JP2002328385A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2002328385A JP2002328385A JP2001129852A JP2001129852A JP2002328385A JP 2002328385 A JP2002328385 A JP 2002328385A JP 2001129852 A JP2001129852 A JP 2001129852A JP 2001129852 A JP2001129852 A JP 2001129852A JP 2002328385 A JP2002328385 A JP 2002328385A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーフィルタによる電界の乱れを回避す
る。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から
構成されているとともに、前記画素電極は前記対向電極
と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向に並設
される複数の電極群から構成され、前記積層体に対して
前記一方の基板側にカラーフィルタが形成されている。
る。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から
構成されているとともに、前記画素電極は前記対向電極
と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向に並設
される複数の電極群から構成され、前記積層体に対して
前記一方の基板側にカラーフィルタが形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、横電界型と称されるアクティブ・マトリクス
方式の液晶表示装置に関する。
り、特に、横電界型と称されるアクティブ・マトリクス
方式の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブ・マトリクス方式の液晶表示
装置は、液晶を介して対向配置された透明基板のうち一
方の透明基板の液晶側の面に、そのｘ方向に延在しｙ方
向に並設されるゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に
並設されるドレイン信号線とが形成され、これら各信号
線に囲まれた領域を画素領域としている。各画素領域に
は、片側のゲート信号線からの走査信号によって作動さ
れる薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介し
てドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
とが形成されている。そして、横電界型と称されるもの
は、前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極
が、該画素電極が形成された透明基板側に形成され、該
電界のうち前記透明基板とほぼ平行な成分を有する電界
によって液晶の光透過率を制御させるようになってい
る。一方、液晶を介して対向配置された透明基板のうち
他方の透明基板の液晶側の面には、たとえばｙ方向に並
設される各画素領域に共通の色のカラーフィルタが形成
され、このカラーフィルタはｘ方向に並設される画素領
域にたとえば赤（Ｇ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順に順次
繰り返されて形成されている。
装置は、液晶を介して対向配置された透明基板のうち一
方の透明基板の液晶側の面に、そのｘ方向に延在しｙ方
向に並設されるゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に
並設されるドレイン信号線とが形成され、これら各信号
線に囲まれた領域を画素領域としている。各画素領域に
は、片側のゲート信号線からの走査信号によって作動さ
れる薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介し
てドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
とが形成されている。そして、横電界型と称されるもの
は、前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極
が、該画素電極が形成された透明基板側に形成され、該
電界のうち前記透明基板とほぼ平行な成分を有する電界
によって液晶の光透過率を制御させるようになってい
る。一方、液晶を介して対向配置された透明基板のうち
他方の透明基板の液晶側の面には、たとえばｙ方向に並
設される各画素領域に共通の色のカラーフィルタが形成
され、このカラーフィルタはｘ方向に並設される画素領
域にたとえば赤（Ｇ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順に順次
繰り返されて形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成から液晶表示装置において、前記カラーフィルタを前
記画素電極あるいは対向電極等が形成された前記一方の
透明基板側に形成することが試みられている。カラーフ
ィルタが他方の基板側に形成されている場合、一方との
基板との合わせの際に、その裕度が狭くなってしまうか
らである。しかし、カラーフィルタを一方の基板側に形
成した場合、該カラーフィルタが完全な絶縁体でない場
合には、液晶に印加される電界を乱す原因となることが
判明した。横電界型の液晶表示装置は、その液晶を駆動
させるために、画素電極と対向電極の間に発生する電界
のうち透明基板とほぼ平行な成分の僅かな電界を用いて
いる。そして、該電界は画素電極と対向電極が形成され
た一方の基板側でより強く形成される。したがって、前
記カラーフィルタが前記一方の基板上に形成された場
合、その電界の乱れを惹き起こす前記カラーフィルタの
存在は他方の基板に設ける場合より相対的に大きくなり
無視し得ないものとなる。本発明は、このような事情に
基づいてなされたもので、その目的は、カラーフィルタ
による電界の乱れを回避できる液晶表示装置を提供する
ことにある。
成から液晶表示装置において、前記カラーフィルタを前
記画素電極あるいは対向電極等が形成された前記一方の
透明基板側に形成することが試みられている。カラーフ
ィルタが他方の基板側に形成されている場合、一方との
基板との合わせの際に、その裕度が狭くなってしまうか
らである。しかし、カラーフィルタを一方の基板側に形
成した場合、該カラーフィルタが完全な絶縁体でない場
合には、液晶に印加される電界を乱す原因となることが
判明した。横電界型の液晶表示装置は、その液晶を駆動
させるために、画素電極と対向電極の間に発生する電界
のうち透明基板とほぼ平行な成分の僅かな電界を用いて
いる。そして、該電界は画素電極と対向電極が形成され
た一方の基板側でより強く形成される。したがって、前
記カラーフィルタが前記一方の基板上に形成された場
合、その電界の乱れを惹き起こす前記カラーフィルタの
存在は他方の基板に設ける場合より相対的に大きくなり
無視し得ないものとなる。本発明は、このような事情に
基づいてなされたもので、その目的は、カラーフィルタ
による電界の乱れを回避できる液晶表示装置を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０００５】手段１．本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から
構成されているとともに、前記画素電極は前記対向電極
と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向に並設
される複数の電極群から構成され、前記積層体に対して
前記一方の基板側にカラーフィルタが形成されているこ
とを特徴とするものである。
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から
構成されているとともに、前記画素電極は前記対向電極
と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向に並設
される複数の電極群から構成され、前記積層体に対して
前記一方の基板側にカラーフィルタが形成されているこ
とを特徴とするものである。
【０００６】手段２．本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域のほぼ
全域を被う透光性の導電層から構成されているととも
に、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向に延
在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極群か
ら構成され、前記積層体に対して前記一方の基板側にカ
ラーフィルタが形成されていることを特徴とするもので
ある。
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域のほぼ
全域を被う透光性の導電層から構成されているととも
に、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向に延
在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極群か
ら構成され、前記積層体に対して前記一方の基板側にカ
ラーフィルタが形成されていることを特徴とするもので
ある。
【０００７】手段３．本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域のほぼ
全域を被う透光性の導電層から構成されているととも
に、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向に延
在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極群か
ら構成され、前記積層体に対して前記一方の基板側にカ
ラーフィルタが形成されているとともに、前記絶縁膜は
画素電極が形成された領域の膜厚は大きく形成され画素
電極が形成されていない領域の膜厚は小さく形成されて
いることを特徴とするものである。
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域のほぼ
全域を被う透光性の導電層から構成されているととも
に、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向に延
在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極群か
ら構成され、前記積層体に対して前記一方の基板側にカ
ラーフィルタが形成されているとともに、前記絶縁膜は
画素電極が形成された領域の膜厚は大きく形成され画素
電極が形成されていない領域の膜厚は小さく形成されて
いることを特徴とするものである。
【０００８】手段４．本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から対
向電極、絶縁膜、画素電極の積層体が形成され、前記画
素電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から
構成されているとともに、前記対向電極は前記画素電極
と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向に並設
される複数の電極群から構成され、前記積層体に対して
前記一方の基板側にカラーフィルタが形成されているこ
とを特徴とするものである。
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から対
向電極、絶縁膜、画素電極の積層体が形成され、前記画
素電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から
構成されているとともに、前記対向電極は前記画素電極
と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向に並設
される複数の電極群から構成され、前記積層体に対して
前記一方の基板側にカラーフィルタが形成されているこ
とを特徴とするものである。
【０００９】手段５．本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、対向電
極、層間絶縁膜、スルーホールを介して前記薄膜トラン
ジスタのソース電極と接続された画素電極が積層され、
前記対向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電
層から構成されているとともに、前記画素電極は前記対
向電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向
に並設される複数の電極群から構成されていることを特
徴とするものである。
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、対向電
極、層間絶縁膜、スルーホールを介して前記薄膜トラン
ジスタのソース電極と接続された画素電極が積層され、
前記対向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電
層から構成されているとともに、前記画素電極は前記対
向電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向
に並設される複数の電極群から構成されていることを特
徴とするものである。
【００１０】手段６．本発明による液晶表示装置によれ
は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、対向電
極、層間絶縁膜、スルーホールを介して前記薄膜トラン
ジスタのソース電極と接続された画素電極が積層され、
前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域
のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成されていると
ともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極
群から構成されていることを特徴とするものである。
は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、対向電
極、層間絶縁膜、スルーホールを介して前記薄膜トラン
ジスタのソース電極と接続された画素電極が積層され、
前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域
のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成されていると
ともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極
群から構成されていることを特徴とするものである。
【００１１】手段７．本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、対向電
極、層間絶縁膜、スルーホールを介して前記薄膜トラン
ジスタのソース電極と接続された画素電極が積層され、
前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域
のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成されていると
ともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極
群から構成され、前記層間絶縁膜は画素電極が形成され
た領域の膜厚は大きく形成され画素電極が形成されてい
ない領域の膜厚は小さく形成されていることを特徴とす
るものである。
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、対向電
極、層間絶縁膜、スルーホールを介して前記薄膜トラン
ジスタのソース電極と接続された画素電極が積層され、
前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域
のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成されていると
ともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極
群から構成され、前記層間絶縁膜は画素電極が形成され
た領域の膜厚は大きく形成され画素電極が形成されてい
ない領域の膜厚は小さく形成されていることを特徴とす
るものである。
【００１２】手段８．本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、スルー
ホールを介して前記薄膜トランジスタのソース電極と接
続された画素電極、層間絶縁膜、対向電極が積層され、
前記画素電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電
層から構成されているとともに、前記対向電極は前記画
素電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向
に並設される複数の電極群から構成されていることを特
徴とするものである。
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、スルー
ホールを介して前記薄膜トランジスタのソース電極と接
続された画素電極、層間絶縁膜、対向電極が積層され、
前記画素電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電
層から構成されているとともに、前記対向電極は前記画
素電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向
に並設される複数の電極群から構成されていることを特
徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《液晶表示装置の全体構成》図２は、本発明による液晶
表示装置の全体の１実施例を示す等価回路図である。液
晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ
１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１
に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール
材ＳＬによって封入されている。
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《液晶表示装置の全体構成》図２は、本発明による液晶
表示装置の全体の１実施例を示す等価回路図である。液
晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ
１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１
に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール
材ＳＬによって封入されている。
【００１４】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｙ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｙ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
【００１５】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
【００１６】また、ｘ方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
【００１７】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
【００１８】この画素電極ＰＸは、基準となる電圧が供
給される対向電極ＣＴとの間に電界を発生せしめ、この
電界のうち透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分を有する
電界によって液晶の分子を回転させるようにし、その光
透過率を制御させるようになっている。
給される対向電極ＣＴとの間に電界を発生せしめ、この
電界のうち透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分を有する
電界によって液晶の分子を回転させるようにし、その光
透過率を制御させるようになっている。
【００１９】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示装置の外部に配置されたプリント基板
からの信号が入力されるようになっている。
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示装置の外部に配置されたプリント基板
からの信号が入力されるようになっている。
【００２０】垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どうしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どうしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
【００２１】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示装置の外部に配置され
たプリント基板からの信号が入力されるようになってい
る。
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示装置の外部に配置され
たプリント基板からの信号が入力されるようになってい
る。
【００２２】この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００２３】また、ｘ方向に並設された各画素領域に共
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子を構成している。この端子
からは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるよ
うになっている。
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子を構成している。この端子
からは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるよ
うになっている。
【００２４】前記各ゲート信号線は、前記垂直走査回路
Ｖからの走査信号によってその一つが順次選択されるよ
うになっている。また、前記各ドレイン信号線ＤＬは、
前記映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線
ＧＬの選択のタイミングに合わせて、映像信号が供給さ
れるようになっている。
Ｖからの走査信号によってその一つが順次選択されるよ
うになっている。また、前記各ドレイン信号線ＤＬは、
前記映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線
ＧＬの選択のタイミングに合わせて、映像信号が供給さ
れるようになっている。
【００２５】《画素の構成》図１は、前記画素領域の一
実施例を示した平面図を示し、図２の丸枠に示した部分
に相当している。なお、図１において、そのIII−III線
の断面を図３に、IV−IV線の断面を図４に示している。
実施例を示した平面図を示し、図２の丸枠に示した部分
に相当している。なお、図１において、そのIII−III線
の断面を図３に、IV−IV線の断面を図４に示している。
【００２６】図１において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。これらゲート信
号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩
形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領
域として構成するようになっている。
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。これらゲート信
号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩
形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領
域として構成するようになっている。
【００２７】このようにゲート信号線ＧＬが形成された
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶
縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されてい
る。この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形
成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶
縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの
形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、
後述の容量素子Ｃｓｔｇの形成領域においてはその誘電
体膜としての機能を有するようになっている。
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶
縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されてい
る。この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形
成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶
縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの
形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、
後述の容量素子Ｃｓｔｇの形成領域においてはその誘電
体膜としての機能を有するようになっている。
【００２８】そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴ
のそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１および
ソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線
ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型
トランジスタを構成することができる。
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴ
のそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１および
ソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線
ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型
トランジスタを構成することができる。
【００２９】なお、この実施例では、前記半導体層ＡＳ
は薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域ばかりでなく、近
傍のゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの交差部
にまで延在されて形成されている。ゲート信号線ＧＬと
ドレイン信号線ＤＬとの交差部における層間絶縁膜とし
ての機能を強化せんがためである。
は薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域ばかりでなく、近
傍のゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの交差部
にまで延在されて形成されている。ゲート信号線ＧＬと
ドレイン信号線ＤＬとの交差部における層間絶縁膜とし
ての機能を強化せんがためである。
【００３０】前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電
極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２はたとえばドレイン信
号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになってい
る。すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるド
レイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記薄膜トラ
ンジスタＴＦＴの半導体層ＡＳの上面にまで延在されて
ドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン電
極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ
離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２はたとえばドレイン信
号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになってい
る。すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるド
レイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記薄膜トラ
ンジスタＴＦＴの半導体層ＡＳの上面にまで延在されて
ドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン電
極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ
離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
【００３１】このソース電極ＳＤ２は半導体層ＡＳ面か
ら画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に至るまで若干延在さ
れ、後述の画素電極ＰＸとの接続を図るためのコンタク
ト部が形成されている。
ら画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に至るまで若干延在さ
れ、後述の画素電極ＰＸとの接続を図るためのコンタク
ト部が形成されている。
【００３２】なお、半導体層ＡＳとドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物
（たとえば燐）がドープされた薄い層が形成され、この
層はコンタクト層（図示せず）として機能するようにな
っている。
およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物
（たとえば燐）がドープされた薄い層が形成され、この
層はコンタクト層（図示せず）として機能するようにな
っている。
【００３３】このコンタクト層は、たとえば半導体層Ａ
Ｓの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
Ｓの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
【００３４】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイ
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電
極ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたと
えばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。こ
の保護膜ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶Ｌ
Ｃとの直接の接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタ
ＴＦＴの特性劣化を防止せんとするようになっている。
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電
極ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたと
えばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。こ
の保護膜ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶Ｌ
Ｃとの直接の接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタ
ＴＦＴの特性劣化を防止せんとするようになっている。
【００３５】なお、保護膜ＰＳＶはチャネルプロテクト
型、すなわち薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル部上に
ＳｉＮ等の無機保護膜が形成された構成、あるいはｐ−
Ｓｉを半導体層とするものには省略することも可能であ
る。
型、すなわち薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル部上に
ＳｉＮ等の無機保護膜が形成された構成、あるいはｐ−
Ｓｉを半導体層とするものには省略することも可能であ
る。
【００３６】そして、この保護膜ＰＳＶの上面にはカラ
ーフィルタＦＩＬが形成されている。このカラーフィル
タＦＩＬは当該画素領域において、たとえば赤、緑、青
のうちいずれかの色のフィルタからなり、たとえばその
色の顔料が含有された樹脂膜から構成されている。
ーフィルタＦＩＬが形成されている。このカラーフィル
タＦＩＬは当該画素領域において、たとえば赤、緑、青
のうちいずれかの色のフィルタからなり、たとえばその
色の顔料が含有された樹脂膜から構成されている。
【００３７】また、当該画素領域におけるカラーフィル
タＦＩＬは、当該画素領域を含んでｙ方向に並設される
画素領域群の各カラーフィルタＦＩＬと共通になってお
り（色が同一となる）、また、このようにして形成され
る帯状のカラーフィルタＦＩＬはｘ方向にたとえば赤、
緑、青、赤、……というように順次繰り返されて形成さ
れている。
タＦＩＬは、当該画素領域を含んでｙ方向に並設される
画素領域群の各カラーフィルタＦＩＬと共通になってお
り（色が同一となる）、また、このようにして形成され
る帯状のカラーフィルタＦＩＬはｘ方向にたとえば赤、
緑、青、赤、……というように順次繰り返されて形成さ
れている。
【００３８】なお、帯状の各カラーフィルタＦＩＬは隣
接する他のカラーフィルタＦＩＬとドレイン信号線ＤＬ
上で一部重ね合わされて形成されている。このカラーフ
ィルタＦＩＬの上面には、たとえばＩＴＯ膜あるいはＩ
ＺＯ膜等からなる透光性の導電膜からなる対向電極ＣＴ
が形成されている（図３、図４参照）。この対向電極Ｃ
Ｔは当該画素領域だけでなく上下、左右の隣接する他の
画素領域にまで及んで共通に形成されている。
接する他のカラーフィルタＦＩＬとドレイン信号線ＤＬ
上で一部重ね合わされて形成されている。このカラーフ
ィルタＦＩＬの上面には、たとえばＩＴＯ膜あるいはＩ
ＺＯ膜等からなる透光性の導電膜からなる対向電極ＣＴ
が形成されている（図３、図４参照）。この対向電極Ｃ
Ｔは当該画素領域だけでなく上下、左右の隣接する他の
画素領域にまで及んで共通に形成されている。
【００３９】換言すれば、図２に示した液晶表示装置の
少なくとも液晶表示部ＡＲの全域（後述する開口部を除
く）に形成され、このことから、ゲート信号線ＧＬ、ド
レイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ等をも被っ
て形成されることになる。
少なくとも液晶表示部ＡＲの全域（後述する開口部を除
く）に形成され、このことから、ゲート信号線ＧＬ、ド
レイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ等をも被っ
て形成されることになる。
【００４０】図２に示した等価回路では、対向電極ＣＴ
は対向電圧信号線ＣＬを介して基準電圧が供給されるこ
とになっているが、このように液晶表示部ＡＲのほぼ全
域に形成された対向電極ＣＴは前記対向電圧信号線ＣＬ
をその境界を区別できることなく含むもので、全体の抵
抗を低減させることができる。
は対向電圧信号線ＣＬを介して基準電圧が供給されるこ
とになっているが、このように液晶表示部ＡＲのほぼ全
域に形成された対向電極ＣＴは前記対向電圧信号線ＣＬ
をその境界を区別できることなく含むもので、全体の抵
抗を低減させることができる。
【００４１】むろん、別個に対向電圧信号線ＣＬを対向
電極ＣＴの下層のいずれかの層に設け、対向電極ＣＴと
対向電圧信号線ＣＬを積層もしくはスルーホールで電気
的に接続するようにしてもよい。
電極ＣＴの下層のいずれかの層に設け、対向電極ＣＴと
対向電圧信号線ＣＬを積層もしくはスルーホールで電気
的に接続するようにしてもよい。
【００４２】また、このように液晶表示部ＡＲのほぼ全
域に形成した対向電極ＣＴは、シール材ＳＬの外部から
数箇所にわたって基準電圧を供給できる構成とできるこ
とから、信号の波形歪みを低減させることができる。
域に形成した対向電極ＣＴは、シール材ＳＬの外部から
数箇所にわたって基準電圧を供給できる構成とできるこ
とから、信号の波形歪みを低減させることができる。
【００４３】そして、この対向電極ＣＴの上面にはたと
えばアクリル系有機樹脂材料からなる層間絶縁膜ＬＩが
形成されている。この層間絶縁膜ＬＩはこの上面に形成
される画素電極ＰＸと前記対向電極ＣＴとの絶縁を図る
ための絶縁膜となるものである。
えばアクリル系有機樹脂材料からなる層間絶縁膜ＬＩが
形成されている。この層間絶縁膜ＬＩはこの上面に形成
される画素電極ＰＸと前記対向電極ＣＴとの絶縁を図る
ための絶縁膜となるものである。
【００４４】層間絶縁膜ＬＩの上面には画素電極ＰＸが
形成され、この画素電極ＰＸは前記対向電極ＣＴと重畳
して、図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数の
電極群（図では簡単のため２本としている）から構成さ
れている。
形成され、この画素電極ＰＸは前記対向電極ＣＴと重畳
して、図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数の
電極群（図では簡単のため２本としている）から構成さ
れている。
【００４５】これら複数の各画素電極ＰＸは、その一端
側で互いに接続されたパターンとなっているとともに、
他端の少なくとも１つは、下層に位置づけられる層間絶
縁膜ＬＩ、カラーフィルタＦＩＬ、保護膜ＰＳＶに形成
されたコンタクトホールＣＨを通して薄膜トランジスタ
ＴＦＴのソース電極ＳＤ２に電気的に接続されている。
側で互いに接続されたパターンとなっているとともに、
他端の少なくとも１つは、下層に位置づけられる層間絶
縁膜ＬＩ、カラーフィルタＦＩＬ、保護膜ＰＳＶに形成
されたコンタクトホールＣＨを通して薄膜トランジスタ
ＴＦＴのソース電極ＳＤ２に電気的に接続されている。
【００４６】なお、この場合、前記コンタクトホールＣ
Ｈの形成部分における前記対向電極ＣＴには開口が形成
されており、この対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの電気
的接触を回避した構成となっている。
Ｈの形成部分における前記対向電極ＣＴには開口が形成
されており、この対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの電気
的接触を回避した構成となっている。
【００４７】また、画素電極ＰＸの対向電極ＣＴとの重
なり部分には、それらの間の層間絶縁膜ＬＩを誘電体膜
とする容量素子Ｃｓｔｇが形成され、この容量素子Ｃｓ
ｔｇによって、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像
信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるように
なっている。このとき、画素電極ＰＸは金属で形成する
ことも可能であるが、透過率を向上するため、たとえば
ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜等の透明導電体で形成することが望
ましい。
なり部分には、それらの間の層間絶縁膜ＬＩを誘電体膜
とする容量素子Ｃｓｔｇが形成され、この容量素子Ｃｓ
ｔｇによって、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像
信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるように
なっている。このとき、画素電極ＰＸは金属で形成する
ことも可能であるが、透過率を向上するため、たとえば
ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜等の透明導電体で形成することが望
ましい。
【００４８】そして、このように画素電極ＰＸが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ１の主表面には該画素電極ＰＸをも
被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜Ｏ
ＲＩ１は液晶ＬＣと直接に当接する膜で、その表面に形
成されたラビングによって該液晶ＬＣの分子の初期配向
方向を決定づけるようになっている。また、前記透明基
板ＳＵＢ１の液晶と反対側の面には偏光板ＰＯＬ１が貼
付されている。
れた透明基板ＳＵＢ１の主表面には該画素電極ＰＸをも
被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜Ｏ
ＲＩ１は液晶ＬＣと直接に当接する膜で、その表面に形
成されたラビングによって該液晶ＬＣの分子の初期配向
方向を決定づけるようになっている。また、前記透明基
板ＳＵＢ１の液晶と反対側の面には偏光板ＰＯＬ１が貼
付されている。
【００４９】前記液晶ＬＣを介して透明基板ＳＵＢ１と
対向して配置される透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に
は、配向膜ＯＲＩ２が形成され、この配向膜ＯＲＩ２は
液晶ＬＣと直接に当接する膜で、その表面に形成された
ラビングによって該液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決
定づけるようになっているまた、前記透明基板ＳＵＢ２
の液晶と反対側の面には偏光板ＰＯＬ２が貼付されてい
る。
対向して配置される透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に
は、配向膜ＯＲＩ２が形成され、この配向膜ＯＲＩ２は
液晶ＬＣと直接に当接する膜で、その表面に形成された
ラビングによって該液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決
定づけるようになっているまた、前記透明基板ＳＵＢ２
の液晶と反対側の面には偏光板ＰＯＬ２が貼付されてい
る。
【００５０】前記透明基板ＳＵＢ１に形成される配向膜
ＯＲＩ１および偏光板ＰＯＬ１、透明基板ＳＵＢ２に形
成される配向膜ＯＲＩ２および偏光板ＰＯＬ２は、液晶
の挙動を可視化するための光学手段であり、本実施例の
場合たとえば図５に示すように設定されている。
ＯＲＩ１および偏光板ＰＯＬ１、透明基板ＳＵＢ２に形
成される配向膜ＯＲＩ２および偏光板ＰＯＬ２は、液晶
の挙動を可視化するための光学手段であり、本実施例の
場合たとえば図５に示すように設定されている。
【００５１】各配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２のラビング方
向ＲＤＲは互いに平行（同じ向き）になっており、たと
えば画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電界の方向ＥＤ
Ｒに対して角度が７５°となっている。
向ＲＤＲは互いに平行（同じ向き）になっており、たと
えば画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電界の方向ＥＤ
Ｒに対して角度が７５°となっている。
【００５２】この場合、ラビング方向ＲＤＲと印加電界
方向ＥＤＲとのなす角度は、液晶の電異方性Δεが正で
あれば、４５°以上９０°未満であればよく、また、誘
電異方性Δεが負であれば、０°を超え４５°以下であ
ればよい。
方向ＥＤＲとのなす角度は、液晶の電異方性Δεが正で
あれば、４５°以上９０°未満であればよく、また、誘
電異方性Δεが負であれば、０°を超え４５°以下であ
ればよい。
【００５３】また、各配向膜のラビング方向ＲＤＲを互
いに平行（同じ向き）とすることにより、電極間および
電極上の表示に寄与する液晶の上下界面（基板との）の
液晶分子の初期プレチルト角がスプレイ状態となり、液
晶分子が互いに光学特性を補償し広い視野角特性を得る
ことができる。
いに平行（同じ向き）とすることにより、電極間および
電極上の表示に寄与する液晶の上下界面（基板との）の
液晶分子の初期プレチルト角がスプレイ状態となり、液
晶分子が互いに光学特性を補償し広い視野角特性を得る
ことができる。
【００５４】偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２は、その一方の
偏光透過軸をラビング方向と一致させ、他方の偏光透過
軸をそれに直交されている。これにより、各電極に印加
させる電圧を増加させるにともない、透過率が上昇する
ノーマリクローズ特性を得ることができる。また、電圧
無印加時には良質な黒表示を得ることができる。
偏光透過軸をラビング方向と一致させ、他方の偏光透過
軸をそれに直交されている。これにより、各電極に印加
させる電圧を増加させるにともない、透過率が上昇する
ノーマリクローズ特性を得ることができる。また、電圧
無印加時には良質な黒表示を得ることができる。
【００５５】対向電極ＣＴと画素電極ＣＴとの間には、
図４に示すように、電界Ｅが発生し、このうちの透明基
板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分の電界によって液晶の分子
ＬＣＭが該電界の強さに応じた角度で回転するようにな
っている。
図４に示すように、電界Ｅが発生し、このうちの透明基
板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分の電界によって液晶の分子
ＬＣＭが該電界の強さに応じた角度で回転するようにな
っている。
【００５６】この場合、対向電極ＣＴは画素領域のほぼ
全域にわたって形成され、それがシールドになってそれ
より下層の電界は液晶側にまったく影響を与えない構成
となっている。このため、カラーフィルタＦＩＬは画素
電極ＰＸおよび対向電極ＣＴとの間に発生する電界の分
布に悪影響を与えることがなくなるという効果を奏す
る。
全域にわたって形成され、それがシールドになってそれ
より下層の電界は液晶側にまったく影響を与えない構成
となっている。このため、カラーフィルタＦＩＬは画素
電極ＰＸおよび対向電極ＣＴとの間に発生する電界の分
布に悪影響を与えることがなくなるという効果を奏す
る。
【００５７】《製造方法》図６（ａ）ないし（ｊ）は、
本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す
工程図であり、特に透明基板ＳＵＢ１側における製造方
法を示している。
本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す
工程図であり、特に透明基板ＳＵＢ１側における製造方
法を示している。
【００５８】工程１．（図６（ａ）） 透明基板ＳＵＢ１を用意し、その主表面にＣｒおよびＣ
ｒ−Ｍｏ合金の積層膜を形成し、これをフォトリソグラ
フィ技術による選択エッチングをすることによりゲート
信号線ＧＬを形成する。むろん、Ａｌ、もしくはＡｌを
含む合金、さらにはＡｌもしくはＡｌを含む合金と他の
金属もしくは合金との積層構造でもよい。
ｒ−Ｍｏ合金の積層膜を形成し、これをフォトリソグラ
フィ技術による選択エッチングをすることによりゲート
信号線ＧＬを形成する。むろん、Ａｌ、もしくはＡｌを
含む合金、さらにはＡｌもしくはＡｌを含む合金と他の
金属もしくは合金との積層構造でもよい。
【００５９】工程２．（図６（ｂ））ゲート信号線ＧＬ
が形成された透明基板ＳＵＢ１の主表面に、ＳｉＮ膜か
らなる絶縁膜ＧＩおよびＳｉからなる半導体層を順次積
層し、この半導体層の表面にたとえばＰ（燐）を微量に
ドープして高濃度層ｄ０を形成した後、この半導体層を
フォトリソグラフィ技術による選択エッチングをするこ
とにより半導体層ＡＳを形成する。
が形成された透明基板ＳＵＢ１の主表面に、ＳｉＮ膜か
らなる絶縁膜ＧＩおよびＳｉからなる半導体層を順次積
層し、この半導体層の表面にたとえばＰ（燐）を微量に
ドープして高濃度層ｄ０を形成した後、この半導体層を
フォトリソグラフィ技術による選択エッチングをするこ
とにより半導体層ＡＳを形成する。
【００６０】工程３．（図６（ｃ）） 半導体層ＡＳが形成された透明基板ＳＵＢ１の主表面
に、ＣｒおよびＣｒ−Ｍｏ合金の積層膜を形成し、これ
をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングをする
ことによりドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦ
Ｔのドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２を形成す
る。その後、ドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ
２をマスクとし、それから露出されている半導体層ＡＳ
上の高濃度層ｄ０をエッチングして除去する。
に、ＣｒおよびＣｒ−Ｍｏ合金の積層膜を形成し、これ
をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングをする
ことによりドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦ
Ｔのドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２を形成す
る。その後、ドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ
２をマスクとし、それから露出されている半導体層ＡＳ
上の高濃度層ｄ０をエッチングして除去する。
【００６１】工程４．（図６（ｄ）） ドレイン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１およびソース
電極ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の主表面に、
たとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶを形成し、これを
フォトリソグラフィ技術による選択エッチングをするこ
とにより前記ソース電極ＳＤ２の一部を露出させるコン
タクトホールＣＨ１を形成する。なお、この場合、ドレ
イン信号線ＤＬの各端子部およびゲート信号線の各端子
部を露出させるための穴あけも同時に行う。
電極ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の主表面に、
たとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶを形成し、これを
フォトリソグラフィ技術による選択エッチングをするこ
とにより前記ソース電極ＳＤ２の一部を露出させるコン
タクトホールＣＨ１を形成する。なお、この場合、ドレ
イン信号線ＤＬの各端子部およびゲート信号線の各端子
部を露出させるための穴あけも同時に行う。
【００６２】工程５．（図６（ｅ）） 保護膜ＰＳＶが形成された透明基板ＳＵＢ１の主表面
に、顔料が混入された樹脂膜を形成し、これをフォトリ
ソグラフィ技術による選択エッチングをすることにより
カラーフィルタＦＩＬを形成する。この場合のエッチン
グの際には、前記ソース電極ＳＤ２の一部を露出させる
コンタクトホールＣＨ２をも同時に形成される。このカ
ラーフィルタＦＩＬは赤、緑、青の各色からなり、それ
らの色毎にフォトリソグラフィ技術による選択エッチン
グがなされる。
に、顔料が混入された樹脂膜を形成し、これをフォトリ
ソグラフィ技術による選択エッチングをすることにより
カラーフィルタＦＩＬを形成する。この場合のエッチン
グの際には、前記ソース電極ＳＤ２の一部を露出させる
コンタクトホールＣＨ２をも同時に形成される。このカ
ラーフィルタＦＩＬは赤、緑、青の各色からなり、それ
らの色毎にフォトリソグラフィ技術による選択エッチン
グがなされる。
【００６３】工程６．（図６（ｆ）） カラーフィルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ１の
主表面に、たとえばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＩＺＯ
(Indium Zinc Oxide)等からなる透光性の導電膜を形成
し、前記ソース電極ＳＤ２の一部を露出させるコンタク
トホールＣＨ３を形成するようにしてフォトリソグラフ
ィ技術による選択エッチングをすることにより対向電極
ＣＴを形成する。この場合、対向電極ＣＴは隣接する画
素領域にも及んで形成され、該隣接する画素領域の対向
電極ＣＴと共通に形成される。
主表面に、たとえばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＩＺＯ
(Indium Zinc Oxide)等からなる透光性の導電膜を形成
し、前記ソース電極ＳＤ２の一部を露出させるコンタク
トホールＣＨ３を形成するようにしてフォトリソグラフ
ィ技術による選択エッチングをすることにより対向電極
ＣＴを形成する。この場合、対向電極ＣＴは隣接する画
素領域にも及んで形成され、該隣接する画素領域の対向
電極ＣＴと共通に形成される。
【００６４】工程７．（図６（ｇ）） 対向電極ＣＴが形成された透明基板ＳＵＢ１の主表面
に、たとえばアクリル系有機樹脂からなる層間絶縁膜Ｌ
Ｉを形成し、前記ソース電極ＳＤ２の一部を露出させる
コンタクトホールＣＨ４を形成するようにしてフォトリ
ソグラフィ技術による選択エッチングをする。
に、たとえばアクリル系有機樹脂からなる層間絶縁膜Ｌ
Ｉを形成し、前記ソース電極ＳＤ２の一部を露出させる
コンタクトホールＣＨ４を形成するようにしてフォトリ
ソグラフィ技術による選択エッチングをする。
【００６５】工程８．（図６（ｈ）） 層間絶縁膜ＬＩが形成された透明基板ＳＵＢ１の主表面
に、たとえばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等からなる透光
性の導電膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術に
よる選択エッチングをすることにより画素電極ＰＸを形
成する。この画素電極ＰＸは、たとえばｙ方向に延在し
ｘ方向に並設される複数の電極群からなるもので、いわ
ゆる櫛歯状をなすパターンで形成される。そして、この
場合、この画素電極ＰＸは、その一部がソース電極ＳＤ
２を露出させたコンタクトホール上に形成されるように
なっており、これにより該ソース電極ＳＤ２に電気的に
接続されるようになっている。
に、たとえばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等からなる透光
性の導電膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術に
よる選択エッチングをすることにより画素電極ＰＸを形
成する。この画素電極ＰＸは、たとえばｙ方向に延在し
ｘ方向に並設される複数の電極群からなるもので、いわ
ゆる櫛歯状をなすパターンで形成される。そして、この
場合、この画素電極ＰＸは、その一部がソース電極ＳＤ
２を露出させたコンタクトホール上に形成されるように
なっており、これにより該ソース電極ＳＤ２に電気的に
接続されるようになっている。
【００６６】工程９．（図６（ｉ）） 画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の主要面に
樹脂膜を形成し、その表面をラビング処理することによ
り配向膜ＯＲＩ１を形成する。
樹脂膜を形成し、その表面をラビング処理することによ
り配向膜ＯＲＩ１を形成する。
【００６７】工程１０．（図６（ｊ）） 透明基板ＳＵＢ１の液晶と反対側の面に、偏光板ＰＯＬ
１、透光性の導電膜ＴＩ１を形成する。
１、透光性の導電膜ＴＩ１を形成する。
【００６８】実施例２．図７、図８は、本発明による液
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、それぞれ図
３、図４と対応した図となっている。図３、図４と異な
る構成は、画素電極ＰＸが形成されている層間絶縁膜Ｌ
Ｉにあり、この層間絶縁膜ＬＩは、前記画素電極ＰＸが
形成されている領域においてその層厚が大きく形成さ
れ、該画素電極ＰＸが形成されていない領域においてそ
の層厚が小さく形成されている。このような構成は、た
とえばパターン化して形成した該画素電極ＰＸをマスク
として前記層間絶縁膜ＬＩの表面をエッチングすること
によって形成される。このように構成された液晶表示装
置は、液晶を駆動させるに必要な画素電極ＰＸと対向電
極ＣＴとの間の電圧を小さくすることができる。画素電
極ＰＸが形成されていない領域において層間絶縁膜ＬＩ
の膜厚が大きいとそれだけ画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
の間に生じる電界の強度が減少してしまうからである。
したがって、本実施例では、低消費電力の液晶表示装置
を得ることができるようになる。
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、それぞれ図
３、図４と対応した図となっている。図３、図４と異な
る構成は、画素電極ＰＸが形成されている層間絶縁膜Ｌ
Ｉにあり、この層間絶縁膜ＬＩは、前記画素電極ＰＸが
形成されている領域においてその層厚が大きく形成さ
れ、該画素電極ＰＸが形成されていない領域においてそ
の層厚が小さく形成されている。このような構成は、た
とえばパターン化して形成した該画素電極ＰＸをマスク
として前記層間絶縁膜ＬＩの表面をエッチングすること
によって形成される。このように構成された液晶表示装
置は、液晶を駆動させるに必要な画素電極ＰＸと対向電
極ＣＴとの間の電圧を小さくすることができる。画素電
極ＰＸが形成されていない領域において層間絶縁膜ＬＩ
の膜厚が大きいとそれだけ画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
の間に生じる電界の強度が減少してしまうからである。
したがって、本実施例では、低消費電力の液晶表示装置
を得ることができるようになる。
【００６９】実施例３．図９、図１０は、本発明による
液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、それぞれ図
３、図４と対応した図となっている。図３、図４と異な
る構成は、カラーフィルタＦＩＬにあり、それに形成さ
れたコンタクトホールＣＨの側壁面には層間絶縁膜ＬＩ
によって被われていない構成となっている。
液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、それぞれ図
３、図４と対応した図となっている。図３、図４と異な
る構成は、カラーフィルタＦＩＬにあり、それに形成さ
れたコンタクトホールＣＨの側壁面には層間絶縁膜ＬＩ
によって被われていない構成となっている。
【００７０】すなわち、該コンタクトホールＣＨ内に形
成される画素電極ＰＸの薄膜トランジスタＴＦＴのソー
ス電極ＳＤ２との接続部は該カラーフィルタＦＩＬと直
接に接触された構成となっている。カラーフィルタＦＩ
Ｌは顔料が含有された樹脂膜で構成されているため、そ
れ自体はほぼ絶縁膜となっているからであり、画素電極
ＰＸと対向電極ＣＴの短絡には至らないためである。
成される画素電極ＰＸの薄膜トランジスタＴＦＴのソー
ス電極ＳＤ２との接続部は該カラーフィルタＦＩＬと直
接に接触された構成となっている。カラーフィルタＦＩ
Ｌは顔料が含有された樹脂膜で構成されているため、そ
れ自体はほぼ絶縁膜となっているからであり、画素電極
ＰＸと対向電極ＣＴの短絡には至らないためである。
【００７１】図１１は、このような構成からなる液晶表
示装置の製造方法の一実施例を示す工程図で、図６と対
応した図となっている。図６と異なる部分は、その
（ｇ）に示す部分で、層間絶縁膜ＬＩにおけるコンタク
トホールＣＨ４を形成する場合、その径をカラーフィル
タＦＩＬに形成されたコンタクトホールのそれとほぼ等
しくあるいはそれより大きく形成することにある。
示装置の製造方法の一実施例を示す工程図で、図６と対
応した図となっている。図６と異なる部分は、その
（ｇ）に示す部分で、層間絶縁膜ＬＩにおけるコンタク
トホールＣＨ４を形成する場合、その径をカラーフィル
タＦＩＬに形成されたコンタクトホールのそれとほぼ等
しくあるいはそれより大きく形成することにある。
【００７２】上述した各実施例は、そのいずれも層間絶
縁膜ＬＩの下層に形成された電極を対向電極とし、上層
に形成された電極を画素電極としたものである。しか
し、上述した構成において、層間絶縁膜ＬＩの下層に形
成された電極を画素電極とし、上層に形成された電極を
対向電極とするようにしてもよいことはいうまでもな
い。
縁膜ＬＩの下層に形成された電極を対向電極とし、上層
に形成された電極を画素電極としたものである。しか
し、上述した構成において、層間絶縁膜ＬＩの下層に形
成された電極を画素電極とし、上層に形成された電極を
対向電極とするようにしてもよいことはいうまでもな
い。
【００７３】この場合、該画素電極は、隣接する他の画
素領域の画素電極と電気的に分離されていなければなら
ないため、たとえばドレイン信号線ＤＬおよびゲート信
号線ＧＬ上に形成されたスリットによってそれぞれ物理
的に分離されるようにして構成される。
素領域の画素電極と電気的に分離されていなければなら
ないため、たとえばドレイン信号線ＤＬおよびゲート信
号線ＧＬ上に形成されたスリットによってそれぞれ物理
的に分離されるようにして構成される。
【００７４】このように構成した場合でも、各画素領域
においてカラーフィルタＦＩＬの上方にそのほぼ全域に
わたって画素電極が形成されていることから、該カラー
フィルタＦＩＬが画素電極と対向電極との間に発生する
電界に悪影響を及ぼすことはなくなる。
においてカラーフィルタＦＩＬの上方にそのほぼ全域に
わたって画素電極が形成されていることから、該カラー
フィルタＦＩＬが画素電極と対向電極との間に発生する
電界に悪影響を及ぼすことはなくなる。
【００７５】
【発明の効果】以上、説明したことから明らかとなるよ
うに、本発明による液晶表示装置によれば、カラーフィ
ルタによる電界の乱れを回避できるようになる。
うに、本発明による液晶表示装置によれば、カラーフィ
ルタによる電界の乱れを回避できるようになる。
【図１】 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
等価回路図である。
等価回路図である。
【図３】 図１のIII−III線における断面図である。
【図４】 図１のIV−IV線における断面図である
【図５】 本発明による液晶表示装置の電界の方向と配
向膜および偏光板との関係を示す説明図である。
向膜および偏光板との関係を示す説明図である。
【図６】 本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例を示す工程図である。
施例を示す工程図である。
【図７】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図で、図３に対応した図である。
す断面図で、図３に対応した図である。
【図８】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図で、図４に対応した図である。
す断面図で、図４に対応した図である。
【図９】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図で、図３に対応した図である。
す断面図で、図３に対応した図である。
【図１０】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を
示す断面図で、図４に対応した図である。
示す断面図で、図４に対応した図である。
【図１１】 本発明による液晶表示装置の製造方法の他
の実施例を示す工程図である。
の実施例を示す工程図である。
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイ
ン信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＡＳ…半導体
層、ＳＤ１…ドレイン電極、ＳＤ２…ソース電極、ＰＸ
…画素電極、ＣＴ…対向電極。
ン信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＡＳ…半導体
層、ＳＤ１…ドレイン電極、ＳＤ２…ソース電極、ＰＸ
…画素電極、ＣＴ…対向電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９Ｂ 9/35 9/35 (72)発明者 桶 隆太郎 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FD06 GA02 GA03 GA06 GA13 LA17 LA19 2H092 GA24 JA24 JB05 JB16 NA01 NA07 NA19 PA02 PA08 5C094 AA08 AA53 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 ED03
Claims (8)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、 該液晶側から画素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形
成され、前記対向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光
性の導電層から構成されているとともに、前記画素電極
は前記対向電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差
する方向に並設される複数の電極群から構成され、 前記積層体に対して前記一方の基板側にカラーフィルタ
が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、 該液晶側から画素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形
成され、前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで
画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成され
ているとともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳し
て一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される複
数の電極群から構成され、 前記積層体に対して前記一方の基板側にカラーフィルタ
が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、 該液晶側から画素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形
成され、前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで
画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成され
ているとともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳し
て一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される複
数の電極群から構成され、 前記積層体に対して前記一方の基板側にカラーフィルタ
が形成されているとともに、前記絶縁膜は画素電極が形
成された領域の膜厚は大きく形成され画素電極が形成さ
れていない領域の膜厚は小さく形成されていることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、 該液晶側から対向電極、絶縁膜、画素電極の積層体が形
成され、前記画素電極は画素領域のほぼ全域を被う透光
性の導電層から構成されているとともに、前記対向電極
は前記画素電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差
する方向に並設される複数の電極群から構成され、 前記積層体に対して前記一方の基板側にカラーフィルタ
が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、 前記一方の基板側から、少なくとも、前記一対のゲート
信号線のうち一方のゲート信号線の一部をゲート電極と
し前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号
線にドレイン電極が接続された薄膜トランジスタ、この
薄膜トランジスタを被って形成される保護膜、カラーフ
ィルタ、対向電極、層間絶縁膜、スルーホールを介して
前記薄膜トランジスタのソース電極と接続された画素電
極が積層され、 前記対向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電
層から構成されているとともに、前記画素電極は前記対
向電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向
に並設される複数の電極群から構成されていることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、 前記一方の基板側から、少なくとも、前記一対のゲート
信号線のうち一方のゲート信号線の一部をゲート電極と
し前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号
線にドレイン電極が接続された薄膜トランジスタ、この
薄膜トランジスタを被って形成される保護膜、カラーフ
ィルタ、対向電極、層間絶縁膜、スルーホールを介して
前記薄膜トランジスタのソース電極と接続された画素電
極が積層され、 前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域
のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成されていると
ともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極
群から構成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、 前記一方の基板側から、少なくとも、前記一対のゲート
信号線のうち一方のゲート信号線の一部をゲート電極と
し前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号
線にドレイン電極が接続された薄膜トランジスタ、この
薄膜トランジスタを被って形成される保護膜、カラーフ
ィルタ、対向電極、層間絶縁膜、スルーホールを介して
前記薄膜トランジスタのソース電極と接続された画素電
極が積層され、 前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域
のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成されていると
ともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極
群から構成され、 前記層間絶縁膜は画素電極が形成された領域の膜厚は大
きく形成され画素電極が形成されていない領域の膜厚は
小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、 前記一方の基板側から、少なくとも、前記一対のゲート
信号線のうち一方のゲート信号線の一部をゲート電極と
し前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号
線にドレイン電極が接続された薄膜トランジスタ、この
薄膜トランジスタを被って形成される保護膜、カラーフ
ィルタ、スルーホールを介して前記薄膜トランジスタの
ソース電極と接続された画素電極、層間絶縁膜、対向電
極が積層され、 前記画素電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電
層から構成されているとともに、前記対向電極は前記画
素電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向
に並設される複数の電極群から構成されていることを特
徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001129852A JP4722319B2 (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001129852A JP4722319B2 (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002328385A true JP2002328385A (ja) | 2002-11-15 |
| JP4722319B2 JP4722319B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=18978323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001129852A Expired - Lifetime JP4722319B2 (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4722319B2 (ja) |
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- 2001-04-26 JP JP2001129852A patent/JP4722319B2/ja not_active Expired - Lifetime
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