JP2002176020A

JP2002176020A - 基板処理装置および基板処理方法、ならびにデバイス製品の製造方法

Info

Publication number: JP2002176020A
Application number: JP2001259844A
Authority: JP
Inventors: Isato Iwamoto; 勇人岩元; Mitsuhiro Nishizaki; 光広西崎; Tsutomu Aisaka; 勉逢坂; Hitoshi Abe; 仁阿部; Toshihiko Amino; 利彦網野; Shin Uchida; 伸内田
Original assignee: Sony Corp; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Sony Corp; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-09-04
Filing date: 2001-08-29
Publication date: 2002-06-21

Abstract

(57)【要約】【課題】処理液供給完了後の液切れを向上することによ
り、基板を良好に処理することができるようにした基板
処理装置を提供する。【解決手段】基板の上面を遮蔽する遮蔽板２５０の中央
には、処理液供給ノズル３７０を通す貫通孔２５９が形
成されている。処理液供給ノズル３７０は、保持管部材
３７１に処理液チューブ３７８を内嵌した二重筒構造と
なっている。処理液供給ノズル３７０の先端は、テーパ
ー形状に成形されていて、実質的に水平面の無い尖った
形状となっている。この先端に吐出口３８７ａが形成さ
れている。処理液供給ノズル３７０の外側には、窒素ガ
スを基板に導くためのガス通路３８１が形成されてい
る。貫通孔２５０の開口周縁２０は面取りされている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置およびプラズマディスプレイ用ガラス基
板、ならびに光ディスク、磁気ディスクおよび光磁気デ
ィスク用基板に代表される基板を処理するための基板処
理装置および基板処理方法に関する。また、この発明
は、半導体装置、液晶表示装置、プラズマディスプレイ
装置、光ディスク、磁気ディスクおよび光磁気ディスク
に代表されるデバイス製品のための基板を処理すること
によってデバイス製品を製造するための方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置などのデバイ
ス製品の製造工程では、デバイス製品用の基板に処理液
（薬液または純水）を供給して基板の表面処理を行うた
めの基板処理装置が用いられる。基板を１枚ずつ処理す
る枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保
持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャッ
クに保持された基板の表面に薬液および純水を供給する
処理液ノズルとを備えている。この構成により、基板に
薬液および純水を順次供給することにより、基板表面の
薬液処理および水洗処理などを順に行うことができる。
水洗処理後には、スピンチャックを高速回転させること
によって、基板表面の水分を振り切って乾燥させる乾燥
工程が行われる。

【０００３】乾燥工程を効率的に行うために、基板の表
面に不活性ガスとしての窒素ガスが供給される場合があ
る。また、この窒素ガスの供給による基板表面の乾燥効
率をさらに高めるために、スピンチャックに保持された
基板に対向して遮蔽板が設けられる場合がある。この遮
蔽板は、乾燥工程において基板に接近した位置に配置さ
れ、基板上の空間を制限する。これにより、基板の表面
付近の空間が窒素ガス雰囲気で満たされるから、基板材
料と水分との反応に起因するウォーターマークの発生を
効果的に防止できる。

【０００４】遮蔽板を有する装置では、処理液ノズル
は、遮蔽板の中央を通るように設けられ、基板の回転中
心に向かって処理液を供給する。これにより、基板に供
給された処理液は、遠心力によって回転半径方向外方へ
と広がり、基板表面の処理に寄与する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図５は、遮蔽板の中央
を通して設けられる処理液ノズルの吐出口付近の構成例
を示す図である。この処理液ノズルは、保持管部材１に
処理液チューブ２を挿通した構成となっている。保持管
部材１および処理液チューブ２は、それぞれの下端に水
平面１ａ，２ａを有する。この水平面１ａ，２ａの存在
のために、処理液供給完了後の液切れが必ずしも良好で
はなく、水平面１ａ，２ａに処理液の液滴が残る。この
液滴は、乾燥工程時に基板を高速回転させると、基板表
面に落下し、リング状のパーティクルを発生させる。

【０００６】また、水平面１ａ，２ａに付着した液滴
は、乾燥工程時の気流によって、その周辺の隙間部に侵
入して残留し、パーティクルの原因となる。そこで、こ
の発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、処理液供
給完了後の液切れを向上することにより、基板を良好に
処理することができるようにした基板処理装置および基
板処理方法を提供することである。また、この発明の他
の目的は、デバイス製品用の基板の処理を良好に行うこ
とができ、これにより、デバイス製品の製造歩留まりを
向上できるデバイス製品の製造方法を提供することであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）の上面に処理液を供給して基板を処理する基板処
理装置であって、基板の上面に対向して設けられ、貫通
孔を有する対向部材（２５０）と、この対向部材の貫通
孔（２５９）に挿入して設けられ、実質的に水平面の無
い尖った先端に形成された吐出口（３７８ａ）から、基
板の上面に処理液を供給する処理液供給管（３７０）と
を含むことを特徴とする基板処理装置である。ただし、
括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要
素を表す。以下、この項において同じ。

【０００８】上記の構成によれば、基板の上面に対向し
て設けられる対向部材を貫通した処理液供給管の吐出口
は、実質的に水平面の無い尖った先端に形成されてい
る。そのため、処理液を基板の上面に供給した後には、
吐出口付近に処理液の液滴が残留することがない。すな
わち、処理液供給完了後の液切れが良い。これにより、
吐出口付近の液滴に起因するパーティクルの発生を抑制
でき、基板の処理品質を向上できる。

【０００９】具体的には、請求項２に記載されているよ
うに、上記処理液供給管の先端部は、先端に向かうに従
って管壁の厚みが漸減し、先端において管壁の厚みが実
質的に零になるテーパー部（１１，１２，２１，２３，
２４，２５）を有していることを特徴とする請求項１記
載の基板処理装置とすればよい。たとえば、処理液供給
管の先端部がペンシル形（円錐形状または多角錐形状）
に形成されていてもよい。この場合、処理液供給管の先
端部には、下方に向かうに従って管壁の外面から内面へ
と向かうテーパー面（１１，１２，２１，２４）が外側
に形成されることになる。

【００１０】また、処理液供給管の先端部の形状は、内
側にテーパー面（２３，２５）を有する形状でもよい。
すなわち、この場合のテーパー面は、下方に向かうに従
って、管壁の内面から外面へと向かう形状となる。さら
に、処理液供給管の先端部は、内側と外側とにそれぞれ
テーパー面（２１，２３，２４，２５）を有していて、
これらのテーパー面が吐出口の下端で出会って稜線（２
２）を形成するものであってもよい。

【００１１】なお、処理液供給管は、処理液が流通する
処理液チューブ（３７８）と、この処理液チューブが内
嵌された保持管部材（３７１）との二重筒構造となって
いてもよい。この場合には、保持管部材および処理液チ
ューブの吐出口側の各先端が、実質的に水平面のない尖
った形状に形成されていることが好ましい。なお、この
発明において、「実質的に水平面の無い尖った先端」と
は、本発明の意図する効果が達成される程度に先端が尖
っていればよい趣旨であり、先端に水平面が全くない場
合だけでなく、たとえば先端に小なるラウンドが形成さ
れている場合をも含む意義である。

【００１２】請求項３記載の発明は、上記処理液供給管
において、上記テーパー部（１１，１２）とこのテーパ
ー部に連なる直管部（１３，１４）との境界部（１５，
１６）が面取り（好ましくは、Ｒ面取り（曲面状の面取
り））されていることを特徴とする請求項２記載の基板
処理装置である。この構成によれば、テーパー部と直管
部との境界部を面取りすることによって、さらに液滴の
付着しにくい構造とすることができる。これにより、パ
ーティクルの発生をさらに確実に防止できる。

【００１３】請求項４記載の発明は、上記貫通孔におい
て基板の上面に対向する開口周縁（２０）が面取り（好
ましくは、Ｒ面取り）されていることを特徴とする請求
項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、対向部材に形成された貫通孔の開口
周縁が面取りされているので、この部分における液滴の
付着を防止できる。これにより、さらにパーティクルの
発生を抑制できる。

【００１４】請求項５記載の発明は、上記貫通孔を介し
て、上記対向部材と基板との間に不活性ガスを導入する
不活性ガス供給手段（３６５，３８１）をさらに含むこ
とを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基
板処理装置である。この構成では、基板と対向部材との
間に不活性ガスを導入することにより、基板の表面付近
を不活性ガス雰囲気として、基板表面の酸化等を防止で
きる。また、請求項６のように、請求項１ないし５のい
ずれかに記載の基板処置装置を用いて、基板を処理すれ
ば、処理液供給完了後の液切れを向上させて、基板を良
好に処理することができる。

【００１５】さらに、請求項７記載の発明のように、処
理液供給管によって基板へ処理液を供給する（処理液供
給工程）と同時に、不活性ガス供給手段によって貫通孔
を介して基板に不活性ガスを供給し（不活性ガス供給工
程）、これらの工程後に基板を乾燥させ（基板乾燥工
程）るとなお良い。このようにすれば、基板表面上にあ
る処理液の酸化を防止できるとともに、処理液供給工程
において処理液供給管の吐出口付近に発生しつつある処
理液の液滴を未然に強制落下させることができるので、
その後の基板乾燥工程において、基板上に処理液の液滴
が落下してパーティクルとなってしまうことをさらに防
止できる。

【００１６】請求項８記載の発明は、請求項１ないし５
のいずれかに記載の基板処置装置を用いて、デバイス製
品用の基板を処理する工程を含むデバイス製品の製造方
法である。この方法によれば、処理液供給完了後の液切
れがよいので、基板を良好に処理することができ、その
結果、デバイス製品の製造歩留まりを向上できる。請求
項９記載の発明は、上記処理液供給管によってデバイス
製品用の基板に処理液を供給する処理液供給工程と、こ
の処理液供給工程と同時に、上記不活性ガス供給手段に
よって上記貫通孔を介して上記デバイス製品用の基板に
不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、これら処
理液供給工程および不活性ガス供給工程の後に、上記デ
バイス製品用の基板を乾燥させる基板乾燥工程とを含む
ことを特徴とする請求項８に記載のデバイス製品の製造
方法である。

【００１７】この方法により、請求項７の発明に関連し
て述べたように、基板上に処理液の液滴が落下してパー
ティクルとなってしまうことを効果的に防止できる。こ
れにより、デバイス製品の製造歩留まりをさらに向上す
ることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体の構成を説
明するための図解的な断面図である。この基板処理装置
は、デバイス製品の一例としての半導体装置の製造工程
において用いられる。この基板処理装置は、デバイス製
品用の基板の一例である半導体ウエハ（以下、単に「ウ
エハＷ」という。）をほぼ水平に保持し、この保持した
ウエハＷのほぼ中心を通る鉛直軸線まわりに回転する周
縁部保持チャック２２１を処理カップ（図示せず）の中
に備えている。この周縁部保持チャック２２１に保持さ
れたウエハＷに対して、薬液としてのエッチング液によ
る処理（たとえば、洗浄処理）、純水による水洗処理、
およびウエハＷの表面の液滴を振り切って乾燥する乾燥
処理が行われる。

【００１９】周縁部保持チャック２２１は、回転駆動機
構としてのモータ２２２の駆動軸に結合されて回転され
るようになっている。モータ２２２の駆動軸は、中空軸
とされていて、その内部には、純水またはエッチング液
を供給することができる裏面リンスノズル２２３が挿通
されている。この裏面リンスノズル２２３は、周縁部保
持チャック２２１に保持されたウエハＷの裏面（下面）
中央に近接した位置に吐出口を有しており、この吐出口
からウエハＷの裏面中央に向けて純水またはエッチング
液を供給する中心軸ノズルの形態を有している。裏面リ
ンスノズル２２３には、純水供給源に接続された純水供
給バルブ２０１またはエッチング液供給源に接続された
エッチング液供給バルブ２０２を介して、純水またはエ
ッチング液が所要のタイミングで供給されるようになっ
ている。

【００２０】周縁部保持チャック２２１の上方には、周
縁部保持チャック２２１に保持されたウエハＷの中央に
向かって純水またはエッチング液を供給することができ
るノズル機構を下面中央付近に備えた円板状の遮蔽板２
５０が水平に設けられている。この遮蔽板２５０は、昇
降駆動機構２６０に結合されたアーム２７０の先端付近
に、鉛直軸まわりの回転が可能であるように取り付けら
れている。昇降駆動機構２６０は、支持筒２６１と、こ
の支持筒２６１に昇降自在に保持された中空の昇降軸２
６２と、この昇降軸２６２を昇降させるためのボールね
じ機構２６３とを備えている。昇降軸２６２の下端は、
ブラケット２６４に固定されており、このブラケット２
６４は、ボールねじ機構２６３のナット部２６３ａに固
定されている。ボールねじ機構２６３のねじ軸２６３ｂ
は、モータ２６３ｃによって回転駆動されるようになっ
ている。したがって、このモータ２６３ｃを正転／逆転
させることにより、昇降軸２６２が昇降し、この昇降軸
２６２の先端部に取り付けられたアーム２７０が昇降す
る。２６７は、純水やエッチング液の薬液の侵入を防ぐ
ためのベローズである。

【００２１】昇降軸２６２には、回転軸２７１が挿通さ
れている。この回転軸２７１は、昇降軸２６２の上端お
よび下端にそれぞれ配置された軸受け２７２，２７３に
よって回転自在に保持されている。回転軸２７１の下端
は、カップリング２７４を介して、ブラケット２６４に
取り付けられたモータ２７５の回転軸に結合されてい
る。また、回転軸２７１の上端には、プーリー２７６が
固定されていて、このプーリー２７６には、アーム２７
０の内部空間に配置されたタイミングベルト２７７が巻
き掛けられている。このタイミングベルト２７７は、遮
蔽板２５０の回転軸２５１に固定されたプーリー２５２
にも巻き掛けられている。したがって、モータ２７５を
回転駆動すれば、この回転は、回転軸２７１およびタイ
ミングベルト２７７などを介して遮蔽板２５０に伝達さ
れ、この遮蔽板２５０が鉛直軸まわりに回転（自転）す
ることになる。このようにして、遮蔽板２５０のための
回転駆動機構が構成されている。

【００２２】エッチング液をウエハＷに供給するときに
は、遮蔽板２５０は停止状態とされて、図示の上方位置
にある。そして、エッチング液による処理後のウエハＷ
に対して水洗処理（たとえば、純水による水洗）を行う
ときには、昇降駆動機構２６０がアーム２７０を下降さ
せることによって、遮蔽板２５０が周縁部保持チャック
２２１に保持されたウエハＷの表面（上面）に近接させ
られる（たとえば、遮蔽板２５０とウエハＷとのギャッ
プは５mm程度）。これとともに、モータ２７５が付勢さ
れて、遮蔽板２５０は、ウエハＷの近傍において、周縁
部保持チャック２２１とほぼ同じ速さで、この周縁部保
持チャック２２１と同じ方向に回転（たとえば、１５０
０ｒｐｍ程度）させられる。この水洗処理後には、昇
降駆動機構２６０がアーム２７０をさらに下降させるこ
とによって、遮蔽板２５０がウエハＷの表面にさらに接
近させられる（たとえば、遮蔽板２５０とウエハＷとの
ギャップは２．５mm程度）。これとともに、遮蔽板２５
０は、周縁部保持チャック２２１とほぼ同じ速さで、こ
の周縁部保持チャック２２１と同じ方向に高速回転（た
とえば、３０００ｒｐｍ程度）させられる。この状態
で、遮蔽板２５０の中央付近から窒素ガスがウエハＷと
遮蔽板２５０との間の制限された空間に供給される。こ
のようにして、周縁部保持チャック２２１の回転による
水切りと並行して、ウエハＷの表面付近を窒素雰囲気と
することにより、ウエハＷの表面を効率的に乾燥させる
ことができる。また、遮蔽板２５０が周縁部保持チャッ
ク２２１と同期回転されることにより、処理室内の気流
の乱れが防がれる。図２は、遮蔽板２５０の近傍の構
成を示す断面図である。タイミングベルト２７７からの
駆動力が与えられるプーリー２５２は、中空の回転軸２
５１に固定されている。回転軸２５１は、一対の軸受け
２５３などを介してホルダ部２５４に回転自在に保持さ
れた外筒２５５と、この外筒２５５に内嵌された内筒２
５６とからなる。ホルダ部２５４は、アーム２７０に固
定され、その下面から垂下している。

【００２３】内筒２５６の下端部は、外筒２５５よりも
下方に張り出していて、外筒２５５の外方に広がるフラ
ンジ２５７を形成している。このフランジ２５７に、遮
蔽板２５０が、ボルト２５８を用いて固定されている。
この遮蔽板２５０の中央には、内筒２５６の内部空間と
連通する貫通孔２５９が形成されている。アーム２７０
の上面には、内筒２５６の薄肉にされた上端部を全周に
渡って非接触状態で覆うとともに、中央に貫通孔３６１
が形成された取り付けブロック３６０が固定されてい
る。この取り付けブロック３６０には、側面から貫通孔
３６１まで貫通するガス通路３６２が形成されており、
また、その上面には、貫通孔３６１との間に段部３６３
が形成されている。ガス通路３６２には、管継ぎ手３６
４により、窒素ガス供給管３６５が接続されている。こ
の窒素ガス供給管３６５には、窒素ガス供給源から、窒
素ガス供給バルブ３６６を介して、所要のタイミングで
窒素ガスが供給される。

【００２４】一方、内筒２５６には、処理液供給ノズル
３７０が、内筒２５６とは非接触状態で挿通している。
より具体的には、処理液供給ノズル３７０は、内筒２５
６を挿通する保持管部材３７１と、この保持管部材３７
１に挿通されて内嵌された処理液チューブ３７８とを含
む二重筒構造となっている。処理液供給ノズル３７０
は、さらに、保持管部材３７１の上端部に形成されたフ
ランジ部３７２と、このフランジ部３７２の下面に形成
された段部３７３と、フランジ部３７２の上面に形成さ
れた処理液チューブ取り付け部３７４とを有している。
そして、段部３７３を取り付けブロック３６０の段部３
６３に嵌合させて内筒２５６に対する位置合わせが行わ
れた状態で、ボルト３７５によってフランジ部３７２を
取り付けブロック３６０の上面に固定することによっ
て、その取り付けが達成されるようになっている。

【００２５】保持管部材３７１の下端（先端）は、遮蔽
板２５０の中央の貫通孔２５９のやや上方に位置してい
る。処理液チューブ３７８の下端（先端）は、保持管部
材３７１の下端よりもわずかに下方に突出している。こ
のようにして、この処理液チューブ３７８の下端の吐出
口３７８ａから、周縁部保持チャック２２１に保持され
た状態のウエハＷの中心に向かって処理液（純水または
エッチング液）を供給できるようになっている。

【００２６】処理液チューブ３７８は、保持管部材３７
１に内嵌された状態で、処理液チューブ取り付け部３７
４によって固定されている。この処理液チューブ３７８
には、純水供給源からの純水を純水供給バルブ３７９を
介して供給することができ、エッチング液供給源からの
エッチング液をエッチング液供給バルブ３８０を介して
供給できるようになっている。窒素ガス供給管３６５か
らの窒素ガスは、取り付けブロック３６０のガス通路３
６２から、内筒２５６と処理液供給ノズル３７０の保持
管部材３７１との間に形成されたガス通路３８１に導か
れ、さらに、遮蔽板２５０の中央の貫通孔２５９からウ
エハＷの表面に向かって吹き出される。

【００２７】図３は、遮蔽板２５０の貫通孔２５９の近
傍の構成をさらに拡大して示す断面図である。処理液供
給ノズル３７０は、貫通孔２５９に挿入して設けられて
いる。この処理液供給ノズル３７０の先端（下端）はペ
ンシル形（すなわち、ほぼ円錐形状）に形成されてお
り、このペンシル形の先端に吐出口３７８ａが形成され
ている。より具体的には、保持管部材３７１および処理
液チューブ３７８の各先端（下端）がペンシル形に形成
されていて、処理液供給ノズル３７０は、実質的に水平
面の無い尖った形状に形成されている。すなわち、保持
管部材３７１および処理液チューブ３７８の先端部は、
それぞれ、先端に向かうに従って管壁の厚みが漸減し、
先端において管壁の厚みが実質的に零になるテーパー面
１１，１２を有している。これらのテーパー面１１，１
２は、先端に向かうに従って（すなわち、下方に向かう
に従って）管壁の外方から内方へと向かう形状となって
いる。

【００２８】このような構成の処理液供給ノズル３７０
では、吐出口３７８ａから処理液を吐出してウエハＷに
供給し、その後、この処理液の供給を停止すると、処理
液供給ノズル３７０の下端の液切りが良好に行われ、吐
出口３７８ａの付近に液滴が残留することがない。さら
に、この実施形態では、貫通孔２５９の開口周縁２０が
面取りされており、この開口周縁２０は、ウエハＷに接
近するに従って外方に広がるテーパー面をなしている。
これにより、遮蔽板２５０の貫通孔２５９付近に液滴が
付着することを防止することができる。なお、開口周縁
２０の面取りはＣ面取り（平面状の面取り）でもよい
が、Ｒ面取りされている方が好ましい。

【００２９】このようにして、処理液供給ノズル３７０
の付近における液滴の残留を防止できるので、ウエハＷ
を高速回転させて水切り乾燥を行う際に、液滴がウエハ
Ｗ上に落下することがない。これにより、ウエハＷの処
理品質を向上できる。また、処理液供給ノズル３７０の
先端をテーパー形状とし、貫通孔２５９の開口周縁２０
をテーパー形状に面取りしたことにより、ガス通路３８
１を通ってウエハＷ上の空間に供給される窒素ガスの流
れがスムーズになり、その滞留を防止することができ
る。これにより、処理液供給ノズル３７０の先端近傍で
の気流が安定するので、ウエハＷの表面から飛散した水
滴が処理液供給ノズル３７０の先端付近の部位に付着す
ることを防止できる。これによっても、パーティクルの
発生を抑制することができ、半導体装置の製造歩留まり
を向上できる。

【００３０】処理液供給ノズル３７０の先端付近におけ
る液滴の残留をより確実に防止するためには、保持管部
材３７１および処理液チューブ３７８の上記テーパー面
１１，１２と、その上方の直管部１３，１４との間の境
界部１５，１６には、面取り（好ましくは、Ｒ面取り）
を施しておくことが好ましい。なお、この実施形態にお
いては、ウエハＷにエッチング液や純水（処理液）が供
給されている間にも、窒素ガスは、ガス通路３８１を介
して遮蔽板２５０中央付近の貫通孔２５９から、ウエハ
Ｗと遮蔽板２５０との間の制限された空間に供給されて
いる。このようにすれば、ウエハＷの表面上にある処理
液の酸化を防止できるとともに、ウエハＷへの処理液供
給時に処理液供給ノズル３７０の吐出口付近に発生しつ
つある処理液の液滴を未然に強制落下させることができ
るので、その後のウエハＷの乾燥時において、ウエハＷ
上に処理液の液滴が落下してパーティクルとなってしま
うことをさらに効果的に防止できる。このことも、半導
体装置の製造歩留まりの向上に寄与している。

【００３１】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、上述の実施形態では、処理液供給ノズル３７
０の先端がペンシル形に形成されている例について説明
したが、この他にも、たとえば、図４(a)(b)(c)に示す
ような形態を採用することもできる。図４(a)では、処
理液供給ノズル３７０の先端が逆すり鉢状のテーパー面
３０を有している。すなわち、テーパー面３０は、保持
管部材３７１および処理液チューブ３７８の各先端を、
下方に向かうに従って管壁の外方から内方に向かうテー
パー形状に成形することによって形成されている。

【００３２】また、図４(b)では、処理液供給ノズル３
７０の先端部では、外側テーパー面２１と内側テーパー
面２３とが下端で出会って稜線２２を形成している。処
理液チューブ３７８の下端は、逆すり鉢状のテーパー形
状に成形されている。さらに、図４(c)では、保持管部
材３７１がペンシル形の外側テーパー面２４を下端に有
し、処理液チューブ３７８は、逆すり鉢状のテーパー面
２５を下端に有している。

【００３３】また、処理液ノズル３７０は二重筒構造と
する必要はない。たとえば、処理液チューブの先端を処
理液チューブ取り付け部３７４によって保持管部材３７
１の上端に固定して、この保持管部材３７１により処理
液を導く、単筒構造の処理液ノズルを構成してもよい。
なお、上記実施形態においては、ウエハＷにエッチング
液や純水が供給されている間、窒素ガスは、貫通孔２５
９からウエハＷと遮蔽板２５０との間の制限された空間
に供給されているが、特に窒素ガスが供給されていなく
てもよく、その後に、基板を乾燥させるときにのみ、ウ
エハＷと遮蔽板２５０との間の制限された空間に窒素ガ
スを供給するようにしてもよい。

【００３４】さらに、上記の実施形態では半導体装置を
製造するためにウエハＷの処理が行われる場合について
説明したが、この発明は、液晶表示装置、プラズマディ
スプレイ装置、光ディスク、磁気ディスクおよび光磁気
ディスクなどの他の種類のデバイス製品を製造するため
に、それらのデバイス製品に対応した基板を処理する場
合にも同様に適用することができる。その他、特許請
求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施
すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の全
体の構成を説明するための図解的な断面図である。

【図２】遮蔽板の近傍の構成を示す断面図である。

【図３】処理液ノズルの先端近傍の構成を拡大して示す
断面図である。

【図４】処理液ノズルの他の形態例を示す断面図であ
る。

【図５】遮蔽板の中央を貫通して設けられる処理液ノズ
ルの吐出口付近の従来の構成例を示す図である。

【符号の説明】

１１，１２テーパー面１３，１４直管部１５，１６境界部２０開口周縁２１外側テーパー面２２稜線２３内側テーパー面２４外側テーパー面２５テーパー面３０テーパー面２２１周縁部保持チャック２５０遮蔽板２５９貫通孔３６５窒素ガス供給管３６６窒素ガス供給バルブ３７０処理液ノズル３７０処理液供給ノズル３７１保持管部材３７８処理液チューブ３７８ａ吐出口３７９純水供給バルブ３８０エッチング液供給バルブ３８１ガス通路Ｗウエハ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ 1/1333 ５００ 1/1333 ５００Ｈ０１Ｊ 9/38 Ｈ０１Ｊ 9/38 ＡＨ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ (72)発明者西崎光広東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者逢坂勉東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者阿部仁東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者網野利彦京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者内田伸京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 2H088 FA18 FA21 FA30 HA01 MA20 2H090 HC18 JB02 JB03 JB04 JC19 3B201 AA02 AA03 AB01 AB34 BB92 BB93 CC01 CC13 5C012 BD05 5F043 EE07 EE08 EE27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の上面に処理液を供給して基板を処理
する基板処理装置であって、基板の上面に対向して設けられ、貫通孔を有する対向部
材と、この対向部材の貫通孔に挿入して設けられ、実質的に水
平面の無い尖った先端に形成された吐出口から、基板の
上面に処理液を供給する処理液供給管とを含むことを特
徴とする基板処理装置。
【請求項２】上記処理液供給管の先端部は、先端に向か
うに従って管壁の厚みが漸減し、先端において管壁の厚
みが実質的に零になるテーパー部を有していることを特
徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】上記処理液供給管において、上記テーパー
部とこのテーパー部に連なる直管部との境界部が面取り
されていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装
置。
【請求項４】上記貫通孔において基板の上面に対向する
開口周縁が面取りされていることを特徴とする請求項１
ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】上記貫通孔を介して、上記対向部材と基板
との間に不活性ガスを導入する不活性ガス供給手段をさ
らに含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか
に記載の基板処理装置。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の基板
処置装置を用いて、基板を処理することを特徴とする基
板処理方法。
【請求項７】上記処理液供給管によって基板に処理液を
供給する処理液供給工程と、この処理液供給工程と同時に、上記不活性ガス供給手段
によって上記貫通孔を介して基板に不活性ガスを供給す
る不活性ガス供給工程と、これら処理液供給工程および不活性ガス供給工程の後
に、基板を乾燥させる基板乾燥工程と、を含むことを特
徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】請求項１ないし５のいずれかに記載の基板
処置装置を用いて、デバイス製品用の基板を処理する工
程を含むデバイス製品の製造方法。
【請求項９】上記処理液供給管によってデバイス製品用
の基板に処理液を供給する処理液供給工程と、この処理液供給工程と同時に、上記不活性ガス供給手段
によって上記貫通孔を介して上記デバイス製品用の基板
に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、これら処理液供給工程および不活性ガス供給工程の後
に、上記デバイス製品用の基板を乾燥させる基板乾燥工
程と、を含むことを特徴とする請求項８に記載のデバイ
ス製品の製造方法。