JP2005064430A - 多波長半導体レーザ - Google Patents

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Abstract

【課題】複数の波長のレーザ光それぞれを別個に出射できる多波長半導体レーザにおいて、記録特性を劣化させない記録用レーザ光を、それぞれの波長で出射すること。
【解決手段】出射面の第1および第2の位置からそれぞれ波長の異なる第1および第2のレーザ光を出射し得る多波長半導体レーザであって、第1の位置での光束断面形状が第1の楕円形状である第1のレーザ光を発光する第1の発光部位と、第1の位置から離間した第2の位置での光束断面形状が前記第1の楕円形状の長径および短径からそれぞれほぼ平行に変位した長径および短径を有する第2の楕円形状である第2のレーザ光を発光する第2の発光部位とを具備する。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数の波長のレーザ光それぞれを別個に出射できる多波長半導体レーザに係り、特に、記録媒体への記録用レーザ光の照射に適する高出力の多波長半導体レーザに関する。
DVD(digital versatile disc)へ記録するためのレーザ光の波長は、標準的に650nmが用いられ、CD(compact disc)へ記録するためのレーザ光の波長は、標準的に780nmが用いられている。一般に波長が短いほどレーザ光を絞り込んだあとのスポットが小さくなるので高密度記録に対応することができる。また、記録媒体の物理的特性上、一般に、DVD用の650nmレーザ光の記録時出力には80mW以上、CD用の780nmレーザ光の記録時出力には150nm以上必要である。
DVDとCDの両方に記録対応する装置では、DVD用のレーザ光とCD用のレーザ光とを切り替えてディスク上に照射するため、ピックアップヘッドとして例えば、650nmの半導体レーザと780nmの半導体レーザとを別個に有するものを使用し、両者の出射光をビームスプリッタ(ハーフミラー)などにより同一の光軸上に位置させることができる構造のものが用いられる。
または、ビームスプリッタに代えて光軸補正板を使用して2つのレーザ光を同一の光軸上に位置させる構造のものも技術開示されている(例えば、特開2002−319176号公報)。この文献に開示の構成では、650nmの半導体レーザと780nmの半導体レーザとを部品として別個に位置させるのではなく、同一チップで構成される2波長半導体レーザを使用することができる。なお、2波長のレーザ光を別個に出射できる2波長半導体レーザの構造の例としては例えば特開2002−299764号公報記載のものがある。
特開2002−319176号公報 特開2002−299764号公報
半導体レーザをDVD記録対応として使用する場合に考慮する必要のある事項は、ひとつとして、高出力光であるがゆえディスク上に絞り込まれるスポット形状や向きによっては隣接するピット列にも照射が及び、外乱となる反射を生じる可能性があることである。外乱となる反射の程度によってはトラッキングサーボの性能に影響する。ディスク上でのスポット形状は、通常、半導体レーザの出射光(ただし遠視野像)での光束断面形状と長径、短径の入れ違いの楕円形状になる。スポットの楕円形状の短径の向きに記録する(記録ピットが並ぶ)ようにすると、線密度的に有利な記録ができるが、上記の懸念が生じる。また、楕円形状の長径の向きに記録し(記録ピットが並ぶ)ようとすると、上記の悪影響はまず発生しなくなるが必要な記録線密度に対応できなくなる可能性がある。
そこで、これを解決するには、楕円形状の短径を記録ピット列に対して傾け記録を行なうようにする(すなわち中間に設定して記録する)。しかしながら、この中間設定を2波長半導体レーザで両方の波長に対して行なおうとすると問題が生じ得る。すなわち、2波長半導体レーザはその構造上波長ごとの出射位置がわずかに(例えば100μm程度)異なっており(上記両特許文献参照)、出射位置の違いがディスク上の照射位置の違いとして維持される光学系を用いる場合には、一方のスポットの短径を記録ピット列に対して傾けると、他方のスポットも記録ピット列に対して同様に傾いて形成されるが、他方のスポット位置がディスクの周方向に変位する。
ところが、ディスクの周方向に変位しているスポットに対しても光学系を最適に調整することは通常できない。すなわち、光学系は、焦点の形成のためフォーカス方向、およびトラッキングのためディスクの半径方向にはサーボ機構により微動できる構成とされるが、ディスクの周方向には、これらの機能に影響がないため一度調整すると固定されるようになっているからである。これはつまり、一方の波長に対してディスク周方向の光学系調整を最適に行なうと、他方の波長に対しては最適性の確保できない光学系調整となることを意味する。すなわち、2波長半導体レーザを記録対応として用いると総合的には記録特性の劣化が見込まれる。
これを避けるには、例えば、光学系を2種類用意して使用波長ごとに切り替える構成にするなどの方法が考えられるが、機構として複雑化を招き、光ピックアップヘッドとしての小型化、低コスト化が図れない。ちなみに、上記両特許文献では、ディスク上に絞り込まれるスポット形状や向きによっては隣接するピット列にも照射が及び、外乱となる反射を生じる可能性についての言及はない。
本発明は、上記した事情を考慮してなされたもので、複数の波長のレーザ光それぞれを別個に出射できる多波長半導体レーザにおいて、記録特性を劣化させない記録用レーザ光を、それぞれの波長で出射することが可能な多波長半導体レーザを提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明の一態様に係る多波長半導体レーザは、出射面の第1および第2の位置からそれぞれ波長の異なる第1および第2のレーザ光を出射し得る多波長半導体レーザであって、前記第1の位置での光束断面形状が第1の楕円形状である前記第1のレーザ光を発光する第1の発光部位と、前記第1の位置から離間した前記第2の位置での光束断面形状が前記第1の楕円形状の長径および短径からそれぞれほぼ平行に変位した長径および短径を有する第2の楕円形状である前記第2のレーザ光を発光する第2の発光部位とを具備することを特徴とする
本発明に係る多波長半導体レーザによれば、各波長に対して最適性の確保できる光学系調整を行なうことが可能となり、記録特性を劣化させない記録用レーザ光を、それぞれの波長で出射することが可能になる。
本発明の一態様に係る多波長半導体レーザでは、出射位置の異なる第1、第2のレーザ光の出射面での楕円形状が、それらの長径、短径ともに互いに平行(ただし一直線上を含まない)の位置関係となっている。このような出射位置の関係にあると、ディスク上での照射スポットの位置関係を半径方向の一直線上に揃えつつ、照射スポットの楕円形状の短径を記録ピットの方向に対して傾けることができる(換言すると、短径を記録ピット方向に対して傾けたとき、照射スポットの位置が半径方向に一直線上に揃う。)。したがって、両波長に対して最適性の確保できる光学系調整を行なうことが可能となり、記録特性を劣化させない記録用レーザ光を、それぞれの波長で出射することが可能な多波長半導体レーザを提供することができる。
本発明の実施態様として、前記第1の楕円形状の短径と前記第2の楕円形状の短径との間隔は50μm以上である。例えば単一のチップにおいて多波長のレーザ光を出射する構造は、それぞれの発光部位を作り込むためある程度の間隔が必要である。現状では、DVDおよびCDの各波長対応の2波長半導体レーザでこの間隔は110μmが標準的に採用されている。本実施態様では、上記のある程度の間隔として将来的な観点から50μm以上と設定する。また、間隔の誤差は例えば±10μm以下と設定し得る。誤差が大きいと、例えば、光学系が吸収・負担する調整の範囲が大きくなりすぎコストに影響するからである。
また、実施態様として、前記第1の楕円形状の長径と前記第2の楕円形状の長径との間隔は40μmないし131μmである。このとき、DVD用とCD用の各波長に対応の2波長半導体レーザで標準である第1の楕円形状の短径と第2の楕円形状の短径との間隔(110μm)との関係で、tan−1(長径間隔/短径間隔)=20〜50[deg]となる。この角度は、ディスク上での照射スポットの短径が、記録ピット列に対してなす角度でもある。すなわち、ディスク上での照射スポットの向きとして、その短径の記録ピット列に対する角度を20度ないし50度にすることにより、隣接するピット列に照射が及ぶ可能性を相当に軽減し外乱となる反射の消失を見込む。
また、実施態様として、前記第1の発光部位と前記第2の発光部位とは、それぞれ、同一のチップ上に形成された一部位であるようにしてもよい。同一チップ上に2つの発光部位を形成するとそれらの相対的な位置関係をより精度よく確保することができる。
また、実施態様として、前記第1の発光部位と前記第2の発光部位とは、それぞれ、別個のチップに含まれるようにしてもよい。別個のチップとして製造すればそれぞれに低コストまたは高生産性を見込める可能性がある。
また、実施態様としての多波長半導体レーザは、前記第1の位置から前記第2の位置への延長線上の第3の位置の前記出射面での光束断面形状が前記第2の楕円形状の長径および短径からそれぞれ平行に変位した長径および短径を有する第3の楕円形状である第3のレーザ光を発光する第3の発光部位をさらに具備するようにしてもよい。このような構成によれば、例えば、第3の発光部位として405nmの波長の発光ができるようにして、次世代のDVD記録用途にも単一体の多波長半導体レーザを適用することができる。
また、実施態様としての多波長半導体レーザは、前記第1および第2のレーザ光を透過し通過させる位置に設けられたホログラム素子と、前記ホログラム素子を通過した前記第1および第2のレーザ光とは反対方向に前記ホログラム素子にそれぞれ入射されたレーザ光が回折して達する位置に設けられた光検出器とをさらに具備するようにしてもよい。このような構成によれば、記録用の高出力レーザ光の発光と、再生時にレーザ光を発光してその反射光を受光しての光検出とが装置として小型化されて可能になる。
また、実施態様として、前記光検出器は、前記反対方向に入射されたそれぞれのレーザ光が回折して達する交点に一つ設けられるようにしてもよい。レーザ光の波長の違いから回折する方向が異なりそれらの交点が存在するので、その交点に光検出器を設ければ、光検出器は一つあれば足りる。すなわち、このようにすればコスト低減になる。
また、実施態様としての多波長半導体レーザは、前記別個のチップをマウントして固定し、かつ前記別個のチップを固定するためのマウント面に段差が設けられているマウント部材をさらに具備するようにしてもよい。これは、上記第1の楕円形状の短径と上記第2の楕円形状の短径との間隔をすでに述べたような間隔に確保するための一つの構成例である。
また、実施態様としての多波長半導体レーザは、前記チップをマウントして固定するマウント部材と、前記固定されたチップの入出力端子に電気的に導通するリードピンとをさらに具備することもできる。いわゆるパッケージングを行なったものである。
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る多波長半導体レーザの構成を示す模式的な斜視図である。この多波長半導体レーザは、いわゆる端面発光型の2波長半導体レーザであり、電流の向きは2波長半導体レーザ10の上下方向、レーザ光の出射はその前端からである。また、縦方向段差を伴って左右方向に並んで位置する活性層10a、同10bのうち、活性層10a(第1の発光部位)がDVD用の650nmのレーザ光を、活性層10b(第2の発光部位)がCD用の780nmのレーザ光をそれぞれ発光する。これらの発光は、それぞれ部位への電流供給をオンオフすることにより選択的に行なうことができる。
2波長半導体レーザ10の上面には、半導体基板側電極10cが共通に設けられ、同下面には、それぞれのレーザ光出射用に個別の電極(図示せず)が設けられている。活性層10a、10bおよびこれらの上下方向に積層的に設けられる構造(例えば、光ガイド層、クラッド層など)は、図示するように、溝により分断されている。活性層10a、10bおよびこれらの上下方向に積層的に設けられる構造自体は周知のなので、詳細は省略する。また、2波長半導体レーザ10の下面(半導体基板側とは反対の面)の一部は、ヒートシンクを兼ねるサブマウント台11に固定され、これにより2波長半導体レーザ10がややサブマウント台11から突き出すように設けられている。
650nmのレーザ光の出射面(前端面)での光束断面1a、および780nmのレーザ項の出射面での光束断面1bの形状は、図示するように横長の楕円状(近視野像)である。この横長の楕円は、出射面から遠ざかると縦長の楕円状になる(遠視野像)。このような楕円形状の出射光になるように半導体レーザを製造すること(あるいは結果としてこのような出射形状の半導体レーザが製造できること)もよく知られているので詳細は省略する。また、出射パワーは、650nmレーザ光が80mW以上、780nmレーザ光が150mW以上である。これらの値は、例えば、実験的にそれぞれのディスクの物理的性質から問題のない記録が可能な値として導き出すことができる。
さらに、この2波長半導体レーザ10は、活性層10a、10bの縦方向の形成位置が異なっており、これにより、650nmレーザ光の出射位置と780nmレーザ光の出射位置とは縦方向に段差を持っている。すなわち、両レーザ光の出射面での関係は、楕円形状の短径同士が距離Aで平行に変位し、楕円形状の長径同士も距離Bで平行に変位したものになっている。距離A、Bは、具体的には、例えば、A=110μm、B=40〜131μmである。
A=110μmという距離は、旧来のDVD、CD両用の2波長半導体レーザ(ただし読み出しのみ)で標準的に採用されているものである。A=110μmのとき、B=40〜131μmとすることにより、tan−1(B/A)は、20°〜50°となる。このような2波長半導体レーザ側の角度設定がされていると、ディスク上での照射スポットの短径を記録ピット列に対して同角度に調整したときに、2つの波長のスポット位置はディスクの半径方向に揃うようになる(詳しくは後述)。
なお、距離Aは、一般的には、モノリシックの半導体レーザとして製造が容易な適当な値にすることができる。例えば50μm以上のある値に設定して製造することができる。距離Bは、距離Aを決定後に、B=A・tanθ(ただし、θ=20°〜50°)で算出、設定することができる。距離Aの製造誤差は、例えば±10μm以下とする。この製造誤差は、ディスク上での照射スポット短径の記録ピット列に対する角度の設定角度からの誤差、または、ディスク上での各波長の照射スポットのディスク周方向ずれになる。前者は、隣接するピット列にも照射が及び外乱となる反射を生じるまでのマージンに、後者は、光学系が吸収・負担する調整の範囲を大きくするので光学系コストに、それぞれ関係する。
2波長半導体レーザ10において、活性層10a、10bの縦方向の形成位置を異ならしめる具体的な方法であるが、本実施形態のようなモノリシック構造を前提とすると、例えば、エッチングなどの方法により半導体基板にあらかじめ段差を形成しておき、その各段面それぞれにダブルヘテロ接合構造の半導体レーザを積層形成することが考えられる。モノリシック構造を前提としない他の方法も考えられる(後述)。
図2は、図1に示した2波長半導体レーザをパッケージングするための構成例を示す模式図である。図2(a)は上面図、図2(b)は側面図であり、封止キャップについては図示を省略している。また、図1に示したものと同一の部位には同一番号を付してある。
図2に示すように、この2波長半導体レーザ20(パッケージ品)は、その構成として、2波長半導体レーザ10(チップ)をマウントしたサブマウント台11が、直方体状のステムブロック12の一面上に設けられる。ステムブロック12のサブマウント台11が設けられた面に隣接する一面には扁平円柱状のステム13の上面が接し、ステムブロック12が固定される。これにより、図示するように、ステム13の円柱のほぼ軸上に2波長半導体レーザ10の出射光軸が位置するようにされる。ステム13の直径は、例えば5.6mmである。
また、ステム13を貫通するように各リードピン14a、14b、14c、14dが設けられ、各リードピン14a、14b、14c、14dのステムブロック12側と2波長半導体レーザ10の各電極(図示せず)とは、例えばボンディングワイヤ(図示せず)などにより電気的に接続されている。また、ステム13のステムブロック12側には、2波長半導体レーザ10(チップ)など全体を覆うようにステム13上に封止キャップ(図示せず)が設けられる。
図3は、図2に示した2波長半導体レーザ20(パッケージ品)を書き込み/読み出し光学系に適用するための構成例を示す模式図である。書き込み時(記録時)には、2波長半導体レーザ20で発光されたレーザ光(選択的にどちらかの波長のもの)をハーフミラー21に導き反射させ、この反射されたレーザ光をコリメートレンズ22に入射させて平行光線化する。さらに、平行光線化されたレーザ光を立ち上げミラー23に導き反射させ対物レンズ24に入射させる。対物レンズ24では、記録に適する照射スポットをディスク面25上に形成すべく入射レーザ光を絞る。これにより、ディスク面25上に書き込みがなされる。
読み出し時(再生時)には、上記書き込み時と同様のレーザ光の発光、導光、照射を(ただし光出力を相当に低下させて)行なう。そしてその反射光を、対物レンズ24、立ち上げレンズ23、コリメートレンズ22、ハーフミラー21、凸レンズ26と順に導いて集光し光検出器27に入射する。これにより、ディスク面25上に記録された情報を読み出す。
図3に示すような光学系により、同一の光ピックアップでDVD−R/−RW/−ROMとCD−R/−RW/−ROMの両方に対して読み書き(−ROMの場合は読み出しのみ)ができる。なお、R(recordable)、RW(rewritable)、ROM(read only memory)である。また、DVDとCDの両方に記録対応しているが、DVD用のレーザ光とCD用のレーザ光とを切り替えてディスク上に照射するための部品や光学系、例えば、650nm、780nmの個別の半導体レーザや、両出射光を同一の光軸上に位置させるためのビームスプリッタ(ハーフミラー)などが不要となり、簡易な構成により同一機能の光ピックアップが実現される。
図4は、図3に示した光学系によりディスク面25上に形成される照射スポットの形状を説明する模式図である。まず、図4(a)は、ディスク面25上に形成される照射スポットの短径方向が記録ピット列と同一方向になる調整を仮想的に行なったときを示すものである。このような調整は実際には行なわれないが説明の都合上示している。図4(a)において、符号41oは650nmレーザ光の光束断面(ただし、対物レンズ24前における進行方向後方より前方を望む形状)、符号42oは780nmレーザ光の光束断面(同)であり、両者とも2波長半導体レーザ10(チップ)の出射面における楕円形状に相当して短径・長径が入れ違った楕円形状になっている(この短径・長径の入れ違いは近視野像と遠視野像との違いである)。
これらの光束断面が対物レンズ24により絞り込まれて、ディスク面25上では、図示するように、それぞれ楕円形状の照射スポット41、42のようになる。絞込みの結果として、照射スポット41、42の楕円形状は、対物レンズ24前の光束断面とは長径、短径の方向が反対になる。なお、図4(a)における距離A、距離Bは、それぞれ図1において示した距離A、距離Bに相当するものであり、B/A(=tanα)が保存されている(図1での説明ではαの代わりにθを用いている。)。説明の便宜上、照射スポット41、42の中心を結ぶ線を仮想的に直線Lとする。
照射スポット41、42の位置関係について補足すると、図3に示すように2波長半導体レーザ20から出射されるレーザ光は、ハーフミラー21、立ち上げミラー23の2箇所で反射がなされるので左右関係が保存される。保存された左右関係を、光の進行方向後方より前方を望む形状として見るので、図4(a)に示すように、図1とは左右関係が反対になっている。
図4(b)は、実際に光学調整を行なったときの照射スポットおよびその位置関係を示すものである。すなわち、この光学調整は、照射スポット41(42)の短径方向がディスク面25上の記録ピット列に対してαの角度をなすように行なわれる。この結果、照射スポット41、42の中心を結ぶ直線Lはディスク面25上で半径方向に一致する。なお、この調整は、例えば、図3において2波長半導体レーザ20を軸周りにαだけ回転することにより行なうことができる。
照射スポット41(42)の短径方向がディスク面25上の記録ピット列に対してαの角度をなすようにする(傾ける)と、α=0°の場合に比べて、隣接するピット列に照射が及んで外乱となる反射を生じる可能性が減少する。このような外乱反射の影響を考慮するのは、書き込み時特有の状態としてレーザ光パワーが相当に大きいためである。このような影響を考慮して角度αは、実際的には例えばα=20°〜50°になるように傾けるのが適当である。
また、図4(b)に示す調整状態では、直線Lがディスク面25上の半径方向に一致するので(すなわち、2つの照射スポット41、42がディスクの周方向にずれていないので)、対物レンズ24をもともとトラッキングのため可動できる方向に移動させて、両方のレーザ光に適合して適切な光学調整を行なうことが可能となる。この結果、2つの照射スポット41、42がディスクの周方向にずれている場合に発生する、いずれかのレーザ光に対しては光学系の調整が最適ではない、あるいはいずれもレーザ光に対しても光学系の調整が甘い状態となる、というような調整上の不都合がなくなる。
なお、以上説明からわかるように、図1において説明した2波長半導体レーザ10の発光部位の短径、長径の各間隔A、Bにより形成される角度θは、照射スポット41(42)の短径方向がディスク面25上の記録ピット列に対してなすべき角度αに等しく設定する。これにより、2つの波長のレーザ光それぞれを別個に出射できる2波長半導体レーザにおいて、記録特性を劣化させない記録用レーザ光を、それぞれの波長で出射することが可能な2波長半導体レーザとなる。
次に、本発明の別の実施形態に係る多波長半導体レーザについて図5を参照して説明する。図5は、本発明の別の実施形態に係る多波長半導体レーザの構成を示す模式的な斜視図である。この実施形態の多波長半導体レーザは、図1に示した2波長半導体レーザの構成に加えて、さらに第3の発光部位たる活性層50cを設けたことが異なる点である。なお、サブマウント台11は図1に示したものとほぼ同様のものである。
この多波長半導体レーザは、端面発光型の3波長半導体レーザであり、電流の向きは3波長半導体レーザ50の上下方向、レーザ光の出射はその前端からである。また、縦方向段差を伴って左右方向に並んで位置する活性層50a、同50b、同50cのうち、活性層50a(第1の発光部位)がDVD用の650nmのレーザ光を、活性層50b(第2の発光部位)がCD用の780nmのレーザ光を、活性層50c(第3の発光部位)が例えば高密度記録対応DVD用の405nmのレーザ光をそれぞれ発光する。これらの発光は、それぞれ部位への電流供給をオンオフすることにより選択的に行なうことができる。
3波長半導体レーザ50の上面には、半導体基板側電極50dが共通に設けられ、同下面には、それぞれのレーザ光出射用に個別の電極(図示せず)が設けられている。さらに、図1に示したような2つのレーザ光の出射位置関係を保ちつつ、第3の発光部位がそれらの延長線L2上に出射位置を有するようにする。また、3つのレーザ光の出射面での関係は、例えば、それぞれの光束断面2a、2b、2cの楕円形状の短径同士が距離A1、さらに距離A1で平行に変位し、それぞれの光束断面2a、2b、2cの楕円形状の長径同士も距離B1、さらに距離B1で平行に変位したものにする。距離A1、B1は、具体的には、例えば、A1=110μm、B1=40〜131μmとすることができる。
この実施形態のような3波長半導体レーザによれば、3つの波長のレーザ光それぞれを別個に出射できる3波長半導体レーザにおいて、記録特性を劣化させない記録用レーザ光をそれぞれの波長で出射することが可能になる。この理由は、2波長半導体レーザ10の場合における図2、図3、図4での説明とほぼ同様になるので詳細は省略する。また、図3に示したような光学系により3波長対応の書き込み/読み出し光学系が実現され、その部品削減効果は2波長対応の場合よりさらに大きくなる。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る多波長半導体レーザについて図6を参照して説明する。図6は、本発明のさらに別の実施形態に係る多波長半導体レーザの構成を示す模式的な正面図である。この実施形態では、図1に示した2波長半導体レーザと異なり、半導体レーザとして2つの別個のチップを用意し、これらを段差のあるサブマウント台11Aに固定して構成している。
半導体レーザ60A、半導体レーザ60Bは、それぞれ、単波長半導体レーザであり例えば、半導体レーザ60Aは650nmのレーザ光を、半導体レーザ60Bは780nmのレーザ光を発光する。半導体レーザ60Aには、発光部位としての活性層60Aaが設けられ、活性層60Aaからは横長楕円形状(ただし近視野像)の光束断面3aを有するレーザ光が出射する。また、半導体レーザ60Bには、発光部位としての活性層60Baが設けられ、活性層Baからは横長楕円形状(ただし近視野像)の光束断面3bを有するレーザ光が出射する。
半導体レーザ60A、60Bの上面には、それぞれ、半導体基板側電極60Ab、60Bbが設けられ、同下面にも、それぞれのレーザ光出射用の電極(図示せず)が設けられている。また、半導体レーザ60A、60Bの下面(半導体基板側とは反対の面)の一部は、ヒートシンクを兼ねるサブマウント台11Aに固定され、これにより半導体レーザ60A、60Bがややサブマウント台11Aから突き出すように設けられる。
この実施形態においても、光束断面3aと光束断面3bとの位置関係は、図1において説明したように、それぞれ、短径同士が距離Aになるように、長径同士が距離Bになるようにして、光束断面3aと光束断面3bの各中心を結ぶ直線L3が、光束断面3a(3b)の長径とB/Aの傾きを有するようにする。このような配置で半導体レーザ60A、60Bをサブマウント台11A上に固定することにより、この実施形態の半導体レーザも図1から図4により説明した実施形態と同様な効果が得られる。
また、モノリシック構造により多波長のレーザ光を出力させる半導体レーザを用いることなく同様の効果を得ることができ、半導体レーザチップとしてのデバイス的構造が簡単である分その製造負担を小さくできる。なお、当然ながら、このような波長ごとに個々の半導体レーザチップを用いる構成は、図5に示したような3つの波長の高出力レーザ光を発光する場合にも適用できる。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る多波長半導体レーザについて図7を参照して説明する。図7は、本発明のさらに別の実施形態に係る多波長半導体レーザを書き込み/読み出し光学系に適用するための構成例を示す模式図である。図7において、すでに述べたものと同様の構成要素には同一符号を付してある。その部分の説明は可能な限り省略する。この実施形態では、すでに説明した2波長半導体レーザ20におけるその周りに付加価値向上のための部品を加えユニット化したものを用いている。
具体的には、図7に示すように、2波長半導体レーザ20は2波長半導体レーザ71としてユニット化され、2波長半導体レーザ71は、2波長半導体レーザ20のほかに光検出器27、ホログラム素子26を有する。ホログラム素子26は、2波長半導体レーザ20からの2つの波長のレーザ光を透過し通過させる位置に設けられており、ホログラム素子26には、また、ディスク面25上で反射されたレーザ光が逆方向に入射され得る。
ホログラム素子26にディスク面25上で反射されたレーザ光が逆方向に入射されると回折が生じ、その回折光は2波長半導体レーザ20とは異なる方向に進行する。よって、その進行方向に光検出器を位置させることが可能であり、その位置での光検出により読み出しも一つのユニットで行なうことができる。したがって、ユニットとして高機能化して付加価値を高めることができる。
なお、ホログラム素子26による回折光は波長により回折方向が異なるので、ディスク面25上で反射されたレーザ光が出射と逆方向に入射されると、図7(b)に示すように、その波長ごとに回折の角度が決定され、それらの交点位置が存在し得るようにできる。そこで、この交点位置に光検出器27を設けるように構成すれば単一の光検出器27で両波長の効率的な光検出が可能になる。すなわち、コスト削減と小型化とを同時に実現できる。
また、単一の光検出器27を有する構成の場合、2波長半導体レーザ20が発するレーザ光同士の距離が、光検出器27が設けられるべき位置(すなわち、光検出器27とホログラム素子26とおよび2波長半導体レーザ20との各距離)に関係することになるので、この距離(すなわち、図1における√(A+B))を、光検出器27が不都合なく設けられることを意図して設定・製造されるようにしてもよい。例えば、出射されるレーザ光同士の距離が200μmから300μm程度になっていると、光検出器27とホログラム素子26および2波長半導体レーザ20との各距離がコンパクトにかつ互いに干渉しないような大きさになり、ユニットとして小型化され都合がよい。
本発明の一実施形態に係る多波長半導体レーザの構成を示す模式的な斜視図。 図1に示した多波長半導体レーザをパッケージングするための構成例を示す模式図(上面図、側面図)。 図2に示した多波長半導体レーザ(パッケージ品)を書き込み/読み出し光学系に適用するための構成例を示す模式図。 ディスク面上に形成されるスポット形状を説明する模式図。 本発明の別の実施形態に係る多波長半導体レーザの構成を示す模式的な斜視図。 本発明のさらに別の実施形態に係る多波長半導体レーザの構成を示す模式的な正面図。 本発明のさらに別の実施形態に係る多波長半導体レーザを書き込み/読み出し光学系に適用するための構成例を示す模式図。
符号の説明
1a、1b、2a、2b、2c、3a、3b…光束断面(近視野像)、10…2波長半導体レーザ(チップ)、10a、10b…活性層、10c…半導体基板側電極、11…サブマウント台、12…ステムブロック、13…ステム、14a、14b、14c、14d…リードピン、20…2波長半導体レーザ(パッケージ品)、21…ハーフミラー(ビームスプリッタ)、22…コリメートレンズ、23…立ち上げミラー、24…対物レンズ、25…ディスク面、26…ホログラム素子、27…光検出器、41、42…照射スポット、41o、42o…光束断面(対物レンズ前)、50…3波長半導体レーザ(チップ)、50a、50b、50c…活性層、50d…半導体基板側電極、60A、60B…単波長半導体レーザ(チップ)、60Aa、60Ba…活性層、60Ab、60Bb…半導体基板側電極、71…2波長半導体レーザ(光検出器付きユニット)。

Claims (10)

  1. 出射面の第1および第2の位置からそれぞれ波長の異なる第1および第2のレーザ光を出射し得る多波長半導体レーザであって、
    前記第1の位置での光束断面形状が第1の楕円形状である前記第1のレーザ光を発光する第1の発光部位と、
    前記第1の位置から離間した前記第2の位置での光束断面形状が前記第1の楕円形状の長径および短径からそれぞれほぼ平行に変位した長径および短径を有する第2の楕円形状である前記第2のレーザ光を発光する第2の発光部位と
    を具備することを特徴とする多波長半導体レーザ。
  2. 前記第1の楕円形状の単径と前記第2の楕円形状の単径との間隔が、50μm以上であることを特徴とする請求項1記載の多波長半導体レーザ。
  3. 前記第1の楕円形状の長径と前記第2の楕円形状の長径との間隔が、40μmないし131μmであることを特徴とする請求項1記載の多波長半導体レーザ。
  4. 前記第1の発光部位と前記第2の発光部位とが、それぞれ、同一のチップ上に形成された一部位であることを特徴とする請求項1記載の多波長半導体レーザ。
  5. 前記第1の発光部位と前記第2の発光部位とが、それぞれ、別個のチップに含まれることを特徴とする請求項1記載の多波長半導体レーザ。
  6. 前記第1の位置から前記第2の位置への延長線上の第3の位置の前記出射面での光束断面形状が前記第2の楕円形状の長径および短径からそれぞれ平行に変位した長径および短径を有する第3の楕円形状である第3のレーザ光を発光する第3の発光部位をさらに具備することを特徴とする多波長半導体レーザ。
  7. 前記第1および第2のレーザ光を透過し通過させる位置に設けられたホログラム素子と、
    前記ホログラム素子を通過した前記第1および第2のレーザ光とは反対方向に前記ホログラム素子にそれぞれ入射されたレーザ光が回折して達する位置に設けられた光検出器と
    をさらに具備することを特徴とする請求項1記載の多波長半導体レーザ。
  8. 前記光検出器が、前記反対方向に入射されたそれぞれのレーザ光が回折して達する交点に一つ設けられることを特徴とする請求項7記載の多波長半導体レーザ。
  9. 前記別個のチップをマウントして固定し、かつ前記別個のチップを固定するためのマウント面に段差が設けられているマウント部材をさらに具備することを特徴とする請求項5記載の多波長半導体レーザ。
  10. 前記チップをマウントして固定するマウント部材と、
    前記固定されたチップの入出力端子に電気的に導通するリードピンと
    をさらに具備することを特徴とする請求項4または5記載の多波長半導体レーザ。
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