JP2001230312A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JP2001230312A
JP2001230312A JP2000037739A JP2000037739A JP2001230312A JP 2001230312 A JP2001230312 A JP 2001230312A JP 2000037739 A JP2000037739 A JP 2000037739A JP 2000037739 A JP2000037739 A JP 2000037739A JP 2001230312 A JP2001230312 A JP 2001230312A
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JP
Japan
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wafer
cassette
tray
manufacturing apparatus
semiconductor manufacturing
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Takashi Kyono
敬 京野
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ウエハカセットの隣接した収納溝のピッチを広
く設け、かつウエハカセットを小型化した半導体製造装
置を提供する。 【解決手段】半導体ウエハを収納するピッチを部分的に
拡大するピッチ拡大手段を有するウエハカセット1aを
備えた。ウエハカセット1aは、半導体ウエハ41を1
枚毎に載置し収納する複数のウエハトレイ2を有する。
ピッチ拡大手段として、積み重ねられた各ウエハトレイ
2の両端部が連結され各ウエハトレイ2が上下移動する
案内である一対のリニアガイド6と、載置台5に積み重
ねられ載置されたウエハトレイ2を所定の位置に移動さ
せるカセット上下駆動モータ4と、ウエハトレイ2の厚
さより大きい間隔で設けられ、所定の位置に移動させた
ウエハトレイ2をウエハトレイ2の両端部に設けられた
固定溝3に固定ピン部7cを挿入して固定するロック
(固定)シリンダ7とを有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハのプ
ロセス処理を行なう半導体製造装置に関し、特に半導体
製造装置の半導体ウエハを移載するためのウエハカセッ
トに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハのプロセス処理を
行なう半導体製造装置は、図3の平面模式図で示すよう
に、半導体ウエハのプロセス処理を行なう半導体製造装
置本体(以下装置本体という)11、プロセス処理を行
なう半導体ウエハ(図示せず)を収納したあるいはプロ
セス処理を行なった半導体ウエハ(図示せず)を収納す
るウエハカセットである工程カセット22が載置される
カセットステージ21、カセットステージ21に載置さ
れた工程カセット22と半導体製造装置本体11間のプ
ロセス処理を行なうあるいはプロセス処理を行なった半
導体ウエハの移載を行なうウエハ移載ロボット31から
構成されている。
【0003】そして、装置本体11は、装置本体11を
周囲の大気側と遮断するための真空ロードロック室(以
下ロードロック室という)12、半導体ウエハの所定の
プロセス処理を行なうプロセス室13、ウエハ移載ロボ
ット15が設けられ各ロードロック室12と各プロセス
室13とを連結する役割の搬送室14から構成されてい
る。
【0004】そして、各ロードロック室12には、移載
する半導体ウエハを一旦収納するウエハカセット1が設
けられている。そして、ウエハ移載ロボット31は、カ
セットステージ21に載置された工程カセット22と装
置本体11のロードロック室12に設けられたウエハカ
セット1間の半導体ウエハの移載を行なう。そしてま
た、ウエハ移載ロボット15は、ロードロック室12に
設けられたウエハカセット1とプロセス室13間の半導
体ウエハの移載を行ない、あるいは各プロセス室13間
の半導体ウエハの移載を行なう。
【0005】そして、各ロードロック室12のウエハ移
載ロボット31側および搬送室14側には開閉扉である
ゲートバルブ(図示せず)が設けられ、また各プロセス
室13の搬送室14側にもゲートバルブ(図示せず)が
設けられ、各ロードロック室12、各プロセス室13お
よび搬送室14は、各室気密構造になっている。
【0006】次に、半導体製造装置における一般的な半
導体ウエハのプロセス処理順路について説明する。工程
カセット22に収納された半導体ウエハは、カセットス
テージ21に載置される。処理が開始されると、ウエハ
移載ロボット31が、工程カセット22に収納された半
導体ウエハをロードロック室12のウエハカセット1に
移載する(収納する)。ウエハカセット1に収納された
半導体ウエハは、ウエハ移載ロボット15にて取り出さ
れ、所定のプロセス室13に移載される。所定のプロセ
ス室13に移載された半導体ウエハは、スパッタリン
グ、エッチング、CVD(気相成長)等のプロセス処理
がなされる。プロセス処理後は、逆順路で半導体ウエハ
はプロセス室13からロードロック室12のウエハカセ
ット1経由でカセットステージ21に載置された工程カ
セット22に移載される(収納される)。
【0007】この時、各ロードロック室12および各プ
ロセス室13のゲートバルブは必要に応じ開閉される。
そして、処理が開始されると、半導体ウエハのプロセス
処理を行なうため、各ロードロック室12、各プロセス
室13および搬送室14はそれぞれ所定の真空状態にな
る。そして、プロセス処理後は、ロードロック室12に
設けられたウエハカセット1に収納されたプロセス処理
を行なった半導体ウエハをカセットステージ21に載置
された工程カセット22に移載するため、各ロードロッ
ク室12のみ真空状態が解除され大気状態になる。
【0008】そして次に、各ロードロック室12に設け
られた、従来のウエハカセット1(以下符号は1bとす
る)は、図4の模式図およびその部分拡大図で説明され
る。図4に示すように、従来のウエハカセット1bは一
体型の構造であり、半導体ウエハ(以下ウエハという)
41を収納する複数の収納溝9が対向して設けられた一
対の収納棚8を有する。そして、カセット上下駆動モー
タ4により収納溝9が所定の高さに移動する。そして、
所定の高さに移動させたウエハカセット1bの収納溝9
に、ウエハ移載ロボット31もしくはウエハ移載ロボッ
ト15がウエハ41の収納もしくは取り出しを行なう。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
製造装置の装置本体11の各ロードロック室12に設け
られたウエハカセット1bは、一体型の構造であり、隣
接した収納溝9の間隔であるピッチ(p2)は等間隔構
造である。そして、隣接した収納溝9のピッチ(p2)
は、ウエハ移載ロボット31およびウエハ移載ロボット
15でのウエハ41の移載精度を考慮し、移載するウエ
ハ41が傷ついたり破損したりしないように、広く設け
られている。そのため、ウエハカセット1bは大型化
し、ロードロック室12は大容積である。そのため、ロ
ードロック室12の真空引き(大気状態から真空状態に
する)に時間が掛かり、ロードロック室12の真空性能
は良くなく、ウエハ41のロット処理時間が掛かるとい
う問題がある。
【0010】また、(移載するウエハ41が傷ついたり
破損したりしない範囲で)ウエハカセット1bの隣接し
た収納溝9のピッチ(p2)を狭く設け、ウエハカセッ
ト1bを小型化し、ロードロック室12を小容積化し、
ロードロック室12の真空引きの時間を短縮しようとす
ると、ウエハカセット1bの隣接した収納溝9のピッチ
(p2)が狭いため、ウエハカセット1bを介してウエ
ハ41の受け渡しを行なうウエハ移載ロボット31およ
びウエハ移載ロボット15の停止位置の調整が難しく、
移載調整マージンが無く、ウエハ移載信頼性が低下する
という問題が生じる。
【0011】従って、本発明の目的は、ウエハカセット
の隣接した収納溝のピッチを広く設け、かつウエハカセ
ットを小型化した半導体製造装置を提供することにあ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、半導体ウエハを収納するピッチを部分的に拡大する
ピッチ拡大手段を有するウエハカセットを備えたことを
特徴とする。
【0013】また、前記ウエハカセットを、半導体ウエ
ハのプロセス処理を行なう半導体製造装置の、前記半導
体製造装置周囲の大気側と遮断した気密構造で真空状態
になる真空室に備えた。
【0014】また、前記ウエハカセットは、前記半導体
ウエハを1枚毎に載置し収納する複数のウエハトレイを
有する。そしてまた、前記ウエハトレイは、対称な形状
で一対に構成され、中央に前記半導体ウエハを1枚毎に
載置し収納する収納棚部を有する。
【0015】また、前記ピッチ拡大手段として、積み重
ねられた前記ウエハトレイを前記ウエハトレイのピッチ
を部分的に拡大させた位置に移動させるウエハトレイ移
動手段と、前記ウエハトレイ移動手段により前記ピッチ
を部分的に拡大させた位置の前記ウエハトレイを固定す
るウエハトレイ固定手段とを有している。そしてまた、
前記ウエハトレイ移動手段として、積み重ねられた各前
記ウエハトレイの両端部が連結され各前記ウエハトレイ
が上下移動する案内である一対のリニアガイドと、自重
で積み重ねられた前記ウエハトレイを載置する載置台
と、前記載置台に連結され前記載置台に載置された前記
ウエハトレイを所定の位置に移動させるカセット上下駆
動モータとを有している。そしてまた、前記ウエハトレ
イ固定手段として、前記ウエハトレイの両端部に設けら
れた固定溝と、前記ウエハトレイの厚さより大きい間隔
で設けられ、前記所定の位置に移動させた前記ウエハト
レイを前記ウエハトレイに設けられた固定溝に固定ピン
部を挿入して固定する固定シリンダとを有している。
【0016】この様な本発明によれば、半導体製造装置
の真空室に備えられたウエハカセットは、半導体ウエハ
を1枚毎に載置し収納する複数のウエハトレイを有し、
ウエハトレイの間隔であるピッチを部分的に拡大するピ
ッチ拡大手段を有している。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図3は本発明の半導
体製造装置の一実施形態を示す平面模式図、図1は図3
の半導体製造装置に設けられたウエハカセットを示す模
式図、図2は図1の部分拡大図である。
【0018】図3に示すように、本実施形態の半導体製
造装置は、半導体ウエハのプロセス処理を行なう半導体
製造装置本体(装置本体)11、プロセス処理を行なう
半導体ウエハ(図示せず)を収納したあるいはプロセス
処理を行なった半導体ウエハ(図示せず)を収納するウ
エハカセットである工程カセット22が載置されるカセ
ットステージ21、カセットステージ21に載置された
工程カセット22と半導体製造装置本体11間のプロセ
ス処理を行なうあるいはプロセス処理を行なった半導体
ウエハの移載を行なうウエハ移載ロボット31から構成
されている。
【0019】そして、装置本体11は、装置本体11を
周囲の大気側と遮断するための真空ロードロック室(ロ
ードロック室)12、半導体ウエハの所定のプロセス処
理を行なうプロセス室13、ウエハ移載ロボット15が
設けられ各ロードロック室12と各プロセス室13とを
連結する役割の搬送室14から構成されている。
【0020】そして、各ロードロック室12には、移載
する半導体ウエハを一旦収納するウエハカセット1が設
けられている。そして、ウエハ移載ロボット31は、カ
セットステージ21に載置された工程カセット22と装
置本体11のロードロック室12に設けられたウエハカ
セット1間の半導体ウエハの移載を行なう。そしてま
た、ウエハ移載ロボット15は、ロードロック室12に
設けられたウエハカセット1とプロセス室13間の半導
体ウエハの移載を行ない、あるいは各プロセス室13間
の半導体ウエハの移載を行なう。
【0021】そして、各ロードロック室12のウエハ移
載ロボット31側および搬送室14側には開閉扉である
ゲートバルブ(図示せず)が設けられ、また各プロセス
室13の搬送室14側にもゲートバルブ(図示せず)が
設けられ、各ロードロック室12、各プロセス室13お
よび搬送室14は、各室気密構造になっている。
【0022】次に、この半導体製造装置における一般的
な半導体ウエハのプロセス処理順路について説明する。
工程カセット22に収納された半導体ウエハは、カセッ
トステージ21に載置される。処理が開始されると、ウ
エハ移載ロボット31が、工程カセット22に収納され
た半導体ウエハをロードロック室12のウエハカセット
1に移載する(収納する)。ウエハカセット1に収納さ
れた半導体ウエハは、ウエハ移載ロボット15にて取り
出され、所定のプロセス室13に移載される。所定のプ
ロセス室13に移載された半導体ウエハは、スパッタリ
ング、エッチング、CVD(気相成長)等のプロセス処
理がなされる。プロセス処理後は、逆順路で半導体ウエ
ハはプロセス室13からロードロック室12のウエハカ
セット1経由でカセットステージ21に載置された工程
カセット22に移載される(収納される)。
【0023】この時、各ロードロック室12および各プ
ロセス室13のゲートバルブは必要に応じ開閉される。
そして、処理が開始されると、半導体ウエハのプロセス
処理を行なうため、各ロードロック室12、各プロセス
室13および搬送室14はそれぞれ所定の真空状態にな
る。そして、プロセス処理後は、ロードロック室12に
設けられたウエハカセット1に収納されたプロセス処理
を行なった半導体ウエハをカセットステージ21に載置
された工程カセット22に移載するため、各ロードロッ
ク室12のみ真空状態が解除され大気状態になる。
【0024】そして次に、図1および図2に示すよう
に、本実施形態の半導体製造装置の装置本体11の各ロ
ードロック室12に設けられたウエハカセット1(以下
符号は1aとする)は、半導体ウエハ(ウエハ)41を
1枚毎に収納する複数のウエハトレイ2からなる構造で
あり、対称な形状であり一対に構成された中央の各収納
棚部2dに半導体ウエハ(ウエハ)41を1枚毎に載置
し収納する複数対のウエハトレイ2、各ウエハトレイ2
の両端部が連結され各ウエハトレイ2が上下移動するガ
イド(案内)である一対のリニアガイド6、自重で積み
重ねられたウエハトレイ2を載置する載置台5、載置台
5に連結され載置台5に載置されたウエハトレイ2を所
定の高さ(位置)に移動させるカセット上下駆動モータ
4、ウエハトレイ2の厚さより大きい間隔で設けられ、
所定の高さ(位置)に移動させたウエハトレイ2をウエ
ハトレイ2の両端部に設けられた固定溝3に固定ピン部
7cを挿入して固定するロック(固定)シリンダ7から
構成されている。
【0025】そしてここで、この半導体製造装置の装置
本体11の各ロードロック室12に設けられたウエハカ
セット1aにおける、ウエハ41の収納および取り出し
動作について説明する。
【0026】まず、処理が開始されると、カセット上下
駆動モータ4により載置台5に積み重ねられ載置された
ウエハトレイ2をリニアガイド6に沿って所定の高さに
移動させる。
【0027】そして、ウエハ41を収納するまたは取り
出すウエハトレイ2Aの上段のウエハトレイ2Bを、所
定の高さに設けられた上部のロックシリンダ7Bにてウ
エハトレイ2Bの両端部に設けられた固定溝3に固定ピ
ン部7cを挿入して固定する。この時、ウエハトレイ2
Bより上部のウエハトレイ2は、ウエハトレイ2Bに載
置されている状態である。
【0028】そして、カセット上下駆動モータ4により
載置台5に載置されたウエハトレイ2の最上部のウエハ
トレイ2Aをリニアガイド6に沿って所定の高さに下降
させる。そして、ウエハトレイ2Aを、所定の高さに設
けられた下部のロックシリンダ7Aにてウエハトレイ2
Aの両端部に設けられた固定溝3に固定ピン部7cを挿
入して固定する。
【0029】そしてさらに、カセット上下駆動モータ4
により載置台5に載置された残りのウエハトレイ2をリ
ニアガイド6に沿って所定の高さに下降させる。このと
き、載置台5に載置されたウエハトレイ2の最上部のウ
エハトレイ2をウエハトレイ2Cとする。
【0030】そしてここで、ウエハ41を収納するまた
は取り出すウエハトレイ2Aとウエハトレイ2Aの上段
のウエハトレイ2Bとの間隔であるピッチ(p1b)、
およびウエハトレイ2Aとウエハトレイ2Aの下段のウ
エハトレイ2Cとの間隔であるピッチ(p1c)は、こ
れ以外の積み重ねられたウエハトレイ2の間隔であるピ
ッチ(p1a)より広く設けている。
【0031】そして、ウエハ移載ロボット31の移載ア
ーム16を伸ばし、移載アーム16に連結されたブレー
ド17上の工程カセット22から取り出したウエハ41
を、ウエハトレイ2Aの収納棚部2dに載置し収納す
る。そして、ウエハ移載ロボット15の移載アーム16
を伸ばし、移載アーム16に連結されたブレード17に
て、ウエハトレイ2Aの収納棚部2dに載置されている
ウエハ41を掬い上げ取り出し、所定のプロセス室13
に移載する。そしてまた、ウエハ移載ロボット15によ
る、ウエハトレイ2Aへのウエハ41の収納、およびウ
エハ移載ロボット31による、ウエハトレイ2Aからの
ウエハ41の取り出しも同様な動作である。
【0032】そしてこの後、カセット上下駆動モータ4
により載置台5に載置されたウエハトレイ2の最上部の
ウエハトレイ2Cがウエハトレイ2Aに接するようにリ
ニアガイド6に沿って所定の高さに上昇させる。
【0033】そして、ウエハトレイ2Aを、下部のロッ
クシリンダ7Aにてウエハトレイ2Aの両端部に設けら
れた固定溝3に挿入されている固定ピン部7cを抜去し
て外し、フリーの状態にする。すると、フリーの状態に
なったウエハトレイ2Aは、載置台5に載置されたウエ
ハトレイ2の最上部のウエハトレイ2C上に載置され
る。
【0034】そして、カセット上下駆動モータ4により
載置台5に載置されたウエハトレイ2の最上部のウエハ
トレイ2Aがウエハトレイ2Bに接するようにリニアガ
イド6に沿って所定の高さに上昇させる。
【0035】そして、ウエハトレイ2Bを、上部のロッ
クシリンダ7Bにてウエハトレイ2Bの両端部に設けら
れた固定溝3に挿入されている固定ピン部7cを抜去し
て外し、フリーの状態にする。すると、フリーの状態に
なったウエハトレイ2Bおよびウエハトレイ2B上に載
置されている上部のウエハトレイ2は、載置台5に載置
されたウエハトレイ2の最上部のウエハトレイ2A上に
載置される。つまりこの動作により、全てのウエハトレ
イ2は載置台5に載置される。
【0036】この後、この一連動作を繰り返して行な
う。
【0037】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体製造装置の装置本体のロードロック室に設けられた
ウエハカセットは、ウエハを1枚毎に収納する複数のウ
エハトレイからなる構造であり、かつウエハトレイの間
隔であるピッチ(従来のウエハカセットの隣接した収納
溝のピッチに相当)を部分的に拡大する構造を有するの
で、ウエハを収納するまたは取り出す(移載する)箇所
はピッチを従来のウエハカセットと同程度に広く設け、
これ以外の箇所はピッチを従来のウエハカセットより狭
くでき、ウエハカセットを小型化できるという効果が得
られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図3の本発明の一実施形態の半導体製造装置に
設けられたウエハカセットを示す模式図である。
【図2】図1の部分拡大図である。
【図3】本発明の半導体製造装置の一実施形態を示す平
面模式図であり、従来技術の半導体製造装置を示す平面
模式図である。
【図4】(a)は図3の従来技術の半導体製造装置に設
けられたウエハカセットを示す模式図であり、(b)は
その部分拡大図である。
【符号の説明】
1,1a,1b ウエハカセット 2,2A,2B,2C ウエハトレイ 2d 収納棚部 3 固定溝 4 カセット上下駆動モータ 5 載置台 6 リニアガイド 7,7A,7B ロック(固定)シリンダ 7c 固定ピン部 8 収納棚 9 収納溝 11 半導体製造装置本体(装置本体) 12 真空ロードロック室(ロードロック室) 13 プロセス室 14 搬送室 15,31 ウエハ移載ロボット 16 移載アーム 17 ブレード 21 カセットステージ 22 工程カセット(ウエハカセット) 41 半導体ウエハ(ウエハ) p1a,p1b,p1c,p2 ピッチ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハを収納するピッチを部分的
    に拡大するピッチ拡大手段を有するウエハカセットを備
    えたことを特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項2】 前記ウエハカセットを、半導体ウエハの
    プロセス処理を行なう半導体製造装置の、前記半導体製
    造装置周囲の大気側と遮断した気密構造で真空状態にな
    る真空室に備えた請求項1記載の半導体製造装置。
  3. 【請求項3】 前記ウエハカセットは、前記半導体ウエ
    ハを1枚毎に載置し収納する複数のウエハトレイを有す
    る請求項1または2記載の半導体製造装置。
  4. 【請求項4】 前記ウエハトレイは、対称な形状で一対
    に構成され、中央に前記半導体ウエハを1枚毎に載置し
    収納する収納棚部を有する請求項3記載の半導体製造装
    置。
  5. 【請求項5】 前記ピッチ拡大手段として、積み重ねら
    れた前記ウエハトレイを前記ウエハトレイのピッチを部
    分的に拡大させた位置に移動させるウエハトレイ移動手
    段と、前記ウエハトレイ移動手段により前記ピッチを部
    分的に拡大させた位置の前記ウエハトレイを固定するウ
    エハトレイ固定手段とを有している請求項1記載の半導
    体製造装置。
  6. 【請求項6】 前記ウエハトレイ移動手段として、積み
    重ねられた各前記ウエハトレイの両端部が連結され各前
    記ウエハトレイが上下移動する案内である一対のリニア
    ガイドと、自重で積み重ねられた前記ウエハトレイを載
    置する載置台と、前記載置台に連結され前記載置台に載
    置された前記ウエハトレイを所定の位置に移動させるカ
    セット上下駆動モータとを有している請求項5記載の半
    導体製造装置。
  7. 【請求項7】 前記ウエハトレイ固定手段として、前記
    ウエハトレイの両端部に設けられた固定溝と、前記ウエ
    ハトレイの厚さより大きい間隔で設けられ、前記所定の
    位置に移動させた前記ウエハトレイを前記ウエハトレイ
    に設けられた固定溝に固定ピン部を挿入して固定する固
    定シリンダとを有している請求項5記載の半導体製造装
    置。
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