JP2001250254A

JP2001250254A - 光学装置及び光ディスク装置

Info

Publication number: JP2001250254A
Application number: JP2000056896A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Nemoto; 和彦根本
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-03-02
Filing date: 2000-03-02
Publication date: 2001-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】複数のレーザ素子を同一特性のＰＤでモニタ
する場合でも、任意の波長の光に対し常に温度特性を相
殺して安定した出力特性を得ることのできるレーザカプ
ラの如き光学装置、及びこれを用いた光ディスク装置を
提供すること。【解決手段】複数のレーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２
の出射レーザ光Ｌ１、Ｌ２のうち、一方のレーザ光Ｌ１
（波長が例えば７８０ｎｍ）についてモニタ用ＰＤの温
度特性を相殺するような反射特性をレーザ端面の保護膜
５３が有し、かつ、他方のレーザ光Ｌ２（波長が例えば
６５０ｎｍ）に対する反射率が温度上昇時に増大する光
学膜５４が複数のレーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２と複
数のフォトダイオード１６及び１７、１８及び１９との
間の光路中、特にプリズム２０の分光面２０ａに設けら
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学装置及び光デ
ィスク装置に関し、特に、互いに異なる複数の光をそれ
ぞれ出射する複数の発光素子が光出射方向と交差する方
向に並置され、前記複数の光をそれぞれ受光する複数の
受光素子が設けられている光学装置（特に光ピックアッ
プ）及び前記複数の光をディスク状情報記録媒体に照射
してその反射光で情報を読み取る光ディスク装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ
（デジタルビデオディスク）又はＭＤ（ミニディスク）
等の如く、光学的に情報を記録及び／又は再生する光学
記録媒体（以下、光ディスクと称することがある。）に
記録された情報の読み取り（再生）、或いはそれらへの
情報の書き込み（記録）を行う装置（以下、光ディスク
装置と称することがある。）には、光ピックアップが内
蔵されている。

【０００３】こうした光ディスク装置や光ピックアップ
においては、一般に、光ディスクの種類（光ディスクシ
ステム）が異なる場合には、波長の異なるレーザ光を用
いる。例えば、ＣＤの再生などには７８０ｎｍ帯の波長
のレーザ光を、ＤＶＤの再生などには６５０ｎｍ帯の波
長のレーザ光を用いる。

【０００４】このように光ディスクの種類によってレー
ザ光の波長が異なる状況において、例えばＤＶＤ用の光
ディスク装置でＣＤの再生を可能にするコンパチブル光
ピックアップが望まれている。

【０００５】図１４は、上記のようなＣＤ用のレーザダ
イオードＬＤ１（発振波長７８０ｎｍ）とＤＶＤ用のレ
ーザダイオードＬＤ２（発振波長６５０ｎｍ）とを搭載
し、ＣＤとＤＶＤの再生を可能にした従来のコンパチブ
ル光ピックアップ１００の概略構成図である。

【０００６】この光ピックアップ１００は、例えば７８
０ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する第１レーザダイオ
ードＬＤ１、グレーティングＧ、第１ビームスプリッタ
ＢＳ１、第１ミラーＭ１、第１対物レンズＯＬ１、第１
マルチレンズＭＬ１、及び第１フォトダイオードＰＤ１
がそれぞれ個々に（即ち、ディスクリートに）所定の位
置に配設されたＣＤ用光学系を有する。

【０００７】さらに、この光ピックアップ１００は、例
えば６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する第２レー
ザダイオードＬＤ２、第２ビームスプリッタＢＳ２、コ
リメータＣ、第２ミラーＭ２、第２対物レンズＯＬ２、
第２マルチレンズＭＬ２、及び第２フォトダイオードＰ
Ｄ２がそれぞれ個々に（即ち、ディスクリートに）所定
の位置に配設されたＤＶＤ用光学系を有する。

【０００８】このように構成された光ピックアップ１０
０のＣＤ用光学系において、第１レーザダイオードＬＤ
１からの第１レーザ光Ｌ１は、グレーティングＧを通過
し、第１ビームスプリッタＢＳ１によって一部反射さ
れ、第１ミラーＭ１により進路を屈曲して、第１対物レ
ンズＯＬ１により光ディスクＤ上に集光される。

【０００９】光ディスクＤからの反射光は、第１対物レ
ンズＯＬ１、第１ミラーＭ１および第１ビームスプリッ
タＢＳ１を介して、第１マルチレンズＭＬ１を通過し、
第１フォトダイオードＰＤ１上に入射され、この反射光
の変化により、光ディスクＤのＣＤ用記録面上に記録さ
れた情報の読み出しがなされる。

【００１０】また、光ピックアップ１００のＤＶＤ用光
学系においても、上記と同様に、第２レーザダイオード
ＬＤ２からの第２レーザ光Ｌ２は、第２ビームスプリッ
タＢＳ２によって一部反射され、コリメータＣを通過し
て、第２ミラーＭ２により進路を屈曲して、第２対物レ
ンズＯＬ２により光ディスクＤ上に集光される。

【００１１】光ディスクＤからの反射光は、第２対物レ
ンズＯＬ２、第２ミラーＭ２、コリメータＣおよび第２
ビームスプリッタＢＳ２を介して、第２マルチレンズＭ
Ｌ２を通過し、第２フォトダイオードＰＤ２上に入射さ
れ、この反射光の変化により光ディスクＤのＤＶＤ用記
録面上に記録された情報の読み出しがなされる。

【００１２】この光ピックアップ１００によれば、ＣＤ
用のレーザダイオードとＤＶＤ用のレーザダイオードを
搭載し、それぞれの光学系を有することにより、ＣＤと
ＤＶＤの再生を可能にしている。

【００１３】また、図１５は、上記のようなＣＤ用のレ
ーザダイオードＬＤ１（発振波長７８０ｎｍ）とＤＶＤ
用のレーザダイオードＬＤ２（発振波長６５０ｎｍ）を
搭載し、ＣＤとＤＶＤの再生を可能にした従来の他のコ
ンパチブル光ピックアップ１０１の概略構成図である。

【００１４】この光ピックアップ１０１は、例えば７８
０ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する第１レーザダイオ
ードＬＤ１、グレーティングＧ、第１ビームスプリッタ
ＢＳ１、ダイクロイックビームスプリッタＤＢＳ、コリ
メータＣ、ミラーＭ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、対
物レンズＯＬ、第１マルチレンズＭＬ１、及び第１フォ
トダイオードＰＤ１がそれぞれ個々に（即ち、ディスク
リートに）所定の位置に配設されたＣＤ用光学系を有す
る。

【００１５】さらに、この光ピックアップ１０１は、例
えば６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する第２レー
ザダイオードＬＤ２、第２ビームスプリッタＢＳ２、ダ
イクロイックビームスプリッタＤＢＳ、コリメータＣ、
ミラーＭ、対物レンズＯＬ、第２マルチレンズＭＬ２、
及び第２フォトダイオードＰＤ２がそれぞれ個々に（即
ち、ディスクリートに）所定の位置に配設されたＤＶＤ
用光学系を有する。

【００１６】この各光学系において、一部の光学部材は
共有しており、例えば、ダイクロイックビームスプリッ
タＤＢＳ、コリメータＣ、ミラーＭ及び対物レンズＯＬ
が両光学系により共有されている。また、ダイクロイッ
クビームスプリッタＤＢＳと光ディスクＤ間の光軸を共
有しているために、ＣＤ用の開口制限アパーチャＲはＤ
ＶＤ用光学系の光軸上にも配置されることになる。

【００１７】このように構成された光ピックアップ１０
１のＣＤ用光学系において、第１レーザダイオードＬＤ
１からの第１レーザ光Ｌ１は、グレーティングＧを通過
し、第１ビームスプリッタＢＳ１によって一部反射さ
れ、ダイクロイックビームスプリッタＤＢＳ、コリメー
タＣ、ミラーＭをそれぞれ通過あるいは反射して、ＣＤ
用開口制限アパーチャＲを介して対物レンズＯＬ１によ
り光ディスクＤ上に集光される。

【００１８】光ディスクＤからの反射光は、対物レンズ
ＯＬ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、ミラーＭ、コリメ
ータＣ、ダイクロイックビームスプリッタＤＢＳおよび
第１ビームスプリッタＢＳ１を介して、第１マルチレン
ズＭＬ１を通過し、第１フォトダイオードＰＤ１上に入
射され、この反射光の変化により、光ディスクＤのＣＤ
用記録面上に記録された情報の読み出しがなされる。

【００１９】また光ピックアップ１０１のＤＶＤ用光学
系においても、上記と同様に、第２レーザダイオードＬ
Ｄ２からの第２レーザ光Ｌ２は、第２ビームスプリッタ
ＢＳ２によって一部反射され、ダイクロイックビームス
プリッタＤＢＳ、コリメータＣ、ミラーＭをそれぞれ通
過あるいは反射して、ＣＤ用の開口制限アパーチャＲを
介して対物レンズＯＬ１により光ディスクＤ上に集光さ
れる。

【００２０】光ディスクＤからの反射光は、対物レンズ
ＯＬ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、ミラーＭ、コリメ
ータＣ、ダイクロイックビームスプリッタＤＢＳおよび
第２ビームスプリッタＢＳ２を介して、第２マルチレン
ズＭＬ２を通過し、第２フォトダイオードＰＤ２上に入
射され、この反射光の変化により、光ディスクＤのＤＶ
Ｄ用記録面上に記録された情報の読み出しがなされる。

【００２１】この光ピックアップ１０１によれば、図１
４に示した光ピックアップ１００と同様に、ＣＤ用のレ
ーザダイオードとＤＶＤ用のレーザダイオードを搭載
し、それぞれの光学系を有することによりＣＤとＤＶＤ
の再生を可能にしている。

【００２２】

【発明に至る経過】本発明者は、こうした従来の光ピッ
クアップに対し、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光デ
ィスクシステムを構成することが可能であって、部品点
数を減らして容易に組み立てられ、小型化やコスト削減
を可能にする光学装置及びそれを用いた光ディスク装置
を既に提案した。

【００２３】図１６〜図１９には、その一例を示し、図
１６に示すコンパチブル光ピックアップ１ａによれば、
ＣＤ用のレーザダイオードＬＤ１（発振波長７８０ｎ
ｍ）とＤＶＤ用のレーザダイオードＬＤ２（発振波長６
５０ｎｍ）を搭載している。

【００２４】この光ピックアップ１ａは、それぞれ個々
に（即ち、ディスクリートに）或いは共通の基板上に
（即ち、モノリシックに）構成された光学系を有し、互
いに隣接して並列に形成され、例えば７８０ｎｍ帯の波
長のレーザ光を出射する第１レーザダイオードＬＤ１と
６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する第２レーザダ
イオードＬＤ２を有するレーザダイオードＬＤ、７８０
ｎｍ帯用であって６５０ｎｍ帯に対しては素通しとなる
グレーティングＧ、ビームスプリッタＢＳ、コリメータ
Ｃ、ミラーＭ、ＣＤ用の開口制限アパーチャＲ、対物レ
ンズＯＬ、マルチレンズＭＬ、及びフォトダイオードＰ
Ｄがそれぞれ所定の位置に配設されている。フォトダイ
オードＰＤには、７８０ｎｍ帯の光を受光する第１フォ
トダイオードと、６５０ｎｍ帯の光を受光する第２フォ
トダイオードが互いに隣接して並列に形成されている。

【００２５】この光ピックアップ１ａにおいて、第１レ
ーザダイオードＬＤ１からの第１レーザ光Ｌ１は、グレ
ーティングＧを通過し、ビームスプリッタＢＳによって
一部反射され、コリメータＣ、ミラーＭ及びＣＤ用の開
口制限アパーチャＲと通過（反射）して、対物レンズＯ
Ｌにより光ディスクＤ上に集光される。

【００２６】光ディスクＤからの反射光は、対物レンズ
ＯＬ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、ミラーＭ、コリメ
ータＣ及びビームスプリッタＢＳを介して、マルチレン
ズＭＬを通過し、フォトダイオードＰＤ（第１フォトダ
イオード）上に入射され、この反射光の変化により、Ｃ
Ｄなどの光ディスクＤの記録面上に記録された情報の読
み出しがなされる。

【００２７】そして、光ピックアップ１ａにおいて、第
２レーザダイオードＬＤ２からの第２レーザ光Ｌ２も、
上記と同じ経路を辿って光ディスクＤ上に集光され、そ
の反射光はフォトダイオードＰＤ（第２フォトダイオー
ド）上に入射され、この反射光の変化により、ＤＶＤな
どの光ディスクＤの記録面上に記録された情報の読み出
しがなされる。

【００２８】この光ピックアップ１ａによれば、ＣＤ用
のレーザダイオードとＤＶＤ用のレーザダイオードを搭
載し、共通の光学系によりその反射光をＣＤ用のフォト
ダイオードとＤＶＤ用のフォトダイオードに結合させ、
ＣＤとＤＶＤの再生を可能にしている。

【００２９】図１７は、上記のレーザダイオードＬＤの
要部斜視図である。例えば、円盤状の基台２１に設けら
れた突起部２１ａ上にモニター用の光検出素子としての
ＰＩＮダイオード１２が形成された半導体ブロック１３
が固着され、その上部に第１レーザダイオード１４（Ｌ
Ｄ１）と第２レーザダイオード１５（ＬＤ２）が配置さ
れている。また、基台１を貫通して端子２２が設けられ
ており、リード２３により上記の第１及び第２レーザダ
イオード１４、１５、或いはＰＩＮダイオード１２に接
続されて、それぞれのダイオードの駆動電源が供給され
る。

【００３０】図１８（ａ）は、上記のレーザダイオード
のレーザ光の出射方向と垂直な方向からの要部平面図で
あり、また図１８（ｂ）は、レーザダイオードのレーザ
光の出射方向からの要部平面図である。ＰＩＮダイオー
ド１２が形成された半導体ブロック１３の上部に第１レ
ーザダイオード１４（ＬＤ１）と第２レーザダイオード
１５（ＬＤ２）がディスクリートに配置されている。こ
れらのレーザダイオードは、図１８（ｃ）のように、後
述する如くにモノリシックに配置されてよい。

【００３１】ここで、ＰＩＮダイオード１２は、例えば
２つに分割された領域を有し、第１および第２レーザダ
イオード１４、１５又はＬＤ１、ＬＤ２のそれぞれにつ
いて、リア（後部）側に出射されたレーザ光を感知し、
その強度を測定して、レーザ光の強度が一定となるよう
に第１及び第２レーザダイオード１４、１５又はＬＤ
１、ＬＤ２の駆動電流を制御するＡＰＣ（Automatic Po
wer Control）制御が行われるように構成されている。
ＰＩＮダイオード１２は、分割されずに１つでもよい
（切換えて使用可能）。

【００３２】第１レーザダイオード１４のレーザ光出射
部Ｅ１と第２レーザダイオード１５のレーザ光出射部Ｅ
２の間隔ｄは例えば２００μｍ程度以下の範囲（例えば
１００μｍ程度）に設定される。各レーザ光出射部Ｅ
１、Ｅ２からは、それぞれ例えば７８０ｎｍ帯の波長の
レーザ光Ｌ１及び６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ２が
互いに同一の方向（平行）に出射される。

【００３３】図１９（ａ）は、上記のフォトダイオード
ＰＤの要部平面図である。例えば、７８０ｎｍ帯の光を
受光する第１フォトダイオード１６と、６５０ｎｍ帯の
光を受光する第２フォトダイオード１８とが互いに隣接
して並列に形成されている。

【００３４】ここで、第１フォトダイオード１６は図面
に示すように６分割（ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１、ｅ１、
ｆ１）された構成を有している。第１レーザダイオード
１４から出射された７８０ｎｍ帯のレーザ光は、グレー
ティングＧにて３本のレーザ光に分割された後、上記光
学系を経て、ＣＤなどの光ディスクＤからの反射光とし
て、図１９（ａ）に示すように第１フォトダイオード１
６上に３つのスポット（Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃ）とし
て入射する。

【００３５】また、第２フォトダイオード１８は図面に
示すように４分割（ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２）された構
成を有している。第２レーザダイオード１５から出射さ
れた６５０ｎｍ帯のレーザ光は、上記光学系を経て、Ｄ
ＶＤなどの光ディスクＤからの反射光として、図１９
（ａ）に示すように第２フォトダイオード１８上に１つ
のスポットＳ２として入射する。

【００３６】第１及び第２フォトダイオード１６、１８
の間隔、すなわち、例えば第１フォトダイオード１６の
中心線と第２フォトダイオード１８の中心線との間隔ｄ
は、例えば２００μｍ程度以下の範囲（例えば１００μ
ｍ程度）に設定される。ここでは、例えば、上記の第１
レーザダイオード１４のレーザ光出射部Ｅ１と第２レー
ザダイオード１５のレーザ光出射部Ｅ２との間隔と実質
的に等しくなるように設定される。

【００３７】上記のように、第１及び第２レーザダイオ
ードのレーザ光出射部の間隔、及び第１及び第２フォト
ダイオードの間隔を設定することにより、共通の光学部
材を用いて、第１レーザダイオード及び第２レーザダイ
オードの出射光をＣＤやＤＶＤなどの光ディスクに照射
し、光ディスクからの反射光を第１フォトダイオード及
び第２フォトダイオードにそれぞれ入射させることが可
能となる。

【００３８】上記のフォトダイオードＰＤ（第１フォト
ダイオード１６及び第２フォトダイオード１８）におい
ては、上記のように入射するレーザ光のスポットＳ１
ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃ、Ｓ２のスポット径、位置変化等を
検出することができる。

【００３９】光ディスク装置の光ピックアップとして、
上記のフォトダイオードＰＤにより得られる信号から、
トラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号、及び
光ディスクに記録された情報信号の読み取りが行われ
る。これら信号の取り出しは、以下のようにそれぞれ行
われる。

【００４０】即ち、第１フォトダイオード１６において
は、６分割された第１フォトダイオード１６上に入射す
る中央部のスポットＳ１ａにおいて得られた信号ａ１、
ｂ１、ｃ１及びｄ１を用いて、次式（１）によって、Ｃ
Ｄなどの光ディスクに記録された情報信号ＲＦ１を求め
ることができる。ＲＦ１＝ａ１＋ｂ１＋ｃ１＋ｄ１ …（１）

【００４１】また、上記の信号ａ１、ｂ１、ｃ１及びｄ
１を用いて、次式（２）によって、フォーカスエラー信
号ＦＥ１を得ることができる。ＦＥ１＝（ａ１＋ｃ１）−（ｂ１＋ｄ１） …（２）

【００４２】また、６分割された第１フォトダイオード
１６上に入射する両側部のスポットＳ１ｂ、Ｓ１ｃにお
いて得られた信号ｅ１及びｆ１を用いて、次式（３）に
よって、トラッキングエラー信号ＴＥ１を得ることがで
きる。ＴＥ１＝ｅ１−ｆ１ …（３）

【００４３】一方、第２フォトダイオード１８において
は、４分割された第２フォトダイオード１８上に入射す
る中央部のスポットＳ２において得られた信号ａ２、ｂ
２、ｃ２及びｄ２を用いて、次式（４）によって、ＤＶ
Ｄなどの光ディスクに記録された情報信号ＲＦ２を求め
ることができる。ＲＦ２＝ａ２＋ｂ２＋ｃ２＋ｄ２ …（４）

【００４４】また、上記の信号ａ２、ｂ２、ｃ２及びｄ
２を用いて、次式（５）によって、フォーカスエラー信
号ＦＥ２を得ることができる。ＦＥ２＝（ａ２＋ｃ２）−（ｂ２＋ｄ２） …（５）

【００４５】また、上記の信号ａ２、ｂ２、ｃ２及びｄ
２を用いて、図１９（ｂ）に示すように、ＤＰＤ（位相
差検出；Differential Phase Detection）法により、ト
ラッキングエラー信号ＴＥ２を得ることができる。たと
えば、位相比較器ＰＣで信号ａ２とｂ２、信号ｃ２とｄ
２の位相を比較した後、加算器ＡＤにて加算演算処理を
行ってトラッキングエラー信号ＴＥ２を得る。ＤＰＤ法
によれば、１スポットでオフセットのない安定なトラッ
キングが可能となる。

【００４６】このレーザカプラを用いる光ディスクの再
生／記録装置においては、上記のようにして、ＣＤ又は
ＤＶＤなどの光ディスクの上下の振れによるフォーカス
エラー信号の検出を行い、得られたフォーカスエラー信
号に従ってフォーカシングサーボをかける。また、トラ
ッキングエラー信号の検出を行い、得られたトラッキン
グエラー信号に従ってトラッキングサーボをかける。

【００４７】このレーザカプラは、ＣＤ用のレーザダイ
オードＬＤ１（発振波長７８０ｎｍ）とＤＶＤ用のレー
ザダイオードＬＤ２（発振波長６５０ｎｍ）を搭載し、
ＣＤとＤＶＤの再生を可能にするコンパチブル光ピック
アップを構成することができる。

【００４８】このレーザカプラは、互いに隣接して並列
に配置された第１レーザダイオードＬＤ１及び第２レー
ザダイオードＬＤ２と、互いに隣接して並列に配置され
た第１フォトダイオード１６及び第２フォトダイオード
１８とを有しており、発振波長の異なるレーザダイオー
ドからの光軸を合わせる必要がなく、共通の光学部材を
用いて、第１レーザダイオードＬＤ１及び第２レーザダ
イオードＬＤ２の出射光をＣＤやＤＶＤなどの光ディス
クに照射し、光ディスクからの反射光を第１フォトダイ
オード及び第２フォトダイオードにそれぞれ入射させ
る。従って、図１４及び図１５に示したものよりも部品
点数が少なく、容易に組み立てられ、小型化やコスト削
減が可能である。

【００４９】

【発明が解決しようとする課題】図２０は、発光素子と
してのレーザダイオードＬＤと、ＲＦ信号等の検出用の
受光素子としてのフォトディテクタＰＤ１、ＰＤ２とを
共通基板１１上に設けた公知のレーザカプラを示し、こ
れを用いて光ピックアップが構成されている。このレー
ザカプラは、光ディスク（図示せず）側の出射位置にカ
バーガラス３及びλ／４（又はλ／２板）５０を有した
パッケージ内に収容されている。レーザダイオードＬＤ
の出射面から出射されたレーザ光Ｌはプリズム２０の斜
面（分光面）２０ａで反射および一部透過する。

【００５０】この場合、レーザダイオードＬＤの電流Ｉ
と光出力Ｌ_outは図２１（Ａ）のような関係にある。こ
の光出力は、例えば図２０のように、レーザ素子ＬＤの
リア端面５１の後方に設けられたＰＩＮダイオードから
なるフォトディテクタ（ＰＩＮ−ＰＤ）にリア側の出射
レーザ光Ｌ’を入射させることによってモニターされ、
これがフロント面５２から出射されるレーザ光Ｌの光出
力のモニターとして用いられる。

【００５１】しかし一般に、レーザ素子から出射される
光の波長には温度依存性があり、また、レーザ光の出射
方向に対してＰＩＮ−ＰＤが傾斜状態で配置されている
と、その表面保護膜の反射率も温度依存性があり、入射
光の波長によっても異なる。

【００５２】これについて詳細に説明する。まず、系の
温度が上昇すると、ＰＩＮ−ＰＤの検出出力（Ｉｍｏ
ｎ）の温度変化が正特性を示す場合には、図２１（Ｂ）
のように、ＰＩＮ−ＰＤの光出力が増大する。この時、
レーザＬＤの温度上昇によってレーザ光Ｌ（Ｌ’）の波
長が長くなり、一般に０．２５ｎｍ／℃程度の温度依存
性がある。

【００５３】このとき、レーザの出射光の波長がλ₁→
λ₁’に増加すると、図２１（Ｃ）のようにレーザ端面
での反射率Ｒが増加するように（透過分が減少するよう
に）、例えばアルミナ等の端面保護膜５３を設定してお
けば、ＰＩＮ−ＰＤが正の温度特性を有することと、レ
ーザ波長が長くなることによる端面からの出射強度が減
少することによって、全体としてこれらが相殺して、温
度変化に対して常に一定の出射強度となるようにＡＰＣ
が機能し、温度変化に対して常に一定のＰＩＮ−ＰＤの
光出力が得られ、これをモニターしていればよいことに
なる（特許第２６６３４３７号公報参照）。

【００５４】しかしながら、こうした技術を図１６〜図
１９に示した如き２波長レーザ（即ち、波長の異なるレ
ーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２を設けた光源）に応用し
ようとすると、以下のような問題が発生する。

【００５５】例えば、２波長レーザにおいても、２つの
異なるレーザを同時に動作させることは一般的ではない
ため、モニタ用のＰＩＮ−ＰＤは１つでも共用されるこ
とが多い。しかし、レーザ素子相互の波長が互いに異な
るために、一般には、異なる波長に対して、２つのレー
ザの温度特性を同じように逆特性（ＰＩＮ−ＰＤの温度
特性を相殺する出射強度の減少）とすることは容易では
ない。

【００５６】即ち、レーザ端面の反射膜（上記した保護
膜５３）は、レーザが小型であることから１種類の膜厚
でしか形成できないため、互いに異なる波長（例えばλ
₁＝７８０ｎｍ、λ₂＝６５０ｎｍ）のレーザ光に対して
は、図２２（図中のｄは保護膜の膜厚）のように、反射
率が異なり、またレーザの温度変化による出射光の波長
変化に対して端面での反射率の変化の方向が一定とは限
らないからである（むしろ一定でないのが通常であ
る）。

【００５７】本発明は、上述の如き問題点に鑑みてなさ
れたものであって、特に複数のレーザ素子を同一特性の
ＰＤでモニタする場合でも、任意の波長の光に対し常に
温度特性を相殺して安定した出力を得ることのできるレ
ーザカプラの如き光学装置、及びこれを用いた光ディス
ク装置を提供することを目的とするものである。

【００５８】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、互いに
異なる複数の光をそれぞれ出射する複数の発光素子が光
出射方向と交差する方向に並置され、前記複数の光をデ
ィスク状等の情報記録媒体に照射してその反射光をそれ
ぞれ受光する複数の受光素子が設けられている光学装
置、及びこれを用いた光ディスク装置において、前記複
数の発光素子の出射光のうち、少なくとも１つの出射光
に対する反射率又は透過率が温度によって変化する光学
手段が、前記複数の発光素子と前記複数の受光素子との
間の光路中に設けられていることを特徴とする光学装置
及び光ディスク装置に係るものである。

【００５９】この光学装置及び光ディスク装置によれ
ば、複数の発光素子の各出射光のうち少なくとも１つの
出射光については反射率又は透過率が温度によって変化
する（例えば、温度上昇時に反射率が増大する）反射膜
等の光学手段が、複数の発光素子と複数の受光素子との
間の光路中に設けられているので、互いに異なる複数の
発光素子を用いても、上記出射光のうち他方の出射光を
出射する発光素子についてはその出射光の物性の変化
（例えば温度上昇時に波長が増大すること）に対し上述
したようにＰＩＮ−ＰＤの如きモニタ用素子の温度特性
を相殺するように端面保護膜などが設定された場合に、
これによっても相殺しきれない発光素子についてはプリ
ズムの端面などに設ける光学膜などの光学手段が温度上
昇時に反射率を増大させる等の物性を有することによっ
て、全体として温度特性を相殺することができる。従っ
て、複数の発光素子を用いても、任意の波長等の物性に
対しても調整の自由度が増し、常に安定した出力特性を
得ることができる。

【００６０】また、本発明は、所定の光を出射する発光
素子と、この光出射をディスク状等の情報記録媒体に照
射してその反射光を受光する受光素子とが設けられてい
る光学装置、及びこれを用いた光ディスク装置におい
て、前記出射光に対する反射率又は透過率が温度によっ
て変化する光学手段が、前記発光素子と前記受光素子と
の間の光路中に設けられていることを特徴とする光学装
置及び光ディスク装置も提供するものである。

【００６１】この光学装置及び光ディスク装置によれ
ば、出射光に対する反射率又は透過率が温度によって変
化する（例えば、温度上昇時に反射率が減少する）反射
膜等の光学手段が発光素子と受光素子との間の光路中に
設けられているので、上記出射光の物性の変化（例えば
温度上昇時に波長が増大すること）に対し上述したよう
にしてＰＩＮ−ＰＤの如きモニタ用素子の温度特性を相
殺するように端面保護膜などが設定された場合に、ＲＦ
信号等の受光素子の温度特性（温度上昇時に出力が増大
すること）を上記した反射率の減少による入射受光量の
減少等によって相殺することができ、単数の発光素子で
あっても全体としての温度特性を相殺でき、常に安定し
た出力特性を得ることができる。

【００６２】

【発明の実施の形態】本発明の光学装置及び光ディスク
装置においては、前記複数の発光素子の出射光のうち、
一の出射光に対する反射率又は透過率と他の出射光に対
する反射率又は透過率とが温度によって互いに逆方向に
変化する光学膜が前記光学手段として、前記光路中に設
けられているのが望ましい。

【００６３】この場合、前記複数の発光素子（又は前記
所定の発光素子）と、これらの各出射光を分光面を介し
て前記ディスク状情報記録媒体の如き被照射体へ導きか
つこの反射光を前記分光面から前記複数の受光素子（又
は前記受光素子）へ導くための光学部材と、前記受光素
子とが共通の基体上に設けられた光カプラとして構成さ
れ、前記分光面に前記光学膜が設けられているのがよ
い。この光カプラは、特に光ディスク装置の光ピックア
ップに含まれるのがよい。

【００６４】また、前記複数の発光素子の第１の端面か
ら前記複数の光を出力光としてそれぞれ出射すると共に
第２の端面から複数のモニタ光をそれぞれ出射し、前記
出力光の強度を制御するために前記モニタ光を検知する
モニタ用受光素子を有し、前記複数のモニタ光のうち、
一のモニタ光についてその強度の温度依存特性と前記モ
ニタ用受光素子の検知出力の温度依存特性とが互いに逆
特性となるような反射率又は透過率を示す保護膜が前記
第２の端面に形成され、前記一のモニタ光が前記一の出
射光に対応し、他のモニタ光に対応した前記他の出射光
に対する前記光学膜の反射率又は透過率が温度によって
変化して、前記他の出射光に関する温度依存特性が相殺
されるのがよい。

【００６５】前記複数の発光素子は、互いに異なる波長
のレーザ光を出射する例えば２波長レーザとして構成さ
れるのがよい。

【００６６】また、前記発光素子の第１の端面から前記
所定の光を出力光として出射すると共に第２の端面から
モニタ光を出射し、前記出力光の強度を制御するために
前記モニタ光を検知するモニタ用受光素子を有し、前記
モニタ光の強度の温度依存特性と前記モニタ用受光素子
の検知出力の温度依存特性とが互いに逆特性となるよう
な反射率又は透過率を示す保護膜が前記第２の端面に形
成されているのがよい。

【００６７】以下、本発明の好ましい実施の形態を図面
について説明する。

【００６８】図４（ａ）は、本実施の形態にかかるレー
ザカプラ１ａの概略構成を示す説明図である。レーザカ
プラ１ａは、第１パッケージ部材２の凹部に装填され、
ガラスなどの透明な第２パッケージ部材３により封止さ
れている。

【００６９】図４（ｂ）は上記のレーザカプラ１ａの要
部斜視図である。例えば、シリコンの単結晶を切り出し
た基板である集積回路基板１１上に、モニター用の光検
出素子としてのＰＩＮダイオード１２が形成された半導
体ブロック１３が配置され、さらに、この半導体ブロッ
ク１３上に、発光素子として第１レーザダイオードＬＤ
１及び第２レーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載
するモノリシックレーザダイオード１４ａが配置されて
いる。

【００７０】本実施の形態では、例えば、λ₁＝７８０
ｎｍ帯の光を受光する前部第１フォトダイオード１６及
び後部第１フォトダイオード１７と、λ₂＝６５０ｎｍ
帯の光を受光する前部第２フォトダイオード１８及び後
部第２フォトダイオード１９とが、基板１１上に固定さ
れたプリズム２０下に形成されている。

【００７１】ここで、図５に示すように、前部第１フォ
トダイオード１６は４分割（ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１）
され、後部第１フォトダイオード１７も４分割（ｉ１、
ｊ１、ｋ１、ｌ１）された構成を有している。

【００７２】基板１１上に固定されたブロック１３上に
第１レーザダイオードＬＤ１がマウントされ、このレー
ザダイオードから出射された７８０ｎｍ帯のレーザ光Ｌ
１はプリズム２０の分光面２０ａで反射され、更に上記
光学系を経て、光ディスク（ＣＤ）からの反射光とし
て、プリズム２０を通して前部及び後部第１フォトダイ
オード１６、１７上に１つずつのスポットＳ１ａ、Ｓ１
ｂとして入射する。

【００７３】また、前部第２フォトダイオード１８は８
分割（ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２、ｅ２、ｆ２、ｇ２、ｈ
２）され、後部第２フォトダイオード１９は４分割（ｉ
２、ｊ２、ｋ２、ｌ２）された構成を有している。

【００７４】第２レーザダイオードＬＤ２から出射され
た６５０ｎｍ帯のレーザ光Ｌ２も、上記光学系を経て、
光ディスク（ＤＶＤ）からの反射光として、前部及び後
部第２フォトダイオード１８、１９上に１つずつのスポ
ットＳ２ａ、Ｓ２ｂとして入射する。

【００７５】上記の前部第１フォトダイオード１６及び
前部第２フォトダイオード１８の間隔、及び、後部第１
フォトダイオード１７及び後部第２フォトダイオード１
９の間隔は、例えば２００μｍ程度以下の範囲（例えば
１００μｍ程度）に設定される。ここでは、例えば、上
記の第１レーザダイオードＬＤ１のレーザ光出射部Ｅ１
と第２レーザダイオードＬＤ２のレーザ光出射部Ｅ２と
の間隔と実質的に等しくなるように設定される。

【００７６】上記のように、第１及び第２レーザダイオ
ードのレーザ光出射部の間隔、および、第１および第２
フォトダイオードの間隔を設定することにより、共通の
光学部材を用いて、第１レーザダイオード及び第２レー
ザダイオードの出射光をＣＤやＤＶＤなどの光ディスク
に照射し、光ディスクからの反射光を第１フォトダイオ
ードおよび第２フォトダイオードにそれぞれ入射させる
ことが可能となる。

【００７７】上記のフォトダイオード（前後部第１フォ
トダイオード１６、１７及び前後部第２フォトダイオー
ド１８、１９）においては、上記のように入射するレー
ザ光のスポットＳ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ２ａ、Ｓ２ｂのスポ
ット径、位置変化等を検出することができる。

【００７８】このレーザカプラを用いて光ディスク装置
の光ピックアップを構成した場合には、上記のフォトダ
イオードＰＤにより得られる信号から、トラッキングエ
ラー信号、フォーカスエラー信号、及び光ディスクに記
録された情報信号の読み取りが行われる。これら信号の
取り出しは、それぞれ以下のように行われる。

【００７９】即ち、前後部第１フォトダイオード１６、
１７においては、それぞれ４分割された前後部第１フォ
トダイオード１６、１７上に入射するスポットＳ１ａ、
Ｓ１ｂにおいて得られた信号ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１、
ｉ１、ｊ１、ｋ１及びｌ１を用いて、次式（６）によっ
て、ＣＤなどの光ディスクに記録された情報信号ＲＦ１
を求めることができる。ＲＦ１＝ａ１＋ｂ１＋ｃ１＋ｄ１＋ｉ１＋ｊ１＋ｋ１＋ｌ１ …（６）

【００８０】また、上記の信号ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ
１、ｉ１、ｊ１、ｋ１及びｌ１を用いて、次式（７）に
よって、フォーカスエラー信号ＦＥ１を得ることができ
る。ＦＥ１〔（ａ１＋ｄ１）−（ｂ１＋ｃ１）〕 −〔（ｉ１＋ｌ１）−（ｊ１＋ｋ１）〕 …（７）

【００８１】また、上記の信号ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ
１、ｉ１、ｊ１、ｋ１及びｌ１を用いて、次式（８）に
よって、トラッキングエラー信号ＴＥ１を得ることがで
きる。ＴＥ１＝〔（ａ１＋ｂ１）−（ｃ１＋ｄ１）〕＋〔（ｉ１＋ｊ１）−（ｋ１＋ｌ１）〕 …（８）

【００８２】一方、前後部第２フォトダイオード１８、
１９においては、それぞれ８分割および４分割された前
後部第２フォトダイオード１８、１９上に入射するスポ
ットＳ２ａ、Ｓ２ｂにおいて得られた信号ａ２、ｂ２、
ｃ２、ｄ２、ｅ２、ｆ２、ｇ２、ｈ２、ｉ２、ｊ２、ｋ
２及びｌ２を用いて、次式（９）によって、ＤＶＤなど
の光ディスクに記録された情報信号ＲＦ２を求めること
ができる。ＲＦ２＝ａ２＋ｂ２＋ｃ２＋ｄ２＋ｅ２＋ｆ２＋ｇ２＋ｈ２＋ｉ２＋ｊ２＋ｋ２＋ｌ２ …（９）

【００８３】また、上記の信号ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ
２、ｅ２、ｆ２、ｇ２、ｈ２、ｉ２、ｊ２、ｋ２及びｌ
２を用いて、次式（１０）によって、フォーカスエラー
信号ＦＥ２を得ることができる。ＦＥ２＝〔（ａ２＋ｄ２＋ｅ２＋ｈ２）−（ｂ２＋ｃ２＋ｆ２＋ｇ２）〕 −〔（ｉ２＋ｌ２）−（ｊ２＋ｋ２）〕 …（１０）

【００８４】また、前部第２フォトダイオード１８によ
り得られる信号ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２、ｅ２、ｆ２、
ｇ２及びｈ２を用いて、後述の図１０（ｂ）に示すよう
に、ＤＰＤ（位相差検出；Differential Phase Detecti
on）法により、トラッキングエラー信号ＴＥ２を得るこ
とができる。たとえば、第１加算器（広帯域）ＡＤ１に
て、信号ａ２とｂ２、信号ｃ２とｄ２、信号ｅ２とｆ
２、信号ｇ２とｈ２の加算演算処理を行い、位相比較器
ＰＣで、信号ａ２とｂ２との和信号と信号ｃ２とｄ２と
の和信号、信号ｇ２とｈ２との和信号と信号ｅ２とｆ２
との和信号の位相を比較した後、第２加算器ＡＤ２にて
加算演算処理を行ってトラッキングエラー信号ＴＥ２を
得る。ＤＰＤ法によれば、１スポットでオフセットのな
い安定なトラッキングが可能となる。

【００８５】このレーザカプラを用いる光ディスクの再
生／記録装置においては、上記のようにして、ＣＤある
いはＤＶＤなどの光ディスクの上下の振れによるフォー
カスエラー信号の検出を行い、得られたフォーカスエラ
ー信号に従ってフォーカシングサーボをかける。また、
トラッキングエラー信号の検出を行い、得られたトラッ
キングエラー信号に従ってトラッキングサーボをかけ
る。

【００８６】このレーザカプラは、ＣＤ用のレーザダイ
オードＬＤ１（発振波長７８０ｎｍ）とＤＶＤ用のレー
ザダイオードＬＤ２（発振波長６５０ｎｍ）を搭載し、
ＣＤとＤＶＤの再生を可能にするコンパチブル光ピック
アップを構成することが可能である。

【００８７】そして、このレーザカプラは、互いに隣接
して並列に配置された第１レーザダイオードＬＤ１及び
第２レーザダイオードＬＤ２と、互いに隣接して並列に
配置された前後部第１フォトダイオード１６、１７及び
前後部第２フォトダイオード１８、１９とを有してお
り、発振波長の異なるレーザダイオードからの光軸を合
わせる必要がなく、共通の光学部材を用いて、第１レー
ザダイオードＬＤ１及び第２レーザダイオードＬＤ２の
出射光をＣＤやＤＶＤなどの光ディスクに照射し、光デ
ィスクからの反射光を前後部第１フォトダイオード１
６、１７及び前後部第２フォトダイオード１８、１９に
それぞれ入射させる。従って、図１４及び図１５に示し
たものよりも部品点数が少なく、容易に組み立てられ、
小型化やコスト削減が可能である。

【００８８】図１は、本実施の形態によるレーザカプラ
の拡大断面図を示す。即ち、複数の（ここでは２つの）
レーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２とＲＦ信号等の検出用
の受光素子としてのフォトディテクタ１６及び１７、１
８及び１９とを共通基板１１上に設けたレーザカプラを
示し、これを用いて光ピックアップが構成されている。
このレーザカプラは、光ディスク（図示せず）側の出射
位置にカバーガラス３及びλ／４（又はλ／２板）５０
を有したパッケージ内に収容されている。レーザダイオ
ードＬＤ１、ＬＤ２の出射面から出射されたレーザ光Ｌ
１、Ｌ２はプリズム２０の斜面（分光面２０ａ）で反射
および一部透過する。

【００８９】プリズム２０の分光面２０ａには、実際に
は図２に示すようにビームスプリッタ（ＰＢＳ）膜が形
成され、出射レーザ光を反射し、これが光ディスクに対
し行きと戻りで偏光方向が約９０度回転する（ｓ偏光→
ｐ偏光）ので、偏光ＰＢＳ膜の特性をｐｓ逆に設定する
ことによって、波長板５０の追加前と同等の検出が可能
になる。

【００９０】以上のレーザカプラの構成は図２０に示し
たものと同様であるが、ここで注目すべきことは、プリ
ズム２０の分光面２０ａ上に特定の反射膜（例えばＳｉ
Ｏ系、ＴｉＯ系）５４が設けられ、これによって温度上
昇時に、上述した２波長レーザＬＤ１、ＬＤ２の出射レ
ーザ光Ｌ１、Ｌ２のうち、一方のレーザ光Ｌ１（λ₁＝
７８０ｎｍ）の反射率が減少すると同時に他方のレーザ
光Ｌ２（λ₂＝６５０ｎｍ）の反射率が増大するように
構成されていることである。またこれと共に、レーザダ
イオードＬＤ１、ＬＤ２のモニタ側の端面には、前述し
たと同様のアルミナ等の保護膜５３が設けられ、上記レ
ーザ光Ｌ１についての温度特性をＰＩＮ−ＰＤに対し相
殺している。

【００９１】前述したように、レーザダイオードＬＤ
１、ＬＤ２の光出力は、レーザ素子のリア端面５１の後
方に設けられたＰＩＮダイオードからなるフォトディテ
クタ１２（ＰＩＮ−ＰＤ）にリア側の出射レーザ光Ｌ
１’、Ｌ２’を入射させることによってモニタされ、こ
れがフロント面５２から出射されるレーザ光Ｌ１、Ｌ２
の光出力のモニタとして用いられる。

【００９２】しかし、一般に、レーザ素子から出射され
る光の波長には温度依存性があり、また、レーザ光の出
射方向に対してＰＩＮ−ＰＤが傾斜状態で配置されてい
ると、その表面保護膜の反射率も温度依存性があり、入
射光の波長によっても異なることは前述した。

【００９３】ここで、温度が上昇した場合を考える。温
度の上昇により、ＰＩＮ−ＰＤ１２の光出力が増大する
（図２１（Ｂ）参照）と共に、レーザの発振波長が長く
なる。そこで、レーザ端面５１の反射膜５３はレーザの
波長（λ₁、例えば７８０ｎｍ）の近傍で、波長がλ₁→
λ₁’と長くなると、反射率が増加するようにしてお
く。このとき、温度上昇によって、透過するレーザ光Ｌ
１’の強度は、発振波長が長くなるために透過する割合
が減少し、一方、ＰＩＮ−ＰＤ１２の光出力は大きくな
る（感度が増加する）から、全体として、温度の変化に
対してＰＩＮ−ＰＤ１２の光出力は一定となる。

【００９４】こうして、ＰＩＮ−ＰＤの光出力が一定と
なるようにコントロールすれば、レーザの温度特性に拘
わらず、レーザの出力も一定になるようにＡＰＣで制御
することができる（この詳細な説明は、特許第２６６３
４３７号公報参照）。

【００９５】しかし、前述したように、本実施の形態の
如き２波長レーザにおいては、レーザ端面の反射膜５３
は、レーザが小型であることから１種類の膜厚でしか形
成できないため、互いに異なる波長（例えばλ₁、例え
ば７８０ｎｍ、λ₂、例えば６５０ｎｍ）のレーザ光に
対しては反射率が異なり、またレーザの温度変化による
出射光の波長変化に対して端面での反射率の変化の方向
が一定とは限らず、むしろ一定でないのが通常である。

【００９６】この問題は、本実施の形態において、次の
ようにして解決した。互いに異なる波長（λ₁、例えば
７８０ｎｍ、λ₂、例えば６５０ｎｍ）のレーザ光につ
いては、温度上昇時のＰＩＮ−ＰＤの光出力の温度特性
は同じ関係にある。波長がλ₁とλ₂とで異なることか
ら、一般には波長の変化に対するレーザ端面の反射率の
変化は異なるはずである（図２２参照）。従って、７８
０ｎｍ帯のレーザ光に対して、温度特性を相殺できたと
しても、異なる波長である６５０ｎｍ帯のレーザ光に対
しては、温度特性を相殺できることにならない。例え
ば、６５０ｎｍ帯のレーザ光に対してレーザ端面の反射
膜５３の反射率Ｒは、波長の増加に対する変化が減少す
るものとした。

【００９７】このとき、異なる波長のレーザ光に対して
いずれも温度特性を相殺する必要がある。そこで、例え
ば、図１に示すプリズム端面の反射膜５４の膜厚を調節
することにより、異なる波長において全体として温度特
性を相殺することができる。

【００９８】即ち、プリズム端面の反射膜５４の膜厚
を、６５０ｎｍ帯において反射率が大になり、７８０ｎ
ｍ帯で反射率が小さくなるように設定することにより
（図３（ｂ））、６５０ｎｍ帯（λ₂）のレーザ光はレ
ーザ端面での反射率が小さい（図２２）ことによりＰＩ
Ｎ−ＰＤ１２の光出力が増大し、ＡＰＣによってレーザ
出力が減少するように制御されたとしても（ＰＩＮ−Ｐ
Ｄの温度特性を相殺できないとしても）、プリズム端面
の反射膜５４によるレーザ光Ｌ２の反射量が増大するこ
とから、この増大分がレーザ出力の減少分を相殺するこ
とになる。

【００９９】この結果、レーザ光Ｌ２についても、温度
上昇時の温度特性を相殺でき、そのレーザ出力を安定化
することができる。従って、上記した理由から、レーザ
端面の保護膜５３に波長依存性があっても、これが他の
波長のレーザ出力に影響を与えないようにプリズム端面
の反射膜５４が機能することによって、レーザ光Ｌ１は
勿論、レーザ光Ｌ２についても温度特性を相殺できるこ
とになり、任意の波長に対する設計の自由度が増す。

【０１００】また、信号検出用のフォトダイオード１６
及び１７、１８及び１９も温度上昇時に出力が増大する
傾向があるが、この出力増加分は、レーザ光Ｌ１につい
ては、プリズム端面の反射膜５４の反射率の減少により
相殺でき、またレーザ光Ｌ２については、ＡＰＣによる
レーザ出力の減少分と、プリズム端面の反射膜５４の反
射率の増大分及びフォトダイオード出力増加分とが同等
となるように設定することによって、これらを相殺する
ことができる。

【０１０１】なお、プリズム端面の反射膜５４につい
て、その反射率の波長依存性は、膜厚、材質などによっ
て図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の如く
に様々であり、これらの中から適切なものを選択すれば
よい。例えば、反射膜５４の膜厚、材質（ＳｉＯ系、Ｔ
ｉＯ系など）、ＳｉＯ系／ＴｉＯ系などの積層膜構造又
はその膜厚比など、種々の設計により反射率の波長依存
性をコントロールできる。この場合、それに応じて、Ｐ
ＩＮ−ＰＤの温度特性を相殺する対象となるレーザ光
（例えば上述のレーザ光Ｌ１の如きもの）を選択してお
く。

【０１０２】次に、本実施の形態によるレーザカプラ、
光ピックアップ及び光ディスク装置の構成を更に詳細に
説明する。

【０１０３】図６は、例えば７８０ｎｍ帯の波長のレー
ザ光を出射する第１レーザダイオードＬＤ１と６５０ｎ
ｍ帯の波長のレーザ光を出射する第２レーザダイオード
ＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシックレーザダイ
オード１４ａを示すものである。

【０１０４】例えば、円盤状の基台２１に設けられた突
起部２１ａ上に、モニター用の光検出素子としてのＰＩ
Ｎダイオード１２が形成された半導体ブロック１３が固
着され、その上部に、第１及び第２レーザダイオードＬ
Ｄ１、ＬＤ２を１チップ上に有するモノリシックレーザ
ダイオード１４ａが配置されている。また、基台２１を
貫通して端子２２が設けられており、リード２３により
上記の第１及び第２レーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２、
或いはＰＩＮダイオード１２に接続されて、それぞれの
ダイオードの駆動電源が供給される。

【０１０５】図７（ａ）は上記のレーザダイオードのレ
ーザ光の出射方向と垂直な方向からの要部平面図であ
り、図７（ｂ）はレーザダイオードのレーザ光の出射方
向と垂直な平面での断面図である。ＰＩＮダイオード１
２が形成された半導体ブロック１３の上部に第１レーザ
ダイオードＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２を１チ
ップ上に有するモノリシックレーザダイオード１４ａが
配置されている。

【０１０６】ＰＩＮダイオード１２においては、第１及
び第２レーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２のリア側に出射
されたレーザ光を感知し、その強度を測定して、レーザ
光の強度が一定となるように第１及び第２レーザダイオ
ードＬＤ１、ＬＤ２の駆動電流を制御するＡＰＣ制御が
行われるように構成されている。

【０１０７】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ａについて説明する。第１レーザダイオードＬＤ１とし
て、ｎ型ＧａＡｓ基板３０上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ
層３１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、活性層３
３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層３５が積層している。ｐ型ＧａＡｓキャップ層
３５表面からｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の途中の
深さまで絶縁化された領域４１となって、電流狭窄構造
となるストライプを形成している。

【０１０８】一方、第２レーザダイオードＬＤ２とし
て、ｎ型ＧａＡｓ基板３０上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ
層３１、ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層３６、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３７、活性層３８、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層３９、ｐ型ＧａＡｓキャップ層４０が積層
している。ｐ型ＧａＡｓキャップ層４０表面からｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層３９の途中の深さまで絶縁化さ
れた領域４１となって、電流狭窄構造となるストライプ
を形成している。

【０１０９】上記の第１レーザダイオードＬＤ１及び第
２レーザダイオードＬＤ２においては、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層３５、４０にはｐ電極４２が、ｎ型ＧａＡｓ基
板３０にはｎ電極４３が接続して形成されている。この
モノリシックレーザダイオード１４ａは、ｐ電極４２側
から、半導体ブロック１３上に形成された電極１３ａに
ハンダなどにより接続及び固定されている。

【０１１０】上記の第１レーザダイオードＬＤ１のレー
ザ光出射部と第２レーザダイオードＬＤ２のレーザ光出
射部の間隔ｄは例えば２００μｍ程度以下の範囲（例え
ば１００μｍ程度）に設定される。各レーザ光出射部か
らは、例えば７８０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ１及び６
５０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ２がほぼ同一の方向（ほ
ぼ平行）に出射される。

【０１１１】一方、上記した第１及び第２フォトダイオ
ード１６−１７、１８−１９間の間隔も上記と同様に２
００μｍ程度以下の範囲（例えば１００μｍ程度）に設
定され、共通の光学部材を用いて、第１レーザダイオー
ド及び第２レーザダイオードの出射光をＣＤやＤＶＤな
どの光ディスクに照射し、光ディスクからの反射光を第
１フォトダイオード及び第２フォトダイオードにそれぞ
れ結合させることが可能となる。

【０１１２】次に、上記の第１レーザダイオードＬＤ１
と第２レーザダイオードＬＤ２をチップ上に搭載するモ
ノリシックレーザダイオード１４ａの形成方法について
説明する。

【０１１３】まず、図８（ａ）に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などの
エピタキシャル成長法により、ｎ型ＧａＡｓ基板３０上
に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３１、ｎ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層３２、活性層（発振波長７８０ｎｍの多重量子
井戸構造）３３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層３５を順に積層させる。

【０１１４】次に、図８（ｂ）に示すように、第１レー
ザダイオードＬＤ１として残す領域をレジスト膜（図示
せず）で保護して、硫酸系の無選択エッチング、及び、
フッ酸系のＡｌＧａＡｓ選択エッチングなどのウエット
エッチング（ＥＣ１）により、第１レーザダイオードＬ
Ｄ１領域以外の領域でｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２
までの上記の積層体を除去する。

【０１１５】次に、図９（ｃ）に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などの
エピタキシャル成長法により、ｎ型ＧａＡｓバッファ層
３１上に、ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層３６、ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層３７、活性層（発振波長６５０ｎｍ
の多重量子井戸構造）３８、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層３９、ｐ型ＧａＡｓキャップ層４０を順に積層させ
る。

【０１１６】次に、図９（ｄ）に示すように、第２レー
ザダイオードＬＤ２として残す領域をレジスト膜（図示
せず）で保護して、硫酸系のキャップエッチング、リン
酸−塩酸系の４元選択エッチング、塩酸系の分離エッチ
ングなどのウエットエッチング（ＥＣ２）により、第２
レーザダイオードＬＤ２領域以外の領域でｎ型ＩｎＧａ
Ｐバッファ層３６までの上記の積層体を除去し、第１レ
ーザダイオードＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２を
分離する。

【０１１７】次に、図１０（ｅ）に示すように、レジス
ト膜（図示せず）で電流注入領域となる部分を保護し
て、不純物Ｄをイオン注入などにより導入し、ｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層３５、４０の表面からｐ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層３４、３９の途中の深さまで絶縁化された領
域４１を形成し、電流狭窄構造となるストライプとす
る。

【０１１８】次に、図１０（ｆ）に示すように、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層３５、４０に接続するように、Ｔｉ／
Ｐｔ／Ａｕなどのｐ型電極４２を形成し、一方、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板３０に接続するように、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａ
ｕなどのｎ型電極４３を形成し、ペレタイズ工程を経
て、所望の第１レーザダイオードＬＤ１と第２レーザダ
イオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシックレ
ーザダイオード１４ａとする。

【０１１９】図１１は、上記の本実施の形態によるレー
ザカプラを用いた光ピックアップの構成を示す。このレ
ーザカプラ１ａに内蔵される第１及び第２レーザダイオ
ードからの出射レーザ光Ｌ１、Ｌ２をコリメータＣ、ミ
ラーＭ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ及び対物レンズＯ
Ｌを介して、ＣＤ又はＤＶＤなどの光ディスクＤに入射
する。光ディスクＤからの反射光は、入射光と同一の経
路をたどってレーザカプラに戻り、レーザカプラに内蔵
される第１及び第２フォトダイオードにより受光され
る。

【０１２０】このレーザカプラにおいては、第１及び第
２フォトダイオードを図１２に示すように分割すること
も可能である。この場合、前部第１フォトダイオード１
６の領域ｄ１と、前部第２フォトダイオード１８の領域
ａ２とｅ２が共通化されており、信号ａ２とｅ２を加算
することで信号ｄ１が得られる。また、後部第１フォト
ダイオード１７の領域ｌ１と、後部第２フォトダイオー
ド１９の領域ｉ２が共通化されている。

【０１２１】上記したレーザカプラ１ａは、２波長レー
ザＬＤ１、ＬＤ２を搭載したものであるが、本発明は１
波長レーザを搭載したレーザカプラ、光ピックアップ及
び光ディスク装置に対しても上記したと同様の効果があ
る。

【０１２２】例えば、上記したレーザ光Ｌ１について説
明したと同様に、レーザ端面５１の反射膜５３はレーザ
波長の近傍で、波長が長くなると、反射率が増加するよ
うにしておくことにより、全体として、温度の変化に対
してＰＩＮ−ＰＤ１２の光出力は一定となる。

【０１２３】こうして、ＰＩＮ−ＰＤの光出力が一定と
なるようにコントロールすれば、レーザの温度特性に拘
わらず、レーザの出力も一定になるようにＡＰＣで制御
することができる（この詳細な説明は、特許第２６６３
４３７号公報を参照）。

【０１２４】これと同時に、信号検出用のフォトダイオ
ード１６及び１７、１８及び１９も温度上昇時に出力が
増大する傾向があるが、この出力増加分は、レーザ光に
ついてプリズム端面の反射膜５４の反射率が減少する
（フォトダイオードへの入射量が減少してその出力が減
少する）ように設定しておくことにより、相殺すること
ができる。

【０１２５】以上、本発明を実施の形態により説明した
が、本発明はこれらの実施の形態に何ら限定されるもの
ではない。

【０１２６】例えば、本発明に用いる発光素子として
は、レーザダイオードに限定されず、発光ダイオード
（ＬＥＤ）を用いることも可能である。

【０１２７】また、第１及び第２レーザダイオードの発
光波長は、７８０ｎｍ帯と６５０ｎｍ帯に限定されるも
のではなく、その他の光ディスクシステムに採用されて
いる波長とすることができる。すなわち、種々の波長の
組み合せを用い、ＣＤとＤＶＤ以外の他の組み合わせの
光ディスクシステムを採用することができる。

【０１２８】また、波長が同じであっても、パワーが異
なる光や偏光方向が異なる光を用いてもよい。また、波
長など、物性の異なる光は２種類に限らず、それ以上と
してもよい。複数の光が３種類又はそれ以上の場合に
は、例えばその２種類の光に対する反射率が温度によっ
て変化する光学膜を設けることができる。

【０１２９】また、ＡＰＣ制御を行うためのＰＩＮダイ
オードは、第１及び第２フォトダイオードが形成されて
いる集積回路基板上に形成する構成としてもよい。この
場合には、プリズムの構成を変更して、第１及び第２レ
ーザダイオードのフロント側の出射光の一部を取り出し
てＰＩＮダイオードに結合する構成とすることが好まし
い。再生信号やトラッキング、フォーカスエラー信号の
読み取りは、図２０で述べたように行ってもよい。

【０１３０】また、上述したプリズム２０の反射膜５４
の反射率は、一の波長のレーザ光に対し温度変化時に増
大又は減少させ、他の波長のレーザ光に対し温度変化時
に減少又は増大させることができるが、他の波長のレー
ザ光については温度変化しても反射率が変化しなくても
よい。このような光学膜の反射率の変化だけでなく、光
学膜等の光学手段が温度上昇時に透過率変化（透過率の
増大又は減少）を生じる物性を有するように構成して
も、上述したと同様に温度特性を相殺できる。この場合
は、光学手段は、例えば光路中に配置された上記物性の
透光板などであってよいし、或いは透光板に上記物性の
光学膜を形成したものでもよい。

【０１３１】また、図１３に示すように、レーザダイオ
ード１４（ＬＤ１）と１５（ＬＤ２）を別々に（即ち、
ディスクリートに）作製し、それぞれをマウントする構
成としたレーザカプラ１ｂとしてもよい。

【０１３２】その他、フォトダイオードのパターン、レ
イアウトなどは種々変更してよく、ダイオード以外のデ
ィテクタ構造としてもよい。

【０１３３】

【発明の作用効果】本発明は上述した如く、前記複数の
発光素子の出射光のうち少なくとも１つの出射光につい
ては反射率又は透過率が温度によって変化する（例え
ば、温度上昇時に反射率が増大する）反射膜等の光学手
段が、複数の発光素子と複数の受光素子との間の光路中
に設けられているので、互いに異なる複数の発光素子を
用いても、上記出射光のうち他方の出射光を出射する発
光素子についてはその出射光の物性の変化（例えば温度
上昇時に波長が増大すること）に対しモニター用素子の
温度特性を相殺するように端面保護膜などが設定された
場合に、これによっても相殺しきれない発光素子につい
てはプリズムの端面などに設ける光学膜などの光学手段
が温度上昇時に反射率を増大させる等の物性を有するこ
とによって、全体として温度特性を相殺することができ
る。従って、複数の発光素子を用いても、任意の波長等
の物性に対しても調整の自由度が増し、常に安定した出
力特性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態によるレーザカプラの概略
断面図である。

【図２】同、プリズムの拡大断面図である。

【図３】同、プリズムの反射膜の波長依存性を各種示す
グラフである。

【図４】同、レーザカプラのパッケージの斜視図（ａ）
と同レーザカプラの斜視図（ｂ）である。

【図５】同、フォトダイオードの要部平面図（ａ）とＤ
ＰＤ法を説明するためのブロック図（ｂ）である。

【図６】同、レーザダイオードの要部斜視図である。

【図７】同、レーザダイオードのレーザ光の出射方向を
示す要部平面図（ａ）と同出射方向と垂直方向における
断面図（ｂ）である。

【図８】同、レーザダイオードの製造方法を工程順に示
す断面図である。

【図９】同、レーザダイオードの製造方法を工程順に示
す断面図である。

【図１０】同、レーザダイオードの製造方法を工程順に
示す断面図である。

【図１１】同、レーザカプラを用いた光ピックアップの
概略構成図である。

【図１２】同、フォトダイオードの変形例の要部平面図
である。

【図１３】同、レーザカプラの他のパッケージの斜視図
（ａ）と同レーザカプラの斜視図（ｂ）である。

【図１４】従来例による光ピックアップの概略構成図で
ある。

【図１５】他の従来例による光ピックアップの概略構成
図である。

【図１６】本発明者が既に提案した光ピックアップの概
略構成図である。

【図１７】同、レーザダイオードの要部斜視図である。

【図１８】同、レーザダイオードのレーザ光の出射方向
を示す要部平面図（ａ）と同出射側の要部側面図（ｂ）
と他のレーザダイオードのレーザ光の出射方向を示す要
部平面図（ｃ）である。

【図１９】同、フォトダイオードの要部平面図（ａ）と
ＤＰＤ法を説明するためのブロック図（ｂ）である。

【図２０】レーザカプラの概略断面図である。

【図２１】同、モニタ用フォトダイオードのＩ−Ｖ特性
図（Ａ）、温度変化時のそのＩ−Ｖ特性図（Ｂ）及びレ
ーザ端面の反射率の温度特性図（Ｃ）である。

【図２２】同、２波長レーザを用いる場合のレーザ端面
の反射率の波長依存性を示すグラフである。

【符号の説明】

１ａ、１ｂ…レーザカプラ、１１…集積回路基板、１２
…ＰＩＮダイオード、１３…半導体ブロック、１４、Ｌ
Ｄ１…第１レーザダイオード、１４ａ…モノリシックレ
ーザダイオード、１５、ＬＤ２…第２レーザダイオー
ド、１６…前部第１フォトダイオード、１７…後部第１
フォトダイオード、１８…前部第２フォトダイオード、
１９…後部第２フォトダイオード、２０…プリズム、２
０ａ…分光面、５１、５２…端面、５３…端面保護膜、
５４…反射膜、ＬＤ…レーザダイオード、ＰＤ１、ＰＤ
２…フォトダイオード、Ｅ１、Ｅ２…レーザ光出射部、
ＢＳ…ビームスプリッタ、Ｃ…コリメータ、Ｒ…ＣＤ用
の開口制限アパーチャ、ＭＬ…マルチレンズ、ＰＤ…フ
ォトダイオード、Ｇ…グレーティング、Ｍ…ミラー、Ｏ
Ｌ…対物レンズ、Ｄ…光ディスク、Ｌ…レーザ光、Ｌ１
…第１レーザ光、Ｌ２…第２レーザ光、ＰＣ…位相比較
器、ＡＤ…加算器、Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ…
スポット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｓ 5/022 Ｈ０１Ｓ 5/022 Ｆターム(参考） 5D119 AA05 AA41 AA50 BA01 CA10 EC45 EC47 FA05 FA08 FA09 FA26 JA63 JA64 JA65 KA02 LB04 5F073 AA74 AB12 AB27 BA05 CA14 CB02 DA05 DA22 EA04 EA15 FA02 FA06 FA11 FA23 FA27 FA29 GA02 GA12 5F089 BA04 EA01 FA10 GA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに異なる複数の光をそれぞれ出射す
る複数の発光素子が光出射方向と交差する方向に並置さ
れ、前記複数の光をそれぞれ受光する複数の受光素子が
設けられている光学装置において、前記複数の発光素子の出射光のうち、少なくとも１つの
出射光に対する反射率又は透過率が温度によって変化す
る光学手段が、前記複数の発光素子と前記複数の受光素
子との間の光路中に設けられていることを特徴とする光
学装置。
【請求項２】前記複数の発光素子の出射光のうち、一
の出射光に対する反射率又は透過率と他の出射光に対す
る反射率又は透過率とが温度によって互いに逆方向に変
化する光学膜が前記光学手段として、前記光路中に設け
られている、請求項１に記載した光学装置。
【請求項３】前記複数の発光素子と、これらの各出射
光を分光面を介して被照射体へ導きかつこの反射光を前
記分光面から前記複数の受光素子へ導くための光学部材
と、前記受光素子とが共通の基体上に設けられた光カプ
ラとして構成され、前記分光面に前記光学膜が設けられ
ている、請求項２に記載した光学装置。
【請求項４】前記複数の発光素子の第１の端面から前
記複数の光を出力光としてそれぞれ出射すると共に第２
の端面から複数のモニタ光をそれぞれ出射し、前記出力
光の強度を制御するために前記モニタ光を検知するモニ
タ用受光素子を有し、前記複数のモニタ光のうち、一の
モニタ光についてその強度の温度依存特性と前記モニタ
用受光素子の検知出力の温度依存特性とが互いに逆特性
となるような反射率又は透過率を示す保護膜が前記第２
の端面に形成され、前記一のモニタ光が前記一の出射光
に対応し、他のモニタ光に対応した前記他の出射光に対
する前記光学膜の反射率又は透過率が温度によって変化
して、前記他の出射光に関する温度依存特性が相殺され
る、請求項２に記載した光学装置。
【請求項５】前記複数の発光素子が、互いに異なる波
長のレーザ光を出射する、請求項１に記載した光学装
置。
【請求項６】光ディスク装置の光ピックアップとして
構成された、請求項１に記載した光学装置。
【請求項７】互いに異なる複数の光をそれぞれ出射す
る複数の発光素子が光出射方向と交差する方向に並置さ
れ、前記複数の光をディスク状情報記録媒体に照射して
その反射光をそれぞれ受光する複数の受光素子が設けら
れている光ディスク装置において、前記複数の発光素子の出射光のうち、少なくとも１つの
出射光に対する反射率又は透過率が温度によって変化す
る光学手段が、前記複数の発光素子と前記複数の受光素
子との間の光路中に設けられていることを特徴とする光
ディスク装置。
【請求項８】前記複数の発光素子の出射光のうち、一
の出射光に対する反射率又は透過率と他の出射光に対す
る反射率又は透過率とが温度によって互いに逆方向に変
化する光学膜が前記光学手段として、前記光路中に設け
られている、請求項７に記載した光ディスク装置。
【請求項９】前記複数の発光素子と、これらの各出射
光を分光面を介して光ディスク状情報記録媒体へ導きか
つこの反射光を前記分光面から前記複数の受光素子へ導
くための光学部材と、前記受光素子とが共通の基体上に
設けられた光カプラを有し、前記分光面に前記光学膜が
設けられている、請求項８に記載した光ディスク装置。
【請求項１０】前記複数の発光素子の第１の端面から
前記複数の光を出力光としてそれぞれ出射すると共に第
２の端面から複数のモニタ光をそれぞれ出射し、前記出
力光の強度を制御するために前記モニタ光を検知するモ
ニタ用受光素子を有し、前記複数のモニタ光のうち、一
のモニタ光についてその強度の温度依存特性と前記モニ
タ用受光素子の検知出力の温度依存特性とが互いに逆特
性となるような反射率又は透過率を示す保護膜が前記第
２の端面に形成され、前記一のモニタ光が前記一の出射
光に対応し、他のモニタ光に対応した前記他の出射光に
対する前記光学膜の反射率又は透過率が温度によって変
化して、前記他の出射光に関する温度依存特性が相殺さ
れる、請求項８に記載した光ディスク装置。
【請求項１１】前記複数の発光素子が、互いに異なる
波長のレーザ光を出射する、請求項７に記載した光ディ
スク装置。
【請求項１２】所定の光を出射する発光素子と、この
出射光を受光する受光素子とが設けられている光学装置
において、前記出射光に対する反射率又は透過率が温度によって変
化する光学手段が、前記発光素子と前記受光素子との間
の光路中に設けられていることを特徴とする光学装置。
【請求項１３】前記発光素子と、この出射光を分光面
を介して被照射体へ導きかつこの反射光を前記分光面か
ら受光素子へ導くための光学部材と、前記受光素子とが
共通の基体上に設けられた光カプラとして構成され、前
記分光面に前記光学手段としての光学膜が設けられてい
る、請求項１２に記載した光学装置。
【請求項１４】前記発光素子の第１の端面から前記所
定の光を出力光として出射すると共に第２の端面からモ
ニタ光を出射し、前記出力光の強度を制御するために前
記モニタ光を検知するモニタ用受光素子を有し、前記モ
ニタ光の強度の温度依存特性と前記モニタ用受光素子の
検知出力の温度依存特性とが互いに逆特性となるような
反射率又は透過率を示す保護膜が前記第２の端面に形成
されている、請求項１に記載した光学装置。
【請求項１５】光ディスク装置の光ピックアップとし
て構成された、請求項１２に記載した光学装置。
【請求項１６】所定の光を出射する発光素子と、この
光出射をディスク情報記録媒体に照射してその反射光を
受光する受光素子とが設けられている光ディスク装置に
おいて、前記出射光に対する反射率又は透過率が温度によって変
化する光学手段が、前記発光素子と前記受光素子との間
の光路中に設けられていることを特徴とする光ディスク
装置。
【請求項１７】前記発光素子と、この出射光を分光面
を介して前記ディスク状情報記録媒体へ導きかつこの反
射光を前記分光面から前記受光素子へ導くための光学部
材と、前記受光素子とが共通の基体上に設けられた光カ
プラとして構成され、前記分光面に前記光学手段として
の光学膜が設けられている、請求項１６に記載した光デ
ィスク装置。
【請求項１８】前記発光素子の第１の端面から前記所
定の光を出力光として出射すると共に第２の端面からモ
ニタ光を出射し、前記出力光の強度を制御するために前
記モニタ光を検知するモニタ用受光素子を有し、前記モ
ニタ光の強度の温度依存特性と前記モニタ用受光素子の
検知出力の温度依存特性とが互いに逆特性となるような
反射率又は透過率を示す保護膜が前記第２の端面に形成
されている、請求項１６に記載した光ディスク装置。