JP2002049901A - Icタグ - Google Patents
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Abstract
どにICタグを薄型化する。 【解決手段】 アンテナコイル2、フィルムコンデンサ
3ー及びICチップ4が基板1に実装されたICタグ1
0Aにおいて、基板1上の配線パターン6又はアンテナ
コイル2を形成する金属層を、フィルムコンデンサー3
又はICチップ4の搭載領域において非搭載領域よりも
薄く形成し、ICタグ10A全体の厚みを200μm以
下とする。
Description
その被着体の製品情報等を記録する、ICモジュールを
内蔵したICタグに関する。
品名、製造年月日、仕様、現在の使用度数等の各種の情
報を記録するタグとして、ICモジュールを内蔵し、所
定の製品に貼付して使用されるICタグがある。
0は、一般に、PET、PEN、PI等の絶縁フィルム
からなる基板1上に、アンテナコイル2とフィルムコン
デンサー3からなる共振回路及びICチップ4を実装
し、それをエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエステ
ル等のホットメルト樹脂、充填剤兼用の粘着剤等の樹脂
5で封止したものとなっている。図中、符号7a、7b
はそれぞれフィルムコンデンサー3を形成する電極であ
り、符号8は、これら電極7a、7bに挟まれた誘電体
である。
は、必要に応じて粘着剤層や剥離紙が積層され、被着体
となる所定の製品に対し、タグとして貼付できるように
される。また、ICタグ10の表面には所定の製品表示
等がなされる。
ィルムの片面に銅、アルミニウム等の金属層が積層され
ている積層板を、アクティブ法、セミアクティブ法、サ
ブストラクティブ法等でパターニングすることにより、
アンテナコイル2と配線パターン6を形成し、次いで、
フィルムコンデンサー3やICチップ4を実装し、これ
を樹脂封止するという方法がとられている。これによ
り、厚みTが0.5〜0.7mmのICタグ10を得る
ことができる。
グ10が0.5〜0.7mmの厚みを有すると、紙等の
被着体の中に埋め込むことができず、また、これを用い
たICカードの薄型化に限界がきたされていた。
被着体の中に埋め込んで使用できるほどに薄型化したI
Cタグを提供することを目的とする。
配線パターン又はアンテナコイルを形成する金属層を、
フィルムコンデンサー又はICチップの搭載領域におい
て非搭載領域よりも薄く形成することにより、ICタグ
全体としての厚みを薄くでき、しかも、配線パターンや
アンテナコイルを薄く形成することによる抵抗の増加を
必要最小限に抑えることができるので、通信距離の低下
も実質的に引き起こされないことを見出した。
ムコンデンサー及びICチップが基板に実装されたIC
タグであって、基板上の配線パターン又はアンテナコイ
ルを形成する金属層が、フィルムコンデンサー又はIC
チップの搭載領域において非搭載領域よりも薄型化され
ており、ICタグ全体の厚みが200μm以下であるI
Cタグを提供する。
れている積層板の当該金属層をエッチングすることによ
り、配線パターン及びアンテナコイルを形成し、配線パ
ターン又はアンテナコイルの、フィルムコンデンサー又
はICチップの搭載領域を研磨又はエッチングすること
により非搭載領域よりも薄型化し、薄型化した搭載領域
にフィルムコンデンサー又はICチップを実装するIC
タグの製造方法を提供する。
細に説明する。なお、各図中、同一符号は同一又は同等
の構成要素を表している。
の平面図(同図(a))、x−x断面図(同図
(b))、y−y断面図(同図(c))、z−z断面図
(同図(d))である。このICタグ10Aは、アンテ
ナコイル2、フィルムコンデンサー3及びICチップ4
が絶縁フィルムからなる基板1に実装され、樹脂5で封
止されている点では、図4に示した従来のたICタグ1
0と同様である。
フィルムコンデンサー3を形成する電極であり、符号8
は、これら電極7a、7bに挟まれた誘電体である。符
号9は、図中上側のフィルムコンデンサーの電極7bの
電極端子を図中下側に引き出すためのスルーホールであ
る。また、3a’、3aは、フィルムコンデンサー3
の、図中下側の電極7aの電極端子であり、3bは、フ
ィルムコンデンサー3の、図中上側の電極7bの電極端
子である。フィルムコンデンサー3の表面には、電極端
子3a、3a’、3bの形成部分を除き、絶縁皮膜(図
示せず)で覆われている。また、4a、4bは、それぞ
れICチップ4のバンプである。
比して、基板1上の配線パターン6及びアンテナコイル
2を形成する金属層が、フィルムコンデンサー3及びI
Cチップ4の搭載領域において非搭載領域よりも薄型化
されており、ICタグ10A全体の厚みTが200μm
以下、好ましくは100μm以下、さらに好ましくは6
0〜70μmに形成されている点が特徴となっている。
このように薄く形成することにより、紙等の被着体の中
に埋め込むことができ、また、これを用いたICカード
を薄型化することができる。
5〜50μm、好ましくは5〜15μmのPET、PE
N、PI等の絶縁フィルムを使用することができる。
しては、従来のICタグと同様のものも使用することが
できるが、ICチップ4としては、そのSi基材を、I
Cチップ4の非実装面側から薄型化したものが好まし
い。薄型化の程度はICチップの種類にもよるが、バン
プを含まない本体の厚さが300〜500μm(バンプ
の高さ10〜15μm)程度のものを、本体の厚さを5
0μm以下、特に、20〜40μmに薄型化する。この
ように薄型化しても、この範囲に素子の本体部分は形成
されていないので、素子の動作が損なわれることはな
い。
研磨、化学的研磨等によることができる。なお、ICチ
ップ4の薄型化は、ICチップ4を基板1に実装する前
に行ってもよく、基板1に実装後に行ってもよい。
厚さ50μm以下、特に、20〜40μmのものを使用
することが好ましく、また、図3に示したように、一方
の面の電極7bの電極端子3bがスルーホール9により
他面の電極7aの電極端子3a、3a’と同一面に形成
されており、フェイスダウンにより実装できるものが好
ましい。
の端子として、3a、3a’の2つが、両者の間隔がア
ンテナコイル2の幅以上にあいているものを使用する
と、アンテナコイル2とフィルムコンデンサー3とを重
ねて配置する場合に、配線の設計の自由度や効率化を図
ることができるので好ましい。
ず、厚さ5〜15μmのPET、PEN、PI等の絶縁
フィルムからなる基板1上に、厚さ18〜50μmの
銅、アルミニウム等の金属層が積層されている積層板を
用意し、その金属層を常法によりエッチングすることに
より、図2に示すように、配線パターン6及びアンテナ
コイル2を形成する。次に、配線パターン6又はアンテ
ナコイル2の形成領域うち、フィルムコンデンサー3又
はICチップ4の搭載領域となる部分(図2において、
破線p、qで囲った領域)を研磨又はエッチングするこ
とにより、非搭載領域よりも薄型化する。この場合、薄
型化の手法としては、非搭載領域を、ドライフィルムを
用いる写真法又は印刷法によりマスキングし、ソフトエ
ッチングする化学的研磨が好ましい。
線パターン6及びアンテナコイル2の形成当初の厚さが
35μmである場合に、薄型化後の厚さを5〜15μm
とし、また、配線パターン6及びアンテナコイル2の形
成当初の厚さが12μmである場合に、薄型化後の厚さ
を3〜8μmにする。
ン6やアンテナコイル2を形成する金属層を薄型化する
ことにより、金属層の薄型化に伴う抵抗の増加を必要最
小限に抑制することができ、通信距離、受信特性等のI
Cタグの特性を所期の特性に維持することができる。
又はICチップ4搭載領域に、フィルムコンデンサー3
とICチップ4を異方導電性接着剤を用いて実装する。
この場合、ICチップ4としては、前述のように薄型化
したものを使用することが好ましい。あるいは、ICチ
ップ4を基板1に実装した後、非実装面側から薄型化し
てもよい。
実装した後は、これらの実装面側を樹脂5で封止する。
ICタグと同様に種々の被着体に貼付して使用すること
ができる他、紙やICカード等の薄型の被着体に埋め込
んで使用することができる。
種々の態様をとることができる。例えば、アンテナコイ
ル2、フィルムコンデンサー3、ICチップ4の個々の
形状や基板1上におけるこれらの配置は、図1の態様に
限られない。したがって、例えば、図1のICタグ10
Aではアンテナコイル2が円形に巻回されているが、矩
形に巻回されていてもよい。基板1も円盤状の他に矩形
板状等とすることができる。また、アンテナコイル2
と、フィルムコンデンサー3やICチップ4とは、必ず
しも重なった配置である必要はなく、その場合には、フ
ィルムコンデンサー3やICチップ4の搭載領域となる
配線パターン6の厚みを薄型化する。
め込んで使用できるほどに薄型化したICタグを得るこ
とができる。
x−x断面図(同図(b))、y−y断面図(同図
(c))、z−z断面図(同図(d))である。
イルと配線パターンの形成後の平面図である。
(a))及び下面図(同図(b))である。
−x断面図(同図(b))である。
子 4 ICチップ 5 樹脂 6 配線パターン 7a、7b フィルムコンデンサーの電極 8 フィルムコンデンサーの誘電体 9 スルーホール
Claims (5)
- 【請求項1】 アンテナコイル、フィルムコンデンサー
及びICチップが基板に実装されたICタグであって、
基板上の配線パターン又はアンテナコイルを形成する金
属層が、フィルムコンデンサー又はICチップの搭載領
域において非搭載領域よりも薄型化されており、ICタ
グ全体の厚みが200μm以下であるICタグ。 - 【請求項2】 ICチップが非実装面側から研磨により
薄型化されている請求項1記載のICタグ。 - 【請求項3】 基板上に金属層が積層されている積層板
の当該金属層をエッチングすることにより、配線パター
ン及びアンテナコイルを形成し、配線パターン又はアン
テナコイルの、フィルムコンデンサー又はICチップの
搭載領域を研磨又はエッチングすることにより非搭載領
域よりも薄型化し、薄型化した搭載領域にフィルムコン
デンサー又はICチップを実装するICタグの製造方
法。 - 【請求項4】 ICチップを非実装面側から研磨により
薄型化した後、基板上に実装する請求項3記載のICタ
グの製造方法。 - 【請求項5】 ICチップを基板上に実装した後、IC
チップを非実装面側から研磨により薄型化する請求項3
記載のICタグの製造方法。
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-
2000
- 2000-08-02 JP JP2000234205A patent/JP2002049901A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101517945B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2015-05-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전 장치 |
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