JP2002128897A - ポリシラン系コポリマーの製造方法 - Google Patents
ポリシラン系コポリマーの製造方法Info
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Abstract
等に優れているポリシラン系コポリマーを、簡便、安全
かつ安価に製造できる方法を提供する。 【解決手段】 反応系にハロシラン化合物とビニル化合
物を導入し、非プロトン性溶媒中、金属ハロゲン化物の
存在下で、マグネシウム金属成分を作用させることによ
り、ポリシラン系ランダム又はブロックコポリマーを製
造する。前記リチウム化合物はリチウムハロゲン化物で
あってもよく、前記金属ハロゲン化物は多価金属ハロゲ
ン化物であってもよい。
Description
た特性をさらに改善したポリシラン系コポリマーの製造
方法に関する。
電子材料(例えば、フォトレジスト、有機感光体などの
光電子写真材料、光導波路などの光伝送材料、光メモリ
などの光記録材料、エレクトロルミネッセンス素子用材
料など)などとして注目されている。このような材料に
おいて、ポリシランは、通常、薄膜の形態で使用され
る。しかし、主鎖がケイ素のみからなるポリシランの薄
膜は、硬くてもろく、機械的強度が低いので、クラック
などの欠陥を生じやすい。また、ポリシランを電子写真
感光体(有機感光体)として用いる場合、印刷後に残存
トナーを電子写真感光体表面から除去する工程におい
て、ポリシランの耐磨耗性が低いため、電子写真感光体
としての寿命が短くなり、実用的でない。
び耐磨耗性を向上させる方法が検討されている。例え
ば、ポリシランに共重合性ビニルモノマーを重合させ
て、ポリシラン系コポリマーを製造し、ポリシランの前
記欠点を改善する方法が提案されている。例えば、
(a)ポリシランの最大吸収波長以上の波長の光を照射
しながら、ビニル系モノマーを仕込み、ポリシランから
光重合を開始させて、ポリシランブロックコポリマーを
製造する方法(特開平3−292310号公報、特公平
6−86506号公報)、(b)マスクされたジシレン
のアニオン重合によりポリシランを合成した後、全ての
モノマーが消費された後にも活性を保っているシリルア
ニオン末端にメチルメタクリレートを添加し、ポリシラ
ン−ポリメチルメタクリレートブロックコポリマーを製
造する方法(有機合成化学 47,1051-1059(1989))、
(c)特定の金属を陽極とし、非プロトン性溶媒および
リチウム化合物から成る支持電解質を用いて、ハロシラ
ンとビニル基含有化合物の混合物を電極反応に供するこ
とによりポリシラン系コポリマーを製造する方法(特開
平9−255785号公報)などが挙げられる。
リシランを一旦製造した後、別の重合装置にポリシラン
とビニル系モノマーとを仕込み、加熱しながら光照射を
行うので、操作が煩雑であり、特別な装置を必要とし、
生産性が低い。
レンのアニオン重合において複雑なモノマーの合成が必
要であり、また合成できるポリシラン系ブロックの種類
(特に側鎖の種類)が制限されるばかりか、炭素系ポリ
マーブロックとしては、現在のところ、ポリメタクリル
酸メチルしか合成されていない。
として複雑なモノマーを製造する必要がないため、安全
かつ高収率でポリシラン系コポリマーが得られる優れた
技術ではある。しかし、特殊な電極反応装置を必要と
し、また長時間の通電が必要であるため、ポリシラン系
コポリマーを安価かつ大量に製造するのには適していな
い。
WO98/29476には、非プロトン性溶媒中、リチ
ウム塩及び金属ハロゲン化物の存在下で、ジハロシラン
にマグネシウム又はマグネシウム合金を作用させること
により、ポリシランを形成させる方法が開示されてい
る。
は、薄膜として使用しても、成膜性、機械的強度及び耐
磨耗性に優れたポリシラン系コポリマーを、特殊な装置
を用いることなく、簡便に製造する方法を提供すること
にある。
及び耐磨耗性に優れるとともに、有機ポリマーとの相溶
性に優れたポリシラン系コポリマーを、連続的かつ安価
に製造できる方法を提供することにある。
揃ったポリシラン系コポリマーを製造する方法を提供す
ることにある。
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特定のハロシ
ラン化合物と特定のビニル化合物とを、非プロトン性溶
媒中でリチウム化合物及び金属ハロゲン化物の共存下に
マグネシウム金属成分を作用させることにより、反応を
容易かつ精度よく制御でき、速やか且つ効率よく、薄膜
としての機械的強度、耐磨耗性等に優れたポリシラン系
コポリマーが得られることを見出した。
ーの製造方法は、下記式(1)で表されるハロシラン化
合物と、ビニル化合物とを、非プロトン性溶媒中、リチ
ウム化合物及び金属ハロゲン化物の共存下で、マグネシ
ウム金属成分を作用させて、ポリシラン系コポリマーを
製造する。
て、水素原子、ハロゲン原子、有機基又はシリル基であ
り、X1及びX2は、同一又は異なって、ハロゲン原子で
あり、mは1〜1000の整数である。但し、R1及び
R2のうち、少なくとも一方がハロゲン原子の場合、m
は1である)。
は、特に限定されず、ランダム又はブロックコポリマー
であってもよい。コポリマーの出発原料であるハロシラ
ン化合物として、具体的には、下記式(2)〜(4)で
表される化合物から選択された少なくとも一種が挙げら
れ、ビニル化合物としては、下記式(5)で表される化
合物が挙げられる。
水素原子、有機基又はシリル基であり、X1〜X4は、同
一又は異なって、ハロゲン原子であり、mは1〜100
0の整数である)
水素原子、ハロゲン原子、有機基又はシリル基であ
る)。
ゲン化合物、特に塩化リチウムが好ましい。前記金属ハ
ロゲン化合物としては、多価金属ハロゲン化物、特に、
鉄、アルミニウム、亜鉛、スズ、コバルト、バナジウ
ム、チタン、パラジウム、サマリウム等から選択された
少なくとも一種の金属の塩化物又は臭化物(例えば、塩
化鉄や塩化亜鉛等)が好ましい。
の製造方法では、出発原料として、ハロシラン化合物と
ビニル化合物とを用いる。
しては、前記式(1)で表されるハロシラン化合物、具
体的には前記式(2)〜(4)で表されるジ乃至テトラ
ハロシランが例示できる。これらのハロシラン化合物
は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。な
お、ジハロシラン化合物としては、単量体(m=1)を
用いてもよく、重合体(m=2〜1000程度)を用い
てもよい。また、トリ又はテトラハロシラン化合物は、
通常、単量体として使用される。特に、複数のハロシラ
ン化合物を組み合わせて用いる場合、通常、ジ乃至テト
ラハロシランから選択された少なくとも2種が使用され
る。
ルキル基[メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル及びt−ブチル基などのC1-10アルキル基(好ま
しくはC1-6アルキル基、特にC1-4アルキル基な
ど)]、シクロアルキル基(シクロヘキシル基などのC
5-8シクロアルキル基、特にC5-6シクロアルキル基)、
アリール基(フェニル、ナフチル基などのC6-10アリー
ル基)、アラルキル基[ベンジル、フェネチル基などの
C6-10アリール−C1-6アルキル基(C6-10アリール−
C1-4アルキル基など)]、アルコキシ基[メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ及び
t−ブトキシ基などのC1-10アルコキシ基(好ましくは
C1-6アルコキシ基、特にC1-4アルコキシ基)など]、
アミノ基、N−置換アミノ基(前記アルキル基、シクロ
アルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基など
で置換されたN−モノ又はジ置換アミノ基など)などが
挙げられる。前記アルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基又はアラルキル基を構成するアリール基などは、
1又は複数の置換基を有していてもよい。このような置
換基としては、前記例示のアルキル基(特にC1-6アル
キル基など)、前記例示のアルコキシ基などが挙げられ
る。このような置換基を有する有機基としては、例え
ば、トリル、キシレニル、エチルフェニル、メチルナフ
チル基などのC1-6アルキルC6-10アリール基(好まし
くはモノ乃至トリC1-4アルキルC6-10アリール基、特
にモノ又はジC1-4アルキルフェニル基など);メトキ
シフェニル、エトキシフェニル、メトキシナフチル基な
どのC1-10アルコキシC6-10アリール基(好ましくはC
1-6アルコキシC6-10アリール基、特にC1-4アルコキシ
フェニル基など)などが挙げられる。
キル基、アリール基、アラルキル基及びアルコキシ基な
どで置換された置換シリル基であってもよい。
F、Cl、Br、Iが含まれ、Cl及びBr(特にC
l)が好ましい。
1000、好ましくは1〜500、さらに好ましくは1
〜100(例えば、1〜10)程度である。ジハロシラ
ン化合物を用いるコポリマーの製造において、mの値が
大きいオリゴマーを用いると、ブロックコポリマーが得
られ、mの値が小さいモノマーを用いると、ランダムコ
ポリマーが得られる。コポリマーの製造効率の点から
は、mが1〜2程度のジハロシランを使用するのが好ま
しい。
ある化合物が好ましい。例えば、液体のハロシラン化合
物については、水素化カルシウムなどの乾燥剤を用いて
乾燥し、蒸留して使用するのが好ましく、固体のハロシ
ラン化合物については、再結晶法などにより、精製して
使用するのが好ましい。
は二種以上組み合わせて使用できる。
(5)で表すことができる。前記式(5)において、R
6〜R9で表される有機基としては、アルキル基[前記ハ
ロシラン化合物の項で例示のアルキル基、例えば、メチ
ル及びエチル基などの飽和C1-10アルキル基など、好ま
しくは飽和C1-6アルキル基]、不飽和アルキル基[ビ
ニル、アリル、イソプロペニル基などのC2-10アルケニ
ル基(好ましくはC2-6アルケニル基);C2-10アルキ
ニル基など]、シクロアルキル基(前記例示のシクロア
ルキル基など)、アリール基(前記例示のアリール基な
ど)、複素環基(ピリジニル基などの芳香族複素環基な
ど)、エステル基(アルコキシカルボニル基、アシルオ
キシ基など)、エーテル基、カルボキシル基、アミノ
基、N−置換アミノ基(前記例示のN−置換アミノ基な
ど)、ニトロ基、シアノ基などが挙げられる。これらの
有機基は、さらに前記アルキル基やアルコキシ基などの
置換基により置換されていてもよい。
機基などで置換された置換シリル基も含まれる。
は、前記X1及びX2の項で例示のハロゲン原子(塩素原
子など)などが挙げられる。
ば、芳香族ビニル化合物[スチレン;α−アルキルスチ
レン(α−メチルスチレンなど)、アルキルスチレン
(p−メチルスチレンなどのC1-4アルキルスチレ
ン)、アルコキシスチレン(p−メトキシスチレンなど
のC1-4アルコキシスチレンなど)、アシルオキシスチ
レン(p−アセトキシスチレンなどのC2-5アシルオキ
シスチレンなど)、1−ビニルフェノール、ジビニルベ
ンゼンなどのスチレン誘導体;1−ビニルナフタレンな
どのビニルナフタレン類など];(メタ)アクリル酸又
はその誘導体[(メタ)アクリル酸エステル、例えば、
(メタ)アクリル酸アルキルエステル((メタ)アクリ
ル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アク
リル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、
(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メタ)アクリル酸n
−オクチル、α−シアノ(メタ)アクリル酸エチルなど
の(メタ)アクリル酸C1-14アルキルエステル、特に
(メタ)アクリル酸C1-10アルキルエステルなど)及び
(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル((メタ)
アクリル酸シクロヘキシルエステルなどの(メタ)アク
リル酸C5-8シクロアルキルエステルなど)など];多
価カルボン酸(マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、メ
チレンマロン酸など)又はその誘導体(無水マレイン酸
などの酸無水物、マレイン酸アルキルエステル、メチレ
ンマロン酸ジメチルなどのメチレンマロン酸アルキルエ
ステルなど);(メタ)アクリロニトリルなどのシアン
化ビニル化合物;カルボン酸ビニルエステル、例えば、
脂肪族カルボン酸ビニルエステル(酢酸ビニル、プロピ
オン酸ビニル、酪酸ビニルなどの脂肪族C1-10カルボン
酸ビニルエステルなど)、芳香族カルボン酸ビニルエス
テル(ジアリルフタレートなど);共役ジエン系化合
物、例えば、ブタジエン、イソプレン、クロロプレンな
どのジエン;オレフィン類、例えば、エチレン、ニトロ
エチレン、プロピレン、ブテンなどのC2-10アルケン
(好ましくはC2-6アルケンなど);テトラフルオロエ
チレン、クロロトリフルオロエチレンなどのハロゲン化
オレフィン;塩化ビニルなどのハロゲン化ビニル;塩化
ビニリデンなどのハロゲン化ビニリデン;シアン化ビニ
リデン;メチルトリビニルシラン、テトラビニルシラ
ン、ジエチルメチルビニルシラン、ジメチルフェニルビ
ニルシラン、ジフェニルメチルビニルシラン、トリメチ
ルビニルシランなどのビニルシラン類;ビニルエーテル
系化合物、例えば、アルキルビニルエーテル(エチルビ
ニルエーテル、ブチルビニルエーテル、ヘキシルビニル
エーテル、ドデシルビニルエーテル、ヒドロキシブチル
ビニルエーテルなどのC1-10アルキルビニルエーテ
ル)、シクロアルキルビニルエーテル(シクロヘキシル
ビニルエーテルなどのC5-8シクロアルキルビニルエー
テル)、ジエチレングリコールジビニルエーテル、1,
6−ヘキサンジオールビニルエーテル、1,4−シクロ
ヘキサンジメタノールジビニルエーテル;N−ビニルカ
ルバゾール、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジンな
どのビニル基含有複素環化合物などが挙げられる。これ
らのビニル化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて
使用できる。
の誘導体、メタクリル酸メチルなどの(メタ)アクリル
酸エステル等である。
には、重合禁止剤を含有している場合があるので、予め
蒸留精製して使用するのが好ましい。
は、所望のポリシラン系コポリマーのケイ素鎖(ポリシ
ランブロック)とビニル基に由来する炭素鎖(炭素系ブ
ロック)との比率に応じて選択できる。ハロシラン化合
物とビニル化合物との割合(重量比)は、ハロシラン化
合物/ビニル化合物=1/0.01〜1/2、好ましく
は1/0.05〜1/1、さらに好ましくは1/0.1
〜1/0.5程度である。反応系におけるビニル化合物
の割合が、ハロシラン化合物の割合よりも著しく高い場
合には、得られるポリシラン系コポリマーのポリシラン
としての光学的物性及び電子的物性が低下する虞があ
る。一方、ビニル化合物の割合が、ハロシラン化合物の
割合よりも著しく低い場合には、ポリシラン系コポリマ
ーの機械的強度、耐磨耗性等の物性の改善が不充分とな
る虞がある。
媒を使用できる。溶媒としては、非プロトン性溶媒が広
く使用でき、例えば、エーテル類(1,4−ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン,テトラヒドロピラン,ジエチ
ルエーテル,ジイソプロピルエーテル,1,2−ジメト
キシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテルなど
の環状又は鎖状C4-6エーテル)、カーボネート類(プ
ロピレンカーボネートなど)、ニトリル類(アセトニト
リル、ベンゾニトリルなど)、アミド類(ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド等)、スルホキシド類
(ジメチルスルホキシドなど)、ハロゲン含有化合物
(塩化メチレン、クロロホルム、ブロモホルム、クロロ
ベンゼン、ブロモベンゼンなどのハロゲン化炭化水素な
ど)、芳香族炭化水素類(ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなど)、脂肪族炭化水素類(ヘキサン,シクロヘキサ
ン,オクタン,シクロオクタンなど鎖状又は環状炭化水
素類)などが挙げられ、混合溶媒として使用してもよ
い。溶媒としては、極性溶媒単独(テトラヒドロフラ
ン、1,2−ジメトキシエタン等)、2種以上の極性溶
媒の混合物、極性溶媒と非極性溶媒との混合物などが好
ましい。極性溶媒と非極性溶媒との混合物を使用する場
合、両者の割合は、前者/後者(重量比)=1/0.0
1〜1/20程度である。
度が低すぎると、重合が効率よく行われない虞があると
ともに、高すぎると反応に使用する金属ハロゲン化物が
溶解しない虞がある。従って、溶媒(反応液)中のハロ
シラン化合物の濃度は、通常0.05〜20mol/
l、好ましくは0.2〜15mol/l、特に0.3〜
13mol/l程度である。
は、ハロゲン化リチウム(塩化リチウム、臭化リチウ
ム、ヨウ化リチウムなど)、無機酸塩(硝酸リチウム、
炭酸リチウム、炭酸水素リチウム、塩酸リチウム、硫酸
リチウム、過塩素酸リチウム、リン酸リチウムなど)な
どが使用できる。これらのリチウム化合物は、単独で又
は2種以上組み合わせて使用できる。好ましいリチウム
化合物は、ハロゲン化リチウム(特に塩化リチウム)で
ある。
ぎると反応が進行しない虞があるとともに、高すぎると
還元されて析出したリチウムの量が多すぎて、所望の生
成物であるポリシランのSi−Si主鎖結合が開裂し
て、その分子量が低下する虞がある。従って、溶媒(反
応液)中のリチウム化合物の濃度は、通常、0.05〜
5mol/l、好ましくは0.1〜4mol/l、特に
0.15〜3mol/l程度である。
物及びビニル化合物の総量100重量部に対して、0.
1〜30重量部、好ましくは1〜20重量部、さらに好
ましくは5〜15重量部程度である。
としては、多価金属ハロゲン化物が例示でき、例えば、
遷移金属(例えば、サマリウムなどの周期表3A族元
素、チタンなどの周期表4A族元素、バナジウムなどの
周期表5A族元素、鉄、コバルト、パラジウムなどの周
期表8族元素、亜鉛などの周期表2B族元素など)、周
期表3B族金属(アルミニウムなど)、周期表4B族金
属(スズなど)などの金属の塩化物、臭化物又はヨウ化
物などが挙げられる。金属ハロゲン化物を構成する前記
金属の価数は、特に制限されないが、好ましくは2〜4
価、特に2又は3価である。これらの金属ハロゲン化物
は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
えば、塩化物(FeCl2、FeCl3などの塩化鉄;A
lCl3、ZnCl2、SnCl2、CoCl2、VC
l2、TiCl4、PdCl2、SmCl2など)、臭化物
(FeBr2、FeBr3などの臭化鉄など)、ヨウ化物
(SmI2など)などが例示できる。これらの金属ハロ
ゲン化物のうち、塩化物(塩化鉄、塩化亜鉛など)及び
臭化物が好ましい。
度が低すぎると、反応が十分に進行しない虞があるとと
もに、高すぎると反応に関与しない虞がある。従って、
溶媒中の金属ハロゲン化物の濃度は、通常0.001〜
6mol/l程度であり、より好ましくは0.005〜
4mol/l程度であり、特に好ましくは0.01〜3
mol/l程度である。
ン化合物及びビニル化合物の総量100重量部に対し
て、0.1〜30重量部、好ましくは1〜20重量部、
さらに好ましくは3〜15重量部程度である。
属成分は、少なくともマグネシウムが含まれていればよ
く、マグネシウム金属単体又はマグネシウム系合金、あ
るいは前記マグネシウム金属又は合金を含む混合物など
であってもよい。マグネシウム合金の種類は特に制限さ
れず、慣用のマグネシウム合金、例えば、アルミニウ
ム、亜鉛、希土類元素(スカンジウム、イットリウムな
ど)などの成分を含むマグネシウム合金が例示できる。
これらのマグネシウム金属成分は、単独で又は二種以上
組み合わせて使用できる。
ン化合物とビニル化合物との反応を損なわない限り特に
限定されないが、粉粒状(粉体、粒状体など)、リボン
状体、切削片状体、塊状体、棒状体、平板などが例示さ
れ、特に表面積の大きい形状(粉体、粒状体、リボン状
体、切削片状体など)であるのが好ましい。マグネシウ
ム金属成分が粉粒状の場合、平均粒径は、1〜1000
0μm、好ましくは10〜5000μm、さらに好まし
くは20〜1000μm程度である。
どによっては、金属表面に被膜(酸化被膜など)が形成
されることがある。この被膜は反応に悪影響を及ぼすこ
とがあるので、必要に応じて、切削などによって除去し
てもよい。
ハロシラン化合物のハロゲンに対して、マグネシウム換
算で、1〜10当量であり、好ましくは1〜5.0当
量、さらに好ましくは1〜3.0当量程度である。ま
た、マグネシウム金属成分の使用量は、通常、ハロシラ
ン化合物に対してモル数でマグネシウムとして1.0〜
10倍であり、より好ましくは1.2〜5.0倍であ
り、最も好ましくは1.5〜3.0倍程度である。
ハロシラン化合物を還元して、ポリシランコポリマーを
形成させるとともに、マグネシウム自身は酸化されてハ
ロゲン化物を形成する。
ば、密閉可能な反応容器に、ハロシラン化合物(1)、
ビニル化合物、リチウム化合物、金属ハロゲン化物、及
びマグネシウム金属成分を溶媒とともに収容し、好まし
くは機械的又は磁気的に攪拌しつつ、反応を行ってもよ
い。出発原料のハロシラン化合物とビニル化合物とは、
予め、両者の混合物として用いてもよいし、両者を併行
して添加(例えば、一方の成分を添加して、ある程度反
応を進行させた後、他方の成分を添加する方法など)し
てもよい。両者の混合物として用いる方法は、ランダム
コポリマーを得るのに好適であり、一方の成分の反応途
中で他方の成分を添加する方法は、ブロックコポリマー
が得るのに好適である。
についての制限は特にない。反応容器内は、乾燥雰囲気
であればよいが、乾燥した不活性ガス(例えば、アルゴ
ンガス)雰囲気、特に、脱酸素し、乾燥したアルゴンガ
ス雰囲気が好ましい。
化合物、金属ハロゲン化物及びマグネシウム金属成分の
量などに異なるが、5分以上であり、通常、30分〜1
00時間程度である。反応時間を調整することにより、
ポリシランの分子量制御が可能となる。
溶媒の沸点までの温度範囲内にあり、好ましくは0〜7
0℃、さらに好ましくは10〜50℃程度の範囲内にあ
る。
によって得られるポリシラン系コポリマーは、下記式
(6)〜(8)で表される構成単位から選択された少な
くとも一種の構成単位と、下記式(9)で表される構成
単位とで構成される。
t及びuは各構成単位数を示し、r、s及びtの合計は
2〜1000の整数、uは2〜1000の整数であ
る)。
ン(2)とビニル化合物(5)とを出発原料として得ら
れるコポリマーであって、下記式で表される構成単位
(6)と構成単位(9)とで構成されるコポリマーが例
示できる。
びmは前記に同じ。r及びuは各構成単位数を示し、r
は2〜1000の整数、uは2〜1000の整数であ
る)。
(3)とビニル化合物(5)とを出発原料として得られ
るコポリマーであって、下記式で表される構成単位
(7)と構成単位(9)とで構成されるコポリマーも例
示できる。
じ。s及びuは各構成単位数を示し、sは2〜1000
の整数、uは2〜1000の整数である)。
(4)とビニル化合物(5)とを出発原料として得られ
るコポリマーであって、下記式で表される構成単位
(8)と構成単位(9)とで構成されるコポリマーも例
示できる。
じ。t及びuは各構成単位数を示し、tは2〜1000
の整数、uは2〜1000の整数である)。
ハロシラン化合物から選択された少なくとも二種とビニ
ル化合物(5)とを出発原料として、前記構成単位
(6)〜(8)で表される構成単位から選択された少な
くとも二種の構成単位と、前記構成単位(9)とで構成
されるコポリマーも例示できる。
ンダム、ブロック、グラフト等のいずれの重合形態でも
よいが、ランダム又はブロック重合が好ましい。前記し
たように、コポリマーの重合形態は、出発原料の添加方
法や種類を変えることによって制御できる。
は、1000〜100000、好ましくは3000〜5
0000、さらに好ましくは5000〜30000程度
である。平均重合度は、10〜1000、好ましくは3
0〜500、さらに好ましくは50〜300程度であ
る。重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)と
の比は、Mw/Mn=1〜2、好ましくは1.1〜1.
5程度である。このように、本発明では、高分子量で、
かつ分子量分布の狭いポリシラン系コポリマーが得られ
る。
合であっても、成膜性、機械的強度、耐磨耗性、有機系
ポリマーとの相溶性等に優れたポリシラン系コポリマー
が製造できる。また、室温近傍の温度で撹拌操作を行う
だけの簡便な方法で、分子量の揃った高分子量のポリシ
ラン系コポリマーを高収率で製造できる。また、高価な
試薬などを使用せずに市販の原料を用い、光照射器、超
音波照射装置、電極反応装置等の特殊な装置を使用しな
いので、ポリシラン系コポリマーを安価に製造できる。
また、反応時間を調整するだけで、所望の分子量のポリ
シラン系コポリマーを製造できる。さらに、原料を適宜
選択することにより、種々の構造を有するポリシラン系
コポリマーを製造できる。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定さ
れるものではない。
粒状(粒径20〜1000μm)のマグネシウム47.1g、無水塩
化リチウム(LiCl)12.5g、無水塩化亜鉛(ZnCl2)8.1gを仕
込み、50℃で1mmHg(=133kPa)に加熱減圧して、反応
混合物を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導
入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥し
たテトラヒドロフラン500mlを加え、室温で約30分間撹
拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したメ
チルフェニルジクロロシラン115g(600mmol)と、予め蒸
留により精製したスチレン15.6g(150mmol)とをシリン
ジで加え、室温で約22時間撹拌した。反応終了後、反応
混合物に1N(=1モル/L)の塩酸250mlを投入し、さらにトル
エン300mlで抽出した。トルエン層を純水200mlで4回洗
浄し、トルエン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、トルエンを留去することにより、低分子量体を含ん
だメチルフェニルポリシラン-ポリスチレンコポリマー
を得た。メチルフェニルポリシラン-ポリスチレンコポ
リマーを良溶媒トルエン150ml、貧溶媒2-プロパノール
750mlを用いて再沈殿させ、重量平均分子量13700のメチ
ルフェニルポリシラン-ポリスチレンコポリマー(ラン
ダムコポリマー)を得た(収率56%)。
粒状(粒径20〜1000μm)のマグネシウム47.1g、無水塩
化リチウム(LiCl)12.5g、無水塩化亜鉛(ZnCl2)8.1gを収
容し、50℃で1mmHg(=133kPa)に加熱減圧して、反応
混合物を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導
入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥し
たテトラヒドロフラン500mlを加え、室温で約30分間撹
拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したメ
チルフェニルジクロロシラン115g(600mmol)を加え、室
温で5時間撹拌することにより重量平均分子量2500
(重合度21程度)のポリシランを生成させた後、予め
蒸留により精製したスチレン15.6g(150mmol)をシリン
ジで加え、さらに室温で約17時間撹拌した。反応終了
後、反応混合物に1N(=1モル/L)の塩酸250mlを投入し、さ
らにトルエン300mlで抽出した。トルエン層を純水200ml
で4回洗浄し、トルエン層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥した後、トルエンを留去することにより、低分子量体
を含んだメチルフェニルポリシラン-ポリスチレンコポ
リマー(ブロックコポリマー)を得た。メチルフェニル
ポリシラン-ポリスチレンコポリマー(ブロックコポリ
マー)を良溶媒トルエン150ml、貧溶媒2-プロパノール
750mlを用いて再沈殿させ、重量平均分子量22500のメチ
ルフェニルポリシラン-ポリスチレンコポリマー(ブロ
ックコポリマー)を得た(収率41%)。
1と同様にして反応を行い、重量平均分子量7100のメチ
ルフェニルポリシラン-ポリスチレンコポリマーを得た
(収率39%)。
施例1と同様にして反応を行い、重量平均分子量16900
のメチルフェニルポリシラン-ポリスチレンコポリマー
を得た(収率58%)。
とする以外は、実施例1と同様にして反応を行い、重量
平均分子量20500のメチルフェニルポリシラン-ポリスチ
レンコポリマーを得た(収率41%)。
反応を行い、重量平均分子量9800のメチルフェニルポリ
シラン-ポリスチレンコポリマーを得た(収率36
%)。
応を行い、重量平均分子量10200のメチルフェニルポリ
シラン-ポリスチレンコポリマーを得た(収率42
%)。
は、実施例1と同様にして反応を行い、重量平均分子量
8300のメチルフェニルポリシラン-ポリスチレンコポリ
マーを得た(収率27%)。
ロシラン132.1g(600mmol)を用いる以外は、実施例1
と同様にして反応を行い、重量平均分子量9600のp-エチ
ルフェニルポリシラン-ポリスチレンコポリマーを得た
(収率39%)。
57.3g(300mmol)とジメチルジクロロシラン38.7g(300m
mol)を用いる以外は、実施例1と同様にして反応を行
い、重量平均分子量11500のメチルフェニルポリシラン
−ジメチルポリシラン-ポリスチレンコポリマーを得た
(収率49%)。
施例1と同様にして反応を行い、重量平均分子量20200
メチルフェニルポリシラン-ポリスチレンコポリマーを
得た(収率59%)。
チル15g (150mmol)を用いる以外は、実施例1と同様
にして反応を行い、重量平均分子量9200のメチルフェニ
ルポリシラン-ポリメタクリル酸メチルコポリマーを得
た(収率40.0%)。
ン7.95g (75mmol)を用いる以外は、実施例1と同
様にして反応を行い、重量平均分子量31500のメチルフ
ェニルポリシラン-ポリジビニルベンゼンコポリマーを
得た(収率41.5%)。
粒状(粒径20〜1000μm)のマグネシウム18.9g、無水塩
化リチウム(LiCl)12.5g、無水塩化亜鉛(ZnCl2)8.1gを仕
込み、50℃で1mmHg(=133kPa)に加熱減圧して、反応
混合物を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導
入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥し
たテトラヒドロフラン500mlを加え、室温で約30分間撹
拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したフ
ェニルトリクロロシラン85g(400mmol)と、予め蒸留に
より精製したスチレン15.6g(150mmol)とをシリンジで
加え、室温で約5時間撹拌した。反応終了後、反応混合
物に1N(=1モル/L)の塩酸250mlを投入し、さらにトルエン3
00mlで抽出した。トルエン層を純水200mlで4回洗浄
し、トルエン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
トルエンを留去することにより低分子量体を含んだポリ
フェニルシリン-ポリスチレンコポリマーを得た。ポリ
フェニルシリン-ポリスチレンコポリマーを良溶媒トル
エン150ml、貧溶媒2-プロパノール750mlを用いて再沈
殿させ、重量平均分子量7500のポリフェニルシリン-ポ
リスチレンコポリマーを得た(収率85%)。
粒状(粒径20〜1000μm)のマグネシウム18.9g、無水塩
化リチウム(LiCl)12.5g、無水塩化亜鉛(ZnCl2)8.1gを仕
込み、50℃で1mmHg(=133kPa)に加熱減圧して、反応
混合物を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導
入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥し
たテトラヒドロフラン500mlを加え、室温で約30分間撹
拌した。この反応混合物に、テトラクロロシラン51g(3
00mmol)と、予め蒸留により精製したスチレン31.2g(30
0mmol)とをシリンジで加え、室温で約4時間撹拌した。
反応終了後、反応混合物に1N(=1モル/L)の塩酸250mlを添
加し、さらにトルエン300mlで抽出した。トルエン層を
純水200mlで4回洗浄し、トルエン層を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、トルエンを留去することにより低
分子量体を含んだポリシランポリスチレンコポリマーを
得た。ポリシランスチレンコポリマーを良溶媒トルエン
150ml、貧溶媒2-プロパノール750mlを用いて再沈殿さ
せ、重量平均分子量6800のポリシランポリスチレンコポ
リマーを得た(収率78%)。
粒状(粒径20〜1000μm)のマグネシウム47.1g、無水塩
化リチウム(LiCl)12.5g、無水塩化亜鉛(ZnCl2)8.1gを仕
込み、50℃で1mmHg(=133kPa)に加熱減圧して、反応
混合物を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導
入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥し
たテトラヒドロフラン500mlを加え、室温で約30分間撹
拌した。この反応混合物にメチルフェニルジクロロシラ
ン76.4g(400mmol)、フェニルトリクロロシラン21.2g
(100mmol)、テトラクロロシラン4.3g(25mmol)、お
よび予め蒸留により精製したメタクリル酸メチル20g
(200mmol)をシリンジで加え、室温で約15時間撹拌し
た。反応終了後、反応混合物に1N(=1モル/L)塩酸250mlを
添加し、さらにトルエン300mlで抽出した。トルエン層
を純水200mlで4回洗浄し、トルエン層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した後、トルエンを留去することによ
り、低分子量体を含んだポリシラン-ポリメタクリル酸
メチルコポリマーを得た。ポリシラン-ポリメタクリル
酸メチルコポリマーを良溶媒トルエン200ml、貧溶媒2-
プロパノール800mlを用いて再沈殿させ、重量平均分子
量16200の所望のポリシラン-ポリメタクリル酸メチルコ
ポリマーを得た(収率53%)。
Claims (10)
- 【請求項1】 下記式(1)で表されるハロシラン化合
物と、ビニル化合物とを、非プロトン性溶媒中、リチウ
ム化合物及び金属ハロゲン化物の共存下で、マグネシウ
ム金属成分を作用させて、ポリシラン系コポリマーを製
造する方法。 【化1】 (式中、R1及びR2は、同一又は異なって、水素原子、
ハロゲン原子、有機基又はシリル基であり、X1及びX2
は、同一又は異なって、ハロゲン原子であり、mは1〜
1000の整数である。但し、R1及びR2のうち、少な
くとも一方がハロゲン原子の場合、mは1である) - 【請求項2】 ポリシラン系コポリマーがランダム又は
ブロックコポリマーである請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 ハロシラン化合物として下記式(2)〜
(4)で表される化合物から選択された少なくとも一種
を用い、ビニル化合物として下記式(5)で表される化
合物を用いる請求項1記載の方法。 【化2】 (式中、R3〜R5は、同一又は異なって、水素原子、有
機基又はシリル基であり、X1〜X4は、同一又は異なっ
て、ハロゲン原子であり、mは1〜1000の整数であ
る) 【化3】 (式中、R6〜R9は、同一又は異なって、水素原子、ハ
ロゲン原子、有機基又はシリル基である) - 【請求項4】 ハロシラン化合物として式(2)〜
(4)で表される化合物から選択された少なくとも二種
を用いる請求項3記載の方法。 - 【請求項5】 リチウム化合物がリチウムハロゲン化物
である請求項1記載の方法。 - 【請求項6】 金属ハロゲン化物が多価金属ハロゲン化
物である請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 金属ハロゲン化物が、鉄、アルミニウ
ム、亜鉛、スズ、コバルト、バナジウム、チタン、パラ
ジウム及びサマリウムから選択された少なくとも一種の
金属の塩化物又は臭化物である請求項1記載の方法。 - 【請求項8】 金属ハロゲン化物が塩化鉄及び塩化亜鉛
から選択された少なくとも一種である請求項1記載の方
法。 - 【請求項9】 ハロシラン化合物とビニル化合物との割
合(重量比)が、ハロシラン化合物/ビニル化合物=1
/0.01〜1/2である請求項1記載の方法。 - 【請求項10】 非プロトン性溶媒中、塩化リチウム
と、塩化鉄及び塩化亜鉛から選択された少なくとも一種
との共存下で、下記式(1)で表されるハロシラン化合
物と、下記式(5)で表されるビニル化合物との混合物
に、マグネシウム金属成分を作用させて、ポリシラン系
ランダム又はブロックコポリマーを製造する方法。 【化4】 (式中、R1及びR2は、同一又は異なって、水素原子、
ハロゲン原子、有機基又はシリル基であり、X1及びX2
は、同一又は異なって、ハロゲン原子であり、mは1〜
1000の整数である。但し、R1及びR2のうち、少な
くとも一方がハロゲン原子の場合、mは1である) 【化5】 (式中、R6〜R9は、同一又は異なって、水素原子、ハ
ロゲン原子、有機基又はシリル基である)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000331013A JP4564642B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | ポリシラン系コポリマーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000331013A JP4564642B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | ポリシラン系コポリマーの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002128897A true JP2002128897A (ja) | 2002-05-09 |
JP4564642B2 JP4564642B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000331013A Expired - Lifetime JP4564642B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | ポリシラン系コポリマーの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4564642B2 (ja) |
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JP2002226586A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Osaka Gas Co Ltd | 活性金属マグネシウム及びそれを用いたポリシランの製造方法 |
WO2023099378A1 (en) | 2021-11-30 | 2023-06-08 | Merck Patent Gmbh | Silicon-containing film forming composition and method for manufacturing silicon-containing film using the same |
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---|---|
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|
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