JP2002047569A

JP2002047569A - 遷移元素シリサイド薄膜の成膜方法

Info

Publication number: JP2002047569A
Application number: JP2000230650A
Authority: JP
Inventors: Kensuke Akiyama; 賢輔秋山; Seishiro Oya; 誠志郎大屋; Hiroshi Funakubo; 浩舟窪
Original assignee: Kanagawa Prefecture
Current assignee: Kanagawa Prefecture
Priority date: 2000-07-31
Filing date: 2000-07-31
Publication date: 2002-02-15

Abstract

(57)【要約】【課題】炭化シリコンが混入せず、膜質のよい遷移元素
シリサイド薄膜を成膜する技術を提供する。【解決手段】本発明の成膜方法では、カルボニル基を含
む有機金属化合物ガスと、シリコン原料ガスとを導入管
２０内で混合させた後、真空槽２内に注入し、予め加熱
したシリコン基板１２の表面に金属シリサイド薄膜を気
相成長させている。このように、カルボニル基を含む有
機金属化合物ガスをソースガスとして用いると、ガス中
の炭素原子は一酸化炭素ガスとなって気相に吸収され、
シリコン基板１２の表面に付着することなく真空槽外へ
と排出される。そのため、シリコン炭化物がシリサイド
薄膜中に混入せず、良質な金属シリサイド薄膜を得るこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は遷移元素シリサイド
薄膜の製造方法に関し、特に、発光・受光素子等に用い
られる鉄シリサイド薄膜の製造方法の改善に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、発光素子と受光素子とを一つの素
子で兼ねる発光・受光素子が提案されている。この発光
・受光素子の一例を図５(ａ)、(ｂ)の符号１１５に示
す。図５(ａ)は、発光・受光素子１１５の平面図であ
り、同図(ｂ)は、同図(ａ)のＡ−Ａ線断面図である。こ
の発光・受光素子１１５はｎ型のシリコン基板１１２を
有している。シリコン基板１１２の表面全面には、鉄シ
リサイド薄膜１１３が成膜されている。鉄シリサイド薄
膜１１３の表面には、図５(ｂ)に示すようにリング状の
金属薄膜からなる表面電極１１４が形成されており、他
方、シリコン基板１１２の裏面全面には、金属からなる
裏面電極１１１が成膜されている。

【０００３】かかる発光・受光素子１１５では、シリコ
ン基板１１２がｎ型であり、他方、鉄シリサイド薄膜１
１３がｐ型であるため、鉄シリサイド薄膜１１３とシリ
コン基板１１２との間にｐｎ接合が形成されている。表
面電極１１４はリング状に形成されており、鉄シリサイ
ド薄膜１１３は露出している。

【０００４】かかる発光・受光素子１１５では、表面電
極１１４と裏面電極１１１との間に図示しない負荷を接
続した状態で、鉄シリサイド薄膜１１３に太陽光が入射
すると、光起電力効果により、ｎ型のシリコン基板１１
２からｐ型の鉄シリサイド薄膜１１３の方向に電流が流
れ、その電流が負荷に供給される。この場合には、発光
・受光素子１１５は光を受光して起電力を発生させる受
光素子として機能する。

【０００５】これに対し、表面電極１１４に正電圧を印
加するとともに、裏面電極１１１に負電圧を印加する
と、ｐ型の鉄シリサイド薄膜１１３からｎ型のシリコン
基板１１２に正孔が注入され、電子と再結合し、その結
合エネルギーが光に変換されて発光する。実用上は、鉄
シリサイド薄膜１１３上にｐ型シリコン層を形成し、そ
のｐ型シリコン層からも正孔が注入されるようにしても
よい。この場合には、発光・受光素子１１５は発光素子
として機能する。このように、発光・受光素子１１５
は、発光素子と受光素子の両方の機能を兼ねた素子であ
る。

【０００６】上述した構成の発光・受光素子１１５を製
造するには、シリコン基板表面に鉄シリサイド薄膜を成
膜する必要がある。シリコン基板表面に鉄シリサイドを
形成する方法には、シリコン基板表面に鉄を蒸着し、こ
れを４００℃程度に加熱保持することでシリサイド化す
る蒸着法や、シリコン基板表面に鉄イオンを打ち込み、
その後の熱処理によってシリサイドを形成する注入法等
がある。しかしながら、これらの蒸着法や注入法では、
鉄シリサイドはシリコン基板表面で島状に凝集したり粒
状に形成されたりして、薄膜状に形成されない。このた
め、薄膜を成膜するにはＣＶＤ法が用いられている。

【０００７】図６の符号１０１に、鉄シリサイド薄膜を
成膜するのに用いるＣＶＤ成膜装置の一例を示す。この
ＣＶＤ成膜装置１０１は、真空槽１０２を有している。
真空槽１０２には真空排気系１０８が接続されており、
その内部を真空排気することができるように構成されて
いる。

【０００８】真空槽１０２内部下方には載置台１０７が
配置されている。この載置台１０７は内部にヒータを備
え、かつその表面が平坦にされており、その表面に基板
を載置した状態で基板を昇温できるように構成されてい
る。

【０００９】真空槽１０２には、ガス導入管１０５、１
０６の一端が接続されている。ガス導入管１０５、１０
６の他端は、それぞれガス導入装置１０３、１０４に接
続されている。各ガス導入管１０５、１０６には、それ
ぞれバルブ１２１、１２２が設けられ、ガス導入装置１
０３、１０４には、それぞれモノシラン(SiH₄)ガスと、
メタロセン(Fe(C₅H₅)₂)ガスとが充填されており、モノ
シランガスと、メタロセンガスとをそれぞれガス導入管
１０５、１０６から真空槽１０２内に導入できるように
構成されている。各ガス導入管１０５、１０６には、流
量調整器１３３、１３４がそれぞれ設けられており、真
空槽１０２内に導入されるモノシランガス、メタロセン
ガスの流量をそれぞれ調整することができるように構成
されている。

【００１０】かかるＣＶＤ成膜装置１０１を用いて、シ
リコン基板表面に鉄シリサイド薄膜を成膜するには、ま
ず真空槽１０２内を真空排気し、内部の真空状態を保っ
た状態でシリコン基板を真空槽１０２内に搬入し、載置
台１０７表面に載置する。その状態のシリコン基板を図
６の符号１１２に示す。

【００１１】予め載置台１０７はヒータにより加熱され
ており、シリコン基板１１２が載置台１０７表面に載置
されると、シリコン基板１１２は昇温する。所定温度ま
でシリコン基板１１２が昇温されたら、モノシランガス
と、メタロセンガスとを流量調整器１３３、１３４で適
当な流量に調整しながら、それぞれガス導入管１０５、
１０６から真空槽１０２内に導入する。

【００１２】すると、シリコン基板１１２表面で鉄シリ
サイドが気相成長し、シリコン基板１１２表面に鉄シリ
サイド薄膜が成膜される。かかるＣＶＤ法を用いると、
シリコン基板表面に大面積の薄膜を成膜することができ
る。

【００１３】しかしながら、上述のＣＶＤ法では、原料
ガスとしてメタロセンガスを用いており、薄膜成長中
に、メタロセンガス中に含まれる炭素が鉄シリサイド中
に混入して、鉄シリサイド薄膜中に炭化シリコンが形成
されてしまう。このため薄膜の膜質が劣化してしまい、
発光・受光素子の使用に耐えるだけの膜質が得られなく
なってしまうという問題が生じていた。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、膜質が良好な遷移元素シリサイド薄膜を成膜す
ることができる成膜方法を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、遷移元素に属する金属原子
を含む遷移元素原料ガスと、シリコン原子を含むシリコ
ン原料ガスとを反応室内に導入して、前記シリコン基板
の表面に遷移元素シリサイド薄膜を気相成長させる遷移
元素シリサイド薄膜の成膜方法であって、前記遷移元素
原料ガスとして、前記金属原子に、少なくとも一つ以上
のカルボニル基が結合してなる有機金属化合物のガスを
用いたことを特徴とする。請求項２記載の発明は、請求
項１記載の遷移元素シリサイド薄膜の成膜方法であっ
て、前記シリコン原料ガスとして、シランガス、ジシラ
ンガス又は有機シリコンガスのいずれか一種以上を含む
ガスを用いることを特徴とする。請求項３記載の発明
は、請求項１又は請求項２記載の遷移元素シリサイド薄
膜の成膜方法であって、前記有機金属化合物のガスとし
て、Fe(CO)₅ガス又はFe(CO)₁₂ガスのいずれか一方又は
両方を用いることを特徴とする。請求項４記載の発明
は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の遷移元
素シリサイド薄膜の成膜方法であって、前記遷移元素原
料ガスと、前記シリコン原料ガスとを混合した後に、前
記反応室内に導入することを特徴とする。

【００１６】本発明では、例えばFe(CO)₅ガスのよう
に、金属原子に一つ以上のカルボニル基が結合されて成
る有機金属化合物のガスと、例えばシランガス等のよう
なシリコン原料ガスとを原料ガスとして用い、基板を加
熱させることでシリコン基板表面に遷移元素シリサイド
を気相成長させている。

【００１７】カルボニル基中には、炭素原子が含まれて
いるが、この炭素原子は、気相成長時には一酸化炭素ガ
スになって気相に吸収され、反応室外へと排出されるの
で、基板表面には付着しない。従って、カルボニル基を
１個も含まない有機金属ガスであるメタロセンガスを用
いた従来方法と異なり、シリコン炭化物がシリサイド薄
膜中に混入しない。従って、シリコン炭化物を含まない
膜質の良好な薄膜を成膜することができる。

【００１８】なお、本発明の成膜方法において、Fe(CO)
₅ガスのように、一つ以上のカルボニル基を有する有機
金属化合物のガスを、反応室に設けられた導入口を介し
て反応室に導入した場合には、反応室への導入口付近は
高温なので、導入口付近の反応室の内部壁面に金属が析
出してしまうことがあるが、本発明の成膜方法では、シ
リコン原料ガスと有機金属化合物のガスとを予め混合し
た後に反応室内へと導入している。この場合には、シリ
コン原料ガスと有機金属化合物のガスとが混合されるこ
とで互いに反応し、高温でもガスの状態を保つ中間生成
物が生成されるので、導入口付近の反応室の内部壁面に
鉄が析出して付着することなく、鉄シリサイド薄膜を成
膜することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下で図面を参照し、本発明の実
施形態について説明する。図１(ａ)の符号１に、本実施
形態の成膜方法を実施する装置であって、鉄シリサイド
薄膜の成膜に用いられるＣＶＤ成膜装置の一例を示す。

【００２０】このＣＶＤ成膜装置１は、本発明の成膜方
法に用いられる反応室の一例である真空槽２を有してい
る。真空槽２には真空排気系８が接続されており、その
内部を真空排気することができるように構成されてい
る。

【００２１】真空槽２内部下方には載置台７が配置され
ている。この載置台７は、その内部に図示しないヒータ
を備え、かつその表面が平坦にされており、その表面に
基板を載置した状態で基板を昇温させられるように構成
されている。

【００２２】真空槽２外部には、二個のガス導入装置
３、４が設けられている。各ガス導入装置３、４には、
それぞれシリコン原子を含むシリコン原料ガスと、遷移
元素に属する金属原子を含む遷移元素原料ガスとが充填
されている。本実施形態では、シリコン原料ガスとして
モノシラン(SiH₄)ガスを用い、遷移元素原料ガスとし
て、鉄ペンタカルボニル(Fe(CO)₅)ガスを用いている。
このうち、鉄ペンタカルボニルガスが充填されている側
のガス導入装置４は、その内部に冷却装置を有してお
り、内部に充填された鉄ペンタカルボニルガスを、−５
℃に冷却した状態にしている。

【００２３】各ガス導入装置３、４には、それぞれガス
放出管５、６の一端が接続されている。各ガス放出管
５、６の他端は、ともに導入管２０の一端に接続され、
各ガス放出管５、６には、それぞれバルブ２１、２２が
設けられており、各バルブ２１、２２を開くと、ガス放
出管５、６を介してモノシランガスと、鉄ペンタカルボ
ニルガスとをそれぞれ導入管２０内部へと導入できるよ
うに構成されている。導入管２０の他端は、真空槽２に
設けられた導入口３１に接続されており、導入管２０に
モノシランガスと、鉄ペンタカルボニルガスとが導入さ
れると、導入管２０内部で混合された後に、導入口３１
から真空槽２内部へと導入されるように構成されてい
る。各ガス放出管５、６には、それぞれ流量調整器３
３、３４が設けられており、モノシランガス、鉄ペンタ
カルボニルガスの流量を適当な流量に調整した後に、導
入管２０を介して真空槽２内に導入できるように構成さ
れている。

【００２４】上述した構成のＣＶＤ成膜装置１を用い
て、シリコン基板表面に鉄シリサイド薄膜を成膜するに
は、まず真空槽２内を真空排気し、内部の真空状態を保
った状態でシリコン基板を真空槽２内に搬入し、載置台
７表面に載置する。その状態のシリコン基板を図１の符
号１２に示す。

【００２５】予め載置台７はヒータにより加熱されてお
り、シリコン基板１２は載置台７表面に載置されると昇
温する。所定の成膜温度(５００℃)までシリコン基板１
２が昇温されたら、各バルブ２１、２２を開き、流量調
整器３３、３４を起動して、モノシランガスと、鉄ペン
タカルボニルガスとを適当な流量に調整しながら、それ
ぞれ導入管２０へと導入する。すると、導入管２０内で
モノシランガスと、鉄ペンタカルボニルガスとが混合さ
れ、その混合ガスが真空槽２内へと導入される。このと
き、各流量調整器３３、３４で、モノシランガス、鉄ペ
ンタカルボニルガスの流量をそれぞれ調整し、モノシラ
ンガスと、鉄ペンタカルボニルガスとの流量比が２：１
になり、真空槽２内部の圧力が３×１０^-2Ｐａになるよ
うにする。

【００２６】すると、シリコン基板１２の表面に鉄シリ
サイドが気相成長し、シリコン基板１２の表面に鉄シリ
サイド薄膜が成膜される。その鉄シリサイド薄膜を図１
(ｂ)の符号１３に示す。

【００２７】その後、真空槽２内を排気し、１×１０^-1
Ｐａ程度の水素雰囲気で基板温度を１００℃以下に冷却
する。その後、真空槽２内を大気圧に復帰させ、シリコ
ン基板１２を真空槽２外部へと取り出す。

【００２８】本実施形態の成膜方法では、遷移元素原料
ガスとして鉄ペンタカルボニルガス用いており、その鉄
ペンタカルボニルガス中にも炭素原子が混入している
が、この鉄ペンタカルボニルガスは、カルボニル基を５
個有している。このため、薄膜成長中に炭素原子は、一
酸化炭素ガスとして気相中に吸収され、基板表面に付着
することなく真空槽外へと排気されるので、薄膜中には
シリコン炭化物が混入しないため、膜質の良好な薄膜を
成膜することができる。

【００２９】本発明の発明者等は、上述した成膜方法の
効果を確認すべく、成長時間を１時間としてシリコン基
板表面に鉄シリサイド薄膜を成膜し、その鉄シリサイド
薄膜の特性を調べた。

【００３０】図２は、鉄シリサイド薄膜におけるＸ線回
折の評価結果を示すグラフである。図２の横軸は、回折
の位置２θを示し、縦軸は２θ方向の散乱強度を示して
いる。図２の曲線(Ａ)は、本実施形態のＣＶＤ法で成膜
された鉄シリサイド薄膜の評価結果を示し、図２の曲線
(Ｂ)は、メタロセンガスをソースガスに用いた従来のＣ
ＶＤ法で成膜された鉄シリサイド薄膜についての評価結
果を示している。また、図２中で符号４０、４６、４
７、４８、５０、５６、５７、５８はともに鉄シリサイ
ド薄膜中のシリコン原子のスペクトルを示しており、符
号４５、５５はともに鉄シリサイドのスペクトルを示し
ている。また、符号４１、４２、４３、４４は炭化シリ
コンのスペクトルを示している。

【００３１】シリコン原子のスペクトル４０、４６、４
７、４８、５０、５６、５７、５８は、曲線(Ａ)、(Ｂ)
のいずれにおいても現れているが、曲線(Ｂ)に、炭化シ
リコンのスペクトル４１、４２、４３、４４が現れてい
るのに対し、曲線(Ａ)には炭化シリコンのスペクトルは
全く現れていない。さらに、曲線(Ａ)における鉄シリサ
イドのスペクトル５５は、曲線(Ｂ)における鉄シリサイ
ドのスペクトル４５に比してそのピーク値が大きくなっ
ている。以上より、本実施形態のＣＶＤ法では炭化シリ
コンが混入せず、従来に比して膜質の良い鉄シリサイド
薄膜を成膜することができることがわかる。

【００３２】また、本発明の発明者等は、本実施形態の
成膜方法によりシリコン基板表面に成膜された鉄シリサ
イド薄膜を、オージェ電子分光法により分析した。図３
は、本実施形態の成膜方法で成膜された鉄シリサイド薄
膜のオージェ電子分光分析法の評価結果を示すグラフで
ある。

【００３３】図３の横軸はスパッタ時間を示している。
このスパッタ時間は、鉄シリサイド薄膜の膜厚方向の深
さに対応している。また、縦軸は、オージェ電子のスペ
クトル強度を示しており、薄膜中の元素濃度に対応して
いる。

【００３４】図３中の曲線(Ｃ)は、シリコン原子のスペ
クトルを示し、曲線(Ｄ)は、鉄原子のスペクトルを示し
ている。また、曲線(Ｅ)は、酸素原子のスペクトルを示
し、曲線(Ｆ)は、炭素原子のスペクトルを示している。

【００３５】図３に示すように、本実施形態の鉄シリサ
イド薄膜では、曲線(Ｃ)、曲線(Ｄ)がほぼ一定の強度で
現れているのに対し、曲線(Ｅ)、曲線(Ｆ)は表面付近に
わずかに現れるのみであって、ほとんど現れていない。
以上より、この鉄シリサイド薄膜中では、鉄原子とシリ
コン原子はほぼ一定の割合で存在しているが、炭素原子
と酸素原子は、仮に存在していても検出限界以下程度の
量であることがわかる。このことからも、本実施形態の
ＣＶＤ法では、炭素原子が鉄シリサイド薄膜中にはほと
んど混入しないことが確認できた。

【００３６】さらに、本発明の発明者等は、本実施形態
の成膜方法によりシリコン基板表面に成膜された鉄シリ
サイド薄膜表面にレーザ光を照射した場合に、薄膜表面
で生じる表面発光の強度分布を調べた。

【００３７】図４は、鉄シリサイド薄膜表面にレーザ光
を照射して表面発光させたときの発光強度分布を示す図
である。図４の横軸は、発光した光の測定波長を示し、
縦軸は、発光強度を示している。図４中の曲線(Ｈ)は、
本実施形態の成膜方法で成膜された鉄シリサイド薄膜の
発光強度のスペクトルを示しており、曲線(Ｉ)は、ソー
スガスとしてフェロセン(C₅H₅)Fe(C₅H₅)ガスを用い、従
来の成膜方法で成膜された鉄シリサイド薄膜の発光強度
のスペクトルを示している。

【００３８】フェロセンガスを用いて成膜された鉄シリ
サイド薄膜に対応する曲線(Ｉ)では、スペクトルは一定
であり、全く発光強度のスペクトルは現れておらず、全
く表面発光が生じていないが、曲線(Ｈ)では、測定波長
が１５６００nm付近で、大きなスペクトルのピーク５０
が現れ、強い表面発光が現れていることがわかる。な
お、上述したように鉄ペンタカルボニルガスを真空槽２
内部に導入する際に、鉄ペンタカルボニルガスのみを単
独で真空槽２内に導入すると、鉄ペンタカルボニルガス
が真空槽内に導入される導入口付近の温度が２００℃以
上の高温になるため、導入口付近の真空槽２の内部壁面
に鉄が析出して付着してしまう場合があるが、本実施形
態の成膜方法では、導入管２０内で鉄ペンタカルボニル
ガスとモノシランガスとを混合した後に、真空槽２内部
に導入している。このため、導入管２０内部で鉄ペンタ
カルボニルガスとモノシランガスとが反応して中間生成
物のガスが形成される。この中間生成物は、常温より高
く、成膜時の基板温度よりも低い温度であるガス導入口
３１付近の真空槽２内部の温度(２００℃程度)程度では
気体の状態を保つので、ガス導入口３１に鉄が析出して
付着することなく、鉄シリサイド薄膜を成膜することが
できる。

【００３９】また、本実施形態では、遷移元素原料ガス
として鉄ペンタカルボニルガス(Fe(CO)₅)を用いている
が、鉄シリサイド薄膜を成膜する際に用いられる遷移元
素原料ガスはこれに限られるものではなく、例えば鉄ド
デカンカルボニル(Fe(CO)₁₂)ガスを用いてもよい。

【００４０】また、本実施形態では、鉄シリサイド薄膜
を成膜しているが、本発明の遷移元素シリサイド薄膜は
これに限らず、例えば、タングステンシリサイドや、チ
タンシリサイドの成膜にも適用可能である。このとき、
タングステンシリサイド薄膜を成膜する場合には、遷移
元素原料ガスとしてタングステンヘキサカルボニル(W(C
O)₆)ガスを用いればよく、チタンシリサイド薄膜を成膜
する場合には、遷移元素原料ガスとしてチタンヘキサカ
ルボニル(Ti(CO)₆)ガスを用いればよい。

【００４１】また、シリコン原料ガスとしてモノシラン
(SiH₄)ガスを用いたが、本発明のシリコン原料ガスはこ
れに限られるものではなく、例えばジシラン(Si₂H₆)ガ
スのような他のシラン系ガスを用いてもよいし、あるい
は有機シリコンガスを用いてもよい。

【００４２】さらに、本実施形態では、ガス放出管５、
６と導入管２０とを直結させ、各ガス放出管５、６から
放出されたモノシランガスと、鉄ペンタカルボニルガス
とを導入管２０内部で混合させているが、本発明はこれ
に限らず、例えばガス放出管５、６と導入管２０との間
に混合室を設け、この混合室内でモノシランガスと、鉄
ペンタカルボニルガスとを混合させた後に、その混合ガ
スを導入管２０から真空槽２内部へと導入するように構
成してもよい。

【００４３】

【発明の効果】膜質の良い遷移元素シリサイド薄膜を成
膜することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(ａ)：本発明の一実施形態の遷移元素シリサイ
ド薄膜の成膜方法を実施するＣＶＤ装置の構成を説明す
る図 (ｂ)：本実施形態の成膜方法によってシリコン基板表面
に鉄シリサイド薄膜が成膜された状態を説明する断面図

【図２】本発明の一実施形態の成膜方法と、従来の成膜
方法により成膜された各鉄シリサイド薄膜の、Ｘ線回折
の評価結果を示すグラフ

【図３】本発明の一実施形態の成膜方法と、従来の成膜
方法により成膜された各鉄シリサイド薄膜の、オージェ
分光法による分析結果を示すグラフ

【図４】本発明の一実施形態の成膜方法と、従来の成膜
方法により成膜された各鉄シリサイド薄膜の表面にレー
ザ光を照射した場合の、表面発光のスペクトル強度を説
明するグラフ

【図５】(ａ)：発光・受光素子の一例を示す平面図 (ｂ)：発光・受光素子の一例を示す断面図

【図６】従来の成膜方法を実施する成膜装置の構成を説
明する図

【符号の説明】２……真空槽(反応室) ３、４……ガス導入装置
５、６……ガス放出管２０……導入管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA12 BA07 BA18 BA20 BA48 CA04 CA12 FA10 LA18 5F041 AA31 CA22 CA33 CA46 5F045 AA04 AB30 AC01 AC07 AD08 AD09 AE13 AF03 CA09 CA13 5F051 AA20 BA11 CB12 CB29 DA03 GA04 GA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】遷移元素に属する金属原子を含む遷移元素
原料ガスと、シリコン原子を含むシリコン原料ガスとを
反応室内に導入して、前記シリコン基板の表面に遷移元
素シリサイド薄膜を気相成長させる遷移元素シリサイド
薄膜の成膜方法であって、前記遷移元素原料ガスとして、前記金属原子に、少なく
とも一つ以上のカルボニル基が結合してなる有機金属化
合物のガスを用いたことを特徴とする遷移元素シリサイ
ド薄膜の成膜方法。
【請求項２】前記シリコン原料ガスとして、シランガ
ス、ジシランガス又は有機シリコンガスのいずれか一種
以上を含むガスを用いることを特徴とする請求項１記載
の遷移元素シリサイド薄膜の成膜方法。
【請求項３】前記有機金属化合物のガスとして、Fe(CO)
₅ガス又はFe(CO)₁₂ガスのいずれか一方又は両方を用い
ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の遷移元
素シリサイド薄膜の成膜方法。
【請求項４】前記遷移元素原料ガスと、前記シリコン原
料ガスとを混合した後に、前記反応室内に導入すること
を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載
の遷移元素シリサイド薄膜の成膜方法。