JP2001192263A - 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】マイクロ波領域で大きな比誘電率（εr）と大
きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τ
ｆ）を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御でき、かつ、耐熱衝
撃性に優れた高周波用誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】一般式：ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2
Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2で表わされる主成分に、
副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．３重
量部以下、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して１．０重量
部以下、それぞれ含有する。但し、１３．０≦ｘ≦２
３．０、０＜ｙ≦１２．０、７５．０≦ｚ≦８３．０、
０≦α≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。さらに、Ｔｉ
元素の１．５モル％以下がＺｒで置換されている。
きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τ
ｆ）を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御でき、かつ、耐熱衝
撃性に優れた高周波用誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】一般式：ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2
Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2で表わされる主成分に、
副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．３重
量部以下、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して１．０重量
部以下、それぞれ含有する。但し、１３．０≦ｘ≦２
３．０、０＜ｙ≦１２．０、７５．０≦ｚ≦８３．０、
０≦α≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。さらに、Ｔｉ
元素の１．５モル％以下がＺｒで置換されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用誘電体磁
器組成物、並びにそれを用いた誘電体共振器、誘電体フ
ィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置に関す
る。
器組成物、並びにそれを用いた誘電体共振器、誘電体フ
ィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、携帯電話、パーソナル無線
機、衛星放送受信機などのように、マイクロ波やミリ波
などの高周波領域において利用される電子機器に搭載さ
れる誘電体共振器や誘電体フィルタなどとして、誘電体
磁器が広く用いられている。そして、このような高周波
用誘電体磁器に要求される特性としては、高誘電率、高
Ｑ、および共振周波数の温度係数が０近傍で任意に調整
できることなどが求められている。
機、衛星放送受信機などのように、マイクロ波やミリ波
などの高周波領域において利用される電子機器に搭載さ
れる誘電体共振器や誘電体フィルタなどとして、誘電体
磁器が広く用いられている。そして、このような高周波
用誘電体磁器に要求される特性としては、高誘電率、高
Ｑ、および共振周波数の温度係数が０近傍で任意に調整
できることなどが求められている。
【０００３】従来、この種の誘電体磁器組成物として
は、例えば、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2系（特開昭５
７−１５３０９号公報）、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2
−ＭｎＯ 2系（特開昭５９−１４２１４号公報）、Ｂａ
Ｏ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＺｒＯ2系（特開昭６０−３８
０１号公報）、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2系（特開平
６−１１１６２４号公報）などが提案されている。
は、例えば、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2系（特開昭５
７−１５３０９号公報）、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2
−ＭｎＯ 2系（特開昭５９−１４２１４号公報）、Ｂａ
Ｏ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＺｒＯ2系（特開昭６０−３８
０１号公報）、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2系（特開平
６−１１１６２４号公報）などが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
５７−１５３０９号公報に開示のＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｔ
ｉＯ2系組成物、特開昭５９−１４２１４号公報に開示
のＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＭｎＯ2系の組成物、お
よび、特開昭６０−３８０１号公報に開示のＢａＯ−Ｓ
ｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＺｒＯ2系組成物は、ともに、比誘電
率（εr）が３５から５５程度になるとＱ値が急激に小
さくなるとともに、共振周波数の温度係数（τｆ）が正
または負側に大きくずれてしまうため実用上問題があっ
た。
５７−１５３０９号公報に開示のＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｔ
ｉＯ2系組成物、特開昭５９−１４２１４号公報に開示
のＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＭｎＯ2系の組成物、お
よび、特開昭６０−３８０１号公報に開示のＢａＯ−Ｓ
ｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＺｒＯ2系組成物は、ともに、比誘電
率（εr）が３５から５５程度になるとＱ値が急激に小
さくなるとともに、共振周波数の温度係数（τｆ）が正
または負側に大きくずれてしまうため実用上問題があっ
た。
【０００５】また、特開平６−１１１６２４号公報に開
示の組成物の場合、ＢａＯ、Ｓｍ2Ｏ3およびＴｉＯ2の
各成分の組成範囲を限定することで大きなＱ値が得られ
ているが、はんだ付け時などの熱衝撃によりセラミック
素子にマイクロクラックが発生しやすく、Ｑ値の安定性
を欠いていた。
示の組成物の場合、ＢａＯ、Ｓｍ2Ｏ3およびＴｉＯ2の
各成分の組成範囲を限定することで大きなＱ値が得られ
ているが、はんだ付け時などの熱衝撃によりセラミック
素子にマイクロクラックが発生しやすく、Ｑ値の安定性
を欠いていた。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上記問題点を解
決して、マイクロ波領域で大きな比誘電率（εr）と大
きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τ
ｆ）を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御でき、かつ、耐熱衝
撃性に優れた高周波用誘電体磁器組成物を提供すること
にある。また、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィ
ルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供する
ことにある。
決して、マイクロ波領域で大きな比誘電率（εr）と大
きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τ
ｆ）を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御でき、かつ、耐熱衝
撃性に優れた高周波用誘電体磁器組成物を提供すること
にある。また、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィ
ルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、金属元素と
してＢａ、Ｔｉ並びにＳｍおよびＮｄのうちの少なくと
も１種を含む複合酸化物を主成分とし、副成分としてＭ
ｎ化合物およびＴａ化合物を含有することを特徴とす
る。
め、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、金属元素と
してＢａ、Ｔｉ並びにＳｍおよびＮｄのうちの少なくと
も１種を含む複合酸化物を主成分とし、副成分としてＭ
ｎ化合物およびＴａ化合物を含有することを特徴とす
る。
【０００８】また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、金属元素としてＢａ、Ｔｉ並びにＳｍおよびＮｄの
うちの少なくとも１種を含み、次の一般式で表わしたと
き（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％、αはモル比）、 ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚ
ＴｉＯ2 ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、１３．０≦ｘ≦２３．
０、０＜ｙ≦１２．０、７５．０≦ｚ≦８３．０、０≦
α≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を満足する主成分１
００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎ
Ｏに換算して０．３重量部以下（０を含まず）、Ｔａ化
合物をＴａ2Ｏ5に換算して１．０重量部以下（０を含ま
ず）、それぞれ含有することを特徴とする。
は、金属元素としてＢａ、Ｔｉ並びにＳｍおよびＮｄの
うちの少なくとも１種を含み、次の一般式で表わしたと
き（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％、αはモル比）、 ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚ
ＴｉＯ2 ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、１３．０≦ｘ≦２３．
０、０＜ｙ≦１２．０、７５．０≦ｚ≦８３．０、０≦
α≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を満足する主成分１
００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎ
Ｏに換算して０．３重量部以下（０を含まず）、Ｔａ化
合物をＴａ2Ｏ5に換算して１．０重量部以下（０を含ま
ず）、それぞれ含有することを特徴とする。
【０００９】また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、金属元素としてＢａ、ＴｉおよびＳｍを含み、次の
一般式で表わしたとき（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル
％）、 ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2 ｘ、ｙ、ｚがそれぞれ、１７．０≦ｘ≦１９．０、１．
０≦ｙ≦６．０、７７．０≦ｚ≦８１．０、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１００の関係を満足する主成分１００重量部に対し
て、副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．
３重量部以下（０を含まず）、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に
換算して１．０重量部以下（０を含まず）、それぞれ含
有することを特徴とする。
は、金属元素としてＢａ、ＴｉおよびＳｍを含み、次の
一般式で表わしたとき（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル
％）、 ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2 ｘ、ｙ、ｚがそれぞれ、１７．０≦ｘ≦１９．０、１．
０≦ｙ≦６．０、７７．０≦ｚ≦８１．０、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１００の関係を満足する主成分１００重量部に対し
て、副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．
３重量部以下（０を含まず）、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に
換算して１．０重量部以下（０を含まず）、それぞれ含
有することを特徴とする。
【００１０】そして、前記Ｔｉ元素１００モル％のうち
の１．５モル％以下がＺｒで置換されていることを特徴
とする。
の１．５モル％以下がＺｒで置換されていることを特徴
とする。
【００１１】また、前記Ｓｍ元素１００モル％のうちの
５０モル％以下がＬａ、Ｃｅ、およびＰｒのうちの少な
くとも１種で置換されていることを特徴とする。
５０モル％以下がＬａ、Ｃｅ、およびＰｒのうちの少な
くとも１種で置換されていることを特徴とする。
【００１２】また、さらに副成分として、前記主成分１
００重量部に対して、Ｎｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して
０．５重量部以下含有することを特徴とする。
００重量部に対して、Ｎｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して
０．５重量部以下含有することを特徴とする。
【００１３】また、本発明の誘電体共振器は、誘電体磁
器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振
器において、前記誘電体磁器は、上述の高周波用誘電体
磁器組成物からなることを特徴とする。
器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振
器において、前記誘電体磁器は、上述の高周波用誘電体
磁器組成物からなることを特徴とする。
【００１４】そして、本発明の誘電体共振器は、前記誘
電体磁器の表面に銅めっき導体が形成されていることを
特徴とする。
電体磁器の表面に銅めっき導体が形成されていることを
特徴とする。
【００１５】また、本発明の誘電体フィルタは、上述の
誘電体共振器に外部結合手段を含んでなることを特徴と
する。
誘電体共振器に外部結合手段を含んでなることを特徴と
する。
【００１６】また、本発明の誘電体デュプレクサは、少
なくとも２つの誘電体フィルタと、該誘電体フィルタの
それぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フ
ィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを含んで
なる誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタ
の少なくとも１つが上述の誘電体フィルタであることを
特徴とする。
なくとも２つの誘電体フィルタと、該誘電体フィルタの
それぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フ
ィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを含んで
なる誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタ
の少なくとも１つが上述の誘電体フィルタであることを
特徴とする。
【００１７】さらに、本発明の通信機装置は、上述の誘
電体デュプレクサと、該誘電体デュプレクサの少なくと
も１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、該
送信用回路に接続される前記入出力接続手段と異なる少
なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路
と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続
されるアンテナとを含んでなることを特徴とする。
電体デュプレクサと、該誘電体デュプレクサの少なくと
も１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、該
送信用回路に接続される前記入出力接続手段と異なる少
なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路
と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続
されるアンテナとを含んでなることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の誘電体共振器の
一例を示す斜視図であり、図２は、図１に示す誘電体共
振器１のａ−ｂ面に沿う断面図である。図１、２を参照
して、誘電体共振器１は、貫通孔を有する角柱状の誘電
体磁器２からなり、その貫通孔内に内導体３ａが形成さ
れ、周囲に外導体３ｂが形成されたものである。そし
て、誘電体磁器２に入出力端子すなわち外部結合手段を
電磁界結合させることにより、誘電体共振器として作動
する。このような誘電体共振器１を構成する誘電体磁器
２が、本発明に係る高周波用誘電体磁器組成物で形成さ
れる。
一例を示す斜視図であり、図２は、図１に示す誘電体共
振器１のａ−ｂ面に沿う断面図である。図１、２を参照
して、誘電体共振器１は、貫通孔を有する角柱状の誘電
体磁器２からなり、その貫通孔内に内導体３ａが形成さ
れ、周囲に外導体３ｂが形成されたものである。そし
て、誘電体磁器２に入出力端子すなわち外部結合手段を
電磁界結合させることにより、誘電体共振器として作動
する。このような誘電体共振器１を構成する誘電体磁器
２が、本発明に係る高周波用誘電体磁器組成物で形成さ
れる。
【００１９】そして、前記誘電体磁器２の表面に形成さ
れた内導体３ａ、外導体３ｂは銅めっきにより形成する
ことができる。これにより、生産性を高め生産コストの
削減を図ることができる。
れた内導体３ａ、外導体３ｂは銅めっきにより形成する
ことができる。これにより、生産性を高め生産コストの
削減を図ることができる。
【００２０】なお、図１には、角柱形状であってＴＥＭ
モードの誘電体共振器の一例を示したが、本発明はこれ
に限定されるものではない。本発明の高周波用誘電体磁
器組成物は、他の形状や、他のＴＥＭモードやＴＭモー
ド、ＴＥモードなどの誘電体共振器にも同様に用いるこ
とができる。
モードの誘電体共振器の一例を示したが、本発明はこれ
に限定されるものではない。本発明の高周波用誘電体磁
器組成物は、他の形状や、他のＴＥＭモードやＴＭモー
ド、ＴＥモードなどの誘電体共振器にも同様に用いるこ
とができる。
【００２１】次に、図３は、本発明の誘電体フィルタの
一例を示す斜視図である。図３を参照して、誘電体フィ
ルタ４は、貫通孔を有する誘電体磁器２に内導体３ａお
よび外導体３ｂが形成された誘電体共振器に外部結合手
段５が形成されたものである。なお、図３にはブロック
タイプの誘電体フィルタを示したが、本発明の誘電体フ
ィルタは、デスクリートタイプの誘電体フィルタとする
こともできる。
一例を示す斜視図である。図３を参照して、誘電体フィ
ルタ４は、貫通孔を有する誘電体磁器２に内導体３ａお
よび外導体３ｂが形成された誘電体共振器に外部結合手
段５が形成されたものである。なお、図３にはブロック
タイプの誘電体フィルタを示したが、本発明の誘電体フ
ィルタは、デスクリートタイプの誘電体フィルタとする
こともできる。
【００２２】次に、図４は、本発明の誘電体デュプレク
サの一例を示す斜視図である。図４を参照して、誘電体
デュプレクサ６は、貫通孔を有する誘電体磁器２に内導
体３ａおよび外導体３ｂが形成された誘電体共振器を備
えた２つの誘電体フィルタと、一方の誘電体フィルタに
接続される入力接続手段７と、他方の誘電体フィルタに
接続される出力接続手段８と、これら誘電体フィルタに
共通に接続されるアンテナ接続手段９とを含むものであ
る。なお、図４にはブロックタイプの誘電体デュプレク
サを示したが、本発明の誘電体デュプレクサは、デスク
リートタイプの誘電体デュプレクサとすることもでき
る。
サの一例を示す斜視図である。図４を参照して、誘電体
デュプレクサ６は、貫通孔を有する誘電体磁器２に内導
体３ａおよび外導体３ｂが形成された誘電体共振器を備
えた２つの誘電体フィルタと、一方の誘電体フィルタに
接続される入力接続手段７と、他方の誘電体フィルタに
接続される出力接続手段８と、これら誘電体フィルタに
共通に接続されるアンテナ接続手段９とを含むものであ
る。なお、図４にはブロックタイプの誘電体デュプレク
サを示したが、本発明の誘電体デュプレクサは、デスク
リートタイプの誘電体デュプレクサとすることもでき
る。
【００２３】次に、図５は、本発明の通信機装置の一例
を示すブロック図である。この通信機装置１０は、誘電
体デュプレクサ１２、送信回路１４、受信回路１６およ
びアンテナ１８を含む。送信回路１４は、誘電体デュプ
レクサ１２の入力接続手段２０に接続され、受信回路１
６は、誘電体デュプレクサ１２の出力接続手段２２に接
続される。また、アンテナ１８は、誘電体デュプレクサ
１２のアンテナ接続手段２４に接続される。この誘電体
デュプレクサ１２は、２つの誘電体フィルタ２６、２８
を含む。誘電体フィルタ２６、２８は、本発明の誘電体
共振器に外部結合手段を接続してなるものである。この
実施例では、たとえば、誘電体共振器１に外部結合手段
３０を接続して形成される。そして、一方の誘電体フィ
ルタ２６は入力接続手段２０とアンテナ接続手段２４と
の間に接続され、他方の誘電体フィルタ２８は、アンテ
ナ接続手段２４と出力接続手段２２との間に接続され
る。
を示すブロック図である。この通信機装置１０は、誘電
体デュプレクサ１２、送信回路１４、受信回路１６およ
びアンテナ１８を含む。送信回路１４は、誘電体デュプ
レクサ１２の入力接続手段２０に接続され、受信回路１
６は、誘電体デュプレクサ１２の出力接続手段２２に接
続される。また、アンテナ１８は、誘電体デュプレクサ
１２のアンテナ接続手段２４に接続される。この誘電体
デュプレクサ１２は、２つの誘電体フィルタ２６、２８
を含む。誘電体フィルタ２６、２８は、本発明の誘電体
共振器に外部結合手段を接続してなるものである。この
実施例では、たとえば、誘電体共振器１に外部結合手段
３０を接続して形成される。そして、一方の誘電体フィ
ルタ２６は入力接続手段２０とアンテナ接続手段２４と
の間に接続され、他方の誘電体フィルタ２８は、アンテ
ナ接続手段２４と出力接続手段２２との間に接続され
る。
【００２４】本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、前
述したように、Ｂａ、Ｔｉ並びにＳｍおよびＮｄのうち
の少なくとも１種を含む複合酸化物を主成分とし、副成
分としてＭｎ化合物およびＴａ化合物を含有することを
特徴とする。
述したように、Ｂａ、Ｔｉ並びにＳｍおよびＮｄのうち
の少なくとも１種を含む複合酸化物を主成分とし、副成
分としてＭｎ化合物およびＴａ化合物を含有することを
特徴とする。
【００２５】そして、この磁器組成物としては、一般
式、ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝
−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％、αはモル
比）で表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、
１３．０≦ｘ≦２３．０、０＜ｙ≦１２．０、７５．０
≦ｚ≦８３．０、０≦α≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関
係を満足する主成分１００重量部に対して、副成分とし
て、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．３重量部以下
（０を含まず）、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して１．
０重量部以下（０を含まず）、それぞれ含有するものが
好ましい。
式、ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝
−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％、αはモル
比）で表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、
１３．０≦ｘ≦２３．０、０＜ｙ≦１２．０、７５．０
≦ｚ≦８３．０、０≦α≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関
係を満足する主成分１００重量部に対して、副成分とし
て、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．３重量部以下
（０を含まず）、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算して１．
０重量部以下（０を含まず）、それぞれ含有するものが
好ましい。
【００２６】また、この磁器組成物中の主成分として
は、一般式ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2（ただ
し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）で表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚ
がそれぞれ、１７．０≦ｘ≦１９．０、１．０≦ｙ≦
６．０、７７．０≦ｚ≦８１．０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
の関係を満足するものがより好ましい。
は、一般式ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2（ただ
し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）で表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚ
がそれぞれ、１７．０≦ｘ≦１９．０、１．０≦ｙ≦
６．０、７７．０≦ｚ≦８１．０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
の関係を満足するものがより好ましい。
【００２７】そして、このような組成範囲とすることに
より、比誘電率（εr）が４０を超え５５程度になって
もＱ値が急激に小さくなることなく、マイクロ波領域で
大きな比誘電率（εr）と大きなＱ値を有するととも
に、共振周波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）
近傍に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を得るこ
とができる。副成分として、Ｍｎ化合物とＴａ化合物を
同時に含有させることにより、Ｍｎ化合物を単独で含有
させる場合と比較して、Ｑ値をさらに向上させることが
できる。
より、比誘電率（εr）が４０を超え５５程度になって
もＱ値が急激に小さくなることなく、マイクロ波領域で
大きな比誘電率（εr）と大きなＱ値を有するととも
に、共振周波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）
近傍に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を得るこ
とができる。副成分として、Ｍｎ化合物とＴａ化合物を
同時に含有させることにより、Ｍｎ化合物を単独で含有
させる場合と比較して、Ｑ値をさらに向上させることが
できる。
【００２８】さらに、上記主成分中のＴｉ元素１００モ
ル％のうちの１．５モル％以下をＺｒで置換することに
より、耐熱衝撃性に優れた高周波用誘電体磁器組成物を
得ることができる。
ル％のうちの１．５モル％以下をＺｒで置換することに
より、耐熱衝撃性に優れた高周波用誘電体磁器組成物を
得ることができる。
【００２９】
【実施例】次に、本発明をより具体的な実施例に基づき
説明する。 （実施例１）出発原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ
3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化ネオジウム
（Ｎｄ2Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン
（ＭｎＣＯ3）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を準備
した。
説明する。 （実施例１）出発原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ
3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化ネオジウム
（Ｎｄ2Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン
（ＭｎＣＯ3）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を準備
した。
【００３０】次に、一般式：ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）
Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ 2（ただし、ｘ、
ｙ、ｚ、αは表１に示す値）で表わされる主成分と、こ
の主成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化
合物をＭｎＯに換算して、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算
して、それぞれ表１に示す量を含む組成物が得られるよ
うに、これらの原料を調合した。
Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ 2（ただし、ｘ、
ｙ、ｚ、αは表１に示す値）で表わされる主成分と、こ
の主成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化
合物をＭｎＯに換算して、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算
して、それぞれ表１に示す量を含む組成物が得られるよ
うに、これらの原料を調合した。
【００３１】
【表１】
【００３２】次に、これら調合済み原料の粉末を、ボー
ルミルを用いて湿式混合した後、脱水、乾燥し、その
後、大気中１０００〜１２００℃で１時間以上仮焼し
た。その後、この仮焼物を粉砕し、有機バインダを加え
て直径１５ｍｍ、厚さ７．５ｍｍに成形した後、１２０
０〜１４００℃で大気中焼成し、円板状の焼結体を得
た。
ルミルを用いて湿式混合した後、脱水、乾燥し、その
後、大気中１０００〜１２００℃で１時間以上仮焼し
た。その後、この仮焼物を粉砕し、有機バインダを加え
て直径１５ｍｍ、厚さ７．５ｍｍに成形した後、１２０
０〜１４００℃で大気中焼成し、円板状の焼結体を得
た。
【００３３】得られた焼結体を適当な大きさに切り出
し、各試料について、温度２５℃、測定周波数３〜７Ｇ
Ｈｚにおける比誘電率（εr）およびＱ値を両端短絡型
誘電体共振器法で測定した。また、ＴＥモード共振器周
波数から、共振周波数の２５℃〜５５℃間の温度係数
（τｆ）を測定した。これらの結果を、表１に示す。な
お、表1において、試料番号に＊印を付したものは、本
発明の範囲外のものである。
し、各試料について、温度２５℃、測定周波数３〜７Ｇ
Ｈｚにおける比誘電率（εr）およびＱ値を両端短絡型
誘電体共振器法で測定した。また、ＴＥモード共振器周
波数から、共振周波数の２５℃〜５５℃間の温度係数
（τｆ）を測定した。これらの結果を、表１に示す。な
お、表1において、試料番号に＊印を付したものは、本
発明の範囲外のものである。
【００３４】表１から明らかなように、本発明の範囲内
にある試料によれば、大きな比誘電率（εr）と大きな
Ｑ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τｆ）
を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御できる。
にある試料によれば、大きな比誘電率（εr）と大きな
Ｑ値を有するとともに、共振周波数の温度係数（τｆ）
を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御できる。
【００３５】ここで、表１を参照しながら、本発明の、
一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ
2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2で表わされる主成分と、Ｍｎ化合物
およびＴａ化合物からなる副成分を含有する組成物の限
定理由を以下に説明する。
一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ
2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2で表わされる主成分と、Ｍｎ化合物
およびＴａ化合物からなる副成分を含有する組成物の限
定理由を以下に説明する。
【００３６】まず、ｘについて、１３．０≦ｘ≦２３．
０と限定したのは、ｘ＜１３．０の場合には、試料４の
ように、焼結困難となり、また、ｘ＞２３．０の場合に
は、試料３のように、共振周波数の温度係数（τｆ）が
プラス側に大きくなるためである。
０と限定したのは、ｘ＜１３．０の場合には、試料４の
ように、焼結困難となり、また、ｘ＞２３．０の場合に
は、試料３のように、共振周波数の温度係数（τｆ）が
プラス側に大きくなるためである。
【００３７】ｙについて、０＜ｙ≦１２．０としたの
は、ｙ＝０の場合は、試料６のように、共振周波数の温
度係数（τｆ）がプラス側に大きくなり、また、ｙ＞１
２．０の場合は、試料８のように、Ｑ値が小さくなると
ともに共振周波数の温度係数（τｆ）がプラス側に大き
くなるためである。
は、ｙ＝０の場合は、試料６のように、共振周波数の温
度係数（τｆ）がプラス側に大きくなり、また、ｙ＞１
２．０の場合は、試料８のように、Ｑ値が小さくなると
ともに共振周波数の温度係数（τｆ）がプラス側に大き
くなるためである。
【００３８】ｚについて、７５．０≦ｚ≦８３．０とし
たのは、ｚ＜７５．０の場合には、試料８のように、Ｑ
値が小さくなるとともに共振周波数の温度係数（τｆ）
がプラス側に大きくなり、また、ｚ＞８３．０の場合に
は、試料１０のように、焼結困難となるためである。
たのは、ｚ＜７５．０の場合には、試料８のように、Ｑ
値が小さくなるとともに共振周波数の温度係数（τｆ）
がプラス側に大きくなり、また、ｚ＞８３．０の場合に
は、試料１０のように、焼結困難となるためである。
【００３９】αについては、試料１、２２〜２５間の比
較から明らかなように、αの増加とともに共振周波数の
温度係数（τｆ）がわずかに大きくなるものの、０≦α
≦１の全範囲にわたって大きな比誘電率（εr）および
Ｑ値を得ることができる。
較から明らかなように、αの増加とともに共振周波数の
温度係数（τｆ）がわずかに大きくなるものの、０≦α
≦１の全範囲にわたって大きな比誘電率（εr）および
Ｑ値を得ることができる。
【００４０】副成分であるＭｎ化合物をＭｎＯに換算し
て０．３重量部以下（０を含まず）と限定したのは、０
重量部では試料１１のように、また０．３重量部を超え
ると試料１２のように、ともにＱ値が小さくなるためで
ある。
て０．３重量部以下（０を含まず）と限定したのは、０
重量部では試料１１のように、また０．３重量部を超え
ると試料１２のように、ともにＱ値が小さくなるためで
ある。
【００４１】また、副成分であるＴａ化合物をＴａ2Ｏ5
に換算して１．０重量部以下（０を含まず）と限定した
のは、０重量部では試料１３のようにＱ値が小さくな
り、また、１．０重量部を超えると試料２１のように、
Ｑ値が小さくなるとともに共振周波数の温度係数（τ
ｆ）がプラス側に大きくなるためである。
に換算して１．０重量部以下（０を含まず）と限定した
のは、０重量部では試料１３のようにＱ値が小さくな
り、また、１．０重量部を超えると試料２１のように、
Ｑ値が小さくなるとともに共振周波数の温度係数（τ
ｆ）がプラス側に大きくなるためである。
【００４２】また、試料１、７、１５〜１８、２８〜３
０のように、この磁器組成物の主成分として、一般式：
ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ、ｙ、
ｚはモル％）で表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚそれぞれにつ
いて、１７．０≦ｘ≦１９．０、１．０≦ｙ≦６．０、
７７．０≦ｚ≦８１．０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を
満足させることにより、共振周波数の温度係数（τｆ）
を１０ｐｐｍ／℃以下に抑えることができるため、より
好ましい。
０のように、この磁器組成物の主成分として、一般式：
ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ、ｙ、
ｚはモル％）で表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚそれぞれにつ
いて、１７．０≦ｘ≦１９．０、１．０≦ｙ≦６．０、
７７．０≦ｚ≦８１．０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を
満足させることにより、共振周波数の温度係数（τｆ）
を１０ｐｐｍ／℃以下に抑えることができるため、より
好ましい。
【００４３】（実施例２）出発原料として、炭酸バリウ
ム（ＢａＣＯ3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭
酸マンガン（ＭｎＣＯ3）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ
5）を準備した。
ム（ＢａＣＯ3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭
酸マンガン（ＭｎＣＯ3）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ
5）を準備した。
【００４４】次に、一般式：ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚ
｛（１−ｍ）ＴｉＯ2−ｍＺｒＯ2｝（ただし、ｘ、ｙ、
ｚ、ｍは表２に示す値）で表わされる主成分と、この主
成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物
をＭｎＯに換算して、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算し
て、それぞれ表２に示す量を含む組成物が得られるよう
に、これらの原料を調合した。
｛（１−ｍ）ＴｉＯ2−ｍＺｒＯ2｝（ただし、ｘ、ｙ、
ｚ、ｍは表２に示す値）で表わされる主成分と、この主
成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物
をＭｎＯに換算して、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算し
て、それぞれ表２に示す量を含む組成物が得られるよう
に、これらの原料を調合した。
【００４５】
【表２】
【００４６】次に、実施例１と同様にして、焼結体を得
た。その後、得られた焼結体を適当な大きさに切り出
し、各試料について−５５〜＋８５℃間１００サイクル
の熱衝撃試験を行なった後、顕微鏡観察によりマイクロ
クラックの有無を確認した。その後、実施例１と同様
に、比誘電率（εｒ）、Ｑ値、共振周波数の温度係数
（τｆ）を測定した。これらの結果を表２に示す。
た。その後、得られた焼結体を適当な大きさに切り出
し、各試料について−５５〜＋８５℃間１００サイクル
の熱衝撃試験を行なった後、顕微鏡観察によりマイクロ
クラックの有無を確認した。その後、実施例１と同様
に、比誘電率（εｒ）、Ｑ値、共振周波数の温度係数
（τｆ）を測定した。これらの結果を表２に示す。
【００４７】表２の試料３４、３５のように、ｍを０＜
ｍ≦０．０１５、すなわちＴｉ元素１００モル％のうち
の１．５モル％以下をＺｒで置換することにより、大き
な比誘電率（εｒ）とＱ値を維持しながら、耐熱衝撃性
に優れた高周波用誘電体磁器組成物を得ることができ
る。
ｍ≦０．０１５、すなわちＴｉ元素１００モル％のうち
の１．５モル％以下をＺｒで置換することにより、大き
な比誘電率（εｒ）とＱ値を維持しながら、耐熱衝撃性
に優れた高周波用誘電体磁器組成物を得ることができ
る。
【００４８】なお、得られた試料３３〜３６の焼結体に
ついて、Ｘ線回折により結晶の定量分析を行った。結果
を、表３に示す。
ついて、Ｘ線回折により結晶の定量分析を行った。結果
を、表３に示す。
【００４９】
【表３】
【００５０】表３から明らかなように、Ｔｉ元素のうち
の特定量をＺｒ元素で置換することにより、焼結体中の
ＢａＴｉ4Ｏ9相の体積比率が２０％以下に抑えられる。
これにより、磁器中の結晶相として、同じ平均熱膨張係
数を有するＢａ2Ｔｉ9Ｏ20とＢａＳｍ2Ｔｉ4Ｏ12が支配
的となり、誘電体磁器組成物の耐熱衝撃性が向上するも
のと推測される。なお、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20およびＢａＳｍ
2Ｔｉ4Ｏ12の平均線熱膨張係数は１０ｐｐｍ／℃であ
り、ＢａＴｉ4Ｏ9の平均線熱膨張係数は８ｐｐｍ／℃で
ある。
の特定量をＺｒ元素で置換することにより、焼結体中の
ＢａＴｉ4Ｏ9相の体積比率が２０％以下に抑えられる。
これにより、磁器中の結晶相として、同じ平均熱膨張係
数を有するＢａ2Ｔｉ9Ｏ20とＢａＳｍ2Ｔｉ4Ｏ12が支配
的となり、誘電体磁器組成物の耐熱衝撃性が向上するも
のと推測される。なお、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20およびＢａＳｍ
2Ｔｉ4Ｏ12の平均線熱膨張係数は１０ｐｐｍ／℃であ
り、ＢａＴｉ4Ｏ9の平均線熱膨張係数は８ｐｐｍ／℃で
ある。
【００５１】（実施例３）出発原料として、炭酸バリウ
ム（ＢａＣＯ3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化
プラセオジウム（Ｐｒ6Ｏ11）、酸化セリウム（Ｃｅ
Ｏ2）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム
（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン
（ＭｎＣＯ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）および酸化
ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）を準備した。
ム（ＢａＣＯ3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化
プラセオジウム（Ｐｒ6Ｏ11）、酸化セリウム（Ｃｅ
Ｏ2）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム
（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン
（ＭｎＣＯ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）および酸化
ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）を準備した。
【００５２】次に、一般式：ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ｎ）
Ｓｍ2Ｏ3−ｎＲｅ2Ｏ3｝−ｚ｛（１−ｍ）ＴｉＯ2−ｍ
ＺｒＯ2｝（ただし、Ｒｅは表４に示すＰｒ、Ｃｅおよ
びＬａのうちの少なくとも１種であり、ｘ、ｙ、ｚ、
ｎ、ｍは表４に示す値）で表わされる主成分と、この主
成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物
をＭｎＯに換算して、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算し
て、Ｎｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して、それぞれ表４に
示す量を含む組成物が得られるように、これらの原料を
調合した。
Ｓｍ2Ｏ3−ｎＲｅ2Ｏ3｝−ｚ｛（１−ｍ）ＴｉＯ2−ｍ
ＺｒＯ2｝（ただし、Ｒｅは表４に示すＰｒ、Ｃｅおよ
びＬａのうちの少なくとも１種であり、ｘ、ｙ、ｚ、
ｎ、ｍは表４に示す値）で表わされる主成分と、この主
成分１００重量部に対して、副成分として、Ｍｎ化合物
をＭｎＯに換算して、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算し
て、Ｎｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して、それぞれ表４に
示す量を含む組成物が得られるように、これらの原料を
調合した。
【００５３】
【表４】
【００５４】次に、実施例１と同様にして、焼結体を得
た。その後、実施例１と同様に、比誘電率（εｒ）、Ｑ
値、共振周波数の温度係数（τｆ）を測定した。これら
の結果を表４に示す。
た。その後、実施例１と同様に、比誘電率（εｒ）、Ｑ
値、共振周波数の温度係数（τｆ）を測定した。これら
の結果を表４に示す。
【００５５】表４の試料３８〜４１のように、ｎを０＜
ｎ≦０．５、すなわちＳｍ元素１００モル％のうち５０
モル％以下をＬａ、ＣｅおよびＰｒのうちの少なくとも
１種で置換することにより、大きな比誘電率（εr）と
大きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数
（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御できる、高周波
用誘電体磁器組成物を得ることができる。
ｎ≦０．５、すなわちＳｍ元素１００モル％のうち５０
モル％以下をＬａ、ＣｅおよびＰｒのうちの少なくとも
１種で置換することにより、大きな比誘電率（εr）と
大きなＱ値を有するとともに、共振周波数の温度係数
（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）近傍に制御できる、高周波
用誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００５６】また、表４の試料４０、４３〜４５間の比
較で明らかなように、主成分１００重量部に対して、Ｎ
ｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して０．５重量部以下含有さ
せることにより、さらに大きなＱ値を得ることができ
る。
較で明らかなように、主成分１００重量部に対して、Ｎ
ｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して０．５重量部以下含有さ
せることにより、さらに大きなＱ値を得ることができ
る。
【００５７】なお、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
には、さらにＳｂ2Ｏ5、ＣｕＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｆ
ｅ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＰｂＯ、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3などを添
加することができる。これらはその添加成分によるが、
ほぼ５重量％以下の割合で添加することができる。例え
ば、主成分１００重量部に対してＳｉＯ2を０．５重量
部以下添加すると、無添加の場合よりも焼結温度が低下
するため、電気特性、特に共振周波数の温度係数（τ
ｆ）の焼成温度に対する依存性が緩和され、製造が容易
となる。
には、さらにＳｂ2Ｏ5、ＣｕＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｆ
ｅ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＰｂＯ、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3などを添
加することができる。これらはその添加成分によるが、
ほぼ５重量％以下の割合で添加することができる。例え
ば、主成分１００重量部に対してＳｉＯ2を０．５重量
部以下添加すると、無添加の場合よりも焼結温度が低下
するため、電気特性、特に共振周波数の温度係数（τ
ｆ）の焼成温度に対する依存性が緩和され、製造が容易
となる。
【００５８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、比誘電率（εr）が４０を超え５５程度になっ
てもＱ値が急激に小さくなることなく、マイクロ波領域
で大きな比誘電率（εr）と大きなＱ値を有するととも
に、共振周波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）
を中心に任意に制御でき、かつ、耐熱衝撃性に優れた高
周波用誘電体磁器組成物を得ることができる。
よれば、比誘電率（εr）が４０を超え５５程度になっ
てもＱ値が急激に小さくなることなく、マイクロ波領域
で大きな比誘電率（εr）と大きなＱ値を有するととも
に、共振周波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）
を中心に任意に制御でき、かつ、耐熱衝撃性に優れた高
周波用誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００５９】したがって、このような組成を有する誘電
体磁器を用いて、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電
体デュプレクサ、および通信機装置を形成することによ
り、それぞれ良好な特性を得ることができる。
体磁器を用いて、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電
体デュプレクサ、および通信機装置を形成することによ
り、それぞれ良好な特性を得ることができる。
【図１】本発明の誘電体共振器の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】図１に示す誘電体共振器のａ−ｂ面に沿う断面
図である。
図である。
【図３】本発明の誘電体フィルタの一例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図４】本発明の誘電体デュプレクサの一例を示す斜視
図である。
図である。
【図５】本発明の通信機装置一例を示すブロック図であ
る。
る。
１ 誘電体共振器 ２ 誘電体磁器 ３ａ 内導体 ３ｂ 外導体 ４、２６、２８ 誘電体フィルタ ５、３０ 外部結合手段 ６、１２ 誘電体デュプレクサ ７、２０ 入力接続手段 ８、２２ 出力接続手段 ９、２４ アンテナ接続手段 １０ 通信機装置 １４ 送信回路 １６ 受信回路 １８ アンテナ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA06 AA07 AA11 AA12 AA14 AA15 AA19 BA09 GA11 5G303 AA02 AA10 AB06 AB08 AB11 AB20 BA12 CA01 CB03 CB08 CB15 CB18 CB21 CB22 CB26 CB33 CB35 CB39 CB41
Claims (12)
- 【請求項１】 金属元素としてＢａ、Ｔｉ並びにＳｍお
よびＮｄのうちの少なくとも１種を含む複合酸化物を主
成分とし、副成分としてＭｎ化合物およびＴａ化合物を
含有することを特徴とする、高周波用誘電体磁器組成
物。 - 【請求項２】 金属元素としてＢａ、Ｔｉ並びにＳｍお
よびＮｄのうちの少なくとも１種を含み、次の一般式で
表わしたとき（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％、αはモル
比）、 ｘＢａＯ−ｙ｛（１−α）Ｓｍ2Ｏ3−αＮｄ2Ｏ3｝−ｚ
ＴｉＯ2 ｘ、ｙ、ｚおよびαがそれぞれ、 １３．０≦ｘ≦２３．０ ０＜ｙ≦１２．０ ７５．０≦ｚ≦８３．０ ０≦α≦１ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ の関係を満足する主成分１００重量部に対して、 副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．３重
量部以下（０を含まず）、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算
して１．０重量部以下（０を含まず）、それぞれ含有す
ることを特徴とする、高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記Ｔｉ元素１００モル％のうちの１．
５モル％以下がＺｒで置換されていることを特徴とす
る、請求項２に記載の高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 金属元素としてＢａ、ＴｉおよびＳｍを
含み、次の一般式で表わしたとき（ただし、ｘ、ｙ、ｚ
はモル％）、 ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2 ｘ、ｙ、ｚがそれぞれ、 １７．０≦ｘ≦１９．０ １．０≦ｙ≦６．０ ７７．０≦ｚ≦８１．０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ の関係を満足する主成分１００重量部に対して、 副成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯに換算して０．３重
量部以下（０を含まず）、Ｔａ化合物をＴａ2Ｏ5に換算
して１．０重量部以下（０を含まず）、それぞれ含有す
ることを特徴とする、高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記Ｔｉ元素１００モル％のうちの１．
５モル％以下がＺｒで置換されていることを特徴とす
る、請求項４に記載の高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 前記Ｓｍ元素１００モル％のうちの５０
モル％以下がＬａ、Ｃｅ、およびＰｒのうちの少なくと
も１種で置換されていることを特徴とする、請求項４ま
たは５に記載の高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項７】 さらに副成分として、前記主成分１００
重量部に対して、Ｎｂ化合物をＮｂ2Ｏ5に換算して０．
５重量部以下含有することを特徴とする、請求項４から
６のいずれかに記載の高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項８】 誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合し
て作動する、誘電体共振器において、前記誘電体磁器
は、請求項1から７のいずれかに記載の高周波用誘電体
磁器組成物からなることを特徴とする、誘電体共振器。 - 【請求項９】 前記誘電体磁器の表面に銅めっき導体が
形成されていることを特徴とする、請求項８に記載の誘
電体共振器。 - 【請求項１０】 請求項８または９に記載の誘電体共振
器に外部結合手段を含んでなることを特徴とする、誘電
体フィルタ。 - 【請求項１１】 少なくとも２つの誘電体フィルタと、
該誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手
段と、前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ
接続手段とを含んでなる誘電体デュプレクサであって、
前記誘電体フィルタの少なくとも１つが請求項１０に記
載の誘電体フィルタであることを特徴とする、誘電体デ
ュプレクサ。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の誘電体デュプレク
サと、該誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力
接続手段に接続される送信用回路と、該送信用回路に接
続される前記入出力接続手段と異なる少なくとも１つの
入出力接続手段に接続される受信用回路と、前記誘電体
デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナ
とを含んでなることを特徴とする、通信機装置。
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