JP2001345251A - 薄膜形成装置および薄膜除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】薄膜除去に必要な処理時間を従来よりも短くで
きるとともに、薄膜除去処理の簡略化を図ることができ
る薄膜形成装置及び薄膜除去装置の提供を目的としてい
る。 【解決手段】本発明の薄膜除去装置１２３は、基板の周
縁部の全長にわたって対向する対向面６８，７５と、こ
の対向面に形成され且つ基板の裏面の周縁部に対して溶
剤を噴き付ける複数の溶剤吐出口６６，７７とを有する
互いに対向する第１および第２のリムーバヘッド５２，
５４を備え、第１および第２のリムーバヘッドの対向面
６８，７５間に処理空間を形成するべく処理位置に向け
て第２のリムーバヘッド５４が移動され、前記処理位置
で溶剤吐出口６６，７７から溶剤を噴き付けることによ
り、処理空間内に位置された基板の全周縁部に残存する
不要な薄膜が一括して除去されることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば矩形のＬＣ
Ｄ基板にレジスト膜を形成するとともに、基板の周縁部
に付着した不要なレジスト膜を除去するための薄膜形成
装置および薄膜除去装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示装置の製造工程では、
ガラス基板の表面に例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
の薄膜や回路パターンを形成するため、半導体製造工程
の場合と同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。
この場合、例えば、レジスト液塗布処理によってガラス
基板の表面にレジスト液が塗布され、露光処理によって
ガラス基板上のレジスト膜に回路パターンが露光され、
現像処理によってレジスト膜に露光された回路パターン
が現像される。

【０００３】また、前記レジスト液塗布処理では、いわ
ゆるスピンコーティング方法が広く採用されている。こ
のスピンコーティング方法によれば、処理容器内に設け
られたスピンチャック上に基板が保持され、スピンチャ
ックが高速で回転されることにより、基板上に供給され
た溶剤と感光性樹脂とからなるレジスト液が遠心力によ
って拡散され、その結果、基板全面に亘って均一な厚さ
のレジスト膜が形成される。

【０００４】ところで、ＬＣＤの製造では、ＬＣＤ基板
が大型でかつ矩形状であることから、半導体ウエハと比
較して均一なレジスト膜の形成が一般に難しい。特にＬ
ＣＤ基板の４つの角部は中心から距離があるため、この
部分の周速はかなり高速となり、基板の周囲に乱気流が
発生するという不具合が生じる可能性がある。また、中
心部からかなり距離のある基板の角部にまでレジスト液
を均一に拡散させるためには、レジスト液中に含まれる
溶剤の揮発をできるだけ防止して拡散速度を一定にする
必要がある。このため、ＬＣＤ基板製造装置において
は、基板のみを回転させるのではなく、この基板を略密
閉収納するカップごと高速で回転させることで、溶剤の
揮発および乱気流の発生を防止しようとしている。

【０００５】また、スピンコーティング方法によりレジ
スト液塗布処理を行なった場合、塗布直後における膜厚
は均一であっても、時間が経過すると均一性が失われる
可能性がある。例えば、スピンチャックの回転が停止し
て遠心力が働かなくなった後、表面張力の影響によって
基板周縁部のレジスト液が盛り上がるように厚くなるこ
とがある。また、基板の表面に供給されたレジスト液が
基板の側面、及び下面の周縁部に回り込んで不要な膜が
形成されることがある。

【０００６】このように基板の周縁部に不均一な膜が形
成されると、回路パターン等の現像時に周縁部のレジス
トが完全に除去されずに残存することになり、その後の
処理に悪影響を与えたり、また、搬送中に残存レジスト
が剥がれてパーティクルが発生する虞がある。

【０００７】このため、従来、前記レジスト塗布装置に
よるレジスト液塗布直後に、エッジリムーバと呼ばれる
装置を使用して、基板周縁部の不要なレジスト膜を除去
する処理が行なわれている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、エッジリム
ーバによる従来のレジスト膜除去処理では、ＬＣＤ基板
の４つの辺がそれぞれ対応するリムーバヘッドによって
個々に処理される。具体的には、基板の４つの各辺に沿
ってリムーバヘッドが移動されて、各辺に残存する不要
なレジスト膜が順次に除去されていく。そのため、レジ
スト膜の除去処理のタクトタイムは一般に長くなる。特
に基板のサイズが大きい場合には、リムーバヘッドの１
辺当たりの移動時間が長くなるため、レジスト膜の除去
処理のタクトタイムはさらに長くなる。

【０００９】また、ＬＣＤ基板の４つの辺をそれぞれリ
ムーバヘッドによって個々に処理する場合には、リムー
バヘッドの動作制御が必要となる。特に、スピンチャッ
クの回転方向に対向する基板の４つの角部のレジスト膜
は、基板の他の周縁部のそれと比較して高く盛り上がる
傾向があるため、各辺の全長にわたってムラなくレジス
ト膜を除去するためには、基板に対するレジスト液の塗
布状態に応じてリムーバヘッドの例えば移動速度を制御
する必要がある。すなわち、例えば、レジスト膜が高く
盛り上がる角部ではリムーバヘッドの移動速度を遅くし
てレジスト膜を念入りに除去するとともに、それ以外の
移動経路では所定のタクト時間内に収まるようにリムー
バヘッドの移動速度を早くするようにする。しかし、こ
うしたリムーバヘッドの動作制御は複雑であり、速度の
設定の仕方によっては、タクトが狂ってしまい、他の処
理装置の処理速度に影響を及ぼし、ひいては、スループ
ットが低下することになり兼ねない。

【００１０】本発明は前記事情に着目してなされたもの
であり、その目的とするところは、薄膜除去に必要な処
理時間を従来よりも短くできるとともに、薄膜除去処理
の簡略化を図ることができる薄膜形成装置及び薄膜除去
装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に、本発明の主要な第１の観点によれば、基板に塗布液
を塗布して薄膜を形成する薄膜形成部と、基板の周縁部
に対して溶剤を吹き付けることにより基板の周縁部を覆
う不要な薄膜を除去する薄膜除去部とを備えた薄膜形成
装置において、前記薄膜除去部は、基板の裏面の周縁部
の少なくとも１辺とその全長にわたって対向する第１の
対向面と、この第１の対向面に形成され且つ基板の裏面
の周縁部に対して溶剤を噴き付ける複数の溶剤吐出口と
を有する少なくとも１つのストリップを備えた第１のリ
ムーバヘッドと、基板の表面の周縁部の少なくとも１辺
とその全長にわたって対向する第２の対向面と、この第
２の対向面に形成され且つ基板の表面の周縁部に対して
溶剤を噴き付ける複数の溶剤吐出口とを有する少なくと
も１つのストリップを備えた第２のリムーバヘッドとを
備え、基板の周縁部の不要な薄膜を除去するための処理
空間が前記第１の対向面と前記第２の対向面との間に形
成される処理位置に向けて前記第１のリムーバヘッドと
前記第２のリムーバヘッドの少なくとも一方が移動さ
れ、前記処理位置で前記溶剤吐出口から溶剤を噴き付け
ることにより、処理空間内に位置された基板の周縁部の
少なくとも１辺の全長にわたって残存する不要な薄膜が
一括して除去されることを特徴とする薄膜形成装置が提
供される。また、本発明の主要な第２の観点によれば、
基板の周縁部に対して溶剤を吹き付けることにより基板
の周縁部を覆う不要な薄膜を除去する薄膜除去装置にお
いて、基板の裏面の周縁部の少なくとも１辺とその全長
にわたって対向する第１の対向面と、この第１の対向面
に形成され且つ基板の裏面の周縁部に対して溶剤を噴き
付ける複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも１つのス
トリップを備えた第１のリムーバヘッドと、基板の表面
の周縁部の少なくとも１辺とその全長にわたって対向す
る第２の対向面と、この第２の対向面に形成され且つ基
板の表面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける複数の溶剤
吐出口とを有する少なくとも１つのストリップを備えた
第２のリムーバヘッドとを備え、基板の周縁部の不要な
薄膜を除去するための処理空間が前記第１の対向面と前
記第２の対向面との間に形成される処理位置に向けて前
記第１のリムーバヘッドと前記第２のリムーバヘッドの
少なくとも一方が移動され、前記処理位置で前記溶剤吐
出口から溶剤を噴き付けることにより、処理空間内に位
置された基板の周縁部の少なくとも１辺の全長にわたっ
て残存する不要な薄膜が一括して除去されることを特徴
とする薄膜除去装置が提供される。前記構成の薄膜形成
装置および薄膜除去装置においては、特に前記基板が４
つの辺を有する矩形状に形成されている場合、第１およ
び第２のリムーバヘッドの前記ストリップが矩形の枠体
として形成され、前記処理位置で基板の全周縁部を一括
して処理することが望ましい。また、第１のリムーバヘ
ッドのストリップと第２のリムーバヘッドのストリップ
の一方は、他方に対して回動可能に連結され、前記処理
位置と処理位置から離れた退避位置との間で回動操作さ
れるようになっていても良い。また、第１のリムーバヘ
ッドと第２のリムーバヘッドの一方が基板の４つの辺に
対応した４つのストリップを備え、これらの４つのスト
リップは、他方のリムーバヘッドの対応するストリップ
に対して回動可能に連結され、前記処理位置と処理位置
から離れた退避位置との間で個別に回動操作されても良
い。また、第１のリムーバヘッドのストリップと第２の
リムーバヘッドのストリップの少なくとも一方が前記処
理位置に向けて水平もしくは上下に移動されるようにな
っていても良い。また、第１のリムーバヘッドと第２の
リムーバヘッドの一方が基板の４つの辺に対応した４つ
のストリップを備え、これらの４つのストリップは、他
方のリムーバヘッドの対応するストリップに対して個別
に水平に移動されることにより、前記処理位置に位置さ
れるようになっていても良い。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について詳細に説明する。

【００１３】図１〜図７は本発明をＬＣＤ基板の塗布現
像処理システム１に適用した第１の実施形態を示してい
る。この塗布現像処理システム１は、ＬＣＤ基板に対し
てレジスト液を塗布した後、図に２で示す露光システム
（ＥＸＰ）に一旦受け渡し、この露光システム２によっ
て露光処理された後の基板を再度受け取って現像処理を
行なう。

【００１４】このような一連の処理を行なうため、この
塗布現像処理システム１は、ＬＣＤ基板のローディング
およびアンローディングを行なうためのローダ／アンロ
ーダ部（Ｌ／ＵＬ）３と、基板洗浄処理を行なうための
第1プロセス部４と、レジスト液の塗布（コーティン
グ）および周縁レジスト除去処理等を行なうための第２
プロセス部５と、現像処理を行なうための第３プロセス
部６と、露光システム２との間で基板の受け渡しを行な
うためのインターフェース部（Ｉ／Ｆ）７とを備えてい
る。

【００１５】ローダ／アンローダ部３は、カセット載置
台１０と搬送部（Ｃ／Ｓ）１１とを備えている。カセッ
ト載置台１０上には２種類のカセットＣ１，Ｃ２が載置
されている。例えば、第１のカセットＣ１には処理前の
ＬＣＤ基板が収納され、第２のカセットＣ２には処理後
のＬＣＤ基板が収納される。

【００１６】また、搬送部１１には、第1のサブアーム
機構１３が設けられている。この第1のサブアーム機構
１３は、基板を保持できる例えばアーム１４を有し、こ
のアーム１４を旋回させ進退させ上下させることによ
り、第１のカセットＣ１に収納された基板を取り出して
第１のプロセス部４側に受け渡せるようになっている。
なお、全ての処理が終了した基板は、この第１のサブア
ーム機構１３によって、例えば第１のプロセス部４側か
ら第２のカセットＣ２へと収納される。

【００１７】第１のプロセス部４は、第１のサブアーム
機構１３から基板を受け取る第１のメインアーム機構１
５を有している。このメインアーム機構１５は、Ｙ方向
に沿って延設された第１の中央搬送路１６上を走行する
ベース１７と、このベース１７上で旋回、進退、上下駆
動される例えばアーム１８とを備えている。

【００１８】第１のメインアーム機構１５の一方側に
は、中央搬送路１６に沿って、例えばブラシスクラバか
らなる２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）１９が設けられて
いる。また、第１のメインアーム機構１５の他方側に
は、中央搬送路１６に沿って、例えばホットプレートを
備える加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）２０と、紫外
線洗浄装置からなる乾式洗浄ユニット（ＵＶ）２１と、
例えばクーリングプレートを備える冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）２２とがそれぞれ設けられている。

【００１９】ここで、明細書中、「加熱／加熱ユニット
（ＨＰ／ＨＰ）」の表記は、ホットプレートを有する加
熱ユニットが例えば上下２段に積み上げて設置されてい
ることを示している（図中には、上下２段で表記されて
いる。以下同じ）。また、図中、加熱ユニットを表すＨ
Ｐおよび冷却ユニットを表すＣＯＬの後に付された数字
（「ＨＰ１」や「ＣＯＬ１」等）は、加熱処理若しくは
冷却処理の種類若しくは順序を示している。

【００２０】第１のメインアーム機構１５は、ローダ／
アンローダ部３から受け取った基板を各処理ユニット１
９〜２２に搬入するとともに、必要な処理が施された基
板を各処理ユニット１９〜２２から取り出して順次別の
処理ユニット１９〜２２若しくは第２のプロセス部５に
搬送するようになっている。

【００２１】一方、第２のプロセス部５は、Ｙ方向に沿
って延設された第２の中央搬送路２３上を走行する第２
のメインアーム機構２４を備えている。この第２のメイ
ンアーム機構２４は、第１のメインアーム機構１５と同
様に構成されたベース２５およびアーム２６を有してい
る。

【００２２】また、この第２のメインアーム機構２４の
一方側には、塗布系ユニット群１００が設けられてい
る。この塗布系ユニット群１００は、基板にレジスト液
を塗布するレジスト液塗布処理ユニット（ＣＴ）１２２
と、レジスト液が塗布された基板を乾燥処理する減圧乾
燥処理ユニット（ＤＰ）１４０と、乾燥後の基板の周縁
部の不要レジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）１
２３とから成り、これらは互いに一体となって第２の中
央搬送路２３に沿って配列されている。また、第２のメ
インアーム機構２４の他方側には、第２の中央搬送路２
３に沿って、基板表面の疎水化処理を行なうためのアド
ヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）２９と、加
熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）３０と、加熱／冷却ユ
ニット（ＨＰ／ＣＯＬ）３１とが配置されている。

【００２３】第２のメインアーム機構２４は、第１のプ
ロセス部４から受け取った基板を各処理ユニット２９〜
３１、１００に搬入し、必要な処理が施された基板を各
処理ユニット２９〜３１、１００から取り出して順次別
の処理ユニット２９〜３１、１００若しくは第３のプロ
セス部６側に搬送するようになっている。

【００２４】第３のプロセス部６は、Ｙ方向に沿って延
設された第３の中央搬送路３３上を走行する第３のメイ
ンアーム機構３４を備えている。この第３のメインアー
ム機構３４は、第１および第２のメインアーム機構１
５，２４と同様に構成されたベース３５およびアーム３
６を有している。

【００２５】この第３のメインアーム機構３４の一方側
には、露光処理後のＬＣＤ基板を現像処理するための３
つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）３８が第３の中央搬送
路３３に沿って設けられている。また、第３のメインア
ーム機構３４の他方側には、第３の中央搬送路３３に沿
って、タイトリングを行なうタイトラー（ＴＩＴＬＥ
Ｒ）３９と、加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）４０
と、２つの加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４１と
が配設されている。

【００２６】第３のメインアーム機構３４は、第２のプ
ロセス部５から受け取ったレジスト液塗布済みの基板を
露光システム２側（インターフェース部７）に移送する
とともに、露光済みの基板を露光システム２側から受け
取る。また、第３のメインアーム機構３４は、露光済み
の基板を各処理ユニット３８〜４１に搬入するととも
に、必要な処理が施された基板を各処理ユニット３８〜
４１から取り出して順次別の処理ユニット３８〜４１若
しくは第２のプロセス部５側に搬送するようになってい
る。

【００２７】なお、図１に示されるように、第１のプロ
セス部４と第２のプロセス部５との間および第２のプロ
セス部５と第３のプロセス部６との間にはそれぞれ冷却
ユニット（ＣＯＬ）４２，４３が設けられている。これ
らの冷却ユニット４２，４３は処理中の基板を一時的に
待機させておくために用いられる。

【００２８】また、インターフェース部７は、バッファ
ーカセット（ＢＣ）および第２のサブアーム機構４６を
有する搬送・待機部４７と、第２のサブアーム機構４６
と露光システム２との間で基板の受け渡しを行なわせる
ための受け渡し台（図示せず）を有する受け渡し部４９
とからなる。

【００２９】このインターフェース部７は、第２のプロ
セス部５から第３メインアーム機構３４を介して受け取
ったレジスト液塗布済みの基板を露光システム２側に移
送させるとともに、露光済みの基板を露光システム２か
ら受け取って第３のプロセス部６に受け渡す機能を有す
る。

【００３０】次に、前記構成の塗布現像処理システム１
における処理手順を図２のフローチャートを参照しなが
ら説明する。なお、フローチャート内の英字記号は、図
１の同符号が付されたユニットで処理が行なわれること
を意味している。

【００３１】まず、載置台１０上の第１のカセットＣ１
内に収納された未処理の基板が、ローダ／アンローダ部
３から搬送部（Ｃ／Ｓ）１１を介して第１のプロセス部
４の第１のメインアーム機構１５に受け渡される（ステ
ップＳ１，Ｓ２）。次いで、この基板は、乾式洗浄装置
（ＵＶ）２１によって紫外線洗浄され（ステップＳ
３）、その後、冷却ユニット２２による第１の冷却処理
（ＣＯＬ１）によって冷却される（ステップＳ４）。

【００３２】次に、第１の冷却処理が施された基板は、
湿式洗浄装置１９によってブラシ洗浄（ＳＣＲ）され
（ステップＳ５）、加熱ユニット２０による第１の加熱
処理（ＨＰ１）によって乾燥された後（ステップＳ
６）、冷却ユニット２２による第２の冷却処理によって
冷却される（ステップＳ７）。そして、この基板は、そ
の後、第１のメインアーム機構１５から第２のプロセス
部５の第２のメインアーム機構２４へと受け渡される。

【００３３】第２のプロセス部５に受け渡された基板
は、アドヒージョン処理ユニット２９によって、表面の
疎水化処理（ＡＤ）が行われた後（ステップＳ８）、第
３の冷却処理（ＣＯＬ３）が施される（ステップＳ
９）。次いで、疎水化処理後の基板は、塗布系ユニット
群１００に導入され，レジスト液塗布（ＣＴ）、減圧乾
燥処理（ＤＰ）および基板周縁の不要なレジスト液の除
去（ＥＲ）が行われる（ステップＳ１０）。

【００３４】このように処理された基板は、加熱ユニッ
ト３０，３１に挿入され、ベーキング処理（ＨＰ２）が
施される(ステップＳ１１)。これにより、基板に塗布さ
れたレジスト液に含まれる溶剤が揮発される。次いで、
この基板が冷却ユニットに搬入されて略室温まで冷却
（ＣＯＬ４）される（ステップＳ１２）。その後、この
基板は、第２のメインアーム機構２４から第３のメイン
アーム機構３４を介してインターフェース部７に搬送さ
れ、露光システム２に受け渡される（ステップＳ１
３）。そして、この露光システム２において露光処理
（ＥＸＰ）が施される（ステップＳ１４）。

【００３５】露光処理が行なわれた基板は、インターフ
ェース部７と第３のメインアーム機構３４とを介してタ
イトラー３９に挿入されタイトリング処理が行なわれる
（ステップＳ１５）。

【００３６】その後、基板は、現像処理装置３８に導入
されて現像処理（ＤＥＶ）が行なわれる（ステップＳ１
６）。この現像処理ユニット３８では、例えば基板が回
転された状態で基板上に現像液が供給されて現像が行な
われる。また、リンス液で現像液が洗い流された後、振
り切り乾燥が行なわれる。

【００３７】最後に、基板は、この基板に対向する加熱
／加熱ユニット４０もしくは加熱／冷却ユニット４１に
挿入され、第３の加熱処理（ＨＰ３）によって加熱乾燥
された後（ステップＳ１７）、第５の冷却処理（ＣＯＬ
５）により冷却される（ステップＳ１８）。

【００３８】以上の処理が全て施された基板は、第３の
メインアーム機構３４から、第２および第１のメインア
ーム機構２４，１５を介して搬送部１１（Ｃ／Ｓ）に設
けられた第１のサブアーム機構１３に受け渡される（ス
テップＳ１９）。そして、この第１のサブアーム機構１
３によってローダ／アンローダ部３に載置された第２の
カセットＣ２内に収容される（ステップＳ２０）。

【００３９】次に、図３を参照しながら、塗布系処理ユ
ニット群１００について説明する。

【００４０】図示のように、塗布系処理ユニット群１０
０を構成するレジスト液塗布処理ユニット（ＣＴ）１２
２と減圧乾燥処理ユニット（ＤＰ）１４０とエッジリム
ーバ（ＥＲ）１２３は、同一のステージに一体的に並設
されている。また、ステージ上には、基板Ｇを各ユニッ
ト１２２，１４０，１２３間で搬送するための搬送アー
ム１４１，１４２が設けられている。具体的には、レジ
スト液塗布処理ユニット（ＣＴ）１２２でレジスト液が
塗布された基板Ｇは、一対の搬送アーム１４１により減
圧乾燥処理ユニット（ＤＰ）１４０に搬送され、この減
圧乾燥処理ユニット（ＤＰ）１４０で乾燥処理された
後、一対の搬送アーム４２によりエッジリムーバ（Ｅ
Ｒ）１２３に搬送されるようになっている。

【００４１】レジスト液塗布処理ユニット（ＣＴ）１２
２は、基板Ｇを吸着保持する水平回転可能なスピンチャ
ック１５１と、このスピンチャック１５１の上端部を囲
み且つスピンチャック１５１に吸着保持された基板Ｇを
包囲して上端部が開口する有底円筒状の回転カップ１５
２と、この回転カップ１５２の上端開口に被せられる蓋
体（図示せず）と、回転カップ１５２の外周を取り囲む
ように固定配置されるドレンカップ１５３とを有してい
る。なお、ドレンカップ１５３の外周には、アウターカ
バー１５４が設けられている。

【００４２】また、レジスト液塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）１２２は、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板Ｇにレジス
ト液を吐出するためのレジスト液吐出ノズルアーム１５
５を有している。このレジスト液吐出ノズルアーム１５
５は、レジスト液吐出ノズル１５６とシンナー吐出ノズ
ル１５７とをその先端に有しており、レジスト液滴下時
には各吐出ノズル１５６，１５７が基板Ｇの中心へと移
動されるように動作される。なお、各吐出ノズル１５
６，１５７は、レジスト液供給管（図示せず）を介し
て、レジスト液供給部（図示せず）に接続されている。

【００４３】減圧乾燥処理ユニット（ＤＰ）１４０は、
下部チャンバ１６１と、その上を覆うように設けられ且
つユニット内部の処理空間を気密に維持する上部チャン
バ（図示せず）とを有している。下部チャンバ１６１に
は、基板Ｇを載置するためのステージ１６３が設けら
れ、下部チャンバ１６１の各コーナー部には、４個の排
気口１６４が設けられ、この排気口１６４に連通された
排気管がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ（図示せ
ず）に接続されている。この構成では、下部チャンバ１
６１と上部チャンバとが密着した状態で排気口１６４を
通じた排気が行なわれると、上下のチャンバによって形
成されるユニット１４０の処理空間内が所定の真空度ま
で減圧される。

【００４４】エッジリムーバ（ＥＲ）１２３は、図４〜
図７に詳しく示されるように、ステージ側に例えば固定
的に取り付けられた下側の第１のリムーバヘッド５２
と、この第１のリムーバヘッド５２に対して上下動可能
で且つ第１のリムーバヘッド５２と組み合わされて基板
Ｇの周縁部の不要レジストを除去するための処理空間Ｓ
（図７参照）を形成する上側の第２のリムーバヘッド５
４とから成る。第１のリムーバヘッド５２は矩形状の枠
体から成る。具体的には、第１のリムーバヘッド５２
は、処理される基板Ｇを外側から取り囲む（図５参照）
矩形状の外側枠部５２Ａと、この外側枠部５２Ａの内側
に設けられ且つ基板Ｇの裏面（レジスト液が供給される
基板Ｇの表面と反対側の面）の周縁部と対向する矩形状
の内側枠部５２Ｂとから成る。外側枠部５２Ａは、Ｘ方
向およびＹ方向に延びる４つのストリップ（側板）５２
ａ〜５２ｄによって枠状に形成されており、これによ
り、処理される基板Ｇを内側に受け入れるための第１の
開口５３を形成している。また、第２のリムーバヘッド
５４と対向する各ストリップ５２ａ〜５２ｄの上面は、
第２のリムーバヘッド５４の対応する面（後述する）と
当接する例えば平滑な当接面５６として形成されてい
る。また、各ストリップ５２ａ〜５２ｄにはその側方か
ら複数の吸引管６０が接続されており、各吸引管６０の
吸引口６０ａは外側枠部５２Ａの内側で開口している。
なお、複数の吸引管路６０は例えば一括して真空ポンプ
等の吸引源（図示せず）に接続されている。

【００４５】内側枠部５２Ｂは、吸引口６０ａの下側か
ら外側枠部５２Ａの内側に向かって所定幅で延出すると
ともに、外側枠部５２Ａの４つの各ストリップ５２ａ〜
５２ｄに沿って枠状に延在しており、これにより、処理
される基板Ｇの裏面の周縁部と対向する矩形の対向面６
８を吸引口６０ａに隣接して形成するとともに、処理さ
れる基板Ｇを載置するための載置台５０が昇降できる第
２の開口５９を内側に形成している。また、各ストリッ
プ５２ａ〜５２ｄに沿って延びる対向面６８には、その
長手方向に沿って所定の間隔で複数の溶剤吐出口６６が
設けられている。この溶剤吐出口６６は、内側枠部５２
Ｂ内に形成された溶剤通路を介して、外側枠部５２Ａの
例えば４つの角部に接続された溶剤供給管６１に連通さ
れている。具体的に説明すると、図７に示されるよう
に、内側枠部５２Ｂ内には、不要レジストを除去するた
めの溶剤が通る溶剤通路６２が形成されている。この溶
剤通路６２は、内側枠部５２Ｂの全長にわたって延び或
いは対応する溶剤供給管６１からそれぞれ溶剤を受ける
４つの区分通路を形成するように延びている（後者の場
合、各区分通路は、例えば、対応する各ストリップ５２
ａ〜５２ｄの略長さ分だけ延びている）。また、溶剤吐
出口６６は、対向面６８側から溶剤通路６２に達する孔
を内側枠部５２Ｂに穿設して形成しても良いが、図７に
具体的に示されているように、溶剤通路６２を対向面６
８で開口するように形成するとともに、溶剤通路６２の
開口を塞ぐように蓋体６５を対向面６８に着脱自在に取
り付け、この蓋体６５に溶剤吐出口６６を設けて溶剤通
路６２に接続させるようにすれば、メンテナンスの容易
化等を図ることができる。また、内側枠部５２Ｂの端部
には、処理される基板Ｇの裏面と例えば接触して処理空
間Ｓを液密に保持するシール部材７０が設けられてい
る。なお、溶剤供給管６１は、例えばタンクなどの溶剤
供給源に接続されており、窒素ガス等による圧送によっ
て溶剤を所定圧で供給する。また、シール部材７０は、
弾性材料によって形成されて内側枠部５２Ｂに着脱自在
に取り付けられていても良いが、内側枠部５２Ｂと同質
の材料によって一体に形成されていても良い。また、結
露防止のため、蓋体６５は断熱材によって形成されてい
ても良い。また、例えば溶剤吐出孔６６の直径は６０μ
ｍ〜２６０μｍ程度であり、隣合う溶剤吐出孔６６同士
の間隔は例えば２ｍｍ程度に設定されている。

【００４６】一方、第２のリムーバヘッド５４も矩形状
の枠体から成る。具体的には、図４に示されるように、
第２のリムーバヘッド５４は、Ｘ方向およびＹ方向に延
びる４つのストリップ（側板）５４ａ〜５４ｄによって
枠状に形成されており、これにより、第１のリムーバヘ
ッド５２の第２の開口５９と略同じ大きさの開口５７を
形成している。また、図７に詳しく示されるように、第
１のリムーバヘッド５２と対向する各ストリップ５４ａ
〜５４ｄの下面は、第１のリムーバヘッド５２の当接面
５６と当接する外側の当接部７４と、処理される基板Ｇ
の表面の周縁部と対向する内側の対向部７５とから成
る。この場合、対向部７５は、第１のリムーバヘッド５
２の対向面６８と対向して、その間に、基板Ｇの周縁部
の不要レジストを除去するための処理空間Ｓを形成す
る。なお、枠状に延びる第２のリムーバヘッド５４の当
接部７４と第１のリムーバヘッド５２の当接面５６のい
ずれか一方（本実施形態では、第１のリムーバヘッド５
２の当接面５６）の表面には、処理空間Ｓを液密に保持
するためのシール部材８２が設けられている。また、枠
状に延びる対向部７５には、その長手方向に沿って所定
の間隔で複数の溶剤吐出口７７が設けられている。この
溶剤吐出口７７は、第２のリムーバヘッド５４内に形成
された溶剤通路を介して、第２のリムーバヘッド５４の
例えば４つの角部に接続された溶剤供給管６１に連通さ
れている。具体的に説明すると、図７に示されるよう
に、第２のリムーバヘッド５４内には、不要レジストを
除去するための溶剤が通る溶剤通路７８が形成されてい
る。この溶剤通路７８は、枠状の第２のリムーバヘッド
５４の全長にわたって延び或いは対応する溶剤供給管６
１からそれぞれ溶剤を受ける４つの区分通路を形成する
ように延びている（後者の場合、各区分通路は、例え
ば、対応する各ストリップ５４ａ〜５４ｄの略長さ分だ
け延びている）。また、溶剤吐出口７７は、対向部７５
側から溶剤通路７８に達する孔を第２のリムーバヘッド
５４に穿設して形成しても良いが、第１のリムーバヘッ
ド５２の場合と同様に、溶剤通路７８を対向部７５で開
口するように形成するとともに、溶剤通路７８の開口を
塞ぐように蓋体７６を対向部７５に着脱自在に取り付
け、この蓋体７６に溶剤吐出口７７を設けて溶剤通路７
８に接続させるようにすれば、メンテナンスの容易化等
を図ることができる（図７参照）。また、対向部７５の
端部には、処理される基板Ｇの表面と近接あるいは接触
して処理空間Ｓを液密に保持するシール部７２が下方に
向けて突設されている。なお、このシール部７２は、弾
性材料によって形成されて第２のリムーバヘッド５４に
着脱自在に取り付けられていても良いが、第２のリムー
バヘッド５４と同質の材料によって一体に形成されてい
ても良い。また、結露防止のため、蓋体７６は断熱材に
よって形成されていても良い。また、第２のリムーバヘ
ッド５４は、これを第１のリムーバヘッド５２に対して
上下動させる昇降駆動機構８０に連結されている。

【００４７】次に、前記構成の塗布系処理ユニット群１
００によって基板Ｇを処理する場合について説明する。

【００４８】まず、レジスト液塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）では、処理容器としての回転カップ１５２内で、基
板Ｇがスピンチャック１５１によって吸着保持される。
続いて、回転カップ１５２の上端開口に被せられる蓋体
が開かれ且つスピンチャック１５１によって基板Ｇが回
転された状態で、レジスト吐出ノズルアーム１５５が基
板Ｇの中心まで回動されて、シンナーノズル１５７が基
板Ｇの中心に到達され、基板Ｇの表面にシンナーが供給
される。次いで、レジスト液のノズル１５６がスピンチ
ャック１５１の中心（基板Ｇの中心）に到達されて、基
板Ｇの中心にレジスト液が滴下される。この時、同時
に、基板Ｇが高速回転され、遠心力によってレジスト液
が基板Ｇの中心からその周囲全域にむらなく広げられ
る。また、蓋体によりカップ１５２内が密閉された状態
で、さらに基板Ｇが高速回転されて、膜厚が整えられ
る。なお、基板Ｇの回転は、スピンチャック１５１をカ
ップ１５２ごと高速回転させることにより行なわれる。
すなわち、このように基板Ｇを回転させながらレジスト
液を塗布する手法は、半導体ウエハ上に回路パターンを
形成する場合にも採用されているが、ＬＣＤの製造にお
いては、ＬＣＤ基板Ｇが大型で且つ矩形であることか
ら、半導体ウエハと比較して均一なレジスト膜の形成が
難しいということがある。特に、４つの角部は回転中心
から距離があるため、この部分の周速はかなり高速にな
り、基板Ｇの周囲に乱気流が発生するという不具合が生
じる可能性がある。また、基板Ｇの角部にまでレジスト
液を均一に拡散させるには、レジスト液中に含まれる溶
剤の揮発をできるだけ防止して、拡散速度を一定にする
必要がある。このため、ＬＣＤ基板製造装置において
は、基板Ｇのみを回転させるのではなく、この基板Ｇを
カップ１５２内に密閉収納し、このカップ１５２ごと高
速で回転させることで、溶剤の揮発および乱気流の発生
を防止するようにしている。レジスト液が塗布された基
板Ｇは、搬送アーム１４１により減圧乾燥処理ユニット
（ＤＰ）１４０に搬送される。減圧乾燥処理ユニット
（ＤＰ）１４０では、下部チャンバ１６１と上部チャン
バとによって形成される処理室内のガスが排気され、処
理室内が所定の真空度に減圧される。これにより、レジ
スト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジ
スト液中の溶剤が徐々に放出される。したがって、レジ
スト液に悪影響を与えることなくレジスト液の乾燥が促
進され、基板Ｇ上に転写が生じることが有効に防止され
る。

【００４９】このようにして乾燥された基板Ｇは、搬送
アーム１４２によりエッジリムーバー（ＥＲ）１２３へ
と搬送される。この時、搬送アーム１４２は、第１のリ
ムーバヘッド５２の第１および第２の開口５３，５９を
通じて所定の高さまで上昇した載置台５０上に基板Ｇを
受け渡す。その後、基板Ｇを保持した載置台５０が下降
され、基板Ｇが第１のリムーバヘッド５２の内側の処理
位置へと導入される。この処理位置において、基板Ｇ
は、外側枠部５２Ａによって外側から取り囲まれるとと
もに、その裏面の周縁部が内側枠部５２Ｂの対向面６８
から所定の距離に保持される。その状態が図５および図
７に示されている。図示のように、この状態では、基板
Ｇの裏面に回り込んだレジスト膜Ｃと溶剤吐出口６６と
が対向するように基板Ｇの裏面の周縁部が対向面６８と
所定の距離を存して対向されるとともに、基板Ｇの裏面
の周縁部近傍がシール部材７０に当接される。

【００５０】このようにして基板Ｇが第１のリムーバヘ
ッド５２内の処理位置に保持されたら、続いて、昇降駆
動機構８０が駆動されて、第２のリムーバヘッド５４が
下降され、第１のリムーバヘッド５２上に第２のリムー
バヘッド５４が重ね合わされる。その状態が図６および
図７に示されている。この状態では、第２のリムーバヘ
ッド５４の当接部７４が第１のリムーバヘッド５２の当
接面５６に当接されるとともに、第２のリムーバヘッド
５４の対向部７５が第１のリムーバヘッド５２の対向面
６８との間で基板Ｇの周縁部を挟み込むように基板Ｇの
表面の周縁部と所定の距離を存して対向される。すなわ
ち、基板Ｇの周縁部の不要レジストを除去するための処
理空間Ｓが対向部７５と対向面６８との間に形成され、
基板Ｇの全周縁部が一度に処理空間Ｓ内に位置される。
なお、この時、第１のリムーバヘッド５２の当接面５６
と第２のリムーバヘッド５４の当接部７４との間に介挿
されたシール部材８２と対向部７５の端部に設けられた
シール部７２は、シール部材７０と協働して、処理空間
Ｓを液密に保持する。

【００５１】図７の状態で、例えばタンクなどの溶剤供
給源から溶剤供給管６１を介して溶剤が溶剤通路６２，
７８内に流れ込み、溶剤吐出口６６，７７から基板Ｇの
周縁部の表裏の両面に溶剤が噴き付けられる。すなわ
ち、基板Ｇの全周縁部（４辺）の不要レジスト膜が一度
に一括して同時に除去される。なお、溶剤は、窒素ガス
等による圧送によって所定圧で供給される。この場合、
前記タンクに加えられる窒素ガスの圧力は例えば約１ｋ
ｇ／ｃｍ^２程度であり、これによって、例えば毎分４０
ｍｌ程度の溶剤が基板Ｇの表裏面の周縁部に対して吐出
されるとともに、不要なレジスト膜が溶解されて基板Ｇ
上から除去される。また、吐出された溶剤や溶解したレ
ジスト液は、吸引口６０ａから吸引管６０を通じて吸引
されて、外部へと排出される（図７中の矢印参照）。そ
の後、不要レジストが除去された基板Ｇは、前述したよ
うに、露光・現像処理される。以上説明したように、本
実施形態においては、矩形状の枠体から成る一対のリム
ーバヘッド５２，５４によって基板Ｇの全周縁部を一度
に挟み込んで、基板Ｇの４辺を一度に一括して同時に処
理するようにしたため、従来のように基板の４つの各辺
に沿ってリムーバヘッドを移動させて基板の４つの辺を
順次に（個々に）処理する場合に比べ、処理時間を大幅
に短縮することが可能になる。また、本実施形態では、
薄膜除去処理時に、第２のリムーバヘッド５４が第１の
リムーバヘッド５２と当接する処理位置まで下降され、
その処理位置に保持された状態で、溶剤の供給動作が行
なわれる。すなわち、従来のように基板の４つの辺に沿
ってリムーバヘッドを移動させる必要がなく、第２のリ
ムーバヘッド５４を単に上下動させるだけで処理作業を
行なうことができるため、リムーバヘッドの複雑な動作
制御が不要であり、薄膜除去処理の簡略化を図ることが
できる。

【００５２】図８は本発明の第２の実施形態を示してい
る。なお、本実施形態は第１の実施形態の変形例である
ため、第１の実施形態と共通する構成部分については、
以下、同一符号を付してその説明を省略する。

【００５３】本実施形態では、第２のリムバヘッド５４
を構成する各ストリップ５４ａ〜５４ｄがそれぞれ第１
のリムーバヘッド５２の対応するストリップ５２ａ〜５
２ｄに例えばヒンジ結合によって回動可能に連結され、
駆動機構８５によって個別にもしくは一体で回動動作さ
れるようになっている。なお、それ以外の構成は第１の
実施形態と同一である。

【００５４】このような構成では、第２のリムーバヘッ
ド５４を構成する各ストリップ５４ａ〜５４ｄが上側に
起こされるように回動された状態で、搬送アーム１４２
によって基板Ｇが載置台５０上に受け渡される。そし
て、処理時には、駆動機構８５を介して各ストリップ５
４ａ〜５４ｄが下側に回動されて第１のリムーバヘッド
５２の対応するストリップ５２ａ〜５２ｄとともに処理
空間Ｓを形成する。すなわち、第１の実施形態と同様
に、一度に一括して同時に基板Ｇの薄膜除去処理を行な
うことができる。また、互いに隣合うストリップ５４ａ
〜５４ｄの端部同士が干渉するように形成されている場
合には、まず最初に、対向する１組のストリップ５４
ａ，５４ｃを下側に回動させて対応する基板Ｇの２辺の
処理を行ない、その後に、これらのストリップ５４ａ，
５４ｃを上側に回動させるとともに残る１組のストリッ
プ５４ｂ，５４ｄを下側に回動させて、基板Ｇの残る２
辺の処理を行なうようにしても良い。すなわち、基板Ｇ
の対向する２組の辺を交互に処理するようにしても良
い。このように、本実施形態によれば、第１の実施形態
と同様の作用効果を得ることができるとともに、第２の
リムーバヘッド５４の各ストリップ５４ａ〜５４ｄを個
別に回動動作させて基板Ｇの各辺の全長を個別に処理空
間Ｓ内に位置させることができるため、基板Ｇに対する
レジスト液の塗布状態等に応じて基板Ｇの各辺を個別に
処理することができ、状況に応じた柔軟な対応が可能に
なる。

【００５５】図９は本発明の第３の実施形態を示してい
る。なお、本実施形態は第１の実施形態の変形例である
ため、第１の実施形態と共通する構成部分については、
以下、同一符号を付してその説明を省略する。

【００５６】本実施形態では、第２のリムバヘッド５４
を構成する各ストリップ５４ａ〜５４ｄがそれぞれ個別
に水平に移動されて第１のリムーバヘッド５２の対応す
るストリップ５２ａ〜５２ｄに組み合わされるようにな
っている。具体的には、各ストリップ５４ａ〜５４ｄ
は、水平移動機構９０に連結されており、水平移動機構
９０を介して対応するストリップ５２ａ〜５２ｄに向け
て水平に移動されると、図７に示されるように対応する
ストリップ５２ａ〜５２ｄとともに処理空間Ｓを形成す
る処理位置に位置されるようになっている。なお、それ
以外の構成は第１の実施形態と同一である。

【００５７】このような構成では、第２のリムーバヘッ
ド５４を構成する各ストリップ５４ａ〜５４ｄが第１の
リムーバヘッド５２の対応するストリップ５２ａ〜５２
ｄから水平方向に退避された状態で、搬送アーム１４２
によって基板Ｇが載置台５０上に受け渡される。そし
て、処理時には、水平移動機構９０を介して各ストリッ
プ５４ａ〜５４ｄが個別にもしくは一体で対応するスト
リップ５２ａ〜５２ｄに向けて水平に移動されてストリ
ップ５２ａ〜５２ｄとともに処理空間Ｓを形成する。す
なわち、第１の実施形態と同様に、一度に一括して同時
に基板Ｇの薄膜除去処理を行なうことができる。また、
互いに隣合うストリップ５４ａ〜５４ｄの端部同士が干
渉するように形成されている場合には、まず最初に、対
向する１組のストリップ５４ａ，５４ｃを対応するスト
リップ５２ａ，５２ｃに向けて水平に移動させて対応す
る基板Ｇの２辺の処理を行ない、その後に、これらのス
トリップ５４ａ，５４ｃを水平方向に退避させるととも
に残る１組のストリップ５４ｂ，５４ｄを対応するスト
リップ５２ｂ、５２ｄに向けて水平に移動させて、基板
Ｇの残る２辺の処理を行なうようにしても良い。すなわ
ち、基板Ｇの対向する２組の辺を交互に処理するように
しても良い。このように、本実施形態によれば、第１の
実施形態と同様の作用効果を得ることができるととも
に、第２のリムーバヘッド５４の各ストリップ５４ａ〜
５４ｄを個別に水平移動させて基板Ｇの各辺の全長を個
別に処理空間Ｓ内に位置させることができるため、基板
Ｇに対するレジスト液の塗布状態等に応じて基板Ｇの各
辺を個別に処理することができ、状況に応じた柔軟な対
応が可能になる。

【００５８】なお、本発明は、前記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形
実施できることは言うまでもない。例えば、溶剤吐出口
６６，７７の配置形態や間隔は前記実施形態に限定され
るものではなく、溶剤吐出口６６，７７をスリット状に
形成しても良く、また、溶剤吐出口６６，７７を直線状
ではなく千鳥状に配置するようにしても良い。また、基
板の他の周縁部と比較して特に高く盛り上がる基板の４
つの角部のレジスト膜を確実に除去するため、第１およ
び第２のリムーバヘッド５２，５４の４つの角部で溶剤
吐出口６６，７７の間隔を狭くするか、又は口径を大き
くし、これら角部における溶剤吐出量を他の部位に比べ
て多くしても良い。また、前記実施形態では、第１のリ
ムーバヘッド５２が固定状態に保持されているが、第１
および第２のリムーバヘッド５２，５４の両者を移動さ
せるようにしても良く、また、上側の第２のリムーバヘ
ッド５４を固定状態に保持するとともに下側の第１のリ
ムーバヘッド５２を第２のリムーバヘッド５４に対して
移動させるようにしても良い。

【００５９】また、前記実施形態では、塗布系処理ユニ
ット群１００を構成するレジスト液塗布処理ユニット
（ＣＴ）１２２と減圧乾燥処理ユニット（ＤＰ）１４０
とエッジリムーバ（ＥＲ）１２３とが互いに同一のステ
ージ上に並設されているが、減圧乾燥処理ユニット（Ｄ
Ｐ）１４０とエッジリムーバ（ＥＲ）１２３とを上下２
段に積み上げて設置したユニット（ＤＰ／ＥＲ）を、レ
ジスト液塗布処理ユニット（ＣＴ）１２２に並設させる
ようにしても良い。

【００６０】また、前記実施形態では、本発明をＬＣＤ
基板の塗布現像処理システムに適用した例が示されてい
るが、これに限らず、カラーフィルタ等、他の基板の塗
布・現像処理システムに本発明を適用できることは言う
までもない。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜除去に必要な処理時間を従来よりも短くできるとと
もに、薄膜除去処理の簡略化を図ることができる薄膜形
成装置及び薄膜除去装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態が適用されるＬＣＤ製
造装置の平面図である。

【図２】図１のＬＣＤ製造装置を用いた製造工程のフロ
ーチャートである。

【図３】図１のＬＣＤ製造装置の塗布系処理ユニット群
の概略平面図である。

【図４】図３の塗布系処理ユニット群を構成するエッジ
リムーバの退避位置における斜視図である。

【図５】退避位置で基板を受け取った状態を示す図４の
エッジリムーバの斜視図である。

【図６】図４のエッジリムーバの処理位置における斜視
図である。

【図７】処理位置にあるエッジリムーバの１つのストリ
ップの縦断面図である。

【図８】本発明の第２の実施形態に係るエッジリムーバ
の１つのストリップの縦断面図である。

【図９】本発明の第３の実施形態に係るエッジリムーバ
の斜視図である。

【符号の説明】

１…塗布現像処理システム ５２…第１のリムーバヘッド ５２，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ…ストリップ ５４…第２のリムーバヘッド ５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ…ストリップ ６６，７７…溶剤吐出口 ６８…対向面（第１の対向面） ７５…対向部（第２の対向面） １００…塗布系処理ユニット群（薄膜形成装置） １２２…レジスト液塗布処理ユニット １２３…エッジリムーバ（薄膜除去装置） １４０…減圧乾燥処理ユニット Ｇ…ガラス基板 Ｓ…処理空間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AB13 AB16 EA05 EA10 2H088 FA17 FA18 FA30 HA01 MA20 4D075 BB20Z DA06 DC21 5F046 JA02 JA05 JA09 JA10 JA15 JA16

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に塗布液を塗布して薄膜を形成する
   薄膜形成部と、基板の周縁部に対して溶剤を吹き付ける
   ことにより基板の周縁部を覆う不要な薄膜を除去する薄
   膜除去部とを備えた薄膜形成装置において、 前記薄膜除去部は、 基板の裏面の周縁部の少なくとも１辺とその全長にわた
   って対向する第１の対向面と、この第１の対向面に形成
   され且つ基板の裏面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける
   複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも１つのストリッ
   プを備えた第１のリムーバヘッドと、 基板の表面の周縁部の少なくとも１辺とその全長にわた
   って対向する第２の対向面と、この第２の対向面に形成
   され且つ基板の表面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける
   複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも１つのストリッ
   プを備えた第２のリムーバヘッドと、 を備え、 基板の周縁部の不要な薄膜を除去するための処理空間が
   前記第１の対向面と前記第２の対向面との間に形成され
   る処理位置に向けて前記第１のリムーバヘッドと前記第
   ２のリムーバヘッドの少なくとも一方が移動され、前記
   処理位置で前記溶剤吐出口から溶剤を噴き付けることに
   より、処理空間内に位置された基板の周縁部の少なくと
   も１辺の全長にわたって残存する不要な薄膜が一括して
   除去されることを特徴とする薄膜形成装置。
2. 【請求項２】 前記基板が４つの辺を有する矩形状に形
   成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形
   成装置。
3. 【請求項３】 第１および第２のリムーバヘッドはそれ
   ぞれ、前記ストリップが矩形の枠体として形成され、前
   記処理位置で基板の全周縁部を一括して処理することを
   特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜形成装
   置。
4. 【請求項４】 第１のリムーバヘッドのストリップと第
   ２のリムーバヘッドのストリップの一方は、他方に対し
   て回動可能に連結され、前記処理位置と処理位置から離
   れた退避位置との間で回動操作されることを特徴とする
   請求項１または請求項２に記載の薄膜形成装置。
5. 【請求項５】 第１のリムーバヘッドと第２のリムーバ
   ヘッドの一方は基板の４つの辺に対応した４つのストリ
   ップを備え、これらの４つのストリップは、他方のリム
   ーバヘッドの対応するストリップに対して回動可能に連
   結され、前記処理位置と処理位置から離れた退避位置と
   の間で個別に回動操作されることを特徴とする請求項２
   に記載の薄膜形成装置。
6. 【請求項６】 第１のリムーバヘッドのストリップと第
   ２のリムーバヘッドのストリップの少なくとも一方が前
   記処理位置に向けて水平もしくは上下に移動されること
   を特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜形成
   装置。
7. 【請求項７】 第１のリムーバヘッドと第２のリムーバ
   ヘッドの一方は基板の４つの辺に対応した４つのストリ
   ップを備え、これらの４つのストリップは、他方のリム
   ーバヘッドの対応するストリップに対して個別に水平に
   移動されることにより、前記処理位置に位置されること
   を特徴とする請求項２に記載の薄膜形成装置。
8. 【請求項８】 基板の周縁部に対して溶剤を吹き付ける
   ことにより基板の周縁部を覆う不要な薄膜を除去する薄
   膜除去装置において、 基板の裏面の周縁部の少なくとも１辺とその全長にわた
   って対向する第１の対向面と、この第１の対向面に形成
   され且つ基板の裏面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける
   複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも１つのストリッ
   プを備えた第１のリムーバヘッドと、 基板の表面の周縁部の少なくとも１辺とその全長にわた
   って対向する第２の対向面と、この第２の対向面に形成
   され且つ基板の表面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける
   複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも１つのストリッ
   プを備えた第２のリムーバヘッドと、 を備え、 基板の周縁部の不要な薄膜を除去するための処理空間が
   前記第１の対向面と前記第２の対向面との間に形成され
   る処理位置に向けて前記第１のリムーバヘッドと前記第
   ２のリムーバヘッドの少なくとも一方が移動され、前記
   処理位置で前記溶剤吐出口から溶剤を噴き付けることに
   より、処理空間内に位置された基板の周縁部の少なくと
   も１辺の全長にわたって残存する不要な薄膜が一括して
   除去されることを特徴とする薄膜除去装置。
9. 【請求項９】 前記基板が４つの辺を有する矩形状に形
   成されていることを特徴とする請求項８に記載の薄膜除
   去装置。
10. 【請求項１０】 第１および第２のリムーバヘッドはそ
    れぞれ、前記ストリップが矩形の枠体として形成され、
    前記処理位置で基板の全周縁部を一括して処理すること
    を特徴とする請求項８または請求項９に記載の薄膜除去
    装置。
11. 【請求項１１】 第１のリムーバヘッドのストリップと
    第２のリムーバヘッドのストリップの一方は、他方に対
    して回動可能に連結され、前記処理位置と処理位置から
    離れた退避位置との間で回動操作されることを特徴とす
    る請求項８または請求項９に記載の薄膜除去装置。
12. 【請求項１２】 第１のリムーバヘッドと第２のリムー
    バヘッドの一方は基板の４つの辺に対応した４つのスト
    リップを備え、これらの４つのストリップは、他方のリ
    ムーバヘッドの対応するストリップに対して回動可能に
    連結され、前記処理位置と処理位置から離れた退避位置
    との間で個別に回動操作されることを特徴とする請求項
    ９に記載の薄膜除去装置。
13. 【請求項１３】 第１のリムーバヘッドのストリップと
    第２のリムーバヘッドのストリップの少なくとも一方が
    前記処理位置に向けて水平もしくは上下に移動されるこ
    とを特徴とする請求項８または請求項９に記載の薄膜除
    去装置。
14. 【請求項１４】 第１のリムーバヘッドと第２のリムー
    バヘッドの一方は基板の４つの辺に対応した４つのスト
    リップを備え、これらの４つのストリップは、他方のリ
    ムーバヘッドの対応するストリップに対して個別に水平
    に移動されることにより、前記処理位置に位置されるこ
    とを特徴とする請求項９に記載の薄膜除去装置。