JP2001345347A - 接続構造及び樹脂封入方法 - Google Patents
接続構造及び樹脂封入方法Info
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- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明はエリア配列での実装において、２５０
μｍピッチ以上はもちろんのこと、２５０μｍピッチ以
下でも樹脂封止でき、実装が行えるような接続構造及び
ピン配置を提供することを目的とする。 【解決手段】エリア配列になっている接続部の中心を通
る断面で切ったときに、１つの接続部の断面積をＳ１、
隣り合う接続部間の隙間の断面積をＳ２、縦の接続部の
数をＮ１、横の接続部の数をＮ２とすると、Ｓ１がＳ２
に等しいかまたは大きくても、Ｎ２／Ｎ１をＳ１／Ｓ２
と等しいか大きくし、横の接続部が存在する方から樹脂
を封入する。
μｍピッチ以上はもちろんのこと、２５０μｍピッチ以
下でも樹脂封止でき、実装が行えるような接続構造及び
ピン配置を提供することを目的とする。 【解決手段】エリア配列になっている接続部の中心を通
る断面で切ったときに、１つの接続部の断面積をＳ１、
隣り合う接続部間の隙間の断面積をＳ２、縦の接続部の
数をＮ１、横の接続部の数をＮ２とすると、Ｓ１がＳ２
に等しいかまたは大きくても、Ｎ２／Ｎ１をＳ１／Ｓ２
と等しいか大きくし、横の接続部が存在する方から樹脂
を封入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、端子電極が素子や
配線上にあり、格子状になっている場合にも樹脂封止が
できるように対応した接続構造やこの接続構造に対する
封止樹脂の注入方法に関する。
配線上にあり、格子状になっている場合にも樹脂封止が
できるように対応した接続構造やこの接続構造に対する
封止樹脂の注入方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯用電子機器の小型化、高性能化に伴
い、半導体デバイスなどの小型化、高性能化がますます
求められている。そのため端子ピン数が増加し、狭ピッ
チ化あるいはエリア配列にすることが必要となる。しか
し、狭ピッチにも限界があり、今以上の狭ピッチ化を進
める必要がある一方で、素子あるいは配線上にもパッド
を設けて実装することが重要となってきている。これが
可能な技術としてＩＢＭで開発された半田バンプによ
る、通称Ｃ４（Controlled Collaps Chip Connectio
n）と呼ばれる実装技術がある。図９はその接続構造の
概略断面図である。文献『エレクトロニクス実装技術
８月号（１９９６年）、Ｐ７８〜Ｐ８３』によれば、Ｉ
Ｃチップのパッド電極の材料であるアルミニウムの表面
にはアルミニウムの酸化膜がついている。この酸化膜の
除去処理を行った後、真空蒸着によりバリアメタルと称
する金属膜を形成したのち半田バンプを形成する。これ
を回路基板の入出力端子電極上に当接してリフローをす
れば半田が溶融し接続が完了する。
い、半導体デバイスなどの小型化、高性能化がますます
求められている。そのため端子ピン数が増加し、狭ピッ
チ化あるいはエリア配列にすることが必要となる。しか
し、狭ピッチにも限界があり、今以上の狭ピッチ化を進
める必要がある一方で、素子あるいは配線上にもパッド
を設けて実装することが重要となってきている。これが
可能な技術としてＩＢＭで開発された半田バンプによ
る、通称Ｃ４（Controlled Collaps Chip Connectio
n）と呼ばれる実装技術がある。図９はその接続構造の
概略断面図である。文献『エレクトロニクス実装技術
８月号（１９９６年）、Ｐ７８〜Ｐ８３』によれば、Ｉ
Ｃチップのパッド電極の材料であるアルミニウムの表面
にはアルミニウムの酸化膜がついている。この酸化膜の
除去処理を行った後、真空蒸着によりバリアメタルと称
する金属膜を形成したのち半田バンプを形成する。これ
を回路基板の入出力端子電極上に当接してリフローをす
れば半田が溶融し接続が完了する。
【０００３】その他、半田以外にもバリアメタルを形成
した後、Ａｕめっきバンプを形成する構造などもある。
した後、Ａｕめっきバンプを形成する構造などもある。
【０００４】これらの従来技術は、ＩＣチップの能動素
子上に端子電極（パッド）がきて、そこに突起電極を形
成してもＩＣチップの能動素子へのダメージがないこと
が期待できる。しかし、これらの技術はいずれもめっき
もしくはそれに付随した処理がなされているため、めっ
きの装置、廃液処理、洗浄処理などに関係するコスト高
の問題、あるいは環境問題などが常につきまとってい
る。そのため、民生機器では、実用化が難しい。また、
エリア配列での実装においては、半田バンプの径が大き
いこと、基板などのプロセスの微細化の必要性やパッケ
ージとしての信頼性を考えると、現在２５０μｍピッチ
前後が実装限界となっている（文献『回路実装学会誌Ｖ
ｏｌ．１２，Ｎｏ．３，Ｐ１３３〜Ｐ１３８（１９９
７）』，『回路実装学会誌Ｖｏｌ．１１，Ｎｏ．７，Ｐ
４６２〜Ｐ４６８（１９９６）』『回路実装学会誌Ｖｏ
ｌ．１２，Ｎｏ．７，Ｐ４７７〜Ｐ４８１（１９９
７）』）。
子上に端子電極（パッド）がきて、そこに突起電極を形
成してもＩＣチップの能動素子へのダメージがないこと
が期待できる。しかし、これらの技術はいずれもめっき
もしくはそれに付随した処理がなされているため、めっ
きの装置、廃液処理、洗浄処理などに関係するコスト高
の問題、あるいは環境問題などが常につきまとってい
る。そのため、民生機器では、実用化が難しい。また、
エリア配列での実装においては、半田バンプの径が大き
いこと、基板などのプロセスの微細化の必要性やパッケ
ージとしての信頼性を考えると、現在２５０μｍピッチ
前後が実装限界となっている（文献『回路実装学会誌Ｖ
ｏｌ．１２，Ｎｏ．３，Ｐ１３３〜Ｐ１３８（１９９
７）』，『回路実装学会誌Ｖｏｌ．１１，Ｎｏ．７，Ｐ
４６２〜Ｐ４６８（１９９６）』『回路実装学会誌Ｖｏ
ｌ．１２，Ｎｏ．７，Ｐ４７７〜Ｐ４８１（１９９
７）』）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】エリア配列での接続に
よる実装は素子あるいは配線上などに端子電極（パッド
電極）を設け実装することが前提となるが、この接続が
エリア配列の場合、現在約２５０μｍピッチ前後が実装
限界となっており、これより狭ピッチでも接続できるこ
とが重要となるが、そのとき信頼性確保のための樹脂封
止が問題となる。
よる実装は素子あるいは配線上などに端子電極（パッド
電極）を設け実装することが前提となるが、この接続が
エリア配列の場合、現在約２５０μｍピッチ前後が実装
限界となっており、これより狭ピッチでも接続できるこ
とが重要となるが、そのとき信頼性確保のための樹脂封
止が問題となる。
【０００６】また、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレ
イ）など、ＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）を回
路基板に２次実装するときも、半田などを接続部とし
て、エリア配列での接続をすることになり、信頼性確保
のための樹脂封止が問題になる。
イ）など、ＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）を回
路基板に２次実装するときも、半田などを接続部とし
て、エリア配列での接続をすることになり、信頼性確保
のための樹脂封止が問題になる。
【０００７】そこで、本発明はエリア配列での実装にお
いて、あらゆる実装方式に対応して、２５０μｍピッチ
以上はもちろんのこと、２５０μｍピッチ以下のかなり
の狭ピッチでも樹脂封止でき、実装が行えるような接続
構造及びピン配置を提供することを目的とする。
いて、あらゆる実装方式に対応して、２５０μｍピッチ
以上はもちろんのこと、２５０μｍピッチ以下のかなり
の狭ピッチでも樹脂封止でき、実装が行えるような接続
構造及びピン配置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、発明者らは、エ
リア配列になっている接続部の中心を通る断面で切った
ときに、１つの接続部の断面積をＳ１、隣り合う接続部
間の隙間の断面積をＳ２、縦の接続部の数をＮ１、横の
接続部の数をＮ２とすると、Ｓ１がＳ２に等しいかまた
は大きくても、Ｎ２／Ｎ１をＳ１／Ｓ２と等しいか大き
くし、横の接続部が存在する方から樹脂を封入すること
により、２５０μｍピッチ以上はもちろんのこと、２５
０μｍピッチ以下のかなりの狭ピッチでも樹脂封止でき
る本発明を完成した。
リア配列になっている接続部の中心を通る断面で切った
ときに、１つの接続部の断面積をＳ１、隣り合う接続部
間の隙間の断面積をＳ２、縦の接続部の数をＮ１、横の
接続部の数をＮ２とすると、Ｓ１がＳ２に等しいかまた
は大きくても、Ｎ２／Ｎ１をＳ１／Ｓ２と等しいか大き
くし、横の接続部が存在する方から樹脂を封入すること
により、２５０μｍピッチ以上はもちろんのこと、２５
０μｍピッチ以下のかなりの狭ピッチでも樹脂封止でき
る本発明を完成した。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 図１は本発明の実施の形態１にかかる接続構造の概略図
である。図１（ａ）はその断面の概略図で、端子電極１
１を有する半導体装置１２が接続部１３を介して、入出
力端子電極１４を有する回路基板１５に接続され、封止
樹脂１０で封止されている。接続部１３は導電性を有す
る構造であれば、何でもよく、例えば半田、導電性接着
剤、Ａｕなどで形成された突起電極に半田あるいは導電
性接着剤を接合層として用いた構造などが考えられる。
また、封止樹脂１０には、例えばエポキシ系樹脂に硬化
剤として、フェノール樹脂あるいは酸無水物を使ったも
のを用いることができる。図１（ｂ）は接続部１３だけ
を取り出して上からみたときの配置の概略図である。例
として接続部１３は１３０μｍピッチのほぼ等間隔で格
子状に存在している。ここでは、縦の接続部の数Ｎ１を
３個、横の接続部の数Ｎ２を６個としている。ここで、
横の接続部の数Ｎ２と縦の接続部の数をＮ１とすると比
がＮ２／Ｎ１＝６／３＝２とになる。図１（ｃ）は接続
部１３の中心をほぼ切ったときのその接続部付近の断面
部分だけを取り出してきた概略図であり、斜線部分は接
続部１３、白部分は隣り合う接続部１３間の隙間を表し
ている。ここで、接続部１３の面積をＳ１、隣り合う接
続部１３間の隙間の面積をＳ２とすると、比がＳ１／Ｓ
２＝８５／４５＜２となる。これより（Ｎ２／Ｎ１）＞
（Ｓ１／Ｓ２）である。従って、Ｓ２がＳ１に等しいか
または小さくてもＮ２／Ｎ１をＳ１／Ｓ２と等しいか大
きくすることにより、横の接続部が存在する方から樹脂
を封入することにより、２５０μｍピッチ以上はもちろ
んのこと、２５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信
頼性の高い構造を得ることができる。
である。図１（ａ）はその断面の概略図で、端子電極１
１を有する半導体装置１２が接続部１３を介して、入出
力端子電極１４を有する回路基板１５に接続され、封止
樹脂１０で封止されている。接続部１３は導電性を有す
る構造であれば、何でもよく、例えば半田、導電性接着
剤、Ａｕなどで形成された突起電極に半田あるいは導電
性接着剤を接合層として用いた構造などが考えられる。
また、封止樹脂１０には、例えばエポキシ系樹脂に硬化
剤として、フェノール樹脂あるいは酸無水物を使ったも
のを用いることができる。図１（ｂ）は接続部１３だけ
を取り出して上からみたときの配置の概略図である。例
として接続部１３は１３０μｍピッチのほぼ等間隔で格
子状に存在している。ここでは、縦の接続部の数Ｎ１を
３個、横の接続部の数Ｎ２を６個としている。ここで、
横の接続部の数Ｎ２と縦の接続部の数をＮ１とすると比
がＮ２／Ｎ１＝６／３＝２とになる。図１（ｃ）は接続
部１３の中心をほぼ切ったときのその接続部付近の断面
部分だけを取り出してきた概略図であり、斜線部分は接
続部１３、白部分は隣り合う接続部１３間の隙間を表し
ている。ここで、接続部１３の面積をＳ１、隣り合う接
続部１３間の隙間の面積をＳ２とすると、比がＳ１／Ｓ
２＝８５／４５＜２となる。これより（Ｎ２／Ｎ１）＞
（Ｓ１／Ｓ２）である。従って、Ｓ２がＳ１に等しいか
または小さくてもＮ２／Ｎ１をＳ１／Ｓ２と等しいか大
きくすることにより、横の接続部が存在する方から樹脂
を封入することにより、２５０μｍピッチ以上はもちろ
んのこと、２５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信
頼性の高い構造を得ることができる。
【００１０】実施の形態２ 図２は本発明の実施の形態２にかかる接続構造の概略図
である。図２（ａ）はその断面の概略図で、端子電極２
１を有する半導体装置２２が、第１の接続部２３を介し
て入出力端子電極２４を有する第１の回路基板２５に接
続され、封止樹脂２０により封止されており、さらにそ
の実装体が第２の接続部２７を介して第２の回路基板２
９に接続され、封止樹脂２０により封止されている。第
１の接続部２３及び第２の接続部２７は導電性を有する
構造であれば何でもよく、例えば半田、導電性接着剤、
Ａｕなどで形成された突起電極に半田あるいは導電性接
着剤を接合層として用いた構造などが考えられる。ま
た、封止樹脂２０には例えばエポキシ系樹脂にフェノー
ル系樹脂あるいは酸無水物を使ったものを用いることが
できる。図２（ｂ）は第２の接続部２７だけを切り出し
て上からみたときの配置の概略図である。例として第２
の接続部２７は１３０μｍピッチのほぼ等間隔で格子状
に存在している。ここでは、縦の接続部の数Ｎ３を３
個、横の接続部の数Ｎ４を６個としている。ここで、横
の接続部の数Ｎ２と縦の接続部の数をＮ１とすると比が
Ｎ４／Ｎ３＝６／３＝２とになる。図２（ｃ）は第２の
接続部２７の中心をほぼ切ったときのその接続部付近の
断面部分だけを取り出してきた概略図であり、斜線部分
は第２の接続部２７、白部分は隣り合う第２の接続部２
７間の隙間を表している。ここで、第２の接続部２７の
面積をＳ３、隣り合う接続部２７間の隙間の面積をＳ４
とすると、比がＳ３／Ｓ４＝８５／４５＜２となる。こ
れより（Ｎ４／Ｎ３）＞（Ｓ３／Ｓ４）である。従っ
て、Ｓ４がＳ３に等しいかまたは小さくてもＮ４／Ｎ３
をＳ３／Ｓ４と等しいか大きくすることにより、横の接
続部が存在する方から樹脂を封入することにより、２５
０μｍピッチ以上はもちろんのこと、２５０μｍピッチ
以下でも樹脂封止でき、信頼性の高い構造を得ることが
できる。
である。図２（ａ）はその断面の概略図で、端子電極２
１を有する半導体装置２２が、第１の接続部２３を介し
て入出力端子電極２４を有する第１の回路基板２５に接
続され、封止樹脂２０により封止されており、さらにそ
の実装体が第２の接続部２７を介して第２の回路基板２
９に接続され、封止樹脂２０により封止されている。第
１の接続部２３及び第２の接続部２７は導電性を有する
構造であれば何でもよく、例えば半田、導電性接着剤、
Ａｕなどで形成された突起電極に半田あるいは導電性接
着剤を接合層として用いた構造などが考えられる。ま
た、封止樹脂２０には例えばエポキシ系樹脂にフェノー
ル系樹脂あるいは酸無水物を使ったものを用いることが
できる。図２（ｂ）は第２の接続部２７だけを切り出し
て上からみたときの配置の概略図である。例として第２
の接続部２７は１３０μｍピッチのほぼ等間隔で格子状
に存在している。ここでは、縦の接続部の数Ｎ３を３
個、横の接続部の数Ｎ４を６個としている。ここで、横
の接続部の数Ｎ２と縦の接続部の数をＮ１とすると比が
Ｎ４／Ｎ３＝６／３＝２とになる。図２（ｃ）は第２の
接続部２７の中心をほぼ切ったときのその接続部付近の
断面部分だけを取り出してきた概略図であり、斜線部分
は第２の接続部２７、白部分は隣り合う第２の接続部２
７間の隙間を表している。ここで、第２の接続部２７の
面積をＳ３、隣り合う接続部２７間の隙間の面積をＳ４
とすると、比がＳ３／Ｓ４＝８５／４５＜２となる。こ
れより（Ｎ４／Ｎ３）＞（Ｓ３／Ｓ４）である。従っ
て、Ｓ４がＳ３に等しいかまたは小さくてもＮ４／Ｎ３
をＳ３／Ｓ４と等しいか大きくすることにより、横の接
続部が存在する方から樹脂を封入することにより、２５
０μｍピッチ以上はもちろんのこと、２５０μｍピッチ
以下でも樹脂封止でき、信頼性の高い構造を得ることが
できる。
【００１１】実施の形態３ 図３は本発明の実施の形態３にかかる接続構造への封止
樹脂を注入する方法の概略図である。図３（ａ）は接続
構造の断面の概略図で、端子電極３１を有する半導体装
置３２が接続部３３を介して、入出力端子電極３４を有
する回路基板３５に接続され、封止樹脂３０により封止
されている。接続部３３は導電性を有する構造であれ
ば、何でもよく、例えば半田、導電性接着剤、Ａｕなど
で形成された突起電極に半田あるいは導電性接着剤を接
合層として用いた構造などが考えられる。また、封止樹
脂３０には、例えばエポキシ系樹脂に硬化剤として、フ
ェノール樹脂あるいは酸無水物を使ったものを用いるこ
とができる。図３（ｂ）は接続部３３だけを取り出して
上からみたときの配置の概略図である。例として接続部
３３は１３０μｍピッチのほぼ等間隔で格子状に存在し
ている。ここでは、縦の接続部の数Ｎ１を３個、横の接
続部の数Ｎ２を６個としている。ここで、横の接続部の
数Ｎ２と縦の接続部の数をＮ１とすると比がＮ２／Ｎ１
＝６／３＝２とになる。図３（ｃ）は接続部３３の中心
をほぼ切ったときのその接続部付近の断面部分だけを取
り出してきた概略図であり、斜線部分は接続部３３、白
部分は隣り合う接続部間の隙間を表している。ここで、
接続部３３の面積をＳ１、隣り合う接続部３３間の隙間
の面積をＳ２とすると、比がＳ１／Ｓ２＝８５／４５＜
２となる。これより（Ｎ２／Ｎ１）＞（Ｓ１／Ｓ２）で
ある。従って、Ｓ２がＳ１に等しいかまたは小さくても
Ｎ２／Ｎ１をＳ１／Ｓ２と等しいか大きくすることによ
り、樹脂の注入方向に対してより接続部３３間の隙間の
広い横の接続部３３が存在する方から樹脂を封入するこ
とにより、２５０μｍピッチ以上はもちろんのこと、２
５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信頼性の高い構
造を得ることができる。
樹脂を注入する方法の概略図である。図３（ａ）は接続
構造の断面の概略図で、端子電極３１を有する半導体装
置３２が接続部３３を介して、入出力端子電極３４を有
する回路基板３５に接続され、封止樹脂３０により封止
されている。接続部３３は導電性を有する構造であれ
ば、何でもよく、例えば半田、導電性接着剤、Ａｕなど
で形成された突起電極に半田あるいは導電性接着剤を接
合層として用いた構造などが考えられる。また、封止樹
脂３０には、例えばエポキシ系樹脂に硬化剤として、フ
ェノール樹脂あるいは酸無水物を使ったものを用いるこ
とができる。図３（ｂ）は接続部３３だけを取り出して
上からみたときの配置の概略図である。例として接続部
３３は１３０μｍピッチのほぼ等間隔で格子状に存在し
ている。ここでは、縦の接続部の数Ｎ１を３個、横の接
続部の数Ｎ２を６個としている。ここで、横の接続部の
数Ｎ２と縦の接続部の数をＮ１とすると比がＮ２／Ｎ１
＝６／３＝２とになる。図３（ｃ）は接続部３３の中心
をほぼ切ったときのその接続部付近の断面部分だけを取
り出してきた概略図であり、斜線部分は接続部３３、白
部分は隣り合う接続部間の隙間を表している。ここで、
接続部３３の面積をＳ１、隣り合う接続部３３間の隙間
の面積をＳ２とすると、比がＳ１／Ｓ２＝８５／４５＜
２となる。これより（Ｎ２／Ｎ１）＞（Ｓ１／Ｓ２）で
ある。従って、Ｓ２がＳ１に等しいかまたは小さくても
Ｎ２／Ｎ１をＳ１／Ｓ２と等しいか大きくすることによ
り、樹脂の注入方向に対してより接続部３３間の隙間の
広い横の接続部３３が存在する方から樹脂を封入するこ
とにより、２５０μｍピッチ以上はもちろんのこと、２
５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信頼性の高い構
造を得ることができる。
【００１２】実施の形態４ 図４は本発明の実施の形態４にかかる接続構造への封止
樹脂を注入する方法の概略図である。図４（ａ）はその
断面の概略図で、端子電極４１を有する半導体装置４２
が、第１の接続部４３を介して入出力端子電極４４を有
する第１の回路基板４５に接続され、封止樹脂４０によ
り封止されており、さらにその実装体が第２の接続部４
７を介して第２の回路基板４９に接続され、封止樹脂４
０により封止されている。第１の接続部４３及び第２の
接続部４７は導電性を有する構造であれば何でもよく、
例えば半田、導電性接着剤、Ａｕなどで形成された突起
電極に半田あるいは導電性接着剤を接合層として用いた
構造などが考えられる。また、封止樹脂４０には例えば
エポキシ系樹脂にフェノール系樹脂あるいは酸無水物を
使ったものを用いることができる。図４（ｂ）は第２の
接続部４７だけを切り出して上からみたときの配置の概
略図である。例として第２の接続部４７は１３０μｍピ
ッチのほぼ等間隔で格子状に存在している。ここでは、
縦の接続部の数Ｎ３を３個、横の接続部の数Ｎ４を６個
としている。ここで、横の接続部の数Ｎ４と縦の接続部
の数をＮ３とすると比がＮ４／Ｎ３＝６／３＝２とにな
る。図４（ｃ）は第２の接続部４７の中心をほぼ切った
ときのその接続部付近の断面部分だけを取り出してきた
概略図であり、斜線部分は第２の接続部４７、白部分は
隣り合う第２の接続部４７間の隙間を表している。ここ
で、第２の接続部４７の面積をＳ３、隣り合う第２の接
続部４７間の隙間の面積をＳ４とすると、比がＳ３／Ｓ
４＝８５／４５＜２となる。これより（Ｎ４／Ｎ３）＞
（Ｓ３／Ｓ４）である。従って、Ｓ４がＳ３に等しいか
または小さくてもＮ４／Ｎ３をＳ３／Ｓ４と等しいか大
きくすることにより、樹脂の注入方向に対してより接続
部４７間の隙間の広い横の接続部が存在する方から樹脂
を封入することにより、２５０μｍピッチ以上はもちろ
んのこと、２５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信
頼性の高い構造を得ることができる。
樹脂を注入する方法の概略図である。図４（ａ）はその
断面の概略図で、端子電極４１を有する半導体装置４２
が、第１の接続部４３を介して入出力端子電極４４を有
する第１の回路基板４５に接続され、封止樹脂４０によ
り封止されており、さらにその実装体が第２の接続部４
７を介して第２の回路基板４９に接続され、封止樹脂４
０により封止されている。第１の接続部４３及び第２の
接続部４７は導電性を有する構造であれば何でもよく、
例えば半田、導電性接着剤、Ａｕなどで形成された突起
電極に半田あるいは導電性接着剤を接合層として用いた
構造などが考えられる。また、封止樹脂４０には例えば
エポキシ系樹脂にフェノール系樹脂あるいは酸無水物を
使ったものを用いることができる。図４（ｂ）は第２の
接続部４７だけを切り出して上からみたときの配置の概
略図である。例として第２の接続部４７は１３０μｍピ
ッチのほぼ等間隔で格子状に存在している。ここでは、
縦の接続部の数Ｎ３を３個、横の接続部の数Ｎ４を６個
としている。ここで、横の接続部の数Ｎ４と縦の接続部
の数をＮ３とすると比がＮ４／Ｎ３＝６／３＝２とにな
る。図４（ｃ）は第２の接続部４７の中心をほぼ切った
ときのその接続部付近の断面部分だけを取り出してきた
概略図であり、斜線部分は第２の接続部４７、白部分は
隣り合う第２の接続部４７間の隙間を表している。ここ
で、第２の接続部４７の面積をＳ３、隣り合う第２の接
続部４７間の隙間の面積をＳ４とすると、比がＳ３／Ｓ
４＝８５／４５＜２となる。これより（Ｎ４／Ｎ３）＞
（Ｓ３／Ｓ４）である。従って、Ｓ４がＳ３に等しいか
または小さくてもＮ４／Ｎ３をＳ３／Ｓ４と等しいか大
きくすることにより、樹脂の注入方向に対してより接続
部４７間の隙間の広い横の接続部が存在する方から樹脂
を封入することにより、２５０μｍピッチ以上はもちろ
んのこと、２５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信
頼性の高い構造を得ることができる。
【００１３】実施の形態５ 図５は本発明の実施の形態５にかかる接続構造の概略図
である。図５（ａ）は接続構造の断面の概略図で、端子
電極５１を有する半導体装置５２が接続部５３を介し
て、入出力端子電極５４を有する回路基板５５に接続さ
れ、封止樹脂５０により封止されている。接続部５３は
導電性を有する構造であれば、何でもよく、例えば半
田、導電性接着剤、Ａｕなどで形成された突起電極に半
田あるいは導電性接着剤を接合層として用いた構造など
が考えられる。また、封止樹脂５０には、例えばエポキ
シ系樹脂に硬化剤として、フェノール樹脂あるいは酸無
水物を使ったものを用いることができる。図５（ｂ）は
接続部５３だけを取り出して上からみたときの配置の概
略図である。例として横方向の接続部は１３０μｍピッ
チ、縦方向の接続部は２００μｍピッチの間隔で格子状
に存在している。ここでは、縦の接続部の数Ｎ５を３
個、横の接続部の数Ｎ６を６個としている。図５（ｃ）
は接続部５３の中心をほぼ切ったときのその接続部５３
付近の断面部分だけを取り出してきた概略図であり、斜
線部分は接続部５３、白部分は隣り合う接続部５３間の
隙間を表している。このように縦方向の接続部の間隔を
横方向の場合より大きくとることにより、より接続部５
３間の隙間の広い縦の接続部が存在する方から樹脂を封
入することで、２５０μｍピッチ以上はもちろんのこ
と、２５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信頼性の
高い構造を得ることができる。
である。図５（ａ）は接続構造の断面の概略図で、端子
電極５１を有する半導体装置５２が接続部５３を介し
て、入出力端子電極５４を有する回路基板５５に接続さ
れ、封止樹脂５０により封止されている。接続部５３は
導電性を有する構造であれば、何でもよく、例えば半
田、導電性接着剤、Ａｕなどで形成された突起電極に半
田あるいは導電性接着剤を接合層として用いた構造など
が考えられる。また、封止樹脂５０には、例えばエポキ
シ系樹脂に硬化剤として、フェノール樹脂あるいは酸無
水物を使ったものを用いることができる。図５（ｂ）は
接続部５３だけを取り出して上からみたときの配置の概
略図である。例として横方向の接続部は１３０μｍピッ
チ、縦方向の接続部は２００μｍピッチの間隔で格子状
に存在している。ここでは、縦の接続部の数Ｎ５を３
個、横の接続部の数Ｎ６を６個としている。図５（ｃ）
は接続部５３の中心をほぼ切ったときのその接続部５３
付近の断面部分だけを取り出してきた概略図であり、斜
線部分は接続部５３、白部分は隣り合う接続部５３間の
隙間を表している。このように縦方向の接続部の間隔を
横方向の場合より大きくとることにより、より接続部５
３間の隙間の広い縦の接続部が存在する方から樹脂を封
入することで、２５０μｍピッチ以上はもちろんのこ
と、２５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信頼性の
高い構造を得ることができる。
【００１４】実施の形態６ 図６は本発明の実施の形態６にかかる接続構造の概略図
である。図６（ａ）はその断面の概略図で、端子電極６
１を有する半導体装置６２が、第１の接続部６３を介し
て入出力端子電極６４を有する第１の回路基板６５に接
続され、封止樹脂６０により封止されており、さらにそ
の実装体が第２の接続部６７を介して第２の回路基板６
９に接続され、封止樹脂６０により封止されている。第
１の接続部６３及び第２の接続部６７は導電性を有する
構造であれば何でもよく、例えば半田、導電性接着剤、
Ａｕなどで形成された突起電極に半田あるいは導電性接
着剤を接合層として用いた構造などが考えられる。ま
た、封止樹脂６０には例えばエポキシ系樹脂にフェノー
ル系樹脂あるいは酸無水物を使ったものを用いることが
できる。図６（ｂ）は第２の接続部６７だけを切り出し
て上からみたときの配置の概略図である。例として横方
向の第２の接続部６７は１３０μｍピッチ、縦方向の第
２の接続部６７は２００μｍピッチの間隔で格子状に存
在している。ここでは、縦の接続部の数Ｎ７を３個、横
の接続部の数Ｎ８を６個としている。図６（ｃ）は第２
の接続部６７の中心をほぼ切ったときのその接続部付近
の断面部分だけを取り出してきた概略図であり、斜線部
分は第２の接続部６７、白部分は隣り合う第２の接続部
６７間の隙間を表している。このように縦方向の接続部
の間隔を横方向の場合より大きくとることにより、より
接続部間の隙間の広い縦の接続部が存在する方から樹脂
を封入することで、２５０μｍピッチ以上はもちろんの
こと、２５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信頼性
の高い構造を得ることができる。
である。図６（ａ）はその断面の概略図で、端子電極６
１を有する半導体装置６２が、第１の接続部６３を介し
て入出力端子電極６４を有する第１の回路基板６５に接
続され、封止樹脂６０により封止されており、さらにそ
の実装体が第２の接続部６７を介して第２の回路基板６
９に接続され、封止樹脂６０により封止されている。第
１の接続部６３及び第２の接続部６７は導電性を有する
構造であれば何でもよく、例えば半田、導電性接着剤、
Ａｕなどで形成された突起電極に半田あるいは導電性接
着剤を接合層として用いた構造などが考えられる。ま
た、封止樹脂６０には例えばエポキシ系樹脂にフェノー
ル系樹脂あるいは酸無水物を使ったものを用いることが
できる。図６（ｂ）は第２の接続部６７だけを切り出し
て上からみたときの配置の概略図である。例として横方
向の第２の接続部６７は１３０μｍピッチ、縦方向の第
２の接続部６７は２００μｍピッチの間隔で格子状に存
在している。ここでは、縦の接続部の数Ｎ７を３個、横
の接続部の数Ｎ８を６個としている。図６（ｃ）は第２
の接続部６７の中心をほぼ切ったときのその接続部付近
の断面部分だけを取り出してきた概略図であり、斜線部
分は第２の接続部６７、白部分は隣り合う第２の接続部
６７間の隙間を表している。このように縦方向の接続部
の間隔を横方向の場合より大きくとることにより、より
接続部間の隙間の広い縦の接続部が存在する方から樹脂
を封入することで、２５０μｍピッチ以上はもちろんの
こと、２５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信頼性
の高い構造を得ることができる。
【００１５】実施の形態７ 図７は本発明の実施の形態７にかかる接続構造への封止
樹脂の注入方法を示す概略図である。図７（ａ）は接続
構造の断面の概略図で、端子電極７１を有する半導体装
置７２が接続部７３を介して、入出力端子電極７４を有
する回路基板７５に接続され、封止樹脂７０により封止
されている。接続部７３は導電性を有する構造であれ
ば、何でもよく、例えば半田、導電性接着剤、Ａｕなど
で形成された突起電極に半田あるいは導電性接着剤を接
合層として用いた構造などが考えられる。また、封止樹
脂７０には、例えばエポキシ系樹脂に硬化剤として、フ
ェノール樹脂あるいは酸無水物を使ったものを用いるこ
とができる。図７（ｂ）は接続部７３だけを取り出して
上からみたときの配置の概略図である。例として横方向
の接続部７３は１３０μｍピッチ、縦方向の接続部７３
は２００μｍピッチの間隔で格子状に存在している。こ
こでは、縦の接続部の数Ｎ５を３個、横の接続部の数Ｎ
６を６個としている。図７（ｃ）は接続部７３の中心を
ほぼ切ったときのその接続部７３付近の断面部分だけを
取り出してきた概略図であり、斜線部分は接続部７３、
白部分は隣り合う接続部７３間の隙間を表している。こ
のように縦方向の接続部７３の間隔を横方向の場合より
大きくとることにより、より接続部７３間の隙間の広い
縦の接続部７３が存在する方から封止樹脂７０を封入す
ることで、２５０μｍピッチ以上はもちろんのこと、２
５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信頼性の高い構
造を得ることができる。
樹脂の注入方法を示す概略図である。図７（ａ）は接続
構造の断面の概略図で、端子電極７１を有する半導体装
置７２が接続部７３を介して、入出力端子電極７４を有
する回路基板７５に接続され、封止樹脂７０により封止
されている。接続部７３は導電性を有する構造であれ
ば、何でもよく、例えば半田、導電性接着剤、Ａｕなど
で形成された突起電極に半田あるいは導電性接着剤を接
合層として用いた構造などが考えられる。また、封止樹
脂７０には、例えばエポキシ系樹脂に硬化剤として、フ
ェノール樹脂あるいは酸無水物を使ったものを用いるこ
とができる。図７（ｂ）は接続部７３だけを取り出して
上からみたときの配置の概略図である。例として横方向
の接続部７３は１３０μｍピッチ、縦方向の接続部７３
は２００μｍピッチの間隔で格子状に存在している。こ
こでは、縦の接続部の数Ｎ５を３個、横の接続部の数Ｎ
６を６個としている。図７（ｃ）は接続部７３の中心を
ほぼ切ったときのその接続部７３付近の断面部分だけを
取り出してきた概略図であり、斜線部分は接続部７３、
白部分は隣り合う接続部７３間の隙間を表している。こ
のように縦方向の接続部７３の間隔を横方向の場合より
大きくとることにより、より接続部７３間の隙間の広い
縦の接続部７３が存在する方から封止樹脂７０を封入す
ることで、２５０μｍピッチ以上はもちろんのこと、２
５０μｍピッチ以下でも樹脂封止でき、信頼性の高い構
造を得ることができる。
【００１６】実施の形態８ 図８は本発明の実施の形態８にかかる接続構造への封止
樹脂の注入方法を示す概略図である。図８（ａ）はその
断面の概略図で、端子電極８１を有する半導体装置８２
が、第１の接続部８３を介して入出力端子電極８４を有
する第１の回路基板８５に接続され、封止樹脂８０によ
り封止されており、さらにその実装体が第２の接続部８
７を介して第２の回路基板８９に接続され封止樹脂８０
により封止されている。第１の接続部８３及び第２の接
続部８７は導電性を有する構造であれば何でもよく、例
えば半田、導電性接着剤、Ａｕなどで形成された突起電
極に半田あるいは導電性接着剤を接合層として用いた構
造などが考えられる。また、封止樹脂８０には例えばエ
ポキシ系樹脂にフェノール系樹脂あるいは酸無水物を使
ったものを用いることができる。図８（ｂ）は第２の接
続部８７だけを切り出して上からみたときの配置の概略
図である。例として横方向の第２の接続部８７は１３０
μｍピッチ、縦方向の第２の接続部８７は２００μｍピ
ッチの間隔で格子状に存在している。ここでは、縦の接
続部の数Ｎ７を３個、横の接続部の数Ｎ８を６個として
いる。図８（ｃ）は第２の接続部８７の中心をほぼ切っ
たときのその接続部付近の断面部分だけを取り出してき
た概略図であり、斜線部分は第２の接続部８７、白部分
は隣り合う第２の接続部８７間の隙間を表している。こ
のように縦方向の第２の接続部８７の間隔を横方向の場
合より大きくとることにより、より接続部間の隙間の広
い縦の接続部が存在する方から樹脂を封入することで、
２５０μｍピッチ以上はもちろんのこと、２５０μピッ
チ以下でも樹脂封止でき、信頼性の高い構造を得ること
ができる。
樹脂の注入方法を示す概略図である。図８（ａ）はその
断面の概略図で、端子電極８１を有する半導体装置８２
が、第１の接続部８３を介して入出力端子電極８４を有
する第１の回路基板８５に接続され、封止樹脂８０によ
り封止されており、さらにその実装体が第２の接続部８
７を介して第２の回路基板８９に接続され封止樹脂８０
により封止されている。第１の接続部８３及び第２の接
続部８７は導電性を有する構造であれば何でもよく、例
えば半田、導電性接着剤、Ａｕなどで形成された突起電
極に半田あるいは導電性接着剤を接合層として用いた構
造などが考えられる。また、封止樹脂８０には例えばエ
ポキシ系樹脂にフェノール系樹脂あるいは酸無水物を使
ったものを用いることができる。図８（ｂ）は第２の接
続部８７だけを切り出して上からみたときの配置の概略
図である。例として横方向の第２の接続部８７は１３０
μｍピッチ、縦方向の第２の接続部８７は２００μｍピ
ッチの間隔で格子状に存在している。ここでは、縦の接
続部の数Ｎ７を３個、横の接続部の数Ｎ８を６個として
いる。図８（ｃ）は第２の接続部８７の中心をほぼ切っ
たときのその接続部付近の断面部分だけを取り出してき
た概略図であり、斜線部分は第２の接続部８７、白部分
は隣り合う第２の接続部８７間の隙間を表している。こ
のように縦方向の第２の接続部８７の間隔を横方向の場
合より大きくとることにより、より接続部間の隙間の広
い縦の接続部が存在する方から樹脂を封入することで、
２５０μｍピッチ以上はもちろんのこと、２５０μピッ
チ以下でも樹脂封止でき、信頼性の高い構造を得ること
ができる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
により、従来では確立されていなかった、半導体装置中
の素子あるいは配線上に端子電極が格子状にある場合の
接続で、接続部のピッチが２５０μｍピッチ以上はもち
ろんのこと、２５０μｍ以下になっても樹脂封止でき、
実装が行える。
により、従来では確立されていなかった、半導体装置中
の素子あるいは配線上に端子電極が格子状にある場合の
接続で、接続部のピッチが２５０μｍピッチ以上はもち
ろんのこと、２５０μｍ以下になっても樹脂封止でき、
実装が行える。
【００１８】すなわち１つは従来では困難であった２５
０μｍピッチ以下のエリアの樹脂封止を可能にする。２
つめに、これにより、より高性能で信頼性の確保された
実装体が得られる。３つめに、狭ピッチ化により、同じ
ピン数でもチップサイズ縮小が可能になり、さらに低コ
スト化をはかることができる。
０μｍピッチ以下のエリアの樹脂封止を可能にする。２
つめに、これにより、より高性能で信頼性の確保された
実装体が得られる。３つめに、狭ピッチ化により、同じ
ピン数でもチップサイズ縮小が可能になり、さらに低コ
スト化をはかることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１の接続構造を示す概略
図である。
図である。
【図２】 本発明の実施の形態２の接続構造を示す概略
図である。
図である。
【図３】 本発明の実施の形態３の接続構造を示す概略
図である。
図である。
【図４】 本発明の実施の形態４の接続構造を示す概略
図である。
図である。
【図５】 本発明の実施の形態５の接続構造を示す概略
図である。
図である。
【図６】 本発明の実施の形態６の接続構造を示す概略
図である。
図である。
【図７】 本発明の実施の形態７の接続構造を示す概略
図である。
図である。
【図８】 本発明の実施の形態８の接続構造を示す概略
図である。
図である。
【図９】 従来技術の半田バンプを有する半導体装置の
断面図である。
断面図である。
１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１…端
子電極 １２、２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２…半
導体装置 １３、３３、５３、７３…接続部 ２３、４３、６３、８３…第１の接続部 １４，２４，３４，４４，５４，６４，７４，８４…入
出力端子電極 １５、３５、５５、７５…回路基板 ２５、４５、６５、８５…第１の回路基板 ２６、４６、６６、８６…入出力端子電極 ２７、４７、６７、８７…第２の接続部 ２８、４８、６８、８８…入出力端子電極 ２９、４９、６９、８９…第２の回路基板 １０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０…封
止樹脂 １１１…半田（Ｐｂ−Ｓｎ） １１２…Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物 １１３…Ｃｒ−Ｃｕ １１４…Ｃｒ １１５…ガラス保護膜 １１６…ＳｉＯ2膜 １１７…Ａｌ
子電極 １２、２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２…半
導体装置 １３、３３、５３、７３…接続部 ２３、４３、６３、８３…第１の接続部 １４，２４，３４，４４，５４，６４，７４，８４…入
出力端子電極 １５、３５、５５、７５…回路基板 ２５、４５、６５、８５…第１の回路基板 ２６、４６、６６、８６…入出力端子電極 ２７、４７、６７、８７…第２の接続部 ２８、４８、６８、８８…入出力端子電極 ２９、４９、６９、８９…第２の回路基板 １０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０…封
止樹脂 １１１…半田（Ｐｂ−Ｓｎ） １１２…Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物 １１３…Ｃｒ−Ｃｕ １１４…Ｃｒ １１５…ガラス保護膜 １１６…ＳｉＯ2膜 １１７…Ａｌ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 別所 芳宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E314 AA31 AA32 BB02 BB15 FF27 GG17 GG26 5F044 KK08 KK17 LL11 LL13 LL15 QQ02
Claims (15)
- 【請求項１】 格子状に端子電極を有する半導体装置と
入出力端子電極を有する回路基板と接続部と封止樹脂か
らなる接続構造であり、前記半導体装置の端子電極が接
続部を介して前記回路基板の入出力端子電極上に接続さ
れ、前記半導体装置と前記回路基板の間隙が封止樹脂で
満たされており、前記接続部は等間隔で格子状に存在
し、接続部の中心を通る断面で切ったときに、１つの接
続部の断面積をＳ１、隣り合う接続部間の隙間の断面積
をＳ２、縦の接続部の数をＮ１、横の接続部の数をＮ２
とすると、Ｓ１がＳ２より大きいか等しく、Ｎ２／Ｎ１
がＳ１／Ｓ２より大きいか等しいことを特徴とする接続
構造。 - 【請求項２】 前記接続部は２５０μｍ以下の等間隔で
格子状に存在することを特徴とする請求項１記載の接続
構造。 - 【請求項３】 端子電極を有する半導体装置と両面に入
出力端子電極を有する第１の回路基板と片面に入出力端
子電極を有する第２の回路基板と、前記半導体装置と第
１の回路基板を接続する第１の接続部と、前記第１の回
路基板と前記第２の回路基板を接続する格子状に存在す
る第２の接続部と封止樹脂とからなる接続構造であり、
前記半導体装置の端子電極が、第１の接続部を介して前
記第１の回路基板の入出力端子電極上に接続され、さら
に前記第１の回路基板が第２の接続部を介して前記第２
の回路基板の入出力端子電極上に接続され、前記第１の
回路基板と前記第２の回路基板の間隙が封止樹脂で満た
されており、前記第２の接続部は等間隔で格子状に存在
し、第２の接続部の中心を通る断面で切ったときに、１
つの第２の接続部の断面積をＳ３、隣り合う第２の接続
部間の隙間の断面積をＳ４、縦の第２の接続部の数をＮ
３、横の第２の接続部の数をＮ４とすると、Ｓ３がＳ４
より大きいか等しく、Ｎ４／Ｎ３がＳ３／Ｓ４より大き
いか等しいことを特徴とする接続構造。 - 【請求項４】 前記第２の接続部は２５０μｍ以下の等
間隔で格子状に存在することを特徴とする請求項３記載
の接続構造。 - 【請求項５】 請求項１に記載の接続構造に封止樹脂を
封入する方法であって、 前記横の接続部に対して垂直に封止樹脂を注入すること
を特徴とする封止樹脂の注入方法。 - 【請求項６】 請求項２に記載の接続構造に封止樹脂を
封入する方法であって、 前記横の第２の接続部に対して垂直に封止樹脂を注入す
ることを特徴とする封止樹脂の注入方法。 - 【請求項７】 格子状に端子電極を有する半導体装置と
入出力端子電極を有する回路基板と接続部と封止樹脂か
らなる接続構造であり、前記半導体装置の端子電極が接
続部を介して前記回路基板の入出力端子電極上に接続さ
れ、前記半導体装置と前記回路基板の間隙が封止樹脂で
満たされており、前記接続部は異なる間隔で格子状に存
在し、縦と横方向で接続部の中心を通る断面で切ったと
きに、１つの接続部の断面積をＳ５、隣り合う接続部間
の隙間の断面積をＳ６、縦の接続部の数をＮ５、横の接
続部の数をＮ６とすると、Ｓ５がＳ６より大きいものが
少なくとも１つは含まれており、隣り合う縦方向と横方
向の接続部間の隙間の断面積の和がＳ５×（２×Ｎ５×
Ｎ６−Ｎ５−Ｎ６）より大きいか等しいことを特徴とす
る接続構造。 - 【請求項８】 前記接続部は２５０μｍ以下の異なる間
隔で格子状に存在することを特徴とする請求項７記載の
接続構造。 - 【請求項９】 端子電極を有する半導体装置と両面に入
出力端子電極を有する第１の回路基板と片面に入出力端
子電極を有する第２の回路基板と、前記半導体装置と第
１の回路基板を接続する第１の接続部と、前記第１の回
路基板と前記第２の回路基板を接続する格子状に存在す
る第２の接続部と封止樹脂からなる接続構造であり、前
記半導体装置の端子電極が、第１の接続部を介して前記
第１の回路基板の入出力端子電極上に接続され、さらに
前記第１の回路基板が第２の接続部を介して前記第２の
回路基板の入出力端子電極上に接続され、前記第１の回
路基板と前記第２の回路基板の間隙が封止樹脂で満たさ
れており、前記第２の接続部は異なる間隔で格子状に存
在し、縦と横方向で第２の接続部の中心を通る断面で切
ったときに、１つの第２の接続部の断面積をＳ７、隣り
合う第２の接続部間の隙間の断面積をＳ８、縦の第２の
接続部の数をＮ７、横の第２の接続部の数をＮ４とする
と、Ｓ７がＳ８より大きいものが少なくとも１つは含ま
れており、隣り合う縦方向と横方向の第２の接続部間の
隙間の断面積の和がＳ７×（２×Ｎ７×Ｎ８−Ｎ７−Ｎ
８）より大きいか等しいことを特徴とする接続構造。 - 【請求項１０】 前記第２の接続部は２５０μｍ以下の
異なる間隔で格子状に存在することを特徴とする請求項
９記載の接続構造。 - 【請求項１１】 請求項５に記載の接続構造に封止樹脂
を封入する方法であって、 縦方向の隣り合う接続部の断面積の和と横方向の隣り合
う接続部の断面積の和のどちらか大きい方から封止樹脂
を注入することを特徴とする封止樹脂の注入方法。 - 【請求項１２】 請求項６に記載の接続構造に封止樹脂
を封入する方法であって、縦方向の隣り合う第２の接続
部の断面積の和と横方向の隣り合う第２の接続部の断面
積の和のどちらか大きい方から封止樹脂を注入すること
を特徴とする封止樹脂の注入方法。 - 【請求項１３】 前記接続部は導電性物質からなること
を特徴とする請求項１，７記載の接続構造。 - 【請求項１４】 前記第１の接続部は導電性物質からな
ることを特徴とする請求項３，９記載の接続構造。 - 【請求項１５】 前記第２の接続部は導電性物質からな
ることを特徴とする請求項３，９記載の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000162171A JP2001345347A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 接続構造及び樹脂封入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000162171A JP2001345347A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 接続構造及び樹脂封入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345347A true JP2001345347A (ja) | 2001-12-14 |
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ID=18666103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000162171A Pending JP2001345347A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 接続構造及び樹脂封入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001345347A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004134649A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Seiko Epson Corp | 回路基板、バンプ付き半導体素子の実装構造、及び電気光学装置、並びに電子機器 |
| JP2016157844A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000162171A patent/JP2001345347A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004134649A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Seiko Epson Corp | 回路基板、バンプ付き半導体素子の実装構造、及び電気光学装置、並びに電子機器 |
| KR100688850B1 (ko) * | 2002-10-11 | 2007-03-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 회로 기판, 범프 부착 반도체 소자의 실장 구조, 및 전기광학 장치, 및 전자 기기 |
| JP2016157844A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
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