JP2001289606A - 薄層の厚さの非破壊測定方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 曲率のある物体上の薄膜の厚さをその曲率に
影響されずに測定する。 【解決手段】 内側コア上に第１のコイル・デバイス
（１４）を有するプローブ（１１）であって、当該コイ
ル・デバイスの幾何学中心（２２）が少なくとも第２の
コイル・デバイス（３１）の幾何学中心に一致し、当該
少なくとも第２のコイル・デバイス（３１）が部分的に
第１のコイル・デバイス（２４）を取り囲むプローブ、
および層厚を求めるための測定の間にコイル・デバイス
（２４，３１）の信号が送られる評価ユニットを用いた
薄層の厚さの非破壊測定方法に関連し、回路（５０）が
備わり、それによって、測定の間、前述の第１および少
なくとも第２のコイル・デバイス（２４，３１）が逐次
励振されることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、プローブを用いた
薄層の非破壊測定方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】曲げおよびコーティングの施された表面
は、特に航空機の構造、自動車、鋳造された部品、家庭
電化製品、パイプライン構造、ベネシャン・ブラインド
および、その他多くのコーティングされた測定対象に見
ることができる。原子力の分野においても同様であり、
ジルコニウム熱交換チューブの酸化層の場合であれば、
直径が約１２ｍｍのチューブ上の２０μｍ程度の層を測
定しなければならない。

【０００３】たとえば渦電流原理を基礎としている周知
の接触測定方法は、測定対象の形状の影響を強く受け
る。そのため、曲率が異なるときには較正が必須となる
が、時間を要するだけでなくエラーをもたらす可能性も
あり、特に曲率における変化を考慮していないときには
それが顕著になる。

【０００４】ＤＥ ４１ １９ ９０３ Ａ１は、測定
対象の幾何学的形状に対する測定値の望ましくない依存
を、広い範囲で除去できるようにした薄層を測定するた
めの方法および装置を開示している。これは、測定対象
の表面が曲面である場合においても薄層の測定が可能に
なることを意味している。層厚は、わずか数μｍから数
百μｍの範囲にわたる。この非破壊層厚測定は、渦電流
原理に基づいており、測定対象に塗布された層に依存す
る低周波もしくは高周波電界の変化を基礎としている。
これには、フェライト・コア上に第１のコイル・デバイ
スを有する装置が用いられる。この第１のコイル・デバ
イスを覆う外側スリーブが、その外側に配置される第２
のコイル・デバイスを支える。第１のコイル・デバイス
を支えるコアは、下端に、耐摩耗性の材料からなる半球
の位置決めドームを備える。

【０００５】層を調べるとき、プローブを測定対象上に
置く。２つのコイル・デバイスは、異なる周波数を用い
て同時に励振され、その結果、測定の間、２つの異なる
周波数の信号が発せられて、それが適切な回路によって
評価されて層厚の計算が行われる。層厚は、ＤＥ ４１
１９ ９０３ Ａ１に示されている式に従って求めら
れる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】したがって本発明は、
薄層の厚さの非破壊測定において求められる層厚の値を
質的に向上させることを基本的な目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、測定の間、第
２のコイル・デバイスを逐次励振させることを特徴とす
る。この少なくとも２つのコイル・デバイスの逐次励振
は、コイル・デバイスから評価ユニットに対して非破壊
的に測定信号を発することを可能にする。またそれぞれ
の周波数を用いたコイル・デバイスの連続励振によっ
て、測定間の評価ユニットは、それぞれの隣接する他方
のコイル・デバイスに影響されない信号を記録すること
が可能になり、さらにそれを各コイル・デバイスに明確
に指定することが可能になる。この結果、オーバーシュ
ートまたは隣接するコイル・デバイスの共振を除去する
ことが可能になり、それによって擾乱パラメータとは無
関係に信号を発することが可能になる。

【０００８】さらに改良したこの方法によれば、コイル
は高周波によって励振される。その結果、プローブ・ヘ
ッドが測定対象に到達したとき、交番電磁界の変化を測
定のための測定結果として使用することができる。高周
波電磁界を使用するときは、測定対象となる層が、たと
えばペイント等の不導体、あるいはクロム等の弱導体で
ある。

【０００９】この方法をさらに改良した方法によれば、
互いに異なる時点において発せられた第１および少なく
とも第２のコイル・デバイスから到来する周波数信号
が、電界効果トランジスタにより信号を発する持続時間
において制限される。この結果、第１のコイル・デバイ
スから放射された周波数信号と少なくとも第２のコイル
・デバイスから放射された周波数信号の間の分離が確実
になされ、それによって、測定信号の正確な記録および
指定を達成することが可能になる。結果的にこれは、評
価ユニットに対して信号を送る間においてさえも相互干
渉または重合を防止することを可能にする。コイル・デ
バイスの付勢および、評価ユニットに渡される測定信号
をゲートする電界効果トランジスタの付勢は、定義済み
の時間ウインドウにおいて行うことが可能であり、また
それによって測定信号の指定も可能になる。

【００１０】この方法をさらに改良した方法によれば、
コイル・デバイスによって発せられた信号が互いに独立
に評価される。たとえば、実質的に層厚を決定する信号
を第１のコイル・デバイスによって記録し、たとえば測
定対象の曲率を決定する信号を別のコイル・デバイスに
よって記録することが考えられる。このように評価を分
けることにより、２つの測定変数の正確な計算を得るこ
とが可能になり、それによってその後、ＤＥ ４１ １
９ ９０３ Ａ１に開示された式を使用し、さらに高い
精度をもって測定値を求めることが可能になる。

【００１１】コイル・デバイスの信号を分離すると、好
都合にも同一の周波数を用いてコイル・デバイスの励振
を行うことが可能になり、それによってコントロール・
システムの構造的なセットアップをさらに簡略化するこ
とができる。

【００１２】この方法をさらに改良した方法によれば、
測定を行うために、第１の回路による第１のコイル・デ
バイスの励振と、第２の回路による第２のコイル・デバ
イスの励振をフリップフロップ回路によって交互に切り
替える。好ましくは電界効果トランジスタを備え、それ
が、使用する回路によって、周波数信号を発するための
コイル・デバイスの逐次的な付勢が可能になることを保
証できるようにする。好ましくは、コイル・デバイスの
回路がまったく同じに設計される。その結果、回路のセ
ットアップを単純な構成にすることができる。

【００１３】この方法をさらに改良した方法によれば、
補償器を介して周波数信号が評価ユニットに渡される。
これによって、基材の導電性に対する測定信号の望まし
くない依存性が大きく抑えられる形で周波数信号の位相
関係をセットすることが可能になる。

【００１４】結論を述べれば、本発明による薄層の厚さ
の非破壊測定のための方法により、少なくとも、特に数
μｍ台の薄層の測定に重大な影響を持つ測定対象の表面
の曲率および導電率といった擾乱パラメータが測定値に
与える影響を実質的に完全に除去する効果が達成できる
ということになる。

【００１５】本発明に従った、特に前述の方法を実行す
るための装置は、ハウジング内にフェライトのカップ−
タイプのコアを有し、それが第１のコイル・デバイスを
支持し、かつ、第１のコイル・デバイス内に位置するピ
ン上に半球状位置決めドームを有し、さらに当該カップ
−タイプのコアの外側において別のコイル・デバイスを
第１のコイル・デバイスと同軸に支持する。これらのコ
イル・デバイスは、互いに固定された関係で配置され、
共通の中心軸を有し、半球状位置決めドームの共通配置
ポイントによって第１および第２のコイル・デバイスの
作用範囲が共通の幾何学軸から開始することから、正確
な確認が可能になる。この場合、第１の、すなわち内側
コイル・デバイスは層厚に感応すべく設計され、外側、
すなわち第２のコイル・デバイスは、曲率に感応すべく
設計される。

【００１６】このほかの好適な設計については、特許請
求の範囲に示す。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に従った方法を実行
するための測定プローブならびに回路の好ましい実施態
様を詳細に説明する。

【００１８】測定プローブ１１として設計されたデバイ
スを図１に斜視図の形で示す。測定プローブ１１は、ケ
ーブル１２および接続プラグ１３を介して評価デバイス
（これ以上の詳細は示していない）に接続される。測定
プローブ１１は、周囲がスリーブ１６に覆われているプ
ローブ・ヘッド１４を有している。プローブ・ヘッド１
４はガイド・スリーブ１７に対して軸方向に移動可能に
構成されている。これについては図４を参照してさらに
詳細に説明する。

【００１９】プローブ・ヘッド１４の概略の断面を大き
く拡大して図２に示す。図３は、下側から見たこれに対
応する図である。プローブ・ヘッド１４は、ハウジング
１８を有し、その中に、好ましくは非磁性体の部材１９
に埋め込まれた測定システムが備わっている。この測定
システムは、幾何学軸２２に沿って中心ピン２３を有す
るカップ−タイプのコア２１を備えている。第１の、つ
まり内側コイル・デバイス２４は、この中心ピン２３と
同軸である。カップ−タイプのコア２１の底面には、た
とえば絶縁ディスク２６が備えられる。カップ−タイプ
のコア２１は、中心ピン２３の先端面に、耐摩耗性があ
り、少なくとも非磁性体の、たとえばルビー等の材料か
ら形成された半球状位置決めドーム２７を備えている。
半球状位置決めドーム２７の位置決め表面は、曲面に設
計され、もっとも厚みが大きくなるポイントが幾何学軸
２２に配置されている。カップ−タイプのコア２１は、
好ましくは直径方向で反対に位置するスリット２８を有
し、それを介して内側コイル・デバイス２４の接続ライ
ンがプローブ・ヘッド１４の後ろ側の領域に導かれ、ラ
インが電子回路５０に接続される。カップ−タイプのコ
ア２１の外側シェル２９上には、第２の、つまり外側コ
イル・デバイス３１が備わっている。コイル・デバイス
２４および３１は、カップ−タイプのコア２１に固定、
たとえば定位置にキャストされ、その結果、プローブ・
ヘッド１４が一体化された１つのユニットとなる。ま
た、測定対象に向けられるコイル・デバイス２４および
３１の端面は、同一面となるように配置されている。同
様に、ハウジング１８の端面についても、都合よくはこ
れらと同じ面に一致させる。測定プローブ１１の寸法
は、たとえば一般的な万年筆の直径に等しく、そこに
は、約２ｍｍの直径を有する実際の測定システムが移動
自在に収められる。

【００２０】対象となる層厚は、主に数μｍから１００
μｍの範囲である。しかしながら、より厚いｍｍ台に至
るコーティングについても記録は可能である。

【００２１】測定プローブ１１のセットアップを分解図
の形で図４に示す。プローブ・ヘッド１４は、第１の円
筒部分３３を有し、そこに、より直径の小さい第２の部
分３４が連結されている。この第２の円筒部分３４にネ
ジ溝を形成し、それにより中間スリーブ３６と容易に結
合できるようにすることが望ましい。この部分にはプリ
ント基板が備わり、そこには本発明に従った、図６に示
す回路５０を備えている。この構造的なユニットを、中
間スリーブ３６によって受け、さらにこのスリーブを、
好ましくはヘリカル・スプリング３７からもたらされる
弾力を伴った方法でガイド・スリーブ１７により支持す
る。ガイド・スリーブ１７は支持部分３８を有し、そこ
にスリーブ１６を嵌合することができる。ガイド・スリ
ーブ１７内で中間スリーブ３６を弾性的に取り付けるこ
とによってプローブ・ヘッド１４は、スリーブ１６の端
面から突出した開始ポジションからスリーブ内に移動す
ることが可能になる。またこれには、半球状位置決めド
ーム２７を幾何学軸２２の延長上で接触させて位置決め
するという目的を達成する効果もあり、それについては
図５を参照して説明する。なお、この図４でのガイド・
スリーブ１７の表面には溝が形成されているが、これは
使用者が本プローブを持つときの便宜のためである。

【００２２】中間スリーブ３６は、ガイド・スリーブ１
７内に軸方向に移動可能にガイドされる。さらに、舌片
と溝との接続や、中間スリーブに当接して配置され、ガ
イド・スリーブの溝内に導かれているスプリング・エレ
メントなどのなどのねじれ止め手段を設けても良い（図
示せず）。ガイド・スリーブ１７に対する接続ライン
は、中間ピース３９によって固定される。同時にこれ
は、ひずみの解放を形成することにもなる。

【００２３】中間スリーブ３６とガイド・スリーブ１７
の間に配置されるスプリング３７は、少なくともわずか
にバイアスされ、それにより、曲面の測定を行う間のプ
ローブ・ヘッド１４が、測定する表面または層に対して
少なくともわずかな圧接力を与える。しかしながらこの
力は、層の硬度に比較して小さく、そのため、層厚の測
定後に影響もしくはダメージを残すことはない程度であ
る。

【００２４】曲面上における層厚の測定を一例を示す形
で図５に図示する。スリーブ１６は、その端面に好まし
くはプリズム形状の切り欠き４１を有し、それによっ
て、測定プローブ１１を曲面上に当てたとき、測定プロ
ーブ１１と表面の間の確実かつ明確な接触が得られると
いう効果を達成することが可能になる。切り欠き４１の
サイズおよび特性は、測定対象に応じて適応させること
ができる。これはまた、測定プローブ１１を円筒または
曲面の中心に位置合わせすることを可能にし、その結
果、安定した測定を実施することが可能になる。この場
合、プローブ・ヘッド１４が、図１に一例を示した開始
ポジションから幾何学軸２２に沿ってスリーブ１６内に
押し込まれる。半球状位置決めドーム２７は、ヘリカル
・スプリング３７により、少なくともわずかな圧接力を
伴って測定対象の表面４２上に保持される。薄層の厚さ
の測定は、測定プローブ１１が測定対象の上に置かれた
直後に実施可能となる。

【００２５】次に図６に従って、回路５０に基づいてこ
の測定を説明する。

【００２６】回路５０は、実質的に同じである２つの発
振回路５１および５２から構成されている。例を示す形
で、内側巻き線またはコイル・デバイス２４に割り当て
られている回路５１を参照してこれらの動作モードを説
明する。このコイル・デバイス２４のキャパシタ５３を
含む直列発振回路は、デュアル・ゲート電界効果トラン
ジスタ５４に関してアクティブ直列共振回路を構成す
る。直列共振の場合、抵抗５６に生じる高周波電圧に比
較して明瞭な過電圧がコイル・デバイス２４に生じるこ
とからこれが可能になる。これは、共振条件を満足す
る。コイル・デバイス２４の一方は、アース電位であ
る。コイル・デバイス２４に生じる電圧は、抵抗５７お
よび可変抵抗５８を介してトランジスタ５４のゲート２
に供給される。可変抵抗５８を使用し、基材の導電性に
対する測定値の望ましくない依存性がほぼ完全に抑圧さ
れるように、キャパシタとの関連で位相回転を行うこと
ができる。キャパシタ５９は、フィードバックを決定
し、抵抗５６において、高調波成分が非常に小さい実質
的な正弦波電圧が生成されるように選択される。これに
よりスプリアス放射を大きく抑えることが可能になる。
トランジスタ５４のゲート１がローに切り替えられる
と、共振条件が満たされなくなり、発振が直ちに停止す
る。プローブ・ヘッド１４を金属基材に向けると、そこ
に渦電流が生じて発振回路５１の離調が招かれる。コイ
ル・デバイス２４へ接近させることは、層厚の測定結果
に対応する。測定結果は、非線形関数によって層厚にリ
ンクされる。この層は一般に不導体であり、そのため、
渦電流は基材においてのみ発生することになる。しかし
ながら回路５０を用いれば、本発明に従って、たとえば
クロム等の導電性が低い非磁性体層が、たとえばアルミ
ニウム等の明確に区別される良好な導電性を有する非磁
性体基材上に電解析出されている場合であっても測定が
可能になる。

【００２７】回路５２は、回路５１と同様に動作する。
しかしながら、好ましくはコイル・デバイス２４と同一
の周波数を用いて励振されるコイル・デバイス３１は、
実質的に曲率のみに応答し、ＤＥ ４１ １９ ９０３
Ａ１に対応する方法において、曲率がもたらす周波数
の変化が曲率の影響を補償すべく作用する。コイル・デ
バイス２４、３１の励振周波数は、たとえば５ＭＨｚか
ら３０ＭＨｚの範囲とする。信号入力ライン６１にイン
バータ６２、６３を備えていることから、回路５１、５
２のうちの一方のトランジスタ５４のみが発振のために
イネーブルされることが保証される。切り替えポイント
６４がハイ（１）のときは、回路５１のみが発振のため
にイネーブルされる。切り替えポイント６４がロー
（０）のときは、回路５２のみが発振のためにイネーブ
ルされる。これら２つのデュアル・ゲート電界効果トラ
ンジスタ５４は、ライン６０を介して、たとえば５Ｖの
同一のＤＣ電源に接続されており、その付勢のために小
さいインダクタンス６６を介して供給される。上記に代
えて、電界効果トランジスタ５４のゲート１をなくし、
２つの間欠的に切り替えられるラインを用いてトランジ
スタ５４のオン／オフを切り替えることもできる。この
タイプの切り替えは、高速半導体スイッチを用いれば可
能である。

【００２８】逐次接続される２つのトランジスタ５４の
共振は、回路５１および５２によって、キャパシタ６７
とともに直列発振回路６５を構成するインダクタンス６
６を介し、抵抗６８においてそれぞれの共振周波数をピ
ックアップできるという効果を有する。これによって、
下流にある直列回路６５は、切り替えポイント７０を介
してそれぞれのコイル・デバイス２４、３１の信号の検
出ならびにピックアップを行い、記録および評価を行う
ことができる。高周波信号は、ＤＣ電圧供給ライン６１
上に重畳される。評価においては、測定値の生成するた
めに少なくとも１００，０００回の発振を利用できるよ
うに、コイル・デバイス２４、３１の間の変化が、たと
えば毎秒１０回は起きる。ただし、これより少ない数で
も充分である。

【００２９】切り替えポイント６４における切り替え状
態に関連して、回路５１および５２によって共振が固有
に定義され、その結果、回路５１、５２による２つの信
号をＤＥ ４１ １９ ９０３ Ａ１に示されているよ
うにともに下流の回路に導くことができる。図示の回路
は、ＳＭＤテクノロジを使用して構成してもよく、ま
た、図４に示すように測定プローブ１１内に直接組み込
んでもよい。

【００３０】図７は、層厚の測定が行われる曲面の直径
に依存する曲率による誤差のパーセンテージを表した特
性曲線のグラフである。特性曲線８１は、従来技術から
周知となっている測定プローブおよび回路によってこれ
までに得られている測定値を表している。このグラフか
ら、以前もたらされていた曲率誤差が、特に直径が非常
に小さいとき、非常に大きなパーセンテージになること
がわかる。本発明による装置および本発明による方法を
用いれば曲線８２に従った測定値が得られ、その曲率誤
差のパーセンテージが、かなりの程度まで減少している
ことがわかる。これにより、従来技術に対する改良がど
の程度のものであるかが明確になる。これは、ユーザに
とって重大な意義を持つ。たとえば、品質コントロール
における測定精度の実質的な向上がこれによって可能に
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】測定プローブの斜視図である。

【図２】測定プローブのプローブ・ヘッドの概略断面図
である。

【図３】図２に示したプローブ・ヘッドを下側から見た
底面図である。

【図４】他方の内側に順次はめ込むことができる測定プ
ローブのコンポーネントを表した概要図である。

【図５】曲面上の測定における測定プローブを表した概
要図である。

【図６】測定方法を実施するための回路を表した概要図
である。

【図７】従来技術による方法によって得られた特性曲線
と、本発明による方法によって得られた特性曲線を比較
したグラフである。

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内側コア上に第１のコイル・デバイス
   （２４）を有するプローブ（１１）であって、該コイル
   ・デバイスの幾何学中心（２２）が少なくとも第２のコ
   イル・デバイス（３１）の幾何学中心に一致し、該少な
   くとも第２のコイル・デバイス（３１）が部分的に前記
   第１のコイル・デバイス（２４）を取り囲むプローブ、
   および層厚を求める測定の間に前記コイル・デバイス
   （２４，３１）からの信号が送られる評価ユニットを用
   いた薄層の厚さの非破壊測定方法において、回路（５
   ０）が備わり、それによって、測定の間、前記第１およ
   び少なくとも第２のコイル・デバイス（２４，３１）が
   逐次励振されることを特徴とする方法。
2. 【請求項２】 前記コイル・デバイス（２４，３１）
   は、高周波を用いて励振されることを特徴とする前記請
   求項１記載の方法。
3. 【請求項３】 時間的に互いに区別されて発せられる、
   少なくとも前記第１および第２のコイル・デバイス（２
   ４，３１）から到来する周波数信号が、前記コイル・デ
   バイス（２４，３１）と類似の態様で好ましくは回路
   （５０）によって付勢されるトランジスタ（５４）によ
   り、各コイル・デバイス（２４，３１）の周波数信号を
   発する期間によって限定されることを特徴とする前記請
   求項１または２記載の方法。
4. 【請求項４】 前記コイル・デバイス（２４，３１）に
   よって発せられる信号が、それぞれの前記コイル・デバ
   イス（２４，３１）に対して明確に指定され、互いに独
   立して直列発振回路（６５）によって評価されることを
   特徴とする前記請求項のいずれかに記載した方法。
5. 【請求項５】 前記コイル・デバイス（２４，３１）
   が、同一の周波数を用いて励振されることを特徴とする
   前記請求項のいずれかに記載した方法。
6. 【請求項６】 前記第１のコイル・デバイス（２４）
   は、８から２０ＭＨｚまでの間の周波数を用いて励振さ
   れ、前記第２のコイル・デバイス（３１）は、４から１
   ２ＭＨｚまでの間の周波数を用いて励振されること特徴
   とする前記請求項１から４までのいずれかに記載した方
   法。
7. 【請求項７】 測定の間に変化する測定フィールドの前
   記コイル・デバイス（２４，３１）の発振は、少なくと
   も毎秒２回は調べられることを特徴とする前記請求項の
   いずれかに記載した方法。
8. 【請求項８】 前記第１のコイル・デバイス（２４）は
   回路（５１）を有し、前記第２のコイル・デバイス（３
   １）は回路（５２）を有し、これらの回路は互いに並列
   に接続されており、フリップフロップ回路（６２，５
   ３）を備え、それによってそれぞれのコイル・デバイス
   （２４，３１）に割り当てられたトランジスタ（５４）
   が、時間に従属して好都合に切り替えられることを特徴
   とする前記請求項のいずれかに記載した方法。
9. 【請求項９】 コイル・デバイス（２４，３１）によっ
   て発せられる周波数信号は、補償器（５８）を介して前
   記評価ユニットに渡されることを特徴とする前記請求項
   のいずれかに記載した方法。
10. 【請求項１０】 前記請求項のいずれかに記載した方法
    を実施するための装置であって、ハウジング（１８）、
    第１のコイル・デバイス（２４）ならびに第２のコイル
    ・デバイス（３１）、および半球状位置決めドーム（２
    ７）を伴い、共通幾何学軸（２２）の近傍で前記第１の
    コイル・デバイス（２４）を支持するフェライトのカッ
    プ−タイプのコア（２１）を有するプローブ・ヘッド
    （１４）を備えること、前記カップ−タイプのコア（２
    １）が共通軸（２２）上に、前記第１のコイル・デバイ
    ス（２４）の内側に位置し、その先端面に前記半球状位
    置決めドーム（２７）が、少なくとも一部が前記第１の
    コイル・デバイス（１４）の端面から突出する形で備わ
    るピン（２３）を備えること、および、前記カップ−タ
    イプのコア（２１）の外側に第２のコイル・デバイス
    （３１）が同軸に備わることを特徴とする装置。
11. 【請求項１１】 前記第１のコイル・デバイス（２４）
    の巻数は、前記第２のコイル・デバイス（３１）の巻数
    に等しいかそれより少ないことを特徴とする前記請求項
    １０記載の装置。
12. 【請求項１２】 前記第１および第２のコイル・デバイ
    ス（２４，３１）が、互いに対して固定的に配置され、
    好ましくは鋳込み成形材料内に埋め込まれていることを
    特徴とする前記請求項１０および１１のいずれかに記載
    した装置。
13. 【請求項１３】 前記第１および第２のコイル・デバイ
    ス（２４，３１）は、プローブ・ヘッド（１４）のエン
    ド面に関して１つの平面内に配置されることを特徴とす
    る前記請求項９から１１までのいずれかに記載した装
    置。
14. 【請求項１４】 前記カップ−タイプのコア（２１）
    は、接続ラインを導くための少なくとも１つの横方向の
    スリット（２８）を有することを特徴とする前記請求項
    １０から１３までのいずれかに記載した装置。
15. 【請求項１５】 前記プローブ・ヘッド（１４）は、ガ
    イド・スリーブ（１７）内において軸方向に変位するこ
    とが可能であり、かつ前記ガイド・スリーブ（１７）と
    の関係において固定的に配置された保護スリーブ（１
    ６）に関して引き込むことが可能な態様でマウントされ
    ることを特徴とする前記請求項１０から１４までのいず
    れかに記載した装置。
16. 【請求項１６】 前記保護スリーブ（１６）は、前記プ
    ローブ・ヘッド（１４）に向かうエンド面上に切り欠き
    （４１）を有し、好ましくはそれがプリズム状に形成さ
    れていることを特徴とする前記請求項１５記載の装置。
17. 【請求項１７】 前記プローブ・ヘッド（１４）がスプ
    リング力に抗して保護スリーブ（１６）内に引き込み可
    能であること、およびスプリング・エレメント（３７）
    が前記ガイド・スリーブ（１７）に関して少なくともわ
    ずかなバイアスをもって配置されることを特徴とする前
    記請求項１５または１６記載の装置。
18. 【請求項１８】 第１のコイル・デバイス（２４）は層
    厚に感応すべく設計され、前記第２のコイル・デバイス
    （３１）は曲率に感応すべく設計されることを特徴とす
    る前記請求項１０から１７までのいずれかに記載した装
    置。
19. 【請求項１９】 特に前記請求項１から９までのいずれ
    かに記載した方法を実施するための、２つの測定信号を
    個別に評価する回路であって、それぞれのインダクタン
    ス（２４，３１）の離調が周波数の変化をもたらし、一
    方のインダクタンス（２４）は、主として測定対象の層
    厚の影響を受け、他方のインダクタンス（３１）は、主
    として測定対象の曲率の影響を受けることを特徴とする
    回路。
20. 【請求項２０】 前記２つのインダクタンス（２４，３
    １）は、共通アースを有し、切り替えポイント（７０）
    において、対応する周波数信号に対する明確な指定とし
    て周波数を分離できることを特徴とする前記請求項１９
    記載の回路。