JP2002049331A - 電気光学装置及びそれを有する電子機器並びに投射型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型高精細なアクティブマトリクス型液晶表
示装置では、サンプリング回路部近傍における画像信号
線とデータ線間の寄生容量が大きく、画像信号線上の電
位変化が画像信号電圧を保持しているデータ線に飛び込
み、画質劣化を引き起こしやすい。 【解決手段】 隣接するサンプリング用ＴＦＴが互いに
該サンプリング用ＴＦＴの長手方向に対して所定の間隔
を持って配置されることにより、前記サンプリング用Ｔ
ＦＴ近傍における画像信号線とデータ線間の寄生容量を
減少させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと称す）駆動によるマトリクス駆動方式
の液晶装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に属
し、特に、サンプリング回路がＴＦＴアレイ基板上に形
成される形式の液晶装置及びこれを用いた電子機器の技
術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマト
リクス駆動方式の液晶装置においては、縦横に夫々配列
された多数の走査線およびデータ線、並びにこれらの各
交点に対応して多数の画素電極がＴＦＴアレイ基板上に
設けられている。そして、これらに加えて、サンプリン
グ回路、プリチャージ回路、走査線駆動回路、データ線
駆動回路、検査回路などのＴＦＴを構成要素とする各種
の周辺回路がこのようなＴＦＴアレイ基板上に設けられ
る場合がある。

【０００３】これらの周辺回路のうち、サンプリング回
路は高周波数の画像信号を各データ線に所定のタイミン
グで安定的に走査信号と同期して供給するために、画像
信号をサンプリングする回路である。

【０００４】図５には従来技術によるサンプリング回路
およびそれに接続されるデータ線駆動回路と各配線、図
６には図５に示したサンプリング回路の部分レイアウト
図を示す。サンプリング回路７は、データ線駆動回路６
からのサンプリング信号Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘｎに従
い、画像信号線Ｖ１〜Ｖ４に印加される４系統の画像信
号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ４をデータ線３にサンプリングす
る。この画像信号線Ｖ１〜Ｖ４は、互いに交差する必要
があるため、入力端子Ｔ１〜Ｔ４からサンプリング回路
７まで同一の導電膜（例えば、低抵抗金属のアルミニウ
ム膜等）で構成することができない。そこで、画像信号
ＶＩＤ１〜ＶＩＤ４をまずアルミニウム膜からなる画像
信号線Ｖ１〜Ｖ４でサンプリング回路７の近傍まで伝送
し、ここで絶縁膜を介して交差する他の導電膜（例え
ば、ポリシリコン膜等）からなる中継用接続配線Ｈ１〜
Ｈ４に乗り換え、再びアルミニウム膜からなるサンプリ
ング用ＴＦＴ２６のソース電極Ｓ１〜Ｓ４（もしくはド
レイン電極）に伝送されるように構成していた。尚、図
中、サンプリング信号線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘｎは、
中継用配線Ｈ１〜Ｈ４と同一材料のポリシリコン膜等で
形成される。

【０００５】本従来例では画像信号は４系統の信号に相
展開されているが、この相展開数はサンプリング回路の
サンプリング能力に応じて定まる。即ち、水平方向の画
素数を固定して考えた場合には、このサンプリング能力
が高い程、画像信号の相展開の数を減らすことが出来
る。このように画像信号を４系統の信号に相展開するこ
とにより、1本の画像信号線上に伝送される画像信号の
周波数は４分の1に低減される。このように、サンプリ
ング回路を用いて画像信号を相展開することにより、高
解像度の表示を行うために画像信号処理回路等の画像信
号の信号源にかかる負担が軽減される。

【０００６】以上のように、サンプリング回路等の周辺
回路をＴＦＴアレイ基板上に設けることにより、駆動装
置等のハードウェア資源にかかる負担を軽減しながら、
高品位画像の表示が可能となる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】液晶パネルやこれに周
辺回路を加えた液晶表示モジュールのサイズが同じであ
れば、マトリクス状に配置された複数の画素電極により
規定される画面表示領域、即ち液晶パネル上で実際に液
晶の配向状態の変化により画像が表示される領域は、表
示装置の基本的要請として大きい程良いとされている。
従って、周辺回路は、画面表示領域の周囲に位置するＴ
ＦＴアレイ基板の狭く細長い周辺部分に設けられるのが
一般的である。

【０００８】サンプリング回路は、上述の如きサンプリ
ング機能を発揮するためには、それらの主たる構成要素
である各ＴＦＴにおいて、十分に高い電流供給能力が必
要となる。更に、この回路を構成するＴＦＴは、電圧保
持時にオフ状態でも電流が若干リークするため、そのチ
ャンネル長はリーク電流を抑えるためにある程度長くな
ければならない。従って、ＴＦＴサイズを安易に小さく
することは出来ない。そして、このようにチャンネル長
を短くする事に制限があると、高い電流供給能力を実現
するためには、実践上はＴＦＴのチャンネル幅を大きく
するしかない。

【０００９】上記のような制約により、従来のサンプリ
ング回路は図７に示すように等間隔に並べることによ
り、サンプリング機能と狭い領域でのレイアウトを両立
させてきた。

【００１０】しかしながら、サンプリング回路のＴＦＴ
のチャンネル幅を大きくすると、そこに接続される画像
信号線とデータ線が並行して配置される距離が増加し、
画像信号線とデータ線との間の寄生容量による容量結合
が大きくなる。このため、サンプリング回路のＴＦＴが
オフ状態であっても画像信号線上の電位変化がデータ線
の電位に影響を及ぼして画質を劣化させる。このような
現象は、高精細で、且つ小さな液晶表示モジュールにな
るほど各々の配線の間隔が短くなるため、顕著に現れる
ようになった。

【００１１】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、その目的とするところは、ゴーストの発生を
抑制すると共に、必要とされるサンプリング機能とＴＦ
Ｔアレイ基板上の省スペースを実現したサンプリング回
路を備えており、液晶パネルや液晶表示モジュールのサ
イズと比較して相対的に有効表示面積が大きく且つ高品
位の画像表示が可能な液晶装置および当該液晶装置を備
えた電子機器を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、基板上に少なくとも１本の画像信号線
と、複数のデータ線と、該画像信号線に印加される信号
を該データ線に選択出力する複数のスイッチ回路とを有
し、前記データ線に出力された信号に基づき表示を行う
電気光学装置において、隣接する前記スイッチ回路が互
いに該スイッチ回路の長手方向に対して所定の間隔を持
って配置されていることを特徴とする。

【００１３】これにより、前記スイッチ回路近傍に存在
する前記データ線と前記画像信号線との間の寄生容量を
減少させることができる。

【００１４】前記複数のスイッチ回路は、交互に該スイ
ッチ回路の長手方向に所定の間隔を持って配置してもよ
い。

【００１５】また、本発明の電子機器は、上記電気光学
装置と、前記電気光学装置を制御する制御装置を有する
ことを特徴とする。

【００１６】また、本発明の投射型表示装置は、光源と
該光源からの光を変調して、透過もしくは反射する上記
電気光学装置と、該電気光学装置により変調された光を
集光し拡大投射する投射光学手段とを備えていることを
特徴とする。

【００１７】上記発明では、相対的に有効表示面積が大
きく且つ高品位の画像表示が可能な電子機器や投射型表
示装置を提供することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
図面に基づいて説明する。

【００１９】［第１の実施形態］図１は、本発明が適用
されるアクティブマトリクス型液晶表示装置のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置用基板の一構成例を示す。
図１において、１はアクティブマトリクス型液晶表示装
置を構成する一方のガラス基板や石英基板等の基板、２
および３は互いに交差する方向に配設された走査線およ
びデータ線、４は前記走査線２とデータ線３とに接続さ
れた画素で、各画素４はＩＴＯ等からなる画素電極とこ
の画素電極に順次画像信号に応じた電圧を印加するＴＦ
Ｔからなる。同一行のＴＦＴはそのゲート電極が同一の
走査線２に接続され、ドレイン電極が対応する画素電極
に接続されている。また、同一列のＴＦＴはそのソース
電極が同一のデータ線３に接続されている。この実施形
態においては、画素を駆動するＴＦＴはポリシリコン膜
をチャネル層とするいわゆるポリシリコンＴＦＴで構成
されており、周辺駆動回路（データ線駆動回路６や走査
線駆動回路５Ａ、５Ｂ等）を構成するＣＭＯＳ型ＴＦＴ
とともに同一プロセスにより、同一基板上に形成され
る。

【００２０】本実施形態では、走査線２の両端にそれぞ
れ該走査線２を順次選択駆動するＹシフトレジスタ回路
やバッファ回路等を含む走査線駆動回路５Ａ、５Ｂが設
けられている。走査線駆動回路５Ａと５Ｂは、同一の電
圧を同一のタイミングで各走査線２に印加する。つま
り、１本の走査線２をその両側から同時に駆動する。こ
れによって、走査線２の有する抵抗成分や周辺配線等と
の間に存在する寄生容量による電圧のレベル低下や信号
遅延を軽減することができる。

【００２１】一方、本実施形態では、データ線３を選択
駆動するＸシフトレジスタ回路やバッファ回路等を含む
データ線駆動回路６が設けられている。また、データ線
３の両端に画像信号サンプリング用の回路７，８が設け
られている。このうち８は各データ線３にプリチャージ
レベルを印加するプリチャージ回路であり、他方の７は
各データ線３に画像信号に応じた電圧を印加するサンプ
リング回路である。

【００２２】プリチャージ回路８のソース電極（データ
線３側の接続電極と反対側の電極）には外部から供給さ
れる画像補助入力信号ＮＲＳ１、ＮＲＳ２がデータ線３
に対して１本おきに印加される様に画像補助入力信号線
１０Ａ、１０Ｂを介してプリチャージ回路８に供給され
るとともに、該プリチャージ回路８のゲート電極には外
部から供給されるタイミング信号ＮＲＧが信号配線１８
を介して共通に印加されている。これによって、すべて
のデータ線３は、一水平期間中でサンプリング回路７か
らの画像信号レベルの印加前に、画像補助入力信号ＮＲ
Ｓ１、ＮＲＳ２のレベルにそれぞれ同時にプリチャージ
される。また、隣り合うデータ線３毎に画像信号の極性
を変える駆動を行う際には、画像補助入力信号ＮＲＳ
１、ＮＲＳ２は互いに反対の極性を持つようにすると有
効である。

【００２３】各データ線３の他端に設けられたサンプリ
ング回路７のソース電極には、外部から供給される相展
開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ４が画像信号線群１
１を介して入力され、サンプリング回路７のゲート電極
にはデータ線３を順次選択するシフトレジスタ回路やバ
ッファ回路等を含むデータ線駆動回路６から出力される
サンプリング信号が印加されている。本実施形態では、
画像信号を４系統に相展開したが、サンプリング回路７
を構成するＴＦＴの書き込み特性が高ければ相展開数を
減らすことも可能であるし、書き込み特性が低ければ相
展開数を増やしてもよい。また、ＮＴＳＣ信号やＰＡＬ
信号に対応したＲＧＢパラレル信号でも良いことは言う
までもない。データ線駆動回路６は、外部から供給され
るスタート信号ＳＰＸとクロック信号ＣＬＸに基づいて
一水平走査期間中にすべてのデータ線３を所定の順序で
１回ずつ選択するようなサンプリング信号Ｘ１、Ｘ２、
・・・、Ｘｎを形成してサンプリング回路１６のゲート
電極に供給する。

【００２４】また、本実施形態では、データ線３を一定
のタイミングで４ラインずつ順次駆動していく方法を説
明したが、１個のデータサンプリング信号で同時に選択
するライン数を１ラインや６ライン、１２ライン等とし
ても本実施形態を用いることができる。

【００２５】また、本実施形態ではデータ線駆動回路６
や走査線駆動回路５Ａ、５Ｂを含む周辺駆動回路と、デ
ータ線駆動回路６に接続された複数のデータ線３と走査
線駆動回路５Ａ，５Ｂに接続された走査線２がマトリク
ス状に交差されて成り、該データ線３および走査線２に
接続された画素トランジスタと該画素トランジスタに接
続された画素電極が同一基板上に形成されたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置について説明したが、周辺駆
動回路の部分を石英基板等の高価な基板上に高温ポリシ
リコンＴＦＴにより形成し、データ線３および走査線２
と画素４を含む領域１３（図１点線内）をガラス基板等
の安価な基板上にアモルファスシリコンＴＦＴやプロセ
ス温度が６００度以下の低温ポリシリコンＴＦＴにより
形成し、これらの基板を繋ぎ合わせてアクティブマトリ
クス型液晶表示装置用基板を構成することも可能であ
る。

【００２６】図２は、本発明を適用したサンプリング回
路７、およびそれに接続される配線のレイアウトの実施
形態を示すものである。

【００２７】Ｖ１〜Ｖ４は外部入力端子から入力された
画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ４を伝送する画像信号線であ
る。これらの画像信号線Ｖ１〜Ｖ４は、特に制限されな
いが、データ線３と同一材料の低抵抗のアルミニウム膜
によって形成されている。

【００２８】Ｘ１、Ｘ２は前記データ線駆動回路６から
出力されるサンプリング信号をサンプリング回路７のゲ
ート電極に供給するための配線であり、前記サンプリン
グ信号線Ｘ１、Ｘ２は前記画像信号線Ｖ１〜Ｖ４と交差
する方向に配設され、走査線と同一材料のポリシリコン
膜からなり、前記サンプリング回路７のゲート電極と連
続するように形成されている。

【００２９】前記画像信号線Ｖ１には、前記画像信号線
Ｖ１〜Ｖ４と交差する方向に画像信号線Ｖ１〜Ｖ４とは
層間絶縁膜を介して別層で、走査線２と同一層のポリシ
リコン膜等の導電膜からなる中継用配線Ｈ１がコンタク
トホール２４にて接続され、更に、該中継用配線Ｈ１の
他方の配線端においては、コンタクトホール２５にて補
助中継用配線としての引き出し線Ｓ１が接続される。同
様にその他の画像信号線Ｖ２〜Ｖ４からも、該画像信号
線Ｖ２〜Ｖ４に対応した中継用配線Ｈ２〜Ｈ４、補助中
継用配線Ｓ２〜Ｓ４がそれぞれコンタクトホール２４、
２５にて接続される。尚、この実施形態では、特に限定
されないが、前記データ線３および補助中継用配線Ｓ１
〜Ｓ４と画像信号線Ｖ１〜Ｖ４は同一プロセスにて形成
されるアルミニウム膜によって構成されている。

【００３０】２０、２１は各々前記サンプリング信号線
Ｘ１、Ｘ２の両側に設けられたポリシリコン膜からなる
サンプリング回路７を構成するサンプリング用ＴＦＴ２
６のソース・ドレイン領域である。サンプリング用ＴＦ
Ｔ２６のソース領域２０には前記補助中継用配線Ｓ１〜
Ｓ４がコンタクトホール２２にて接続され、ドレイン領
域２１には前記データ線３がコンタクトホール２３にて
接続されている。隣り合うサンプリング用ＴＦＴ２６
は、交互に該サンプリング用ＴＦＴの長手方向（図中に
おいては上下方向）にずらした、所謂千鳥状に配置され
ている。

【００３１】そのため、例えばデータ線３Ｂに接続され
るドレイン領域２１とこれに隣接するソース領域に着目
した場合、従来技術においては補助中継用配線Ｓ２，Ｓ
３に接続される２つのソース領域２０に挟まれていたの
に対し、本実施形態では補助中継用電極Ｓ２に接続され
るソース領域２０しか存在しないため、ドレイン領域２
１とソース領域２０の間に存在する寄生容量は従来のお
よそ半分に減少する。

【００３２】これにより、例えばサンプリング信号Ｘ１
によって制御されるサンプリング用ＴＦＴ２６がオフで
データ線３Ａ〜３Ｄに所定の画像データをホールドして
いる状態において、他画素に書きこまれるべき画像信号
が画像信号線Ｖ１〜Ｖ４、中継用配線Ｈ１〜Ｈ４、補助
中継用配線Ｓ１〜Ｓ４、およびサンプリング用ＴＦＴ２
６のソース領域２０−ドレイン領域２１間の寄生容量を
介してそれぞれデータ線３Ａ〜３Ｄにノイズとして飛び
込むことを抑制することが可能となる。

【００３３】（アクティブマトリクス型液晶表示装置の
説明）図３（Ａ）は、本実施形態で作製したアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の平面図を示す。図３（Ｂ）
は（Ａ）のＹ−Ｙ’線における該アクティブマトリクス
型液晶表示装置の断面図を示す。図３に示すようにアク
ティブマトリクス型液晶表示装置用基板１上のデータ線
駆動回路６および走査線駆動回路５Ａ，５Ｂは、電荷の
直流成分によりポリイミド等の配向膜や液晶の劣化を防
ぐために、対向基板３０の外周より外側に配置してい
る。また、前記アクティブマトリクス型液晶表示装置用
基板上に形成した画素電極の表面には、ガラスやネオセ
ラムあるいは石英といた透明基板上に対向電極電位を印
加することができるＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる電
極３１を有する対向基板３０が適当な間隔をおいて配置
され、前記データ線駆動回路６および前記走査線駆動回
路５Ａ，５Ｂと画素４間のデータ線３および走査線２上
でシール材３２により封止する。更に、画面表示領域外
側は、モジュールとして組み立てた際に光が漏れないよ
うに対向基板３０上にブラックマトリクス３３と同一層
で周辺見切りを形成する。尚、１２は対向基板３０側に
設けられた対向電極３１に、アクティブマトリクス型液
晶表示装置用基板１側から共通電極電位ＬＣＣＯＭ（図
１参照）を供給するための上下基板導通用端子であり、
該上下基板導通用端子１２上に所定の径を有する導電性
接着剤を介在させて、該対向電極３１と導通を図るよう
に構成されている。また、外部入力端子３４は前記対向
基板３０より外側に配置され、ワイヤーボンディング、
ＡＣＦ（Ａｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖ
ｅ Ｆｉｌｍ）圧着等により外部回路と接続される。

【００３４】図３（Ｂ）に示されるように、周囲をシー
ル材３２で封止された間隔内に周知のＴＮ型液晶等の液
晶３５を充填し、液晶封入孔を封止材３６で封止するこ
とにより、アクティブマトリクス型液晶表示装置として
構成する。また、液晶を高分子中に微小粒として分散さ
せた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜も偏向板も不
要になるため、光利用効率が高くなり、明るいアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を提供できる。更に、画素
電極をＩＴＯ膜からアルミニウム膜等の非透過で反射率
の高い金属膜を用いた反射型液晶表示装置の場合には、
電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されたＳＨ
（Ｓｕｐｅｒ Ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ）型液晶などを
用いても良い。更にその他の液晶を用いても良いことは
言うまでもない。

【００３５】また、液晶以外でも他の電気光学物質を用
いた電気光学装置にも用いることができる。

【００３６】（投射型表示装置の説明）図４には前記構
成のアクティブマトリクス型液晶表示装置を電子機器の
一例としてライトバルブとして応用した投射型表示装置
の一例としてデータプロジェクタの構成例が示されてい
る。

【００３７】図４において、４０はハロゲンランプ等の
光源、４１は放物ミラー、４２は熱線カットフィルタ
ー、４３、４５、４６はそれぞれ青色反射、緑色反射、
赤色反射のダイクロイックミラー、４４、４７は反射ミ
ラー、４８、４９、５０は前記実施形態のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置からなるライトバルブ、５３は
ダイクロイックプリズム、５５は制御装置である。図１
に示されているアクティブマトリクス型液晶表示装置用
基板に外部から供給される画像信号やクロック信号、各
種制御信号は前記制御装置５５で形成される。

【００３８】この実施形態のデータプロジェクタにおい
ては、光源４０から発した白色光は放物ミラー４１によ
り集光され、熱線カットフィルター４２を通過して赤外
域の熱線が遮断されて、可視光のみが青色反射ダイクロ
イックミラー４３に入射される。そしてまず、青色反射
ダイクロイックミラー４３によって青色光（概ね５００
ｎｍ以下の波長）が反射され、その他の光（黄色光）は
透過する。反射した青色光は反射ミラー４４により方向
を変え青色変調ライトバルブ４８に入射する。

【００３９】一方、前記青色反射ダイクロイックミラー
４３を透過した光は緑色反射ダイクロイックミラー４５
に入射し、緑色光（概ね５００〜６００ｎｍの波長）が
反射され、その他の光である赤色光（概ね６００ｎｍ以
上の波長）は透過する。緑色反射ダイクロイックミラー
４５で反射した緑色光は緑色変調ライトバルブ４９に入
射する。また、緑色反射ダイクロイックミラー４５を透
過した赤色光は、赤色反射ダイクロイックミラー４６、
反射ミラー４７により方向を変え赤色変調ライトバルブ
５０に入射する。

【００４０】ライトバルブ４８、４９、５０は、図示し
ない信号処理回路から供給される青、緑、赤の原色信号
でそれぞれ駆動され、各ライトバルブに入射した光はそ
れぞれのライトバルブで変調された後、ダイクロイック
プリズム５３で合成される。ダイクロイックプリズム５
３は赤色反射面５２と青色反射面５１とが互いに交差す
るように形成されている。そして、ダイクロイックプリ
ズム５３で合成されたカラー画像は、投射レンズ５４に
よってスクリーン上に拡大投射され、表示される。

【００４１】

【発明の効果】上説明したように本発明では、前記スイ
ッチ回路近傍に存在する前記データ線と前記画像信号線
との間の寄生容量を減少させることができ、前記スイッ
チ回路がオフ状態であっても画像信号線上の電位変化が
データ線の電位に影響を及ぼす画質劣化を抑制すると共
に、必要とされるサンプリング機能と省スペース化をを
実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されるアクティブマトリクス型液
晶表示装置を構成するアクティブマトリクス型液晶表示
装置用基板の一例を示すブロック図。

【図２】本発明を適用したサンプリング回路の配線レイ
アウト図。

【図３】（Ａ）はアクティブマトリクス型液晶表示装置
の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＹ−Ｙ’の断面図。

【図４】実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装
置をライトバルブとして応用した投射型表示装置の一例
としてのデータプロジェクタ概略構成図。

【図５】アクティブマトリクス型液晶表示装置用基板に
おけるサンプリング回路およびその周辺回路の一例とし
ての回路図。

【図６】アクティブマトリクス型液晶表示装置用基板に
おけるサンプリング回路のレイアウト図。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 走査線 ３ データ線 ４ 画素 ５Ａ、５Ｂ 走査線駆動回路 ６ データ線駆動回路 ７ サンプリング回路 ８ プリチャージ回路 ９ プリチャージ回路駆動信号線 １０Ａ 画像補助入力信号線（ＮＲＳ１） １０Ｂ 画像補助入力信号線（ＮＲＳ２） １１ 画像信号配線群 １２ 上下導通端子 １３ 画素領域 ２０ サンプリング用ＴＦＴソース電極 ２１ サンプリング用ＴＦＴドレイン電極 ２２ サンプリング用ＴＦＴソース電極側コンタクト
ホール ２３ サンプリング用ＴＦＴドレイン電極側コンタク
トホール ２６ サンプリング用ＴＦＴ ３０ 対向基板 ３１ 対向電極 ３２ シール材 ３３ ブラックマトリクス ３４ 外部入出力端子 ３５ 液晶 ３６ 封止材 ４０ ランプ ４３，４５，４６ ダイクロイックミラー ４４，４７ 反射ミラー ４８，４９，５０ ライトバルブ ５３ ダイクロイックプリズム ５４ 投射レンズ ５５ 制御装置

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４８ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４８Ｃ ５Ｇ４３５ ３６０ ３６０Ｄ Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２ Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２Ａ 5/74 5/74 Ｋ (72)発明者 上野 勝利 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 EA14 EA15 MA01 2H092 JA24 JB22 JB31 JB41 JB46 NA23 PA06 RA05 2H093 NC09 NC12 NC23 NC34 ND40 ND52 NG02 5C058 AA08 AB08 BA33 EA26 EA51 5C094 AA02 AA21 BA03 BA16 BA43 CA19 CA24 DB04 EA04 EA07 EB02 5G435 BB12 BB17 CC12 DD02 DD05 EE33 EE37 GG02 GG03 GG04 GG08 HH12 HH14

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも１本の画像信号線
   と、複数のデータ線と、該画像信号線に印加される信号
   を該データ線に選択出力する複数のスイッチ回路とを有
   し、前記データ線に出力された信号に基づき表示を行う
   電気光学装置において、 隣接する前記スイッチ回路が互いに該スイッチ回路の長
   手方向に対して所定の間隔を持って配置されていること
   を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置用基
   板。
2. 【請求項２】 前記複数のスイッチ回路は、交互に該ス
   イッチ回路の長手方向に所定の間隔を持って配置したこ
   とを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 請求項１乃至２に記載の電気光学装置
   と、前記電気光学装置を制御する制御装置を有すること
   を特徴とする電子機器。
4. 【請求項４】 光源と該光源からの光を変調して、透過
   もしくは反射する請求項１または２に記載の電気光学装
   置と、該電気光学装置により変調された光を集光し拡大
   投射する投射光学手段とを備えていることを特徴とする
   投射型表示装置。