JP2002056784A - マグネトロン - Google Patents
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- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
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- H01J25/50—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
- H01J25/52—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode
- H01J25/58—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode having a number of resonators; having a composite resonator, e.g. a helix
- H01J25/587—Multi-cavity magnetrons
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- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ステム絶縁体の筒状金属容器の接合面とカソー
ドリードの接合面との間で発生する放電を確実に防止で
きることを課題とする。 【解決手段】ステム絶縁体６の筒状金属容器１６の接合
面１０とカソードリード２ａ、２ｂとの接合面９に環状
凹溝１１を形成して、前記接合面９、１０に形成される
メタライズ層８を前記環状凹溝１１の周縁部１２、１３
から隔離して形成させた。
ドリードの接合面との間で発生する放電を確実に防止で
きることを課題とする。 【解決手段】ステム絶縁体６の筒状金属容器１６の接合
面１０とカソードリード２ａ、２ｂとの接合面９に環状
凹溝１１を形成して、前記接合面９、１０に形成される
メタライズ層８を前記環状凹溝１１の周縁部１２、１３
から隔離して形成させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子レンジ等に搭
載されマイクロ波を発生させるマグネトロンに関する。
載されマイクロ波を発生させるマグネトロンに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子レンジ用マグネトロンのカソ
ード部分は、例えば特公平６−９７５９５号公報（Ｈ０
１Ｊ ２３／０４、 Ｈ０１Ｊ ２３／１４）に記載さ
れているように、コイル状に巻かれたフィラメントの両
端がそれぞれ一対のエンドハットに固着され、このエン
ドハットにはモリブデン（Ｍｏ）などで形成されたカソ
ードリードが固着されている。これらのカソードリード
はセラミックステムの貫通孔を貫通して外部に延設さ
れ、このセラミックステムの外周のメタライズ面には、
図示してない別途組み立てられたアノード部が上部に固
着される筒状金属容器が銀ロウなどによりロウ付けされ
ている。前述のカソードリードは、セラミックステムの
メタライズ面に金属接合板を媒材として銀ロウ材などに
より気密封止されている。
ード部分は、例えば特公平６−９７５９５号公報（Ｈ０
１Ｊ ２３／０４、 Ｈ０１Ｊ ２３／１４）に記載さ
れているように、コイル状に巻かれたフィラメントの両
端がそれぞれ一対のエンドハットに固着され、このエン
ドハットにはモリブデン（Ｍｏ）などで形成されたカソ
ードリードが固着されている。これらのカソードリード
はセラミックステムの貫通孔を貫通して外部に延設さ
れ、このセラミックステムの外周のメタライズ面には、
図示してない別途組み立てられたアノード部が上部に固
着される筒状金属容器が銀ロウなどによりロウ付けされ
ている。前述のカソードリードは、セラミックステムの
メタライズ面に金属接合板を媒材として銀ロウ材などに
より気密封止されている。
【０００３】このような構造のマグネトロンでは、一般
にアノード部と一体接合される筒状金属容器はアース電
位とされ、それに対してフィラメント、カソードリード
などで構成されるカソード部には負のたとえば、４ｋＶ
の高電圧が印加されて動作する。したがって、セラミッ
クステムの周囲のメタライズ面にロウ付けされた筒状金
属容器の端部とカソードリードをセラミックステムにロ
ウ付けする際に使用した金属接合板とのあいだで放電を
生じ易い。これはこれらの接合部にはそれぞれメタライ
ズ面があり、周縁が粗面となるうえに、気密接合に用い
る銀ロウが周縁で成長し、無数の針状突起部を形成し、
針状電極になると共に間隔が狭くなるためである。
にアノード部と一体接合される筒状金属容器はアース電
位とされ、それに対してフィラメント、カソードリード
などで構成されるカソード部には負のたとえば、４ｋＶ
の高電圧が印加されて動作する。したがって、セラミッ
クステムの周囲のメタライズ面にロウ付けされた筒状金
属容器の端部とカソードリードをセラミックステムにロ
ウ付けする際に使用した金属接合板とのあいだで放電を
生じ易い。これはこれらの接合部にはそれぞれメタライ
ズ面があり、周縁が粗面となるうえに、気密接合に用い
る銀ロウが周縁で成長し、無数の針状突起部を形成し、
針状電極になると共に間隔が狭くなるためである。
【０００４】とくに、リーケージトランスを使用する電
子レンジでは、フィラメントを予熱することなく電源を
ONにすると、フィラメントから電子が放出されない初期
段階において、マグネトロンに８〜１０ｋＶの無負荷電
圧が加わり、前述の気密封止したメタライズ部で放電が
起き、サージ電圧を誘起して高圧部品を破壊する。
子レンジでは、フィラメントを予熱することなく電源を
ONにすると、フィラメントから電子が放出されない初期
段階において、マグネトロンに８〜１０ｋＶの無負荷電
圧が加わり、前述の気密封止したメタライズ部で放電が
起き、サージ電圧を誘起して高圧部品を破壊する。
【０００５】このような不都合を解消するために、筒状
金属容器が接合されるメタライズ面とカソードリードが
接合されるメタライズ面とのあいだに環状凹溝を形成
し、筒状金属容器や金属接合板を環状凹溝の上面に張り
出させることにより、ロウ材の針状突起部を導電体で電
気的に覆い、無電界層を形成して放電を防止するように
されている。
金属容器が接合されるメタライズ面とカソードリードが
接合されるメタライズ面とのあいだに環状凹溝を形成
し、筒状金属容器や金属接合板を環状凹溝の上面に張り
出させることにより、ロウ材の針状突起部を導電体で電
気的に覆い、無電界層を形成して放電を防止するように
されている。
【０００６】しかし、前述のような対策を施した構造で
は、筒状金属容器や金属接合板を環状凹溝の上面に張り
出させているため、筒状金属容器や金属接合板の形状大
きくなりコストが高くなるとともに、筒状金属容器と金
属接合板との間隔が狭くなることによって完全に放電を
防止することができないという問題があった。
は、筒状金属容器や金属接合板を環状凹溝の上面に張り
出させているため、筒状金属容器や金属接合板の形状大
きくなりコストが高くなるとともに、筒状金属容器と金
属接合板との間隔が狭くなることによって完全に放電を
防止することができないという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ステム絶縁
体の筒状金属容器の接合面とカソードリードの接合面と
の間で発生する放電を確実に防止できるマグネトロンを
提供することを課題とする。
体の筒状金属容器の接合面とカソードリードの接合面と
の間で発生する放電を確実に防止できるマグネトロンを
提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、アノード部に
気密接合され真空容器の一部を構成する筒状金属容器
と、該筒状金属容器の開口端部がその周囲に気密接合さ
れるステム絶縁体と、前記アノード部の中心軸部にフィ
ラメントが配置されたカソードと、該カソードを支持し
前記ステム絶縁体の中心部に気密接合された金属接合板
に固着される一対のカソードリードとを具備するマグネ
トロンにおいて、前記ステム絶縁体の前記筒状金属容器
との接合面と前記カソードリードとの接合面との間に環
状凹溝が形成され、前記筒状金属容器の接合面と前記カ
ソードリードの接合面に形成されるメタライズ層を前記
環状凹溝の周縁部から隔離して配置し、前記筒状金属容
器の開口端部と前記金属接合板は前記メタライズ層より
も内側に張り出していることを特徴とする。
気密接合され真空容器の一部を構成する筒状金属容器
と、該筒状金属容器の開口端部がその周囲に気密接合さ
れるステム絶縁体と、前記アノード部の中心軸部にフィ
ラメントが配置されたカソードと、該カソードを支持し
前記ステム絶縁体の中心部に気密接合された金属接合板
に固着される一対のカソードリードとを具備するマグネ
トロンにおいて、前記ステム絶縁体の前記筒状金属容器
との接合面と前記カソードリードとの接合面との間に環
状凹溝が形成され、前記筒状金属容器の接合面と前記カ
ソードリードの接合面に形成されるメタライズ層を前記
環状凹溝の周縁部から隔離して配置し、前記筒状金属容
器の開口端部と前記金属接合板は前記メタライズ層より
も内側に張り出していることを特徴とする。
【０００９】上記構成によって、前記メタライズ層は前
記環状凹溝の周縁部の接合面には形成されていないの
で、気密接合に用いる銀ろう材等で形成される針状突起
部は前記メタライズ層の周縁部では形成されても前記環
状凹溝の周縁部には形成されなくなる。従って、前記筒
状金属容器の開口端部と前記金属接合板との間隔を狭め
ることなく、前記メタライズ層の周縁部で形成された前
記針状突起部を金属の導電体で電気的に覆い無電界層を
形成させることができるので、前記カソードから電子が
放出されない初期段階において、前記カソードに８〜１
０ｋＶの無負荷電圧が印加されても確実に放電を防止す
ることができる。
記環状凹溝の周縁部の接合面には形成されていないの
で、気密接合に用いる銀ろう材等で形成される針状突起
部は前記メタライズ層の周縁部では形成されても前記環
状凹溝の周縁部には形成されなくなる。従って、前記筒
状金属容器の開口端部と前記金属接合板との間隔を狭め
ることなく、前記メタライズ層の周縁部で形成された前
記針状突起部を金属の導電体で電気的に覆い無電界層を
形成させることができるので、前記カソードから電子が
放出されない初期段階において、前記カソードに８〜１
０ｋＶの無負荷電圧が印加されても確実に放電を防止す
ることができる。
【００１０】また、前記筒状金属容器の接合面と、前記
カソードリードの接合面は同一平面上に位置し、前記メ
タライズ層は、パターン印刷で形成されることを特徴と
するので、前記接合面と同一平面上にある前記環状凹溝
の周縁部を除いた塗布領域の設定が簡単にできるため、
塗布作業を低下させることなく前記メタライズ層を形成
させることができる。
カソードリードの接合面は同一平面上に位置し、前記メ
タライズ層は、パターン印刷で形成されることを特徴と
するので、前記接合面と同一平面上にある前記環状凹溝
の周縁部を除いた塗布領域の設定が簡単にできるため、
塗布作業を低下させることなく前記メタライズ層を形成
させることができる。
【００１１】また、アノード部に気密接合され真空容器
の一部を構成する筒状金属容器と、該筒状金属容器の開
口端部がその周囲に気密接合されるステム絶縁体と、前
記アノード部の中心軸部にフィラメントが配置されたカ
ソードと、該カソードを支持し前記ステム絶縁体の中心
部に気密接合された金属接合板に固着される一対のカソ
ードリードとを具備するマグネトロンにおいて、前記ス
テム絶縁体の前記筒状金属容器との接合面と前記カソー
ドリードとの接合面との間に環状凹溝が形成され、前記
接合面にはメタライズ層が形成され、前記環状凹溝の周
縁部に前記接合面よりも低い段部を形成したことを特徴
とする。
の一部を構成する筒状金属容器と、該筒状金属容器の開
口端部がその周囲に気密接合されるステム絶縁体と、前
記アノード部の中心軸部にフィラメントが配置されたカ
ソードと、該カソードを支持し前記ステム絶縁体の中心
部に気密接合された金属接合板に固着される一対のカソ
ードリードとを具備するマグネトロンにおいて、前記ス
テム絶縁体の前記筒状金属容器との接合面と前記カソー
ドリードとの接合面との間に環状凹溝が形成され、前記
接合面にはメタライズ層が形成され、前記環状凹溝の周
縁部に前記接合面よりも低い段部を形成したことを特徴
とする。
【００１２】上記構成によって、前記段部が気密接合に
用いる銀ろう材等の成長を止めるので、前記環状凹溝の
周縁部には前記針状突起部が形成されなくなり、前記筒
状金属容器の開口端部と前記金属接合板との間隔を狭め
ることなく、金属の導電体が前記針状突起部を前記凹溝
手前で電気的に覆い無電界層を形成させることができる
ので、前記カソードから電子が放出されない初期段階に
おいて、前記カソードに８〜１０ｋＶの無負荷電圧が印
加されても確実に放電を防止することができる。
用いる銀ろう材等の成長を止めるので、前記環状凹溝の
周縁部には前記針状突起部が形成されなくなり、前記筒
状金属容器の開口端部と前記金属接合板との間隔を狭め
ることなく、金属の導電体が前記針状突起部を前記凹溝
手前で電気的に覆い無電界層を形成させることができる
ので、前記カソードから電子が放出されない初期段階に
おいて、前記カソードに８〜１０ｋＶの無負荷電圧が印
加されても確実に放電を防止することができる。
【００１３】また、前記筒状金属容器の接合面と、前記
カソードリードの接合面は同一平面上に位置することを
特徴とするので、前記接合面にろう付けのために必要な
モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）の塗布して前記
メタライズ層を形成させる作業が、例えば１回のスクリ
ーン塗布でできるので、前記ステム絶縁体の生産性を向
上させることができる。
カソードリードの接合面は同一平面上に位置することを
特徴とするので、前記接合面にろう付けのために必要な
モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）の塗布して前記
メタライズ層を形成させる作業が、例えば１回のスクリ
ーン塗布でできるので、前記ステム絶縁体の生産性を向
上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例について、
図面に基づき詳述する。
図面に基づき詳述する。
【００１５】図１は、本発明の第１の実施例を示すマグ
ネトロンの要部縦断面図、図２は、図１の拡大図、図３
は、同ステム絶縁体の平面図である。
ネトロンの要部縦断面図、図２は、図１の拡大図、図３
は、同ステム絶縁体の平面図である。
【００１６】１は、一対のカソードリード２ａ、２ｂの
両端間にトップハット３及びエンドハット４を介して挟
持されたフィラメント５で構成されるカソードで、該カ
ソード１は、前記カソードリード２ａ、２ｂからの給電
を受けることによって前記フィラメント５から熱電子が
放射される。
両端間にトップハット３及びエンドハット４を介して挟
持されたフィラメント５で構成されるカソードで、該カ
ソード１は、前記カソードリード２ａ、２ｂからの給電
を受けることによって前記フィラメント５から熱電子が
放射される。
【００１７】６は、アルミナセラミック等から成る高耐
熱性のステム絶縁体で、一対の貫通孔７ａ、７ｂに前記
カソードリード２ａ、２ｂが挿通している。
熱性のステム絶縁体で、一対の貫通孔７ａ、７ｂに前記
カソードリード２ａ、２ｂが挿通している。
【００１８】８は、モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍ
ｎ）のペーストが塗布されたメタライズ層で、該メタラ
イズ層８は前記カソードリード２ａ、２ｂを接合する接
合面９と、後述する筒状金属容器１６を接合する接合面
１０に形成され、前記接合面９、１０の間に形成された
環状凹溝１１の周縁部１２、１３を除いてパターン印刷
できるようになっている。また、ろう付けを向上させる
ために前記メタライズ層８の表面にはニッケル（Ｎｉ）
メッキが施され、前記接合面９、１０は、前記ステム絶
縁体６の同一平面上に位置している。
ｎ）のペーストが塗布されたメタライズ層で、該メタラ
イズ層８は前記カソードリード２ａ、２ｂを接合する接
合面９と、後述する筒状金属容器１６を接合する接合面
１０に形成され、前記接合面９、１０の間に形成された
環状凹溝１１の周縁部１２、１３を除いてパターン印刷
できるようになっている。また、ろう付けを向上させる
ために前記メタライズ層８の表面にはニッケル（Ｎｉ）
メッキが施され、前記接合面９、１０は、前記ステム絶
縁体６の同一平面上に位置している。
【００１９】１４ａ、１４ｂは、前記カソードリード２
ａ、２ｂを固定する金属接合板で、該金属接合板１４
ａ、１４ｂは、中央溝１５で電気的に分離され、前記貫
通孔７ａ、７ｂの周縁に形成された前記カソードリード
２ａ、２ｂの接合面９にろう付けによって気密接合され
ている。また、前記金属接合板１４ａ、１４ｂは、前記
メタライズ層８よりも前記環状凹溝１１側に張り出して
接合されている。
ａ、２ｂを固定する金属接合板で、該金属接合板１４
ａ、１４ｂは、中央溝１５で電気的に分離され、前記貫
通孔７ａ、７ｂの周縁に形成された前記カソードリード
２ａ、２ｂの接合面９にろう付けによって気密接合され
ている。また、前記金属接合板１４ａ、１４ｂは、前記
メタライズ層８よりも前記環状凹溝１１側に張り出して
接合されている。
【００２０】１６は、アノード部（図示せず）に気密接
合され真空容器の一部を構成する筒状金属容器で、該筒
状金属容器１６の開口端部１６ａは、前記ステム絶縁体
６の表面外周縁に形成された前記筒状金属容器１６の接
合面１０にろう付けによって気密接合されている。ま
た、前記開口端部１６ａは、前記メタライズ層８よりも
前記カソード１側に張り出して接合されている。
合され真空容器の一部を構成する筒状金属容器で、該筒
状金属容器１６の開口端部１６ａは、前記ステム絶縁体
６の表面外周縁に形成された前記筒状金属容器１６の接
合面１０にろう付けによって気密接合されている。ま
た、前記開口端部１６ａは、前記メタライズ層８よりも
前記カソード１側に張り出して接合されている。
【００２１】上記構成によって、前記メタライズ層８
は、前記環状凹溝１１の周縁部１２、１３には形成され
ないので、気密接合に用いる銀ろう材等で形成される針
状突起部は前記メタライズ層８の周縁部では形成されて
も前記環状凹溝１１の周縁部１２、１３には形成されな
い。従って、前記筒状金属容器１６の開口端部１６ａと
前記金属接合板１４ａ、１４ｂとの間隔を狭めることな
く無電界層を形成させることができるので、前記カソー
ド１から電子が放出されない初期段階において、前記カ
ソード１に８〜１０ｋＶの無負荷電圧が印加されても確
実に放電を防止することができる。
は、前記環状凹溝１１の周縁部１２、１３には形成され
ないので、気密接合に用いる銀ろう材等で形成される針
状突起部は前記メタライズ層８の周縁部では形成されて
も前記環状凹溝１１の周縁部１２、１３には形成されな
い。従って、前記筒状金属容器１６の開口端部１６ａと
前記金属接合板１４ａ、１４ｂとの間隔を狭めることな
く無電界層を形成させることができるので、前記カソー
ド１から電子が放出されない初期段階において、前記カ
ソード１に８〜１０ｋＶの無負荷電圧が印加されても確
実に放電を防止することができる。
【００２２】また、モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍ
ｎ）のペーストを塗布領域の設定ができるパターン印刷
で前記接合面９、１０に塗布しているので、前記接合面
９、１０と同一平面上にある周縁部１２、１３を除いて
簡単に塗布することができる。
ｎ）のペーストを塗布領域の設定ができるパターン印刷
で前記接合面９、１０に塗布しているので、前記接合面
９、１０と同一平面上にある周縁部１２、１３を除いて
簡単に塗布することができる。
【００２３】次に、本発明の第２の実施例について、図
面に基づき説明する。尚、前述した第１実施例と同一構
成については、同一図番を付与し、説明を省略する。
面に基づき説明する。尚、前述した第１実施例と同一構
成については、同一図番を付与し、説明を省略する。
【００２４】図４は、本発明の第２の実施例を示すマグ
ネトロンの要部縦断面図、図５は、図４の拡大図であ
る。
ネトロンの要部縦断面図、図５は、図４の拡大図であ
る。
【００２５】１７は、前記環状凹溝１１の周縁部に形成
された段部であり、該段部１７には前記メタライズ層８
は形成されないようにしてある。
された段部であり、該段部１７には前記メタライズ層８
は形成されないようにしてある。
【００２６】上記構成によって、前記メタライズ層８が
前記段部１７には形成されないので、気密接合に用いる
銀ろう材等で形成される針状突起部は、前記環状凹溝１
１の周縁部に形成されなくなる。従って、前記筒状金属
容器１６の開口端部１６ａと前記金属接合板１４ａ、１
４ｂとの間隔を狭めることなく無電界層を形成させるこ
とができるので、前記カソード１から電子が放出されな
い初期段階において、前記カソード１に８〜１０ｋＶの
無負荷電圧が印加されても確実に放電を防止することが
できる。
前記段部１７には形成されないので、気密接合に用いる
銀ろう材等で形成される針状突起部は、前記環状凹溝１
１の周縁部に形成されなくなる。従って、前記筒状金属
容器１６の開口端部１６ａと前記金属接合板１４ａ、１
４ｂとの間隔を狭めることなく無電界層を形成させるこ
とができるので、前記カソード１から電子が放出されな
い初期段階において、前記カソード１に８〜１０ｋＶの
無負荷電圧が印加されても確実に放電を防止することが
できる。
【００２７】また、前記接合面９、１０は前記ステム絶
縁体６の同一平面上に位置しているので、ろう付けのた
めに必要なモリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）を塗
布して前記メタライズ層８を形成させる作業が、例えば
１回のスクリーン塗布でできるので、前記ステム絶縁体
６の生産性を向上させることができる。
縁体６の同一平面上に位置しているので、ろう付けのた
めに必要なモリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）を塗
布して前記メタライズ層８を形成させる作業が、例えば
１回のスクリーン塗布でできるので、前記ステム絶縁体
６の生産性を向上させることができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明の請求項１によると、ステム絶縁
体の筒状金属容器との接合面とカソードリードとの接合
面との間に環状凹溝が形成され、前記筒状金属容器の接
合面と前記カソードリードの接合面に形成されるメタラ
イズ層を前記環状凹溝の両側周縁部から隔離して形成
し、前記筒状金属容器の開口端部と前記金属接合板は前
記メタライズ層よりも内側に張り出すことにしたので、
前記筒状金属容器の開口端部と前記金属接合板との間隔
を狭めることなく、前記メタライズ層の周縁部で形成さ
れた前記針状突起部を金属の導電体で電気的に覆い無電
界層を形成させることができ、前記カソードから電子が
放出されない初期段階において、前記カソードに８〜１
０ｋＶの無負荷電圧が印加されても確実に放電を防止す
ることができる。また、前記メタライズ層の形成される
面積が小さくなるので、前記メタライズ層の材料である
モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）の使用量も少な
くなるので、材料コストを低減することができる等の効
果を奏する。
体の筒状金属容器との接合面とカソードリードとの接合
面との間に環状凹溝が形成され、前記筒状金属容器の接
合面と前記カソードリードの接合面に形成されるメタラ
イズ層を前記環状凹溝の両側周縁部から隔離して形成
し、前記筒状金属容器の開口端部と前記金属接合板は前
記メタライズ層よりも内側に張り出すことにしたので、
前記筒状金属容器の開口端部と前記金属接合板との間隔
を狭めることなく、前記メタライズ層の周縁部で形成さ
れた前記針状突起部を金属の導電体で電気的に覆い無電
界層を形成させることができ、前記カソードから電子が
放出されない初期段階において、前記カソードに８〜１
０ｋＶの無負荷電圧が印加されても確実に放電を防止す
ることができる。また、前記メタライズ層の形成される
面積が小さくなるので、前記メタライズ層の材料である
モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）の使用量も少な
くなるので、材料コストを低減することができる等の効
果を奏する。
【００２９】本発明の請求項２によると、前記筒状金属
容器の接合面と、前記カソードリードの接合面は同一平
面上に位置し、前記メタライズ層は、パターン印刷で形
成されるようにしたので、前記接合面と同一平面上にあ
る前記環状凹溝の周縁部を除いた塗布領域の設定が簡単
にできるため、塗布作業を低下させずに前記メタライズ
層を形成させることができる等の効果を奏する。
容器の接合面と、前記カソードリードの接合面は同一平
面上に位置し、前記メタライズ層は、パターン印刷で形
成されるようにしたので、前記接合面と同一平面上にあ
る前記環状凹溝の周縁部を除いた塗布領域の設定が簡単
にできるため、塗布作業を低下させずに前記メタライズ
層を形成させることができる等の効果を奏する。
【００３０】本発明の請求項３によると、前記ステム絶
縁体の前記筒状金属容器の接合面と前記カソードリード
の接合面との間に環状凹溝が形成され、前記接合面には
メタライズ層が形成され、前記環状凹溝の周縁部に前記
接合面よりも低い段部を形成するようにしたので、前記
段部が気密接合に用いる銀ろう材等の成長を止めるので
前記環状凹溝の周縁部には前記針状突起部が形成されな
くなるので、前記筒状金属容器の開口端部と前記金属接
合板との間隔を狭めることなく、金属の導電体が前記針
状突起部を前記凹溝手前で電気的に覆い無電界層を形成
させることができる。従って、前記カソードから電子が
放出されない初期段階において、前記カソードに８〜１
０ｋＶの無負荷電圧が印加されても確実に放電を防止す
ることができる。また、前記メタライズ層の形成される
面積が小さくなるので、前記メタライズ層の材料である
モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）の使用量も少な
くなるので、材料コストを低減することができる等の効
果を奏する。
縁体の前記筒状金属容器の接合面と前記カソードリード
の接合面との間に環状凹溝が形成され、前記接合面には
メタライズ層が形成され、前記環状凹溝の周縁部に前記
接合面よりも低い段部を形成するようにしたので、前記
段部が気密接合に用いる銀ろう材等の成長を止めるので
前記環状凹溝の周縁部には前記針状突起部が形成されな
くなるので、前記筒状金属容器の開口端部と前記金属接
合板との間隔を狭めることなく、金属の導電体が前記針
状突起部を前記凹溝手前で電気的に覆い無電界層を形成
させることができる。従って、前記カソードから電子が
放出されない初期段階において、前記カソードに８〜１
０ｋＶの無負荷電圧が印加されても確実に放電を防止す
ることができる。また、前記メタライズ層の形成される
面積が小さくなるので、前記メタライズ層の材料である
モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）の使用量も少な
くなるので、材料コストを低減することができる等の効
果を奏する。
【００３１】本発明の請求項４によると、前記筒状金属
容器の接合面と、前記カソードリードの接合面は同一平
面上に位置することにしたので、前記接合面にろう付け
のために必要なモリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）
の塗布して前記メタライズ層を形成させる作業が、例え
ば１回のスクリーン塗布でできるので、前記ステム絶縁
体の生産性を向上させることができる等の効果を奏す
る。
容器の接合面と、前記カソードリードの接合面は同一平
面上に位置することにしたので、前記接合面にろう付け
のために必要なモリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）
の塗布して前記メタライズ層を形成させる作業が、例え
ば１回のスクリーン塗布でできるので、前記ステム絶縁
体の生産性を向上させることができる等の効果を奏す
る。
【図１】本発明の第１の実施例を示すマグネトロンの要
部縦断面図である。
部縦断面図である。
【図２】図１の拡大図である。
【図３】同ステム絶縁体の平面図である。
【図４】本発明の第２の実施例を示すマグネトロンの要
部縦断面図である。
部縦断面図である。
【図５】図４の拡大図である。
１６ 筒状金属容器 １６ａ 開口端部 ６ ステム絶縁体 ５ フィラメント １ カソード １４ａ、１４ｂ 金属接合板 ２ａ、２ｂ カソードリード １０ 筒状金属容器の接合面 ９ カソードリードの接合面 １１ 環状凹溝 ８ メタライズ層 １２、１３ 周縁部 １７ 段部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 節雄 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 岡田 則幸 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 中井 聡 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5C029 HH03
Claims (4)
- 【請求項１】 アノード部に気密接合され真空容器の一
部を構成する筒状金属容器と、該筒状金属容器の開口端
部がその周囲に気密接合されるステム絶縁体と、前記ア
ノード部の中心軸部にフィラメントが配置されたカソー
ドと、該カソードを支持し前記ステム絶縁体の中心部に
気密接合された金属接合板に固着される一対のカソード
リードとを具備するマグネトロンにおいて、前記ステム
絶縁体の前記筒状金属容器との接合面と前記カソードリ
ードとの接合面との間に環状凹溝が形成され、前記筒状
金属容器の接合面と前記カソードリードの接合面に形成
されるメタライズ層を前記環状凹溝の周縁部から隔離し
て配置し、前記筒状金属容器の開口端部と前記金属接合
板は前記メタライズ層よりも内側に張り出していること
を特徴とするマグネトロン。 - 【請求項２】 前記筒状金属容器の接合面と、前記カソ
ードリードの接合面は同一平面上に位置し、前記メタラ
イズ層は、パターン印刷で形成されることを特徴とする
請求項１記載のマグネトロン。 - 【請求項３】 アノード部に気密接合され真空容器の一
部を構成する筒状金属容器と、該筒状金属容器の開口端
部がその周囲に気密接合されるステム絶縁体と、前記ア
ノード部の中心軸部にフィラメントが配置されたカソー
ドと、該カソードを支持し前記ステム絶縁体の中心部に
気密接合された金属接合板に固着される一対のカソード
リードとを具備するマグネトロンにおいて、前記ステム
絶縁体の前記筒状金属容器との接合面と前記カソードリ
ードとの接合面との間に環状凹溝が形成され、前記接合
面にはメタライズ層が形成され、前記環状凹溝の周縁部
に前記接合面よりも低い段部を形成したことを特徴とす
るマグネトロン。 - 【請求項４】 前記筒状金属容器の接合面と、前記カソ
ードリードの接合面は同一平面上に位置することを特徴
とする請求項３記載のマグネトロン。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000241947A JP2002056784A (ja) | 2000-08-10 | 2000-08-10 | マグネトロン |
| KR10-2001-0035039A KR100414192B1 (ko) | 2000-08-10 | 2001-06-20 | 마그네트론 |
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| US09/924,386 US6633131B2 (en) | 2000-08-10 | 2001-08-08 | Magnetron |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000241947A JP2002056784A (ja) | 2000-08-10 | 2000-08-10 | マグネトロン |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002056784A true JP2002056784A (ja) | 2002-02-22 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000241947A Pending JP2002056784A (ja) | 2000-08-10 | 2000-08-10 | マグネトロン |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6633131B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002056784A (ja) |
| KR (1) | KR100414192B1 (ja) |
| CN (1) | CN1125477C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009205949A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Panasonic Corp | マグネトロン |
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| CN100477059C (zh) * | 2005-04-25 | 2009-04-08 | 佛山市美的日用家电集团有限公司 | 真空管阴极组件的制作方法 |
| JP2008108540A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
| US8081810B2 (en) * | 2007-03-22 | 2011-12-20 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Recognizing a real world fiducial in image data of a patient |
| CN103346055B (zh) * | 2013-06-21 | 2016-04-13 | 无锡康伟工程陶瓷有限公司 | 磁控管用金属化a侧陶瓷 |
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|---|---|---|---|---|
| DE68913331T2 (de) * | 1988-04-25 | 1994-06-09 | Matsushita Electronics Corp | Magnetron. |
| JP2594315B2 (ja) * | 1988-04-25 | 1997-03-26 | 松下電子工業株式会社 | マグネトロン |
| US5294864A (en) * | 1991-06-25 | 1994-03-15 | Goldstar Co., Ltd. | Magnetron for microwave oven |
| FR2678259B1 (fr) * | 1991-06-26 | 1993-11-05 | Rhone Poulenc Chimie | Nouvelles silices precipitees sous forme de granules ou de poudres, procedes de synthese et utilisation au renforcement des elastomeres. |
| JPH065197A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-14 | Toshiba Corp | マグネトロン |
| JPH0636691A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Toshiba Corp | 電子レンジ用マグネトロン |
| KR0161015B1 (ko) * | 1992-07-28 | 1998-12-01 | 강진구 | 마그네트론의 음극지지구조체 |
| JPH0648151U (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-28 | 株式会社東芝 | 電子レンジ用マグネトロン |
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| US5635797A (en) * | 1994-03-09 | 1997-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetron with improved mode separation |
-
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- 2000-08-10 JP JP2000241947A patent/JP2002056784A/ja active Pending
-
2001
- 2001-06-20 KR KR10-2001-0035039A patent/KR100414192B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-08-03 CN CN01123589A patent/CN1125477C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-08 US US09/924,386 patent/US6633131B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009205949A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Panasonic Corp | マグネトロン |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US6633131B2 (en) | 2003-10-14 |
| CN1125477C (zh) | 2003-10-22 |
| US20020070108A1 (en) | 2002-06-13 |
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| KR20020013381A (ko) | 2002-02-20 |
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|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
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