JP2001307923A - Ｌｃフィルタ - Google Patents
ＬｃフィルタInfo
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- JP2001307923A JP2001307923A JP2000127624A JP2000127624A JP2001307923A JP 2001307923 A JP2001307923 A JP 2001307923A JP 2000127624 A JP2000127624 A JP 2000127624A JP 2000127624 A JP2000127624 A JP 2000127624A JP 2001307923 A JP2001307923 A JP 2001307923A
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- JP
- Japan
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- inductor
- filter
- polyimide resin
- capacitor
- substrate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】コンデンサ，インダクタ及びインダクタ形成用
コイル導体間の界面の密着性が向上し、良品歩留まりの
優れたＬＣフィルタを提供する。 【解決手段】ポリイミド樹脂有機基板１上に下部電極
２，誘電体３および上部電極４を有するコンデンサと、
インダクタ６とが設けられ、コンデンサおよびインダク
タ６はポリイミド樹脂７で囲まれている。
コイル導体間の界面の密着性が向上し、良品歩留まりの
優れたＬＣフィルタを提供する。 【解決手段】ポリイミド樹脂有機基板１上に下部電極
２，誘電体３および上部電極４を有するコンデンサと、
インダクタ６とが設けられ、コンデンサおよびインダク
タ６はポリイミド樹脂７で囲まれている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＣフィルタに関
し、特にたとえば、高周波ノイズを除去するＬＣフィル
タに関する。
し、特にたとえば、高周波ノイズを除去するＬＣフィル
タに関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平５−３４７５２７号公報は、グリ
ーンシートにコンデンサ電極およびインダクタンス電極
を印刷し、グリーンシートを積層，圧着した後、１００
０℃〜１１００℃で焼成して積層型ＬＣフィルタを作製
することを記載する。このような積層型ＬＣフィルタ
は、コンデンサおよびインダクタはセラミックスに囲ま
れている。また、インダクタを構成するコイル導体の材
料にはＡｇ，Ａｕ，Ｐｔが使用されている例が高周波セ
ラミック材料とその応用（（株）テイー・アイ・シー、
平成１０年・１０月）で報告されている。
ーンシートにコンデンサ電極およびインダクタンス電極
を印刷し、グリーンシートを積層，圧着した後、１００
０℃〜１１００℃で焼成して積層型ＬＣフィルタを作製
することを記載する。このような積層型ＬＣフィルタ
は、コンデンサおよびインダクタはセラミックスに囲ま
れている。また、インダクタを構成するコイル導体の材
料にはＡｇ，Ａｕ，Ｐｔが使用されている例が高周波セ
ラミック材料とその応用（（株）テイー・アイ・シー、
平成１０年・１０月）で報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＬＣフィルタは
製造工程で１０００℃程度の熱処理を受けるために、金
属であるコンデンサ用電極やインダクタ用導体とセラミ
ックスとの間で、剥離等が発生し易い。また、一般に金
属とセラミックスは熱膨張係数の相違や濡れ性の相違が
あるので、密着性が低下することがあった。
製造工程で１０００℃程度の熱処理を受けるために、金
属であるコンデンサ用電極やインダクタ用導体とセラミ
ックスとの間で、剥離等が発生し易い。また、一般に金
属とセラミックスは熱膨張係数の相違や濡れ性の相違が
あるので、密着性が低下することがあった。
【０００４】本発明の目的は、コンデンサ用電極，イン
ダクタ及びインダクタ用導体コイルと、これらを絶縁す
る絶縁部との密着性がよく、信頼性の高いＬＣフィルタ
を提供することにある。
ダクタ及びインダクタ用導体コイルと、これらを絶縁す
る絶縁部との密着性がよく、信頼性の高いＬＣフィルタ
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の特徴は、上部電極／誘電体／下部電極から構成され
るコンデンサと、複数のコイル導体から構成されるイン
ダクタを内蔵したＬＣフィルタにおいて、コンデンサお
よびインダクタが有機絶縁膜で覆われていることにあ
る。コンデンサ用電極やインダクタ用導体と、有機樹脂
とが密着性に優れるので、熱処理の際にコンデンサ用電
極やインダクタ用導体の剥離を防ぐことができ、信頼性
の高いＬＣフィルタを得られる。また、良品歩留まりが
向上する。
明の特徴は、上部電極／誘電体／下部電極から構成され
るコンデンサと、複数のコイル導体から構成されるイン
ダクタを内蔵したＬＣフィルタにおいて、コンデンサお
よびインダクタが有機絶縁膜で覆われていることにあ
る。コンデンサ用電極やインダクタ用導体と、有機樹脂
とが密着性に優れるので、熱処理の際にコンデンサ用電
極やインダクタ用導体の剥離を防ぐことができ、信頼性
の高いＬＣフィルタを得られる。また、良品歩留まりが
向上する。
【０００６】インダクタ材料はＣｕ，Ａｌ，Ｎｉのうち
少なくとも１種以上からなることが望ましい。Ｃｕは卑
金属の安価な材料であることから、製品コストを低減で
きる。
少なくとも１種以上からなることが望ましい。Ｃｕは卑
金属の安価な材料であることから、製品コストを低減で
きる。
【０００７】有機絶縁膜はポリイミド樹脂であることが
望ましい。これはコンデンサ形成用電極，インダクタ及
びインダクタ形成用電極等のＬＣフィルタを構成する電
気的に接続する導体との密着性に優れていることから、
熱処理時に電気導体部と有機絶縁膜との界面剥離が生じ
ないので、ＬＣフィルタの良品歩留まりが向上する。ま
た、ポリイミド樹脂を用いると、３５０℃という低温熱
処理でＬＣフィルタを作製できる点である。製造消費エ
ネルギーが少ないので、製造コストを低減できる。ポリ
イミド樹脂以外のＢＣＢ（Benzo Cyclo Butane）樹脂，
ポリイミド樹脂とＢＣＢ樹脂を混合した多孔質樹脂を用
いても、前述した内容と同じ効果が出る。
望ましい。これはコンデンサ形成用電極，インダクタ及
びインダクタ形成用電極等のＬＣフィルタを構成する電
気的に接続する導体との密着性に優れていることから、
熱処理時に電気導体部と有機絶縁膜との界面剥離が生じ
ないので、ＬＣフィルタの良品歩留まりが向上する。ま
た、ポリイミド樹脂を用いると、３５０℃という低温熱
処理でＬＣフィルタを作製できる点である。製造消費エ
ネルギーが少ないので、製造コストを低減できる。ポリ
イミド樹脂以外のＢＣＢ（Benzo Cyclo Butane）樹脂，
ポリイミド樹脂とＢＣＢ樹脂を混合した多孔質樹脂を用
いても、前述した内容と同じ効果が出る。
【０００８】ポリイミド樹脂とインダクタ材料の線膨張
係数は近いほどよく、ポリイミド樹脂の線膨張係数が１
７×１０-6／℃であることが望ましい。インダクタ材料
のＣｕ，Ａｌ及びＮｉの線膨張係数は１７×１０-6／
℃，２２×１０-6／℃及び１５×１０-6／℃とほぼ同じ
であり、ポリイミド樹脂とインダクタとの密着性が特に
優れる。したがって、製品の良品歩留まりが向上する。
係数は近いほどよく、ポリイミド樹脂の線膨張係数が１
７×１０-6／℃であることが望ましい。インダクタ材料
のＣｕ，Ａｌ及びＮｉの線膨張係数は１７×１０-6／
℃，２２×１０-6／℃及び１５×１０-6／℃とほぼ同じ
であり、ポリイミド樹脂とインダクタとの密着性が特に
優れる。したがって、製品の良品歩留まりが向上する。
【０００９】また、基板はポリイミド樹脂であることが
望ましい。これは絶縁膜と同材質とすることで、基板と
絶縁膜の密着性が優れ、熱処理時に剥離が生じないの
で、ＬＣフィルタの良品歩留まりが向上するためであ
る。
望ましい。これは絶縁膜と同材質とすることで、基板と
絶縁膜の密着性が優れ、熱処理時に剥離が生じないの
で、ＬＣフィルタの良品歩留まりが向上するためであ
る。
【００１０】また、ポリイミド樹脂材料を用いた基板は
アルミノ硼珪酸塩ガラスの無機基板上に形成することが
望ましい。アルミノ硼珪酸塩ガラスの無機基板の線膨張
係数は３７０×１０-6／℃で、ポリイミド樹脂と１桁以
上の差があるために、ＬＣフィルタを形成した後にポリ
イミド基板を無機基板より容易に分離することが可能で
あり、その結果、無機基板を再利用できるためである。
これにより、ＬＣフィルタを安価に製造することが出来
る。無機基板はこれ以外のＳｉ，Ｗ，Ｓｉ3Ｎ4，ＴｉＮ
を用いてもよい。Ｓｉ，Ｗ，Ｓｉ3Ｎ4，ＴｉＮの線膨張
係数はそれぞれ４.２×１０-6／℃，４.５×１０-6／
℃，２.５×１０-6／℃及び０.２５×１０-6／℃であ
る。
アルミノ硼珪酸塩ガラスの無機基板上に形成することが
望ましい。アルミノ硼珪酸塩ガラスの無機基板の線膨張
係数は３７０×１０-6／℃で、ポリイミド樹脂と１桁以
上の差があるために、ＬＣフィルタを形成した後にポリ
イミド基板を無機基板より容易に分離することが可能で
あり、その結果、無機基板を再利用できるためである。
これにより、ＬＣフィルタを安価に製造することが出来
る。無機基板はこれ以外のＳｉ，Ｗ，Ｓｉ3Ｎ4，ＴｉＮ
を用いてもよい。Ｓｉ，Ｗ，Ｓｉ3Ｎ4，ＴｉＮの線膨張
係数はそれぞれ４.２×１０-6／℃，４.５×１０-6／
℃，２.５×１０-6／℃及び０.２５×１０-6／℃であ
る。
【００１１】また、本発明の有機絶縁膜および基板に用
いるポリイミド樹脂を硬化させる熱処理温度は３００℃
〜４００℃であることが望ましい。３００℃未満では硬
化が不十分であるために、絶縁膜あるいは基板として有
効に利用できないためである。また、４００℃以上では
熱分解反応が激しくなり、絶縁膜あるいは基板として有
効に活用できないためである。また、熱歪みが大きくな
るためである。このように、低い熱処理温度でＬＣフィ
ルタを製造できるために、熱歪みが小さく信頼性の高い
ＬＣフィルタを製造することができる。
いるポリイミド樹脂を硬化させる熱処理温度は３００℃
〜４００℃であることが望ましい。３００℃未満では硬
化が不十分であるために、絶縁膜あるいは基板として有
効に利用できないためである。また、４００℃以上では
熱分解反応が激しくなり、絶縁膜あるいは基板として有
効に活用できないためである。また、熱歪みが大きくな
るためである。このように、低い熱処理温度でＬＣフィ
ルタを製造できるために、熱歪みが小さく信頼性の高い
ＬＣフィルタを製造することができる。
【００１２】また、本発明の熱処理温度は３５０℃が望
ましい。これは低温度で酸化物の形成が容易なＣｕ，Ａ
ｌ，Ｎｉを主成分とする卑金属をインダクタやコンデン
サ形成用導体部に利用することができ、安価なＬＣフィ
ルタを製造することができるためである。
ましい。これは低温度で酸化物の形成が容易なＣｕ，Ａ
ｌ，Ｎｉを主成分とする卑金属をインダクタやコンデン
サ形成用導体部に利用することができ、安価なＬＣフィ
ルタを製造することができるためである。
【００１３】また、本発明の外部端子形状は直径が０.
１mm〜０.５mmのボール状であることが望ましい。０.１
mm未満では端子の形成が困難であり、０.５mm上ではＬ
Ｃフィルタの実装面積が大きくなってしまうためであ
る。
１mm〜０.５mmのボール状であることが望ましい。０.１
mm未満では端子の形成が困難であり、０.５mm上ではＬ
Ｃフィルタの実装面積が大きくなってしまうためであ
る。
【００１４】また、本発明のＲＦモジュールのＬＣフィ
ルタは複数のコンデンサとインダクタを内蔵しているこ
とが望ましい。内蔵していないと実装面積を小さくでき
ないためである。
ルタは複数のコンデンサとインダクタを内蔵しているこ
とが望ましい。内蔵していないと実装面積を小さくでき
ないためである。
【００１５】
【発明の実施の形態】（実施例１）図１に、本発明の実
施例であるＬＣフィルタを示す。ポリイミド樹脂有機基
板１上に下部電極２，誘電体３および上部電極４を有す
るコンデンサと、インダクタ６とが設けられ、コンデン
サおよびインダクタ６はポリイミド樹脂７で囲まれてい
る。以下に本実施例のＬＣフィルタの製造方法を説明す
る。
施例であるＬＣフィルタを示す。ポリイミド樹脂有機基
板１上に下部電極２，誘電体３および上部電極４を有す
るコンデンサと、インダクタ６とが設けられ、コンデン
サおよびインダクタ６はポリイミド樹脂７で囲まれてい
る。以下に本実施例のＬＣフィルタの製造方法を説明す
る。
【００１６】まず、ポリイミド樹脂の有機基板１を作製
した。アルミノ硼珪酸塩ガラスの無機基板上に、ポリア
ミド前駆体をスピンコート法により塗布し、プリベーク
する。露光，現像，パターンニングを行った後、３５０
℃で熱処理して、熱膨張係数が１７×１０-6／℃のポリ
イミド樹脂の有機基板１を形成した。熱処理の際に、熱
歪によって、アルミノ硼珪酸塩ガラスの無機基板を分離
した。有機基板１の貫通孔内壁部にＴｉＮの金属薄膜８
をスパッタ法により形成した後、貫通孔部にメッキ法に
よりＣｕの配線５を配設した。
した。アルミノ硼珪酸塩ガラスの無機基板上に、ポリア
ミド前駆体をスピンコート法により塗布し、プリベーク
する。露光，現像，パターンニングを行った後、３５０
℃で熱処理して、熱膨張係数が１７×１０-6／℃のポリ
イミド樹脂の有機基板１を形成した。熱処理の際に、熱
歪によって、アルミノ硼珪酸塩ガラスの無機基板を分離
した。有機基板１の貫通孔内壁部にＴｉＮの金属薄膜８
をスパッタ法により形成した後、貫通孔部にメッキ法に
よりＣｕの配線５を配設した。
【００１７】次に、有機基板１上に、スパッタ法によ
り、コンデンサ形成用Ｃｕ下部電極２，ＳｒＴｉＯ3誘
電体３，Ｃｕ上部電極４を形成し、コンデンサを作製し
た。
り、コンデンサ形成用Ｃｕ下部電極２，ＳｒＴｉＯ3誘
電体３，Ｃｕ上部電極４を形成し、コンデンサを作製し
た。
【００１８】次に、ポリイミド樹脂有機基板形成と同じ
手法で、ポリイミド樹脂７でコンデンサを埋設し、３５
０℃で熱処理した。この上部にＣｕを主成分とするイン
ダクタ６をスパッタ法で形成した。その後、再びポリイ
ミド樹脂有機基板形成と同じ手法で、ポリイミド樹脂７
でインダクタを埋設し、３５０℃で熱処理した。
手法で、ポリイミド樹脂７でコンデンサを埋設し、３５
０℃で熱処理した。この上部にＣｕを主成分とするイン
ダクタ６をスパッタ法で形成した。その後、再びポリイ
ミド樹脂有機基板形成と同じ手法で、ポリイミド樹脂７
でインダクタを埋設し、３５０℃で熱処理した。
【００１９】最後に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだボール振
込み法により、直径０.２mm の４個のボール外部端子９
を形成して、ＬＣフィルタの外部端子を作製した。ボー
ル状外部端子は０.１〜０.５mmと小さく、消費材料を低
減できるので、安価な製品を製造できる。
込み法により、直径０.２mm の４個のボール外部端子９
を形成して、ＬＣフィルタの外部端子を作製した。ボー
ル状外部端子は０.１〜０.５mmと小さく、消費材料を低
減できるので、安価な製品を製造できる。
【００２０】本実施例のＬＣフィルタによれば、電極の
金属とポリイミド樹脂との熱膨張差が小さいので、コン
デンサ用電極やインダクタ用導体と、ポリイミド樹脂と
が密着性に優れている。また、熱処理の温度は３５０℃
なので、熱によって電極の金属がポリイミド樹脂から剥
離することが無い。したがって、コンデンサ用電極やイ
ンダクタ用導体の剥離を防ぐことができ、信頼性の高い
ＬＣフィルタを得られた。
金属とポリイミド樹脂との熱膨張差が小さいので、コン
デンサ用電極やインダクタ用導体と、ポリイミド樹脂と
が密着性に優れている。また、熱処理の温度は３５０℃
なので、熱によって電極の金属がポリイミド樹脂から剥
離することが無い。したがって、コンデンサ用電極やイ
ンダクタ用導体の剥離を防ぐことができ、信頼性の高い
ＬＣフィルタを得られた。
【００２１】ポリイミド有機基板はＳｉ，アルミノ硼珪
酸塩ガラスの無機質でもよい。アルミノ硼珪酸塩ガラス
の無機基板上にポリイミド樹脂有機基板との間に、低温
で溶融し熱分解するパラフィン等の低級脂肪酸を分離膜
として用いてもよい。
酸塩ガラスの無機質でもよい。アルミノ硼珪酸塩ガラス
の無機基板上にポリイミド樹脂有機基板との間に、低温
で溶融し熱分解するパラフィン等の低級脂肪酸を分離膜
として用いてもよい。
【００２２】誘電体はＴａ2Ｏ5，Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)
Ｏ3，Ｐｂ(Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3) でもよい。Ｔａ2Ｏ5誘電体
層はスパッタで形成したＴａの一部を例えば、０.１％
クエン酸溶液を用いて陽極酸化法で形成してもよい。
Ｏ3，Ｐｂ(Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3) でもよい。Ｔａ2Ｏ5誘電体
層はスパッタで形成したＴａの一部を例えば、０.１％
クエン酸溶液を用いて陽極酸化法で形成してもよい。
【００２３】電気的接続用配線材料はＡｌ，Ｎｉ，Ｃｒ
でもよい。また、インダクタ形成用コイル導体材料はＡ
ｇ，Ａｕ，Ｐｔでもよい。電極材料はＴｉ，Ｗ，Ｐｄ，
Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ，Ｃｒでもよい。また、ボール外部端
子はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだペーストを用いてスクリー
ン印刷法で形成してもよい。
でもよい。また、インダクタ形成用コイル導体材料はＡ
ｇ，Ａｕ，Ｐｔでもよい。電極材料はＴｉ，Ｗ，Ｐｄ，
Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ，Ｃｒでもよい。また、ボール外部端
子はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだペーストを用いてスクリー
ン印刷法で形成してもよい。
【００２４】図２に本実施例で作製したチップ型素子１
０と、チップ型素子１０が搭載された高周波対応モジュ
ール１１を示す。チップ型素子１０は、２×２×１mm厚
（バンプ厚み除く）で、従来に比べ面積で約１／４の小
型化できた。
０と、チップ型素子１０が搭載された高周波対応モジュ
ール１１を示す。チップ型素子１０は、２×２×１mm厚
（バンプ厚み除く）で、従来に比べ面積で約１／４の小
型化できた。
【００２５】複数のＬＣフィルタを１つのチップ型素子
として実装できるので、コンデンサやインダクタを大量
に実装していた従来の場合より、高周波対応モジュール
１１における実装面積を小さくできた。同時に実装にか
かる手間も１回で済むため、スループットが上がって、
低コスト化が実現できた。
として実装できるので、コンデンサやインダクタを大量
に実装していた従来の場合より、高周波対応モジュール
１１における実装面積を小さくできた。同時に実装にか
かる手間も１回で済むため、スループットが上がって、
低コスト化が実現できた。
【００２６】
【発明の効果】コンデンサ形成用上下電極およびインダ
クタ及び電気的接続用配線と、有機樹脂との界面は密着
性に優れ、熱処理による剥離などが生じないので、信頼
性の高いＬＣフィルタを得られる。また、ＬＣフィルタ
を用いて、小型・低ノイズのチップ型素子、さらに、チ
ップ型素子を搭載した小型・低コストの高周波対応モジ
ュールを得られる。
クタ及び電気的接続用配線と、有機樹脂との界面は密着
性に優れ、熱処理による剥離などが生じないので、信頼
性の高いＬＣフィルタを得られる。また、ＬＣフィルタ
を用いて、小型・低ノイズのチップ型素子、さらに、チ
ップ型素子を搭載した小型・低コストの高周波対応モジ
ュールを得られる。
【図１】実施例１のＬＣフィルタの断面図である。
【図２】チップ型素子１０を搭載した高周波対応モジュ
ールを示す図である。
ールを示す図である。
１…有機基板、２…下部電極、３…誘電体、４…上部電
極、５…配線、６…インダクタ、７…ポリイミド樹脂、
８…金属薄膜、９…ボール外部端子、１０…チップ型素
子、１１…高周波対応モジュール。
極、５…配線、６…インダクタ、７…ポリイミド樹脂、
８…金属薄膜、９…ボール外部端子、１０…チップ型素
子、１１…高周波対応モジュール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/40 Ｈ０１Ｇ 4/06 １０２ Ｈ０３Ｈ 7/01 4/40 ３２１Ａ (72)発明者 元脇 成久 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 生田目 俊秀 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 永井 晃 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 赤星 晴夫 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 5E001 AB06 AC09 AE01 AE03 AF02 AG01 AH01 AH03 AH07 AH08 AJ01 AJ02 AJ03 AJ04 AZ01 5E070 AA05 AB01 AB02 BA01 CB03 CB11 CB17 CB18 DA15 5E082 AA01 AB01 BB01 DD08 EE05 EE11 EE23 EE37 FF05 FG03 FG27 FG42 GG10 GG11 GG28 HH25 HH47 HH51 JJ07 JJ15 KK08 LL15 5J024 AA01 DA04 DA29 DA32 EA08
Claims (7)
- 【請求項１】上部電極／誘電体／下部電極から構成され
るコンデンサと複数のコイル導体から構成されるインダ
クタを内蔵したＬＣフィルタにおいて、前記ＬＣが有機
絶縁膜で覆われていることを特徴とするＬＣフィルタ。 - 【請求項２】前記有機絶縁膜がポリイミド樹脂であるこ
とを特徴とする請求項１のＬＣフィルタ。 - 【請求項３】前記コイル導体がＣｕ，Ａｌ，Ｎｉのう
ち、少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項
１のＬＣフィルタ。 - 【請求項４】請求項１のＬＣフィルタに外部端子を備え
たチップ型素子。 - 【請求項５】請求項１のＬＣフィルタに外部端子を備え
たチップ型素子を搭載した高周波対応モジュール。 - 【請求項６】有機基板上に設けられたコンデンサをポリ
イミド樹脂で覆い、前記ポリイミド樹脂の上にインダク
タを形成し、前記インダクタをポリイミド樹脂で覆うこ
とを特徴とするＬＣフィルタの製造方法。 - 【請求項７】Ｓｉあるいはガラス等のセラミックス基板
に、前記有機基板の前駆体を塗布し、前記前駆体に熱処
理を施して有機基板とする際に、前記セラミックス基板
を分離することを特徴とする請求項５のＬＣフィルタの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000127624A JP2001307923A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | Ｌｃフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000127624A JP2001307923A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | Ｌｃフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001307923A true JP2001307923A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18637191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000127624A Pending JP2001307923A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | Ｌｃフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001307923A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004259988A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置 |
| JP2006278664A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Toyobo Co Ltd | 薄膜コンデンサ用誘電体積層フィルムおよびその製法 |
| US7268408B2 (en) | 2002-01-21 | 2007-09-11 | Hitachi Cable Ltd. | Wiring board, method for manufacturing wiring board and electronic component using wiring board |
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