JP2002164358A - 半導体装置用基材および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置用基材および半導体装置の製造方法Info
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 搬送が容易な半導体装置用基材およびそれを
用いた半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、長辺1aと短
辺1bとを有し、かつ有機物を含む、半導体素子搭載用
の板状の基材1上に、基材1と異なる線膨張係数Aを有
するソルダーレジスト5を形成する工程と、ソルダーレ
ジスト5が形成された基材1に、短辺1b方向に沿って
反りを与える工程と、反りが与えられた基材1を搬送す
る工程とを備える。
用いた半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、長辺1aと短
辺1bとを有し、かつ有機物を含む、半導体素子搭載用
の板状の基材1上に、基材1と異なる線膨張係数Aを有
するソルダーレジスト5を形成する工程と、ソルダーレ
ジスト5が形成された基材1に、短辺1b方向に沿って
反りを与える工程と、反りが与えられた基材1を搬送す
る工程とを備える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置用基
材および半導体装置の製造方法に関し、特に、所定の基
材上にソルダレジストが塗布される半導体装置用基材お
よびその基材を用いた半導体装置の製造方法に関するも
のである。
材および半導体装置の製造方法に関し、特に、所定の基
材上にソルダレジストが塗布される半導体装置用基材お
よびその基材を用いた半導体装置の製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の分野において、半導体
装置の需要が増加している。通常、半導体装置は、ガラ
スエポキシ基材などの絶縁性の基材上に銅などの金属か
らなる配線層を形成し、この配線層上に半導体素子を搭
載することにより構成される。半導体素子と配線層は、
はんだ、ボンディングワイヤなどにより接続される。こ
のとき、配線層表面の化学変化を防止し、かつ隣り合う
はんだ接合部同士のはんだブリッジを防止するためにい
わゆるソルダーレジストが基材上に形成される。
装置の需要が増加している。通常、半導体装置は、ガラ
スエポキシ基材などの絶縁性の基材上に銅などの金属か
らなる配線層を形成し、この配線層上に半導体素子を搭
載することにより構成される。半導体素子と配線層は、
はんだ、ボンディングワイヤなどにより接続される。こ
のとき、配線層表面の化学変化を防止し、かつ隣り合う
はんだ接合部同士のはんだブリッジを防止するためにい
わゆるソルダーレジストが基材上に形成される。
【0003】図13は、ソルダーレジストが形成された
従来の半導体装置用基材の斜視図である。図13を参照
して、半導体装置用基材10は、板状の基材1と、その
基材1上に形成されたソルダーレジスト5とを有する。
基材1はほぼ長方形状であり、長辺1aと短辺1bとを
有する。基材1は、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸さ
せて形成された、いわゆるガラスエポキシ基材からな
り、高い絶縁性を有する。基材1の表面にはプリント配
線層(図示せず)が形成されている。このプリント配線
層の表面を保護するためにソルダーレジスト5が基材1
の表面に塗布されている。ソルダーレジスト5は、たと
えばエポキシ樹脂からなり、ソルダーレジスト5には孔
5aが形成されている。孔5aは基材1の表面に形成さ
れたプリント配線層を露出させる。これにより、露出し
たプリント配線層と、その上に搭載される半導体素子と
を電気的に接続することができる。また、他の部分では
プリント配線層をソルダーレジスト5が覆っているた
め、プリント配線層表面の酸化を防ぐことができる。ソ
ルダーレジスト5は基材1の表面にスクリーン印刷によ
り形成される。
従来の半導体装置用基材の斜視図である。図13を参照
して、半導体装置用基材10は、板状の基材1と、その
基材1上に形成されたソルダーレジスト5とを有する。
基材1はほぼ長方形状であり、長辺1aと短辺1bとを
有する。基材1は、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸さ
せて形成された、いわゆるガラスエポキシ基材からな
り、高い絶縁性を有する。基材1の表面にはプリント配
線層(図示せず)が形成されている。このプリント配線
層の表面を保護するためにソルダーレジスト5が基材1
の表面に塗布されている。ソルダーレジスト5は、たと
えばエポキシ樹脂からなり、ソルダーレジスト5には孔
5aが形成されている。孔5aは基材1の表面に形成さ
れたプリント配線層を露出させる。これにより、露出し
たプリント配線層と、その上に搭載される半導体素子と
を電気的に接続することができる。また、他の部分では
プリント配線層をソルダーレジスト5が覆っているた
め、プリント配線層表面の酸化を防ぐことができる。ソ
ルダーレジスト5は基材1の表面にスクリーン印刷によ
り形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以下、従来技術で生じ
る問題について、図面を参照して説明する。
る問題について、図面を参照して説明する。
【0005】図14は、従来技術で生じる問題点を説明
するために示す基材の斜視図である。図14を参照し
て、通常、基材1とソルダーレジスト5との線膨張係数
は大きく異なる。具体的には、基材1はガラス繊維を含
むため線膨張係数が小さい。これに対して、ソルダーレ
ジスト5は有機物のみから構成されるため、ソルダーレ
ジスト5の線膨張係数は基材1の線膨張係数よりも大き
い。そのため、ソルダーレジスト5を形成した後の冷却
工程または、ソルダーレジスト5を形成した後のソルダ
ーレジスト5上に半導体素子を搭載するボンディングプ
ロセスの加熱および冷却により、基材1に反りが生じ
る。したがって、半導体装置用基材10をレール30上
に載置し、プッシャー40で押して矢印11で示す方向
に搬送することによりマガジン50に収納する場合に、
反りが生じて自動搬送が困難となる。その結果、搬送不
良となり、製造工程が煩雑化するという問題があった。
するために示す基材の斜視図である。図14を参照し
て、通常、基材1とソルダーレジスト5との線膨張係数
は大きく異なる。具体的には、基材1はガラス繊維を含
むため線膨張係数が小さい。これに対して、ソルダーレ
ジスト5は有機物のみから構成されるため、ソルダーレ
ジスト5の線膨張係数は基材1の線膨張係数よりも大き
い。そのため、ソルダーレジスト5を形成した後の冷却
工程または、ソルダーレジスト5を形成した後のソルダ
ーレジスト5上に半導体素子を搭載するボンディングプ
ロセスの加熱および冷却により、基材1に反りが生じ
る。したがって、半導体装置用基材10をレール30上
に載置し、プッシャー40で押して矢印11で示す方向
に搬送することによりマガジン50に収納する場合に、
反りが生じて自動搬送が困難となる。その結果、搬送不
良となり、製造工程が煩雑化するという問題があった。
【0006】そこで、この発明は上述のような問題点を
解決するためになされたものであり、搬送が容易な半導
体装置用基材およびその基材を用いた半導体装置の製造
方法を提供することを目的とするものである。
解決するためになされたものであり、搬送が容易な半導
体装置用基材およびその基材を用いた半導体装置の製造
方法を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明の1つの局面に
従った半導体装置の製造方法は、長辺と短辺とを有し、
かつ有機物を含む、半導体素子搭載用の板状の基材上
に、基材と異なる線膨張係数Aを有する層を形成する工
程と、層が形成された基材に、短辺方向に沿って反りを
与える工程と、反りが与えられた基材を搬送する工程と
を備える。
従った半導体装置の製造方法は、長辺と短辺とを有し、
かつ有機物を含む、半導体素子搭載用の板状の基材上
に、基材と異なる線膨張係数Aを有する層を形成する工
程と、層が形成された基材に、短辺方向に沿って反りを
与える工程と、反りが与えられた基材を搬送する工程と
を備える。
【0008】このような工程に従えば、短辺方向に沿っ
て反りが与えられるため、長辺方向に沿って基材が反る
ことはない。その結果、基材全体での反りを小さくする
ことができ、搬送が容易となる。
て反りが与えられるため、長辺方向に沿って基材が反る
ことはない。その結果、基材全体での反りを小さくする
ことができ、搬送が容易となる。
【0009】また好ましくは、短辺方向に沿って反りを
与える工程は、線膨張係数Aと基材の短辺方向の線膨張
係数Bとの差が相対的に大きく、線膨張係数Aと基材の
長辺方向の線膨張係数Cとの差が相対的に小さくなるよ
うに予め前記基材の線膨張係数を調整することを含む。
この場合、基材の線膨張係数を調整することだけでその
後の工程により基材に短辺方向に沿って反りを確実に与
えることができる。
与える工程は、線膨張係数Aと基材の短辺方向の線膨張
係数Bとの差が相対的に大きく、線膨張係数Aと基材の
長辺方向の線膨張係数Cとの差が相対的に小さくなるよ
うに予め前記基材の線膨張係数を調整することを含む。
この場合、基材の線膨張係数を調整することだけでその
後の工程により基材に短辺方向に沿って反りを確実に与
えることができる。
【0010】また好ましくは、予め基材の線膨張係数を
調整することは、長辺方向に延びる複数の第1の繊維と
短辺方向に延びる複数の第2の繊維とを基材内に配置
し、第1の繊維の密度と第2の繊維の密度とを調整する
ことにより長辺方向および短辺方向の線膨張係数を調整
することを含む。この場合、第1の繊維の密度と第2の
繊維の密度とを調整することだけで長辺方向および短辺
方向の線膨張係数を容易に制御することができる。
調整することは、長辺方向に延びる複数の第1の繊維と
短辺方向に延びる複数の第2の繊維とを基材内に配置
し、第1の繊維の密度と第2の繊維の密度とを調整する
ことにより長辺方向および短辺方向の線膨張係数を調整
することを含む。この場合、第1の繊維の密度と第2の
繊維の密度とを調整することだけで長辺方向および短辺
方向の線膨張係数を容易に制御することができる。
【0011】また好ましくは、第1および第2の繊維は
ガラス繊維であり、基材はガラス繊維を覆うマトリック
スのエポキシ樹脂を含む。
ガラス繊維であり、基材はガラス繊維を覆うマトリック
スのエポキシ樹脂を含む。
【0012】また好ましくは、短辺方向に沿って反りを
与える工程は、基材の短辺方向に反りが与えられるよう
に、基材の表面を押圧することを含む。この場合、表面
を押圧することにより、簡単な工程で基材の短辺方向に
沿って反りを与えることができる。
与える工程は、基材の短辺方向に反りが与えられるよう
に、基材の表面を押圧することを含む。この場合、表面
を押圧することにより、簡単な工程で基材の短辺方向に
沿って反りを与えることができる。
【0013】また好ましくは、短辺方向に沿って反りを
与える工程は、基材の短辺方向に反りが与えられるよう
に基材の表面を吸引することを含む。この場合、基材の
表面を吸引することにより、簡単な工程で基材の短辺方
向に沿って反りを与えることができる。
与える工程は、基材の短辺方向に反りが与えられるよう
に基材の表面を吸引することを含む。この場合、基材の
表面を吸引することにより、簡単な工程で基材の短辺方
向に沿って反りを与えることができる。
【0014】また好ましくは、短辺方向に沿って反りを
与える工程は、基材を加熱した後冷却するとともに基材
に反りを与えることを含む。この場合、加熱後の冷却と
ともに基材に反りを与えるため、基材に反りが与えられ
た後は基材が他の方向へ反ることが少なくなる。その結
果、確実に基材に反りを与えることができる。
与える工程は、基材を加熱した後冷却するとともに基材
に反りを与えることを含む。この場合、加熱後の冷却と
ともに基材に反りを与えるため、基材に反りが与えられ
た後は基材が他の方向へ反ることが少なくなる。その結
果、確実に基材に反りを与えることができる。
【0015】また好ましくは、層は、メラミン樹脂、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂からな
る群より選ばれた少なくとも1種を含む。この場合、こ
れらの樹脂はソルダーレジストを構成するため、基材上
にソルダーレジストを形成することができる。
ポキシ樹脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂からな
る群より選ばれた少なくとも1種を含む。この場合、こ
れらの樹脂はソルダーレジストを構成するため、基材上
にソルダーレジストを形成することができる。
【0016】また好ましくは、半導体装置の製造方法
は、層を形成する前に基材上に導電層を形成する工程を
さらに備え、層を形成する工程は、導電層の一部表面を
露出させるように層を形成することを含む。この場合、
層により導電層を保護することができるとともに、露出
させた導電層の一部表面に半導体素子を電気的に接続す
ることができる。
は、層を形成する前に基材上に導電層を形成する工程を
さらに備え、層を形成する工程は、導電層の一部表面を
露出させるように層を形成することを含む。この場合、
層により導電層を保護することができるとともに、露出
させた導電層の一部表面に半導体素子を電気的に接続す
ることができる。
【0017】また好ましくは、層を形成する工程は、導
電層が形成された基材上に、導電層に達する孔を有する
層を形成することを含む。半導体装置の製造方法は、孔
を介して導電層に電気的に接続するように基材上に半導
体素子を搭載する工程をさらに備える。この場合、孔を
介して導電層に電気的に接続するように基材上に半導体
素子を搭載することで、半導体装置が完成する。
電層が形成された基材上に、導電層に達する孔を有する
層を形成することを含む。半導体装置の製造方法は、孔
を介して導電層に電気的に接続するように基材上に半導
体素子を搭載する工程をさらに備える。この場合、孔を
介して導電層に電気的に接続するように基材上に半導体
素子を搭載することで、半導体装置が完成する。
【0018】この発明の別の局面に従った半導体装置の
製造方法は、有機物を含む、半導体素子搭載用の板状の
基材上に、基材とほぼ同一の線膨張係数を有する層を形
成する工程と、層が形成された基材を搬送する工程とを
備える。
製造方法は、有機物を含む、半導体素子搭載用の板状の
基材上に、基材とほぼ同一の線膨張係数を有する層を形
成する工程と、層が形成された基材を搬送する工程とを
備える。
【0019】このような工程に従えば、基材と、その上
に形成される層との線膨張係数がほぼ同一であるため、
この基材を加熱および冷却しても反りが生じることがな
い。そのため、基材の搬送が容易な半導体装置の製造方
法となる。
に形成される層との線膨張係数がほぼ同一であるため、
この基材を加熱および冷却しても反りが生じることがな
い。そのため、基材の搬送が容易な半導体装置の製造方
法となる。
【0020】また好ましくは、層はポリイミド樹脂を含
む。この場合、ポリイミド樹脂の線膨張係数は広範囲に
設定することができるのでポリイミド樹脂の線膨張係数
と基材の線膨張係数とをほぼ同一にすることができる。
む。この場合、ポリイミド樹脂の線膨張係数は広範囲に
設定することができるのでポリイミド樹脂の線膨張係数
と基材の線膨張係数とをほぼ同一にすることができる。
【0021】また好ましくは、層を形成する工程は、予
め基材の線膨張係数が調整された基材上に層を形成する
ことを含む。基材は長辺と短辺とを有する。予め基材の
線膨張係数を調整することは、長辺方向に延びる複数の
第1の繊維と短辺方向に延びる複数の第2の繊維とを基
材内に配置し、第1の繊維の密度と第2の繊維の密度と
を調整することにより長辺方向および短辺方向の線膨張
係数を調整することを含む。この場合、第1の繊維およ
び第2の繊維の密度を調整することにより、確実に基材
の線膨張係数の層の線膨張係数とほぼ同一にすることが
できる。
め基材の線膨張係数が調整された基材上に層を形成する
ことを含む。基材は長辺と短辺とを有する。予め基材の
線膨張係数を調整することは、長辺方向に延びる複数の
第1の繊維と短辺方向に延びる複数の第2の繊維とを基
材内に配置し、第1の繊維の密度と第2の繊維の密度と
を調整することにより長辺方向および短辺方向の線膨張
係数を調整することを含む。この場合、第1の繊維およ
び第2の繊維の密度を調整することにより、確実に基材
の線膨張係数の層の線膨張係数とほぼ同一にすることが
できる。
【0022】また好ましくは、第1および第2の繊維は
ガラス繊維であり、基材はガラス繊維を覆うマトリック
スのエポキシ樹脂を含む。
ガラス繊維であり、基材はガラス繊維を覆うマトリック
スのエポキシ樹脂を含む。
【0023】また好ましくは、半導体装置の製造方法
は、層を形成する前に基材上に導電層を形成する工程を
さらに備える。層を形成する工程は、導電層の一部表面
を露出させるように層を形成することを含む。この場
合、層により導電層を保護することができるとともに、
露出させた導電層の一部表面に半導体素子を電気的に接
続することができる。
は、層を形成する前に基材上に導電層を形成する工程を
さらに備える。層を形成する工程は、導電層の一部表面
を露出させるように層を形成することを含む。この場
合、層により導電層を保護することができるとともに、
露出させた導電層の一部表面に半導体素子を電気的に接
続することができる。
【0024】また好ましくは、層を形成する工程は、導
電層が形成された基材上に、導電層に達する孔を有する
層を形成することを含む。半導体装置の製造方法は、孔
を介して導電層に電気的に接続するように基材上に半導
体素子を搭載する工程をさらに備える。この場合、半導
体素子を搭載することで半導体装置が完成する。
電層が形成された基材上に、導電層に達する孔を有する
層を形成することを含む。半導体装置の製造方法は、孔
を介して導電層に電気的に接続するように基材上に半導
体素子を搭載する工程をさらに備える。この場合、半導
体素子を搭載することで半導体装置が完成する。
【0025】この発明に従った半導体装置用基材は、長
辺と短辺とを有し、有機物を含む板状の基材と、基材の
表面に形成され、基材と異なる線膨張係数Aを有する層
とを備える。基材の短辺方向に沿って反りが与えられて
いる。
辺と短辺とを有し、有機物を含む板状の基材と、基材の
表面に形成され、基材と異なる線膨張係数Aを有する層
とを備える。基材の短辺方向に沿って反りが与えられて
いる。
【0026】このように構成された半導体装置用基材で
は、基材の短辺方向に沿って反りが与えられるため、基
材が長辺方向に沿って反ることがない。その結果、搬送
が容易となる。
は、基材の短辺方向に沿って反りが与えられるため、基
材が長辺方向に沿って反ることがない。その結果、搬送
が容易となる。
【0027】また好ましくは、基材は、短辺方向の線膨
張係数Bと長辺方向の線膨張係数Cとを有し、線膨張係
数Aと線膨張係数Bとの差が相対的に大きく、線膨張係
数Aと線膨張係数Cとの差が相対的に小さい。この場
合、短辺方向の線膨張係数の差が長辺方向の線膨張係数
の差よりも大きくなるため短辺方向に沿ってより確実に
基材に反りを与えることができる。
張係数Bと長辺方向の線膨張係数Cとを有し、線膨張係
数Aと線膨張係数Bとの差が相対的に大きく、線膨張係
数Aと線膨張係数Cとの差が相対的に小さい。この場
合、短辺方向の線膨張係数の差が長辺方向の線膨張係数
の差よりも大きくなるため短辺方向に沿ってより確実に
基材に反りを与えることができる。
【0028】また好ましくは、基材は、長辺方向に延び
る複数の第1の繊維と短辺方向に延びる複数の第2の繊
維とを含む。第1の繊維の密度と第2の繊維の密度とを
調整することにより長辺方向および短辺方向の線膨張係
数が調整される。この場合、第1の繊維および第2の繊
維の密度を調整することにより、簡単な方法で基材の線
膨張係数を調整することができる。
る複数の第1の繊維と短辺方向に延びる複数の第2の繊
維とを含む。第1の繊維の密度と第2の繊維の密度とを
調整することにより長辺方向および短辺方向の線膨張係
数が調整される。この場合、第1の繊維および第2の繊
維の密度を調整することにより、簡単な方法で基材の線
膨張係数を調整することができる。
【0029】また好ましくは、第1および第2の繊維は
ガラス繊維であり、基材は、ガラス繊維を覆うマトリッ
クスのエポキシ樹脂を含む。
ガラス繊維であり、基材は、ガラス繊維を覆うマトリッ
クスのエポキシ樹脂を含む。
【0030】また好ましくは、層は、メラミン樹脂、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂からな
る群より選ばれた少なくとも1種を含む。
ポキシ樹脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂からな
る群より選ばれた少なくとも1種を含む。
【0031】また好ましくは、半導体装置用基材は、基
材と層との間に形成された導電層をさらに備える。層に
は、半導体素子が導電層に電気的に接続するための孔が
形成されている。
材と層との間に形成された導電層をさらに備える。層に
は、半導体素子が導電層に電気的に接続するための孔が
形成されている。
【0032】この発明の別の局面に従った半導体装置用
基材は、有機物を含む板状の基材と、基材の表面に形成
され、基材とほぼ同一の線膨張係数を有する層とを備え
る。
基材は、有機物を含む板状の基材と、基材の表面に形成
され、基材とほぼ同一の線膨張係数を有する層とを備え
る。
【0033】このように構成された半導体装置用基材で
は、基材と、その上に形成される層との線膨張係数がほ
ぼ同一であるため、基材に反りが発生しない。そのた
め、搬送が容易となる。
は、基材と、その上に形成される層との線膨張係数がほ
ぼ同一であるため、基材に反りが発生しない。そのた
め、搬送が容易となる。
【0034】また好ましくは、層はポリイミド樹脂を含
む。この場合、ポリイミド樹脂の線膨張係数はさまざま
に設定することができるので、層と基材との線膨張係数
をほぼ同一とすることが容易となる。
む。この場合、ポリイミド樹脂の線膨張係数はさまざま
に設定することができるので、層と基材との線膨張係数
をほぼ同一とすることが容易となる。
【0035】また好ましくは、基材は、長辺と短辺とを
有し、かつ長辺方向に延びる複数の第1の繊維と短辺方
向に延びる複数の第2の繊維とを含む。第1の繊維の密
度と第2の繊維の密度とを調整することにより長辺方向
および短辺方向の線膨張係数が調整される。この場合、
第1の繊維と第2の繊維との密度を調整することによ
り、基材の線膨張係数を層の線膨張係数と同一にするこ
とができる。
有し、かつ長辺方向に延びる複数の第1の繊維と短辺方
向に延びる複数の第2の繊維とを含む。第1の繊維の密
度と第2の繊維の密度とを調整することにより長辺方向
および短辺方向の線膨張係数が調整される。この場合、
第1の繊維と第2の繊維との密度を調整することによ
り、基材の線膨張係数を層の線膨張係数と同一にするこ
とができる。
【0036】また好ましくは、第1および第2の繊維は
ガラス繊維であり、基材は、ガラス繊維を覆うマトリッ
クスのエポキシ樹脂を含む。
ガラス繊維であり、基材は、ガラス繊維を覆うマトリッ
クスのエポキシ樹脂を含む。
【0037】また好ましくは、半導体装置用基材は、基
材と層との間に形成された導電層をさらに備える。層に
は、半導体素子が導電層に電気的に接続するための孔が
形成されている。
材と層との間に形成された導電層をさらに備える。層に
は、半導体素子が導電層に電気的に接続するための孔が
形成されている。
【0038】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して説明する。
いて、図面を参照して説明する。
【0039】(実施の形態1)図1〜図7は、この発明
の実施の形態1に従った半導体装置の製造方法を説明す
るための図である。図1を参照して、まず、ガラスエポ
キシ基材からなる基材1を準備する。基材1は、その内
部に配置されたガラス繊維1dおよび1eと、ガラス繊
維1dおよび1eを覆うエポキシ樹脂1cとにより構成
される。ガラス繊維は、基材1の長辺1a方向に延びる
複数の第1の繊維としてのガラス繊維1dと、短辺1b
方向に延びる複数の第2の繊維としてのガラス繊維1e
とにより構成される。ガラス繊維1dおよび1eの密度
が調整されることにより、基材1の矢印110aで示す
長辺方向と矢印110bで示す短辺方向の線膨張係数が
調整される。直径が約7μmのガラス繊維を400本用
いて撚線を構成することによりガラス繊維1dおよび1
eが構成される。ガラス繊維1dを矢印110bで示す
短辺方向に2.54cm(1インチ)当り47本配置
し、ガラス繊維1eを矢印110aで示す長辺方向に
2.54cm(1インチ)当り60本配置する。これに
より、基材1の矢印110aで示す長辺方向の線膨張係
数は11×10-6/℃となる。また、基材1の矢印11
0bで示す短辺方向の線膨張係数は10×10-6/℃と
なる。このように、ガラス繊維の密度を調整することに
より、矢印110aで示す長辺方向および矢印110b
で示す短辺方向の線膨張係数が調整されている。
の実施の形態1に従った半導体装置の製造方法を説明す
るための図である。図1を参照して、まず、ガラスエポ
キシ基材からなる基材1を準備する。基材1は、その内
部に配置されたガラス繊維1dおよび1eと、ガラス繊
維1dおよび1eを覆うエポキシ樹脂1cとにより構成
される。ガラス繊維は、基材1の長辺1a方向に延びる
複数の第1の繊維としてのガラス繊維1dと、短辺1b
方向に延びる複数の第2の繊維としてのガラス繊維1e
とにより構成される。ガラス繊維1dおよび1eの密度
が調整されることにより、基材1の矢印110aで示す
長辺方向と矢印110bで示す短辺方向の線膨張係数が
調整される。直径が約7μmのガラス繊維を400本用
いて撚線を構成することによりガラス繊維1dおよび1
eが構成される。ガラス繊維1dを矢印110bで示す
短辺方向に2.54cm(1インチ)当り47本配置
し、ガラス繊維1eを矢印110aで示す長辺方向に
2.54cm(1インチ)当り60本配置する。これに
より、基材1の矢印110aで示す長辺方向の線膨張係
数は11×10-6/℃となる。また、基材1の矢印11
0bで示す短辺方向の線膨張係数は10×10-6/℃と
なる。このように、ガラス繊維の密度を調整することに
より、矢印110aで示す長辺方向および矢印110b
で示す短辺方向の線膨張係数が調整されている。
【0040】図2を参照して、上述の基材1の表面全体
を覆うように、化学気相蒸着によりに銅膜2を形成す
る。
を覆うように、化学気相蒸着によりに銅膜2を形成す
る。
【0041】図3を参照して、銅膜2上にレジストを塗
布し、このレジストを所定の形状にパターニングするこ
とによりレジストパターン4を形成する。レジストパタ
ーン4に従って銅膜2をエッチングしてプリント配線と
しての導電層3を形成する。
布し、このレジストを所定の形状にパターニングするこ
とによりレジストパターン4を形成する。レジストパタ
ーン4に従って銅膜2をエッチングしてプリント配線と
しての導電層3を形成する。
【0042】図4を参照して、スクリーン印刷により、
基材1および導電層3上にソルダーレジスト5を塗布す
る。ソルダーレジスト5はメラミン樹脂、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂のいずれかを含
む。ソルダーレジスト5は、基材1と異なる線膨張係数
(30×10-6/℃)を有する。すなわち、この工程で
は、長辺と短辺とを有し、かつ有機物を含む、半導体素
子搭載用の板状の基材1上に、基材1と異なる線膨張係
数A(30×10-6/℃)を有する層としてのソルダー
レジスト5を形成する。ソルダーレジスト5には、導電
層3に達する孔5aが形成されている。これにより、半
導体装置用基材10aが完成する。孔5aは、導電層3
の一部表面を露出させる。
基材1および導電層3上にソルダーレジスト5を塗布す
る。ソルダーレジスト5はメラミン樹脂、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂のいずれかを含
む。ソルダーレジスト5は、基材1と異なる線膨張係数
(30×10-6/℃)を有する。すなわち、この工程で
は、長辺と短辺とを有し、かつ有機物を含む、半導体素
子搭載用の板状の基材1上に、基材1と異なる線膨張係
数A(30×10-6/℃)を有する層としてのソルダー
レジスト5を形成する。ソルダーレジスト5には、導電
層3に達する孔5aが形成されている。これにより、半
導体装置用基材10aが完成する。孔5aは、導電層3
の一部表面を露出させる。
【0043】図5を参照して、その後の温度の変化によ
り、基材1の線膨張係数とソルダーレジスト5との線膨
張係数の差により基材1に反りが生じる。このとき、ソ
ルダーレジスト5の線膨張係数A(30×10-6/℃)
と基材1の短辺1b方向の線膨張係数B(10×10-6
/℃)との差が相対的に大きく、ソルダーレジスト5の
線膨張係数Aと基材1の長辺1a方向の線膨張係数C
(11×10-6/℃)との差が相対的に小さくなるよう
に予め基材1の線膨張係数が調整されているため、半導
体装置用基材10aは、矢印110bで示す短辺方向に
沿って反りが与えられる。
り、基材1の線膨張係数とソルダーレジスト5との線膨
張係数の差により基材1に反りが生じる。このとき、ソ
ルダーレジスト5の線膨張係数A(30×10-6/℃)
と基材1の短辺1b方向の線膨張係数B(10×10-6
/℃)との差が相対的に大きく、ソルダーレジスト5の
線膨張係数Aと基材1の長辺1a方向の線膨張係数C
(11×10-6/℃)との差が相対的に小さくなるよう
に予め基材1の線膨張係数が調整されているため、半導
体装置用基材10aは、矢印110bで示す短辺方向に
沿って反りが与えられる。
【0044】反りが与えられた半導体装置用基材10a
がレール30上に載置される。レール30上に載置され
た半導体装置用基材10aは、プッシャー40により、
矢印11で示す方向に搬送される。これにより、半導体
装置用基材10aはマガジン50に収納されて搬送され
る。
がレール30上に載置される。レール30上に載置され
た半導体装置用基材10aは、プッシャー40により、
矢印11で示す方向に搬送される。これにより、半導体
装置用基材10aはマガジン50に収納されて搬送され
る。
【0045】図7を参照して、基材1上に半導体素子8
を搭載する。このとき、孔5aを介してはんだ7により
導電層3と半導体素子8を電気的に接続する。これによ
り半導体装置のボンディングプロセスが完成する。
を搭載する。このとき、孔5aを介してはんだ7により
導電層3と半導体素子8を電気的に接続する。これによ
り半導体装置のボンディングプロセスが完成する。
【0046】さらに、図7で示す工程において半導体装
置を製造した後に再度図6で示す工程に従い半導体装置
を搬送する。このとき、図6で示す工程においてはんだ
を溶融させるために高温を加えても短辺方向に反りが生
じるだけで長辺方向には反りが生じない。
置を製造した後に再度図6で示す工程に従い半導体装置
を搬送する。このとき、図6で示す工程においてはんだ
を溶融させるために高温を加えても短辺方向に反りが生
じるだけで長辺方向には反りが生じない。
【0047】上述のようなこの発明に従った半導体装置
用基材10aとそれを用いた半導体装置の製造方法で
は、まず、図5で示すように、半導体装置用基材10a
は矢印110bで示す短辺方向に沿って反るため、矢印
110a示す長辺方向に沿って大きく反ることがない。
その結果、長辺方向に反った基材を平坦にして搬送する
ような方法に比べて、反りを矯正する治具と人員が不要
となる。その結果、搬送が容易となり、製造コストの上
昇を防止することができる。
用基材10aとそれを用いた半導体装置の製造方法で
は、まず、図5で示すように、半導体装置用基材10a
は矢印110bで示す短辺方向に沿って反るため、矢印
110a示す長辺方向に沿って大きく反ることがない。
その結果、長辺方向に反った基材を平坦にして搬送する
ような方法に比べて、反りを矯正する治具と人員が不要
となる。その結果、搬送が容易となり、製造コストの上
昇を防止することができる。
【0048】また、基材が長辺方向に反っていても搬送
可能な搬送システムを構成する場合に比べて、搬送機構
が簡易かつ小型化できるため、搬送機構を低コストなも
のとすることができる。
可能な搬送システムを構成する場合に比べて、搬送機構
が簡易かつ小型化できるため、搬送機構を低コストなも
のとすることができる。
【0049】さらに、反っていても搬送可能な搬送シス
テムに比べ搬送機構が駆動するのにするエネルギを節約
することができる。
テムに比べ搬送機構が駆動するのにするエネルギを節約
することができる。
【0050】また、基材1の厚みを厚くして剛性を向上
させることで反りを低減する方法もあるが、本発明では
基材1の厚みを厚くする必要はない。その結果、基材1
を薄型化でき、半導体パッケージ自体の薄型化、小型化
および軽量化を図ることができる。
させることで反りを低減する方法もあるが、本発明では
基材1の厚みを厚くする必要はない。その結果、基材1
を薄型化でき、半導体パッケージ自体の薄型化、小型化
および軽量化を図ることができる。
【0051】また、基材1の反りを矯正するプロセスが
不要なため、反りを矯正するための機構も不要である。
不要なため、反りを矯正するための機構も不要である。
【0052】さらに、基材1の反りを矯正するプロセス
がないため、加工時間が必要なくなりスループットの低
下を防止することができる。
がないため、加工時間が必要なくなりスループットの低
下を防止することができる。
【0053】また、基材1の反りを矯正するプロセスが
ないために、基材1、基材1上に搭載される半導体素子
8および基材1と半導体素子8を接続する導電層3にダ
メージやストレスを与えることがない。その結果、信頼
性の高い半導体装置を提供することができる。
ないために、基材1、基材1上に搭載される半導体素子
8および基材1と半導体素子8を接続する導電層3にダ
メージやストレスを与えることがない。その結果、信頼
性の高い半導体装置を提供することができる。
【0054】なお、この実施の形態では、基材1上に半
導体素子8を形成する前に基材1上に反りが与えられた
が、半導体素子8を基材1上に搭載した後に基材1に反
りが与えられてもよい。さらに、基材1上に半導体素子
8を搭載するボンディングプロセスで基材1を加熱した
後、基材1を冷却する際に、基材1に反りを与えてもよ
い。
導体素子8を形成する前に基材1上に反りが与えられた
が、半導体素子8を基材1上に搭載した後に基材1に反
りが与えられてもよい。さらに、基材1上に半導体素子
8を搭載するボンディングプロセスで基材1を加熱した
後、基材1を冷却する際に、基材1に反りを与えてもよ
い。
【0055】(実施の形態2)図8は、この発明の実施
の形態2に従った半導体装置用基材およびそれを用いた
半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。
図8を参照して、この実施の形態では、基材1に矢印2
1および22で示す方向から外力を与えて基材1の表面
を押圧することにより短辺1b方向に反りを与える点で
実施の形態1と異なる。
の形態2に従った半導体装置用基材およびそれを用いた
半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。
図8を参照して、この実施の形態では、基材1に矢印2
1および22で示す方向から外力を与えて基材1の表面
を押圧することにより短辺1b方向に反りを与える点で
実施の形態1と異なる。
【0056】より好ましくは、基材1に含まれるガラス
繊維の軟化点(Tg)より高い温度に加熱された後に冷
却されるとともに、基材1に反りが与えられる。矢印2
1で示す方向から基材1の中央部に外力が加えられると
ともに、矢印22で示す方向から基材1の周縁部に外力
が加えられる。これにより短辺1b方向に沿って反りが
与えられる。
繊維の軟化点(Tg)より高い温度に加熱された後に冷
却されるとともに、基材1に反りが与えられる。矢印2
1で示す方向から基材1の中央部に外力が加えられると
ともに、矢印22で示す方向から基材1の周縁部に外力
が加えられる。これにより短辺1b方向に沿って反りが
与えられる。
【0057】このような半導体装置用基材10bおよび
それを用いた半導体装置の製造方法では、まず、実施の
形態1で示した半導体装置用基材および半導体装置の製
造方法と同様の効果がある。さらに、基材1をプレスし
て反りを矯正して平坦化する技術に対しては、以下のよ
うな効果がある。
それを用いた半導体装置の製造方法では、まず、実施の
形態1で示した半導体装置用基材および半導体装置の製
造方法と同様の効果がある。さらに、基材1をプレスし
て反りを矯正して平坦化する技術に対しては、以下のよ
うな効果がある。
【0058】まず、プレスにより反りを緩和する方法で
は、基材全面を押圧する必要があり、矯正に要する押圧
力は非常に大きい。これに対して、本発明では、基材1
の特定部分を押圧することにより基材1の一部分に荷重
が集中するため、荷重を与えるのに要するエネルギが小
さくなる。その結果、押圧機構の小型化および省エネル
ギ化を図ることができる。
は、基材全面を押圧する必要があり、矯正に要する押圧
力は非常に大きい。これに対して、本発明では、基材1
の特定部分を押圧することにより基材1の一部分に荷重
が集中するため、荷重を与えるのに要するエネルギが小
さくなる。その結果、押圧機構の小型化および省エネル
ギ化を図ることができる。
【0059】また、基材をプレスして平坦にする技術で
は、反りが戻りやすく、そのため、反りを矯正した後に
10〜30秒の冷却期間を要していた。これに対して、
本発明では、基材1の短辺方向に反りを生じさせるため
に、その後の基材1が変形しにくい。また、多少変形し
たとしても、搬送性を低下させるような変形、すなわち
長辺方向での変形が起こりにくいため、冷却時間は必要
ない。そのため、変形を与える時間が1秒程度となり、
スループットを低下させることがない。
は、反りが戻りやすく、そのため、反りを矯正した後に
10〜30秒の冷却期間を要していた。これに対して、
本発明では、基材1の短辺方向に反りを生じさせるため
に、その後の基材1が変形しにくい。また、多少変形し
たとしても、搬送性を低下させるような変形、すなわち
長辺方向での変形が起こりにくいため、冷却時間は必要
ない。そのため、変形を与える時間が1秒程度となり、
スループットを低下させることがない。
【0060】さらに実施の形態1と比べて、基材1とソ
ルダーレジスト5の線膨張係数を自由に選べるため、さ
まざまな材質で基材1およびソルダーレジスト5を構成
することができる。
ルダーレジスト5の線膨張係数を自由に選べるため、さ
まざまな材質で基材1およびソルダーレジスト5を構成
することができる。
【0061】なお、この実施の形態では、半導体素子8
が搭載されていない基材1を押圧することにより基材1
に反りを与えたが、半導体素子8が搭載された基材1を
押圧して基材1に反りを与えてもよい。
が搭載されていない基材1を押圧することにより基材1
に反りを与えたが、半導体素子8が搭載された基材1を
押圧して基材1に反りを与えてもよい。
【0062】(実施の形態3)図9は、この発明の実施
の形態3に従った半導体装置用基材およびそれを用いた
半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。
この実施の形態では、押圧ヘッド90に矢印91で示す
方向から押圧力を加ながら半導体装置用基材10bを矢
印11で示す方向に搬送することにより基材1の短辺1
b方向に反りを与える。すなわち、この実施の形態で
は、基材1の一点を押した状態で基材1を搬送しながら
基材1に反りを与える点で図8で示す実施の形態2に従
った方法と異なる。
の形態3に従った半導体装置用基材およびそれを用いた
半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。
この実施の形態では、押圧ヘッド90に矢印91で示す
方向から押圧力を加ながら半導体装置用基材10bを矢
印11で示す方向に搬送することにより基材1の短辺1
b方向に反りを与える。すなわち、この実施の形態で
は、基材1の一点を押した状態で基材1を搬送しながら
基材1に反りを与える点で図8で示す実施の形態2に従
った方法と異なる。
【0063】このような実施の形態に従った半導体装置
用基材および半導体装置の製造方法でも、まず実施の形
態2に示した半導体装置用基材およびはその製造方法と
同様の効果がある。さらに基材に反りを与える工程が単
純で、動作状況が目視可能なため反りを形成させる動作
を容易に確認することができる。
用基材および半導体装置の製造方法でも、まず実施の形
態2に示した半導体装置用基材およびはその製造方法と
同様の効果がある。さらに基材に反りを与える工程が単
純で、動作状況が目視可能なため反りを形成させる動作
を容易に確認することができる。
【0064】(実施の形態4)図10は、この発明の実
施の形態4に従った半導体装置用基材およびそれを用い
た半導体装置の製造方法を説明するための斜視図であ
る。この実施の形態では、基材1の裏面を吸引ヘッド1
00により矢印101で示す方向から吸引して基材1の
短辺1b方向に沿って反りを与える点で、実施の形態2
および3に従った方法と異なる。吸引により基材1に反
りを与える方法としては、図8と同様に、基材1の長手
方向に沿って一度に曲げを与えてもよい。さらに、図9
と同様に、一部分に曲げを生じさせ、この状態で基材1
を搬送することで基材1全体に曲げを生じさせてもよ
い。
施の形態4に従った半導体装置用基材およびそれを用い
た半導体装置の製造方法を説明するための斜視図であ
る。この実施の形態では、基材1の裏面を吸引ヘッド1
00により矢印101で示す方向から吸引して基材1の
短辺1b方向に沿って反りを与える点で、実施の形態2
および3に従った方法と異なる。吸引により基材1に反
りを与える方法としては、図8と同様に、基材1の長手
方向に沿って一度に曲げを与えてもよい。さらに、図9
と同様に、一部分に曲げを生じさせ、この状態で基材1
を搬送することで基材1全体に曲げを生じさせてもよ
い。
【0065】このような半導体装置用基材およびそれを
用いた半導体装置の製造方法では、まず実施の形態2で
示した半導体装置用基材および半導体装置の製造方法と
同様の効果がある。さらに、吸引力が作用する面が基材
裏面であるため、ソルダーレジストを形成した面(半導
体素子を実装した面)へのダメージがない。
用いた半導体装置の製造方法では、まず実施の形態2で
示した半導体装置用基材および半導体装置の製造方法と
同様の効果がある。さらに、吸引力が作用する面が基材
裏面であるため、ソルダーレジストを形成した面(半導
体素子を実装した面)へのダメージがない。
【0066】(実施の形態5)図11は、この発明の実
施の形態5に従った半導体装置用基材およびそれを用い
た半導体装置の製造方法を説明するための斜視図であ
る。この実施の形態では、フレーム押え130に押圧ヘ
ッド132を設け、この押圧ヘッド132を介して矢印
131で示す方向から押圧力を加えることにより基材1
の短辺1b方向に反りを生じさせる。なお、このフレー
ム押え130は既存のボンダーのフレーム押さえであ
る。
施の形態5に従った半導体装置用基材およびそれを用い
た半導体装置の製造方法を説明するための斜視図であ
る。この実施の形態では、フレーム押え130に押圧ヘ
ッド132を設け、この押圧ヘッド132を介して矢印
131で示す方向から押圧力を加えることにより基材1
の短辺1b方向に反りを生じさせる。なお、このフレー
ム押え130は既存のボンダーのフレーム押さえであ
る。
【0067】このような半導体装置用基材およびそれを
用いた半導体装置の製造方法では、実施の形態2と同様
の効果がある。さらに、既存のフレーム押えのフレーム
押圧動作と連動して基材1に外力を加えることができ、
新たな駆動源が不要である。
用いた半導体装置の製造方法では、実施の形態2と同様
の効果がある。さらに、既存のフレーム押えのフレーム
押圧動作と連動して基材1に外力を加えることができ、
新たな駆動源が不要である。
【0068】(実施の形態6)図12は、この発明の実
施の形態6に従った半導体装置用基材およびそれを用い
た半導体装置の製造方法を説明するための斜視図であ
る。図12を参照して、この発明の実施の形態6に従っ
た半導体装置用基材10cでは、ソルダーレジスト51
の線膨張係数が9×10-6〜12×10-6/℃であり、
実施の形態1のソルダーレジスト5の線膨張係数よりも
小さく設定されている点で実施の形態1と異なる。ま
た、基材1の長辺1a方向および短辺1b方向の線膨張
係数もそれぞれ9〜12×10-6/℃と設定されてい
る。この設定の方法としては、図1で示したように、基
材1内のガラス繊維1dおよび1eの密度を調整するこ
とにより線膨張係数を調整することができる。
施の形態6に従った半導体装置用基材およびそれを用い
た半導体装置の製造方法を説明するための斜視図であ
る。図12を参照して、この発明の実施の形態6に従っ
た半導体装置用基材10cでは、ソルダーレジスト51
の線膨張係数が9×10-6〜12×10-6/℃であり、
実施の形態1のソルダーレジスト5の線膨張係数よりも
小さく設定されている点で実施の形態1と異なる。ま
た、基材1の長辺1a方向および短辺1b方向の線膨張
係数もそれぞれ9〜12×10-6/℃と設定されてい
る。この設定の方法としては、図1で示したように、基
材1内のガラス繊維1dおよび1eの密度を調整するこ
とにより線膨張係数を調整することができる。
【0069】半導体装置用基材10cは、有機物を含む
板状の基材1と、基材1の表面に形成され、基材1とほ
ぼ同一の線膨張係数を有する層としてのソルダーレジス
ト51とを備える。このような半導体装置用基材1c
は、所定の方向に搬送される。
板状の基材1と、基材1の表面に形成され、基材1とほ
ぼ同一の線膨張係数を有する層としてのソルダーレジス
ト51とを備える。このような半導体装置用基材1c
は、所定の方向に搬送される。
【0070】ソルダーレジスト51の材質として、さま
ざまなものが考えられるが、特に、ソルダーレジストと
して線膨張係数を調整しやすいポリイミド樹脂を用いる
ことが好ましい。
ざまなものが考えられるが、特に、ソルダーレジストと
して線膨張係数を調整しやすいポリイミド樹脂を用いる
ことが好ましい。
【0071】このように構成された半導体装置用基材お
よび半導体装置の製造方法では、ソルダーレジスト51
の線膨張係数と基材1の線膨張係数とがほぼ同一である
ため、その後に加熱および冷却をしても基材1が反るこ
とがない。その結果、沿った基材を平坦にするための治
具と人員が不要で製造コストの上昇を防止できる。
よび半導体装置の製造方法では、ソルダーレジスト51
の線膨張係数と基材1の線膨張係数とがほぼ同一である
ため、その後に加熱および冷却をしても基材1が反るこ
とがない。その結果、沿った基材を平坦にするための治
具と人員が不要で製造コストの上昇を防止できる。
【0072】また、反りを解消するための機構が不要で
搬送機構を簡易化、小型化および低価格化することがで
きる。さらに、搬送機構を駆動するのに要するエネルギ
を低減することができる。
搬送機構を簡易化、小型化および低価格化することがで
きる。さらに、搬送機構を駆動するのに要するエネルギ
を低減することができる。
【0073】また、基材1を薄くしても反りが生じない
ため、基材1を薄型化でき、半導体パッケージの薄型
化、小型化および軽量化が可能となる。
ため、基材1を薄型化でき、半導体パッケージの薄型
化、小型化および軽量化が可能となる。
【0074】さらに反りを矯正するプロセスがないため
矯正するための機構が不要となる。また、反りを矯正す
るプロセスがないため矯正のための時間が不要でスルー
プットが低下することがない。また、反りを矯正するプ
ロセスがないため、基材1、基材1に搭載される半導体
素子8および基材1と半導体素子8を接続する導電層3
にダメージやストレスを与えることがない。
矯正するための機構が不要となる。また、反りを矯正す
るプロセスがないため矯正のための時間が不要でスルー
プットが低下することがない。また、反りを矯正するプ
ロセスがないため、基材1、基材1に搭載される半導体
素子8および基材1と半導体素子8を接続する導電層3
にダメージやストレスを与えることがない。
【0075】以上、この発明の実施の形態について説明
したが、ここで示した実施の形態はさまざまに変形する
ことが可能である。まず、実施の形態1では、導電層3
と半導体素子8とをはんだ7により接続したが、接続方
法はこれに限られるものではなく、たとえばボンディン
グワイヤにより半導体素子8と導電層3とを接続しても
よい。
したが、ここで示した実施の形態はさまざまに変形する
ことが可能である。まず、実施の形態1では、導電層3
と半導体素子8とをはんだ7により接続したが、接続方
法はこれに限られるものではなく、たとえばボンディン
グワイヤにより半導体素子8と導電層3とを接続しても
よい。
【0076】また、図5で示す孔5aの位置は実装され
る半導体素子の形状および大きさに応じてさまざまに設
定することができる。
る半導体素子の形状および大きさに応じてさまざまに設
定することができる。
【0077】また、基材1としてガラスエポキシ基材を
用いたが、これに限られるものではなく、ガラス繊維の
入っていない有機物からなる基材、たとえばエポキシ樹
脂からなる基材、アクリル樹脂からなる基材などを用い
てもよい。
用いたが、これに限られるものではなく、ガラス繊維の
入っていない有機物からなる基材、たとえばエポキシ樹
脂からなる基材、アクリル樹脂からなる基材などを用い
てもよい。
【0078】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【0079】
【発明の効果】この発明に従えば、搬送が容易な半導体
装置用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を
提供することができる。
装置用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を
提供することができる。
【図1】 この発明の実施の形態1に従った半導体装置
の製造方法の第1工程を示す平面図である。
の製造方法の第1工程を示す平面図である。
【図2】 この発明の実施の形態1に従った半導体装置
の製造方法の第2工程を示す断面図である。
の製造方法の第2工程を示す断面図である。
【図3】 この発明の実施の形態1に従った半導体装置
の製造方法の第3工程を示す断面図である。
の製造方法の第3工程を示す断面図である。
【図4】 この発明の実施の形態1に従った半導体装置
の製造方法の第4工程を示す断面図である。
の製造方法の第4工程を示す断面図である。
【図5】 この発明の実施の形態1に従った半導体装置
の製造方法の第5工程を示す斜視図である。
の製造方法の第5工程を示す斜視図である。
【図6】 この発明の実施の形態1に従った半導体装置
の製造方法の第6工程を示す斜視図である。
の製造方法の第6工程を示す斜視図である。
【図7】 この発明の実施の形態1に従った半導体装置
の製造方法の第7工程を示す断面図である。
の製造方法の第7工程を示す断面図である。
【図8】 この発明の実施の形態2に従った半導体装置
用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を説明
するための斜視図である。
用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を説明
するための斜視図である。
【図9】 この発明の実施の形態3に従った半導体装置
用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を説明
するための斜視図である。
用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を説明
するための斜視図である。
【図10】 この発明の実施の形態4に従った半導体装
置用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を説
明するための斜視図である。
置用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を説
明するための斜視図である。
【図11】 この発明の実施の形態5に従った半導体装
置用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を説
明するための斜視図である。
置用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を説
明するための斜視図である。
【図12】 この発明の実施の形態6に従った半導体装
置用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を説
明するための斜視図である。
置用基材およびそれを用いた半導体装置の製造方法を説
明するための斜視図である。
【図13】 ソルダーレジストが形成された従来の半導
体装置用基材の斜視図である。
体装置用基材の斜視図である。
【図14】 従来技術で生じる問題点を説明するために
示す基材の斜視図である。
示す基材の斜視図である。
1 基材、1a 長辺、1b 短辺、1c エポキシ樹
脂、1d,1e ガラス繊維、3 導電層、5 ソルダ
ーレジスト、5a 孔、8 半導体素子、10a,10
b,10c 半導体装置用基材。
脂、1d,1e ガラス繊維、3 導電層、5 ソルダ
ーレジスト、5a 孔、8 半導体素子、10a,10
b,10c 半導体装置用基材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 龍 大志 兵庫県伊丹市瑞原四丁目1番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 宮村 佳代 兵庫県伊丹市瑞原四丁目1番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 Fターム(参考) 5F031 CA04 DA08 FA02 FA07 FA11 GA52 GA55 MA35 PA11 PA30
Claims (27)
- 【請求項1】 長辺と短辺とを有し、かつ有機物を含
む、半導体素子搭載用の板状の基材上に、前記基材と異
なる線膨張係数Aを有する層を形成する工程と、 前記層が形成された前記基材に、短辺方向に沿って反り
を与える工程と、反りが与えられた前記基材を搬送する
工程とを備えた、半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記短辺方向に沿って反りを与える工程
は、前記線膨張係数Aと前記基材の短辺方向の線膨張係
数Bとの差が相対的に大きく、前記線膨張係数Aと前記
基材の長辺方向の線膨張係数Cとの差が相対的に小さく
なるように予め前記基材の線膨張係数を調整することを
含む、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 予め前記基材の線膨張係数を調整するこ
とは、前記長辺方向に延びる複数の第1の繊維と前記短
辺方向に延びる複数の第2の繊維とを前記基材内に配置
し、前記第1の繊維の密度と前記第2の繊維の密度とを
調整することにより前記長辺方向および前記短辺方向の
線膨張係数を調整することを含む、請求項2に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記第1および第2の繊維はガラス繊維
であり、前記基材は、前記ガラス繊維を覆うマトリック
スのエポキシ樹脂を含む、請求項3に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項5】 前記短辺方向に沿って反りを与える工程
は、前記基材の短辺方向に反りが与えられるように前記
基材の表面を押圧することを含む、請求項1に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 前記短辺方向に沿って反りを与える工程
は、前記基材の短辺方向に反りが与えられるように前記
基材の表面を吸引することを含む、請求項1に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 前記短辺方向に沿って反りを与える工程
は、前記基材を加熱した後冷却するとともに前記短辺方
向に反りを与えることを含む、請求項5または6に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 前記層は、メラミン樹脂、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂からなる群より
選ばれた少なくとも1種を含む。請求項1から7のいず
れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項9】 前記層を形成する前に前記基材上に導電
層を形成する工程をさらに備え、前記層を形成する工程
は、前記導電層の一部表面を露出させるように前記層を
形成することを含む、請求項1から8のいずれか1項に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項10】 前記層を形成する工程は、前記導電層
が形成された前記基材上に、前記導電層に達する孔を有
する層を形成することを含み、前記孔を介して前記導電
層に電気的に接続するように前記基材上に半導体素子を
搭載する工程をさらに備えた、請求項9に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項11】 有機物を含む、半導体素子搭載用の板
状の基材上に、前記基材とほぼ同一の線膨張係数を有す
る層を形成する工程と、前記層が形成された前記基材を
搬送する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。 - 【請求項12】 前記層はポリイミド樹脂を含む、請求
項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項13】 前記層を形成する工程は、予め前記基
材の線膨張係数が調整された前記基材上に前記層を形成
することを含み、前記基材は長辺と短辺とを有し、予め
前記基材の線膨張係数を調整することは、前記長辺方向
に延びる複数の第1の繊維と前記短辺方向に延びる複数
の第2の繊維とを前記基材内に配置し、前記第1の繊維
の密度と前記第2の繊維の密度とを調整することにより
前記長辺方向および前記短辺方向の線膨張係数を調整す
ることを含む、請求項11または12に記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項14】 前記第1および第2の繊維はガラス繊
維であり、前記基材は、前記ガラス繊維を覆うマトリッ
クスのエポキシ樹脂を含む、請求項13に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項15】 前記層を形成する前に前記基材上に導
電層を形成する工程をさらに備え、前記層を形成する工
程は、前記導電層の一部表面を露出させるように前記層
を形成することを含む、請求項11から14のいずれか
1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項16】 前記層を形成する工程は、前記導電層
が形成された前記基材上に、前記導電層に達する孔を有
する層を形成することを含み、前記孔を介して前記導電
層に電気的に接続するように前記基材上に半導体素子を
搭載する工程をさらに備えた、請求項15に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項17】 長辺と短辺とを有し、有機物を含む板
状の基材と、 前記基材の表面に形成され、前記基材と異なる線膨張係
数Aを有する層とを備え、 前記基材の短辺方向に沿って反りが与えられている、半
導体装置用基材。 - 【請求項18】 前記基材は、短辺方向の線膨張係数B
と長辺方向の線膨張係数Cとを有し、前記線膨張係数A
と前記線膨張係数Bとの差が相対的に大きく、前記線膨
張係数Aと前記線膨張係数Cとの差が相対的に小さい、
請求項17に記載の半導体装置用基材。 - 【請求項19】 前記基材は、前記長辺方向に延びる複
数の第1の繊維と前記短辺方向に延びる複数の第2の繊
維とを含み、前記第1の繊維の密度と前記第2の繊維の
密度とを調整することにより前記長辺方向および前記短
辺方向の線膨張係数が調整される、請求項18に記載の
半導体装置用基材。 - 【請求項20】 前記第1および第2の繊維はガラス繊
維であり、前記基材は前記ガラス繊維を覆うマトリック
スのエポキシ樹脂を含む、請求項19に記載の半導体装
置用基材。 - 【請求項21】 前記層は、メラミン樹脂、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂からなる群より
選ばれた少なくとも1種を含む、請求項17から20の
いずれか1項に記載の半導体装置用基材。 - 【請求項22】 前記基材と前記層との間に形成された
導電層をさらに備え、前記層には、半導体素子が前記導
電層に電気的に接続するための孔が形成されている、請
求項17から21のいずれか1項に記載の半導体装置用
基材。 - 【請求項23】 有機物を含む板状の基材と、 前記基材の表面に形成され、前記基材とほぼ同一の線膨
張係数を有する層とを備えた、半導体装置用基材。 - 【請求項24】 前記層はポリイミド樹脂を含む、請求
項23に記載の半導体装置用基材。 - 【請求項25】 前記基材は長辺と短辺とを有し、かつ
前記長辺方向に延びる複数の第1の繊維と前記短辺方向
に延びる複数の第2の繊維とを含み、前記第1の繊維の
密度と前記第2の繊維の密度とを調整することにより前
記長辺方向および前記短辺方向の線膨張係数が調整され
る、請求項23または24に記載の半導体装置用基材。 - 【請求項26】 前記第1および第2の繊維はガラス繊
維であり、前記基材は前記ガラス繊維を覆うマトリック
スのエポキシ樹脂を含む、請求項25に記載の半導体装
置用基材。 - 【請求項27】 前記基材と前記層との間に形成された
導電層をさらに備え、前記層には、半導体素子が前記導
電層に電気的に接続するための孔が形成されている、請
求項23から26のいずれか1項に記載の半導体装置用
基材。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000361111A JP2002164358A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 半導体装置用基材および半導体装置の製造方法 |
US09/838,388 US6479318B2 (en) | 2000-11-28 | 2001-04-20 | Method of manufacturing a substrate with directionally anisotropic warping |
KR10-2001-0037297A KR100441531B1 (ko) | 2000-11-28 | 2001-06-28 | 반도체 장치용 기판 및 반도체 장치의 제조방법 |
TW090117883A TW520626B (en) | 2000-11-28 | 2001-07-23 | Semiconductor device substrate and semiconductor device fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000361111A JP2002164358A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 半導体装置用基材および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002164358A true JP2002164358A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18832594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000361111A Withdrawn JP2002164358A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 半導体装置用基材および半導体装置の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP2002164358A (ja) |
KR (1) | KR100441531B1 (ja) |
TW (1) | TW520626B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009130361A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | インライン実装装置及び半導体装置の実装方法 |
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DE102004029584A1 (de) * | 2004-06-18 | 2006-01-12 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zur Erhöhung der Zuverlässigkeit von substratbasierten BGA-Packages |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57118077A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-22 | Central Glass Co Ltd | Manufacture of glazed ceramic substrate |
JPH0355822A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
JPH06112356A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | バンプ付薄膜多層回路基板 |
US5382551A (en) * | 1993-04-09 | 1995-01-17 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for reducing the effects of semiconductor substrate deformities |
JPH06326443A (ja) | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Matsushita Electric Works Ltd | プリント配線板の反り矯正方法 |
US5689136A (en) * | 1993-08-04 | 1997-11-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
JP3329548B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2002-09-30 | 株式会社東芝 | ヒートシンク付きセラミックス回路基板 |
JP3849277B2 (ja) * | 1998-01-26 | 2006-11-22 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JPH11214435A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-08-06 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-11-28 JP JP2000361111A patent/JP2002164358A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-04-20 US US09/838,388 patent/US6479318B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-28 KR KR10-2001-0037297A patent/KR100441531B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-07-23 TW TW090117883A patent/TW520626B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009130361A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | インライン実装装置及び半導体装置の実装方法 |
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---|---|
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TW520626B (en) | 2003-02-11 |
US20020064899A1 (en) | 2002-05-30 |
KR100441531B1 (ko) | 2004-07-23 |
KR20020041735A (ko) | 2002-06-03 |
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