JPH07161304A - 陰極構体および陰極構体用電界放出型陰極 - Google Patents
陰極構体および陰極構体用電界放出型陰極Info
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- JPH07161304A JPH07161304A JP31146993A JP31146993A JPH07161304A JP H07161304 A JPH07161304 A JP H07161304A JP 31146993 A JP31146993 A JP 31146993A JP 31146993 A JP31146993 A JP 31146993A JP H07161304 A JPH07161304 A JP H07161304A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子の放出特性やフォーカス特性の優れた陰
極構体２５を得る。 【構成】 頂面に窓孔３０が配設されたキャップ状のチ
ップホルダ２７と、このチップホルダ２７の前記窓孔３
０からエミッタエリア１０を露呈すると共にコンタクタ
エリアが前記窓孔３０の裏面周縁部に固着された電界放
出型陰極２６と、周面が前記チップホルダ２７のキャッ
プ内周面に嵌合して装着され、内方に頭部が前記電界放
出型陰極２６の裏面と当接される電極導出リ−ドを植設
したステムとで構成する。
極構体２５を得る。 【構成】 頂面に窓孔３０が配設されたキャップ状のチ
ップホルダ２７と、このチップホルダ２７の前記窓孔３
０からエミッタエリア１０を露呈すると共にコンタクタ
エリアが前記窓孔３０の裏面周縁部に固着された電界放
出型陰極２６と、周面が前記チップホルダ２７のキャッ
プ内周面に嵌合して装着され、内方に頭部が前記電界放
出型陰極２６の裏面と当接される電極導出リ−ドを植設
したステムとで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子放出源に電界放出
型陰極を用いた冷陰極型陰極線管の陰極構体に関する。
型陰極を用いた冷陰極型陰極線管の陰極構体に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種、電界放出型陰極は導電性基体上
に微小冷陰極を多数個パターン状に配設し、該基体上に
電子放出用のエミッタエリアを形成したものであり、従
来の熱陰極に比べて、集積度を上げることにより陰極
電流密度を大きくとれる、低い駆動電圧により大電流
を制御できる、半導体製造技術を利用して製造でき高
精度かつ多量生産に適する、加熱が不要で瞬時起動が
可能である、放出電子速度分布の広がりが小さい等の
特徴があり、平面ディスプレイ、増幅素子、マイクロ波
管、電子ビーム装置、真空計測素子などへの応用が期待
されている。
に微小冷陰極を多数個パターン状に配設し、該基体上に
電子放出用のエミッタエリアを形成したものであり、従
来の熱陰極に比べて、集積度を上げることにより陰極
電流密度を大きくとれる、低い駆動電圧により大電流
を制御できる、半導体製造技術を利用して製造でき高
精度かつ多量生産に適する、加熱が不要で瞬時起動が
可能である、放出電子速度分布の広がりが小さい等の
特徴があり、平面ディスプレイ、増幅素子、マイクロ波
管、電子ビーム装置、真空計測素子などへの応用が期待
されている。
【０００３】例えば、図４は電子放出源に電界放出型陰
極１を用いた本発明の前提となる冷陰極型陰極線管の陰
極構体２の斜視図であり、ハーメ構造のステム３上に３
個の電界放出型陰極１ａ，１ｂ，１ｃを配設し、カラー
テレビやカラーディスプレイのＲ，Ｇ，Ｂ用の３つの陰
極を構成したものである。
極１を用いた本発明の前提となる冷陰極型陰極線管の陰
極構体２の斜視図であり、ハーメ構造のステム３上に３
個の電界放出型陰極１ａ，１ｂ，１ｃを配設し、カラー
テレビやカラーディスプレイのＲ，Ｇ，Ｂ用の３つの陰
極を構成したものである。
【０００４】即ち、ステム３は、図５に断面図示するよ
うに、上面に電界放出型陰極１を固着するマウント部４
を有し、内方に電界放出型陰極１の電極を導出する電極
導出リード５、６を気密に植設したハーメ構造のもので
ある。そして、電界放出型陰極１は、通常の半導体装置
の製造と同様に、その下面側の電極がマウント部４上に
導電性接着剤等で固着されると共に、上面側の電極がワ
イヤ７でボンディングされ、それぞれ電極導出リード
５、６に接続される。
うに、上面に電界放出型陰極１を固着するマウント部４
を有し、内方に電界放出型陰極１の電極を導出する電極
導出リード５、６を気密に植設したハーメ構造のもので
ある。そして、電界放出型陰極１は、通常の半導体装置
の製造と同様に、その下面側の電極がマウント部４上に
導電性接着剤等で固着されると共に、上面側の電極がワ
イヤ７でボンディングされ、それぞれ電極導出リード
５、６に接続される。
【０００５】電界放出型陰極１は、図６に示すように、
導電性を有するＳｉ等の基体８上に多数の微小冷陰極９
を円形や正方形などのパターン状に配設し、該基体６上
に電子を放出するエミッタエリア１０を形成したもので
ある。尚、基体８の表面上端部には電界放出型陰極１の
上面側の電極を導出するためのボンディングエリア１１
が延設して形成されている。
導電性を有するＳｉ等の基体８上に多数の微小冷陰極９
を円形や正方形などのパターン状に配設し、該基体６上
に電子を放出するエミッタエリア１０を形成したもので
ある。尚、基体８の表面上端部には電界放出型陰極１の
上面側の電極を導出するためのボンディングエリア１１
が延設して形成されている。
【０００６】各微小冷陰極９は、図７に示すように、導
電性基体８上に、Ｗ，Ｍｏ等の高融点かつ低仕事関数の
金属で尖鋭な先端形状を有する、例えば円錐状のエミッ
タ電極１２を形成し、その周囲にＳｉＯ2 等の絶縁層１
３を形成し、この絶縁層１３上にＭｏ，Ｗ，Ｃｒ等の高
融点金属からなるゲート電極１４を形成した構造のもの
である。
電性基体８上に、Ｗ，Ｍｏ等の高融点かつ低仕事関数の
金属で尖鋭な先端形状を有する、例えば円錐状のエミッ
タ電極１２を形成し、その周囲にＳｉＯ2 等の絶縁層１
３を形成し、この絶縁層１３上にＭｏ，Ｗ，Ｃｒ等の高
融点金属からなるゲート電極１４を形成した構造のもの
である。
【０００７】かかる構造の微小冷陰極９は半導体製造技
術を用いて製造されるものであり、例えばＳｉ等よりな
る導電性基体８上に順次絶縁層１３及びゲート電極１４
を形成し、これらを所定パターンで窓明けし、その窓明
け部分１５の基体８上にエミッタ電極１２を形成したも
のであり、ゲート電極１４は絶縁層１３の窓明け部分１
５の端縁上から開口部１６に庇状に突出させて形成さ
れ、エミッタ電極１２に対する対向電極として形成され
ている。
術を用いて製造されるものであり、例えばＳｉ等よりな
る導電性基体８上に順次絶縁層１３及びゲート電極１４
を形成し、これらを所定パターンで窓明けし、その窓明
け部分１５の基体８上にエミッタ電極１２を形成したも
のであり、ゲート電極１４は絶縁層１３の窓明け部分１
５の端縁上から開口部１６に庇状に突出させて形成さ
れ、エミッタ電極１２に対する対向電極として形成され
ている。
【０００８】このような構造の微小冷陰極９はゲート電
極１４とエミッタ電極１２間に直流電圧を印加すると、
エミッタ電極１２の尖った頂端に電界が集中し、この頂
端から両電極間の電位差による電界に応じた量の電子が
矢印方向に放出する。例えば、エミッタ電極１２の直径
を１μｍ程度の大きさとする場合、エミッタ電極１２と
ゲート電極１４間に５０〜１００ｖの電圧を印加する
と、各微小冷陰極９より１μＡ程度の電子が放出され
る。
極１４とエミッタ電極１２間に直流電圧を印加すると、
エミッタ電極１２の尖った頂端に電界が集中し、この頂
端から両電極間の電位差による電界に応じた量の電子が
矢印方向に放出する。例えば、エミッタ電極１２の直径
を１μｍ程度の大きさとする場合、エミッタ電極１２と
ゲート電極１４間に５０〜１００ｖの電圧を印加する
と、各微小冷陰極９より１μＡ程度の電子が放出され
る。
【０００９】従って、上記電界放出型陰極１は陰極線管
の陰極電流として必要な３００〜５００μＡ程度の電子
ビーム値が得られるように、微小冷陰極９を数百乃至数
万個と高集積度で形成している。
の陰極電流として必要な３００〜５００μＡ程度の電子
ビーム値が得られるように、微小冷陰極９を数百乃至数
万個と高集積度で形成している。
【００１０】かかる陰極構体２を電子銃に組込んだ陰極
線管は冷陰極タイプであり、瞬時起動や、長寿命化が達
成できる上、各微小冷陰極９は半導体製造技術により多
数個を高密度、高精度で製造できる利点がある。
線管は冷陰極タイプであり、瞬時起動や、長寿命化が達
成できる上、各微小冷陰極９は半導体製造技術により多
数個を高密度、高精度で製造できる利点がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに優れた特徴を有する電界放出型陰極１を搭載した陰
極構体２を、図８に示すように、電子銃１７に組込み、
陰極線管バルブ１８のネック１９部に封入して冷陰極型
陰極線管２０を作成するとき、電子銃１７は陰極構体２
から放射される電子を集束して電子ビームＬを形成しこ
れを加速して蛍光面２１上に集束するための複数の制御
電極Ｇ１〜Ｇｎを有すると共に、最終の制御電極Ｇｎは
ネック部やコーン部の内面に付着した導電膜２２に接続
され、更に導電膜２２は蛍光面２１を覆っているアルミ
膜に接続されて高電圧の陽極電圧が印加されており、電
界放出型陰極１は高電界中に曝されている。
うに優れた特徴を有する電界放出型陰極１を搭載した陰
極構体２を、図８に示すように、電子銃１７に組込み、
陰極線管バルブ１８のネック１９部に封入して冷陰極型
陰極線管２０を作成するとき、電子銃１７は陰極構体２
から放射される電子を集束して電子ビームＬを形成しこ
れを加速して蛍光面２１上に集束するための複数の制御
電極Ｇ１〜Ｇｎを有すると共に、最終の制御電極Ｇｎは
ネック部やコーン部の内面に付着した導電膜２２に接続
され、更に導電膜２２は蛍光面２１を覆っているアルミ
膜に接続されて高電圧の陽極電圧が印加されており、電
界放出型陰極１は高電界中に曝されている。
【００１２】而して、上記電界放出型陰極１はゲート電
極１４を導出するワイヤ７が電界放出型陰極１の前面側
に突出しており、これが高電圧を印加される陰極線管内
に剥出し状態で配置されるため、放電等により切断する
恐れがあり、信頼性が低下する恐れがあった。
極１４を導出するワイヤ７が電界放出型陰極１の前面側
に突出しており、これが高電圧を印加される陰極線管内
に剥出し状態で配置されるため、放電等により切断する
恐れがあり、信頼性が低下する恐れがあった。
【００１３】また、電子銃１７は電子を集束する第１制
御電極Ｇ１を電界放出型陰極１と接近して配置する必要
があるが、ワイヤ７が電界放出型陰極１の表面側に突出
しているため、この配置を制限する。このため、放出電
子を所望の小さなスポット状電子ビームに集束させるこ
とができず、明瞭なフォーカス特性が得にくいものであ
った。
御電極Ｇ１を電界放出型陰極１と接近して配置する必要
があるが、ワイヤ７が電界放出型陰極１の表面側に突出
しているため、この配置を制限する。このため、放出電
子を所望の小さなスポット状電子ビームに集束させるこ
とができず、明瞭なフォーカス特性が得にくいものであ
った。
【００１４】したがって、本発明は上記電界放出型陰極
を搭載した陰極構体の問題に鑑みなされたものであり、
電界放出型陰極の表面側のゲート電極をワイヤ等が陰極
の表面側に突出することなく電極導出でき、電子の放出
特性や電子ビームの集束が適切になされる冷陰極型陰極
線管の陰極構体を提供することを目的としている。
を搭載した陰極構体の問題に鑑みなされたものであり、
電界放出型陰極の表面側のゲート電極をワイヤ等が陰極
の表面側に突出することなく電極導出でき、電子の放出
特性や電子ビームの集束が適切になされる冷陰極型陰極
線管の陰極構体を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このため、本発明の陰極
構体は頂面に窓孔が配設されたキャップ状のチップホル
ダと、このチップホルダの前記窓孔からエミッタエリア
を露呈すると共にコンタクトエリアが前記窓孔の裏面周
縁部に固着された電界放出型陰極と、周面が前記チップ
ホルダのキャップ内周面に嵌合して装着され、内方に頭
部が前記電界放出型陰極の裏面と当接される電極導出リ
−ドを植設したステムとを具備したことを特徴としてい
る。また、本発明の陰極構体は前記電極導出リ−ドの頭
部に弾性接続片を配設し、電界放出型陰極と電極導出リ
−ドを弾性接続したことを特徴としている。また、本発
明の陰極構体に用いる電界放出型陰極は導電性の基体上
に電子を放出する微小冷陰極を多数個パターン状に配設
し、前記基体上に電子放出用のエミッタエリアを所定形
状に形成した電界放出型陰極に於いて、前記基体のエミ
ッタエリアを囲む周縁部全域上に該エミッタエリアのゲ
ート電極と接続したコンタクトエリアを配設したことを
特徴としている。
構体は頂面に窓孔が配設されたキャップ状のチップホル
ダと、このチップホルダの前記窓孔からエミッタエリア
を露呈すると共にコンタクトエリアが前記窓孔の裏面周
縁部に固着された電界放出型陰極と、周面が前記チップ
ホルダのキャップ内周面に嵌合して装着され、内方に頭
部が前記電界放出型陰極の裏面と当接される電極導出リ
−ドを植設したステムとを具備したことを特徴としてい
る。また、本発明の陰極構体は前記電極導出リ−ドの頭
部に弾性接続片を配設し、電界放出型陰極と電極導出リ
−ドを弾性接続したことを特徴としている。また、本発
明の陰極構体に用いる電界放出型陰極は導電性の基体上
に電子を放出する微小冷陰極を多数個パターン状に配設
し、前記基体上に電子放出用のエミッタエリアを所定形
状に形成した電界放出型陰極に於いて、前記基体のエミ
ッタエリアを囲む周縁部全域上に該エミッタエリアのゲ
ート電極と接続したコンタクトエリアを配設したことを
特徴としている。
【００１６】
【作用】電界放出型陰極は表面のコンタクトエリアがチ
ップホルダの窓孔からエミッタエリアを露呈させて窓孔
裏面周縁のチップホルダ内側に固着されるから、電極表
面のゲート電極は直接チップホルダを介して電極導出さ
れると共に、陰極前面側にはボンディングワイヤなどの
突出物は何ら配置されない。従って、ゲート電極への印
加電圧経路が高電界中に曝されて電子の放出特性を悪化
させたり、電子銃の第１制御電極の配置位置を規制する
等の不都合がなくなる。
ップホルダの窓孔からエミッタエリアを露呈させて窓孔
裏面周縁のチップホルダ内側に固着されるから、電極表
面のゲート電極は直接チップホルダを介して電極導出さ
れると共に、陰極前面側にはボンディングワイヤなどの
突出物は何ら配置されない。従って、ゲート電極への印
加電圧経路が高電界中に曝されて電子の放出特性を悪化
させたり、電子銃の第１制御電極の配置位置を規制する
等の不都合がなくなる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面と共に詳述す
る。
る。
【００１８】図１は本発明に係る陰極線管に用いる陰極
構体２５の斜視図であり、その頂面には、前記図４の陰
極構体２と同様に、カラーテレビのＲ，Ｇ，Ｂ用の３つ
の陰極を構成する３個の電界放出型陰極２６（２６ａ，
２６ｂ，２６ｃ）を配設したものである。
構体２５の斜視図であり、その頂面には、前記図４の陰
極構体２と同様に、カラーテレビのＲ，Ｇ，Ｂ用の３つ
の陰極を構成する３個の電界放出型陰極２６（２６ａ，
２６ｂ，２６ｃ）を配設したものである。
【００１９】この陰極構体２５は、図２に断面図示する
ように、電界放出型陰極２６を固定支持するチップホル
ダ２７と電界放出型陰極２６の電極を導出する電極導出
リード２８を気密に植設したステム２９より構成されて
いる。
ように、電界放出型陰極２６を固定支持するチップホル
ダ２７と電界放出型陰極２６の電極を導出する電極導出
リード２８を気密に植設したステム２９より構成されて
いる。
【００２０】チップホルダ２７は頂面に電界放出型陰極
２６より若干小さい外形の窓孔３０が穿設され、下部周
縁にフランジ３１が形成されたキャップ状のもので、窓
孔３０周縁部の裏面側に電界放出型陰極２６が接着固定
される。
２６より若干小さい外形の窓孔３０が穿設され、下部周
縁にフランジ３１が形成されたキャップ状のもので、窓
孔３０周縁部の裏面側に電界放出型陰極２６が接着固定
される。
【００２１】電界放出型陰極２６は、前記図６に示した
電界放出型陰極１と同様に、導電性の基体８上に電子を
放出する微小冷陰極９を多数個パターン状に配設し、基
体８上に電子放出用のエミッタエリア１０を所定形状に
形成すると共に、チップホルダ２７に接着固定するた
め、基体８表面の周縁部全域上に、エミッタエリア１０
を囲繞し、図７に示すゲート電極１４と接続した給電用
のコンタクトエリア３２を配設したものである。そし
て、エミッタエリア１０をチップホルダ２７の窓孔３０
の外方に露呈させて、コンタクトエリア３２を導電性接
着材でチップホルダ２７の窓孔３０近傍の裏面周縁部に
取付けられる。
電界放出型陰極１と同様に、導電性の基体８上に電子を
放出する微小冷陰極９を多数個パターン状に配設し、基
体８上に電子放出用のエミッタエリア１０を所定形状に
形成すると共に、チップホルダ２７に接着固定するた
め、基体８表面の周縁部全域上に、エミッタエリア１０
を囲繞し、図７に示すゲート電極１４と接続した給電用
のコンタクトエリア３２を配設したものである。そし
て、エミッタエリア１０をチップホルダ２７の窓孔３０
の外方に露呈させて、コンタクトエリア３２を導電性接
着材でチップホルダ２７の窓孔３０近傍の裏面周縁部に
取付けられる。
【００２２】また、ステム２９はカラー３３の周面をチ
ップホルダ２７のキャップ内周面に嵌合して装着され、
カラー３３の内方に電界放出型陰極２６の裏面と頭部が
当接して接続される電極導出リ−ド２８を封着したハー
メ構造のステムであり、カラー３３の下部はチップホル
ダ２７のフランジ３１と重合して一体に溶接されるフラ
ンジ３４が形成されている。また、電極導出リ−ド２８
の電界放出型陰極２６と接続される頭部にはくの字状に
屈曲した弾性接続片３５が溶接され、電界放出型陰極２
６の下面電極と強固な接続が得られる。
ップホルダ２７のキャップ内周面に嵌合して装着され、
カラー３３の内方に電界放出型陰極２６の裏面と頭部が
当接して接続される電極導出リ−ド２８を封着したハー
メ構造のステムであり、カラー３３の下部はチップホル
ダ２７のフランジ３１と重合して一体に溶接されるフラ
ンジ３４が形成されている。また、電極導出リ−ド２８
の電界放出型陰極２６と接続される頭部にはくの字状に
屈曲した弾性接続片３５が溶接され、電界放出型陰極２
６の下面電極と強固な接続が得られる。
【００２３】かかる構成の陰極構体２５は電界放出型陰
極２６の上面側のエミッタエリア１０を窓孔３０から露
呈させ、周縁部のコンタクトエリア３２をチップホルダ
２７のキャップ内に固着することにより、表面のゲート
電極１４がチップホルダ２７に電極導出される。また、
電界放出型陰極２６を固着したチップホルダ２７はキャ
ップ下方よりステム２９を嵌合して装着することによ
り、電界放出型陰極２６の裏面側に弾性接続片３５が弾
接され、裏面側のエミッタ電極１２が電極導出リード２
８に導出され、陰極構体２５が組立られる。
極２６の上面側のエミッタエリア１０を窓孔３０から露
呈させ、周縁部のコンタクトエリア３２をチップホルダ
２７のキャップ内に固着することにより、表面のゲート
電極１４がチップホルダ２７に電極導出される。また、
電界放出型陰極２６を固着したチップホルダ２７はキャ
ップ下方よりステム２９を嵌合して装着することによ
り、電界放出型陰極２６の裏面側に弾性接続片３５が弾
接され、裏面側のエミッタ電極１２が電極導出リード２
８に導出され、陰極構体２５が組立られる。
【００２４】このように組立られた陰極構体２５は、電
界放出型陰極２６の前面側には表面のゲート電極１４を
導出するワイヤ７など何らの突出物がなく、内部に高電
圧の印加される陰極線管内に張出して暴露されることが
なくなり、電子の放出特性を低下することが防止され
る。また、電子銃の製作時、通常の熱陰極カソードと同
様に、第１制御電極Ｇ１を電界放出型陰極１に接近して
配置することができ、放出電子を所望の微小スポットに
電子ビームを集束して投射することができる。
界放出型陰極２６の前面側には表面のゲート電極１４を
導出するワイヤ７など何らの突出物がなく、内部に高電
圧の印加される陰極線管内に張出して暴露されることが
なくなり、電子の放出特性を低下することが防止され
る。また、電子銃の製作時、通常の熱陰極カソードと同
様に、第１制御電極Ｇ１を電界放出型陰極１に接近して
配置することができ、放出電子を所望の微小スポットに
電子ビームを集束して投射することができる。
【００２５】尚、上記実施例において、電極導出リード
２８の頭部に配設する弾性接続片３５はくの字状に屈曲
したばね体を例示したが、コイルスプリングなど電界放
出型陰極２６の裏面側と弾性的に接続できる接続体であ
れば何れも使用することができる。
２８の頭部に配設する弾性接続片３５はくの字状に屈曲
したばね体を例示したが、コイルスプリングなど電界放
出型陰極２６の裏面側と弾性的に接続できる接続体であ
れば何れも使用することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明の陰極構体は電界
放出型陰極をキャップ状チップホルダに形成した窓孔か
らエミッタエリアを露呈させ、エミッタエリア周縁に形
成したコンタクトエリアを窓孔周縁部に固着してキャッ
プ内に取付けるように構成したから、電界放出型陰極の
表面電極はワイヤボンディングなどすることなく直接チ
ップホルダから電極導出され、電子銃に組付けたとき、
陰極前面の高電圧の印加される陰極線管内に曝される部
分にワイヤなどが突設されず、エミッタエリアへの電圧
印加にあたり良好な信頼性が得られる。また、陰極の直
前まで電子銃の第１制御電極を配置することができ、フ
ォーカス特性の優れた冷陰極型陰極線管の陰極構体を提
供することができる。
放出型陰極をキャップ状チップホルダに形成した窓孔か
らエミッタエリアを露呈させ、エミッタエリア周縁に形
成したコンタクトエリアを窓孔周縁部に固着してキャッ
プ内に取付けるように構成したから、電界放出型陰極の
表面電極はワイヤボンディングなどすることなく直接チ
ップホルダから電極導出され、電子銃に組付けたとき、
陰極前面の高電圧の印加される陰極線管内に曝される部
分にワイヤなどが突設されず、エミッタエリアへの電圧
印加にあたり良好な信頼性が得られる。また、陰極の直
前まで電子銃の第１制御電極を配置することができ、フ
ォーカス特性の優れた冷陰極型陰極線管の陰極構体を提
供することができる。
【図１】本発明の陰極構体の斜視図
【図２】図１のＢ−Ｂ線からみた断面図
【図３】図１に使用する電界放出型陰極の正面図
【図４】本発明の前提となる陰極構体の斜視図
【図５】図４のＡ−Ａ線からみた断面図
【図６】図４に使用する電界放出型陰極の正面図
【図７】電界放出型陰極を構成する微小陰極の概略構成
を示す断面図
を示す断面図
【図８】電界放出型陰極を用いた陰極線管の概略構成を
示す断面図
示す断面図
8 基体 9 微小冷陰極 10 エミッタエリア 14 ゲート電極 25 陰極構体 26 電界放出型陰極 27 チップホルダ 28 電極導出リード 29 ステム 30 窓孔 32 コンタクトエリア 35 弾性接続片
Claims (3)
- 【請求項１】 頂面に窓孔が配設されたキャップ状のチ
ップホルダと、このチップホルダの前記窓孔からエミッ
タエリアを露呈すると共にコンタクトエリアが前記窓孔
の裏面周縁部に固着された電界放出型陰極と、周面が前
記チップホルダのキャップ内周面に嵌合して装着され、
内方に頭部が前記電界放出型陰極の裏面と当接される電
極導出リ−ドを植設したステムとを具備したことを特徴
とする陰極構体。 - 【請求項２】 前記電極導出リ−ドの頭部に弾性接続片
を配設し、電界放出型陰極と電極導出リ−ドを弾性接続
したことを特徴とする請求項１記載の陰極構体。 - 【請求項３】 導電性の基体上に電子を放出する微小冷
陰極を多数個パターン状に配設し、前記基体上に電子放
出用のエミッタエリアを所定形状に形成した電界放出型
陰極に於いて、前記基体のエミッタエリアを囲む周縁部
全域上に該エミッタエリアのゲート電極と接続したコン
タクトエリアを配設したことを特徴とする陰極構体用電
界放出型陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31146993A JPH07161304A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 陰極構体および陰極構体用電界放出型陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31146993A JPH07161304A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 陰極構体および陰極構体用電界放出型陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161304A true JPH07161304A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18017604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31146993A Withdrawn JPH07161304A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 陰極構体および陰極構体用電界放出型陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161304A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5923956A (en) * | 1996-01-30 | 1999-07-13 | Nec Corporation | Method of securing a semiconductor chip on a base plate and structure thereof |
| US6137215A (en) * | 1996-11-25 | 2000-10-24 | Nec Corporation | Field emission cathode supporting structure |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP31146993A patent/JPH07161304A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5923956A (en) * | 1996-01-30 | 1999-07-13 | Nec Corporation | Method of securing a semiconductor chip on a base plate and structure thereof |
| US6137215A (en) * | 1996-11-25 | 2000-10-24 | Nec Corporation | Field emission cathode supporting structure |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |