JP2001257423A

JP2001257423A - 半導体レーザ

Info

Publication number: JP2001257423A
Application number: JP2000066800A
Authority: JP
Inventors: Hideyoshi Horie; 秀善堀江; Hirotaka Oota; 弘貴太田
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2000-03-10
Filing date: 2000-03-10
Publication date: 2001-09-21

Abstract

(57)【要約】【課題】簡便な方法で半導体レーザの端面近傍の劣化
を抑制し、結果として高出力動作時においても高い信頼
性が確保されている半導体レーザを提供すること。【解決手段】第１導電型半導体基板、該基板の一方の
面上に接するように形成された第１導電型用オーム性電
極、該基板の反対の面上に形成された少なくとも第１導
電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層および
第２導電型コンタクト層を含むエピタキシャル層、およ
び該第２導電型コンタクト層の上に接するように形成さ
れた第２導電型用オーム性電極を有する半導体レーザで
あって、少なくとも一方のレーザ端面において前記第１
導電型用オーム性電極は前記第１導電型基板に接してい
ないこと、および、少なくとも一方のレーザ端面におい
て前記第２導電型オーム性電極は前記第２導電型コンタ
クト層に接していないことを特徴とする半導体レーザ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザに関す
るものである。本発明の半導体レーザは、特に光ファイ
バー増幅器用の励起光源等のように高出力かつ長寿命で
あることが要求される用途に好適に用いられる。

【０００２】

【従来の技術】近年における光情報処理技術、光通信技
術の進展は目覚ましい。例えば、光磁気ディスクによる
高密度記録、光ファイバーネットワークによる双方向通
信と枚挙に暇がない。特に通信分野においては、今後の
マルチメディア時代に本格的に対応する大容量の光ファ
イバー伝送路とともに、その伝送方式に対する柔軟性を
持つ信号増幅用のアンプとして、Ｅｒ³⁺等の希土類をド
ープした光ファイバー増幅器（ＥＤＦＡ）の研究が各方
面で盛んに行われている。そして、ＥＤＦＡのコンポー
ネントとして不可欠な要素である高出力で長寿命の半導
体レーザの開発が待たれている。

【０００３】ＥＤＦＡ応用に供することのできる半導体
レーザの発振波長は原理的に３種類存在し、８００ｎ
ｍ、９８０ｎｍ、１４８０ｎｍである。このうち増幅器
そのものの側から見れば９８０ｎｍでの励起が、利得、
ノイズ等を考慮すると最も望ましいことが知られてい
る。この９８０ｎｍの発振波長を有するレーザは光ファ
イバーと結合させ利用するため、出射されるレーザ光
は、その横モードが注入電流、温度、ファイバー端面か
らの戻り光等によらずに安定していることが望まれる。
さらに、励起光源であることから、高出力、長寿命であ
ることが併せて期待されている。さらこの近傍の波長で
はＳＨＧ光源としての要求もあり、その他種々の応用面
においても高性能のレーザの開発が待たれている。

【０００４】しかしながら、従来報告されている９８０
ｎｍ近傍の波長を有する高出力半導体レーザ、とくに、
前記の様なＥＤＦＡの励起光源であって単一横モードで
の動作を前提とするレーザにおいては、その端面近傍の
劣化が、大きな問題となっている。これは非常に高い光
密度にレーザ光の出射端面がさらされることが原因の一
つである。ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザでも
よく知られているように、端面近傍には多数の表面準位
が存在するが、これらの準位は非発光再結合中心として
作用する。このため、端面付近で吸収された光はその近
傍の発熱をもたらすこととなる。このため、一般的に端
面近傍の温度はレーザ内部の温度よりも高くなる。さら
に、この温度上昇が端面近傍のバンドギャップを狭く
し、よりレーザ光を吸収しやすくするといった正帰還が
おきると説明されている。この現象は瞬時に大電流を流
した際に観測される端面破壊いわゆるＣＯＤ（Catastro
phicOptical Damage）として知られ、また長期に通電試
験した際のＣＯＤレベルの低下に伴う素子の突然劣化、
あるいは突然死としても観測される。

【０００５】これらの問題を解消するために、これまで
にも種々の提案がなされている。例えばレーザ端面上に
発振波長に対して透明な半導体材料をエピタキシャル成
長させ、端面近傍での光吸収を低減する方法がある。し
かしこの手法では、レーザをいわゆるバーの状態にして
端面へエピタキシャル成長を行うために、この後に行う
電極工程が非常に煩雑なものとなってしまう。

【０００６】また、ＺｎあるいはＳｉ等をレーザの端面
近傍の活性層に不純物として意図的に熱拡散またはイオ
ン打ち込みさせることによって活性層を無秩序化させる
方法も種々提案されている（特開平２−４５９９２号公
報、特開平３−３１０８３号公報、特開平６−３０２９
０６号公報）。しかし、一般にＬＤ製造工程で行われる
不純物拡散はレーザ素子のエピタキシャル方向から第１
導電型基板方向に向かって行われるため、拡散深さの制
御や、共振器方向などの様な意図しない方向への拡散の
制御に問題があり、安定した作製は難しい。また、イオ
ン打ち込みの場合には高エネルギーのイオンが端面から
導入されるため、たとえアニール処理を施したとしても
ＬＤ端面にダメージが残存しがちである。また不純物導
入を行った領域での抵抗の低下に伴う無効電流の増加は
レーザのしきい値電流や駆動電流を増加させる等の問題
がある。このように、これまでに提案された半導体発光
素子およびその製造方法はいずれも技術的に満足しうる
ものではなかった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこれらの従来
技術の問題点を解決することを課題とした。すなわち本
発明は、簡便な方法で半導体レーザの端面近傍の劣化を
抑制し、結果として高出力動作時においても高い信頼性
が確保されている半導体レーザを提供することを解決す
べき課題とした。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者はこれらの課題
を解決すべく鋭意検討を進めた結果、第１導電型半導体
基板、該基板の一方の面上に接するように形成された第
１導電型用オーム性電極、該基板の反対の面上に形成さ
れた少なくとも第１導電型クラッド層、活性層、第２導
電型クラッド層および第２導電型コンタクト層を含むエ
ピタキシャル層、および該第２導電型コンタクト層の上
に接するように形成された第２導電型用オーム性電極を
有する半導体レーザであって、少なくとも一方のレーザ
端面において前記第１導電型用オーム性電極は前記第１
導電型基板に接していないこと、および、少なくとも一
方のレーザ端面において前記第２導電型オーム性電極は
前記第２導電型コンタクト層に接していないことを特徴
とする本発明の半導体レーザによって課題を解決しうる
ことを見出した。

【０００９】本発明の半導体レーザにおいて、第１導電
型用オーム性電極が第１導電型基板に接している領域と
レーザ端面との距離をＲｎ（μｍ）とし、第２導電型用
オーム性電極が第２導電型コンタクト層に接している領
域とレーザ端面との距離をＲｐ（μｍ）とし、半導体レ
ーザの共振器長をＬｃ（μｍ）とし、第１導電型クラッ
ド層の厚みをＴ_clad1（μｍ）とし、第２導電型クラッ
ド層の厚みをＴ_clad2（μｍ）とし、第２導電型コンタ
クト層の厚みをＴ_cont2（μｍ）としたとき、以下の
（式１）〜（式４）の条件を満足することが好ましい。

【数５】Ｒｐ ≦ Ｒｎ（式１）０．０２ｘＬｃ ≦ Ｒｐ（式２）５ｘ（Ｔ_clad2＋Ｔ_cont2） ≦ Ｒｐ（式３）２０ｘＴ_clad1≦ Ｒｎ（式４）

【００１０】本発明の半導体レーザの好ましい態様とし
て、第１導電型半導体基板上であって第１導電型用オー
ム性電極が形成されていない部分の好ましくは全面に、
第１ショットキー性電極が接するように形成されている
態様；第２導電型コンタクト層と第２導電型用オーム性
電極の間に開口部を有する電流狭窄層（好ましくはＳｉ
Ｎｘ、ＳｉＯｘまたはＡｌＯｘを含む誘電体膜）が形成
されており、該開口部において第２導電型コンタクト層
と第２導電型用オーム性電極が接する態様；第１導電型
がｎ型であり、第２導電型がｐ型である態様；活性層が
量子井戸構造を含む態様；半導体レーザの発振波長が９
００〜１２００ｎｍである態様；基板がＧａＡｓ第１導
電型基板であって、活性層がアンドープＩｎ_xＧａ₁―_x
Ａｓ（０＜ｘ＜１）歪量子井戸を含み、光ガイド層を有
する態様；光ガイド層にｎ型の不純物、好ましくはＳｉ
が含まれている態様；光ガイド層がＧａＡｓである態様
を挙げることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の半導体レ
ーザの好ましい構成例およびその製造法について具体的
に説明する。本発明の半導体レーザは、第１導電型半導
体基板、該基板の一方の面上に接するように形成された
第１導電型用オーム性電極、該基板の反対の面上に形成
された少なくとも第１導電型クラッド層、活性層、第２
導電型クラッド層および第２導電型コンタクト層を含む
エピタキシャル層、および該第２導電型コンタクト層の
上に接するように形成された第２導電型用オーム性電極
を少なくとも有する。本発明の半導体レーザの特徴は、
少なくとも一方の端面において、上記ＲｎとＲｐがいず
れも０ではない点にある。

【００１２】このような本発明の半導体レーザの構造的
特徴を、図１および図２に示す本発明の具体的態様を参
照しながら説明する。この半導体レーザの態様では、図
２の断面図に示すように半導体ウエハーが屈折率導波構
造を有し、第２導電型クラッド層が二層に分かれ、第２
導電型第２クラッド層と電流ブロック層とで横方向の光
閉じ込め構造を形成している。具体的には、第１導電型
半導体基板（１）の上に、バッファ層（２）、第１導電
型クラッド層（３）、活性層（４）、第２導電型第１ク
ラッド層（５）、第２エッチング阻止層（６）、第１エ
ッチング阻止層（７）、電流ブロック層（９）、キャッ
プ層（１０）が順に形成されており、第１エッチング阻
止層（７）、電流ブロック層（９）、キャップ層（１
０）にはエッチングにより電流注入領域（１３）となる
開口部が形成されている。該開口部とキャップ層（１
０）の上には第２導電型第２クラッド層（８）、第２導
電型コンタクト層（１１）が形成されている。第２導電
型コンタクト層（１１）の上には、図１に示すように端
面からＲｐだけ内側まで開口している開口部（１４）を
有する電流狭窄層（２１）が形成されており、さらに該
開口部（１４）内部と電流狭窄層（２１）の上に第２導
電型用オーム性電極（２２）が形成されている。また、
基板（１）の反対側には、図１に示すように端面からＲ
ｎだけ内側まで形成された第１導電型オーム性電極（３
１）と、該電極の全面を覆うように形成された第１ショ
ットキー電極（３２）が設けられている。

【００１３】本発明の半導体レーザにおいて、第１導電
型半導体基板（１）としては、ＧａＡｓまたはＩｎＰ等
の単結晶基板が多く使用される。またもっとも多くはＧ
ａＡｓ第１導電型基板が使用される。これらの単結晶か
らなる第１導電型半導体基板（１）は、通常、バルク結
晶から切り出して得られる。

【００１４】バッファ層（２）は、第１導電型基板のバ
ルク結晶の不完全性を緩和し、結晶軸を同一にしたエピ
タキシャル薄膜の形成を容易にするために設けることが
好ましい。バッファ層（２）は、第１導電型半導体基板
（１）と同一の化合物で構成するのが好ましく、通常、
ＧａＡｓが使用される。バッファ層は必ずしも形成しな
くてもよい。

【００１５】第１導電型クラッド層（３）は、通常、活
性層（４）の屈折率より小さな屈折率を有する材料で構
成され、バッファ層（２）としてＧａＡｓを使用した場
合は、通常、ＡｌＧａＡｓ系材料（Ａｌ_VＧａ_1-VＡｓ）
が使用され、その混晶比は、屈折率が上記の条件を満足
する様に適宜選択される。

【００１６】活性層（４）の材料および構造は、目的と
する発振波長や出力などによって適宜選択され、あらゆ
る材料系、また構造を用いることができる。しかしなが
ら、本発明に用いられる活性層は量子井戸構造を含むこ
とが好ましい。バンドギャップの縮小効果（S.Tarucha
et al., Jpn. J. Appl. Phys. vol 23, pp. 874-878,19
84）によって、一般に半導体レーザの発振は活性層の自
然放出光よりも長波長側で起きることが広く知られてい
る。量子井戸を含む活性層では階段状の状態密度を反映
して、この発振する長波長側での吸収がバルク活性層に
比較して格段に小さいという特徴を有している。このた
め、後述するように、第１導電型用、第２導電型用オー
ム性電極を端面から適切な距離だけ離し、端面近傍への
電流の注入を抑制する際に、量子井戸を含む活性層では
バルク活性層と比較して、電流注入が抑制されている部
分の導波路としての吸収を小さくできる優位性がある。

【００１７】さらに活性層はＧａＡｓ第１導電型基板の
上に形成されたアンドープＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ（０＜ｘ＜
１）歪量子井戸を含むことが望ましい。この系では圧縮
性の応力が活性層に加わっており、臨界膜厚を超えない
範囲であれば、電流注入が抑制されている部分の導波路
としての吸収をさらに小さくできる可能性がある。特に
発振波長９００〜１２００ｎｍ程度の範囲のレーザでは
これが効果的である。

【００１８】活性層の構造としては各種構造（SQW-sing
le quantum well、MQW-multi quantum well）等を採用す
ることができる。そして、量子井戸を含む場合には、通
常、光ガイド層が併用される。光ガイド層の構造として
は、活性層の両側に光ガイド層を設けた構造（ＳＣＨ構
造）、光ガイド層の組成を徐々に変化させることにより
屈折率を連続的に変化させた構造（ＧＲＩＮ−ＳＣＨ構
造）等を採用することができる。光ガイド層の組成とし
ては、Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）が好ましく、特
にＧａＡｓであることがさらに望ましい。

【００１９】また光ガイド層にはｎ型の不純物が含まれ
ていることが望ましい。これは活性層全体の電気抵抗を
低減させ、活性層へのキャリアの注入に際して、各オー
ム性電極の電流注入端からレーザ端面への極端なキャリ
アの拡散が助長されたり、端面近傍への電流注入抑制効
果が損なわれたりしない様にするのに効果がある。

【００２０】第２導電型第１クラッド層（５）は、活性
層（４）より小さな屈折率を有する材料で構成される。
そして、第２導電型第１クラッド層（５）の屈折率と、
第１導電型クラッド層（３）の屈折率は通常同一にす
る。従って、第２導電型第１クラッド層（５）の材料と
しては、第１導電型クラッド層（３）と同様に、通常、
ＡｌＧａＡｓ系材料が使用され、その混晶比は、第１導
電型クラッド層（３）と通常同一とする。この構造で
は、第２導電型第１クラッド層（５）が、Ａｌ_WＧａ_1-W
Ａｓからなる層に相当する。

【００２１】図１には、二種類のエッチング阻止層およ
びキャップ層が記載されているが、これらの層は、本発
明の好ましい態様において採用され、電流注入領域の作
り込みを精密かつ容易に行うのに有効である。第２エッ
チング阻止層（６）は、Ａｌ _aＧａ_1-aＡｓ（０≦ａ≦
１）材料にて構成されるが通常はＧａＡｓが好適に使用
される。これはＭＯＣＶＤ法等で第２導電型第２クラッ
ド層等を、特に、ＡｌＧａＡｓ系で再成長させる際に結
晶性よく積層することができるためである。第２エッチ
ング阻止層（６）の厚みは通常２ｎｍ以上が好ましい。

【００２２】第１エッチング阻止層（７）は、Ｉｎ_bＧ
ａ_1-bＰ（０≦ｂ≦１）で表される層が好適であり、本
発明のようにＧａＡｓを第１導電型半導体基板として使
用した際は、通常歪みのない系でｂ＝０．５が用いられ
る。第１エッチング阻止層の厚みは通常５ｎｍ以上であ
り、好ましくは１０ｎｍ以上である。また、Ｉｎ_0.5Ｇ
ａ_0.5ＰはＡｌＧａＡｓと比べて放熱性に劣るので、１
００ｎｍ以下が好ましい。５ｎｍ未満であると、膜厚の
乱れ等により、エッチングを阻止することができなくな
ってしまう可能性がある。一方膜厚によっては歪み系を
用いることもでき、ｂ＝０、ｂ＝１等を用いることも可
能である。歪み系を用いる場合、膜厚は１分子層から１
５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ以下である。その様に膜厚
が薄ければ、格子整合がとれなくても、内在する歪みが
緩和されるので問題ない。

【００２３】電流ブロック層（９）は、文字通り電流を
ブロックして実質的に流さない機能を有する層である。
このため、電流ブロック層の導電型は第１導電型クラッ
ド層と同一かあるいはアンドープとすることが好まし
く、また、通常Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓ（０＜ｙ≦１）からな
る第２導電型第２クラッド層（８）より屈折率が小さい
ことが好ましい。通常、電流ブロック層もＡｌ_zＧａ_1-z
Ａｓ（０≦ｚ≦１）からなることが好ましく、したがっ
て混晶比としてはｚ≧ｙになることが好ましい。また、
上述の光ガイド層との関係では、ｘ＜ｙ≦ｚとすること
が好ましい。

【００２４】また、電流ブロック層はＩｎ_0.5Ｇａ_0.5Ｐ
で構成することもできる。その場合、Ａｌ_aＧａ_1-aＡｓ
（０≦ａ≦１）第２エッチング阻止層（６）のみでＩｎ
_0.5Ｇａ_0.5Ｐ電流ブロック層のエッチングを停止させる
ことができ、かつその後のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ（０＜ｙ≦
１）第２導電型第２クラッド層（８）の再成長も容易に
行うことができるので、上記のＩｎ_bＧａ_1-bＰ（０≦ｂ
≦１）からなる第１エッチング阻止層（７）は不要であ
る。

【００２５】電流ブロック層により形成される電流注入
領域（１３）は、第１導電型用オーム性電極が第１導電
型基板に接している領域と対向していることが好まし
い。また、電流ブロック層により形成される電流注入領
域（１３）は、第２導電型用オーム性電極が第２導電型
コンタクト層に接している領域と対向していることが好
ましい。

【００２６】さらに長寿命の半導体レーザ実現のために
は、第１導電型第１クラッド層（３）、第２導電型第１
クラッド層（５）、第２導電型第２クラッド層（８）等
には、Ａｌ混晶比のあまり高くない材料を用いるのが好
ましい。具体的には、各層のＡｌ混晶比ｖ、ｗおよびｙ
は、それぞれ０．４以下であることがことが望ましい。
より好ましくは、レーザ温度特性との関係から０．３〜
０．４の範囲内に設定する。

【００２７】キャップ層（１０）は、第１回目成長にお
いて第１電流ブロック層（９）の保護層として用いられ
ると同時に第２導電型第２クラッド層（８）の成長を容
易にするために用いられ、素子構造を得る前に、一部ま
たは全て除去される。

【００２８】第２導電型第２クラッド層（８）は、活性
層（４）より小さな屈折率を有する材料で構成される。
第２導電型第２クラッド層（８）の屈折率は、第１導電
型クラッド層（３）や第２導電型第１クラッド層（５）
の屈折率と通常は同じにする。従って、第２導電型第２
クラッド層（８）の材料としては、通常、ＡｌＧａＡｓ
系材料が使用され、その混晶比は、第１導電型クラッド
層（３）、第２導電型第１クラッド層（５）と通常は同
一である。

【００２９】第２導電型第２クラッド層（８）上には電
極の接触抵抗率を下げるため等の目的で第２導電型コン
タクト層（１１）を設ける。第２導電型コンタクト層
（１１）は、通常、ＧａＡｓ材料にて構成される。この
層は通常電極との接触抵抗率を低くするためにキャリア
濃度を他の層より高くする。

【００３０】本発明の半導体レーザを構成する各層の厚
みは、各層に求められる機能を有効に発揮しうる厚みで
あれば特に制限されない。通常、バッファ層（２）の厚
みは０．１〜１μｍ、好ましくは０．５〜１μｍ、第１
導電型クラッド層（３）の厚みは０．５〜５μｍ、好ま
しくは１〜３μｍ、活性層（４）の厚みは量子井戸構造
の場合１層当たり０．０００５〜０．０２μｍ、好まし
くは０．００３〜０．２μｍ、第２導電型第１クラッド
層（５）の厚みは０．０５〜０．３μｍ、好ましくは
０．０５〜０．２μｍ、第２導電型第２クラッド層
（８）の厚みは０．５〜５μｍ、好ましくは１〜３μ
ｍ、キャップ層（１０）の厚みは０．００５〜０．５μ
ｍ、好ましくは０．００５〜０．３μｍ、第１導電型電
流ブロック層（９）の厚みは０．３〜２μｍ、好ましく
は０．３〜１μｍの範囲から選択される。

【００３１】第２導電型コンタクト層（１１）の上に
は、電流狭窄層（２１）を設けることが望ましい。この
層は、第２導電型用オーム性電極（２２）が前記第２導
電型コンタクト層（１１）と直接接触する面積を低減
し、第２導電型キャリアの注入をレーザチップの共振器
方向、あるいはこれと直行する方向で制限するために形
成されるものである。この電流狭窄層（２１）は電流を
流さないものであれば、その材質には制限はないが、Ｓ
ｉＮｘ，ＳｉＯｘ，ＡｌＯｘを含む誘電体であることが
望ましい。またこの中で特にＳｉＮｘが好ましい。この
ような誘電体膜の厚みは５００ｎｍ以下であることが好
ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、１
５０ｎｍ以下であることが特に好ましい。

【００３２】この電流狭窄層（２１）中には後述する第
２導電型用オーム性電極（２２）が第２導電型コンタク
ト層（１１）と接触するための電流注入路が形成される
こととなる。このような電流注入路は、例えば電流狭窄
層（２１）を第２導電型コンタクト層（１１）上の全面
に形成し、電流を注入する領域のみフォトリソグラフィ
ー法などによって除去し、その上から第２導電型用オー
ム性電極（２２）を電極を蒸着するなどの方法により容
易に形成することができる。

【００３３】第２導電型コンタクト層（１１）の上には
直接接触して、または、その一部は電流狭窄層（２１）
を介して、第２導電型用オーム性電極（２２）が形成さ
れる。第２導電型用オーム性電極（２２）が第２導電型
コンタクト層（１１）に直接接触する領域は、少なくと
も一方のレーザ端面よりもＲｐ（μｍ）だけ離れて形成
される。この部分はレーザに対する第２導電型のキャリ
アの注入を妨げる機能を持ち、このためレーザが高出力
動作、あるいは高温動作をしている際に、端面近傍の電
流負荷が低減することで、その劣化を抑制するのに効果
的である。

【００３４】第２導電型コンタクト層（１１）の上に直
接接触して第２導電型用オーム性電極が形成されている
場合には、この電流が注入されない部分は第２導電型用
オーム性電極そのものを少なくとも一方の端面から距離
Ｒｐ（μｍ）だけ離して形成することで実現することが
できる。一方、電流狭窄層（２１）を介して第２導電型
用オーム性電極（２２）の一部が第２導電型コンタクト
層（１１）と接触している場合には、電流注入路を形成
する際に、注入路をすくなくとも一方のレーザ端面から
Ｒｐ（μｍ）だけ離すことで実現可能である。特にレー
ザ光が大量に出射される前端面側に電流を注入しない作
用は大きい。また一般には共振器を形成する端面の両側
とも、距離Ｒｐ（μｍ）だけ離して第２導電型コンタク
ト層（１１）と第２導電型用オーム性電極（２２）を接
触させるようにすることが望ましい。

【００３５】第２導電型用オーム性電極（２２）の材質
には制限はないが、第２導電型がｐ型の場合にはコンタ
クト層側からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの各層からなる電極、ま
たはＡｕＺｎ／Ａｕの各層からなる電極が望ましい。ま
た第２導電型がｎ型の場合にもコンタクト層側からＴｉ
／Ｐｔ／Ａｕの各層からなる電極は使用することができ
る。これら電極はアロイ処理することによって第２導電
型コンタクト層（１１）とのオーム性接触が実現される
のが普通である。

【００３６】第１導電型半導体基板（１）には第１導電
型用オーム性電極（３１）が、少なくとも一方のレーザ
端面よりもＲｎ（μｍ）だけ離れて形成される。この部
分はレーザに対する第１導電型のキャリアの注入を妨げ
る機能を持ち、このためレーザが高出力動作をしている
際に端面の劣化を抑制するのに効果的である。この効果
は前記第２導電型用オーム性電極（２２）からキャリア
が端面近傍に注入されないこととあわせてさらに効果的
に機能し、レーザの高出力動作、高温動作時における信
頼性の確保に重要な役割を果たすこととなる。

【００３７】第１導電型用オーム性電極（３１）はその
材質等に制限はないが、例えば第１導電型としてｎ型を
想定した場合には、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを順次に蒸着
した後、アロイ処理することによって形成されるものが
望ましい。またｐ型を想定した場合にはＴｉ／Ｐｕ／Ａ
ｕを順次に蒸着した後、アロイ処理することによって形
成されるものが望ましい。またこの場合にはＡｕＺｎ／
Ａｕを順次に蒸着した後、アロイ処理することによって
形成されるものも望ましい。

【００３８】また第１導電型用オーム性電極（３１）を
形成した基板上には、第１導電型用オーム性電極（３
１）を覆うように第１ショットキー性電極（３２）が形
成されることが望ましい。これは、基板側をＡｌＮ等の
放熱板にＡｕＳｎ等の半田材を用いてマウントする際
に、第１ショットキー性電極によって、端面近傍に電流
が注入されない機能とさらに端面近傍の放熱性を確保す
る機能の両立を実現させるためである。第１ショットキ
ー性電極（３１）としては第１導電型基板に対してショ
ットキー特性を示す材料であれば制限はないが、Ｔｉ／
Ａｕ等を順次蒸着したものが望ましい。

【００３９】本発明の半導体レーザでは、前記距離Ｒｐ
（μｍ）とＲｎ（μｍ）は、上記（式１）の条件を満た
すことが好ましい。これは一般に第１導電型半導体基板
（１）の厚みが第２導電型コンタクト層（１１）等に比
較して厚いためであり、（式１）を満たすことによりそ
れぞれのオーム性電極のキャリアの注入端からの端面側
へのキャリアの拡散を効果的に低減することができる。

【００４０】さらに本発明の半導体レーザでは、上記
（式２）〜（式４）の条件も満たすことが好ましい。こ
れらの条件を満たすことで、さらに効果的にレーザ端面
近傍へ電流注入を抑制することができる。これは第１導
電型クラッド層（３）、活性層（４）、第２導電型第１
クラッド層（５）、第２導電型第２クラッド層（８）、
第２導電型コンタクト層（１１）等において注入してい
るキャリアが拡散したとしても、電流注入を抑制する効
果が端面近傍で保存されるからである。なお、ＲｎとＲ
ｐについては、両端面について（式１）〜（式４）の条
件を満たすことが好ましい。

【００４１】その上に、電極を形成して完成されたウエ
ハは、まず、レーザバーに劈開される。レーザバーの端
面は、通常、前端面反射率が約２．５％、後端面反射率
が約９３％となる様にＳｉ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＮ_x等で非
対称コーティングし、次いで、チップ単位に分割し、レ
ーザーダイオード（ＬＤ）として利用する。以上の説明
は、グルーブ型の半導体レーザにかかわるものだが、本
発明は、実効屈折率差が特許請求の範囲に記載された範
囲内である限り、リッジ型の半導体レーザにも同様に適
用できる。

【００４２】図１および図２に示す態様を始めとする様
々な半導体レーザの基本的エピタキシャル構造の製法お
よびデバイスの製法は、特に制限されない。例えばエピ
タキシャル構造の製法については特開平８−１３０３４
４号公報を参考にすることができる。

【００４３】本発明の半導体レーザは光通信に用いられ
る光ファイバー増幅器用の光源や、情報処理用の大規模
光磁気メモリーのピックアップ光源として用いられ、層
構成や使用材料等を適宜選択することによってさらに様
々な用途へ応用することもできる。

【００４４】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。以下の実施例に示す材料、濃度、厚み、操
作手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更す
ることができる。したがって、本発明の範囲は以下の実
施例に示す具体例に制限されるものではない。また、以
下の実施例で参照している図２および図３は、構造を把
握しやすくするために敢えて寸法を変えている部分があ
るが、実際の寸法は以下の実施例に記載されるとおりで
ある。

【００４５】（実施例１）本実施例では、図３（ａ）〜
（ｇ）に示す順に各層を形成することによりグルーブ型
のレーザ素子を製造した。本実施例で製造したレーザ素
子の層構成は、図３（ｇ）のＡ−Ａ’断面を示す図２の
通りである。

【００４６】キャリア濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ型Ｇａ
Ａｓ第１導電型基板（１）上に、ＭＢＥ法にて、バッフ
ァ層（２）として厚み１μｍでキャリア濃度１×１０¹⁸
ｃｍ ^-3のｎ型ＧａＡｓ層、第１導電型クラッド層（３）
として厚み２．５μｍでキャリア濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3
のｎ型Ａｌ_0.35Ｇａ_0.65Ａｓ層、活性層（４）として厚
み３０ｎｍでキャリア濃度１×１０¹⁷ｃｍ^-3のＳｉド？
プＧａＡｓ光ガイド層、厚み６ｎｍのアンドープＩｎ
_0.16Ｇａ_0.84Ａｓ歪量子井戸層、厚み１０ｎｍでキャリ
ア濃度１×１０¹⁷ｃｍ^-3のＳｉド？プＧａＡｓバリア
層、厚み６ｎｍのアンドープＩｎ_0.16Ｇａ_0.84Ａｓ歪量
子井戸層、および厚み３０ｎｍでキャリア濃度１×１０
¹⁷ｃｍ^-3のＳｉド？プＧａＡｓ光ガイド層からなる構
造、第２導電型第１クラッド層（５）として厚み０．１
μｍでキャリア濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｐ型Ａｌ_0.35Ｇ
ａ_0.65Ａｓ層、第２エッチング阻止層（６）として厚み
１０ｎｍでキャリア濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｐ型ＧａＡ
ｓ層、第１エッチング阻止層（７）として厚み２０ｎｍ
でキャリア濃度５×１０¹⁷ｃｍ^-3のｎ型Ｉｎ_0.49Ｇａ
_0.51Ｐ層、電流ブロック層（９）として厚み０．５μｍ
でキャリア濃度５×１０¹⁷ｃｍ^-3のｎ型Ａｌ_0.39Ｇａ
_0.61Ａｓ層、キャップ層（１０）として厚み１０ｎｍで
キャリア濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ型ＧａＡｓ層を順次
積層した。

【００４７】次に、キャップ層（１０）の上に幅１．５
μｍのストライプ状開口部を有するＳｉＮのマスクを設
けた。第１エッチング阻止層（７）をエッチングストッ
プ層としてエッチングを行い、電流注入領域（１３）を
形成すべくキャップ層（１０）と電流ブロック層（９）
を除去した。この時エッチング液としては、硫酸（９８
質量％）、過酸化水素（３０質量％水溶液）及び水を体
積比で１：１：５で混合したものを用い、２５℃で３０
秒間エッチングを行った。

【００４８】次いでＨＦ（４９％）とＮＨ₄Ｆ（４０
％）を１：６で混合したエッチング液に２分３０秒間浸
漬してＳｉＮ層を除去し、更に第２エッチング阻止層を
エッチングストップ層として、電流注入領域の第１エッ
チング阻止層をエッチング除去した（図３（ａ））。こ
の時エッチング液としては、塩酸（３５質量％）と水を
２：１に混合したものを用い、２５℃で２分間エッチン
グを行った。

【００４９】この後、ＭＯＣＶＤ法にて、第２導電型第
２クラッド層（８）としてキャリア濃度１×１０¹⁸ｃｍ
^-3のｐ型Ａｌ_0.35Ｇａ_0.65Ａｓ層を電流注入領域部分
（１３）の厚みが２．５μｍになるよう成長させ、さら
にその上に電極との良好な接触を保つための第２導電型
コンタクト層（１１）として、厚み３．５μｍでキャリ
ア濃度１×１０¹⁹ｃｍ^-3のｐ型ＧａＡｓ層を成長させ、
レーザエピタキシャル層（１２）を完成した（図３
（ｂ））。

【００５０】さらに、形成されたウエハーの第２導電型
コンタクト層（１１）上に、１２５ｎｍのＳｉＮをプラ
ズマＣＶＤ法で成膜した。次に、フォトリソグラフィー
技術と通常のエッチング技術を用いて、ＳｉＮ膜に開口
部（１４）を形成して電流狭窄層（２１）とした。開口
部（１４）は、電流ブロック層（９）にはさまれた電流
注入領域（１３）の直上に位置するように形成した（図
３（ｃ））。共振器方向と直行する方向の開口部幅は２
５μｍとし、また両共振器端面から６０μｍは開口部を
形成せずに電流が注入されない領域を形成した。ＳｉＮ
のエッチングはＳＦ₆プラズマを用いて行った。

【００５１】さらに開口部（１４）と電流狭窄層（２
１）の上に、通常のフォトリソグラフィー技術とリフト
オフ法を用いてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極を形成し、パター
ンニングした。この際の膜厚はそれぞれ７０ｎｍ／７０
ｎｍ／７００ｎｍとした。この後４５０℃で１０分熱処
理し、第２導電型用オーム性電極（２２）として、ｐ型
用オーム性電極を形成した（図３（ｄ））。形成された
電極をフォトレジストを用いて保護し、ウエハー全体の
厚みが１２０μｍになるようにｎ型ＧａＡｓ第１導電型
基板（１）をポリッシングした。

【００５２】ウエハーを洗浄後、通常のフォトリソグラ
フィー技術とリフトオフ法を用いて、電流注入領域（１
３）の直下に位置するように、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電
極を厚み１００ｎｍ／２０ｎｍ／５００ｎｍで蒸着し、
パターニングした。このとき、共振器方向と直行する方
向の幅は１００μｍとし、また両共振器端面から６０μ
ｍは電流が注入されない領域が形成されるようにした。
この後ウエハー全体を４００℃で５分熱処理し、第１導
電型用オーム性電極（３１）として、ｎ側用オーム性電
極を形成した（図３（ｅ））。最後にウエハーのｎ側に
Ｔｉ／Ａｕ第１ショットキー電極（３２）をそれぞれ１
０ｎｍ／５００ｎｍ全面に蒸着し、半導体レーザ用のウ
エハーを完成させた（図３（ｆ））。

【００５３】その後このウエハーを共振器長１０００μ
ｍのレーザバーに劈開し、常法に従い、前端面反射率
２．５％、後端面反射率９５％となる様に端面に非対称
コーティングを施した後、共振器方向と直行する方向の
大きさが５００μｍのチップに分割して単体のレーザ素
子とした。さらにこれら素子の基板側を、放熱用のＡｌ
ＮサブマウントにＡｕＳｎ半田を用いて接着し、電流注
入用のワイヤーボンド等を施し、デバイスを完成させ
た。

【００５４】本実施例で作製した半導体レーザは、Ｒｐ
が６０μｍ、Ｒｎが６０μｍ、共振器長Ｌｃが１０００
μｍ、ｎ側クラッド層の厚みＴ_clad1が２．５μｍ、ｐ
側クラッド層の厚みＴ_clad2が２．６μｍ（２．５＋
０．１）、ｐ側コンタクト層の厚みＴ_cont2が３．５μ
ｍであることから、上記（式１）〜（式４）の条件をす
べて満たしている。

【００５５】図４は本実施例で作製したデバイスの常温
におけるＣＷ駆動時の電流光出力特性を示したものであ
る。しきい値電流は２０．６ｍＡであり、スロープ効率
は０．８７Ｗ／Ａであった。また熱飽和によって規定さ
れた最大光出力は６３６．８ｍＷであり、２Ａの電流注
入まで端面の破壊に起因するＣＯＤ劣化等は確認されな
かった。また素子の信頼性を調べるために行った３５０
ｍＷ出力時５０℃の環境における５素子の寿命を試験し
た結果、１０００時間までの試験中に突然死を起こした
素子はなく、規格化した劣化率は９．０ｘ１０^-6（１／
ｈ）であり、非常に安定な動作が確認された。

【００５６】（実施例２）電流狭窄層（２１）を形成せ
ず、ｐ型コンタクト層側上に直接第２導電型オーム性電
極であるＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極を形成した点を変更し
て、実施例１と同様の方法によりデバイスを作製した。
このとき、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極は、通常のフォトリソ
グラフィー技術とリフトオフ法を用いて、電流注入領域
の直上の共振器と直行する方向の開口部幅が４００μｍ
となるようにし、かつ、両共振器端面から５０μｍは電
流が注入されない領域が形成されるように加工した。

【００５７】作製したデバイスの常温におけるＣＷ駆動
時の電流光出力特性を調べたところ、しきい値電流は２
０．４ｍＡであり、スロープ効率は０．８６Ｗ／Ａであ
った。また熱飽和によって規定された最大光出力は６１
５．４ｍＷであり、２Ａの電流注入まで端面の破壊に起
因するＣＯＤ劣化等は確認されなかった。また素子の信
頼性を調べるために、３５０ｍＷ出力時５０℃の環境に
おける５素子の寿命を試験した結果、１０００時間まで
の試験中に突然死を起こした素子はなく、規格化した劣
化率は９．５ｘ１０^-6（１／ｈ）であり、非常に安定な
動作が確認された。

【００５８】（実施例３）第１導電型オーム性電極を形
成した後の第１ショットキー電極（３２）の形成を省略
した以外は実施例１と同様の方法によりデバイスを作製
した。作製したデバイスの常温におけるＣＷ駆動時の電
流光出力特性を調べたところ、しきい値電流は２０．８
ｍＡであり、スロープ効率は０．８５Ｗ／Ａであった。
また熱飽和によって規定された最大光出力は５９５．３
ｍＷであり、２Ａの電流注入まで端面の破壊に起因する
ＣＯＤ劣化等は確認されなかった。また素子の信頼性を
調べるために、３５０ｍＷ出力時５０℃の環境における
５素子の寿命を試験した結果、１０００時間までの試験
中に突然死を起こした素子はなく、規格化した劣化率は
１．０ｘ１０^-5（１／ｈ）であり、安定な動作が確認さ
れた。

【００５９】（実施例４）電流狭窄層（２１）を、共振
器方向と直行する方向の開口部（１４）の幅が３０μｍ
で、両共振器端面から１０μｍは電流が注入されない領
域となるように形成し（Ｒｐ＝１０μｍ）、かつ、第１
導電型オーム性電極（３１）を、共振器方向と直行する
方向の幅が５０μｍで、両共振器端面から１５μｍは電
流が注入されない領域となるように形成した（Ｒｎ＝１
５μｍ）こと以外は実施例１と同様の方法によりデバイ
スを作製した。

【００６０】作製したデバイスの常温におけるＣＷ駆動
時の電流光出力特性を調べたところ、しきい値電流は２
０．０ｍＡであり、スロープ効率は０．８８Ｗ／Ａであ
った。また熱飽和によって規定された最大光出力は６０
０．５ｍＷであり、１．５Ａの電流注入まで端面の破壊
に起因するＣＯＤ劣化等は確認されなかった。また素子
の信頼性を調べるために、３５０ｍＷ出力時５０℃の環
境における５素子の寿命を試験した結果、１０００時間
までの試験中に突然死を起こした素子はなく、規格化し
た劣化率は１．２ｘ１０^-5（１／ｈ）であり、安定な動
作が確認された。

【００６１】（実施例５）ＧａＡｓ光ガイド層とＧａＡ
ｓバリア層をアンド？プとした以外は実施例１と同様の
方法によりデバイスを作製した。作製したデバイスの常
温におけるＣＷ駆動時の電流光出力特性を調べたとこ
ろ、しきい値電流は２４．５ｍＡであり、スロープ効率
は０．８４Ｗ／Ａであった。また熱飽和によって規定さ
れた最大光出力は６５０．７ｍＷであり、２Ａの電流注
入まで端面の破壊に起因するＣＯＤ劣化等は確認されな
かった。また素子の信頼性を調べるために、３５０ｍＷ
出力時５０℃の環境における５素子の寿命を試験した結
果、１０００時間までの試験中に突然死を起こした素子
はなく、規格化した劣化率は１．３ｘ１０^-5（１／ｈ）
であり、無故障動作が確認された。

【００６２】（比較例１）第２導電型オーム性電極を第
２導電型コンタクト層の全面に直接形成し、第１導電型
のオーム性電極を第１導電型基板の全面に直接形成した
以外は実施例１と同様の方法によりデバイスを作製し
た。図５は作製したデバイスの常温におけるＣＷ駆動時
の電流光出力特性を調べた結果である。しきい値電流は
２０．３ｍＡであり、スロープ効率は０．８７Ｗ／Ａで
あった。最大光出力は５２８．８ｍＷであり、この際に
ＣＯＤ劣化によってデバイスは破壊してしまった。また
素子の信頼性を調べるために、３５０ｍＷ出力時５０℃
の環境における５素子の寿命を試験した結果、２００時
間までに全てのデバイスが突然死を起こした。

【００６３】（比較例２）第１導電型オーム性電極を第
１導電型基板の全面に直接形成した以外は実施例１と同
様の方法によりデバイスを作製した。作製したデバイス
の常温におけるＣＷ駆動時の電流光出力特性を調べたと
ころ、しきい値電流は２０．６ｍＡであり、スロープ効
率は０．８６Ｗ／Ａであった。最大光出力は５４５．５
ｍＷであり、この際にＣＯＤ劣化によってデバイスは破
壊してしまった。また素子の信頼性を調べるために、３
５０ｍＷ出力時５０℃の環境における５素子の寿命を試
験した結果、４００時間までに全てのデバイスが突然死
を起こした。

【００６４】（比較例３）第２導電型オーム性電極を第
２導電型コンタクト層の全面に直接形成した以外は実施
例１と同様の方法によりデバイスを作製した。作製した
デバイスの常温におけるＣＷ駆動時の電流光出力特性を
調べたところ、しきい値電流は２０．７ｍＡであり、ス
ロープ効率は０．８６Ｗ／Ａであった。最大光出力は５
５０．７ｍＷであり、この際にＣＯＤ劣化によってデバ
イスは破壊してしまった。また素子の信頼性を調べるた
めに、３５０ｍＷ出力時５０℃の環境における５素子の
寿命を試験した結果、３５０時間までに全てのデバイス
が突然死を起こした。

【００６５】

【発明の効果】本発明は、簡便な方法で半導体レーザの
端面近傍の劣化を抑制し、結果として高出力動作時にお
いても高い信頼性が確保されている半導体レーザを提供
するものであり、多大な工業的利益を提供するものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体レーザの一態様を示す分解斜
視図である。

【図２】本発明の半導体レーザの一態様を示す断面図
である。

【図３】本発明の半導体レーザの製造工程を説明する
図である。

【図４】実施例１の半導体レーザの電流と光出力の関
係を示すグラフである。

【図５】比較例１の半導体レーザの電流と光出力の関
係を示すグラフである。

【符号の説明】

１基板２バッファ層３第１導電型クラッド層４活性層５第２導電型第１クラッド層６第２エッチング阻止層７第１エッチング阻止層８第２導電型第２クラッド層９電流ブロック層１０キャップ層１１第２導電型コンタクト層１２エピタキシャル層１３電流注入領域１４開口部２１電流狭窄層２２第２導電型用オーム性電極３１第１導電型オーム性電極３２第１ショットキー電極Ｒｎ第１導電型用オーム性電極が第１導電型基板に接
している領域とレーザ端面との距離Ｒｐ第２導電型用オーム性電極が第２導電型コンタク
ト層に接している領域とレーザ端面との距離

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１導電型半導体基板、該基板の一方の
面上に接するように形成された第１導電型用オーム性電
極、該基板の反対の面上に形成された少なくとも第１導
電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層および
第２導電型コンタクト層を含むエピタキシャル層、およ
び該第２導電型コンタクト層の上に接するように形成さ
れた第２導電型用オーム性電極を有する半導体レーザで
あって、少なくとも一方のレーザ端面において前記第１導電型用
オーム性電極は前記第１導電型基板に接していないこ
と、および、少なくとも一方のレーザ端面において前記
第２導電型オーム性電極は前記第２導電型コンタクト層
に接していないことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】前記第１導電型用オーム性電極が前記第
１導電型基板に接している領域とレーザ端面との距離Ｒ
ｎ（μｍ）と、前記第２導電型用オーム性電極が前記第
２導電型コンタクト層に接している領域とレーザ端面と
の距離Ｒｐ（μｍ）が、式１の条件を満たすことを特徴
とする請求項１記載の半導体レーザ。【数１】Ｒｐ ≦ Ｒｎ（式１）
【請求項３】前記半導体レーザの共振器長Ｌｃ（μ
ｍ）と、前記第２導電型用オーム性電極が前記第２導電
型コンタクト層に接している領域とレーザ端面との距離
Ｒｐ（μｍ）が、式２の条件を満たすことを特徴とする
請求項１または２記載の半導体レーザ。【数２】０．０２ｘＬｃ ≦ Ｒｐ（式２）
【請求項４】前記第２導電型クラッド層の厚みＴ
_clad2（μｍ）、前記第２導電型コンタクト層の厚みＴ
_cont2（μｍ）、および前記第２導電型用オーム性電極
が前記第２導電型コンタクト層に接している領域とレー
ザ端面との距離Ｒｐ（μｍ）が、式３の条件を満たすこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
レーザ。【数３】５ｘ（Ｔ_clad2＋Ｔ_cont2） ≦ Ｒｐ（式３）
【請求項５】前記第１導電型クラッド層の厚みＴ
_clad1（μｍ）と、前記第１導電型用オーム性電極が前
記第１導電型基板に接している領域とレーザ端面との距
離Ｒｎ（μｍ）が、式４の条件を満たすことを特徴とす
る請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ。【数４】２０ｘＴ_clad1≦ Ｒｎ（式４）
【請求項６】前記第１導電型半導体基板上であって前
記第１導電型用オーム性電極が形成されていない部分
に、第１ショットキー性電極が接するように形成されて
いることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の
半導体レーザ。
【請求項７】前記第１導電型半導体基板上であって前
記第１導電型用オーム性電極が形成されていない部分の
全面に、第１ショットキー性電極が接するように形成さ
れていることを特徴とする請求項６記載の半導体レー
ザ。
【請求項８】前記第２導電型コンタクト層と前記第２
導電型用オーム性電極の間に開口部を有する電流狭窄層
が形成されており、前記開口部において前記第２導電型
コンタクト層と前記第２導電型用オーム性電極が接する
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導
体レーザ。
【請求項９】前記電流狭窄層がＳｉＮｘ、ＳｉＯｘま
たはＡｌＯｘを含む誘電体膜からなることを特徴とする
請求項８記載の半導体レーザ。
【請求項１０】前記電流狭窄層の開口部と、前記第１
導電型用オーム性電極が前記第１導電型基板に接してい
る領域とが対向していることを特徴とする請求項８また
は９に記載の半導体レーザ。
【請求項１１】前記電流狭窄層の開口部と、前記第２
導電型用オーム性電極が前記第２導電型コンタクト層に
接している領域とが対向していることを特徴とする請求
項８〜１０のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項１２】前記第１導電型がｎ型であり、前記第
２導電型がｐ型であることを特徴とする請求項１〜１１
のいずれかに記載の半導体レーザ
【請求項１３】前記活性層が量子井戸構造を含むこと
を特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体
レーザ。
【請求項１４】当該半導体レーザの発振波長が９００
〜１２００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜１３
のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項１５】前記基板がＧａＡｓ第１導電型基板で
あって、前記活性層がアンドープＩｎ_xＧａ₁―_xＡｓ
（０＜ｘ＜１）歪量子井戸を含み、光ガイド層を有する
ことを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の半
導体レーザ。
【請求項１６】前記光ガイド層にｎ型の不純物が含ま
れていることを特徴とする請求項１５記載の半導体レー
ザ
【請求項１７】前記ｎ型不純物がＳｉであることを特
徴とする請求項１６記載の半導体レーザ。
【請求項１８】前記光ガイド層がＧａＡｓであること
を特徴とする請求項１６または１７に記載の半導体レー
ザ。