JP2001345251A - 薄膜形成装置および薄膜除去装置 - Google Patents
薄膜形成装置および薄膜除去装置Info
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- JP2001345251A JP2001345251A JP2000164538A JP2000164538A JP2001345251A JP 2001345251 A JP2001345251 A JP 2001345251A JP 2000164538 A JP2000164538 A JP 2000164538A JP 2000164538 A JP2000164538 A JP 2000164538A JP 2001345251 A JP2001345251 A JP 2001345251A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜除去に必要な処理時間を従来よりも短くで
きるとともに、薄膜除去処理の簡略化を図ることができ
る薄膜形成装置及び薄膜除去装置の提供を目的としてい
る。 【解決手段】本発明の薄膜除去装置123は、基板の周
縁部の全長にわたって対向する対向面68,75と、こ
の対向面に形成され且つ基板の裏面の周縁部に対して溶
剤を噴き付ける複数の溶剤吐出口66,77とを有する
互いに対向する第1および第2のリムーバヘッド52,
54を備え、第1および第2のリムーバヘッドの対向面
68,75間に処理空間を形成するべく処理位置に向け
て第2のリムーバヘッド54が移動され、前記処理位置
で溶剤吐出口66,77から溶剤を噴き付けることによ
り、処理空間内に位置された基板の全周縁部に残存する
不要な薄膜が一括して除去されることを特徴とする。
きるとともに、薄膜除去処理の簡略化を図ることができ
る薄膜形成装置及び薄膜除去装置の提供を目的としてい
る。 【解決手段】本発明の薄膜除去装置123は、基板の周
縁部の全長にわたって対向する対向面68,75と、こ
の対向面に形成され且つ基板の裏面の周縁部に対して溶
剤を噴き付ける複数の溶剤吐出口66,77とを有する
互いに対向する第1および第2のリムーバヘッド52,
54を備え、第1および第2のリムーバヘッドの対向面
68,75間に処理空間を形成するべく処理位置に向け
て第2のリムーバヘッド54が移動され、前記処理位置
で溶剤吐出口66,77から溶剤を噴き付けることによ
り、処理空間内に位置された基板の全周縁部に残存する
不要な薄膜が一括して除去されることを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば矩形のLC
D基板にレジスト膜を形成するとともに、基板の周縁部
に付着した不要なレジスト膜を除去するための薄膜形成
装置および薄膜除去装置に関する。
D基板にレジスト膜を形成するとともに、基板の周縁部
に付着した不要なレジスト膜を除去するための薄膜形成
装置および薄膜除去装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置の製造工程では、
ガラス基板の表面に例えばITO(Indium Tin Oxide)
の薄膜や回路パターンを形成するため、半導体製造工程
の場合と同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。
この場合、例えば、レジスト液塗布処理によってガラス
基板の表面にレジスト液が塗布され、露光処理によって
ガラス基板上のレジスト膜に回路パターンが露光され、
現像処理によってレジスト膜に露光された回路パターン
が現像される。
ガラス基板の表面に例えばITO(Indium Tin Oxide)
の薄膜や回路パターンを形成するため、半導体製造工程
の場合と同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。
この場合、例えば、レジスト液塗布処理によってガラス
基板の表面にレジスト液が塗布され、露光処理によって
ガラス基板上のレジスト膜に回路パターンが露光され、
現像処理によってレジスト膜に露光された回路パターン
が現像される。
【0003】また、前記レジスト液塗布処理では、いわ
ゆるスピンコーティング方法が広く採用されている。こ
のスピンコーティング方法によれば、処理容器内に設け
られたスピンチャック上に基板が保持され、スピンチャ
ックが高速で回転されることにより、基板上に供給され
た溶剤と感光性樹脂とからなるレジスト液が遠心力によ
って拡散され、その結果、基板全面に亘って均一な厚さ
のレジスト膜が形成される。
ゆるスピンコーティング方法が広く採用されている。こ
のスピンコーティング方法によれば、処理容器内に設け
られたスピンチャック上に基板が保持され、スピンチャ
ックが高速で回転されることにより、基板上に供給され
た溶剤と感光性樹脂とからなるレジスト液が遠心力によ
って拡散され、その結果、基板全面に亘って均一な厚さ
のレジスト膜が形成される。
【0004】ところで、LCDの製造では、LCD基板
が大型でかつ矩形状であることから、半導体ウエハと比
較して均一なレジスト膜の形成が一般に難しい。特にL
CD基板の4つの角部は中心から距離があるため、この
部分の周速はかなり高速となり、基板の周囲に乱気流が
発生するという不具合が生じる可能性がある。また、中
心部からかなり距離のある基板の角部にまでレジスト液
を均一に拡散させるためには、レジスト液中に含まれる
溶剤の揮発をできるだけ防止して拡散速度を一定にする
必要がある。このため、LCD基板製造装置において
は、基板のみを回転させるのではなく、この基板を略密
閉収納するカップごと高速で回転させることで、溶剤の
揮発および乱気流の発生を防止しようとしている。
が大型でかつ矩形状であることから、半導体ウエハと比
較して均一なレジスト膜の形成が一般に難しい。特にL
CD基板の4つの角部は中心から距離があるため、この
部分の周速はかなり高速となり、基板の周囲に乱気流が
発生するという不具合が生じる可能性がある。また、中
心部からかなり距離のある基板の角部にまでレジスト液
を均一に拡散させるためには、レジスト液中に含まれる
溶剤の揮発をできるだけ防止して拡散速度を一定にする
必要がある。このため、LCD基板製造装置において
は、基板のみを回転させるのではなく、この基板を略密
閉収納するカップごと高速で回転させることで、溶剤の
揮発および乱気流の発生を防止しようとしている。
【0005】また、スピンコーティング方法によりレジ
スト液塗布処理を行なった場合、塗布直後における膜厚
は均一であっても、時間が経過すると均一性が失われる
可能性がある。例えば、スピンチャックの回転が停止し
て遠心力が働かなくなった後、表面張力の影響によって
基板周縁部のレジスト液が盛り上がるように厚くなるこ
とがある。また、基板の表面に供給されたレジスト液が
基板の側面、及び下面の周縁部に回り込んで不要な膜が
形成されることがある。
スト液塗布処理を行なった場合、塗布直後における膜厚
は均一であっても、時間が経過すると均一性が失われる
可能性がある。例えば、スピンチャックの回転が停止し
て遠心力が働かなくなった後、表面張力の影響によって
基板周縁部のレジスト液が盛り上がるように厚くなるこ
とがある。また、基板の表面に供給されたレジスト液が
基板の側面、及び下面の周縁部に回り込んで不要な膜が
形成されることがある。
【0006】このように基板の周縁部に不均一な膜が形
成されると、回路パターン等の現像時に周縁部のレジス
トが完全に除去されずに残存することになり、その後の
処理に悪影響を与えたり、また、搬送中に残存レジスト
が剥がれてパーティクルが発生する虞がある。
成されると、回路パターン等の現像時に周縁部のレジス
トが完全に除去されずに残存することになり、その後の
処理に悪影響を与えたり、また、搬送中に残存レジスト
が剥がれてパーティクルが発生する虞がある。
【0007】このため、従来、前記レジスト塗布装置に
よるレジスト液塗布直後に、エッジリムーバと呼ばれる
装置を使用して、基板周縁部の不要なレジスト膜を除去
する処理が行なわれている。
よるレジスト液塗布直後に、エッジリムーバと呼ばれる
装置を使用して、基板周縁部の不要なレジスト膜を除去
する処理が行なわれている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、エッジリム
ーバによる従来のレジスト膜除去処理では、LCD基板
の4つの辺がそれぞれ対応するリムーバヘッドによって
個々に処理される。具体的には、基板の4つの各辺に沿
ってリムーバヘッドが移動されて、各辺に残存する不要
なレジスト膜が順次に除去されていく。そのため、レジ
スト膜の除去処理のタクトタイムは一般に長くなる。特
に基板のサイズが大きい場合には、リムーバヘッドの1
辺当たりの移動時間が長くなるため、レジスト膜の除去
処理のタクトタイムはさらに長くなる。
ーバによる従来のレジスト膜除去処理では、LCD基板
の4つの辺がそれぞれ対応するリムーバヘッドによって
個々に処理される。具体的には、基板の4つの各辺に沿
ってリムーバヘッドが移動されて、各辺に残存する不要
なレジスト膜が順次に除去されていく。そのため、レジ
スト膜の除去処理のタクトタイムは一般に長くなる。特
に基板のサイズが大きい場合には、リムーバヘッドの1
辺当たりの移動時間が長くなるため、レジスト膜の除去
処理のタクトタイムはさらに長くなる。
【0009】また、LCD基板の4つの辺をそれぞれリ
ムーバヘッドによって個々に処理する場合には、リムー
バヘッドの動作制御が必要となる。特に、スピンチャッ
クの回転方向に対向する基板の4つの角部のレジスト膜
は、基板の他の周縁部のそれと比較して高く盛り上がる
傾向があるため、各辺の全長にわたってムラなくレジス
ト膜を除去するためには、基板に対するレジスト液の塗
布状態に応じてリムーバヘッドの例えば移動速度を制御
する必要がある。すなわち、例えば、レジスト膜が高く
盛り上がる角部ではリムーバヘッドの移動速度を遅くし
てレジスト膜を念入りに除去するとともに、それ以外の
移動経路では所定のタクト時間内に収まるようにリムー
バヘッドの移動速度を早くするようにする。しかし、こ
うしたリムーバヘッドの動作制御は複雑であり、速度の
設定の仕方によっては、タクトが狂ってしまい、他の処
理装置の処理速度に影響を及ぼし、ひいては、スループ
ットが低下することになり兼ねない。
ムーバヘッドによって個々に処理する場合には、リムー
バヘッドの動作制御が必要となる。特に、スピンチャッ
クの回転方向に対向する基板の4つの角部のレジスト膜
は、基板の他の周縁部のそれと比較して高く盛り上がる
傾向があるため、各辺の全長にわたってムラなくレジス
ト膜を除去するためには、基板に対するレジスト液の塗
布状態に応じてリムーバヘッドの例えば移動速度を制御
する必要がある。すなわち、例えば、レジスト膜が高く
盛り上がる角部ではリムーバヘッドの移動速度を遅くし
てレジスト膜を念入りに除去するとともに、それ以外の
移動経路では所定のタクト時間内に収まるようにリムー
バヘッドの移動速度を早くするようにする。しかし、こ
うしたリムーバヘッドの動作制御は複雑であり、速度の
設定の仕方によっては、タクトが狂ってしまい、他の処
理装置の処理速度に影響を及ぼし、ひいては、スループ
ットが低下することになり兼ねない。
【0010】本発明は前記事情に着目してなされたもの
であり、その目的とするところは、薄膜除去に必要な処
理時間を従来よりも短くできるとともに、薄膜除去処理
の簡略化を図ることができる薄膜形成装置及び薄膜除去
装置を提供することにある。
であり、その目的とするところは、薄膜除去に必要な処
理時間を従来よりも短くできるとともに、薄膜除去処理
の簡略化を図ることができる薄膜形成装置及び薄膜除去
装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に、本発明の主要な第1の観点によれば、基板に塗布液
を塗布して薄膜を形成する薄膜形成部と、基板の周縁部
に対して溶剤を吹き付けることにより基板の周縁部を覆
う不要な薄膜を除去する薄膜除去部とを備えた薄膜形成
装置において、前記薄膜除去部は、基板の裏面の周縁部
の少なくとも1辺とその全長にわたって対向する第1の
対向面と、この第1の対向面に形成され且つ基板の裏面
の周縁部に対して溶剤を噴き付ける複数の溶剤吐出口と
を有する少なくとも1つのストリップを備えた第1のリ
ムーバヘッドと、基板の表面の周縁部の少なくとも1辺
とその全長にわたって対向する第2の対向面と、この第
2の対向面に形成され且つ基板の表面の周縁部に対して
溶剤を噴き付ける複数の溶剤吐出口とを有する少なくと
も1つのストリップを備えた第2のリムーバヘッドとを
備え、基板の周縁部の不要な薄膜を除去するための処理
空間が前記第1の対向面と前記第2の対向面との間に形
成される処理位置に向けて前記第1のリムーバヘッドと
前記第2のリムーバヘッドの少なくとも一方が移動さ
れ、前記処理位置で前記溶剤吐出口から溶剤を噴き付け
ることにより、処理空間内に位置された基板の周縁部の
少なくとも1辺の全長にわたって残存する不要な薄膜が
一括して除去されることを特徴とする薄膜形成装置が提
供される。また、本発明の主要な第2の観点によれば、
基板の周縁部に対して溶剤を吹き付けることにより基板
の周縁部を覆う不要な薄膜を除去する薄膜除去装置にお
いて、基板の裏面の周縁部の少なくとも1辺とその全長
にわたって対向する第1の対向面と、この第1の対向面
に形成され且つ基板の裏面の周縁部に対して溶剤を噴き
付ける複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも1つのス
トリップを備えた第1のリムーバヘッドと、基板の表面
の周縁部の少なくとも1辺とその全長にわたって対向す
る第2の対向面と、この第2の対向面に形成され且つ基
板の表面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける複数の溶剤
吐出口とを有する少なくとも1つのストリップを備えた
第2のリムーバヘッドとを備え、基板の周縁部の不要な
薄膜を除去するための処理空間が前記第1の対向面と前
記第2の対向面との間に形成される処理位置に向けて前
記第1のリムーバヘッドと前記第2のリムーバヘッドの
少なくとも一方が移動され、前記処理位置で前記溶剤吐
出口から溶剤を噴き付けることにより、処理空間内に位
置された基板の周縁部の少なくとも1辺の全長にわたっ
て残存する不要な薄膜が一括して除去されることを特徴
とする薄膜除去装置が提供される。前記構成の薄膜形成
装置および薄膜除去装置においては、特に前記基板が4
つの辺を有する矩形状に形成されている場合、第1およ
び第2のリムーバヘッドの前記ストリップが矩形の枠体
として形成され、前記処理位置で基板の全周縁部を一括
して処理することが望ましい。また、第1のリムーバヘ
ッドのストリップと第2のリムーバヘッドのストリップ
の一方は、他方に対して回動可能に連結され、前記処理
位置と処理位置から離れた退避位置との間で回動操作さ
れるようになっていても良い。また、第1のリムーバヘ
ッドと第2のリムーバヘッドの一方が基板の4つの辺に
対応した4つのストリップを備え、これらの4つのスト
リップは、他方のリムーバヘッドの対応するストリップ
に対して回動可能に連結され、前記処理位置と処理位置
から離れた退避位置との間で個別に回動操作されても良
い。また、第1のリムーバヘッドのストリップと第2の
リムーバヘッドのストリップの少なくとも一方が前記処
理位置に向けて水平もしくは上下に移動されるようにな
っていても良い。また、第1のリムーバヘッドと第2の
リムーバヘッドの一方が基板の4つの辺に対応した4つ
のストリップを備え、これらの4つのストリップは、他
方のリムーバヘッドの対応するストリップに対して個別
に水平に移動されることにより、前記処理位置に位置さ
れるようになっていても良い。
に、本発明の主要な第1の観点によれば、基板に塗布液
を塗布して薄膜を形成する薄膜形成部と、基板の周縁部
に対して溶剤を吹き付けることにより基板の周縁部を覆
う不要な薄膜を除去する薄膜除去部とを備えた薄膜形成
装置において、前記薄膜除去部は、基板の裏面の周縁部
の少なくとも1辺とその全長にわたって対向する第1の
対向面と、この第1の対向面に形成され且つ基板の裏面
の周縁部に対して溶剤を噴き付ける複数の溶剤吐出口と
を有する少なくとも1つのストリップを備えた第1のリ
ムーバヘッドと、基板の表面の周縁部の少なくとも1辺
とその全長にわたって対向する第2の対向面と、この第
2の対向面に形成され且つ基板の表面の周縁部に対して
溶剤を噴き付ける複数の溶剤吐出口とを有する少なくと
も1つのストリップを備えた第2のリムーバヘッドとを
備え、基板の周縁部の不要な薄膜を除去するための処理
空間が前記第1の対向面と前記第2の対向面との間に形
成される処理位置に向けて前記第1のリムーバヘッドと
前記第2のリムーバヘッドの少なくとも一方が移動さ
れ、前記処理位置で前記溶剤吐出口から溶剤を噴き付け
ることにより、処理空間内に位置された基板の周縁部の
少なくとも1辺の全長にわたって残存する不要な薄膜が
一括して除去されることを特徴とする薄膜形成装置が提
供される。また、本発明の主要な第2の観点によれば、
基板の周縁部に対して溶剤を吹き付けることにより基板
の周縁部を覆う不要な薄膜を除去する薄膜除去装置にお
いて、基板の裏面の周縁部の少なくとも1辺とその全長
にわたって対向する第1の対向面と、この第1の対向面
に形成され且つ基板の裏面の周縁部に対して溶剤を噴き
付ける複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも1つのス
トリップを備えた第1のリムーバヘッドと、基板の表面
の周縁部の少なくとも1辺とその全長にわたって対向す
る第2の対向面と、この第2の対向面に形成され且つ基
板の表面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける複数の溶剤
吐出口とを有する少なくとも1つのストリップを備えた
第2のリムーバヘッドとを備え、基板の周縁部の不要な
薄膜を除去するための処理空間が前記第1の対向面と前
記第2の対向面との間に形成される処理位置に向けて前
記第1のリムーバヘッドと前記第2のリムーバヘッドの
少なくとも一方が移動され、前記処理位置で前記溶剤吐
出口から溶剤を噴き付けることにより、処理空間内に位
置された基板の周縁部の少なくとも1辺の全長にわたっ
て残存する不要な薄膜が一括して除去されることを特徴
とする薄膜除去装置が提供される。前記構成の薄膜形成
装置および薄膜除去装置においては、特に前記基板が4
つの辺を有する矩形状に形成されている場合、第1およ
び第2のリムーバヘッドの前記ストリップが矩形の枠体
として形成され、前記処理位置で基板の全周縁部を一括
して処理することが望ましい。また、第1のリムーバヘ
ッドのストリップと第2のリムーバヘッドのストリップ
の一方は、他方に対して回動可能に連結され、前記処理
位置と処理位置から離れた退避位置との間で回動操作さ
れるようになっていても良い。また、第1のリムーバヘ
ッドと第2のリムーバヘッドの一方が基板の4つの辺に
対応した4つのストリップを備え、これらの4つのスト
リップは、他方のリムーバヘッドの対応するストリップ
に対して回動可能に連結され、前記処理位置と処理位置
から離れた退避位置との間で個別に回動操作されても良
い。また、第1のリムーバヘッドのストリップと第2の
リムーバヘッドのストリップの少なくとも一方が前記処
理位置に向けて水平もしくは上下に移動されるようにな
っていても良い。また、第1のリムーバヘッドと第2の
リムーバヘッドの一方が基板の4つの辺に対応した4つ
のストリップを備え、これらの4つのストリップは、他
方のリムーバヘッドの対応するストリップに対して個別
に水平に移動されることにより、前記処理位置に位置さ
れるようになっていても良い。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について詳細に説明する。
の実施形態について詳細に説明する。
【0013】図1〜図7は本発明をLCD基板の塗布現
像処理システム1に適用した第1の実施形態を示してい
る。この塗布現像処理システム1は、LCD基板に対し
てレジスト液を塗布した後、図に2で示す露光システム
(EXP)に一旦受け渡し、この露光システム2によっ
て露光処理された後の基板を再度受け取って現像処理を
行なう。
像処理システム1に適用した第1の実施形態を示してい
る。この塗布現像処理システム1は、LCD基板に対し
てレジスト液を塗布した後、図に2で示す露光システム
(EXP)に一旦受け渡し、この露光システム2によっ
て露光処理された後の基板を再度受け取って現像処理を
行なう。
【0014】このような一連の処理を行なうため、この
塗布現像処理システム1は、LCD基板のローディング
およびアンローディングを行なうためのローダ/アンロ
ーダ部(L/UL)3と、基板洗浄処理を行なうための
第1プロセス部4と、レジスト液の塗布(コーティン
グ)および周縁レジスト除去処理等を行なうための第2
プロセス部5と、現像処理を行なうための第3プロセス
部6と、露光システム2との間で基板の受け渡しを行な
うためのインターフェース部(I/F)7とを備えてい
る。
塗布現像処理システム1は、LCD基板のローディング
およびアンローディングを行なうためのローダ/アンロ
ーダ部(L/UL)3と、基板洗浄処理を行なうための
第1プロセス部4と、レジスト液の塗布(コーティン
グ)および周縁レジスト除去処理等を行なうための第2
プロセス部5と、現像処理を行なうための第3プロセス
部6と、露光システム2との間で基板の受け渡しを行な
うためのインターフェース部(I/F)7とを備えてい
る。
【0015】ローダ/アンローダ部3は、カセット載置
台10と搬送部(C/S)11とを備えている。カセッ
ト載置台10上には2種類のカセットC1,C2が載置
されている。例えば、第1のカセットC1には処理前の
LCD基板が収納され、第2のカセットC2には処理後
のLCD基板が収納される。
台10と搬送部(C/S)11とを備えている。カセッ
ト載置台10上には2種類のカセットC1,C2が載置
されている。例えば、第1のカセットC1には処理前の
LCD基板が収納され、第2のカセットC2には処理後
のLCD基板が収納される。
【0016】また、搬送部11には、第1のサブアーム
機構13が設けられている。この第1のサブアーム機構
13は、基板を保持できる例えばアーム14を有し、こ
のアーム14を旋回させ進退させ上下させることによ
り、第1のカセットC1に収納された基板を取り出して
第1のプロセス部4側に受け渡せるようになっている。
なお、全ての処理が終了した基板は、この第1のサブア
ーム機構13によって、例えば第1のプロセス部4側か
ら第2のカセットC2へと収納される。
機構13が設けられている。この第1のサブアーム機構
13は、基板を保持できる例えばアーム14を有し、こ
のアーム14を旋回させ進退させ上下させることによ
り、第1のカセットC1に収納された基板を取り出して
第1のプロセス部4側に受け渡せるようになっている。
なお、全ての処理が終了した基板は、この第1のサブア
ーム機構13によって、例えば第1のプロセス部4側か
ら第2のカセットC2へと収納される。
【0017】第1のプロセス部4は、第1のサブアーム
機構13から基板を受け取る第1のメインアーム機構1
5を有している。このメインアーム機構15は、Y方向
に沿って延設された第1の中央搬送路16上を走行する
ベース17と、このベース17上で旋回、進退、上下駆
動される例えばアーム18とを備えている。
機構13から基板を受け取る第1のメインアーム機構1
5を有している。このメインアーム機構15は、Y方向
に沿って延設された第1の中央搬送路16上を走行する
ベース17と、このベース17上で旋回、進退、上下駆
動される例えばアーム18とを備えている。
【0018】第1のメインアーム機構15の一方側に
は、中央搬送路16に沿って、例えばブラシスクラバか
らなる2つの洗浄ユニット(SCR)19が設けられて
いる。また、第1のメインアーム機構15の他方側に
は、中央搬送路16に沿って、例えばホットプレートを
備える加熱/加熱ユニット(HP/HP)20と、紫外
線洗浄装置からなる乾式洗浄ユニット(UV)21と、
例えばクーリングプレートを備える冷却ユニット(CO
L)22とがそれぞれ設けられている。
は、中央搬送路16に沿って、例えばブラシスクラバか
らなる2つの洗浄ユニット(SCR)19が設けられて
いる。また、第1のメインアーム機構15の他方側に
は、中央搬送路16に沿って、例えばホットプレートを
備える加熱/加熱ユニット(HP/HP)20と、紫外
線洗浄装置からなる乾式洗浄ユニット(UV)21と、
例えばクーリングプレートを備える冷却ユニット(CO
L)22とがそれぞれ設けられている。
【0019】ここで、明細書中、「加熱/加熱ユニット
(HP/HP)」の表記は、ホットプレートを有する加
熱ユニットが例えば上下2段に積み上げて設置されてい
ることを示している(図中には、上下2段で表記されて
いる。以下同じ)。また、図中、加熱ユニットを表すH
Pおよび冷却ユニットを表すCOLの後に付された数字
(「HP1」や「COL1」等)は、加熱処理若しくは
冷却処理の種類若しくは順序を示している。
(HP/HP)」の表記は、ホットプレートを有する加
熱ユニットが例えば上下2段に積み上げて設置されてい
ることを示している(図中には、上下2段で表記されて
いる。以下同じ)。また、図中、加熱ユニットを表すH
Pおよび冷却ユニットを表すCOLの後に付された数字
(「HP1」や「COL1」等)は、加熱処理若しくは
冷却処理の種類若しくは順序を示している。
【0020】第1のメインアーム機構15は、ローダ/
アンローダ部3から受け取った基板を各処理ユニット1
9〜22に搬入するとともに、必要な処理が施された基
板を各処理ユニット19〜22から取り出して順次別の
処理ユニット19〜22若しくは第2のプロセス部5に
搬送するようになっている。
アンローダ部3から受け取った基板を各処理ユニット1
9〜22に搬入するとともに、必要な処理が施された基
板を各処理ユニット19〜22から取り出して順次別の
処理ユニット19〜22若しくは第2のプロセス部5に
搬送するようになっている。
【0021】一方、第2のプロセス部5は、Y方向に沿
って延設された第2の中央搬送路23上を走行する第2
のメインアーム機構24を備えている。この第2のメイ
ンアーム機構24は、第1のメインアーム機構15と同
様に構成されたベース25およびアーム26を有してい
る。
って延設された第2の中央搬送路23上を走行する第2
のメインアーム機構24を備えている。この第2のメイ
ンアーム機構24は、第1のメインアーム機構15と同
様に構成されたベース25およびアーム26を有してい
る。
【0022】また、この第2のメインアーム機構24の
一方側には、塗布系ユニット群100が設けられてい
る。この塗布系ユニット群100は、基板にレジスト液
を塗布するレジスト液塗布処理ユニット(CT)122
と、レジスト液が塗布された基板を乾燥処理する減圧乾
燥処理ユニット(DP)140と、乾燥後の基板の周縁
部の不要レジストを除去するエッジリムーバ(ER)1
23とから成り、これらは互いに一体となって第2の中
央搬送路23に沿って配列されている。また、第2のメ
インアーム機構24の他方側には、第2の中央搬送路2
3に沿って、基板表面の疎水化処理を行なうためのアド
ヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)29と、加
熱/加熱ユニット(HP/HP)30と、加熱/冷却ユ
ニット(HP/COL)31とが配置されている。
一方側には、塗布系ユニット群100が設けられてい
る。この塗布系ユニット群100は、基板にレジスト液
を塗布するレジスト液塗布処理ユニット(CT)122
と、レジスト液が塗布された基板を乾燥処理する減圧乾
燥処理ユニット(DP)140と、乾燥後の基板の周縁
部の不要レジストを除去するエッジリムーバ(ER)1
23とから成り、これらは互いに一体となって第2の中
央搬送路23に沿って配列されている。また、第2のメ
インアーム機構24の他方側には、第2の中央搬送路2
3に沿って、基板表面の疎水化処理を行なうためのアド
ヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)29と、加
熱/加熱ユニット(HP/HP)30と、加熱/冷却ユ
ニット(HP/COL)31とが配置されている。
【0023】第2のメインアーム機構24は、第1のプ
ロセス部4から受け取った基板を各処理ユニット29〜
31、100に搬入し、必要な処理が施された基板を各
処理ユニット29〜31、100から取り出して順次別
の処理ユニット29〜31、100若しくは第3のプロ
セス部6側に搬送するようになっている。
ロセス部4から受け取った基板を各処理ユニット29〜
31、100に搬入し、必要な処理が施された基板を各
処理ユニット29〜31、100から取り出して順次別
の処理ユニット29〜31、100若しくは第3のプロ
セス部6側に搬送するようになっている。
【0024】第3のプロセス部6は、Y方向に沿って延
設された第3の中央搬送路33上を走行する第3のメイ
ンアーム機構34を備えている。この第3のメインアー
ム機構34は、第1および第2のメインアーム機構1
5,24と同様に構成されたベース35およびアーム3
6を有している。
設された第3の中央搬送路33上を走行する第3のメイ
ンアーム機構34を備えている。この第3のメインアー
ム機構34は、第1および第2のメインアーム機構1
5,24と同様に構成されたベース35およびアーム3
6を有している。
【0025】この第3のメインアーム機構34の一方側
には、露光処理後のLCD基板を現像処理するための3
つの現像処理ユニット(DEV)38が第3の中央搬送
路33に沿って設けられている。また、第3のメインア
ーム機構34の他方側には、第3の中央搬送路33に沿
って、タイトリングを行なうタイトラー(TITLE
R)39と、加熱/加熱ユニット(HP/HP)40
と、2つの加熱/冷却ユニット(HP/COL)41と
が配設されている。
には、露光処理後のLCD基板を現像処理するための3
つの現像処理ユニット(DEV)38が第3の中央搬送
路33に沿って設けられている。また、第3のメインア
ーム機構34の他方側には、第3の中央搬送路33に沿
って、タイトリングを行なうタイトラー(TITLE
R)39と、加熱/加熱ユニット(HP/HP)40
と、2つの加熱/冷却ユニット(HP/COL)41と
が配設されている。
【0026】第3のメインアーム機構34は、第2のプ
ロセス部5から受け取ったレジスト液塗布済みの基板を
露光システム2側(インターフェース部7)に移送する
とともに、露光済みの基板を露光システム2側から受け
取る。また、第3のメインアーム機構34は、露光済み
の基板を各処理ユニット38〜41に搬入するととも
に、必要な処理が施された基板を各処理ユニット38〜
41から取り出して順次別の処理ユニット38〜41若
しくは第2のプロセス部5側に搬送するようになってい
る。
ロセス部5から受け取ったレジスト液塗布済みの基板を
露光システム2側(インターフェース部7)に移送する
とともに、露光済みの基板を露光システム2側から受け
取る。また、第3のメインアーム機構34は、露光済み
の基板を各処理ユニット38〜41に搬入するととも
に、必要な処理が施された基板を各処理ユニット38〜
41から取り出して順次別の処理ユニット38〜41若
しくは第2のプロセス部5側に搬送するようになってい
る。
【0027】なお、図1に示されるように、第1のプロ
セス部4と第2のプロセス部5との間および第2のプロ
セス部5と第3のプロセス部6との間にはそれぞれ冷却
ユニット(COL)42,43が設けられている。これ
らの冷却ユニット42,43は処理中の基板を一時的に
待機させておくために用いられる。
セス部4と第2のプロセス部5との間および第2のプロ
セス部5と第3のプロセス部6との間にはそれぞれ冷却
ユニット(COL)42,43が設けられている。これ
らの冷却ユニット42,43は処理中の基板を一時的に
待機させておくために用いられる。
【0028】また、インターフェース部7は、バッファ
ーカセット(BC)および第2のサブアーム機構46を
有する搬送・待機部47と、第2のサブアーム機構46
と露光システム2との間で基板の受け渡しを行なわせる
ための受け渡し台(図示せず)を有する受け渡し部49
とからなる。
ーカセット(BC)および第2のサブアーム機構46を
有する搬送・待機部47と、第2のサブアーム機構46
と露光システム2との間で基板の受け渡しを行なわせる
ための受け渡し台(図示せず)を有する受け渡し部49
とからなる。
【0029】このインターフェース部7は、第2のプロ
セス部5から第3メインアーム機構34を介して受け取
ったレジスト液塗布済みの基板を露光システム2側に移
送させるとともに、露光済みの基板を露光システム2か
ら受け取って第3のプロセス部6に受け渡す機能を有す
る。
セス部5から第3メインアーム機構34を介して受け取
ったレジスト液塗布済みの基板を露光システム2側に移
送させるとともに、露光済みの基板を露光システム2か
ら受け取って第3のプロセス部6に受け渡す機能を有す
る。
【0030】次に、前記構成の塗布現像処理システム1
における処理手順を図2のフローチャートを参照しなが
ら説明する。なお、フローチャート内の英字記号は、図
1の同符号が付されたユニットで処理が行なわれること
を意味している。
における処理手順を図2のフローチャートを参照しなが
ら説明する。なお、フローチャート内の英字記号は、図
1の同符号が付されたユニットで処理が行なわれること
を意味している。
【0031】まず、載置台10上の第1のカセットC1
内に収納された未処理の基板が、ローダ/アンローダ部
3から搬送部(C/S)11を介して第1のプロセス部
4の第1のメインアーム機構15に受け渡される(ステ
ップS1,S2)。次いで、この基板は、乾式洗浄装置
(UV)21によって紫外線洗浄され(ステップS
3)、その後、冷却ユニット22による第1の冷却処理
(COL1)によって冷却される(ステップS4)。
内に収納された未処理の基板が、ローダ/アンローダ部
3から搬送部(C/S)11を介して第1のプロセス部
4の第1のメインアーム機構15に受け渡される(ステ
ップS1,S2)。次いで、この基板は、乾式洗浄装置
(UV)21によって紫外線洗浄され(ステップS
3)、その後、冷却ユニット22による第1の冷却処理
(COL1)によって冷却される(ステップS4)。
【0032】次に、第1の冷却処理が施された基板は、
湿式洗浄装置19によってブラシ洗浄(SCR)され
(ステップS5)、加熱ユニット20による第1の加熱
処理(HP1)によって乾燥された後(ステップS
6)、冷却ユニット22による第2の冷却処理によって
冷却される(ステップS7)。そして、この基板は、そ
の後、第1のメインアーム機構15から第2のプロセス
部5の第2のメインアーム機構24へと受け渡される。
湿式洗浄装置19によってブラシ洗浄(SCR)され
(ステップS5)、加熱ユニット20による第1の加熱
処理(HP1)によって乾燥された後(ステップS
6)、冷却ユニット22による第2の冷却処理によって
冷却される(ステップS7)。そして、この基板は、そ
の後、第1のメインアーム機構15から第2のプロセス
部5の第2のメインアーム機構24へと受け渡される。
【0033】第2のプロセス部5に受け渡された基板
は、アドヒージョン処理ユニット29によって、表面の
疎水化処理(AD)が行われた後(ステップS8)、第
3の冷却処理(COL3)が施される(ステップS
9)。次いで、疎水化処理後の基板は、塗布系ユニット
群100に導入され,レジスト液塗布(CT)、減圧乾
燥処理(DP)および基板周縁の不要なレジスト液の除
去(ER)が行われる(ステップS10)。
は、アドヒージョン処理ユニット29によって、表面の
疎水化処理(AD)が行われた後(ステップS8)、第
3の冷却処理(COL3)が施される(ステップS
9)。次いで、疎水化処理後の基板は、塗布系ユニット
群100に導入され,レジスト液塗布(CT)、減圧乾
燥処理(DP)および基板周縁の不要なレジスト液の除
去(ER)が行われる(ステップS10)。
【0034】このように処理された基板は、加熱ユニッ
ト30,31に挿入され、ベーキング処理(HP2)が
施される(ステップS11)。これにより、基板に塗布さ
れたレジスト液に含まれる溶剤が揮発される。次いで、
この基板が冷却ユニットに搬入されて略室温まで冷却
(COL4)される(ステップS12)。その後、この
基板は、第2のメインアーム機構24から第3のメイン
アーム機構34を介してインターフェース部7に搬送さ
れ、露光システム2に受け渡される(ステップS1
3)。そして、この露光システム2において露光処理
(EXP)が施される(ステップS14)。
ト30,31に挿入され、ベーキング処理(HP2)が
施される(ステップS11)。これにより、基板に塗布さ
れたレジスト液に含まれる溶剤が揮発される。次いで、
この基板が冷却ユニットに搬入されて略室温まで冷却
(COL4)される(ステップS12)。その後、この
基板は、第2のメインアーム機構24から第3のメイン
アーム機構34を介してインターフェース部7に搬送さ
れ、露光システム2に受け渡される(ステップS1
3)。そして、この露光システム2において露光処理
(EXP)が施される(ステップS14)。
【0035】露光処理が行なわれた基板は、インターフ
ェース部7と第3のメインアーム機構34とを介してタ
イトラー39に挿入されタイトリング処理が行なわれる
(ステップS15)。
ェース部7と第3のメインアーム機構34とを介してタ
イトラー39に挿入されタイトリング処理が行なわれる
(ステップS15)。
【0036】その後、基板は、現像処理装置38に導入
されて現像処理(DEV)が行なわれる(ステップS1
6)。この現像処理ユニット38では、例えば基板が回
転された状態で基板上に現像液が供給されて現像が行な
われる。また、リンス液で現像液が洗い流された後、振
り切り乾燥が行なわれる。
されて現像処理(DEV)が行なわれる(ステップS1
6)。この現像処理ユニット38では、例えば基板が回
転された状態で基板上に現像液が供給されて現像が行な
われる。また、リンス液で現像液が洗い流された後、振
り切り乾燥が行なわれる。
【0037】最後に、基板は、この基板に対向する加熱
/加熱ユニット40もしくは加熱/冷却ユニット41に
挿入され、第3の加熱処理(HP3)によって加熱乾燥
された後(ステップS17)、第5の冷却処理(COL
5)により冷却される(ステップS18)。
/加熱ユニット40もしくは加熱/冷却ユニット41に
挿入され、第3の加熱処理(HP3)によって加熱乾燥
された後(ステップS17)、第5の冷却処理(COL
5)により冷却される(ステップS18)。
【0038】以上の処理が全て施された基板は、第3の
メインアーム機構34から、第2および第1のメインア
ーム機構24,15を介して搬送部11(C/S)に設
けられた第1のサブアーム機構13に受け渡される(ス
テップS19)。そして、この第1のサブアーム機構1
3によってローダ/アンローダ部3に載置された第2の
カセットC2内に収容される(ステップS20)。
メインアーム機構34から、第2および第1のメインア
ーム機構24,15を介して搬送部11(C/S)に設
けられた第1のサブアーム機構13に受け渡される(ス
テップS19)。そして、この第1のサブアーム機構1
3によってローダ/アンローダ部3に載置された第2の
カセットC2内に収容される(ステップS20)。
【0039】次に、図3を参照しながら、塗布系処理ユ
ニット群100について説明する。
ニット群100について説明する。
【0040】図示のように、塗布系処理ユニット群10
0を構成するレジスト液塗布処理ユニット(CT)12
2と減圧乾燥処理ユニット(DP)140とエッジリム
ーバ(ER)123は、同一のステージに一体的に並設
されている。また、ステージ上には、基板Gを各ユニッ
ト122,140,123間で搬送するための搬送アー
ム141,142が設けられている。具体的には、レジ
スト液塗布処理ユニット(CT)122でレジスト液が
塗布された基板Gは、一対の搬送アーム141により減
圧乾燥処理ユニット(DP)140に搬送され、この減
圧乾燥処理ユニット(DP)140で乾燥処理された
後、一対の搬送アーム42によりエッジリムーバ(E
R)123に搬送されるようになっている。
0を構成するレジスト液塗布処理ユニット(CT)12
2と減圧乾燥処理ユニット(DP)140とエッジリム
ーバ(ER)123は、同一のステージに一体的に並設
されている。また、ステージ上には、基板Gを各ユニッ
ト122,140,123間で搬送するための搬送アー
ム141,142が設けられている。具体的には、レジ
スト液塗布処理ユニット(CT)122でレジスト液が
塗布された基板Gは、一対の搬送アーム141により減
圧乾燥処理ユニット(DP)140に搬送され、この減
圧乾燥処理ユニット(DP)140で乾燥処理された
後、一対の搬送アーム42によりエッジリムーバ(E
R)123に搬送されるようになっている。
【0041】レジスト液塗布処理ユニット(CT)12
2は、基板Gを吸着保持する水平回転可能なスピンチャ
ック151と、このスピンチャック151の上端部を囲
み且つスピンチャック151に吸着保持された基板Gを
包囲して上端部が開口する有底円筒状の回転カップ15
2と、この回転カップ152の上端開口に被せられる蓋
体(図示せず)と、回転カップ152の外周を取り囲む
ように固定配置されるドレンカップ153とを有してい
る。なお、ドレンカップ153の外周には、アウターカ
バー154が設けられている。
2は、基板Gを吸着保持する水平回転可能なスピンチャ
ック151と、このスピンチャック151の上端部を囲
み且つスピンチャック151に吸着保持された基板Gを
包囲して上端部が開口する有底円筒状の回転カップ15
2と、この回転カップ152の上端開口に被せられる蓋
体(図示せず)と、回転カップ152の外周を取り囲む
ように固定配置されるドレンカップ153とを有してい
る。なお、ドレンカップ153の外周には、アウターカ
バー154が設けられている。
【0042】また、レジスト液塗布処理ユニット(C
T)122は、ガラス製の矩形のLCD基板Gにレジス
ト液を吐出するためのレジスト液吐出ノズルアーム15
5を有している。このレジスト液吐出ノズルアーム15
5は、レジスト液吐出ノズル156とシンナー吐出ノズ
ル157とをその先端に有しており、レジスト液滴下時
には各吐出ノズル156,157が基板Gの中心へと移
動されるように動作される。なお、各吐出ノズル15
6,157は、レジスト液供給管(図示せず)を介し
て、レジスト液供給部(図示せず)に接続されている。
T)122は、ガラス製の矩形のLCD基板Gにレジス
ト液を吐出するためのレジスト液吐出ノズルアーム15
5を有している。このレジスト液吐出ノズルアーム15
5は、レジスト液吐出ノズル156とシンナー吐出ノズ
ル157とをその先端に有しており、レジスト液滴下時
には各吐出ノズル156,157が基板Gの中心へと移
動されるように動作される。なお、各吐出ノズル15
6,157は、レジスト液供給管(図示せず)を介し
て、レジスト液供給部(図示せず)に接続されている。
【0043】減圧乾燥処理ユニット(DP)140は、
下部チャンバ161と、その上を覆うように設けられ且
つユニット内部の処理空間を気密に維持する上部チャン
バ(図示せず)とを有している。下部チャンバ161に
は、基板Gを載置するためのステージ163が設けら
れ、下部チャンバ161の各コーナー部には、4個の排
気口164が設けられ、この排気口164に連通された
排気管がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ(図示せ
ず)に接続されている。この構成では、下部チャンバ1
61と上部チャンバとが密着した状態で排気口164を
通じた排気が行なわれると、上下のチャンバによって形
成されるユニット140の処理空間内が所定の真空度ま
で減圧される。
下部チャンバ161と、その上を覆うように設けられ且
つユニット内部の処理空間を気密に維持する上部チャン
バ(図示せず)とを有している。下部チャンバ161に
は、基板Gを載置するためのステージ163が設けら
れ、下部チャンバ161の各コーナー部には、4個の排
気口164が設けられ、この排気口164に連通された
排気管がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ(図示せ
ず)に接続されている。この構成では、下部チャンバ1
61と上部チャンバとが密着した状態で排気口164を
通じた排気が行なわれると、上下のチャンバによって形
成されるユニット140の処理空間内が所定の真空度ま
で減圧される。
【0044】エッジリムーバ(ER)123は、図4〜
図7に詳しく示されるように、ステージ側に例えば固定
的に取り付けられた下側の第1のリムーバヘッド52
と、この第1のリムーバヘッド52に対して上下動可能
で且つ第1のリムーバヘッド52と組み合わされて基板
Gの周縁部の不要レジストを除去するための処理空間S
(図7参照)を形成する上側の第2のリムーバヘッド5
4とから成る。第1のリムーバヘッド52は矩形状の枠
体から成る。具体的には、第1のリムーバヘッド52
は、処理される基板Gを外側から取り囲む(図5参照)
矩形状の外側枠部52Aと、この外側枠部52Aの内側
に設けられ且つ基板Gの裏面(レジスト液が供給される
基板Gの表面と反対側の面)の周縁部と対向する矩形状
の内側枠部52Bとから成る。外側枠部52Aは、X方
向およびY方向に延びる4つのストリップ(側板)52
a〜52dによって枠状に形成されており、これによ
り、処理される基板Gを内側に受け入れるための第1の
開口53を形成している。また、第2のリムーバヘッド
54と対向する各ストリップ52a〜52dの上面は、
第2のリムーバヘッド54の対応する面(後述する)と
当接する例えば平滑な当接面56として形成されてい
る。また、各ストリップ52a〜52dにはその側方か
ら複数の吸引管60が接続されており、各吸引管60の
吸引口60aは外側枠部52Aの内側で開口している。
なお、複数の吸引管路60は例えば一括して真空ポンプ
等の吸引源(図示せず)に接続されている。
図7に詳しく示されるように、ステージ側に例えば固定
的に取り付けられた下側の第1のリムーバヘッド52
と、この第1のリムーバヘッド52に対して上下動可能
で且つ第1のリムーバヘッド52と組み合わされて基板
Gの周縁部の不要レジストを除去するための処理空間S
(図7参照)を形成する上側の第2のリムーバヘッド5
4とから成る。第1のリムーバヘッド52は矩形状の枠
体から成る。具体的には、第1のリムーバヘッド52
は、処理される基板Gを外側から取り囲む(図5参照)
矩形状の外側枠部52Aと、この外側枠部52Aの内側
に設けられ且つ基板Gの裏面(レジスト液が供給される
基板Gの表面と反対側の面)の周縁部と対向する矩形状
の内側枠部52Bとから成る。外側枠部52Aは、X方
向およびY方向に延びる4つのストリップ(側板)52
a〜52dによって枠状に形成されており、これによ
り、処理される基板Gを内側に受け入れるための第1の
開口53を形成している。また、第2のリムーバヘッド
54と対向する各ストリップ52a〜52dの上面は、
第2のリムーバヘッド54の対応する面(後述する)と
当接する例えば平滑な当接面56として形成されてい
る。また、各ストリップ52a〜52dにはその側方か
ら複数の吸引管60が接続されており、各吸引管60の
吸引口60aは外側枠部52Aの内側で開口している。
なお、複数の吸引管路60は例えば一括して真空ポンプ
等の吸引源(図示せず)に接続されている。
【0045】内側枠部52Bは、吸引口60aの下側か
ら外側枠部52Aの内側に向かって所定幅で延出すると
ともに、外側枠部52Aの4つの各ストリップ52a〜
52dに沿って枠状に延在しており、これにより、処理
される基板Gの裏面の周縁部と対向する矩形の対向面6
8を吸引口60aに隣接して形成するとともに、処理さ
れる基板Gを載置するための載置台50が昇降できる第
2の開口59を内側に形成している。また、各ストリッ
プ52a〜52dに沿って延びる対向面68には、その
長手方向に沿って所定の間隔で複数の溶剤吐出口66が
設けられている。この溶剤吐出口66は、内側枠部52
B内に形成された溶剤通路を介して、外側枠部52Aの
例えば4つの角部に接続された溶剤供給管61に連通さ
れている。具体的に説明すると、図7に示されるよう
に、内側枠部52B内には、不要レジストを除去するた
めの溶剤が通る溶剤通路62が形成されている。この溶
剤通路62は、内側枠部52Bの全長にわたって延び或
いは対応する溶剤供給管61からそれぞれ溶剤を受ける
4つの区分通路を形成するように延びている(後者の場
合、各区分通路は、例えば、対応する各ストリップ52
a〜52dの略長さ分だけ延びている)。また、溶剤吐
出口66は、対向面68側から溶剤通路62に達する孔
を内側枠部52Bに穿設して形成しても良いが、図7に
具体的に示されているように、溶剤通路62を対向面6
8で開口するように形成するとともに、溶剤通路62の
開口を塞ぐように蓋体65を対向面68に着脱自在に取
り付け、この蓋体65に溶剤吐出口66を設けて溶剤通
路62に接続させるようにすれば、メンテナンスの容易
化等を図ることができる。また、内側枠部52Bの端部
には、処理される基板Gの裏面と例えば接触して処理空
間Sを液密に保持するシール部材70が設けられてい
る。なお、溶剤供給管61は、例えばタンクなどの溶剤
供給源に接続されており、窒素ガス等による圧送によっ
て溶剤を所定圧で供給する。また、シール部材70は、
弾性材料によって形成されて内側枠部52Bに着脱自在
に取り付けられていても良いが、内側枠部52Bと同質
の材料によって一体に形成されていても良い。また、結
露防止のため、蓋体65は断熱材によって形成されてい
ても良い。また、例えば溶剤吐出孔66の直径は60μ
m〜260μm程度であり、隣合う溶剤吐出孔66同士
の間隔は例えば2mm程度に設定されている。
ら外側枠部52Aの内側に向かって所定幅で延出すると
ともに、外側枠部52Aの4つの各ストリップ52a〜
52dに沿って枠状に延在しており、これにより、処理
される基板Gの裏面の周縁部と対向する矩形の対向面6
8を吸引口60aに隣接して形成するとともに、処理さ
れる基板Gを載置するための載置台50が昇降できる第
2の開口59を内側に形成している。また、各ストリッ
プ52a〜52dに沿って延びる対向面68には、その
長手方向に沿って所定の間隔で複数の溶剤吐出口66が
設けられている。この溶剤吐出口66は、内側枠部52
B内に形成された溶剤通路を介して、外側枠部52Aの
例えば4つの角部に接続された溶剤供給管61に連通さ
れている。具体的に説明すると、図7に示されるよう
に、内側枠部52B内には、不要レジストを除去するた
めの溶剤が通る溶剤通路62が形成されている。この溶
剤通路62は、内側枠部52Bの全長にわたって延び或
いは対応する溶剤供給管61からそれぞれ溶剤を受ける
4つの区分通路を形成するように延びている(後者の場
合、各区分通路は、例えば、対応する各ストリップ52
a〜52dの略長さ分だけ延びている)。また、溶剤吐
出口66は、対向面68側から溶剤通路62に達する孔
を内側枠部52Bに穿設して形成しても良いが、図7に
具体的に示されているように、溶剤通路62を対向面6
8で開口するように形成するとともに、溶剤通路62の
開口を塞ぐように蓋体65を対向面68に着脱自在に取
り付け、この蓋体65に溶剤吐出口66を設けて溶剤通
路62に接続させるようにすれば、メンテナンスの容易
化等を図ることができる。また、内側枠部52Bの端部
には、処理される基板Gの裏面と例えば接触して処理空
間Sを液密に保持するシール部材70が設けられてい
る。なお、溶剤供給管61は、例えばタンクなどの溶剤
供給源に接続されており、窒素ガス等による圧送によっ
て溶剤を所定圧で供給する。また、シール部材70は、
弾性材料によって形成されて内側枠部52Bに着脱自在
に取り付けられていても良いが、内側枠部52Bと同質
の材料によって一体に形成されていても良い。また、結
露防止のため、蓋体65は断熱材によって形成されてい
ても良い。また、例えば溶剤吐出孔66の直径は60μ
m〜260μm程度であり、隣合う溶剤吐出孔66同士
の間隔は例えば2mm程度に設定されている。
【0046】一方、第2のリムーバヘッド54も矩形状
の枠体から成る。具体的には、図4に示されるように、
第2のリムーバヘッド54は、X方向およびY方向に延
びる4つのストリップ(側板)54a〜54dによって
枠状に形成されており、これにより、第1のリムーバヘ
ッド52の第2の開口59と略同じ大きさの開口57を
形成している。また、図7に詳しく示されるように、第
1のリムーバヘッド52と対向する各ストリップ54a
〜54dの下面は、第1のリムーバヘッド52の当接面
56と当接する外側の当接部74と、処理される基板G
の表面の周縁部と対向する内側の対向部75とから成
る。この場合、対向部75は、第1のリムーバヘッド5
2の対向面68と対向して、その間に、基板Gの周縁部
の不要レジストを除去するための処理空間Sを形成す
る。なお、枠状に延びる第2のリムーバヘッド54の当
接部74と第1のリムーバヘッド52の当接面56のい
ずれか一方(本実施形態では、第1のリムーバヘッド5
2の当接面56)の表面には、処理空間Sを液密に保持
するためのシール部材82が設けられている。また、枠
状に延びる対向部75には、その長手方向に沿って所定
の間隔で複数の溶剤吐出口77が設けられている。この
溶剤吐出口77は、第2のリムーバヘッド54内に形成
された溶剤通路を介して、第2のリムーバヘッド54の
例えば4つの角部に接続された溶剤供給管61に連通さ
れている。具体的に説明すると、図7に示されるよう
に、第2のリムーバヘッド54内には、不要レジストを
除去するための溶剤が通る溶剤通路78が形成されてい
る。この溶剤通路78は、枠状の第2のリムーバヘッド
54の全長にわたって延び或いは対応する溶剤供給管6
1からそれぞれ溶剤を受ける4つの区分通路を形成する
ように延びている(後者の場合、各区分通路は、例え
ば、対応する各ストリップ54a〜54dの略長さ分だ
け延びている)。また、溶剤吐出口77は、対向部75
側から溶剤通路78に達する孔を第2のリムーバヘッド
54に穿設して形成しても良いが、第1のリムーバヘッ
ド52の場合と同様に、溶剤通路78を対向部75で開
口するように形成するとともに、溶剤通路78の開口を
塞ぐように蓋体76を対向部75に着脱自在に取り付
け、この蓋体76に溶剤吐出口77を設けて溶剤通路7
8に接続させるようにすれば、メンテナンスの容易化等
を図ることができる(図7参照)。また、対向部75の
端部には、処理される基板Gの表面と近接あるいは接触
して処理空間Sを液密に保持するシール部72が下方に
向けて突設されている。なお、このシール部72は、弾
性材料によって形成されて第2のリムーバヘッド54に
着脱自在に取り付けられていても良いが、第2のリムー
バヘッド54と同質の材料によって一体に形成されてい
ても良い。また、結露防止のため、蓋体76は断熱材に
よって形成されていても良い。また、第2のリムーバヘ
ッド54は、これを第1のリムーバヘッド52に対して
上下動させる昇降駆動機構80に連結されている。
の枠体から成る。具体的には、図4に示されるように、
第2のリムーバヘッド54は、X方向およびY方向に延
びる4つのストリップ(側板)54a〜54dによって
枠状に形成されており、これにより、第1のリムーバヘ
ッド52の第2の開口59と略同じ大きさの開口57を
形成している。また、図7に詳しく示されるように、第
1のリムーバヘッド52と対向する各ストリップ54a
〜54dの下面は、第1のリムーバヘッド52の当接面
56と当接する外側の当接部74と、処理される基板G
の表面の周縁部と対向する内側の対向部75とから成
る。この場合、対向部75は、第1のリムーバヘッド5
2の対向面68と対向して、その間に、基板Gの周縁部
の不要レジストを除去するための処理空間Sを形成す
る。なお、枠状に延びる第2のリムーバヘッド54の当
接部74と第1のリムーバヘッド52の当接面56のい
ずれか一方(本実施形態では、第1のリムーバヘッド5
2の当接面56)の表面には、処理空間Sを液密に保持
するためのシール部材82が設けられている。また、枠
状に延びる対向部75には、その長手方向に沿って所定
の間隔で複数の溶剤吐出口77が設けられている。この
溶剤吐出口77は、第2のリムーバヘッド54内に形成
された溶剤通路を介して、第2のリムーバヘッド54の
例えば4つの角部に接続された溶剤供給管61に連通さ
れている。具体的に説明すると、図7に示されるよう
に、第2のリムーバヘッド54内には、不要レジストを
除去するための溶剤が通る溶剤通路78が形成されてい
る。この溶剤通路78は、枠状の第2のリムーバヘッド
54の全長にわたって延び或いは対応する溶剤供給管6
1からそれぞれ溶剤を受ける4つの区分通路を形成する
ように延びている(後者の場合、各区分通路は、例え
ば、対応する各ストリップ54a〜54dの略長さ分だ
け延びている)。また、溶剤吐出口77は、対向部75
側から溶剤通路78に達する孔を第2のリムーバヘッド
54に穿設して形成しても良いが、第1のリムーバヘッ
ド52の場合と同様に、溶剤通路78を対向部75で開
口するように形成するとともに、溶剤通路78の開口を
塞ぐように蓋体76を対向部75に着脱自在に取り付
け、この蓋体76に溶剤吐出口77を設けて溶剤通路7
8に接続させるようにすれば、メンテナンスの容易化等
を図ることができる(図7参照)。また、対向部75の
端部には、処理される基板Gの表面と近接あるいは接触
して処理空間Sを液密に保持するシール部72が下方に
向けて突設されている。なお、このシール部72は、弾
性材料によって形成されて第2のリムーバヘッド54に
着脱自在に取り付けられていても良いが、第2のリムー
バヘッド54と同質の材料によって一体に形成されてい
ても良い。また、結露防止のため、蓋体76は断熱材に
よって形成されていても良い。また、第2のリムーバヘ
ッド54は、これを第1のリムーバヘッド52に対して
上下動させる昇降駆動機構80に連結されている。
【0047】次に、前記構成の塗布系処理ユニット群1
00によって基板Gを処理する場合について説明する。
00によって基板Gを処理する場合について説明する。
【0048】まず、レジスト液塗布処理ユニット(C
T)では、処理容器としての回転カップ152内で、基
板Gがスピンチャック151によって吸着保持される。
続いて、回転カップ152の上端開口に被せられる蓋体
が開かれ且つスピンチャック151によって基板Gが回
転された状態で、レジスト吐出ノズルアーム155が基
板Gの中心まで回動されて、シンナーノズル157が基
板Gの中心に到達され、基板Gの表面にシンナーが供給
される。次いで、レジスト液のノズル156がスピンチ
ャック151の中心(基板Gの中心)に到達されて、基
板Gの中心にレジスト液が滴下される。この時、同時
に、基板Gが高速回転され、遠心力によってレジスト液
が基板Gの中心からその周囲全域にむらなく広げられ
る。また、蓋体によりカップ152内が密閉された状態
で、さらに基板Gが高速回転されて、膜厚が整えられ
る。なお、基板Gの回転は、スピンチャック151をカ
ップ152ごと高速回転させることにより行なわれる。
すなわち、このように基板Gを回転させながらレジスト
液を塗布する手法は、半導体ウエハ上に回路パターンを
形成する場合にも採用されているが、LCDの製造にお
いては、LCD基板Gが大型で且つ矩形であることか
ら、半導体ウエハと比較して均一なレジスト膜の形成が
難しいということがある。特に、4つの角部は回転中心
から距離があるため、この部分の周速はかなり高速にな
り、基板Gの周囲に乱気流が発生するという不具合が生
じる可能性がある。また、基板Gの角部にまでレジスト
液を均一に拡散させるには、レジスト液中に含まれる溶
剤の揮発をできるだけ防止して、拡散速度を一定にする
必要がある。このため、LCD基板製造装置において
は、基板Gのみを回転させるのではなく、この基板Gを
カップ152内に密閉収納し、このカップ152ごと高
速で回転させることで、溶剤の揮発および乱気流の発生
を防止するようにしている。レジスト液が塗布された基
板Gは、搬送アーム141により減圧乾燥処理ユニット
(DP)140に搬送される。減圧乾燥処理ユニット
(DP)140では、下部チャンバ161と上部チャン
バとによって形成される処理室内のガスが排気され、処
理室内が所定の真空度に減圧される。これにより、レジ
スト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジ
スト液中の溶剤が徐々に放出される。したがって、レジ
スト液に悪影響を与えることなくレジスト液の乾燥が促
進され、基板G上に転写が生じることが有効に防止され
る。
T)では、処理容器としての回転カップ152内で、基
板Gがスピンチャック151によって吸着保持される。
続いて、回転カップ152の上端開口に被せられる蓋体
が開かれ且つスピンチャック151によって基板Gが回
転された状態で、レジスト吐出ノズルアーム155が基
板Gの中心まで回動されて、シンナーノズル157が基
板Gの中心に到達され、基板Gの表面にシンナーが供給
される。次いで、レジスト液のノズル156がスピンチ
ャック151の中心(基板Gの中心)に到達されて、基
板Gの中心にレジスト液が滴下される。この時、同時
に、基板Gが高速回転され、遠心力によってレジスト液
が基板Gの中心からその周囲全域にむらなく広げられ
る。また、蓋体によりカップ152内が密閉された状態
で、さらに基板Gが高速回転されて、膜厚が整えられ
る。なお、基板Gの回転は、スピンチャック151をカ
ップ152ごと高速回転させることにより行なわれる。
すなわち、このように基板Gを回転させながらレジスト
液を塗布する手法は、半導体ウエハ上に回路パターンを
形成する場合にも採用されているが、LCDの製造にお
いては、LCD基板Gが大型で且つ矩形であることか
ら、半導体ウエハと比較して均一なレジスト膜の形成が
難しいということがある。特に、4つの角部は回転中心
から距離があるため、この部分の周速はかなり高速にな
り、基板Gの周囲に乱気流が発生するという不具合が生
じる可能性がある。また、基板Gの角部にまでレジスト
液を均一に拡散させるには、レジスト液中に含まれる溶
剤の揮発をできるだけ防止して、拡散速度を一定にする
必要がある。このため、LCD基板製造装置において
は、基板Gのみを回転させるのではなく、この基板Gを
カップ152内に密閉収納し、このカップ152ごと高
速で回転させることで、溶剤の揮発および乱気流の発生
を防止するようにしている。レジスト液が塗布された基
板Gは、搬送アーム141により減圧乾燥処理ユニット
(DP)140に搬送される。減圧乾燥処理ユニット
(DP)140では、下部チャンバ161と上部チャン
バとによって形成される処理室内のガスが排気され、処
理室内が所定の真空度に減圧される。これにより、レジ
スト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジ
スト液中の溶剤が徐々に放出される。したがって、レジ
スト液に悪影響を与えることなくレジスト液の乾燥が促
進され、基板G上に転写が生じることが有効に防止され
る。
【0049】このようにして乾燥された基板Gは、搬送
アーム142によりエッジリムーバー(ER)123へ
と搬送される。この時、搬送アーム142は、第1のリ
ムーバヘッド52の第1および第2の開口53,59を
通じて所定の高さまで上昇した載置台50上に基板Gを
受け渡す。その後、基板Gを保持した載置台50が下降
され、基板Gが第1のリムーバヘッド52の内側の処理
位置へと導入される。この処理位置において、基板G
は、外側枠部52Aによって外側から取り囲まれるとと
もに、その裏面の周縁部が内側枠部52Bの対向面68
から所定の距離に保持される。その状態が図5および図
7に示されている。図示のように、この状態では、基板
Gの裏面に回り込んだレジスト膜Cと溶剤吐出口66と
が対向するように基板Gの裏面の周縁部が対向面68と
所定の距離を存して対向されるとともに、基板Gの裏面
の周縁部近傍がシール部材70に当接される。
アーム142によりエッジリムーバー(ER)123へ
と搬送される。この時、搬送アーム142は、第1のリ
ムーバヘッド52の第1および第2の開口53,59を
通じて所定の高さまで上昇した載置台50上に基板Gを
受け渡す。その後、基板Gを保持した載置台50が下降
され、基板Gが第1のリムーバヘッド52の内側の処理
位置へと導入される。この処理位置において、基板G
は、外側枠部52Aによって外側から取り囲まれるとと
もに、その裏面の周縁部が内側枠部52Bの対向面68
から所定の距離に保持される。その状態が図5および図
7に示されている。図示のように、この状態では、基板
Gの裏面に回り込んだレジスト膜Cと溶剤吐出口66と
が対向するように基板Gの裏面の周縁部が対向面68と
所定の距離を存して対向されるとともに、基板Gの裏面
の周縁部近傍がシール部材70に当接される。
【0050】このようにして基板Gが第1のリムーバヘ
ッド52内の処理位置に保持されたら、続いて、昇降駆
動機構80が駆動されて、第2のリムーバヘッド54が
下降され、第1のリムーバヘッド52上に第2のリムー
バヘッド54が重ね合わされる。その状態が図6および
図7に示されている。この状態では、第2のリムーバヘ
ッド54の当接部74が第1のリムーバヘッド52の当
接面56に当接されるとともに、第2のリムーバヘッド
54の対向部75が第1のリムーバヘッド52の対向面
68との間で基板Gの周縁部を挟み込むように基板Gの
表面の周縁部と所定の距離を存して対向される。すなわ
ち、基板Gの周縁部の不要レジストを除去するための処
理空間Sが対向部75と対向面68との間に形成され、
基板Gの全周縁部が一度に処理空間S内に位置される。
なお、この時、第1のリムーバヘッド52の当接面56
と第2のリムーバヘッド54の当接部74との間に介挿
されたシール部材82と対向部75の端部に設けられた
シール部72は、シール部材70と協働して、処理空間
Sを液密に保持する。
ッド52内の処理位置に保持されたら、続いて、昇降駆
動機構80が駆動されて、第2のリムーバヘッド54が
下降され、第1のリムーバヘッド52上に第2のリムー
バヘッド54が重ね合わされる。その状態が図6および
図7に示されている。この状態では、第2のリムーバヘ
ッド54の当接部74が第1のリムーバヘッド52の当
接面56に当接されるとともに、第2のリムーバヘッド
54の対向部75が第1のリムーバヘッド52の対向面
68との間で基板Gの周縁部を挟み込むように基板Gの
表面の周縁部と所定の距離を存して対向される。すなわ
ち、基板Gの周縁部の不要レジストを除去するための処
理空間Sが対向部75と対向面68との間に形成され、
基板Gの全周縁部が一度に処理空間S内に位置される。
なお、この時、第1のリムーバヘッド52の当接面56
と第2のリムーバヘッド54の当接部74との間に介挿
されたシール部材82と対向部75の端部に設けられた
シール部72は、シール部材70と協働して、処理空間
Sを液密に保持する。
【0051】図7の状態で、例えばタンクなどの溶剤供
給源から溶剤供給管61を介して溶剤が溶剤通路62,
78内に流れ込み、溶剤吐出口66,77から基板Gの
周縁部の表裏の両面に溶剤が噴き付けられる。すなわ
ち、基板Gの全周縁部(4辺)の不要レジスト膜が一度
に一括して同時に除去される。なお、溶剤は、窒素ガス
等による圧送によって所定圧で供給される。この場合、
前記タンクに加えられる窒素ガスの圧力は例えば約1k
g/cm2程度であり、これによって、例えば毎分40
ml程度の溶剤が基板Gの表裏面の周縁部に対して吐出
されるとともに、不要なレジスト膜が溶解されて基板G
上から除去される。また、吐出された溶剤や溶解したレ
ジスト液は、吸引口60aから吸引管60を通じて吸引
されて、外部へと排出される(図7中の矢印参照)。そ
の後、不要レジストが除去された基板Gは、前述したよ
うに、露光・現像処理される。以上説明したように、本
実施形態においては、矩形状の枠体から成る一対のリム
ーバヘッド52,54によって基板Gの全周縁部を一度
に挟み込んで、基板Gの4辺を一度に一括して同時に処
理するようにしたため、従来のように基板の4つの各辺
に沿ってリムーバヘッドを移動させて基板の4つの辺を
順次に(個々に)処理する場合に比べ、処理時間を大幅
に短縮することが可能になる。また、本実施形態では、
薄膜除去処理時に、第2のリムーバヘッド54が第1の
リムーバヘッド52と当接する処理位置まで下降され、
その処理位置に保持された状態で、溶剤の供給動作が行
なわれる。すなわち、従来のように基板の4つの辺に沿
ってリムーバヘッドを移動させる必要がなく、第2のリ
ムーバヘッド54を単に上下動させるだけで処理作業を
行なうことができるため、リムーバヘッドの複雑な動作
制御が不要であり、薄膜除去処理の簡略化を図ることが
できる。
給源から溶剤供給管61を介して溶剤が溶剤通路62,
78内に流れ込み、溶剤吐出口66,77から基板Gの
周縁部の表裏の両面に溶剤が噴き付けられる。すなわ
ち、基板Gの全周縁部(4辺)の不要レジスト膜が一度
に一括して同時に除去される。なお、溶剤は、窒素ガス
等による圧送によって所定圧で供給される。この場合、
前記タンクに加えられる窒素ガスの圧力は例えば約1k
g/cm2程度であり、これによって、例えば毎分40
ml程度の溶剤が基板Gの表裏面の周縁部に対して吐出
されるとともに、不要なレジスト膜が溶解されて基板G
上から除去される。また、吐出された溶剤や溶解したレ
ジスト液は、吸引口60aから吸引管60を通じて吸引
されて、外部へと排出される(図7中の矢印参照)。そ
の後、不要レジストが除去された基板Gは、前述したよ
うに、露光・現像処理される。以上説明したように、本
実施形態においては、矩形状の枠体から成る一対のリム
ーバヘッド52,54によって基板Gの全周縁部を一度
に挟み込んで、基板Gの4辺を一度に一括して同時に処
理するようにしたため、従来のように基板の4つの各辺
に沿ってリムーバヘッドを移動させて基板の4つの辺を
順次に(個々に)処理する場合に比べ、処理時間を大幅
に短縮することが可能になる。また、本実施形態では、
薄膜除去処理時に、第2のリムーバヘッド54が第1の
リムーバヘッド52と当接する処理位置まで下降され、
その処理位置に保持された状態で、溶剤の供給動作が行
なわれる。すなわち、従来のように基板の4つの辺に沿
ってリムーバヘッドを移動させる必要がなく、第2のリ
ムーバヘッド54を単に上下動させるだけで処理作業を
行なうことができるため、リムーバヘッドの複雑な動作
制御が不要であり、薄膜除去処理の簡略化を図ることが
できる。
【0052】図8は本発明の第2の実施形態を示してい
る。なお、本実施形態は第1の実施形態の変形例である
ため、第1の実施形態と共通する構成部分については、
以下、同一符号を付してその説明を省略する。
る。なお、本実施形態は第1の実施形態の変形例である
ため、第1の実施形態と共通する構成部分については、
以下、同一符号を付してその説明を省略する。
【0053】本実施形態では、第2のリムバヘッド54
を構成する各ストリップ54a〜54dがそれぞれ第1
のリムーバヘッド52の対応するストリップ52a〜5
2dに例えばヒンジ結合によって回動可能に連結され、
駆動機構85によって個別にもしくは一体で回動動作さ
れるようになっている。なお、それ以外の構成は第1の
実施形態と同一である。
を構成する各ストリップ54a〜54dがそれぞれ第1
のリムーバヘッド52の対応するストリップ52a〜5
2dに例えばヒンジ結合によって回動可能に連結され、
駆動機構85によって個別にもしくは一体で回動動作さ
れるようになっている。なお、それ以外の構成は第1の
実施形態と同一である。
【0054】このような構成では、第2のリムーバヘッ
ド54を構成する各ストリップ54a〜54dが上側に
起こされるように回動された状態で、搬送アーム142
によって基板Gが載置台50上に受け渡される。そし
て、処理時には、駆動機構85を介して各ストリップ5
4a〜54dが下側に回動されて第1のリムーバヘッド
52の対応するストリップ52a〜52dとともに処理
空間Sを形成する。すなわち、第1の実施形態と同様
に、一度に一括して同時に基板Gの薄膜除去処理を行な
うことができる。また、互いに隣合うストリップ54a
〜54dの端部同士が干渉するように形成されている場
合には、まず最初に、対向する1組のストリップ54
a,54cを下側に回動させて対応する基板Gの2辺の
処理を行ない、その後に、これらのストリップ54a,
54cを上側に回動させるとともに残る1組のストリッ
プ54b,54dを下側に回動させて、基板Gの残る2
辺の処理を行なうようにしても良い。すなわち、基板G
の対向する2組の辺を交互に処理するようにしても良
い。このように、本実施形態によれば、第1の実施形態
と同様の作用効果を得ることができるとともに、第2の
リムーバヘッド54の各ストリップ54a〜54dを個
別に回動動作させて基板Gの各辺の全長を個別に処理空
間S内に位置させることができるため、基板Gに対する
レジスト液の塗布状態等に応じて基板Gの各辺を個別に
処理することができ、状況に応じた柔軟な対応が可能に
なる。
ド54を構成する各ストリップ54a〜54dが上側に
起こされるように回動された状態で、搬送アーム142
によって基板Gが載置台50上に受け渡される。そし
て、処理時には、駆動機構85を介して各ストリップ5
4a〜54dが下側に回動されて第1のリムーバヘッド
52の対応するストリップ52a〜52dとともに処理
空間Sを形成する。すなわち、第1の実施形態と同様
に、一度に一括して同時に基板Gの薄膜除去処理を行な
うことができる。また、互いに隣合うストリップ54a
〜54dの端部同士が干渉するように形成されている場
合には、まず最初に、対向する1組のストリップ54
a,54cを下側に回動させて対応する基板Gの2辺の
処理を行ない、その後に、これらのストリップ54a,
54cを上側に回動させるとともに残る1組のストリッ
プ54b,54dを下側に回動させて、基板Gの残る2
辺の処理を行なうようにしても良い。すなわち、基板G
の対向する2組の辺を交互に処理するようにしても良
い。このように、本実施形態によれば、第1の実施形態
と同様の作用効果を得ることができるとともに、第2の
リムーバヘッド54の各ストリップ54a〜54dを個
別に回動動作させて基板Gの各辺の全長を個別に処理空
間S内に位置させることができるため、基板Gに対する
レジスト液の塗布状態等に応じて基板Gの各辺を個別に
処理することができ、状況に応じた柔軟な対応が可能に
なる。
【0055】図9は本発明の第3の実施形態を示してい
る。なお、本実施形態は第1の実施形態の変形例である
ため、第1の実施形態と共通する構成部分については、
以下、同一符号を付してその説明を省略する。
る。なお、本実施形態は第1の実施形態の変形例である
ため、第1の実施形態と共通する構成部分については、
以下、同一符号を付してその説明を省略する。
【0056】本実施形態では、第2のリムバヘッド54
を構成する各ストリップ54a〜54dがそれぞれ個別
に水平に移動されて第1のリムーバヘッド52の対応す
るストリップ52a〜52dに組み合わされるようにな
っている。具体的には、各ストリップ54a〜54d
は、水平移動機構90に連結されており、水平移動機構
90を介して対応するストリップ52a〜52dに向け
て水平に移動されると、図7に示されるように対応する
ストリップ52a〜52dとともに処理空間Sを形成す
る処理位置に位置されるようになっている。なお、それ
以外の構成は第1の実施形態と同一である。
を構成する各ストリップ54a〜54dがそれぞれ個別
に水平に移動されて第1のリムーバヘッド52の対応す
るストリップ52a〜52dに組み合わされるようにな
っている。具体的には、各ストリップ54a〜54d
は、水平移動機構90に連結されており、水平移動機構
90を介して対応するストリップ52a〜52dに向け
て水平に移動されると、図7に示されるように対応する
ストリップ52a〜52dとともに処理空間Sを形成す
る処理位置に位置されるようになっている。なお、それ
以外の構成は第1の実施形態と同一である。
【0057】このような構成では、第2のリムーバヘッ
ド54を構成する各ストリップ54a〜54dが第1の
リムーバヘッド52の対応するストリップ52a〜52
dから水平方向に退避された状態で、搬送アーム142
によって基板Gが載置台50上に受け渡される。そし
て、処理時には、水平移動機構90を介して各ストリッ
プ54a〜54dが個別にもしくは一体で対応するスト
リップ52a〜52dに向けて水平に移動されてストリ
ップ52a〜52dとともに処理空間Sを形成する。す
なわち、第1の実施形態と同様に、一度に一括して同時
に基板Gの薄膜除去処理を行なうことができる。また、
互いに隣合うストリップ54a〜54dの端部同士が干
渉するように形成されている場合には、まず最初に、対
向する1組のストリップ54a,54cを対応するスト
リップ52a,52cに向けて水平に移動させて対応す
る基板Gの2辺の処理を行ない、その後に、これらのス
トリップ54a,54cを水平方向に退避させるととも
に残る1組のストリップ54b,54dを対応するスト
リップ52b、52dに向けて水平に移動させて、基板
Gの残る2辺の処理を行なうようにしても良い。すなわ
ち、基板Gの対向する2組の辺を交互に処理するように
しても良い。このように、本実施形態によれば、第1の
実施形態と同様の作用効果を得ることができるととも
に、第2のリムーバヘッド54の各ストリップ54a〜
54dを個別に水平移動させて基板Gの各辺の全長を個
別に処理空間S内に位置させることができるため、基板
Gに対するレジスト液の塗布状態等に応じて基板Gの各
辺を個別に処理することができ、状況に応じた柔軟な対
応が可能になる。
ド54を構成する各ストリップ54a〜54dが第1の
リムーバヘッド52の対応するストリップ52a〜52
dから水平方向に退避された状態で、搬送アーム142
によって基板Gが載置台50上に受け渡される。そし
て、処理時には、水平移動機構90を介して各ストリッ
プ54a〜54dが個別にもしくは一体で対応するスト
リップ52a〜52dに向けて水平に移動されてストリ
ップ52a〜52dとともに処理空間Sを形成する。す
なわち、第1の実施形態と同様に、一度に一括して同時
に基板Gの薄膜除去処理を行なうことができる。また、
互いに隣合うストリップ54a〜54dの端部同士が干
渉するように形成されている場合には、まず最初に、対
向する1組のストリップ54a,54cを対応するスト
リップ52a,52cに向けて水平に移動させて対応す
る基板Gの2辺の処理を行ない、その後に、これらのス
トリップ54a,54cを水平方向に退避させるととも
に残る1組のストリップ54b,54dを対応するスト
リップ52b、52dに向けて水平に移動させて、基板
Gの残る2辺の処理を行なうようにしても良い。すなわ
ち、基板Gの対向する2組の辺を交互に処理するように
しても良い。このように、本実施形態によれば、第1の
実施形態と同様の作用効果を得ることができるととも
に、第2のリムーバヘッド54の各ストリップ54a〜
54dを個別に水平移動させて基板Gの各辺の全長を個
別に処理空間S内に位置させることができるため、基板
Gに対するレジスト液の塗布状態等に応じて基板Gの各
辺を個別に処理することができ、状況に応じた柔軟な対
応が可能になる。
【0058】なお、本発明は、前記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形
実施できることは言うまでもない。例えば、溶剤吐出口
66,77の配置形態や間隔は前記実施形態に限定され
るものではなく、溶剤吐出口66,77をスリット状に
形成しても良く、また、溶剤吐出口66,77を直線状
ではなく千鳥状に配置するようにしても良い。また、基
板の他の周縁部と比較して特に高く盛り上がる基板の4
つの角部のレジスト膜を確実に除去するため、第1およ
び第2のリムーバヘッド52,54の4つの角部で溶剤
吐出口66,77の間隔を狭くするか、又は口径を大き
くし、これら角部における溶剤吐出量を他の部位に比べ
て多くしても良い。また、前記実施形態では、第1のリ
ムーバヘッド52が固定状態に保持されているが、第1
および第2のリムーバヘッド52,54の両者を移動さ
せるようにしても良く、また、上側の第2のリムーバヘ
ッド54を固定状態に保持するとともに下側の第1のリ
ムーバヘッド52を第2のリムーバヘッド54に対して
移動させるようにしても良い。
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形
実施できることは言うまでもない。例えば、溶剤吐出口
66,77の配置形態や間隔は前記実施形態に限定され
るものではなく、溶剤吐出口66,77をスリット状に
形成しても良く、また、溶剤吐出口66,77を直線状
ではなく千鳥状に配置するようにしても良い。また、基
板の他の周縁部と比較して特に高く盛り上がる基板の4
つの角部のレジスト膜を確実に除去するため、第1およ
び第2のリムーバヘッド52,54の4つの角部で溶剤
吐出口66,77の間隔を狭くするか、又は口径を大き
くし、これら角部における溶剤吐出量を他の部位に比べ
て多くしても良い。また、前記実施形態では、第1のリ
ムーバヘッド52が固定状態に保持されているが、第1
および第2のリムーバヘッド52,54の両者を移動さ
せるようにしても良く、また、上側の第2のリムーバヘ
ッド54を固定状態に保持するとともに下側の第1のリ
ムーバヘッド52を第2のリムーバヘッド54に対して
移動させるようにしても良い。
【0059】また、前記実施形態では、塗布系処理ユニ
ット群100を構成するレジスト液塗布処理ユニット
(CT)122と減圧乾燥処理ユニット(DP)140
とエッジリムーバ(ER)123とが互いに同一のステ
ージ上に並設されているが、減圧乾燥処理ユニット(D
P)140とエッジリムーバ(ER)123とを上下2
段に積み上げて設置したユニット(DP/ER)を、レ
ジスト液塗布処理ユニット(CT)122に並設させる
ようにしても良い。
ット群100を構成するレジスト液塗布処理ユニット
(CT)122と減圧乾燥処理ユニット(DP)140
とエッジリムーバ(ER)123とが互いに同一のステ
ージ上に並設されているが、減圧乾燥処理ユニット(D
P)140とエッジリムーバ(ER)123とを上下2
段に積み上げて設置したユニット(DP/ER)を、レ
ジスト液塗布処理ユニット(CT)122に並設させる
ようにしても良い。
【0060】また、前記実施形態では、本発明をLCD
基板の塗布現像処理システムに適用した例が示されてい
るが、これに限らず、カラーフィルタ等、他の基板の塗
布・現像処理システムに本発明を適用できることは言う
までもない。
基板の塗布現像処理システムに適用した例が示されてい
るが、これに限らず、カラーフィルタ等、他の基板の塗
布・現像処理システムに本発明を適用できることは言う
までもない。
【0061】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜除去に必要な処理時間を従来よりも短くできるとと
もに、薄膜除去処理の簡略化を図ることができる薄膜形
成装置及び薄膜除去装置を提供できる。
薄膜除去に必要な処理時間を従来よりも短くできるとと
もに、薄膜除去処理の簡略化を図ることができる薄膜形
成装置及び薄膜除去装置を提供できる。
【図1】本発明の第1の実施形態が適用されるLCD製
造装置の平面図である。
造装置の平面図である。
【図2】図1のLCD製造装置を用いた製造工程のフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図3】図1のLCD製造装置の塗布系処理ユニット群
の概略平面図である。
の概略平面図である。
【図4】図3の塗布系処理ユニット群を構成するエッジ
リムーバの退避位置における斜視図である。
リムーバの退避位置における斜視図である。
【図5】退避位置で基板を受け取った状態を示す図4の
エッジリムーバの斜視図である。
エッジリムーバの斜視図である。
【図6】図4のエッジリムーバの処理位置における斜視
図である。
図である。
【図7】処理位置にあるエッジリムーバの1つのストリ
ップの縦断面図である。
ップの縦断面図である。
【図8】本発明の第2の実施形態に係るエッジリムーバ
の1つのストリップの縦断面図である。
の1つのストリップの縦断面図である。
【図9】本発明の第3の実施形態に係るエッジリムーバ
の斜視図である。
の斜視図である。
1…塗布現像処理システム 52…第1のリムーバヘッド 52,52b,52c,52d…ストリップ 54…第2のリムーバヘッド 54a,54b,54c,54d…ストリップ 66,77…溶剤吐出口 68…対向面(第1の対向面) 75…対向部(第2の対向面) 100…塗布系処理ユニット群(薄膜形成装置) 122…レジスト液塗布処理ユニット 123…エッジリムーバ(薄膜除去装置) 140…減圧乾燥処理ユニット G…ガラス基板 S…処理空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AB13 AB16 EA05 EA10 2H088 FA17 FA18 FA30 HA01 MA20 4D075 BB20Z DA06 DC21 5F046 JA02 JA05 JA09 JA10 JA15 JA16
Claims (14)
- 【請求項1】 基板に塗布液を塗布して薄膜を形成する
薄膜形成部と、基板の周縁部に対して溶剤を吹き付ける
ことにより基板の周縁部を覆う不要な薄膜を除去する薄
膜除去部とを備えた薄膜形成装置において、 前記薄膜除去部は、 基板の裏面の周縁部の少なくとも1辺とその全長にわた
って対向する第1の対向面と、この第1の対向面に形成
され且つ基板の裏面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける
複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも1つのストリッ
プを備えた第1のリムーバヘッドと、 基板の表面の周縁部の少なくとも1辺とその全長にわた
って対向する第2の対向面と、この第2の対向面に形成
され且つ基板の表面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける
複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも1つのストリッ
プを備えた第2のリムーバヘッドと、 を備え、 基板の周縁部の不要な薄膜を除去するための処理空間が
前記第1の対向面と前記第2の対向面との間に形成され
る処理位置に向けて前記第1のリムーバヘッドと前記第
2のリムーバヘッドの少なくとも一方が移動され、前記
処理位置で前記溶剤吐出口から溶剤を噴き付けることに
より、処理空間内に位置された基板の周縁部の少なくと
も1辺の全長にわたって残存する不要な薄膜が一括して
除去されることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項2】 前記基板が4つの辺を有する矩形状に形
成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜形
成装置。 - 【請求項3】 第1および第2のリムーバヘッドはそれ
ぞれ、前記ストリップが矩形の枠体として形成され、前
記処理位置で基板の全周縁部を一括して処理することを
特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜形成装
置。 - 【請求項4】 第1のリムーバヘッドのストリップと第
2のリムーバヘッドのストリップの一方は、他方に対し
て回動可能に連結され、前記処理位置と処理位置から離
れた退避位置との間で回動操作されることを特徴とする
請求項1または請求項2に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項5】 第1のリムーバヘッドと第2のリムーバ
ヘッドの一方は基板の4つの辺に対応した4つのストリ
ップを備え、これらの4つのストリップは、他方のリム
ーバヘッドの対応するストリップに対して回動可能に連
結され、前記処理位置と処理位置から離れた退避位置と
の間で個別に回動操作されることを特徴とする請求項2
に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項6】 第1のリムーバヘッドのストリップと第
2のリムーバヘッドのストリップの少なくとも一方が前
記処理位置に向けて水平もしくは上下に移動されること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜形成
装置。 - 【請求項7】 第1のリムーバヘッドと第2のリムーバ
ヘッドの一方は基板の4つの辺に対応した4つのストリ
ップを備え、これらの4つのストリップは、他方のリム
ーバヘッドの対応するストリップに対して個別に水平に
移動されることにより、前記処理位置に位置されること
を特徴とする請求項2に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項8】 基板の周縁部に対して溶剤を吹き付ける
ことにより基板の周縁部を覆う不要な薄膜を除去する薄
膜除去装置において、 基板の裏面の周縁部の少なくとも1辺とその全長にわた
って対向する第1の対向面と、この第1の対向面に形成
され且つ基板の裏面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける
複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも1つのストリッ
プを備えた第1のリムーバヘッドと、 基板の表面の周縁部の少なくとも1辺とその全長にわた
って対向する第2の対向面と、この第2の対向面に形成
され且つ基板の表面の周縁部に対して溶剤を噴き付ける
複数の溶剤吐出口とを有する少なくとも1つのストリッ
プを備えた第2のリムーバヘッドと、 を備え、 基板の周縁部の不要な薄膜を除去するための処理空間が
前記第1の対向面と前記第2の対向面との間に形成され
る処理位置に向けて前記第1のリムーバヘッドと前記第
2のリムーバヘッドの少なくとも一方が移動され、前記
処理位置で前記溶剤吐出口から溶剤を噴き付けることに
より、処理空間内に位置された基板の周縁部の少なくと
も1辺の全長にわたって残存する不要な薄膜が一括して
除去されることを特徴とする薄膜除去装置。 - 【請求項9】 前記基板が4つの辺を有する矩形状に形
成されていることを特徴とする請求項8に記載の薄膜除
去装置。 - 【請求項10】 第1および第2のリムーバヘッドはそ
れぞれ、前記ストリップが矩形の枠体として形成され、
前記処理位置で基板の全周縁部を一括して処理すること
を特徴とする請求項8または請求項9に記載の薄膜除去
装置。 - 【請求項11】 第1のリムーバヘッドのストリップと
第2のリムーバヘッドのストリップの一方は、他方に対
して回動可能に連結され、前記処理位置と処理位置から
離れた退避位置との間で回動操作されることを特徴とす
る請求項8または請求項9に記載の薄膜除去装置。 - 【請求項12】 第1のリムーバヘッドと第2のリムー
バヘッドの一方は基板の4つの辺に対応した4つのスト
リップを備え、これらの4つのストリップは、他方のリ
ムーバヘッドの対応するストリップに対して回動可能に
連結され、前記処理位置と処理位置から離れた退避位置
との間で個別に回動操作されることを特徴とする請求項
9に記載の薄膜除去装置。 - 【請求項13】 第1のリムーバヘッドのストリップと
第2のリムーバヘッドのストリップの少なくとも一方が
前記処理位置に向けて水平もしくは上下に移動されるこ
とを特徴とする請求項8または請求項9に記載の薄膜除
去装置。 - 【請求項14】 第1のリムーバヘッドと第2のリムー
バヘッドの一方は基板の4つの辺に対応した4つのスト
リップを備え、これらの4つのストリップは、他方のリ
ムーバヘッドの対応するストリップに対して個別に水平
に移動されることにより、前記処理位置に位置されるこ
とを特徴とする請求項9に記載の薄膜除去装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000164538A JP2001345251A (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | 薄膜形成装置および薄膜除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000164538A JP2001345251A (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | 薄膜形成装置および薄膜除去装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001345251A true JP2001345251A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18668144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000164538A Pending JP2001345251A (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | 薄膜形成装置および薄膜除去装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001345251A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123645A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 減圧処理装置 |
-
2000
- 2000-06-01 JP JP2000164538A patent/JP2001345251A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123645A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 減圧処理装置 |
JP4680030B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2011-05-11 | 東京応化工業株式会社 | 減圧処理装置 |
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