JP2002074719A

JP2002074719A - 光学装置

Info

Publication number: JP2002074719A
Application number: JP2000254502A
Authority: JP
Inventors: Fumihiro Tawa; 文博田和; Shinya Hasegawa; 信也長谷川; Tetsuo Hizuka; 哲男肥塚
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2000-08-24
Filing date: 2000-08-24
Publication date: 2002-03-15
Also published as: US20020025162A1; US6985421B2

Abstract

(57)【要約】【課題】発光層が傾斜した光学装置に関し、反射部か
らの反射光の発光層の傾斜による光強度分布又は偏光方
向の変移を補償することができる光学装置を提供するこ
とを目的とする。【解決手段】発光部と反射部とを、反射部からの反
射光の発光層の傾斜による強度分布又は偏光方向の変移
を補償する位置に配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光学装置に係り、特
に、発光層が傾斜した光学装置に関する。

【０００２】近年、ＭＯ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤなどの
光ディスク装置の光学ヘッドとして光集積ヘッドモジュ
ールが採用されつつある。光集積ヘッドモジュールは、
光ディスクに照射する光ビームを発生するレーザ発生素
子と光ディスクからの反射光を受光する受光素子とを一
つのモジュールに一体化したモジュールである。

【０００３】光集積ヘッドモジュールにより光学素子の
位置決めが容易となり、よって、製造が容易となるとと
もに、光ディスク装置の小型化が可能となる。

【０００４】また、光ディスクは、年々、高記録密度化
されている。光ディスクの高密度化には、光ビームの品
質が重要な要素となっている。このため、光ビームの品
質を向上することが望まれている。

【０００５】

【従来の技術】図１に従来の光磁気ディスク装置の一例
の概略構成図を示す。

【０００６】光磁気ディスク装置１は、スピンドルモー
タ２、回転制御回路３、光学ヘッド４、レーザ出力制御
回路５、フォーカス・トラッキング制御回路６、ＭＯ信
号検出回路７、磁界発生部８、磁界制御回路９から構成
される。光磁気ディスク装置１には、記録媒体として光
磁気ディスク１０が装着される。

【０００７】スピンドルモータ２は、光磁気ディスク１
０を矢印Ａ方向に回転させる。回転制御回路３は、スピ
ンドルモータ２の回転を制御する。光学ヘッド４は、光
磁気ディスク１０に光ビームＬを照射し、その反射光を
検出する。レーザ出力制御回路５は、光学ヘッド４から
出射される光ビームＬの強度を制御する。

【０００８】フォーカス・トラッキング制御回路６は、
光ヘッド４に設けられたフォーカシングアクチュエータ
及びトラッキングアクチュエータ（ともに図示せず）を
制御して、光学ヘッド４から光磁気ディスク１０に照射
する光ビームのＬのフォーカス及びトラッキング制御を
行なう。ＭＯ信号検出回路７は、光学ヘッド４で検出し
た信号からＭＯ信号を検出する。

【０００９】磁界発生部８は、光磁気ディスク１０に磁
界を印加する。磁界制御回路９は、記録信号に応じた磁
界を磁界発生部８に発生させるように磁界発生部８を制
御する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の光磁
気ディスク装置１の光学ヘッドでは、発光素子、レンズ
やプリズムなどの光学素子、受光素子が別体で構成され
ているので、部品点数が多く、小型化が困難であり、か
つ、装置への組み付ける性が悪いなどの問題点があっ
た。

【００１１】そこで、発光素子、光学素子、受光素子な
どを集積化した光集積ヘッドモジュールが開発されつつ
ある。

【００１２】図２に光集積ヘッドモジュールを用いた光
学ヘッドの構成図を示す。

【００１３】光学ヘッド４は、主に、光集積ヘッドモジ
ュール１１、複合光学素子１２、コリメータレンズ１
３、対物レンズ１４から構成される。光集積ヘッドモジ
ュール１１は、光ビームＬを発生するとともに、光磁気
ディスク１０からの反射光に応じた電気信号を出力す
る。複合光学素子１２は、ビームスプリッタ１２ａ、１
２ｂ、１２ｃ及び複合化ホログラム１２ｄから構成さ
れ、光集積ヘッドモジュール１１上の発光素子から出射
された光ビーム及び光磁気ディスク１０からの反射光を
光集積ヘッドモジュール１１上の複数の受光素子により
分割して所定の位置に出射する。

【００１４】図３に光集積ヘッドモジュールの要部の構
成図を示す。

【００１５】光集積ヘッドモジュール１１は、主に、受
光素子基板２１、サブマウント２２、半導体レーザ２
３、立ち上げミラー２４から構成される。受光素子基板
２１は、半導体基板を含む構成とされている。受光素子
基板２１の表面には、受光素子２５−１〜２５−７が形
成される。受光素子２５−１〜２５−７には、光磁気デ
ィスク１０から反射光が複合光学素子１２で分割されて
供給される。

【００１６】受光素子２５−１〜２５−４では、トラッ
キングエラー信号を検出するための光が検出される。受
光素子２５−５、２５−６では、フォーカスエラー信号
を検出するための光が検出される。受光素子２５−７で
は、半導体レーザ１１０から出射される光を監視するた
めのモニタ用の光が検出される。受光素子２５−７で
は、ＭＯ信号を検出するための光が検出される。

【００１７】上記受光素子２５−１〜２５−８で検出さ
れた光に基づいてＭＯ信号、トラッキングエラー信号、
フォーカスエラー信号、モニタ信号が生成される。モニ
タ信号は、レーザ出力制御回路５に供給される。レーザ
出力制御回路５は、モニタ信号に応じて半導体レーザ２
３から出力されるレーザ光の強度を制御する。

【００１８】ＭＯ信号は、ＭＯ信号検出回路７に供給さ
れる。ＭＯ信号検出回路７は、ＭＯ信号を復号して出力
する。また、トラッキングエラー信号及びフォーカスエ
ラー信号は、フォーカス・トラッキング制御回路６に供
給される。フォーカス・トラッキング制御回路６は、フ
ォーカスエラー信号に応じて光学ヘッド４に設けられた
フォーカスアクチュエータ（図示せず）を駆動してフォ
ーカス制御を行なう。また、フォーカス・トラッキング
制御回路６は、トラッキングエラー信号に応じて光学ヘ
ッド４に設けられたトラッキングアクチュエータ（図示
せず）を駆動してトラッキング制御を行なう。

【００１９】サブマウント２２は、受光素子基板２１の
受光素子形成面の略中心部から矢印Ｙ１方向側にわずか
に変位した位置に固定される。サブマウント２２の上に
は半導体レーザ２３が固定される。サブマウント２２
は、受光素子基板２１と半導体レーザ２３とを絶縁する
とともに、半導体レーザ２３を外部と接続するための配
線を行なう。

【００２０】半導体レーザ２３は、Ａｌ−Ｇａ−Ａｓ系
半導体レーザのレアチップから構成され、サブマウント
２２上に固定される。半導体チップ２３は、レーザ出力
制御回路５に接続されており、レーザ出力制御回路５か
らの駆動信号に応じてレーザ光を発光する。半導体レー
ザ２３は、矢印Ｙ２方向にレーザ光を発光する。

【００２１】立ち上げミラー２４は、受光素子基板２１
の略中央部に、反射面２４ａが矢印Ｙ１方向に向くよう
に固定される。反射面２４ａは、受光素子基板２１の受
光素子形成面に対して略４５°の角度に形成されてい
る。

【００２２】半導体レーザ２３により発光されたレーザ
光は、立ち上げミラー２４の反射面に照射される。立ち
上げミラー２４は、半導体レーザ２３からのレーザ光を
受光素子基板２１の受光素子形成面に対して略９０°の
方向、矢印Ｚ方向に立ち上げる。立ち上げミラー２４に
より反射されたレーザ光は、複合光学素子１２で分割さ
れ、光磁気ディスク１０及び受光素子２５−７に供給さ
れる。

【００２３】次に光ビームと立ち上げミラー２４との関
係を説明する。

【００２４】図４にレーザ光と立ち上げミラーとの関係
を説明するための図を示す。図４（Ａ）は斜視図、図４
（Ｂ）は平面図を示す。

【００２５】半導体レーザ２３は、半導体基板に平行に
発光層が形成される。また、半導体レーザ２３から発光
されるレーザ光の光軸は、光磁気ディスク１０の半径方
向、すなわち、矢印Ｙ方向となるように配置されてい
る。また、立ち上げミラー２４は、反射面２４ａが受光
素子形成面に対して４５°に形成されている。

【００２６】半導体レーザ２３から発光されるレーザ光
の偏光方向は、半導体基板に対して所定の方向とされて
いた。

【００２７】立ち上げミラー２４は、半導体レーザ２３
からのレーザ光の偏光方向に対して反射面２４ａが平行
となるように配置される。これにより、レーザ光は、偏
光方向が矢印Ｘ方向、すなわち、光磁気ディスク１０上
に形成されるトラック方向と一致するように出射され
る。

【００２８】一方、光磁気ディスク装置においては、強
度分布が真円に近い半導体レーザが望まれていた。この
ため、強度分布が真円に近似したＡｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａ
ｓ−Ｐ系高出力半導体レーザが開発されている。このＡ
ｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系高出力半導体レーザとして
Ｓ^３（Self-Aligned stepped substrate）レーザが開発
されている。

【００２９】図５にＡｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３
半導体レーザの構成図を示す。

【００３０】Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体
レーザ３０は、基板３１、クラッド層３２、歪ＭＱＷ活
性層３３、第１クラッド層３４、電流ブロック層３５、
第２クラッド層３６、コンタクト層３７から構成され
る。

【００３１】Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体
レーザ３０を作成するには、まず、主面の面指数が（１
００）６°オフである基板を選択的にエッチングするこ
とで、ｐ型発光層３８を形成すべき部分に（４１１）Ａ
面を表出させる。（４１１）Ａ面が形成された基板３１
上にクラッド層３２、歪ＭＱＷ活性層３３を形成する。
歪ＭＱＷ活性層３３には、（４１１）Ａ面上にｐ型発光
層３８が形成され、（１００）６°オフ面上にｎ型領域
３９が形成される。また、電流ブロック層３５は、（１
００）６°オフ面上にのみ形成されており、電流ブロッ
ク機能を有する。

【００３２】Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体
レーザ１は、上記の構成により真円に近い強度分布を得
ている。

【００３３】しかしながら、Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−
Ｐ系Ｓ^３半導体レーザ１は、（１００）６°面を主面と
する基板３１の（４１１）Ａ面に発光層３８を形成す
る。このため、発光層３８は、基板３１の主面に対して
１３．５°程度傾いて形成される。よって、レーザ光
は、基板３１の主面に対して１３．５°傾いた偏光面で
出射される。

【００３４】図６に光集積ヘッドモジュールにＳ^３半導
体レーザを用いた場合の出射動作を説明するための図を
示す。図６（Ａ）は斜視図、図６（Ｂ）は平面図を示
す。

【００３５】半導体レーザ２３としてＳ^３半導体レーザ
を用いた場合、半導体レーザ２３及び立ち上げミラー２
４は、半導体レーザ２３からの出射光の光軸Ｃ１１が受
光素子基板２１の中心軸Ｃ１２に平行となり、かつ、立
ち上げミラー２４による反射光の光軸が受光素子基板２
１の受光素子形成面２１ａに対して垂直（矢印Ｚ方向）
に立ち上がるように配置されていた。

【００３６】一方、このため、Ｓ^３半導体レーザからの
出射光の偏光方向は、基板３１の主面に対して１３．５
°傾斜しているため、そのまま、受光素子基板２１上に
半導体レーザ２３を搭載すると、半導体レーザ２３から
の出射光の偏光方向Ｄ１１は、図６に示すように傾斜し
て立ち上げミラー２４の反射面２４ａに照射される。

【００３７】このため、図６（Ｂ）に示すように立ち上
げミラー２４の反射面２４ａで偏光方向Ｄ１２が傾斜す
ることになる。よって、立ち上げミラー２４により立ち
上がった光の偏光方向は、図６（Ａ）にＤ１３で示すよ
うに本来得ようとする偏光方向Ｄ１０に対して回転した
ものとなる。

【００３８】しかるに、Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系
Ｓ^３半導体レーザは、偏光方向が基準面に対して傾斜し
ているため、従来の光集積ヘッドモジュールにそのまま
搭載すると、図６に示すように本来得ようとする偏光方
向Ｄ１０に対して回転した偏光方向Ｄ１３となる。この
ため、従来の光集積ヘッドモジュールにはそのまま搭載
することができない。すなわち、光集積ヘッドモジュー
ルにＡｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体レーザを
搭載するためには、サブマウントを加工するなど、その
光学系をＡｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体レー
ザ専用に設計し直さなければならず、また、設計したさ
れたものは汎用性がないので、コストが高くなるなどの
問題点がった。

【００３９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、発光層の傾斜が補償された光強度分布及び偏光方向
の光を出射可能にすることで、再生信号品質を向上させ
た光学装置を提供することを目的とする。

【００４０】

【課題を解決するための手段】レーザの発光層から出射
されるレーザの偏光方向は、発光層の短手、あるいは長
手方向にならう。実際のレーザは、製造誤差により偏光
方向が多少傾くことがあるが、略発光層の短手あるは長
手方向にならう。本発明は、上記の原理を利用してＳ^３
レーザなどのような、レーザの発光層がボンディング面
に対して傾いているレーザの偏光方向の補正を行なうよ
うにしたものである。

【００４１】なお、本発明の下記に示す実施例では、Ｓ
^３レーザを例にとって説明を行なうが、本発明はレーザ
の発光層がボンディング面に対して傾いているレーザ一
般に応用可能である。

【００４２】また、レーザの発光層から出射されるレー
ザの光強度分布が、発光層の短手方向が長軸、長手方向
が短軸となる楕円状の強度分布になる。したがって、発
光層がボンディング面に対して平行な従来のレーザと同
様な使用方法で、発光層がボンディング面に対して傾斜
したレーザを使用すると、発光層の傾きにより、楕円状
強度分布が傾くことになる。本発明では、この楕円強度
分布の傾きを補正できる。

【００４３】そこで、まず、本発明は、反射部からの反
射光の強度分布又は偏光方向の発光層の傾斜による変移
が補償されるように発光部及び反射部を配置したことを
特徴とする。

【００４４】本発明によれば、発光層が傾斜した発光素
子から反射部を介して出力される光を所望の強度分布又
は偏光方向で出射することができる。

【００４５】また、本発明は、反射部からの出射光の偏
光方向を記録媒体のトラックに対して垂直又は平行とな
るようにする。

【００４６】本発明によれば、反射部からの出射光の偏
光方向を記録媒体のトラックに対して垂直又は平行とな
るようにすることにより、記録媒体からの光を効率よく
信号に変換できる。

【００４７】さらに、本発明は、受光基板に、反射部か
らの反射光の強度分布又は偏光方向の発光層の傾斜によ
る変移を補償するように配置された反射部と発光部との
対を複数設けたことを特徴とする。

【００４８】本発明によれば、偏光方向、波長などが異
なる複数種類の光を出射することができる。

【００４９】さらに、本発明は、複数の反射部と発光部
との対で光の光軸の方向を異ならせる。

【００５０】本発明によれば、出射光を近接させつつ発
光部を離間して配置できるため、発光部で発生する熱の
放熱を効率よく行なえる。

【００５１】本発明は複数の反射部と発光部との対で発
光層の傾斜を異なる角度とする。

【００５２】本発明によれば、出射光の光強度分布、偏
光方向を異ならせることができる。

【００５３】したがって、特に光磁気記録のような光の
偏光方向の変移を検出して信号の再生を行う光学装置に
おいて、再生信号品質を向上させることができる。

【００５４】

【発明の実施の形態】図７に本発明の第１実施例の光集
積ヘッドモジュールの構成図を示す。同図中、図２、図
３と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略
する。

【００５５】本実施例の光集積ヘッドモジュール１０１
は、半導体レーザ１１０、サブマウント１２０、及び、
立ち上げミラー１３０の配置が図１に示すディスク装置
１とは相違する。なお、本実施例の光集積ヘッドモジュ
ール１０１は、図１のディスク装置の光学ヘッド４に置
き換えることによりディスク装置を構成可能である。よ
って、本実施例では、ディスク装置の説明は省略する。

【００５６】本実施例の光集積ヘッドモジュール１０１
を構成する半導体レーザ１１０は、図５に示されるＡｌ
−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体レーザから構成さ
れる。半導体レーザ１１０は、例えば、レーザ光の偏光
方向が基板３１の基準面に対して１３．５°傾斜した状
態で出射される。

【００５７】半導体レーザ１１０は、サブマウント１２
０の上に固定される。サブマウント１２０は、レーザ光
の出射軸Ｃ１が受光素子基板２１の中心軸Ｃ２に対して
α°だけ傾斜するように受光素子基板２１の受光素子形
成面２１ａ上に配置される。

【００５８】また、立ち上げミラー１３０は、受光素子
基板２１の中心軸Ｃ２上に配置される。また、立ち上げ
ミラー１３０は、反射面１３０ａが向く方向（矢印Ａ方
向）をレーザ光の出射軸Ｃ１に対向して配置される。立
ち上げミラー１３０の反射面１３０ａは、受光素子基板
２１の受光素子面２１ａに対してβ°に設定されてい
る。

【００５９】なお、α、βは、半導体レーザ１１０から
のレーザ光が受光素子基板２１の受光素子面２１ａに対
して９０°の方向に立ち上がるように設定される。例え
ば、（４１１）Ａ面上にｐ型発光層３８が形成された半
導体レーザ１１０の場合には、αは略１３．５°、βは
略４５°に設定される。

【００６０】図８に本発明の一実施例のレーザ光の経路
を説明するための図を示す。図８（Ａ）は斜視図、図８
（Ｂ）は立ち上げミラー１３０の平面図、図８（Ｃ）は
立ち上げミラー１３０の正面図、図８（Ｄ）は立ち上げ
ミラー１３０の側面図を示す。

【００６１】レーザ光Ｌは、偏光方向Ｄ１が受光素子基
板２１の受光素子形成面２１ａに平行な方向Ｅ１に対し
て対してθ＝１３．５°傾斜して立ち上げミラー１３０
の反射面１３０ａに入射される。反射面１３０ａに入射
されたレーザ光Ｌは、反射面１３０ａで９０°折曲され
る。

【００６２】このとき、レーザ光Ｌの偏光方向Ｄ１は、
図８に示すように反射面１３０ａに傾斜して入射され
る。偏光方向Ｄ１のレーザ光Ｌは、図８（Ｂ）に示すよ
うに偏光方向が平面上で角度θ２だけ回転され、図８
（Ｃ）に示すように正面上で角度θ３だけ回転される。

【００６３】偏光方向Ｄ１のレーザ光Ｌが平面上角度θ
２、正面上角度θ３だけ回転されることによりレーザ光
Ｌが図８に示すように偏光方向Ｄ２が中心軸Ｃ１に直交
し、かつ、光軸が受光素子基板２１の受光素子形成面２
１ａに対して９０°に立ち上げることができる。

【００６４】発光層がボンディング面に傾いているレー
ザとミラーとの基板上での配置関係を、ミラーから出力
される光の偏光方向が記録媒体のトラックに対して垂直
又は平行になるように設定することにより、記憶媒体か
らの反射光の偏光成分の検出が良好となる。したがっ
て、本実施例のレーザの位置関係は、図３に示す発光層
がボンディング面に対して平行な光集積ヘッドモジュー
ルにおけるレーザの位置関係とフォトディテクタの配置
を同じにした場合、フォトディテクタの対称軸若しく
は、光集積ヘッドモジュールの中心軸に対して所定の角
度をなすように配置される。

【００６５】なお、フォトディテクタの配置が本実施例
のようになっておらず、対象軸などの基準になるものが
ない場合には、レーザとミラーとをセットで基板上を移
動させつつ、偏光方向を検出し、偏光方向が所望の方向
になるように位置を調整する。

【００６６】なお、本発明は上記実施例に限られるもの
ではなく、特許請求の範囲の記載を逸脱することなく、
種々の変形例を実現しうる。例えば、本実施例では、立
ち上げミラー１３０に三角プリズムを用いたが、受光素
子基板１２０を異方性エッチングなどにより整形するこ
とにより受光素子基板１２０と一体に形成するようにし
てもよい。

【００６７】また、本実施例では、Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−
Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体レーザからの出射光を例にとって
説明したが他の半導体レーザにも適用可能である。ま
た、通常の半導体レーザの補正方法として適用すること
も可能である。さらに、本実施例の構成によれば、出
力、波長の特性を改善できるため、半導体レーザの結晶
構造が変わっても対応できる。

【００６８】また、本実施例は、光磁気ディスクに本発
明の光集積ヘッドモジュールを適応した例について説明
したが、適用可能なデバイスは光磁気ディスク装置に限
定されるものではなく、ＣＤ（compact disk）装置やＤ
ＶＤ（digital versatile disk）装置などの他の光デバ
イスにも適用可能なことは言うまでもない。

【００６９】なお、本実施例は、単一のレーザ光を出力
するものであるが、本実施例の位置決め方法を用いるこ
とにより複数のレーザ光を出力する装置も容易に実現で
きる。

【００７０】図９に本発明の第２実施例の要部の平面図
を示す。同図中、図７と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。

【００７１】本実施例の光集積ヘッドモジュール２００
は、半導体レーザ２０１，２０２から出射されるレーザ
光の光軸２０３，２０４が中心軸２０５に対して所定の
角度αとなるように、半導体レーザ２０１、２０２及び
立上ミラー２０６，２０７が並列に配置されている。な
お、このとき、半導体レーザ２０１，２０２と立上ミラ
ー２０６、２０７との配置は、第１実施例の半導体レー
ザ１１０と立上ミラー１３０との位置関係と同じであ
る。

【００７２】また、半導体レーザ２０１、２０２は、半
導体レーザ１１０と同様に、例えば、Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ
−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体レーザから構成され、サブマウ
ント２０８、２０９を介して受光素子基板２１に実装さ
れる。

【００７３】半導体レーザ２０１と半導体レーザ２０２
とは、例えば、出射されるレーザ光の波長や偏光方向が
相違する。半導体レーザ２０１、２０２とを切り換える
ことにより、波長や偏光方向の異なる２種類のレーザ光
を出射できる。また、このとき、半導体レーザを載せた
サブマウントと立上ミラーとの距離は、レーザ光の波長
に応じた距離に設定するようにしてもよい。例えば、光
学系の収差が補正される距離に設定される。また、光の
利用効率を最適にする距離に設定される。て上記構成の
光集積ヘッドモジュール２００を搭載することにより、
例えば、異なる記録媒体に対して情報の記録／再生を行
なうことができる。

【００７４】なお、第２実施例では、２つの半導体レー
ザからのレーザ光の光軸が平行となるように配置した
が、光軸が中心軸２０５に対称に配置するようにしても
よい。

【００７５】図１０に本発明の第３実施例の要部の平面
図を示す。同図中、図９と同一構成部分には同一符号を
付し、その説明は省略する。

【００７６】本実施例の光集積ヘッドモジュール３００
は、半導体レーザ３０１からのレーザ光の光軸３０３が
中心軸３０４に対して角度＋αで交叉し、半導体レーザ
３０２から出射されたレーザ光の光軸３０５を中心軸３
０４に対して角度−αで交叉するように配置されてい
る。半導体レーザ３０１と立上ミラー３０６との位置関
係は、第１実施例の半導体レーザ１１０と立上ミラー１
３０との関係と同じである。また、半導体レーザ３０２
と立上ミラー３０７との位置関係は、半導体レーザ３０
１と立上ミラー３０６との位置関係を中心軸３０４に対
して対称な関係とされている。

【００７７】また、半導体レーザ３０１、３０２は、半
導体レーザ１１０と同様に、例えば、Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ
−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体レーザから構成され、サブマウ
ント３０８、３０９を介して受光素子基板２１に実装さ
れる。なお、半導体レーザ３０１と半導体レーザ３０２
とは、発光層の基準面に対する傾斜角度が反対の方向に
形成されている。

【００７８】図１１に本発明の第３実施例の半導体レー
ザの構成図を示す。同図中、図５と同一構成部分には同
一符号を付し、その説明は省略する。

【００７９】半導体レーザ３０１は、図１１に示すよう
に発光面３１１が基準面３１２に対して＋θ、例えば、
＋１３．５°程度傾斜して形成されている。また、半導
体レーザ３０２は、図１１に示すように発光面３２１が
基準面３２２に対して−θ、例えば、−１３．５°程度
傾斜して形成されている。すなわち、半導体レーザ３０
１と半導体レーザ３０２とは中心軸３０４に対して対称
な構造とされている。

【００８０】以上のように半導体レーザ３０１、３０２
を配置することにより、同一構造の半導体レーザのチッ
プから半導体レーザ３０１、３０２を形成できる。ま
ず、同一構造の半導体レーザチップを切り出す。半導体
レーザ３０１を形成するためには、切り出した半導体レ
ーザチップの第１の面３３１に低反射率膜を形成し、第
２の面３３２に高反射率膜を形成する。半導体レーザ３
０２を形成するためには、切り出した半導体レーザチッ
プの第１の面３４１に高反射率膜を形成し、第２の面３
４２に低反射率膜を形成する。

【００８１】以上により、偏光方向が中心軸３０４に対
して対称となる半導体レーザ３０１、３０２が形成でき
る。

【００８２】本実施例によれば、半導体レーザ３０１と
半導体レーザ３０２との間隔を大きくできるので、半導
体レーザ３０１、３０２で発生する熱を効率よく放熱で
きる。また、同一構造の半導体レーザチップから異なる
偏光方向のレーザ光を出射する半導体レーザ３０１、３
０２を製造できる。

【００８３】また、本実施例では、半導体レーザ及び立
上ミラーを並列に配置したが、対向した配置するように
してもよい。

【００８４】図１２に本発明の第４実施例の要部の構成
図を示す。同図中、図９と同一構成部分には同一符号を
付し、その説明は省略する。

【００８５】本実施例の光集積ヘッドモジュール４００
は、半導体レーザ４０１及び立上ミラー４０２と半導体
レーザ４０３及び立上ミラー４０４とが中心点Ｏを中心
として点対称に配置されている。

【００８６】なお、半導体レーザ４０１と立上ミラー４
０２及び半導体レーザ４０３と立上ミラー４０４との位
置関係は、半導体レーザ１１０と立上ミラー１３０との
位置関係と同じである。また、半導体レーザ４０１、４
０３は、半導体レーザ１１０と同様に、例えば、Ａｌ−
Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体レーザから構成さ
れ、サブマウント４０８、４０９を介して受光素子基板
２１に実装される。

【００８７】本実施例によれば、半導体レーザ４０１と
半導体レーザ４０３との間隔を大きくできるので、半導
体レーザ４０１、４０３で発生する熱をさらに効率よく
放熱できる。

【００８８】また、第２乃至第４実施例では、２対の半
導体レーザ及び立上ミラーを受光素子基板２１上に搭載
する場合について説明したが、２対以上の半導体レーザ
及び立上ミラーを搭載するようにしてもよい。

【００８９】第１〜第４実施例の光集積ヘッドモジュー
ルは、図１、図２で示したディスク装置に搭載すること
で、情報記憶装置を構成可能である。また、公知の光を
対象物に照射する装置、ＣＤ、ＤＶＤなどのメディアを
扱うプレーヤ、ディスク、カードなどの再生装置、原盤
作成装置などの媒体処理装置に適用することで、所望の
光量分布で所望の偏光方向の光を得ることができる。

【００９０】また、Ｓ３半導体レーザだけでなく、発光
層が基準面、例えば、ボンディング面に対して傾斜して
いるレーザの光を出射させる場合にも適用可能である。

【００９１】さらに、受光素子基板２１上に形成される
受光素子のパターンも上記構成に限定されるものではな
く、光学系、媒体などに応じて種々のパターンとするこ
とができる。

【００９２】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく請求の範囲の記載に基づいて種々の変形例
が可能である。なお、本発明において、光学装置は、光
集積ヘッドモジュール、光学的処理装置、光情報記憶装
置などを含むものである。

【００９３】（付記１）発光層から光を出射する発光
部と、前記発光部からの光を所定の方向に反射させる反
射部と、少なくとも該発光部と該反射部とが受光面に設
けられ、光を検出する受光基板とを有する光学装置にお
いて、前記発光部は、前記発光層が傾斜しており、前記
発光部と前記反射部とを、前記反射部からの反射光の前
記発光層の傾斜による強度分布又は偏光方向の変移が補
償される位置に配置されたことを特徴とする光学装置。

【００９４】（付記２）前記反射部からの出射光の偏
光方向は、記録媒体のトラックに対して直交又は平行で
あることを特徴とする付記１記載の光学装置。

【００９５】（付記３）前記受光基板に、前記位置関
係に配置された前記反射部と前記発光部との対を複数設
けたことを特徴とする付記１又は２記載の光学装置。

【００９６】（付記４）前記複数の前記反射部と前記
発光部との対のうちの少なくとも一対は、前記発光部か
ら出射される光の光軸が他の対の前記発光部から出射さ
れる光の光軸の方向とは異なる方向となるように配置さ
れたことを特徴とする付記３記載の光学装置。

【００９７】（付記５）前記複数の前記反射部と前記
発光部との対のうちの少なくとも一対は、前記発光層の
傾斜が他の対の前記発光層の傾斜とは異なる角度とされ
たことを特徴とする付記３又は４記載の光学装置。

【００９８】（付記６）前記複数の前記反射部と前記
発光部との対のうち少なくとも二対は、前記反射部の反
射後の偏光方向が互いに直交することを特徴とする付記
３乃至５のいずれか一項記載の光学装置。

【００９９】（付記７）前記複数の前記反射部と前記
発光部との対のうち、少なくとも二対は、波長が異なる
ことを特徴とする付記３乃至６のいずれか一項記載の光
学装置。

【０１００】（付記８）媒体に光ビームを照射して、
該媒体に情報を記録又は該媒体から情報を再生する光学
的情報記憶装置において、傾斜した発光層から光を出射
する発光部と、前記発光部からの光を所定の方向に反射
させる反射部と、前記反射部からの光を前記光ビームと
して前記媒体に照射する光学系と、少なくとも前記発光
部と前記反射部とが受光面に設けられ、光を検出する受
光基板とを有し、前記発光部と前記反射部とを、前記発
光層の傾斜による前記反射部からの反射光の強度分布又
は偏光方向の変移を補償する位置に配置したことを特徴
とする光学的情報記憶装置。

【０１０１】（付記９）前記反射部からの出射光の偏
光方向は、記録媒体のトラックに対して直交又は平行で
あることを特徴とする付記８記載の光学的情報記憶装
置。

【０１０２】（付記１０）前記受光基板に、前記位置
関係に配置された前記反射部と前記発光部との対を複数
設けたことを特徴とする付記８又は９記載の光学的情報
記憶装置。

【０１０３】（付記１１）前記複数の前記反射部と前
記発光部との対のうちの少なくとも一対は、前記発光部
から出射される光の光軸が他の対の前記発光部から出射
される光の光軸の方向とは異なる方向となるように配置
されたことを特徴とする付記１０記載の光学的情報記憶
装置。

【０１０４】（付記１２）前記複数の前記反射部と前
記発光部との対のうちの少なくとも一対は、前記発光層
の傾斜が他の対の前記発光層の傾斜とは異なる角度とさ
れたことを特徴とする付記１０又は１１記載の光学的記
憶装置。

【０１０５】（付記１３）前記複数の前記反射部と前
記発光部との対のうち少なくとも二対は、前記反射部の
反射後の偏光方向が互いに直交することを特徴とする付
記１０乃至１２のいずれか一項記載の光学的記憶装置。

【０１０６】（付記１４）前記複数の前記反射部と前
記発光部との対のうち、少なくとも二対は、波長が異な
ることを特徴とする付記１０乃至１３のいずれか一項記
載の光学的記憶装置。

【０１０７】

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、発光層の
傾斜による反射部からの反射光の強度分布又は偏光方向
の変移を補償する位置に発光部及び反射部を配置するこ
とにより、発光層が傾斜した発光素子から反射部を介し
て出力される光を所望の強度分布又は偏光方向で出射す
ることができる。また、情報記憶装置などに用いた場
合、記録又は再生に好適な光を得ることができるなどの
特長を有する。

【０１０８】また、本発明のよれば、発光層に傾斜を有
するが、特性の優れた半導体レーザを用い、所望の強度
分布又は偏光方向の光を出射することができる等の特長
を有する。また、情報記憶装置などに用いた場合、記録
又は再生に好適な光を得ることができるなどの特長を有
する。

【０１０９】また、本発明によれば、受光基板に、位置
関係に配置された反射部と発光部との対を複数設けた偏
光方向、波長などが異なる複数種類の光を出射すること
ができる。これにより、情報記憶装置などに用いた場
合、記録又は再生に好適な光を得ることができるなどの
特長を有する。

【０１１０】さらに、本発明によれば、複数の反射部と
発光部との対で光の光軸の方向を異ならせることによ
り、出射光を近接させつつ発光部を離間して配置できる
ため、発光部で発生する熱の放熱を効率よく行なえる。
これにより、情報記憶装置などに用いた場合、記録又は
再生に好適な光を得ることができるなどの特長を有す
る。

【０１１１】本発明によれば、複数の反射部と発光部と
の対で発光層の傾斜を異なる角度とすることにより、複
数の反射部と発光部とので出射される光の光強度分布、
偏光方向を異ならせることができるなどの特長を有す
る。これにより、情報記憶装置などに用いた場合、記録
又は再生に好適な光を得ることができるなどの特長を有
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光磁気ディスク装置の一例の概略構成図
である。

【図２】光集積ヘッドモジュールを用いた光学ヘッドの
構成図である。

【図３】光集積ヘッドモジュールの構成図である。

【図４】レーザ光と立ち上げミラーとの関係を説明する
ための図である。

【図５】Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ系Ｓ^３半導体レー
ザの構成図である。

【図６】光集積ヘッドモジュールにＳ^３半導体レーザを
用いた場合の出射動作を説明するための図である。

【図７】本発明の第１実施例の光集積ヘッドモジュール
の構成図である。

【図８】本発明の第１実施例のレーザ光の経路を説明す
るための図である。

【図９】本発明の第２実施例の要部の平面図である。

【図１０】本発明の第３実施例の要部の平面図である。

【図１１】本発明の第３実施例の半導体レーザの構成図
である。

【図１２】本発明の第４実施例の要部の構成図である。

【符号の説明】

２１受光素子基板２１ａ受光素子形成面２５−１〜２５−７受光素子１０１光集積ヘッドモジュール１１０半導体レーザ１２０サブマウント１３０立ち上げミラー１３０ａ反射面Ｃ１出射光軸Ｃ２中心軸Ｄ１、Ｄ２偏光方向

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５３Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５３ＡＨ０１Ｓ 5/022 Ｈ０１Ｓ 5/022 5/40 5/40 (72)発明者肥塚哲男神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 5D075 AA03 CD07 CD09 CD14 5D119 AA09 BA01 BB01 BB04 BB05 EC34 FA05 FA08 JA57 LB04 LB05 5F073 AA74 AB13 AB27 AB29 BA05 BA06 CA20 EA22 FA02 FA06 FA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光層から光を出射する発光部と、前記
発光部からの光を所定の方向に反射させる反射部と、少
なくとも該発光部と該反射部とが受光面に設けられ、光
を検出する受光基板とを有する光学装置において、前記発光部は、前記発光層が傾斜しており、前記発光部と前記反射部とを、前記反射部からの反射光
の前記発光層の傾斜による強度分布又は偏光方向の変移
が補償される位置に配置したことを特徴とする光学装
置。
【請求項２】前記発光部は、前記反射部からの出射光
の偏光方向は、記憶媒体のトラックに対して直交又は平
行であることを特徴とする請求項１記載の光学装置。
【請求項３】前記受光基板に、前記位置関係に配置さ
れた前記反射部と前記発光部との対を複数設けたことを
特徴とする請求項１又は２記載の光学装置。
【請求項４】前記複数の前記反射部と前記発光部との
対のうちの少なくとも一対は、前記発光部から出射され
る光の光軸が他の対の前記発光部から出射される光の光
軸の方向とは異なる方向となるように配置されたことを
特徴とする請求項３記載の光学装置。
【請求項５】前記複数の前記反射部と前記発光部との
対のうちの少なくとも一対は、前記発光層の傾斜が他の
対の前記発光層の傾斜とは異なる角度とされたことを特
徴とする請求項３又は４記載の光学装置。