JP2002009595A - ワンダ発生器のｔｄｅｖマスク特性設定装置 - Google Patents
ワンダ発生器のｔｄｅｖマスク特性設定装置Info
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- Measuring Phase Differences (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単にＴＤＥＶマスク特性を設定変更でき
る。 【解決手段】 ＴＤＥＶマスク特性を設定するワンダ発
生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置１２において、それ
ぞれ複数の線分を接続してなるＴＤＥＶマスク特性を記
憶するＴＤＥＶマスク特性ファイル２９と、操作指定さ
れたＴＤＥＶマスク特性をＴＤＥＶマスク特性ファイル
から読出して表示するＴＤＥＶマスク特性読出手段３２
と、操作入力されたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線
分の開始点の変更指示又は開始点での特性値の変更指示
を取込む変更指示取込手段３３と、変更指示取込手段で
取込んだ各変更指示を受け、操作指定されたＴＤＥＶマ
スク特性を構成する各線分毎に開始点、傾斜、及び開始
点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータを
算出することによって操作指定されたＴＤＥＶマスク特
性を変更するＴＤＥＶマスク特性変更手段３４とを備え
ている。
る。 【解決手段】 ＴＤＥＶマスク特性を設定するワンダ発
生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置１２において、それ
ぞれ複数の線分を接続してなるＴＤＥＶマスク特性を記
憶するＴＤＥＶマスク特性ファイル２９と、操作指定さ
れたＴＤＥＶマスク特性をＴＤＥＶマスク特性ファイル
から読出して表示するＴＤＥＶマスク特性読出手段３２
と、操作入力されたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線
分の開始点の変更指示又は開始点での特性値の変更指示
を取込む変更指示取込手段３３と、変更指示取込手段で
取込んだ各変更指示を受け、操作指定されたＴＤＥＶマ
スク特性を構成する各線分毎に開始点、傾斜、及び開始
点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータを
算出することによって操作指定されたＴＤＥＶマスク特
性を変更するＴＤＥＶマスク特性変更手段３４とを備え
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワンダを含むクロ
ック信号を発生するワンダ発生器に係わり、特に、出力
されるクロック信号のワンダが有するＴＤＥＶ（Time D
EViation タイムデビエーション）特性を規定するＴＤ
ＥＶマスク特性を設定するワンダ発生器のＴＤＥＶマス
ク特性設定装置に関する。
ック信号を発生するワンダ発生器に係わり、特に、出力
されるクロック信号のワンダが有するＴＤＥＶ（Time D
EViation タイムデビエーション）特性を規定するＴＤ
ＥＶマスク特性を設定するワンダ発生器のＴＤＥＶマス
ク特性設定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】デジタル伝送システムに組込まれた各種
電子機器や伝送装置の伝送特性の１つとして、この各種
電子機器や伝送装置に入力される信号における位相揺ら
ぎに対する耐力がある。この信号における位相揺らぎの
うち、一般に揺らぎの周波数が１０Hzより高い成分をジ
ッタと称し、１０Hzより低い成分をワンダと称する。
電子機器や伝送装置の伝送特性の１つとして、この各種
電子機器や伝送装置に入力される信号における位相揺ら
ぎに対する耐力がある。この信号における位相揺らぎの
うち、一般に揺らぎの周波数が１０Hzより高い成分をジ
ッタと称し、１０Hzより低い成分をワンダと称する。
【０００３】これらの位相揺らぎのうち信号に含まれる
ワンダを定量的に評価する指標としてＴＤＥＶ（Time D
EViation タイムデビエーション）特性が規定されてい
る。このＴＤＥＶ特性を測定する場合、ワンダを含む被
測定信号の位相とワンダを含まない基準信号とを所定の
サンプリング周期τSでサンプリングする。そして、ワ
ンダを含む被測定信号の位相と、ワンダを含まない基準
信号の位相とを比較して各サンプリング時におけるその
位相差ＴＩＥ（Time Interval Error）を、元々両信号
相互間が有する初期位相差に対する変化量ｘi（ＴＩＥ
データ）として順次求め、この各サンプリング時におけ
る変化量ｘiを各積分期間（積分時間）τ（＝ｎ・τS）
時点における変化量ｘiのパワーとして(1)式で求めてＴ
ＤＥＶ特性（τ）とする。
ワンダを定量的に評価する指標としてＴＤＥＶ（Time D
EViation タイムデビエーション）特性が規定されてい
る。このＴＤＥＶ特性を測定する場合、ワンダを含む被
測定信号の位相とワンダを含まない基準信号とを所定の
サンプリング周期τSでサンプリングする。そして、ワ
ンダを含む被測定信号の位相と、ワンダを含まない基準
信号の位相とを比較して各サンプリング時におけるその
位相差ＴＩＥ（Time Interval Error）を、元々両信号
相互間が有する初期位相差に対する変化量ｘi（ＴＩＥ
データ）として順次求め、この各サンプリング時におけ
る変化量ｘiを各積分期間（積分時間）τ（＝ｎ・τS）
時点における変化量ｘiのパワーとして(1)式で求めてＴ
ＤＥＶ特性（τ）とする。
【０００４】
【数１】
【０００５】但し、ｘi；変化量、Ｎ；総サンプル数、
τS；サンプリング周期、ｎ；サンプリング周期の数、
τ；積分時間（＝ｎ・τS）である。すなわち、このＴ
ＤＥＶ特性（τ）は、位相差のパワースペクトラム密度
分布を時間（経過時間）で評価するものである。
τS；サンプリング周期、ｎ；サンプリング周期の数、
τ；積分時間（＝ｎ・τS）である。すなわち、このＴ
ＤＥＶ特性（τ）は、位相差のパワースペクトラム密度
分布を時間（経過時間）で評価するものである。
【０００６】前述した各種電子機器や伝送装置の被測定
系が有するワンダに対する特性を測定する測定手法には
下記の３種類がある。
系が有するワンダに対する特性を測定する測定手法には
下記の３種類がある。
【０００７】（１） 被測定系自体が発生するワンダの
特性の測定 入力信号を印加しないで被測定系自体から出力される被
測定信号に含まれるワンダをワンダ測定器で測定して上
述したＴＤＥＶ特性を得る。この被測定系としては例え
ば発振器等がある。
特性の測定 入力信号を印加しないで被測定系自体から出力される被
測定信号に含まれるワンダをワンダ測定器で測定して上
述したＴＤＥＶ特性を得る。この被測定系としては例え
ば発振器等がある。
【０００８】（２） 被測定系が有する耐ワンダ特性の
測定 ワンダ発生器から所定のＴＤＥＶ特性（τ）を有したワ
ンダを含む試験信号を発生させて、この試験信号を被測
定系へ印加して、この被測定系の出力信号のビット誤り
を誤り測定器で測定することによって、この被測定系が
試験信号をどの程度誤りなくデータ処理できるかを評価
する。この被測定系としては一般的なデータ処理装置等
がある。
測定 ワンダ発生器から所定のＴＤＥＶ特性（τ）を有したワ
ンダを含む試験信号を発生させて、この試験信号を被測
定系へ印加して、この被測定系の出力信号のビット誤り
を誤り測定器で測定することによって、この被測定系が
試験信号をどの程度誤りなくデータ処理できるかを評価
する。この被測定系としては一般的なデータ処理装置等
がある。
【０００９】（３） 被測定系が有するワンダの伝達特
性の測定 ワンダ発生器から所定のＴＤＥＶ特性（τ）を有したワ
ンダを含む試験信号を発生させて、この試験信号を被測
定系へ印加して、この被測定系の出力信号に含まれるワ
ンダをワンダ測定器で測定して上述したＴＤＥＶ特性
（τ）を得る。この被測定系としては例えば中継器や増
幅器等がある。
性の測定 ワンダ発生器から所定のＴＤＥＶ特性（τ）を有したワ
ンダを含む試験信号を発生させて、この試験信号を被測
定系へ印加して、この被測定系の出力信号に含まれるワ
ンダをワンダ測定器で測定して上述したＴＤＥＶ特性
（τ）を得る。この被測定系としては例えば中継器や増
幅器等がある。
【００１０】これらの３種類の測定のうち（２）、
（３）の各測定においては、所定のＴＤＥＶ特性（τ）
を有したワンダを含む試験信号を発生させることが可能
なワンダ発生器が必要である。
（３）の各測定においては、所定のＴＤＥＶ特性（τ）
を有したワンダを含む試験信号を発生させることが可能
なワンダ発生器が必要である。
【００１１】このワンダ発生器は例えば図９に示すよう
に構成されている。変調信号発生部１から出力される１
０Hzより低い位相変調用の変調信号と基準電圧発生部２
から出力された直流の基準電圧とを加算部３で加算し
て、その加算部３の出力をＶＣＯ（電圧制御発振器）４
に入力して、基準電圧に対応した中心周波数を有し、変
調信号によって位相変調されたクロック信号ＣＫを発生
している。
に構成されている。変調信号発生部１から出力される１
０Hzより低い位相変調用の変調信号と基準電圧発生部２
から出力された直流の基準電圧とを加算部３で加算し
て、その加算部３の出力をＶＣＯ（電圧制御発振器）４
に入力して、基準電圧に対応した中心周波数を有し、変
調信号によって位相変調されたクロック信号ＣＫを発生
している。
【００１２】このワンダ発生器では、変調信号発生部１
から出力される変調信信号の周波数や振幅を可変するこ
とによって、出力されるクロック信号ＣＫのワンダの周
波数や大きさを可変することが可能である。
から出力される変調信信号の周波数や振幅を可変するこ
とによって、出力されるクロック信号ＣＫのワンダの周
波数や大きさを可変することが可能である。
【００１３】近年、被測定系が有するワンダに対する特
性を測定する測定規格がＡＮＳＩ等によって提唱されて
いる。この規格においては、ワンダ発生器から出力され
るワンダを含む試験信号のＴＤＥＶ特性（τ）をＴＤＥ
Ｖマスク特性と称する規格値（特性値）で規定し、被測
定系に対する測定結果の普遍性を確保するようにしてい
る。
性を測定する測定規格がＡＮＳＩ等によって提唱されて
いる。この規格においては、ワンダ発生器から出力され
るワンダを含む試験信号のＴＤＥＶ特性（τ）をＴＤＥ
Ｖマスク特性と称する規格値（特性値）で規定し、被測
定系に対する測定結果の普遍性を確保するようにしてい
る。
【００１４】このＴＤＥＶマスク特性は、例えば被測定
系の種類や測定目的に応じて複数種類準備されている
が、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、複数の線分６
ａ、６ｂ、６ｃを接続して１つのＴＤＥＶマスク特性５
を構成している。なお、ＴＤＥＶマスク特性５における
横軸は前述した時間経過を示す積分時間τ（＝ｎ・
τS）であり、縦軸は位相の変化量のパワースペクトラ
ム密度を示す特性値である。
系の種類や測定目的に応じて複数種類準備されている
が、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、複数の線分６
ａ、６ｂ、６ｃを接続して１つのＴＤＥＶマスク特性５
を構成している。なお、ＴＤＥＶマスク特性５における
横軸は前述した時間経過を示す積分時間τ（＝ｎ・
τS）であり、縦軸は位相の変化量のパワースペクトラ
ム密度を示す特性値である。
【００１５】例えば、図１０（ａ）のＴＤＥＶマスク特
性５は、２本の線分６ａ、６ｂで構成され、(2)式でこ
のＴＤＥＶマスク特性５を定義している。
性５は、２本の線分６ａ、６ｂで構成され、(2)式でこ
のＴＤＥＶマスク特性５を定義している。
【００１６】 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ0 τ0＜τ≦τ1 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ1τ τ1＜τ≦τ2 …(2) ここで、Ａ0、Ａ1、τ0、τ1、τ2はこのＴＤＥＶマス
ク特性５を構成する線分６ａ，６ｂを特定するための各
パラメータである。具体的にはτ0、τ1は各線分６ａ、
６ｂの開始点を示し、τ2は線分６ｂの終了点を示し、
Ａ0は線分６ａの開始点τ0での特性値を示し、Ａ1は線
分６ｂの傾斜を示す。
ク特性５を構成する線分６ａ，６ｂを特定するための各
パラメータである。具体的にはτ0、τ1は各線分６ａ、
６ｂの開始点を示し、τ2は線分６ｂの終了点を示し、
Ａ0は線分６ａの開始点τ0での特性値を示し、Ａ1は線
分６ｂの傾斜を示す。
【００１７】また、図１０（ｂ）のＴＤＥＶマスク特性
５は、３本の線分６ａ、６ｂ、６ｃで構成され、(3)式
でこのＴＤＥＶマスク特性５を定義している。
５は、３本の線分６ａ、６ｂ、６ｃで構成され、(3)式
でこのＴＤＥＶマスク特性５を定義している。
【００１８】 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ0 τ0＜τ≦τ1 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ1τ τ1＜τ≦τ2 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ2 τ2＜τ≦τ3 …(3) ここで、Ａ0、Ａ1、Ａ2、τ0、τ1、τ2、τ3はこのＴ
ＤＥＶマスク特性５を構成する線分６ａ，６ｂ、６ｃを
特定するための各パラメータである。具体的にはτ0、
τ1、τ2は各線分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点を示し、τ
3は線分６ｃの終了点を示し、Ａ0は線分６ａの開始点τ
0での特性値を示し、Ａ1は線分６ｂの傾斜を示し、Ａ2
は線分６ｃの開始点τ2での特性値を示す。
ＤＥＶマスク特性５を構成する線分６ａ，６ｂ、６ｃを
特定するための各パラメータである。具体的にはτ0、
τ1、τ2は各線分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点を示し、τ
3は線分６ｃの終了点を示し、Ａ0は線分６ａの開始点τ
0での特性値を示し、Ａ1は線分６ｂの傾斜を示し、Ａ2
は線分６ｃの開始点τ2での特性値を示す。
【００１９】しかしながら、図９に示すワンダ発生器に
おいては、単信号の位相変調しかできないので、上述し
た規格に定められた積分時間範囲毎に特性値が異る複数
の線分６ａ〜６ｃで構成されたＴＤＥＶマスク特性５を
満足するＴＤＥＶ特性のワンダを含む試験信号を発生さ
せることが困難であった。
おいては、単信号の位相変調しかできないので、上述し
た規格に定められた積分時間範囲毎に特性値が異る複数
の線分６ａ〜６ｃで構成されたＴＤＥＶマスク特性５を
満足するＴＤＥＶ特性のワンダを含む試験信号を発生さ
せることが困難であった。
【００２０】このような不都合を解消するためにＴＤＥ
Ｖ特性設定装置が組込まれたワンダ発生器が開発されて
いる。このＴＤＥＶ特性設定装置においては、前述した
各規格で定められた複数のＴＤＥＶマスク特性が予め記
憶されている。なお、具体的には、各ＴＤＥＶマスク特
性５を構成する複数の線分６ａ〜６ｃを特定する各パラ
メータＡ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、τ1、τ2、τ3、…が
記憶保持されている。
Ｖ特性設定装置が組込まれたワンダ発生器が開発されて
いる。このＴＤＥＶ特性設定装置においては、前述した
各規格で定められた複数のＴＤＥＶマスク特性が予め記
憶されている。なお、具体的には、各ＴＤＥＶマスク特
性５を構成する複数の線分６ａ〜６ｃを特定する各パラ
メータＡ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、τ1、τ2、τ3、…が
記憶保持されている。
【００２１】そして、ワンダ発生器の操作者がＴＤＥＶ
マスク特性５を特定する特性番号（グラフ番号）を操作
パネル上で操作入力すると、ＴＤＥＶ特性設定装置に記
憶されている指定された特性番号のＴＤＥＶマスク特性
５の各パラメータＡ0〜τ3が読出されてＴＤＥＶマスク
特性５が作成されて、変調信号（揺らぎ信号）発生器部
１へ印加される。
マスク特性５を特定する特性番号（グラフ番号）を操作
パネル上で操作入力すると、ＴＤＥＶ特性設定装置に記
憶されている指定された特性番号のＴＤＥＶマスク特性
５の各パラメータＡ0〜τ3が読出されてＴＤＥＶマスク
特性５が作成されて、変調信号（揺らぎ信号）発生器部
１へ印加される。
【００２２】変調信号（揺らぎ信号）発生部１は、入力
されたＴＤＥＶマスク特性５に基づいてこのＴＤＥＶマ
スク特性に対応した変調信号（揺らぎ信号）を生成し
て、基準電圧発生部２から出力された直流の基準電圧と
を加算部３で加算して、その加算部３の出力をＶＣＯ
（電圧制御発振器）４に入力して、基準電圧に対応した
中心周波数を有し、変調信号（揺らぎ信号）によって位
相変調されて、指定したＴＤＥＶマスク特性５に対応し
たＴＤＥＶ特性（τ）を有するワンダを含むクロック信
号ＣＫが発生する。
されたＴＤＥＶマスク特性５に基づいてこのＴＤＥＶマ
スク特性に対応した変調信号（揺らぎ信号）を生成し
て、基準電圧発生部２から出力された直流の基準電圧と
を加算部３で加算して、その加算部３の出力をＶＣＯ
（電圧制御発振器）４に入力して、基準電圧に対応した
中心周波数を有し、変調信号（揺らぎ信号）によって位
相変調されて、指定したＴＤＥＶマスク特性５に対応し
たＴＤＥＶ特性（τ）を有するワンダを含むクロック信
号ＣＫが発生する。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たＴＤＥＶ特性設定装置が組込まれたワンダ発生器にお
いてもまだ改良すべき次のような課題があった。
たＴＤＥＶ特性設定装置が組込まれたワンダ発生器にお
いてもまだ改良すべき次のような課題があった。
【００２４】すなわち、このワンダ発生器に組込まれた
ＴＤＥＶ特性設定装置においては、上述したように、Ａ
ＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳ１等の各測定規格に定めら
れた数種類のＴＤＥＶマスク特性５のみしか記憶されて
いなかった。
ＴＤＥＶ特性設定装置においては、上述したように、Ａ
ＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳ１等の各測定規格に定めら
れた数種類のＴＤＥＶマスク特性５のみしか記憶されて
いなかった。
【００２５】しかし、近年、デジタル通信技術が飛躍的
に発達して、ワンダに関する特性も上述した各測定規格
に定められた測定のみならず、種々の測定条件でワンダ
に関する特性を測定することが切望されている。
に発達して、ワンダに関する特性も上述した各測定規格
に定められた測定のみならず、種々の測定条件でワンダ
に関する特性を測定することが切望されている。
【００２６】この場合、新規の測定条件として、上記各
規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性５とは全く
異なるＴＤＥＶマスク特性を設定可能とすることは勿論
のこと、各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性
の一部を変更したのみのＴＤＥＶマスク特性を簡単にか
つ短時間で設定できることが望まれている。
規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性５とは全く
異なるＴＤＥＶマスク特性を設定可能とすることは勿論
のこと、各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク特性
の一部を変更したのみのＴＤＥＶマスク特性を簡単にか
つ短時間で設定できることが望まれている。
【００２７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク
特性以外にも、測定者が必要とする任意のＴＤＥＶマス
ク特性を簡単な操作でかつ誤りなく設定でき、ワンダ発
生器を用いた被測定系に対するワンダに関する測定範囲
を大幅に拡大できるワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性
設定装置を提供することを目的とする。
ものであり、各規格に定められている各ＴＤＥＶマスク
特性以外にも、測定者が必要とする任意のＴＤＥＶマス
ク特性を簡単な操作でかつ誤りなく設定でき、ワンダ発
生器を用いた被測定系に対するワンダに関する測定範囲
を大幅に拡大できるワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性
設定装置を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明は、指定されたＴ
ＤＥＶマスク特性に対応するＴＤＥＶ特性を有するワン
ダを含むクロック信号を発生するワンダ発生器に組込ま
れ、ＴＤＥＶマスク特性を設定するワンダ発生器のＴＤ
ＥＶマスク特性設定装置に適用される。
ＤＥＶマスク特性に対応するＴＤＥＶ特性を有するワン
ダを含むクロック信号を発生するワンダ発生器に組込ま
れ、ＴＤＥＶマスク特性を設定するワンダ発生器のＴＤ
ＥＶマスク特性設定装置に適用される。
【００２９】そして、上記課題を解消するために本発明
のＴＤＥＶマスク特性設定装置においては、それぞれ複
数の線分を接続してなるＴＤＥＶマスク特性を記憶する
ＴＤＥＶマスク特性ファイルと、操作指定されたＴＤＥ
Ｖマスク特性をＴＤＥＶマスク特性ファイルから読出し
て表示するＴＤＥＶマスク特性読出手段と、ＴＤＥＶマ
スク特性を構成する各線分の開始点の変更指示又は開始
点での特性値の変更指示を取込む変更指示取込手段と、
この変更指示取込手段で取込んだ各変更指示を受け、操
作指定されたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に
開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を
特定する各パラメータを算出することによって操作指定
されたＴＤＥＶマスク特性を変更するＴＤＥＶマスク特
性変更手段とを備えている。
のＴＤＥＶマスク特性設定装置においては、それぞれ複
数の線分を接続してなるＴＤＥＶマスク特性を記憶する
ＴＤＥＶマスク特性ファイルと、操作指定されたＴＤＥ
Ｖマスク特性をＴＤＥＶマスク特性ファイルから読出し
て表示するＴＤＥＶマスク特性読出手段と、ＴＤＥＶマ
スク特性を構成する各線分の開始点の変更指示又は開始
点での特性値の変更指示を取込む変更指示取込手段と、
この変更指示取込手段で取込んだ各変更指示を受け、操
作指定されたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に
開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を
特定する各パラメータを算出することによって操作指定
されたＴＤＥＶマスク特性を変更するＴＤＥＶマスク特
性変更手段とを備えている。
【００３０】このように構成されたワンダ発生器のＴＤ
ＥＶマスク特性設定装置においては、例えば、規格で定
められた各ＴＤＥＶマスク特性はＴＤＥＶマスク特性フ
ァイルに記憶されている。そして、新規にＴＤＥＶマス
ク特性を設定する場合、この新規に設定するＴＤＥＶマ
スク特性がＴＤＥＶマスク特性ファイルに記憶されてい
る規格で定められている各ＴＤＥＶマスク特性の中の１
つのＴＤＥＶマスク特性に近似している場合は、該当Ｔ
ＤＥＶマスク特性を表示画面上へ読出して、このＴＤＥ
Ｖマスク特性を構成する各線分のうち変更すべき線分の
開始点の変更指示又は開始点での特性値の変更指示を入
力する。
ＥＶマスク特性設定装置においては、例えば、規格で定
められた各ＴＤＥＶマスク特性はＴＤＥＶマスク特性フ
ァイルに記憶されている。そして、新規にＴＤＥＶマス
ク特性を設定する場合、この新規に設定するＴＤＥＶマ
スク特性がＴＤＥＶマスク特性ファイルに記憶されてい
る規格で定められている各ＴＤＥＶマスク特性の中の１
つのＴＤＥＶマスク特性に近似している場合は、該当Ｔ
ＤＥＶマスク特性を表示画面上へ読出して、このＴＤＥ
Ｖマスク特性を構成する各線分のうち変更すべき線分の
開始点の変更指示又は開始点での特性値の変更指示を入
力する。
【００３１】すると、この各変更指示を用いて、指定さ
れたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に開始点、
傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する
各パラメータが自動的に算出される。すなわち、ＴＤＥ
Ｖマスク特性を構成する各線分は互いに接続されてい
る。したがって、目的とする１つの線分の開始点や終了
点や、開始点や終了点での各特性値を変更した場合、こ
の目的とする線分に隣接する各線分の開始点や終了点
や、開始点や終了点での各特性値や傾斜も同時に変更し
なければ、隣接する線分相互間に不連続部分が発生した
り、重複部分が発生したりする。
れたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分毎に開始点、
傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線分を特定する
各パラメータが自動的に算出される。すなわち、ＴＤＥ
Ｖマスク特性を構成する各線分は互いに接続されてい
る。したがって、目的とする１つの線分の開始点や終了
点や、開始点や終了点での各特性値を変更した場合、こ
の目的とする線分に隣接する各線分の開始点や終了点
や、開始点や終了点での各特性値や傾斜も同時に変更し
なければ、隣接する線分相互間に不連続部分が発生した
り、重複部分が発生したりする。
【００３２】このような事態が発生しないようにするた
めには、操作者は目的とする１つの線分の開始点や終了
点や特性値等の各変更指令を入力するとともに、それに
応じて変更する必要がある隣接する各線分の開始点や終
了点や傾斜や特性値等の各変更指令を入力する必要があ
る。この場合、不連続部分や重複部分が発生しないよう
に隣接する各線分の開始点や終了点や傾斜や特性値の値
を正しく定めて変更指令を入力するためには、操作者は
多大の手間と煩雑な操作を実施する必要がある。
めには、操作者は目的とする１つの線分の開始点や終了
点や特性値等の各変更指令を入力するとともに、それに
応じて変更する必要がある隣接する各線分の開始点や終
了点や傾斜や特性値等の各変更指令を入力する必要があ
る。この場合、不連続部分や重複部分が発生しないよう
に隣接する各線分の開始点や終了点や傾斜や特性値の値
を正しく定めて変更指令を入力するためには、操作者は
多大の手間と煩雑な操作を実施する必要がある。
【００３３】そこで、本発明においては、目的とする線
分の開始点や終了点や特性値等の各変更指令を入力する
と、不連続部分や重複部分が発生しないように隣接する
各線分の開始点や終了点や特性値等のパラメータが自動
的に算出される。
分の開始点や終了点や特性値等の各変更指令を入力する
と、不連続部分や重複部分が発生しないように隣接する
各線分の開始点や終了点や特性値等のパラメータが自動
的に算出される。
【００３４】このようにして、操作者は、新規にＴＤＥ
Ｖマスク特性を設定する場合に、ＴＤＥＶマスク特性フ
ァイルに記憶されたＴＤＥＶマスク特性を利用すること
によって、簡単に新規ＴＤＥＶマスク特性を設定するこ
とが可能となる。
Ｖマスク特性を設定する場合に、ＴＤＥＶマスク特性フ
ァイルに記憶されたＴＤＥＶマスク特性を利用すること
によって、簡単に新規ＴＤＥＶマスク特性を設定するこ
とが可能となる。
【００３５】また別の発明は、上述した本発明のＴＤＥ
Ｖマスク特性設定装置に対して、さらに、それぞれ複数
の線分を接続してなる複数のＴＤＥＶマスクパターンを
記憶するＴＤＥＶマスクパターンファイルと、操作指定
されたＴＤＥＶマスクパターンをＴＤＥＶマスクパター
ンファイルから読出して表示するＴＤＥＶマスクパター
ン読出手段と、操作入力されたＴＤＥＶマスクパターン
を構成する各線分の開始点とこの開始点での特性値とを
取込む新規パラメータ取込手段と、新規パラメータ取込
手段で取込んだ各開始点と各特性値とを用いて、操作指
定されたＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分毎
に、開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線
分を特定する各パラメータを算出することによって新規
のＴＤＥＶマスク特性を求めるＴＤＥＶマスク特性新規
作成手段とを備えている。
Ｖマスク特性設定装置に対して、さらに、それぞれ複数
の線分を接続してなる複数のＴＤＥＶマスクパターンを
記憶するＴＤＥＶマスクパターンファイルと、操作指定
されたＴＤＥＶマスクパターンをＴＤＥＶマスクパター
ンファイルから読出して表示するＴＤＥＶマスクパター
ン読出手段と、操作入力されたＴＤＥＶマスクパターン
を構成する各線分の開始点とこの開始点での特性値とを
取込む新規パラメータ取込手段と、新規パラメータ取込
手段で取込んだ各開始点と各特性値とを用いて、操作指
定されたＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分毎
に、開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当線
分を特定する各パラメータを算出することによって新規
のＴＤＥＶマスク特性を求めるＴＤＥＶマスク特性新規
作成手段とを備えている。
【００３６】このように構成されたＴＤＥＶマスタ特性
設定装置においては、新たに設定要求が発生すると予想
される複数のＴＤＥＶマスクパターンをＴＤＥＶマスク
パターンファイルに予め書込んでおく。
設定装置においては、新たに設定要求が発生すると予想
される複数のＴＤＥＶマスクパターンをＴＤＥＶマスク
パターンファイルに予め書込んでおく。
【００３７】そして、操作者は、新規にＴＤＥＶマスク
特性を設定する場合、この新規に設定するＴＤＥＶマス
ク特性のマスクパターンがＴＤＥＶマスクパターンファ
イルに記憶されている各ＴＤＥＶマスクパターンの中の
一致しているＴＤＥＶマスクパターンを表示画面上へ読
出して、このＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分
の開始点とこの開始点での特性値のみを入力する。
特性を設定する場合、この新規に設定するＴＤＥＶマス
ク特性のマスクパターンがＴＤＥＶマスクパターンファ
イルに記憶されている各ＴＤＥＶマスクパターンの中の
一致しているＴＤＥＶマスクパターンを表示画面上へ読
出して、このＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線分
の開始点とこの開始点での特性値のみを入力する。
【００３８】すると、ＴＤＥＶマスク特性の各線分は接
続されていると言う条件を用いて、新規のＴＤＥＶマス
ク特性を構成する各線分毎に、開始点、傾斜、及び開始
点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータが
自動計算される。
続されていると言う条件を用いて、新規のＴＤＥＶマス
ク特性を構成する各線分毎に、開始点、傾斜、及び開始
点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータが
自動計算される。
【００３９】このようにして、操作者は、新規にＴＤＥ
Ｖマスク特性を設定する場合に、ＴＤＥＶマスクパター
ンファイルに記憶されたＴＤＥＶマスクパターンを利用
することによって、簡単に新規ＴＤＥＶマスク特性を設
定することが可能となる。
Ｖマスク特性を設定する場合に、ＴＤＥＶマスクパター
ンファイルに記憶されたＴＤＥＶマスクパターンを利用
することによって、簡単に新規ＴＤＥＶマスク特性を設
定することが可能となる。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を用いて説明する。図１は実施形態に係るＴＤＥＶマス
ク特性設定装置が組込まれたワンダ発生器の概略構成を
示すブロック図である。
を用いて説明する。図１は実施形態に係るＴＤＥＶマス
ク特性設定装置が組込まれたワンダ発生器の概略構成を
示すブロック図である。
【００４１】このワンダ発生器は、大きく分けて、中心
周波数設定部１１と、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２
と、揺らぎ信号列発生部１３と、加算部１４と、ＤＤＳ
（ダイレクト・デジタル・シンセサイザ）１５と、クロ
ック信号出力回路１６とで構成されている。
周波数設定部１１と、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２
と、揺らぎ信号列発生部１３と、加算部１４と、ＤＤＳ
（ダイレクト・デジタル・シンセサイザ）１５と、クロ
ック信号出力回路１６とで構成されている。
【００４２】中心周波数設定部１１は、このワンダ発生
器から出力される試験信号に採用されるクロック信号Ｃ
Ｋ1の中心周波数（例えば２ＭHz）、すなわち、ＤＤＳ
１５の出力信号の中心周波数を決めるデジタルのデータ
Ｙ0を加算部１４へ送出する。
器から出力される試験信号に採用されるクロック信号Ｃ
Ｋ1の中心周波数（例えば２ＭHz）、すなわち、ＤＤＳ
１５の出力信号の中心周波数を決めるデジタルのデータ
Ｙ0を加算部１４へ送出する。
【００４３】ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２は操作者
が指示したＴＤＥＶマスク特性を作成して揺らぎ信号列
発生部１３へ送出する。
が指示したＴＤＥＶマスク特性を作成して揺らぎ信号列
発生部１３へ送出する。
【００４４】揺らぎ信号列発生部１３は、雑音発生部１
７とインパルス応答演算部１８とメモリ１９と畳込み演
算部２０とで構成されている。このような構成の揺らぎ
信号列発生部１３において、雑音発生部１７は、例えば
ＰＮ（擬似雑音）信号発生回路で構成されており、ＰＮ
信号ｎ（ｋ）を発生して畳込み演算部２０へ送出する。
インパルス応答演算部１８は、ＴＤＥＶマスク特性設定
装置１２から入力されたＴＤＥＶマスク特性が示す位相
差の変化量のパワースペクトル密度分布特性に近似する
伝達関数のインパルス応答の各時間毎のタップ係数ｈ
（ｔ）を算出してメモリ１９へ格納する。畳込み演算部
２０は、雑音発生部１７から入力されるＰＮ信号ｎ
（ｋ）とメモリ１９に記憶された各時間毎のタップ係数
ｈ（ｔ）とによる畳み込み演算を行い、ＴＤＥＶマスク
特性設定装置１２から入力されたＴＤＥＶマスク特性を
満足する揺らぎ信号列ｙ（ｋ）を出力する。
７とインパルス応答演算部１８とメモリ１９と畳込み演
算部２０とで構成されている。このような構成の揺らぎ
信号列発生部１３において、雑音発生部１７は、例えば
ＰＮ（擬似雑音）信号発生回路で構成されており、ＰＮ
信号ｎ（ｋ）を発生して畳込み演算部２０へ送出する。
インパルス応答演算部１８は、ＴＤＥＶマスク特性設定
装置１２から入力されたＴＤＥＶマスク特性が示す位相
差の変化量のパワースペクトル密度分布特性に近似する
伝達関数のインパルス応答の各時間毎のタップ係数ｈ
（ｔ）を算出してメモリ１９へ格納する。畳込み演算部
２０は、雑音発生部１７から入力されるＰＮ信号ｎ
（ｋ）とメモリ１９に記憶された各時間毎のタップ係数
ｈ（ｔ）とによる畳み込み演算を行い、ＴＤＥＶマスク
特性設定装置１２から入力されたＴＤＥＶマスク特性を
満足する揺らぎ信号列ｙ（ｋ）を出力する。
【００４５】加算部１４は、中心周波数設定部１１で設
定されたデータＹ0と揺らぎ信号列発生部１３から出力
された揺らぎ信号列ｙ（ｋ）とを加算して、その加算結
果のデータｕ（ｋ）をＤＤＳ１５へ送出する。
定されたデータＹ0と揺らぎ信号列発生部１３から出力
された揺らぎ信号列ｙ（ｋ）とを加算して、その加算結
果のデータｕ（ｋ）をＤＤＳ１５へ送出する。
【００４６】ＤＤＳ１５は、加算器２１とラッチ回路２
２と波形メモリ２３とＤ／Ａ変換器２４とで構成されて
いる。ラッチ回路２２は加算器２１の出力データを、出
力されるクロック信号ＣＫ1の周波数に比較して遙かに
高い周波数を有するクロック信号ＣＫ2に同期してラッ
チする。加算器２１は、入力された揺らぎ信号列ｙ
（ｋ）の成分を含む加算結果のデータｕ（ｋ）とラッチ
回路２２にラッチされたデータとを加算してラッチ回路
２２へ送出する。波形メモリ２３は、正弦波データが連
続したアドレス領域に予め記憶されたラッチ回路２２の
出力で指定されたアドレスのデータを読出して記憶保持
する。すなわち、この波形メモリ２３内には、基準の正
弦波波形に対して、揺らぎ信号列のデータが付加され
た、すなわちワンダが付加されたクロック信号の波形が
記憶されていることになる。Ｄ／Ａ変換器２４は波形メ
モリ２３に記憶された波形のデータを読出してアナログ
信号に変換して次のクロック信号出力回路１６へ送出す
る。
２と波形メモリ２３とＤ／Ａ変換器２４とで構成されて
いる。ラッチ回路２２は加算器２１の出力データを、出
力されるクロック信号ＣＫ1の周波数に比較して遙かに
高い周波数を有するクロック信号ＣＫ2に同期してラッ
チする。加算器２１は、入力された揺らぎ信号列ｙ
（ｋ）の成分を含む加算結果のデータｕ（ｋ）とラッチ
回路２２にラッチされたデータとを加算してラッチ回路
２２へ送出する。波形メモリ２３は、正弦波データが連
続したアドレス領域に予め記憶されたラッチ回路２２の
出力で指定されたアドレスのデータを読出して記憶保持
する。すなわち、この波形メモリ２３内には、基準の正
弦波波形に対して、揺らぎ信号列のデータが付加され
た、すなわちワンダが付加されたクロック信号の波形が
記憶されていることになる。Ｄ／Ａ変換器２４は波形メ
モリ２３に記憶された波形のデータを読出してアナログ
信号に変換して次のクロック信号出力回路１６へ送出す
る。
【００４７】クロック信号出力回路１６は、ＢＰＦ２５
とコンパレータ２６とで構成されている。このクロック
信号出力回路１６においては、ＤＤＳ１５から出力され
たアナログ信号を波形整形して最終のクリック信号ＣＫ
1を作成するために、ＤＤＳ１５から出力される階段波
形状のアナログ信号をデータＹ0に対応する通過帯域幅
を有したＢＰＦ２５で波形整形してコンパレータ２６へ
入力する。コンパレータ２６は、ＢＰＦ２５から出力さ
れた波形整形後のアナログ信号をしきい値電圧Ｖｒで２
値化して矩形波形を有するクロック信号ＣＫ1として出
力する。
とコンパレータ２６とで構成されている。このクロック
信号出力回路１６においては、ＤＤＳ１５から出力され
たアナログ信号を波形整形して最終のクリック信号ＣＫ
1を作成するために、ＤＤＳ１５から出力される階段波
形状のアナログ信号をデータＹ0に対応する通過帯域幅
を有したＢＰＦ２５で波形整形してコンパレータ２６へ
入力する。コンパレータ２６は、ＢＰＦ２５から出力さ
れた波形整形後のアナログ信号をしきい値電圧Ｖｒで２
値化して矩形波形を有するクロック信号ＣＫ1として出
力する。
【００４８】よって、このワンダ発生器は、ＴＤＥＶマ
スク特性設定装置１２で操作者が設定したＴＤＥＶマス
ク特性に対応したＴＤＥＶ特性のワンダを有するクロッ
ク信号ＣＫ1を発生ることが可能である。
スク特性設定装置１２で操作者が設定したＴＤＥＶマス
ク特性に対応したＴＤＥＶ特性のワンダを有するクロッ
ク信号ＣＫ1を発生ることが可能である。
【００４９】次に、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２の
構成及び詳細動作を説明する。
構成及び詳細動作を説明する。
【００５０】図２は、例えばマイクロコンピユータで構
成されたＴＤＥＶマスク特性設定装置１２の概略構成図
である。ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２内には、操作
パネル上に設けられた各種操作ボタンや操作ノブ等から
なる操作部２７、操作パネル上に設けられた液晶表示器
等からなる表示部２８、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２
９、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０、特性出力メ
モリ３１が設けられている。
成されたＴＤＥＶマスク特性設定装置１２の概略構成図
である。ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２内には、操作
パネル上に設けられた各種操作ボタンや操作ノブ等から
なる操作部２７、操作パネル上に設けられた液晶表示器
等からなる表示部２８、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２
９、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０、特性出力メ
モリ３１が設けられている。
【００５１】ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９内には、
前述した３種類の各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳ
Ｉにおいて規定された例えば図１０（ａ）（ｂ）に示す
それぞれ複数の線分６ａ、６ｂ、…を接続してなる複数
のＴＤＥＶマスク特性５が記憶されている。具体的に
は、メモリ容量を節約するために、各ＴＤＥＶマスク特
性５のグラフを記憶するのではなく、各ＴＤＥＶマスク
特性５毎に、各線分６ａ、６ｂ、…毎の開始点、開始点
での特性値、傾斜がある場合の傾斜等のパラメータ
Ａ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、τ1、τ2、τ3、…で記憶保
持している。
前述した３種類の各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、ＥＴＳ
Ｉにおいて規定された例えば図１０（ａ）（ｂ）に示す
それぞれ複数の線分６ａ、６ｂ、…を接続してなる複数
のＴＤＥＶマスク特性５が記憶されている。具体的に
は、メモリ容量を節約するために、各ＴＤＥＶマスク特
性５のグラフを記憶するのではなく、各ＴＤＥＶマスク
特性５毎に、各線分６ａ、６ｂ、…毎の開始点、開始点
での特性値、傾斜がある場合の傾斜等のパラメータ
Ａ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、τ1、τ2、τ3、…で記憶保
持している。
【００５２】ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０内に
は、図３に示すように、このワンダ発生器において、新
たに設定要求が発生すると予想される複数のＴＤＥＶマ
スク特性のパターンであるＴＤＥＶマスクパターン３９
が記憶されている。なお、このＴＤＥＶマスクパターン
とは、ＴＤＥＶマスク特性が何本の線分６ａ、６ｂ、…
で構成されているか、各線分が水平（傾斜＝０）か、各
線分がいずれの方向に傾斜しているかの区分と、これら
の区分を有した各線分の組合せのパターンを示す。
は、図３に示すように、このワンダ発生器において、新
たに設定要求が発生すると予想される複数のＴＤＥＶマ
スク特性のパターンであるＴＤＥＶマスクパターン３９
が記憶されている。なお、このＴＤＥＶマスクパターン
とは、ＴＤＥＶマスク特性が何本の線分６ａ、６ｂ、…
で構成されているか、各線分が水平（傾斜＝０）か、各
線分がいずれの方向に傾斜しているかの区分と、これら
の区分を有した各線分の組合せのパターンを示す。
【００５３】この実施形態のＴＤＥＶマスク特性設定装
置１２においては、図３に示すように、１番から１２番
までグラフ番号が付された１２個のＴＤＥＶマスクパタ
ーン３９が記憶されている。同時に、各ＴＤＥＶマスク
パターン３９毎に、該当ＴＤＥＶマスクパターン３９を
用いてこのパターンに対応するＴＤＥＶマスク特性を得
るために操作者が最低限入力しなければならない各線分
６ａ、６ｂ、…のパラメータの項目が記憶されている。
さらに、該当項目のパラメータが入力された場合におけ
る入力されたパラメータを用いて各線分６ａ、６ｂ、…
を特定する全てのパラメータＡ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、
τ1、τ2、τ3、…を算出する計算式が記憶されてい
る。
置１２においては、図３に示すように、１番から１２番
までグラフ番号が付された１２個のＴＤＥＶマスクパタ
ーン３９が記憶されている。同時に、各ＴＤＥＶマスク
パターン３９毎に、該当ＴＤＥＶマスクパターン３９を
用いてこのパターンに対応するＴＤＥＶマスク特性を得
るために操作者が最低限入力しなければならない各線分
６ａ、６ｂ、…のパラメータの項目が記憶されている。
さらに、該当項目のパラメータが入力された場合におけ
る入力されたパラメータを用いて各線分６ａ、６ｂ、…
を特定する全てのパラメータＡ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、
τ1、τ2、τ3、…を算出する計算式が記憶されてい
る。
【００５４】特性出力メモリ３１内には、このＴＤＥＶ
マスク特性設定装置１２で作成されたＴＤＥＶマスク特
性が書込まれる。具体的には、算出されたＴＤＥＶマス
ク特性における各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性
値が記憶されている。
マスク特性設定装置１２で作成されたＴＤＥＶマスク特
性が書込まれる。具体的には、算出されたＴＤＥＶマス
ク特性における各積分時間τ（＝ｎτ）における各特性
値が記憶されている。
【００５５】さらに、ＴＤＥＶマスク特性設定装置１２
内には、アプリケーションプログラム上に形成されたＴ
ＤＥＶマスク特性読出部３２、変更指示取込部３３、Ｔ
ＤＥＶマスク特性変更部３４、マスクパターン読出部３
５、新規パラメータ取込部３６、ＴＤＥＶマスク特性新
規作成部３７、特性出力部３８等が組込まれている。
内には、アプリケーションプログラム上に形成されたＴ
ＤＥＶマスク特性読出部３２、変更指示取込部３３、Ｔ
ＤＥＶマスク特性変更部３４、マスクパターン読出部３
５、新規パラメータ取込部３６、ＴＤＥＶマスク特性新
規作成部３７、特性出力部３８等が組込まれている。
【００５６】このような構成のＴＤＥＶマスク特性設定
装置１２において、前述した各部３２〜３８は、図４に
示す流れ図に従ってＴＤＥＶマスク特性の設定処理を実
施する。
装置１２において、前述した各部３２〜３８は、図４に
示す流れ図に従ってＴＤＥＶマスク特性の設定処理を実
施する。
【００５７】先ず、操作者が操作部２７の操作ボタンで
設定モードを選択する（Ｓ１）。選択された設定モード
が規格値モードの場合（Ｓ２）、ＴＤＥＶマスク特性フ
ァイル２９に記憶された各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、
ＥＴＳ１で定められたＴＤＥＶマスク特性５をそそのま
ま使用すると判断する。
設定モードを選択する（Ｓ１）。選択された設定モード
が規格値モードの場合（Ｓ２）、ＴＤＥＶマスク特性フ
ァイル２９に記憶された各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、
ＥＴＳ１で定められたＴＤＥＶマスク特性５をそそのま
ま使用すると判断する。
【００５８】そして、上述した３種類のうちの１つの規
格番号及びグラフ番号が操作部２７から指定されると
（Ｓ３）、ＴＤＥＶマスク特性読出部３２が起動して、
ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９から指定された規格の
指定されたグラフ番号のＴＤＥＶマスク特性５を読出し
て（Ｓ４）、表示部２８に表示出力する（Ｓ５）。この
場合、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＤＥＶマス
ク特性５を構成する各線分６ａ、６ｂ、…の各パラメー
タＡ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、τ1、τ2、τ3、…の他
に、ＴＤＥＶマスク特性５自体をグラフィック展開して
表示する。
格番号及びグラフ番号が操作部２７から指定されると
（Ｓ３）、ＴＤＥＶマスク特性読出部３２が起動して、
ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９から指定された規格の
指定されたグラフ番号のＴＤＥＶマスク特性５を読出し
て（Ｓ４）、表示部２８に表示出力する（Ｓ５）。この
場合、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＤＥＶマス
ク特性５を構成する各線分６ａ、６ｂ、…の各パラメー
タＡ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、τ1、τ2、τ3、…の他
に、ＴＤＥＶマスク特性５自体をグラフィック展開して
表示する。
【００５９】そして、この表示部２８に表示されたＴＤ
ＥＶマスク特性５を決定されたＴＤＥＶマスク特性とし
て、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。この場合、
前述したように、ＴＤＥＶマスク特性５における各積分
時間τ（＝ｎτ）における各特性値を特性出力メモリ３
１へ書込む。次に、特性出力部３８が起動して、この特
性出力メモリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝
ｎτ）における各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を
揺らぎ信号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規
格に定められているＴＤＥＶマスク特性５をそのまま採
用する場合の処理を終了する。
ＥＶマスク特性５を決定されたＴＤＥＶマスク特性とし
て、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。この場合、
前述したように、ＴＤＥＶマスク特性５における各積分
時間τ（＝ｎτ）における各特性値を特性出力メモリ３
１へ書込む。次に、特性出力部３８が起動して、この特
性出力メモリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝
ｎτ）における各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を
揺らぎ信号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規
格に定められているＴＤＥＶマスク特性５をそのまま採
用する場合の処理を終了する。
【００６０】また、Ｓ１で選択された設定モードが規格
値変更モードの場合（Ｓ８）、ＴＤＥＶマスク特性ファ
イル２９に記憶された各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、Ｅ
ＴＳＩで定められたＴＤＥＶマスク特性を一部変更して
使用すると判断する。
値変更モードの場合（Ｓ８）、ＴＤＥＶマスク特性ファ
イル２９に記憶された各規格ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、Ｅ
ＴＳＩで定められたＴＤＥＶマスク特性を一部変更して
使用すると判断する。
【００６１】そして、上述した３種類のうちの１つの規
格番号及びグラフ番号が操作部２７から指定されると
（Ｓ９）、ＴＤＥＶマスク特性読出部３２が起動して、
ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９から指定された規格の
指定されたグラフ番号のＴＤＥＶマスク特性５を読出し
て（Ｓ１０）、表示部２８に表示出力する（Ｓ１１）。
この場合、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＤＥＶ
マスク特性５を構成する各線分６ａ、６ｂ、…の各パラ
メータＡ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、τ1、τ2、τ3、…他
に、ＴＤＥＶマスク特性５自体をグラフィック展開して
表示出力する（Ｓ１２）。
格番号及びグラフ番号が操作部２７から指定されると
（Ｓ９）、ＴＤＥＶマスク特性読出部３２が起動して、
ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９から指定された規格の
指定されたグラフ番号のＴＤＥＶマスク特性５を読出し
て（Ｓ１０）、表示部２８に表示出力する（Ｓ１１）。
この場合、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＤＥＶ
マスク特性５を構成する各線分６ａ、６ｂ、…の各パラ
メータＡ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、τ1、τ2、τ3、…他
に、ＴＤＥＶマスク特性５自体をグラフィック展開して
表示出力する（Ｓ１２）。
【００６２】そして、操作部２７から変更したい線分６
ａ、６ｂのパラメータに対する変更指示が入力される
（Ｓ１３）。操作者は、Ｘ軸を積分時間、Ｙ軸を特性値
とする座標上に表示されたＴＤＥＶマスク特性を見なが
ら、変更すべき情報としていずれかの線分のＸ軸又はＹ
軸の値をキー又はノブで入力する。又は、座標上にマー
カを移動可能にし、このマーカ点を変更する。すると、
変更指示取込部３３が起動して、入力した変更パラメー
タをＴＤＥＶマスク特性変更部３４へ送出する。
ａ、６ｂのパラメータに対する変更指示が入力される
（Ｓ１３）。操作者は、Ｘ軸を積分時間、Ｙ軸を特性値
とする座標上に表示されたＴＤＥＶマスク特性を見なが
ら、変更すべき情報としていずれかの線分のＸ軸又はＹ
軸の値をキー又はノブで入力する。又は、座標上にマー
カを移動可能にし、このマーカ点を変更する。すると、
変更指示取込部３３が起動して、入力した変更パラメー
タをＴＤＥＶマスク特性変更部３４へ送出する。
【００６３】ＴＤＥＶマスク特性変更部３４は、この入
力された各線分６ａ、６ｂのパラメータの変更指示を用
いて、先に読出したＴＤＥＶマスク特性５を構成する各
線分６ａ、６ｂの開始点、傾斜、開始点での特性値を含
む各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ 2、…、τ0、τ1、τ2、τ
3、…を算出する（Ｓ１４）。この算出した変更後のＴ
ＤＥＶマスク特性を表示部２８に表示出力する（Ｓ１
５）。
力された各線分６ａ、６ｂのパラメータの変更指示を用
いて、先に読出したＴＤＥＶマスク特性５を構成する各
線分６ａ、６ｂの開始点、傾斜、開始点での特性値を含
む各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ 2、…、τ0、τ1、τ2、τ
3、…を算出する（Ｓ１４）。この算出した変更後のＴ
ＤＥＶマスク特性を表示部２８に表示出力する（Ｓ１
５）。
【００６４】そして、この表示部２８に表示されたＴＤ
ＥＶマスク特性５を決定されたＴＤＥＶマスク特性とし
て、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。特性出力メ
モリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝ｎτ）に
おける各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を揺らぎ信
号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規格に定め
られているＴＤＥＶマスク特性５を一部変更して採用す
る場合の処理を終了する。
ＥＶマスク特性５を決定されたＴＤＥＶマスク特性とし
て、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。特性出力メ
モリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝ｎτ）に
おける各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を揺らぎ信
号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規格に定め
られているＴＤＥＶマスク特性５を一部変更して採用す
る場合の処理を終了する。
【００６５】ＴＤＥＶマスク特性変更部３４の具体的演
算動作を図６、図７、図８を用いて説明する。
算動作を図６、図７、図８を用いて説明する。
【００６６】図６は、図６（ａ）に示す規格で定められ
た３本の線分６ａ、６ｂ、６ｃを接続してなるＴＤＥＶ
マスク特性５の一部（線分６ａの開始点τ0での特性値
Ａ0）を変更して図６（ｂ）に示す新たなＴＤＥＶマス
ク特性４０を作成する演算手順を示す図である。
た３本の線分６ａ、６ｂ、６ｃを接続してなるＴＤＥＶ
マスク特性５の一部（線分６ａの開始点τ0での特性値
Ａ0）を変更して図６（ｂ）に示す新たなＴＤＥＶマス
ク特性４０を作成する演算手順を示す図である。
【００６７】規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の
各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(4)式で示されるとする。
各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(4)式で示されるとする。
【００６８】 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ0 τ0＜τ≦τ1 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ1τ τ1＜τ≦τ2 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ2 τ2＜τ≦τ3 但し、Ａ1τ1＝Ａ0 Ａ1τ2＝Ａ2 …(4) ここで、Ａ0＝３、Ａ1＝０．１２、Ａ2＝１２、τ0＝
０．１、τ1＝２５、τ2＝１００、τ3＝１００００は
このＴＤＥＶマスク特性５を構成する線分６ａ，６ｂ、
６ｃを特定するための各パラメータである。
０．１、τ1＝２５、τ2＝１００、τ3＝１００００は
このＴＤＥＶマスク特性５を構成する線分６ａ，６ｂ、
６ｃを特定するための各パラメータである。
【００６９】ここで、ＴＤＥＶマスク特性５における先
頭の線分６ａの開始点τ0（＝０，１）の特性値Ａ0のパ
ラメータをＡ0＝３からＡ0＝５へ変更するとする。この
場合、新たなＴＤＥＶマスク特性４０においても、各線
分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点、終了点は変化せず、各線
分６ａ、６ｂ、６ｃは接続されているとする。
頭の線分６ａの開始点τ0（＝０，１）の特性値Ａ0のパ
ラメータをＡ0＝３からＡ0＝５へ変更するとする。この
場合、新たなＴＤＥＶマスク特性４０においても、各線
分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点、終了点は変化せず、各線
分６ａ、６ｂ、６ｃは接続されているとする。
【００７０】図６（ｂ）において、線分６ａと線分６ｂ
との接続点τ1（＝２５）における特性値は等しいの
で、 Ａ1τ1＝Ａ0（＝５） となり、線分６ｂの傾斜Ａ1は、 Ａ1＝Ａ0／τ1＝５／２５＝０．２ となる。
との接続点τ1（＝２５）における特性値は等しいの
で、 Ａ1τ1＝Ａ0（＝５） となり、線分６ｂの傾斜Ａ1は、 Ａ1＝Ａ0／τ1＝５／２５＝０．２ となる。
【００７１】同様に、図６（ｂ）において、線分６ｂと
線分６ｃとの接続点τ2（＝１００）における特性値は
等しいので、 Ａ2 ＝Ａ1τ1＝０，２×１００＝２０ となり、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０の各線分の各
線分６ａ、６ｂ、６ｃは(5)式で示される。
線分６ｃとの接続点τ2（＝１００）における特性値は
等しいので、 Ａ2 ＝Ａ1τ1＝０，２×１００＝２０ となり、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０の各線分の各
線分６ａ、６ｂ、６ｃは(5)式で示される。
【００７２】 ＴＤＥＶ（τ）＝５ ０．１＜τ≦２５ ＴＤＥＶ（τ）＝０，２τ ２５＜τ≦１００ ＴＤＥＶ（τ）＝２０ １０００＜τ≦１００００ …(5) このように、操作者は規格で定められたＴＤＥＶマスク
特性５上の変更したい部分の開始点や開始点における特
性値問のパラメータの変更指示を入力するのみで、ＴＤ
ＥＶマスク特性５の関連する他の部分のパラメータが自
動的に変更される。したがって、このＴＤＥＶマスク特
性設定装置１２の操作性を大幅に向上できる。
特性５上の変更したい部分の開始点や開始点における特
性値問のパラメータの変更指示を入力するのみで、ＴＤ
ＥＶマスク特性５の関連する他の部分のパラメータが自
動的に変更される。したがって、このＴＤＥＶマスク特
性設定装置１２の操作性を大幅に向上できる。
【００７３】図７は、図６（ａ）と同一の図７（ａ）に
示す規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の一部（線
分６ｃでの開始点τ2）を変更して図７（ｂ）に示す新
たなＴＤＥＶマスク特性４０を作成する演算手順を示す
図である。
示す規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の一部（線
分６ｃでの開始点τ2）を変更して図７（ｂ）に示す新
たなＴＤＥＶマスク特性４０を作成する演算手順を示す
図である。
【００７４】規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の
各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(6)式で示されるとする。
各線分６ａ、６ｂ、６ｃは(6)式で示されるとする。
【００７５】 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ0＝３ τ0＜τ≦τ1 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ1τ＝０．１２τ τ1＜τ≦τ2 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ2＝１２ τ2＜τ≦τ3 …(6) なお、Ａ0＝３、Ａ1＝０．１２、Ａ2＝１２、τ0＝０．
１、τ1＝２５、τ2＝１００、τ3＝１００００ ここで、ＴＤＥＶマスク特性５における３番目の線分６
ｃの開始点τ2（＝１００）のパラメータをτ2＝１００
からτ2＝２００へ変更するとする。
１、τ1＝２５、τ2＝１００、τ3＝１００００ ここで、ＴＤＥＶマスク特性５における３番目の線分６
ｃの開始点τ2（＝１００）のパラメータをτ2＝１００
からτ2＝２００へ変更するとする。
【００７６】この場合、図７（ｂ）に示す新たなＴＤＥ
Ｖマスク特性４０においても、線分６ｂの終了点の特性
値（Ａ1τ2）と線分６ｃの開始点τ2での特性値（Ａ2）
とは等しいので、 Ａ1τ2＝Ａ2 Ａ2＝０．１２×２００＝２４ となり、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０における各線
分６ａ、６ｂ、６ｃは(7)式で示される。
Ｖマスク特性４０においても、線分６ｂの終了点の特性
値（Ａ1τ2）と線分６ｃの開始点τ2での特性値（Ａ2）
とは等しいので、 Ａ1τ2＝Ａ2 Ａ2＝０．１２×２００＝２４ となり、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０における各線
分６ａ、６ｂ、６ｃは(7)式で示される。
【００７７】 ＴＤＥＶ（τ）＝３ ０．１＜τ≦２５ ＴＤＥＶ（τ）＝０，１２τ ２５＜τ≦２００ ＴＤＥＶ（τ）＝２４ ２０００＜τ≦１００００ …(7) この場合においても、操作者は規格で定められたＴＤＥ
Ｖマスク特性５上の変更したい部分の開始点や開始点に
おける特性値のパラメータの変更指示を入力するのみ
で、ＴＤＥＶマスク特性５の関連する部分のパラメータ
が自動的に変更される。
Ｖマスク特性５上の変更したい部分の開始点や開始点に
おける特性値のパラメータの変更指示を入力するのみ
で、ＴＤＥＶマスク特性５の関連する部分のパラメータ
が自動的に変更される。
【００７８】図８は、図８（ａ）に示す規格で定められ
たＴＤＥＶマスク特性５の一部（先頭の線分６ｄの開始
点τ0での特性値Ａ0）を変更して図８（ｂ）に示す新た
なＴＤＥＶマスク特性４０を作成する演算手順を示す図
である。
たＴＤＥＶマスク特性５の一部（先頭の線分６ｄの開始
点τ0での特性値Ａ0）を変更して図８（ｂ）に示す新た
なＴＤＥＶマスク特性４０を作成する演算手順を示す図
である。
【００７９】規格で定められたＴＤＥＶマスク特性５の
各線分６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは(8)式で示されるとす
る。
各線分６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは(8)式で示されるとす
る。
【００８０】 ＴＤＥＶ（τ）＝３，２τ-o.5 ０．１＜τ≦２．５ ＴＤＥＶ（τ）＝２ ２．５＜τ≦４０ ＴＤＥＶ（τ）＝０．３２τo.5 ４０＜τ≦１０００ ＴＤＥＶ（τ）＝１０ １０００＜τ …(8) 但し、先頭の線分６ａの開始点τ0＝０．１での特性値
Ａ0はＩＯ．１２である。
Ａ0はＩＯ．１２である。
【００８１】ここで、ＴＤＥＶマスク特性５における先
頭の線分６ａの開始点τ0（＝０，１）の特性値Ａ0のパ
ラメータをＡ0＝１０．１２からＡ0＝２０へ変更すると
する。
頭の線分６ａの開始点τ0（＝０，１）の特性値Ａ0のパ
ラメータをＡ0＝１０．１２からＡ0＝２０へ変更すると
する。
【００８２】図１０（ｂ）に示す、変更後のＴＤＥＶマ
スク特性４０における先頭の線分６ａの傾斜をＡ1とす
ると、 Ａ0＝２０＝Ａ1τ0 -o.5 ＝Ａ1（０．１）-o.5 となり、傾斜Ａ1＝６，３２４となる。
スク特性４０における先頭の線分６ａの傾斜をＡ1とす
ると、 Ａ0＝２０＝Ａ1τ0 -o.5 ＝Ａ1（０．１）-o.5 となり、傾斜Ａ1＝６，３２４となる。
【００８３】変更後のＴＤＥＶマスク特性４０の２番目
の線分６ｂの特性値をＡ2とすると、 Ａ2＝Ａ1τ1 -o.5＝６，３２４×（２．５）-o.5＝３．
９９９≒４，０ となる。
の線分６ｂの特性値をＡ2とすると、 Ａ2＝Ａ1τ1 -o.5＝６，３２４×（２．５）-o.5＝３．
９９９≒４，０ となる。
【００８４】さらに、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０
における３番目の線分６ｃの傾斜をＡ3とすると、３番
目の線分６ｃの開始点τ2の特性値はＡ2であるので、 Ａ2＝４．０＝Ａ3τ2 o.5 ＝Ａ3（４０）o.5 となり、傾斜Ａ3＝０，６３２となる。
における３番目の線分６ｃの傾斜をＡ3とすると、３番
目の線分６ｃの開始点τ2の特性値はＡ2であるので、 Ａ2＝４．０＝Ａ3τ2 o.5 ＝Ａ3（４０）o.5 となり、傾斜Ａ3＝０，６３２となる。
【００８５】最後に、変更後のＴＤＥＶマスク特性４０
における４番目の線分６ｄの特性値をＡ4とすると、 Ａ4＝Ａ3τ3 o.5＝０．６３２×（１０００）o.5＝１
９，９８≒２０ となる。
における４番目の線分６ｄの特性値をＡ4とすると、 Ａ4＝Ａ3τ3 o.5＝０．６３２×（１０００）o.5＝１
９，９８≒２０ となる。
【００８６】したがって、図８（ｂ）に示す変更後のＴ
ＤＥＶマスク特性４０の各線分６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ
は(9)式で示される。
ＤＥＶマスク特性４０の各線分６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ
は(9)式で示される。
【００８７】 ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ1τ-o.5＝６．３２４τ-o.5 ０．１＜τ≦２．５ ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ2＝４ ２．５＜τ≦４０ ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ3τo.5＝０，６３２τo.5 ４０＜τ≦１０００ ＴＤＥＶ（τ）＝Ａ4＝２０ １０００＜τ …(9) 但し、先頭の線分６ａの開始点τ0＝０．１での特性値
Ａ0は２０である。
Ａ0は２０である。
【００８８】この場合においても、操作者は規格で定め
られたＴＤＥＶマスク特性５上の変更したい部分の開始
点や開始点における特性値のパラメータの変更指示を入
力するのみで、ＴＤＥＶマスク特性５の関連する部分の
パラメータが自動的に変更される。
られたＴＤＥＶマスク特性５上の変更したい部分の開始
点や開始点における特性値のパラメータの変更指示を入
力するのみで、ＴＤＥＶマスク特性５の関連する部分の
パラメータが自動的に変更される。
【００８９】図５の流れ図のＳ１６で、設定モードが新
規作成モードの場合、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９
に記憶された各ＴＤＥＶマスク特性を使用せずに、規格
にない全く新規のＴＤＥＶマスタ特性を作成すると判断
する。
規作成モードの場合、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９
に記憶された各ＴＤＥＶマスク特性を使用せずに、規格
にない全く新規のＴＤＥＶマスタ特性を作成すると判断
する。
【００９０】この設定モードにおいては、ＴＤＥＶマス
クパターンファイル３０に記録されている図１３に示す
１２個のＴＤＥＶマスクパターン３９の選択メニューを
表示する（Ｓ１７）。操作者が操作部２７を介して１個
のＴＤＥＶマスクパターン３９をパターン番号で選択す
ると（Ｓ１８）、マスクパターン読出部３５が起動し
て、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０に記録されて
いる該当パターン番号のＴＤＥＶマスクパターン３９、
最低限入力しなければならない各線分６ａ、６ｂ、…の
パラメータの項目、及び各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ
2、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…を算出するための計算
式を読出す（Ｓ１９）。そして、ＴＤＥＶマスクパター
ン３９、最低限入力しなければならない各線分６ａ、６
ｂ、…のパラメータの項目を表示部２８に表示する（Ｓ
２０）。
クパターンファイル３０に記録されている図１３に示す
１２個のＴＤＥＶマスクパターン３９の選択メニューを
表示する（Ｓ１７）。操作者が操作部２７を介して１個
のＴＤＥＶマスクパターン３９をパターン番号で選択す
ると（Ｓ１８）、マスクパターン読出部３５が起動し
て、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３０に記録されて
いる該当パターン番号のＴＤＥＶマスクパターン３９、
最低限入力しなければならない各線分６ａ、６ｂ、…の
パラメータの項目、及び各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ
2、…、τ0、τ1、τ2 、τ3、…を算出するための計算
式を読出す（Ｓ１９）。そして、ＴＤＥＶマスクパター
ン３９、最低限入力しなければならない各線分６ａ、６
ｂ、…のパラメータの項目を表示部２８に表示する（Ｓ
２０）。
【００９１】この状態で、操作者が操作部２７を介して
表示部２８に表示された最低限入力しなければならない
各線分６ａ、６ｂ、…のパラメータを入力する（Ｓ２
１）。操作者は、Ｘ軸を積分時間、Ｙ軸を特性値とする
座標上に表示されたＴＤＥＶマスク特性を見ながら、変
更すべき情報としていずれかの線分のＸ軸又はＹ軸の値
をキー又はノブで入力する。又は、座標上にマーカを移
動可能にし、このマーカ点を変更する。
表示部２８に表示された最低限入力しなければならない
各線分６ａ、６ｂ、…のパラメータを入力する（Ｓ２
１）。操作者は、Ｘ軸を積分時間、Ｙ軸を特性値とする
座標上に表示されたＴＤＥＶマスク特性を見ながら、変
更すべき情報としていずれかの線分のＸ軸又はＹ軸の値
をキー又はノブで入力する。又は、座標上にマーカを移
動可能にし、このマーカ点を変更する。
【００９２】すると、新規パラメータ取込部３６が起動
して、入力した各パラメータをＴＤＥＶマスク特性新規
作成部３７へ送出する。ＴＤＥＶマスク特性新規作成部
３７は、この入力された各パラメータから、先に読出し
た計算式を用いて、該当ＴＤＥＶマスクパターン３９の
各線分３ａ、３ｂ、…を特定する全てのＡ0、Ａ1、Ａ
2、…、τ0、τ1、τ2、τ3、…を算出する（Ｓ２
２）。さらに、ＴＤＥＶマスク特性新規作成部３７は、
算出した各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、τ1、
τ2τ3、…及びＴＤＥＶマスク特性を表示部２８に表示
出力する（Ｓ２３）。
して、入力した各パラメータをＴＤＥＶマスク特性新規
作成部３７へ送出する。ＴＤＥＶマスク特性新規作成部
３７は、この入力された各パラメータから、先に読出し
た計算式を用いて、該当ＴＤＥＶマスクパターン３９の
各線分３ａ、３ｂ、…を特定する全てのＡ0、Ａ1、Ａ
2、…、τ0、τ1、τ2、τ3、…を算出する（Ｓ２
２）。さらに、ＴＤＥＶマスク特性新規作成部３７は、
算出した各パラメータＡ0、Ａ1、Ａ2、…、τ0、τ1、
τ2τ3、…及びＴＤＥＶマスク特性を表示部２８に表示
出力する（Ｓ２３）。
【００９３】そして、この表示部２８に表示されたＴＤ
ＥＶマスク特性を決定されたＴＤＥＶマスク特性とし
て、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。特性出力メ
モリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝ｎτ）に
おける各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を揺らぎ信
号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規格に定め
られていない全く新規のＴＤＥＶマスク特性を作成する
場合の処理を終了する。
ＥＶマスク特性を決定されたＴＤＥＶマスク特性とし
て、特性出力メモリ３１へ書込む（Ｓ６）。特性出力メ
モリ３１に書き込まれている各積分時間τ（＝ｎτ）に
おける各特性値からなるＴＤＥＶマスク特性を揺らぎ信
号列発生部１３へ送出する（Ｓ７）。以上で規格に定め
られていない全く新規のＴＤＥＶマスク特性を作成する
場合の処理を終了する。
【００９４】このように構成されたワンダ発生器のＴＤ
ＥＶマスク特性設定装置１２においては、ＴＤＥＶマス
ク特性ファイル２９内には、ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、Ｅ
ＴＳＩ等の各規格に定められたそれぞれ複数の線分６
ａ、６ｂ、…を接続してなる複数のＴＤＥＶマスク特性
５が記憶されている。さらに、ＴＤＥＶマスクパターン
ファイル３０内には、新たに設定要求が発生すると予想
される複数のＴＤＥＶマスク特性のパターンであるＴＤ
ＥＶマスクパターン３９が記憶されている。
ＥＶマスク特性設定装置１２においては、ＴＤＥＶマス
ク特性ファイル２９内には、ＡＮＳＩ、ＩＴＵ―Ｔ、Ｅ
ＴＳＩ等の各規格に定められたそれぞれ複数の線分６
ａ、６ｂ、…を接続してなる複数のＴＤＥＶマスク特性
５が記憶されている。さらに、ＴＤＥＶマスクパターン
ファイル３０内には、新たに設定要求が発生すると予想
される複数のＴＤＥＶマスク特性のパターンであるＴＤ
ＥＶマスクパターン３９が記憶されている。
【００９５】そして、操作者は、ワンダ発生器を用いて
被測定系におけるワンダに関する試験を実施する場合、
ワンダ発生器から被測定系へ印加する試験信号としての
クロック信号のワンダを特定するＴＤＥＶ特性を広い範
囲で選択設定できる。具体的には、ＴＤＥＶマスク特性
設定装置１２におけるＴＤＥＶマスク特性を変更するこ
とによって、ＴＤＥＶマスク特性を任意に変更可能であ
る。
被測定系におけるワンダに関する試験を実施する場合、
ワンダ発生器から被測定系へ印加する試験信号としての
クロック信号のワンダを特定するＴＤＥＶ特性を広い範
囲で選択設定できる。具体的には、ＴＤＥＶマスク特性
設定装置１２におけるＴＤＥＶマスク特性を変更するこ
とによって、ＴＤＥＶマスク特性を任意に変更可能であ
る。
【００９６】この実施形態においては、規格に定められ
たＴＤＥＶマスク特性をそのまま使用する場合は、動作
モードを規格値モードに設定して、ＴＤＥＶマスク特性
ファイル２９に記憶されている１つのＴＤＥＶマスク特
性を指定する。
たＴＤＥＶマスク特性をそのまま使用する場合は、動作
モードを規格値モードに設定して、ＴＤＥＶマスク特性
ファイル２９に記憶されている１つのＴＤＥＶマスク特
性を指定する。
【００９７】規格に定められたＴＤＥＶマスク特性を一
部変更して使用する場合は、動作モードを規格値変更モ
ードに設定して、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記
憶されている変更したい１つのＴＤＥＶマスク特性を選
択して、このＴＤＥＶマスク特性の変更すべき１個又は
複数の線分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点の変更又は開始点
での特性値を操作入力する。すると、隣接する線分６
ａ、６ｂ、６ｃどうしは接続されているとの境界条件を
用いて、各線分における変更すべき傾斜等の各パラメー
タが自動的に算出されて変更後のＴＤＥＶマスク特性が
自動的に設定される。
部変更して使用する場合は、動作モードを規格値変更モ
ードに設定して、ＴＤＥＶマスク特性ファイル２９に記
憶されている変更したい１つのＴＤＥＶマスク特性を選
択して、このＴＤＥＶマスク特性の変更すべき１個又は
複数の線分６ａ、６ｂ、６ｃの開始点の変更又は開始点
での特性値を操作入力する。すると、隣接する線分６
ａ、６ｂ、６ｃどうしは接続されているとの境界条件を
用いて、各線分における変更すべき傾斜等の各パラメー
タが自動的に算出されて変更後のＴＤＥＶマスク特性が
自動的に設定される。
【００９８】規格に定められていない全く新規のＴＤＥ
Ｖマスク特性を使用する場合は、動作モードを新規作成
モードに設定して、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３
０から新規に作成使用とするＴＤＥＶマスク特性のパタ
ーンに一致するＴＤＥＶマスクパターンを読出して、表
示された各パラメータの必要最低限の入力項目（開始点
及び開始点での特性値）の値を操作入力する。すると、
前述と同様に、隣接する線分６ａ、６ｂ、６ｃどうしは
接続されているとの境界条件を用いて、各線分における
変更すべき傾斜等の各パラメータが自動的に算出されて
新規のＴＤＥＶマスク特性が自動的に設定される。
Ｖマスク特性を使用する場合は、動作モードを新規作成
モードに設定して、ＴＤＥＶマスクパターンファイル３
０から新規に作成使用とするＴＤＥＶマスク特性のパタ
ーンに一致するＴＤＥＶマスクパターンを読出して、表
示された各パラメータの必要最低限の入力項目（開始点
及び開始点での特性値）の値を操作入力する。すると、
前述と同様に、隣接する線分６ａ、６ｂ、６ｃどうしは
接続されているとの境界条件を用いて、各線分における
変更すべき傾斜等の各パラメータが自動的に算出されて
新規のＴＤＥＶマスク特性が自動的に設定される。
【００９９】このように、ＴＤＥＶマスク特性設定装置
１２においては、ＴＤＥＶマスク特性を任意に設定でき
る。さらに、操作者は、ＴＤＥＶマスク特性を変更した
り、新規にＴＤＥＶマスク特性を作成する場合、ＴＤＥ
Ｖマスク特性を構成する各線分を特定する開始点、傾
斜、開始点での特性値を含む全てのパラメータを入力す
るのではなく、必要最低限のパラメータのみを入力する
のみでよいので、操作性を大幅に向上できる。したがっ
て、このＴＤＥＶマスク特性設定装置１２が組込まれた
ワンダ発生器を用いた被測定系に対するワンダに関する
試験作業効率を大幅に向上できる。
１２においては、ＴＤＥＶマスク特性を任意に設定でき
る。さらに、操作者は、ＴＤＥＶマスク特性を変更した
り、新規にＴＤＥＶマスク特性を作成する場合、ＴＤＥ
Ｖマスク特性を構成する各線分を特定する開始点、傾
斜、開始点での特性値を含む全てのパラメータを入力す
るのではなく、必要最低限のパラメータのみを入力する
のみでよいので、操作性を大幅に向上できる。したがっ
て、このＴＤＥＶマスク特性設定装置１２が組込まれた
ワンダ発生器を用いた被測定系に対するワンダに関する
試験作業効率を大幅に向上できる。
【０１００】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＴＤＥＶ
マスク特性設定装置においては、各規格に定められてい
る各ＴＤＥＶマスク特性以外にも、測定者が必要とする
任意のＴＤＥＶマスク特性を簡単な操作でかつ誤りなく
設定でき、この装置が組込まれたワンダ発生器を用いた
被測定系に対するワンダに関する測定範囲を大幅に拡大
できると共に、測定作業能率を大幅に向上できる。
マスク特性設定装置においては、各規格に定められてい
る各ＴＤＥＶマスク特性以外にも、測定者が必要とする
任意のＴＤＥＶマスク特性を簡単な操作でかつ誤りなく
設定でき、この装置が組込まれたワンダ発生器を用いた
被測定系に対するワンダに関する測定範囲を大幅に拡大
できると共に、測定作業能率を大幅に向上できる。
【図１】本発明の一実施形態のＴＤＥＶマスタ特性設定
装置が組込まれたワンダ発生器の概略構成を示すブロッ
ク図
装置が組込まれたワンダ発生器の概略構成を示すブロッ
ク図
【図２】同実施形態のＴＤＥＶマスク特性設定装置の概
略構成を示すブロック図
略構成を示すブロック図
【図３】同ＴＤＥＶマスク特性設定装置内に形成された
ＴＤＥＶマスクパターンファイルの記憶内容を示す図
ＴＤＥＶマスクパターンファイルの記憶内容を示す図
【図４】同ＴＤＥＶマスク特性設定装置の動作を示す流
れ図
れ図
【図５】同じくＴＤＥＶマスク特性設定装置の動作を示
す流れ図
す流れ図
【図６】同ＴＤＥＶマスク特性設定装置におけるＴＤＥ
Ｖマスク特性の変更動作を説明するための図
Ｖマスク特性の変更動作を説明するための図
【図７】同じくＴＤＥＶマスク特性の変更動作を説明す
るための図
るための図
【図８】同じくＴＤＥＶマスク特性の変更動作を説明す
るための図
るための図
【図９】一般的なワンダ発生器を示す模式図
【図１０】規格に定められたＴＤＥＶマスク特性を示す
図
図
５…ＴＤＥＶマスク特性 ６ａ，６ｂ、６ｃ、６ｄ…線分 １１…中心周波数設定部 １２…ＴＤＥＶマスク特性設定装置 １３…揺らぎ信号列発生部 １４…加算部 １５…ＤＤＳ １６…クロック信号出力回路 ２７…操作部 ２８…標示部 ２９…ＴＤＥＶマスク特性ファイル ３０…ＴＤＥＶマスクパターンファイル ３１…特性出力メモリ ３２…ＴＤＥＶマスク特性読出部 ３３…変更指示取込部 ３４…ＴＤＥＶマスク特性変更部 ３５…マスクパターン読出部 ３６…新規パラメータ取込部 ３７…ＴＤＥＶマスク特性新規作成部 ３８…特性出力部 ３９…ＴＤＥＶマスクパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 指定されたＴＤＥＶマスク特性に対応す
るＴＤＥＶ特性を有するワンダを含むクロック信号を発
生するワンダ発生器に組込まれ、前記ＴＤＥＶマスク特
性を設定するワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装
置（１２）において、 それぞれ複数の線分（６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ）を接続
してなるＴＤＥＶマスク特性（５）を記憶するＴＤＥＶ
マスク特性ファイル（２９）と、 操作指定されたＴＤＥＶマスク特性を前記ＴＤＥＶマス
ク特性ファイルから読出して表示するＴＤＥＶマスク特
性読出手段（３２）と、 前記ＴＤＥＶマスク特性を構成する各線分の開始点の変
更指示又は開始点での特性値の変更指示を取込む変更指
示取込手段（３３）と、 前記変更指示取込手段で取込んだ各変更指示を受取け、
前記操作指定されたＴＤＥＶマスク特性を構成する各線
分毎に開始点、傾斜、及び開始点での特性値を含む該当
線分を特定する各パラメータを算出することによって前
記操作指定されたＴＤＥＶマスク特性を変更するＴＤＥ
Ｖマスク特性変更手段（３４）とを備えたことを特徴と
するワンダ発生器のＴＤＥＶマスク特性設定装置。 - 【請求項２】 それぞれ複数の線分を接続してなる複数
のＴＤＥＶマスクパターン（３９）を記憶するＴＤＥＶ
マスクパターンファイル（３０）と、 操作指定されたＴＤＥＶマスクパターンを前記ＴＤＥＶ
マスクパターンファイルから読出して表示するＴＤＥＶ
マスクパターン読出手段（３５）と、 操作入力されたＴＤＥＶマスクパターンを構成する各線
分の開始点とこの開始点での特性値とを取込む新規パラ
メータ取込手段（３６）と、 前記新規パラメータ取込手段で取込んだ各開始点と各特
性値とを用いて、前記操作指定されたＴＤＥＶマスクパ
ターンを構成する各線分毎に、開始点、傾斜、及び開始
点での特性値を含む該当線分を特定する各パラメータを
算出することによって新規のＴＤＥＶマスク特性を求め
るＴＤＥＶマスク特性新規作成手段（３７）とを備えた
ことを特徴とする請求項１記載のワンダ発生器のＴＤＥ
Ｖマスク特性設定装置。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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