JP2002124681A5 - - Google Patents
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また、フィールド酸化膜FLXの端部に係合するようにゲート電極10aおよび11aが配設されているが、ゲート電極10aは第1ゲート電極10とは電気的には接続されず、ソース電極9に接続されるか、フローティング状態となり、ゲート電極11aは第2ゲート電極11とは電気的には接続されず、第1ドレイン電極12に接続されるか、フローティング状態となっている。
ソース配線SL1および第1ゲート配線G1は、例えば第2層アルミ配線で構成され、ソース配線SL1は第1ゲート電極10Aおよび第2ドレイン電極13A上をオーバーラップし、第1ゲート配線G1は第2ドレイン電極13A上をオーバーラップし、さらにトレンチ分離壁620および640上をオーバーラップしてハイサイド領域HRにまで延在している。
PチャネルMOSトランジスタPTは、ハイサイド領域HRの内部側から順に平行に配設された、直線状のソース電極91C、第1ゲート電極10Cおよび第2ドレイン電極13Cで構成されている。
そして、ソース電極91C、第1ゲート電極10Cおよび第2ドレイン電極13Cの各々の両端部にはトレンチ分離壁690が配設され、ソース電極91Cよりもハイサイド領域HRの内部側にはトレンチ分離壁691が配設され、第2ドレイン電極13Cよりも外部側にはトレンチ分離壁681が配設されている。
なお、P型ウエル領域322とN型ウエル領域611との間のSOI層102の表面上にはフィールド酸化膜が配設され、当該フィールド酸化膜は、P型ドレイン領域7およびP型ウエル領域322の表面上にも配設され、それらの上部にはマルチフィールドプレートが配設されているが、図示は省略する。
また、トレンチ分離壁691、681および670は、SOI層102を貫通して埋め込み酸化膜101に達するトレンチの内壁を内壁酸化膜601で覆い、内壁酸化膜601で囲まれる領域にドープトポリシリコン等の導電体602が埋め込まれた構成となっている。そして、トレンチ分離壁691、681および670の上部にはフィールド酸化膜FLXが配設されている。
なお、トレンチ分離壁691の両側面は、埋め込み酸化膜101に達するP型ウエル領域324で覆われ、トレンチ分離壁681の両側面は、埋め込み酸化膜101に達するP型ウエル領域321および323で覆われ、トレンチ分離壁670の両側面は、埋め込み酸化膜101に達するP型ウエル領域322および323で覆われているが、これは、トレンチ近傍で発生する結晶欠陥を覆い、デバイス内に結晶欠陥に起因するリーク電流が流れないようにするための構成である。
また、PチャネルMOSトランジスタPTにおける第1ゲート電極10Cと、第2ドレイン電極13Cとの間のSOI層102の上部には、マルチフィールドプレートMFPZが配設されている。
そして、マルチフィールドプレートMFPZの配列方向に沿ったプレート幅(ライン)およびプレート間隔(スペース)は、マルチトレンチ構造のトレンチ幅(ライン)およびトレンチ間隔(スペース)と一致するように構成されている。
図23に示すように、各トレンチ22のそれぞれは、内壁酸化膜221によって壁面が覆われ、内壁酸化膜221で囲まれた領域にドープトポリシリコン等の導電体222が埋め込まれた構成となっている。なお、充填された各導電体は他の特定の部位と電気的に接続されることなく形成されている。
また、マルチフィールドプレートMFPZのラインおよびスペースは、マルチトレンチ構造のラインおよびスペースと一致しているので、PチャネルMOSトランジスタPTのソース電極91Cと第2ドレイン電極13Cとの間の領域の電界分布を整えることができる。
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US20060255401A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Yang Robert K | Increasing breakdown voltage in semiconductor devices with vertical series capacitive structures |
JP4864344B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2012-02-01 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US20070012983A1 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-18 | Yang Robert K | Terminations for semiconductor devices with floating vertical series capacitive structures |
JP4863665B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2012-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4984579B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-07-25 | 株式会社日立製作所 | 高耐圧半導体集積回路装置 |
EP1863081A3 (en) | 2006-03-10 | 2008-03-05 | Hitachi, Ltd. | Dielectric material separated-type, high breakdown voltage semiconductor circuit device, and production method thereof |
US7605446B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-10-20 | Cambridge Semiconductor Limited | Bipolar high voltage/power semiconductor device having first and second insulated gated and method of operation |
JP4616856B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2011-01-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2008016863A (ja) * | 2007-08-31 | 2008-01-24 | Denso Corp | 縦型ホール素子 |
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JP2011029466A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US8803232B2 (en) | 2011-05-29 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High voltage and ultra-high voltage semiconductor devices with increased breakdown voltages |
CN102683262A (zh) * | 2012-04-28 | 2012-09-19 | 东南大学 | 一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构 |
CN103117307A (zh) * | 2013-01-24 | 2013-05-22 | 东南大学 | 一种高可靠性p型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管 |
US9607978B2 (en) * | 2013-01-30 | 2017-03-28 | Microchip Technology Incorporated | ESD-protection circuit for integrated circuit device |
EP2930743B1 (en) * | 2014-04-11 | 2016-09-21 | Nxp B.V. | Semiconductor isolation structure |
JP6729487B2 (ja) * | 2017-05-15 | 2020-07-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電力変換装置 |
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CN112993006B (zh) * | 2019-12-12 | 2022-08-12 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种终端结构、其制作方法及电子器件 |
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EP4220697A1 (en) * | 2022-01-27 | 2023-08-02 | Infineon Technologies Austria AG | Semiconductor device with trench isolation structures in a transition region and method of manufacturing |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5874768A (en) * | 1994-06-15 | 1999-02-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device having a high breakdown voltage |
JP3378135B2 (ja) * | 1996-02-02 | 2003-02-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP3575908B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2004-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP3958404B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2007-08-15 | 三菱電機株式会社 | 横型高耐圧素子を有する半導体装置 |
JP3111947B2 (ja) * | 1997-10-28 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、その製造方法 |
US6133610A (en) * | 1998-01-20 | 2000-10-17 | International Business Machines Corporation | Silicon-on-insulator chip having an isolation barrier for reliability and process of manufacture |
US6150697A (en) * | 1998-04-30 | 2000-11-21 | Denso Corporation | Semiconductor apparatus having high withstand voltage |
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