JP2002092927A - 光ピックアップ装置、光学素子の製造方法、光情報記録媒体および光ディスク装置 - Google Patents
光ピックアップ装置、光学素子の製造方法、光情報記録媒体および光ディスク装置Info
- Publication number
- JP2002092927A JP2002092927A JP2000285013A JP2000285013A JP2002092927A JP 2002092927 A JP2002092927 A JP 2002092927A JP 2000285013 A JP2000285013 A JP 2000285013A JP 2000285013 A JP2000285013 A JP 2000285013A JP 2002092927 A JP2002092927 A JP 2002092927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- recording medium
- convex spherical
- information recording
- spherical lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lenses (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 凸球面レンズと光情報記録媒体との間に生じ
るノイズ光の発生を低減する。 【解決手段】 凸球面レンズ１０の光情報記録媒体Ｄ１
側に、反射防止手段１１を設ける。これにより、反射防
止手段１１によって光の反射率を低く抑えることがで
き、エアギャップＧ１内には反射光成分がほとんど生じ
ないようにすることができるので、繰り返し反射も生じ
ず、凸球面レンズ１０と光情報記録媒体Ｄ１との間に生
じるノイズ光の発生を低減することができる。
るノイズ光の発生を低減する。 【解決手段】 凸球面レンズ１０の光情報記録媒体Ｄ１
側に、反射防止手段１１を設ける。これにより、反射防
止手段１１によって光の反射率を低く抑えることがで
き、エアギャップＧ１内には反射光成分がほとんど生じ
ないようにすることができるので、繰り返し反射も生じ
ず、凸球面レンズ１０と光情報記録媒体Ｄ１との間に生
じるノイズ光の発生を低減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体、
その光情報記録媒体の記録面上に光スポットを照射して
情報を光学的に記録、再生又は消去等する光ピックアッ
プ装置、この光ピックアップ装置に設けられる光学素子
の製造方法、およびその光ピックアップ装置を備える光
ディスク装置に関する。
その光情報記録媒体の記録面上に光スポットを照射して
情報を光学的に記録、再生又は消去等する光ピックアッ
プ装置、この光ピックアップ装置に設けられる光学素子
の製造方法、およびその光ピックアップ装置を備える光
ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ピックアップ装置の一例につい
て図１２に基づいて説明する。図１２に示すように、従
来の光ピックアップ装置は、レーザ光源としての半導体
レーザ１０１と、コリメータレンズ１０２と、偏光ビー
ムスプリッタ１０３と、１／４波長板１０４と、対物レ
ンズ１０５と、集光レンズ１０６と、フォトダイオード
（以下、ＰＤという）１０７とを主体に構成されてい
る。このような構成において、半導体レーザ１０１から
出射された直線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ１
０２によって略平行光とされ、偏光ビームスプリッタ１
０３と１／４波長板１０４とで構成される光アイソレー
タにおいて直線偏光から円偏光に変換される。円偏光に
変換された光は、対物レンズ１０５により集光され、光
情報記録媒体である光ディスクＤ´の記録面上に光スポ
ットの状態で照射される。この光ディスクＤ´の記録面
からの反射光は出射光とは逆の経路を辿り、対物レンズ
１０５を通過し、１／４波長板１０４により偏光方向を
９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光ビームス
プリッタ１０３により集光レンズ１０６方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ１０３により反射された光
は、集光レンズ１０６により集光され、ＰＤ１０７に入
射される。ＰＤ１０７では、光ディスクＤ´の記録面上
にマークを有するか否かにより生じる反射率の違いに応
じて変化する反射光の出力量を検出する。これにより、
サーボ信号（フォーカスエラー信号、トラックエラー信
号）の検出や、光ディスクＤ´に対する記録信号の記
録、再生又は消去が行われる。なお、実際には、フォー
カス検出やトラック検出のための光学部品が存在する
が、ここでは省略して説明する。
て図１２に基づいて説明する。図１２に示すように、従
来の光ピックアップ装置は、レーザ光源としての半導体
レーザ１０１と、コリメータレンズ１０２と、偏光ビー
ムスプリッタ１０３と、１／４波長板１０４と、対物レ
ンズ１０５と、集光レンズ１０６と、フォトダイオード
（以下、ＰＤという）１０７とを主体に構成されてい
る。このような構成において、半導体レーザ１０１から
出射された直線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ１
０２によって略平行光とされ、偏光ビームスプリッタ１
０３と１／４波長板１０４とで構成される光アイソレー
タにおいて直線偏光から円偏光に変換される。円偏光に
変換された光は、対物レンズ１０５により集光され、光
情報記録媒体である光ディスクＤ´の記録面上に光スポ
ットの状態で照射される。この光ディスクＤ´の記録面
からの反射光は出射光とは逆の経路を辿り、対物レンズ
１０５を通過し、１／４波長板１０４により偏光方向を
９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光ビームス
プリッタ１０３により集光レンズ１０６方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ１０３により反射された光
は、集光レンズ１０６により集光され、ＰＤ１０７に入
射される。ＰＤ１０７では、光ディスクＤ´の記録面上
にマークを有するか否かにより生じる反射率の違いに応
じて変化する反射光の出力量を検出する。これにより、
サーボ信号（フォーカスエラー信号、トラックエラー信
号）の検出や、光ディスクＤ´に対する記録信号の記
録、再生又は消去が行われる。なお、実際には、フォー
カス検出やトラック検出のための光学部品が存在する
が、ここでは省略して説明する。
【０００３】ところで、近年においては、光情報記録媒
体である光ディスク等の高密度化が進んでいる。このよ
うな高密度化された光ディスクについて記録再生等する
ためには、光ディスクの記録面上でのスポットサイズｗ
（ｗ∝λ／sinθ´）を小さくする必要がある。ここ
で、θ´は対物レンズの出射角、λはレーザ光の波長で
ある。また、対物レンズの開口数（ＮＡ）と対物レンズ
の出射角θ´とは、 ＮＡ＝sinθ´ の関係にある。
体である光ディスク等の高密度化が進んでいる。このよ
うな高密度化された光ディスクについて記録再生等する
ためには、光ディスクの記録面上でのスポットサイズｗ
（ｗ∝λ／sinθ´）を小さくする必要がある。ここ
で、θ´は対物レンズの出射角、λはレーザ光の波長で
ある。また、対物レンズの開口数（ＮＡ）と対物レンズ
の出射角θ´とは、 ＮＡ＝sinθ´ の関係にある。
【０００４】ところが、図１２に例示したような光ピッ
クアップ装置によって光ディスクＤ´を照射した場合に
おける光ディスクＤ´の記録面上でのスポットサイズｗ
は、光の回折限界によりレーザ光の波長程度の大きさで
しか得られない。スポットサイズｗをさらに小さくする
ためには、レーザ光の波長を短くするか、ＮＡを大きく
するために対物レンズ１０５の径を大きくすることが考
えられる。しかしながら、より波長の短いレーザ光を発
生する半導体レーザの開発は容易ではなく、また、径の
大きな対物レンズ１０５を採用してしまうと装置が大型
化してしまうとともにフォーカス制御等が困難となる。
クアップ装置によって光ディスクＤ´を照射した場合に
おける光ディスクＤ´の記録面上でのスポットサイズｗ
は、光の回折限界によりレーザ光の波長程度の大きさで
しか得られない。スポットサイズｗをさらに小さくする
ためには、レーザ光の波長を短くするか、ＮＡを大きく
するために対物レンズ１０５の径を大きくすることが考
えられる。しかしながら、より波長の短いレーザ光を発
生する半導体レーザの開発は容易ではなく、また、径の
大きな対物レンズ１０５を採用してしまうと装置が大型
化してしまうとともにフォーカス制御等が困難となる。
【０００５】そこで、図１３に示すように、対物レンズ
１０５と光ディスクＤ´との間にソリッドイマージョン
レンズ（Solid Immersion Lens）等の凸球面レンズ１０
８を設け、この凸球面レンズ１０８を介して光ディスク
Ｄ´の記録面を照射することにより、実効的にＮＡを大
きくしてスポットサイズｗを小さくするようにした光ピ
ックアップ装置が考えられている（例えば、特開平5-18
9796号公報参照）。図１３に示す構成によれば、入射面
側が球面状であって出射面側が平面とされている半球形
状の凸球面レンズ１０８に対物レンズ１０５で集光され
た光が入射すると、その入射光は出射面側の平面の中心
に収束する。また、この凸球面レンズ１０８と光ディス
クＤ´の記録面との間隔がレーザ光の波長以下の間隔
（例えば、１００ｎｍ以下）である場合には、凸球面レ
ンズ１０８の出射面側の平面に形成されるスポットサイ
ズｗと、光ディスクＤ´の記録面上に形成されるスポッ
トサイズとは略同一になる。また、スポットサイズｗ
は、凸球面レンズ１０８の屈折率の逆数に比例する。こ
れにより、凸球面レンズ１０８の屈折率をｎとすると、
そのスポットサイズｗは、 ｗ∝λ／ｎsinθ´ となるので、ＮＡをｎ倍にした場合と同等の効果が得ら
れ、より小さなスポットサイズｗの光スポットを得るこ
とができる。
１０５と光ディスクＤ´との間にソリッドイマージョン
レンズ（Solid Immersion Lens）等の凸球面レンズ１０
８を設け、この凸球面レンズ１０８を介して光ディスク
Ｄ´の記録面を照射することにより、実効的にＮＡを大
きくしてスポットサイズｗを小さくするようにした光ピ
ックアップ装置が考えられている（例えば、特開平5-18
9796号公報参照）。図１３に示す構成によれば、入射面
側が球面状であって出射面側が平面とされている半球形
状の凸球面レンズ１０８に対物レンズ１０５で集光され
た光が入射すると、その入射光は出射面側の平面の中心
に収束する。また、この凸球面レンズ１０８と光ディス
クＤ´の記録面との間隔がレーザ光の波長以下の間隔
（例えば、１００ｎｍ以下）である場合には、凸球面レ
ンズ１０８の出射面側の平面に形成されるスポットサイ
ズｗと、光ディスクＤ´の記録面上に形成されるスポッ
トサイズとは略同一になる。また、スポットサイズｗ
は、凸球面レンズ１０８の屈折率の逆数に比例する。こ
れにより、凸球面レンズ１０８の屈折率をｎとすると、
そのスポットサイズｗは、 ｗ∝λ／ｎsinθ´ となるので、ＮＡをｎ倍にした場合と同等の効果が得ら
れ、より小さなスポットサイズｗの光スポットを得るこ
とができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような光ピックアップ装置においては、光ディスクＤ
´に対する情報の記録、再生又は消去を行う際に、凸球
面レンズ１０８と光ディスクＤ´とによって平行平板形
状のエアギャップが形成されることになる。この平行平
板形状のエアギャップが形成された場合には、平行平板
の各面で光が反射されることにより、繰り返し反射によ
るノイズ光が生じ、記録、再生又は消去信号に悪影響を
与えるという問題がある。
たような光ピックアップ装置においては、光ディスクＤ
´に対する情報の記録、再生又は消去を行う際に、凸球
面レンズ１０８と光ディスクＤ´とによって平行平板形
状のエアギャップが形成されることになる。この平行平
板形状のエアギャップが形成された場合には、平行平板
の各面で光が反射されることにより、繰り返し反射によ
るノイズ光が生じ、記録、再生又は消去信号に悪影響を
与えるという問題がある。
【０００７】本発明の目的は、凸球面レンズと光情報記
録媒体との間に生じるノイズ光の発生を低減することで
ある。
録媒体との間に生じるノイズ光の発生を低減することで
ある。
【０００８】本発明の目的は、凸球面レンズに傷がつく
ことを抑制することである。
ことを抑制することである。
【０００９】本発明の目的は、凸球面レンズと光情報記
録媒体とによって形成されるエアギャップ内の反射光成
分を除去することである。
録媒体とによって形成されるエアギャップ内の反射光成
分を除去することである。
【００１０】本発明の目的は、光情報記録媒体に傷がつ
くことを抑制することである。
くことを抑制することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の光
ピックアップ装置は、光情報記録媒体との間に所定のエ
アギャップを空けて配置される略半球形状の凸球面レン
ズを介して半導体レーザから出射したレーザ光を前記光
情報記録媒体上に光スポットとして照射し、その光情報
記録媒体に対する情報の記録、再生又は消去を光学的に
行う光ピックアップ装置において、前記凸球面レンズの
前記光情報記録媒体側に、反射防止手段を設けた。
ピックアップ装置は、光情報記録媒体との間に所定のエ
アギャップを空けて配置される略半球形状の凸球面レン
ズを介して半導体レーザから出射したレーザ光を前記光
情報記録媒体上に光スポットとして照射し、その光情報
記録媒体に対する情報の記録、再生又は消去を光学的に
行う光ピックアップ装置において、前記凸球面レンズの
前記光情報記録媒体側に、反射防止手段を設けた。
【００１２】したがって、反射防止手段によって光の反
射率が低く抑えられていることから、エアギャップ内に
は反射光成分がほとんど生じなくなることにより、繰り
返し反射も生じないので、ノイズ光の発生を低減するこ
とが可能になる。
射率が低く抑えられていることから、エアギャップ内に
は反射光成分がほとんど生じなくなることにより、繰り
返し反射も生じないので、ノイズ光の発生を低減するこ
とが可能になる。
【００１３】請求項２記載の発明の光ピックアップ装置
は、対物レンズと略半球形状の凸球面レンズとを光軸を
一致させて一体に設けた光学素子を有し、光情報記録媒
体との間に所定のエアギャップを空けて配置される前記
凸球面レンズを介して半導体レーザから出射したレーザ
光を前記光情報記録媒体上に光スポットとして照射し、
その光情報記録媒体に対する情報の記録、再生又は消去
を光学的に行う光ピックアップ装置において、前記光学
素子の前記光情報記録媒体側に、反射防止手段を設け
た。
は、対物レンズと略半球形状の凸球面レンズとを光軸を
一致させて一体に設けた光学素子を有し、光情報記録媒
体との間に所定のエアギャップを空けて配置される前記
凸球面レンズを介して半導体レーザから出射したレーザ
光を前記光情報記録媒体上に光スポットとして照射し、
その光情報記録媒体に対する情報の記録、再生又は消去
を光学的に行う光ピックアップ装置において、前記光学
素子の前記光情報記録媒体側に、反射防止手段を設け
た。
【００１４】したがって、反射防止手段によって光の反
射率が低く抑えられていることから、エアギャップ内に
は反射光成分がほとんど生じなくなることにより、繰り
返し反射も生じないので、ノイズ光の発生を低減するこ
とが可能になる。
射率が低く抑えられていることから、エアギャップ内に
は反射光成分がほとんど生じなくなることにより、繰り
返し反射も生じないので、ノイズ光の発生を低減するこ
とが可能になる。
【００１５】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載の光ピックアップ装置において、前記反射防止手段
は、耐磨耗性に優れた材料により形成されている。
記載の光ピックアップ装置において、前記反射防止手段
は、耐磨耗性に優れた材料により形成されている。
【００１６】したがって、例えば凸球面レンズと光情報
記録媒体とが万が一接触した場合や埃が付着した場合で
あっても、凸球面レンズに傷がつくことを抑制すること
が可能になる。
記録媒体とが万が一接触した場合や埃が付着した場合で
あっても、凸球面レンズに傷がつくことを抑制すること
が可能になる。
【００１７】請求項４記載の発明は、請求項１ないし３
のいずれか一記載の光ピックアップ装置において、前記
エアギャップは、前記半導体レーザから出射されるレー
ザ光の半波長の偶数倍を除く幅に規定されている。
のいずれか一記載の光ピックアップ装置において、前記
エアギャップは、前記半導体レーザから出射されるレー
ザ光の半波長の偶数倍を除く幅に規定されている。
【００１８】したがって、エアギャップ内にわずかに存
在する凸球面レンズでの表面反射光と光情報記録媒体の
表面の反射光との干渉を抑えることが可能になり、ノイ
ズ光の発生を低減することが可能になる。なお、レーザ
光の半波長の偶数倍を除く幅としては、レーザ光の半波
長の奇数倍の幅が望ましい。
在する凸球面レンズでの表面反射光と光情報記録媒体の
表面の反射光との干渉を抑えることが可能になり、ノイ
ズ光の発生を低減することが可能になる。なお、レーザ
光の半波長の偶数倍を除く幅としては、レーザ光の半波
長の奇数倍の幅が望ましい。
【００１９】請求項５記載の発明は、請求項１ないし４
のいずれか一記載の光ピックアップ装置において、前記
凸球面レンズの前記光情報記録媒体側に配置される面
は、前記凸球面レンズ側の反射光成分と前記光情報記録
媒体側の反射光成分との位相差がすべての入射角に対し
て前記半導体レーザから出射されるレーザ光の半波長の
奇数倍になるような曲面に形成されている。
のいずれか一記載の光ピックアップ装置において、前記
凸球面レンズの前記光情報記録媒体側に配置される面
は、前記凸球面レンズ側の反射光成分と前記光情報記録
媒体側の反射光成分との位相差がすべての入射角に対し
て前記半導体レーザから出射されるレーザ光の半波長の
奇数倍になるような曲面に形成されている。
【００２０】したがって、エアギャップ内にわずかに存
在する凸球面レンズでの表面反射光と光情報記録媒体の
表面の反射光とはその位相差によって打ち消し合うこと
から、エアギャップ内の反射光成分を確実に除去するこ
とが可能になる。
在する凸球面レンズでの表面反射光と光情報記録媒体の
表面の反射光とはその位相差によって打ち消し合うこと
から、エアギャップ内の反射光成分を確実に除去するこ
とが可能になる。
【００２１】請求項６記載の発明の光学素子の製造方法
は、前記凸球面レンズの形状に略同一な凹部を形成する
凹部形成過程と、この凹部形成過程により形成された前
記凹部に対して高屈折透明材料を充填する透明材料充填
過程と、前記高屈折透明材料の充填後、その高屈折透明
材料と略同一の屈折率を有する薄板により前記凹部を閉
塞する凹部閉塞過程と、を含み、前記高屈折透明材料の
膨張によって前記薄板を湾曲させて請求項５記載の前記
凸球面レンズの曲面を形成する。
は、前記凸球面レンズの形状に略同一な凹部を形成する
凹部形成過程と、この凹部形成過程により形成された前
記凹部に対して高屈折透明材料を充填する透明材料充填
過程と、前記高屈折透明材料の充填後、その高屈折透明
材料と略同一の屈折率を有する薄板により前記凹部を閉
塞する凹部閉塞過程と、を含み、前記高屈折透明材料の
膨張によって前記薄板を湾曲させて請求項５記載の前記
凸球面レンズの曲面を形成する。
【００２２】したがって、凸球面レンズの曲面を容易に
形成することが可能になる。
形成することが可能になる。
【００２３】請求項７記載の発明の光情報記録媒体は、
請求項１ないし５のいずれか一記載の光ピックアップ装
置によって情報を光学的に記録、再生又は消去される光
情報記録媒体において、前記光ピックアップ装置側に位
置する媒体表面には反射防止層が設けられている。
請求項１ないし５のいずれか一記載の光ピックアップ装
置によって情報を光学的に記録、再生又は消去される光
情報記録媒体において、前記光ピックアップ装置側に位
置する媒体表面には反射防止層が設けられている。
【００２４】したがって、反射防止層によって光の反射
率が低く抑えられていることから、この光情報記録媒体
を例えば請求項１ないし５のいずれか一記載の光ピック
アップ装置に使用することで、エアギャップ内には反射
光成分がほとんどなくなることにより、繰り返し反射も
生じないので、ノイズ光の発生を防止することが可能に
なる。
率が低く抑えられていることから、この光情報記録媒体
を例えば請求項１ないし５のいずれか一記載の光ピック
アップ装置に使用することで、エアギャップ内には反射
光成分がほとんどなくなることにより、繰り返し反射も
生じないので、ノイズ光の発生を防止することが可能に
なる。
【００２５】請求項８記載の発明は、請求項７記載の光
情報記録媒体において、前記反射防止層は、耐磨耗性に
優れた材料により形成されている。
情報記録媒体において、前記反射防止層は、耐磨耗性に
優れた材料により形成されている。
【００２６】したがって、例えば凸球面レンズと光情報
記録媒体とが万が一接触した場合や埃が付着した場合で
あっても、光情報記録媒体に傷がつくことを抑制するこ
とが可能になる。
記録媒体とが万が一接触した場合や埃が付着した場合で
あっても、光情報記録媒体に傷がつくことを抑制するこ
とが可能になる。
【００２７】請求項９記載の発明の光ディスク装置は、
光情報記録媒体を回転駆動させる駆動源と、前記光情報
記録媒体に対して半径方向にシーク移動自在な請求項１
ないし５のいずれか一記載の光ピックアップ装置と、を
備える。
光情報記録媒体を回転駆動させる駆動源と、前記光情報
記録媒体に対して半径方向にシーク移動自在な請求項１
ないし５のいずれか一記載の光ピックアップ装置と、を
備える。
【００２８】したがって、請求項１ないし５のいずれか
一記載の光ピックアップ装置と同様の作用を奏する光デ
ィスク装置を提供することが可能になる。
一記載の光ピックアップ装置と同様の作用を奏する光デ
ィスク装置を提供することが可能になる。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
ないし図２に基づいて説明する。本実施の形態の光ディ
スク装置は、概略的には、記録密度の非常に高い光情報
記録媒体である超高密度光ディスクを回転駆動させる駆
動源としてのスピンドルモータ（図示せず）と、回転駆
動される光ディスクの記録層に対して再生用または記録
用の光を照射させる光ピックアップ装置と、により構成
されている。
ないし図２に基づいて説明する。本実施の形態の光ディ
スク装置は、概略的には、記録密度の非常に高い光情報
記録媒体である超高密度光ディスクを回転駆動させる駆
動源としてのスピンドルモータ（図示せず）と、回転駆
動される光ディスクの記録層に対して再生用または記録
用の光を照射させる光ピックアップ装置と、により構成
されている。
【００３０】ここで、図１は光ピックアップ装置１を概
略的に示す構成図、図２はその一部を拡大して示す構成
図である。図１に示すように、本実施の形態の光ピック
アップ装置１は、レーザ光源としてレーザ光（波長：λ
＝６５０ｎｍ）を出射する半導体レーザ２と、コリメー
タレンズ３と、偏光ビームスプリッタ４と、１／４波長
板５と、光学系６と、集光レンズ７と、受光素子である
フォトダイオード（以下、ＰＤという）８とを主体に構
成されている。光学系６は、概略的には、対物レンズ９
と、半導体レーザ２からのレーザ光の入射面側が球面で
他方が平面である半球形状であって高屈折率を有する材
料により形成されている凸球面レンズ１０と、により構
成されている。凸球面レンズ１０は、その平面部分を光
ディスクＤ１に対向するように配設されている。また、
対物レンズ９と凸球面レンズ１０とは、それぞれの光軸
が一致するように配置されている。なお、凸球面レンズ
１０は、例えば波長６５０ｎｍでの屈折率ｎ1が１．５
１の透明な光学ガラスにより形成されている。
略的に示す構成図、図２はその一部を拡大して示す構成
図である。図１に示すように、本実施の形態の光ピック
アップ装置１は、レーザ光源としてレーザ光（波長：λ
＝６５０ｎｍ）を出射する半導体レーザ２と、コリメー
タレンズ３と、偏光ビームスプリッタ４と、１／４波長
板５と、光学系６と、集光レンズ７と、受光素子である
フォトダイオード（以下、ＰＤという）８とを主体に構
成されている。光学系６は、概略的には、対物レンズ９
と、半導体レーザ２からのレーザ光の入射面側が球面で
他方が平面である半球形状であって高屈折率を有する材
料により形成されている凸球面レンズ１０と、により構
成されている。凸球面レンズ１０は、その平面部分を光
ディスクＤ１に対向するように配設されている。また、
対物レンズ９と凸球面レンズ１０とは、それぞれの光軸
が一致するように配置されている。なお、凸球面レンズ
１０は、例えば波長６５０ｎｍでの屈折率ｎ1が１．５
１の透明な光学ガラスにより形成されている。
【００３１】図２に示すように、凸球面レンズ１０の平
面部分（光ディスクＤ１側）には、反射防止膜１１が塗
布されている。この反射防止膜１１は、その屈折率ｎ2
が、 ｎ2＝√ｎ1 （ｎ1：凸球面レンズ１０の屈折率） を満たすような材料によって形成されており、本実施の
形態においてはＭｇＦ2（屈折率ｎ2＝１．３８）によっ
て形成されている。また、反射防止膜１１の厚さは、 λ／４ （λ：レーザ光の波長） とされている。そして、このような反射防止膜１１の反
射率は、１〜２％程度である。ここに、反射防止膜１１
によって反射防止手段が実現されている。
面部分（光ディスクＤ１側）には、反射防止膜１１が塗
布されている。この反射防止膜１１は、その屈折率ｎ2
が、 ｎ2＝√ｎ1 （ｎ1：凸球面レンズ１０の屈折率） を満たすような材料によって形成されており、本実施の
形態においてはＭｇＦ2（屈折率ｎ2＝１．３８）によっ
て形成されている。また、反射防止膜１１の厚さは、 λ／４ （λ：レーザ光の波長） とされている。そして、このような反射防止膜１１の反
射率は、１〜２％程度である。ここに、反射防止膜１１
によって反射防止手段が実現されている。
【００３２】また、光情報記録媒体である光ディスクＤ
１は、透明な基板（図示せず）上に、反射層、誘電体
層、記録層、誘電体層（以上図示せず）、保護層１２、
反射防止層１３を順に積層配設させてなる。
１は、透明な基板（図示せず）上に、反射層、誘電体
層、記録層、誘電体層（以上図示せず）、保護層１２、
反射防止層１３を順に積層配設させてなる。
【００３３】なお、凸球面レンズ１０と光ディスクＤ１
の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレーザ光の
波長以下の間隔に設定されており、凸球面レンズ１０の
反射防止膜１１と光ディスクＤ１の反射防止層１３との
間には、所定間隔のエアギャップＧ１が設けられてい
る。
の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレーザ光の
波長以下の間隔に設定されており、凸球面レンズ１０の
反射防止膜１１と光ディスクＤ１の反射防止層１３との
間には、所定間隔のエアギャップＧ１が設けられてい
る。
【００３４】このような構成において、例えば光ディス
クＤ１の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学系６
の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ１０
に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球面レ
ンズ１０へと入射することにより大きく屈折して凸球面
レンズ１０の平面部分に微小な光スポットとして収束す
る。また、この凸球面レンズ１０の平面部分と光ディス
クＤ１の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間隔で
ある場合には、凸球面レンズ１０の平面部分に形成され
る光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ１の記
録層に形成される光スポットのスポットサイズとは略同
一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ１の記
録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ１の
記録層上に記録されたマークを照射する。その後、この
光ディスクＤ１の記録層からの反射光は逆の経路を辿
り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏光
方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光ビ
ームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ１の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ１
の再生が可能になる。
クＤ１の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学系６
の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ１０
に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球面レ
ンズ１０へと入射することにより大きく屈折して凸球面
レンズ１０の平面部分に微小な光スポットとして収束す
る。また、この凸球面レンズ１０の平面部分と光ディス
クＤ１の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間隔で
ある場合には、凸球面レンズ１０の平面部分に形成され
る光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ１の記
録層に形成される光スポットのスポットサイズとは略同
一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ１の記
録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ１の
記録層上に記録されたマークを照射する。その後、この
光ディスクＤ１の記録層からの反射光は逆の経路を辿
り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏光
方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光ビ
ームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ１の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ１
の再生が可能になる。
【００３５】ここで、上述したような光ディスクＤ１の
光ピックアップ装置１による再生時においては、凸球面
レンズ１０の反射防止膜１１と光ディスクＤ１の反射防
止層１３との間には、平行平板形状のエアギャップＧ１
が形成されることになる。しかしながら、反射防止膜１
１および反射防止層１３によって光の反射率が低く抑え
られていることから、エアギャップＧ１内には反射光成
分がほとんどなくなることにより、繰り返し反射も生じ
ないので、ノイズ光はほとんど生じない。
光ピックアップ装置１による再生時においては、凸球面
レンズ１０の反射防止膜１１と光ディスクＤ１の反射防
止層１３との間には、平行平板形状のエアギャップＧ１
が形成されることになる。しかしながら、反射防止膜１
１および反射防止層１３によって光の反射率が低く抑え
られていることから、エアギャップＧ１内には反射光成
分がほとんどなくなることにより、繰り返し反射も生じ
ないので、ノイズ光はほとんど生じない。
【００３６】次に、本発明の第二の実施の形態を図３お
よび図４に基づいて説明する。なお、前述した実施の形
態と同一部分は同一符号で示し説明も省略する（後述す
る第三、第四、第五、および第六の実施の形態において
同様）。本実施の形態の光ピックアップ装置２０は、第
一の実施の形態の光ピックアップ装置１の光学系６に代
えて光学系２１を用いているとともに、第一の実施の形
態の光ディスクＤ１に代えて光ディスクＤ２を用いる点
で異なるものである。
よび図４に基づいて説明する。なお、前述した実施の形
態と同一部分は同一符号で示し説明も省略する（後述す
る第三、第四、第五、および第六の実施の形態において
同様）。本実施の形態の光ピックアップ装置２０は、第
一の実施の形態の光ピックアップ装置１の光学系６に代
えて光学系２１を用いているとともに、第一の実施の形
態の光ディスクＤ１に代えて光ディスクＤ２を用いる点
で異なるものである。
【００３７】ここで、図３は光ピックアップ装置２０の
一部を拡大して示す構成図である。図３に示すように、
本実施の形態の光ピックアップ装置２０の光学系２１
は、概略的には、対物レンズ９と、半導体レーザ２から
のレーザ光の入射面側が球面で他方が平面である半球形
状であって高屈折率を有する材料により形成されている
凸球面レンズ１０と、により構成されている。凸球面レ
ンズ１０は、その平面部分を光ディスクＤ２に対向する
ように配設されている。また、対物レンズ９と凸球面レ
ンズ１０とは、それぞれの光軸が一致するように配置さ
れている。なお、凸球面レンズ１０は、例えば波長６５
０ｎｍでの屈折率ｎ1が１．５１の透明な光学ガラスに
より形成されている。
一部を拡大して示す構成図である。図３に示すように、
本実施の形態の光ピックアップ装置２０の光学系２１
は、概略的には、対物レンズ９と、半導体レーザ２から
のレーザ光の入射面側が球面で他方が平面である半球形
状であって高屈折率を有する材料により形成されている
凸球面レンズ１０と、により構成されている。凸球面レ
ンズ１０は、その平面部分を光ディスクＤ２に対向する
ように配設されている。また、対物レンズ９と凸球面レ
ンズ１０とは、それぞれの光軸が一致するように配置さ
れている。なお、凸球面レンズ１０は、例えば波長６５
０ｎｍでの屈折率ｎ1が１．５１の透明な光学ガラスに
より形成されている。
【００３８】加えて、凸球面レンズ１０の平面部分（光
ディスクＤ２側）には、２層の保護膜２２，２３が成膜
されている。これらの保護膜２２，２３は、保護膜２２
の屈折率をｎ3、膜厚をｄ3とし、保護膜２３の屈折率を
ｎ4、膜厚をｄ4とした場合、 ｎ3・ｄ3＝ｎ4・ｄ4 の関係を満たすような材料によって形成されている。ま
た、保護膜２２の屈折率ｎ3と保護膜２３屈折率をｎ4と
の関係は、 ｎ3／ｎ4＝√ｎ1 （ｎ1：凸球面レンズ１０の屈折
率） とされている。そこで、本実施の形態においては、屈折
率ｎ3が２．２のＣｅＯ2によって保護膜２２を形成し、
屈折率ｎ4が１．８の耐磨耗性に優れたダイヤモンドラ
イクカーボン層によって保護膜２３を形成している。ま
た、レーザ光の波長λが６５０ｎｍであることから、保
護膜２２の膜厚ｄ3は２９３ｎｍ、保護膜２３の膜厚ｄ4
は３５８ｎｍとされている。そして、図４に示すよう
に、このような保護膜２２，２３が成膜されている凸球
面レンズ１０の分光反射率は、レーザ光の波長λが６５
０ｎｍの場合に、ほぼ０％であるのが分かる。ここに、
２層の保護膜２２，２３によって反射防止手段が実現さ
れている。
ディスクＤ２側）には、２層の保護膜２２，２３が成膜
されている。これらの保護膜２２，２３は、保護膜２２
の屈折率をｎ3、膜厚をｄ3とし、保護膜２３の屈折率を
ｎ4、膜厚をｄ4とした場合、 ｎ3・ｄ3＝ｎ4・ｄ4 の関係を満たすような材料によって形成されている。ま
た、保護膜２２の屈折率ｎ3と保護膜２３屈折率をｎ4と
の関係は、 ｎ3／ｎ4＝√ｎ1 （ｎ1：凸球面レンズ１０の屈折
率） とされている。そこで、本実施の形態においては、屈折
率ｎ3が２．２のＣｅＯ2によって保護膜２２を形成し、
屈折率ｎ4が１．８の耐磨耗性に優れたダイヤモンドラ
イクカーボン層によって保護膜２３を形成している。ま
た、レーザ光の波長λが６５０ｎｍであることから、保
護膜２２の膜厚ｄ3は２９３ｎｍ、保護膜２３の膜厚ｄ4
は３５８ｎｍとされている。そして、図４に示すよう
に、このような保護膜２２，２３が成膜されている凸球
面レンズ１０の分光反射率は、レーザ光の波長λが６５
０ｎｍの場合に、ほぼ０％であるのが分かる。ここに、
２層の保護膜２２，２３によって反射防止手段が実現さ
れている。
【００３９】また、光情報記録媒体である光ディスクＤ
２は、透明な基板（図示せず）上に、反射層、誘電体
層、記録層、誘電体層（以上図示せず）、保護層１２、
反射防止層２４を順に積層配設させてなる。反射防止層
２４は、耐磨耗性に優れたダイヤモンドライクカーボン
層によって形成されている。
２は、透明な基板（図示せず）上に、反射層、誘電体
層、記録層、誘電体層（以上図示せず）、保護層１２、
反射防止層２４を順に積層配設させてなる。反射防止層
２４は、耐磨耗性に優れたダイヤモンドライクカーボン
層によって形成されている。
【００４０】なお、凸球面レンズ１０と光ディスクＤ２
の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレーザ光の
波長以下の間隔に設定されており、凸球面レンズ１０の
保護膜２３と光ディスクＤ２の反射防止層２４との間に
は、所定間隔のエアギャップＧ２が設けられている。
の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレーザ光の
波長以下の間隔に設定されており、凸球面レンズ１０の
保護膜２３と光ディスクＤ２の反射防止層２４との間に
は、所定間隔のエアギャップＧ２が設けられている。
【００４１】このような構成において、例えば光ディス
クＤ２の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学系２
１の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ１
０に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球面
レンズ１０へと入射することにより大きく屈折して凸球
面レンズ１０の平面部分に微小な光スポットとして収束
する。また、この凸球面レンズ１０の平面部分と光ディ
スクＤ２の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間隔
である場合には、凸球面レンズ１０の平面部分に形成さ
れる光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ２の
記録層に形成される光スポットのスポットサイズとは略
同一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ２の
記録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ２
の記録層上に記録されたマークを照射する。その後、こ
の光ディスクＤ２の記録層からの反射光は逆の経路を辿
り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏光
方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光ビ
ームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ２の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ２
の再生が可能になる。
クＤ２の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学系２
１の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ１
０に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球面
レンズ１０へと入射することにより大きく屈折して凸球
面レンズ１０の平面部分に微小な光スポットとして収束
する。また、この凸球面レンズ１０の平面部分と光ディ
スクＤ２の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間隔
である場合には、凸球面レンズ１０の平面部分に形成さ
れる光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ２の
記録層に形成される光スポットのスポットサイズとは略
同一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ２の
記録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ２
の記録層上に記録されたマークを照射する。その後、こ
の光ディスクＤ２の記録層からの反射光は逆の経路を辿
り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏光
方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光ビ
ームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ２の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ２
の再生が可能になる。
【００４２】ここで、上述したような光ディスクＤ２の
光ピックアップ装置２０による再生時においては、凸球
面レンズ１０の保護膜２３と光ディスクＤ２の反射防止
層２４との間には、平行平板形状のエアギャップＧ２が
形成されることになる。しかしながら、保護膜２２，２
３が成膜されている凸球面レンズ１０の反射率がほぼ０
％であることから、エアギャップＧ２内には反射光成分
がほとんどなくなることにより、繰り返し反射も生じな
いので、ノイズ光はほとんど生じない。
光ピックアップ装置２０による再生時においては、凸球
面レンズ１０の保護膜２３と光ディスクＤ２の反射防止
層２４との間には、平行平板形状のエアギャップＧ２が
形成されることになる。しかしながら、保護膜２２，２
３が成膜されている凸球面レンズ１０の反射率がほぼ０
％であることから、エアギャップＧ２内には反射光成分
がほとんどなくなることにより、繰り返し反射も生じな
いので、ノイズ光はほとんど生じない。
【００４３】また、凸球面レンズ１０の保護膜２３と光
ディスクＤ２の反射防止層２４とには硬いダイヤモンド
ライクカーボンを使用しているので、凸球面レンズ１０
と光ディスクＤ２とが万が一接触した場合であっても、
傷がつくことはない。
ディスクＤ２の反射防止層２４とには硬いダイヤモンド
ライクカーボンを使用しているので、凸球面レンズ１０
と光ディスクＤ２とが万が一接触した場合であっても、
傷がつくことはない。
【００４４】次に、本発明の第三の実施の形態を図５に
基づいて説明する。本実施の形態の光ピックアップ装置
３０は、第一の実施の形態の光ピックアップ装置１の光
学系６に代えて光学系３１を用いている点で異なるもの
である。
基づいて説明する。本実施の形態の光ピックアップ装置
３０は、第一の実施の形態の光ピックアップ装置１の光
学系６に代えて光学系３１を用いている点で異なるもの
である。
【００４５】ここで、図５は光ピックアップ装置３０の
一部を拡大して示す構成図である。図５に示すように、
本実施の形態の光ピックアップ装置３０の光学系３１
は、概略的には、対物レンズ９と、略半球形状であって
高屈折率を有する材料により形成されている凸球面レン
ズ３２と、により構成されている。凸球面レンズ３２の
光ディスクＤ１に対向する側は、第一の実施の形態で説
明したような凸球面レンズ１０とは異なり、曲率半径が
大きくゆるやかな曲面とされている。より詳細には、こ
の曲面は、凸球面レンズ３２での表面反射光成分と光デ
ィスクＤ１の表面の反射光成分の位相差がすべての入射
角に対して半波長の奇数倍になるような曲面とされてい
る。また、この時の凸球面レンズ３２の最下面と光ディ
スクＤ１の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレ
ーザ光の半波長の奇数倍となっている。さらに、対物レ
ンズ９と凸球面レンズ３２とは、それぞれの光軸が一致
するように配置されている。なお、凸球面レンズ３２
は、例えば波長６５０ｎｍでの屈折率ｎ5が１．５１の
透明な光学ガラスにより形成されている。
一部を拡大して示す構成図である。図５に示すように、
本実施の形態の光ピックアップ装置３０の光学系３１
は、概略的には、対物レンズ９と、略半球形状であって
高屈折率を有する材料により形成されている凸球面レン
ズ３２と、により構成されている。凸球面レンズ３２の
光ディスクＤ１に対向する側は、第一の実施の形態で説
明したような凸球面レンズ１０とは異なり、曲率半径が
大きくゆるやかな曲面とされている。より詳細には、こ
の曲面は、凸球面レンズ３２での表面反射光成分と光デ
ィスクＤ１の表面の反射光成分の位相差がすべての入射
角に対して半波長の奇数倍になるような曲面とされてい
る。また、この時の凸球面レンズ３２の最下面と光ディ
スクＤ１の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレ
ーザ光の半波長の奇数倍となっている。さらに、対物レ
ンズ９と凸球面レンズ３２とは、それぞれの光軸が一致
するように配置されている。なお、凸球面レンズ３２
は、例えば波長６５０ｎｍでの屈折率ｎ5が１．５１の
透明な光学ガラスにより形成されている。
【００４６】加えて、凸球面レンズ３２の曲面部分（光
ディスクＤ１側）には、反射防止膜３３が塗布されてい
る。この反射防止膜３３は、その屈折率ｎ6が、 ｎ6＝√ｎ5 （ｎ5：凸球面レンズ３２の屈折率） を満たすような材料によって形成されており、本実施の
形態においてはＭｇＦ2（屈折率ｎ2＝１．３８）によっ
て形成されている。また、反射防止膜３３の厚さは、 λ／４ （λ：レーザ光の波長） とされている。そして、このような反射防止膜３３の反
射率は、１〜２％程度である。ここに、反射防止膜３３
によって反射防止手段が実現されている。
ディスクＤ１側）には、反射防止膜３３が塗布されてい
る。この反射防止膜３３は、その屈折率ｎ6が、 ｎ6＝√ｎ5 （ｎ5：凸球面レンズ３２の屈折率） を満たすような材料によって形成されており、本実施の
形態においてはＭｇＦ2（屈折率ｎ2＝１．３８）によっ
て形成されている。また、反射防止膜３３の厚さは、 λ／４ （λ：レーザ光の波長） とされている。そして、このような反射防止膜３３の反
射率は、１〜２％程度である。ここに、反射防止膜３３
によって反射防止手段が実現されている。
【００４７】なお、凸球面レンズ３２の反射防止膜３３
と光ディスクＤ１の反射防止層１３との間には、所定間
隔のエアギャップＧ３が設けられている。
と光ディスクＤ１の反射防止層１３との間には、所定間
隔のエアギャップＧ３が設けられている。
【００４８】このような構成において、例えば光ディス
クＤ１の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学系３
１の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ３
２に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球面
レンズ３２へと入射することにより大きく屈折して凸球
面レンズ３２の平面部分に微小な光スポットとして収束
する。また、この凸球面レンズ３２の平面部分と光ディ
スクＤ１の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間隔
である場合には、凸球面レンズ３２の平面部分に形成さ
れる光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ１の
記録層に形成される光スポットのスポットサイズとは略
同一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ１の
記録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ１
の記録層上に記録されたマークを照射する。その後、こ
の光ディスクＤ１の記録層からの反射光は逆の経路を辿
り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏光
方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光ビ
ームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ１の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ１
の再生が可能になる。
クＤ１の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学系３
１の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ３
２に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球面
レンズ３２へと入射することにより大きく屈折して凸球
面レンズ３２の平面部分に微小な光スポットとして収束
する。また、この凸球面レンズ３２の平面部分と光ディ
スクＤ１の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間隔
である場合には、凸球面レンズ３２の平面部分に形成さ
れる光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ１の
記録層に形成される光スポットのスポットサイズとは略
同一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ１の
記録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ１
の記録層上に記録されたマークを照射する。その後、こ
の光ディスクＤ１の記録層からの反射光は逆の経路を辿
り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏光
方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光ビ
ームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ１の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ１
の再生が可能になる。
【００４９】ここで、上述したような光ディスクＤ１の
光ピックアップ装置３０による再生時においては、凸球
面レンズ３２の反射防止膜３３と光ディスクＤ１の反射
防止層１３との間には、エアギャップＧ３が形成される
ことになる。しかしながら、反射防止膜３３および反射
防止層１３によって光の反射率が低く抑えられていると
ともに、わずかに存在する凸球面レンズ３２での表面反
射光と光ディスクＤ１の表面の反射光とはその位相差に
よって打ち消し合うことから、エアギャップＧ３内には
反射光成分がほとんどなくなることにより、繰り返し反
射も生じないので、ノイズ光はほとんど生じない。
光ピックアップ装置３０による再生時においては、凸球
面レンズ３２の反射防止膜３３と光ディスクＤ１の反射
防止層１３との間には、エアギャップＧ３が形成される
ことになる。しかしながら、反射防止膜３３および反射
防止層１３によって光の反射率が低く抑えられていると
ともに、わずかに存在する凸球面レンズ３２での表面反
射光と光ディスクＤ１の表面の反射光とはその位相差に
よって打ち消し合うことから、エアギャップＧ３内には
反射光成分がほとんどなくなることにより、繰り返し反
射も生じないので、ノイズ光はほとんど生じない。
【００５０】次に、本発明の第四の実施の形態を図６お
よび図７に基づいて説明する。本実施の形態の光ピック
アップ装置４０は、第一の実施の形態の光ピックアップ
装置１の光学系６に代えて光学素子４１を用いている点
で異なるものである。
よび図７に基づいて説明する。本実施の形態の光ピック
アップ装置４０は、第一の実施の形態の光ピックアップ
装置１の光学系６に代えて光学素子４１を用いている点
で異なるものである。
【００５１】ここで、図６は光ピックアップ装置４０を
概略的に示す構成図、図７はその一部を拡大して示す構
成図である。図６に示すように、本実施の形態の光ピッ
クアップ装置４０は、レーザ光源としてレーザ光（波
長：λ＝６５０ｎｍ）を出射する半導体レーザ２と、コ
リメータレンズ３と、偏光ビームスプリッタ４と、１／
４波長板５と、一体型光ピックアップ用光学素子（以
下、光学素子という）４１と、集光レンズ７と、ＰＤ８
とを主体に構成されている。
概略的に示す構成図、図７はその一部を拡大して示す構
成図である。図６に示すように、本実施の形態の光ピッ
クアップ装置４０は、レーザ光源としてレーザ光（波
長：λ＝６５０ｎｍ）を出射する半導体レーザ２と、コ
リメータレンズ３と、偏光ビームスプリッタ４と、１／
４波長板５と、一体型光ピックアップ用光学素子（以
下、光学素子という）４１と、集光レンズ７と、ＰＤ８
とを主体に構成されている。
【００５２】光学素子４１は、概略的には、対物レンズ
９と、半導体レーザ２からのレーザ光の入射面側が球面
で他方が平面である半球形状であって高屈折率を有する
材料により形成されている凸球面レンズ１０とを透明基
板４２の上下面にそれぞれ配置して構成されている。こ
の場合、対物レンズ９と凸球面レンズ１０とは、それぞ
れの光軸が一致するように配置されている。なお、凸球
面レンズ１０は、例えば波長６５０ｎｍでの屈折率ｎ1
が１．５１の透明な光学ガラスにより形成されている。
９と、半導体レーザ２からのレーザ光の入射面側が球面
で他方が平面である半球形状であって高屈折率を有する
材料により形成されている凸球面レンズ１０とを透明基
板４２の上下面にそれぞれ配置して構成されている。こ
の場合、対物レンズ９と凸球面レンズ１０とは、それぞ
れの光軸が一致するように配置されている。なお、凸球
面レンズ１０は、例えば波長６５０ｎｍでの屈折率ｎ1
が１．５１の透明な光学ガラスにより形成されている。
【００５３】加えて、図７に示すように、光学素子４１
の光ディスクＤ１側には、反射防止膜４３が塗布されて
いる。この反射防止膜４３は、その屈折率ｎ7が、 ｎ7＝√ｎ1 （ｎ1：凸球面レンズ１０の屈折率） を満たすような材料によって形成されており、本実施の
形態においてはＭｇＦ2（屈折率ｎ2＝１．３８）によっ
て形成されている。また、反射防止膜４３の厚さは、 λ／４ （λ：レーザ光の波長） とされている。そして、このような反射防止膜４３の反
射率は、１〜２％程度である。ここに、反射防止膜４３
によって反射防止手段が実現されている。
の光ディスクＤ１側には、反射防止膜４３が塗布されて
いる。この反射防止膜４３は、その屈折率ｎ7が、 ｎ7＝√ｎ1 （ｎ1：凸球面レンズ１０の屈折率） を満たすような材料によって形成されており、本実施の
形態においてはＭｇＦ2（屈折率ｎ2＝１．３８）によっ
て形成されている。また、反射防止膜４３の厚さは、 λ／４ （λ：レーザ光の波長） とされている。そして、このような反射防止膜４３の反
射率は、１〜２％程度である。ここに、反射防止膜４３
によって反射防止手段が実現されている。
【００５４】なお、凸球面レンズ１０と光ディスクＤ１
の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレーザ光の
波長以下の間隔に設定されており、光学素子４１の反射
防止膜４３と光ディスクＤ１の反射防止層１３との間に
は、所定間隔のエアギャップＧ４が設けられている。
の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレーザ光の
波長以下の間隔に設定されており、光学素子４１の反射
防止膜４３と光ディスクＤ１の反射防止層１３との間に
は、所定間隔のエアギャップＧ４が設けられている。
【００５５】このような構成において、例えば光ディス
クＤ１の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学素子
４１の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ
１０に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球
面レンズ１０へと入射することにより大きく屈折して凸
球面レンズ１０の平面部分に微小な光スポットとして収
束する。また、この凸球面レンズ１０の平面部分と光デ
ィスクＤ１の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間
隔である場合には、凸球面レンズ１０の平面部分に形成
される光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ１
の記録層に形成される光スポットのスポットサイズとは
略同一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ１
の記録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ
１の記録層上に記録されたマークを照射する。その後、
この光ディスクＤ１の記録層からの反射光は逆の経路を
辿り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏
光方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光
ビームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ１の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ１
の再生が可能になる。
クＤ１の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学素子
４１の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ
１０に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球
面レンズ１０へと入射することにより大きく屈折して凸
球面レンズ１０の平面部分に微小な光スポットとして収
束する。また、この凸球面レンズ１０の平面部分と光デ
ィスクＤ１の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間
隔である場合には、凸球面レンズ１０の平面部分に形成
される光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ１
の記録層に形成される光スポットのスポットサイズとは
略同一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ１
の記録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ
１の記録層上に記録されたマークを照射する。その後、
この光ディスクＤ１の記録層からの反射光は逆の経路を
辿り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏
光方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光
ビームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ１の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ１
の再生が可能になる。
【００５６】ここで、上述したような光ディスクＤ１の
光ピックアップ装置４０による再生時においては、光学
素子４１の反射防止膜４３と光ディスクＤ１の反射防止
層１３との間には、平行平板形状のエアギャップＧ４が
形成されることになる。しかしながら、反射防止膜４３
および反射防止層１３によって光の反射率が低く抑えら
れていることから、エアギャップＧ４内には反射光成分
がほとんどなくなることにより、繰り返し反射も生じな
いので、ノイズ光はほとんど生じない。
光ピックアップ装置４０による再生時においては、光学
素子４１の反射防止膜４３と光ディスクＤ１の反射防止
層１３との間には、平行平板形状のエアギャップＧ４が
形成されることになる。しかしながら、反射防止膜４３
および反射防止層１３によって光の反射率が低く抑えら
れていることから、エアギャップＧ４内には反射光成分
がほとんどなくなることにより、繰り返し反射も生じな
いので、ノイズ光はほとんど生じない。
【００５７】次に、本発明の第五の実施の形態を図８に
基づいて説明する。本実施の形態の光ピックアップ装置
５０は、第四の実施の形態の光ピックアップ装置４０の
光学素子４１に代えて光学素子５１を用いているととも
に、第四の実施の形態の光ディスクＤ１に代えて光ディ
スクＤ２を用いる点で異なるものである。
基づいて説明する。本実施の形態の光ピックアップ装置
５０は、第四の実施の形態の光ピックアップ装置４０の
光学素子４１に代えて光学素子５１を用いているととも
に、第四の実施の形態の光ディスクＤ１に代えて光ディ
スクＤ２を用いる点で異なるものである。
【００５８】ここで、図８は光ピックアップ装置５０の
一部を拡大して示す構成図である。図８に示すように、
本実施の形態の光ピックアップ装置５０の光学素子５１
は、概略的には、対物レンズ９と、半導体レーザ２から
のレーザ光の入射面側が球面で他方が平面である半球形
状であって高屈折率を有する材料により形成されている
凸球面レンズ１０とを透明基板４２の上下面にそれぞれ
配置して構成されている。この場合、対物レンズ９と凸
球面レンズ１０とは、それぞれの光軸が一致するように
配置されている。なお、凸球面レンズ１０は、例えば波
長６５０ｎｍでの屈折率ｎ8が１．６２の透明な光学ガ
ラスにより形成されている。
一部を拡大して示す構成図である。図８に示すように、
本実施の形態の光ピックアップ装置５０の光学素子５１
は、概略的には、対物レンズ９と、半導体レーザ２から
のレーザ光の入射面側が球面で他方が平面である半球形
状であって高屈折率を有する材料により形成されている
凸球面レンズ１０とを透明基板４２の上下面にそれぞれ
配置して構成されている。この場合、対物レンズ９と凸
球面レンズ１０とは、それぞれの光軸が一致するように
配置されている。なお、凸球面レンズ１０は、例えば波
長６５０ｎｍでの屈折率ｎ8が１．６２の透明な光学ガ
ラスにより形成されている。
【００５９】加えて、光学素子５１の光ディスクＤ２側
には、２層の保護膜５２，５３が成膜されている。これ
らの保護膜５２，５３は、保護膜５２の屈折率をｎ9、
膜厚をｄ9とし、保護膜５３の屈折率をｎ10、膜厚をｄ
10とした場合、 ｎ9・ｄ9＝ｎ10・ｄ10 の関係を満たすような材料によって形成されている。ま
た、保護膜５２の屈折率ｎ9と保護膜５３屈折率をｎ10
との関係は、 ｎ9／ｎ10＝√ｎ8 （ｎ8：凸球面レンズ１０の屈折
率） とされている。そこで、本実施の形態においては、屈折
率ｎ9が２．２のＣｅＯ2によって保護膜５２を形成し、
屈折率ｎ10が１．８のダイヤモンドライクカーボン層に
よって保護膜５３を形成している。また、レーザ光の波
長λが６５０ｎｍであることから、保護膜５２の膜厚ｄ
9は２９３ｎｍ、保護膜５３の膜厚ｄ10は３５８ｎｍと
されている。そして、図４に示したのと同様に、このよ
うな保護膜５２，５３が成膜されている凸球面レンズ１
０の分光反射率は、レーザ光の波長λが６５０ｎｍの場
合に、ほぼ０％であるのが分かる。ここに、２層の保護
膜５２，５３によって反射防止手段が実現されている。
には、２層の保護膜５２，５３が成膜されている。これ
らの保護膜５２，５３は、保護膜５２の屈折率をｎ9、
膜厚をｄ9とし、保護膜５３の屈折率をｎ10、膜厚をｄ
10とした場合、 ｎ9・ｄ9＝ｎ10・ｄ10 の関係を満たすような材料によって形成されている。ま
た、保護膜５２の屈折率ｎ9と保護膜５３屈折率をｎ10
との関係は、 ｎ9／ｎ10＝√ｎ8 （ｎ8：凸球面レンズ１０の屈折
率） とされている。そこで、本実施の形態においては、屈折
率ｎ9が２．２のＣｅＯ2によって保護膜５２を形成し、
屈折率ｎ10が１．８のダイヤモンドライクカーボン層に
よって保護膜５３を形成している。また、レーザ光の波
長λが６５０ｎｍであることから、保護膜５２の膜厚ｄ
9は２９３ｎｍ、保護膜５３の膜厚ｄ10は３５８ｎｍと
されている。そして、図４に示したのと同様に、このよ
うな保護膜５２，５３が成膜されている凸球面レンズ１
０の分光反射率は、レーザ光の波長λが６５０ｎｍの場
合に、ほぼ０％であるのが分かる。ここに、２層の保護
膜５２，５３によって反射防止手段が実現されている。
【００６０】なお、凸球面レンズ１０と光ディスクＤ２
の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレーザ光の
波長以下の間隔に設定されており、光学素子５１の保護
膜５３と光ディスクＤ２の反射防止層２４との間には、
所定間隔のエアギャップＧ５が設けられている。
の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレーザ光の
波長以下の間隔に設定されており、光学素子５１の保護
膜５３と光ディスクＤ２の反射防止層２４との間には、
所定間隔のエアギャップＧ５が設けられている。
【００６１】このような構成において、例えば光ディス
クＤ２の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学素子
５１の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ
１０に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球
面レンズ１０へと入射することにより大きく屈折して凸
球面レンズ１０の平面部分に微小な光スポットとして収
束する。また、この凸球面レンズ１０の平面部分と光デ
ィスクＤ２の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間
隔である場合には、凸球面レンズ１０の平面部分に形成
される光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ２
の記録層に形成される光スポットのスポットサイズとは
略同一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ２
の記録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ
２の記録層上に記録されたマークを照射する。その後、
この光ディスクＤ２の記録層からの反射光は逆の経路を
辿り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏
光方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光
ビームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ２の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ２
の再生が可能になる。
クＤ２の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学素子
５１の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ
１０に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球
面レンズ１０へと入射することにより大きく屈折して凸
球面レンズ１０の平面部分に微小な光スポットとして収
束する。また、この凸球面レンズ１０の平面部分と光デ
ィスクＤ２の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間
隔である場合には、凸球面レンズ１０の平面部分に形成
される光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ２
の記録層に形成される光スポットのスポットサイズとは
略同一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ２
の記録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ
２の記録層上に記録されたマークを照射する。その後、
この光ディスクＤ２の記録層からの反射光は逆の経路を
辿り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏
光方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光
ビームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ２の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ２
の再生が可能になる。
【００６２】ここで、上述したような光ディスクＤ２の
光ピックアップ装置５０による再生時においては、光学
素子５１の保護膜５３と光ディスクＤ２の反射防止層２
４との間には、平行平板形状のエアギャップＧ５が形成
されることになる。しかしながら、保護膜５２，５３が
成膜されている光学素子５１の反射率がほぼ０％である
ことから、エアギャップＧ５内には反射光成分がほとん
どなくなることにより、繰り返し反射も生じないので、
ノイズ光はほとんど生じない。
光ピックアップ装置５０による再生時においては、光学
素子５１の保護膜５３と光ディスクＤ２の反射防止層２
４との間には、平行平板形状のエアギャップＧ５が形成
されることになる。しかしながら、保護膜５２，５３が
成膜されている光学素子５１の反射率がほぼ０％である
ことから、エアギャップＧ５内には反射光成分がほとん
どなくなることにより、繰り返し反射も生じないので、
ノイズ光はほとんど生じない。
【００６３】また、光学素子５１の保護膜２３と光ディ
スクＤ２の反射防止層２４とには硬いダイヤモンドライ
クカーボンを使用しているので、光学素子５１と光ディ
スクＤ２とが万が一接触した場合であっても、傷がつく
ことはない。
スクＤ２の反射防止層２４とには硬いダイヤモンドライ
クカーボンを使用しているので、光学素子５１と光ディ
スクＤ２とが万が一接触した場合であっても、傷がつく
ことはない。
【００６４】次に、本発明の第六の実施の形態を図９な
いし図１１に基づいて説明する。本実施の形態の光ピッ
クアップ装置６０は、第五の実施の形態の光ピックアッ
プ装置５０の光学素子５１に代えて光学素子６１を用い
ている点で異なるものである。
いし図１１に基づいて説明する。本実施の形態の光ピッ
クアップ装置６０は、第五の実施の形態の光ピックアッ
プ装置５０の光学素子５１に代えて光学素子６１を用い
ている点で異なるものである。
【００６５】ここで、図９は光ピックアップ装置６０の
一部を拡大して示す構成図である。図９に示すように、
本実施の形態の光ピックアップ装置６０の光学素子６１
は、概略的には、対物レンズ９と、略半球形状であって
高屈折率を有する材料により形成されている凸球面レン
ズ６２とを透明基板６３の上下面にそれぞれ配置して構
成されている。この場合、対物レンズ９と凸球面レンズ
６２とは、それぞれの光軸が一致するように配置されて
いる。凸球面レンズ６２の光ディスクＤ２に対向する側
は、第五の実施の形態で説明したような凸球面レンズ１
０とは異なり、曲率半径が大きくゆるやかな曲面とされ
ている。より詳細には、この曲面は、凸球面レンズ６２
での表面反射光成分と光ディスクＤ２の表面の反射光成
分の位相差がすべての入射角に対して半波長の奇数倍に
なるような曲面とされている。また、この時の凸球面レ
ンズ６２の最下面と光ディスクＤ２の記録層との間隔
は、半導体レーザ２からのレーザ光の半波長の奇数倍と
なっている。なお、凸球面レンズ６２は、例えば波長６
５０ｎｍでの屈折率ｎ11が１．６２の透明な光学ガラス
により形成されている。
一部を拡大して示す構成図である。図９に示すように、
本実施の形態の光ピックアップ装置６０の光学素子６１
は、概略的には、対物レンズ９と、略半球形状であって
高屈折率を有する材料により形成されている凸球面レン
ズ６２とを透明基板６３の上下面にそれぞれ配置して構
成されている。この場合、対物レンズ９と凸球面レンズ
６２とは、それぞれの光軸が一致するように配置されて
いる。凸球面レンズ６２の光ディスクＤ２に対向する側
は、第五の実施の形態で説明したような凸球面レンズ１
０とは異なり、曲率半径が大きくゆるやかな曲面とされ
ている。より詳細には、この曲面は、凸球面レンズ６２
での表面反射光成分と光ディスクＤ２の表面の反射光成
分の位相差がすべての入射角に対して半波長の奇数倍に
なるような曲面とされている。また、この時の凸球面レ
ンズ６２の最下面と光ディスクＤ２の記録層との間隔
は、半導体レーザ２からのレーザ光の半波長の奇数倍と
なっている。なお、凸球面レンズ６２は、例えば波長６
５０ｎｍでの屈折率ｎ11が１．６２の透明な光学ガラス
により形成されている。
【００６６】加えて、光学素子６１の光ディスクＤ２側
には、ガラス板６４が設けられている。このガラス板６
４の波長６５０ｎｍでの屈折率ｎ12は、凸球面レンズ６
２の屈折率ｎ11と略同一の１．６２である。
には、ガラス板６４が設けられている。このガラス板６
４の波長６５０ｎｍでの屈折率ｎ12は、凸球面レンズ６
２の屈折率ｎ11と略同一の１．６２である。
【００６７】ここで、凸球面レンズ６２およびガラス板
６４の形成手法について図１０を参照して説明する。ま
ず、図１０（ａ）に示すように、透明基板６３をエッチ
ングすることで凸球面レンズ６２の形状である半球形状
の凹部６３ａを形成する。
６４の形成手法について図１０を参照して説明する。ま
ず、図１０（ａ）に示すように、透明基板６３をエッチ
ングすることで凸球面レンズ６２の形状である半球形状
の凹部６３ａを形成する。
【００６８】次いで、図１０（ｂ）に示すように、凹部
６３ａに透明基板６３の屈折率よりも高屈折率を有する
高屈折透明材料である樹脂系の接着剤Ｘを充填した後、
その高屈折透明材料の屈折率と略同一の屈折率を有する
ガラス板６４が接着される。なおこの時点においては、
ガラス板６４の板厚は、設計上の厚さよりも厚いものと
する。
６３ａに透明基板６３の屈折率よりも高屈折率を有する
高屈折透明材料である樹脂系の接着剤Ｘを充填した後、
その高屈折透明材料の屈折率と略同一の屈折率を有する
ガラス板６４が接着される。なおこの時点においては、
ガラス板６４の板厚は、設計上の厚さよりも厚いものと
する。
【００６９】その後、図１０（ｃ）に示すように、ガラ
ス板６４の板厚を設計上の厚さにするように、ガラス板
６４を研磨する。なお、本実施の形態においては、ガラ
ス板６４の板厚は、２０μｍになるまで研磨される。
ス板６４の板厚を設計上の厚さにするように、ガラス板
６４を研磨する。なお、本実施の形態においては、ガラ
ス板６４の板厚は、２０μｍになるまで研磨される。
【００７０】そして、図１０（ｄ）に示すように、ガラ
ス板６４の板厚がほぼ２０μｍになるまで研磨された場
合には、接着剤Ｘが膨張するのに応じてガラス板６４も
湾曲し、前述したような曲面を形成する。つまり、ガラ
ス板６４が薄板である。以上により、凸球面レンズ６２
が形成される。
ス板６４の板厚がほぼ２０μｍになるまで研磨された場
合には、接着剤Ｘが膨張するのに応じてガラス板６４も
湾曲し、前述したような曲面を形成する。つまり、ガラ
ス板６４が薄板である。以上により、凸球面レンズ６２
が形成される。
【００７１】また、ガラス板６４上には、２層の保護膜
６５，６６が成膜されている。本実施の形態において
は、屈折率ｎ12が１．３８のＭｇＦ2によって保護膜６
５を形成し、屈折率ｎ13が１．７９のダイヤモンドライ
クカーボン層によって保護膜６６を形成している。ま
た、保護膜６５の膜厚ｄ12は１１６ｎｍ、保護膜６６の
膜厚ｄ13は５ｎｍとされている。そして、図１１に示す
ように、このような保護膜６５，６６が成膜されている
凸球面レンズ６２の分光反射率は、レーザ光の波長λが
６５０ｎｍの場合に、ほぼ０％であるのが分かる。ここ
に、２層の保護膜６５，６６によって反射防止手段が実
現されている。
６５，６６が成膜されている。本実施の形態において
は、屈折率ｎ12が１．３８のＭｇＦ2によって保護膜６
５を形成し、屈折率ｎ13が１．７９のダイヤモンドライ
クカーボン層によって保護膜６６を形成している。ま
た、保護膜６５の膜厚ｄ12は１１６ｎｍ、保護膜６６の
膜厚ｄ13は５ｎｍとされている。そして、図１１に示す
ように、このような保護膜６５，６６が成膜されている
凸球面レンズ６２の分光反射率は、レーザ光の波長λが
６５０ｎｍの場合に、ほぼ０％であるのが分かる。ここ
に、２層の保護膜６５，６６によって反射防止手段が実
現されている。
【００７２】なお、凸球面レンズ６２と光ディスクＤ２
の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレーザ光の
波長以下の間隔に設定されており、光学素子６１の保護
膜６６と光ディスクＤ２の反射防止層２４との間には、
所定間隔のエアギャップＧ６が設けられている。
の記録層との間隔は、半導体レーザ２からのレーザ光の
波長以下の間隔に設定されており、光学素子６１の保護
膜６６と光ディスクＤ２の反射防止層２４との間には、
所定間隔のエアギャップＧ６が設けられている。
【００７３】このような構成において、例えば光ディス
クＤ２の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学素子
６１の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ
６２に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球
面レンズ６２へと入射することにより大きく屈折して凸
球面レンズ６２の平面部分に微小な光スポットとして収
束する。また、この凸球面レンズ６２の平面部分と光デ
ィスクＤ２の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間
隔である場合には、凸球面レンズ６２の平面部分に形成
される光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ２
の記録層に形成される光スポットのスポットサイズとは
略同一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ２
の記録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ
２の記録層上に記録されたマークを照射する。その後、
この光ディスクＤ２の記録層からの反射光は逆の経路を
辿り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏
光方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光
ビームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ２の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ２
の再生が可能になる。
クＤ２の再生時には、半導体レーザ２から出射された直
線偏光のレーザ光は、コリメータレンズ３によって略平
行光とされ、偏光ビームスプリッタ４と１／４波長板５
とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光に変換された光は、光学素子
６１の対物レンズ９により集光されてから凸球面レンズ
６２に入射する。その入射光は、高屈折率を有する凸球
面レンズ６２へと入射することにより大きく屈折して凸
球面レンズ６２の平面部分に微小な光スポットとして収
束する。また、この凸球面レンズ６２の平面部分と光デ
ィスクＤ２の記録層との間隔がレーザ光の波長以下の間
隔である場合には、凸球面レンズ６２の平面部分に形成
される光スポットのスポットサイズと、光ディスクＤ２
の記録層に形成される光スポットのスポットサイズとは
略同一になる。これにより、レーザ光が光ディスクＤ２
の記録層上に光スポットとして収束され、光ディスクＤ
２の記録層上に記録されたマークを照射する。その後、
この光ディスクＤ２の記録層からの反射光は逆の経路を
辿り、対物レンズ９を通過し、１／４波長板５により偏
光方向を９０゜ 回転した直線偏光に変換された後、偏光
ビームスプリッタ４により集光レンズ７方向に反射され
る。偏光ビームスプリッタ４により反射された光は、集
光レンズ７により集光され、ＰＤ８に入射される。ＰＤ
８では、光ディスクＤ２の記録層上にマークを有するか
否かにより生じる反射光の違いに応じて変化する反射レ
ーザ光の出力量を検出することにより、光ディスクＤ２
の再生が可能になる。
【００７４】ここで、上述したような光ディスクＤ２の
光ピックアップ装置６０による再生時においては、光学
素子６１の保護膜６６と光ディスクＤ２の反射防止層２
４との間には、平行平板形状のエアギャップＧ６が形成
されることになる。しかしながら、保護膜６５，６６が
成膜されている光学素子６１の反射率がほぼ０％である
とともに、わずかに存在する凸球面レンズ６２での表面
反射光と光ディスクＤ２の表面の反射光とはその位相差
によって打ち消し合うことから、エアギャップＧ６内に
は反射光成分がほとんどなくなることにより、繰り返し
反射も生じないので、ノイズ光はほとんど生じない。
光ピックアップ装置６０による再生時においては、光学
素子６１の保護膜６６と光ディスクＤ２の反射防止層２
４との間には、平行平板形状のエアギャップＧ６が形成
されることになる。しかしながら、保護膜６５，６６が
成膜されている光学素子６１の反射率がほぼ０％である
とともに、わずかに存在する凸球面レンズ６２での表面
反射光と光ディスクＤ２の表面の反射光とはその位相差
によって打ち消し合うことから、エアギャップＧ６内に
は反射光成分がほとんどなくなることにより、繰り返し
反射も生じないので、ノイズ光はほとんど生じない。
【００７５】また、光学素子６１の保護膜６６と光ディ
スクＤ２の反射防止層２４とには硬いダイヤモンドライ
クカーボンを使用しているので、光学素子６１と光ディ
スクＤ２とが万が一接触した場合であっても、傷がつく
ことはない。
スクＤ２の反射防止層２４とには硬いダイヤモンドライ
クカーボンを使用しているので、光学素子６１と光ディ
スクＤ２とが万が一接触した場合であっても、傷がつく
ことはない。
【００７６】なお、各実施の形態においては、光ディス
ク（光情報記録媒体）は、透明な基板上に、反射層、誘
電体層、記録層、誘電体層、保護層、反射防止層を順に
積層配設させた構成としたが、これに限るものではな
く、各種の層構成の光情報記録媒体が適用可能である。
ク（光情報記録媒体）は、透明な基板上に、反射層、誘
電体層、記録層、誘電体層、保護層、反射防止層を順に
積層配設させた構成としたが、これに限るものではな
く、各種の層構成の光情報記録媒体が適用可能である。
【００７７】
【発明の効果】請求項１記載の発明の光ピックアップ装
置によれば、光情報記録媒体との間に所定のエアギャッ
プを空けて配置される略半球形状の凸球面レンズを介し
て半導体レーザから出射したレーザ光を前記光情報記録
媒体上に光スポットとして照射し、その光情報記録媒体
に対する情報の記録、再生又は消去を光学的に行う光ピ
ックアップ装置において、前記凸球面レンズの前記光情
報記録媒体側に、反射防止手段を設けたことにより、反
射防止手段によって光の反射率を低く抑えることがで
き、エアギャップ内には反射光成分がほとんど生じない
ようにすることができるので、繰り返し反射も生じず、
ノイズ光の発生を低減することができる。
置によれば、光情報記録媒体との間に所定のエアギャッ
プを空けて配置される略半球形状の凸球面レンズを介し
て半導体レーザから出射したレーザ光を前記光情報記録
媒体上に光スポットとして照射し、その光情報記録媒体
に対する情報の記録、再生又は消去を光学的に行う光ピ
ックアップ装置において、前記凸球面レンズの前記光情
報記録媒体側に、反射防止手段を設けたことにより、反
射防止手段によって光の反射率を低く抑えることがで
き、エアギャップ内には反射光成分がほとんど生じない
ようにすることができるので、繰り返し反射も生じず、
ノイズ光の発生を低減することができる。
【００７８】請求項２記載の発明の光ピックアップ装置
によれば、対物レンズと略半球形状の凸球面レンズとを
光軸を一致させて一体に設けた光学素子を有し、光情報
記録媒体との間に所定のエアギャップを空けて配置され
る前記凸球面レンズを介して半導体レーザから出射した
レーザ光を前記光情報記録媒体上に光スポットとして照
射し、その光情報記録媒体に対する情報の記録、再生又
は消去を光学的に行う光ピックアップ装置において、前
記光学素子の前記光情報記録媒体側に、反射防止手段を
設けたことにより、反射防止手段によって光の反射率を
低く抑えることができ、エアギャップ内には反射光成分
がほとんど生じないようにすることができるので、繰り
返し反射も生じず、ノイズ光の発生を低減することがで
きる。
によれば、対物レンズと略半球形状の凸球面レンズとを
光軸を一致させて一体に設けた光学素子を有し、光情報
記録媒体との間に所定のエアギャップを空けて配置され
る前記凸球面レンズを介して半導体レーザから出射した
レーザ光を前記光情報記録媒体上に光スポットとして照
射し、その光情報記録媒体に対する情報の記録、再生又
は消去を光学的に行う光ピックアップ装置において、前
記光学素子の前記光情報記録媒体側に、反射防止手段を
設けたことにより、反射防止手段によって光の反射率を
低く抑えることができ、エアギャップ内には反射光成分
がほとんど生じないようにすることができるので、繰り
返し反射も生じず、ノイズ光の発生を低減することがで
きる。
【００７９】請求項３記載の発明によれば、請求項１ま
たは２記載の光ピックアップ装置において、前記反射防
止手段は、耐磨耗性に優れた材料により形成されている
ことにより、例えば凸球面レンズと光情報記録媒体とが
万が一接触した場合や埃が付着した場合であっても、凸
球面レンズに傷がつくことを抑制することができる。
たは２記載の光ピックアップ装置において、前記反射防
止手段は、耐磨耗性に優れた材料により形成されている
ことにより、例えば凸球面レンズと光情報記録媒体とが
万が一接触した場合や埃が付着した場合であっても、凸
球面レンズに傷がつくことを抑制することができる。
【００８０】請求項４記載の発明によれば、請求項１な
いし３のいずれか一記載の光ピックアップ装置におい
て、前記エアギャップは、前記半導体レーザから出射さ
れるレーザ光の半波長の偶数倍を除く幅に規定されてい
ることにより、エアギャップ内にわずかに存在する凸球
面レンズでの表面反射光と光情報記録媒体の表面の反射
光との干渉を抑えることができ、ノイズ光の発生を低減
することができる。なお、レーザ光の半波長の偶数倍を
除く幅としては、レーザ光の半波長の奇数倍の幅が望ま
しい。
いし３のいずれか一記載の光ピックアップ装置におい
て、前記エアギャップは、前記半導体レーザから出射さ
れるレーザ光の半波長の偶数倍を除く幅に規定されてい
ることにより、エアギャップ内にわずかに存在する凸球
面レンズでの表面反射光と光情報記録媒体の表面の反射
光との干渉を抑えることができ、ノイズ光の発生を低減
することができる。なお、レーザ光の半波長の偶数倍を
除く幅としては、レーザ光の半波長の奇数倍の幅が望ま
しい。
【００８１】請求項５記載の発明によれば、請求項１な
いし４のいずれか一記載の光ピックアップ装置におい
て、前記凸球面レンズの前記光情報記録媒体側に配置さ
れる面は、前記凸球面レンズ側の反射光成分と前記光情
報記録媒体側の反射光成分との位相差がすべての入射角
に対して前記半導体レーザから出射されるレーザ光の半
波長の奇数倍になるような曲面に形成されていることに
より、エアギャップ内にわずかに存在する凸球面レンズ
での表面反射光と光情報記録媒体の表面の反射光とはそ
の位相差によって打ち消し合うことから、エアギャップ
内の反射光成分を確実に除去することができる。
いし４のいずれか一記載の光ピックアップ装置におい
て、前記凸球面レンズの前記光情報記録媒体側に配置さ
れる面は、前記凸球面レンズ側の反射光成分と前記光情
報記録媒体側の反射光成分との位相差がすべての入射角
に対して前記半導体レーザから出射されるレーザ光の半
波長の奇数倍になるような曲面に形成されていることに
より、エアギャップ内にわずかに存在する凸球面レンズ
での表面反射光と光情報記録媒体の表面の反射光とはそ
の位相差によって打ち消し合うことから、エアギャップ
内の反射光成分を確実に除去することができる。
【００８２】請求項６記載の発明の光学素子の製造方法
によれば、前記凸球面レンズの形状に略同一な凹部を形
成する凹部形成過程と、この凹部形成過程により形成さ
れた前記凹部に対して高屈折透明材料を充填する透明材
料充填過程と、前記高屈折透明材料の充填後、その高屈
折透明材料と略同一の屈折率を有する薄板により前記凹
部を閉塞する凹部閉塞過程と、を含み、前記高屈折透明
材料の膨張によって前記薄板を湾曲させて請求項５記載
の前記凸球面レンズの曲面を形成することにより、凸球
面レンズの曲面を容易に形成することができる。
によれば、前記凸球面レンズの形状に略同一な凹部を形
成する凹部形成過程と、この凹部形成過程により形成さ
れた前記凹部に対して高屈折透明材料を充填する透明材
料充填過程と、前記高屈折透明材料の充填後、その高屈
折透明材料と略同一の屈折率を有する薄板により前記凹
部を閉塞する凹部閉塞過程と、を含み、前記高屈折透明
材料の膨張によって前記薄板を湾曲させて請求項５記載
の前記凸球面レンズの曲面を形成することにより、凸球
面レンズの曲面を容易に形成することができる。
【００８３】請求項７記載の発明の光情報記録媒体によ
れば、請求項１ないし５のいずれか一記載の光ピックア
ップ装置によって情報を光学的に記録、再生又は消去さ
れる光情報記録媒体において、前記光ピックアップ装置
側に位置する媒体表面には反射防止層が設けられている
ことにより、反射防止層によって光の反射率が低く抑え
られていることから、この光情報記録媒体を例えば請求
項１ないし５のいずれか一記載の光ピックアップ装置に
使用することで、エアギャップ内には反射光成分がほと
んどなくなるので、繰り返し反射も生じず、ノイズ光の
発生を防止することができる。
れば、請求項１ないし５のいずれか一記載の光ピックア
ップ装置によって情報を光学的に記録、再生又は消去さ
れる光情報記録媒体において、前記光ピックアップ装置
側に位置する媒体表面には反射防止層が設けられている
ことにより、反射防止層によって光の反射率が低く抑え
られていることから、この光情報記録媒体を例えば請求
項１ないし５のいずれか一記載の光ピックアップ装置に
使用することで、エアギャップ内には反射光成分がほと
んどなくなるので、繰り返し反射も生じず、ノイズ光の
発生を防止することができる。
【００８４】請求項８記載の発明によれば、請求項７記
載の光情報記録媒体において、前記反射防止層は、耐磨
耗性に優れた材料により形成されていることにより、例
えば凸球面レンズと光情報記録媒体とが万が一接触した
場合や埃が付着した場合であっても、光情報記録媒体に
傷がつくことを抑制することができる。
載の光情報記録媒体において、前記反射防止層は、耐磨
耗性に優れた材料により形成されていることにより、例
えば凸球面レンズと光情報記録媒体とが万が一接触した
場合や埃が付着した場合であっても、光情報記録媒体に
傷がつくことを抑制することができる。
【００８５】請求項９記載の発明の光ディスク装置によ
れば、光情報記録媒体を回転駆動させる駆動源と、前記
光情報記録媒体に対して半径方向にシーク移動自在な請
求項１ないし５のいずれか一記載の光ピックアップ装置
と、を備えることにより、請求項１ないし５のいずれか
一記載の光ピックアップ装置と同様の作用・効果を奏す
る光ディスク装置を提供することができる。
れば、光情報記録媒体を回転駆動させる駆動源と、前記
光情報記録媒体に対して半径方向にシーク移動自在な請
求項１ないし５のいずれか一記載の光ピックアップ装置
と、を備えることにより、請求項１ないし５のいずれか
一記載の光ピックアップ装置と同様の作用・効果を奏す
る光ディスク装置を提供することができる。
【図１】本発明の第一の実施の形態の光ピックアップ装
置を概略的に示す構成図である。
置を概略的に示す構成図である。
【図２】その一部を拡大して示す構成図である。
【図３】本発明の第二の実施の形態の光ピックアップ装
置の一部を拡大して示す構成図である。
置の一部を拡大して示す構成図である。
【図４】レーザ光の波長と凸球面レンズの反射率との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図５】本発明の第三の実施の形態の光ピックアップ装
置の一部を拡大して示す構成図である。
置の一部を拡大して示す構成図である。
【図６】本発明の第四の実施の形態の光ピックアップ装
置を概略的に示す構成図である。
置を概略的に示す構成図である。
【図７】その一部を拡大して示す構成図である。
【図８】本発明の第五の実施の形態の光ピックアップ装
置の一部を拡大して示す構成図である。
置の一部を拡大して示す構成図である。
【図９】本発明の第六の実施の形態の光ピックアップ装
置の一部を拡大して示す構成図である。
置の一部を拡大して示す構成図である。
【図１０】凸球面レンズおよびガラス板の形成手法を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１１】レーザ光の波長と凸球面レンズの反射率との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図１２】従来の光ピックアップ装置の一例について概
略的に示す構成図である。
略的に示す構成図である。
【図１３】従来の凸球面レンズを備えた光ピックアップ
装置の一部を拡大して示す構成図である。
装置の一部を拡大して示す構成図である。
１，２０，３０，４０，５０，６０ 光ピックアップ
装置 ２ 半導体レーザ ９ 対物レンズ １０，３２，６２ 凸球面レンズ １３，２４ 反射防止層 ４１，５１，６１ 光学素子 ６３ａ 凹部 ６４ 薄板 Ｄ１，Ｄ２ 光ディスク Ｇ１〜Ｇ６ エアギャップ Ｘ 高屈折透明材料
装置 ２ 半導体レーザ ９ 対物レンズ １０，３２，６２ 凸球面レンズ １３，２４ 反射防止層 ４１，５１，６１ 光学素子 ６３ａ 凹部 ６４ 薄板 Ｄ１，Ｄ２ 光ディスク Ｇ１〜Ｇ６ エアギャップ Ｘ 高屈折透明材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/22 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｊ 7/24 ５３８ Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ Ｆターム(参考） 2H087 KA13 2K009 AA02 CC06 DD03 5D029 MA21 5D119 AA11 AA22 AA31 AA32 AA43 BA01 CA06 DA01 DA05 EB02 JA44 JA64 JA65 JB02 JB03 JC03 NA05
Claims (9)
- 【請求項１】 光情報記録媒体との間に所定のエアギャ
ップを空けて配置される略半球形状の凸球面レンズを介
して半導体レーザから出射したレーザ光を前記光情報記
録媒体上に光スポットとして照射し、その光情報記録媒
体に対する情報の記録、再生又は消去を光学的に行う光
ピックアップ装置において、 前記凸球面レンズの前記光情報記録媒体側に、反射防止
手段を設けたことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 【請求項２】 対物レンズと略半球形状の凸球面レンズ
とを光軸を一致させて一体に設けた光学素子を有し、光
情報記録媒体との間に所定のエアギャップを空けて配置
される前記凸球面レンズを介して半導体レーザから出射
したレーザ光を前記光情報記録媒体上に光スポットとし
て照射し、その光情報記録媒体に対する情報の記録、再
生又は消去を光学的に行う光ピックアップ装置におい
て、 前記光学素子の前記光情報記録媒体側に、反射防止手段
を設けたことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 【請求項３】 前記反射防止手段は、耐磨耗性に優れた
材料により形成されていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項４】 前記エアギャップは、前記半導体レーザ
から出射されるレーザ光の半波長の偶数倍を除く幅に規
定されていることを特徴とする請求項１ないし３のいず
れか一記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項５】 前記凸球面レンズの前記光情報記録媒体
側に配置される面は、前記凸球面レンズ側の反射光成分
と前記光情報記録媒体側の反射光成分との位相差がすべ
ての入射角に対して前記半導体レーザから出射されるレ
ーザ光の半波長の奇数倍になるような曲面に形成されて
いることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一記
載の光ピックアップ装置。 - 【請求項６】 前記凸球面レンズの形状に略同一な凹部
を形成する凹部形成過程と、 この凹部形成過程により形成された前記凹部に対して高
屈折透明材料を充填する透明材料充填過程と、 前記高屈折透明材料の充填後、その高屈折透明材料と略
同一の屈折率を有する薄板により前記凹部を閉塞する凹
部閉塞過程と、 を含み、前記高屈折透明材料の膨張によって前記薄板を
湾曲させて請求項５記載の前記凸球面レンズの曲面を形
成することを特徴とする光学素子の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし５のいずれか一記載の光
ピックアップ装置によって情報を光学的に記録、再生又
は消去される光情報記録媒体において、 前記光ピックアップ装置側に位置する媒体表面には反射
防止層が設けられていることを特徴とする光情報記録媒
体。 - 【請求項８】 前記反射防止層は、耐磨耗性に優れた材
料により形成されていることを特徴とする請求項７記載
の光情報記録媒体。 - 【請求項９】 光情報記録媒体を回転駆動させる駆動源
と、 前記光情報記録媒体に対して半径方向にシーク移動自在
な請求項１ないし５のいずれか一記載の光ピックアップ
装置と、を備えることを特徴とする光ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000285013A JP2002092927A (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 光ピックアップ装置、光学素子の製造方法、光情報記録媒体および光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000285013A JP2002092927A (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 光ピックアップ装置、光学素子の製造方法、光情報記録媒体および光ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002092927A true JP2002092927A (ja) | 2002-03-29 |
Family
ID=18769148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000285013A Pending JP2002092927A (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 光ピックアップ装置、光学素子の製造方法、光情報記録媒体および光ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002092927A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011154113A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Olympus Imaging Corp | 短縮可能なレンズ鏡筒 |
| JP2019091061A (ja) * | 2019-01-16 | 2019-06-13 | オリンパス株式会社 | 光レセプタクル |
| JP2019184998A (ja) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | コンクラフト ホールディング コーポレーション エルティーデーＣｏｎｃｒａｆｔ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 異なる屈折率の材料を利用して構成されたレンズ構造体 |
| JP2019184999A (ja) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | コンクラフト ホールディング コーポレーション エルティーデーＣｏｎｃｒａｆｔ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 異なる屈折率の材料を利用して構成されたレンズ構造体 |
-
2000
- 2000-09-20 JP JP2000285013A patent/JP2002092927A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011154113A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Olympus Imaging Corp | 短縮可能なレンズ鏡筒 |
| JP2019184998A (ja) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | コンクラフト ホールディング コーポレーション エルティーデーＣｏｎｃｒａｆｔ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 異なる屈折率の材料を利用して構成されたレンズ構造体 |
| JP2019184999A (ja) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | コンクラフト ホールディング コーポレーション エルティーデーＣｏｎｃｒａｆｔ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 異なる屈折率の材料を利用して構成されたレンズ構造体 |
| JP2019091061A (ja) * | 2019-01-16 | 2019-06-13 | オリンパス株式会社 | 光レセプタクル |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3135389B2 (ja) | 情報再生方法、情報記録再生方法、情報再生装置、記録媒体及び光ヘッド | |
| US6724694B2 (en) | Disk mastering based on near-field optical systems | |
| US5610880A (en) | Optical disc system and optical disk therefor | |
| US6285646B1 (en) | Optical pickup using objective lens compatible with a plurality of optical disks | |
| JP2006344351A (ja) | 光記録再生装置、光学ヘッド、光記録再生方法及びスキュー検出方法 | |
| JPH08212587A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| US20070171778A1 (en) | Optical recording/reproducing apparatus, optical pickup, and tracking error detecting method | |
| KR100199298B1 (ko) | 한면 판독형 2층식 광디스크 및 재생헤드 | |
| US7813258B2 (en) | Optical information recording medium and optical information reproducing method | |
| JP3857235B2 (ja) | 光学装置及び光記憶装置 | |
| JP2002092927A (ja) | 光ピックアップ装置、光学素子の製造方法、光情報記録媒体および光ディスク装置 | |
| JPWO2002063619A1 (ja) | 光記憶装置 | |
| JP3128247B2 (ja) | フォーカシング装置およびこれを用いた光ディスク装置 | |
| JPH08212594A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP2004319049A (ja) | 光記録媒体及びこれを用いた光記録再生方法 | |
| JP3807726B2 (ja) | 光ピックアップ用対物レンズ、及びその製造方法、並びに光ピックアップモジュール、光ディスク装置、及び結露除去方法 | |
| JPH04219627A (ja) | 光ディスク | |
| JPH04212729A (ja) | 光フロッピーディスク装置 | |
| JP2006190400A (ja) | ニアフィールド光記録再生方法、光学ピックアップ装置および光記録再生装置 | |
| JP4419948B2 (ja) | 光記録再生方法 | |
| JP3288733B2 (ja) | 記録を行う光ディスク装置 | |
| JP2990067B2 (ja) | 光学式情報記録再生装置 | |
| JP3422732B2 (ja) | 光ヘッド | |
| JP4067907B2 (ja) | 樹脂基板を有する記録媒体 | |
| JP4145514B2 (ja) | 光ディスク駆動装置の制御方法、光ディスク駆動装置および光学的記録／再生装置の制御方法ならびに光学的記録／再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040929 |