JP2002060270A - 電子デバイス用誘電体磁器組成物 - Google Patents
電子デバイス用誘電体磁器組成物Info
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- JP2002060270A JP2002060270A JP2000249548A JP2000249548A JP2002060270A JP 2002060270 A JP2002060270 A JP 2002060270A JP 2000249548 A JP2000249548 A JP 2000249548A JP 2000249548 A JP2000249548 A JP 2000249548A JP 2002060270 A JP2002060270 A JP 2002060270A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｂａ化合物を使用することなく、誘電率３７
以上、Ｑｆが１０ＧＨｚで１００００ＧＨｚ以上の特性
を有する電子デバイス用誘電体磁器組成物の提供。 【解決手段】 特定量のＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、
Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＷＯ3の各酸化物に、Ｆｅ2
Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＳｉＯ2の少なくとも１種を
含有する複合酸化物からなる誘電体材料で、好ましい組
成では、誘電率４０〜５０、１０ＧＨｚにおけるＱｆ４
００００ＧＨｚ以上の特性が得られ、温度特性（τｆ）
は、−１０＜τｆ＜＋１０ｐｐｍ／℃で、また低い焼結
温度で製造でき、組成的にも安全性にすぐれる。
以上、Ｑｆが１０ＧＨｚで１００００ＧＨｚ以上の特性
を有する電子デバイス用誘電体磁器組成物の提供。 【解決手段】 特定量のＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、
Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＷＯ3の各酸化物に、Ｆｅ2
Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＳｉＯ2の少なくとも１種を
含有する複合酸化物からなる誘電体材料で、好ましい組
成では、誘電率４０〜５０、１０ＧＨｚにおけるＱｆ４
００００ＧＨｚ以上の特性が得られ、温度特性（τｆ）
は、−１０＜τｆ＜＋１０ｐｐｍ／℃で、また低い焼結
温度で製造でき、組成的にも安全性にすぐれる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子デバイス用
誘電体磁器組成物に係り、特に、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔ
ａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＷＯ3を基本とす
る複合酸化物からなり、誘電率が３７以上で、１０ＧＨ
ｚでのＱｆが１００００以上の特性を有することを特徴
とする電子デバイス用誘電体磁器組成物に関する。
誘電体磁器組成物に係り、特に、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔ
ａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＷＯ3を基本とす
る複合酸化物からなり、誘電率が３７以上で、１０ＧＨ
ｚでのＱｆが１００００以上の特性を有することを特徴
とする電子デバイス用誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波通信用フィルタ、ミリ波通信
用フィルタ、発振器、誘電体アンテナ、周波数調整棒等
に用いられる電子デバイス用誘電体組成物としては、従
来、Ｂａ（Ｚｎ・Ｔａ）Ｏ3系材料、ＣａＴｉＯ3−Ｌａ
（Ｍｇ・Ｔｉ）Ｏ3系材料、Ｂａ−Ｌｎ（希土類）−Ｔ
ｉ−Ｏ系材料が知られている。
用フィルタ、発振器、誘電体アンテナ、周波数調整棒等
に用いられる電子デバイス用誘電体組成物としては、従
来、Ｂａ（Ｚｎ・Ｔａ）Ｏ3系材料、ＣａＴｉＯ3−Ｌａ
（Ｍｇ・Ｔｉ）Ｏ3系材料、Ｂａ−Ｌｎ（希土類）−Ｔ
ｉ−Ｏ系材料が知られている。
【０００３】Ｂａ（Ｚｎ・Ｔａ）Ｏ3系材料は、誘電率
（ε）が３０前後であるが、Ｑ値は１５０００以上と高
くなり、またＣａＴｉＯ3−Ｌａ（Ｍｇ・Ｔｉ）Ｏ3系材
料では、誘電率（ε）は４０〜６０であるが、１０ＧＨ
ｚで１０００以上のＱ値を得ることが困難である、一
方、Ｂａ−Ｌｎ（希土類）−Ｔｉ−Ｏ系材料では、誘電
率（ε）が６０以上となるが、１０ＧＨｚで１０００以
上のＱ値を得ることが困難となる。
（ε）が３０前後であるが、Ｑ値は１５０００以上と高
くなり、またＣａＴｉＯ3−Ｌａ（Ｍｇ・Ｔｉ）Ｏ3系材
料では、誘電率（ε）は４０〜６０であるが、１０ＧＨ
ｚで１０００以上のＱ値を得ることが困難である、一
方、Ｂａ−Ｌｎ（希土類）−Ｔｉ−Ｏ系材料では、誘電
率（ε）が６０以上となるが、１０ＧＨｚで１０００以
上のＱ値を得ることが困難となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】例えば、特開昭５６−
１０２００３号に開示されるＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ
3−Ｂｉ2Ｏ3系誘電体材料では、誘電率（ε）は９０で
あるが、１０ＧＨｚにおけるＱ値は５００程度である。
特開平６−３４９３２６号に開示されるＢａＯ−ＴｉＯ
2−ＺｒＯ2−ＳｍＯ2系誘電体材料では、誘電率（ε）
は９０であるが、１０ＧＨｚにおけるＱ値は５００程度
である。
１０２００３号に開示されるＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ
3−Ｂｉ2Ｏ3系誘電体材料では、誘電率（ε）は９０で
あるが、１０ＧＨｚにおけるＱ値は５００程度である。
特開平６−３４９３２６号に開示されるＢａＯ−ＴｉＯ
2−ＺｒＯ2−ＳｍＯ2系誘電体材料では、誘電率（ε）
は９０であるが、１０ＧＨｚにおけるＱ値は５００程度
である。
【０００５】最近、前述の各種用途において、誘電率
（ε）３７以上、Ｑｆが１０ＧＨｚで１００００ＧＨｚ
以上の特性を有する誘電体材料が要望されてきた。ま
た、毒性を有するＢａ化合物を使用しない材料において
も、特性の向上が求められている。
（ε）３７以上、Ｑｆが１０ＧＨｚで１００００ＧＨｚ
以上の特性を有する誘電体材料が要望されてきた。ま
た、毒性を有するＢａ化合物を使用しない材料において
も、特性の向上が求められている。
【０００６】この発明は、毒性を有するＢａ化合物を使
用することなく、最近の要望である誘電率（ε）３７以
上、Ｑｆが１０ＧＨｚで１００００ＧＨｚ以上の特性を
有する電子デバイス用誘電体磁器組成物の提供を目的と
している。
用することなく、最近の要望である誘電率（ε）３７以
上、Ｑｆが１０ＧＨｚで１００００ＧＨｚ以上の特性を
有する電子デバイス用誘電体磁器組成物の提供を目的と
している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明者らは、Ｂａ化合物
を使用しない組成で、誘電率（ε）３７以上、１０ＧＨ
ｚにおけるＱｆが１００００ＧＨｚ以上の特性を有する
誘電体材料を目的に組成について種々検討した結果、特
定量のＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｚｎ
Ｏ、ＭｇＯ、ＷＯ3の各酸化物に、Ｆｅ2Ｏ3、ＣｅＯ2、
Ｂｉ2Ｏ3、ＳｉＯ 2の１種を含有する複合酸化物からな
る誘電体材料が前記特性を達成し、すぐれた温度特性を
有することを知見し、この発明を完成した。
を使用しない組成で、誘電率（ε）３７以上、１０ＧＨ
ｚにおけるＱｆが１００００ＧＨｚ以上の特性を有する
誘電体材料を目的に組成について種々検討した結果、特
定量のＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｚｎ
Ｏ、ＭｇＯ、ＷＯ3の各酸化物に、Ｆｅ2Ｏ3、ＣｅＯ2、
Ｂｉ2Ｏ3、ＳｉＯ 2の１種を含有する複合酸化物からな
る誘電体材料が前記特性を達成し、すぐれた温度特性を
有することを知見し、この発明を完成した。
【０００８】すなわち、この発明は、組成式を、Ｘ（Ｚ
ｒx・Ｔｉ1-x）−Ｙ（Ｎｂm・Ｔａ1 -m）−Ｚ（Ｚｎn・
Ｍｇ1-n）−ＭＷ−ＮＭｅ−Ｏ と表す複合酸化物であ
り、ＭｅはＦｅ，Ｃｅ，Ｂｉ，Ｓｉから１種選択され、
前記組成式を限定するＸ、Ｙ、Ｚ、Ｍ、Ｎ、ｘ、ｍ、ｎ
が下記値を満足する組成からなる電子デバイス用誘電体
磁器組成物である。 Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＋Ｍ＋Ｎ＝１、 ０．３５≦Ｘ≦０．９、０＜Ｙ≦０．４５、０．０４≦
Ｚ≦０．２０、０＜Ｍ＜０．０２、０＜Ｎ＜０．１、 ０．１≦ｘ≦０．５、０．５≦ｍ≦１、０．７＜ｎ＜
０．９
ｒx・Ｔｉ1-x）−Ｙ（Ｎｂm・Ｔａ1 -m）−Ｚ（Ｚｎn・
Ｍｇ1-n）−ＭＷ−ＮＭｅ−Ｏ と表す複合酸化物であ
り、ＭｅはＦｅ，Ｃｅ，Ｂｉ，Ｓｉから１種選択され、
前記組成式を限定するＸ、Ｙ、Ｚ、Ｍ、Ｎ、ｘ、ｍ、ｎ
が下記値を満足する組成からなる電子デバイス用誘電体
磁器組成物である。 Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＋Ｍ＋Ｎ＝１、 ０．３５≦Ｘ≦０．９、０＜Ｙ≦０．４５、０．０４≦
Ｚ≦０．２０、０＜Ｍ＜０．０２、０＜Ｎ＜０．１、 ０．１≦ｘ≦０．５、０．５≦ｍ≦１、０．７＜ｎ＜
０．９
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明による誘電体磁器組成物
は、組成式を、Ｘ（Ｚｒx・Ｔｉ1-x）−Ｙ（Ｎｂm・Ｔ
ａ1-m）−Ｚ（Ｚｎn・Ｍｇ1-n）−ＭＷ−ＮＭｅ−Ｏ
と表し、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｚｎ
Ｏ、ＭｇＯ、ＷＯ3の各酸化物に、選択肢のＭｅ、すな
わちＦｅ，Ｃｅ，Ｂｉ，Ｓｉから１種選択される酸化物
を加え、例えば混合、仮焼、粉砕、造粒、成形、焼成の
各工程経て作製される複合酸化物である。
は、組成式を、Ｘ（Ｚｒx・Ｔｉ1-x）−Ｙ（Ｎｂm・Ｔ
ａ1-m）−Ｚ（Ｚｎn・Ｍｇ1-n）−ＭＷ−ＮＭｅ−Ｏ
と表し、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｚｎ
Ｏ、ＭｇＯ、ＷＯ3の各酸化物に、選択肢のＭｅ、すな
わちＦｅ，Ｃｅ，Ｂｉ，Ｓｉから１種選択される酸化物
を加え、例えば混合、仮焼、粉砕、造粒、成形、焼成の
各工程経て作製される複合酸化物である。
【００１０】この発明において、組成式のＸ，Ｙを、
０．３５≦Ｘ≦０．９、０＜Ｙ≦０．４５に限定した理
由は、Ｘ値が０．３５未満、Ｙ値が０．４５を超える
と、誘電率（ε）、Ｑ値が低下して好ましくなく、また
Ｘが０．９を超えると焼結が困難となる。さらにＹが
０．４５を超えると誘電率（ε）、Ｑ値が低下して好ま
しくない。
０．３５≦Ｘ≦０．９、０＜Ｙ≦０．４５に限定した理
由は、Ｘ値が０．３５未満、Ｙ値が０．４５を超える
と、誘電率（ε）、Ｑ値が低下して好ましくなく、また
Ｘが０．９を超えると焼結が困難となる。さらにＹが
０．４５を超えると誘電率（ε）、Ｑ値が低下して好ま
しくない。
【００１１】この発明において、組成式のＺ値を、０．
０４≦Ｚ≦０．２０に限定した理由は、Ｚ値が０．０４
未満では焼結が困難となり、又０．２０を超えるとＱ値
が低下するので好ましくない。
０４≦Ｚ≦０．２０に限定した理由は、Ｚ値が０．０４
未満では焼結が困難となり、又０．２０を超えるとＱ値
が低下するので好ましくない。
【００１２】この発明において、組成式のＭ値を、０＜
Ｍ＜０．０２に限定した理由は、Ｍ値が０．０２を超え
ると誘電率（ε）、Ｑ値が低下して好ましくない。
Ｍ＜０．０２に限定した理由は、Ｍ値が０．０２を超え
ると誘電率（ε）、Ｑ値が低下して好ましくない。
【００１３】この発明において、組成式のＮ値を、０＜
Ｎ＜０．１に限定した理由は、Ｎ値が０．１を超えると
誘電率（ε）、Ｑ値が低下して好ましくない。
Ｎ＜０．１に限定した理由は、Ｎ値が０．１を超えると
誘電率（ε）、Ｑ値が低下して好ましくない。
【００１４】この発明において、組成式のｘ値を、０．
１≦ｘ≦０．５に限定した理由は、ｘ値が０．１未満で
はＱ値が低下し、０．５を超えると温度特性（τｆ）が
零から大きく外れ、又Ｑ値も低下するので好ましくな
い。
１≦ｘ≦０．５に限定した理由は、ｘ値が０．１未満で
はＱ値が低下し、０．５を超えると温度特性（τｆ）が
零から大きく外れ、又Ｑ値も低下するので好ましくな
い。
【００１５】この発明において、組成式のｍ値を、０．
５≦ｍ≦１に限定した理由は、ｍ値が０．５未満ではＱ
値が悪くなり、１．０を超えるとＱ値が低下するので好
ましくない。
５≦ｍ≦１に限定した理由は、ｍ値が０．５未満ではＱ
値が悪くなり、１．０を超えるとＱ値が低下するので好
ましくない。
【００１６】この発明において、組成式のｎ値を、０．
７＜ｎ＜０．９に限定した理由は、ｎ値が０．７未満で
はＱ値が低下し、０．９を超えるとＱ値が低下するので
好ましくない。
７＜ｎ＜０．９に限定した理由は、ｎ値が０．７未満で
はＱ値が低下し、０．９を超えるとＱ値が低下するので
好ましくない。
【００１７】この発明の誘電体磁器組成物の特性は、誘
電率３７以上、１０ＧＨｚにおけるＱｆ１００００ＧＨ
ｚ以上であり、さらに組成を選択することにより、誘電
率４０〜５０、１０ＧＨｚにおけるＱｆ４００００ＧＨ
ｚ以上の特性が得られる。また、温度特性（τｆ）は、
−１０＜τｆ＜＋１０ｐｐｍ／℃の範囲にて制御するこ
とができる。
電率３７以上、１０ＧＨｚにおけるＱｆ１００００ＧＨ
ｚ以上であり、さらに組成を選択することにより、誘電
率４０〜５０、１０ＧＨｚにおけるＱｆ４００００ＧＨ
ｚ以上の特性が得られる。また、温度特性（τｆ）は、
−１０＜τｆ＜＋１０ｐｐｍ／℃の範囲にて制御するこ
とができる。
【００１８】さらに、焼結温度についても従来のＢａ
（Ｚｎ・Ｔａ）Ｏ３系誘電体材料が１６００℃であるの
に対し、この発明の誘電体材料の焼結温度は１２００℃
〜１４５０℃と焼結温度を著しく低下できる。また、毒
性を有するＢａ化合物を使用しないことにより、安全、
環境問題においても有効である。
（Ｚｎ・Ｔａ）Ｏ３系誘電体材料が１６００℃であるの
に対し、この発明の誘電体材料の焼結温度は１２００℃
〜１４５０℃と焼結温度を著しく低下できる。また、毒
性を有するＢａ化合物を使用しないことにより、安全、
環境問題においても有効である。
【００１９】
【実施例】実施例１ ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｎＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＷＯ3の基本成分に、Ｆｅ2Ｏ3（表１）、ＣｅＯ
2（表２）、Ｂｉ2Ｏ3（表３）、ＳｉＯ2（表４）を所定
量配合し、仮焼、粉砕、造粒後、径１２ｍｍφの成形体
に成形後、脱バインダーした後、大気中にて焼結温度１
２００〜１４５０℃にて焼結した。
Ｏ、ＷＯ3の基本成分に、Ｆｅ2Ｏ3（表１）、ＣｅＯ
2（表２）、Ｂｉ2Ｏ3（表３）、ＳｉＯ2（表４）を所定
量配合し、仮焼、粉砕、造粒後、径１２ｍｍφの成形体
に成形後、脱バインダーした後、大気中にて焼結温度１
２００〜１４５０℃にて焼結した。
【００２０】得られた焼結体を径５ｍｍ×高さ５ｍｍの
試片に切断後、ネットワークアナライザーを用いて、Ｈ
＆Ｃ法で誘電特性を評価し、その結果を表１〜４に表
す。なお、前記焼結雰囲気にＯ2を導入して焼結すると
誘電率の向上に有効である。
試片に切断後、ネットワークアナライザーを用いて、Ｈ
＆Ｃ法で誘電特性を評価し、その結果を表１〜４に表
す。なお、前記焼結雰囲気にＯ2を導入して焼結すると
誘電率の向上に有効である。
【００２１】比較例１ この発明の組成範囲外のＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、
Ｎｂ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＷＯ3の基本成分にＦｅ2Ｏ
3（表５）、ＣｅＯ2（表６）、Ｂｉ2Ｏ3（表７）、Ｓｉ
Ｏ2（表８）を所定量配合後、実施例１と同一条件にて
成形、焼結後、同一寸法の試片を作成し、実施例と同一
試験法にて誘電特性を測定し、その結果を表５〜８に表
す。
Ｎｂ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＷＯ3の基本成分にＦｅ2Ｏ
3（表５）、ＣｅＯ2（表６）、Ｂｉ2Ｏ3（表７）、Ｓｉ
Ｏ2（表８）を所定量配合後、実施例１と同一条件にて
成形、焼結後、同一寸法の試片を作成し、実施例と同一
試験法にて誘電特性を測定し、その結果を表５〜８に表
す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【００２５】
【表４】
【００２６】
【表５】
【００２７】
【表６】
【００２８】
【表７】
【００２９】
【表８】
【００３０】
【発明の効果】この発明による電子デバイス用誘電体組
成物は、実施例に明らかなように、誘電率３７以上、１
０ＧＨｚにおけるＱｆ１００００ＧＨｚ以上、好ましい
組成では、誘電率４０〜５０、１０ＧＨｚにおけるＱｆ
４００００ＧＨｚ以上の特性が得られ、温度特性（τ
ｆ）は、−１０＜τｆ＜＋１０ｐｐｍ／℃で、また低い
焼結温度で製造でき、組成的にも安全性にすぐれ、環境
にやさしい材料であり、マイクロ波通信用フィルタ、ミ
リ波通信用フィルタ、発振器、誘電体アンテナ、周波数
調整棒等の用途に最適である。
成物は、実施例に明らかなように、誘電率３７以上、１
０ＧＨｚにおけるＱｆ１００００ＧＨｚ以上、好ましい
組成では、誘電率４０〜５０、１０ＧＨｚにおけるＱｆ
４００００ＧＨｚ以上の特性が得られ、温度特性（τ
ｆ）は、−１０＜τｆ＜＋１０ｐｐｍ／℃で、また低い
焼結温度で製造でき、組成的にも安全性にすぐれ、環境
にやさしい材料であり、マイクロ波通信用フィルタ、ミ
リ波通信用フィルタ、発振器、誘電体アンテナ、周波数
調整棒等の用途に最適である。
フロントページの続き (72)発明者 田路 和也 大阪府三島郡島本町江川２丁目15−17 住 友特殊金属株式会社山崎製作所内 (72)発明者 倉 和寛 大阪府三島郡島本町江川２丁目15−17 住 友特殊金属株式会社山崎製作所内 Ｆターム(参考） 4G030 AA07 AA14 AA16 AA17 AA20 AA21 AA24 AA27 AA32 AA37 AA43 BA09 4G031 AA03 AA07 AA09 AA11 AA12 AA14 AA15 AA18 AA21 AA26 AA30 AA35 5G303 AA10 AB06 AB08 BA12 CA01 CB05 CB08 CB13 CB17 CB21 CB30 CB33 CB35 CB37 CB38 CB39
Claims (1)
- 【請求項１】 組成式を、Ｘ（Ｚｒx・Ｔｉ1-x）−Ｙ
（Ｎｂm・Ｔａ1-m）−Ｚ（Ｚｎn・Ｍｇ1-n）−ＭＷ−Ｎ
Ｍｅ−Ｏ と表す複合酸化物であり、ＭｅはＦｅ，Ｃ
ｅ，Ｂｉ，Ｓｉから１種選択され、前記組成式を限定す
るＸ、Ｙ、Ｚ、Ｍ、Ｎ、ｘ、ｍ、ｎが下記値を満足する
組成からなる電子デバイス用誘電体磁器組成物。 Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＋Ｍ＋Ｎ＝１、 ０．３５≦Ｘ≦０．９、０＜Ｙ≦０．４５、０．０４≦
Ｚ≦０．２０、０＜Ｍ＜０．０２、０＜Ｎ＜０．１、 ０．１≦ｘ≦０．５、０．５≦ｍ≦１、０．７＜ｎ＜
０．９
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000249548A JP4688008B2 (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000249548A JP4688008B2 (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002060270A true JP2002060270A (ja) | 2002-02-26 |
| JP4688008B2 JP4688008B2 (ja) | 2011-05-25 |
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ID=18739273
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000249548A Expired - Fee Related JP4688008B2 (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4688008B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103570345A (zh) * | 2013-09-29 | 2014-02-12 | 桂林理工大学 | 低温烧结微波介电陶瓷Bi12MgO19及其制备方法 |
| CN107473744A (zh) * | 2017-09-19 | 2017-12-15 | 哈尔滨工业大学 | 一种钛酸钡基陶瓷材料中圆形晶粒与高长径比棒状晶粒比例的气氛调节方法 |
| CN112661509A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-16 | 电子科技大学 | 一种高Q值MgZrNb2O8基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56102003A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Porcelain for dielectric resonator |
| JPH06295619A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
| JPH08157259A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック誘電体の製造方法 |
| JPH08225369A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-09-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
| JPH1112036A (ja) * | 1997-06-16 | 1999-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体セラミック電子部品の製造方法 |
-
2000
- 2000-08-21 JP JP2000249548A patent/JP4688008B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56102003A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Porcelain for dielectric resonator |
| JPH06295619A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
| JPH08225369A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-09-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
| JPH08157259A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック誘電体の製造方法 |
| JPH1112036A (ja) * | 1997-06-16 | 1999-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体セラミック電子部品の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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