JP2002100555A - レジスト剥離装置およびそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト剥離液のレジスト剥離能力を復元す
る。 【解決手段】 レジスト剥離液３のレジスト剥離能力を
大きく劣化させる要因が、大気中の二酸化炭素がレジス
ト剥離液３に溶け込むことであることに着目し、レジス
ト剥離液３に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を、ｐＨ電極
１６を介してｐＨメータ１７で測定したｐＨ値に基づい
て、検出し、この検出結果に基づいてＭＥＡ（モノエタ
ノールアミン）溶液１３を補給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はレジスト剥離装置
およびそれを用いたデバイスの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩなどの半導体チップや薄膜トラン
ジスタなどのデバイスの製造プロセスにおいては、デバ
イス基板上に形成された被加工膜上にパターン形成され
たレジストをマスクとして被加工膜をエッチングし、次
いでレジストをレジスト剥離液を用いて剥離することが
多い。この場合、レジスト剥離液としては、アミン、グ
ライコールエーテル、水等を混合してなるものが使用さ
れ、使用後のレジスト剥離液を回収し、再使用してい
る。しかし、使用後のレジスト剥離液には剥離（溶解）
されたレジストが混入しているので、使用時間が長くな
ると、レジスト剥離液中のレジスト濃度が増加し、レジ
スト剥離能力が劣化し、使用に値しなくなってしまう。
このような場合、従来では、使用に値しなくなったレジ
スト剥離液をすべて新たなレジスト剥離液と交換してい
る。すなわち、使用に値しなくなったレジスト剥離液を
すべて廃棄している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来で
は、使用に値しなくなったレジスト剥離液をすべて新た
なレジスト剥離液と交換しているので、レジスト剥離液
の使用時間がどちらかといえば短く、交換頻度が多くな
り、稼働率が低下し、またレジスト剥離液を早期に廃棄
することとなり、コスト高となってしまうという問題が
あった。この発明の課題は、レジスト剥離液の使用時間
を延ばすことである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、レジスト剥離液を用いてレジストを剥離し、使用後
のレジスト剥離液を回収して再使用するレジスト剥離装
置において、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の
濃度を検出する二酸化炭素濃度検出手段と、この二酸化
炭素濃度検出手段による検出結果に基づいてレジスト剥
離液にアミン溶液を補給するアミン溶液補給手段とを具
備したものである。請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記二酸化炭素濃度検出手段と
して、レジスト剥離液のｐＨを測定するｐＨ測定手段を
用いたものである。請求項３に記載の発明は、請求項２
に記載の発明において、前記ｐＨ測定手段により測定さ
れたｐＨ値が設定値以下となったとき、前記アミン溶液
補給手段によりアミン溶液を補給するようにしたもので
ある。請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明
において、前記ｐＨ測定手段により測定されたｐＨ値が
前記設定値よりも所定値上がったとき、前記アミン溶液
補給手段によるアミン溶液の補給を停止するようにした
ものである。請求項５に記載の発明は、請求項３に記載
の発明において、前記アミン溶液補給手段によるアミン
溶液の補給量が予め設定された量となるようにしたもの
である。請求項６に記載の発明は、請求項３〜５のいず
れかに記載の発明において、前記設定値を１０．８〜１
１．２としたものである。請求項７に記載の発明は、請
求項６に記載の発明において、前記設定値を１１．０と
したものである。請求項８に記載の発明は、請求項１に
記載の発明において、前記二酸化炭素濃度検出手段とし
て、レジスト剥離液の導電率を測定する導電率測定手段
を用いたものである。請求項９に記載の発明は、請求項
８に記載の発明において、レジスト剥離液の水分濃度を
測定し、この水分濃度が一定となるようにレジスト剥離
液に水分を補給する水分補給手段を備え、前記導電率測
定手段によるレジスト剥離液の導電率の測定を、レジス
ト剥離液の水分濃度を一定に保持した状態で行うように
したものである。請求項１０に記載の発明は、請求項９
に記載の発明において、前記導電率測定手段により測定
された導電率が設定値以上となったとき、前記アミン溶
液補給手段によりアミン溶液を補給するようにしたもの
である。請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載
の発明において、前記導電率測定手段により測定された
導電率が前記設定値よりも所定値下がったとき、前記ア
ミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給を停止するよ
うにしたものである。請求項１２に記載の発明は、請求
項１０に記載の発明において、前記アミン溶液補給手段
によるアミン溶液の補給量が予め設定された量となるよ
うにしたものである。請求項１３に記載の発明は、請求
項１０〜１２のいずれかに記載の発明において、前記設
定値を１３００〜６００μＳ／ｃｍとしたものである。
請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の発明に
おいて、前記設定値を９００μＳ／ｃｍとしたものであ
る。請求項１５に記載の発明は、デバイス基板上に形成
された被加工膜上にパターン形成されたレジストをマス
クとして前記被加工膜をエッチングし、次いで前記レジ
ストをレジスト剥離液を用いて剥離し、使用後のレジス
ト剥離液を回収して再使用するデバイスの製造方法にお
いて、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を
検出し、この検出結果に基づいてレジスト剥離液にアミ
ン溶液を補給し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を
復元しながら再使用するようにしたものである。請求項
１６に記載の発明は、請求項１５に記載の発明におい
て、前記二酸化炭素の濃度を、レジスト剥離液のｐＨを
測定し、この測定結果に基づいて検出するようにしたも
のである。請求項１７に記載の発明は、請求項１６に記
載の発明において、測定されたｐＨ値が設定値以下とな
ったとき、アミン溶液を補給するようにしたものであ
る。請求項１８に記載の発明は、請求項１７に記載の発
明において、測定されたｐＨ値が前記設定値よりも所定
値上がったとき、アミン溶液の補給を停止するようにし
たものである。請求項１９に記載の発明は、請求項１７
に記載の発明において、アミン溶液の補給量が予め設定
された量となるようにしたものである。請求項２０に記
載の発明は、請求項１７〜１９のいずれかに記載の発明
において、前記設定値を１０．８〜１１．２としたもの
である。請求項２１に記載の発明は、請求項２０に記載
の発明において、前記設定値を１１．０としたものであ
る。請求項２２に記載の発明は、請求項１５に記載の発
明において、前記二酸化炭素の濃度を、レジスト剥離液
の導電率を測定し、この測定結果に基づいて検出するよ
うにしたものである。請求項２３に記載の発明は、請求
項２２に記載の発明において、レジスト剥離液の導電率
の測定を、レジスト剥離液の水分濃度を測定し、この水
分濃度が一定となるように水分を補給した状態で、行う
ようにしたものである。請求項２４に記載の発明は、請
求項２３に記載の発明において、測定された導電率が設
定値以上となったとき、アミン溶液を補給するようにし
たものである。請求項２５に記載の発明は、請求項２４
に記載の発明において、測定された導電率が前記設定値
よりも所定値下がったとき、アミン溶液の補給を停止す
るようにしたものである。請求項２６に記載の発明は、
請求項２４に記載の発明において、アミン溶液の補給量
が予め設定された量となるようにしたものである。請求
項２７に記載の発明は、請求項２４〜２６のいずれかに
記載の発明において、前記設定値を１３００〜６００μ
Ｓ／ｃｍとしたものである。請求項２８に記載の発明
は、請求項２７に記載の発明において、前記設定値を９
００μＳ／ｃｍとしたものである。そして、この発明に
よれば、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を大きく劣
化させる要因が、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液
に溶け込むことであることに着目し、レジスト剥離液に
溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出し、この検出結果に
基づいてアミン溶液を補給するようにしているので、ア
ミン溶液の補給により、レジスト剥離液の二酸化炭素の
濃度が低下し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力が復
元され、したがってレジスト剥離液の使用時間を延ばす
ことができる。

【０００５】

【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態にお
けるレジスト剥離装置の概略構成図を示したものであ
る。このレジスト剥離装置は、ＬＳＩなどの半導体チッ
プや薄膜トランジスタなどのデバイスの製造プロセスに
おいて、デバイス基板２１上に形成された、半導体膜、
絶縁膜、金属膜などの被加工膜２２上にパターン形成さ
れたレジスト２３をマスクとして被加工膜２２をエッチ
ングするエッチング装置（図示せず）の後段に配置さ
れ、装置本体１を備えている。典型的には、デバイス基
板２１は、ガラス基板であり、被加工膜２２は、アモル
ファスシリコン半導体膜または該アモルファスシリコン
半導体膜およびその上に形成された絶縁膜、あるいは該
絶縁膜上に形成された金属膜である。装置本体１の下部
内には処理タンク２が設けられている。処理タンク２内
にはレジスト剥離液３が収容されている。レジスト剥離
液３は、一例として、モノエタノールアミン（ＭＥ
Ａ）、ブチルジグリコール（ＢＤＧ）、水等を混合した
ものからなっている。

【０００６】装置本体１の上部は処理室４となってい
る。処理室４は、搬入口５および搬出口６を有し、その
間にデバイス基板２１搬送用の搬送ローラ７が設けられ
た構造となっている。この場合、処理室４の床部は漏斗
状のレジスト剥離液回収部８となってなり、このレジス
ト剥離液回収部８の筒口下部は処理タンク２の上部内に
配置されている。処理室４内において搬送ローラ７の上
方には複数のシャワー９が設けられている。シャワー９
は配管１０を介して処理タンク２の下部に接続されてい
る。配管１０にはポンプ１１が介在されている。

【０００７】装置本体１の外部には補給タンク１２が設
けられている。補給タンク１２内には、１００％のＭＥ
Ａ溶液または水で適宜に希釈してなる高濃度のＭＥＡ溶
液（アミン溶液）１３が収容されている。補給タンク１
２内のＭＥＡ溶液１３は、ポンプ１４の駆動により、配
管１６を介して処理タンク２内に補給されるようになっ
ている。ポンプ１４の駆動制御は、詳細は後述するが、
処理タンク２内に設けられたｐＨ（ペーハー）電極１６
に接続されたｐＨメータ１７からのｐＨ信号を受ける制
御部１８によって行われるようになっている。

【０００８】次に、このレジスト剥離装置により、前段
のエッチング装置から送られてきたデバイス基板２１上
のレジスト２３を剥離する場合について説明する。処理
タンク２内のレジスト剥離液３は、ポンプ１１の駆動に
より、配管１０を介してシャワー９に供給される。する
と、シャワー９からレジスト剥離液３が搬送ローラ７上
のデバイス基板２１上に散布され、デバイス基板２１上
のレジスト２３が溶解されて剥離される。この剥離（溶
解）されたレジストを含むレジスト剥離液３は、レジス
ト剥離液回収部８を介して処理タンク２内に回収され、
再使用される。

【０００９】ところで、レジスト剥離液３のレジスト剥
離能力を大きく劣化させる要因は、大気中の二酸化炭素
がレジスト剥離液３に溶け込むことである。すなわち、
レジスト剥離液３が処理室４内において大気中に曝され
ると、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液３に溶け込
む。そして、レジスト剥離液３に溶け込んだ二酸化炭素
の濃度がある値以上になると、レジスト剥離液３のレジ
スト剥離能力が大きく劣化し、デバイス基板２１上にレ
ジスト残渣が発生するようになる。

【００１０】ここで、レジスト剥離液３に溶け込んだ二
酸化炭素の濃度はレジスト剥離液３のｐＨに反比例す
る。レジスト剥離液３のｐＨは、レジスト剥離液３が新
液の場合１２程度であるが、図２に示すように、使用時
間の経過に伴い、徐々に低下する。そして、レジスト剥
離液３のｐＨが１０．８〜１１．２（以下、一例とし
て、１１．０）未満になると、レジスト剥離液３のレジ
スト剥離能力が大きく劣化し、デバイス基板２１上にレ
ジスト残渣が発生するようになる。

【００１１】そこで、処理タンク２（または配管１０）
内のレジスト剥離液３のｐＨをｐＨ電極１６を介してｐ
Ｈメータ１７で定期的に測定し、その測定結果（ｐＨ信
号）を制御部１８に送出する。制御部１８は、ｐＨメー
タ１７から供給されたｐＨ信号に応じたｐＨ値が予め設
定された値１１．０以下であるか否かを判断し、１１．
０以下である場合には、ポンプ１４を駆動させる。ここ
で、１１．０以下としたのは、１１．０未満であると、
レジスト残渣が発生してしまうので、レジスト残渣が発
生する前に、ポンプ１４を駆動させるためである。

【００１２】ポンプ１４が駆動すると、補給タンク１２
内のＭＥＡ溶液１３が配管１６を介して処理タンク２内
に補給される。すると、処理タンク２内のレジスト剥離
液３のｐＨ値が増加し、二酸化炭素の濃度が低下する。
この結果、処理タンク２内のレジスト剥離液３のレジス
ト剥離能力が復元され、したがってレジスト剥離液３の
使用時間を延ばすことができ、ひいては稼働率が向上
し、またコストを低減することができる。

【００１３】なお、ポンプ１４の停止は、実験データに
基づいた量のＭＥＡ溶液１３を補給したら、自動的に行
われるようにしてもよい。また、ｐＨメータ１７で測定
されたｐＨ値が設定値１１．０よりも所定値上がったと
き、例えば１１．１となったとき、制御部１８からポン
プ１４に停止信号が送出されるようにしてもよい。

【００１４】ところで、ｐＨを測定する場合、ｐＨ電極
１６の校正という作業が必要であり、自動測定にはやや
不向きな面がある。また、ｐＨ電極１６から電解液中の
カリウムイオンがレジスト剥離液３中に拡散する懸念が
ある。そこで、次に、このようなことを考慮する必要が
ない、この発明の他の実施形態について説明する。

【００１５】図３はこの発明の他の実施形態におけるレ
ジスト剥離装置の概略構成図を示したものである。この
図において、図１と同一名称部分には同一の符号を付
し、その説明を適宜省略する。この実施形態では、ポン
プ１４の駆動制御は、詳細は後述するが、処理タンク２
内に設けられた導電率電極３１に接続された導電率計３
２からの導電率信号を受ける制御部１８によって行われ
るようになっている。また、処理タンク２内には、電磁
弁３３が介在された配管３４を介して水分が補給される
ようになっている。電磁弁３３の制御は、詳細は後述す
るが、配管１０に並列に接続された分岐配管３５に介在
された吸光光度計３６からの吸光度信号を受ける制御部
１８によって行われるようになっている。

【００１６】ここで、新液のレジスト剥離液３に二酸化
炭素を吸収させた場合におけるｐＨと導電率との関係
は、図４に示すような関係にある。この図から明らかな
ように、レジスト剥離液３の導電率は、新液の場合１６
０μＳ／ｃｍ前後の値を示すが、ｐＨが低下するに従
い、徐々に増加する。この場合、ｐＨ１０．８〜１１．
２に対応する導電率はほぼ１３００〜６００μＳ／ｃｍ
であり、ｐＨ１１．０に対応する導電率はほぼ９００μ
Ｓ／ｃｍである。

【００１７】ところで、レジスト剥離液３の水分濃度
（ｗｔ％）と導電率との関係は、図５に示すような関係
にある。この場合、図５において、一番上の線はレジス
ト剥離液３のｐＨが１０．７７の場合であり、次の線は
ｐＨ１１．０５の場合であり、次の線はｐＨ１１．３９
の場合であり、次の線はｐＨ１１．６５の場合であり、
次の線はｐＨ１１．８５の場合である。この図から明ら
かなように、レジスト剥離液３の導電率は、ｐＨの値に
関係なく、レジスト剥離液３中の水分の蒸発により、水
分濃度が低下すると、それに従い、徐々に減少する。

【００１８】したがって、例えば図６に示すように、レ
ジスト剥離液３の水分濃度を一定とした場合には、レジ
スト剥離液３の導電率はｐＨと相関関係にある。この場
合、図６において、黒丸は水分濃度を４３％と一定とし
た場合であり、黒四角は水分濃度を４７．４％と一定と
した場合であり、黒三角は水分濃度を５０．４％と一定
とした場合である。以上の結果、レジスト剥離液３の水
分濃度を一定に保持した状態で、導電率を測定すると、
ｐＨの値が分かり、ひいてはレジスト剥離液３の二酸化
炭素の濃度が分かる。したがって、この実施形態では、
まず、レジスト剥離液３の水分濃度を一定に保持する必
要がある。このためには、レジスト剥離液３の水分濃度
を測定する必要がある。図３に示す吸光光度計３６はそ
のためのものである。

【００１９】次に、吸光光度計３６によるレジスト剥離
液３の水分濃度の測定について説明する。まず、図７は
一定の水分濃度のレジスト剥離液３の透過率を示したも
のである。この場合、図７において、波長９８０ｎｍ前
後における一番上の黒菱形で示す線はレジスト剥離液５
ｍｌ中の水分量が０ｍｌの場合であり、次の黒四角で示
す線はレジスト剥離液５ｍｌ中の水分量が０．５ｍｌの
場合であり、次の黒三角で示す線はレジスト剥離液５ｍ
ｌ中の水分量が１ｍｌの場合であり、次の黒丸で示す線
はレジスト剥離液５ｍｌ中の水分量が２ｍｌの場合であ
る。この図から明らかなように、波長９８０ｎｍにピー
クがあるが、これは水分によるものである。そこで、吸
光光度計３６でレジスト剥離液３の波長９８０ｎｍの吸
光度を測定すると、レジスト剥離液３の水分濃度を求め
ることができる。

【００２０】さて、吸光光度計３６でレジスト剥離液３
の波長９８０ｎｍの吸光度を定期的に測定し、その測定
結果（吸光度信号）を制御部１８に送出する。制御部１
８は、吸光光度計３６から供給された吸光度信号に基づ
いて、レジスト剥離液３の水分濃度がある設定値未満で
あるか否かを判断し、ある設定値未満である場合には、
電磁弁３３を開き、水分を配管３４を介して処理タンク
２内に補給し、レジスト剥離液３の水分濃度がある設定
値となるようにする。

【００２１】このように、レジスト剥離液３の水分濃度
をある設定値に保持した状態において、処理タンク２内
のレジスト剥離液３の導電率を導電率電極３１を介して
導電率計３２で定期的に測定し、その測定結果（導電率
信号）を制御部１８に送出する。制御部１８は、導電率
計３２から供給された導電率信号に応じた導電率が予め
設定された値例えばｐＨ１１．０にほぼ対応する９００
μＳ／ｃｍ以上であるか否かを判断し、９００μＳ／ｃ
ｍ以上である場合には、ポンプ１４を駆動させる。

【００２２】ポンプ１４が駆動すると、補給タンク１２
内のＭＥＡ溶液１３が配管１６を介して処理タンク２内
に補給される。すると、処理タンク２内のレジスト剥離
液３の導電率が低下し、ｐＨ値が増加し、二酸化炭素の
濃度が低下する。この結果、処理タンク２内のレジスト
剥離液３のレジスト剥離能力が復元され、したがってレ
ジスト剥離液３の使用時間を延ばすことができ、ひいて
は稼働率が向上し、またコストを低減することができ
る。

【００２３】なお、ポンプ１４の停止は、実験データに
基づいた量のＭＥＡ溶液１３を補給したら、自動的に行
われるようにしてもよい。また、導電率計３２で測定さ
れた導電率が設定値９００μＳ／ｃｍよりも所定値下が
ったとき、例えば８００μＳ／ｃｍとなったとき、制御
部１８からポンプ１４に停止信号が送出されるようにし
てもよい。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検
出し、この検出結果に基づいてアミン溶液を補給してい
るので、アミン溶液の補給により、レジスト剥離液の二
酸化炭素の濃度が低下し、レジスト剥離液のレジスト剥
離能力が復元され、したがってレジスト剥離液の使用時
間を延ばすことができ、ひいては稼働率が向上し、また
コストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態におけるレジスト剥離装
置の概略構成図。

【図２】レジスト剥離液のｐＨの経時変化を示す図。

【図３】この発明の他の実施形態におけるレジスト剥離
装置の概略構成図。

【図４】新液のレジスト剥離液に二酸化炭素を吸収させ
た場合におけるｐＨと導電率との関係を示す図。

【図５】レジスト剥離液の水分濃度と導電率との関係を
示す図。

【図６】一定の水分濃度のレジスト剥離液のｐＨと導電
率との関係を示す図。

【図７】一定の水分濃度のレジスト剥離液の透過率を示
す図。

【符号の説明】

１ 装置本体 ２ 処理タンク ３ レジスト剥離液 ４ 処理室 ８ レジスト剥離液回収部 ９ シャワー １１ ポンプ １２ 補給タンク １３ ＭＥＡ溶液 １４ ポンプ １６ ｐＨ電極 １７ ｐＨメータ １８ 制御部 ２１ デバイス基板 ２２ 被加工膜 ２３ レジスト ３１ 導電率電極 ３２ 導電率計 ３３ 電磁弁 ３６ 吸光光度計

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA02 5F043 CC16 DD30 EE23 EE24 EE33 GG10 5F046 MA02 MA06 MA10

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レジスト剥離液を用いてレジストを剥離
   し、使用後のレジスト剥離液を回収して再使用するレジ
   スト剥離装置において、レジスト剥離液に溶け込んだ二
   酸化炭素の濃度を検出する二酸化炭素濃度検出手段と、
   この二酸化炭素濃度検出手段による検出結果に基づいて
   レジスト剥離液にアミン溶液を補給するアミン溶液補給
   手段とを具備することを特徴とするレジスト剥離装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の発明において、前記二
   酸化炭素濃度検出手段は、レジスト剥離液のｐＨを測定
   するｐＨ測定手段からなることを特徴とするレジスト剥
   離装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の発明において、前記ｐ
   Ｈ測定手段により測定されたｐＨ値が設定値以下となっ
   たとき、前記アミン溶液補給手段によりアミン溶液を補
   給することを特徴とするレジスト剥離装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の発明において、前記ｐ
   Ｈ測定手段により測定されたｐＨ値が前記設定値よりも
   所定値上がったとき、前記アミン溶液補給手段によるア
   ミン溶液の補給を停止することを特徴とするレジスト剥
   離装置。
5. 【請求項５】 請求項３に記載の発明において、前記ア
   ミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給量は予め設定
   された量であることを特徴とするレジスト剥離装置。
6. 【請求項６】 請求項３〜５のいずれかに記載の発明に
   おいて、前記設定値は１０．８〜１１．２であることを
   特徴とするレジスト剥離装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の発明において、前記設
   定値は１１．０であることを特徴とするレジスト剥離装
   置。
8. 【請求項８】 請求項１に記載の発明において、前記二
   酸化炭素濃度検出手段は、レジスト剥離液の導電率を測
   定する導電率測定手段からなることを特徴とするレジス
   ト剥離装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の発明において、レジス
   ト剥離液の水分濃度を測定し、この水分濃度が一定とな
   るようにレジスト剥離液に水分を補給する水分補給手段
   を備え、前記導電率測定手段によるレジスト剥離液の導
   電率の測定は、レジスト剥離液の水分濃度を一定に保持
   した状態で行うことを特徴とするレジスト剥離装置。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の発明において、前記
    導電率測定手段により測定された導電率が設定値以上と
    なったとき、前記アミン溶液補給手段によりアミン溶液
    を補給することを特徴とするレジスト剥離装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の発明において、前
    記導電率測定手段により測定された導電率が前記設定値
    よりも所定値下がったとき、前記アミン溶液補給手段に
    よるアミン溶液の補給を停止することを特徴とするレジ
    スト剥離装置。
12. 【請求項１２】 請求項１０に記載の発明において、前
    記アミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給量は予め
    設定された量であることを特徴とするレジスト剥離装
    置。
13. 【請求項１３】 請求項１０〜１２のいずれかに記載の
    発明において、前記設定値は１３００〜６００μＳ／ｃ
    ｍであることを特徴とするレジスト剥離装置。
14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の発明において、前
    記設定値は９００μＳ／ｃｍであることを特徴とするレ
    ジスト剥離装置。
15. 【請求項１５】 デバイス基板上に形成された被加工膜
    上にパターン形成されたレジストをマスクとして前記被
    加工膜をエッチングし、次いで前記レジストをレジスト
    剥離液を用いて剥離し、使用後のレジスト剥離液を回収
    して再使用するデバイスの製造方法において、レジスト
    剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出し、この検
    出結果に基づいてレジスト剥離液にアミン溶液を補給
    し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を復元しながら
    再使用することを特徴とするデバイスの製造方法。
16. 【請求項１６】 請求項１５に記載の発明において、前
    記二酸化炭素の濃度は、レジスト剥離液のｐＨを測定
    し、この測定結果に基づいて検出することを特徴とする
    デバイスの製造方法。
17. 【請求項１７】 請求項１６に記載の発明において、測
    定されたｐＨ値が設定値以下となったとき、アミン溶液
    を補給することを特徴とするデバイスの製造方法。
18. 【請求項１８】 請求項１７に記載の発明において、測
    定されたｐＨ値が前記設定値よりも所定値上がったと
    き、アミン溶液の補給を停止することを特徴とするデバ
    イスの製造方法。
19. 【請求項１９】 請求項１７に記載の発明において、ア
    ミン溶液の補給量は予め設定された量であることを特徴
    とするデバイスの製造方法。
20. 【請求項２０】 請求項１７〜１９のいずれかに記載の
    発明において、前記設定値は１０．８〜１１．２である
    ことを特徴とするデバイスの製造方法。
21. 【請求項２１】 請求項２０に記載の発明において、前
    記設定値は１１．０であることを特徴とするデバイスの
    製造方法。
22. 【請求項２２】 請求項１５に記載の発明において、前
    記二酸化炭素の濃度は、レジスト剥離液の導電率を測定
    し、この測定結果に基づいて検出することを特徴とする
    デバイスの製造方法。
23. 【請求項２３】 請求項２２に記載の発明において、レ
    ジスト剥離液の導電率の測定は、レジスト剥離液の水分
    濃度を測定し、この水分濃度が一定となるように水分を
    補給した状態で、行うことを特徴とするデバイスの製造
    方法。
24. 【請求項２４】 請求項２３に記載の発明において、測
    定された導電率が設定値以上となったとき、アミン溶液
    を補給することを特徴とするデバイスの製造方法。
25. 【請求項２５】 請求項２４に記載の発明において、測
    定された導電率が前記設定値よりも所定値下がったと
    き、アミン溶液の補給を停止することを特徴とするデバ
    イスの製造方法。
26. 【請求項２６】 請求項２４に記載の発明において、ア
    ミン溶液の補給量は予め設定された量であることを特徴
    とするデバイスの製造方法。
27. 【請求項２７】 請求項２４〜２６のいずれかに記載の
    発明において、前記設定値は１３００〜６００μＳ／ｃ
    ｍであることを特徴とするデバイスの製造方法。
28. 【請求項２８】 請求項２７に記載の発明において、前
    記設定値は９００μＳ／ｃｍであることを特徴とするデ
    バイスの製造方法。