JP2001237170A - 現像処理方法および現像処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 酸化による現像液の劣化が生じ難い現像処理
方法および現像処理装置を提供すること。 【解決手段】 露光処理後の基板Ｇに現像液を供給して
現像処理を行う方法であって、基板Ｇに現像液供給ノズ
ル７０から現像液を供給し、現像液を保持させて現像を
進行させ、現像後、該現像液を基板から振り切り、振り
切られた現像液を回収する工程を有し、前記現像液を供
給する工程では不活性ガス供給ノズル７１から基板Ｇの
表面近傍に不活性ガスを供給し、さらに前記現像液を振
り切る工程および／または回収する際に現像液に不活性
ガスを供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト膜が形成
され露光後の例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用ガラ
ス基板等の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像
処理方法および現像処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製
造においては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレ
ジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターン
に対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理すると
いう、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パ
ターンが形成される。

【０００３】このような回路パターンの成形に際して
は、複数の処理ユニットが集約されたレジスト塗布現像
システムにより行われる。このようなシステムにおいて
は、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により
表面改質・洗浄処理が行われた後、洗浄ユニットにより
ブラシ洗浄および超音波水洗浄が施される。その後、基
板は、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョ
ン処理ユニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、
引き続き、レジスト塗布ユニットにてレジスト塗布が行
われ、プリベーク後、露光装置にて所定のパターンが露
光され、さらに現像処理ユニットで現像処理され、さら
にポストベーク処理されて所定の回路パターンが形成さ
れる。

【０００４】これらの中で例えば現像処理ユニットは、
基板に現像液を吐出する現像ノズルと、現像処理後にリ
ンス液を吐出する吐出ノズルと、基板保持用のスピンチ
ャックと、現像ノズルと吐出ノズルをそれぞれ待機位置
から基板上に移動させる移動機構と、スピンチャック周
囲に振り切った処理液を回収するカップを備えている。
そして、この現像処理ユニットにて現像処理する際に
は、まず、スピンチャック上に基板を載置し、現像ノズ
ルから基板上に現像液を供給し、基板上に現像液を液盛
りする。この状態で所定の現像時間保持した後スピンチ
ャックを回転させ、現像液を振り切る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、基板上に供
給された現像液は、周囲の空気中の酸素により酸化され
て劣化するおそれがある。このように現像液が劣化する
と所望の現像処理が行われない場合が生ずる。

【０００６】一方、ＬＣＤ基板は最近益々大型化の要求
が高まっており、このような大型基板の現像処理の場合
には現像液を多量に供給する必要があることから、無駄
にする現像液を極力減らすために現像液を回収して再利
用している。しかしながら、上述したように現像処理中
に現像液が酸化したり、回収中に現像液が酸化すると、
回収された現像液は酸化により劣化したものとなってし
まい、再利用するための処理コストが高くなるという問
題が生じる。

【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、酸化による現像液の劣化が生じ難い現像処理
方法および現像処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、露光処理後の基板に現像液を供給して現
像処理を行うにあたり、基板に現像液を供給する際に、
少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給する
ことを特徴とする現像処理方法を提供する。

【０００９】また、本発明は、露光処理後の基板に現像
液を供給して現像処理を行うにあたり、基板に現像液を
供給する工程と、基板上に現像液を保持させて現像を進
行させる工程と、現像液を基板から振り切る工程と、振
り切られた現像液を回収する工程とを具備し、前記現像
液を供給する工程の際に、少なくとも基板の表面近傍部
分に不活性ガスを供給し、かつ前記現像液を振り切る工
程および／または回収する工程の際に現像液に不活性ガ
スを供給することを特徴とする現像処理方法を提供す
る。

【００１０】さらに、本発明は、露光処理後の基板に現
像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板を支持する基板支持部材と、基板に現像液を吐出す
る現像液供給ノズルと、少なくとも基板表面近傍部分に
不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構とを具備する
ことを特徴とする現像処理装置を提供する。

【００１１】さらにまた、本発明は、露光処理後の基板
に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であっ
て、基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材
に支持されている基板を包囲する処理容器と、前記基板
支持部材に支持された基板を回転させる基板回転手段
と、基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、現像
処理後に前記基板回転手段により回転されて基板から振
り切られた現像液を回収する現像液回収手段と、少なく
とも基板表面近傍部分に不活性ガスを供給する第１の不
活性ガス供給機構と、基板から振り切られた現像液また
は前記現像液回収手段により回収される現像液に不活性
ガスを供給する第２の不活性ガス供給機構とを具備する
ことを特徴とする現像処理装置を提供する。

【００１２】本発明によれば、基板に現像液を供給する
際に、少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供
給するので、現像処理の際における現像液の酸化による
劣化を生じ難くすることができる。また、これに加え
て、現像液を振り切る際および／または現像液を回収す
る際に現像液に不活性ガスを供給することにより、現像
液を回収する際における現像液の酸化をも生じ難くする
ことができるので、酸化による劣化が少ない現像液を回
収することができる。

【００１３】

【発明実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発明
の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明
の一実施形態に係る現像処理装置が搭載されたＬＣＤ基
板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図であ
る。

【００１４】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェイス部３とを備えており、処
理部２の両端にそれぞれカセットステーション１および
インターフェイス部３が配置されている。

【００１５】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬送を行うための搬送
機構１０を備えている。そして、カセットステーション
１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送
機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送
路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬
送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板
Ｇの搬送が行われる。

【００１６】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１
２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部１５、１６が設けられている。

【００１７】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが
配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユ
ニット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重
ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）
が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユ
ニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック
２７が配置されている。

【００１８】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２お
よび基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、
搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニット（ＨＰ）が
２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重
ねられてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが上
下に重ねられてなる処理ブロック３０が配置されてい
る。

【００１９】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、本実施形態に係る３つの現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）２４ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されてお
り、搬送路１４の他方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）
が２段に重ねられてなる処理ブロック３１、およびとも
に加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯ
Ｌ）が上下に重ねられてなる処理ブロック３２、３３が
配置されている。

【００２０】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト処理ユニット２
２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。

【００２１】また、中継部１５、１６のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置さ
れており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うため
のスペース３５が設けられている。

【００２２】上記主搬送装置１７，１８，１９は、それ
ぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、
および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有
している。

【００２３】上記主搬送装置１７は、搬送機構１０のア
ーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前
段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬
出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行
う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１
５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２
ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さら
には中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を
有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との
間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各
処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはイ
ンターフェイス部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機
能を有している。なお、中継部１５、１６は冷却プレー
トとしても機能する。

【００２４】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ
３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇ
の搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構
３８はエクステンション３６およびバッファステージ３
７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動
可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９によ
り処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われ
る。

【００２５】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。

【００２６】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処
理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの
処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面
改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）
で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１
ｂでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック２６のいず
れかの加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、
処理ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）
で冷却される。

【００２７】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の
上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化
処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却処理ユニット
（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）２２でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニ
ット（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除
去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処
理ユニット（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、処理
ブロック２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却される。

【００２８】その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装
置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、
必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１，３２，３
３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理さ
れた基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれ
かの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置
１９，１８，１７および搬送機構１０によってカセット
ステーション１上の所定のカセットに収容される。

【００２９】次に、本発明の一実施形態に係る現像処理
ユニット（ＤＥＶ）について説明する。図２は現像処理
ユニット（ＤＥＶ）の平面図であり、図３は現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）の断面図である。

【００３０】これらの図に示すように、現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃは同一の構造を有
し、これらには基板Ｇを機械的に保持するスピンチャッ
ク４１が回転駆動機構４２により回転されるように設け
られ、このスピンチャック４１の下側には、回転駆動機
構４２を包囲するカバー４３が配置され、このカバー４
３の外周囲には、２つのアンダーカップ４４，４５が離
間して設けられている。

【００３１】これら２つのアンダーカップ４４，４５の
間の上方には、主として現像液を下方に流すためのイン
ナーカップ４６が昇降自在に設けられ、アンダーカップ
４５の外側には、主としてリンス液を下方に流すための
アウターカップ４７がインナーカップ４６と一体的に昇
降自在に設けられている。図３において、左側には、現
像液の排出時にインナーカップ４６およびアウターカッ
プ４７が上昇される位置が示され、右側には、リンス液
の排出時にこれらが降下される位置が示されている。

【００３２】さらに、これら現像処理ユニット全体を包
囲するためのシンク４８が設けられ、このシンク４８に
は、回転乾燥時にユニット内を排気するための排気口４
９、現像液のためのドレイン管５０ａ、およびリンス液
のためのドレイン管５０ｂが設けられている。

【００３３】図２に示すように、アウターカップ４７の
一方の側には、現像液用のノズルアーム５１が設けら
れ、このノズルアーム５１内には、現像液供給ノズル７
０が収納されている。このノズルアーム５１は、ガイド
レール５３に沿って、ベルト駆動等の駆動機構５２によ
り基板Ｇを横切って移動するように構成され、これによ
り、現像液の塗布時には、ノズルアーム５１により現像
液供給ノズル７０は現像液を吐出しながら、静止した基
板Ｇ上を走査（スキャン）するようになっている。現像
液供給ノズル７０の側方には不活性ガス供給機構である
不活性ガス供給ノズル７１（第１の不活性ガス供給機
構）が取り付けられている。不活性ガス供給ノズル７１
からは不活性ガスとして例えばＮ_２ガスが供給される。
もちろんＡｒガスやＨｅガス等の他の不活性ガスであっ
てもよい。

【００３４】アウターカップ４７の他方の側には、純水
等のリンス液用のノズルアーム５４が設けられ、このノ
ズルアーム５４の先端部分には、リンス液吐出ノズル６
０が設けられている。このノズルアーム５４は枢軸５５
を中心として駆動機構５６により回動自在に設けられて
いる。これにより、リンス液の吐出時には、ノズルアー
ム５４は、リンス液吐出ノズル６０からリンス液を吐出
しながら、基板Ｇ上をスキャンするようになっている。

【００３５】なお、アウターカップ４７の上には昇降自
在に蓋体（図示せず）が設けられており、リンスの際に
この蓋体が閉じられるようになっている。また、リンス
液吐出ノズル６０をカップ内に入れたまま蓋体を閉じる
ことができるように、アウターカップ４７には切り欠き
が形成されている。

【００３６】現像液供給ノズル７０は、図２に示すよう
に、基板Ｇの短辺よりも若干長い長さを有している。そ
して、図４に示すように、その先端に多数の現像液吐出
口７２を有しており、その多数の現像液吐出口７２から
現像液が吐出されるようになっている。一方、現像液供
給ノズル７０に取り付けられた不活性ガス供給ノズル７
１はその長手方向に延びる不活性ガスを吐出する吐出口
７３を有している。また、不活性ガス供給ノズル７１は
駆動機構７４により矢印方向に回転可能となっており、
この駆動機構７４により吐出口７３の向きを変更可能と
なっている。

【００３７】図５に示すように、スピンチャック４１を
回転させる回転駆動機構４２、現像液用のノズルアーム
５１を駆動する駆動機構５２、リンス液用のノズルアー
ム５４を回動させる駆動機構５６、および不活性ガス供
給ノズル７１を回転させる駆動機構７４は、いずれも制
御装置８０により制御されるようになっている。

【００３８】次に、以上のように構成された現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃにおける現像
処理動作について説明する。まず、図１に示すように、
露光処理された基板Ｇが主搬送装置１９により、現像処
理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれ
かに搬入され、図２、図３に示すように、搬入された基
板Ｇがスピンチャック４１に吸着保持される。次いで、
現像液用のノズルアーム５１が駆動機構５２によってガ
イドレール５３に沿って静止した基板Ｇ上を移動される
ことにより、ノズルアーム５１に取り付けられた現像液
吐出ノズル７０が現像液を吐出しながら基板上を走査
（スキャン）され、基板Ｇの全面に塗布される。

【００３９】その際に、図６の（ａ）に示すように、現
像液供給ノズル７０から現像液を吐出して現像液膜Ｌが
形成されながら、不活性ガス供給ノズル７１はその吐出
口７３が水平になるように制御装置８０（図５）により
制御され、不活性ガス供給ノズル７１の吐出口７３から
不活性ガス、例えばＮ_２ガスが水平方向に吐出され、こ
れにより少なくとも基板Ｇの表面近傍部分が不活性雰囲
気にされる。この場合に、不活性ガスが水平方向に吐出
されているため、基板Ｇ上の現像液膜に影響を与えな
い。不活性ガスの吐出方向は水平方向に限らず、水平方
向よりも多少上向き（斜め上向き）であってもよい。

【００４０】現像液供給ノズル７０が基板Ｇの一端から
他端まで走査（スキャン）されて基板Ｇの全面に現像液
膜Ｌが形成された後、現像液供給ノズル７０は現像液を
吐出しない状態で元の位置まで戻される。その際に、図
６の（ｂ）に示すように、不活性ガス供給ノズル７１は
その吐出口７３が下向きになるように制御装置８０（図
５）により制御され、不活性ガス供給ノズル７１の吐出
口７３から不活性ガス、例えばＮ_２ガスが下向きに吐出
され、現像液膜Ｌを攪拌して現像を促進することができ
る。この場合に、現像液が基板から落下しないように不
活性ガスの流量および吐出タイミングを調整する必要が
ある。不活性ガスの吐出方法としては、所定の流量で連
続して吐出してもよいし、断続的（例えばパルス状）に
吐出してもよい。

【００４１】このように現像液膜Ｌが形成された状態で
現像処理が進行し、所定時間経過後、基板Ｇがスピンチ
ャック４１により回転されて現像液が振り切られ、振り
切られた現像液はドレイン管５０ａを介して排出され
る。このとき、インナーカップ４６およびアウターカッ
プ４７は、図３の左側に示す上昇位置に配置されてい
る。

【００４２】次いで、リンス液用のノズルアーム５４が
駆動機構５６により枢軸５５を中心に回動されて、基板
Ｇ上へ移動し、図示しない蓋体を下降させて密閉し、基
板Ｇを回転させながら、リンス液吐出ノズル６０からリ
ンス液が吐出され、基板が洗浄される。

【００４３】所定時間経過後、リンス液の供給を停止さ
れ、基板Ｇの回転を高速にしてリンス液および残留する
現像液が振り切り乾燥される。このとき、インナーカッ
プ４６およびアウターカップ４７は、図３の右側に示す
下降位置に配置されている。その後、回転が停止される
とともに蓋体が上昇され、その後リンス液吐出ノズル６
０が待機位置へ移動されて、一連の現像処理が終了す
る。

【００４４】このように本実施形態に係る現像処理ユニ
ットによれば、基板Ｇに現像液を供給する際に、不活性
ガス供給ノズル７１から水平方向または斜め上向きに不
活性ガスを供給するので、少なくとも基板の表面部分に
不活性ガスを供給することができ、結果として基板Ｇ上
の現像液の酸化による劣化を生じ難くすることができ
る。この場合に、ノズル７１から不活性ガスを吐出させ
るだけであるから、大がかりな設備が不要であり極めて
簡易である。

【００４５】また、現像液膜Ｌを静止したままの状態で
は、（１）現像液供給開始地点と終了地点とでは現像の
進行が異なり現像が不均一になること、および（２）基
板の上面にタフスキン層が形成されて現像の進行が妨げ
られること等の問題が生じるが、上述のように不活性ガ
ス供給ノズル７１から不活性ガスを現像液膜Ｌに供給す
ることにより、現像液膜Ｌがある程度攪拌され、これに
よって現像の進行が均一化されるとともにタフスキン層
を取り除いて現像を促進させることができる。

【００４６】以上は現像処理の際における現像液の酸化
による劣化を防止することを考慮した実施形態について
説明したが、次に、現像液を回収する際に回収する現像
液の酸化による劣化も考慮した実施形態について説明す
る。

【００４７】図７は、このような現像液の回収を行う実
施形態に係る現像処理ユニットを示す断面図である。こ
の実施形態ではドレイン管５０ａに現像液回収タンク９
２（現像液回収手段）が設けられており、この回収タン
ク９２に回収した現像液９０が貯留される。そして、上
記の実施形態の基板表面近傍へ不活性ガスを供給する機
構の他に、基板Ｇから振り切られた現像液または前記現
像液回収手段により回収される現像液にＮ_２ガスのよう
な不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構（第２の不
活性ガス供給機構）を備えている。この第２の不活性ガ
ス供給機構として、インナーカップ４６に不活性ガス供
給ノズル９１が設けられ、さらに現像液回収タンク９２
の上部に不活性ガス供給配管９３が設けられている。な
お、現像液回収タンク９２の上部には不活性ガス供給配
管９３に隣接して排気管９４が設けられており、これら
不活性ガス供給配管９３および排気管９４にはそれぞれ
バルブ９５，９６が設けられている。また、現像液回収
タンク９２の底部には現像液排出管９７が設けられてお
り、この現像液排出管９７にはバルブ９８が設けられて
いる。本実施形態において他の構成は従前の実施形態と
全く同じであり、図７中図３と同じものには同じ符号を
付して説明を省略する。

【００４８】このように構成された現像処理ユニットに
おいては、従前の実施形態と全く同様に現像液を塗布し
て現像を進行させた後、同様に基板Ｇを回転させて現像
液を振り切る。この際に、振り切られた現像液には不活
性ガス供給ノズル９１から不活性ガスが供給されるの
で、振り切られて回収経路に至る現像液の酸素（空気）
との接触を妨げることができ、回収される現像液の酸化
による劣化を抑制することができる。

【００４９】振り切られた現像液は、ドレイン管５０ａ
を通って現像液回収タンク９２に回収される。このと
き、排気管９４を介して空気を排出し、不活性ガス供給
配管９３から不活性ガス、例えばＮ_２ガスが現像液回収
タンク９２に供給してタンク９２内を不活性ガス雰囲気
にしておくことにより、現像液回収タンク９２に貯留さ
れた現像液９０の酸素（空気）との接触を妨げることが
でき、回収された現像液９０の酸化による劣化を抑制す
ることができる。

【００５０】本実施形態においては、従前の実施形態と
同様に少なくとも基板Ｇの表面近傍部分に不活性ガスを
供給するので、現像処理の際に現像液の酸化による劣化
を生じ難くすることができるが、これに加えて上述した
ように現像液を振りきる際および現像液を回収する際に
不活性ガス供給ノズル９１および不活性ガス供給配管９
３から現像液に不活性ガスを供給することにより、現像
液を回収する際における現像液の酸化をも生じ難くする
ことができるので、酸化による劣化が少ない現像液を回
収することができる。なお、不活性ガス供給ノズル９１
および不活性ガス供給配管９３は必ずしも両方設ける必
要はなく、いずれか一方でも回収される現像液の酸化に
よる劣化を抑制する効果を得ることができる。

【００５１】なお、本発明は、上述した実施の形態には
限定されず、その技術思想の範囲内で様々な変形が可能
である。例えば、上記実施形態では現像液供給ノズルと
して多数の吐出孔から現像液を吐出するタイプのものを
用いたが、これに限るものではなく、例えばスプレータ
イプの現像液供給ノズルを用いてもよい。

【００５２】このようなスプレータイプのノズルの一例
を図８に示す。図８中（ａ）はスプレーノズルの側面
図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は平面図である。これらに
示すように、スプレーノズル１０１はその下側に多数の
現像液噴出口１０２を有しており、これら現像液噴出口
１０２から現像液を放射状に噴霧（スプレー）するよう
になっている。スプレーノズル１０１は基板Ｇの短辺の
半分の長さよりも若干長い長さを有しており、このスプ
レーノズル１０１には支持部材１０５によりスプレーの
影響の及ばない位置に不活性ガス供給ノズル１０３が取
り付けられている。この不活性ガス供給ノズル１０３の
下側に吐出口１０４が設けられており、この吐出口１０
４から基板Ｇ上へ不活性ガス（例えばＮ_２ガス）が供給
される。そして、図８の（ｃ）に示すように、基板Ｇを
矢印方向に回転させながら、スプレーノズル１０１は静
止した状態で現像液をスプレーするが、この時不活性ガ
ス供給ノズル１０３から不活性ガスが供給されているの
で、基板Ｇ上は不活性ガス雰囲気となり、現像液の酸化
による劣化を防止することができる。また、図９に示す
ように、不活性ガス供給ノズル１０３のみならず、スプ
レーノズル１０１の反対側に支持部材１０５’により不
活性ガス供給ノズル１０３’を設けてその吐出口１０
４’からも不活性ガスを供給するようにすることによ
り、現像液の酸化による劣化をより有効に防止すること
ができる。

【００５３】また、上記実施形態では、基板の表面近傍
に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノズルを現像液
供給ノズルに取り付けた例を示したが、これに限らず基
板の少なくとも表面近傍に不活性ガスを供給することが
できればその位置は問わないし、不活性ガス供給機構と
してはノズルに限らず他の手段であってもよい。

【００５４】さらに、振り切った現像液または回収され
る現像液に不活性ガスを供給する位置についても上記実
施形態に限るものではなく、その不活性ガス供給形態も
不活性ガス供給ノズルや不活性ガス供給配管に限るもの
ではない。

【００５５】さらにまた、上記実施形態では本発明をＬ
ＣＤ基板に対する処理システムに適用した場合を例にと
って説明したが、これに限らずカラーフィルターや、半
導体ウエハ等の他の基板を処理するシステムにも適用す
ることができる。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板に現像液を供給する際に、少なくとも基板の表面近
傍部分に不活性ガスを供給するので、現像処理の際にお
ける現像液の酸化による劣化を生じ難くすることができ
る。また、これに加えて、現像液を振り切る際および／
または現像液を回収する際に現像液に不活性ガスを供給
することにより、現像液を回収する際における現像液の
酸化をも生じ難くすることができるので、酸化による劣
化が少ない現像液を回収することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る現像処理ユニットが
搭載されたＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システ
ムを示す平面図。

【図２】本発明の一実施形態に係る現像処理ユニットを
示す平面図。

【図３】図２に示した現像処理ユニットを示す断面図。

【図４】図２および図３に示した現像処理ユニットに設
けられた現像液供給ノズルを示す斜視図。

【図５】図２および図３に示した現像処理ユニットにお
ける制御系を示すブロック図。

【図６】図２および図３に示した現像処理ユニットにお
ける現像処理動作を説明するための模式図。

【図７】本発明の他の実施形態に係る現像処理ユニット
を示す断面図。

【図８】現像液供給ノズルの他の例としてのスプレーノ
ズルを示す側面図、正面図および平面図。

【図９】図８のスプレーノズルの変形例を示す図。

【符号の説明】

２４ａ，２４ｂ，２４ｃ；現像処理ユニット（ＤＥＶ） ４１；スピンチャック ４２；回転駆動機構 ４６；インナーカップ ４７；アウターカップ ５１；現像液用のノズルアーム ５２，５６，７４；駆動機構 ７０；現像液供給ノズル ７１，１０３；不活性ガス供給ノズル（不活性ガス供給
機構） ９０；回収された現像液 ９１；不活性ガス供給ノズル（第２の不活性ガス供給機
構） ９２；現像液回収タンク ９３；不活性ガス供給配管（第２の不活性ガス供給機
構） １０１；スプレーノズル（現像液供給ノズル） Ｇ；ＬＣＤ基板

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Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 露光処理後の基板に現像液を供給して現
   像処理を行う現像処理方法であって、 基板に現像液を供給する際に、少なくとも基板の表面近
   傍部分に不活性ガスを供給することを特徴とする現像処
   理方法。
2. 【請求項２】 露光処理後の基板に現像液を供給して現
   像処理を行う現像処理方法であって、 基板に現像液を供給する工程と、 基板上に現像液を保持させて現像を進行させる工程と、 現像液を基板から振り切る工程と、 振り切られた現像液を回収する工程とを具備し、 前記現像液を供給する工程の際に、少なくとも基板の表
   面近傍部分に不活性ガスを供給し、かつ前記現像液を振
   り切る工程および／または回収する工程の際に現像液に
   不活性ガスを供給することを特徴とする現像処理方法。
3. 【請求項３】 基板上の現像液に不活性ガスを吹き付け
   ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の現
   像処理方法。
4. 【請求項４】 露光処理後の基板に現像液を供給して現
   像処理を行う現像処理装置であって、 基板を支持する基板支持部材と、 基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、 少なくとも基板表面近傍部分に不活性ガスを供給する不
   活性ガス供給機構とを具備することを特徴とする現像処
   理装置。
5. 【請求項５】 前記不活性ガス供給機構は、前記現像液
   供給ノズルに取り付けられた不活性ガス供給ノズルを有
   することを特徴とする請求項４に記載の現像処理装置。
6. 【請求項６】 前記現像液供給ノズルを基板上で走査さ
   せる走査機構をさらに具備し、この走査機構により、現
   像液を吐出している前記現像液供給ノズルを走査させな
   がら、前記不活性ガス供給ノズルから不活性ガスを供給
   することを特徴とする請求項５に記載の現像処理装置。
7. 【請求項７】 前記不活性ガス供給ノズルは、現像液を
   吐出している前記現像液供給ノズルを前記走査機構によ
   り走査している際には基板に対して水平または斜め上向
   きに不活性ガスを供給し、前記現像液供給ノズルを現像
   液の供給を停止して前記走査機構により戻す際には基板
   上の現像液に不活性ガスを供給して攪拌することを特徴
   とする請求項６に記載の現像処理装置。
8. 【請求項８】 前記基板を回転させる基板回転手段をさ
   らに具備し、この基板回転手段により基板を回転させつ
   つ、前記現像液供給ノズルから現像液を供給している際
   に、前記不活性ガス供給ノズルから不活性ガスを供給す
   ることを特徴とする請求項５に記載の現像処理装置。
9. 【請求項９】 露光処理後の基板に現像液を供給して現
   像処理を行う現像処理装置であって、 基板を支持する基板支持部材と、 前記基板支持部材に支持されている基板を包囲する処理
   容器と、 前記基板支持部材に支持された基板を回転させる基板回
   転手段と、 基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、 現像処理後に前記基板回転手段により回転されて基板か
   ら振り切られた現像液を回収する現像液回収手段と、 少なくとも基板表面近傍部分に不活性ガスを供給する第
   １の不活性ガス供給機構と、 基板から振り切られた現像液または前記現像液回収手段
   により回収される現像液に不活性ガスを供給する第２の
   不活性ガス供給機構とを具備することを特徴とする現像
   処理装置。
10. 【請求項１０】 前記第１の不活性ガス供給機構は、前
    記現像液供給ノズルに取り付けられた第１の不活性ガス
    供給ノズルを有することを特徴とする請求項９に記載の
    現像処理装置。
11. 【請求項１１】 前記第２の不活性ガス供給機構は、振
    り切られた現像液に不活性ガスを供給する第２の不活性
    ガス供給ノズルを有することを特徴とする請求項１０に
    記載の現像処理装置。
12. 【請求項１２】 前記現像液回収手段は、前記基板回転
    手段により振り切られた現像液を貯留する現像液貯留容
    器を有し、前記第２の不活性ガス供給機構は、前記現像
    液貯留容器に不活性ガスを供給することを特徴とする請
    求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の現像処理
    装置。