JP2001308389A - 側面発光半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
側面発光半導体発光装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 側面発光半導体発光装置１０は基板１２を含
み、基板１２には不透光性および反射性を有する樹脂で
形成されたケース１４が設けられる。また、基板１２と
ケース１４との間には、透光性樹脂１６が充填される。
基板１２の表面には電極１８ａおよび１８ｂが形成さ
れ、この電極１８ａおよび１８ｂにＬＥＤチップがボン
ディングされる。この側面発光半導体発光装置１０の発
光面は、透光性樹脂１６で形成された面１６ａ、面１６
ｂおよび面１６ｂと並行でありかつ面１６ａに連続する
面で形成される。また、この発光面は粗面で形成され
る。このため、ＬＥＤチップから出力される光およびケ
ース１４で反射した光は発光面で散乱される。 【効果】 発光領域を拡大することができる。
み、基板１２には不透光性および反射性を有する樹脂で
形成されたケース１４が設けられる。また、基板１２と
ケース１４との間には、透光性樹脂１６が充填される。
基板１２の表面には電極１８ａおよび１８ｂが形成さ
れ、この電極１８ａおよび１８ｂにＬＥＤチップがボン
ディングされる。この側面発光半導体発光装置１０の発
光面は、透光性樹脂１６で形成された面１６ａ、面１６
ｂおよび面１６ｂと並行でありかつ面１６ａに連続する
面で形成される。また、この発光面は粗面で形成され
る。このため、ＬＥＤチップから出力される光およびケ
ース１４で反射した光は発光面で散乱される。 【効果】 発光領域を拡大することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は側面発光半導体発光装
置およびその製造方法に関し、特にたとえばＬＥＤチッ
プを基板上の電極にボンディングした、側面発光半導体
発光装置およびその製造方法に関する。
置およびその製造方法に関し、特にたとえばＬＥＤチッ
プを基板上の電極にボンディングした、側面発光半導体
発光装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の側面発光半導体発光装置
およびその製造方法の一例が、平成５年１１月２６日付
で出願公開された特開平５−３１５６５１号［Ｈ０１Ｌ
３３／００］公報に開示されている。この側面発光型
の半導体発光素子を製造する方法で製造された半導体発
光素子１が図５（Ａ）に示される。この半導体発光素子
１は基板２を含み、基板２の表面に形成された電極２ａ
および電極２ｂにＬＥＤチップ３がボンディングされ
る。また、このＬＥＤチップ３を覆うように透明合成樹
脂４が形成される。この透明合成樹脂４は、図５（Ａ）
のＶＢ−ＶＢ断面図である図５（Ｂ）からも分かるよう
に、その上面は滑らかであり、発光面５に向かうに従っ
て膨らんでいる。さらに、透明合成樹脂４を覆うよう
に、透明合成樹脂４と同じ形状の凹部を有するカバー体
６が形成される。このカバー体６は、不透光性および反
射性を有する樹脂で形成ため、ＬＥＤチップ３から発光
面５と異なる方向に発せられた光を反射する。したがっ
て、反射した光も発光面５から出力される。このように
して、側面方向への発光効率を高くしていた。
およびその製造方法の一例が、平成５年１１月２６日付
で出願公開された特開平５−３１５６５１号［Ｈ０１Ｌ
３３／００］公報に開示されている。この側面発光型
の半導体発光素子を製造する方法で製造された半導体発
光素子１が図５（Ａ）に示される。この半導体発光素子
１は基板２を含み、基板２の表面に形成された電極２ａ
および電極２ｂにＬＥＤチップ３がボンディングされ
る。また、このＬＥＤチップ３を覆うように透明合成樹
脂４が形成される。この透明合成樹脂４は、図５（Ａ）
のＶＢ−ＶＢ断面図である図５（Ｂ）からも分かるよう
に、その上面は滑らかであり、発光面５に向かうに従っ
て膨らんでいる。さらに、透明合成樹脂４を覆うよう
に、透明合成樹脂４と同じ形状の凹部を有するカバー体
６が形成される。このカバー体６は、不透光性および反
射性を有する樹脂で形成ため、ＬＥＤチップ３から発光
面５と異なる方向に発せられた光を反射する。したがっ
て、反射した光も発光面５から出力される。このように
して、側面方向への発光効率を高くしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来技術
では、ＬＥＤチップ３と電極２ｂとの間を電気的に接続
するための金線（ボンディングワイヤ）３ａが発光面５
に対して垂直方向にボンディングされるため、半導体発
光素子１の幅方向の長さＡが半導体発光素子１の奥行き
方向の長さＢよりも短く形成されていた。また、発光面
５は、半導体発光素子１の１つの側面の一部に形成され
ているだけであり、発光領域が狭くなっていた。このた
め、半導体発光素子１を携帯電話機などの電子機器の液
晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のバックライトとして用いる
ためには、導光板に対して比較的多数の半導体発光素子
１を設けて、いわゆるダークと呼ばれる部分が発生する
のを防止する必要があった。つまり、コストがかかって
いた。
では、ＬＥＤチップ３と電極２ｂとの間を電気的に接続
するための金線（ボンディングワイヤ）３ａが発光面５
に対して垂直方向にボンディングされるため、半導体発
光素子１の幅方向の長さＡが半導体発光素子１の奥行き
方向の長さＢよりも短く形成されていた。また、発光面
５は、半導体発光素子１の１つの側面の一部に形成され
ているだけであり、発光領域が狭くなっていた。このた
め、半導体発光素子１を携帯電話機などの電子機器の液
晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のバックライトとして用いる
ためには、導光板に対して比較的多数の半導体発光素子
１を設けて、いわゆるダークと呼ばれる部分が発生する
のを防止する必要があった。つまり、コストがかかって
いた。
【０００４】これを回避するため、本願出願人は先に出
願した特願平１１−１２４４１０号において、図６
（Ａ）に示すようなチップ型半導体発光素子１１を提案
している。このチップ型半導体発光素子１１は基板１３
を含み、基板１３には電極１３ａおよび１３ｂが形成さ
れる。この電極１３ａおよび１３ｂにＬＥＤチップ１５
がボンディングされる。つまり、図６（Ａ）のVIＢ−VI
Ｂ断面図である図６（Ｂ）から分かるように、電極１３
ａにＬＥＤチップ１５がダイボンディングされ、ＬＥＤ
チップ１５と電極１３ｂとの間を電気的に接続するため
のボンディングワイヤ１５ａがワイヤボンディングされ
る。さらに、基板１３上には、ＬＥＤチップ１５を囲む
ように不透光性および反射性を有する樹脂で形成された
リフレクタ（ケース）１７が設けられ、基板１３とケー
ス１７とによって形成されたコの字状の部分に透光性樹
脂１９が充填される。
願した特願平１１−１２４４１０号において、図６
（Ａ）に示すようなチップ型半導体発光素子１１を提案
している。このチップ型半導体発光素子１１は基板１３
を含み、基板１３には電極１３ａおよび１３ｂが形成さ
れる。この電極１３ａおよび１３ｂにＬＥＤチップ１５
がボンディングされる。つまり、図６（Ａ）のVIＢ−VI
Ｂ断面図である図６（Ｂ）から分かるように、電極１３
ａにＬＥＤチップ１５がダイボンディングされ、ＬＥＤ
チップ１５と電極１３ｂとの間を電気的に接続するため
のボンディングワイヤ１５ａがワイヤボンディングされ
る。さらに、基板１３上には、ＬＥＤチップ１５を囲む
ように不透光性および反射性を有する樹脂で形成された
リフレクタ（ケース）１７が設けられ、基板１３とケー
ス１７とによって形成されたコの字状の部分に透光性樹
脂１９が充填される。
【０００５】このチップ型半導体発光素子１１では、図
６（Ｂ）から分かるように、ボンディングワイヤ１５ａ
はチップ型半導体素子１１の幅方向とほぼ並行にボンデ
ィングされる。このようにして、発光面を広くしてい
る。つまり、図５（Ａ）で示した半導体発光素子１の奥
行き方向の側面およびその側面に連続する２つの面に発
光面が設けられる。具体的には、図６（Ａ）に示すチッ
プ型半導体発光素子１１では、透光性樹脂１９で形成さ
れた面１９ａ、１９ｂおよび面１９ｂに並行でありかつ
面１９ａに連続する面が発光面となる。
６（Ｂ）から分かるように、ボンディングワイヤ１５ａ
はチップ型半導体素子１１の幅方向とほぼ並行にボンデ
ィングされる。このようにして、発光面を広くしてい
る。つまり、図５（Ａ）で示した半導体発光素子１の奥
行き方向の側面およびその側面に連続する２つの面に発
光面が設けられる。具体的には、図６（Ａ）に示すチッ
プ型半導体発光素子１１では、透光性樹脂１９で形成さ
れた面１９ａ、１９ｂおよび面１９ｂに並行でありかつ
面１９ａに連続する面が発光面となる。
【０００６】しかし、このチップ型半導体発光素子１１
では発光面を広くすることができるが、図６（Ａ）およ
び図６（Ｂ）から分かるように、段差部２１を設けてい
るため、製造工程で透光性樹脂１９を注入するときに用
いる金型の製造が困難であった。
では発光面を広くすることができるが、図６（Ａ）およ
び図６（Ｂ）から分かるように、段差部２１を設けてい
るため、製造工程で透光性樹脂１９を注入するときに用
いる金型の製造が困難であった。
【０００７】たとえば、このチップ型半導体発光素子１
１を製造する場合には、一度に１０００個程度製造でき
るように、基板１３が連続的に形成された連続基板２１
およびケース１７が連続的に形成された連続ケース２３
が用いられる。まず、この連続基板２１と連続ケース２
３とが接着され、その断面は図７（Ａ）のように示され
る。
１を製造する場合には、一度に１０００個程度製造でき
るように、基板１３が連続的に形成された連続基板２１
およびケース１７が連続的に形成された連続ケース２３
が用いられる。まず、この連続基板２１と連続ケース２
３とが接着され、その断面は図７（Ａ）のように示され
る。
【０００８】なお、図７では、連続基板２１は横方向に
のみ連続するように示してあるが、図７の紙面に対して
垂直方向にも連続している。また、連続ケース２３に含
まれる部材２３ａはその断面がＴ字状に形成され、横方
向に所定間隔に形成される。さらに、連続ケース２３
は、連続基板２１と同様に紙面に対して垂直方向にも連
続する。つまり、部材２３ａはその断面がＴ字であり、
棒状に形成される。ただし、部材２３ａは図示しない端
部で互いに連結され、連続ケース２３が形成される。
のみ連続するように示してあるが、図７の紙面に対して
垂直方向にも連続している。また、連続ケース２３に含
まれる部材２３ａはその断面がＴ字状に形成され、横方
向に所定間隔に形成される。さらに、連続ケース２３
は、連続基板２１と同様に紙面に対して垂直方向にも連
続する。つまり、部材２３ａはその断面がＴ字であり、
棒状に形成される。ただし、部材２３ａは図示しない端
部で互いに連結され、連続ケース２３が形成される。
【０００９】連続基板２１と連続ケース２３とが接着さ
れると、図７（Ｂ）に示すような金型３１が装着され、
図７（Ｃ）に示すように、透光性樹脂１９が注入され
る。そして、透光性樹脂１９が硬化されると、金型３１
が取り外され、図７（Ｃ）の点線で示す位置でダイシン
グされる。また、図７（Ｃ）の紙面に並行な方向であり
かつチップ型半導体発光素子１１の幅毎にもダイシング
される。したがって、複数のチップ型半導体発光素子１
１が形成される。また、発光面に含まれる面１９ａは、
金型３１の凸部３１ａの金属面によってほぼ鏡面に加工
される。
れると、図７（Ｂ）に示すような金型３１が装着され、
図７（Ｃ）に示すように、透光性樹脂１９が注入され
る。そして、透光性樹脂１９が硬化されると、金型３１
が取り外され、図７（Ｃ）の点線で示す位置でダイシン
グされる。また、図７（Ｃ）の紙面に並行な方向であり
かつチップ型半導体発光素子１１の幅毎にもダイシング
される。したがって、複数のチップ型半導体発光素子１
１が形成される。また、発光面に含まれる面１９ａは、
金型３１の凸部３１ａの金属面によってほぼ鏡面に加工
される。
【００１０】図７（Ａ）〜図７（Ｃ）から分かるよう
に、金型３１は連続ケース２３に含まれる部材２３ａの
それぞれの列が対向して形成された隙間３３に凸部３１
ａを収めるように形成する必要がある。しかし、隙間３
３は非常に狭い（約０．３〜０．５mmである）ため、金
型３１の形成が困難であった。また、凸部３１ａは非常
に薄型であるため、破損し易いという問題があった。さ
らに、透光性樹脂１９が硬化した後に金型３１を取り外
すときに、摩擦により金型３１が抜けにくいという問題
もあった。
に、金型３１は連続ケース２３に含まれる部材２３ａの
それぞれの列が対向して形成された隙間３３に凸部３１
ａを収めるように形成する必要がある。しかし、隙間３
３は非常に狭い（約０．３〜０．５mmである）ため、金
型３１の形成が困難であった。また、凸部３１ａは非常
に薄型であるため、破損し易いという問題があった。さ
らに、透光性樹脂１９が硬化した後に金型３１を取り外
すときに、摩擦により金型３１が抜けにくいという問題
もあった。
【００１１】また、発光面に含まれる面１９ａは鏡面加
工されるので、ＬＥＤチップ１５から出力される光が屈
折してしまい、側面方向への発光強度が弱くなってしま
っていた。
工されるので、ＬＥＤチップ１５から出力される光が屈
折してしまい、側面方向への発光強度が弱くなってしま
っていた。
【００１２】それゆえに、この発明の主たる目的は、容
易に発光領域を拡大させることができる、側面発光半導
体発光装置およびその製造方法を提供することである。
易に発光領域を拡大させることができる、側面発光半導
体発光装置およびその製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、ＬＥＤチ
ップを基板上の電極にボンディングした側面発光半導体
発光装置において、基板に対して垂直に設けられた発光
面を粗面で形成したことを特徴とする、側面発光半導体
発光装置である。
ップを基板上の電極にボンディングした側面発光半導体
発光装置において、基板に対して垂直に設けられた発光
面を粗面で形成したことを特徴とする、側面発光半導体
発光装置である。
【００１４】第２の発明は、(a) ２つのリフレクタ開口
を対向させて基板上に載置し、(b)対向部に樹脂を注入
し、そして(c) 対向部でダイシングする、側面発光半導
体発光装置の製造方法である。
を対向させて基板上に載置し、(b)対向部に樹脂を注入
し、そして(c) 対向部でダイシングする、側面発光半導
体発光装置の製造方法である。
【００１５】
【作用】第１の発明の側面発光半導体発光装置では、基
板上に形成された電極に半導体発光素子（ＬＥＤチッ
プ）がボンディングされる。この側面発光半導体発光装
置の発光面は、基板に対して垂直に設けられており、ま
た粗面で形成される。このため、ＬＥＤチップから出力
される光が発光面で散乱される。
板上に形成された電極に半導体発光素子（ＬＥＤチッ
プ）がボンディングされる。この側面発光半導体発光装
置の発光面は、基板に対して垂直に設けられており、ま
た粗面で形成される。このため、ＬＥＤチップから出力
される光が発光面で散乱される。
【００１６】たとえば、ダイシング面を発光面にすれ
ば、余計な工程を増やさずに簡単に発光面を粗面で形成
することができる。
ば、余計な工程を増やさずに簡単に発光面を粗面で形成
することができる。
【００１７】第２の発明は、第１の発明の側面発光半導
体発光装置を製造する方法である。まず、基板上に２つ
のリフレクタをその開口を互いに対向させて載置する。
次に適宜製造された金型をリフレクタの上面に当接する
ように装着し、リフレクタの開口が対向した部分（対向
部分）にたとえば透光性を有する樹脂を注入する。樹脂
が硬化すると、金型を取り外し、対向部分でダイシング
する。したがって、ダイシング面を発光面にすることが
できる。つまり、発光面が粗面で形成されるので、発光
面で光を散乱させることができる。
体発光装置を製造する方法である。まず、基板上に２つ
のリフレクタをその開口を互いに対向させて載置する。
次に適宜製造された金型をリフレクタの上面に当接する
ように装着し、リフレクタの開口が対向した部分（対向
部分）にたとえば透光性を有する樹脂を注入する。樹脂
が硬化すると、金型を取り外し、対向部分でダイシング
する。したがって、ダイシング面を発光面にすることが
できる。つまり、発光面が粗面で形成されるので、発光
面で光を散乱させることができる。
【００１８】なお、製造する側面発光半導体発光装置の
個数に応じて連続的に形成した基板および同様に連続的
に形成したリフレクタを用いれば、上述のような方法を
用いて、より多くの側面発光半導体発光装置を製造する
ことができる。ただし、この場合には、対向部分でダイ
シングするとともに、側面発光半導体発光装置の幅毎に
ダイシングする必要がある。
個数に応じて連続的に形成した基板および同様に連続的
に形成したリフレクタを用いれば、上述のような方法を
用いて、より多くの側面発光半導体発光装置を製造する
ことができる。ただし、この場合には、対向部分でダイ
シングするとともに、側面発光半導体発光装置の幅毎に
ダイシングする必要がある。
【００１９】
【発明の効果】これらの発明によれば、発光面を粗面に
し、発光面で光を散乱させることができるので、簡単に
発光領域を大きくすることができる。
し、発光面で光を散乱させることができるので、簡単に
発光領域を大きくすることができる。
【００２０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００２１】
【実施例】図１を参照して、この実施例の側面発光半導
体発光装置（以下、単に「発光装置」という。）１０
は、たとえばガラスエポキシなどで形成された絶縁性基
板（以下、単に「基板」という。）１２を含む。基板１
２上には、不透光性および反射性を有する樹脂で形成さ
れたリフレクタ（ケース）１４が設けられる。また、基
板１２とケース１４との間には、エポキシ樹脂のような
透光性樹脂１６が充填されている。
体発光装置（以下、単に「発光装置」という。）１０
は、たとえばガラスエポキシなどで形成された絶縁性基
板（以下、単に「基板」という。）１２を含む。基板１
２上には、不透光性および反射性を有する樹脂で形成さ
れたリフレクタ（ケース）１４が設けられる。また、基
板１２とケース１４との間には、エポキシ樹脂のような
透光性樹脂１６が充填されている。
【００２２】また、基板１２にはリード（電極）１８ａ
および１８ｂが形成され、図１のIIＡ−IIＡ断面図であ
る図２（Ａ）から分かるように、電極１８ａには半導体
発光素子（ＬＥＤチップ）２０がダイボンディングされ
ている。また、図１のIIＢ−IIＢ断面図である図２
（Ｂ）から分かるように、電極１８ｂとＬＥＤチップ２
０とが金線のようなボンディングワイヤ２２で電気的に
接続されている。電極１８ａはまた、基板１２の側面に
設けられたスルーホール１２ａを介して基板１４の表面
から裏面まで連続的に形成され、プリント基板（図示せ
ず）に直接マウントして電気的に接続できる構造となっ
ている。図示は省略するが、電極１８ｂも同様に構成さ
れる。
および１８ｂが形成され、図１のIIＡ−IIＡ断面図であ
る図２（Ａ）から分かるように、電極１８ａには半導体
発光素子（ＬＥＤチップ）２０がダイボンディングされ
ている。また、図１のIIＢ−IIＢ断面図である図２
（Ｂ）から分かるように、電極１８ｂとＬＥＤチップ２
０とが金線のようなボンディングワイヤ２２で電気的に
接続されている。電極１８ａはまた、基板１２の側面に
設けられたスルーホール１２ａを介して基板１４の表面
から裏面まで連続的に形成され、プリント基板（図示せ
ず）に直接マウントして電気的に接続できる構造となっ
ている。図示は省略するが、電極１８ｂも同様に構成さ
れる。
【００２３】なお、図１および図２では、電極１８ａお
よび１８ｂは、厚みを設けて示してあるが、実際には薄
膜状に形成される。また、図１に示すように、電極１８
ａは、基板１２の表面側がスルーホール１２ａを覆うよ
うに残されており、透光性樹脂１６をモールドするとき
に、基板１２の裏面側に透光性樹脂１６が流れ込むのが
防止される。図示は省略するが、電極１８ｂ側も同様に
構成される。
よび１８ｂは、厚みを設けて示してあるが、実際には薄
膜状に形成される。また、図１に示すように、電極１８
ａは、基板１２の表面側がスルーホール１２ａを覆うよ
うに残されており、透光性樹脂１６をモールドするとき
に、基板１２の裏面側に透光性樹脂１６が流れ込むのが
防止される。図示は省略するが、電極１８ｂ側も同様に
構成される。
【００２４】図２（Ａ）および（Ｂ）から分かるよう
に、ボンディングワイヤ２２は発光装置１０の幅方向Ｐ
とほぼ並行にワイヤボンディングされる。また、発光面
は、透光性樹脂１６で形成された面１６ａ、面１６ｂお
よび面１６ｂと並行でありかつ面１６ａに連続する面に
よって形成される。さらに、この発光面は粗面で形成さ
れるため、ＬＥＤチップ２０から出力される光およびケ
ース１４で反射された光は発光面で散乱される。つま
り、発光領域が大きくされる。
に、ボンディングワイヤ２２は発光装置１０の幅方向Ｐ
とほぼ並行にワイヤボンディングされる。また、発光面
は、透光性樹脂１６で形成された面１６ａ、面１６ｂお
よび面１６ｂと並行でありかつ面１６ａに連続する面に
よって形成される。さらに、この発光面は粗面で形成さ
れるため、ＬＥＤチップ２０から出力される光およびケ
ース１４で反射された光は発光面で散乱される。つま
り、発光領域が大きくされる。
【００２５】たとえば、このような発光装置１０を製造
する場合には、図３（Ａ）に示すような基板１２が連続
的に複数形成された連続基板３０とケース１４が連続的
に複数形成された連続ケース３２とが用いられる。
する場合には、図３（Ａ）に示すような基板１２が連続
的に複数形成された連続基板３０とケース１４が連続的
に複数形成された連続ケース３２とが用いられる。
【００２６】連続基板３０には、図示は省略するが、形
成する発光装置１０の個数（この実施例では、１０００
個程度）に対応する電極１８ａおよび１８ｂが連続的に
形成されるとともに、形成する発光装置１０の個数に対
応するＬＥＤチップ２０がボンディングされている。
成する発光装置１０の個数（この実施例では、１０００
個程度）に対応する電極１８ａおよび１８ｂが連続的に
形成されるとともに、形成する発光装置１０の個数に対
応するＬＥＤチップ２０がボンディングされている。
【００２７】複数のＬＥＤチップ２０がボンディングさ
れた連続基板３０と連続ケース３２とが、図３（Ｂ）に
示すように、接着される。図３（Ｂ）のIVＡ−IVＡ断面
図である図４（Ａ）から分かるように、連続ケース３２
に含まれる部材３２ａの断面はＴ字状に形成され、複数
の部材３２ａが所定間隔で横方向に形成される。また、
部材３２ａは、図４の紙面の垂直方向にも連続してい
る。つまり、部材３２ａは断面がＴ字であり、棒状に形
成される。
れた連続基板３０と連続ケース３２とが、図３（Ｂ）に
示すように、接着される。図３（Ｂ）のIVＡ−IVＡ断面
図である図４（Ａ）から分かるように、連続ケース３２
に含まれる部材３２ａの断面はＴ字状に形成され、複数
の部材３２ａが所定間隔で横方向に形成される。また、
部材３２ａは、図４の紙面の垂直方向にも連続してい
る。つまり、部材３２ａは断面がＴ字であり、棒状に形
成される。
【００２８】なお、図３（Ａ）から分かるように、部材
３２ａは、その端部が互いに連結され、１つの連続ケー
ス３２を形成している。また、連続ケース３２は、Ｔ字
の縦棒の底辺に相当する部分で連続基板３０に接着され
ている。
３２ａは、その端部が互いに連結され、１つの連続ケー
ス３２を形成している。また、連続ケース３２は、Ｔ字
の縦棒の底辺に相当する部分で連続基板３０に接着され
ている。
【００２９】また、図４（Ａ）から分かるように、連続
基板３０と連続ケース３２とが接着されることによって
形成された開口３４が互いに対向する。この対向部分３
８に透光性樹脂１６が注入される。
基板３０と連続ケース３２とが接着されることによって
形成された開口３４が互いに対向する。この対向部分３
８に透光性樹脂１６が注入される。
【００３０】具体的には、図４（Ｂ）に示すような平板
状に形成された金型３６が連続ケース３２の上面に当接
するように押し当てられる。続いて、図４（Ｃ）に示す
ように、対向部分３８に透光性樹脂１６が注入される。
透光性樹脂１６の注入が完了すると、透光性樹脂１６は
硬化され、金型３６が連続ケース３２から取り外され
る。そして、図４（Ｃ）の点線で示す位置でダイサ（図
示せず）によってダイシングされる。また、透光性樹脂
１６を注入した後の図３（Ｂ）のIVＤ−IVＤ断面図に相
当する図４（Ｄ）から分かるように、ケース１４（発光
装置１０）の幅毎にもダイシングされる。したがって、
図１に示したような発光装置１０が複数形成される。
状に形成された金型３６が連続ケース３２の上面に当接
するように押し当てられる。続いて、図４（Ｃ）に示す
ように、対向部分３８に透光性樹脂１６が注入される。
透光性樹脂１６の注入が完了すると、透光性樹脂１６は
硬化され、金型３６が連続ケース３２から取り外され
る。そして、図４（Ｃ）の点線で示す位置でダイサ（図
示せず）によってダイシングされる。また、透光性樹脂
１６を注入した後の図３（Ｂ）のIVＤ−IVＤ断面図に相
当する図４（Ｄ）から分かるように、ケース１４（発光
装置１０）の幅毎にもダイシングされる。したがって、
図１に示したような発光装置１０が複数形成される。
【００３１】このように、ダイサでダイシングするた
め、発光装置１０の発光面がダイシング面で形成され
る。つまり、ダイサのブレードの粗さによって発光面に
は細かな凹凸が形成されるため、ＬＥＤチップ２０から
出力される光が発光面で散乱される。
め、発光装置１０の発光面がダイシング面で形成され
る。つまり、ダイサのブレードの粗さによって発光面に
は細かな凹凸が形成されるため、ＬＥＤチップ２０から
出力される光が発光面で散乱される。
【００３２】この実施例によれば、ダイシング面を発光
面とするだけで光を散乱させることができる。つまり、
容易に発光領域を拡大することができる。したがって、
電子機器などに設けられたＬＣＤのバックライトに発光
装置を適用する場合には、発光装置の個数を少なくする
ことができる。また、透光性樹脂を注入するときに用い
る金型は平板状のものであるため、金型の製造が簡単で
ある。
面とするだけで光を散乱させることができる。つまり、
容易に発光領域を拡大することができる。したがって、
電子機器などに設けられたＬＣＤのバックライトに発光
装置を適用する場合には、発光装置の個数を少なくする
ことができる。また、透光性樹脂を注入するときに用い
る金型は平板状のものであるため、金型の製造が簡単で
ある。
【００３３】なお、この実施例では、連続ケースを連続
基板に接着してから、そのまま透光性樹脂を注入するよ
うにしてあるが、連続ケースに紫外線を所定時間（たと
えば、３分間）照射し、連続ケースの表面を洗浄してか
ら透光性樹脂を注入するようにすれば、透光性樹脂と連
続ケースとの接着強度を高くすることができる。つま
り、ダイシングなどの物理的な衝撃により、ケースが基
板から外れるのを防止することができる。
基板に接着してから、そのまま透光性樹脂を注入するよ
うにしてあるが、連続ケースに紫外線を所定時間（たと
えば、３分間）照射し、連続ケースの表面を洗浄してか
ら透光性樹脂を注入するようにすれば、透光性樹脂と連
続ケースとの接着強度を高くすることができる。つま
り、ダイシングなどの物理的な衝撃により、ケースが基
板から外れるのを防止することができる。
【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図２】図１実施例に示す発光装置の断面図である。
【図３】（Ａ）は図１実施例に示す発光装置を製造する
場合の連続基板および連続ケースを示す図解図であり、
（Ｂ）は図３（Ａ）に示す連続基板と連続ケースとを接
着した状態を示す図解図である。
場合の連続基板および連続ケースを示す図解図であり、
（Ｂ）は図３（Ａ）に示す連続基板と連続ケースとを接
着した状態を示す図解図である。
【図４】（Ａ）は図３に示す連続基板およびケースの断
面図であり、（Ｂ）は図４（Ａ）の連続基板に接着され
た連続ケースおよびその連続ケースに押し当てる金型を
示す断面図であり、（Ｃ）は連続ケースに金型を押し当
てて透光性樹脂を注入した状態を示す断面図であり、
（Ｄ）は発光装置の幅毎にダイシングする工程を示す図
解図である。
面図であり、（Ｂ）は図４（Ａ）の連続基板に接着され
た連続ケースおよびその連続ケースに押し当てる金型を
示す断面図であり、（Ｃ）は連続ケースに金型を押し当
てて透光性樹脂を注入した状態を示す断面図であり、
（Ｄ）は発光装置の幅毎にダイシングする工程を示す図
解図である。
【図５】（Ａ）は従来の側面発光半導体発光装置の一例
を示す図解図であり、（Ｂ）は図５（Ａ）に示す側面発
光半導体発光装置の断面図である。
を示す図解図であり、（Ｂ）は図５（Ａ）に示す側面発
光半導体発光装置の断面図である。
【図６】（Ａ）は従来の側面発光半導体発光装置の他の
例を示す図解図であり、（Ｂ）は図６（Ａ）に示す側面
発光半導体発光装置の断面図である。
例を示す図解図であり、（Ｂ）は図６（Ａ）に示す側面
発光半導体発光装置の断面図である。
【図７】（Ａ）は図６に示す側面発光半導体発光装置を
製造するとき場合の連続基板および連続ケースを示す断
面図であり、（Ｂ）は図６（Ａ）の連続基板および連続
ケースおよびその連続ケースに押し当てるための金型を
示す断面図であり、（Ｃ）は連続ケースに金型を押し当
てて透光性樹脂を注入した状態を示す断面図である。
製造するとき場合の連続基板および連続ケースを示す断
面図であり、（Ｂ）は図６（Ａ）の連続基板および連続
ケースおよびその連続ケースに押し当てるための金型を
示す断面図であり、（Ｃ）は連続ケースに金型を押し当
てて透光性樹脂を注入した状態を示す断面図である。
１０ …発光装置 １２ …基板 １４ …ケース １６ …透光性樹脂 ２０ …ＬＥＤチップ ２２ …ボンディングワイヤ ２４ …発光面 ３０ …連続基板 ３２ …連続ケース ３４ …開口 ３６ …金型 ３８ …対向部分
Claims (3)
- 【請求項１】ＬＥＤチップを基板上の電極にボンディン
グした側面発光半導体発光装置において、 前記基板に対して垂直に設けられた発光面を粗面で形成
したことを特徴とする、側面発光半導体発光装置。 - 【請求項２】前記発光面はダイシング面を含む、請求項
１記載の側面発光半導体発光装置。 - 【請求項３】(a) ２つのリフレクタ開口を対向させて基
板上に載置し、 (b) 対向部に樹脂を注入し、そして (c) 前記対向部でダイシングする、側面発光半導体発光
装置の製造方法。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000122255A JP2001308389A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | 側面発光半導体発光装置およびその製造方法 |
| EP01922031A EP1204151A4 (en) | 2000-04-24 | 2001-04-23 | SIDE-EMITTING LUMINAIRE DIODE AND MANUFACTURING METHOD |
| KR1020017016524A KR100772774B1 (ko) | 2000-04-24 | 2001-04-23 | 측면발광반도체 발광장치 및 그 제조방법 |
| PCT/JP2001/003488 WO2001082386A1 (fr) | 2000-04-24 | 2001-04-23 | Dispositif semi-conducteur electroluminescent a emission laterale et son procede de production |
| KR1020067026793A KR100832956B1 (ko) | 2000-04-24 | 2001-04-23 | 측면발광반도체 발광장치 |
| CNB01801061XA CN1189951C (zh) | 2000-04-24 | 2001-04-23 | 侧发射型半导体光发射器件及其制造方法 |
| US10/019,508 US20020123163A1 (en) | 2000-04-24 | 2001-04-23 | Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacture thereof |
| TW090109748A TW523935B (en) | 2000-04-24 | 2001-04-24 | Side luminescent semiconductor light emitting device and its process |
| US10/792,200 US6919586B2 (en) | 2000-04-24 | 2004-03-01 | Side-emission type semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US11/159,492 US7312479B2 (en) | 2000-04-24 | 2005-06-23 | Side-emission type semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US12/001,147 US20080283862A1 (en) | 2000-04-24 | 2007-12-10 | Side-emission type semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000122255A JP2001308389A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | 側面発光半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308389A true JP2001308389A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18632753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000122255A Pending JP2001308389A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | 側面発光半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308389A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803606B2 (en) | 2002-03-20 | 2004-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2015207615A (ja) * | 2014-04-18 | 2015-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2017130585A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 受光モジュール及び光学モジュールの製造方法 |
-
2000
- 2000-04-24 JP JP2000122255A patent/JP2001308389A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803606B2 (en) | 2002-03-20 | 2004-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2015207615A (ja) * | 2014-04-18 | 2015-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2017130585A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 受光モジュール及び光学モジュールの製造方法 |
| KR20180103931A (ko) * | 2016-01-21 | 2018-09-19 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 수광 모듈 및 광학 모듈의 제조 방법 |
| TWI714677B (zh) * | 2016-01-21 | 2021-01-01 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 受光模組及光學模組之製造方法 |
| KR102606362B1 (ko) * | 2016-01-21 | 2023-11-27 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 수광 모듈 및 수광 모듈의 제조 방법 |
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