JP2002033314A - Ｐｅｃｖｄキャッピングモジュールを含む低誘電率誘電体処理のための方法及び一体型装置 - Google Patents

Ｐｅｃｖｄキャッピングモジュールを含む低誘電率誘電体処理のための方法及び一体型装置

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JP2002033314A JP2001035825A JP2001035825A JP2002033314A JP 2002033314 A JP2002033314 A JP 2002033314A JP 2001035825 A JP2001035825 A JP 2001035825A JP 2001035825 A JP2001035825 A JP 2001035825A JP 2002033314 A JP2002033314 A JP 2002033314A
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ポンネカンティ ハリ
Kevin Fairbairn
フェアバーン ケヴィン
Sasson Somekh
ソメク サッソン
Timothy Weidman
ウェイドマン ティモシー
Shamouil Shamouilian
シャモウィリアン シャモウィル
Farhad Moghadam
モグハダム ファーハッド
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 基板上に低誘電率膜及び低誘電率キャッピン
グ層を処理するための方法及び装置を提供する。 【解決手段】 低誘電率膜は、界面活性剤を含むゾルゲ
ル前駆物質を処理しそして硬化することにより均一な直
径の内部連通孔を有する酸化物膜を形成し、次いで、中
多孔性酸化物膜を形成するためにその膜を不活性ガス環
境でアニーリングする又はその膜を活性酸素種を含む酸
化環境にさらすこよにより形成される中間多孔性酸化物
膜である。好ましい中多孔性酸化物膜は、アルコールベ
ースの溶剤中にテトラエチルオルトシリケート、水及び
界面活性剤を含むゾルゲル前駆物質の基板上へのスピン
・オン処理、立方相膜を形成するための処理されたゾル
ゲル前駆物質の硬化、次いで、その膜を酸化環境にさら
すことによって作る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】発明分野 本発明は、一般に、複合基板の加工のための方法及び装
置に関し、典型的には、電子デバイス、例えば一体型集
積回路や平面パネルディスプレイの製造において用いら
れる複合基板の加工のための方法及び装置に関する。特
には、本発明は、基板上に誘電体層を処理するための方
法及び装置に関する。
【０００２】関連技術の背景 半導体装置の幾何学的形態（ジオメトリー）は、数十年
前に初めて登場して以来、その大きさが劇的に減少し
た。そのとき以来、集積回路は、一般的に、２年／大き
さ半減（two year/half-size）規則（しばしばムーアの
法則と呼ばれている）に従ってきた。つまり、チップ上
に固定できるデバイスの数が２年おきに倍になることを
意味している。今日の製造工場では、０．３５μｍそし
てさらには０．１８μｍのという特徴の大きさを有する
デバイスが日常的に製造されており、近い将来の工場で
はまもなく、更に小さな形状を有するデバイスが製造さ
れるであろう。
【０００３】集積回路上のデバイスの大きさを更に小さ
くするためには、隣接する素地面間の静電結合を減少さ
せるため、低い比抵抗を有する導電物質と低い誘電率
（ｋ、ここでｋは４．０未満）を有する絶縁体を用いる
ことが必要となってきた。低い誘電率の誘電体は、国際
公開WO９９／４１４２３に記載されているスピンオンガ
ラス（both spin-on glass）方法及び化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）技術の両者を用いて処理されてきた。国際公開WO９
９／４１４２３に記載されているように、導電物質上の
低い誘電率の誘電体層を水分等の副産物の拡散から保護
するために、キャッピング層を含むライナー／バリア層
が低い誘電率の誘電層に隣接して処理されてきた。
【０００４】例えば、低い誘電率の絶縁体の形成中に発
生する水分は、容易に、導電体金属の表面に拡散しそし
て隣接する導電体金属表面の比抵抗を上昇させる。バリ
アー／ライナー層は、典型的には、一般の珪素ベースの
物質、例えば窒化珪素から形成され、それは、副産物の
拡散を妨げ、かつ／或いは、低い誘電率の物質中への金
属層の拡散を防ぐ。しかしながら、バリアー／ライナー
層は、典型的には、４．０より遙かに大きい誘電率を有
し、例えば、窒化珪素は少なくとも６．０の誘電率を有
し、そしてその高い誘電率は、誘電率を著しく減少しな
い複合絶縁体層を結果しうる。低い誘電率膜処理工程の
例は、Brinker等に発行された米国特許第５８５８４５
７号に記載されている。Brinker等は、基板上に高い有
孔率を有する低誘電率膜の製造方法を開示している。そ
の構造は一般に、ゾルゲル先駆物質の基板上への処理に
次いでゾルゲル前駆物質の成分を選択蒸発することによ
り超分子アセンブリを形成することによって形成され
る。次いで、そのアセンブリは、約４００℃にて、超分
子型板の酸化熱分解により、順序づけられた多孔性の膜
へと形成される。しかしながら、Brinker等の特許で
は、多孔性膜中にゾルゲルをか焼するために約４時間の
熱分解工程を必要とする。このような長時間は、現代の
半導体製造における、益々増大するより速い加工速度の
要求には合わない。
【０００５】Brinker等の特許に記載されている、珪素
ベースの膜は、たいてい親水性でありそして周りの環境
から水分を積極的に吸収する多孔性膜である。もし、約
７８の誘電率（ｋ）を有する水が、多孔性膜に吸収され
ると、多孔性膜の低い誘電率の誘電特性が不利益な影響
を受けうる。しばしば、これらの親水性膜は、水分を除
くためにアニール処理される。しかしながら、これに次
いで行われる工程に混入した水分に膜は引き続き敏感で
あるので、これは処理工程において一時的な解決策にす
ぎない。さらに、アニーリングはしばしば時間のかかる
工程であり、基板の加工時間が長くなり、その結果、一
定時間内の処理量の率が低くなる。一般に、親水性膜中
への水分の混入を制限するために、水分の混入を防ぐキ
ャッピング又はパッシベーション層が、多孔性膜の上に
処理されるか、または、膜をシリル化加工によって親水
性膜から疎水性膜へと変える。
【０００６】キャッピング層を多孔性膜の上に処理する
一つの問題は、例えば、スピンコーティングやスプレー
コーティング多孔性膜等の多孔性膜が、大気圧、すなわ
ち約３００トールより大きい圧力で処理され、そしてキ
ャッピング層が典型的には、ほぼ真空に近い圧力、すな
わち約１００トール未満の圧力で行われるプラズマ強化
化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって処理されることであ
る。このような真空加工及び大気圧加工は、典型的に
は、別々の真空及び大気圧加工システム中、又は集合器
具装置中で行われ、そこでは、一つの加工システム又は
装置から他の加工システム又は装置への移動が、膜を汚
染の危険にさらすことになる。集合器具とは、中央基板
操作モジュール及び複数の周辺加工チャンバを含む、モ
ジューラ、複数のチャンバ、一体型加工システムであ
り、そこでは、導入された基板が、集積回路を形成する
ために種々の加工チャンバ中で順次に一連の加工工程を
経る。集合器具は一般に、最新超小型電子デバイスを製
造するための有効でかつ効率的な装置として受け入れら
れてきている。
【０００７】図１は、中央の真空チャンバに据え付けら
れた、複数の単一基板加工チャンバ１２を有する真空集
合器具１０を示しており、中央の真空チャンバは、移送
チャンバ１８と呼ばれ、１又はそれ以上のロードロック
チャンバ２０中に配置された基板カセットから基板を１
又はそれ以上の加工チャンバ１２に移送するためのもの
である。この特定の器具は、移送チャンバの周りに放射
状に配置された４つまでの単一基板加工チャンバ１２に
適合するように示されている。図１に示されたものに類
似の集合器具は、アプライドマテリアル社（カリフォル
ニア州、サンタクララ）から入手可能である。加工チャ
ンバ１２間の基板の移送は、典型的には、中央移送チャ
ンバ１２中に配置された基板操作モジュール１６によっ
て管理されている。基板は加工された後、ロードロック
チャンバ２０を通って、基板カセット中に戻され、そし
て、基板は追加加工用の次のシステムへ移動可能とな
る。種々の工程、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸
着（ＣＶＤ）、エッチングが、加工チャンバ１２中で行
われる。
【０００８】典型的には、大気圧加工集合器具及び真空
加工集合器具は今まで一体化されていなかった。真空加
工器具は、加工サイクル中の種々の加工工程の間、真空
ポンプによる真空の保持又は真空の復旧を必要とする。
この真空の要求は、大気圧加工器具に比べてより長い加
工時間とより低い処理量率をもたらし、これらのシステ
ムの一体化を魅力のないものにしている。しかしなが
ら、集合器具間の基板の移送は、例えば多孔性膜等の汚
染に敏感な膜の移送においては非常に問題となる、加工
基板の汚染をもたらしうる。現在の産業においては、周
囲が大気圧と真空に近い両方の加工条件下で、低い誘電
率の誘電物質の処理とキャッピング物質を組み合わせた
集合器具はない。
【０００９】従って、高い基板の処理量で低い誘電率の
誘電物質を処理及びキャッピングできる、一体化された
大気圧及び真空システムの要求が引き続きある。理想的
には、一体化されたシステムは、真空集合器具と大気圧
集合器具間の１又はそれ以上の移動を除くことにより、
処理された物質の汚染を減少する。
【００１０】発明の概要 本発明は、真空及び、大気圧或いはそれ以上の圧力の、
両方の条件下で、基板上に、金属間層、例えば低い誘電
率膜及びキャッピング層を処理する方法及び装置を提供
する。本発明の一つの態様においては、装置は、大気圧
或いはそれ以上の圧力にて操作される加工台上に備え付
けることができる略真空圧キャッピング層モジュールで
あり、その加工台は更に低い誘電率の誘電体層を処理で
きる。キャッピング層モジュールは、備え付けられた台
において処理される低い誘電率の誘電体層を有する複数
の基板を加工する略真空加工システムをカセット化する
カセットを有する。このキャッピング層モジュールは、
好ましくは、一又はそれ以上の移送チャンバを含む真空
システムであり、各々の移送チャンバは、基板ハンドラ
ー、１又はそれ以上のロードロックチャンバ、１又はそ
れ以上のロードロックチャンバ中に任意の配置されうる
１又はそれ以上の基板予備加熱モジュール、及び１又は
それ以上の移送チャンバと連通した１又はそれ以上のプ
ラズマ強化化学蒸着チャンバをその中に有する。
【００１１】本発明の装置は更に、移送チャンバに連通
したロードロックチャンバ中に配置された１又はそれ以
上の基板冷却ステーションを有する。キャッピングモジ
ュールは、好ましくは、少なくとも一つの基板操作ブレ
ードを持つ基板操作部材を有し、そして更に、複数の基
板を検索するための基板インデックス部材とキャッピン
グ層の処理の前に基板を予備加熱するための複数スロッ
ト予備加熱モジュールを含む。各々のＰＥＣＶＤは、好
ましくは、２つの加工領域を有し、それぞれの加工領域
は、加熱ペデスタル、ガス分配アセンブリ、真空ポンプ
アセンブリ、及び個々の加工領域中の基板表面上に均一
なプラズマ密度を提供するための独立したＲＦ電源及び
温度の制御を有し、それぞれの加工領域は、遠隔プラズ
マシステム及び移送チャンバと連通している。
【００１２】本発明の別の態様においては、基板加工装
置は、高圧堆積モジュールと連通した略真空圧キャッピ
ング層モジュールである。基板加工装置は、高圧堆積モ
ジュール、高圧堆積モジュールと連通した第一の移送チ
ャンバ、第一の移送チャンバと連通したロードロックチ
ャンバ、基板ハンドラーをその中に有し１又はそれ以上
のロードロックチャンバと連通している１又はそれ以上
の第二の移送チャンバ、１又はそれ以上のロードロック
チャンバ中に任意に配置されうる第二の移送チャンバと
連通している複数スロット基板予備加熱モジュール、第
二の移送チャンバ内に配置された基板操作部材、及び少
なくとも一つの分離された加工領域をその中に規定し各
々の加工領域が１又はそれ以上の第二の移送チャンバに
連通しているところの１又はそれ以上の加工チャンバを
含む。キャッピングモジュールのロードロックチャンバ
は、第一及び第二の移送チャンバ間を基板を移送し、そ
して更に、加工に次いで基板の冷却、又は加工の前に基
板の予備加熱を提供する。
【００１３】高圧堆積モジュールは、好ましくは多段大
気圧システムであり、それは一般的にはハウジングを有
し、ハウジング中には、１又はそれ以上の基板スピナチ
ャンバ、１又はそれ以上の基板硬化処理チャンバ、略真
空条件に排気されうるそして酸素及び／又はオゾン環境
かつプラズマ含有酸素に適合する１又はそれ以上の基板
ストリッピングチャンバ（１又はそれ以上のアニーリン
グチャンバ）、１又はそれ以上のシリル化処理チャン
バ、及び高圧堆積モジュールのハウジング中に配置され
た基板操作部材を含む。好ましくは、複数のチャンバが
備えられ、各々のタイプのチャンバが、全体のチャンバ
内で垂直に配置された積み重ねの状態にて備え付けられ
ている。基板操作部材は、一般には２つのアーム型の基
板ハンドラーであり、好ましくは、高圧堆積モジュール
内で全ての加工チャンバに接近できる、独立して動くア
ームである。
【００１４】本発明の他の態様に従って、本発明は、中
多孔性の膜構造を有する低誘電率誘電体膜を処理するた
めの方法を提供する。低誘電率誘電体膜は、基板上に処
理されたゾルゲル前駆他物質を硬化処理することにより
付着され、酸化膜を形成し、酸化膜は、好ましくは、均
一の直径を有する内部連通孔を有し、最も好ましくは立
方相構造にてそれらを有する。次いで、酸化膜を非反応
環境下において約２００℃〜約４５０℃の間の温度にて
加熱し、好ましくは約４００℃〜約４５０℃の温度にて
酸化膜をアニーリングし、又は膜を約２００℃〜約４０
０℃の間の温度にて反応性酸素種を含む酸化環境にさら
し中多孔性酸化膜を形成する。中多孔性酸化膜は、少な
くとも５０％の有孔率と約１．６〜約２．２の誘電率を
有する。中多孔性酸化膜は、二重ダマスク構造の製造の
ための中間金属層として用いられうる。好ましい中多孔
性酸化膜は、基板上へのエタノール溶媒中にＴＥＯＳ、
水及び表面活性剤を含むゾルゲル前駆物質のスピン付
着、均一の直径の内部連通孔を有する膜形成のためのゾ
ルゲル前駆体の硬化処理、次いで、膜をオゾンプラズマ
にさらすことにより製造される。
【００１５】上記した本発明の特徴、利点及び目的が達
成されかつ詳しく理解されるように、本発明を、上記に
簡潔に要約されてはいるが、図面中に説明されている発
明の実施態様を参照して詳細に記載する。
【００１６】しかしながら、添付の図面は、本発明の代
表的な実施態様のみを説明しているものであり、従って
それらは本発明の範囲を限定するものではなく、本発明
においては他の同様に効果のある実施態様も認められう
るものであるということに注意すべきである。
【００１７】好適実施形態の説明 本発明は、真空すなわち約１００トール未満、及び大気
圧又は高圧条件すなわち約３００トール超、の両方の条
件にて、基板上への中間金属層、例えば低い誘電率膜、
及びキャッピング層を処理するための方法及び装置を提
供する。本発明の一つの態様において、装置は、大気圧
又は高圧下で操作される加工台上に据え付けられうる略
真空圧キャッピング層モジュールであり、加工台は更に
低誘電率誘電体層を処理できる。キャッピング層モジュ
ールは、取り付けられたペデスタル上で処理された低誘
電率誘電体層を有する複数の基板を加工する略真空加工
システムをカセット化するためのカセットを有する。キ
ャッピング層モジュールは、好ましくは、多段真空シス
テムであり、それは、１又はそれ以上の移送チャンバを
含みかつ各々の移送チャンバがその中に基板ハンドラ
ー、１又はそれ以上のロードロックチャンバ、１又はそ
れ以上の移送チャンバと連通しておりかつ任意に１又は
それ以上のロードロックチャンバ中に配置されうる１又
はそれ以上の複数スロット基板予備加熱モジュール、及
び１又はそれ以上の移送チャンバと連通している１又は
それ以上のプラズマ強化化学付着チャンバを含む。分離
可能とは、加工領域が、排気システムを通じて隣接する
領域と選択的に連通できる、隣接する領域から分離され
た閉じこめられたプラズマゾーンを有することを意味す
る。
【００１８】また、各々のＰＥＣＶＤチャンバ内の加工
領域は、好ましくは、各々の加工領域において基板表面
上に均一なプラズマ密度を提供するための分離ガス分配
アセンブリとＲＦ電源を含む。ＰＥＣＶＤチャンバは、
共有のガス源、共有の排気システム、別個のガス分配ア
センブリ、別個のＲＦ電源及び別個の温度制御システム
によって提供される高度の加工制御で、少なくとも２つ
の基板が異なった加工領域にて同時に加工できるよう
に、複数の分離されたプロセスが少なくとも２つの領域
でほぼ同時に行われるように構成されるている。記述の
簡略化のため、加工領域又はチャンバという語は、プラ
ズマ加工がその中で行われるゾーンを指すものとして用
いることがある。
【００１９】本発明の他の態様において、基板加工装置
は、高圧堆積モジュールと連結された略真空圧キャッピ
ング層モジュールである。基板加工装置は、高圧堆積モ
ジュール、高圧堆積モジュールと連通した第一の移送チ
ャンバ、第一の移送チャンバと連通したロードロックチ
ャンバ、ロードロックチャンバと連通した第二の移送チ
ャンバ、第二の移送チャンバと連通しかつ任意にロード
ロックチャンバ中に配置されうる複数スロット基板予備
加熱モジュール、第二の移送チャンバ中に配置された基
板操作部材、及び各々のチャンバが少なくとも一つの分
離された加工領域をその中に規定しておりかつ各々の加
工領域が第二の移送チャンバと連結しているところの１
又はそれ以上の加工チャンバ、を含む。
【００２０】高圧堆積モジュールは、好ましくは、中多
孔性膜を製造するための加工装置を提供する多段大気圧
システムである。加工装置は、ゾルゲル前駆物質を処理
するための１又はそれ以上の基板スピナーチャンバ、均
一な直径を有する内部連通孔を好ましくは立方相構造膜
中に形成するために溶媒と水分を除くための１又はそれ
以上の基板硬化処理チャンバ、中多孔性膜を製造するた
めに膜から界面活性剤を除くための１又はそれ以上の基
板ストリッピングチャンバ（又は、アニーリングチャン
バ）、及びもしユーザーが親水性中多孔性膜を疎水性中
多孔性膜に変えることを望むなら１又はそれ以上のシリ
ル化処理チャンバ、を含む。好ましくは、複数のチャン
バがあり、各々のタイプのチャンバがモジュール内に垂
直に配置されて積み重ねられて据え付けられている。高
圧堆積モジュールは更に基板操作部材を含み、部材は、
一般にはハウジング内で全ての加工チャンバに接近でき
る二重ブレード基板ハンドラーである。
【００２１】本発明の一つの態様に従って、本発明は、
低誘電率と高酸化物含量を有する中多孔性酸化物層を処
理するための方法を提供する。中多孔性酸化物層は、珪
素物質を含み、そして、例えば二重ダマスク構造を製造
するために、キャッピングモジュール中で他の誘電体材
料又はエッチングストップ層でキャッピングされうる。
低誘電率誘電体層は、ゾルゲル前駆物質を硬化処理し
て、均一な直径の内部連通孔を好ましくは立方相構造中
に有する酸化物膜を形成し、次いで、膜を、約２００℃
〜約４００℃の温度にて反応性酸素種を含む酸化環境に
さらして界面活性剤を除去し中間多孔性酸化物膜を形成
することにより、処理されうる。中多孔性酸化物膜は、
少なくとも５０％の有孔率及び約１．６〜約２．２の誘
電率を有する。中多孔性膜はまた、中間金属誘電体層と
しても用いられうる。好ましい中間酸化物膜は、基板上
へのエタノール溶媒中のテトラエチルオルトシリレート
（ＴＥＯＳ）、水及び界面活性剤を含むゾルゲル前駆物
質のスピンオン付着、ゾルゲル前駆物質の硬化処理によ
る均一直径の内部連通孔の好ましくは立方相膜中への形
成、次いで、酸化環境で界面活性剤を除去することによ
って製造される。
【００２２】図２Ａ及び図３Ａは、本発明のキャッピン
グモジュール１２０の一実施態様を概略的に図示してい
る。キャッピングモジュール１２０は、膜処理のための
特にはプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって処
理された膜をキャッピングするための略真空圧加工モジ
ュールである。略真空圧は、ここでは、約１００トール
又はそれ以下の圧力と規定し、好ましくは、キャッピン
グモジュールの圧力は、約０．５トール〜約１０トール
というＰＥＣＶＤチャンバの操作圧に近い圧力である。
モジュール１２０は、本体構造２０１上に支持された必
要な加工設備を有する内蔵システムであり、容易に据え
付けることができそして操作の素早い始動を提供する。
図２Ｂ及び図３Ｂに示されるように、モジュール１２０
は、一般には４つの領域、すなわち、基板がモジュール
１２０に導入されるところの工場インターフェース１２
２、各々がその中に基板ハンドラー１２７を持つ１又は
それ以上の移送チャンバ１２６、ここで基板ハンドラー
１２７は好ましくは工場インターフェース１２２内に配
置された二重積み重ね冷却／予備加熱ロードロックチャ
ンバ１２４と連通している、移送チャンバ１２６に据え
付けられかつそれと連通している１又はそれ以上である
が好ましくは２つの縦列の或いは一対の加工チャンバ１
３０、及びモジュール１２０の操作に必要な支援設備、
例えばガスパネル１３４、電源配分パネル１３６及びコ
ンピューター制御ラック１３８をその中に有するバック
エンド１４０、を含む。システムは、例えばプラズマ強
化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）等の種々の加工及び支援チャ
ンパーハードウエアに適合するように適応可能である。
以下に記載する実施態様は、ＰＥＣＶＤ方法、例えば中
多孔性酸化物誘電体処理加工を用いるシステムに向けら
れている。しかしながら、本発明によってこれら以外の
他の方法を用いることも予期できるということが理解さ
れるべきである。
【００２３】図２Ｂは、本発明のキャッピング層モジュ
ール１２０の他の実施態様を概略的に図示している。図
２Ｂ及び３Ｂに示されるように、キャッピングモジュー
ル１２０はまた、４つの領域、すなわち、基板がモジュ
ール１２０に導入されるところの工場インターフェース
１２２、各々がその中に基板ハンドラー１２７Ａ、１２
７Ｂを持つ１又はそれ以上の移送チャンバ１２６Ａ、１
２６Ｂ、ここで基板ハンドラー１２７Ａ、１２７Ｂは好
ましくは工場インターフェース１２２内に配置された二
重積み重ね冷却ロードロックチャンバ１２４と連通しか
つ基板予備加熱ステーション１２５と連通している、移
送チャンバ１２６Ａ、１２６Ｂに据え付けられかつそれ
と連通している１又はそれ以上であるが好ましくは２つ
の縦列の或いは一対の加工チャンバ１３０、及びモジュ
ール１２０の操作に必要な支援設備、例えばガスパネル
１３４、電源配分パネル１３６及びコンピューター制御
ラック１３８をその中に有するバックエンド１４０、を
含む。基板予備加熱ステーション１２５は、一般に、複
数の垂直に配置された基板ホルダーを含み、そして基板
に熱を提供する。基板ホルダー配列と基板加熱工程は、
予備加熱ロードロックチャンバ１２４のための記載中に
おいて以下により詳細に開示するが、本発明は他の予備
加熱ステーションをも用いることができる。
【００２４】移送チャンバ 図２Ａは、本発明の加工モジュール１２０の一実施態様
の上面概略図を示している。加工モジュール１２０は、
チャンバ側壁１３３内に移送チャンバ１２６を含む。移
送チャンバは、側壁１３３及び底面１３５を含み、そし
て好ましくは、単一の物質、例えばアルミニウムから機
械加工されるか又は他の方法で作られる。移送チャンバ
１２６のためのふた（図中には示さず）は、真空密閉状
態を形成するために、操作の間、側壁１３３の上に維持
される。移送チャンバ１２６の側壁１３３は、加工チャ
ンバ１３０を支持し、そして、工場インターフェース１
２２のための取り付けを提供する。工場インターフェー
ス１２２は、スリットバルブ１２１を介して他の移送チ
ャンバに接近できる又は加工チャンバ１３０中での加工
のために基板挿入位置として機能しうる、一又はそれ以
上の冷却／予備加熱ロードロックチャンバ１２４（以下
の図５に示す）を含みうる。移送チャンバ１２６の側壁
１３３は、それぞれの側面に通路１２８及び１３２を規
定し、そこを通してシステムの他のチャンバへの接近が
提供される。側壁１３３を通して配置された通路１２８
及び１３２は、２つの個々のスリットバルブ又は縦列の
スリットバルブアセンブリを用いて開閉できる。通路１
２８は、基板が移送チャンバ１２６中に導入されうると
ころの、工場インターフェイス又は基板中継領域１２２
への接近を提供する。通路１３２は、加工領域６１８、
６２０（図９に示す）中の基板通路６１０と一致してお
り、基板ヒータペデスタル６２８上への配置のために加
工チャンバ１３０中の加工領域６１８、６２０中への基
板の挿入を可能とする。
【００２５】加工チャンバ１３０及び基板中継領域１２
２は、スリットバルブ開口部及びスリットバルブ１２
８、１３２を含み、それらは、加工チャンバ１３０、基
板中継領域１２２及び移送チャンバ１２６間の連通を可
能とする一方、これらのチャンバ内に真空分離環境を提
供しシステム内に多段真空を可能とする。スリットバル
ブ及びスリットバルブを制御する方法は、Tepmanらによ
って米国特許第５２２６６３２号に、及びLorimerらに
よって米国特許第５３６３８７２号に開示されている。
これらの特許は、引用することにより本明細書の一部と
なる。移送チャンバ１２６の底面１３５は中央通路（図
示せず）を規定し、そこでは、例えば基板ハンドラーア
センブリ等の基板ハンドラー１２７が延び、そして移送
チャンバ１２６の底面１３５に据え付けられる。ガスパ
ージ孔（図示せず）は、移送チャンバ１２６の底面１３
５を通して配置され、ポンプダウンの間パージガスを提
供する。
【００２６】図２Ｂは、本発明の加工モジュール１２０
の他の実施態様の上面概略図を示している。加工モジュ
ール１２０の第二の実施態様は、２つの移送チャンバ１
２６Ａ、１２６Ｂをチャンバ側壁１３３内に含む。移送
チャンバ１２６Ａ、１２６Ｂは、お互いに分離され、そ
して、工場インターフェース１２２、及び１又はそれ以
上の加工チャンバ１３０或いは１又はそれ以上の加工領
域６１８、６２０、の両者と連通しており、工場インタ
ーフェースは、好ましくは１又はそれ以上の冷却チャン
バのみを含み、そして１又はそれ以上の予備加熱ロード
ロックチャンバ１２４が工場インターフェイス１２２に
対して垂直に配置されている。移送チャンバ１２６Ａ、
１２６Ｂの側壁１３３は、各側面に通路１２８及び１３
２を規定し、そこを通してシステムの他のチャンバへの
接近が提供される。
【００２７】キャッピングモジュールの移送チャンバ内
での基板操作 図２Ａを参照する。前部端中継領域１２２によってキャ
ッピング層モジュール１２０に提供された基板は、キャ
ッピングモジュール１２０によって以下のように取り扱
われる。いったん前部端中継領域１２２に供給される
と、中継領域１２２に対する移送チャンバ前部真空ドア
１２８が閉まり、そして移送チャンバ１２６がポンプで
真空加工状態にされる。移送チャンバ１２６は、キャッ
ピングモジュール１２０上に配置された、一つ又は２つ
の搭載真空ポンプ（図示せず）で減圧される。十分な低
い圧力まで真空ポンプで減圧され次いでロードロック１
２４中で、好ましくは予備加熱コンパートメント２４４
（図４中に示す）中で基板を予備加熱した後、移送チャ
ンバ１２６の空気作用により動かされる前部真空ドア１
２８が開くと同時に、移送チャンバ１２６と前部端中継
領域１２２間のアクセスが可能となる。基板操作部材１
２７は、基板中継領域１２２中に配置された二重積み重
ね冷却／予備加熱ロードロックチャンバ１２４中に保持
された基板にインデックスをつける。次いで、移送チャ
ンバ１２６内の基板操作部材、つまり二重ブレード移送
チャンバ基板操作部材１２７は、ほぼ同時に、前部端中
継領域１２２内に配置された二重積み重ね冷却／予備加
熱ロードロックチャンバ１２４の各々の積み重ねから基
板を引き出し、そしてほぼ同時に、キャッピングモジュ
ール１２０の構造に応じて、基板を対を成す加工チャン
バ１３０の加工領域６１８、６２０中に移送するか、又
は各々の基板を個々の加工チャンバ１３０中に移送す
る。或いは、基板は、真空ポンプの間、加工チャンバ１
３０に対するスリットバルブ１３２の前部に予備配置さ
れうる。
【００２８】いったん基板が置かれると、移送チャンバ
基板ハンドラー１２７は加工チャンバから引っ込みそし
てスリットバルブ１３２が閉じる。高圧堆積モジュール
１０１中で誘電体層がすでに処理された基板は、次い
で、加工チャンバ１３０中でＰＥＣＶＤによりキャッピ
ング層が処理される。加工が完了した後、スリットバル
ブ１３２が開き、移送チャンバ基板ハンドラー１２７が
基板を加工領域６１８、６２０から取り出し、そして基
板を、二重積み重ね冷却／予備加熱ロードロックチャン
バ１２４の冷却コンパートメント２４２に置く。予備加
熱モジュール１２４中に基板を置いた後、基板ハンドラ
ーは、インデックスの順番に示された二重積み重ね冷却
／予備加熱ロードロック１２４から次の一対の基板を取
り出す。次いで、この基板は、移送され、加工され、そ
して先行する基板と同じように、移送チャンバ基板ハン
ドラー１２７によって取り出される。この工程は、予備
加熱室１２４の全ての基板が、ＰＥＣＶＤ加工チャンバ
１３０内で加工されそして冷却室１２４内に置かれるま
で続く。最後の基板が加工された後、加工チャンバ１３
０に対するスリットバルブ１３２が閉じる。
【００２９】次いで、移送チャンバ１２６は、例えばア
ルゴン等の不活性ガスを用いて大気圧までガス抜きさ
れ、そして前部真空ドア１２８が開けられる。移送チャ
ンバのガス抜きは、最後の一対の基板が加工された後ス
リットバルブ１３２を閉じるやいなや、任意に始めるこ
とができる。このことは、最後のセットの基板が二重積
み重ね冷却／予備加熱ロードロックチャンバ１２４に戻
った際に、移送チャンバ１２６がガス抜きされることを
可能とし、キャッピングモジュール１２０内での加工時
間を短縮する。いったんガス抜きが完了すると、高圧堆
積モジュール１０１内の移送チャンバ基板ハンドラー１
１２が、二重積み重ね冷却／予備加熱ロードロックチャ
ンバ１２４から基板を取り出し、そしてほぼ同時に、全
ての加工された基板を、高圧堆積モジュール１０１の前
部端中継領域１０２中に配置された基板カセット１０４
へと降ろす。
【００３０】各バッチの最後の一対の基板が加工されて
加工チャンバ１３０から除かれ、そしてスリットバルブ
１３２が閉じられた後、基板の次のバッチのために加工
チャンバを準備すべく、加工チャンバクリーニング工程
が始まりうる。このことは、移送チャンバ１２６がガス
抜きされてそして基板が交換されている間に、クリーニ
ング工程を裏で進めることを可能とする。
【００３１】高圧堆積モジュール 図３Ａを参照する。本発明のキャッピングモジュール１
２０の他の実施態様は、基板中継領域１２２を介して高
圧堆積モジュール１０１と連結している。高圧堆積モジ
ュール１０１は、好ましくは、誘電体材料例えば以下に
述べる中多孔性酸化物膜を付着し、そしてしばしば高圧
堆積モジュールと呼ばれる。高圧堆積モジュール１０１
は、膜を処理するための略大気圧加工モジュールであ
り、高圧又は略大気圧とは、ここでは、約３００トール
又はそれより大きい圧力と定義され、好ましくは５００
トールより大きい圧力である。
【００３２】連結されたキャッピング層モジュール１２
０及び高圧堆積モジュール１０１は、本発明の加工シス
テム１００を形成する。基板中継領域１２２は、キャッ
ピング層モジュール１２０と高圧堆積モジュール１０１
の間を基板を移送するために、二重積み重ね冷却／予備
加熱ロードロックチャンバ１２４を用いる。高圧堆積モ
ジュール１０１は、好ましくは、それぞれのスリットバ
ルブ１１３を持つ１又はそれ以上の基板スピナーチャン
バ１１４、それぞれのスリットバルブ１１５を持つ１又
はそれ以上の硬化処理チャンバ１１６、それぞれのスリ
ットバルブ１１７を持つ１又はそれ以上の基板ストリッ
ピングチャンバ１１８、それぞれのスリットバルブ１１
９を持つ１又はそれ以上のシリル化処理チャンバ１２
３、冷却ステーション１１１中の二重積み重ね冷却ステ
ーション１１０、及び高圧堆積モジュール１０１の移送
チャンバ１０８中に配置された基板操作部材１１２、を
含む多段圧力環境システムである。好ましくは、スピナ
ーチャンバ１１４，硬化処理チャンバ１１６，ストリッ
ピングチャンバ１１８及びシリル化チャンバ１２３のそ
れぞれが少なくとも一つあり、各々のタイプのチャンバ
が、高圧堆積モジュール１０１の移送チャンバ１０８内
に、垂直に空間を開けて積み重ねられて据え付けられて
いる。
【００３３】図３Ｂに示されるように、チャンバ、例え
ば１又はそれ以上の基板硬化処理チャンバ１１６が、十
分な空間を維持してロードロック１２４上に又は中に据
え付けられうる。基板操作部材１１２は、一般には２つ
のアーム型基板ハンドラー１１２であり、好ましくは、
独立して回転運動する２つのアームを有し、個々のアー
ムはモジュール１０１の移送チャンバ１０８内の種々の
チャンバにアクセスできる。或いは、２つのアーム型基
板ハンドラー１１２は、縦列して動くアームを有すこと
もでき、そして好ましくは、キャッピング層モジュール
１２０の基板ハンドラー１２７と同じ型のものである。
【００３４】加工システム１００の高圧堆積モジュール
１０１の前部端中継領域１０２は、典型的には、高圧堆
積モジュール１０１の移送チャンバ１０８に連結した中
継台１０２上にお互いに水平方向に空間を開けた関係に
て据え付けられた１又はそれ以上の基板カセット１０６
を有する。基板カセット１０６は、空間を開けて垂直に
配置された状態で据え付けられた複数の基板を支持する
ように適用されている。基板カセット１０６は、好まし
くは、積み重ねられた垂直な配置にその中に置かれた基
板を支持するために、垂直の関係において空間を空けて
配置された２又はそれ以上のカセットプレート（図示せ
ず）又は他の基板支持体を含む。基板休止部１０３は、
冷却ステーション１１１とロードロック１０６の間の基
板の交換の際に基板に冷却休止を提供するために、冷却
ステーション１１１中の二重に積み重ねられた冷却ステ
ーション１１０とロードロック１０６の間に配置されて
うる。或いは、基板休止部１０３は、加工のためにモジ
ュール１０１中に送られる基板のための予備加熱ステー
ションを提供しうる。
【００３５】一対の基板ハンドラー又は多段基板ハンド
ラー１０４は、前部端中継領域１０２中に配置される。
多段基板ハンドラー１０４は、高圧堆積モジュール１０
１又は高圧堆積モジュール１０１の基板カセット１０６
中に基板を提供しかつそこから基板を除くように適用さ
れており、多段基板ハンドラー１０４は、好ましくは、
高圧堆積モジュール１０１の二重積み重ね冷却ステーシ
ョン１１０と基板カセット１０６との間に配置される。
好ましくは、多段基板ハンドラー１０４は、基板を高圧
堆積モジュール１０１中に提供するための用意に、各基
板カセット１０６中の基板を検索するための基板インデ
ックスシステムを含む。本発明のシステム中に有利に用
いられる、基板マッピングシステムを有する基板ハンド
ラーの一つは、カリフォルニア州、サニーベール（Sunn
yvale）にあるEquippe Technologies社から、モデルＡ
ＴＭ１０５又は１０７として入手可能である。基板マッ
ピングセンサーは、誘電体層の処理のために、基板を高
圧堆積モジュール１０１の移送チャンバ１０８中に移送
する前に、カセット１０６中の基板の数と基板の方向を
確認する。
【００３６】図３Ａに示された高圧堆積モジュール１０
１は、２つの垂直に積み重ねられた二重基板スピナーチ
ャンバ１１４、４つの垂直に積み重ねられた基板硬化処
理チャンバ１１６の２つの列、４つの対の垂直に積み重
なられた基板ストリッピングチャンバ１１８及びシリル
化処理チャンバ１２３を含む。全ての垂直に積み重ねら
れたチャンバは、チャンバ１１４、１１６、１１８、１
２３に対して中心に配置された基板ハンドラー１１２に
向いている。
【００３７】高圧堆積モジュール中の基板操作 誘電体基板操作工程は、多段基板ハンドラー１０４が各
基板カセット１０６中の基板にインデックスをつけるこ
とによって始まる。いったんインデックスが成される
と、基板は、多段基板ハンドラー１０４によって、冷却
ステーション１１１中の二重積み重ね冷却ステーション
１１０へと移送される。高圧堆積モジュール基板ハンド
ラー１１２は、二重積み重ね冷却ステーション１１０か
ら基板を取り戻し、そしてゾルゲル前駆物質層を処理す
るために基板を誘電体基板スピナーチャンバ１１４へと
移送する。モジュール基板ハンドラー１１２は、加工が
始まる前に基板スピナーチャンバ１１４を満たすことも
でき、または、複数のスピナーチャンバのためにプログ
ラムされて１又はそれ以上のスピナーモジュール１１４
が基板を加工している間に基板スピナーモジュール１１
４中に基板を配置できる。いったんゾルゲル前駆物質が
処理されると、モジュール基板ハンドラー１１２は、基
板を取り戻しそして基板を硬化処理又は焼き付け処理チ
ャンバ１１６へと移送する。誘電体層の処理順序におけ
る他の工程に比べて硬化処理は比較的長いので、適当な
より大きな数の硬化処理チャンバ１１６，好ましくは２
つの二重基板スピナーチャンバ１１４に対して約８の硬
化処理チャンバが、モジュール１０１の移送チャンバ１
０８中に配置される。モジュール基板ハンドラー１１２
は、加工に先だって硬化処理チャンバ１１６がスピンオ
ン処理済み基板で満たされるようにプログラムされるこ
ともでき、また、所望に応じて硬化処理チャンバ１１６
中に基板を充填及び取り出しするようにプログラムされ
ることもできる。次いで、所望の量の硬化処理が達成さ
れ、基板は基板ストリッピングチャンバ１１８へと移送
される。基板は、硬化されたゾルゲル前駆物質中に残っ
ている界面活性剤を除くためにオゾンストリッパー中に
置かれる。同時に、示してはいないが、オゾンストリッ
プの準備のため或いはオゾンストリップ以外によって中
多孔性膜を形成する他の方法を提供するために、基板を
アニールして水分、溶媒又は界面活性剤を基板から除く
ための任意のアニールチャンバが、モジュール１０１の
移送チャンバ１０８中に配置されうる。
【００３８】処理された誘電体膜がシリル化されるべき
である場合は、基板は次いで、基板ストリッピングチャ
ンバ１１８から取り戻されそしてシリル化チャンバ１２
３へと移送される。或いは、キャッピング層を処理する
ために、基板は、キャッピング層モジュール１２０のた
めの基板中継領域１２２へと移送される。シリル化チャ
ンバ１２３又はキャッピングモジュール１２０のいずれ
かでいったん加工されると、基板ハンドラー１１２が基
板を取り戻し、そして基板を二重積み重ね冷却ステーシ
ョン１１０を介して基板カセット１０６へと移送する。
【００３９】前部端中継領域 再び図２及び３を参照する。工場インターフェース又は
基板中継領域１２２は、大気圧装置であり、基板中継領
域から、典型的には大気圧又はそれに近い圧力で操作さ
れるチャンバ、例えば真空ポンプをかける前の高圧堆積
モジュール１０１への素早い移送を可能とする。図３Ａ
は、モジュール１０１の前部端中継領域１０２を示して
おり、それは、好ましくは、加工のために二重積み重ね
冷却／予備加熱ロードロックチャンバ１２４内に据え付
けられた１又はそれ以上の基板カセットを有する二重に
積み重ねた冷却／予備加熱ロードロックチャンバ１２４
を含む。基板カセットは、垂直関係にて空間を開けて複
数の基板を支持するように設計されており、そこでは、
基板操作部材１１２、１１７は、基板カセットの反対側
から基板を挿入したり取り戻したりできる。図２Ａに示
された他の実施態様においては、ロードロックチャンバ
１２４はまた、モジュール１０１と１２０間の基板移送
のためにそして別のチャンバ内で成される予備加熱のた
めの冷却ステーションとして機能する。
【００４０】加工の前後に冷却／予備加熱ロードロック
チャンバ１２４内に納められた基板は、移送チャンバ側
壁１３３を貫通して配置された１又はそれ以上の移送チ
ャンバドア１２８（図２Ａ中に示す）を通じてモジュー
ル１２０中に提供される。移送チャンバ１２６中の基板
ハンドラー１２７は、冷却／予備加熱ロードロックチャ
ンバ１２４及び移送チャンバドア１２８に隣接して配置
されている。好ましくは、基板ハンドラー１２７は、移
送チャンバ１２６に据え付けられた加工チャンバ１３０
中に基板を入れかつ取り出すための用意に、個々の基板
カセット中の基板にインデックスをつけるための基板マ
ッピングシステムを含む。
【００４１】ロードロックは、高圧堆積モジュール１０
１からロードロックチャンバ１２４へと基板を移送する
ために大気圧であるので、基板ハンドラー１２７は、他
の基板ハンドラー１１２（図３Ａ中に示す）と同時にロ
ードロックチャンバ１２４中に入ることができる。移送
チャンバ１２６の側面の開口部１２８は、移送チャンバ
１２６の真空ポンプ作動に先だって閉じられ、そして真
空ポンプの作動は、キャッピング層の処理のために基板
が加工チャンバ１３０中への移送される前に成される。
【００４２】二重位置ロードロックチャンバ 図４は、本発明の冷却／予備加熱ロードロックチャンバ
１２４のカッタウェイ透視図である。冷却／予備加熱ロ
ードロックチャンバ１２４は、チャンバ壁２０２、底面
２０４、及びふた２０６を含む。チャンバ１２４は、２
つの別々の環境又はコンパートメント２４２、２４４、
及び移送領域２４６を含む。コンパートメント２４２、
２４４は、その中で基板を支持するために、それぞれの
コンパートメント２４２、２４４中に基板カセットを含
む。各々のコンパートメント２４２、２４４は、コンパ
ートメント２４２、２４４の底面と上面を規定する支持
台２４８及び上部台２５０を含む。支持壁２５２は、ペ
デスタル２４８、２５０を空間を開けた関係に維持する
ために、コンパートメント２４２、２４４内に垂直に配
置されうる。移送領域２４６は、冷却／予備加熱ロード
ロックチャンバ１２４から移送チャンバ１０８、１２６
へのアクセスを提供するために１又はそれ以上の通路１
２１を含む。通路１２１は、好ましくは、スリットバル
ブ及びスリットバルブアクチュエーターを用いて開閉さ
れる。
【００４３】コンパートメント２４２は、移送チャンバ
１０８の加工チャンバ中又はキャッピングモジュール中
での加工に引き続き、基板のために冷却ステーションを
提供する。図２Ａに示した他の実施態様においては、両
方のコンパートメント２４２及び２４４が、移送チャン
バ１０８の加工チャンバ中又はキャッピングモジュール
１２０中での加工に引き続き、基板に冷却ステーション
を提供しうる。
【００４４】コンパートメント２４４は、コンパートメ
ント２４２に関しては選択的に加熱され、その結果、キ
ャッピングモジュール１２０の加工チャンバ１３０内で
の基板の加工に先立って予備加熱モジュールとして働
く。加熱コンパートメント２４４は、好ましくは、その
中で個々の基板を加熱するための発熱体、例えば、加熱
ランプ、液体熱交換機又は抵抗発熱体を有し、又は、コ
ンパートメント２４４内の全ての基板を同時に加熱する
ための発熱体を有しうる。ロードロック１２４の他の実
施態様においては、硬化処理モジュール１１６は、予備
加熱コンパートメント２４４内に据え付けられることが
でき、それによって、空間を効率的に節約する一方、モ
ジュール１２０内での加工に先立って、処理された膜の
硬化又は基板の予備加熱を提供する。
【００４５】コンパートメント２４２、２４４は、各々
エレベータシャフト２２４に連結しており、シャフトの
それぞれは、室を冷却／予備加熱ロードロックチャンバ
１２４内にて上下方向に動かすために、モーター例えば
ステッパモーター等に連結している。シーリングフラン
ジ２５６は、コンパートメント２４２の支持ペデスタル
２４８のためのシーリング表面を提供するために、冷却
／予備加熱ロードロックチャンバ１２４内の周囲に配置
されている。シーリングフランジ２５８は、コンパート
メント２４４の支持ペデスタル２５０のためのシーリン
グ表面を提供するために同様に配置されている。コンパ
ートメント２４２、２４４は、シーリングフランジ２５
６、２５８によって互いに隔離され、冷却／予備加熱ロ
ードロックチャンバ１２４内に、コンパートメント２４
２，２４４の独立した多段真空を提供する。
【００４６】後方圧は、その中に配置された減圧穴を通
じて空間２６０，２６２内で維持されている。真空ポン
プは、排気ライン２６４を通じて空間２６０、２６２に
連結され、シーリングフランジ２５６、２５８に接する
ペデスタル２４８、２５０のシーリングを補助するため
に、空間２６０、２６２内に高真空を提供している。
【００４７】操作においては、コンパートメント２４
２、２４４は、図４に示された位置にて荷が挿入され又
は取り出される。ローディングドア及びアクチュエータ
ー（図示せず）は、コンパートメント２４２、２４４に
対応する冷却／予備加熱ロードロックチャンバ１２４の
上限及び下限にて、前部の壁（図示せず）を通して提供
される。選択された室中の圧は、基板を室中に入れた
後、排気管２８７、２８９を介してポンプで空気が抜か
れ、そして選択された室は移送領域２４６中へと移動さ
れる。コンパートメント２４２、２４４は、ステッパモ
ーターにより移送領域２４６中に独立して移動する。上
部及び下部のコンパートメント２４２、２４４を有する
利点は、あるセットの基板の加工が、第二のセットの基
板が他の室中に挿入されている間に行われることであ
り、そして、室が適当な圧までポンプで減圧されて、移
送領域２４６中に移動されかつ移送チャンバ１０８、１
２６と連通しうることである。
【００４８】移送チャンバ基板ハンドラー 図５は、移送チャンバ１２６内（又は、移送チャンバ１
０８内、これは詳細に上記した）を自由に回転するため
に引き込み位置にある、本発明の磁気的に連結された基
板ハンドラー５００の一実施態様の上面概略図である。
二重基板操作ブレード５２０、５２２を有する基板ハン
ドラーは、移送チャンバ１２６内に配置されて、基板５
０２を一つのチャンバから他のチャンバへと移送する。
本発明において有利に用いられそして改良することがで
きる「超高生産性」（ＶＨＰ）タイプの基板ハンドラー
は、１９９５年１１月２１日に発行された米国特許第５
４６９０３５号、発明の名称「Two-axis Magnetically
Coupled Substrate handler」に記載されており、そし
てこの特許は引用することにより本発明の一部をなす。
【００４９】磁気的に結合された基板ハンドラー５００
は、２つの真空側面ハブ（これはまた、磁気クランプと
呼ばれる）の間に連結されたかえる足タイプのアセンブ
リ、及び二重基板ブレード５２０、５２２を含み、固定
された平面内での基板ハンドラーブレードの放射状及び
回転運動を提供する。放射状及び回転運動は、システム
１００内の一つの位置から他の位置へと、例えば一つの
加工チャンバ１３０から他のチャンバ例えばロードロッ
ク１２４へと２つの基板を持ち上げ、移送し、そして届
けるために調和又は協力しうる。図２Ｂ中に示された実
施態様においては、一本のアームを有するロボットが、
移送チャンバ１２６Ａ、１２６Ｂ内に配置されている。
【００５０】基板ハンドラーは、位置５２５において第
一の磁気クランプ５２４に固く取り付けられた第一のス
トラット５０４、及び位置５２７において第二の磁気ク
ランプ５２６（第一の磁気クランプ５２４の下に同一中
心にて配置されている）に固く取り付けられた第二のス
トラット５０６を含む。第三のストラット５０８は、ピ
ボット５１０によりストラット５０４にそしてピボット
５１２により基板ブレードアセンブリ５４０に取り付け
られている。第四のストラット５１４は、ピボット５１
６によりストラット５０６にそしてピボット５１８によ
り基板ブレードアセンブリ５４０に取り付けられてい
る。ストラットの構造５０４、５０８、５０６、５１４
及びピボット５１０、５１２、５１６，５１８は、基板
ブレードアセンブリ５４０と磁気クランプ５２４、５２
６間にかえる足タイプの連結を形成する。
【００５１】磁気クランプ５２４、５２６が、同一の角
速度にて同一の方向に回転すると、基板ハンドラー５０
０もまた同一の角速度にて同一の方向に軸Ａの周りを回
転する。磁気クランプ５２４、５２６が、同一の絶対角
速度で反対方向に回転すると、アセンブリ５００の回転
は起こらないが、図６で図示された位置に対して基板ブ
レードアセンブリ５４０の線形放射状の動きが起こる。
【００５２】２つの基板５０２をチャンバ１３０の加工
領域６１８、６２０中に又はそこから移送するため、個
々の基板ブレード５２０、５２２が移送チャンバ１２６
の側壁１３３にある個々の基板通路１３２を通じて伸び
ることができることを図示するために、２つの基板５０
２は、基板ブレードアセンブリ５４０上に装填された状
態で示されている。磁気的に結合された基板ハンドラー
５００は、２つのモーターの相対速度に対応する磁気ク
ランプ５２４、５２６の相対回転運動により制御され
る。第一の操作モードは、両方のモーターが磁気クラン
プ５２４、５２６を同一速度にて同一の方向に回転する
ことにより提供される。このモードは磁気クランプの相
対的運動を起こさないので、基板ハンドラーは中心軸Ａ
の周りを単に回転するだけであり、典型的には、一つの
対の加工領域６１８、６２０について基板交換に適した
位置から、他の対の加工領域について基板交換に適した
位置へと回転する。
【００５３】更に、完全に引っ込んだ基板ハンドラーが
中心軸Ａの周りを回転するに伴って、基板の端に沿った
最も外側の放射状地点５４８は、基板ハンドラーを回転
するために要求される最小円形領域５５０を規定する。
磁気的に結合された基板ハンドラーはまた、両方のモー
ターが磁気クランプ５２４、５２６を同一速度にて反対
方向に回転することにより第二のモードを提供する。こ
の第二のモードは、基板ブレードアセンブリ５４０の基
板ブレード５２０、５２２を、通路１３２を通じて加工
領域６１８、６２０中へと伸ばすために、或いは逆にそ
こからブレードを引っ込めるために用いられる。基板ハ
ンドラー５００が軸Ａの周りを回転している際に、基板
ブレードアセンブリ５４０のほぼ同時の伸長又は引き込
みを提供するために他のモーター回転の組み合わせを用
いることもできる。
【００５４】基板ブレードアセンブリ５４０の基板ブレ
ード５２０、５２２を回転軸Ａから放射状方向に離した
状態で維持するため、連動機構が、各ピボットの同一又
は反対の角回転を保証するためにピボット又はカム５１
２、５１８の間にて用いられる。連動機構は、多くの設
計を採ることができ、例えば、８の字パターンにピボッ
トの周りに備えられたかみ合いギア又はストラップ、或
いはそれの均等物がある。一つの好ましい連動機構は、
基板ブレードアセンブリ５４０のピボット５１２、５１
８の間に連結されそしてそれらの間を伸びる一対の金属
ストラップ５４２及び５４４である。ストラップ５４
２，５４４は、ピボット５１２、５１８と連結してい
る。好ましくは、ストラップ５４２、５４４は、個々に
調整可能であり、一方が他方の上に位置する。図５及び
６において示されているように、ストラップはまた、Ｕ
字型の二重ブレードの基台にてロッド５４６の周囲を通
過している。二重ブレード縦列基板ハンドラーが移送チ
ャンバ１２６内で用いられる際は、上記の基板ハンドラ
ーが用いられるのが好ましい。
【００５５】図６は、伸長位置にある、図５の基板ハン
ドラーアームとブレードアセンブリを示している。この
伸長は、磁気クランプ５２６の時計方向の、そして磁気
クランプ５２４の反時計方向の、同時に起こりかつ同じ
回転によって達成される。基板ブレードアセンブリ５４
０の個々のブレード５２０、５２２は、通路１３２を通
って伸びそしてペデスタル６２８（図８参照）。上の中
央に基板５０２を置くのに十分な長さである。いったん
基板５０２が一対のリフトピンアセンブリによってブレ
ードから持ち上げられると、次いで、ブレードは引っ込
みそして通路１３２は上記したスリットバルブ及びアク
チュエーターによって閉じる。
【００５６】ストリッピングチャンバ 図７は、本発明の例示的な基板ストリッピングチャンバ
の横断面図である。特に、図７は、処理された膜の非反
応性ガスアニール及び酸化ガスストリップのいずれも行
える高速熱アニールチャンバである。基板ストリッピン
グチャンバ又は高速熱アニール（ＲＴＡ）チャンバ１１
８は、好ましくは移送チャンバ１０８に連結している。
図２及び３に示されているように、高圧堆積モジュール
１０１は、好ましくは、２つのＲＴＡチャンバ１１８を
含み、それらは好ましくはキャッピングモジュール１２
０から見て移送チャンバ１０８の反対側に配置され、基
板は、基板ハンドラー１１２によってＴＲＡチャンバ１
１８内へとそしてそこから外へと移送される。
【００５７】熱アニール加工チャンバは、本技術分野に
おいて一般的によく知られており、そして高速熱アニー
ルチャンバは典型的には、処理された物質の特性を改変
するために基板加工システムにおいて用いられる。本発
明に従って、アニーリングチャンバ１１８は、界面活性
剤を除くために、反応性ガスの存在下での高温アニール
による界面活性剤はぎ取り又は露出した膜の酸化を行う
ために用いられる。本発明に有用な一つの特別な熱アニ
ールチャンバは、カリフォルニア州、サンタクララにあ
るアプライドマテリアル社から入手可能なＷｘＺチャン
バである。本発明は熱板高速熱アニールチャンバを用い
て述べているが、本発明の方法を達成するために、本発
明は他の熱アニールチャンバの適用をも含むものであ
る。
【００５８】ＲＴＡチャンバ１１８は一般的に、囲い室
９０２、ヒータプレート９０４，ヒータ９０７、及び複
数の基板支持ピン９０６を含む。囲い室９０２は、基部
９０８、側壁９１０及び上面９１２を含む。好ましく
は、冷却板９１３が囲い室の上面９１２の下に配置され
ている。或いは、冷却板は、一体化されて、囲い室の上
面９１２の一部を形成している。好ましくは、反射絶縁
体皿９１４が、基部９０８上の囲い室９０２内に配置さ
れる。反射絶縁体皿９１４は典型的には、例えば石英、
アルミナ等の物質、又は高温（すなわち、約５００℃よ
り高温）に耐えられる他の物質から作られ、そしてヒー
タ９０７と囲い部９０２の間の熱絶縁体として機能す
る。皿９１４はまた、反射物質、例えば金で被覆され
て、ヒータプレート９０６を裏から直接熱することがで
きる。
【００５９】ヒータプレート９０４は、好ましくはシス
テム中で加工される基板に比べて大きな質量を有し、そ
して好ましくは炭化珪素、石英等の物質、又はＲＴＡチ
ャンバ１１８中の周囲ガスと或いは基板物質と反応しな
い他の物質から作られる。ヒータ９０７は典型的には、
抵抗性の発熱体又は伝導性／放射性の熱源を含み、加熱
プレート９０６と反射絶縁体皿９１４の間に配置され
る。ヒータ９０７は、ヒータ９０７を加熱するために必
要なエネルギーを供給する電源９１６に連結されてい
る。好ましくは、熱電対９２０は、導管９２２中に配置
される。そしてそれは、基部９０８及び皿９１４を通っ
て配置され、ヒータプレート９０４中まで伸びている。
熱電対９２０は、コントローラー９２１に連結され、コ
ントローラー９２１に測定温度を提供する。次いで、コ
ントローラー９２１は、測定温度及び所望のアニール温
度に従って、ヒータ９０７によって供給される熱を増加
又は減少する。
【００６０】囲い室９０２は、好ましくは、囲い室９０
２を冷却するために側壁９１０と熱接触する状態にて、
囲い室９０２の外部に配置された冷却部材９１８を含
む。或いは、１又はそれ以上の冷却路（図示せず）を側
壁９１０内に形成し、囲い室９０２の温度を制御する。
上面９１２の内側表面上に配置された冷却板９１３は、
冷却板９１３に接近して置かれた基板を冷却する。
【００６１】ＲＴＡチャンバ１１８は、ＲＴＡチャンバ
１１８内へのそしてそこから外への基板の移送を容易に
するために、囲い部９０２の側壁９１０上に配置された
スリットバルブ９２２を含む。スリットバルブ９２２
は、移送チャンバ１０８と連通している囲い部の側壁９
１０上の開口部９２４を選択的に閉じる。基板ハンドラ
ー１１２は、開口部９２４を通じて、ＲＴＡチャンバ内
へのそしてそこから外へ基板を移送する。
【００６２】基板支持ピン９０６は、好ましくは、石
英、酸化アルミニウム、酸化珪素又は他の高温耐性物質
から形成された、遠方へと先細になった部材を含む。各
々の基板支持ピン９０６は、管状の導管９２６内に配置
され、そして導管は、好ましくは熱及び酸化耐性物質か
ら作られて、ヒータプレート９０４を通って伸びる。基
板支持ピン９０６は、均一な挙動で基板支持ピン９０６
を動かすためにリフトプレート９２８に連結されてい
る。リフトプレート９２８は、リフトシャフト９３２を
介してアクチューエーター９３０、例えばステッパモー
ターに取り付けられており、リフトシャフト９３２は、
ＲＴＡチャンバ内の種々の垂直位置に基板を置くことを
容易とするためにリフトプレート９２８を動かす。リフ
トシャフト９３２は、囲い室９０２の基部９０８を通っ
て伸び、そしてシャフトの周りに配置されたシーリング
フランジ９３４によってシールされる。
【００６３】ＲＴＡチャンバ１１８内に基板を移送する
ために、スリットバルブ９２２が開き、そして挿入ステ
ーション移送基板ハンドラー２２８が、ＲＴＡチャンバ
の開口部９２４を通ってその基板ハンドラーブレードを
伸ばして基板をその上に置く。挿入ステーション移送基
板ハンドラー２２８の基板ハンドラーブレードは、ＲＴ
Ａチャンバ内の基板をヒータプレート９０４上に置き、
そして基板支持ピン９０６が基板ハンドラーブレードの
上側に基板を持ち上げるために上方に伸ばされる。次い
で、基板ハンドラーブレードは引っ込んでＲＴＡチャン
バから出て、そしてスリットバルブ９２２が開口を閉じ
る。基板支持ピン９０６は、次いで、基板をヒータプレ
ート９０４から所望の距離に下げるために引っ込む。任
意に、基板支持ピン９０６は完全に引っ込んで、基板を
ヒータプレートに直接接触するように配置することもで
きる。
【００６４】好ましくは、ガス入口９３６が囲い部９０
２の側壁９１０を貫通するように配置され、アニール処
理加工の間、選択されたガスがＲＴＡチャンバ内に流れ
込むのを可能とする。ガス入口９３６は、ＲＴＡチャン
バ１１８内へのガスの流を制御するために、バルブ９４
０を通じてガス供給源９３８に連結している。ガス供給
源９３８は、高温アニーリングのために非反応性ガスを
提供でき、また、露出した基板膜の酸化のために、酸化
ガス好ましくはオゾンプラズマをアニーリングチャンバ
１１８に供給する遠隔ユニットでありうる。ガス出口９
４２が好ましくは、囲い部９０２の側壁９１０の低い部
分に配置され、ＲＴＡチャンバ内のガスを排気し、そし
て好ましくは逃し／点検バルブ９４４に連結されてチャ
ンバ外からの大気の逆流を防ぐ。任意に、ガス出口９４
２は真空ポンプ（図示せず）に連結されて、アニール処
理の間、ＲＴＡチャンバを所望の真空レベルに排気す
る。
【００６５】本発明に従って、酸化膜の処理後に、基板
はＲＴＡチャンバ１１８内でアニールされる。好ましく
は、高温非反応性ガスアニールのために、ＲＴＡチャン
バ１１８は、略大気圧に維持され、そしてＲＴＡチャン
バ内の酸素含量は、アニール処理工程の間、約１００ｐ
ｐｍ未満に制御される。好ましくは、ＲＴＡチャンバ１
１８内の周囲環境は、窒素（Ｎ2）又は窒素（Ｎ2）と４
％未満の水素（Ｈ2）の混合物を含み、そしてＲＴＡチ
ャンバ１１８内への周囲ガスの流れは、酸素含量を１０
０ｐｐｍ未満に制御するために２０リットル／分より大
きく維持される。基板は、約２００℃〜約４５０℃の温
度で約３０秒〜約３０分の間、更に好ましくは、約４０
０℃〜約４５０℃の温度で約３０秒〜約５分の間でアニ
ールされる。高速熱アニール加工は、典型的には、少な
くとも毎秒５０℃の温度上昇を必要とする。アニール処
理の間、基板に要求される温度上昇率を提供するため
に、ヒータプレートは好ましくは約３５０℃〜約４５０
℃の間で維持され、そして基板は好ましくは、ヒータプ
レートから約０ｍｍ（すなわち、ヒータプレートに接触
している）〜約２０mmの間に、アニール処理工程の間、
維持される。
【００６６】基板の酸化ストリップのために、ＲＴＡチ
ャンバ１１８は、約１トール〜約１０トールの圧力に近
い圧力に維持され、酸化ガスは、高温にて酸素及びオゾ
ン、或いはプラズマを含んだ酸素を含む。好ましくは、
酸化は、酸素に敏感でない又は酸素と反応しない物質を
含む基板表面で好ましくは行われる。好ましくは、ＲＴ
Ａチャンバ１１８内への酸化ガスの流れは、高流速例え
ば２０リットル／分より大きい流速に維持され、基板上
の露出された膜の通過酸化ストリップを提供する。酸化
ストリップ加工の間、基板は約２００℃〜約４５０℃の
温度に約３０秒〜約３０分の間、もっと好ましくは約３
５０℃〜約４００℃の温度に約３０秒〜約５分の間加熱
される。酸化ガスは、酸素供給源（図示せず）から受け
取り、酸素供給源はまたガスを処理して、遠隔のプラズ
マ発生装置ＲＦ又は遠隔のマイクロ波発生装置（図示せ
ず）から酸素種を提供する。
【００６７】ストリッピング加工が完了した後、基板支
持ピン９０６は、基板をＲＴＡチャンバ１１８外への移
送のための位置に持ち上げる。スリットバルブ９２２が
開き、そして移送チャンバ１０８の基板ハンドラー１１
２がＲＴＡチャンバ中に伸ばされて基板の下に配置され
る。基板支持ピン９０６が引っ込み、基板を基板ハンド
ラーブレード上へと下降させ、次いで、基板ハンドラー
ブレードがＲＴＡチャンバ中から外へと引っ込む。
【００６８】加工チャンバ 図８は、縦列加工チャンバ１３０の一実施態様の透視図
を示している。チャンバ本体６０２は、移送チャンバ１
２６に据え付けられているかさもなければ連結されてお
り、そして個々の基板が同時に加工されるところの２つ
の加工領域を含む。チャンバ本体６０２はふた６０４を
支持し、ふたは、チャンバ本体６０２にヒンジ式に取り
付けられ、そして、そこを通って配置された１又はそれ
以上のガス分配システム６０８を含み、複数の加工領域
に反応物質及びクリーニングガスを供給する。
【００６９】図９は、２つの加工領域６１８、６２０を
規定するチャンバ１２６の概略横断面図を示している。
チャンバ本体６０２は、２つの加工領域６１８、６２０
を規定する側壁６１２、室内壁６１４及び底面壁６１６
を含む。各々の加工領域６１８、６２０中の底面壁６１
６は、少なくとも２つの通路６２２、６２４を規定して
おり、そこを通ってペデスタルヒータ６２８の軸６２６
と基板リフトピンアセンブリのロッド６３０がそれぞれ
配置されている。ペデスタルリフトアセンブリ及び基板
リフトは、以下に詳細に記載する。
【００７０】側壁６１２及び室内壁６１４は、２つの筒
環状の加工領域６１８、６２０を規定する。周囲のポン
プ路６２５が、加工領域６１８、６２０からガスを排気
するため及び各領域６１８、６２０内の圧力を制御する
ために、筒状加工領域６１８、６２０を規定するチャン
バ壁中に形成される。チャンバライナー又は挿入物６２
７は、好ましくはセラミック等から作られ、各加工領域
６１８、６２０内に配置されて、各加工領域の側面境界
を規定し、そしてチャンバ壁６１２、６１４を腐食性加
工環境から保護しかつ電極間に電気的に分離されたプラ
ズマ環境を維持する。ライナー６２７は、各加工領域６
１８、６２０の壁６１２、６１４内に形成された棚６２
９上にてチャンバ内で支持されている。ライナーは、そ
こを通ってそしてチャンバ壁内に形成されたポンプ路６
２５と連通するように配置された、複数の排気口６３１
または周囲のスロットをむ。好ましくは、約２４の口６
３１が各ライナー６２７を通って配置され、それらは約
１５度離れるように空間を開けてそして加工領域６１
８、６２０の周囲の周りに配置されている。２４の口が
好ましいが、所望のポンプ速度及び均一性を達成するた
めに、任意の数を用いることができる。口の数に加え
て、ガス分配システムのフェースプレートとの関係での
口の高さも、加工の間、基板上に最適のガス流パターン
が提供できるように制御されている。
【００７１】図１１は、本発明の排気システムを説明し
ているチャンバの横断面図を示している。各加工領域６
１８、６２０のポンプ路６２５は、好ましくは共通の排
気路６１９を介して共通の排気ポンプに連結しいてい
る。排気路６１９は、排気管６２１によって各領域６１
８、６２０のポンプ路６２５に連結している。排気路６
１９は、排気ライン（図示せず）を介して排気ポンプ
（図示せず）に連結しいている。各領域は、好ましくは
ポンプによって選択された圧まで減圧され、そして連結
された排気システムは各領域内の圧の一律化を可能とす
る。ポンプは、好ましくは、超低振動でミリトールの圧
を提供することができる高真空ターボポンプである。有
利に用いられる一つの真空供給源は、Edward High Vacu
umから入手可能である。
【００７２】図９の参照に戻る。各々の加工領域６１
８、６２０はまた、好ましくは、加工領域６１８、６２
０中にガスを、好ましくは同じガス源から供給するため
の、チャンバふた６０４を通して配置されるガス分配ア
センブリ６０８を含む。各々の加工領域のガス分配シス
テム６０８は、ガスをシャワーヘッドアセンブリ６４２
に供給するガス入口通路６４０を含む。シャワーヘッド
アセンブリ６４２は、フェースプレート６４６と中間に
配置されたブロッカープレート６４４を有する環状のベ
ースプレート６４８から構成される。ＲＦフィードスル
ーは、シャワーヘッドアセンブリにバイアス電位を提供
し、シャワーヘッドアセンブリのフェースプレート６４
６とヒータペデスタル６２８との間でのプラズマの生成
を容易にする。冷却路６５２は、各ガス分配システム６
０８のベースプレート６４８中に形成されて操作の間プ
レートを冷却する。入口６５５は、例えば水等の冷却液
を、冷却剤ライン６５７によって互いに連結された冷却
路６５２に供給する。冷却液は冷却剤出口６５９を通っ
て出ていく。或いは、冷却液は、マニフォールドを通っ
て循環される。
【００７３】チャンバ本体６０２は、ガス分配システム
を通じてチャンバ中に供給されるべき、選択された加工
に適した各反応性ガスとクリーニングガスのために複数
の垂直のガス通路を規定する。ガス入口連結部６４１
は、チャンバ１２６の底に配置され、チャンバ壁中に形
成されるガス通路をガス入口ライン６３９に連結する。
図１１に示すように、Ｏ―リングが、チャンバ壁の上部
表面上にて、チャンバ壁を通って形成された各々のガス
通路のまわりに提供され、ふたとのシーリング連結を提
供する。図１０に示すように、ふたは、整合通路を含
み、チャンバ壁の低い場所からチャンバふたの上面上に
配置されたガス入力マニホールド６７０中へとガスを供
給する。反応性ガスは、電圧勾配フィードスルー６７２
を通じて、そして、ガス分配アセンブリに連結されたガ
ス出口マニフォールド６７４中へと供給される。
【００７４】ガス入力マニホールド６７０は、加工ガス
を、チャンバガスフィードスルーからアースされている
一定電圧勾配ガスフィードスルー中へと導く。ガスフィ
ード管（図示せず）は、加工ガスを、電圧勾配ガスフィ
ードスルー６７２を通してそして出口マニホールド６７
４中へと供給し或いはそこへの経路を定める。抵抗性の
スリーブがガスフィード管を取り巻き、フィードスルー
を横切って線形電圧降下を作り、チャンバ中のプラズマ
がガスフィード管中へと移動するのを防ぐ。ガスフィー
ド管は好ましくは石英から作られ、そしてスリーブは好
ましくは複合セラミックから作られる。ガスフィード管
は分離ブロック内に配置され、分離ブロックは冷却剤を
含み、温度を制御し、かつ熱放射を防ぎそしてまた加工
ガスの液化を防ぐ。好ましくは、絶縁ブロックは、Delr
in（商標）アセタール樹脂から作られる。石英フィード
管は、ガスを、ブロッカープレート６４４へと加工ガス
を導くガス出口マニホールド６７４中或いはガス分配プ
レート６４６中へと供給する。
【００７５】ガス入力マニホールド６７０（図１０参
照）はまた、クリーニングガスをチャンバガスフィード
スルーから遠隔プラズマ源（図示せず）中へと供給する
通路を規定する。これらのガスは、電圧勾配フィードス
ルーを迂回しそして遠隔プラズマ源中へと供給され、そ
こではガスがさまざまな励起種へと活性化される。次い
で、励起種は、ガス入口通路６４０中に配置された導管
を通って、ブロッカープレートのすぐ下のガス分配プレ
ートへと供給される。
【００７６】各加工領域のガス分配システム中へとガス
を提供するガスライン６３９は、好ましくは、単一ガス
源ラインに連結しており、従って、各加工領域６１８、
６２０へのガス供給のために共有又は共通で制御されて
いる。加工ガスをマルチゾーンチャンバへ供給するガス
ラインは、複数の加工領域へと供給するために、ｔ型カ
ップリングによって分かれている。各加工領域へ供給す
る個々のライン中の流れを容易とするために、フィルタ
ー、例えば焼結ニッケルフィルターがガスラインのスプ
リッターの上流に配置されている。フィルターは、分離
したガスフィードライン中へのガスの同等な分配及び流
れを促進する。
【００７７】ガス分配システムは、その底部表面に近接
して配置されたブロッカープレート６４４を有するベー
スプレート６４８を含む。フェースプレート６４６は、
ブロッカープレート６４４の下に配置され、ガスを加工
領域６１８、６２０中へと供給する。一つの実施態様に
おいて、ベースプレート６４８は、そこを通してガス通
路を規定し、ブロッカープレート６４４のすぐ上の領域
へと加工ガスを供給する。ブロッカープレート６４４
は、その上部表面上に加工ガスを分散させ、そしてフェ
ースプレート６４６上にガスを供給する。ブロッカープ
レート６４４中の穴は、加工ガスの混合とフェースプレ
ート６４６上への分配を促進するような大きさと位置に
設定できる。フェースプレート６４６へと供給されたガ
スは、次いで、加工のために配置された基板上で均一に
なるように、加工領域６１８、６２０中へと供給され
る。
【００７８】ガスフェード管（図示せず）は、ガス通路
中に配置され、そして一端にて、遠隔プラズマ源からの
出口ラインと連結している。ガスフィード管の一つの端
は、ガス出口マニホールドを通って伸び、遠隔プラズマ
源からガスを供給する。ガスフィード管の他端は、ブロ
ッカープレート６４４を通って配置され、ブロッカープ
レート６４４を超えてフェースプレート６４６のすぐ上
の領域へとガスを供給する。フェースプレート６４６
は、ガスフィード管を通って供給されたガスを分散し、
次いで、ガスを加工領域へと供給する。
【００７９】これは好ましいガス分配システムである
が、遠隔プラズマ源からのガスは、チャンバ壁を貫通し
て配置された孔（図示せず）を通じて加工領域６１８、
６２０中へ導入できる。更に、加工ガスは、現在入手可
能な任意のガス分配システム、例えば、アプライドマテ
リアル社、サンタクララ、カリフォルニアから入手可能
なガス分配システムを通して供給されうる。
【００８０】ヒータペデスタル 図９は、支持プレートの下側に連結されそしてチャンバ
本体６０２の底を通って伸びて駆動システム６０３に連
結している軸６２６によって、各加工領域６１８、６２
０内に可動的に配置されたヒータペデスタル６２８を示
している。軸６２６は、好ましくは、環状の、筒状の、
アルミニウム部材であり、その上端がヒータペデスタル
６２８の下側と支持接触するようにそして下端がカバー
プレートで閉じられるように配置されている。軸の下端
は、カップ型のスリーブ中に納められており、スリーブ
は軸の駆動システムへの連結を形成している。軸６２６
は、ヒータペデスタル６２８を加工領域内に機械的に配
置し、そしてまた、そこを通って複数のヒータプレート
連結が伸びることができる周囲の通路を形成している。
各ヒータペデスタル６２８は、その上に配置された基板
を所望の加工温度まで加熱するための発熱体を含みう
る。発熱体は、例えば、抵抗性発熱体を含みうる。或い
は、ヒータペデスタルは、ランプ等の外部発熱体によっ
て加熱されうる。本発明において有利に用いられるペデ
スタルは、カリフォルニア州、サンタクララにあるアプ
ライドマテリアル社から入手可能である。ペデスタルは
また、加工の間、その上に基板を固定するために、静電
チャック、真空チャック又は他の把持具を含みうる。
【００８１】ヒータペデスタル６２８は、線形電気アク
チュエーター（図示せず）を用いた駆動システム６０３
を用いて、加工、洗浄、持ち上げ及び開放位置へと移送
ハウジングを上下に動かすことにより上昇及び下降す
る。移送ハウジングは、台車プレート（図示せず）を通
して、その片側においてアクチューエーターにそして他
方の側において直線スライド（図示せず）に連結されて
いる。アクチュエーターと台車の間の連結は、たわみ
（ボール及びソケット）継手（図示せず）を介してなさ
れ、任意のミスアライメントを可能としている。直線ス
ライド及び台車プレートは、他方に対してバイアスされ
ており、それらの回転と曲がりを防いでいる。じゃばら
が、ヒータペデスタル６２８の軸６２６の周りを囲い、
そして一方の端においてチャンバ底６１６に、他方の端
において移送ハウジングに連結している。シールリング
（図示せず）が、スリーブ６２４中の軸の下端の外側表
面を密封するために、軸６２６中の溝６３０中に提供さ
れる。フェースプレート６４６に対してのヒータペデス
タル６２８の水平化は、３つのスクリューを用いて達成
される。
【００８２】或いは、駆動システム６０３は、適合カッ
プリングと親ネジアセンブリのために、チャンバ１３０
の下に吊り下げられそして駆動ベルトに連結されたモー
ター及び減速ギアアセンブリ（図示せず）を含む。移送
ハウジングは、親ねじアセンブリ上で受けとられ、上下
にガイドされそして直線スライドによって回転しないよ
うに保持される。ヒータ持ち上げ機構は、駆動カラーで
もってチャンバ１３０に接して保持される。ヒータペデ
スタル６２８は、ステッパモーターによって駆動される
親ねじによって上下される。ステッパモーターは、モー
ターブラケットによってヒータリフトアセンブリに据え
付けられている。ステッパモーターはじゃばら内で親ね
じを駆動する。じゃばらは、加工、持ち上げ及び開放位
置へとヒータセンブリを上下させるために親ねじをまわ
す。シールリングは、スリーブ内で軸６２６の下端の外
側表面を密閉するために、軸６２６の溝内に提供され
る。
【００８３】基板配置アセンブリ 図８及び図９を参照する。軸６２６はチャンバ内を上下
に動き、加工のためにヒータペデスタル６２８上に基板
を配置するために又はヒータペデスタルから基板を除く
ために、ヒータペデスタルを動かす。基板配置アセンブ
リは、ヒータペデスタル６２８に関して垂直方向に動き
そしてペデスタルを通して垂直に配置された穴６５３内
に納まる複数の支持ピン６５１を含む。各ピン６５１
は、下部が球状部分６６１で終わる筒状のシャフト６５
９及びシャフトの外側への伸長として形成される上部が
切り欠けた円錐状の頭部６６３を含む。ヒータペデスタ
ル６２８中の穴６５３は、ピン６５１が完全にヒータペ
デスタル６２８中に納められた際に、円錐状頭部がヒー
タペデスタルの表面より上に出ないように、円錐状頭部
をその中に受ける大きさの上部の皿頭部分を含む。
【００８４】持ち上げピン６５１は、ヒータペデスタル
６２８が加工領域内を動くのに伴って、それと部分的に
関連して及び部分的に独立して、ヒータペデスタルを動
かす。持ち上げピンは、基板ハンドラーブレードが加工
領域から基板を取り去れるようにペデスタル６２８の上
に伸びることができるが、また、加工のためにペデスタ
ルの上部表面上に基板を配置するためにペデスタル中に
沈み込まなければならない。ピン６５１を動かすため
に、基板配置アセンブリは、持ち上げピン６５１の下部
の球状部分６５１と係合するように構成された環状のピ
ン支持体６５５、及び、加工領域内のヒータペデスタル
６２８の位置に応じて持ち上げピン６５１を選択的に係
合させるためのピン支持体６５５を位置決めする駆動部
材を含む。ピン支持体６５５は、好ましくはセラミック
から作られ、ヒータペデスタル６２８の下で軸６２６の
回りに伸び、支持ピンの下部球状部分と選択的に係合す
る。
【００８５】駆動アセンブリは、各加工領域６１８、６
２０内でピン６５１を上下に動かすために、シャフト６
３０及び連結ピン支持体６５５を上下させる。ピン駆動
部材は、好ましくは、ペデスタルヒータ６２８に関して
ピン支持台６５５の動きを制御するために、チャンバ１
３０の底部に配置される。
【００８６】ガス箱及び供給 図２及び図３を参照する。システムの裏側でチャンバの
外側に、処理及び洗浄の間用いられるガスを含むガス供
給パネル２１９がある。用いられる特定のガスは、基板
上に処理される或いはチャンバ１３０から除かれる物資
に応じて決まる。加工ガスは、入口孔を通ってガスマニ
ホールド内に流れ込み、次いで、シャワーヘッド型のガ
ス分配アセンブリを通してチャンバ内に流れ込む。電気
操作バルブと流量制御機構が、ガス供給からチャンバ中
へのガスの流れを制御する。
【００８７】本発明の一つの実施態様において、前駆体
ガスが、ガス箱２１９からチャンバ１３０へと供給さ
れ、そこではガスラインが、上記の如くチャンバ本体を
通じてガスを供給する２つの別個のガスラインへと準備
される。加工に応じて、任意の数のガスがこの方法で供
給されることができ、そしてチャンバの底に供給される
前に或いはいったんガス分配プレートに入った後のいず
れかで混合されうる。
【００８８】電源 図２及び図３を参照する。最新コンパクトＲＦ（“ＣＲ
Ｆ”）電力供給システム１３６が、各加工領域６１８、
６２０のために用いられ、一つのシステムが各ガス分配
システム２１９に連結している。ＥＮＩ製、Ｇｅｎｅｓ
ｉｓシリーズの、１３．５６ＭＨｚのＲＦ発電器が、各
チャンバのためにシステムの後端に据え付けられてい
る。この高周波発電器は、固定された対での使用のため
に設計されており、負荷へと供給された電力を制御し、
送信及び反射電力についての問題を除いている。高周波
ＲＦ発電器及び低周波ＲＦ発電器を加工チャンバへイン
ターフェースで連結するために、低通過フィルターが固
定された対の囲い部の中に設計される。
【００８９】ＥＮＩ製の３５０ｋＨｚＲＦ発電器は、シ
ステムの後端上のＲＦ発電器ラック中に配置され、同軸
ケーブルにより固定ＲＦ対へとつながれる。低周波数Ｒ
Ｆ発電器は、一つのコンパクト囲い部中に低周波数発電
と固定対要素の両方を提供する。低周波数ＲＦ発電器
は、送信及び反射電力の問題を減少する負荷へ供給され
る電力を調整する。
【００９０】プログラム化 図２及び図３中に示されたシステムコントローラー１３
８は、コンピューターのハードディスクドライブに保存
されたコンピュータープログラムの制御下で動く。コン
ピュータープログラムは、個々の加工の、加工順序、タ
イミング、ガスの混合、チャンバ圧、ＲＦ電流レベル、
サスセプター（susceptor）位置、スリットバルブの開
閉、基板加熱、及び他のパラメーターを指示する。ユー
ザーとシステムコントローラー間のインターフェース
は、好ましくは、ＣＲＴモニター及びライトペン（図示
せず）を介してのものである。好ましい実施態様におい
ては、２つのモニターが用いられ、一つのモニターはオ
ペレターのためにクリーンルーム壁に据え付けられ、そ
して他のモニターはサービス技術者のために壁の裏側に
据え付けられる。両方のモニターは、同時に同じ情報を
表示するが、ただ一つのライトペンのみ利用可能であ
る。ライトペンは、ペンの先にある光センサーを用いて
ＣＲＴディスプレーから発せられた光を検出する。特定
のスクリーンや機能を選択するために、オペレーターは
ディスプレースクリーン上の所望の領域に触れそしてペ
ンのボタンを押す。ディスプレースクリーンは一般に、
表示を変えることにより、つまりハイライトや色又はあ
たらしメニューやスクリーンを表示することにより、ラ
イトペンと触れた領域間のコミュニケーションを確認す
る。
【００９１】種々のプロセスが、例えばシステムコント
ローラー１３８上で動く、コンピュータープログラム製
品を用いて実行されうる。コンピュータープログラムコ
ードは、任意の慣用コンピューター判読可能プログラミ
ング言語、例えば、６８０００アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ
＋＋又はパスカルによって書かれることができる。適し
たプログラムコードは、慣用のテキストエディターを用
いて、単一のファイル中に又は複数のファイル中に納め
られ、そしてコンピューターに用いられる媒体、例えば
コンピューターのメモリーシステム中に保存され又は組
み入れられる。もし、納められたコードテキストが、高
レベル言語であった場合は、コードはコンパイルされ、
次いで得られたコンパイラーコードがコンパイル前のラ
イブラリールーチンのオブジェクトコードとリンクされ
る。リンクされたコンパイルされたオブジェクトコード
を実行するためには、システムユーザーは、オブジェク
トコードを呼び出し、コンピューターシステムにメモリ
ー中にコードをロードさせ、そこからＣＰＵがコードを
読んで実行し、プログラム中に同定された仕事を実行す
る。
【００９２】図１２は、コンピュータープログラム１４
１０の好ましい階層制御構造の説明ブロック図を示して
いる。ユーザーは、ライトペンインターフェースを用い
て、ＣＲＴモニター上に表示されたメニュー又はスクリ
ーンに応答して、加工選択サブルーチン１４２０中に加
工セット数と加工チャンバ番号を入力する。加工セット
は、特定の工程を実行するために必要な加工パラメータ
ーの前もって決定されたセットを提供し、そして所定の
セット数によって同定される。加工選択サブルーチン１
４２０は、（ｉ）所望の加工チャンバ、及び（ｉｉ）所
望の工程を実行するための加工チャンバの操作に必要な
加工パラメーターの所望のセットを同定する。特定の工
程を実行するための加工パラメーターは、加工条件、例
えば、加工ガス組成、流速、温度、圧力、ＲＦバイアス
電力レベルや磁気場電力レベル等のプラズマ条件、冷却
ガス圧、及びチャンバ壁温度等に関係し、そして処方書
の形でユーザーに提供される。処方書によって特定され
たパラメーターは、任意の慣用の方法で入力されるが、
最も好ましくは、ライトペン／ＣＲＴモニターインター
フェースを用いて入力される。
【００９３】工程を監視するための種々の計器及び装置
によって提供される電気的信号が、システムコントロー
ラーのアナログ入力ボード及びデジタル入力ボードを通
じてコンピューターに提供される。任意の慣用の、加工
チャンバ監視方法、例えばポーリングが用いられる。更
に、種々の加工コントローラーや装置を操作するための
電気的信号が、システムコントローラーのアナログ出力
ボード及びデジタル出力ボードを通じて出力される。こ
れらの監視及び制御装置の数量、型及び設置は、特定の
システムの最終用途及び希望の加工制御の程度に応じて
一つのシステムから他のシステムへと変更されうる、特
定の装置の仕様及び選択、例えば特定の用途のための最
適なタイプの熱電対は、当業者によって知られている。
【００９４】加工順序決定サブルーチン１４３０は、同
定された加工チャンバ数及び加工パラメーターを、加工
選択サブルーチン１４２０から受けるための、そして種
々の加工チャンバの操作を制御するためのプログラムコ
ードを含む。順序決定サブルーチン１４３０が管理して
所望の順序にて選択された工程を予定するように、複数
のユーザーが、加工セット数及び加工チャンバ数を入力
することもでき、また一人のユーザーが、複数の加工チ
ャンバ数を入力することもできる。好ましくは、加工順
序決定サブルーチン１４３０は、（ｉ）チャンバが用い
られているか否かを決定するために加工チャンバの運転
を監視する工程、（ｉｉ）用いられているチャンバ中で
何の工程が行われているかを決定する工程、及び（ｉｉ
ｉ）加工チャンバ利用可能性及び実行されるべき工程の
種類に基づいて所望の工程を実行する工程、を実行する
ためのプログラムコードを含む。どの工程が実行される
べきかを予定している間、順序決定サブルーチン１４３
０を、選択された工程の所望の加工条件と比較した用い
られている加工チャンバの現在の状況を、又は各特定の
ユーザーが入力した要求の「年齢」を、又はシステムプ
ログラマーが予定優先順位を決定するために含めるよう
望んだ他の関連する要素を考慮するように設計可能であ
る。
【００９５】いったん順序決定サブルーチン１４３０が
いずれの加工チャンバ及び加工セットの組み合わせが次
に実行されるかを決定すると、順序決定サブルーチン１
４３０は、特定の加工セットパラメーターをチャンバ管
理サブルーチン１４４０ａ−ｃへ送ることにより加工セ
ットの実行を起こし、チャンバ管理サブルーチンは、順
序決定サブルーチン１４３０によって決定された加工セ
ットに従って加工チャンバ１３０内での複数の加工作業
を制御する。例えば、チャンバ管理サブルーチン１４４
０ａは、加工チャンバ１３０内でのスパッタリング及び
ＣＶＤ加工作業を制御するプログラムコードを含む。チ
ャンバ管理サブルーチン１４４０はまた、選択された加
工セットの実行に必要なチャンバ構成要素の運転を制御
する、種々のチャンバ構成要素サブルーチンの実行を制
御する。チャンバ構成要素サブルーチンの例は、基板配
置サブルーチン１４５０、加工ガス制御サブルーチン１
４６０、圧力制御サブルーチン１４７０、ヒータ制御サ
ブルーチン１４８０、及びプラズマ制御サブルーチン１
４９０である。本技術分野の通常の者は、加工チャンバ
１３０内で実行されるように望まれた工程が何であるか
に応じて他のチャンバ制御サブルーチンが含まれうると
いうことを認識する。作業においては、チャンバ管理サ
ブルーチン１４４０ａは、実行されるべき特定の加工セ
ットに従って、加工構成要素サブルーチンを選択的に予
定し又は呼び出す。チャンバ管理サブルーチン１４４０
ａは、順序決定サブルーチン１４３０がいずれの加工チ
ャンバ１３０を及びいずれの加工セットを次に実行すべ
きかを予定するのと同様にして、加工構成要素サブルー
チンを予定する。典型的には、チャンバ管理サブルーチ
ン１４４０ａは、種々のチャンバ構成要素を監視する工
程、実行されるべき加工セットのための加工パラメータ
ーに応じてどの構成要素が運転されるべきかを決定する
工程、及び監視及び決定工程に応答してチャンバ構成要
素サブルーチンの実行を起こす工程を含む。
【００９６】ここで、特定のチャンバ構成要素サブルー
チンの操作を図１２を参照して記述する。基板配置サブ
ルーチン１４５０は、チャンバ構成要素は、基板をペデ
スタル６２８上に載せるために、そして基板とシャワー
ヘッド６４２間の空間を制御するためにチャンバ１３０
中で所望の高さまで任意に基板を持ち上げるために用い
られる、チャンバ構成要素を制御するためのプログラム
コードを含む。基板がチャンバ１３０中へと入れられる
と、基板を受け取るためにペデスタル６２８が下げられ
そして持ち上げピンアセンブリが上げられる。そしてそ
の後、例えば、ＣＶＤ加工の間に基板をガス分配マニホ
ールドから第一の距離又は空間にて維持するために、ペ
デスタル６２８がチャンバ中の所望の高さまで上げられ
る。操作中、基板配置サブルーチン１４５０は、チャン
バ管理サブルーチン１４４０ａから移された支持高さに
関する加工セットパラメーターに応答して、持ち上げア
センブリとペデスタル６２８の動きを制御する。
【００９７】加工ガス制御サブルーチン１４６０は、加
工ガス組成及び流速を制御するプログラムコードを有す
る。加工ガス制御サブルーチン１４６０は、安全遮断バ
ルブの開閉位置を制御し、そしてまた、所望のガス流速
を得るために質量流量コントローラーを上下に傾斜させ
る。加工ガス制御サブルーチン１４６０は、他の全ての
チャンバ構成要素サブルーチンと同様に、チャンバ管理
サブルーチン１４４０ａによって呼び出され、そしてチ
ャンバ管理サブルーチンから所望のガス流速に関する加
工パラメーターを受け取る。典型的には、加工ガス制御
サブルーチン１４６０が、ガス供給源とチャンバ１３０
ガス供給ラインの間の単一の制御バルブを開けることに
より機能し、そして繰り返し、（ｉ）質量流量を測定
し、（ｉｉ）実際の流速をチャンバ管理サブルーチン１
４４０ａから受け取った所望の流速と比較し、そして
（ｉｉｉ）必要により主ガス供給ラインの流速を調整す
る。更に、加工ガス制御サブルーチン１４６０は、危険
な流速かどうかガス流速を監視する工程、及び危険な状
態を検出した際には安全遮断バルブを作動させる工程を
含む。
【００９８】いくつかの加工において、不活性ガス、例
えばアルゴンがチャンバ１３０中に提供され、反応性加
工ガスがチャンバ内に導入される前にチャンバ内の圧力
を安定化する。これらの加工では、加工ガス制御サブル
ーチン１４６０が、チャンバ内の圧力を安定化するため
に必要な時間、不活性ガスをチャンバ１３０内に流し込
む工程を含むようにプログラムされ、次いで、上記工程
が行われうる。追加的に、加工ガスが液体前駆物質、例
えばテトラエチルオルソシラン（ＴＥＯＳ）から気化さ
れる場合は、加工制御サブルーチン１４６０は、泡立て
アセンブリ中の液体前駆物質を通って供給ガス例えばヘ
リウムを泡立たせるための工程を含むように書かれう
る。このタイプの加工では、加工ガス制御サブルーチン
１４６０は、所望の加工ガス流速を得るために、供給ガ
スの流速、泡立て器中の圧力、及び泡立て器の温度を調
整する。上記で述べたように、所望の加工ガス流速は、
加工パラメーターとして加工ガス制御サブルーチン１４
６０へと送られる。更に、加工ガス制御サブルーチン１
４６０は、所与の加工ガス流速のために必要な値を含む
保存されたデータテーブルにアクセスすることにより、
所望の加工ガス流速のために必要な供給ガス流速、泡立
て器の圧力及び泡立て器の温度を得る工程を含む。いっ
たん必要値が得られと、供給ガス流速、泡立て器圧及び
泡立て器温度が監視され、必要値と比較され、そしてそ
れに従って調整される。
【００９９】圧力制御サブルーチン１４７０は、チャン
バ内の排気システム内のスロットルバルブ開口サイズを
調整することによりチャンバ１３０内の圧力を制御する
ためのプログラムコードを含む。スロットルバルブの開
口サイズは、全加工ガス流量、加工チャンバ内のガス含
有量及び排気システムのポンプ設定圧との関係でチャン
バ圧を所望のレベルに制御するために変化する。圧力制
御サブルーチン１４７０が呼び出されると、所望の設定
圧レベルがチャンバ管理サブルーチン１４４０ａからパ
ラメーターとして受け取られる。圧制御サブルーチン１
４７０は、チャンバと連結された１又はそれ以上の慣用
の圧力計を用いてチャンバ１３０内の圧を測定し、測定
値を設定圧と比較し、設定圧に従って保存された圧テー
ブルからＰＩＤ（比例、積分および微分）制御パラメー
ターを得、そして圧テーブルから得たＰＩＤ値に従って
スロットルバルブを調製するために作動する。或いは、
圧制御サブルーチン１４７０は、チャンバ１３０を所望
の圧に調製するために、特定の開口サイズへとスロット
ルバルブを開閉するように書くこともできる。
【０１００】ヒータ制御サブルーチン１４８０は、基板
を加熱するたに用いられるランプ又はヒータモジュール
の温度を制御するプログラムコードを含む。ヒータ制御
サブルーチン１４８０はまた、チャンバ管理サブルーチ
ン１４４０ａによって呼び出され、そして所望の又は設
定の温度パラメーターを受け取る。ヒータ制御サブルー
チン１４８０は、ペデスタル６２８に配置された熱電対
の出力電圧を測定することにより温度を決定し、測定値
を設定温度と比較し、そして設定温度を得るためにヒー
タに供給される電流を上げる又下げる。温度は、保存さ
れた換算表中の対応する温度を照合することにより、ま
たは４次多項式を用いて温度を計算することにより測定
電圧から得られる。ペデスタル６２８を加熱するために
放射ランプが用いられる場合は、ヒータ制御サブルーチ
ン１４８０は、ランプに供給される電流のランプアップ
／ダウンを徐々に制御する。緩やかなランプアップ／ダ
ウンは、ランプの寿命と信頼性を高める。更に、ビルト
・イン・フェール・セーフモードが、命令に従って加工
が安全に行われているかを検査するために含められるこ
とができ、そして、もし加工チャンバ１３０が適切に設
定されていない場合は、ランプやヒータモジュールの作
動を停止できる。
【０１０１】プラズマ制御サブルーチン１４９０は、チ
ャンバ１３０中の加工電極に供給されるＲＦバイアス電
圧レベルを設定するための、そして任意にチャンバ内で
発生する磁場のレベルを設定するためのプログラムコー
ドを含む。上記したチャンバ構成要素サブルーチンと同
様に、プラズマ制御サブルーチン１４９０は、チャンバ
管理サブルーチン１４４０ａによって呼び出される。
【０１０２】上記のように本発明のシステムをプラズマ
強化ＣＶＤを用いた場合を参照して記載したが、本発明
はまた高密度（ＨＤＰ）ＣＶＤ及びＰＶＤチャンバ、並
びにエッチングチャンバの使用を含むと理解されるべき
である。例えば、本発明のシステムは、プラズマ加工の
ために縦列のＨＰＤ ＣＶＤチャンバを含むように調整
されうる。一つの他の実施態様において、ガス分配／ふ
たアセンブリは誘電体ドームと置き換えることができ、
ドームは、チャンバ内に高密度プラズマの誘電カップリ
ングを提供するためにドームの近くに配置された誘電コ
イル及びコイルに連結されたＲＦ電源を含む。同様に、
縦列ＰＶＤチャンバは、処理物質供給源のためにその上
に配置された標的アセンブリと一緒に構成されることが
できる。ＤＣ電源は、標的アセンブリに連結して、それ
にスパッタリング電力を提供する。
【０１０３】中多孔性酸化物膜 以下の加工に関する記載が、中多孔性酸化物膜を処理す
るための誘電処理モジュール及び二酸化珪素、窒化珪
素、酸窒化珪素及び非晶質炭化珪素、ＢＬＯｋ（商
標）、の膜を処理するためのキャッピングモジュールの
使用に適用される一方、本発明は、誘電体処理モジュー
ル及びキャッピングモジュール中で行われる加工に用い
られることができる他の物質の処理をも含みうる。
【０１０４】図１３は、基板上の中多孔性酸化物誘電体
の形成工程を示している。工程は、基板上への界面活性
体を含むゾルゲル前駆溶液の処理、処理されたゾルゲル
の硬化による酸化物膜の形成、及び膜を酸化環境、例え
ばオゾンプラズマにさらして界面活性剤を除いて中多孔
性酸化物膜を形成することを含む。物質は、種々の効
果、及び加工パラメーター例えば時間、温度、圧力を得
るために幾つかの加工工程において置換されることがで
き、物質の相対濃度は、広範囲にまで変更されうる。幾
つかの場合においては、同様な多孔性誘電体層を製造す
る他の方法が、記載の方法に置き換えられうる。
【０１０５】加工は、高圧堆積モジュール中でゾルゲル
先駆物質を形成することにより始まる。ゾルゲル前駆物
質は代表的には、有機溶剤中で、珪素／酸素化合物、水
及び界面活性剤を混合することにより形成される。本技
術分野で公知の任意の慣用の方法が、ゾルゲル前駆物質
を作るために用いられうるが、本発明の例示的なゾルゲ
ル前駆物質は、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯ
Ｓ）、エタノール、水及び界面活性剤の混合により作ら
れうる。更に任意の酸又は塩基触媒が、ゾルゲル前駆物
質の形成において用いられ得る。
【０１０６】次いで、ゾルゲル前駆物質は、スピン・オ
ン・コーティング法又はスプレー・コーティング法のい
ずれかの方法により、しかし好ましくはスピン・オン・
コーティング処理工程により基板に適用される。スピン
・オン・コーティングの間、遠心排水により、膜がゾル
ゲル前駆物質の薄層にて基板を実質的に覆うことを可能
とする。次いで、基板上のゾルゲル前駆物質は、ゾルゲ
ルから溶媒及び水を除くために硬化工程に付されて、均
一な直径の内部連通孔を、好ましくは立方相構造膜中に
形成する。次いで、膜は酸化環境にさらされ、そこで界
面活性剤が膜から除かれて、中多孔性酸化物膜となる。
【０１０７】ゾルゲル前駆物質の珪素／酸素化合物は、
半導体製造分野において層を含む珪素の処理に慣用的に
用いられる化合物であり、その分野においてはシリカゾ
ルが最も好ましく用いられる。珪素／酸素前駆物質化合
物、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、フェ
ニルトリエチルオキシシラン、メチルトリエトキシシラ
ンが好ましく用いられるが、任意の市販の又は慣用的に
用いられるゾルゲル珪素／酸素化合物、例えばテトラメ
トキシシラン（ＴＭＯＳ）もまた本発明で用いられ得
る。
【０１０８】界面活性剤は、基板上への均一なフィルム
成分処理のために、溶液中の珪素／酸素化合物を効果的
に分散させるべくゾルゲル前駆物質中で用いられる。界
面活性剤は、陰イオン性、陽イオン性又は非イオン性で
あり得る。界面活性剤は、親水性である結合基を用い
て、水を含有する溶媒中での完全な分散を保証する。非
イオン性界面活性剤は、荷電されていない又は中性の親
水性基である化学結合基を有し、一方、陰イオン性及び
陽イオン性界面活性剤は、それぞれ負又は正に荷電され
た結合基を有する。本発明の、好ましくは立方相構造中
での、均一な直径の内部連通孔の形成のためには、非イ
オン性界面活性剤が用いられ、そして好ましくは、第一
アミン、ポリオキシエチレンオキサイド−プロピレンオ
キサイド−ポリエチレンオキサイド トリブロック コ
ポリマー、オクタエチレングリコールモノデシルエーテ
ル、オクタエチレングリコールモノヘキサデシルエーテ
ル、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる。
【０１０９】有機溶剤は、ゾルゲル中の珪素／酸素化合
物の分散を補助し、スピナーチャンバ中での基板上への
ゾルゲルのスプレー又は処理を容易にするために溶液中
で用いられる。本発明は有機溶剤を用い、好ましくは、
エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ
−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノ
ール、エチレングリコール又はこれらの組み合わせの群
から選ばれるアルコールを用いる。処理されたゾルゲル
中の有機溶剤は、典型的には、約５０℃〜約４５０℃の
間で１又はそれ以上の工程を含む硬化処理により除かれ
る。硬化処理は、好ましくは、硬化／焼付チャンバ中
で、約１分から約１０分間行われる。
【０１１０】硬化工程中、膜中の有機溶剤の選択的蒸発
及び幾分かの水分の除去は、非揮発性の界面活性剤及び
珪素／酸素化合物例えばシリカの濃度を増加させる。界
面活性剤の濃度が増加するに伴って、界面活性剤及び珪
素／酸素化合物は、薄くなっていく膜内で分子アセンブ
リを形成する。継続乾燥は、膜を固め、膜微細構造を固
定化し、その微細構造は、本発明においては、図１３に
示されるような均一な直径の内部連通孔の立方相構造で
ある。
【０１１１】堆積された膜は、更に高温にて酸化環境に
さらされる。酸化環境の温度は、好ましくは、約２００
℃〜約４００℃の範囲である。酸化環境は、好ましくは
活性酸素種を形成するために酸素、オゾン、又は酸素プ
ラズマを含み、最も好ましくはオゾンプラズマがチャン
バ内で形成される。プラズマは、約０．５トール〜約１
０トールの間の圧力で達成される。酸素種は、膜に衝撃
を与え、界面活性剤並びに残存の水分及び溶媒と反応
し、それによってそれらの成分を膜から除く。イオン種
は、高反応性であり、界面活性剤を除くために約０．５
分から約５分という短い暴露を要求するだけである。界
面活性剤が膜から除かれた結果、珪素／酸素成分が、酸
化物膜の形状好ましくは立方相構造を保持し、そして固
まって中多孔性膜を形成するようにして、孔が形成され
る。孔は通常は内部連通構造を有するが、幾つかは末端
枝を有し或いは非晶質層を形成しうる。中多孔性膜の選
択的形成は、２．５未満の、好ましくは約２．２から
１．６の間の誘電率を示す、空隙率が５０％を超える高
多孔質膜を結果する。
【０１１２】あるいは、中多孔性酸化物膜は、約４００
℃から約４５０℃の高温アニールで界面活性剤を除くこ
とで形成されうる。アニーリング工程は、略真空から大
気圧までの圧力範囲で行われうる。好ましくは、アニー
リング工程は、処理モジュールの圧力と同様の圧力、す
なわち約３００トールより大きい圧力で行われる。更に
好ましくは、アニーリング工程は、約３００トールから
約７００トールの間の圧力で、最も好ましくは約５００
トールから約７００トールの間の圧力で行われる。しか
しながら、アニーリング工程は、約１０トール又はそれ
未満での圧力での酸化プラズマ加工と同様に略真空圧で
も行われうる。膜は、非反応性環境でアニールされ、非
反応性ガスは、好ましくは、窒素、不活性ガス例えばア
ルゴンやヘリウム、又はそれらの組み合わせである。酸
化物膜は、好ましくは、前駆物質化合物がメチル又はフ
ェニル基、例えばフェニルトリエチルオキシシランやメ
チルトリエトキシシラン中のそれらの基を含む場合にア
ニールされる。メチル又はフェニル含有前駆物質化合物
から処理された膜のアニーリングは、メチル及びフェニ
ル化合物の酸化及び除去を防ぐ。保持されたメチル及び
フェニル基があると、膜はより高い炭素含量有し、それ
はより低い誘電率膜を提供すると信じられている。アニ
ーリング工程はまた、２．５未満の、好ましくは約２．
２から約１．６の間の誘電率を示す、空隙率が５０％を
超える高多孔質膜を製造する。
【０１１３】中多孔性酸化物膜は、高親水性で水分の汚
染に敏感であり、水分（誘電率（ｋ）＞７８）汚染は、
膜の全体としての誘電率に有害な影響を持ちうる。従っ
て、膜は典型的には、膜をシリル化及び／又はキャッピ
ング層を用いて膜をキャッピングすることによって後処
理される。
【０１１４】シリル化は、処理膜の上部表面に珪素を導
入する工程である。化学反応において、反応性オルガノ
シランの液相又は気相拡散が反応チャンバ中で起こり、
膜の上部表面上に存在する水酸基の水素が有機珪素基、
最も一般にはトリメチルシリル基で置換される。このよ
うな化学反応の一例は、シリルエーテルを形成するため
の、基板上の誘電体層の上へのヘキサメチルジシラザン
の導入である。シリル化工程は、約２５℃から約２００
℃の間の温度にて、シリル化剤を拡散することにより成
され、シリル化剤にさらされた中多孔性酸化物膜に影響
して、さらされた膜を疎水性にする。本発明における好
ましいシリル化剤は、テトラメチルジシラザン（ＴＭＤ
Ｓ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）及びジメチ
ルアミノトリメチルシラン、又はそれらの組み合わせで
ある。
【０１１５】中多孔性酸化物膜上に処理されたキャッピ
ング層は、例えば水分等の物質の拡散を遮るバリアを提
供し、エッチストップとして機能する又はハードマスク
として機能するいずれの物質でもよい。好ましくは、キ
ャッピング層は、約０．５トールから約１０トールのチ
ャンバ圧にて、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）チ
ャンバによって処理された低誘電体膜である。適した物
質の例は、二酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素及び非晶
質の炭化珪素である。ライナー層として用いる例示的物
質は、非晶質炭化珪素層、ＢＬＯｋ（商標）であり、そ
れは、１９９８年１０月１日出願の、米国特許出願シリ
アル番号第０９／１６５２４８号、発明の名称「バリア
層及びエッチストップとして用いるための炭化珪素処
理」に記載されており、この出願は引用することにより
本明細書の一部である。
【０１１６】二重ダマスク構造の処理 中多孔性酸化物膜を非晶質炭化珪素エッチストップと共
に含む二重ダマスク構造を図１４に示した。中多孔性酸
化物４０８は、上記したようにして基板４０２上に処理
され、基板は、その中に形成されたパターン化された導
電ライン４０４と共にその上に処理された窒化珪素又は
非晶質炭化珪素好ましくはＢＬＯｋ（商標）を有し、そ
して次いで、第一のエッチストップ４１０が中多孔性酸
化物４０８の上に処理され、第一のエッチストップ４１
０は、好ましくはＢＬＯｋ（商標）である。次いで、第
一のエッチストップ４１０が、コンタクト／バイアス４
１５の開口部を規定するためにパターンエッチングされ
る。その後、中多孔性酸化物層であり得る、第二の誘電
体層４１４が、パターン化された第一のエッチストップ
４１０の上に処理され、次いで、第二のエッチストップ
４１６が慣用の方法でパターンエッチングされて内部連
通ライン４１７を規定する前に処理され、ここで第二の
エッチストップは好ましくはＢＬＯｋ（商標）である。
その後、単一のエッチング工程が行われて、パターン化
されたライン４０４まで下がる内部連通を規定し、そし
てコンタクト／バイアス４１５を規定するためにパター
ン化されたエッチストップによって露出された非保護の
誘電体をエッチングする。いったんエッチングされる
と、ライナー層４２０及びそれにそれに続く導電金属４
２２が内部連通４１７を満たすために処理される。次い
で、内部連結は、平面化されそして窒化珪素又はＢＬＯ
ｋ（商標）層４２４によってキャップされうる。
【０１１７】本発明に従って製造される好ましい二重ダ
マスク構造を図１４に示した。そしてその構造の製造方
法を、基板の上に形成された本発明の工程を有する基板
の横断面図として、図１５Ａ〜図１５Ｈに順番に概略的
に描いた。図１５Ａに示されているように、最初の酸化
物又は第一の中多孔性酸化物誘電体層４０８が、本明細
書中で記載した如く基板４０２上に均整のとれた配置に
て処理された非晶質炭化珪素ＢＬＯｋ（商標）基板エッ
チストップ４０６の上に処理され、製造される構造のサ
イズに応じて、約５０００〜約１００００オングストロ
ームの厚さを与える。図１５Ａに示されているように、
次いで、低い誘電率のエッチストップ４１０が、好まし
くはＢＬＯｋ（商標）層が、キャッピングモジュール内
で第一の誘電体層４０８上に処理され、約２００〜約１
０００オングストロームの厚さを与える。次いで、フォ
トレジスト層４１２が、本技術分野において公知の慣用
の方法を用いてエッチストップ４１０上に形成され、そ
の中に開口部４１３が形成される。次いで、図１５Ｂに
示されるように、低誘電率エッチストップ４１０及び誘
電体層４０８は、コンタクト／バイアスが形成されべき
領域にて、コンタクト／バイアス開口部４１５を規定し
そして第一の誘電体層４１０及び基板エッチストップ４
０６を露出するとうにパターンエッチングされる。好ま
しくは、低誘電率エッチストップ４１０が、フッ素、炭
素及び酸素イオンを用いた慣用のフォトリソグラフィー
及びエッチング加工によりパターンエッチングされる。
【０１１８】図１５Ｂに示される如く、低誘電率エッチ
ストップ４１０がコンタクト／バイアスをパターン化す
るようにエッチングされそしてフォトレジストが除かれ
た後に、図１２Ｃに示されるように、第二の中多孔性酸
化物誘電体層４１４が、エッチストップ４１０上に処理
されて、約５０００〜約１００００オングストロームの
厚さを与える。図１５Ｄに示されているように、図１５
Ｃに示されているキャッピングモジュール内で処理され
た第二のエッチストップ４１６、好ましくはＢＬＯｋ
（商標）、及びフォトレジスト層４１８が、第二の中多
孔性酸化物誘電体層４１４上に処理され、次いで、好ま
しくは、慣用のフォトリソグラフィー加工、例えばトレ
ンチリソグラフィーを用いて内部連通ライン４１７を規
定するためのパターン化を受ける。図１５Ｅに示すよう
に、次いで、内部連通及びコンタクト／バイアスは、反
応性イオンエッチング又は他の異方性エッチング技術を
用いてエッチングされてメタライゼーション構造（すな
わち、相互連通及びコンタクト／バイアス）を規定す
る。第二のエッチトップ４１６又は第二の誘電体層４１
４をパターン化するためのフォトレジストは、酸素スト
リップ、不活性アニーリング又は他の適した方法を用い
て除かれる。図１５Ｆに示されるように、基板エッチス
トップ４０６は同様に剥がされ、パターン化されたライ
ン４０４とそれに続く物質処理の間の連通を提供する。
【０１１９】次いで、メタライゼーション構造が、導電
物質、例えばアルミニウム、銅、タングステン又はこれ
らの組み合わせを用いて形成される。現在の傾向は、銅
の低い抵抗性（アルミニウムの３．１ｍＷ−ｃｍに比べ
て、銅は１．７ｍＷ−ｃｍ）を利用して、より小さい特
徴を形成するために銅を用いることである。好ましく
は、図１５Ｇに示されるように、適したバリア層４２
０、例えばタンタル、窒化タンタル又は窒化タングステ
ンであるが好ましくは窒化タンタルが、メタライゼーシ
ョンパターンで均整のとれた配置にて最初に処理され
て、銅のその回りの珪素及び／又は誘電物質への移入を
防ぐ。その後、銅４２２は、化学蒸着、物理的蒸着、電
気メッキ又はそれらの組み合わせのいずれかを用いて処
理され、導電構造を形成する。シード層（図示せず）、
好ましくは銅又はドープ銅のシード層が、内部連通４１
７の隙間の無い充填を保証するために、銅充填４２２の
処理に先立って処理されうる。いったん構造が銅又は他
の金属で充填されると、図１５Ｈに示すように、基板は
化学機械的研磨を用いて平面化され、そして窒化珪素又
は非晶質炭化珪素ＢＬＯｋ（商標）層４２４を用いてキ
ャップされる。
【０１２０】上記したものは本発明の好ましい実施態様
に向けられているが、本発明の他のそして追加の実施態
様も、本発明の基本的範囲から逸れることなく案出され
ることができ、そして本発明の範囲は特許請求の範囲に
基づいて決定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、半導体基板のバッチ加工のための放射
状集合器具の上面概略図である。
【図２】図２Ａは、本発明の、キャッピングモジュール
及び高圧堆積モジュールを有する装置の一実施態様の上
面概略図である。図２Ｂは、本発明の、キャッピングモ
ジュール及び高圧堆積モジュールを有する装置の他の実
施態様の上面概略図である。
【図３】図３Ａは、本発明のキャッピングモジュールの
一実施態様の上部平面概略図である。図３Ｂは、本発明
のキャッピングモジュールの他の実施態様の上面概略図
である。
【図４】図４は、本発明のロードロックチャンバの一実
施態様の透視図である。
【図５】図５は、移送チャンバ及び加工チャンバの上面
概略図であり、移送チャンバ中に据え付けられ、そして
移送チャンバ内を回転する又は他のチャンバ中へ伸びる
ことができる引き込み位置ある本発明の基板操作部材を
示している。
【図６】図６は、移送チャンバ及び加工チャンバの上面
概略図であり、移送チャンバ中に据え付けられ、そして
ブレードが加工チャンバ中にある引き伸ばし位置にある
本発明の基板操作部材を示している。
【図７】図７は、高速熱アニールチャンバの横断面図で
ある。
【図８】図８は、本発明のキャッピングモジュール内に
含まれる、ＰＥＣＶＤチャンバの一実施態様の透視図で
ある。
【図９】図９は、本発明のＰＥＣＶＤチャンバの横断面
図である。
【図１０】図１０は、ＰＥＣＶＤチャンバのガス分配ア
センブリの分解図である。
【図１１】図１１は、ふたが外された状態での本発明の
ＰＥＣＶＤの上面図である。
【図１２】図１２は、加工制御のためのコンピューター
プログラムの階層制御構造のブロック図を示している。
【図１３】図１３は、立方相構造と中多孔性膜構造を示
している中多孔性膜加工の説明図である。
【図１４】図１４は、本発明の、低誘電率酸化珪素層と
キャッピング層を含む二重ダマスク構造を示している横
断面図である。
【図１５】図１５Ａ〜Ｈは、本発明の二重ダマスク処理
配列を示す横断面図である。
【符号の説明】
１０…真空集合器具、１２…加工チャンバ、１６…基板
操作モジュール、１８…移送チャンバ、２０…ロードロ
ックチャンバ、１００…加工システム、１０１…高圧堆
積モジュール、１０２…前部端中継領域、１０３…基板
休止部、１０４，１０６…基板カセット、１０８…移送
チャンバ、１１０…二重積み重ね冷却ステーション、１
１１…冷却ステーション、１１２…基板ハンドラー、１
１３…スリットバルブ、１１４…基板スピナーチャン
バ、１１５…スリットバルブ、１１６…硬化処理チャン
バ、１１７…スリットバルブ、１１８…基板ストリッピ
ングチャンバ，高速熱アニール（ＲＴＡ）チャンバ、１
１９…スリットバルブ、１２０…キャッピングモジュー
ル、１２１…スリットバルブ、１２２…工場インターフ
ェース、１２２…基板中継領域、１２３…シリル化処理
チャンバ、１２４…ロードロックチャンバ、１２５…基
板予備加熱ステーション、１２６，１２６Ａ，１２６Ｂ
…移送チャンバ、１２７，１２７Ａ，１２７Ｂ…基板ハ
ンドラー、１２８，１３２…通路，スリットバルブ、１
３０…加工チャンバ、１３３…チャンバ側壁、１３４…
ガスパネル、１３５…チャンバ底面、１３６…電源配分
パネル、１３８…コンピューター制御ラック、１４０…
バックエンド、２０２…チャンバ壁、２０４…チャンバ
底面、２０６…チャンバふた、２１９…ガス供給パネ
ル、２２４…予備加熱室、２２８…挿入ステーション移
送基板ハンドラー、２４２，２４４…コンパートメン
ト、２４６…移送領域、２５２…支持壁、２４８，２５
０…ペデスタル、２５６，２５８…シーリングフラン
ジ、２６４…排気ライン、４０２…基板、４０４…導電
ライン、４０６…基板エッチストップ、４０８…誘電体
層、４１０…第一のエッチストップ、４１３…開口部、
４１４…第二の誘電体層、４１５…コンタクト／バイア
ス、４１６…第二のエッチストップ、４１７…内部連
通、４１８…フォトレジスト層、４２０…バリア層／ラ
イナー層、４２２…導電金属、４２４，４２４…層、５
００…基板ハンドラー、５０２…基板、５０４，５０
６，５０８，５１４…ストラット、５１０，５１２，５
１６，５１８…ピボット、５２０，５２２…基板操作ブ
レード、５２４，５２６…磁気クランプ、５４０…基板
ブレードアセンブリ、５４０、５４２，５４４…金属ス
トラップ、５４６…ロッド、５４８…最外側放射状地
点、５５０…最小円形領域、６０２…チャンバ本体、６
０３…駆動システム、６０４…ふた、６０８…ガス分配
システム、６１０…基板通路、６１８，６２０…加工領
域、６１９…排気路、６２１…排気管、６２２，６２４
…通路、６２５…ポンプ路、６２６…軸、６２７…ライ
ナー、６２８…ヒータペデスタル、６２９…棚、６３０
…ロッド、６３１…口、６３９…ガス入口ライン、６４
０…ガス入口通路、６４２…シャワーヘッドアセンブ
リ、６４４…ブロッカープレート、６４６…フェースプ
レート，ガス分配プレート、６４８…ベースプレート、
６５１…支持ピン、６５５…入口、６５９…冷却剤出
口、シャフト、冷却剤出口、シャフト、６７０・・ガス
入口マニホールド、６７２…電圧勾配フィードスルー、
６７４…ガス出口マニホールド、９０２…囲い室、９０
４…ヒータプレート，９０６…基板支持ピン、９０７…
ヒータ、９１３…冷却板、９１４…反射絶縁体皿、９１
６…電源、９１８…冷却部材、９２０…熱電対、９２２
…導管、９２１…コントローラー、、９２４…開口部、
９２８…リフトプレート、９３０…アクチューエータ
ー、９３２…リフトシャフト、９３４…シーリングフラ
ンジ、９３８・・ガス供給源、９４０・・バルブ、９４
２・・ガス出口、１４１０…コンピュータープログラ
ム、１４２０…加工選択サブルーチン、１４３０…加工
順序決定サブルーチン、１４４０ａ−ｃ…チャンバ管理
サブルーチン、１４５０…基板配置サブルーチン、１４
６０…加工ガス制御サブルーチン、１４７０…圧力制御
サブルーチン、１４８０…ヒータ制御サブルーチン、１
４９０…プラズマ制御サブルーチン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０５Ｄ 1/40 Ｂ０５Ｄ 1/40 Ａ 3/04 3/04 Ｃ 7/24 ３０２ 7/24 ３０２Ｙ (72)発明者 ハリ ポンネカンティ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フリーモント， フィッツシモンズ コモ ン 3407 (72)発明者 ケヴィン フェアバーン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス ガトス， ケネディ コート 106 (72)発明者 サッソン ソメク アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス アルトス ヒルズ， ムーディ ロ ード 25625 (72)発明者 ティモシー ウェイドマン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サニーヴェイル， ヘンダーソン アヴェ ニュー 776 (72)発明者 シャモウィル シャモウィリアン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， リトル フォールズ ドラ イヴ 6536 (72)発明者 ファーハッド モグハダム アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サラトガ， ヴィア コリーナ ドライヴ 15440 Ｆターム(参考） 4D075 AC64 AC73 AC74 AC79 AE03 BB18Y BB18Z BB23Z BB26Y BB44Z BB49Z BB52Z BB56Z BB70Z BB85Z BB93Y BB93Z BB95Y BB95Z CA23 CA36 CA47 DA06 DC22 DC24 EA12 EB42 EB43 EB47 EC30 EC35 EC37 4F042 AA02 AA07 AA10 DA05 DA09 DB04 DB51 DC01 DC03 DF09 DF25 DF29 EB02 EB09 EB21 EB30 4K030 DA08 EA01 GA12 HA03 KA01 KA26 LA15 5F045 AA08 AB32 AB33 AC11 DC63 DQ17 EB08 EB13 EB20 EF05 EH05 EH18 EH19 EJ02 EK07 EM04 EM05 EN04 GB16 HA16 5F058 BA20 BD01 BD04 BD10 BD15 BD18 BF07 BF25 BF29 BF46 BG01 BG04 BG10 BH02 BH03

Claims (61)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ）１又はそれ以上の移送チャンバ； （ｂ）該１又はそれ以上の移送チャンバの各々の中に配
    置された基板操作部材； （ｃ）１又はそれ以上の加工チャンバであって、各加工
    チャンバは少なくとも一つの分離された加工領域をその
    中に規定し、かつ、各加工領域は該１又はそれ以上の移
    送チャンバと連結されている、前記加工チャンバ； （ｄ）該１又はそれ以上の移送チャンバと連通している
    １又はそれ以上のロードロックチャンバ；及び （ｅ）該１又はそれ以上の移送チャンバと連通している
    １又はそれ以上の複数スロット基板予備加熱モジュー
    ル；を含む、基板を加工するための装置。
  2. 【請求項２】 更に前記ロードロックチャンバ内に配置
    された１又はそれ以上の複数スロット冷却ステーション
    を含む、請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 更に前記ロードロックチャンバと流体連
    通している真空ポンプを含む、請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】 更に前記１又はそれ以上の加工チャンバ
    の各加工領域と流体連通している真空ポンプを含む、請
    求項１に記載の装置。
  5. 【請求項５】 各加工チャンバが２つの分離された加工
    領域を含む、請求項１に記載の装置。
  6. 【請求項６】 各加工領域がその中に配置されたガス分
    配アセンブリを含み、かつ各ガス分配アセンブリが１又
    はそれ以上のガス供給源からの加工ガスを共有してい
    る、請求項１に記載の装置。
  7. 【請求項７】 更に各加工領域に連通しているＲＦ発電
    器を有する遠隔プラズマシステムを含む、請求項１に記
    載の装置。
  8. 【請求項８】 遠隔プラズマシステムが各加工領域と流
    体連通している、請求項１に記載の装置。
  9. 【請求項９】 更に前記１又はそれ以上のロードロック
    チャンバに連結された高圧堆積モジュールを含む、請求
    項２に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 前記高圧堆積モジュールが、１又はそ
    れ以上の基板ストリッピングチャンバを含むスピン・オ
    ン誘電モジュールである、請求項９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 前記１又はそれ以上の複数スロット予
    備加熱モジュールが前記ロードロックチャンバ内に配置
    されている、請求項１に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 （ａ）高圧堆積モジュール； （ｂ）該高圧堆積モジュールと連通している第一の移送
    チャンバ； （ｃ）該第一の移送チャンバと連通しているロードロッ
    クチャンバ； （ｄ）該ロードロックチャンバと連通している第二の移
    送チャンバ； （ｅ）該第一の移送チャンバと連通している複数スロッ
    ト基板予備加熱モジュール； （ｆ）該第二の移送チャンバ内に配置された基板操作部
    材；及び （ｇ）１又はそれ以上の加工チャンバであって、各加工
    チャンバは少なくとも一つの分離された加工領域をその
    中に規定し、かつ、各加工領域は該第二の移送チャンバ
    と連結されている、前記加工チャンバ；を含む、基板を
    加工するための装置。
  13. 【請求項１３】 前記高圧堆積モジュールが、（ａ）１
    又はそれ以上の基板スピナーチャンバ； （ｂ）１又はそれ以上の基板硬化チャンバ； （ｃ）１又はそれ以上の基板ストリッピングチャンバ； （ｄ）１又はそれ以上のシリル化処理チャンバ；及び （ｅ）該高圧処理チャンバ内に配置された第二の基板操
    作部材；を含む、請求項１２に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 更に前記１又はそれ以上のロードロッ
    クチャンバの各々の中に配置された１又はそれ以上の複
    数スロット冷却ステーションを含む、請求項１２に記載
    の装置。
  15. 【請求項１５】 更に前記１又はそれ以上のロードロッ
    クチャンバと流体連通している真空ポンプを含む、請求
    項１２に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 更に各加工領域と流体連通している真
    空ポンプを含む、請求項１２に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 各加工チャンバが２つの分離された加
    工領域を含む、請求項１２に記載の装置。
  18. 【請求項１８】 各加工領域がその中に配置されたガス
    分配アセンブリを含み、かつ各ガス分配アセンブリが１
    又はそれ以上のガス供給源からの加工ガスを共有してい
    る、請求項１２に記載の装置。
  19. 【請求項１９】 更に各加工領域に連通しているＲＦ発
    電器を有する遠隔プラズマシステムを含む、請求項１２
    に記載の装置。
  20. 【請求項２０】 各基板ストリッピングチャンバが酸化
    チャンバである、請求項１９に記載の装置。
  21. 【請求項２１】 前記酸化チャンバが、ＲＦ発電器又は
    マイクロ波発電器を有する遠隔プラズマシステムと連結
    している、請求項２０に記載の装置。
  22. 【請求項２２】 前記複数スロット予備加熱モジュール
    が前記ロードロックチャンバ内に配置されている、請求
    項１２に記載の装置。
  23. 【請求項２３】 （ａ）珪素／酸素化合物、有機溶剤、
    水及び界面活性剤を含むゾルゲル前駆物質を作る工程； （ｂ）該ゾルゲル前駆物質を基板上に処理する工程 （ｃ）処理されたゾルゲル前駆体を硬化して酸化物膜を
    形成する工程；及び （ｄ）該膜を酸化環境にさらして中多孔性酸化物膜を形
    成する工程；を含む、基板上に中多孔性酸化物膜を形成
    するための方法。
  24. 【請求項２４】 前記中多孔性酸化物膜が均一な直径の
    内部連通孔の構造を含む、請求項２３に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記中多孔性酸化物膜が更に立方相構
    造を含む、請求項２４に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記珪素／酸素化合物前駆体が、テト
    ラエチルオルトシリレート、テトラメトキシシラン、フ
    ェニルトリエチルオキシシラン、メチルトリエトキシシ
    ラン及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、
    請求項２３に記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記有機溶剤が、エタノール、イソプ
    ロパノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅ
    ｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、エチレングリコール
    及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求
    項２３に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 前記界面活性剤が、ポリオキシエチレ
    ンオキサイド−プロピレンオキサイド−ポリエチレンオ
    キサイド トリブロック コポリマー、オクタエチレン
    グリコールモノデシルエーテル、オクタエチレングリコ
    ールモノヘキサデシルエーテル及びこれらの組み合わせ
    からなる群より選ばれる非イオン性界面活性剤である、
    請求項２３に記載の方法。
  29. 【請求項２９】 更に、前記ゾルゲル前駆物質の処理の
    前にゾルゲル前駆物質に酸又は塩基触媒を添加する工程
    を含む、請求項２３に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 前記酸化環境が反応性酸素種を含むプ
    ラズマである、請求項２３に記載の方法。
  31. 【請求項３１】 前記反応性酸素種がオゾンである、請
    求項３０に記載の方法。
  32. 【請求項３２】 前記酸化環境が約２００℃〜約４００
    ℃の間の温度で維持される、請求項２３に記載の方法。
  33. 【請求項３３】 前記酸化物膜が約３０秒〜約３００秒
    の間前記酸化環境にさらされる、請求項２３に記載の方
    法。
  34. 【請求項３４】 前記中多孔性酸化物膜が約１．６〜約
    ２．２の間の誘電率を示す、請求項２３に記載の方法。
  35. 【請求項３５】 前記中多孔性酸化物膜が少なくとも５
    ０％の多孔率を有する、請求項２３に記載の方法。
  36. 【請求項３６】 前記中多孔性酸化物膜が約５０℃〜約
    ４５０℃の間の温度にて硬化される、請求項２３に記載
    の方法。
  37. 【請求項３７】 前記中多孔性酸化物膜が約１分〜約１
    ０分の間硬化される、請求項３４に記載の方法。
  38. 【請求項３８】 更に、前記中多孔性酸化物膜を疎水性
    にするために前記中多孔性酸化物膜をシリル化する工程
    を含む、請求項２３に記載の方法。
  39. 【請求項３９】 前記中多孔性酸化物膜のシリル化が、
    テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳ）、ヘキサメチルジ
    シラザン（ＨＭＤＳ）、ジメチルアミノトリメチルシラ
    ン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるシリ
    ル化剤によって成される、請求項３８に記載の方法。
  40. 【請求項４０】 前記シリル化工程が約２５℃〜２００
    ℃の間の温度にて行われる、請求項３９に記載の方法。
  41. 【請求項４１】 更に前記中多孔性酸化物膜上にキャッ
    ピング層を処理する工程を含む、請求項４０に記載の方
    法。
  42. 【請求項４２】 前記キャッピング層が、窒化珪素、二
    酸化珪素、酸窒化珪素、非晶質炭化珪素及びこれらの組
    み合わせからなる群より選ばれる物質から構成される、
    請求項４１に記載の方法。
  43. 【請求項４３】 （ａ）基板をチャンバ内に導入する工
    程； （ｂ）該基板上にゾルゲル前駆物質を処理して酸化物膜
    を形成する工程であって、該ゾルゲル前駆物質は、珪素
    ／酸素化合物、有機溶剤、水及び界面活性剤を含む、前
    記工程；及び （ｃ）該膜を不活性環境下で約２００℃〜約４５０℃の
    温度にて加熱することにより、該膜より該有機溶媒、水
    及び界面活性剤を除去して中多孔性酸化物膜を形成する
    工程；を含む、基板上に中多孔質酸化物膜を形成する方
    法。
  44. 【請求項４４】 前記中多孔性酸化物膜が均一な直径を
    有する内部連通孔構造を含む、請求項４３に記載の方
    法。
  45. 【請求項４５】 前記中多孔質酸化物膜が更に立方相構
    造を含む、請求項４４に記載の方法。
  46. 【請求項４６】 前記珪素／酸素化合物前駆体が、テト
    ラエチルオルトシリレート、テトラメトキシシラン、フ
    ェニルトリエチルオキシシラン、メチルトリエトキシシ
    ラン及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、
    請求項４３に記載の方法。
  47. 【請求項４７】 前記有機溶剤が、エタノール、イソプ
    ロパノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅ
    ｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、エチレングリコール
    及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求
    項４３に記載の方法。
  48. 【請求項４８】 前記界面活性剤が、ポリオキシエチレ
    ンオキサイド−プロピレンオキサイド−ポリエチレンオ
    キサイド トリブロック コポリマー、オクタエチレン
    グリコールモノデシルエーテル、オクタエチレングリコ
    ールモノヘキサデシルエーテル及びこれらの組み合わせ
    からなる群より選ばれる非イオン性界面活性剤である、
    請求項４３に記載の方法。
  49. 【請求項４９】 更に、前記ゾルゲル前駆物質の処理の
    前にゾルゲル前駆物質に酸又は塩基触媒を添加する工程
    を含む、請求項４３に記載の方法。
  50. 【請求項５０】 前記不活性環境が、窒素、ヘリウム、
    アルゴン及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれ
    る非反応性ガスを含む、請求項４３に記載の方法。
  51. 【請求項５１】 前記中多孔性酸化物膜が、約４００℃
    〜約４５０℃の間の温度で前記酸化物膜をアニーリング
    することにより形成される、請求項４３に記載の方法。
  52. 【請求項５２】 前記中多孔性酸化物膜が約３０秒〜約
    ３００秒の間アニールされる、請求項４３に記載の方
    法。
  53. 【請求項５３】 前記中多孔性酸化物膜が約１．６〜約
    ２．２の間の誘電率を示す、請求項４３に記載の方法。
  54. 【請求項５４】 前記環境が反応性酸素種の酸化環境を
    含む、請求項４３に記載の方法。
  55. 【請求項５５】 前記酸化環境が約２００℃〜約４００
    ℃の間の温度で維持される、請求項５４に記載の方法。
  56. 【請求項５６】 前記酸化物膜が約３０秒〜約３００秒
    の間前記酸化環境にさらされる、請求項５５に記載の方
    法。
  57. 【請求項５７】 更に、前記中多孔性酸化物膜を疎水性
    にするためにシリル化する工程を含む、請求項４３に記
    載の方法。
  58. 【請求項５８】 前記シリル化工程が、テトラメチルジ
    シラザン（ＴＭＤＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭ
    ＤＳ）、ジメチルアミノトリメチルシラン及びそれらの
    組み合わせからなる群より選ばれるシリル化剤によって
    成される、請求項４３に記載の方法。
  59. 【請求項５９】 前記シリル化工程が約２５℃〜２００
    ℃の間の温度にて行われる、請求項４３に記載の方法。
  60. 【請求項６０】 更に前記中多孔性酸化物膜上にキャッ
    ピング層を処理する工程を含む、請求項４３に記載の方
    法。
  61. 【請求項６１】 前記キャッピング層が、窒化珪素、二
    酸化珪素、酸窒化珪素、非晶質炭化珪素及びこれらの組
    み合わせからなる群より選ばれる物質から構成される、
    請求項６０に記載の方法。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017485A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003017484A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003017483A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003017487A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2004273786A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Ulvac Japan Ltd 疎水性多孔質ｓｏｇ膜の作製方法
CN1327497C (zh) * 2002-03-04 2007-07-18 罗姆股份有限公司 薄膜的形成方法
WO2009044529A1 (ja) 2007-10-05 2009-04-09 Nec Electronics Corporation 疎水化多孔質膜の製造方法
JP2011074466A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
JP2011079733A (ja) * 2009-10-06 2011-04-21 Advantest Corp 製造装置および製造方法
JP2012169654A (ja) * 2004-12-22 2012-09-06 Applied Materials Inc 基板を処理するクラスタツールアーキテクチャ
JP2013531363A (ja) * 2010-04-30 2013-08-01 株式会社テラセミコン 基板処理装置
JP2013239752A (ja) * 2007-10-22 2013-11-28 Applied Materials Inc ボイドフリーギャップ充填に対する誘電体膜品質を向上させる方法及びシステム
JP2013545285A (ja) * 2010-10-05 2013-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド オゾン硬化及び硬化後水分処理のためのモジュール
JP2015510260A (ja) * 2012-01-13 2015-04-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板を処理する方法および装置
WO2020190449A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 Applied Materials, Inc. Method of growing thick oxide films at low temperature of thermal oxide quality
JP2022501826A (ja) * 2018-09-29 2022-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated 正確な温度及び流量制御を備えたマルチステーションチャンバリッド

Families Citing this family (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5021112B2 (ja) * 2000-08-11 2012-09-05 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置
KR100881722B1 (ko) * 2001-01-19 2009-02-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 처리방법 및 기판의 처리장치
US7201936B2 (en) * 2001-06-19 2007-04-10 Applied Materials, Inc. Method of feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes
US6683006B2 (en) * 2001-06-25 2004-01-27 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming apparatus
KR100645654B1 (ko) 2001-06-29 2006-11-13 로무 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
US7541200B1 (en) 2002-01-24 2009-06-02 Novellus Systems, Inc. Treatment of low k films with a silylating agent for damage repair
JP4000036B2 (ja) * 2002-09-30 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 搬送装置
KR100481181B1 (ko) * 2002-11-08 2005-04-07 삼성전자주식회사 반도체소자의 다공성 물질막을 형성하는 방법
US20040096586A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Schulberg Michelle T. System for deposition of mesoporous materials
US7029536B2 (en) * 2003-03-17 2006-04-18 Tokyo Electron Limited Processing system and method for treating a substrate
KR100943588B1 (ko) * 2003-09-19 2010-02-23 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
US10086511B2 (en) * 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
JP4601403B2 (ja) * 2004-11-25 2010-12-22 パナソニック株式会社 半導体レーザ素子の製造方法及びその製造装置
US20060182535A1 (en) * 2004-12-22 2006-08-17 Mike Rice Cartesian robot design
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) * 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US20080207005A1 (en) * 2005-02-15 2008-08-28 Freescale Semiconductor, Inc. Wafer Cleaning After Via-Etching
US7194199B2 (en) * 2005-06-03 2007-03-20 Wafermasters, Inc. Stacked annealing system
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
CN103021908B (zh) * 2005-12-20 2015-09-30 应用材料公司 用于半导体设备制造装备的延伸主机设计
US7631898B2 (en) * 2006-01-25 2009-12-15 Chrysler Group Llc Power release and locking adjustable steering column apparatus and method
US20090045164A1 (en) * 2006-02-03 2009-02-19 Freescale Semiconductor, Inc. "universal" barrier cmp slurry for use with low dielectric constant interlayer dielectrics
US7803719B2 (en) * 2006-02-24 2010-09-28 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device
WO2007095973A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated system for semiconductor substrate processing using liquid phase metal deposition
WO2007101207A2 (en) * 2006-02-27 2007-09-07 Anaconda Semi Lp Process chambers for substrate vacuum processing tool
US7837838B2 (en) 2006-03-09 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus
US7645710B2 (en) 2006-03-09 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
US7678710B2 (en) 2006-03-09 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
US8343280B2 (en) 2006-03-28 2013-01-01 Tokyo Electron Limited Multi-zone substrate temperature control system and method of operating
KR101074186B1 (ko) * 2006-04-07 2011-10-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에피택셜 필름 형성을 위한 클러스터 툴
US8322299B2 (en) * 2006-05-17 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cluster processing apparatus for metallization processing in semiconductor manufacturing
US7825038B2 (en) * 2006-05-30 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen
US7902080B2 (en) * 2006-05-30 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Deposition-plasma cure cycle process to enhance film quality of silicon dioxide
US7718032B2 (en) * 2006-06-22 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Dry non-plasma treatment system and method of using
US8232176B2 (en) * 2006-06-22 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill
WO2008039845A2 (en) 2006-09-26 2008-04-03 Applied Materials, Inc. Fluorine plasma treatment of high-k gate stack for defect passivation
US20080145191A1 (en) * 2006-11-15 2008-06-19 Sokudo Co., Ltd. Actively chilled substrate transport module
US7837790B2 (en) * 2006-12-01 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Formation and treatment of epitaxial layer containing silicon and carbon
US8752449B2 (en) * 2007-05-08 2014-06-17 Brooks Automation, Inc. Substrate transport apparatus with multiple movable arms utilizing a mechanical switch mechanism
TWI349720B (en) * 2007-05-30 2011-10-01 Ind Tech Res Inst A power-delivery mechanism and apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition using the same
US8197636B2 (en) * 2007-07-12 2012-06-12 Applied Materials, Inc. Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching
US20090071403A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Soo Young Choi Pecvd process chamber with cooled backing plate
US20090071406A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Soo Young Choi Cooled backing plate
US7867923B2 (en) 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US7943531B2 (en) * 2007-10-22 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Methods for forming a silicon oxide layer over a substrate
JP5238224B2 (ja) * 2007-11-06 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 逆止弁およびそれを用いた基板処理装置
US20090188624A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing flow uniformity in a process chamber
FR2930561B1 (fr) * 2008-04-28 2011-01-14 Altatech Semiconductor Dispositif et procede de traitement chimique en phase vapeur.
US8357435B2 (en) * 2008-05-09 2013-01-22 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
US8287688B2 (en) 2008-07-31 2012-10-16 Tokyo Electron Limited Substrate support for high throughput chemical treatment system
US8115140B2 (en) * 2008-07-31 2012-02-14 Tokyo Electron Limited Heater assembly for high throughput chemical treatment system
US8303716B2 (en) 2008-07-31 2012-11-06 Tokyo Electron Limited High throughput processing system for chemical treatment and thermal treatment and method of operating
US8303715B2 (en) * 2008-07-31 2012-11-06 Tokyo Electron Limited High throughput thermal treatment system and method of operating
US8323410B2 (en) * 2008-07-31 2012-12-04 Tokyo Electron Limited High throughput chemical treatment system and method of operating
US20100081293A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film
JP5225815B2 (ja) * 2008-11-19 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 インターフェイス装置、基板を搬送する方法及びコンピュータ可読記憶媒体
JP2011009362A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Tokyo Electron Ltd インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5060517B2 (ja) * 2009-06-24 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
US8980382B2 (en) * 2009-12-02 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films
CN101988212B (zh) * 2009-08-05 2013-06-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 湿式镀膜装置
CN101988193B (zh) * 2009-08-05 2014-04-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 湿式镀膜***
US7935643B2 (en) * 2009-08-06 2011-05-03 Applied Materials, Inc. Stress management for tensile films
US8741788B2 (en) * 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
US7989365B2 (en) * 2009-08-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Remote plasma source seasoning
JP5445006B2 (ja) * 2009-10-05 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20110136347A1 (en) * 2009-10-21 2011-06-09 Applied Materials, Inc. Point-of-use silylamine generation
US8449942B2 (en) * 2009-11-12 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Methods of curing non-carbon flowable CVD films
JP2013516763A (ja) 2009-12-30 2013-05-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フレキシブルな窒素／水素比を使用して生成されるラジカルを用いる誘電体膜成長
US8329262B2 (en) * 2010-01-05 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Dielectric film formation using inert gas excitation
SG182336A1 (en) 2010-01-06 2012-08-30 Applied Materials Inc Flowable dielectric using oxide liner
SG182333A1 (en) 2010-01-07 2012-08-30 Applied Materials Inc In-situ ozone cure for radical-component cvd
CN102844848A (zh) * 2010-03-05 2012-12-26 应用材料公司 通过自由基成分化学气相沉积的共形层
US8236708B2 (en) 2010-03-09 2012-08-07 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor
US7994019B1 (en) 2010-04-01 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Silicon-ozone CVD with reduced pattern loading using incubation period deposition
US8476142B2 (en) 2010-04-12 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Preferential dielectric gapfill
US8524004B2 (en) 2010-06-16 2013-09-03 Applied Materials, Inc. Loadlock batch ozone cure
TW201201915A (en) * 2010-07-14 2012-01-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Roller type coating apparatus
US8318584B2 (en) 2010-07-30 2012-11-27 Applied Materials, Inc. Oxide-rich liner layer for flowable CVD gapfill
JP5698043B2 (ja) * 2010-08-04 2015-04-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置
TW201209212A (en) * 2010-08-16 2012-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device
KR101157192B1 (ko) * 2010-08-31 2012-06-20 주식회사 테라세미콘 배치식 기판 처리 장치
US8664127B2 (en) 2010-10-15 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8450191B2 (en) 2011-01-24 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Polysilicon films by HDP-CVD
US8968877B2 (en) 2011-02-16 2015-03-03 Honeywell International Inc. Barrier materials for mirror assemblies
US8716154B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers
US20120238108A1 (en) * 2011-03-14 2012-09-20 Applied Materials, Inc. Two-stage ozone cure for dielectric films
JP5791329B2 (ja) * 2011-03-31 2015-10-07 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP2012231123A (ja) * 2011-04-15 2012-11-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置、半導体装置の製造方法、基板処理システムおよびプログラム
US8445078B2 (en) 2011-04-20 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Low temperature silicon oxide conversion
US8466073B2 (en) 2011-06-03 2013-06-18 Applied Materials, Inc. Capping layer for reduced outgassing
US9404178B2 (en) 2011-07-15 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Surface treatment and deposition for reduced outgassing
US8617989B2 (en) 2011-09-26 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Liner property improvement
US8551891B2 (en) 2011-10-04 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Remote plasma burn-in
US20130123966A1 (en) * 2011-11-14 2013-05-16 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Spatial three-dimensional inline handling system
JP5936853B2 (ja) * 2011-12-05 2016-06-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
US9337014B1 (en) 2012-03-09 2016-05-10 Alta Devices, Inc. Processing system architecture with single load lock chamber
US20140014621A1 (en) * 2012-07-16 2014-01-16 Zhaoning Yu Analysis of pattern features
US9111971B2 (en) * 2012-07-30 2015-08-18 Applied Materials Israel, Ltd. System and method for temperature control of a semiconductor wafer
US8889566B2 (en) 2012-09-11 2014-11-18 Applied Materials, Inc. Low cost flowable dielectric films
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
TWI474499B (zh) * 2012-10-12 2015-02-21 Iner Aec Executive Yuan Microcrystalline silicon thin film solar cell element and its manufacturing method
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9717147B2 (en) 2013-09-26 2017-07-25 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing system
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9209017B2 (en) 2014-03-26 2015-12-08 International Business Machines Corporation Advanced ultra low k SiCOH dielectrics prepared by built-in engineered pore size and bonding structured with cyclic organosilicon precursors
US9583337B2 (en) * 2014-03-26 2017-02-28 Ultratech, Inc. Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma
CN104022074B (zh) * 2014-06-02 2017-01-11 复旦大学 一种含纳米孔隙的低介电常数复合薄膜的制备方法
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9412581B2 (en) 2014-07-16 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Low-K dielectric gapfill by flowable deposition
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
JP6822953B2 (ja) * 2014-11-25 2021-01-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板キャリア及びパージチャンバの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
JP6386394B2 (ja) * 2015-02-18 2018-09-05 東芝メモリ株式会社 複合プロセス装置
JP6496210B2 (ja) * 2015-08-12 2019-04-03 日本電子株式会社 荷電粒子線装置
JP6649157B2 (ja) * 2016-03-30 2020-02-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7158133B2 (ja) * 2017-03-03 2022-10-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 雰囲気が制御された移送モジュール及び処理システム
US10003018B1 (en) * 2017-05-08 2018-06-19 Tokyo Electron Limited Vertical multi-batch magnetic annealing systems for reduced footprint manufacturing environments
CN107634017A (zh) * 2017-08-24 2018-01-26 德淮半导体有限公司 晶圆退火装置
CN110323161B (zh) * 2018-03-30 2023-06-06 芝浦机械电子株式会社 有机膜形成装置以及有机膜制造方法
CN108342706A (zh) * 2018-04-02 2018-07-31 杭州赛威斯真空技术有限公司 一种束线型磁控溅射生产线
US10787739B2 (en) * 2018-10-29 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Spatial wafer processing with improved temperature uniformity
US20200161171A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-21 Applied Materials, Inc. Scaled liner layer for isolation structure
EP3672040A1 (en) * 2018-12-17 2020-06-24 Nexperia B.V. Device for enabling a rotating and translating movement by means of a single motor; apparatus and system comprising such a device
JP7213787B2 (ja) * 2018-12-18 2023-01-27 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置
US11107709B2 (en) * 2019-01-30 2021-08-31 Applied Materials, Inc. Temperature-controllable process chambers, electronic device processing systems, and manufacturing methods
EP3733927B1 (en) * 2019-02-28 2024-06-19 TMEIC Corporation Film forming device
KR20200143605A (ko) 2019-06-14 2020-12-24 삼성전자주식회사 열분해막을 이용한 반도체 소자의 제조 방법, 반도체 제조 장비 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자
DE102019123556A1 (de) * 2019-09-03 2021-03-04 Aixtron Se Lademodul für ein CVD-Reaktorsystem
CN111850518A (zh) * 2020-07-21 2020-10-30 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 托盘预热腔及对应的pecvd设备
CN117187780A (zh) * 2022-05-30 2023-12-08 长鑫存储技术有限公司 半导体基板加工装置与膜厚改善方法
CN118136486A (zh) * 2024-05-08 2024-06-04 深圳市矩阵多元科技有限公司 基材翻转机构、基材翻转装置及基材种子层制备***

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4004130A (en) * 1975-10-23 1977-01-18 Fluoroware Systems Corporation Hot plates
US4315705A (en) * 1977-03-18 1982-02-16 Gca Corporation Apparatus for handling and treating wafers
US4264393A (en) * 1977-10-31 1981-04-28 Motorola, Inc. Reactor apparatus for plasma etching or deposition
JPS5534258A (en) * 1978-09-01 1980-03-10 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki Coating solution for forming silica film
US5024747A (en) * 1979-12-21 1991-06-18 Varian Associates, Inc. Wafer coating system
JPS5799639A (en) * 1980-12-12 1982-06-21 Fujitsu Ltd Treatment of negative type resist
JPS57135066A (en) * 1981-02-14 1982-08-20 Tatsumo Kk Rotary applying machine
US4518848A (en) * 1981-05-15 1985-05-21 Gca Corporation Apparatus for baking resist on semiconductor wafers
US4507078A (en) * 1983-03-28 1985-03-26 Silicon Valley Group, Inc. Wafer handling apparatus and method
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
JPS6126532A (ja) * 1984-07-13 1986-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 光フアイバ−用母材の製造方法
US4966519A (en) * 1985-10-24 1990-10-30 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit processing system
US4816116A (en) * 1985-10-24 1989-03-28 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer transfer method and arm mechanism
US4785962A (en) * 1987-04-20 1988-11-22 Applied Materials, Inc. Vacuum chamber slit valve
US4819167A (en) * 1987-04-20 1989-04-04 Applied Materials, Inc. System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer
JPS63291419A (ja) * 1987-05-24 1988-11-29 Tatsumo Kk 加熱処理装置
JPH01135564A (ja) * 1987-11-23 1989-05-29 Tatsumo Kk 塗布装置
US5003178A (en) * 1988-11-14 1991-03-26 Electron Vision Corporation Large-area uniform electron source
US5186718A (en) * 1989-05-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Staged-vacuum wafer processing system and method
US5151871A (en) * 1989-06-16 1992-09-29 Tokyo Electron Limited Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same
US5120019A (en) * 1989-08-03 1992-06-09 Brooks Automation, Inc. Valve
US5094884A (en) * 1990-04-24 1992-03-10 Machine Technology, Inc. Method and apparatus for applying a layer of a fluid material on a semiconductor wafer
US5310410A (en) * 1990-04-06 1994-05-10 Sputtered Films, Inc. Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus
US5226632A (en) * 1990-04-20 1993-07-13 Applied Materials, Inc. Slit valve apparatus and method
US5067218A (en) * 1990-05-21 1991-11-26 Motorola, Inc. Vacuum wafer transport and processing system and method using a plurality of wafer transport arms
JP2704309B2 (ja) * 1990-06-12 1998-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板の熱処理方法
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
JP2843134B2 (ja) * 1990-09-07 1999-01-06 東京エレクトロン株式会社 塗布装置および塗布方法
JPH0812846B2 (ja) * 1991-02-15 1996-02-07 株式会社半導体プロセス研究所 半導体製造装置
KR0167572B1 (ko) * 1991-09-20 1999-02-01 이노우에 아키라 기판도포장치
US5187837A (en) * 1991-11-14 1993-02-23 White Consolidated Industries, Inc. Door hinge assembly
US5612082A (en) * 1991-12-13 1997-03-18 Symetrix Corporation Process for making metal oxides
US5275303A (en) * 1992-02-03 1994-01-04 Applied Materials, Inc. Valve closure mechanism for semiconductor deposition apparatus
US5356476A (en) * 1992-06-15 1994-10-18 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing method and apparatus with heat and gas flow control
US5534072A (en) * 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
US5289222A (en) * 1992-06-26 1994-02-22 Semiconductor Systems, Inc. Drain arrangement for photoresist coating apparatus
KR970011065B1 (ko) * 1992-12-21 1997-07-05 다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치와 기판처리장치에 있어서 기판교환장치 및 기판교환방법
US5392989A (en) * 1993-01-13 1995-02-28 Semiconductor Systems, Inc. Nozzle assembly for dispensing liquid
DE69304038T2 (de) * 1993-01-28 1996-12-19 Applied Materials Inc Vorrichtung für ein Vakuumverfahren mit verbessertem Durchsatz
US5363872A (en) * 1993-03-16 1994-11-15 Applied Materials, Inc. Low particulate slit valve system and method for controlling same
SG93216A1 (en) * 1993-03-25 2002-12-17 Tokyo Electron Ltd Method of forming coating film and apparatus therefor
CH687986A5 (de) * 1993-05-03 1997-04-15 Balzers Hochvakuum Plasmabehandlungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb.
TW276353B (ja) * 1993-07-15 1996-05-21 Hitachi Seisakusyo Kk
US5766824A (en) * 1993-07-16 1998-06-16 Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for curing photoresist
US5427820A (en) * 1993-07-16 1995-06-27 Semiconductor Systems, Inc. Thermal control line for delivering liquid to a point of use in a photolithography system
EP0634699A1 (en) * 1993-07-16 1995-01-18 Semiconductor Systems, Inc. Clustered photolithography system
EP0634783B1 (en) * 1993-07-16 1997-08-06 Semiconductor Systems, Inc. Thermal process module for substrate coat/develop system
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
KR100307852B1 (ko) * 1993-11-12 2001-12-01 제리 에스터슨 평탄한기판의박막코팅방법및장치
US5885661A (en) * 1993-11-24 1999-03-23 Semiconductor Systems, Inc. Droplet jet method for coating flat substrates with resist or similar materials
JP3388628B2 (ja) * 1994-03-24 2003-03-24 東京応化工業株式会社 回転式薬液処理装置
US5431700A (en) * 1994-03-30 1995-07-11 Fsi International, Inc. Vertical multi-process bake/chill apparatus
US5488015A (en) * 1994-05-20 1996-01-30 Texas Instruments Incorporated Method of making an interconnect structure with an integrated low density dielectric
US6015503A (en) * 1994-06-14 2000-01-18 Fsi International, Inc. Method and apparatus for surface conditioning
US5695817A (en) * 1994-08-08 1997-12-09 Tokyo Electron Limited Method of forming a coating film
TW294821B (ja) * 1994-09-09 1997-01-01 Tokyo Electron Co Ltd
KR100370728B1 (ko) * 1994-10-27 2003-04-07 실리콘 밸리 그룹, 인크. 기판을균일하게코팅하는방법및장치
JP3095202B2 (ja) * 1994-11-18 2000-10-03 東京応化工業株式会社 回転カップ式液体供給装置
FI98958C (fi) * 1995-04-13 1997-09-10 Spectra Physics Visiontech Oy Menetelmä säiliön paikantamiseksi säiliön vuorauksen kulumismittauksessa
JP2994228B2 (ja) * 1995-04-24 1999-12-27 東京応化工業株式会社 回転カップ式塗布装置及び塗布方法
JPH0945611A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板塗布装置
US5788868A (en) * 1995-09-04 1998-08-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer method and interface apparatus
US5611886A (en) * 1995-09-19 1997-03-18 Integrated Solutions, Inc. Process chamber for semiconductor substrates
JPH09107013A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板受け渡し装置
JP3227642B2 (ja) * 1995-10-13 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP3461068B2 (ja) * 1995-10-30 2003-10-27 東京応化工業株式会社 回転カップ式液体供給装置
US5725663A (en) * 1996-01-31 1998-03-10 Solitec Wafer Processing, Inc. Apparatus for control of contamination in spin systems
KR100274127B1 (ko) * 1996-04-23 2001-01-15 이시다 아키라 기판 온도 제어방법, 기판 열처리장치 및 기판 지지장치
US5858108A (en) * 1996-07-15 1999-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Removal of particulate contamination in loadlocks
US5756157A (en) * 1996-10-02 1998-05-26 Silicon Valley Group Method for processing flat panel displays and large wafers
JP3420900B2 (ja) * 1996-10-21 2003-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 塗布液塗布方法
TW353777B (en) * 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
US5810993A (en) * 1996-11-13 1998-09-22 Emec Consultants Electrolytic production of neodymium without perfluorinated carbon compounds on the offgases
US5838121A (en) * 1996-11-18 1998-11-17 Applied Materials, Inc. Dual blade robot
JP3315608B2 (ja) * 1996-11-20 2002-08-19 大日本スクリーン製造株式会社 塗布液塗布方法
US5942037A (en) * 1996-12-23 1999-08-24 Fsi International, Inc. Rotatable and translatable spray nozzle
JP3333121B2 (ja) * 1996-12-25 2002-10-07 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP3578577B2 (ja) * 1997-01-28 2004-10-20 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給方法及びその装置
JP3559133B2 (ja) * 1997-01-31 2004-08-25 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および基板処理装置
US5916368A (en) * 1997-02-27 1999-06-29 The Fairchild Corporation Method and apparatus for temperature controlled spin-coating systems
JP3693783B2 (ja) * 1997-03-21 2005-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6059507A (en) * 1997-04-21 2000-05-09 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with small batch load lock
JP3665826B2 (ja) * 1997-05-29 2005-06-29 Ｓｍｃ株式会社 基板熱処理装置
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
JP4048387B2 (ja) * 1997-09-10 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 ロードロック機構及び処理装置
US6071055A (en) * 1997-09-30 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Front end vacuum processing environment
US6177133B1 (en) * 1997-12-10 2001-01-23 Silicon Valley Group, Inc. Method and apparatus for adaptive process control of critical dimensions during spin coating process
US6042623A (en) * 1998-01-12 2000-03-28 Tokyo Electron Limited Two-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
US6072163A (en) * 1998-03-05 2000-06-06 Fsi International Inc. Combination bake/chill apparatus incorporating low thermal mass, thermally conductive bakeplate
US6375746B1 (en) * 1998-07-10 2002-04-23 Novellus Systems, Inc. Wafer processing architecture including load locks
US6203619B1 (en) * 1998-10-26 2001-03-20 Symetrix Corporation Multiple station apparatus for liquid source fabrication of thin films
US6098843A (en) * 1998-12-31 2000-08-08 Silicon Valley Group, Inc. Chemical delivery systems and methods of delivery
US6214120B1 (en) * 1999-08-27 2001-04-10 Innovac Corporation High throughput multi-vacuum chamber system for processing wafers and method of processing wafers using the same
TW471011B (en) * 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017484A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003017483A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003017487A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003017485A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
CN1327497C (zh) * 2002-03-04 2007-07-18 罗姆股份有限公司 薄膜的形成方法
JP2004273786A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Ulvac Japan Ltd 疎水性多孔質ｓｏｇ膜の作製方法
JP2012169654A (ja) * 2004-12-22 2012-09-06 Applied Materials Inc 基板を処理するクラスタツールアーキテクチャ
US8273410B2 (en) 2007-10-05 2012-09-25 Renesas Electronics Corporation Process for manufacturing hydrophobized microporous film
WO2009044529A1 (ja) 2007-10-05 2009-04-09 Nec Electronics Corporation 疎水化多孔質膜の製造方法
JP2009094183A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Nec Electronics Corp 疎水化多孔質膜の製造方法
JP2013239752A (ja) * 2007-10-22 2013-11-28 Applied Materials Inc ボイドフリーギャップ充填に対する誘電体膜品質を向上させる方法及びシステム
JP2011074466A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
JP2011079733A (ja) * 2009-10-06 2011-04-21 Advantest Corp 製造装置および製造方法
JP2013531363A (ja) * 2010-04-30 2013-08-01 株式会社テラセミコン 基板処理装置
JP2013545285A (ja) * 2010-10-05 2013-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド オゾン硬化及び硬化後水分処理のためのモジュール
JP2015510260A (ja) * 2012-01-13 2015-04-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板を処理する方法および装置
JP2022501826A (ja) * 2018-09-29 2022-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated 正確な温度及び流量制御を備えたマルチステーションチャンバリッド
JP7121447B2 (ja) 2018-09-29 2022-08-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 正確な温度及び流量制御を備えたマルチステーションチャンバリッド
WO2020190449A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 Applied Materials, Inc. Method of growing thick oxide films at low temperature of thermal oxide quality

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010082111A (ko) 2001-08-29
TW490765B (en) 2002-06-11
EP1124252A2 (en) 2001-08-16
US20040020601A1 (en) 2004-02-05

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