JP2001257510A - 同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造 - Google Patents
同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 構造が堅固でＲＦ整合を維持し、接続作業が
容易で良好な接続状態の製品を多数安定して製作できる
同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシール
構造を提供する。 【解決手段】 同軸コネクタ・ストリップライン・ハー
メチックシール構造は、同軸コネクタ１５の中心導体１
１の中心コンタクトをハーメチック材料１７と共に収納
する内周面を持つハーメチックシールハウジング１９
と、中心導体１１の中心コンタクトの先端を搭載するマ
イクロストリップライン２１とを有する。マイクロスト
リップライン２１は、中心導体１１の中心コンタクトの
先端部を搭載し接続する導電パターン２３、導電パター
ン２３を一面に形成する誘電体基板２５、および誘電体
基板２５の反対面に形成され筒状外部導体１３に接続さ
れるグランドプレーンから成る。
容易で良好な接続状態の製品を多数安定して製作できる
同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシール
構造を提供する。 【解決手段】 同軸コネクタ・ストリップライン・ハー
メチックシール構造は、同軸コネクタ１５の中心導体１
１の中心コンタクトをハーメチック材料１７と共に収納
する内周面を持つハーメチックシールハウジング１９
と、中心導体１１の中心コンタクトの先端を搭載するマ
イクロストリップライン２１とを有する。マイクロスト
リップライン２１は、中心導体１１の中心コンタクトの
先端部を搭載し接続する導電パターン２３、導電パター
ン２３を一面に形成する誘電体基板２５、および誘電体
基板２５の反対面に形成され筒状外部導体１３に接続さ
れるグランドプレーンから成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同軸コネクタ・ス
トリップライン・ハーメチック構造に関するものであ
る。
トリップライン・ハーメチック構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の同軸コネクタ・ストリップライン
・ハーメチック構造は、同軸コネクタの中心導体をハー
メチック材料と共に収納するハーメチックシールハウジ
ングを介してマイクロストリップラインを接続するもの
である。例えば、実開平４−３１２７１がある。
・ハーメチック構造は、同軸コネクタの中心導体をハー
メチック材料と共に収納するハーメチックシールハウジ
ングを介してマイクロストリップラインを接続するもの
である。例えば、実開平４−３１２７１がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
では、同軸コネクタの中心導体をストリップラインに搭
載するためのシール接続部品を要する。このようなシー
ル接続部品を介在させることによりシール構造が堅固で
なくなる結果、ＲＦ整合が乱れ易いという欠点がある。
では、同軸コネクタの中心導体をストリップラインに搭
載するためのシール接続部品を要する。このようなシー
ル接続部品を介在させることによりシール構造が堅固で
なくなる結果、ＲＦ整合が乱れ易いという欠点がある。
【０００４】また、接続作業が一般にやりづらい結果、
良好なシール接続状態の製品を多数安定して製作するこ
とが困難である。
良好なシール接続状態の製品を多数安定して製作するこ
とが困難である。
【０００５】そこで、本発明の技術的課題は、シール構
造が堅固でＲＦ整合を維持し、接続作業が容易で良好な
シール接続状態の製品を多数安定して製作できる同軸コ
ネクタ・ストリップライン・ハーメチック構造を提供す
ることである。
造が堅固でＲＦ整合を維持し、接続作業が容易で良好な
シール接続状態の製品を多数安定して製作できる同軸コ
ネクタ・ストリップライン・ハーメチック構造を提供す
ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、課題を解決す
るために、次の手段を採用する。
るために、次の手段を採用する。
【０００７】（１） 同軸コネクタの中心コンタクトを
ハーメチック材料と共に収納する内周面を持つハーメチ
ックシールハウジングと、前記中心コンタクトの先端を
搭載するマイクロストリップラインとを有し、前記マイ
クロストリップラインは、前記中心コンタクトの先端を
搭載し接続する導電パターンと、誘電体を介在して前記
同軸コネクタの筒状外部導体に接続されるグランドプレ
ーンとを持つ同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメ
チックシール構造であって、前記ハーメチックシールハ
ウジングは、前記内周面の主直径を持つ主筒部と、該主
直径より小さい小直径を持つ縮小内周面を持つ段差筒端
部とを備えると共に、前記内周面の主直径は前記筒状外
部導体の内直径より小さい段差内周面を有する段差ハー
メチックシール構造を備え、前記中心コンタクトは、前
記長手方向に直交する断面が板状を呈する板状接触部を
形成し、該板状接触部を前記段差ハーメチックシールハ
ウジングの段差筒端部に配し、ミスマッチングによる反
射信号が発生しないように、前記主筒部および前記段差
筒端部のそれぞれの位置におけるインピーダンス設定を
する結果、前記マイクロストリップラインは、特性イン
ピーダンスの整合を維持することを特徴とする同軸コネ
クタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造。
ハーメチック材料と共に収納する内周面を持つハーメチ
ックシールハウジングと、前記中心コンタクトの先端を
搭載するマイクロストリップラインとを有し、前記マイ
クロストリップラインは、前記中心コンタクトの先端を
搭載し接続する導電パターンと、誘電体を介在して前記
同軸コネクタの筒状外部導体に接続されるグランドプレ
ーンとを持つ同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメ
チックシール構造であって、前記ハーメチックシールハ
ウジングは、前記内周面の主直径を持つ主筒部と、該主
直径より小さい小直径を持つ縮小内周面を持つ段差筒端
部とを備えると共に、前記内周面の主直径は前記筒状外
部導体の内直径より小さい段差内周面を有する段差ハー
メチックシール構造を備え、前記中心コンタクトは、前
記長手方向に直交する断面が板状を呈する板状接触部を
形成し、該板状接触部を前記段差ハーメチックシールハ
ウジングの段差筒端部に配し、ミスマッチングによる反
射信号が発生しないように、前記主筒部および前記段差
筒端部のそれぞれの位置におけるインピーダンス設定を
する結果、前記マイクロストリップラインは、特性イン
ピーダンスの整合を維持することを特徴とする同軸コネ
クタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造。
【０００８】（２） （１）に記載の同軸コネクタ・ス
トリップライン・ハーメチックシール構造において、前
記板状接触部は、前記導電パターンに搭載する先端幅寸
法を持つ先端部と、該先端部から延設し該先端幅寸法よ
り大きい中間拡大幅寸法を持つ中間封止部とを備え、該
中間封止部は、前記主筒部内に配されることを特徴とす
る同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシー
ル構造。
トリップライン・ハーメチックシール構造において、前
記板状接触部は、前記導電パターンに搭載する先端幅寸
法を持つ先端部と、該先端部から延設し該先端幅寸法よ
り大きい中間拡大幅寸法を持つ中間封止部とを備え、該
中間封止部は、前記主筒部内に配されることを特徴とす
る同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシー
ル構造。
【０００９】（３） （１）に記載の同軸コネクタ・ス
トリップライン・ハーメチックシール構造において、前
記同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシー
ル構造は、前記同軸コネクタを入力端とし、前記マイク
ロストリップラインの前記特性インピーダンスを終端に
備えると共に、前記入力端と該終端との間の段差ハーメ
チックシール構造は、前記マイクロストリップラインと
前記段差筒端部と前記主筒部との各境界における３つの
フリンジングキャパシタンスのコンデンサをそれぞれ並
列に配し、これら３つのフリンジングキャパシタンスの
コンデンサの間にインダクタンスを直列に配した等価回
路で表されることを特徴とする同軸コネクタ・ストリッ
プライン・ハーメチックシール構造。
トリップライン・ハーメチックシール構造において、前
記同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシー
ル構造は、前記同軸コネクタを入力端とし、前記マイク
ロストリップラインの前記特性インピーダンスを終端に
備えると共に、前記入力端と該終端との間の段差ハーメ
チックシール構造は、前記マイクロストリップラインと
前記段差筒端部と前記主筒部との各境界における３つの
フリンジングキャパシタンスのコンデンサをそれぞれ並
列に配し、これら３つのフリンジングキャパシタンスの
コンデンサの間にインダクタンスを直列に配した等価回
路で表されることを特徴とする同軸コネクタ・ストリッ
プライン・ハーメチックシール構造。
【００１０】
【作用】段差ハーメチックシール構造の内周面は、段差
内周面として作用する。そのため、ハーメチックシール
ハウジングが、同軸コネクタの外部導体内直径より小さ
い内周面の主直径を持つ主筒部と、主直径より小さい小
直径を持つ縮小内周面を持つ段差筒端部との位置におい
てそれぞれインピーダンス設定を行える。
内周面として作用する。そのため、ハーメチックシール
ハウジングが、同軸コネクタの外部導体内直径より小さ
い内周面の主直径を持つ主筒部と、主直径より小さい小
直径を持つ縮小内周面を持つ段差筒端部との位置におい
てそれぞれインピーダンス設定を行える。
【００１１】また、同軸コネクタの中心導体の一端に嵌
合される中心コンタクトは、板状接触部が、段差筒端部
内で最適なインピーダンス設定をするように配される。
その結果、ミスマッチングによる反射信号が発生しなく
なるように作用する。従って、終端のマイクロストリッ
プラインでは、特性インピーダンスの整合が維持され
る。
合される中心コンタクトは、板状接触部が、段差筒端部
内で最適なインピーダンス設定をするように配される。
その結果、ミスマッチングによる反射信号が発生しなく
なるように作用する。従って、終端のマイクロストリッ
プラインでは、特性インピーダンスの整合が維持され
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態による同軸コ
ネクタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造に
ついて図面を参照して説明する。
ネクタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造に
ついて図面を参照して説明する。
【００１３】図１〜図４を参照して、本発明の実施の形
態による同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチッ
クシール構造は、ＦｅＮｉ材等から成り円柱（φｄ１）
状で、一端が嵌合穴底を持つ中心導体（内部導体；雌側
中心コンタクト）１１、中心導体１１の周りに空洞１２
を介して外側に配され外部導体内直径Ｄ２を持つ筒状外
部導体１３を持つ同軸コネクタ１５と、中心導体１１の
一端の穴に適当に嵌め込まれ嵌合（ｍａｔｉｎｇ）する
中心コンタクト（すり割り構造の雄側コンタクト）１１
−１をハーメチック材料１７と共に収納する段差内周面
を持つハーメチックシールハウジング１９と、中心導体
１１の接続端として作用する中心コンタクト１１−１の
先端部を搭載するマイクロストリップライン２１とを有
する。
態による同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチッ
クシール構造は、ＦｅＮｉ材等から成り円柱（φｄ１）
状で、一端が嵌合穴底を持つ中心導体（内部導体；雌側
中心コンタクト）１１、中心導体１１の周りに空洞１２
を介して外側に配され外部導体内直径Ｄ２を持つ筒状外
部導体１３を持つ同軸コネクタ１５と、中心導体１１の
一端の穴に適当に嵌め込まれ嵌合（ｍａｔｉｎｇ）する
中心コンタクト（すり割り構造の雄側コンタクト）１１
−１をハーメチック材料１７と共に収納する段差内周面
を持つハーメチックシールハウジング１９と、中心導体
１１の接続端として作用する中心コンタクト１１−１の
先端部を搭載するマイクロストリップライン２１とを有
する。
【００１４】尚、ハーメチック材料１７は、ガラスやセ
ラミック等で比誘電率εｒ（例えば３．８）を持つ。
ラミック等で比誘電率εｒ（例えば３．８）を持つ。
【００１５】一方、マイクロストリップライン２１は、
中心導体１１の中心コンタクト１１−１の先端を搭載し
接続する導電パターン（ストリップパターン）２３、導
電パターン２３を一面に形成する誘電体基板２５、およ
び誘電体基板２５の反対面に形成され筒状外部導体１３
に接続されるグランドプレーン２７から成る。
中心導体１１の中心コンタクト１１−１の先端を搭載し
接続する導電パターン（ストリップパターン）２３、導
電パターン２３を一面に形成する誘電体基板２５、およ
び誘電体基板２５の反対面に形成され筒状外部導体１３
に接続されるグランドプレーン２７から成る。
【００１６】導電パターン２３は、中心導体１１の中心
コンタクト１１−１の先端部との接続部分を備える。導
電パターン２３の接続部分の幅は、中心コンタクト１１
−１の幅ｗ２と同一に設定する。
コンタクト１１−１の先端部との接続部分を備える。導
電パターン２３の接続部分の幅は、中心コンタクト１１
−１の幅ｗ２と同一に設定する。
【００１７】ところで、ハーメチックシールハウジング
（全体）は、外部の箱状の本体部１９Ａおよび上蓋１９
Ｂと、内部の筒状のシール部１９とから成る。本体部１
９Ａに上蓋１９Ｂを挿入し溶接止めしてハーメチック構
造とする。
（全体）は、外部の箱状の本体部１９Ａおよび上蓋１９
Ｂと、内部の筒状のシール部１９とから成る。本体部１
９Ａに上蓋１９Ｂを挿入し溶接止めしてハーメチック構
造とする。
【００１８】本発明は、ハーメチックシールハウジング
（シール部）１９が、段差内周面を持つ段差ハーメチッ
クシール構造を備えることを特徴としている。
（シール部）１９が、段差内周面を持つ段差ハーメチッ
クシール構造を備えることを特徴としている。
【００１９】段差ハーメチックシール構造の段差内周面
は、外部導体内直径Ｄ２より小さい内周面の主直径Ｄ１
を持つ主筒部１９−１と、主直径Ｄ１より小さい小直径
Ｄ３を持つ縮小内周面を持つ段差筒端部１９−２とで構
成される。中心導体１１は、外径がφｄ１で、その中心
コンタクト１１−１は、長手方向に直交する断面が板
（幅ｗ２、厚みｔで、ｗ２＞＞ｔ）状を呈する板状接触
部で、段差筒端部１９−２内に配される。
は、外部導体内直径Ｄ２より小さい内周面の主直径Ｄ１
を持つ主筒部１９−１と、主直径Ｄ１より小さい小直径
Ｄ３を持つ縮小内周面を持つ段差筒端部１９−２とで構
成される。中心導体１１は、外径がφｄ１で、その中心
コンタクト１１−１は、長手方向に直交する断面が板
（幅ｗ２、厚みｔで、ｗ２＞＞ｔ）状を呈する板状接触
部で、段差筒端部１９−２内に配される。
【００２０】本発明の同軸コネクタ・ストリップライン
・ハーメチックシール構造の製造を行うには、ハーメチ
ックシールハウジング（シール部）１９は、液体ガラス
のハーメチック材料１７の溶融温度環境において独立し
た部品製造工程で、表面張力により多少境界面に斜に立
ち上がるミニスカス１７Ａとともに製作される。
・ハーメチックシール構造の製造を行うには、ハーメチ
ックシールハウジング（シール部）１９は、液体ガラス
のハーメチック材料１７の溶融温度環境において独立し
た部品製造工程で、表面張力により多少境界面に斜に立
ち上がるミニスカス１７Ａとともに製作される。
【００２１】ハーメチックシールハウジング（本体部）
１９Ａの中にシール部１９を左側から挿入し、シール部
１９の外周に半田１９Ｃを一様に回り込むように流し込
んで気密固定する。
１９Ａの中にシール部１９を左側から挿入し、シール部
１９の外周に半田１９Ｃを一様に回り込むように流し込
んで気密固定する。
【００２２】次に、ハーメチックシールハウジング（本
体部）１９Ａの右側からマイクロストリップライン２１
を挿入し、ハーメチックシールハウジングの本体部１９
Ａに捩子（図示せず）止めする。これにより、ハーメチ
ックシールハウジング（本体部）１９Ａにマイクロスト
リップライン２１のグランドプレーン２７が接続され
る。その後、導電パターン（ストリップパターン）２３
に中心導体１１の中心コンタクト（板状接触部）１１−
１の先端を半田付け接続する。
体部）１９Ａの右側からマイクロストリップライン２１
を挿入し、ハーメチックシールハウジングの本体部１９
Ａに捩子（図示せず）止めする。これにより、ハーメチ
ックシールハウジング（本体部）１９Ａにマイクロスト
リップライン２１のグランドプレーン２７が接続され
る。その後、導電パターン（ストリップパターン）２３
に中心導体１１の中心コンタクト（板状接触部）１１−
１の先端を半田付け接続する。
【００２３】最後に、同軸コネクタ１５をハーメチック
シールハウジング（本体部）１９Ａへ左側から捩じ込
む。これにより、同軸コネクタ１５の筒状外部導体１３
とハーメチックシールハウジング（本体部）１９Ａとが
接続される。そして、ハーメチックシールハウジング
（本体部）１９Ａに上蓋１９Ｂを被せて、溶接１９Ｄを
施す。
シールハウジング（本体部）１９Ａへ左側から捩じ込
む。これにより、同軸コネクタ１５の筒状外部導体１３
とハーメチックシールハウジング（本体部）１９Ａとが
接続される。そして、ハーメチックシールハウジング
（本体部）１９Ａに上蓋１９Ｂを被せて、溶接１９Ｄを
施す。
【００２４】角川正、荒川輝明「円、楕円、矩形遮断筒
単心及び二心ケーブルの特性解析」電気通信大学学報第
７号により、図９〜図１２からおのおのの特性インピー
ダンスＺ０、Ｚ１、Ｚ２を設定してシミュレーションす
る。
単心及び二心ケーブルの特性解析」電気通信大学学報第
７号により、図９〜図１２からおのおのの特性インピー
ダンスＺ０、Ｚ１、Ｚ２を設定してシミュレーションす
る。
【００２５】本発明の同軸コネクタ・ストリップライン
・ハーメチックシール構造では、ハーメチックシールハ
ウジング（本体部）１９Ａの左端の同軸コネクタ１５を
入力端１−１´とし、右端のマイクロストリップライン
２１（特性インピーダンスＺ０）を終端にしている。入
力端１−１´と終端との間のシール部１９は、Ｚ１およ
びＺ２のそれぞれのインピーダンス設定領域を備える。
・ハーメチックシール構造では、ハーメチックシールハ
ウジング（本体部）１９Ａの左端の同軸コネクタ１５を
入力端１−１´とし、右端のマイクロストリップライン
２１（特性インピーダンスＺ０）を終端にしている。入
力端１−１´と終端との間のシール部１９は、Ｚ１およ
びＺ２のそれぞれのインピーダンス設定領域を備える。
【００２６】マイクロストリップライン２１と段差筒端
部１９−２と主筒部１９−１との各境界における３つの
フリンジングキャパシタンスＣＦのコンデンサをそれぞ
れ並列に配し、これら３つのフリンジングキャパシタン
スＣｆ１、Ｃｆ２、Ｃｆ３のコンデンサの間に分布定数
線路（長さＬ１及びＬ２）を直列に配して表される。
部１９−２と主筒部１９−１との各境界における３つの
フリンジングキャパシタンスＣＦのコンデンサをそれぞ
れ並列に配し、これら３つのフリンジングキャパシタン
スＣｆ１、Ｃｆ２、Ｃｆ３のコンデンサの間に分布定数
線路（長さＬ１及びＬ２）を直列に配して表される。
【００２７】尚、Ｃｆ１＝Ｃｆ２＝０．０１５ｐＦ、Ｃ
ｆ３＝０．０５ｐＦ Ｌ１＝１．０ｍｍ、Ｌ２＝０．７５ｍｍとして試算す
る。
ｆ３＝０．０５ｐＦ Ｌ１＝１．０ｍｍ、Ｌ２＝０．７５ｍｍとして試算す
る。
【００２８】図１２のマトリックス等式を用いて図１１
の等価回路を解析する結果、ＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ
Ｓｔａｎｄｉｎｇ Ｗａｖｅ Ｒａｔｉｏ；電圧定在
波比）を計算する。それにより、図１２〜図１５に示
す、周波数−ＶＳＷＲ特性を求めることができる。
の等価回路を解析する結果、ＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ
Ｓｔａｎｄｉｎｇ Ｗａｖｅ Ｒａｔｉｏ；電圧定在
波比）を計算する。それにより、図１２〜図１５に示
す、周波数−ＶＳＷＲ特性を求めることができる。
【００２９】詳しく述べると、マイクロストリップライ
ン２１の特性インピーダンスをＺ０＝５０Ωとし、Ｚ１
およびＺ２を５０Ω近傍に設定して、シミュレーション
すると、図１３〜図１６の評価データに係る周波数−Ｖ
ＳＷＲ特性図（電圧定在波比）が得られる。図１３〜図
１５の評価データでは、設定が不適切である。
ン２１の特性インピーダンスをＺ０＝５０Ωとし、Ｚ１
およびＺ２を５０Ω近傍に設定して、シミュレーション
すると、図１３〜図１６の評価データに係る周波数−Ｖ
ＳＷＲ特性図（電圧定在波比）が得られる。図１３〜図
１５の評価データでは、設定が不適切である。
【００３０】しかしながら、図１６の評価データに係る
周波数−ＶＳＷＲ特性図（電圧定在波比）に示すよう
に、Ｚ１＝４６Ω、Ｚ２＝５０Ωに設定するとき、最適
であることが判明した。
周波数−ＶＳＷＲ特性図（電圧定在波比）に示すよう
に、Ｚ１＝４６Ω、Ｚ２＝５０Ωに設定するとき、最適
であることが判明した。
【００３１】次に、本発明の実施の形態による同軸コネ
クタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造の変
形例について図５〜図８を参照して説明する。
クタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造の変
形例について図５〜図８を参照して説明する。
【００３２】同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメ
チックシール構造の変形例における中心導体１１Ａの中
心コンタクト１１−１は、導電パターン２３に搭載する
先端幅寸法ｗ２を持つ先端部１１−１ａと、先端部１１
−１ａから延設し先端幅寸法ｗ２より大きい中間拡大幅
寸法ｗ１を持つ中間封止部１１−１ｂとを備える。この
場合、パラメータ数が大きくなり、設計自由度が広くな
るという効果がある。
チックシール構造の変形例における中心導体１１Ａの中
心コンタクト１１−１は、導電パターン２３に搭載する
先端幅寸法ｗ２を持つ先端部１１−１ａと、先端部１１
−１ａから延設し先端幅寸法ｗ２より大きい中間拡大幅
寸法ｗ１を持つ中間封止部１１−１ｂとを備える。この
場合、パラメータ数が大きくなり、設計自由度が広くな
るという効果がある。
【００３３】
【発明の効果】本発明では、外部導体内直径より小さい
内周面の主直径を持つ主筒部と、主直径より小さい小直
径を持つ縮小内周面を持つ段差筒端部とを有するハーメ
チックシールハウジングを備える。同軸コネクタの中心
導体の中心コンタクトすなわち板状接触部は、ハーメチ
ックシールハウジングの段差筒端部内に配され、主筒部
および段差筒端部の位置でそれぞれインピーダンス設定
される結果、マイクロストリップラインでは、特性イン
ピーダンスの整合が維持されるという効果を奏する。
内周面の主直径を持つ主筒部と、主直径より小さい小直
径を持つ縮小内周面を持つ段差筒端部とを有するハーメ
チックシールハウジングを備える。同軸コネクタの中心
導体の中心コンタクトすなわち板状接触部は、ハーメチ
ックシールハウジングの段差筒端部内に配され、主筒部
および段差筒端部の位置でそれぞれインピーダンス設定
される結果、マイクロストリップラインでは、特性イン
ピーダンスの整合が維持されるという効果を奏する。
【００３４】これにより、シール構造が堅固でＲＦ整合
を維持し、接続作業が容易で良好な接続状態の製品を多
数安定して製作できる同軸コネクタ・ストリップライン
・ハーメチックシール構造を提供できる。
を維持し、接続作業が容易で良好な接続状態の製品を多
数安定して製作できる同軸コネクタ・ストリップライン
・ハーメチックシール構造を提供できる。
【図１】本発明の実施の形態による同軸コネクタ・スト
リップライン・ハーメチックシール構造の要部すなわち
中心導体１１の斜視図である。
リップライン・ハーメチックシール構造の要部すなわち
中心導体１１の斜視図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】本発明の実施の形態による同軸コネクタ・スト
リップライン・ハーメチックシール構造においてその上
蓋１９Ｂを除去し、ハーメチックシールハウジング１９
の一部断面を持つ上面図である。
リップライン・ハーメチックシール構造においてその上
蓋１９Ｂを除去し、ハーメチックシールハウジング１９
の一部断面を持つ上面図である。
【図４】本発明の実施の形態による同軸コネクタ・スト
リップライン・ハーメチックシール構造の断面図であ
る。
リップライン・ハーメチックシール構造の断面図であ
る。
【図５】本発明の実施の形態による同軸コネクタ・スト
リップライン・ハーメチックシール構造の変形例の要部
すなわち中心導体１１Ａの斜視図である。
リップライン・ハーメチックシール構造の変形例の要部
すなわち中心導体１１Ａの斜視図である。
【図６】図５の平面図である。
【図７】図５の変形例からその上蓋１９Ｂを除去し、ハ
ーメチックシールハウジング１９の一部断面を持つ上面
図である。
ーメチックシールハウジング１９の一部断面を持つ上面
図である。
【図８】図７の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態による同軸コネクタ・スト
リップライン・ハーメチックシール構造の特性インピー
ダンスを求める計算式を示す図である。
リップライン・ハーメチックシール構造の特性インピー
ダンスを求める計算式を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態による同軸コネクタ・ス
トリップライン・ハーメチックシール構造の寸法値の表
で、ｗ２寸法とＤ３寸法との組み合わせた図である。
トリップライン・ハーメチックシール構造の寸法値の表
で、ｗ２寸法とＤ３寸法との組み合わせた図である。
【図１１】本発明の実施の形態による同軸コネクタ・ス
トリップライン・ハーメチックシール構造の等価回路図
である。
トリップライン・ハーメチックシール構造の等価回路図
である。
【図１２】図９の等価回路を解析するためのマトリック
スである。
スである。
【図１３】図１０に基づいた評価データに係る周波数−
ＶＳＷＲ（電圧定在波比）特性図で、Ｚ０＝５０Ω、Ｚ
１＝５０Ω、Ｚ２＝５０Ωに設定するとき、周波数が大
きくなるとＶＳＷＲが大きくなり反射量が大きくなって
設定が不適切であることを示す。
ＶＳＷＲ（電圧定在波比）特性図で、Ｚ０＝５０Ω、Ｚ
１＝５０Ω、Ｚ２＝５０Ωに設定するとき、周波数が大
きくなるとＶＳＷＲが大きくなり反射量が大きくなって
設定が不適切であることを示す。
【図１４】図１０に基づいた評価データに係る周波数−
ＶＳＷＲ（電圧定在波比）特性図で、Ｚ０＝５０Ω、Ｚ
１＝４９Ω、Ｚ２＝５１Ωに設定するとき、周波数が大
きくなるとＶＳＷＲが大きくなり反射量が大きくなって
設定が不適切であることを示す。
ＶＳＷＲ（電圧定在波比）特性図で、Ｚ０＝５０Ω、Ｚ
１＝４９Ω、Ｚ２＝５１Ωに設定するとき、周波数が大
きくなるとＶＳＷＲが大きくなり反射量が大きくなって
設定が不適切であることを示す。
【図１５】図１０に基づいた評価データに係る周波数−
ＶＳＷＲ（電圧定在波比）特性図で、Ｚ０＝５０Ω、Ｚ
１＝５１Ω、Ｚ２＝５０Ωに設定するとき、周波数が大
きくなるとＶＳＷＲが大きくなり反射量が大きくなって
設定が不適切であることを示す。
ＶＳＷＲ（電圧定在波比）特性図で、Ｚ０＝５０Ω、Ｚ
１＝５１Ω、Ｚ２＝５０Ωに設定するとき、周波数が大
きくなるとＶＳＷＲが大きくなり反射量が大きくなって
設定が不適切であることを示す。
【図１６】図１０に基づいた評価データに係る周波数−
ＶＳＷＲ特性図（電圧定在波比）で、Ｚ０＝５０Ω、Ｚ
１＝４６Ω、Ｚ２＝５０Ωに設定するとき、周波数が大
きくなるとＶＳＷＲが飽和状態になる結果、広い周波数
範囲においてＶＳＷＲが一様に小さく反射量が小さくて
設定が適切であるを示す。
ＶＳＷＲ特性図（電圧定在波比）で、Ｚ０＝５０Ω、Ｚ
１＝４６Ω、Ｚ２＝５０Ωに設定するとき、周波数が大
きくなるとＶＳＷＲが飽和状態になる結果、広い周波数
範囲においてＶＳＷＲが一様に小さく反射量が小さくて
設定が適切であるを示す。
φｄ１ 中心導体１１の外径 ｗ２ 中心導体１１の中心コンタクト１１−１にお
ける先端幅寸法 Ｄ１ 主直径（＜Ｄ２） Ｄ２ 外部導体内直径（＞Ｄ１） Ｄ３ 小直径（＜Ｄ１） Ｚ０ ストリップライン２１（終端）部分の特性イ
ンピーダンス Ｚ１ 段差筒端部１９−２部分の特性インピーダン
ス Ｚ２ 主筒部１９−１部分の特性インピーダンス １１ 中心導体 １１Ａ 中心導体 １１−１ 板状接触部を持つ中心コンタクト １１−１ａ 板状接触部の先端部 １１−１ｂ 板状接触部の中間封止部 １３ 筒状外部導体 １５ 同軸コネクタ １７ ハーメチック材料 １７Ａ ミニスカス １９ ハーメチックシールハウジング（シール部） １９Ａ ハーメチックシールハウジング（本体部） １９Ｂ ハーメチックシールハウジング（上蓋） １９Ｃ 半田付け流し込み １９Ｄ 溶接 １９−１ 主筒部 １９−２ 段差筒端部 ２１ マイクロストリップライン ２３ 導電パターン ２５ 誘電体基板 ２７ グランドプレーン
ける先端幅寸法 Ｄ１ 主直径（＜Ｄ２） Ｄ２ 外部導体内直径（＞Ｄ１） Ｄ３ 小直径（＜Ｄ１） Ｚ０ ストリップライン２１（終端）部分の特性イ
ンピーダンス Ｚ１ 段差筒端部１９−２部分の特性インピーダン
ス Ｚ２ 主筒部１９−１部分の特性インピーダンス １１ 中心導体 １１Ａ 中心導体 １１−１ 板状接触部を持つ中心コンタクト １１−１ａ 板状接触部の先端部 １１−１ｂ 板状接触部の中間封止部 １３ 筒状外部導体 １５ 同軸コネクタ １７ ハーメチック材料 １７Ａ ミニスカス １９ ハーメチックシールハウジング（シール部） １９Ａ ハーメチックシールハウジング（本体部） １９Ｂ ハーメチックシールハウジング（上蓋） １９Ｃ 半田付け流し込み １９Ｄ 溶接 １９−１ 主筒部 １９−２ 段差筒端部 ２１ マイクロストリップライン ２３ 導電パターン ２５ 誘電体基板 ２７ グランドプレーン
Claims (3)
- 【請求項１】 同軸コネクタの中心コンタクトをハーメ
チック材料と共に収納する内周面を持つハーメチックシ
ールハウジングと、前記中心コンタクトの先端を搭載す
るマイクロストリップラインとを有し、 前記マイクロストリップラインは、前記中心コンタクト
の先端を搭載し接続する導電パターンと、誘電体を介在
して前記同軸コネクタの筒状外部導体に接続されるグラ
ンドプレーンとを持つ同軸コネクタ・ストリップライン
・ハーメチックシール構造であって、 前記ハーメチックシールハウジングは、前記内周面の主
直径を持つ主筒部と、該主直径より小さい小直径を持つ
縮小内周面を持つ段差筒端部とを備えると共に、前記内
周面の主直径は前記筒状外部導体の内直径より小さい段
差内周面を有する段差ハーメチックシール構造を備え、 前記中心コンタクトは、前記長手方向に直交する断面が
板状を呈する板状接触部を形成し、該板状接触部を前記
段差ハーメチックシールハウジングの段差筒端部に配
し、ミスマッチングによる反射信号が発生しないよう
に、前記主筒部および前記段差筒端部のそれぞれの位置
におけるインピーダンス設定をする結果、前記マイクロ
ストリップラインは、特性インピーダンスの整合を維持
することを特徴とする同軸コネクタ・ストリップライン
・ハーメチックシール構造。 - 【請求項２】 請求項１に記載の同軸コネクタ・ストリ
ップライン・ハーメチックシール構造において、 前記板状接触部は、前記導電パターンに搭載する先端幅
寸法を持つ先端部と、該先端部から延設し該先端幅寸法
より大きい中間拡大幅寸法を持つ中間封止部とを備え、 該中間封止部は、前記主筒部内に配されることを特徴と
する同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシ
ール構造。 - 【請求項３】 請求項１に記載の同軸コネクタ・ストリ
ップライン・ハーメチックシール構造において、 前記同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシ
ール構造は、前記同軸コネクタを入力端とし、前記マイ
クロストリップラインの前記特性インピーダンスを終端
に備えると共に、 前記入力端と該終端との間の段差ハーメチックシール構
造は、前記マイクロストリップラインと前記段差筒端部
と前記主筒部との各境界における３つのフリンジングキ
ャパシタンスのコンデンサをそれぞれ並列に配し、これ
ら３つのフリンジングキャパシタンスのコンデンサの間
にインダクタンスを直列に配した等価回路で表されるこ
とを特徴とする同軸コネクタ・ストリップライン・ハー
メチックシール構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000070136A JP2001257510A (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000070136A JP2001257510A (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001257510A true JP2001257510A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18588914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000070136A Withdrawn JP2001257510A (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 同軸コネクタ・ストリップライン・ハーメチックシール構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001257510A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009077365A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-04-09 | Kyocera Corp | 信号端子と信号線路導体との接続構造および電子部品搭載用パッケージならびに電子装置 |
| EP2950396A1 (en) | 2014-05-28 | 2015-12-02 | SMK Corporation | Airtight coaxial connector |
| RU198245U1 (ru) * | 2019-10-30 | 2020-06-25 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина) | Коаксиально-микрополосковый переход |
| CN114024117A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-08 | 天津七一二通信广播股份有限公司 | 一种同轴电缆微带线混合阻抗变换器 |
-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000070136A patent/JP2001257510A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009077365A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-04-09 | Kyocera Corp | 信号端子と信号線路導体との接続構造および電子部品搭載用パッケージならびに電子装置 |
| EP2950396A1 (en) | 2014-05-28 | 2015-12-02 | SMK Corporation | Airtight coaxial connector |
| CN105186238A (zh) * | 2014-05-28 | 2015-12-23 | Smk株式会社 | 气密型同轴连接器 |
| US9306317B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-05 | Smk Corporation | Airtight coaxial connector |
| RU198245U1 (ru) * | 2019-10-30 | 2020-06-25 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина) | Коаксиально-микрополосковый переход |
| CN114024117A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-08 | 天津七一二通信广播股份有限公司 | 一种同轴电缆微带线混合阻抗变换器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |