JP2001338951A - フィルムキャリア及びその製造方法 - Google Patents
フィルムキャリア及びその製造方法Info
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- JP2001338951A JP2001338951A JP2000160436A JP2000160436A JP2001338951A JP 2001338951 A JP2001338951 A JP 2001338951A JP 2000160436 A JP2000160436 A JP 2000160436A JP 2000160436 A JP2000160436 A JP 2000160436A JP 2001338951 A JP2001338951 A JP 2001338951A
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Abstract
理強度に優れ、電気的に接続信頼性の高い構造を有する
ボールグリッドアレイ用のフィルムキャリア及びその製
造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】絶縁フィルム1の両面に銅フィルムを積層
して導体層2及び導体層3を形成し、導体層2に開口部
4を形成する。次に、絶縁フィルム1をレーザ加工して
開口部5を形成する。次に、開口部5の壁面、導体層2
及び導体層3上に無電解銅めっきによって薄膜導体層6
を形成し、PR電解法を用いて導体層2、導体層3及び
開口部5の薄膜導体層6上に電解銅めっきを行い、導体
層7及びバイアホール8を形成する。次に、導体層2、
導体層3、薄膜導体層6及び導体層7をパターニング処
理し、配線層2a及び7aと格子状の外部接続用ランド
3a及び7bを形成して、本発明のフィルムキャリア1
0を得る。
Description
られているボールグリッドアレイ型のフィルムキャリア
に関するものである。
ムキャリアでは、両面の導体層の導通をとるための電気
的導通路の形成にはプリント配線基板と同様な手法が採
られてきた。図3に従来のボールグリッドアレイ型のフ
ィルムキャリアの一例を示す。これは、絶縁フィルム2
1の両面に導体層が形成された両面導体層付きフィルム
キャリアの絶縁フィルム21の所定位置に開口部を形成
し、無電解めっきによって全面に薄膜導体層を形成し、
さらに直流電解法による電解めっきにて導体層をを形成
し、同時にバイアホール24も形成する。最後に、両面
の導体層をパターニング処理して配線層22、25及び
外部接続ランド23を形成して、バイアホールを有する
フィルムキャリアを作製している。
アレイ型のフィルムキャリアでは、薄型化が可能ではあ
ったが、可撓性があるために、実装までの輸送、取り扱
い等の際に、バイアホール部にクラックが入ってしまう
恐れがあった。特にボールグリッドアレイ用の場合に
は、外部接続用ランドが格子状に形成されており、面で
実装が行われるために、実装時や実装後に応力が生じや
すく、バイアホール部にクラックが入ってしまう恐れが
あった。
てバイアホールを形成している場合、バイアホールの導
通路部分のめっき析出にばらつきが発生し、バイアホー
ルの接続信頼性が十分でない、という問題があった。具
体例として、バイアホールの上部でめっきが厚くなり、
バイアホール上部を塞いでしまうために、内部に空洞を
生じてしまう、というような現象が生じやすかった。空
洞の内部には硫酸銅めっき液が封じ込められてしまうた
め、めっきにより析出した皮膜の腐食現象が生じ、バイ
アホールを損傷させる恐れがあった。
扱い時、あるいは使用時の応力等により、クラックが生
じ難く、電気的な接続信頼性の高い構造であることが望
まれていた。本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、フィルムキャリアの折り曲げや応力に対し
て物理強度に優れ、電気的に接続信頼性の高い構造を有
するボールグリッドアレイ用のフィルムキャリア及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
を解決するため、請求項1記載の発明は、可撓性を有す
る絶縁性フィルムの一方の面に配線層が、他方の面に格
子状の外部接続用ランドが形成されており、前記配線層
と前記外部接続用ランドとがバイアホールにて電気的に
接続されてなるボールグリッドアレイ用のフィルムキャ
リアにおいて、前記バイアホール内がめっきによって充
填されていることを特徴とするフィルムキャリアとした
ものである。
R電解法によるめっきで行われていることを特徴とする
請求項1記載のフィルムキャリアとしたものである。
有することを特徴とする請求項1又は2に記載のフィル
ムキャリアの製造方法としたものである。 (a)少なくとも一方の面に導体層が形成されている可
撓性を有する絶縁性フィルムを用意する工程。 (b)絶縁性フィルムの所定位置にバイアホール用の孔
を形成する工程。 (c)前記孔内をめっきによって充填する工程。 (d)前記導体層をパターニングして配線層及び外部接
続ランドを形成する工程。
っきにPR電解法を用いることを特徴とする請求項3記
載のフィルムキャリアの製造方法としたものである。
1に示すように、可撓性を有する絶縁フィルム1の一方
の面に配線層2a及び7aが、他方の面に格子状の外部
接続用ランド3a及び7bが形成されており、配線層2
a及び7aと格子状の外部接続用ランド3a及び7bと
はバイアホール8によって電気的接続が図られ、前記バ
イアホール8内がめっきによって充填され、特に好まし
い実施の形態として、充填がPR電解法によるめっきで
行われていることを特徴とするものである。このような
バイアホール構成のフィルムキャリアにすることによ
り、輸送、取り扱い及び使用時の応力等によりバイアホ
ール部にクラック等が生じ難く、且つ電気的接続信頼性
の高いフィルムキャリアを得ることができるようにした
ものである。
ルムキャリアの製造方法の好ましい実施の形態について
説明する。図2(a)〜(f)に本発明のフィルムキャ
リアの製造方法の一実施例を工程順に示す部分模式構成
断面図を示す。まず、絶縁フィルム1の両面に銅フィル
ムを積層して導体層2及び導体層3を形成する(図1
(a)参照)。具体的には、絶縁フィルム1として75
μm厚のポリイミドフィルムを使用し、18μmの銅フ
ィルムを熱硬化性エポキシ接着剤を介して絶縁フィルム
1に貼着し、導体層2及び導体層3を形成したものであ
る。絶縁フィルム1に関しては耐熱性、機械的強度、耐
薬品性に優れたフィルムであればポリイミドフィルム以
外も使用でき、特に限定されるものでない。
形成しフォトリソグラフィー法でパターニング処理し
て、開口部4を形成する(図1(b)参照)。
りレーザを照射して、絶縁フィルム1をレーザ加工して
開口部5を形成する(図1(c)参照)。
層3上に無電解銅めっきによって薄膜導体層6を形成す
る(図1(d)参照)。
の陰極として、PR電解法を用いて導体層2、導体層3
及び開口部5の薄膜導体層6上に電解銅めっきを行い、
導体層7及びバイアホール8を形成する(図1(e)参
照)。ここで、導体層2と導体層3はバイアホール8に
て電気的に接続される。さらに、PR電解法とは、電解
めっきを行う際に、陰極と陽極との間に流す電流方向を
反転させ、反転した状態を短時間保持した後に、再度電
流方向を反転させて電解めっきを行う、という電流方向
の反転操作を行う電解めっき方法のことである。
及び導体層7を通常のフォトパターニングプロセスによ
ってパターニング処理し、配線層2a及び7aと格子状
の外部接続用ランド3a及び7bを形成して、本発明の
フィルムキャリア10を得ることができる(図1(f)
参照)。
る。 <実施例1>75μm厚のポリイミドフィルムからなる
絶縁フィルム1の両面に18μm厚の銅フィルムを熱硬
化性エポキシ接着剤にて貼着し、導体層2及び導体層3
を形成した。
(PMER:東京応化工業(株)製)を塗布して感光層
を形成し、フォトパターニングプロセスによりレジスト
パターンを形成し、導体層2をエッチングして80μm
φの開口部4を形成した。
層2をマスクにして開口部4よりレーザを照射して、絶
縁フィルム1に80μmφの開口部5を形成した。エキ
シマレーザ加工のエネルギー密度は1J/cm2であっ
た。
層3上に無電解銅めっきによって薄膜導体層6を形成し
た。
の陰極として、PR電解法を用いて導体層2、導体層3
及び開口部5の薄膜導体層6上に電解銅めっき(電解銅
めっき浴:硫酸銅130g/l、硫酸190g/l、塩
素60ppm)を行い、導体層7及びバイアホール8を
形成した。ここで、 PR電解法を用いた電解銅めっき
条件について説明する。まず、電流密度1A/dm2で
50msec電解めっきを行った後、電流方向を反転さ
せて、電流密度3A/dm2で2msec電流を流し、
さらに電流方向を反転させて、電流密度1A/dm2で
50msec電流を流した。そして電流方向を反転させ
て、電流密度3A/dm2で2msec電流を流した。
これを繰り返して所定厚の導体層を形成した。
及び導体層7を通常のフォトパターニングプロセスによ
ってパターニング処理し、配線層2a及び7aと格子状
の外部接続用ランド3a及び7bを形成して、本発明の
フィルムキャリア10を得た。
ドフィルムからなる絶縁フィルム1の両面に18μm厚
の銅フィルムを熱硬化性エポキシ接着剤にて貼着し、導
体層2及び導体層3を形成した。
(PMER:東京応化工業(株)製)を塗布して感光層
を形成し、フォトパターニングプロセスによりレジスト
パターンを形成し、導体層2をエッチングして60μm
φの開口部4を形成した。
層2をマスクにして開口部4よりレーザを照射して、絶
縁フィルム1に60μmφの開口部5を形成した。
層3上に無電解銅めっきによって薄膜導体層6を形成し
た。
の陰極として、PR電解法を用いて導体層2、導体層3
及び開口部5の薄膜導体層6上に電解銅めっき(電解銅
めっき浴:硫酸銅130g/l、硫酸190g/l、塩
素60ppm)を行い、導体層7及びバイアホール8を
形成した。絶縁フィルム1に開口部5を形成した。
及び導体層7を通常のフォトパターニングプロセスによ
ってパターニング処理し、配線層2a及び7aと格子状
の外部接続用ランド3a及び7bを形成して、本発明の
フィルムキャリア10を得た。
アによれば、バイアホール内がめっきによって充填され
ているため、折り曲げや応力に対する物理強度に優れ、
電気的に接続信頼性の高い構造を有するボールグリッド
アレイ用のフィルムキャリアを得ることができる。ま
た、本発明の請求項2記載のフィルムキャリアによれ
ば、充填がPR電解法によるめっきで行われているた
め、折り曲げや応力に対する物理強度がさらに優れ、電
気的に接続信頼性がさらに高い構造を有するボールグリ
ッドアレイ用のフィルムキャリアを得ることができる。
そして、本発明の請求項3記載のフィルムキャリアの製
造方法によれば、バイアホール内をめっきによって空隙
が生ずることなく充填でき、折り曲げや応力に対する物
理強度に優れ、電気的に接続信頼性の高い構造を有する
ボールグリッドアレイ用のフィルムキャリアを製造する
ことが可能となる。さらに、本発明の請求項4記載のフ
ィルムキャリアの製造方法によれば、バイアホール用の
孔内をめっきによって充填する際に、PR電解法を用い
るため、バイアホール内をより完全に充填することがで
き、折り曲げや応力に対する物理強度がさらに優れ、電
気的に接続信頼性がさらに高い構造を有するボールグリ
ッドアレイ用のフィルムキャリアを製造することが可能
となる。
分模式構成断面図である。
の製造方法の一実施例を工程順に示す部分模式構成断面
図である。
構成断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】可撓性を有する絶縁性フィルムの一方の面
に配線層が、他方の面に格子状の外部接続用ランドが形
成されており、前記配線層と前記外部接続用ランドとが
バイアホールにて電気的に接続されてなるボールグリッ
ドアレイ用のフィルムキャリアにおいて、前記バイアホ
ール内がめっきによって充填されていることを特徴とす
るフィルムキャリア。 - 【請求項2】前記充填がPR電解法によるめっきで行わ
れていることを特徴とする請求項1記載のフィルムキャ
リア。 - 【請求項3】以下の工程を有することを特徴とする請求
項1又は2に記載のフィルムキャリアの製造方法。 (a)少なくとも一方の面に導体層が形成されている可
撓性を有する絶縁性フィルムを用意する工程。 (b)絶縁性フィルムの所定位置にバイアホール用の孔
を形成する工程。 (c)前記孔内をめっきによって充填する工程。 (d)前記導体層をパターニングして配線層を形成する
工程。 - 【請求項4】前記めっきにPR電解法を用いることを特
徴とする請求項3記載のフィルムキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000160436A JP2001338951A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | フィルムキャリア及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000160436A JP2001338951A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | フィルムキャリア及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001338951A true JP2001338951A (ja) | 2001-12-07 |
Family
ID=18664627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000160436A Pending JP2001338951A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | フィルムキャリア及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001338951A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100990941B1 (ko) | 2008-08-29 | 2010-11-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 회로 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 반도체 패키지 |
US20210384654A1 (en) * | 2018-11-09 | 2021-12-09 | Guangzhou Fangbang Electronics Co., Ltd. | Flexible Connector and Manufacturing Method |
-
2000
- 2000-05-30 JP JP2000160436A patent/JP2001338951A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100990941B1 (ko) | 2008-08-29 | 2010-11-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 회로 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 반도체 패키지 |
US20210384654A1 (en) * | 2018-11-09 | 2021-12-09 | Guangzhou Fangbang Electronics Co., Ltd. | Flexible Connector and Manufacturing Method |
US11848508B2 (en) * | 2018-11-09 | 2023-12-19 | Guangzhou Fangbang Electronics Co., Ltd. | Flexible connector and manufacturing method |
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