JP2001220172A - アルカリ金属不含のアルミノホウケイ酸塩ガラスおよびその使用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ディスプレイ技術および薄膜光電池の双方に
おける基板ガラスとしての使用に高度に適したガラス。 【解決手段】 ２．８×１０^{- ６}／Ｋ〜３．６×１０^{- ６}
／Ｋの熱膨張率α_{２０／ ３００}を有し、かつ次の組成
（質量％、酸化物基準）：ＳｉＯ_２ ＞５８〜６５、Ｂ
_２Ｏ_３ ＞６〜１１．５；Ａｌ_２Ｏ_３ ＞２０〜２５、Ｍ
ｇＯ ４〜＜６．５、ＣａＯ ＞４．５〜８、ＳｒＯ ０
〜＜４、ＢａＯ ０．５〜＜５、但し、ＳｒＯ＋ＢａＯ
＞３、ＺｎＯ ０〜２を有するアルカリ金属不含のアル
ミノホウケイ酸塩ガラス。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アルカリ金属不含
のアルミノホウケイ酸塩ガラスに関する。また、本発明
はこのガラスの使用に関する。

【０００２】

【従来の技術】フラットパネル液晶ディスプレイ技術、
例えばＴＮ（ねじれネマティック）／ＳＴＮ（超ねじれ
ネマティック）ディスプレイ、アクティブマトリックス
液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤｓ）、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴｓ）またはプラズマアドレスド液晶(plasma ad
dressed liquid crystals)（ＰＡＬＣｓ）における基板
として適用するためのガラスには、高度な要求がなされ
ている。高い熱衝撃抵抗性およびフラットパネルスクリ
ーンの製造のためのプロセスに使用される攻撃的な化学
薬品に対する良好な耐性の他にも、ガラスは、幅広いス
ペクトル域（ＶＩＳ、ＵＶ）に亘り高い透明度を有する
べきであり、かつ重量を減らすために低い密度を有する
べきである。例えばＴＦＴディスプレイ（“チップ・オ
ン・ガラス”）における、集積半導体回路のための基板
材料としての使用は、付加的に、３００℃までの低温で
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の形でガラス基板上
に通常堆積する薄膜材料シリコンとの熱整合を必要とす
る。アモルファスシリコンを、約６００℃の温度での引
き続く熱処理により部分的に再結晶させる。ａ−Ｓｉ分
率のために、生じる部分的に結晶質のポリ−Ｓｉ層は、
熱膨張率α_{２０／３０ ０}≒３．７×１０^{- ６}／Ｋにより
特徴付けられる。ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ比に応じて、熱
膨張率α_{２０／３００}は、２．９・１０^{- ６}／Ｋ〜４．
２・１０^{- ６}／Ｋの間で変化しうる。実質的に結晶質の
Ｓｉ層が、薄膜光電池において同様に望ましい、７００
℃を上回る高温処理によりまたはＣＶＤ法による直接的
な堆積により生じる場合には、基板は、３．２×１０^-
６／Ｋまたはそれ以下の顕著に低下した熱膨張を有する
ことを必要とする。

【０００３】その上、ディスプレイおよび光電池技術に
おける適用は、アルカリ金属イオンの不在を必要とす
る。製造の結果としての１０００ｐｐｍ未満の酸化ナト
リウム水準は、半導体層へのＮａ^＋の拡散のために一般
的な“被毒”作用を考慮して許容されうる。

【０００４】適切な品質で（気泡なし、ノットなし、混
在物なし）、例えばフロートプラント中でまたは延伸法
により、経済的に、大工業規模に関して適したガラスを
製造可能にすべきである。殊に、延伸法による、低い表
面うねりを有し、薄く（＜１ｍｍ）縞のない基板の製造
には、ガラスの高い失透安定性が要求される。殊にＴＦ
Ｔディスプレイの場合の、半導体ミクロ構造に不利な影
響を及ぼす、製造中の基板のコンパクションは、ガラス
の適した温度依存性の粘度特性線を確立することにより
対処することができる：熱プロセスおよび形状安定性に
関連して、十分に高いガラス転移温度、即ちＴ_ｇ＞７０
０℃を有しているべきであるのに対して、他方では過剰
に高くない融解および加工温度（Ｖ_Ａ）、即ちＶ_Ａ≦１
３５０℃を有しているべきである。

【０００５】また、ＬＣＤディスプレイ技術または薄膜
光電池技術のためのガラス基板の必要条件は、J. C. La
ppによる“Glass substrates for AMLCD applications:
properties and implications” SPIE Proceedings, V
ol. 3014, invited paper (1997)、およびJ. Schmidに
よる“Photovoltaik - Strom aus der Sonne”VerlagC.
F. Mueller, Heidelberg 1994にそれぞれ記載されてい
る。

【０００６】上記の必要条件プロフィールは、アルカリ
土類金属−アルミノホウケイ酸塩ガラスにより最も満た
される。しかしながら、次の刊行物に記載されている公
知のディスプレイまたは太陽電池の基板ガラスはなお欠
点を有しており、かつ必要条件の完全なリストを満たし
ていない：多数の文献には、低ＭｇＯおよび／またはＣ
ａＯ含量を有するガラスが記載されている：特開平９−
１６９５３８号、特開平４−１６００３０号、特開平９
−１００１３５号公報、欧州特許出願公開第７１４８６
２号、欧州特許第３４１３１３号、米国特許第５３７４
５９５号明細書、特開平９−４８６３２号、特開平８−
２９５５３０号公報、国際特許出願公表第９７／１１９
１９号および同第９７／１１９２０号明細書。１０^２ｄ
Ｐａｓおよび１０^４ｄＰａｓの粘度で極めて高温である
ことから明らかであるように、これらのガラスは望まし
い溶融性を有しておらず、かつ相対的に高い密度を有す
る。同じことは、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３７
３０４１０号、米国特許第５１１６７８７号および同第
５１１６７８９号明細書のＭｇＯ不含のガラスに当ては
まる。

【０００７】他方では、特開昭６１−１２３５３６号公
報に記載されているように、高いＭｇＯ含量を有するガ
ラスは、その耐薬品性およびその失透および偏折挙動の
点で不十分である。

【０００８】国際特許出願公表第９８／２７０１９号明
細書に記載されているガラスは、極めて少量のＢａＯお
よびＳｒＯを含有し、かつ同様に結晶化に感受性であ
る。

【０００９】欧州特許第３４１３１３号明細書に記載さ
れているように、高い含量の重アルカリ土類金属ＢａＯ
および／またはＳｒＯを有するガラスは、望ましくない
高い密度および乏しい溶融性を有する。同じことは、特
開平１０−７２２３７号公報のガラスに当てはまる。実
施例によれば、このガラスは、粘度が１０^４ｄＰａｓお
よび１０^２ｄＰａｓで高い温度を有する。

【００１０】低いホウ酸含量を有するガラスは、同様
に、過剰に高い融解温度を示すか、またはこの結果とし
て、これらのガラスを含むプロセスに要求される融解お
よび加工温度で過剰に高い粘度を示す。このことは、特
開平１０−４５４２２号、特開平９−２６３４２１号お
よび特開昭６１−１３２５３６号公報のガラスに当ては
まる。

【００１１】更に、この種類のガラスは、低いＢａＯ含
量と組み合わされた場合に、高い失透傾向を有する。

【００１２】それに対して、例えば米国特許第４８２４
８０８号明細書に記載されているように、高いホウ酸含
量を有するガラスは、不十分な耐熱性および耐薬品性、
殊に塩酸溶液に対する不十分な耐薬品性を有する。

【００１３】相対的に低いＳｉＯ_２含量を有するガラス
は、殊にこれらが相対的に多量のＢ _２Ｏ_３および／また
はＭｇＯを含有し、かつアルカリ土類金属が少ない場合
には、十分に高い耐薬品性を有していない。このこと
は、国際特許出願公表第９７／１１９１９号および欧州
特許出願公開第６７２６２９号明細書のガラスにもあて
はまる。後者の文献の相対的にＳｉＯ_２に富む変法は、
低いＡｌ_２Ｏ_３水準を有しているにすぎず、これは結晶
化挙動には不利である。

【００１４】ハードディスク用の特開平９−１２３３３
号公報に記載されたガラスは、Ａｌ _２Ｏ_３またはＢ_２Ｏ
_３が比較的少なく、その際、後者は単に任意であるにす
ぎない。ガラスは、高いアルカリ土類金属酸化物含量を
有し、かつ高い熱膨張を有し、このことはガラスをＬＣ
ＤまたはＰＶ技術における使用にとって不適当なものに
する。

【００１５】ドイツ連邦共和国特許出願公開第４２１３
５７９号明細書には、５．５×１０ ^{- ６}／Ｋを下回り、
実施例によれば４．０×１０^{- ６}／Ｋ以上の熱膨張率α
_{２０／ ３００}を有するＴＦＴ適用のためのガラスが記載
されている。相対的に高いＢ_２Ｏ_３水準および相対的に
低いＳｉＯ_２含量を有するこれらのガラスは、高い耐薬
品性、殊に希塩酸に対する耐薬品性を有していない。

【００１６】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９６０
１０２２号明細書には、極めて幅広い組成範囲から選択
され、かつＺｒＯ_２およびＳｎＯを含有していなければ
ならないガラスが記載されている。これらの低Ａｌ_２Ｏ
_３ガラスは、そのＺｒＯ_２水準のために、ガラス欠陥を
示す傾向にある。

【００１７】本出願人によるドイツ連邦共和国特許第１
９６１７３４４号および同第１９６０３６８９号明細書
には、約３．７・１０^{- ６}／Ｋの熱膨張率α
_{２０／３００}および極めて良好な耐薬品性を有し、アル
カリ金属不含で、酸化スズ含有の低ＳｉＯ_２または低Ａ
ｌ_２Ｏ_３ガラスが開示されている。これらは、ディスプ
レイ技術における使用に適している。しかしながら、Ｚ
ｎＯを含有していなければならないので、これらは、特
にフロートプラント法における加工のために理想的では
ない。殊により高いＺｎＯ含量（＞１．５質量％）で、
熱成形域における蒸発および引き続く凝縮によりガラス
表面上にＺｎＯコーティングを形成する危険がある。

【００１８】また、特開平９−１５６９５３号公報は、
Ａｌ_２Ｏ_３が少ないディスプレイ技術のためのアルカリ
金属不含のガラスに関する。例示的なガラスのガラス転
移温度から明らかであるように、このガラスの耐熱性は
不十分である。

【００１９】未審査の日本の刊行物である特開平１０−
２５１３２号、特開平１０−１１４５３８号、特開平１
０−１３００３４号、特開平１０−５９７４１号、特開
平１０−３２４５２６号、特開平１１−４３３５０号、
特開平１０−１３９４６７号、特開平１０−２３１１３
９号および特開平１１−４９５２０号公報には、多くの
任意の成分を用いて変化させることができ、かつそのつ
ど１つまたはそれ以上の特別な清澄剤(refining agent)
と混合されるディスプレイガラスのための極めて幅広い
組成範囲が挙げられている。しかしながら、これらの文
献には、どのようにして上記の完全な必要条件プロフィ
ールを有するガラスを特別な方法で得ることができるの
かということが示されていない。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、液晶
ディスプレイ、殊にＴＦＴディスプレイおよび薄膜太陽
電池、殊にμｃ−Ｓｉをベースとする薄膜太陽電池のた
めのガラス基板、高い耐熱性、好ましい加工範囲および
十分な失透安定性を有するガラスに課される前記の物理
的および化学的な必要条件を満たすガラスを提供するこ
とにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】この課題は、請求項１で
定義されたようなアルミノホウケイ酸塩ガラスにより達
成される。

【００２２】

【発明の実施の形態】このガラスは、＞５８〜６５質量
％のＳｉＯ_２を含有する。より低い含量で、耐薬品性は
損なわれるのに対して、より高い水準で、熱膨張が低す
ぎ、かつガラスの結晶化傾向が増大する。６４．５質量
％の最大含量が好ましい。

【００２３】このガラスは、＞２０〜２５質量％のＡｌ
_２Ｏ_３を含有する。Ａｌ_２Ｏ_３は、加工温度が過剰に増
大することなく、ガラスの耐熱性に肯定的な影響を及ぼ
す。低い含量で、ガラスは、結晶化により感受性にな
る。少なくとも２０．５質量％、殊に少なくとも２１質
量％のＡｌ_２Ｏ_３含量が好ましい。２４質量％の最大Ａ
ｌ_２Ｏ_３含量が好ましい。

【００２４】Ｂ_２Ｏ_３含量は、高いガラス転移温度Ｔ_ｇ
を達成するために、最大１１．５質量％に制限される。
また、より高い含量は、耐薬品性を損なうであろう。１
１質量％の最大Ｂ_２Ｏ_３含量が好ましい。Ｂ_２Ｏ_３含量
は、ガラスが良好な溶融性および良好な結晶化安定性を
有することを確実にするために６質量％よりも高い。

【００２５】本質的なガラス成分は、網目修飾アルカリ
土類金属酸化物である。殊にその水準を変化させること
により、２．８・１０^{- ６}／Ｋ〜３．６・１０^{- ６}／Ｋの
熱膨張率α_{２０／３００}が達成される。個々の酸化物は
次の割合で存在する：このガラスは、４〜＜６．５質量
％のＭｇＯおよび＞４．５〜８質量％のＣａＯを含有す
る。確かに高い水準のこれら２つの成分は、低い密度お
よび低い加工温度の所望の性質に肯定的な影響を及ぼす
のに対して、確かに低い水準は好ましい結晶化安定性お
よび耐薬品性である。

【００２６】更に、このガラスは、殊に少なくとも０．
５質量％のＢａＯを含有する。最大ＢａＯ含量は、５．
０質量％未満に制限される。このことは、良好な溶融性
を確実にし、かつ密度を低く維持する。

【００２７】更に、このガラスは、＜４質量％までの相
対的に重いアルカリ土類金属酸化物ＳｒＯを含有する。
この低い最大含量へのこれらの任意の成分の制限は、ガ
ラスの低い密度および良好な溶融性にとって殊に有利で
ある。結晶化安定性を改善するために、ＳｒＯが特に有
利に少なくとも０．２質量％の量で存在することが好ま
しい。

【００２８】ＢａＯおよびＳｒＯの全含量は、十分な結
晶化安定性を確実にするために、そのつど＞３質量％で
ある。

【００２９】このガラスは、２質量％までのＺｎＯ、有
利に＜２質量％のＺｎＯを含有していてもよい。網目修
飾成分ＺｎＯは、構造をゆるめる機能を有し、かつアル
カリ土類金属酸化物よりも熱膨張に及ぼす影響が少な
い。粘度特性線へのその影響は、Ｂ_２Ｏ_３のそれと同じ
である。殊にガラスがフロート法により加工される場合
には、ＺｎＯ水準は、有利に最大１．５質量％に制限さ
れる。より高い水準は、熱成形域における蒸発および引
き続く凝縮により形成されうるガラス表面上の望ましく
ないＺｎＯコーティングの危険が増大するであろう。

【００３０】このガラスは、アルカリ金属不含である。
本明細書中で使用されるような用語“アルカリ金属不
含”は、本質的にはアルカリ金属酸化物不含であるけれ
ども、１０００ｐｐｍ未満の不純物を含有していてもよ
いことを意味する。

【００３１】このガラスは、２質量％までのＺｒＯ_２＋
ＴｉＯ_２を含有していてよく、その際、ＴｉＯ_２含量お
よびＺｒＯ_２含量の双方は、それぞれ２質量％までであ
ってよい。ＺｒＯ_２は有利に、ガラスの耐熱性を増大さ
せる。しかしながら、その低溶解性のために、ＺｒＯ_２
はガラス中の、ＺｒＯ_２含有の融液残存構造、いわゆる
ジルコニウム巣の危険を増大させる。従って、ＺｒＯ_２
は有利に除外される。ジルコニウム含有のトラフ材料の
侵食から生じる低ＺｒＯ_２含量は問題ない。ＴｉＯ_２は
有利に、ソラリゼーション傾向、即ちＵＶ−ＶＩＳ放射
のために可視波長域における透過率の低下を減少させ
る。２質量％を上回る含量で、カラーキャスト(colour
cast)は、使用される原材料の不純物の結果として低い
水準でガラス中に存在するＦｅ^３＋イオンとの錯体形成
のために起こりうる。

【００３２】このガラスは、通常の量で、常用の清澄剤
を含有していてもよい：従って、これらは１．５質量％
までのＡｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２および／また
はＣｅＯ_２を含有していてもよい。同様に、それぞれ
１．５質量％のＣｌ^-（例えばＢａＣｌ_２の形で）、Ｆ^-
（例えばＣａＦ_２の形で）またはＳＯ_４ ^{２ -}（例えばＢ
ａＳＯ_４の形で）を添加することも可能である。しかし
ながら、Ａｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、Ｓｎ
Ｏ_２、Ｃｌ^-、Ｆ^-およびＳＯ_４ ^{２ -}の総和は、１．５質
量％を超えるべきではない。

【００３３】清澄剤Ａｓ_２Ｏ_３およびＳｂ_２Ｏ_３が除外
される場合には、このガラスは、多数の延伸法を用いる
だけではなく、フロート法によっても加工することがで
きる。

【００３４】例えば単純なバッチ製造に関連して、Ｚｒ
Ｏ_２およびＳｎＯ_２の双方を除外できることおよび上記
の性質プロフィール、殊に高い耐熱性および耐薬品性お
よび低い結晶化傾向を有するガラスをなお得ることがで
きることは有利である。

【００３５】

【実施例】作業例：ガラスをＰｔ／Ｉｒるつぼ中で１６
２０℃で不可避の不純物を除いて本質的にアルカリ金属
不含の常用の原材料から生産した。融液を、この温度で
１．５時間清澄し、ついで誘導加熱した白金るつぼに移
し、均質化のために１５５０℃で３０分間撹拌した。

【００３６】表は、本発明によるガラスの１１の例をそ
の組成（質量％、酸化物基準）およびその最も重要な性
質と共に示している。０．３質量％の水準での清澄剤Ｓ
ｎＯ _２は挙げられていない。次の性質が与えられてい
る： ・熱膨張率α_{２０／３００}［１０^{- ６}／Ｋ］ ・密度ρ［ｇ／ｃｍ^３］ ・ＤＩＮ５２３２４による膨張計による(dilatometric)
ガラス転移温度Ｔ_ｇ［℃］ ・粘度が１０^４ｄＰａｓでの温度（Ｔ４［℃］と呼ぶ） ・Vogel-Fulcher-Tammann式から計算した、粘度が１０
^２ｄＰａｓでの温度（Ｔ２［℃］と呼ぶ） ・屈折率ｎ_ｄ ・５％濃度の塩酸で９５℃で２４時間処理後の、両面磨
いた寸法５０ｍｍ×５０ｍｍ×２ｍｍのガラスプレート
からの質量損失（材料除去値）としての“ＨＣｌ”耐酸
性［ｍｇ／ｃｍ^２］ ・１０％濃度のＮＨ_４Ｆ・ＨＦ溶液で２３℃で２０分間
処理後の、両面磨いた寸法５０ｍｍ×５０ｍｍ×２ｍｍ
のガラスプレートからの質量損失（材料除去値）として
の緩衝したフッ化水素酸（“ＢＨＦ”）に対する耐性
［ｍｇ／ｃｍ^２］。

【００３７】表 例：本発明によるガラスの組成（質量％、酸化物基準）
および本質的な性質

【００３８】

【表１】

【００３９】

【表２】

【００４０】作業例の説明として、本発明によるガラス
は、次の有利な性質を有する： ・２．８×１０^{- ６}／Ｋ〜３．６×１０^{- ６}／Ｋの熱膨張
α_{２０／３００}、従ってアモルファスシリコンおよびま
すます多結晶質のシリコンの双方の膨張挙動に適合し
た。

【００４１】・Ｔ_ｇ＞７００℃、極めて高いガラス転移
温度、即ち高い耐熱性。これは、製造の結果として最も
低く可能なコンパクションにとって、かつアモルファス
Ｓｉ層でコーティングし、引き続き徐冷するための基板
としてのガラスの使用にとって必須である。

【００４２】・ρ＜２．６００ｇ／ｃｍ^３、低密度 ・粘度が１０^４ｄＰａｓでの温度は多くとも１３５０℃
および粘度が１０^２ｄＰａｓでの温度は多くとも１７２
０℃、これは熱成形および溶融性に関連して適した粘度
特性線を意味する。このガラスは板ガラスとして、多様
な延伸法、例えばマイクロシートダウンフロー、アップ
フローまたはオーバーフロー融解法により、および好ま
しい実施態様において、ガラスがＡｓ_２Ｏ_３およびＳｂ
_２Ｏ_３を含有しない場合には、フロート法によっても製
造することができる。

【００４３】・高い耐薬品性、塩酸および緩衝したフッ
化水素酸溶液に対する良好な耐性から明らかであり、こ
のことはフラットパネルスクリーンの製造において使用
される薬品に対して十分に不活性にする。

【００４４】・ｎ_ｄ≦１．５３１、低い屈折率。この性
質は高透過性のための物理的必要条件である。

【００４５】このガラスは、高い熱衝撃抵抗性および良
好な失透安定性を有する。

【００４６】従って、このガラスは、ディスプレイ技
術、殊にＴＦＴディスプレイのため、および薄膜光電池
における基板ガラスとしての使用に高度に適している。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｍ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルカリ金属不含のアルミノホウケイ酸
   塩ガラスにおいて、次の組成（質量％、酸化物基準）： ＳｉＯ_２ ＞５８〜６５ Ｂ_２Ｏ_３ ＞６〜１１．５ Ａｌ_２Ｏ_３ ＞２０〜２５ ＭｇＯ ４〜＜６．５ ＣａＯ ＞４．５〜８ ＳｒＯ ０〜＜４ ＢａＯ ０．５〜＜５ 但し、ＳｒＯ＋ＢａＯ ＞３ ＺｎＯ ０〜２ を有していることを特徴とする、アルカリ金属不含のア
   ルミノホウケイ酸塩ガラス。
2. 【請求項２】 少なくとも２０．５質量％、有利に２１
   質量％を上回るＡｌ _２Ｏ_３を含んでいる、請求項１記載
   のアルミノホウケイ酸塩ガラス。
3. 【請求項３】 次の組成（質量％、酸化物基準）： ＺｒＯ_２ ０〜２ ＴｉＯ_２ ０〜２ 但し、ＺｒＯ_２＋ＴｉＯ_２ ０〜２ Ａｓ_２Ｏ_３ ０〜１．５ Ｓｂ_２Ｏ_３ ０〜１．５ ＳｎＯ_２ ０〜１．５ ＣｅＯ_２ ０〜１．５ Ｃｌ^- ０〜１．５ Ｆ^- ０〜１．５ ＳＯ_４ ^{２ -} ０〜１．５ 但し、Ａｓ_２Ｏ_３＋Ｓｂ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２＋ＣｅＯ_２＋
   Ｃｌ^-＋Ｆ^-＋ＳＯ_４ ^{２ -} ０〜１．５ を含んでいる、請求項１または２記載のアルミノホウケ
   イ酸塩ガラス。
4. 【請求項４】 ガラスが、不可避の不純物を除いて、酸
   化ヒ素および酸化アンチモンを含有しておらず、かつフ
   ロートガラスプラントにおいて製造されることができ
   る、請求項１から３までのいずれか１項記載のアルミノ
   ホウケイ酸塩ガラス。
5. 【請求項５】 ２．８×１０^{- ６}／Ｋ〜３．６×１０^{- ６}
   ／Ｋの熱膨張率α_{２ ０／３００}、７００℃を上回るガラ
   ス転移温度Ｔ_ｇおよび２．６００ｇ／ｃｍ^３を下回る密
   度ρを有している、請求項１から４までのいずれか１項
   記載のアルミノホウケイ酸塩ガラス。
6. 【請求項６】 ディスプレイ技術における基板ガラスと
   しての請求項１から５までのいずれか１項記載のアルミ
   ノホウケイ酸塩ガラスの使用。
7. 【請求項７】 薄膜光電池における基板ガラスとしての
   請求項１から６までのいずれか１項記載のアルミノホウ
   ケイ酸塩ガラスの使用。