JP2001222030A - インプレーンスイッチングモード液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

インプレーンスイッチングモード液晶表示装置及びその製造方法

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JP2001222030A JP2000388467A JP2000388467A JP2001222030A JP 2001222030 A JP2001222030 A JP 2001222030A JP 2000388467 A JP2000388467 A JP 2000388467A JP 2000388467 A JP2000388467 A JP 2000388467A JP 2001222030 A JP2001222030 A JP 2001222030A
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line
bus line
liquid crystal
pixel
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Kyung Ha Lee
景 夏 李
Jeong Geun Kim
貞 根 金
Seung Yik Park
承 翊 朴
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Hynix Semiconductor Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 インプレーンスイッチングモード液晶表示装
置での開口率と透過率を向上させる。 【解決手段】 透明性絶縁基板２０と、交差して配列さ
れたゲート、データバスライン２２、２６と、ゲートバ
スラインと平行し、一対の遮光部２１ａを有する共通電
極ライン２１と、ゲート、データバスラインの交差点付
近に配置する薄膜トランジスタと、共通電極ラインの遮
光部の間の画素領域に配置され、数個のブランチ２４
ａ、ブランチの一端と連結しながら共通電極ラインと接
続するバー２４ｂとで構成する透明導電体カウンター電
極２４と、共通電極ラインの遮光部とオーバーラップ配
置される一対の第１電極部２８ａ、カウンター電極のブ
ランチの間に配置される第２電極部２８ｂ、第１及び第
２電極部の一端と連結し薄膜トランジスタの一部分と接
続する第３電極部２８ｃとで構成する透明導電体画素電
極２８とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、より詳しくは、開口率と透過率を向上させたインプ
レーンスイッチング（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈ
ｉｎｇ）モード液晶表示装置及びその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置（以下、ＬＣＤ）は、ＣＲ
Ｔ（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）に比べ軽量、
薄型、低消費電力の利点を有するため、ＣＲＴに代えて
各種情報機器の端末機又はビデオ機器等に多く利用され
ている。このようなＬＣＤは、駆動モードとしてＴＮ
（Ｔｗｉｓｔ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードを主に採用して
いる。しかし、ＴＮモードＬＣＤは実用化されている
が、視野角が狭いという欠点がある。したがって、ＴＮ
モードＬＣＤの狭い視野角の欠点を改善するため、イン
プレーンスイッチング（以下、ＩＰＳ）モードＬＣＤが
提案されている。
【０００３】図１は、従来技術に係るＩＰＳモードＬＣ
Ｄの平面図であり、以下に、図１を参照してその構造を
説明することにする。図示したように、ゲートバスライ
ン２とデータバスライン６が交差・配置され、これによ
り単位画素が限定される。スイッチング素子としてＴＦ
Ｔ１０が、ゲートバスライン２とデータバスライン７の
交差点付近に配置される。ＴＦＴ１０は周知のように、
ゲート電極２ａとチャネル層（未図示）及びソース／ド
レイン電極６ａ、６ｂを含む。
【０００４】カウンター電極４が画素内に配置される。
カウンター電極４は、データバスライン６と平行に配置
されながら、単位画素の両側縁にそれぞれ配置される一
対の第１ブランチ４ａと、第１ブランチ４ａの間に配置
される第２ブランチ４ｂ、及び第１ブランチ４ａと第２
ブランチ４ｂの一端と連結しながら、単位画素内でゲー
トバスライン２と最大限離隔して平行に配置され、そし
て共通電極ラインとして機能するバー４ｃで構成され
る。
【０００５】画素電極８が画素内に配置される。画素電
極８は、カウンター電極の第１ブランチ４ａとそれぞれ
オーバーラップするよう配置される一対の第１電極部８
ａと、カウンター電極の第２ブランチ４ｂの間にそれぞ
れ配置される第２電極部８ｂ、及び第１及び第２電極部
８ａ、８ｂの一端と連結しながら、ＴＦＴ１０のソース
電極６ａとコンタクトされる第３電極部８ｃとで構成さ
れる。
【０００６】一方、図示してはいないが、上部基板が前
記のような構造の下部基板の上部に所定間隔離隔して配
置され、さらに、数個の液晶分子等を含む液晶層が下部
基板と上部基板の間に介在する。
【０００７】図２は、従来技術に係るＩＰＳモードＬＣ
Ｄの断面図であり、以下に図２を参照してその製造方法
を説明することにする。
【０００８】所定の不透明金属膜がガラス基板１上に蒸
着される。不透明金属膜は公知のフォトリソグラフィー
工程でパターニングされ、これにより、ゲート電極２ａ
を含むゲートバスライン（未図示）と、第１及び第２ブ
ランチ４ａ、４ｂとバー（未図示）を含むカウンター電
極４が形成される。ゲート絶縁膜３がゲートバスライン
とカウンター電極が形成されたガラス基板１の全体上に
蒸着される。チャネル層５がゲート電極２ａ上部のゲー
ト絶縁膜部分上に形成される。ソース／ドレイン用金属
膜がチャネル層５とゲート絶縁膜上に蒸着され、その次
に、ソース及びドレイン電極６ａ、６ｂを含むデータバ
スライン６が金属膜をパターニングすることにより形成
され、この結果ＴＦＴ１０が構成される。オミックコン
タクト層（未図示）がチャネル層５とソース／ドレイン
電極６ａ、６ｂの間に介在する。
【０００９】保護膜７が上記段階までの結果物上に蒸着
され、その次に、保護膜７はその一部分が露出するよう
にエッチングされる。ＩＴＯ膜のような透明金属膜が保
護膜７上に蒸着され、透明金属膜がパターニングされる
ことにより第１及び第２電極部等８ａ、８ｂと第３電極
部８ｃを含む画素電極８が形成される。このとき、画素
電極の第３電極部はＴＦＴのソース電極６ａとコンタク
トするよう形成される。
【００１０】このようなＩＰＳモードＬＣＤは、液晶を
駆動させるためのカウンター電極と画素電極が単一基板
に互いに平行に配列された構造を有し、よってカウンタ
ー電極と画素電極の間に形成される電界は基板面に平行
する。したがって、液晶分子等はそれ自身の長軸が電界
と平行に配列されるため、使用者は全ての方向で液晶分
子の長軸を見ることになり、この結果、ＴＮモードＬＣ
Ｄより改善された視野角を有する。
【００１１】しかし、ＩＰＳモードＬＣＤはカウンター
電極と画素電極が不透明金属で形成されるため、開口率
及び透過率の改善が満足できるものではない。さらに、
ＩＰＳモードＬＣＤでの満足できるような輝度は、バッ
クライトの強度を増加させることにより得ることができ
るため消費電力が増加するという問題点があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は上記
従来のインプレーンスイッチングモード液晶表示装置に
おける問題点に鑑みてなされたものであって、開口率と
透過率を向上させたＩＰＳモードＬＣＤを提供すること
を目的とする。
【００１３】さらに、本発明の他の目的は、開口率と透
過率を向上させることができるＩＰＳモードＬＣＤの製
造方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するためになされた本発明によるインプレーンスイッチ
ングモード液晶表示装置は、透明性絶縁基板と、単位画
素空間を限定するように、前記透明性絶縁基板上に交差
して配列されたゲートバスラインとデータバスライン
と、前記ゲートバスラインと平行しながら単位画素内で
最大限離隔して配列され、単位画素の両側縁に配置され
る一対の遮光部を有する共通電極ラインと、前記ゲート
バスラインとデータバスラインの交差点付近に配置され
た薄膜トランジスタと、前記共通電極ラインの遮光部の
間の画素領域に配置され、前記データバスラインと平行
に配置される数個のブランチと、前記ブランチの一端と
連結しながら前記共通電極ラインとコンタクトされるバ
ー（Ｂａｒ）とで構成され、透明導電体で成るカウンタ
ー電極と、前記データバスラインと平行しながら、前記
共通電極ラインの遮光部とオーバーラップするよう配置
される一対の第１電極部と、前記カウンター電極のブラ
ンチの間にそれぞれ配置される第２電極部と、前記第１
及び第２電極部の一端と連結しながら薄膜トランジスタ
の一部分とコンタクトする第３電極部とで構成され、透
明導電体で成る画素電極とを含むことを特徴とする。
【００１５】さらに、他の目的を達成するためになされ
た本発明によるインプレーンスイッチングモード液晶表
示装置の製造方法は、透明性絶縁基板上に第１不透明金
属膜を蒸着する段階と、前記第１不透明金属膜をパター
ニングし、ゲート電極を含むゲートバスラインと、前記
ゲートバスラインと平行しながら単位画素内で最大限離
隔して配置され、単位画素の両側縁にそれぞれ配置され
る一対の遮光部を有する共通電極ラインを形成する段階
と、前記ゲートバスラインと共通電極ラインを覆うよう
に、前記透明性絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成する段
階と、前記ゲート電極上部のゲート絶縁膜部分上にチャ
ネル層を形成する段階と、薄膜トランジスタが構成され
るように、又、単位画素が限定されるように、前記チャ
ネル層上にソース／ドレイン電極を形成し、同時に、前
記ゲートバスラインと交差して配列されるようにデータ
バスラインを形成する段階と、前記データバスラインを
形成する段階までの結果物上に前記共通電極ラインの一
部分と、薄膜トランジスタの一部分を露出させるコンタ
クトホールを有する保護膜を形成する段階と、前記保護
膜上に透明導電体を蒸着する段階と、前記透明導電体を
パターニングし、前記データバスラインと平行しなが
ら、前記共通電極ラインの遮光部とオーバーラップする
よう配置される一対の第１電極部と、前記カウンター電
極のブランチの間にそれぞれ配置される第２電極部、及
び前記第１と第２電極部の一端と連結しながら薄膜トラ
ンジスタの一部分とコンタクトする第３電極部で構成さ
れる画素電極を形成する段階とを含むことを特徴とす
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明にかかるインプレー
ンスイッチングモード液晶表示装置及びその製造方法の
実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１７】図３は、本発明に係るＩＰＳモードＬＣＤ
の平面図である。図示したように、ゲートバスライン２
２とデータバスライン２６が交差・配列され、これによ
り単位画素が限定される。共通電極ライン２１がゲート
バスラインと平行しながら、単位画素内で最大限離隔す
るよう配列される。共通電極ライン２１は、ゲートバス
ライン２２と同一平面上に配置され、そして同一物質で
形成される。共通電極ライン２１は一対の遮光部２１ａ
を含み、遮光部２１ａは共通電極ライン２１からデータ
バスライン２６と平行に引き出され、単位画素の両側縁
にそれぞれ配置される。共通電極ライン２１は画素の内
側に僅かに延長された突出部２１ｂを含む。
【００１８】スイッチング素子としてＴＦＴ３０が、ゲ
ートバスライン２２とデータバスライン２６の交差点付
近に配置される。ＴＦＴ３０はゲートバスライン２２か
ら延長されたゲート電極２２ａと、ゲート電極２２ａの
上部に配置されたチャネル層（未図示）、データバスラ
イン２６から引き出され、チャネル層の一側とオーバー
ラップするよう配置されたドレイン電極２６ｂ、及びチ
ャネル層の他側とオーバーラップするよう配置されたソ
ース電極２６ａとで構成される。
【００１９】カウンター電極２４が画素内に配置され
る。カウンター電極２４は、共通電極ラインの遮光部２
１ａの間の画素領域にデータバスライン２６と平行に配
置される数個のブランチ２４ａと、ブランチ２４ａの一
端と連結しながら共通電極ラインの突出部２１ｂとコン
タクトするバー２４ｂとで構成される。カウンター電極
２４は透明導電体、例えばＩＴＯ膜で成る。
【００２０】画素電極２８が単位画素に配置される。画
素電極２８はデータバスライン２６と平行しながら、共
通電極ラインの遮光部２１ａとオーバーラップするよう
配置される一対の第１電極部２８ａと、カウンター電極
のブランチ２４ａの間にそれぞれ配置される第２電極部
２８ｂ、及び第１及び第２電極部２８ａ、２８ｂの一端
と連結しながらＴＦＴのソース電極２６ａとコンタクト
される第３電極部２８ｃとで構成される。画素電極２８
は、カウンター電極と同様に透明導電体、例えばＩＴＯ
膜で成る。
【００２１】図４は、本発明に係るＩＰＳモードＬＣＤ
の断面図である。図示したように、導電性が優れた第１
不透明金属膜が透明性絶縁基板、例えばガラス基板２０
上に蒸着され、その次に一対の遮光部２１ａを含む共通
電極ラインと、ゲート電極２２ａを含むゲートバスライ
ンが公知のフォトリソグラフィー工程を利用し、第１不
透明金属膜をパターニングすることにより形成される。
ゲート絶縁膜２３が上記段階までの結果物上に形成され
る。
【００２２】非ドーピングされた非晶質シリコン材質の
チャネル層２５が、公知の工程を介してゲート電極２２
ａ上部のゲート絶縁膜２３部分上に形成される。ソース
／ドレイン用第２不透明金属膜がチャネル層を含むゲー
ト絶縁膜２３上に蒸着され、ソース／ドレイン電極２６
ａ、２６ｂを含むデータバスラインがフォトリソグラフ
ィー工程を利用し、第２不透明金属膜をパターニングす
ることにより形成され、この結果ＴＦＴ３０が構成され
る。
【００２３】ここで、図示してはいないが、ドーピング
された非晶質シリコン材質のオミックコンタクト層がチ
ャネル層２５とソース／ドレイン電極２６ａ、２６ｂの
間に介在する。
【００２４】シリコン窒化膜のような保護膜２７が上記
段階までの結果物上に蒸着され、保護膜２７の所定部分
がＴＦＴのソース電極２６ａと共通電極ラインの一部分
を露出させるよう選択的にエッチングされる。
【００２５】透明導電体としてＩＴＯ膜、ＩｎＯ３とＺ
ｎＯ３が混合したＩＸＯ膜、又はＮｉＳｉ２膜中から選
択される一つの膜が、ホールを完全に埋め込むよう保護
膜２７上に蒸着される。透明導電体が公知のフォトリソ
グラフィー工程を介してパターニングされ、よって、数
個のブランチ２４ａとブランチ２４ａの一端と連結する
バーを含むカウンター電極が形成され、同時に、共通電
極ラインの遮光部２１ａとオーバーラップするよう配置
される一対の第１電極部２８ａと、カウンター電極のブ
ランチ２４ａの間にそれぞれ配置される第２電極部２８
ｂ、及び第１及び第２電極部２８ａ、２８ｂの一端と連
結しながらＴＦＴのソース電極２６ａとコンタクトされ
る第３電極部２８ｃを含む画素電極が形成される。
【００２６】ここで、カウンター電極のブランチ２４ａ
と画素電極の第１及び第２電極部２８ａ、２８ｂは１０
μｍ以下、好ましくは５〜１０μｍの幅に形成される。
カウンター電極のブランチ２４ａと、画素電極の第１及
び第２電極部２８ａ、２８ｂの間の間隔は１０μｍ以
下、好ましくは５〜１０μｍ程度である。カウンター電
極のバーは、保護膜２７に形成されたホールを介して共
通電極ラインの突出部とコンタクトするよう形成され
る。透明導電体としてＮｉＳｉ２膜が利用される場合、
ＮｉＳｉ２膜は１００Å以下、好ましくは５０〜１００
Åに蒸着される。
【００２７】上記のような本発明に係るＩＰＳモードＬ
ＣＤは、ＴＮモードＬＣＤより向上した視野角を有する
だけでなく、カウンター電極と画素電極が透明導電体で
形成されたことに基づき、従来のそれより向上した開口
率及び透過率を有する。
【００２８】詳しく述べれば、開口率及び透過率は、開
口面積、即ち画素領域での光透過面積に依存する。従来
はカウンター電極が不透明金属で構成されるため、カウ
ンター電極の面積に該当するほどの画素領域は光透過が
行われなかった。しかし、本発明のカウンター電極は透
明導電体で形成されるため、カウンター電極を介した光
透過が発生する。したがって、光透過がカウンター電極
の部分で発生するため、本発明のＩＰＳモードＬＣＤは
従来のそれより向上した開口率と透過率を有することに
なる。
【００２９】図５は、本発明の他の実施例に係るＩＰＳ
モードＬＣＤの平面図である。この実施例によれば、共
通電極ライン２１は突出部を含まない。その代り突出部
２４ｃは、共通電極ライン２１との容易な電気的コンタ
クトのためのカウンター電極２４に備えられる。このと
き、突出部２４ｃは透明導電体で成るため、この実施例
は前述の実施例よりさらに向上した開口率及び透過率を
得ることができる。
【００３０】尚、本発明は、本実施例に限られるもので
はない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変
更実施することが可能である。
【００３１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、カウンタ
ー電極が透明導電体で成るため画素領域での開口面積が
増大し、よって、向上した開口率及び透過率を有するＩ
ＰＳモードＬＣＤを得ることができる。
【００３２】さらに本発明によれば、カウンター電極に
基づく表面段差が除去されるため、保護膜の蒸着工程と
後続のラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）工程の安定性を図る
ことができ、よって、製造収率を向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＩＰＳモードＬＣＤの平面図である。
【図２】従来のＩＰＳモードＬＣＤの断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るＩＰＳモードＬＣＤの平
面図である。
【図４】本発明の実施例に係るＩＰＳモードＬＣＤの断
面図である。
【図５】本発明の他の実施例に係るＩＰＳモードＬＣＤ
の平面図である。
【符号の説明】
２０ ガラス基板 ２１ 共通電極ライン ２１ａ 遮光部 ２１ｂ 突出部 ２２ ゲートバスライン ２２ａ ゲート電極 ２３ ゲート絶縁膜 ２４ カウンター電極 ２４ａ ブランチ ２４ｂ バー ２４ｃ 突出部 ２５ チャネル層 ２６ データバスライン ２６ａ ソース電極 ２６ｂ ドレイン電極 ２７ 保護膜 ２８ 画素電極 ２８ａ 第１電極部 ２８ｂ 第２電極部 ２８ｃ 第３電極部 ３０ ＴＦＴ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 承 翊 大韓民国 ソウル 陽川區 木２洞 535 −26

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明性絶縁基板と、 単位画素空間を限定するように、前記透明性絶縁基板上
    に交差して配列されたゲートバスラインとデータバスラ
    インと、 前記ゲートバスラインと平行しながら単位画素内で最大
    限離隔して配列され、単位画素の両側縁に配置される一
    対の遮光部を有する共通電極ラインと、 前記ゲートバスラインとデータバスラインの交差点付近
    に配置された薄膜トランジスタと、 前記共通電極ラインの遮光部の間の画素領域に配置さ
    れ、前記データバスラインと平行に配置される数個のブ
    ランチと、前記ブランチの一端と連結しながら前記共通
    電極ラインとコンタクトされるバー（Ｂａｒ）とで構成
    され、透明導電体で成るカウンター電極と、 前記データバスラインと平行しながら、前記共通電極ラ
    インの遮光部とオーバーラップするよう配置される一対
    の第１電極部と、前記カウンター電極のブランチの間に
    それぞれ配置される第２電極部と、前記第１及び第２電
    極部の一端と連結しながら薄膜トランジスタの一部分と
    コンタクトする第３電極部とで構成され、透明導電体で
    成る画素電極とを含むことを特徴とするインプレーンス
    イッチングモード液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記共通電極ラインは、カウンター電極
    のバーとコンタクトされる突出部をさらに含むことを特
    徴とする請求項１記載のインプレーンスイッチングモー
    ド液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記カウンター電極のバーは、共通電極
    ラインとコンタクトされる突出部をさらに含むことを特
    徴とする請求項１記載のインプレーンスイッチングモー
    ド液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記カウンター電極のブランチと画素電
    極の第１及び第２電極部は、５〜１０μｍの幅を有する
    ことを特徴とする請求項１記載のインプレーンスイッチ
    ングモード液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記カウンター電極のブランチと画素電
    極の第１及び第２電極部の間の間隔は、５〜１０μｍで
    あることを特徴とする請求項１記載のインプレーンスイ
    ッチングモード液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記透明導電体は、ＩＴＯ膜、ＩｎＯ３
    とＺｎＯ３が混合されたＩＸＯ膜、又はＮｉＳｉ２膜中
    から選択される一つであることを特徴とする請求項１記
    載のインプレーンスイッチングモード液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 透明性絶縁基板上に第１不透明金属膜を
    蒸着する段階と、 前記第１不透明金属膜をパターニングし、ゲート電極を
    含むゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと平行
    しながら単位画素内で最大限離隔して配置され、単位画
    素の両側縁にそれぞれ配置される一対の遮光部を有する
    共通電極ラインを形成する段階と、 前記ゲートバスラインと共通電極ラインを覆うように、
    前記透明性絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成する段階
    と、 前記ゲート電極上部のゲート絶縁膜部分上にチャネル層
    を形成する段階と、 薄膜トランジスタが構成されるように、又、単位画素が
    限定されるように、前記チャネル層上にソース／ドレイ
    ン電極を形成し、同時に、前記ゲートバスラインと交差
    して配列されるようにデータバスラインを形成する段階
    と、 前記データバスラインを形成する段階までの結果物上に
    前記共通電極ラインの一部分と、薄膜トランジスタの一
    部分を露出させるコンタクトホールを有する保護膜を形
    成する段階と、 前記保護膜上に透明導電体を蒸着する段階と、 前記透明導電体をパターニングし、前記データバスライ
    ンと平行しながら、前記共通電極ラインの遮光部とオー
    バーラップするよう配置される一対の第１電極部と、前
    記カウンター電極のブランチの間にそれぞれ配置される
    第２電極部、及び前記第１と第２電極部の一端と連結し
    ながら薄膜トランジスタの一部分とコンタクトする第３
    電極部で構成される画素電極を形成する段階とを含むこ
    とを特徴とするインプレーンスイッチングモード液晶表
    示装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記共通電極ラインは、カウンター電極
    のバーとコンタクトする突出部を有するよう形成するこ
    とを特徴とする請求項７記載のインプレーンスイッチン
    グモード液晶表示装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記カウンター電極は、共通電極ライン
    とコンタクトする突出部を有するよう形成することを特
    徴とする請求項７記載のインプレーンスイッチングモー
    ド液晶表示装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記透明導電体は、ＩＴＯ膜、ＩｎＯ
    ３とＺｎＯ３が混合されたＩＸＯ膜、又はＮｉＳｉ２膜
    中から選択される一つであることを特徴とする請求項７
    記載のインプレーンスイッチングモード液晶表示装置の
    製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記ＮｉＳｉ２膜は、５０〜１００Å
    の厚さに蒸着することを特徴とする請求項１０記載のイ
    ンプレーンスイッチングモード液晶表示装置の製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記カウンター電極のブランチと画素
    電極の第１及び第２電極部は、５〜１０μｍの幅を有す
    るよう形成することを特徴とする請求項７記載のインプ
    レーンスイッチングモード液晶表示装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】前記カウンター電極のブランチと画素電
    極の第１及び第２電極部の間の間隔は、５〜１０μｍを
    有するようにすることを特徴とする請求項７記載のイン
    プレーンスイッチングモード液晶表示装置の製造方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006189763A (ja) * 2004-12-31 2006-07-20 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
CN1314127C (zh) * 2001-12-14 2007-05-02 三星Sdi株式会社 具有面板的平板显示器件及其制造方法
JP2008015511A (ja) * 2006-06-30 2008-01-24 Lg Philips Lcd Co Ltd 横電界型の液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
CN100432810C (zh) * 2004-01-08 2008-11-12 Nec液晶技术株式会社 液晶显示装置
JP2009217211A (ja) * 2008-03-13 2009-09-24 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR100955382B1 (ko) 2004-12-31 2010-04-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US8358392B2 (en) 2007-10-23 2013-01-22 Nlt Technologies, Ltd. Lateral electric field type active-matrix addressing liquid crystal display device
JP2013083945A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Lg Display Co Ltd 立体映像表示装置
JP2013097190A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Japan Display Central Co Ltd 液晶表示装置
JP2019204119A (ja) * 2006-06-02 2019-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US10578935B2 (en) * 2017-03-09 2020-03-03 Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising first and second liquid crystal layers and a first light shielding unit having a first portion and a second portion
JP2020197754A (ja) * 2005-12-05 2020-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100881357B1 (ko) * 1999-09-07 2009-02-02 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
JP4667587B2 (ja) * 2000-12-01 2011-04-13 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6917406B2 (en) * 2001-03-16 2005-07-12 Hannstar Display Corp. Electrode array structure of IPS-LCD
KR20020085234A (ko) * 2001-05-07 2002-11-16 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 액정표시장치
KR100412213B1 (ko) * 2001-05-17 2003-12-31 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시장치
KR100820646B1 (ko) * 2001-09-05 2008-04-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP3879463B2 (ja) * 2001-09-19 2007-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示パネル，液晶表示装置、及び液晶テレビ
KR100829785B1 (ko) * 2001-12-11 2008-05-16 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치
KR100835975B1 (ko) * 2001-12-28 2008-06-09 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US6876420B2 (en) * 2002-06-25 2005-04-05 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
KR100852806B1 (ko) * 2002-08-01 2008-08-18 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100852819B1 (ko) * 2002-08-01 2008-08-18 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 제조 방법
KR100899625B1 (ko) * 2002-08-07 2009-05-27 엘지디스플레이 주식회사 횡전계모드 액정표시소자
KR100909413B1 (ko) * 2002-10-04 2009-07-28 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정 표시 소자 및 그 제조방법
KR100895016B1 (ko) * 2002-10-04 2009-04-30 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정 표시 소자 및 그 제조방법
KR100895308B1 (ko) * 2002-10-25 2009-05-07 삼성전자주식회사 수평 전계형 박막 트랜지스터 기판
KR100895017B1 (ko) * 2002-12-10 2009-04-30 엘지디스플레이 주식회사 개구율이 향상된 횡전계모드 액정표시소자
KR100919195B1 (ko) * 2002-12-31 2009-09-28 엘지디스플레이 주식회사 고개구율 액정표시소자
KR101048699B1 (ko) * 2003-12-31 2011-07-12 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법
JP4394479B2 (ja) * 2004-02-26 2010-01-06 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4627148B2 (ja) * 2004-04-09 2011-02-09 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
KR101157226B1 (ko) * 2004-05-31 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
WO2006010294A1 (fr) * 2004-07-26 2006-02-02 Quanta Display Inc. Dispositif d'affichage a cristaux liquides
KR101106556B1 (ko) * 2004-11-26 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR101157386B1 (ko) * 2005-02-02 2012-06-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101255299B1 (ko) * 2005-04-28 2013-04-23 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
JP4385993B2 (ja) 2005-05-10 2009-12-16 三菱電機株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100934823B1 (ko) * 2005-05-20 2009-12-31 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101318435B1 (ko) * 2005-11-03 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR101180718B1 (ko) * 2005-12-29 2012-09-07 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR101246719B1 (ko) * 2006-06-21 2013-03-25 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR101293950B1 (ko) * 2006-06-30 2013-08-07 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 이를 갖는 표시패널
US8125603B2 (en) * 2007-05-17 2012-02-28 Lg Display Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR101432572B1 (ko) * 2007-12-07 2014-08-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101308250B1 (ko) * 2008-12-03 2013-09-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR101791579B1 (ko) 2011-04-08 2017-10-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101457746B1 (ko) * 2011-10-26 2014-11-04 엘지디스플레이 주식회사 입체 영상 표시장치
CN102591080B (zh) * 2012-02-21 2014-10-29 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示器、基板及其制造方法
TWI572960B (zh) * 2012-03-19 2017-03-01 群康科技(深圳)有限公司 液晶顯示裝置及導電基板的製作方法
CN102866543B (zh) * 2012-09-13 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 像素单元、阵列基板以及液晶显示装置
CN107919379A (zh) * 2017-11-06 2018-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示器及其制作方法
CN109856878B (zh) * 2019-03-22 2022-04-19 惠科股份有限公司 一种显示面板、显示面板的修复方法以及显示装置
CN111474784B (zh) * 2020-05-08 2021-06-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素结构及液晶显示面板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2952744B2 (ja) * 1993-11-04 1999-09-27 松下電器産業株式会社 薄膜トランジスター集積装置
JP3712774B2 (ja) * 1996-03-29 2005-11-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 液晶表示素子
JP3148129B2 (ja) * 1996-08-07 2001-03-19 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス基板とその製法および液晶表示装置
JP3481074B2 (ja) * 1997-04-25 2003-12-22 松下電器産業株式会社 液晶表示素子
JPH11271808A (ja) * 1998-03-25 1999-10-08 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置並びにこのアレイ基板の製造方法
KR100299381B1 (ko) * 1998-08-24 2002-06-20 박종섭 고개구율 및 고투과율을 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1314127C (zh) * 2001-12-14 2007-05-02 三星Sdi株式会社 具有面板的平板显示器件及其制造方法
CN100432810C (zh) * 2004-01-08 2008-11-12 Nec液晶技术株式会社 液晶显示装置
KR100955382B1 (ko) 2004-12-31 2010-04-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US7576824B2 (en) 2004-12-31 2009-08-18 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP2006189763A (ja) * 2004-12-31 2006-07-20 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP7522950B2 (ja) 2005-12-05 2024-07-25 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US11899329B2 (en) 2005-12-05 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP7318050B2 (ja) 2005-12-05 2023-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US11592719B2 (en) 2005-12-05 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2022079668A (ja) * 2005-12-05 2022-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP7026745B2 (ja) 2005-12-05 2022-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US11126053B2 (en) 2005-12-05 2021-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11048135B2 (en) 2005-12-05 2021-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2020197754A (ja) * 2005-12-05 2020-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2019204119A (ja) * 2006-06-02 2019-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US11600236B2 (en) 2006-06-02 2023-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US10714024B2 (en) 2006-06-02 2020-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US11657770B2 (en) 2006-06-02 2023-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US8687158B2 (en) 2006-06-30 2014-04-01 Lg Display Co. Ltd. IPS LCD having a first common electrode directly extending from the common line and a second common electrode contacts the common line only through a contact hole of the gate insulating layer
KR101264789B1 (ko) 2006-06-30 2013-05-15 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
JP2008015511A (ja) * 2006-06-30 2008-01-24 Lg Philips Lcd Co Ltd 横電界型の液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
US8614779B2 (en) 2007-10-23 2013-12-24 Nlt Technologies, Ltd. Lateral electric field type active-matrix addressing liquid crystal display device
US8358392B2 (en) 2007-10-23 2013-01-22 Nlt Technologies, Ltd. Lateral electric field type active-matrix addressing liquid crystal display device
JP2009217211A (ja) * 2008-03-13 2009-09-24 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2013083945A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Lg Display Co Ltd 立体映像表示装置
US8836613B2 (en) 2011-10-06 2014-09-16 Lg Display Co., Ltd. Stereoscopic image display for improving luminance of 2D image and vertical viewing angle of 3D image
JP2013097190A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Japan Display Central Co Ltd 液晶表示装置
US11150526B2 (en) 2017-03-09 2021-10-19 Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising a first light shielding unit having an opening that overlaps a contact hole and is entirely surrouned by the first light shielding unit
US10578935B2 (en) * 2017-03-09 2020-03-03 Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising first and second liquid crystal layers and a first light shielding unit having a first portion and a second portion

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Publication number Publication date
KR20010063296A (ko) 2001-07-09
KR100322969B1 (ko) 2002-02-01
US20010005252A1 (en) 2001-06-28
US6449027B2 (en) 2002-09-10

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