JP2001308451A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高出力での変調や反射戻り光があっても波長
飛びが生じない波長安定性に優れた半導体発光素子を実
現する。 【解決手段】 主に利得結合ＤＦＢレーザに用いられる
ＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子において、ＭＱＷ
−Ｂの井戸層に対してＭＱＷ−Ａの井戸層を厚く形成す
ることにより、屈折率結合係数に対する利得結合係数の
割合を大きくする。ＭＱＷ構造２の井戸層及び障壁層は
それぞれ組成の異なるＧａＩｎＡｓＰによって構成す
る。
飛びが生じない波長安定性に優れた半導体発光素子を実
現する。 【解決手段】 主に利得結合ＤＦＢレーザに用いられる
ＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子において、ＭＱＷ
−Ｂの井戸層に対してＭＱＷ−Ａの井戸層を厚く形成す
ることにより、屈折率結合係数に対する利得結合係数の
割合を大きくする。ＭＱＷ構造２の井戸層及び障壁層は
それぞれ組成の異なるＧａＩｎＡｓＰによって構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に光通信システ
ムに用いる半導体発光素子のうち、単一波長動作が可能
なＤＦＢレーザの構造に関する。光通信システムの高速
化に伴い波長安定性に優れた半導体発光素子が必要とさ
れており、特に高出力での変調や反射戻り光があっても
波長飛びが生じないことが求められている。
ムに用いる半導体発光素子のうち、単一波長動作が可能
なＤＦＢレーザの構造に関する。光通信システムの高速
化に伴い波長安定性に優れた半導体発光素子が必要とさ
れており、特に高出力での変調や反射戻り光があっても
波長飛びが生じないことが求められている。
【０００２】
【従来の技術】従来、モード安定性のよい単一波長レー
ザとして共振器方向に周期的な利得変調を設けた利得結
合ＤＦＢレーザが提案されている（ここでいう利得結合
ＤＦＢレーザには屈折率結合と利得結合を併せ持つこと
を特徴とする複素結合ＤＦＢレーザを含む。）。利得変
調の実現方法には幾つかの方法があり、例えば活性層厚
又はガイド層厚を周期的に変調する方法、活性層に隣接
して周期的な電流阻止層を設ける方法、もしくは活性層
に隣接して周期的な光吸収層を設けるといった方法が挙
げられる。なかでも、活性層としての多重量子井戸構造
（ＭＱＷ層）の層数を周期的に変えた構造（以下、ＭＱ
Ｗ回折格子構造と呼ぶ）は比較的大きな利得結合係数を
確保できること、利得結合と屈折率結合の位相が合致す
ること、余計な吸収が発生しないことといった利点を備
えている。
ザとして共振器方向に周期的な利得変調を設けた利得結
合ＤＦＢレーザが提案されている（ここでいう利得結合
ＤＦＢレーザには屈折率結合と利得結合を併せ持つこと
を特徴とする複素結合ＤＦＢレーザを含む。）。利得変
調の実現方法には幾つかの方法があり、例えば活性層厚
又はガイド層厚を周期的に変調する方法、活性層に隣接
して周期的な電流阻止層を設ける方法、もしくは活性層
に隣接して周期的な光吸収層を設けるといった方法が挙
げられる。なかでも、活性層としての多重量子井戸構造
（ＭＱＷ層）の層数を周期的に変えた構造（以下、ＭＱ
Ｗ回折格子構造と呼ぶ）は比較的大きな利得結合係数を
確保できること、利得結合と屈折率結合の位相が合致す
ること、余計な吸収が発生しないことといった利点を備
えている。
【０００３】図１２に、ＭＱＷ回折格子構造を用いた利
得結合ＤＦＢレーザの従来例を示す。ここで、（ａ）は
半導体発光素子の主要構成の概略斜視図、（ｂ）はその
領域Ｃの概略断面図、（ｃ）は破線Ｄに沿ったバンドギ
ャップをそれぞれ示す。
得結合ＤＦＢレーザの従来例を示す。ここで、（ａ）は
半導体発光素子の主要構成の概略斜視図、（ｂ）はその
領域Ｃの概略断面図、（ｃ）は破線Ｄに沿ったバンドギ
ャップをそれぞれ示す。
【０００４】ＭＱＷ構造回折格子１０２は、周期的に分
割されたＭＱＷ層（ＭＱＷ−Ａ）と平坦なＭＱＷ層（Ｍ
ＱＷ−Ｂ）からなり、ｎ−ＩｎＰ基板１０１とｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層１０３との間に設けられている。ＭＱＷ−
ＡとＭＱＷ−Ｂにおいて、井戸層、障壁層の膜質及び膜
厚はそれぞれ同じである。
割されたＭＱＷ層（ＭＱＷ−Ａ）と平坦なＭＱＷ層（Ｍ
ＱＷ−Ｂ）からなり、ｎ−ＩｎＰ基板１０１とｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層１０３との間に設けられている。ＭＱＷ−
ＡとＭＱＷ−Ｂにおいて、井戸層、障壁層の膜質及び膜
厚はそれぞれ同じである。
【０００５】図１２の例では、全６層のＭＱＷ層のう
ち、上部３層が周期的に分割されてＭＱＷ−Ａを成し、
下部３層は平坦とされてＭＱＷ−Ｂを成している。ここ
で、ＭＱＷ回折格子構造ではＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂそ
れぞれの層数を変えることで利得結合係数と屈折率結合
係数、及び活性層全体の利得が制御可能である。基本的
にはＭＱＷ−Ａの層数を増せば利得結合係数と屈折率結
合係数が大きくなり、ＭＱＷ−Ｂの層数を増せば結合係
数をさほど変えることなく活性層全体の利得が大きくな
る。
ち、上部３層が周期的に分割されてＭＱＷ−Ａを成し、
下部３層は平坦とされてＭＱＷ−Ｂを成している。ここ
で、ＭＱＷ回折格子構造ではＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂそ
れぞれの層数を変えることで利得結合係数と屈折率結合
係数、及び活性層全体の利得が制御可能である。基本的
にはＭＱＷ−Ａの層数を増せば利得結合係数と屈折率結
合係数が大きくなり、ＭＱＷ−Ｂの層数を増せば結合係
数をさほど変えることなく活性層全体の利得が大きくな
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＭＱＷ回折格子構造に
よる利得結合ＤＦＢレーザには、以下に述べるような諸
問題点がある。先ず、第１の問題点について説明する。
利得結合ＤＦＢレーザにおいて、屈折率合係数に対する
利得結合係数の割合はモード安定性に大きく寄与する。
例えば、共振器中に位相シフトを含まない均一回折格子
の場合には、一般的に屈折率結合係数に対する利得結合
係数の割合が大きい方が望ましい。他にも両結合係数の
大きさは様々な特性に影響し、例えば結合係数が大きい
と一般的に発振しきい値は低く、反射戻り光耐性は大き
くなるがスロープ効率が低下し、空間的ホールバーニン
グ効果の影響が大きくなる。したがって、求められる素
子特性に応じて屈折率結合係数と利得結合係数の両方を
適切に制御することが望ましい。
よる利得結合ＤＦＢレーザには、以下に述べるような諸
問題点がある。先ず、第１の問題点について説明する。
利得結合ＤＦＢレーザにおいて、屈折率合係数に対する
利得結合係数の割合はモード安定性に大きく寄与する。
例えば、共振器中に位相シフトを含まない均一回折格子
の場合には、一般的に屈折率結合係数に対する利得結合
係数の割合が大きい方が望ましい。他にも両結合係数の
大きさは様々な特性に影響し、例えば結合係数が大きい
と一般的に発振しきい値は低く、反射戻り光耐性は大き
くなるがスロープ効率が低下し、空間的ホールバーニン
グ効果の影響が大きくなる。したがって、求められる素
子特性に応じて屈折率結合係数と利得結合係数の両方を
適切に制御することが望ましい。
【０００７】しかしながら、図１２に例示した従来のＭ
ＱＷ回折格子構造では、ＭＱＷ−Ａの層数は利得結合係
数と屈折率結合係数の両方に寄与するため、これらのパ
ラメータを独立に制御するのが難しく、例えば利得結合
係数を大きくするためにＭＱＷ−Ａの層数を増やすと同
時に屈折率結合係数も大きくなるため、スロープ効率が
低下したり空間的ホールバーニング効果が強くなるとい
う問題がある。
ＱＷ回折格子構造では、ＭＱＷ−Ａの層数は利得結合係
数と屈折率結合係数の両方に寄与するため、これらのパ
ラメータを独立に制御するのが難しく、例えば利得結合
係数を大きくするためにＭＱＷ−Ａの層数を増やすと同
時に屈折率結合係数も大きくなるため、スロープ効率が
低下したり空間的ホールバーニング効果が強くなるとい
う問題がある。
【０００８】また、図１２に例示した従来のＭＱＷ回折
格子構造における第２の問題点として、変調帯域を大き
くするために微分利得（キャリア密度変化量に対する利
得変化量）を大きくするとＭＱＷ−Ａにおける利得のキ
ャリア密度依存性、すなわち利得結合係数のキャリア密
度依存性が大きくなり、変調時における利得結合係数の
変動が大きくなってしまうという問題があった。
格子構造における第２の問題点として、変調帯域を大き
くするために微分利得（キャリア密度変化量に対する利
得変化量）を大きくするとＭＱＷ−Ａにおける利得のキ
ャリア密度依存性、すなわち利得結合係数のキャリア密
度依存性が大きくなり、変調時における利得結合係数の
変動が大きくなってしまうという問題があった。
【０００９】また、図１２に例示した従来のＭＱＷ回折
格子構造における第３の問題点として、ＭＱＷ層に歪を
導入した場合、同じ組成（すなわち同じ格子定数）の層
でもＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂでは歪の入り方が違うため
（図１３参照）、ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂにおける利得
スペクトルに差が生じる。例えば圧縮歪を導入するとＭ
ＱＷ−Ｂに対してＭＱＷ−Ａの利得ピークは短波長側に
ずれ、引張歪を導入するとＭＱＷ−Ｂに対してＭＱＷ−
Ａの利得ピークは長波長側にずれてしまう、このような
場合、回折格子周期で決まる発振波長に対して利得ピー
ク位置を適切に設定することが難しく、例えば発振波長
に対して利得ピーク波長が離れすぎると発振しきい値が
増加したり温度特性が劣化してしまうといった問題があ
った。
格子構造における第３の問題点として、ＭＱＷ層に歪を
導入した場合、同じ組成（すなわち同じ格子定数）の層
でもＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂでは歪の入り方が違うため
（図１３参照）、ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂにおける利得
スペクトルに差が生じる。例えば圧縮歪を導入するとＭ
ＱＷ−Ｂに対してＭＱＷ−Ａの利得ピークは短波長側に
ずれ、引張歪を導入するとＭＱＷ−Ｂに対してＭＱＷ−
Ａの利得ピークは長波長側にずれてしまう、このような
場合、回折格子周期で決まる発振波長に対して利得ピー
ク位置を適切に設定することが難しく、例えば発振波長
に対して利得ピーク波長が離れすぎると発振しきい値が
増加したり温度特性が劣化してしまうといった問題があ
った。
【００１０】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、特にＭＱＷ回折格子構造を用いた利得結合Ｄ
ＦＢレーザの半導体発光素子において、屈折率結合係数
と利得結合係数とを独立に制御し、発振しきい値やスロ
ープ効率、反射戻り光耐性などの特性劣化を招くことな
くモード安定性を改善することを目的とする。
のであり、特にＭＱＷ回折格子構造を用いた利得結合Ｄ
ＦＢレーザの半導体発光素子において、屈折率結合係数
と利得結合係数とを独立に制御し、発振しきい値やスロ
ープ効率、反射戻り光耐性などの特性劣化を招くことな
くモード安定性を改善することを目的とする。
【００１１】更に、活性層全体の微分利得を大きく保っ
たまま利得結合係数のキャリア密度依存性を小さくし、
変調帯域が大きく、且つ変調時の波長変動が小さなＭＱ
Ｗ回折格子構造の半導体発光素子を提供することを目的
とする。
たまま利得結合係数のキャリア密度依存性を小さくし、
変調帯域が大きく、且つ変調時の波長変動が小さなＭＱ
Ｗ回折格子構造の半導体発光素子を提供することを目的
とする。
【００１２】更に、多重量子井戸層に歪みを導入した場
合にも、第１の多重量子井戸層（ＭＱＷ−Ａ）と第２の
多重量子井戸層（ＭＱＷ−Ｂ）における利得ピーク波長
を一致させ、その結果、回折格子周期で決まる発振波長
に対して利得ピーク位置を適切に設定し、発振しきい値
の増加や温度特性の劣化を防ぐことを可能とする半導体
発光素子を提供することを目的とする。
合にも、第１の多重量子井戸層（ＭＱＷ−Ａ）と第２の
多重量子井戸層（ＭＱＷ−Ｂ）における利得ピーク波長
を一致させ、その結果、回折格子周期で決まる発振波長
に対して利得ピーク位置を適切に設定し、発振しきい値
の増加や温度特性の劣化を防ぐことを可能とする半導体
発光素子を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
の結果、以下に示す発明の態様に想到した。
の結果、以下に示す発明の態様に想到した。
【００１４】本発明は、障壁層を介して井戸層が積層さ
れてなり、電流注入により光を増幅する多重量子井戸構
造（ＭＱＷ構造）を有する半導体発光素子であって、前
記多重量子井戸構造の一部又は全部の領域で前記障壁層
及び前記井戸層の層数が光の伝搬方向に対して周期的に
変化しており、前記多重量子井戸構造は、前記領域にお
いて、光の伝搬方向に媒質内での伝搬光波長の半波長の
整数倍の周期で分割された第１の多重量子井戸層（ＭＱ
Ｗ−Ａ）と、平坦な第２の多重量子井戸層（ＭＱＷ−
Ｂ）とを併せ持ち、前記第１の多重量子井戸層と前記第
２の多重量子井戸層とでは、前記障壁層及び前記井戸層
の少なくとも一方の膜質及び膜厚の少なくとも一方が異
なる所望状態に制御されていることを特徴とする。
れてなり、電流注入により光を増幅する多重量子井戸構
造（ＭＱＷ構造）を有する半導体発光素子であって、前
記多重量子井戸構造の一部又は全部の領域で前記障壁層
及び前記井戸層の層数が光の伝搬方向に対して周期的に
変化しており、前記多重量子井戸構造は、前記領域にお
いて、光の伝搬方向に媒質内での伝搬光波長の半波長の
整数倍の周期で分割された第１の多重量子井戸層（ＭＱ
Ｗ−Ａ）と、平坦な第２の多重量子井戸層（ＭＱＷ−
Ｂ）とを併せ持ち、前記第１の多重量子井戸層と前記第
２の多重量子井戸層とでは、前記障壁層及び前記井戸層
の少なくとも一方の膜質及び膜厚の少なくとも一方が異
なる所望状態に制御されていることを特徴とする。
【００１５】この半導体発光素子は、具体的には、光の
伝搬方向に周期的な利得変調が存在し、前記利得変調が
伝搬光に対して分布帰還を生じさせるものである。
伝搬方向に周期的な利得変調が存在し、前記利得変調が
伝搬光に対して分布帰還を生じさせるものである。
【００１６】この半導体発光素子は、具体的には、光の
伝搬方向に周期的な利得変調及び屈折率変調が同時に存
在し、前記利得変調及び前記屈折率変調の双方が伝搬光
に対して分布帰還を生じさせるものである。
伝搬方向に周期的な利得変調及び屈折率変調が同時に存
在し、前記利得変調及び前記屈折率変調の双方が伝搬光
に対して分布帰還を生じさせるものである。
【００１７】更に、前記膜質の相違は、材料組成、ｐ型
又はｎ型の不純物添加、圧縮歪又は引張歪の導入のうち
の少なくとも１種以上の制御により達成されるものであ
る。
又はｎ型の不純物添加、圧縮歪又は引張歪の導入のうち
の少なくとも１種以上の制御により達成されるものであ
る。
【００１８】以下、本発明の前記態様と、前述した第１
〜第３の問題点との関連について説明する。
〜第３の問題点との関連について説明する。
【００１９】前記第１の問題点に対して、本発明では、
上記の如くＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂにおいて井戸層及び
／又は障壁層の構造を変えることで屈折率結合係数に対
する利得結合係数の割合を制御可能とする。例えば、Ｍ
ＱＷ−Ａの井戸層に対してＭＱＷ−Ｂの井戸層を薄くす
る。この場合、ＭＱＷ−Ｂにおける量子準位がＭＱＷ−
Ａに対して高エネルギー側にシフトするため。ＭＱＷ−
Ｂに対しＭＱＷ−Ａに注入されるキャリア数の比率が増
える。したがって、活性層全体の利得に対してＭＱＷ−
Ａの利得の割合が増し利得結合係数が大きくなる。一方
でキャリア数の増加により屈折率は低下するため、ＭＱ
Ｗ−Ａの屈折率は減少して屈折率結合係数は小さくな
る。
上記の如くＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂにおいて井戸層及び
／又は障壁層の構造を変えることで屈折率結合係数に対
する利得結合係数の割合を制御可能とする。例えば、Ｍ
ＱＷ−Ａの井戸層に対してＭＱＷ−Ｂの井戸層を薄くす
る。この場合、ＭＱＷ−Ｂにおける量子準位がＭＱＷ−
Ａに対して高エネルギー側にシフトするため。ＭＱＷ−
Ｂに対しＭＱＷ−Ａに注入されるキャリア数の比率が増
える。したがって、活性層全体の利得に対してＭＱＷ−
Ａの利得の割合が増し利得結合係数が大きくなる。一方
でキャリア数の増加により屈折率は低下するため、ＭＱ
Ｗ−Ａの屈折率は減少して屈折率結合係数は小さくな
る。
【００２０】他の例として、ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂで
井戸層の材料組成を変え、ＭＱＷ−Ａの井戸層に対して
ＭＱＷ−Ｂの井戸層のバンドギャップを大きくする、又
はＭＱＷ−Ａの障壁層に対してＭＱＷ−Ｂの障壁層の障
壁を高くすることでも同様の効果が期待できる。また、
ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂの構成を逆にすることで利得結
合係数を小さく屈折率結合係数を大きくすることも可能
である。
井戸層の材料組成を変え、ＭＱＷ−Ａの井戸層に対して
ＭＱＷ−Ｂの井戸層のバンドギャップを大きくする、又
はＭＱＷ−Ａの障壁層に対してＭＱＷ−Ｂの障壁層の障
壁を高くすることでも同様の効果が期待できる。また、
ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂの構成を逆にすることで利得結
合係数を小さく屈折率結合係数を大きくすることも可能
である。
【００２１】前記第２の問題点に対して、本発明では、
回折格子周期で決まる発振波長における微分利得（キャ
リア密度変化量に対する利得変化量の割合）をＭＱＷ−
Ａで小さく、ＭＱＷ−Ｂで大きくなるようにすることで
活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利得結合係数
のキャリア密度依存性を小さくする。例えば、回折格子
周期で決まる発振波長に対してＭＱＷ−Ａの利得ピーク
波長を短波長側に、ＭＱＷ−Ｂの利得ピーク波長を長波
長側にする。この場合、ＭＱＷ−Ａでは利得ピークの長
波長側に発振波長が位置するため微分利得が小さく、反
対にＭＱＷ−Ｂでは利得ピークの短波長側に発振波長が
位置するため微分利得が大きくなる。
回折格子周期で決まる発振波長における微分利得（キャ
リア密度変化量に対する利得変化量の割合）をＭＱＷ−
Ａで小さく、ＭＱＷ−Ｂで大きくなるようにすることで
活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利得結合係数
のキャリア密度依存性を小さくする。例えば、回折格子
周期で決まる発振波長に対してＭＱＷ−Ａの利得ピーク
波長を短波長側に、ＭＱＷ−Ｂの利得ピーク波長を長波
長側にする。この場合、ＭＱＷ−Ａでは利得ピークの長
波長側に発振波長が位置するため微分利得が小さく、反
対にＭＱＷ−Ｂでは利得ピークの短波長側に発振波長が
位置するため微分利得が大きくなる。
【００２２】利得ピーク波長を上記の位置に設定する手
段としては、例えば，ＭＱＷ−Ｂの井戸層に対してＭＱ
Ｗ−Ａの井戸層を薄くする、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に対し
てＭＱＷ−Ａの井戸層のバンドギャップを大きくする、
ＭＱＷ−Ｂの障壁層に対してＭＱＷ−Ａの障壁層の障壁
を高くするなどが挙げられる。
段としては、例えば，ＭＱＷ−Ｂの井戸層に対してＭＱ
Ｗ−Ａの井戸層を薄くする、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に対し
てＭＱＷ−Ａの井戸層のバンドギャップを大きくする、
ＭＱＷ−Ｂの障壁層に対してＭＱＷ−Ａの障壁層の障壁
を高くするなどが挙げられる。
【００２３】また、発振波長に対するＭＱＷ−ＡとＭＱ
Ｗ−Ｂの利得ピークの位置が上記の関係を満たさない場
合でも、両ＭＱＷ層の構造を適切に設計することでＭＱ
Ｗ−Ａの微分利得を小さく、ＭＱＷ−Ｂの微分利得を大
きくすることができる。例えばＭＱＷ−Ａの微分利得を
小さくするための手段としては、ＭＱＷ−Ａの井戸層に
引張歪を導入することや、ＭＱＷ−Ａをｎ型ドープする
ことが挙げられる。また、ＭＱＷ−Ｂの微分利得を大き
くするための手段としては、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に圧縮
歪を導入することや、ＭＱＷ−Ｂにｐ型ドープを行うこ
とが挙げられる。
Ｗ−Ｂの利得ピークの位置が上記の関係を満たさない場
合でも、両ＭＱＷ層の構造を適切に設計することでＭＱ
Ｗ−Ａの微分利得を小さく、ＭＱＷ−Ｂの微分利得を大
きくすることができる。例えばＭＱＷ−Ａの微分利得を
小さくするための手段としては、ＭＱＷ−Ａの井戸層に
引張歪を導入することや、ＭＱＷ−Ａをｎ型ドープする
ことが挙げられる。また、ＭＱＷ−Ｂの微分利得を大き
くするための手段としては、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に圧縮
歪を導入することや、ＭＱＷ−Ｂにｐ型ドープを行うこ
とが挙げられる。
【００２４】前記第３の問題点に対して、本発明では、
ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂにおいて井戸層及び／又は障壁
層の構造を変えることでＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂにおけ
る利得ピーク波長を一致させる。例えば、ＭＱＷ−Ａ，
Ｂそれぞれに圧縮歪を導入する場合、歪量に応じてＭＱ
Ｗ−ＡとＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長が一致する
ようにＭＱＷ−Ｂの井戸層に対してＭＱＷ−Ａの井戸層
を厚くする。この場合、ＭＱＷ−Ａにおける量子準位は
厚膜化によって長波長側にシフトするため、歪の入り方
の違いによるＭＱＷ−Ｂとの利得ピーク波長の差を打ち
消すことができる。
ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂにおいて井戸層及び／又は障壁
層の構造を変えることでＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂにおけ
る利得ピーク波長を一致させる。例えば、ＭＱＷ−Ａ，
Ｂそれぞれに圧縮歪を導入する場合、歪量に応じてＭＱ
Ｗ−ＡとＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長が一致する
ようにＭＱＷ−Ｂの井戸層に対してＭＱＷ−Ａの井戸層
を厚くする。この場合、ＭＱＷ−Ａにおける量子準位は
厚膜化によって長波長側にシフトするため、歪の入り方
の違いによるＭＱＷ−Ｂとの利得ピーク波長の差を打ち
消すことができる。
【００２５】また、同様に圧縮歪を導入する場合に、歪
量に応じてＭＱＷ−Ａの井戸層の組成をＭＱＷ−Ａを分
割しない状態での発光波長がＭＱＷ−Ｂに対して長波長
側になるように設定することでも同様の効果が期待でき
る。
量に応じてＭＱＷ−Ａの井戸層の組成をＭＱＷ−Ａを分
割しない状態での発光波長がＭＱＷ−Ｂに対して長波長
側になるように設定することでも同様の効果が期待でき
る。
【００２６】また、同様に圧縮歪を導入する場合に、歪
量に応じてＭＱＷ−Ａの障壁層の障壁高さをＭＱＷ−Ｂ
に対して低くすることでも同様の効果が期待できる。一
方、引張歪を導入する場合には前記の例におけるＭＱＷ
−ＡとＭＱＷ−Ｂの構成を遡こすることで同様の効果が
期待できる。また、圧縮歪もしくは引張歪を導入する場
合に、ＭＱＷ−Ａの歪量に応じてＭＱＷ−Ｂの歪量をＭ
ＱＷ−Ａを分割しない状態での歪量よりも大きくなるよ
うに設定することでも同様の効果が期待できる。
量に応じてＭＱＷ−Ａの障壁層の障壁高さをＭＱＷ−Ｂ
に対して低くすることでも同様の効果が期待できる。一
方、引張歪を導入する場合には前記の例におけるＭＱＷ
−ＡとＭＱＷ−Ｂの構成を遡こすることで同様の効果が
期待できる。また、圧縮歪もしくは引張歪を導入する場
合に、ＭＱＷ−Ａの歪量に応じてＭＱＷ−Ｂの歪量をＭ
ＱＷ−Ａを分割しない状態での歪量よりも大きくなるよ
うに設定することでも同様の効果が期待できる。
【００２７】
【作用】前記第１の問題点に対して本発明を適用した場
合、ＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子において屈折
率結合係数と利得結合係数を独立に制御することが可能
となり、発振しきい値やスロープ効率、反射戻り光耐性
などの特性劣化を招くことなくモード安定性を改善する
ことができる。
合、ＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子において屈折
率結合係数と利得結合係数を独立に制御することが可能
となり、発振しきい値やスロープ効率、反射戻り光耐性
などの特性劣化を招くことなくモード安定性を改善する
ことができる。
【００２８】また、前記第２の問題点に対して本発明を
適用した場合、活性層全体の微分利得を大きく保ったま
ま利得結合係数のキャリア密度依存性を小さくすること
ができ、変調帯域が大きく、かつ変調時の利得結合係数
の変動が小さなＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子が
実現できる。
適用した場合、活性層全体の微分利得を大きく保ったま
ま利得結合係数のキャリア密度依存性を小さくすること
ができ、変調帯域が大きく、かつ変調時の利得結合係数
の変動が小さなＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子が
実現できる。
【００２９】また、前記第３の問題点に対して本発明を
適用した場合、ＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子に
おいて、ＭＱＷ層に歪みを導入した場合にもＭＱＷ−Ａ
とＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させること
ができる。その結果、回折格子周期で決まる発振波長に
対して利得ピーク位置を適切に設定することができ、発
振しきい値の増加や温度特性の劣化を防ぐことが可能と
なる。
適用した場合、ＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子に
おいて、ＭＱＷ層に歪みを導入した場合にもＭＱＷ−Ａ
とＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させること
ができる。その結果、回折格子周期で決まる発振波長に
対して利得ピーク位置を適切に設定することができ、発
振しきい値の増加や温度特性の劣化を防ぐことが可能と
なる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
【００３１】（第１の実施形態）図１は、本実施形態に
よる半導体発光素子の主要構成を示す模式図である。こ
こで、（ａ）は半導体発光素子の主要構成の概略斜視
図、（ｂ）はその領域Ｃの概略断面図、（ｃ）は破線Ｄ
に沿ったバンドギャップをそれぞれ示す。
よる半導体発光素子の主要構成を示す模式図である。こ
こで、（ａ）は半導体発光素子の主要構成の概略斜視
図、（ｂ）はその領域Ｃの概略断面図、（ｃ）は破線Ｄ
に沿ったバンドギャップをそれぞれ示す。
【００３２】この半導体発光素子は、主に利得結合ＤＦ
Ｂレーザに用いられるものであり、図１（ａ）に示すよ
うに、ｎ−ＩｎＰ基板１上に電流注入により光を増幅す
る多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）２及び電流狭窄層３
が設けられ、これらを覆うようにｐ−ＩｎＰクラッド層
４が設けられ、上面にＳｉＯ2からなる保護膜５が形成
され、更に下面にはｎ側電極６が設けられ、上面にはｐ
側電極７がコンタクト層８と電気的に接続されるように
設けられて構成されている。
Ｂレーザに用いられるものであり、図１（ａ）に示すよ
うに、ｎ−ＩｎＰ基板１上に電流注入により光を増幅す
る多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）２及び電流狭窄層３
が設けられ、これらを覆うようにｐ−ＩｎＰクラッド層
４が設けられ、上面にＳｉＯ2からなる保護膜５が形成
され、更に下面にはｎ側電極６が設けられ、上面にはｐ
側電極７がコンタクト層８と電気的に接続されるように
設けられて構成されている。
【００３３】ＭＱＷ構造２は、障壁層を介して井戸層が
積層されてなり、図１（ｂ）に示すように、その一部又
は全部の領域で、光の伝搬方向に媒質内での伝搬光波長
の半波長の整数倍の周期で分割された第１の多重量子井
戸層（ＭＱＷ−Ａ）と、平坦な第２の多重量子井戸層
（ＭＱＷ−Ｂ）とを備えて構成されている。
積層されてなり、図１（ｂ）に示すように、その一部又
は全部の領域で、光の伝搬方向に媒質内での伝搬光波長
の半波長の整数倍の周期で分割された第１の多重量子井
戸層（ＭＱＷ−Ａ）と、平坦な第２の多重量子井戸層
（ＭＱＷ−Ｂ）とを備えて構成されている。
【００３４】本例では、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に対してＭ
ＱＷ−Ａの井戸層を厚く形成することにより、屈折率結
合係数に対する利得結合係数の割合を大きくしている。
ＭＱＷ構造２の井戸層及び障壁層はそれぞれ組成の異な
るＧａＩｎＡｓＰによって構成され、ＭＱＷ−Ａの井戸
層の厚みは１０ｎｍ、ＭＱＷ−Ｂの井戸層の厚みは８ｎ
ｍである。障壁層は、バルク状態でのバンドギャップエ
ネルギーに対応する波長、即ち組成波長が１．２μｍ、
厚みが１０ｎｍであり、ＭＱＷ構造全体の利得ピーク波
長が１．５６μｍとなるように井戸層の組成が設定され
ている。回折格子周期は発振波長１．５５μｍに合わせ
て２４０ｎｍとし、位相シフトのない均一回折格子であ
る。
ＱＷ−Ａの井戸層を厚く形成することにより、屈折率結
合係数に対する利得結合係数の割合を大きくしている。
ＭＱＷ構造２の井戸層及び障壁層はそれぞれ組成の異な
るＧａＩｎＡｓＰによって構成され、ＭＱＷ−Ａの井戸
層の厚みは１０ｎｍ、ＭＱＷ−Ｂの井戸層の厚みは８ｎ
ｍである。障壁層は、バルク状態でのバンドギャップエ
ネルギーに対応する波長、即ち組成波長が１．２μｍ、
厚みが１０ｎｍであり、ＭＱＷ構造全体の利得ピーク波
長が１．５６μｍとなるように井戸層の組成が設定され
ている。回折格子周期は発振波長１．５５μｍに合わせ
て２４０ｎｍとし、位相シフトのない均一回折格子であ
る。
【００３５】ここで、図２及び図３を用いて本実施形態
の半導体発光素子の製造方法を工程順に説明する。な
お、図２の（ａ）〜（ｄ）はＭＱＷ層を共振器方向に平
行な鉛直面で切った断面図であり、図３の（ａ）〜
（ｅ）は共振器方向に対する垂直面で切った断面図であ
る。
の半導体発光素子の製造方法を工程順に説明する。な
お、図２の（ａ）〜（ｄ）はＭＱＷ層を共振器方向に平
行な鉛直面で切った断面図であり、図３の（ａ）〜
（ｅ）は共振器方向に対する垂直面で切った断面図であ
る。
【００３６】先ず、ＭＯ−ＶＰＥ法などを用いて、ｎ−
ＩｎＰ基板１上にＭＱＷ−Ｂ，ＭＱＷ−Ａ（ＭＱＷ−Ａ
及びＭＱＷ−ＢからＭＱＷ構造２が構成される），Ｐ−
ＩｎＰクラッド層４を順次成長する（図２（ａ））。こ
こで、ＭＱＷ−Ａ及びＭＱＷ−Ｂを構成する各層の膜
厚、膜質を本発明の実現手段に応じて適宜設定する。
ＩｎＰ基板１上にＭＱＷ−Ｂ，ＭＱＷ−Ａ（ＭＱＷ−Ａ
及びＭＱＷ−ＢからＭＱＷ構造２が構成される），Ｐ−
ＩｎＰクラッド層４を順次成長する（図２（ａ））。こ
こで、ＭＱＷ−Ａ及びＭＱＷ−Ｂを構成する各層の膜
厚、膜質を本発明の実現手段に応じて適宜設定する。
【００３７】なお、本例では省略したがＭＱＷ構造２の
他に必要に応じて光導波層などを成長しても構わない、
また、ＭＱＷ−Ａ及びＭＱＷ−Ｂの層数は任意に選べ
る。
他に必要に応じて光導波層などを成長しても構わない、
また、ＭＱＷ−Ａ及びＭＱＷ−Ｂの層数は任意に選べ
る。
【００３８】続いて、成長したＭＱＷ構造２上にレジス
トを塗布し、干渉露光法又は電子ビーム露光法などを用
いてレジスト回折格子２１を形成する（図２（ｂ））。
本例では均一回折格子を用いているが、必要に応じて位
相シフトを設けてもよい。
トを塗布し、干渉露光法又は電子ビーム露光法などを用
いてレジスト回折格子２１を形成する（図２（ｂ））。
本例では均一回折格子を用いているが、必要に応じて位
相シフトを設けてもよい。
【００３９】続いて、形成したレジスト回折格子２１を
マスクとして表面からＭＱＷ−Ａ１１までをエッチング
で除去する（図２（ｃ））。
マスクとして表面からＭＱＷ−Ａ１１までをエッチング
で除去する（図２（ｃ））。
【００４０】続いて、レジスト回折格子２１を除去した
後、ＭＯ−ＶＰＥ法などによりＭＱＷ−Ａを埋め込むよ
うにｐ−ＩｎＰクラッド層４を成長する（図２
（ｄ））。ここで、埋込成長層の材料はｐ−ＩｎＰに限
定されない。また、必要に応じて光導波層などを成長し
ても構わない。
後、ＭＯ−ＶＰＥ法などによりＭＱＷ−Ａを埋め込むよ
うにｐ−ＩｎＰクラッド層４を成長する（図２
（ｄ））。ここで、埋込成長層の材料はｐ−ＩｎＰに限
定されない。また、必要に応じて光導波層などを成長し
ても構わない。
【００４１】続いて、一般的なフォトリソグラフィー技
術を用いて共振器方向に平行なストライプ状のＳｉＯ2
マスク２２をパターン形成する（図３（ａ））。
術を用いて共振器方向に平行なストライプ状のＳｉＯ2
マスク２２をパターン形成する（図３（ａ））。
【００４２】続いて、形成したＳｉＯ2マスク２２を用
いてドライエッチングなどを行い、ＭＱＷ構造２の下部
（ｎ−ＩｎＰ基板１の表層）まで到達するメサストライ
プ２３を形成する（図３（ｂ））。
いてドライエッチングなどを行い、ＭＱＷ構造２の下部
（ｎ−ＩｎＰ基板１の表層）まで到達するメサストライ
プ２３を形成する（図３（ｂ））。
【００４３】ＭＯ−ＶＰＥ法などでメサストライプ２３
の両側に電流狭窄層３を成長する（図３（ｃ））。本実
施例では電流狭窄層３としてｐ−ＩｎＰ層、ｎ一ＩｎＰ
層を順次成長したが、他の構成でも構わない。さらに、
本実施形態とは異なるリッジ構造や埋込リッジ構造な
ど、他の導波構造を用いても好適である。
の両側に電流狭窄層３を成長する（図３（ｃ））。本実
施例では電流狭窄層３としてｐ−ＩｎＰ層、ｎ一ＩｎＰ
層を順次成長したが、他の構成でも構わない。さらに、
本実施形態とは異なるリッジ構造や埋込リッジ構造な
ど、他の導波構造を用いても好適である。
【００４４】続いて、ＳｉＯ2マスク２２を取り除いた
後、ＭＯ−ＶＰＥ法などでｐ−Ｉｎクラッド層４、Ｐ−
ＧａＩｎＡｓＰからなるコンタクト層８を順次成長する
（図３（ｄ））。
後、ＭＯ−ＶＰＥ法などでｐ−Ｉｎクラッド層４、Ｐ−
ＧａＩｎＡｓＰからなるコンタクト層８を順次成長する
（図３（ｄ））。
【００４５】続いて、一般的なフォトリソグラフィー技
術を用いて、ＳｉＯ2からなる保護膜５、ｐ側電極７、
ｎ側電極６などを形成する（図３（ｅ））。
術を用いて、ＳｉＯ2からなる保護膜５、ｐ側電極７、
ｎ側電極６などを形成する（図３（ｅ））。
【００４６】なお本例では、基板としてｎ型基板（ｎ−
ＩｎＰ基板１）を用いたが、対応する層の導電型を逆に
することでｐ型基板を用いることも可能である。また、
始めにＭＱＷ−Ａを成長し、ｐ−ＩｎＰクラッド層４の
埋め込み成長の際にＭＱＷ−Ｂを成長することでＭＱＷ
−ＡとＭＱＷ−Ｂの上下関係を逆にすることも可能であ
る。
ＩｎＰ基板１）を用いたが、対応する層の導電型を逆に
することでｐ型基板を用いることも可能である。また、
始めにＭＱＷ−Ａを成長し、ｐ−ＩｎＰクラッド層４の
埋め込み成長の際にＭＱＷ−Ｂを成長することでＭＱＷ
−ＡとＭＱＷ−Ｂの上下関係を逆にすることも可能であ
る。
【００４７】以上の各工程を経て製造した半導体発光素
子において、前端面に反射防止膜、後端面に高反射膜を
施した共振器長３００μｍの素子のしきい値電流値は４
ｍＡ、スロープ効率は０．４Ｗ／Ａであった。また、１
ウエハ１００個中の単一波長歩留まりは１００％であ
り、−１４ｄＢの反射戻り光が入射した場合にもモード
飛びが起こらなかった。
子において、前端面に反射防止膜、後端面に高反射膜を
施した共振器長３００μｍの素子のしきい値電流値は４
ｍＡ、スロープ効率は０．４Ｗ／Ａであった。また、１
ウエハ１００個中の単一波長歩留まりは１００％であ
り、−１４ｄＢの反射戻り光が入射した場合にもモード
飛びが起こらなかった。
【００４８】このように、本実施形態の半導体発光素子
によれば、屈折率結合係数と利得結合係数とを独立に制
御し、発振しきい値やスロープ効率、反射戻り光耐性な
どの特性劣化を招くことなくモード安定性を改善するこ
とが可能となる。
によれば、屈折率結合係数と利得結合係数とを独立に制
御し、発振しきい値やスロープ効率、反射戻り光耐性な
どの特性劣化を招くことなくモード安定性を改善するこ
とが可能となる。
【００４９】（第２の実施形態）図４は、本実施形態に
よる半導体発光素子の主要構成を示す模式図である。こ
こで、（ａ）は半導体発光素子の主要構成の概略側面
図、（ｂ）はその領域Ｃの概略断面図、（ｃ）は破線Ｄ
に沿ったバンドギャップをそれぞれ示す。なお、本例の
半導体発光素子の全体構成は、第１の実施形態とほぼ同
様である。
よる半導体発光素子の主要構成を示す模式図である。こ
こで、（ａ）は半導体発光素子の主要構成の概略側面
図、（ｂ）はその領域Ｃの概略断面図、（ｃ）は破線Ｄ
に沿ったバンドギャップをそれぞれ示す。なお、本例の
半導体発光素子の全体構成は、第１の実施形態とほぼ同
様である。
【００５０】本例では、ＭＱＷ−Ａの井戸層に対してＭ
ＱＷ−Ｂの井戸層のバンドギャップを大きくすること
で、屈折率結合係数に対する利得結合係数の割合を増加
させている。これは、ＭＱＷ−Ａ，Ｂの井戸層の組成を
変えることで実現できる。
ＱＷ−Ｂの井戸層のバンドギャップを大きくすること
で、屈折率結合係数に対する利得結合係数の割合を増加
させている。これは、ＭＱＷ−Ａ，Ｂの井戸層の組成を
変えることで実現できる。
【００５１】ＭＱＷ−Ａ，Ｂ共に井戸層の厚みは１０ｎ
ｍであり、ＭＱＷ−Ａでは組成波長が１．６５μｍのＧ
ａＩｎＡｓＰ，ＭＱＷ−Ｂでは組成波長が１．６３μｍ
のＧａＩｎＡｓＰを用いた。障壁層はどちらも厚みが１
０ｎｍ、組成波長が１．２μｍのＧａＩｎＡｓＰであ
る。
ｍであり、ＭＱＷ−Ａでは組成波長が１．６５μｍのＧ
ａＩｎＡｓＰ，ＭＱＷ−Ｂでは組成波長が１．６３μｍ
のＧａＩｎＡｓＰを用いた。障壁層はどちらも厚みが１
０ｎｍ、組成波長が１．２μｍのＧａＩｎＡｓＰであ
る。
【００５２】本例の半導体発光素子においても、第１の
実施形態と同様に、しきい値電流値、スロープ効率の劣
化を招くことなく、高い波長歩留まりと反射戻り光耐性
が確認された。
実施形態と同様に、しきい値電流値、スロープ効率の劣
化を招くことなく、高い波長歩留まりと反射戻り光耐性
が確認された。
【００５３】このように、本実施形態の半導体発光素子
によれば、屈折率結合係数と利得結合係数とを独立に制
御し、発振しきい値やスロープ効率、反射戻り光耐性な
どの特性劣化を招くことなくモード安定性を改善するこ
とが可能となる。
によれば、屈折率結合係数と利得結合係数とを独立に制
御し、発振しきい値やスロープ効率、反射戻り光耐性な
どの特性劣化を招くことなくモード安定性を改善するこ
とが可能となる。
【００５４】（第３の実施形態）図５は、本実施形態に
よる半導体発光素子におけるＭＱＷ構造のバンドギャッ
プを示す特性図である。なお、本例の半導体発光素子の
全体構成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
よる半導体発光素子におけるＭＱＷ構造のバンドギャッ
プを示す特性図である。なお、本例の半導体発光素子の
全体構成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
【００５５】本例では、ＭＱＷ−Ａの障壁層に対してＭ
ＱＷ−Ｂの障壁層の障壁を高くすることで、屈折率結合
係数に対する利得結合係数の割合を増加させている。Ｍ
ＱＷ−Ａ，Ｂ共に井戸層は厚みが１０ｎｍ、組成波長が
１．６５μｍのＧａＩｎＡｓＰを用い、ＭＱＷ−Ａの障
壁層は厚みが１０ｎｍ、組成波長が１．２５μｍのＧａ
ＩｎＡｓＰ，ＭＱＷ−Ｂの障壁層は厚みが１０ｎｍ、組
成波長が１．１５μｍのＧａＩｎＡｓＰである。
ＱＷ−Ｂの障壁層の障壁を高くすることで、屈折率結合
係数に対する利得結合係数の割合を増加させている。Ｍ
ＱＷ−Ａ，Ｂ共に井戸層は厚みが１０ｎｍ、組成波長が
１．６５μｍのＧａＩｎＡｓＰを用い、ＭＱＷ−Ａの障
壁層は厚みが１０ｎｍ、組成波長が１．２５μｍのＧａ
ＩｎＡｓＰ，ＭＱＷ−Ｂの障壁層は厚みが１０ｎｍ、組
成波長が１．１５μｍのＧａＩｎＡｓＰである。
【００５６】本例の半導体発光素子においても、第１の
実施形態と同様に、しきい値電流値、スロープ効率の劣
化を招くことなく、高い波長歩留まりと反射戻り光耐性
が確認された。
実施形態と同様に、しきい値電流値、スロープ効率の劣
化を招くことなく、高い波長歩留まりと反射戻り光耐性
が確認された。
【００５７】このように、本実施形態の半導体発光素子
によれば、屈折率結合係数と利得結合係数とを独立に制
御し、発振しきい値やスロープ効率、反射戻り光耐性な
どの特性劣化を招くことなくモード安定性を改善するこ
とが可能となる。
によれば、屈折率結合係数と利得結合係数とを独立に制
御し、発振しきい値やスロープ効率、反射戻り光耐性な
どの特性劣化を招くことなくモード安定性を改善するこ
とが可能となる。
【００５８】（第４の実施形態）図６は、本実施形態に
よる半導体発光素子における第１及び第２のＭＱＷ層の
利得曲線を示す特性図である。なお、本例の半導体発光
素子の全体構成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
よる半導体発光素子における第１及び第２のＭＱＷ層の
利得曲線を示す特性図である。なお、本例の半導体発光
素子の全体構成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
【００５９】本例では、回折格子周期で決まる発振波長
に対してＭＱＷ−Ａの利得ピーク波長を短波長側、ＭＱ
Ｗ−Ｂの利得ピーク波長を長波長側とすることにより、
ＭＱＷ構造全体の微分利得を大きく保ったまま利得結合
係数のキャリア密度依存性を小さくしている。回折格子
の周期は発振波長１．５５μｍに合わせて２４０ｎｍに
設定し、ＭＱＷ−Ａの利得ピーク波長を１．５４μｍ、
ＭＱＷ−Ｂの利得ピーク波長を１．５６μｍとした。
に対してＭＱＷ−Ａの利得ピーク波長を短波長側、ＭＱ
Ｗ−Ｂの利得ピーク波長を長波長側とすることにより、
ＭＱＷ構造全体の微分利得を大きく保ったまま利得結合
係数のキャリア密度依存性を小さくしている。回折格子
の周期は発振波長１．５５μｍに合わせて２４０ｎｍに
設定し、ＭＱＷ−Ａの利得ピーク波長を１．５４μｍ、
ＭＱＷ−Ｂの利得ピーク波長を１．５６μｍとした。
【００６０】図２，３に示す製造方法と同様の手法で製
造した当該半導体発光素子において、緩和振動周波数２
０Ｇｂ／ｓを示し、１０Ｇｂ／ｓでの直接変調時におい
てモード飛びは起こらず、波長変動は０．３ｎｍ以下で
あった。
造した当該半導体発光素子において、緩和振動周波数２
０Ｇｂ／ｓを示し、１０Ｇｂ／ｓでの直接変調時におい
てモード飛びは起こらず、波長変動は０．３ｎｍ以下で
あった。
【００６１】このように、本実施形態の半導体発光素子
によれば、活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利
得結合係数のキャリア密度依存性を小さくし、変調帯域
を大きく、且つ変調時の波長変動を小さくすることが可
能となる。
によれば、活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利
得結合係数のキャリア密度依存性を小さくし、変調帯域
を大きく、且つ変調時の波長変動を小さくすることが可
能となる。
【００６２】（第５の実施形態）図７は、本実施形態に
よる半導体発光素子のＭＱＷ構造近傍を拡大して示す概
略断面図である。なお、本例の半導体発光素子の全体構
成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
よる半導体発光素子のＭＱＷ構造近傍を拡大して示す概
略断面図である。なお、本例の半導体発光素子の全体構
成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
【００６３】本例では、ＭＱＷ−Ａの井戸層に引張歪を
導入し、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に圧縮歪を導入することに
より、活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利得結
合係数のキャリア密度依存性を小さくしている。ＭＱＷ
−Ａの井戸層は厚みが２０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰで引張
歪が０．５％、ＭＱＷ−Ｂの井戸層は厚みが５ｎｍのＧ
ａＩｎＡｓＰで０．８％の圧縮歪が導入されている。ま
た、それぞれの利得ピーク波長が１．５５μｍとなるよ
うに井戸層の組成が調整されている。
導入し、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に圧縮歪を導入することに
より、活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利得結
合係数のキャリア密度依存性を小さくしている。ＭＱＷ
−Ａの井戸層は厚みが２０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰで引張
歪が０．５％、ＭＱＷ−Ｂの井戸層は厚みが５ｎｍのＧ
ａＩｎＡｓＰで０．８％の圧縮歪が導入されている。ま
た、それぞれの利得ピーク波長が１．５５μｍとなるよ
うに井戸層の組成が調整されている。
【００６４】本例の半導体発光素子においても、第４の
実施形態と同様に、変調帯域を広く保ちつつ直接変調時
の波長変動を小さく抑えることができた。
実施形態と同様に、変調帯域を広く保ちつつ直接変調時
の波長変動を小さく抑えることができた。
【００６５】このように、本実施形態の半導体発光素子
によれば、活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利
得結合係数のキャリア密度依存性を小さくし、変調帯域
を大きく、且つ変調時の波長変動を小さくすることが可
能となる。
によれば、活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利
得結合係数のキャリア密度依存性を小さくし、変調帯域
を大きく、且つ変調時の波長変動を小さくすることが可
能となる。
【００６６】（第６の実施形態）図８は、本実施形態に
よる半導体発光素子の主要構成を示す概略斜視図であ
る。なお、本例の半導体発光素子の全体構成は、第１の
実施形態とほぼ同様である。
よる半導体発光素子の主要構成を示す概略斜視図であ
る。なお、本例の半導体発光素子の全体構成は、第１の
実施形態とほぼ同様である。
【００６７】本例では、ＭＱＷ−Ａにｎ型不純物のドー
プを行い、ＭＱＷ−Ｂにｐ型不純物のドープを行うこと
により、活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利得
結合係数のキャリア密度依存性を小さくしている。ここ
ではｎ−ＩｎＰ基板１を用いＭＱＷ−ＡをＭＱＷ−Ｂの
下部に配置したが、ｐ−ＩｎＰ基板を用いる場合にはこ
れまでの例のようにＭＱＷ−ＡをＭＱＷ−Ｂの上部に配
置する。
プを行い、ＭＱＷ−Ｂにｐ型不純物のドープを行うこと
により、活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利得
結合係数のキャリア密度依存性を小さくしている。ここ
ではｎ−ＩｎＰ基板１を用いＭＱＷ−ＡをＭＱＷ−Ｂの
下部に配置したが、ｐ−ＩｎＰ基板を用いる場合にはこ
れまでの例のようにＭＱＷ−ＡをＭＱＷ−Ｂの上部に配
置する。
【００６８】本例の半導体発光素子においても、第４の
実施形態と同様に、変調帯域を広く保ちつつ直接変調時
の波長変動を小さく抑えることができた。
実施形態と同様に、変調帯域を広く保ちつつ直接変調時
の波長変動を小さく抑えることができた。
【００６９】このように、本実施形態の半導体発光素子
によれば、活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利
得結合係数のキャリア密度依存性を小さくし、変調帯域
を大きく、且つ変調時の波長変動を小さくすることが可
能となる。
によれば、活性層全体の微分利得を大きく保ったまま利
得結合係数のキャリア密度依存性を小さくし、変調帯域
を大きく、且つ変調時の波長変動を小さくすることが可
能となる。
【００７０】（第７の実施形態）図９は、本実施形態に
よる半導体発光素子におけるＭＱＷ構造のバンドギャッ
プを示す特性図である。なお、本例の半導体発光素子の
全体構成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
よる半導体発光素子におけるＭＱＷ構造のバンドギャッ
プを示す特性図である。なお、本例の半導体発光素子の
全体構成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
【００７１】本例では、ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂに圧縮
歪を導入しており、歪量に応じてＭＱＷ−Ｂの井戸層に
対してＭＱＷ−Ａの井戸層を厚くすることでＭＱＷ−Ａ
とＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させてい
る。ここでは、圧縮歪０．８％に対しＭＱＷ−Ａの井戸
層の厚みを５．７ｎｍ、ＭＱＷ−Ｂの井戸層の厚みを５
ｎｍとした。このとき、ＭＱＷ−Ａ，Ｂ双方の利得ピー
ク波長は１．５６μｍと回折格子周期で決まる発振波長
１．５５μｍに対する離調は１０ｎｍであった。
歪を導入しており、歪量に応じてＭＱＷ−Ｂの井戸層に
対してＭＱＷ−Ａの井戸層を厚くすることでＭＱＷ−Ａ
とＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させてい
る。ここでは、圧縮歪０．８％に対しＭＱＷ−Ａの井戸
層の厚みを５．７ｎｍ、ＭＱＷ−Ｂの井戸層の厚みを５
ｎｍとした。このとき、ＭＱＷ−Ａ，Ｂ双方の利得ピー
ク波長は１．５６μｍと回折格子周期で決まる発振波長
１．５５μｍに対する離調は１０ｎｍであった。
【００７２】このように、本実施形態の半導体発光素子
によれば、ＭＱＷ層に歪みを導入した場合にも、ＭＱＷ
−ＡとＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させ、
その結果、回折格子周期で決まる発振波長に対して利得
ピーク位置を適切に設定し、発振しきい値の増加や温度
特性の劣化を防ぐことが可能となる。
によれば、ＭＱＷ層に歪みを導入した場合にも、ＭＱＷ
−ＡとＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させ、
その結果、回折格子周期で決まる発振波長に対して利得
ピーク位置を適切に設定し、発振しきい値の増加や温度
特性の劣化を防ぐことが可能となる。
【００７３】（第８の実施形態）図１０は、本実施形態
による半導体発光素子におけるＭＱＷ構造のバンドギャ
ップを示す特性図である。なお、本例の半導体発光素子
の全体構成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
による半導体発光素子におけるＭＱＷ構造のバンドギャ
ップを示す特性図である。なお、本例の半導体発光素子
の全体構成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
【００７４】本例では、ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂに引張
歪を導入しており、歪量に応じてＭＱＷ−Ａの井戸層の
組成を、当該ＭＱＷ−Ａをエッチングにより分割しない
状態での発光波長がＭＱＷ−Ｂに対して短波長側になる
ように設定する。これにより、ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂ
における利得ピーク波長を一致させている。ここでは、
引張歪０．４％に対し、ＭＱＷ−Ａの井戸層の組成を、
当該ＭＱＷ−Ａを分割しない状態での発光波長がＭＱＷ
−Ｂに対して１０ｎｍだけ短波長側になるように設定し
た。このとき、ＭＱＷ−Ａ，Ｂ双方の利得ピーク波長は
一致し、回折格子周期で決まる発振波長と合致させるこ
とができた。
歪を導入しており、歪量に応じてＭＱＷ−Ａの井戸層の
組成を、当該ＭＱＷ−Ａをエッチングにより分割しない
状態での発光波長がＭＱＷ−Ｂに対して短波長側になる
ように設定する。これにより、ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂ
における利得ピーク波長を一致させている。ここでは、
引張歪０．４％に対し、ＭＱＷ−Ａの井戸層の組成を、
当該ＭＱＷ−Ａを分割しない状態での発光波長がＭＱＷ
−Ｂに対して１０ｎｍだけ短波長側になるように設定し
た。このとき、ＭＱＷ−Ａ，Ｂ双方の利得ピーク波長は
一致し、回折格子周期で決まる発振波長と合致させるこ
とができた。
【００７５】このように、本実施形態の半導体発光素子
によれば、ＭＱＷ層に歪みを導入した場合にも、ＭＱＷ
−ＡとＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させ、
その結果、回折格子周期で決まる発振波長に対して利得
ピーク位置を適切に設定し、発振しきい値の増加や温度
特性の劣化を防ぐことが可能となる。
によれば、ＭＱＷ層に歪みを導入した場合にも、ＭＱＷ
−ＡとＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させ、
その結果、回折格子周期で決まる発振波長に対して利得
ピーク位置を適切に設定し、発振しきい値の増加や温度
特性の劣化を防ぐことが可能となる。
【００７６】（第９の実施形態）図１１は、本実施形態
による半導体発光素子におけるＭＱＷ構造のバンドギャ
ップを示す特性図である。なお、本例の半導体発光素子
の全体構成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
による半導体発光素子におけるＭＱＷ構造のバンドギャ
ップを示す特性図である。なお、本例の半導体発光素子
の全体構成は、第１の実施形態とほぼ同様である。
【００７７】本例では、ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ−Ｂに圧縮
歪を導入しており、ＭＱＷ−Ｂの歪量を、ＭＱＷ−Ａを
エッチングにより分割しない状態での歪量よりも大きく
なるように設定する。これにより、ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ
−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させている。ここで
は、両ＭＱＷ層の井戸層厚を４ｎｍ、井戸層の組成波長
を１．７３μｍとし、ＭＱＷ−Ａを分割しない状態での
圧縮歪を０．３％、ＭＱＷ−Ｂの圧縮歪を１．０％とし
た。このとき、ＭＱＷ−Ａ，Ｂ双方の利得ピーク波長は
一致し、回折格子周期で決まる発振波長と合致させるこ
とができた。
歪を導入しており、ＭＱＷ−Ｂの歪量を、ＭＱＷ−Ａを
エッチングにより分割しない状態での歪量よりも大きく
なるように設定する。これにより、ＭＱＷ−ＡとＭＱＷ
−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させている。ここで
は、両ＭＱＷ層の井戸層厚を４ｎｍ、井戸層の組成波長
を１．７３μｍとし、ＭＱＷ−Ａを分割しない状態での
圧縮歪を０．３％、ＭＱＷ−Ｂの圧縮歪を１．０％とし
た。このとき、ＭＱＷ−Ａ，Ｂ双方の利得ピーク波長は
一致し、回折格子周期で決まる発振波長と合致させるこ
とができた。
【００７８】このように、本実施形態の半導体発光素子
によれば、ＭＱＷ層に歪みを導入した場合にも、ＭＱＷ
−ＡとＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させ、
その結果、回折格子周期で決まる発振波長に対して利得
ピーク位置を適切に設定し、発振しきい値の増加や温度
特性の劣化を防ぐことが可能となる。
によれば、ＭＱＷ層に歪みを導入した場合にも、ＭＱＷ
−ＡとＭＱＷ−Ｂにおける利得ピーク波長を一致させ、
その結果、回折格子周期で決まる発振波長に対して利得
ピーク位置を適切に設定し、発振しきい値の増加や温度
特性の劣化を防ぐことが可能となる。
【００７９】なお、上述した各実施形態では、光の伝搬
方向に周期的な利得変調及び屈折率変調が同時に存在
し、利得変調及び屈折率変調の双方が伝搬光に対して分
布帰還を生じさせる利得結合ＤＦＢレーザに用いられる
半導体発光素子を例示したが、本発明はこれに限定され
るものではない。例えば、 光の伝搬方向に周期的な利
得変調が存在し、利得変調が伝搬光に対して分布帰還を
生じさせる利得結合ＤＦＢレーザなどにも適用可能であ
る。
方向に周期的な利得変調及び屈折率変調が同時に存在
し、利得変調及び屈折率変調の双方が伝搬光に対して分
布帰還を生じさせる利得結合ＤＦＢレーザに用いられる
半導体発光素子を例示したが、本発明はこれに限定され
るものではない。例えば、 光の伝搬方向に周期的な利
得変調が存在し、利得変調が伝搬光に対して分布帰還を
生じさせる利得結合ＤＦＢレーザなどにも適用可能であ
る。
【００８０】以下に示す発明の諸態様もまた、本発明を
構成する。
構成する。
【００８１】態様１の半導体発光素子では、前記第２の
多重量子井戸層の井戸層が前記第１の多重量子井戸層の
井戸層よりも薄い。
多重量子井戸層の井戸層が前記第１の多重量子井戸層の
井戸層よりも薄い。
【００８２】態様２の半導体発光素子では、前記第２の
多重量子井戸層における井戸層のバンドギャップが前記
第１の多重量子井戸層における井戸層のバンドギャップ
よりも大きい。
多重量子井戸層における井戸層のバンドギャップが前記
第１の多重量子井戸層における井戸層のバンドギャップ
よりも大きい。
【００８３】態様３の半導体発光素子では、前記第２の
多重量子井戸層における障壁層の障壁高さが第１の多重
量子井戸層における障壁層の障壁高さよりも高い。
多重量子井戸層における障壁層の障壁高さが第１の多重
量子井戸層における障壁層の障壁高さよりも高い。
【００８４】態様４の半導体発光素子では、第１の多重
量子井戸層における注入キャリア密度が前記第２の多重
量子井戸層における注入キャリア密度よりも大きい。
量子井戸層における注入キャリア密度が前記第２の多重
量子井戸層における注入キャリア密度よりも大きい。
【００８５】態様５の半導体発光素子では、態様１〜４
において、周期的な利得変調もしくは屈折率変調の存在
する領域に位相シフトを含まない。
において、周期的な利得変調もしくは屈折率変調の存在
する領域に位相シフトを含まない。
【００８６】態様６の半導体発光素子では、前記第２の
多重量子井戸層の井戸層が、前記第１の多重量子井戸層
の井戸層よりも厚い。
多重量子井戸層の井戸層が、前記第１の多重量子井戸層
の井戸層よりも厚い。
【００８７】態様７の半導体発光素子では、前記第２の
多重量子井戸層における井戸層のバンドギャップが前記
第１の多重量子井戸層における井戸層のバンドギャップ
よりも小さい。
多重量子井戸層における井戸層のバンドギャップが前記
第１の多重量子井戸層における井戸層のバンドギャップ
よりも小さい。
【００８８】態様８の半導体発光素子では、前記第２の
多重量子井戸層における障壁層の障壁高さが前記第１の
多重量子井戸層における障壁層の障壁高さよりも低い。
多重量子井戸層における障壁層の障壁高さが前記第１の
多重量子井戸層における障壁層の障壁高さよりも低い。
【００８９】態様９の半導体発光素子では、前記第１の
多重量子井戸層における注入キャリア密度が前記第２の
多重量子井戸層における注入キャリア密度よりも低い。
多重量子井戸層における注入キャリア密度が前記第２の
多重量子井戸層における注入キャリア密度よりも低い。
【００９０】態様１０の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層における微分利得が前記第２の多重量
子井戸層における微分利得よりも小さい。
の多重量子井戸層における微分利得が前記第２の多重量
子井戸層における微分利得よりも小さい。
【００９１】態様１１の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層の利得ピーク波長が発振波長より短波
長側にあり、且つ前記第２の多重量子井戸層の利得ピー
ク波長が発振波長より長波長側にある。
の多重量子井戸層の利得ピーク波長が発振波長より短波
長側にあり、且つ前記第２の多重量子井戸層の利得ピー
ク波長が発振波長より長波長側にある。
【００９２】態様１２の半導体発光素子では、態様１１
において、前記第１の多重量子井戸層の井戸層が前記第
２の多重量子井戸層の井戸層より薄い。
において、前記第１の多重量子井戸層の井戸層が前記第
２の多重量子井戸層の井戸層より薄い。
【００９３】態様１３の半導体発光素子では、態様１１
において、前記第１の多重量子井戸層の井戸層の組成波
長が前記第２の多重量子井戸層の井戸層の組成波長より
短波長である。
において、前記第１の多重量子井戸層の井戸層の組成波
長が前記第２の多重量子井戸層の井戸層の組成波長より
短波長である。
【００９４】態様１４の半導体発光素子では、態様１１
において、前記第１の多重量子井戸層の障壁層の障壁高
さが、前記第２の多重量子井戸層の障壁層の障壁高さよ
り高い。
において、前記第１の多重量子井戸層の障壁層の障壁高
さが、前記第２の多重量子井戸層の障壁層の障壁高さよ
り高い。
【００９５】態様１５の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層に引張歪が導入されており、及び／又
は前記第２の多重量子井戸層に圧縮歪が導入されてい
る。
の多重量子井戸層に引張歪が導入されており、及び／又
は前記第２の多重量子井戸層に圧縮歪が導入されてい
る。
【００９６】態様１６の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層がｎ型ドープされ、及び／又は前記第
２の多重量子井戸層がｐ型ドープされている。
の多重量子井戸層がｎ型ドープされ、及び／又は前記第
２の多重量子井戸層がｐ型ドープされている。
【００９７】態様１７の半導体発光素子では、態様１６
において、基板がｎ型であり前記第１の多重量子井戸層
が前記第２の多重量子井戸層の下部に位置する。
において、基板がｎ型であり前記第１の多重量子井戸層
が前記第２の多重量子井戸層の下部に位置する。
【００９８】態様１８の半導体発光素子では、態様１６
において、基板がｐ型であり前記第１の多重量子井戸層
が前記第２の多重量子井戸層の上部に位置する。
において、基板がｐ型であり前記第１の多重量子井戸層
が前記第２の多重量子井戸層の上部に位置する。
【００９９】態様１９の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層に歪が導入されており、且つ前記第１
の多重量子井戸層と前記第２の多重量子井戸層の利得ピ
ーク波長が一致する。
の多重量子井戸層に歪が導入されており、且つ前記第１
の多重量子井戸層と前記第２の多重量子井戸層の利得ピ
ーク波長が一致する。
【０１００】態様２０の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層に圧縮歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層が前記第２の多重量子井
戸層の井戸層より厚い。
の多重量子井戸層に圧縮歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層が前記第２の多重量子井
戸層の井戸層より厚い。
【０１０１】態様２１の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層に引張歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層が前記第２の多重量子井
戸層の井戸層より薄い。
の多重量子井戸層に引張歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層が前記第２の多重量子井
戸層の井戸層より薄い。
【０１０２】態様２２の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層に圧縮歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層の組成波長が前記第２の
多重量子井戸層の井戸層の組成波長より長波長である。
の多重量子井戸層に圧縮歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層の組成波長が前記第２の
多重量子井戸層の井戸層の組成波長より長波長である。
【０１０３】態様２３の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層に引張歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層の組成波長が前記第２の
多重量子井戸層の井戸層の組成波長より短波長である。
の多重量子井戸層に引張歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層の組成波長が前記第２の
多重量子井戸層の井戸層の組成波長より短波長である。
【０１０４】態様２４の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層に圧縮歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の障壁層の障壁高さが前記第２の
多重量子井戸層の障壁層の障壁高さより低い。
の多重量子井戸層に圧縮歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の障壁層の障壁高さが前記第２の
多重量子井戸層の障壁層の障壁高さより低い。
【０１０５】態様２５の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層に引張歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の障壁層の障壁高さが前記第２の
多重量子井戸層の障壁高さより高い。
の多重量子井戸層に引張歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の障壁層の障壁高さが前記第２の
多重量子井戸層の障壁高さより高い。
【０１０６】態様２６の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層に圧縮歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層を構成する材料の自由空
間での格子定数が前記第２の多重量子井戸層の井戸層を
構成する材料の自由空間での格子定数より小さい。
の多重量子井戸層に圧縮歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層を構成する材料の自由空
間での格子定数が前記第２の多重量子井戸層の井戸層を
構成する材料の自由空間での格子定数より小さい。
【０１０７】態様２７の半導体発光素子では、前記第１
の多重量子井戸層に引張歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層を構成する材料の自由空
間での格子定数が前記第２の多重量子井戸層の井戸層を
構成する材料の自由空間での格子定数より大きい。
の多重量子井戸層に引張歪が導入されており、且つ前記
第１の多重量子井戸層の井戸層を構成する材料の自由空
間での格子定数が前記第２の多重量子井戸層の井戸層を
構成する材料の自由空間での格子定数より大きい。
【０１０８】
【発明の効果】本発明の半導体発光素子によれば、屈折
率結合係数と利得結合係数とを独立に制御でき、発振し
きい値やスロープ効率、反射戻り光耐性などの特性劣化
を招くことなくモード安定性を改善することができる。
率結合係数と利得結合係数とを独立に制御でき、発振し
きい値やスロープ効率、反射戻り光耐性などの特性劣化
を招くことなくモード安定性を改善することができる。
【０１０９】また、活性層全体の微分利得を大きく保っ
たまま利得結合係数のキャリア密度依存性を小さくする
ことができ、変調帯域を大きく、且つ変調時の波長変動
を小さくすることが可能となる。
たまま利得結合係数のキャリア密度依存性を小さくする
ことができ、変調帯域を大きく、且つ変調時の波長変動
を小さくすることが可能となる。
【０１１０】また、多重量子井戸層に歪みを導入した場
合にも、第１の多重量子井戸層と第２の多重量子井戸層
における利得ピーク波長を一致させることができる。そ
の結果、回折格子周期で決まる発振波長に対して利得ピ
ーク位置を適切に設定することができ、発振しきい値の
増加や温度特性の劣化を防ぐことが可能となる。
合にも、第１の多重量子井戸層と第２の多重量子井戸層
における利得ピーク波長を一致させることができる。そ
の結果、回折格子周期で決まる発振波長に対して利得ピ
ーク位置を適切に設定することができ、発振しきい値の
増加や温度特性の劣化を防ぐことが可能となる。
【０１１１】このように、本発明によって半導体発光素
子の諸特性が改善され、高出力での変調や反射戻り光が
あっても波長飛びが生じない波長安定性に優れた半導体
発光素子が実現できる。
子の諸特性が改善され、高出力での変調や反射戻り光が
あっても波長飛びが生じない波長安定性に優れた半導体
発光素子が実現できる。
【図１】第１の実施形態による半導体発光素子の主要構
成を示す模式図である。
成を示す模式図である。
【図２】第１の実施形態の半導体発光素子の製造方法を
工程順に示す概略断面図である。
工程順に示す概略断面図である。
【図３】図２に引き続き、第１の実施形態の半導体発光
素子の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
素子の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図４】第２の実施形態による半導体発光素子の主要構
成を示す模式図である。
成を示す模式図である。
【図５】第３の実施形態による半導体発光素子における
ＭＱＷ構造のバンドギャップを示す特性図である。
ＭＱＷ構造のバンドギャップを示す特性図である。
【図６】第４の実施形態による半導体発光素子における
第１及び第２のＭＱＷ層の利得曲線を示す特性図であ
る。
第１及び第２のＭＱＷ層の利得曲線を示す特性図であ
る。
【図７】第５の実施形態による半導体発光素子のＭＱＷ
構造近傍を拡大して示す概略断面図である。
構造近傍を拡大して示す概略断面図である。
【図８】第６の実施形態による半導体発光素子の主要構
成を示す概略斜視図である。
成を示す概略斜視図である。
【図９】第７の実施形態による半導体発光素子における
ＭＱＷ構造のバンドギャップを示す特性図である。
ＭＱＷ構造のバンドギャップを示す特性図である。
【図１０】第８の実施形態による半導体発光素子におけ
るＭＱＷ構造のバンドギャップを示す特性図である。
るＭＱＷ構造のバンドギャップを示す特性図である。
【図１１】第９の実施形態による半導体発光素子におけ
るＭＱＷ構造のバンドギャップを示す特性図である。
るＭＱＷ構造のバンドギャップを示す特性図である。
【図１２】従来のＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子
の一例を示す模式図である。
の一例を示す模式図である。
【図１３】ＭＱＷ回折格子における歪の入り方を示す模
式図である。
式図である。
１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２ 多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造） ３ 電流狭窄層 ４ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ５ 保護膜 ６ ｎ側電極 ７ ｐ側電極 ８ コンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 剛之 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 小路 元 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AA21 AA64 AA74 BA01 CA12 CB02 DA05 DA24 EA03 EA13 EA23 EA28
Claims (4)
- 【請求項１】 障壁層を介して井戸層が積層されてな
り、電流注入により光を増幅する多重量子井戸構造を有
する半導体発光素子であって、 前記多重量子井戸構造の一部又は全部の領域で前記障壁
層及び前記井戸層の層数が光の伝搬方向に対して周期的
に変化しており、 前記多重量子井戸構造は、前記領域において、光の伝搬
方向に媒質内での伝搬光波長の半波長の整数倍の周期で
分割された第１の多重量子井戸層と、平坦な第２の多重
量子井戸層とを併せ持ち、 前記第１の多重量子井戸層と前記第２の多重量子井戸層
とでは、前記障壁層及び前記井戸層の少なくとも一方の
膜質及び膜厚の少なくとも一方が異なる所望状態に制御
されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 光の伝搬方向に周期的な利得変調が存在
し、前記利得変調が伝搬光に対して分布帰還を生じさせ
るものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体
発光素子。 - 【請求項３】 光の伝搬方向に周期的な利得変調及び屈
折率変調が同時に存在し、前記利得変調及び前記屈折率
変調の双方が伝搬光に対して分布帰還を生じさせるもの
であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素
子。 - 【請求項４】 前記膜質の相違は、材料組成、ｐ型又は
ｎ型の不純物添加、圧縮歪又は引張歪の導入のうちの少
なくとも１種以上の制御により達成されるものであるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半
導体発光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000121436A JP4643794B2 (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | 半導体発光素子 |
| US09/820,929 US6426515B2 (en) | 2000-04-21 | 2001-03-30 | Semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000121436A JP4643794B2 (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308451A true JP2001308451A (ja) | 2001-11-02 |
| JP4643794B2 JP4643794B2 (ja) | 2011-03-02 |
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ID=18632085
Family Applications (1)
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