JP2001274062A - レジストパターンの形成方法及び露光装置 - Google Patents

レジストパターンの形成方法及び露光装置

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JP2001274062A
JP2001274062A JP2000085788A JP2000085788A JP2001274062A JP 2001274062 A JP2001274062 A JP 2001274062A JP 2000085788 A JP2000085788 A JP 2000085788A JP 2000085788 A JP2000085788 A JP 2000085788A JP 2001274062 A JP2001274062 A JP 2001274062A
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resist
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Takamitsu Furukawa
貴光 古川
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＫｒＦ露光技術の解像限界に達しない比較的
大きなパターンとＫｒＦ露光技術の解像限界以下の極く
微細なパターンを同時に良好に形成できるレジストパタ
ーンの形成方法及びこの方法に用いる露光装置を提供す
る。 【解決手段】 ＳｉＯ2膜１２の表面に形成したＴＤＵ
Ｒ−Ｐ０１５よりなるレジスト膜１０（図１（Ａ））に
対し、波長２４８ｎｍのディープＵＶ光により、縮小対
象領域に対しては最終的に必要なパターン寸法より縮小
率に合わせて大きくした寸法の円形パターンと非縮小対
象領域には最終的に必要な寸法の円形パターンを、同時
にパターン露光し（図１（Ｂ））、現像して得られたレ
ジストパターン（図１（Ｃ））に対し、非縮小対象領域
のみにレジスト膜１０を構成するＴＤＵＲ−Ｐ０１５の
耐熱性が向上してレジストパターンが縮小しなくなる量
のＵＶ光露光量を与え（図１（Ｄ））、１３５度６０秒
の高温ベーク処理を施す（図１（Ｅ））。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジストパターン
の形成方法及び露光装置に係り、特に、半導体集積回路
の製造におけるＫｒＦエキシマレーザを光源として用い
た露光技術によるレジストパターンの形成方法及び露光
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路の製造にあたっ
て、より微細なパターンを形成するために、露光光とし
てＫｒＦエキシマレーザ光源による波長２４８ｎｍのデ
ィープＵＶ光を用いるＫｒＦ露光技術が主流となってき
ている。このＫｒＦ露光技術では、０．２μｍ程度のパ
ターンの形成が可能となる。
【０００３】特開平１１−１１９４４３号公報には、こ
のようなＫｒＦ露光技術において、レジストパターンの
形成後に残留溶媒及び残留水分の除去を目的とした通常
のベークよりも高い温度でベークしてレジストに形成し
たホールパターンの内径を縮小させる等のようにレジス
トパターンを縮小させ、０．２μｍ程度以下のより微細
なパターンを得る技術が開示されている。この技術によ
れば、ＫｒＦ露光技術での解像限界を越える０．１μｍ
程度以下のパターンを形成することが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平１１−１１９４４３号公報に開示された方法は、Ｋ
ｒＦ露光技術の解像限界以下の極く微細なパターンを形
成するのに好適であるが、ＫｒＦ露光技術の解像限界に
達しない比較的大きなパターンについては、ベーク後の
パターンが劣化することがあり、好ましくない。
【０００５】例えば、図１０（Ａ）に示すように、レジ
ストに直径０．２５μｍ程度の孔（コンタクトパター
ン）と直径０．５μｍ程度の孔（コンタクトパターン）
を形成して１３５℃程度で６０秒間ベークすると、図１
０（Ｂ）に示すように、直径０．２５μｍ程度の孔（コ
ンタクトパターン）では側壁は変形せずに径寸法のみが
縮小して直径０．１μｍ程度の孔が形成されるが、直径
０．５μｍ程度の孔（コンタクトパターン）では、パタ
ーンを形成するレジスト側壁が孔の中心向かって湾曲し
て、最も短い直径が０．３５μｍの変形した孔となる。
【０００６】このような形状の孔は、後のエッチング工
程においてマスクとして使用すると、下層の被加工膜の
エッチングとともに凸状の頂点に相当する部分が徐々に
削れるので、結果として孔の直径が拡大してしまう。そ
れに加えて、レジスト側壁が孔の中心向かって湾曲した
形状であり、最も短い直径が０．３５μｍになっている
ので、被加工膜と接面する孔の底面側の直径は０．３５
μｍよりも大きく、さらにエッチング時に境界領域で多
少えぐれることも考慮すると、目的とした直径よりもか
なり大きい直径の孔が被加工膜に形成されてしまう。こ
の傾向は、特に、ベーク前のレジストパターンの寸法が
０．５μｍより大きくなると顕著である。
【０００７】以上のことから、本発明は、ＫｒＦ露光技
術の解像限界に達しない比較的大きなパターンとＫｒＦ
露光技術の解像限界以下の極く微細なパターンを同時に
良好に形成できるレジストパターンの形成方法を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１の発明のレジストパターンの形成方法は、表
面にレジストが塗布された被加工物のレジストに対し、
パターンを形成するための第１の露光量を与えるパター
ン露光を行った後、現像してレジストパターンを形成
し、前記レジストパターンにレジストパターンの縮小率
を調整する第２の露光量を与える露光を行った後、レジ
ストがフローする温度でベーク処理を行う。
【０００９】すなわち、被加工物上に形成したレジスト
パターンに対し、第２の露光量を与える露光を行うこと
によりレジストの耐熱性が変化する。レジストの耐熱性
は、高温ベーク処理時のレジストパターンの縮小率を左
右する要因であり、レジストの耐熱性が高いほど縮小率
は小さくなる。このレジストの耐熱性は第２の露光量に
応じて変化するので、請求項１の発明では、第２の露光
量を調整することにより高温ベーク処理時のレジストパ
ターンの縮小率を調整する。
【００１０】すなわち、レジストパターンの縮小率が予
め定めた所定の縮小率となるときのレジストの耐熱性を
求め、この耐熱性となる露光量分を第２の露光量として
与えることによりレジストパターンの縮小率を調整し、
所望の寸法にレジストパターンを縮小できる。
【００１１】この第２の露光量は縮小対象領域のレジス
トパターンに与えてレジストパターンの縮小率を調整
し、所望の寸法にレジストパターンを縮小させるように
制御するだけでなく、逆に、非縮小対象領域のレジスト
パターンに第２の露光量を与えてレジストパターンの縮
小を抑えるように制御することもできる。
【００１２】この場合、請求項２に記載した様に、前記
第２の露光量をレジストの飽和露光量以上の露光量とす
ることにより、高温ベーク処理時の温度に対して充分な
耐性をレジストが備えるようになるので、前記レジスト
パターンの寸法が変わらないように調整できる。この場
合、露光量が多すぎても問題ないので露光量の調整が比
較的簡単になるという利点がある。
【００１３】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載のレジストパターンの形成方法において、前記パ
ターン露光時に、予め定めた所定の縮小率でパターンを
縮小させる縮小対象領域のパターンと、露光寸法通りの
パターンとする非縮小対象領域のパターンを露光し、前
記縮小対象領域のパターンに対しては、前記所定の縮小
率に対応した第２の露光量を与え、前記非縮小対象領域
に対しては、前記高温ベーク処理時の温度に対してレジ
ストが耐性を備える第３の露光量を与える。
【００１４】例えば、露光装置の解像限界以下の寸法の
第１のコンタクトホールと露光により形成可能な寸法の
第２のコンタクトホールのように、異なる径寸法のコン
タクトホールを形成する場合、第１のコンタクトホール
は高温ベーク処理により縮小させる必要があるが、第２
のコンタクトホールはパターン露光によるパターニング
で形成できるので、高温ベーク処理により縮小させる必
要はない。
【００１５】したがって、請求項３の発明では、パター
ン露光において、縮小させる必要のある第１のコンタク
トホール形成領域(縮小対象領域)は、縮小率に応じて決
定される寸法のコンタクトホールパターンを露光し、縮
小させる必要のない第２のコンタクトホール形成領域
(非縮小対象領域)は、最終的に必要な寸法のコンタクト
ホールパターンを露光し、第１のコンタクトホール形成
領域(縮小対象領域)に対しては予め定めた所定の縮小率
で縮小するように調整された第２の露光量を与え、第２
のコンタクトホール形成領域(非縮小対象領域)に対して
は、前記高温ベーク処理時の温度に対してレジストが耐
性を備える第３の露光量を与えることにより第２のコン
タクトホール形成領域(非縮小対象領域)に形成されたコ
ンタクトホールパターンが前記高温ベーク処理時に縮小
しないように調整する。
【００１６】これにより、露光により形成できない解像
限界以下の寸法の極微小なパターンと露光により形成可
能な寸法のパターンを同時に良好に形成しつつ、高温ベ
ーク時にパターン劣化を起こし易い比較的大きな寸法の
パターンを劣化させることなく形成できる。したがっ
て、異なる寸法のパターンをパターン劣化を起こすこと
なく形成できる。
【００１７】ところで、高温ベーク時にベークプレート
に生じる表面温度差によって、ベークプレート上に載置
される被加工物の表面温度差が生じる場合がある。この
表面温度差により、被加工物上に形成されたレジストパ
ターンの縮小率がばらつくため、請求項４の発明では、
前記高温ベーク処理時に前記被加工物に生じる温度差分
布に応じて生じる縮小率の誤差分布が相殺されるよう
に、前記被加工物の予め定めた所定の領域ごとに前記第
２の露光量を補正する。
【００１８】すなわち、設定温度よりも高くなる領域は
設定温度よりも温度が高い分レジストパターンがだれる
量が目的とする量よりも大きくなるので縮小量が大きく
なり、逆に設定温度よりも低くなる領域は設定温度より
も温度が低い分レジストパターンがだれる量が目的とす
る量よりも小さくなるので縮小量が小さくなる。
【００１９】したがって、設定温度よりも高くなる領域
は、レジストの縮小量が余分に大きくなるので、第２の
露光量を温度差に応じて多くするように補正することに
よりレジストの耐熱性を上げ、目的とする縮小量となる
ように調整する。逆に、設定温度よりも低くなる領域
は、レジストの縮小量が不充分となるので、第２の露光
量を温度差に応じて少なく補正することによりレジスト
の耐熱性を下げ、目的とする縮小量となるように調整す
る。
【００２０】このように、前記高温ベーク処理時に生じ
る縮小率の誤差分布が相殺されるように第２の露光量を
予め定めた所定の領域ごとに補正することにより、高温
ベーク後のレジストパターンにおいて、同じ縮小率に設
定されたパターンを同じ縮小率で形成することができ
る。
【００２１】また、形成したパターンをマスクとして用
いてエッチングするエッチング処理などの製造プロセス
を構成する種々の工程での要因によって、最終的に得ら
れる被加工物上のレジストパターンの縮小率がばらつく
ことがある。そのため、請求項５の発明では、製造プロ
セスを構成する種々の工程での要因の総和に起因して最
終的に被加工物に形成されるパターンの縮小率の誤差分
布が相殺されるように、前記被加工物の予め定めた所定
の領域ごとに前記第２の露光量を補正する。
【００２２】すなわち、請求項５の発明では、高温ベー
ク時に生じる被加工物の表面温度差に起因する縮小率の
バラツキ、エッチング時に部分的にエッチングの進み具
合が異なることに起因するパターン寸法の部分的な変形
寸法誤差のバラツキなど、製造プロセスを通して生じた
寸法誤差を相殺する様に、第２の露光量を補正し、最終
的に得られる被加工物上に形成されたパターン面内にお
いて、同じ縮小率に設定されたパターンをほぼ同じ縮小
率で形成することができる。
【００２３】なお、上記請求項４および請求項５におけ
る第２の露光量の補正は、前記第２の露光時に第２の露
光量に補正量を加算して行うようにしてもよいし、第２
の露光量を与えた後に、補正量に相当する分の露光量を
別に与えるようにしてもよい。
【００２４】なお、請求項６に記載したように、本発明
のレジストパターンの形成方法は、露光光として、例え
ば、ＫｒＦエキシマレーザ光源による波長２４８ｎｍの
ディープＵＶ光等のＵＶ光を用い、レジストとして、例
えば、ＫｒＦ用のポジレジストなどのＵＶ光用レジスト
を用いた場合に特に有効である。
【００２５】また、レジストの縮小率は高温ベーク時の
温度によっても変化するため、請求項７の発明では、表
面にレジストが塗布された被加工物のレジストに対し、
パターンを形成するための第１の露光量を与えるパター
ン露光を行った後、現像してレジストパターンを形成
し、前記レジストパターンにレジストパターンの縮小率
を調整する第２の露光量を与える露光を行った後、レジ
ストがフローする温度でベーク処理を行う際に、ベーク
処理温度を調整することにより、高温ベーク処理時のレ
ジストパターンの縮小率をさらに調整する。
【００２６】このように、第２の露光量とベーク処理温
度を調整することにより、一層細かくレジストパターン
の縮小率を調整することが可能となる。なお、請求項７
においても、上記請求項２から請求項６に記載した発明
と同様に、パターン露光及び第２の露光量をそれぞれ制
御してもよい。
【００２７】また、上記請求項１から請求項７に記載の
レジストパターンの形成方法は、例えば、ステッパーな
どの逐次露光装置を用いて行うことができるが、請求項
８に記載したように、被加工物の全面に均一強度の光を
照射する露光光学系と、前記露光光学系と前記被加工物
の間に設けられると共に、前記被加工物の所定の領域ご
とに予め定めた所定の縮小率に対応した第２の露光量と
なるように透過率を調整したフィルタと、を備えた全面
露光型の一括露光装置を用いて行うことができる。
【００２８】この構成の露光装置によれば、一回の露光
で、全てのパターンを同時に、所望の縮小率となるよう
に露光できるので、スループット性が良好で好ましい。
また、フィルタを交換するだけで、その都度各領域ごと
に必要な露光量に合わせた露光を行えるという比較的簡
単な構成であるという利点もある。なお、従来から用い
られている一括露光装置を転用して請求項８の露光装置
を構成できるので、設備コスト的にも低く抑えられ、好
ましい。
【００２９】また、フィルタは、請求項４のように前記
高温ベーク処理時に生じる縮小率の誤差分布が相殺され
るように第２の露光量を予め定めた所定の領域ごとに補
正する場合は、請求項９に記載したように、前記被加工
物の所定の領域ごとに高温ベーク処理時に前記被加工物
に生じる温度差分布に応じて生じる縮小率の誤差分布が
相殺される露光量となるように透過率が補正されている
ものとするよい。
【００３０】また、フィルタは、請求項５のように最終
的に被加工物に形成されるパターンの縮小率の誤差分布
が相殺されるように、前記被加工物の予め定めた所定の
領域ごとに前記第２の露光量を補正する場合は、請求項
１０に記載したように、前記被加工物の所定の領域ごと
に最終的に被加工物に形成されるパターンの縮小率の誤
差分布が相殺される露光量となるように透過率が補正さ
れているものとするとよい。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図１から図４を参照して本
発明の実施の形態を詳細に説明する。本実施の形態は、
光源としてＫｒＦエキシマレーザを使用し、レジストと
して、例えば、ＵＶ用レジストの一種でありＫｒＦ用の
化学増幅型ポジレジストであるＴＤＵＲ−Ｐ０１５(商
品名；東京応化工業株式会社製)を用いてレジストにコ
ンタクトパターンを形成する場合に本発明のレジストパ
ターンの形成方法及び露光装置を適用したものである。
【００３２】（第１の実施の形態）まず、図１（Ａ）に
示すように、ウエハ基板の表面にエッチング対象となる
被加工膜としてシリコン酸化膜(ＳｉＯ2膜)１２を形成
し、このＳｉＯ2膜１２の表面にＴＤＵＲ−Ｐ０１５を
膜厚が、例えば、１．０μｍ程度となるように塗布し、
レジスト膜１０とする。
【００３３】次に、図２に示すような構成のステッパー
（逐次露光装置；図２参照／詳細は後述する）３０を用
いて露光単位領域毎に、例えば、波長２４８ｎｍのディ
ープＵＶ光により、図１（Ｂ）に示すように、パターン
露光を行う。このとき、レジスト膜１０には、縮小対象
領域に対しては最終的に必要なパターン寸法より縮小率
に合わせて大きくした寸法、例えば、０．２５μｍ程度
の円形パターンが露光され、非縮小対象領域には最終的
に必要な寸法、例えば、０．３５μｍ程度の円形パター
ンが露光されている。
【００３４】また、このときレジスト膜１０に与える露
光量は、例えば、２０ｍＪ／ｃｍ2程度であり、この露
光量は現像後にレジスト膜１０がパターン形成するのに
十分な露光量（すなわち、第１の露光量）である。な
お、図１（Ｂ）では説明のためウエハの上方に第１レチ
クル３６を配置したように図示しているが、実際には、
第１レチクル３６は後述の図２に示すように投影光学系
３４と縮小光学系３８の間に配置している。
【００３５】ここで、露光に用いるステッパー３０につ
いて図２を参照して簡単に説明する。このステッパー３
０は、大別して、ＫｒＦエキシマレーザ光源３２、投影
光学系３４、第１レチクル３６、縮小光学系３８、Ｘ−
Ｙステージ４０、及び制御部４２から構成されている。
【００３６】ＫｒＦエキシマレーザ光源３２は、例え
ば、波長２４８ｎｍのディープＵＶ光を一様な強度で照
射する。投影光学系３４は、ＫｒＦエキシマレーザ光源
３２からのＵＶ光が第１レチクル３６に照射される様に
導く。なお、図２では、投影光学系３４を１つのレンズ
で表しているが、１つに限らず複数のレンズから構成し
てもよい。
【００３７】第１レチクル３６には、回路パターンが形
成されており、本実施の形態では、縮小対象領域のコン
タクトパターンは最終的に必要な寸法より縮小率に合わ
せて大きくした寸法のコンタクトパターンとして形成さ
れ、非縮小対象領域のパターンは最終的に必要な寸法の
コンタクトパターンとして形成されている。この第１レ
チクル３６は交換可能であり、本実施の形態では、後述
するが第２の露光時には第２の露光用の第２レチクル３
７を使用する。
【００３８】縮小光学系３８は、第１レチクル３６を通
過したＵＶ光を露光単位領域寸法となるように縮小して
Ｘ−Ｙステージ４０上に載置されたウエハに照射する。
Ｘ−Ｙステージ４０はＸ方向とＹ方向の直交する２方向
に移動可能であり、制御部４２からの指示に基いて移動
する。この移動は、制御部４２から現在露光している露
光単位領域に対する露光が終了したと指示があると、次
の露光単位領域にＫｒＦエキシマレーザ光源３２からの
ＵＶ光が照射されるように、露光単位領域を移動単位と
して行う。制御部４２は、ＫｒＦエキシマレーザ光源３
２のオンオフ制御を行うことによりＵＶ光の照射時間を
調整し、かつ、図示しない位置検出センサからの位置情
報に基づいてＸ−Ｙステージ４０の移動制御を行う。
【００３９】このような構成のステッパー３０により、
ウエハ１４の各露光単位領域に対するパターン露光がす
べて終了すると、ウエハ１４をステッパー３０から取り
外してレジストをアルカリ水溶液で現像する。これによ
り、露光された領域のレジストが取り除かれ、図１
（Ｃ）に示すように、縮小対象領域には最終的に必要な
パターン寸法より縮小率に合わせて大きくした寸法であ
る、例えば、直径０．２５μｍ程度のコンタクトパター
ン２２ａが形成され、非縮小対象領域には最終的に必要
な寸法である、例えば、直径０．３５μｍ程度のコンタ
クトパターン２０が形成される。
【００４０】次に、現像後のウエハ１４を再び上述のス
テッパー３０にセットし、非縮小対象領域のみにＵＶ光
が照射されるようにパターンが形成された第２レチクル
３７を第１レチクル３６の代わりにセットして、図１
（Ｄ）に示すようにＵＶ光により露光する。ここでは、
このときのＵＶ光露光量、すなわち、第２のＵＶ光露光
量を、例えば、３．３ｍＪ／ｃｍ2以上等のように、レ
ジスト膜１０を構成するＴＤＵＲ−Ｐ０１５の耐熱性が
向上してレジストパターンが縮小しなくなる量とする。
【００４１】露光終了後、ウエハ１４をステッパー３０
（図２参照）から取り外して１３５℃６０秒での高温ベ
ーク処理を行う。この高温ベーク処理により、例えば、
図１（Ｅ）に示すように、第２の露光量が与えられてい
ない縮小対象領域に形成された前記直径０．２５μｍ程
度のコンタクトパターン２２ａは縮小して、直径０．１
μｍ程度のコンタクトパターン２２ｂとなる。また、第
２の露光量が与えられた非縮小対象領域に形成されたパ
ターンは縮小せずに、直径０．３５μｍのコンタクトパ
ターン２０のままである。非縮小対象領域のレジストパ
ターンには、１３５℃６０秒での高温ベーク処理時の温
度に対して十分な耐熱性を有する第２の露光量が与えら
れているため、ほぼパターン露光通りの寸法のパターン
が得られる。
【００４２】すなわち、本第１の実施の形態でレジスト
として使用したＴＤＵＲ−Ｐ０１５は、図３の各ポイン
トが菱形で記されたグラフに示すように、第２の露光量
の量によって１３５℃６０秒での高温ベーク処理後の径
寸法が異なる。すなわち、第２の露光量が３．３ｍＪ／
ｃｍ2程度以上となると１３５℃６０秒での高温ベーク
処理時の温度に対して十分な耐熱性を有するようになる
ので円形パターンの径寸法が、第２露光を行わずに９０
℃６０秒で通常ベーク処理して得られた通常プロセスで
の円形パターンの径寸法（図３中では三角が記された位
置の値）とほぼ同じとなる。
【００４３】これに対し、第２の露光量が３．３ｍＪ／
ｃｍ2程度より少ない量であると感光が不充分であるた
め、高温ベーク処理時の温度に対して耐熱性が不充分と
なる。すなわち、第２の露光量が０ｍＪ／ｃｍ2以上
２．７ｍＪ／ｃｍ2程度であると、第２の露光量を与え
ずに１３５℃６０秒で高温ベーク処理して得られたプロ
セスでの円形パターンの径寸法（図３中では正方形が記
された位置の値）とほぼ同じとなる。また、第２の露光
量が２．７ｍＪ／ｃｍ2程度から３．３ｍＪ／ｃｍ2程度
までの間はほぼ比例的に耐熱性が上がるため、ほぼ比例
的に縮小率が小さくなって最終的に得られる円形パター
ンの径寸法も与えられる第２の露光量の大きさに比例し
て大きくなる。
【００４４】また、第２の露光量は、比較的大きな領域
に与えれることができればよく、パターン露光時に用い
たステッパー３０等のように高解像度の露光装置を用い
て第２の露光量を与える必要はない。そのため、パター
ン露光を行ったステッパー３０とは別の比較的低解像度
の別の露光装置により第２の露光を行うようにすること
もできる。
【００４５】すなわち、ＫｒＦエキシマレーザを備えた
露光装置は、現段階では最新型の露光装置であるため、
設備コストなどの点から数量が限定される傾向にある。
したがって、最も可動率が高くなる。このことより、パ
ターン露光はＫｒＦエキシマレーザを備えた露光装置を
用い、第２の露光量は可動率の低い他の機種の露光装置
を用いて与えることにより、可動率の高い露光装置に対
する負荷が軽減され、効率的に処理することが可能とな
る。
【００４６】なお、このときに使用する露光装置の光源
としては、レジストが感光する光を照射するものであれ
ばよく、パターン露光での光と異なっていてもよい。例
えば、上述のＴＤＵＲ−Ｐ０１５は、ｉ線によっても感
光するため、ｉ線を照射する露光装置により第２の露光
量を与えるようにすることも可能である。また、パター
ン露光で用いた単波長光源でなく、パターン露光で用い
た単波長域を含む広帯域の光を照射するものでもよい。
【００４７】なお、本実施の形態では、レジスト膜１０
を構成する材質としてＴＤＵＲ−Ｐ０１５を用いた場合
について説明したが、第２の露光量を与えることにより
耐熱性が向上する性質のレジストであれば、ＴＤＵＲ−
Ｐ０１５に限らず、例えば、ＴＤＵＲ−Ｐ００７(商品
名；東京応化工業株式会社製)、ＴＤＵＲ−Ｐ４４２(商
品名；東京応化工業株式会社製)、ＳＥＰＲ４０２Ｒ(商
品名；信越化学工業株式会社製)、ＤＸ３２００Ｐ(商品
名；クラリアントジャパン株式会社製)等の他の種類の
レジストを使用できる。
【００４８】もちろん、使用するレジストの種類によっ
て第２の露光量に対応するパターンの縮小率が異なるの
で、各々ＵＶ光露光量と縮小率との関係とに基づいて最
適なＵＶ光露光量となるように調整すればよい。
【００４９】このように、本第１の実施の形態によれ
ば、異なる径寸法のコンタクトパターン、例えば、直径
０．２μｍ程度以下で直径０．０５μｍ程度までのコン
タクトパターン等のように、解像限界以下の小さな寸法
のコンタクトパターンと、例えば、直径０．２μｍ程度
以上のコンタクトパターン等のように、解像限界よりも
大きく露光により十分形成できる寸法のコンタクトパタ
ーンとをパターンが劣化することなく同時に形成でき
る。
【００５０】（第２の実施の形態）図３の説明で上述し
たように、本第１の実施の形態でレジストとして使用し
たＴＤＵＲ−Ｐ０１５は、第２の露光量が２．７ｍＪ／
ｃｍ2程度から３．３ｍＪ／ｃｍ2程度までの間はほぼ比
例的に耐熱性が上がるため、第２の露光量に対してほぼ
比例的に縮小率が小さくなり、最終的に得られる円形パ
ターンの径寸法も第２の露光量の大きさに比例して大き
くなる。
【００５１】本第２の実施の形態では、上記第１の実施
の形態において、第２の露光量を与えた後に、ウエハ基
板全面に、耐熱性が変化し始めるＵＶ光露光量以上で、
かつ、完全に耐熱性が向上する露光量以下のＵＶ光露光
量、例えば、２．７ｍＪ／ｃｍ2程度から３．３ｍＪ／
ｃｍ2程度までの第３の露光量を与える。
【００５２】この第３の露光量は、第２の露光量が与え
られていない縮小対象領域のレジストに対して与えるこ
とで、高温ベーク処理での縮小率を細かく調整する。す
なわち、第３の露光量を、２．７ｍＪ／ｃｍ2程度から
３．３ｍＪ／ｃｍ2程度の間で制御することにより、高
温ベーク処理温度での縮小対象領域のレジストの耐熱性
が変わるので、高温ベーク処理後の縮小対象領域内のコ
ンタクトパターンの縮小率を細かく調整することが可能
である。
【００５３】なお、非縮小対象領域は高温ベーク処理時
にパターンが縮小しないように第２の露光量が与えられ
ているので、第３の露光量が与えられても高温ベーク処
理時にパターンが縮小しないことには変わりがない。し
たがって、第３の露光量は、非縮小対象領域を覆うよう
にパターン形成されたレチクルを使用して与える必要が
ない。
【００５４】また、第３の露光量は、例えば、図３に示
すように、予めＵＶ光の露光量と最終的に得られる寸法
又はパターンの縮小率の関係を調べておき、得られた関
係に基いて、最終的に必要なパターン寸法となるように
決定する。
【００５５】ここでは、例えば、２．８ｍＪ／ｃｍ2程
度の第３の露光量をレジストパターンに与えた後、１３
５℃６０秒での高温ベーク処理を行った。この高温ベー
ク処理により、非縮小対象領域に形成されたパターンは
縮小せずに、直径０．３５μｍ程度のコンタクトパター
ン２０のままとなるが、縮小対象領域に形成された直径
０．２５μｍ程度のコンタクトパターンは上記第１の実
施の形態と比較して縮小量が若干減って、例えば、直径
０．１５μｍ程度のコンタクトパターンとなる。なお、
その他は上記第１の実施の形態と同様であるので説明は
省略する。
【００５６】このように、本第２の実施の形態によれ
ば、異なる径寸法のコンタクトパターン、特に、解像限
界以下の小さな寸法のコンタクトパターンと解像限界に
達しない大きな寸法のコンタクトパターンとをパターン
が劣化することなく良好に形成できるだけでなく、確実
に所望の寸法に形成できる。
【００５７】（第３の実施の形態）高温ベーク処理時
に、ベークプレートに部分的な温度むらが生じてベーク
プレート上に載置されたウエハ面内で部分的に±５℃程
度の温度差が生じてしまうことがある。図４に示すよう
に、高温ベーク処理時のレジストパターンの縮小率の１
３０℃から１３５℃の５℃間で大きく変動するため、１
３５℃での高温ベーク処理においては同じパターンでも
ウエハ面内の位置に依存して縮小率が大幅に変わってし
まい、図５に示すように、最終的に得られるコンタクト
パターンの直径寸法がウエハ面内の位置によりばらつい
てしまうことがある。
【００５８】そのため、第３の実施の形態では、図５に
示すような高温ベーク処理時のウエハ面内に生じる温度
差分布を予め求めておき、図４に示すように温度差分布
に基いて生じる縮小率の誤差を相殺するように、各単位
領域毎に与える露光量を補正する。
【００５９】すなわち、図６（Ａ）に示すように、１３
５℃で６０秒高温ベーク処理終了後のウエハ面内では、
目的とする縮小量よりも多く縮小してしまう部分が存在
し、部分的に設計した寸法よりも小さくなる領域（粗い
斜線部分、細かい斜線部分及び黒塗り部分）が形成され
る。なお、図６（Ａ）では、粗い斜線部分、細かい斜線
部分、黒塗り部分の順に縮小率が大きくなり、形成され
るコンタクトパターン径が粗い斜線部分、細かい斜線部
分、黒塗り部分の順に小さくなっている。
【００６０】したがって、高温ベーク処理前に、図６
（Ｂ）に示すように、補正のための露光を行う。このと
きの露光は単位露光領域毎に行い、図６（Ａ）に対応す
るように、粗い斜線部分、細かい斜線部分、黒塗り部分
の順に補正露光量を多くする。このときの補正量は、そ
の領域の高温ベーク温度に対する誤差温度と縮小率の変
動量に基いて決定される。なお、白地で示した領域は補
正の必要がないので補正のための露光処理は行わない。
【００６１】これにより、高温ベーク処理終了後には、
図６（Ｃ）に示すように、１つのウエハ面内においてほ
ぼ寸法縮小量が均一となり、１つのウエハ面内において
ほぼ基準寸法通りの複数のパターンが得られる。なお、
この補正のための露光は、パターン露光前に行ってもよ
いし、コンタクトパターン形成後に行ってもよい。
【００６２】なお、ウエハ面内に生じるばらつき要因と
して高温ベーク処理温度のばらつきの他にウエハ上に積
層形成した各膜の膜厚バラツキなども挙げられるが、各
膜の膜厚バラツキなどのその他のばらつき要因に基いた
ウエハ上の位置と縮小率との関係を予め求めておけば、
上記と同様にして１つのウエハ面内においてほぼ寸法縮
小量が均一となるようにすることが可能である。
【００６３】このように、第３の実施の形態では、ウエ
ハ面内に生じる各種ばらつき要因に応じて露光量を補正
するため、高温ベーク処理後のウエハ面内のパターンの
縮小率をほぼ均一に揃えることができ、パターンの寸法
均一性を向上させることができる。
【００６４】（第４の実施の形態）第４の実施の形態
は、上記第３の実施の形態の応用であり、上記の補正を
図７に示す構成の一括露光装置で行う。図７に示す構成
の一括露光装置は、大別して、ＫｒＦエキシマレーザ光
源３２、投影光学系３４、フィルタ４４及びステージ４
８から構成されている。
【００６５】ＫｒＦエキシマレーザ光源３２は波長２４
８ｎｍのディープＵＶ光を一様な強度で照射する。投影
光学系３４は、ＫｒＦエキシマレーザ光源３２からのＵ
Ｖ光がフィルタ４４に照射される様に導く。なお、図７
では、投影光学系３４を１つのレンズで表しているが、
１つに限らず複数のレンズから構成してもよい。
【００６６】フィルタ４４は、１つのチップを形成する
単位領域よりも小さい単位領域毎に透過率が調整されて
いる。すなわち、図８（Ａ）に示すように、１３５℃で
６０秒高温ベーク処理終了後のウエハ面内では、目的と
する縮小量よりも多く縮小してしまう部分が存在し、部
分的に基準寸法よりも小さくなる領域（粗い斜線部分、
細かい斜線部分及び黒塗り部分）が形成される。なお、
図８（Ａ）では、粗い斜線部分、細かい斜線部分、黒塗
り部分の順に縮小率が大きくなる。
【００６７】したがって、図８（Ｂ）に示すように、フ
ィルタ４４の透過率を粗い斜線部分、細かい斜線部分、
黒塗り部分の順に大きくする。なお、白地で示した領域
は補正の必要がないので遮光領域とする。
【００６８】このように透過率を調整したフィルタ４４
により補正のための露光を行なった後、１３５℃で６０
秒高温ベーク処理を行うことにより、図８（Ｃ）に示す
ように、１つのウエハ面内においてほぼ寸法縮小量が均
一となり、１つのウエハ面内においてほぼ基準寸法通り
の複数のパターンが得られる。なお、この補正のための
露光は、パターン露光前に行ってもよいし、コンタクト
パターン形成後に行ってもよい。
【００６９】また、第４の実施の形態の一括露光装置で
は、光源としてＫｒＦエキシマレーザ光源３２を用いる
構成としているが、ＫｒＦエキシマレーザ光源３２に限
らず、レジストが感光する光を照射する光源であればパ
ターン露光での光と異なっていてもよい。もちろん、上
記第１の実施の形態と同様に、ｉ線を照射する光源やパ
ターン露光で用いた単波長域を含む広帯域の光を照射す
る光源などを使用することができる。
【００７０】このような構成の一括露光装置を用いるこ
とにより、スループットが大幅に向上する。もちろん、
一括露光装置の構成も比較的簡易であるので、一括露光
装置を製造するためのコストもかからないという利点が
ある。
【００７１】（第５の実施の形態）また、最終的に得ら
れるＳｉＯ2膜１２（図１参照）のパターン寸法が図９
（Ｂ）に示すように、１つのウエハ面内で場所により大
きくばらつく場合がある。これは形成したレジストパタ
ーンをマスクとして下層のＳｉＯ2膜１２（図１参照）
をエッチングするエッチング処理などの他のプロセスで
の要因に起因している。
【００７２】したがって、第５の実施の形態では、最終
的に得られる１つのウエハ面内での寸法ばらつきが相殺
されるように、各単位領域毎に与える露光量を補正す
る。
【００７３】例えば、ベークプレート内の温度差に起因
する縮小率のばらつきを補正するための露光を行わない
で高温ベーク処理を行った後のウエハ面内に、図９
（Ａ）に示すように、部分的に基準寸法よりも小さくな
る領域（粗い斜線部分、細かい斜線部分及び黒塗り部
分）が形成され、更に、形成したレジストパターンをマ
スクとして下層のＳｉＯ2膜１２をエッチングした場
合、最終的に得られるＳｉＯ2パターンの寸法に、図９
（Ｂ）に示すような寸法ばらつきが生じるとする。
【００７４】この場合、高温ベーク処理を行った後の縮
小分布が図９（Ｂ）に示す最終的な寸法ばらつき分布を
相殺するように、ウエハ面内の縮小率のばらつき分布
（図９（Ｄ））を決定し、図９（Ａ）に示すベークプレ
ート内の温度差に起因する縮小率のばらつき分布が、図
９（Ｄ）に示す縮小率のばらつき分布になるように、縮
小率のばらつきを補正するための露光量（図９（Ｃ））
を決定する。
【００７５】このように縮小率のばらつきを補正するた
めの露光量（図９（Ｃ））を調整することにより図９
（Ｅ）に示すように、プロセス終了後の１つのウエハ面
内においてほぼ寸法縮小量が均一となり、１つのウエハ
面内においてほぼ基準寸法通りの複数のパターンが得ら
れる。なお、この補正のための露光は、上述の第１の実
施の形態で説明したステッパー３０により行ってもよい
し、第４の実施の形態で説明した構成の一括露光装置で
行うようにしてもよい。
【００７６】なお、上記第１の実施の形態から第５の実
施の形態では、形成するパターンを全てコンタクトパタ
ーンとして説明したが、もちろん、埋め込み配線パター
ンなどを形成する際のレジストパターンなどのように、
他の種類のパターンにも本発明は適用することが可能で
ある。
【００７７】上記第１の実施の形態から第５の実施の形
態では、高温ベーク処理温度を１３５℃としたが、高温
ベーク処理温度は特にこの温度に限定されるわけではな
く、レジストの種類等によって適宜変更できる。また、
第２の露光量と第３の露光量の少なくとも一方を調整す
るだけでなく、高温ベーク処理温度を調整することによ
ってもレジストパターンの縮小率を調節できるので、レ
ジストパターンの縮小率の制御を目的として高温ベーク
処理温度を変更してもよい。第２の露光量と第３の露光
量の少なくとも一方の調整と共に、高温ベーク処理温度
の調整との両方を制御することにより、より精密に縮小
率を調節することが可能である。
【００７８】また、上記第１の実施の形態から第５の実
施の形態では、ＫｒＦエキシマレーザ光源を用いて露光
を行う場合について説明しているが、使用する露光光の
種類に対応して使用が決定されるレジストが感光量に応
じてベーク温度に対する耐熱性を変化させる性質を持つ
ものであれば、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ光源を用
いて露光を行う場合等にも応用することができる。
【００７９】なお、上記第１の実施の形態から第５の実
施の形態で挙げたコンタクトパターンのサイズは、全て
一例であり、本発明はこれらのサイズに限定されるもの
ではなく、目的に応じてコンタクトパターンのサイズを
適宜選択することができる。また、コンタクトパターン
が縮小率も全て一例であり、使用するレジストの種類に
より変動する値であることはいうまでもない。
【００８０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１、請求項
２、請求項３及び請求項６に記載の発明によれば、解像
限界以上の比較的大きな寸法のパターンと解像限界以下
の微細寸法のパターンの両方を同時に形成でき、かつ、
形状が劣化することなく良好に形成されたレジストパタ
ーンが得られる、という効果が得られる。
【００８１】また、請求項４の発明によれば、高温ベー
ク処理時にベークプレートなどの加熱体の加熱状態等に
起因して１つのウエハ面内で温度差が生じた場合でも１
つのウエハ面内での縮小率をほぼ同じように揃えること
ができる、という効果が得られる。
【００８２】更に、請求項５の発明によれば、高温ベー
ク処理以外の他のプロセス要因などにより１つのウエハ
面内に生じる寸法ばらつきを補正して１つのウエハ面内
での縮小率をほぼ同じように揃えることができる、とい
う効果が得られる。
【００８３】また、請求項７の発明によれば、より精密
に高温ベーク時のパターンの縮小率を調整することがで
きる、という効果が得られる。
【００８４】請求項８から請求項１０の発明によれば、
比較的簡単な構成であり、露光装置を製造するためのコ
ストもかからないだけでなく、第２の露光、第３の露光
及び補正のための露光を行えるので、ＫｒＦエキシマレ
ーザを光源とした可動率の高い露光装置の負荷を軽減で
きる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態のレジストパターン
の形成方法を示すフロー図である。
【図２】第１の実施の形態で使用したステッパーの概略
構成を示す説明図である。
【図３】第２の露光量と１３５℃６０秒で高温ベーク処
理後のコンタクトパターン形との関係を示すグラフであ
る。
【図４】ベーク温度と得られるコンタクトパターン径と
の関係を示すグラフである。
【図５】ウエハ中心を原点（０．０）とし、原点を中心
として４０ｍｍ四方の矩形領域内において、高温ベーク
処理時に生じるコンタクトパターン寸法分布を示す図で
ある。
【図６】（Ａ）は１３５℃で６０秒高温ベーク処理した
ときのウエハ面内での寸法分布を示す図であり、（Ｂ）
は図６（Ａ）に基いて決定したウエハ面内での補正露光
量の分布を示す図であり、図６（Ｃ）は図６（Ｂ）の補
正露光量を与えてから高温ベーク処理した後のウエハ面
内での寸法分布を示す図である。
【図７】第４の実施の形態で使用した一括露光装置の概
略構成を示す説明図である。
【図８】（Ａ）は１３５℃で６０秒高温ベーク処理した
ときのウエハ面内での寸法分布を示す図であり、（Ｂ）
は図８（Ａ）に基いた補正露光量に応じて決定されたフ
ィルタの透過率の分布であり、（Ｃ）は図８（Ｂ）のフ
ィルタにより調節された補正露光量を与えてから高温ベ
ーク処理した後のウエハ面内での寸法分布を示す図であ
る。
【図９】図９（Ａ）はベークプレート内の温度差に起因
するレジストパターンの縮小率のばらつき分布を示す図
であり、（Ｂ）は図９（Ａ）のレジストパターンを用い
てエッチングした後のウエハ面内に生じる寸法ばらつき
分布を示す図であり、（Ｃ）はエッチングした後のウエ
ハ面内に生じる寸法ばらつきをなくすように調整した補
正露光量分布を示す図であり、（Ｄ）は図９（Ｃ）の補
正露光量を与えてから高温ベーク処理して得られるレジ
ストパターンの縮小率のばらつき分布を示す図であり、
（Ｅ）は図９（Ｄ）のレジストパターンを用いてエッチ
ングした後のウエハ面内に生じる寸法ばらつき分布を示
す図である。
【図１０】従来のレジストパターンの形成方法で露光解
像度以下の寸法のコンタクトパターンと露光解像度より
も大きな寸法のコンタクトパターンとを同時に形成した
場合のパターンの形状劣化を説明する図である。
【符号の説明】
１０ レジスト膜 １２ ＳｉＯ2膜 １４ ウエハ ２０、２２ａ、２２ｂ コンタクトパターン ３０ ステッパー ３２ エキシマレーザ光源 ３４ 投影光学系 ３６ 第１レチクル ３７ 第２レチクル ３８ 縮小光学系 ４０、４８ ステージ ４２ 制御部 ４４ フィルタ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面にレジストが塗布された被加工物の
    レジストに対し、パターンを形成するための第１の露光
    量を与えるパターン露光を行った後、現像してレジスト
    パターンを形成し、 前記レジストパターンにレジストパターンの縮小率を調
    整する第２の露光量を与える露光を行った後、レジスト
    がフローする温度でベーク処理を行うレジストパターン
    の形成方法。
  2. 【請求項２】 前記第２の露光量はレジストの飽和露光
    量以上の露光量である請求項１に記載のレジストパター
    ンの形成方法。
  3. 【請求項３】 前記パターン露光時に、予め定めた所定
    の縮小率でパターンを縮小させる縮小対象領域のパター
    ンと、露光寸法通りのパターンとする非縮小対象領域の
    パターンを露光し、 前記縮小対象領域のパターンに対しては、前記所定の縮
    小率に対応した第２の露光量を与え、前記非縮小対象領
    域に対しては、前記高温ベーク処理時の温度に対してレ
    ジストが耐性を備える第３の露光量を与える請求項１に
    記載のレジストパターンの形成方法。
  4. 【請求項４】 前記高温ベーク処理時に前記被加工物に
    生じる温度差分布に応じて生じる縮小率の誤差分布が相
    殺されるように、前記被加工物の予め定めた所定の領域
    ごとに前記第２の露光量を補正する請求項１から請求項
    ３のいずれか１項に記載のレジストパターンの形成方
    法。
  5. 【請求項５】 最終的に被加工物に形成されるパターン
    の縮小率の誤差分布が相殺されるように、前記被加工物
    の予め定めた所定の領域ごとに前記第２の露光量を補正
    する請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のレジ
    ストパターンの形成方法。
  6. 【請求項６】 ＵＶ光によって露光を与え、 前記レジストは、ＵＶ光用レジストである請求項１から
    請求項５のいずれか１項に記載のレジストパターンの形
    成方法。
  7. 【請求項７】 表面にレジストが塗布された被加工物の
    レジストに対し、パターンを形成するための第１の露光
    量を与えるパターン露光を行った後、現像してレジスト
    パターンを形成し、 前記レジストパターンにレジストパターンの縮小率を調
    整する第２の露光量を与える露光を行った後、レジスト
    がフローする温度でベーク処理を行う際に、ベーク処理
    温度を調整することにより、高温ベーク処理時のレジス
    トパターンの縮小率をさらに調整するレジストパターン
    の形成方法。
  8. 【請求項８】 被加工物の全面に均一強度の光を照射す
    る露光光学系と、 前記露光光学系と前記被加工物の間に設けられると共
    に、前記被加工物の所定の領域ごとに予め定めた所定の
    縮小率に対応した第２の露光量となるように透過率を調
    整したフィルタと、 を備えた露光装置。
  9. 【請求項９】 前記フィルタは、高温ベーク処理時に前
    記被加工物に生じる温度差分布に応じて生じる縮小率の
    誤差分布が相殺されるように、前記被加工物の所定の領
    域ごとに透過率が補正されている請求項８に記載の露光
    装置。
  10. 【請求項１０】 前記フィルタは、最終的に被加工物に
    形成されるパターンの縮小率の誤差分布が相殺されるよ
    うに、前記被加工物の所定の領域ごとに透過率が補正さ
    れている請求項８に記載の露光装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004059392A1 (ja) * 2002-12-26 2004-07-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
WO2005026842A1 (ja) * 2003-09-18 2005-03-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ポジ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
US6989333B2 (en) 2002-12-20 2006-01-24 Oki Electric Industry Co., Ltd. Process for forming a pattern
US7364831B2 (en) 2004-05-12 2008-04-29 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and resist pattern formation method
US7402372B2 (en) 2003-06-13 2008-07-22 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
US7449276B2 (en) 2003-04-30 2008-11-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive photoresist composition and method for forming resist pattern
JP2010034192A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Tokyo Electron Ltd 回路パターンの補正方法及びその装置
JP2018200930A (ja) * 2017-05-26 2018-12-20 大日本印刷株式会社 パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4184209B2 (ja) * 2003-09-18 2008-11-19 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US7256873B2 (en) * 2004-01-28 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Enhanced lithographic resolution through double exposure
US20050255411A1 (en) * 2004-05-14 2005-11-17 Rex Frost Multiple exposure and shrink to achieve reduced dimensions
US7343666B2 (en) 2004-06-30 2008-03-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Methods of making magnetic write heads with use of linewidth shrinkage techniques
US20060096081A1 (en) * 2004-06-30 2006-05-11 Hitachi Global Storage Technologies Methods of making magnetic write heads with use of a resist channel shrinking solution having corrosion inhibitors
US7395595B2 (en) * 2005-04-19 2008-07-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for manufacturing P3 layer of a perpendicular magnetic write head
JP2008026822A (ja) 2006-07-25 2008-02-07 Toshiba Corp フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
US8685627B2 (en) * 2007-12-20 2014-04-01 Hynix Semiconductor Inc. Method for manufacturing a semiconductor device
KR101024712B1 (ko) * 2007-12-20 2011-03-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 형성 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61166130A (ja) 1985-01-18 1986-07-26 Matsushita Electronics Corp ホトレジストパタ−ンの形成方法
JP2616660B2 (ja) * 1993-06-21 1997-06-04 日本電気株式会社 厚膜配線パターンの露光装置および厚膜の成形方法
US5648198A (en) * 1994-12-13 1997-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist hardening process having improved thermal stability
US6097361A (en) * 1997-01-29 2000-08-01 Advanced Micro Devices, Inc. Photolithographic exposure system and method employing a liquid crystal display (LCD) panel as a configurable mask
JPH11119443A (ja) 1997-10-14 1999-04-30 Oki Electric Ind Co Ltd レジストパタンの形成方法
US5998069A (en) * 1998-02-27 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Electrically programmable photolithography mask
US6261728B1 (en) * 1998-10-19 2001-07-17 Vanguard International Semiconductor Corporation Mask image scanning exposure method
JP2001185476A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Mitsubishi Electric Corp 投影露光装置
JP3348786B2 (ja) * 2000-01-11 2002-11-20 日本電気株式会社 フォトマスク、パターン形成方法、半導体集積回路

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6989333B2 (en) 2002-12-20 2006-01-24 Oki Electric Industry Co., Ltd. Process for forming a pattern
WO2004059392A1 (ja) * 2002-12-26 2004-07-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US7666569B2 (en) 2002-12-26 2010-02-23 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method for forming resist pattern
US7449276B2 (en) 2003-04-30 2008-11-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive photoresist composition and method for forming resist pattern
US7402372B2 (en) 2003-06-13 2008-07-22 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
WO2005026842A1 (ja) * 2003-09-18 2005-03-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ポジ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
US7364831B2 (en) 2004-05-12 2008-04-29 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and resist pattern formation method
JP2010034192A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Tokyo Electron Ltd 回路パターンの補正方法及びその装置
JP2018200930A (ja) * 2017-05-26 2018-12-20 大日本印刷株式会社 パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム

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