JP2001349923A - 絶縁皮膜均一性判定試験器および試験装置 - Google Patents

絶縁皮膜均一性判定試験器および試験装置

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JP2001349923A JP2000169883A JP2000169883A JP2001349923A JP 2001349923 A JP2001349923 A JP 2001349923A JP 2000169883 A JP2000169883 A JP 2000169883A JP 2000169883 A JP2000169883 A JP 2000169883A JP 2001349923 A JP2001349923 A JP 2001349923A
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虎雄 宮沢
Hisaaki Uchibori
寿明 内堀
Takashi Ami
隆 阿弥
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SHIN NIPPON KAGAKU SEISAKUSHO
SHIN NIPPON KAGAKU SEISAKUSHO KK
Totoku Electric Co Ltd
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SHIN NIPPON KAGAKU SEISAKUSHO
SHIN NIPPON KAGAKU SEISAKUSHO KK
Totoku Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 正常な絶縁皮膜部分を破壊することなく、不
良個所の特定が容易であり、残留電荷効果・吸収現象に
対する対策が十分に施され、また、電気的ノイズに対し
て誤動作が生ぜず、ライン上の試験器、試験装置として
好適な絶縁皮膜均一性判定試験器および試験装置を安価
に提供する。 【解決手段】 一次側と二次側を完全に絶縁し、特殊シ
ールド処理を施したノイズカット用の絶縁トランス;
と、エナメル線に試験電圧を印加するための高圧発生回
路;と、前記試験電圧の電流を制限する電流制限抵抗
と、均一性不良個所に流れる電流を増幅し,判定レベル
と比較して均一性不良の検出を行う電流検出回路;と、
電流検出回路および外部からの各種信号の入出力回路I
/O;と、均一性不良個数をカウントして加算し、外部
に接点信号として出力するカウンター;と、から絶縁皮
膜均一性判定試験器を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は走行する被試験電線
としてのエナメル線の絶縁皮膜のピンホール不良や絶縁
不良等の均一性不良を検出し、判定することが可能な絶
縁皮膜均一性判定試験器および試験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】エナメル線の製造は図2にその概略を説
明するように(但し、本発明の絶縁皮膜均一性判定試験
装置も設置)、供線側素線1に塗料塗布装置2により塗
料を塗布し、焼付炉3により塗料を焼付るという、塗布
焼付工程を複数回繰り返して(図では繰り返し部分図示
せず)、所定厚さの絶縁皮膜を設けた後、引取キャプス
タン4を経由して巻取機6によりボビン(図示せず)に
巻取り製造される。前記ボビンに巻取られた製品は、巻
き終わりの所定長を試験片として採取し、絶縁皮膜のピ
ンホール特性や絶縁特性等を試験している。しかしなが
ら、エナメル線は長尺製品であるため、ボビン内部まで
全長に渡って検査することは出来ず、全長保証という点
では、満足できるものでなかった。なお、エナメル線の
均一性を試験する方法(装置)としては、JISC30
03−6(b)高電圧法が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記JISの均一性試
験方法でも、ボビンに巻取られた製品から長さ30mを
試験しているにすぎず、ボビン内部まで全長に渡って検
査することは出来ず、全長保証という点では、やはり満
足できるものでなかった。また、実際に製造装置のライ
ンに取付け試験する装置としては適用が難しかった。ま
た前記JISの試験装置は、検出電流が高いため(例え
ば2mA)、特に薄皮膜品においては、設定値如何によ
り正常な絶縁皮膜部分を破壊してしまうことがあるとい
う問題点があった。また、検出最小単位長が長いため、
不良個所の特定が難しいという問題点があった。また、
従来の装置は、残留電圧効果・吸収現象に対する対策が
不十分で、実際の試験設定条件と異なってしまうことが
ある為、高性能な増幅器を使用して安定化を図る必要が
あり、装置が高価になってしまうという問題点があっ
た。また、電気的ノイズに対する誤動作が生じやすいと
いう問題点があった。
【0004】本発明は、上記従来技術が有する各種問題
点を解決するためになされたものであり、正常な絶縁皮
膜部分を破壊することなく、不良個所の特定が容易であ
り、残留電荷効果・吸収現象に対する対策が十分に施さ
れ、また、電気的ノイズに対して誤動作が生ぜず、ライ
ン上の試験器、試験装置として好適な絶縁皮膜均一性判
定試験器および試験装置を安価に提供することを目的と
する。
【0005】
【課題を解決するための手段】第1の観点として本発明
は、走行する被試験電線としてのエナメル線の絶縁皮膜
のピンホール不良や絶縁不良等の均一性不良を検出し、
判定することが可能な試験器であって、一次側と二次側
を完全に絶縁し、ノイズが二次側に伝達されない様な特
殊シールド処理を施したノイズカット用の絶縁トラン
ス;と、前記トランスからの電源を整流し,パルストラ
ンスにより発振・昇圧し、定電圧回路を用いて一定の電
圧を出力させ,エナメル線に試験電圧を印加するための
高圧発生回路;と、前記試験電圧の電流を制限する電流
制限抵抗と、エナメル線の均一性不良個所において流れ
る電流を増幅し,判定レベルと比較して均一性不良の検
出を行うための電流検出回路;と、前記電流検出回路お
よび外部からの各種信号を入出力するための入出力回路
I/O;と、均一性不良個数をカウントして加算し、設
定された数値を超えたとき外部に接点信号として出力す
るカウンター;と、からなる絶縁皮膜均一性判定試験器
(以下、均一性試験器と略記する)にある。上記第1の
観点の均一性試験器では、先ずノイズカット用の絶縁ト
ランスによりノイズが二次側に伝達されないので、電気
的ノイズに対する誤動作が生じなくなる。また、前記高
圧発生回路は、例えばDC12Vより最大DC2000
Vの高圧を発生させることが出来、設定レンジで任意設
定ができる。また検出電流は、例えば5μA〜100μ
A、また検出抵抗は、例えば動作1〜3MΩ/不動作4
〜9MΩである。なお、前記試験電圧の他に、検出する
ためのスレッショルド電圧(印加電圧が、どの程度降下
したら均一性不良と認識するかを決定するための基準電
圧(感度))があり、この電圧もボリューム等で調整可
能である。従って、これらの回路構成により、均一性不
良の検出がライン上で精度良く行える。
【0006】第2の観点として本発明は、前記試験電圧
はDCレベルでエナメル線に常時印加され、均一性不良
の検出は実際に流れた電流値を計測して行う均一性試験
器にある。上記第2の観点の均一性試験器では、均一性
不良の検出は実際に流れた電流値を計測して行うため、
残留電圧効果・吸収現象に対して効果的となり、実際の
試験設定条件を維持することができる。また、高性能な
増幅器を使用して安定化を図る必要が無くなるので、装
置が安価に製造できる。
【0007】第3の観点として本発明は、均一性不良の
検出の最小動作時間が10ms、エナメル線の測定最小
単位長さで1mである均一性試験器にある。上記第3の
観点の均一性試験器では、均一性不良の検出の最小動作
時間が10ms、エナメル線の測定最小単位長さで1m
なので、検出最小単位長が短くなり、不良個所の特定が
容易に出来るようになる。
【0008】第4の観点として本発明は、前記均一性試
験器を本体として用いた絶縁皮膜均一性判定試験装置で
あって、前記均一性試験器の電流制限抵抗を経由した試
験電圧の(+)極が検出滑車5に接続され、該検出滑車
5に焼付後の走行するエナメル線1aを接触させ、また
試験電圧の(−)極が供線側素線1に接続され、また前
記均一性試験器8は各種信号がコントロール可能な集中
コントローラ9と各種信号の制御を行うシーケンサ7と
通信でき、また集中コントローラ9は各種データの記録
または演算処理が可能なデータ処理装置10と通信でき
る絶縁皮膜均一性判定試験装置(以下、均一性試験装置
と略記する)にある。上記第4の観点の均一性試験装置
では、上記第1の観点の均一性試験器を本体として用い
ることにより、第1の観点の均一性試験器の作用・効果
が得られ、均一性不良の検出がライン上で精度良く行え
る。また、データは集中コントローラ9に取り込まれ専
用プリンタ、或いは上位パソコンに通信され記録として
残される。
【0009】第5の観点として本発明は、引取キャプス
タン4の信号をシーケンサ7を介して集中コントローラ
9に取り込むことにより、エナメル線の単位長さあたり
の不良個数が任意設定されることを均一性試験装置にあ
る。上記第5の観点の均一性試験装置では、エナメル線
の単位長さあたりの不良個数が任意設定されるので、ラ
イン上の試験装置として好ましくなる。
【0010】第6の観点として本発明は、前記集中コン
トローラ9とシーケンサ7により、複数台の均一性試験
器8がコントロールされ、また試験データはデータ処理
装置10で記録される均一性試験装置にある。上記第6
の観点の均一性試験装置では、複数台の均一性試験器8
がコントロールされ、また試験データはデータ処理装置
10で記録されるので、試験装置として好ましくなる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の内容を、図に示す
実施の形態により更に詳細に説明する。なお、これによ
り本発明が限定されるものではない。図1は本発明の均
一性試験器の回路構成の一例を説明するための回路構成
図である。図2は本発明の均一性試験装置をエナメル線
製造ラインに設置した例を示す略図である。また図3は
集中コントローラとシーケンサにより、複数台の均一性
判定試験器をコントロールしている例を説明するための
構成図である。これらの図において、1は供線側素線、
1aはエナメル線、2は塗料塗布装置、3は焼付炉、4
は引取キャプスタン、5は検出滑車、6は巻取機(巻取
ボビン)、7はシーケンサ、8は均一性試験器、9は集
中コントローラ、また10はデータ処理装置、また20
は均一性試験装置である。
【0012】−実施形態1− 本発明の均一性試験器の回路構成の一例を図1を用いて
説明する。本発明の均一性試験器は、一次側と二次側を
完全に絶縁し、ノイズが二次側に伝達されない様な特殊
シールド処理を施したノイズカット用の絶縁トランス
と、前記トランスからの電源をDC12Vに整流し,パ
ルストランスにより発振・昇圧し、定電圧回路を用いて
一定の電圧を出力させ,被試験電線にDCレベルで常時
印加するための試験電圧発生回路と、前記試験電圧の電
流を制限する電流制限抵抗と、均一性不良個所において
流れる電流を増幅し,判定レベルと比較して均一性不良
を検出するための電流検出回路と、前記電流検出回路お
よび外部回路からの各種信号を入出力するための絶縁型
の入出力回路I/Oと、均一性不良個数をカウントして
加算し、設定された数値を超えれば外部に接点信号とし
て出力可能なカウンターと、からなる。試験電圧はパル
ス印加型でなく、DCレベルで常時供給しており、検出
は実際に流れた電流値を計測しているので、残留電圧効
果の対策手段(残留電圧の処理方法)として好ましい。
また、均一性判定試験の最小検出動作時間が10ms、
エナメル銅線の測定最小単位長さで1mである。前記外
部回路は例えばシーケンサや集中コントローラである。
【0013】−実施形態2− 本発明の均一性試験装置の一例を図2を用いて説明す
る。本発明の均一性試験装置20は、前記実施形態1の
均一性試験器8に、各種信号がコントロール可能なシー
ケンサ7と集中コントローラ9およびデータ処理装置1
0を付加した構成の均一性試験装置である。前記シーケ
ンサ7と集中コントローラ9の処理方法は、インターフ
ェイスとして絶縁型の入出力回路I/Oを内蔵し、不良
を検出する毎にシーケンサ7に出力を行っている。出力
を受けたシーケンサ7は、集中コントローラ9に完了信
号を出力して一連の処理を終了する。また、エナメル線
製造装置の引取キャプスタン4の信号をシーケンサ7を
介して集中コントローラ9に取り込むことにより、エナ
メル線1aの単位長さあたりの不良個数を任意設定する
ことができる。また、均一性試験器8により得られたデ
ータは集中コントローラ9及びデータ処理装置10に通
信され記録される。前記データ処理装置10は、例えば
専用プリンタ、上位パソコンである。
【0014】−実施形態3− 本発明の均一性試験装置20を用い、走行するエナメル
線1aの絶縁皮膜のピンホール不良や絶縁不良等の均一
性不良を検出し、判定している例を図2を用いて説明す
る。供線側芯線1に、前記試験器本体8より供給される
測定電源の(−)極を接続し(実際の接続部は芯線1と
導通する鉄ボビン部)、引取キャプスタン4と巻取機6
間に検出滑車5を設けて測定電源の(+)極を接続し、
この検出滑車5に焼付後の走行するエナメル線1aを接
触させ、絶縁皮膜の均一性不良個所において検出滑車5
に流れる電流を試験器本体8で増幅し、判定レベルと比
較して均一性不良を検出し、試験器本体8に設けられて
いるLEDの検出表示灯(図示せず)を点灯させるとと
もに、カウンター(図示せず)で不良数をカウントし
た。また試験器本体8にはオシロで検出信号が確認でき
るようにモニター端子が設けられている(図示せず)。
また、シーケンサ7は引取キャプスタン4に取り付けた
センサ(図示せず)からの信号よりエナメル線の製造速
度を演算し、エナメル線の単位長さ当たりの不良個数を
任意設定し、判定レベルを作りだしている。また、前記
集中コントローラ9からのデータはデータ処理装置10
に出力され、プリンタで記録される。なお、前記検出滑
車5には、低電流とはいえ最大2000V迄の高圧が印
加されるため、絶縁間隔が充分にある高圧用の配線材と
高圧プローブを使用している。
【0015】−実施形態4− 前記シーケンサ7と集中コントローラ9により、複数台
(例えば5台)の均一性判定試験器をコントロールして
いる例を図3の構成図を用いて説明する。前記集中コン
トローラ9は5台の均一性判定試験器でカウントされた
不良数をデータ処理装置10のプリンタで印字するため
に集中コントロールする装置である。
【0016】−実施形態5− 本発明の試験装置において、均一性不良発生時の作動の
一例について説明する。常時、検出滑車5に試験電源を
印加しているが、均一性不良箇所が発生すると出力信号
としてシーケンサ7に出力される。この信号はシーケン
サ7が受け付けた後、復帰させる必要がある。そこでシ
ーケンサ7が最低限追従できる可能速度(10ms)
で、復帰信号を集中コントローラ9に出力している。前
記集中コントローラ9とシーケンサ7はこの信号を繰り
返し通信している。尚、この出力信号をラッチ信号と呼
称する。次に、前記シーケンサ7と試験器本体8の通信
回路の一例について説明する。シーケンサ7と試験器本
体8の中間に集中コントローラ9があり、均一性不良発
生時のデータを通信しているものである。先ず、集中コ
ントローラ9は試験器本体8からラッチ信号を入力する
と、シーケンサ7へ出力する。シーケンサ7は信号を入
力するとともに、集中コントローラ9に信号復帰の指令
を出力する。更に、不良発生個数は試験器本体8のカウ
ンタにフィードバックされる。前記した相互通信を繰り
返し、不良個数が設定値を超えたとき、シーケンサ7は
異常発生と認識し、巻き取りボビンの切換え指示(警
報)を出す。そして、ボビンの切換えが実施されると、
信号は集中コントローラ9に送られ、付属のデータ処理
装置10のプリンタに印字される。前記した通信、作動
を順次繰り返し試験が継続される。
【0017】
【発明の効果】本発明の均一性試験器、試験装置は、印
加電圧・検出電流値を広範囲で任意設定できる方式とし
たので、特に薄皮膜品においても、正常な絶縁皮膜部分
を破壊することがなくなった。また、本発明の試験器、
試験装置は、均一性判定試験の検出動作時間が最小10
ms、エナメル線の測定最小単位長さで1mであるの
で、不良個所の特定が容易となった。また残留電荷効果
・吸収現象に対する対策が十分となり、実際の試験設定
条件と同じとすることができるようになった。また、電
気的ノイズに対して誤動作が生じなくなり、測定精度が
向上した。従って、ライン試験器、試験装置として好ま
しいものとなったので、本発明は産業に寄与する効果が
極めて大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の均一性試験器の回路構成の一例を説明
するための回路構成図である。
【図2】本発明の均一性試験装置をエナメル線製造ライ
ンに設置した例を示す略図である。
【図3】集中コントローラとシーケンサにより、複数台
の均一性判定試験器をコントロールしている例を説明す
るための構成図である。
【符号の説明】
1 供線側素線 1a エナメル線 2 塗料塗布槽 3 焼付炉 4 引取キャプスタン 5 検出滑車 6 巻取機(巻取ボビン) 7 シーケンサ 8 均一性試験器 9 集中コントローラ 10 データ処理装置 20 均一性試験装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿弥 隆 東京都武蔵野市境南町2丁目8番4号 株 式会社新日本科学製作所内 Fターム(参考) 2G015 AA27 BA04 CA05 2G060 AA09 AA10 AD04 AE01 AE03 AF02 AF07 AG07 EA02 EA07 EB01 GA01 HA01 HC07 HC08 HC15 HC21 HC22 HD01 HE03 KA12

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 走行する被試験電線としてのエナメル線
    の絶縁皮膜のピンホール不良や絶縁不良等の均一性不良
    を検出し、判定することが可能な試験器であって、 一次側と二次側を完全に絶縁し、ノイズが二次側に伝達
    されない様な特殊シールド処理を施したノイズカット用
    の絶縁トランス;と、前記トランスからの電源を整流
    し,パルストランスにより発振・昇圧し、定電圧回路を
    用いて一定の電圧を出力させ,エナメル線に試験電圧を
    印加するための高圧発生回路;と、前記試験電圧の電流
    を制限する電流制限抵抗と、エナメル線の均一性不良個
    所において流れる電流を増幅し,判定レベルと比較して
    均一性不良の検出を行うための電流検出回路;と、前記
    電流検出回路および外部からの各種信号を入出力するた
    めの入出力回路I/O;と、均一性不良個数をカウント
    して加算し、設定された数値を超えたとき外部に接点信
    号として出力するカウンター;と、からなることを特徴
    とする絶縁皮膜均一性判定試験器。
  2. 【請求項2】 前記試験電圧はDCレベルでエナメル線
    に常時印加され、均一性不良の検出は実際に流れた電流
    値を計測して行うことを特徴とする請求項1記載の絶縁
    皮膜均一性判定試験器。
  3. 【請求項3】 均一性不良の検出の最小動作時間が10
    ms、エナメル線の測定最小単位長さで1mであること
    を特徴とする請求項1または2記載の絶縁皮膜均一性判
    定試験器。
  4. 【請求項4】 前記絶縁皮膜均一性判定試験器を本体と
    して用いた絶縁皮膜均一性判定試験装置であって、前記
    絶縁皮膜均一性判定試験器の電流制限抵抗を経由した試
    験電圧の(+)極が検出滑車5に接続され、該検出滑車
    5に焼付後の走行するエナメル線1aを接触させ、また
    試験電圧の(−)極が供線側素線1に接続され、また前
    記絶縁皮膜均一性判定試験器8は各種信号がコントロー
    ル可能な集中コントローラ9と各種信号の制御を行うシ
    ーケンサ7と通信でき、また集中コントローラ9は各種
    データの記録または演算処理が可能なデータ処理装置1
    0と通信できることを特徴とする絶縁皮膜均一性判定試
    験装置。
  5. 【請求項5】 引取キャプスタン4の信号をシーケンサ
    7を介して集中コントローラ9に取り込むことにより、
    エナメル線の単位長さあたりの不良個数が任意設定され
    ることを特徴とする請求項4記載の絶縁皮膜均一性判定
    試験装置。
  6. 【請求項6】 前記集中コントローラ9とシーケンサ7
    により、複数台の絶縁皮膜均一性判定試験器8がコント
    ロールされ、また試験データはデータ処理装置10で記
    録されることを特徴とする請求項4または5記載の絶縁
    皮膜均一性判定試験装置。
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