JP2000049384A - チップ型発光装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤ等の金属細線の断線不良を伴うことな
く薄型化が図れ信頼性の高いチップ型の発光装置を提供
すること。 【解決手段】 絶縁性基板１に設ける第１の電極配線２
に発光素子５を導通固定し、発光素子５の表面側電極５
２をワイヤ７によって第２の電極配線３との間をボンデ
ィングし、更に樹脂封止部４によって封止するチップ型
の発光装置において、ワイヤ７の一端を発光素子５の表
面側電極５２にウェッジボンディングで接続し、ワイヤ
７の他端を第２の電極配線３にボールボンディングで接
続し、ボールボンディングによって形成されるワイヤ７
のボール部７１の中心を、樹脂封止部４の外郭面から５
０μｍ以上離れた領域に含ませて配置する。
く薄型化が図れ信頼性の高いチップ型の発光装置を提供
すること。 【解決手段】 絶縁性基板１に設ける第１の電極配線２
に発光素子５を導通固定し、発光素子５の表面側電極５
２をワイヤ７によって第２の電極配線３との間をボンデ
ィングし、更に樹脂封止部４によって封止するチップ型
の発光装置において、ワイヤ７の一端を発光素子５の表
面側電極５２にウェッジボンディングで接続し、ワイヤ
７の他端を第２の電極配線３にボールボンディングで接
続し、ボールボンディングによって形成されるワイヤ７
のボール部７１の中心を、樹脂封止部４の外郭面から５
０μｍ以上離れた領域に含ませて配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば発光ダイ
オードを用いた発光装置に係り、特に絶縁性基板の電極
配線層の上に発光素子を直接載置したチップ型の発光装
置に関する。
オードを用いた発光装置に係り、特に絶縁性基板の電極
配線層の上に発光素子を直接載置したチップ型の発光装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気機器の小型化に伴って、たとえば携
帯電話等の表示パネルの光源として使用される発光装置
の分野においては、表面実装に対応できるように、一層
の小型化及び薄型化が一つの大きな課題である。発光装
置の代表例は、発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」と記
す）であるが、近年このＬＥＤも表面実装に対応できる
ような小型で薄型のチップＬＥＤが利用されるようにな
った。
帯電話等の表示パネルの光源として使用される発光装置
の分野においては、表面実装に対応できるように、一層
の小型化及び薄型化が一つの大きな課題である。発光装
置の代表例は、発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」と記
す）であるが、近年このＬＥＤも表面実装に対応できる
ような小型で薄型のチップＬＥＤが利用されるようにな
った。
【０００３】図４は従来のチップＬＥＤの概略であっ
て、同図の（ａ）は平面図、同図の（ｂ）は縦断面図で
ある。
て、同図の（ａ）は平面図、同図の（ｂ）は縦断面図で
ある。
【０００４】図において、樹脂母材を利用した絶縁性基
板１にはその表裏両面に跨がる一対の電極配線２，３を
備え、これらの電極配線２，３の上面側を覆う樹脂封止
部４によって封止された発光素子５がマウントされてい
る。この発光素子５はたとえば銀ペースト等の導電性接
着剤６により、その裏面側電極５１を一方の電極配線２
に形成された電極パッド部２１に導通させて固定された
ものである。そして、発光素子５の表面側電極５２は、
たとえばＡｕ等を利用したワイヤ７によって他方の電極
配線３の電極パッド部３１との間でボンディングされて
いる。このワイヤ７のボンディングは、表面側電極５２
に対してはボールボンディングであり電極パッド部３１
に対してはウェッジボンディングされる。
板１にはその表裏両面に跨がる一対の電極配線２，３を
備え、これらの電極配線２，３の上面側を覆う樹脂封止
部４によって封止された発光素子５がマウントされてい
る。この発光素子５はたとえば銀ペースト等の導電性接
着剤６により、その裏面側電極５１を一方の電極配線２
に形成された電極パッド部２１に導通させて固定された
ものである。そして、発光素子５の表面側電極５２は、
たとえばＡｕ等を利用したワイヤ７によって他方の電極
配線３の電極パッド部３１との間でボンディングされて
いる。このワイヤ７のボンディングは、表面側電極５２
に対してはボールボンディングであり電極パッド部３１
に対してはウェッジボンディングされる。
【０００５】一般的に、Ａｕ等のワイヤ７を用いた接続
では、ネック切れと呼ばれるワイヤ７の断線による接続
不良を避けるために、ボールボンディングの接着面すな
わち表面側電極５２からワイヤ７を垂直に立ち上げたア
センブリとすることが多い。このため、図４の（ｂ）に
示すように発光素子５の高さとワイヤ７の立ち上げ部の
高さが加わり、チップＬＥＤが厚くなる傾向にある。
では、ネック切れと呼ばれるワイヤ７の断線による接続
不良を避けるために、ボールボンディングの接着面すな
わち表面側電極５２からワイヤ７を垂直に立ち上げたア
センブリとすることが多い。このため、図４の（ｂ）に
示すように発光素子５の高さとワイヤ７の立ち上げ部の
高さが加わり、チップＬＥＤが厚くなる傾向にある。
【０００６】一方、ＬＥＤを用いる発光表示装置の分野
では、装置の薄型化のためにワイヤのボンディングに改
良を加えたものが数多く見られる。たとえば、特開平７
−１４７４２７号公報や実公平６−５１００１号公報に
は、発光素子側に対してはワイヤをウェッジボンディン
グし、２個の発光素子を配置する光結合素子の薄型化を
図る構成が開示されている。
では、装置の薄型化のためにワイヤのボンディングに改
良を加えたものが数多く見られる。たとえば、特開平７
−１４７４２７号公報や実公平６−５１００１号公報に
は、発光素子側に対してはワイヤをウェッジボンディン
グし、２個の発光素子を配置する光結合素子の薄型化を
図る構成が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】チップＬＥＤにおいて
も、図４の従来例で示したワイヤ７を発光素子５の表面
側電極５２に対してウェッジボンディングすれば、発光
素子５とワイヤ７との組み合わせによる高さ方向の嵩を
抑えることは無論可能である。
も、図４の従来例で示したワイヤ７を発光素子５の表面
側電極５２に対してウェッジボンディングすれば、発光
素子５とワイヤ７との組み合わせによる高さ方向の嵩を
抑えることは無論可能である。
【０００８】ところが、ワイヤ７のネック切れを防止す
るには、電極配線３の電極パッド部３１に対してはワイ
ヤ７をボールボンディングしなければならない。この場
合、ボールボンディング部が樹脂封止部４の外郭面の近
くに位置するものでは、この樹脂封止部４を成形型で型
締めするときの絶縁性基板１の変形によって、ボールボ
ンディング部と電極パッド部３１の表面との間に樹脂が
入り込みやすい。そして、樹脂封止後のチップＬＥＤの
製品をディスプレイパネル等の基板に半田付けによって
実装するとき、熱の影響によってボールボンディング部
と電極パッド部３１との間の樹脂が膨張する。したがっ
て、ボールボンディング部は電極パッド部３１から引き
剥がされ、断線不良を発生し、製品の歩留りに大きく影
響する。
るには、電極配線３の電極パッド部３１に対してはワイ
ヤ７をボールボンディングしなければならない。この場
合、ボールボンディング部が樹脂封止部４の外郭面の近
くに位置するものでは、この樹脂封止部４を成形型で型
締めするときの絶縁性基板１の変形によって、ボールボ
ンディング部と電極パッド部３１の表面との間に樹脂が
入り込みやすい。そして、樹脂封止後のチップＬＥＤの
製品をディスプレイパネル等の基板に半田付けによって
実装するとき、熱の影響によってボールボンディング部
と電極パッド部３１との間の樹脂が膨張する。したがっ
て、ボールボンディング部は電極パッド部３１から引き
剥がされ、断線不良を発生し、製品の歩留りに大きく影
響する。
【０００９】本発明において解決すべき課題は、ワイヤ
等の金属細線の断線不良を伴うことなく薄型化が図れ信
頼性の高いチップ型の発光装置を提供することにある。
等の金属細線の断線不良を伴うことなく薄型化が図れ信
頼性の高いチップ型の発光装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板
と、この絶縁性基板の少なくとも表面側に設けた第１の
電極及び第２の電極と、前記第１の電極に裏面側電極を
介して導通搭載された発光素子と、前記発光素子の表面
側電極と前記第２の電極との間を導通させる金属細線
と、少なくとも前記発光素子及び金属細線を内包して封
止する樹脂封止部とを備えるチップ型の発光装置であっ
て、前記金属細線の一端を前記発光素子の表面側電極に
ウェッジボンディングで接続し、前記金属細線の他端を
前記第２の電極にボールボンディングで接続し、前記第
２の電極の表面にボールボンディングによって形成され
るボールの中心を、前記樹脂封止部の外郭面から５０μ
ｍ以上離れた領域に含ませてなることを特徴とする。
と、この絶縁性基板の少なくとも表面側に設けた第１の
電極及び第２の電極と、前記第１の電極に裏面側電極を
介して導通搭載された発光素子と、前記発光素子の表面
側電極と前記第２の電極との間を導通させる金属細線
と、少なくとも前記発光素子及び金属細線を内包して封
止する樹脂封止部とを備えるチップ型の発光装置であっ
て、前記金属細線の一端を前記発光素子の表面側電極に
ウェッジボンディングで接続し、前記金属細線の他端を
前記第２の電極にボールボンディングで接続し、前記第
２の電極の表面にボールボンディングによって形成され
るボールの中心を、前記樹脂封止部の外郭面から５０μ
ｍ以上離れた領域に含ませてなることを特徴とする。
【００１１】このような構成では、発光素子の上端面の
表面側電極にはウェッジボンディングによって金属細線
を接続するので、発光素子と金属細線の組み合わせの高
さ方向の嵩が低く抑えられる。また、第２の電極に対し
てボールボンディングされる金属細線のボールは、樹脂
封止部の外郭面から５０μｍ以上離すことによって、樹
脂封止部の製作時に型締めの負荷を受けても剥離が防止
される。
表面側電極にはウェッジボンディングによって金属細線
を接続するので、発光素子と金属細線の組み合わせの高
さ方向の嵩が低く抑えられる。また、第２の電極に対し
てボールボンディングされる金属細線のボールは、樹脂
封止部の外郭面から５０μｍ以上離すことによって、樹
脂封止部の製作時に型締めの負荷を受けても剥離が防止
される。
【００１２】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、絶縁性
基板と、この絶縁性基板の少なくとも表面側に設けた第
１の電極及び第２の電極と、前記第１の電極に裏面側電
極を介して導通搭載された発光素子と、前記発光素子の
表面側電極と前記第２の電極との間を導通させる金属細
線と、少なくとも前記発光素子及び金属細線を内包して
封止する樹脂封止部とを備えるチップ型の発光装置であ
って、前記金属細線の一端を前記発光素子の表面側電極
にウェッジボンディングで接続し、前記金属細線の他端
を前記第２の電極にボールボンディングで接続し、前記
第２の電極の表面にボールボンディングによって形成さ
れるボールの中心を、前記樹脂封止部の外郭面から５０
μｍ以上離れた領域に含ませてなるものであり、発光素
子と金属細線の組み合わせの高さ方向の嵩を低く抑え、
金属細線のボールが第２の電極の表面から剥離する断線
不良の発生を防止するという作用を有する。
基板と、この絶縁性基板の少なくとも表面側に設けた第
１の電極及び第２の電極と、前記第１の電極に裏面側電
極を介して導通搭載された発光素子と、前記発光素子の
表面側電極と前記第２の電極との間を導通させる金属細
線と、少なくとも前記発光素子及び金属細線を内包して
封止する樹脂封止部とを備えるチップ型の発光装置であ
って、前記金属細線の一端を前記発光素子の表面側電極
にウェッジボンディングで接続し、前記金属細線の他端
を前記第２の電極にボールボンディングで接続し、前記
第２の電極の表面にボールボンディングによって形成さ
れるボールの中心を、前記樹脂封止部の外郭面から５０
μｍ以上離れた領域に含ませてなるものであり、発光素
子と金属細線の組み合わせの高さ方向の嵩を低く抑え、
金属細線のボールが第２の電極の表面から剥離する断線
不良の発生を防止するという作用を有する。
【００１３】請求項２に記載の発明は、前記絶縁性基板
は、白色または白色系の反射率の高い樹脂含有材である
請求項１記載のチップ型発光装置であり、絶縁性基板に
よる反射を利用して発光輝度を上げることができるとい
う作用を有する。
は、白色または白色系の反射率の高い樹脂含有材である
請求項１記載のチップ型発光装置であり、絶縁性基板に
よる反射を利用して発光輝度を上げることができるとい
う作用を有する。
【００１４】図１は本発明の一実施の形態によるチップ
型の発光装置であって、同図の（ａ）は平面図、同図の
（ｂ）は縦断面図である。
型の発光装置であって、同図の（ａ）は平面図、同図の
（ｂ）は縦断面図である。
【００１５】本発明のチップ型発光装置は、図４の従来
例と比較してワイヤのボンディング態様だけが異なり、
その他の構成は同じである。図においては、従来例のも
のと同じ部材については、共通の符号で指示しその詳細
な説明は省略する。
例と比較してワイヤのボンディング態様だけが異なり、
その他の構成は同じである。図においては、従来例のも
のと同じ部材については、共通の符号で指示しその詳細
な説明は省略する。
【００１６】ワイヤ７の一端は発光素子５の表面側電極
５２にウェッジボンディングにより接続され、他端は電
極パッド部３１にボールボンディングにより接続されて
いる。すなわち、図４の従来例におけるワイヤ７のボン
ディング態様とは逆の関係としてそれぞれ電極配線２，
３に対して導通接続されている。
５２にウェッジボンディングにより接続され、他端は電
極パッド部３１にボールボンディングにより接続されて
いる。すなわち、図４の従来例におけるワイヤ７のボン
ディング態様とは逆の関係としてそれぞれ電極配線２，
３に対して導通接続されている。
【００１７】このようなワイヤ７のボンディングであれ
ば、電極配線３側へボールボンディングされたワイヤ７
は電極パッド部３１からほぼ垂直に立ち上がり、発光素
子５側へ屈曲し始める部分までの直線部の高さは発光素
子５の高さにほぼ等しい程度の弓なり状となる。そし
て、発光素子５の表面側電極５２からワイヤ７が最も高
い部分までの高さは約５０μｍ程度とすることができ
る。すなわち、ワイヤ７は表面側電極５２に対してウェ
ッジボンディングされるので、この表面側電極５２の面
に漸近するような配線とすればよく、そしてネック切れ
を防止できる程度に上に膨らむプロフィルであればよ
い。そして、ネック切れ防止のために上に弓なりに膨ら
ませる大きさは先に述べた５０μｍ程度で十分であり、
したがって表面側電極５２からワイヤ７の最も高い部分
までの高さをこの値に設定することができる。
ば、電極配線３側へボールボンディングされたワイヤ７
は電極パッド部３１からほぼ垂直に立ち上がり、発光素
子５側へ屈曲し始める部分までの直線部の高さは発光素
子５の高さにほぼ等しい程度の弓なり状となる。そし
て、発光素子５の表面側電極５２からワイヤ７が最も高
い部分までの高さは約５０μｍ程度とすることができ
る。すなわち、ワイヤ７は表面側電極５２に対してウェ
ッジボンディングされるので、この表面側電極５２の面
に漸近するような配線とすればよく、そしてネック切れ
を防止できる程度に上に膨らむプロフィルであればよ
い。そして、ネック切れ防止のために上に弓なりに膨ら
ませる大きさは先に述べた５０μｍ程度で十分であり、
したがって表面側電極５２からワイヤ７の最も高い部分
までの高さをこの値に設定することができる。
【００１８】これに対し、図４に示した従来例では、ボ
ールボンディング後のワイヤ７の立ち上がり高さが発光
素子５に上積みされるので、表面側電極５２からのワイ
ヤ７の上端までの高さは約１２０μｍとなる。したがっ
て、本発明では、発光素子５とワイヤ７とによる高さ方
向の嵩を約７０μｍ程度小さくすることができ、発光装
置の薄型化に大きく貢献できる。
ールボンディング後のワイヤ７の立ち上がり高さが発光
素子５に上積みされるので、表面側電極５２からのワイ
ヤ７の上端までの高さは約１２０μｍとなる。したがっ
て、本発明では、発光素子５とワイヤ７とによる高さ方
向の嵩を約７０μｍ程度小さくすることができ、発光装
置の薄型化に大きく貢献できる。
【００１９】また、絶縁性基板１はたとえばビスマレイ
ミドとトリアジンを基本的な成分とする高耐熱性で白色
系の反射率の高いものを使用することによって発光素子
５から下に向かう光の成分を発光方向に反射させること
ができ、発光輝度を上げることができる。
ミドとトリアジンを基本的な成分とする高耐熱性で白色
系の反射率の高いものを使用することによって発光素子
５から下に向かう光の成分を発光方向に反射させること
ができ、発光輝度を上げることができる。
【００２０】ここで、ワイヤ７のボールボンディングの
位置が樹脂封止部４の外郭表面に近くなると、樹脂封止
部４の樹脂封止する時の成形型の型締め圧の影響によ
り、ワイヤ７のボールボンディング部が外れて断線を引
き起こす恐れがある。このことを図２を用いて説明す
る。
位置が樹脂封止部４の外郭表面に近くなると、樹脂封止
部４の樹脂封止する時の成形型の型締め圧の影響によ
り、ワイヤ７のボールボンディング部が外れて断線を引
き起こす恐れがある。このことを図２を用いて説明す
る。
【００２１】図２はワイヤ７のボールボンディング部の
拡大断面図であって、同図の（ａ）は樹脂封止前の位置
決め時及び同図の（ｂ）は成形型による加圧及び樹脂封
止後を示す。
拡大断面図であって、同図の（ａ）は樹脂封止前の位置
決め時及び同図の（ｂ）は成形型による加圧及び樹脂封
止後を示す。
【００２２】絶縁性基板１に設けた電極配線３と電極パ
ッド部３１とは水平姿勢となるように位置決めされ、こ
のときワイヤ７のボール部７１が電極パッド部３１にボ
ールボンディングされる。このボンディングの後の樹脂
封止の工程では、図示のように成形型８が電極配線３及
び絶縁性基板１の表面に突き当てた状態にセットされ
る。そして、この成形型８によって絶縁性基板１を型締
めすると、絶縁性基板１のうち型締め圧が負荷される部
分が変形し、これに伴って絶縁性基板１の表面に設けた
電極配線３も同様に変形する。
ッド部３１とは水平姿勢となるように位置決めされ、こ
のときワイヤ７のボール部７１が電極パッド部３１にボ
ールボンディングされる。このボンディングの後の樹脂
封止の工程では、図示のように成形型８が電極配線３及
び絶縁性基板１の表面に突き当てた状態にセットされ
る。そして、この成形型８によって絶縁性基板１を型締
めすると、絶縁性基板１のうち型締め圧が負荷される部
分が変形し、これに伴って絶縁性基板１の表面に設けた
電極配線３も同様に変形する。
【００２３】この電極配線３の変形により、電極パッド
部３１の表面のボール部７１と樹脂封止部４の外郭面と
の間にできる楔形部９には、電極パッド部３１とボール
部７１とを引き離す方向に力が加わる。この力によって
ボール部７１と電極パッド部３１の接着面積が少なくな
り、ボール部７１の接着強度が低下する。このため、楔
形部９は次第に拡がっていき、ボール部７１の下方には
樹脂封止部４の樹脂が入り込んだ状態で樹脂封止される
ことになる。そして、ボール部７１の下方に入り込んだ
樹脂封止部４の樹脂は、チップＬＥＤを基板に導通固定
するアセンブリの際の半田付け作業による熱によって膨
張し、ボール部７１には電極パッド部３１から引き離す
方向に力が加わる。したがって、この力によってボール
部７１は電極パッド部３１から引き離されてしまい、断
線を招くことになる。
部３１の表面のボール部７１と樹脂封止部４の外郭面と
の間にできる楔形部９には、電極パッド部３１とボール
部７１とを引き離す方向に力が加わる。この力によって
ボール部７１と電極パッド部３１の接着面積が少なくな
り、ボール部７１の接着強度が低下する。このため、楔
形部９は次第に拡がっていき、ボール部７１の下方には
樹脂封止部４の樹脂が入り込んだ状態で樹脂封止される
ことになる。そして、ボール部７１の下方に入り込んだ
樹脂封止部４の樹脂は、チップＬＥＤを基板に導通固定
するアセンブリの際の半田付け作業による熱によって膨
張し、ボール部７１には電極パッド部３１から引き離す
方向に力が加わる。したがって、この力によってボール
部７１は電極パッド部３１から引き離されてしまい、断
線を招くことになる。
【００２４】（表１）はワイヤ７のボールボンディング
部の位置を変えた製品の半田付け後の断線不良の発生数
を示す。この（表１）において、「ボールボンディング
位置」は、図２で示したボール部７１の中心と樹脂封止
部４の下端の外郭面までの距離として表したものであ
り、「不良数 ２／１００」は１００個のサンプルのう
ち２個が不良であることを示す。
部の位置を変えた製品の半田付け後の断線不良の発生数
を示す。この（表１）において、「ボールボンディング
位置」は、図２で示したボール部７１の中心と樹脂封止
部４の下端の外郭面までの距離として表したものであ
り、「不良数 ２／１００」は１００個のサンプルのう
ち２個が不良であることを示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】（表２）はボールボンディング部の接着強
度を変えた製品の半田付け後の断線不良の発生数を示
す。この（表２）においても凡例は（表１）の場合と同
様である。
度を変えた製品の半田付け後の断線不良の発生数を示
す。この（表２）においても凡例は（表１）の場合と同
様である。
【００２７】
【表２】
【００２８】この（表２）から判ることは、ボールボン
ディング位置が５０μｍ以上であれば、ボール部接着強
度の大きさは断線不良には顕著な相関がないことであ
る。すなわち、ボール部７１の断線不良は、ボール部接
着強度よりもボールボンディング位置に大きく支配され
るものであって、このボールボンディング位置を適正な
条件に設定すれば断線不良を回避することが可能とな
る。
ディング位置が５０μｍ以上であれば、ボール部接着強
度の大きさは断線不良には顕著な相関がないことであ
る。すなわち、ボール部７１の断線不良は、ボール部接
着強度よりもボールボンディング位置に大きく支配され
るものであって、このボールボンディング位置を適正な
条件に設定すれば断線不良を回避することが可能とな
る。
【００２９】図３の（ａ）はボールボンディング位置が
樹脂端面より０〜５０μｍの位置にボールボンディング
した製品の成形型で型締め前後のボールボンディングの
接着強度のデータである。この図から、型締め後にボー
ルボンディングの接着強度が弱くなることが判る。
樹脂端面より０〜５０μｍの位置にボールボンディング
した製品の成形型で型締め前後のボールボンディングの
接着強度のデータである。この図から、型締め後にボー
ルボンディングの接着強度が弱くなることが判る。
【００３０】また、図３の（ｂ）はボールボンディング
位置が樹脂端面より５０〜１００μｍの位置にボールボ
ンディングした製品の成形型で型締め前後のボールボン
ディングの接着強度のデータである。このデータから
は、型締め前後においてボールボンディングの接着強度
の低下は確認されない。
位置が樹脂端面より５０〜１００μｍの位置にボールボ
ンディングした製品の成形型で型締め前後のボールボン
ディングの接着強度のデータである。このデータから
は、型締め前後においてボールボンディングの接着強度
の低下は確認されない。
【００３１】図３の（ａ）と（ｂ）を較べると、型締め
後のボールボンディングの接着強度に差があり、成形型
で型締めされる位置からボールボンディングの距離は少
なくとも５０μｍ必要であることが判る。
後のボールボンディングの接着強度に差があり、成形型
で型締めされる位置からボールボンディングの距離は少
なくとも５０μｍ必要であることが判る。
【００３２】
【発明の効果】請求項１に記載の発明では、成形型の型
締め圧によって変形しやすい絶縁性基板を用いたチップ
型発光装置においても、ボールボンディングの位置を樹
脂端面より少なくとも５０μｍ離間することにより、成
形型の型締め圧によってボール部の接着強度の低下のな
い高信頼性を確保できるとともに、装置全体を薄型化で
き、ディスプレイパネル等の装置の小型化に対応でき
る。
締め圧によって変形しやすい絶縁性基板を用いたチップ
型発光装置においても、ボールボンディングの位置を樹
脂端面より少なくとも５０μｍ離間することにより、成
形型の型締め圧によってボール部の接着強度の低下のな
い高信頼性を確保できるとともに、装置全体を薄型化で
き、ディスプレイパネル等の装置の小型化に対応でき
る。
【００３３】請求項２に記載の発明では、絶縁性基板を
光反射面として利用するので、発光輝度を向上させるこ
とができる。
光反射面として利用するので、発光輝度を向上させるこ
とができる。
【図１】本発明の一実施の形態における発光装置であっ
て、（ａ）は平面図 （ｂ）は縦断面図
て、（ａ）は平面図 （ｂ）は縦断面図
【図２】ボールボンディング部の拡大断面図であって、
（ａ）は成形型の加圧前の状態を示す図 （ｂ）は樹脂封止時の加圧状態を示す図
（ａ）は成形型の加圧前の状態を示す図 （ｂ）は樹脂封止時の加圧状態を示す図
【図３】（ａ）はボールボンディング位置が０〜５０μ
ｍのときの接着強度の測定データを示す図 （ｂ）はボールボンディング位置が５０〜１００μｍの
ときの接着強度の測定データを示す図
ｍのときの接着強度の測定データを示す図 （ｂ）はボールボンディング位置が５０〜１００μｍの
ときの接着強度の測定データを示す図
【図４】（ａ）は従来のチップＬＥＤの平面図 （ｂ）はその縦断面図
１ 絶縁性基板 ２ 電極配線 ３ 電極配線 ４ 樹脂封止部 ５ 発光素子 ６ 導電性接着剤 ７ ワイヤ（金属細線） ８ 成形型 ９ 楔形部 ２１ 電極パッド部 ３１ 電極パッド部 ５１ 裏面側電極 ５２ 表面側電極 ７１ ボール部
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、この絶縁性基板の少なく
とも表面側に設けた第１の電極及び第２の電極と、前記
第１の電極に裏面側電極を介して導通搭載された発光素
子と、前記発光素子の表面側電極と前記第２の電極との
間を導通させる金属細線と、少なくとも前記発光素子及
び金属細線を内包して封止する樹脂封止部とを備えるチ
ップ型の発光装置であって、前記金属細線の一端を前記
発光素子の表面側電極にウェッジボンディングで接続
し、前記金属細線の他端を前記第２の電極にボールボン
ディングで接続し、前記第２の電極の表面にボールボン
ディングによって形成されるボールの中心を、前記樹脂
封止部の外郭面から５０μｍ以上離れた領域に含ませて
なるチップ型発光装置。 - 【請求項２】 前記絶縁性基板は、白色または白色系の
反射率の高い樹脂含有材である請求項１記載のチップ型
発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21367898A JP3356069B2 (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | チップ型発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21367898A JP3356069B2 (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | チップ型発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049384A true JP2000049384A (ja) | 2000-02-18 |
| JP3356069B2 JP3356069B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=16643171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21367898A Expired - Fee Related JP3356069B2 (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | チップ型発光装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3356069B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009349A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Koha Co Ltd | Ｌｅｄ面発光装置およびその製造方法 |
| US7161190B2 (en) | 2004-08-02 | 2007-01-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US7455423B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| CN100466312C (zh) * | 2003-01-06 | 2009-03-04 | 夏普株式会社 | 半导体发光器件制造方法 |
| JP2010204209A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Omron Corp | 光伝送モジュール、電子機器、及び光伝送モジュールの製造方法 |
| WO2010143081A1 (en) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Blondwich Limited | Enhanced integrated circuit package |
| JP2011077164A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2012114107A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | Ｌｅｄパッケージ |
| JP2015070124A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2019117905A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
| CN110491984A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-11-22 | 深圳光台实业有限公司 | 一种贴片式发光二极管的封装结构及封装工艺 |
| CN111162066A (zh) * | 2020-01-24 | 2020-05-15 | 昆山泓冠光电科技有限公司 | 背光光源 |
Citations (6)
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| JPH09293905A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP21367898A patent/JP3356069B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN110491984B (zh) * | 2019-07-04 | 2024-03-01 | 今台电子(惠州)有限公司 | 一种贴片式发光二极管的封装结构及封装工艺 |
| CN111162066A (zh) * | 2020-01-24 | 2020-05-15 | 昆山泓冠光电科技有限公司 | 背光光源 |
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