JP2001223541A - フィードフォワード増幅器 - Google Patents
フィードフォワード増幅器Info
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- JP2001223541A JP2001223541A JP2000031344A JP2000031344A JP2001223541A JP 2001223541 A JP2001223541 A JP 2001223541A JP 2000031344 A JP2000031344 A JP 2000031344A JP 2000031344 A JP2000031344 A JP 2000031344A JP 2001223541 A JP2001223541 A JP 2001223541A
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- imd
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 必要最小限の消費電力での動作を可能とした
フィードフォワード増幅器を提供する 【解決手段】 Aクラス動作のFETを用いた増幅器に
おいて、IMDの発生量を検波回路6により監視し、I
MDの発生量が少ない時は、制御回路19にて、主信号
を増幅する主増幅器1と、「歪除去ループ」に用いられ
る補助増幅器2とに使用されるAクラス動作のFETの
バイアス回路に流れる電流を減らし、消費電力を抑え
る。
フィードフォワード増幅器を提供する 【解決手段】 Aクラス動作のFETを用いた増幅器に
おいて、IMDの発生量を検波回路6により監視し、I
MDの発生量が少ない時は、制御回路19にて、主信号
を増幅する主増幅器1と、「歪除去ループ」に用いられ
る補助増幅器2とに使用されるAクラス動作のFETの
バイアス回路に流れる電流を減らし、消費電力を抑え
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフィードフォワード
増幅器に関し、特に自己調整型のフィードフォワード増
幅器に関するものである。
増幅器に関し、特に自己調整型のフィードフォワード増
幅器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の自己調整型フィードフォワード増
幅器の構成の一例を図6に示している。図6において、
当該フィードフォワード増幅器は「歪抽出ループ」と
「歪除去ループ」との二つのループから構成されてい
る。
幅器の構成の一例を図6に示している。図6において、
当該フィードフォワード増幅器は「歪抽出ループ」と
「歪除去ループ」との二つのループから構成されてい
る。
【0003】前者の「歪抽出ループ」は、入力信号を増
幅する主増幅器1の入力と増幅出力とを互いに逆相で等
振幅とした後、これ等を方向性結合器10で合成して、
主増幅器1で発生した歪成分を抽出するものであり、方
向性結合器7,8,10と、遅延線路3とにより構成さ
れている。また、後者の「歪除去ループ」は「歪抽出ル
ープ」により抽出された歪成分と前記の増幅出力とを互
いに逆相で等振幅とした後、これ等を方向性結合器9で
合成して、歪成分を除去するものであり、ベクトル調整
器11と、補助増幅器2と、方向性結合器9とにより構
成されている。
幅する主増幅器1の入力と増幅出力とを互いに逆相で等
振幅とした後、これ等を方向性結合器10で合成して、
主増幅器1で発生した歪成分を抽出するものであり、方
向性結合器7,8,10と、遅延線路3とにより構成さ
れている。また、後者の「歪除去ループ」は「歪抽出ル
ープ」により抽出された歪成分と前記の増幅出力とを互
いに逆相で等振幅とした後、これ等を方向性結合器9で
合成して、歪成分を除去するものであり、ベクトル調整
器11と、補助増幅器2と、方向性結合器9とにより構
成されている。
【0004】更に述べると、入力信号は入力端子15よ
り入力され、出力信号は出力端子16より出力される。
方向性結合器7は入力信号を2分配する。方向性結合器
7で分配された入力信号の一方は、遅延線路3で位相反
転される。方向性結合器8は主増幅器1の増幅出力を2
分配する。方向性結合器8で分配された出力信号の一方
は、遅延線路4で位相反転される。
り入力され、出力信号は出力端子16より出力される。
方向性結合器7は入力信号を2分配する。方向性結合器
7で分配された入力信号の一方は、遅延線路3で位相反
転される。方向性結合器8は主増幅器1の増幅出力を2
分配する。方向性結合器8で分配された出力信号の一方
は、遅延線路4で位相反転される。
【0005】ベクトル調整器12は、方向性結合器10
に入力される2つの信号が互いに逆相で等振幅となるよ
うに調整する。補助増幅器2は歪成分を増幅する。ベク
トル調整器11は、方向性結合器9に入力される2つの
信号が互いに逆相で等振幅となるように調整する。その
際、制御回路14はベクトル調整器11とベクトル調整
器12との振幅と位相を変化させるための電圧を制御す
る。
に入力される2つの信号が互いに逆相で等振幅となるよ
うに調整する。補助増幅器2は歪成分を増幅する。ベク
トル調整器11は、方向性結合器9に入力される2つの
信号が互いに逆相で等振幅となるように調整する。その
際、制御回路14はベクトル調整器11とベクトル調整
器12との振幅と位相を変化させるための電圧を制御す
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような図6に示し
た従来の自己調整型フィードフォワード増幅器では、増
幅器の相互変調歪成分であるIMD(Inter-Modulation
Distortion )の発生量が少ない時でも、主増幅器や補
助増幅器に供給される電力は一定とされているので、無
駄な電力を消費するという欠点がある。
た従来の自己調整型フィードフォワード増幅器では、増
幅器の相互変調歪成分であるIMD(Inter-Modulation
Distortion )の発生量が少ない時でも、主増幅器や補
助増幅器に供給される電力は一定とされているので、無
駄な電力を消費するという欠点がある。
【0007】本発明はかかる従来技術の欠点を解消すべ
くなされたものであって、その目的とするところは、必
要最小限の消費電力での動作を可能としたフィードフォ
ワード増幅器を提供することにある。
くなされたものであって、その目的とするところは、必
要最小限の消費電力での動作を可能としたフィードフォ
ワード増幅器を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によるフィードフ
ォワード増幅器は、信号を増幅する主増幅器と、この主
増幅出力から歪み成分を抽出する歪み抽出ループと、こ
の抽出歪み成分を増幅する補助増幅器を有しこの増幅歪
み成分を前記主増幅器の出力にて合成することにより歪
み成分を除去する歪み除去ループとを含むフィードフォ
ワード増幅器であって、前記主増幅器および補助増幅器
の増幅素子により発生する相互変調歪み成分を検出する
検出手段と、この検出成分に応じて前記増幅素子のバイ
アス制御をなす制御手段を含むことを特徴とする。
ォワード増幅器は、信号を増幅する主増幅器と、この主
増幅出力から歪み成分を抽出する歪み抽出ループと、こ
の抽出歪み成分を増幅する補助増幅器を有しこの増幅歪
み成分を前記主増幅器の出力にて合成することにより歪
み成分を除去する歪み除去ループとを含むフィードフォ
ワード増幅器であって、前記主増幅器および補助増幅器
の増幅素子により発生する相互変調歪み成分を検出する
検出手段と、この検出成分に応じて前記増幅素子のバイ
アス制御をなす制御手段を含むことを特徴とする。
【0009】そして、前記検出手段は、前記歪み除去ル
ープの出力において前記相互変調歪み成分を検出する検
波回路を有することを特徴とし、前記制御手段は、前記
相互変調歪み成分と前記増幅素子のバイアスとの関係を
予めデータとして有することを特徴とする。また、前記
制御手段は、前記相互変調歪み成分が所定値より小なる
場合は、前記データに基づいて前記増幅素子のバイアス
をより小に制御することを特徴とする。
ープの出力において前記相互変調歪み成分を検出する検
波回路を有することを特徴とし、前記制御手段は、前記
相互変調歪み成分と前記増幅素子のバイアスとの関係を
予めデータとして有することを特徴とする。また、前記
制御手段は、前記相互変調歪み成分が所定値より小なる
場合は、前記データに基づいて前記増幅素子のバイアス
をより小に制御することを特徴とする。
【0010】特に、前記増幅素子がAクラス動作の場
合、前記制御手段は前記増幅素子のドレイン電流を制御
するよう構成されており、前記増幅素子がABクラス動
作の場合、前記制御手段は前記増幅素子のドレイン電圧
を制御するよう構成されていることを特徴とする。
合、前記制御手段は前記増幅素子のドレイン電流を制御
するよう構成されており、前記増幅素子がABクラス動
作の場合、前記制御手段は前記増幅素子のドレイン電圧
を制御するよう構成されていることを特徴とする。
【0011】本発明の作用を述べる。本発明によるフィ
ードフォワード増幅器は、特にAクラス動作のFETを
用いた増幅器において、IMDの発生量を監視し、常に
最小電力で動作する自己調整型フィードフォワード増幅
器を実現するものであり、すなわち、IMDの発生量が
少ない時は、主信号を増幅する主増幅器と「歪除去ルー
プ」に用いられる補助増幅器とに使用されるAクラス動
作のFETのバイアス回路に流れる電流を減らし、消費
電力を抑える。
ードフォワード増幅器は、特にAクラス動作のFETを
用いた増幅器において、IMDの発生量を監視し、常に
最小電力で動作する自己調整型フィードフォワード増幅
器を実現するものであり、すなわち、IMDの発生量が
少ない時は、主信号を増幅する主増幅器と「歪除去ルー
プ」に用いられる補助増幅器とに使用されるAクラス動
作のFETのバイアス回路に流れる電流を減らし、消費
電力を抑える。
【0012】また、特にABクラス動作のFETを用い
た増幅器においては、IMDの発生量が少ない時は、主
信号を増幅する主増幅器と「歪除去ループ」に用いられ
る補助増幅器とに使用されるABクラス動作のFETの
ドレイン電圧を減らし、消費電力を抑える。
た増幅器においては、IMDの発生量が少ない時は、主
信号を増幅する主増幅器と「歪除去ループ」に用いられ
る補助増幅器とに使用されるABクラス動作のFETの
ドレイン電圧を減らし、消費電力を抑える。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照しつつ本発明
の実施例につき説明する。図1は本発明の一実施例の回
路図であり、図6と同等部分は同一符号にて示してい
る。図1において、出力されるRF信号を方向性結合器
5で分配し、そのIMD成分の発生量を検波回路6で検
出して電圧値へと変換する。その電圧値を制御回路19
で受け、IMD成分の発生量を示す電圧値が低いと判定
した場合、主増幅器1と補助増幅器2とAクラス増幅用
FETのバイアス電流を制御するものである。すなわ
ち、IMD成分の発生量が低いと判定された場合には、
主増幅器1、補助増幅器2内のAクラス動作のFETに
供給される電流を減少させるものである。
の実施例につき説明する。図1は本発明の一実施例の回
路図であり、図6と同等部分は同一符号にて示してい
る。図1において、出力されるRF信号を方向性結合器
5で分配し、そのIMD成分の発生量を検波回路6で検
出して電圧値へと変換する。その電圧値を制御回路19
で受け、IMD成分の発生量を示す電圧値が低いと判定
した場合、主増幅器1と補助増幅器2とAクラス増幅用
FETのバイアス電流を制御するものである。すなわ
ち、IMD成分の発生量が低いと判定された場合には、
主増幅器1、補助増幅器2内のAクラス動作のFETに
供給される電流を減少させるものである。
【0014】以下に詳述する。図1を参照すると、本発
明によるフィードフォワード増幅器は、入力信号を増幅
する主増幅器1の入力と、増幅出力とを互いに逆相で等
振幅とした後、方向性結合器10で合成して、主増幅器
1で発生した歪成分を抽出する「歪抽出ループ」を有す
る。また、その歪成分と前記の増幅出力とを互いに逆相
で等振幅とした後、方向性結合器9で合成し、歪成分を
除去する「歪除去ループ」を有する。
明によるフィードフォワード増幅器は、入力信号を増幅
する主増幅器1の入力と、増幅出力とを互いに逆相で等
振幅とした後、方向性結合器10で合成して、主増幅器
1で発生した歪成分を抽出する「歪抽出ループ」を有す
る。また、その歪成分と前記の増幅出力とを互いに逆相
で等振幅とした後、方向性結合器9で合成し、歪成分を
除去する「歪除去ループ」を有する。
【0015】入力信号は入力端子15より入力され、出
力信号は出力端子16より出力される。方向性結合器7
は入力信号を2分配する。方向性結合器7で分配された
入力信号の一方は遅延線路3で位相反転される。方向性
結合器8は主増幅器1の増幅出力を2分配する。方向性
結合器8で分配された出力信号の一方は遅延線路4で位
相反転される。ベクトル調整器12は方向性結合器10
に入力される2つの信号が互いに逆相で等振幅となるよ
うに調整する。補助増幅器2は歪成分を増幅する。
力信号は出力端子16より出力される。方向性結合器7
は入力信号を2分配する。方向性結合器7で分配された
入力信号の一方は遅延線路3で位相反転される。方向性
結合器8は主増幅器1の増幅出力を2分配する。方向性
結合器8で分配された出力信号の一方は遅延線路4で位
相反転される。ベクトル調整器12は方向性結合器10
に入力される2つの信号が互いに逆相で等振幅となるよ
うに調整する。補助増幅器2は歪成分を増幅する。
【0016】ベクトル調整器11は、方向性結合器9に
入力される2つの信号が互いに逆相で等振幅となるよう
に調整する。その際、制御回路14はベクトル調整器1
1とベクトル調整器12との振幅と位相を変化させるた
めの電圧を制御する。安定化電源13は主増幅器1と補
助増幅器2とに電力を供給する。方向性結合器5は入力
信号を2分配する。方向性結合器5で分配された信号の
IMD成分の発生量を検波回路6によって電圧値に変え
る。
入力される2つの信号が互いに逆相で等振幅となるよう
に調整する。その際、制御回路14はベクトル調整器1
1とベクトル調整器12との振幅と位相を変化させるた
めの電圧を制御する。安定化電源13は主増幅器1と補
助増幅器2とに電力を供給する。方向性結合器5は入力
信号を2分配する。方向性結合器5で分配された信号の
IMD成分の発生量を検波回路6によって電圧値に変え
る。
【0017】制御回路19は検波回路6より伝わった電
圧値の増減によりIMD成分発生量の増減を判別し、自
己調整型フィードフォワード増幅器のIMD成分発生量
が少ない時は、主増幅器1、補助増幅器2に供給される
電流を減らし、IMD成分発生量が多い時は、電流を増
やすよう調整する。その際、制御回路19は主増幅器
1、補助増幅器2に供給される電流の変動による主増幅
器1、補助増幅器2の振幅と位相の変化分を補正するよ
う、それぞれベクトル調整器12,11の振幅と位相を
調整する。
圧値の増減によりIMD成分発生量の増減を判別し、自
己調整型フィードフォワード増幅器のIMD成分発生量
が少ない時は、主増幅器1、補助増幅器2に供給される
電流を減らし、IMD成分発生量が多い時は、電流を増
やすよう調整する。その際、制御回路19は主増幅器
1、補助増幅器2に供給される電流の変動による主増幅
器1、補助増幅器2の振幅と位相の変化分を補正するよ
う、それぞれベクトル調整器12,11の振幅と位相を
調整する。
【0018】次に、主増幅器1と補助増幅器2との詳細
な構成について説明する。図2は、主増幅器1と補助増
幅器2内に使用されるAクラス動作するFETのバイア
ス回路の構成例を示す図である。主増幅器1と補助増幅
器2内に使用されるAクラス動作のFETのバイアス回
路は同一構成であるため、以下は主増幅器1を例にとり
説明する。
な構成について説明する。図2は、主増幅器1と補助増
幅器2内に使用されるAクラス動作するFETのバイア
ス回路の構成例を示す図である。主増幅器1と補助増幅
器2内に使用されるAクラス動作のFETのバイアス回
路は同一構成であるため、以下は主増幅器1を例にとり
説明する。
【0019】図2において、回路51は、主増幅器1内
部のAクラス動作のFET53とバイアス回路との接続
関係を表している。RF入力端子54から入力されたR
F信号はFET53により増幅され、RF出力端子55
より出力される。FET53への電力は安定化電源13
より供給される。
部のAクラス動作のFET53とバイアス回路との接続
関係を表している。RF入力端子54から入力されたR
F信号はFET53により増幅され、RF出力端子55
より出力される。FET53への電力は安定化電源13
より供給される。
【0020】制御電圧入力端子63からの制御電圧はバ
イアス電流設定回路56に入力される。バイアス電流設
定回路56はFET53のゲート電圧を可変することに
よりドレイン電流Iを増減することを可能とする。制御
電圧が高い場合、FET53のゲート電圧を下げてFE
T53のドレイン電流Iを多くすることが出来る。ま
た、反対に制御電圧が低い場合、FET53のゲート電
圧を高くしてFET53のドレイン電流Iを少なくする
ことが出来る。
イアス電流設定回路56に入力される。バイアス電流設
定回路56はFET53のゲート電圧を可変することに
よりドレイン電流Iを増減することを可能とする。制御
電圧が高い場合、FET53のゲート電圧を下げてFE
T53のドレイン電流Iを多くすることが出来る。ま
た、反対に制御電圧が低い場合、FET53のゲート電
圧を高くしてFET53のドレイン電流Iを少なくする
ことが出来る。
【0021】次に、図1の回路の動作について、図を用
いて説明する。本発明では、RF信号は、CW(連続
波)2波とし、周波数をそれぞれf1、f2(f1<f
2)とする。IMD成分は、3次のIMDのみとし、そ
の周波数は、f3(=f1−(f2−f1))とf4
(=f2+(f2−f1))とする。主増幅器1、補助
増幅器2は、同じAクラス動作のFETで構成される。
安定化電源13はDC12Vを供給する。
いて説明する。本発明では、RF信号は、CW(連続
波)2波とし、周波数をそれぞれf1、f2(f1<f
2)とする。IMD成分は、3次のIMDのみとし、そ
の周波数は、f3(=f1−(f2−f1))とf4
(=f2+(f2−f1))とする。主増幅器1、補助
増幅器2は、同じAクラス動作のFETで構成される。
安定化電源13はDC12Vを供給する。
【0022】図3は主増幅器1、補助増幅器2の増幅器
自体のIMD成分発生量と主増幅器1、補助増幅器2に
用いられるAクラス動作のFETのドレイン電流との関
係を示すグラフであり、制御回路19は予め図3に示す
相関データをもつものとする。通常の状態において、自
己調整型フィードフォワード増幅器のf3、f4の周波
数にあるIMD成分は、検波回路6によって電圧値Vに
変換されている。制御回路19はその電圧値Vを読み取
り、ドレイン電流Iを主増幅器1と補助増幅器2へ流し
ている。
自体のIMD成分発生量と主増幅器1、補助増幅器2に
用いられるAクラス動作のFETのドレイン電流との関
係を示すグラフであり、制御回路19は予め図3に示す
相関データをもつものとする。通常の状態において、自
己調整型フィードフォワード増幅器のf3、f4の周波
数にあるIMD成分は、検波回路6によって電圧値Vに
変換されている。制御回路19はその電圧値Vを読み取
り、ドレイン電流Iを主増幅器1と補助増幅器2へ流し
ている。
【0023】今、自己調整型フィードフォワード増幅器
のf3、f4の周波数にあるIMD成分が減少したとす
る。そのIMD成分は検波回路6により電圧値V1(<
V)に変換され、制御回路19は、その電圧値V1が通
常状態での電圧値Vより低いと判断し、主増幅器1と補
助増幅器2へ流すドレイン電流Iを減らしていく。そし
て、自己調整型フィードフォワード増幅器のf3、f4
の周波数にあるIMD成分が通常状態と同じ量となれ
ば、検波回路6により変換される電圧値は再びVとな
り、その時、主増幅器1と補助増幅器2に流れるドレイ
ン電流はI1となる。
のf3、f4の周波数にあるIMD成分が減少したとす
る。そのIMD成分は検波回路6により電圧値V1(<
V)に変換され、制御回路19は、その電圧値V1が通
常状態での電圧値Vより低いと判断し、主増幅器1と補
助増幅器2へ流すドレイン電流Iを減らしていく。そし
て、自己調整型フィードフォワード増幅器のf3、f4
の周波数にあるIMD成分が通常状態と同じ量となれ
ば、検波回路6により変換される電圧値は再びVとな
り、その時、主増幅器1と補助増幅器2に流れるドレイ
ン電流はI1となる。
【0024】反対に自己調整型フィードフォワード増幅
器のf3、f4の周波数にあるIMD成分が増加したと
する。そのIMD成分は、検波回路6により電圧値V2
(>V)に変換され、制御回路19は、その電圧値V2
が通常状態での電圧値Vより高いと判断し、主増幅器1
と補助増幅器2へ流すドレイン電流Iを増やしていく。
そして、自己調整型フィードフォワード増幅器のf3、
f4の周波数にあるIMD成分が通常状態と同じ量とな
れば、検波回路6により変換される電圧値は再びVとな
り、その時、主増幅器1と補助増幅器2に流れるドレイ
ン電流はI2となる。
器のf3、f4の周波数にあるIMD成分が増加したと
する。そのIMD成分は、検波回路6により電圧値V2
(>V)に変換され、制御回路19は、その電圧値V2
が通常状態での電圧値Vより高いと判断し、主増幅器1
と補助増幅器2へ流すドレイン電流Iを増やしていく。
そして、自己調整型フィードフォワード増幅器のf3、
f4の周波数にあるIMD成分が通常状態と同じ量とな
れば、検波回路6により変換される電圧値は再びVとな
り、その時、主増幅器1と補助増幅器2に流れるドレイ
ン電流はI2となる。
【0025】このように、自己調整型フィードフォワー
ド増幅器はIMD成分の発生量に伴って主増幅器1と補
助増幅器2に流れるドレイン電流を変えることにより、
IMD成分の発生量を一定とし、その時に必要最小限度
のドレイン電流で動作させるので、消費電力を最適とす
ることができる。
ド増幅器はIMD成分の発生量に伴って主増幅器1と補
助増幅器2に流れるドレイン電流を変えることにより、
IMD成分の発生量を一定とし、その時に必要最小限度
のドレイン電流で動作させるので、消費電力を最適とす
ることができる。
【0026】次に、本発明の他の実施例について図4を
参照して詳細に説明する。図4において図1と同等部分
は同一符号により示している。この自己調整型フィード
フォワード増幅器は主増幅器1と補助増幅器2にABク
ラス動作のFETを用いたときの回路である。図1の実
施例と異なる点は、制御回路19が主増幅器1と補助増
幅器2に供給されるドレイン電圧をかえる目的で、安定
化電源13の電圧を可変するという点である。
参照して詳細に説明する。図4において図1と同等部分
は同一符号により示している。この自己調整型フィード
フォワード増幅器は主増幅器1と補助増幅器2にABク
ラス動作のFETを用いたときの回路である。図1の実
施例と異なる点は、制御回路19が主増幅器1と補助増
幅器2に供給されるドレイン電圧をかえる目的で、安定
化電源13の電圧を可変するという点である。
【0027】図5は主増幅器1、補助増幅器2の増幅器
自体のIMD成分発生量と主増幅器1、補助増幅器2に
用いられるABクラス動作のFETのドレイン電圧との
関係を示すグラフであり、制御回路19は予め図5に示
す相関データをもつものとする。通常の状態において、
自己調整型フィードフォワード増幅器のf3、f4の周
波数にあるIMD成分は、検波回路6によって電圧値V
に変換されている。制御回路19はその電圧値Vを読み
取り、ドレイン電圧Dを主増幅器1と補助増幅器2へ供
給している。
自体のIMD成分発生量と主増幅器1、補助増幅器2に
用いられるABクラス動作のFETのドレイン電圧との
関係を示すグラフであり、制御回路19は予め図5に示
す相関データをもつものとする。通常の状態において、
自己調整型フィードフォワード増幅器のf3、f4の周
波数にあるIMD成分は、検波回路6によって電圧値V
に変換されている。制御回路19はその電圧値Vを読み
取り、ドレイン電圧Dを主増幅器1と補助増幅器2へ供
給している。
【0028】今、自己調整型フィードフォワード増幅器
のf3、f4の周波数にあるIMD成分が減少したとす
る。そのIMD成分は検波回路6により電圧値V1(<
V)に変換され、制御回路19は、その電圧値V1が通
常状態での電圧値Vより低いと判断し、主増幅器1と補
助増幅器2のドレイン電圧Dを減らしていく。そして、
自己調整型フィードフォワード増幅器23のf3、f4
の周波数にあるIMD成分が通常状態と同じ量となれ
ば、検波回路6により変換される電圧値は再びVとな
り、その時、主増幅器1と補助増幅器2のドレイン電圧
はD1となる。
のf3、f4の周波数にあるIMD成分が減少したとす
る。そのIMD成分は検波回路6により電圧値V1(<
V)に変換され、制御回路19は、その電圧値V1が通
常状態での電圧値Vより低いと判断し、主増幅器1と補
助増幅器2のドレイン電圧Dを減らしていく。そして、
自己調整型フィードフォワード増幅器23のf3、f4
の周波数にあるIMD成分が通常状態と同じ量となれ
ば、検波回路6により変換される電圧値は再びVとな
り、その時、主増幅器1と補助増幅器2のドレイン電圧
はD1となる。
【0029】反対に自己調整型フィードフォワード増幅
器23のf3、f4の周波数にあるIMD成分が増加し
たとする。そのIMD成分は検波回路6により電圧値V
2(>V)に変換され、制御回路19は、その電圧値V
2が通常状態での電圧値Vより高いと判断し、主増幅器
1と補助増幅器2のドレイン電圧Dを増やしていく。そ
して、自己調整型フィードフォワード増幅器のf3、f
4の周波数にあるIMD成分が通常状態と同じ量となれ
ば、検波回路6により変換される電圧値は再びVとな
り、その時、主増幅器1と補助増幅器2のドレイン電圧
はD2となる。
器23のf3、f4の周波数にあるIMD成分が増加し
たとする。そのIMD成分は検波回路6により電圧値V
2(>V)に変換され、制御回路19は、その電圧値V
2が通常状態での電圧値Vより高いと判断し、主増幅器
1と補助増幅器2のドレイン電圧Dを増やしていく。そ
して、自己調整型フィードフォワード増幅器のf3、f
4の周波数にあるIMD成分が通常状態と同じ量となれ
ば、検波回路6により変換される電圧値は再びVとな
り、その時、主増幅器1と補助増幅器2のドレイン電圧
はD2となる。
【0030】このように、図4の自己調整型フィードフ
ォワード増幅器はIMD成分の発生量に伴って主増幅器
1と補助増幅器2のドレイン電圧を変えることにより、
IMD成分の発生量を一定とし、その時に必要最小限度
のドレイン電圧で動作させるので、消費電力を最適とす
ることができる。
ォワード増幅器はIMD成分の発生量に伴って主増幅器
1と補助増幅器2のドレイン電圧を変えることにより、
IMD成分の発生量を一定とし、その時に必要最小限度
のドレイン電圧で動作させるので、消費電力を最適とす
ることができる。
【0031】
【発明の効果】第1の効果は、特に主増幅器と補助増幅
器内に、Aクラス動作のFETを用いた自己調整型フィ
ードフォワード増幅器において、最小電力で動作させる
ことができるという点である。その理由は、自己調整型
フィードフォワード増幅器のIMD成分の発生量によ
り、主増幅器、補助増幅器のドレイン電流を増減するこ
とにより、必要最小限の消費電力での動作を可能にする
からである。
器内に、Aクラス動作のFETを用いた自己調整型フィ
ードフォワード増幅器において、最小電力で動作させる
ことができるという点である。その理由は、自己調整型
フィードフォワード増幅器のIMD成分の発生量によ
り、主増幅器、補助増幅器のドレイン電流を増減するこ
とにより、必要最小限の消費電力での動作を可能にする
からである。
【0032】第2の効果は、特に主増幅器と補助増幅器
内に、ABクラス動作のFETを用いた自己調整型フィ
ードフォワード増幅器において、最小電力で動作させる
ことができるという点である。その理由は、自己調整型
フィードフォワード増幅器のIMD成分の発生量によ
り、主増幅器、補助増幅器のドレイン電圧を増減するこ
とにより、必要最小限の消費電力での動作を可能にする
からである。
内に、ABクラス動作のFETを用いた自己調整型フィ
ードフォワード増幅器において、最小電力で動作させる
ことができるという点である。その理由は、自己調整型
フィードフォワード増幅器のIMD成分の発生量によ
り、主増幅器、補助増幅器のドレイン電圧を増減するこ
とにより、必要最小限の消費電力での動作を可能にする
からである。
【図1】本発明の一実施例の回路図である。
【図2】図の一部詳細回路図である。
【図3】増幅器より発生するIMD成分対ドレイン電流
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図4】本発明の他の実施例の回路図である。
【図5】増幅器より発生するIMD成分対ドレイン電圧
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図6】従来例を示す回路図である。
1 主増幅器 2 補助増幅器 3、4 遅延線路 5、7、8、9、10 方向性結合器 6 検波回路 11、12 ベクトル調整器 13 安定化電源 14、19 制御回路 15 入力端子 16 出力端子 53 FET 56 バイアス電流設定回路
フロントページの続き Fターム(参考) 5J090 AA01 AA41 AA62 CA27 CA36 FA04 FA08 GN02 GN05 GN07 HA09 HN08 KA15 KA47 KA55 MA14 MA21 TA01 TA02 5J092 AA01 AA41 AA62 CA27 CA36 FA04 FA08 GR09 HA09 KA15 KA47 KA55 MA14 MA21 TA01 TA02 VL08 5K060 BB07 HH06 JJ08 JJ16 KK06 LL11 LL24 MM02
Claims (6)
- 【請求項1】 信号を増幅する主増幅器と、この主増幅
出力から歪み成分を抽出する歪み抽出ループと、この抽
出歪み成分を増幅する補助増幅器を有しこの増幅歪み成
分を前記主増幅器の出力にて合成することにより歪み成
分を除去する歪み除去ループとを含むフィードフォワー
ド増幅器であって、前記主増幅器および補助増幅器の増
幅素子により発生する相互変調歪み成分を検出する検出
手段と、この検出成分に応じて前記増幅素子のバイアス
制御をなす制御手段を含むことを特徴とするフィードフ
ォワード増幅器。 - 【請求項2】 前記検出手段は、前記歪み除去ループの
出力において前記相互変調歪み成分を検出する検波回路
を有することを特徴とする請求項1記載のフィードフォ
ワード増幅器。 - 【請求項3】 前記制御手段は、前記相互変調歪み成分
と前記増幅素子のバイアスとの関係を予めデータとして
有することを特徴とする請求項1または2記載のフィー
ドフォワード増幅器。 - 【請求項4】 前記制御手段は、前記相互変調歪み成分
が所定値より小なる場合は、前記データに基づいて前記
増幅素子のバイアスをより小に制御することを特徴とす
る請求項3記載のフィードフォワード増幅器。 - 【請求項5】 前記増幅素子がAクラス動作の場合、前
記制御手段は前記増幅素子のドレイン電流を制御するよ
う構成されていることを特徴とする請求項4記載のフィ
ードフォワード増幅器。 - 【請求項6】 前記増幅素子がABクラス動作の場合、
前記制御手段は前記増幅素子のドレイン電圧を制御する
よう構成されていることを特徴とする請求項4記載のフ
ィードフォワード増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000031344A JP2001223541A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | フィードフォワード増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000031344A JP2001223541A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | フィードフォワード増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001223541A true JP2001223541A (ja) | 2001-08-17 |
Family
ID=18556111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000031344A Pending JP2001223541A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | フィードフォワード増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001223541A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051722A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | フィードフォワード方式歪補償増幅器 |
US6756844B2 (en) * | 2001-08-07 | 2004-06-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Distortion compensation amplification apparatus of feed forward type and adaptive pre-distortion type |
JP2010171535A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | フィードフォワード歪補償増幅器 |
Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JPS61102805A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-21 | Fujitsu Ltd | 直線増幅方式 |
JPH0637551A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Fujitsu Ltd | 歪み補償回路 |
JPH0897642A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 低歪み増幅器、多段増幅器および移動体通信用基地局 |
JPH08256018A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Nec Corp | 高周波直線増幅器の消費電力制御回路 |
-
2000
- 2000-02-09 JP JP2000031344A patent/JP2001223541A/ja active Pending
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