影され、光として表示が行われる。
D、502は蛍光体、503は空間変調を行う液晶素
子、504は液晶の電極、505は投射レンズ、506
は投影スクリーンである。本発明のLED501で発生
した光は、サファイア窓に設けられた蛍光体502で必
要とする色に変換される。蛍光体502で変換された光
は、その上部にある液晶503により空間変調される。
液晶を透過した光は、投射レンズ505により投影スク
リーン506上に投影され、光として表示が行われる。
【0047】このように、従来明るさが不足し複数のL
EDを使用する必要がある場合においても、本発明によ
るLEDを用いると、発光面積が広くかつ高効率が得ら
れる為、少ない部品で構成でき、明るい光源装置を構成
できる。また蛍光体を組み合わせた本発明のLEDを光
源に用いれば多様な波長の光による光源を得ることがで
きモノクロの液晶等と組み合わせ、ダイクロイックプリ
ズム等で合成すれば、フルカラーの投影装置を構成する
ことができる。
EDを使用する必要がある場合においても、本発明によ
るLEDを用いると、発光面積が広くかつ高効率が得ら
れる為、少ない部品で構成でき、明るい光源装置を構成
できる。また蛍光体を組み合わせた本発明のLEDを光
源に用いれば多様な波長の光による光源を得ることがで
きモノクロの液晶等と組み合わせ、ダイクロイックプリ
ズム等で合成すれば、フルカラーの投影装置を構成する
ことができる。
【0048】なお、この例では、液晶で空間変調を行う
例で説明したが、本発明のサファイア基板を光の取り出
し窓とした構成のアレーLEDを用い、直接LEDの輝
度変調を行っても同様の効果が得られることは明白であ
る。
例で説明したが、本発明のサファイア基板を光の取り出
し窓とした構成のアレーLEDを用い、直接LEDの輝
度変調を行っても同様の効果が得られることは明白であ
る。
【0049】
【発明の効果】以上のように本発明は、サファイア基板
上にLEDを構成し、前記サファイア基板を封止材の一
部とし、材料部品数を削減しかつ光の取り出し窓とする
ことにより、広い発光面積のLEDを構成でき、効率的
に光を取り出すことが可能で、かつLEDチップが直接
空気に触れるサファイア基板上にチップを構成する為放
熱効果が良く、大きな電流を流すことが可能になる。更
に放熱効果が良い為チップ温度の上昇による発光効率の
低下を防ぎ発光効率のよいLEDが得られる。また、大
きな発光面積で大きな電力入力に耐えかつ高効率により
高輝度のLEDを得ることが可能になる。
上にLEDを構成し、前記サファイア基板を封止材の一
部とし、材料部品数を削減しかつ光の取り出し窓とする
ことにより、広い発光面積のLEDを構成でき、効率的
に光を取り出すことが可能で、かつLEDチップが直接
空気に触れるサファイア基板上にチップを構成する為放
熱効果が良く、大きな電流を流すことが可能になる。更
に放熱効果が良い為チップ温度の上昇による発光効率の
低下を防ぎ発光効率のよいLEDが得られる。また、大
きな発光面積で大きな電力入力に耐えかつ高効率により
高輝度のLEDを得ることが可能になる。
【0050】また、光の取り出し窓であるサファイア基
板を除く封止材の内面を白色又は鏡面または反射率の高
い材料とすることにより、光の取り出し窓以外の方向に
輻射する光を効果的に反射し効率的に窓より光を取り出
すとことが可能となる。
板を除く封止材の内面を白色又は鏡面または反射率の高
い材料とすることにより、光の取り出し窓以外の方向に
輻射する光を効果的に反射し効率的に窓より光を取り出
すとことが可能となる。
【0051】また、光の取り出し窓であるサファイア基
板を除く封止材の内面を白色又は鏡面または反射率の高
い材料としかつ曲面にすることにより、光の取り出し窓
以外の方向に輻射する光を効果的に反射し効率的に窓よ
り光を取り出すとことが可能となる。
板を除く封止材の内面を白色又は鏡面または反射率の高
い材料としかつ曲面にすることにより、光の取り出し窓
以外の方向に輻射する光を効果的に反射し効率的に窓よ
り光を取り出すとことが可能となる。
【0052】また、光の取り出し窓であるサファイア基
板に相対する封止材を反射率の高い金属とすることによ
りとし新たな反射材を必要とせず、光の取り出し窓以外
の方向に輻射する光を効率的に反射し窓より効果的に光
を取り出し且つ熱伝導率の大きい金属にすることにより
放熱がよくなり、更に大きな電流を流すことが可能にな
る。また、放熱効果が良い為チップ温度の上昇による発
光効率の低下を押さえることができる。
板に相対する封止材を反射率の高い金属とすることによ
りとし新たな反射材を必要とせず、光の取り出し窓以外
の方向に輻射する光を効率的に反射し窓より効果的に光
を取り出し且つ熱伝導率の大きい金属にすることにより
放熱がよくなり、更に大きな電流を流すことが可能にな
る。また、放熱効果が良い為チップ温度の上昇による発
光効率の低下を押さえることができる。
【0053】また、サファイア基板上に構成するLED
はGaNで構成されたLEDであればサファイアの格子
定数に近い格子定数でありサファイア基板上に構成しや
すいという効果を有する。
はGaNで構成されたLEDであればサファイアの格子
定数に近い格子定数でありサファイア基板上に構成しや
すいという効果を有する。
【0054】また、上記の構成で得られた青色又は紫色
又は紫外のLEDとサファイア窓の近傍に構成された蛍
光体とで構成することにより白色を含む多様な波長の光
を効率的に取り出せる効果を有する。
又は紫外のLEDとサファイア窓の近傍に構成された蛍
光体とで構成することにより白色を含む多様な波長の光
を効率的に取り出せる効果を有する。
【0055】また、光の取り出し窓であるサファイア基
板の表面上に蛍光体を構成することにより、サファイア
基板の平面性を用いて蛍光体を塗布または付着させやす
く、かつ窓と蛍光体が密着しており蛍光効率が良いとい
う効果を有する。
板の表面上に蛍光体を構成することにより、サファイア
基板の平面性を用いて蛍光体を塗布または付着させやす
く、かつ窓と蛍光体が密着しており蛍光効率が良いとい
う効果を有する。
【0056】また、相対する封止材を金属とし電極の1
つと兼ねることにより材料の削減と放熱効果をあげると
いう効果を有する。
つと兼ねることにより材料の削減と放熱効果をあげると
いう効果を有する。
【0057】また、前記発明のLEDを使用すれば明る
く広い表示面積を持った表示装置を構成することができ
るという効果を有する。
く広い表示面積を持った表示装置を構成することができ
るという効果を有する。
【0058】また、前記発明のLEDを使用すれば明る
く、広い面積の発光部をもった照明装置を構成すること
ができるという効果を有する。
く、広い面積の発光部をもった照明装置を構成すること
ができるという効果を有する。
【0059】また、前記発明のLEDを光源に使用すれ
ば明るくかつ発光面積の広い液晶のバックライト照明装
置をを構成できるという効果を有する。
ば明るくかつ発光面積の広い液晶のバックライト照明装
置をを構成できるという効果を有する。
【0060】また、前記発明のLEDを光源に使用すれ
ばその高輝度性及び広い発光面積により明るい投射装置
を構成できるという効果を有する。
ばその高輝度性及び広い発光面積により明るい投射装置
を構成できるという効果を有する。
【図1】本発明の第1の実施例におけるLEDの断面図
【図2】本発明の第2の実施例におけるLEDの断面図
【図3】本発明の第3の実施例におけるLEDの断面図
【図4】本発明の第4の実施例におけるLEDの断面図
【図5】本発明の第5の実施例におけるLEDの断面図
【図6】本発明の第6の実施例におけるLEDの断面図
【図7】本発明の第7の実施例における表示装置の構成
図
図
【図8】本発明の第8の実施例における照明装置の断面
図
図
【図9】本発明の第9の実施例における液晶のバックラ
イト装置の断面図
イト装置の断面図
【図10】本発明の第10の実施例における投射装置の
構成図
構成図
【図11】従来のLEDの断面図
101 サファイア基板 102 n−GaN層 103 n電極 104 ボンディングワイヤ 105 InGaN層 106 p−AlGaN層 107 p−GaN層 108 p電極 109 ボンディングワイヤ 110 封止材 111 封止材 112 反射率の高い材料 113 封止材 114 反射率の高い材料 115 封止材 116 蛍光体 117 透明な構造体 118 蛍光体 201 赤色のLED 202 緑色のLED 203 青色のLED 301 白色のLED 302 電源部 303 電源コード 304 傘 401,402 構成材 403 液晶 404 駆動電極 501 LED 502 蛍光体 503 液晶素子 504 電極 505 投射レンズ 506 投影スクリーン 601 LEDチップ 602 ボンディングワイヤ 603 電極リード 604 ボンディングワイヤ 605 電極リード 606 封止材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/02 H01L 23/02 F Fターム(参考) 5C094 AA08 AA14 AA60 BA23 CA19 HA08 5F041 AA03 AA33 AA47 CA03 CA34 CA40 CA46 DA07 DA12 DA75 DA78 DA81 DB09 EE22 EE23 EE25 FF01 FF11 5G435 AA00 AA03 BB04 BB12 BB15 BB17 EE26 GG23 GG26 GG46 KK05 LL15
Claims (14)
- 【請求項1】サファイア基板上にLEDを構成し、前記
サファイア基板を封止材の一部とするとともに前記LE
Dが発光した光の取り出し窓としたことを特徴とするL
ED。 - 【請求項2】前記サファイア基板を除く封止材の一部ま
たは全部の内面を白色または鏡面又は反射率の高い材料
にしたことを特徴とする請求項1記載のLED。 - 【請求項3】前記サファイア基板に相対する封止材を反
射率の高い金属材または内面を鏡面加工した金属とした
ことを特徴とする請求項1または2記載のLED。 - 【請求項4】前記サファイア基板に相対する封止材の内
面形状を曲面の一部としたことを特徴とする請求項1か
ら3のいずれかに記載のLED。 - 【請求項5】前記サファイア基板に相対する封止材の内
面形状は球面又は放物面または双曲面の一部としたこと
を特徴とする請求項4記載のLED。 - 【請求項6】前記サファイア基板上に構成したLEDが
GaN系化合物半導体であることを特徴とする請求項1
から5のいずれかに記載のLED。 - 【請求項7】前記サファイア基板の表面側に蛍光体を配
置することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記
載のLED。 - 【請求項8】前記蛍光体は前記サファイア基板の表面上
に配置することを特徴とする請求項1から7のいずれか
に記載のLED。 - 【請求項9】前記LEDが青色もしくは紫色もしくは紫
外のLEDでかつ蛍光体は前記LEDの発光によって白
色に蛍光を発する蛍光体であることを特徴とする請求項
7または8記載のLED。 - 【請求項10】前記サファイア基板に相対する金属の封
止材は前記LEDの電極の一つであることを特徴とする
請求項3から9のいずれかに記載のLED。 - 【請求項11】請求項1から10のいずれかに記載のL
EDで構成されたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項12】請求項1から10のいずれかに記載のL
EDで構成された照明装置。 - 【請求項13】請求項1から10のいずれかに記載のL
EDで構成された液晶のバックライト装置。 - 【請求項14】請求項1から10のいずれかに記載のL
EDで構成された投影装置の光源装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000377000A JP2002185045A (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | Led、及びこれを用いた表示装置、照明装置、液晶のバックライト装置ならびに投影装置の光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000377000A JP2002185045A (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | Led、及びこれを用いた表示装置、照明装置、液晶のバックライト装置ならびに投影装置の光源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002185045A true JP2002185045A (ja) | 2002-06-28 |
Family
ID=18845780
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000377000A Pending JP2002185045A (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | Led、及びこれを用いた表示装置、照明装置、液晶のバックライト装置ならびに投影装置の光源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005302988A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 発光装置 |
JP2007142173A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Koha Co Ltd | 照明装置 |
JP2008066691A (ja) * | 2006-03-10 | 2008-03-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
JP2010170868A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Rohm Co Ltd | 照明装置 |
JP2014107502A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Citizen Holdings Co Ltd | 発光装置 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
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-
2000
- 2000-12-12 JP JP2000377000A patent/JP2002185045A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005302988A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 発光装置 |
JP4592320B2 (ja) * | 2004-04-12 | 2010-12-01 | 三菱電機株式会社 | 発光装置 |
JP2007142173A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Koha Co Ltd | 照明装置 |
JP2008066691A (ja) * | 2006-03-10 | 2008-03-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
JP2010170868A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Rohm Co Ltd | 照明装置 |
JP2014107502A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Citizen Holdings Co Ltd | 発光装置 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11796163B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-10-24 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
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